特許 7534739 放射線撮像装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-06

(45)【発行日】2024-08-15

(54)【発明の名称】放射線撮像装置

(51)【国際特許分類】

   A61B 6/42 20240101AFI20240807BHJP

【ＦＩ】

A61B6/42 500S

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2022561225

(86)(22)【出願日】2020-11-13

(86)【国際出願番号】 JP2020042488

(87)【国際公開番号】W WO2022102095

(87)【国際公開日】2022-05-19

【審査請求日】2023-04-26

(73)【特許権者】

【識別番号】304023318

【氏名又は名称】国立大学法人静岡大学

(73)【特許権者】

【識別番号】516088329

【氏名又は名称】株式会社ＡＮＳｅｅＮ

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124800

【弁理士】

【氏名又は名称】諏澤 勇司

(74)【代理人】

【識別番号】100170818

【弁理士】

【氏名又は名称】小松 秀輝

(72)【発明者】

【氏名】青木 徹

(72)【発明者】

【氏名】都木 克之

(72)【発明者】

【氏名】小池 昭史

【審査官】遠藤 直恵

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－０９６７９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０３２３２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０２１１５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５９－１３７８７４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ａ６１Ｂ ６／００－６／５８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

入射した放射線のエネルギ又は粒子の数に対応する電荷を生成する複数の画素と、
複数の前記画素ごとに接続されると共に、前記画素から提供された前記電荷に基づいてデジタル値を生成する複数の信号処理部と、
複数の前記画素及び複数の前記信号処理部を含む放射線検出器が、二次元状に配置された回路基板と、を備え、
複数の前記信号処理部は、
前記信号処理部ごとに前記電荷に基づくアナログ値を前記デジタル値に変換する信号変換部と、
前記デジタル値を生成するためのクロック信号を前記信号変換部に提供するクロック信号生成部と、をそれぞれ含む、放射線撮像装置。

【請求項2】

前記クロック信号生成部は、前記画素への前記放射線の入射に起因する前記電荷の発生をトリガとして、前記信号変換部への前記クロック信号の提供を開始する、請求項１に記載の放射線撮像装置。

【請求項3】

前記信号処理部から前記デジタル値を前記回路基板に出力させるための転送信号を、複数の前記信号処理部のそれぞれに提供する転送信号生成部と、
前記転送信号を前記信号処理部に伝送する配線部と、を更に備える、請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、放射線撮像装置に関する。

【背景技術】

【0002】

放射線を検出する技術が開発されている。放射線検出技術は、医療分野、工業分野、セキュリティ分野などへの応用が期待されている。放射線を検出する装置として、放射線画像を得る放射線撮像装置がある。放射線撮像装置は、入射した放射線の状態を示す画像データを出力する。画像データの生成には、例えば、アナログ信号をデジタル信号に変換するといった信号処理が行われる。この信号処理は、所望の機能を発揮する電子回路に対して、当該電子回路を駆動するクロック信号が提供されることにより実行される。特許文献１及び特許文献２は、Ｘ線又は放射線を検出する装置を開示する。さらに、特許文献１及び特許文献２は、これらの装置がクロックに応じて動作することを示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特表２０２０―５０７７５３号公報

【文献】国際公開第２０２０／０７７２１７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

放射線撮像装置の技術分野では、有効画素領域の大面積化が望まれている。有効画素領域の拡大は、画素数の増加を伴う。画素数が増加すると、消費電力も増加する傾向にある。

【0005】

本発明は、消費電力の増加を抑制することが可能な放射線撮像装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態である放射線撮像装置は、入射した放射線のエネルギ又は粒子の数に対応する電荷を生成する複数の画素と、複数の画素ごとに接続されると共に、画素から提供された電荷に基づいてデジタル値を生成する複数の信号処理部と、複数の画素及び複数の信号処理部を含む放射線検出器が、二次元状に配置された回路基板と、を備える。複数の信号処理部は、電荷に基づくアナログ値をデジタル値に変換する信号変換部と、デジタル値を生成するためのクロック信号を信号変換部に提供するクロック信号生成部と、をそれぞれ含む。

【0007】

この放射線撮像装置は、画素ごとに信号処理部が設けられている。そして、信号処理部は、信号変換部とクロック信号生成部と、をそれぞれ含んでいる。つまり、この放射線撮像装置は、画素ごとにクロック信号生成部が設けられている。このような構成によると、放射線が入射した画素に対応する信号変換部のみを駆動すると共に、放射線が入射していない画素に対応する信号変換部を駆動させないという動作を行うことができる。従って、画素の数が増えた場合であっても、動作が不要な信号変換部を動作させることがないので、消費電力の増加を抑制することができる。

【0008】

クロック信号生成部は、画素への放射線の入射に起因する電荷の発生をトリガとして、信号変換部へのクロック信号の提供を開始してもよい。この構成によれば、放射線が入射するごとに信号変換部の動作を行うことができる。

【0009】

本発明の一形態である放射線撮像装置は、信号処理部からデジタル値を回路基板に出力させるための転送信号を、複数の信号処理部のそれぞれに提供する転送信号生成部と、転送信号を信号処理部に伝送する配線部と、を更に備えてもよい。この構成によれば、複数の信号処理部の出力動作を同期させることができる。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、消費電力の増加を抑制することが可能な放射線撮像装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態に係る放射線撮像装置の構成を示す斜視図である。

【図2】図２は、図１に示す放射線撮像装置を分解すると共に第１の視点から見た斜視図である。

【図3】図３は、図１に示す放射線撮像装置を分解すると共に第２の視点から見た斜視図である。

【図4】図４は、図１の放射線撮像装置が備える放射線検出器を拡大して示す図である。

【図5】図５は、図４に示す放射線撮像装置が備える信号処理部の構成を示すブロック図である。

【図6】図６は、放射線撮像装置の動作を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

図１に示す放射線撮像装置１は、検査対象から到達する放射線に基づく二次元画像を得る。放射線とは、例えば、ガンマ線、Ｘ線、アルファ線及びベータ線などである。放射線撮像装置１は、複数の放射線検出器２と、回路基板３と、を有する。放射線検出器２は、回路基板３の回路主面３ａに取り付けられている。放射線検出器２は、入射した放射線に応じた画素信号を出力する。放射線検出器２は、複数の画素Ｇ（図４参照）を含んでおり、画素Ｇごとに画素信号を出力する。画素信号は、画像生成部４において放射線画像の生成に用いられる。回路基板３は、放射線検出器２から出力された画素信号を受ける。回路基板３は、制御信号を制御部５から放射線検出器２に提供するための信号線を有する。また、回路基板３は、画素信号を画像生成部４に出力するための信号線を有する。また、回路基板３は、放射線検出器２同士を電気的に接続する信号線を有してもよい。

【0013】

図２及び図３に示すように、放射線検出器２は、電荷生成部１０と、読出部２０と、を有する。電荷生成部１０及び読出部２０の形状は、板状である。放射線検出器２は、積層構造を有する。電荷生成部１０は、読出部２０の上に配置されている。電荷生成部１０は、読出部２０に対して電気的に接続されている。電荷生成部１０は、入射した放射線に応じた電荷を生成する。電荷生成部１０は、電荷を読出部２０に出力する。読出部２０は、電荷生成部１０が生成した電荷を利用して画素信号を生成する。

【0014】

電荷生成部１０は、半導体検出部１１と、制御電極部１２と、電荷出力電極１３と、を有する。

【0015】

半導体検出部１１は、受けたＸ線によって電子正孔対（電荷対）を生成する。つまり、半導体検出部１１は、受けた放射線をそのエネルギに対応した電流信号（電荷信号）に変換する。半導体検出部１１の平面形状は、矩形である。半導体検出部１１の大きさは、例えば、９．６ｍｍ×９．６ｍｍ程度である。半導体検出部１１は、Ｘ線などの放射線を受ける半導体入射面１１ａと、電荷を出力する半導体出力面１１ｂと、を有する。電荷に基づく信号は、半導体出力面１１ｂから読出部２０に提供される。半導体検出部１１としては、例えば、Ｃｄ（Ｚｎ）Ｔｅ電荷生成器、Ｓｉ電荷生成器、Ｇｅ電荷生成器、ＧａＡｓ電荷生成器、ＧａＮ電荷生成器及びＴｌＢｒ電荷生成器等を利用してよい。また、半導体検出部１１として、シンチレータと光検出器とを備えた装置を用いてもよい。シンチレータは、Ｘ線を光に変換する。光検出器は、シンチレータが生成した光を電荷に変換する。

【0016】

制御電極部１２は、半導体入射面１１ａに設けられている。制御電極部１２は、半導体入射面１１ａの全面を覆う。平面視すると、制御電極部１２の平面形状は、半導体入射面１１ａの平面形状と一致する。制御電極部１２は、半導体検出部１１が配置される領域に、電界を形成する。電界は、半導体検出部１１に発生した電荷が移動する方向を決める。制御電極部１２は、半導体検出部１１の内部において電荷が半導体出力面１１ｂに向かって移動するように電界を発生させる。

【0017】

複数の電荷出力電極１３は、半導体出力面１１ｂに設けられている。電荷出力電極１３は、バンプであってもよい。１個の電荷出力電極１３は、１個の画素Ｇに対応する。従って、電荷出力電極１３が配置されている領域は、画素領域である。例えば、第１の辺にｎ個の電荷出力電極１３が配置され、第２の辺にｍ個の電荷出力電極１３が配置されている場合には、電荷出力電極１３の総数はｋ個（ｋ＝ｎ×ｍ）である。この場合には、１個の放射線検出器２の画素数は、ｋであるといえる。そして、放射線撮像装置１がｐ個の放射線検出器２を有する場合には、放射線撮像装置１の画素数は、ｒ（ｒ＝ｋ×ｐ）であるといえる。

【0018】

１個の放射線検出器２の画素数は、例えば、９６である。従って、電荷出力電極１３の数も９６である。前述したように半導体検出部１１の大きさが９．６ｍｍ×９．６ｍｍ程度の正方形であるとすれば、電荷出力電極１３の間隔は、１００μｍである。なお、図２などでは、図示の都合上、電荷出力電極１３の数は９６より少ない数として図示している。

【0019】

読出部２０は、半導体検出部１１が発生した電荷に基づく画素信号を生成する。画素信号は、デジタル値である。読出部２０は、画素信号を回路基板３に出力する。読出部２０は、中間基板３０と、リードアウト基板４０と、を有する。

【0020】

中間基板３０は、半導体検出部１１が発生した電荷をリードアウト基板４０に導く。詳細は後述するが、電荷出力電極１３の配置は、第１リードアウト電極４１の配置と異なっている。そこで、中間基板３０は、互いに異なる位置に配置された電極同士を接続する機能を奏する。この機能をピッチ変換と称する。従って、中間基板３０は、ピッチ変換基板である。中間基板３０は、半導体検出部１１が有する電荷出力電極１３のピッチを、リードアウト基板４０の第１リードアウト電極４１のピッチに変換する。

【0021】

中間基板３０は、中間入力面３０ａと、中間出力面３０ｂと、を有する。中間入力面３０ａは、電荷生成部１０に対面する。中間出力面３０ｂは、リードアウト基板４０に対面する。

【0022】

中間入力面３０ａは、半導体検出部１１の半導体出力面１１ｂに対面する。中間入力面３０ａには、平面視して矩形の中間入力領域３０Ｓが設定されている。中間入力領域３０Ｓは、中間入力面３０ａのほぼ全面に亘って設定されている。例えば、中間入力領域３０Ｓは、中間入力面３０ａの全面としてもよい。中間入力領域３０Ｓには、複数の第１中間電極３１が二次元状に等間隔に配置されている。第１中間電極３１には、半導体検出部１１の電荷出力電極１３が電気的に接続される。従って、互いに隣り合う第１中間電極３１のピッチは、電荷出力電極１３のピッチと同じである。例えば、電荷出力電極１３のピッチが１００μｍであるとすれば、第１中間電極３１のピッチも１００μｍである。中間入力面３０ａにおいて中間入力領域３０Ｓは、画素領域に対応する。

【0023】

中間出力面３０ｂには、平面視して矩形の中間出力領域３０Ｒが設定されている。平面視すると、中間出力領域３０Ｒの全体は、中間入力領域３０Ｓと重複する。つまり、中間出力領域３０Ｒの面積は、中間入力領域３０Ｓの面積よりも小さい。中間出力領域３０Ｒには、複数の第２中間電極３２（第２の電極）が二次元状に配置されている。

【0024】

第１中間電極３１（図２参照）は、中間基板３０の側面の近傍にまで配置される。一方、第２中間電極３２（図３参照）は、中間基板３０の側面の近傍には配置されない。最外周に配置される第２中間電極３２は、中間基板３０の側面から離間する。第２中間電極３２から中間基板３０の側面までの距離は、第１中間電極３１から中間基板３０の側面までの距離よりも大きい。例えば、第２中間電極３２から中間基板３０の側面までの距離は、第２中間電極３２の数個分の長さよりも大きい。この距離は、後述するリードアウト出力部４０Ｒの幅に対応する。リードアウト出力部４０Ｒの幅が２００μｍであるとすれば、第２中間電極３２から中間基板３０の側面までの距離もおおむね２００μｍである。

【0025】

図４に示すように、１個の第１中間電極３１は、１個の第２中間電極３２に電気的に接続されている。従って、中間基板３０は、第１中間電極３１を第２中間電極３２に接続する配線３３を有する。配線３３の構成は特に制限はない。例えば、配線３３は、中間基板３０の厚み方向に延びる部分と、中間基板３０の表面の方向に延びる部分との組み合わせであってもよい。また、配線３３は、第１中間電極３１から第２中間電極３２へ向かって直線状に延びていてもよい。このような配線構造は、斜めビアと称される。斜めビアによれば、第１中間電極３１から第２中間電極３２までの配線の距離であるピッチ変換距離を短くできる。その結果、浮遊容量の影響を低減することができる。

【0026】

第１中間電極３１の数は、第２中間電極３２の数と同じである。互いに隣接する第２中間電極３２のピッチＰ３２は、互いに隣接する第１中間電極３１のピッチＰ３１よりも小さい。第１中間電極３１のピッチＰ３１が１００μｍであるとすれば、第２中間電極３２のピッチＰ３２として８０μｍが例示できる。なお、本実施形態では、複数の第２中間電極３２は、等間隔に配置されているが、第２中間電極３２のピッチＰ３２は等間隔に限定されない。

【0027】

再び図２及び図３を参照する。リードアウト基板４０は、電荷を受けて、受けた電荷に対応する画素信号を生成する。リードアウト基板４０は、リードアウト入力面４０ａと、リードアウト出力面４０ｂと、を有する。リードアウト入力面４０ａは、中間出力面３０ｂに対面する。リードアウト出力面４０ｂは、回路基板３に対面する。また、リードアウト基板４０は、リードアウト入力部４０Ｓと、リードアウト出力部４０Ｒと、複数の信号処理部４５（図４参照）と、を有する。

【0028】

リードアウト入力部４０Ｓは、リードアウト入力面４０ａに形成されている。リードアウト入力部４０Ｓは、複数の第１リードアウト電極４１を含む。第１リードアウト電極４１の配置は、第２中間電極３２の配置に対応している。つまり、第１リードアウト電極４１は、第２中間電極３２に対面する。その結果、１個の第１リードアウト電極４１は、１個の第２中間電極３２に電気的に接続される。そして、第１リードアウト電極４１は、第２中間電極３２から電荷を受ける。

【0029】

リードアウト出力部４０Ｒは、放射線検出器２と別の構成要素（制御部５及び画像生成部４）との間における信号の入出力部として機能する。例えば、リードアウト出力部４０Ｒは、制御部５から制御信号を受ける。また、リードアウト出力部４０Ｒは、画像生成部４に対して、デジタル値を出力する。リードアウト出力部４０Ｒは、リードアウト入力部４０Ｓを囲むように形成されている。例えば、リードアウト出力部４０Ｒの幅は、２００μｍである。平面視するとリードアウト出力部４０Ｒは、枠形状を有する。

【0030】

リードアウト出力部４０Ｒは、複数の第２リードアウト電極４２を含む。例えば、枠状のリードアウト出力部４０Ｒにおいて、１つの辺には、５０個の第２リードアウト電極４２が配置されている。従って、リードアウト出力部４０Ｒを構成する４つの辺において、２００個の第２リードアウト電極４２が配置されている。１個の第２リードアウト電極４２は、１個の信号処理部４５に接続されている。第２リードアウト電極４２は、リードアウト入力部４０Ｓを囲む。換言すると、リードアウト入力面４０ａにおいて、複数の第２リードアウト電極４２は、複数の第１リードアウト電極４１を囲むように配置されている。第２リードアウト電極４２は、貫通電極である。つまり、第２リードアウト電極４２は、リードアウト入力面４０ａからリードアウト出力面４０ｂに至る。第２リードアウト電極４２は、リードアウト出力面４０ｂに設けられたバンプを介して回路基板３に電気的に接続されている。

【0031】

図４に示すように、信号処理部４５は、電荷をデジタル値である画素信号に変換する。１個の信号処理部４５は、１個の第１リードアウト電極４１に接続されている。つまり、１個の信号処理部４５は、１個の画素Ｇに接続されている。従って、読出部２０は、複数の信号処理部４５を含んでいる。信号処理部４５は、リードアウト入力部４０Ｓから電荷を受ける。信号処理部４５は、リードアウト出力部４０Ｒからデジタル値を出力する。より詳細には、信号処理部４５は、電荷生成部１０が出力する電荷を画素信号であるエネルギ積分信号に変換する。エネルギ積分信号は、少なくとも入射した放射線が有していたエネルギの情報を含む。

【0032】

図５に示すように、信号処理部４５は、信号変換部４６と、メモリ４７と、クロック信号生成部４８と、をそれぞれ有する。信号処理部４５は、画素Ｇごとに接続されているので、信号処理部４５の数は、画素Ｇの数と同じである。同様に、信号変換部４６の数も画素Ｇの数と同じであり、メモリ４７の数も画素Ｇの数と同じであり、クロック信号生成部４８の数も画素Ｇの数と同じである。つまり、１個の画素Ｇに対して、１個の信号変換部４６、１個のメモリ４７及び１個のクロック信号生成部４８が接続されている。

【0033】

信号変換部４６は、中間基板３０の配線３３を介して電荷生成部１０の電荷出力電極１３に接続されている。信号変換部４６は、電荷生成部１０から電荷φ１を受ける。信号変換部４６は、電荷φ１に基づくアナログ信号を離散化する。アナログ信号は、電圧として表現される。電圧は、電荷生成部１０の対応する画素Ｇに入射した放射線のエネルギ又は粒子の数に対応する。従って、信号変換部４６は、デジタル信号を出力するＡ／Ｄ変換器である。例えば、信号変換部４６の分解能は、１０ビットであるとしてよい。

【0034】

信号変換部４６は、クロック信号生成部４８から提供されるクロック信号θ２によって動作する。信号変換部４６は、クロック信号θ２を受けると、画素Ｇから放射線の入射に起因して生じたアナログ信号を転送する動作と、画素Ｇに蓄積された電荷をリセットする動作と、転送したアナログ信号をデジタル信号に変換する動作と、を行う。なお、信号変換部４６は、上記の動作に加えて、そのほかの所望の動作を行ってもよい。

【0035】

クロック信号生成部４８は、信号変換部４６の動作に必要なクロック信号θ２を生成する。そして、クロック信号生成部４８は、クロック信号θ２を信号変換部４６へ提供する。つまり、１個の信号変換部４６に対して、１個のクロック信号生成部４８が接続されている。換言すると、あるクロック信号生成部４８の出力先は、特定された１個の信号変換部４６である。信号変換部４６は、画素Ｇごとに設けられている。従って、クロック信号生成部４８も画素Ｇごとに設けられているといえる。このような構成によれば、信号変換部４６に隣接するようにクロック信号生成部４８を配置することができる。その結果、クロック信号生成部４８から信号変換部４６に至る信号線の長さを短くすることが可能になる。信号線が短くなると、クロック信号θ２の伝送距離も短くなるので、信号の遅延も生じにくくなる。さらに、クロック信号の周波数も、１００ＭＨｚ程度にまで高めることができる。

【0036】

クロック信号生成部４８は、対応する画素Ｇへの放射線の入射（図６の符号Ｓ１参照）をトリガとして、クロック信号θ２の生成を開始する。クロック信号生成部４８は、トリガに応じて、所定数のパルスを出力する。出力されるパルスの数は、信号変換部４６におけるアナログ－デジタル変換動作に必要な数としてよい。例えば、１回の放射線の入射が検出されたとき、クロック信号生成部４８は、１６個のパルスをクロック信号θ２として出力する。

【0037】

クロック信号生成部４８が画素Ｇごとに設けられているので、それぞれの画素Ｇに関する動作は、独立させることができる。換言すると、複数の信号変換部４６の動作を、同期させる必要がない。従って、複数の信号変換部４６の動作を同期させるための信号も不要である。例えば、ある画素Ｇに放射線が入射された場合に、信号変換部４６は、直ちに、デジタル信号を生成する動作を開始することが可能である。つまり、信号変換部４６の動作は、放射線の入射に対して同期しているといえる。このような動作によれば、放射線の入射後に直ちに信号変換処理が行われるので、位相ずれの問題は生じない。また、無駄な待ち時間が発生することもない。このような動作は、ランダムに入射する粒子ごと信号変換処理を行うフォトンカウンティング型の検出器に対して親和性が高い。

【0038】

さらに、あるタイミングにおいて、複数の画素Ｇに放射線が入射された場合にも、それぞれ独立してデジタル信号を生成する動作を開始することができる。さらに、放射線の入射が生じた画素Ｇに対応する信号変換部４６だけを動作させ、放射線の入射が生じていない画素Ｇに対応する信号変換部４６は動作させない、ということも可能である。全ての画素Ｇについて一律に信号変換動作を行う場合には、画素数が増加すると消費電力も画素数に比例して増加する。しかし、本実施形態の放射線撮像装置１は、必要な信号変換部４６だけを動作させることができるので、消費電力は画素数に比例しない。従って、画素数の増加と消費電力の増加の抑制を両立させることができる。

【0039】

メモリ４７は、信号変換部４６に接続される。メモリ４７は、信号変換部４６からデジタル信号φ２を受ける。そして、メモリ４７は、デジタル信号φ２が入力されるたびに、デジタル信号φ２を保存する。メモリ４７は、デジタル信号φ２を所定のメモリ空間に逐次保存する。メモリ４７は、配線５１（配線部）を介して制御部５に接続されている。配線５１の入力は、１つであり、配線５１の出力は複数である。そして、配線５１の入力は、制御部５に接続されており、配線５１の出力は信号処理部４５のメモリ４７に接続されている。つまり、１個の制御部５から複数のメモリ４７に転送信号θ１が出力される。転送信号θ１を出力する制御部５は、転送信号生成部としての機能を有する。

【0040】

メモリ４７は、制御部５から提供される転送信号θ１に応じて、デジタル信号φ２を画像生成部４に出力する。つまり、メモリ４７は、クロック信号θ２を受けないので、クロック信号θ２によって制御されることはない。換言すると、信号変換部４６の動作と、メモリ４７の動作とは、互いに異なる信号に基づいている。従って、それぞれの動作も互いに独立している。

【0041】

放射線撮像装置１は、入射した放射線のエネルギ又は粒子の数に対応する電荷を生成する複数の画素Ｇと、複数の画素Ｇごとに接続されると共に、画素Ｇから提供された電荷に基づいてデジタル値を生成する複数の信号処理部４５と、複数の画素Ｇ及び複数の信号処理部４５を含む放射線検出器２が、二次元状に配置された回路基板３と、を備える。複数の信号処理部４５は、電荷に基づくアナログ値をデジタル値に変換する信号変換部４６と、デジタル値を生成するためのクロック信号を信号変換部に提供するクロック信号生成部４８と、をそれぞれ含む。

【0042】

放射線撮像装置１は、画素Ｇごとに信号処理部４５が設けられている。そして、信号処理部４５は、信号変換部４６とクロック信号生成部４８と、をそれぞれ含んでいる。つまり、放射線撮像装置１は、画素Ｇごとにクロック信号生成部４８が設けられている。このような構成によると、放射線が入射した画素Ｇに対応する信号変換部４６のみを駆動すると共に、放射線が入射していない画素Ｇに対応する信号変換部４６を駆動させないという動作を行うことができる。従って、画素Ｇの数が増えた場合であっても、動作が不要な信号変換部４６を動作させることがないので、消費電力の増加を抑制することができる。

【0043】

本発明の放射線撮像装置１は、上記の実施形態に限定されない。

【符号の説明】

【0044】

１…放射線撮像装置、２…放射線検出器、３…回路基板、４…画像生成部、５…制御部、１０…電荷生成部、２０…読出部、１１…半導体検出部、１２…制御電極部、１３…電荷出力電極、１１ａ…半導体入射面、１１ｂ…半導体出力面、３０…中間基板、４０…リードアウト基板、３０ａ…中間入力面、３０ｂ…中間出力面、３０Ｓ…中間入力領域、３１…第１中間電極、３０Ｒ…中間出力領域、３２…第２中間電極、４０ａ…リードアウト入力面、４０ｂ…リードアウト出力面、４１…第１リードアウト電極、４２…第２リードアウト電極、４５…信号処理部、４６…信号変換部、４７…メモリ、４８…クロック信号生成部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】