特許 7535420 基板処理装置、及び、基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-07

(45)【発行日】2024-08-16

(54)【発明の名称】基板処理装置、及び、基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20240808BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240808BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20240808BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 Z

H01L21/304 648A

H01L21/304 651B

H01L21/30 564C

H01L21/30 569C

【請求項の数】 28

(21)【出願番号】P 2020155288

(22)【出願日】2020-09-16

(65)【公開番号】P2022049201

(43)【公開日】2022-03-29

【審査請求日】2023-06-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100168583

【弁理士】

【氏名又は名称】前井 宏之

(72)【発明者】

【氏名】中島 恵

(72)【発明者】

【氏名】後藤 茂宏

(72)【発明者】

【氏名】金山 幸司

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０５３５５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０４７８４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２０２０－００１０７３６（ＫＲ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１３／０１１９２０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１９－１４０１９５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０５Ｂ １９／４１８

Ｇ０５Ｂ ２３／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構と、
前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する制御ユニットと
を備え、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御し、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する第１選択部を含み、
前記複数の処理ユニットは、所定数の処理ユニットを含み、
前記第１選択部は、前記所定数の処理ユニットによる前記所定数の前記基板の処理結果をそれぞれ示す前記所定数の前記処理結果情報に基づいて、前記所定数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択し、
前記制御ユニットは、前記所定数の処理ユニットのうちから選択される前記１以上の処理ユニットを使用するか、又は、前記所定数の処理ユニットの全てを使用するかを選択する第２選択部をさらに含む、基板処理装置。

【請求項2】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構と、
前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する制御ユニットと
を備え、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御し、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する第１選択部を含み、
前記第１選択部は、互いに異なる複数の解析アルゴリズムによって前記複数の処理結果情報を解析して、前記解析アルゴリズムごとに、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、基板処理装置。

【請求項3】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構と、
前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する制御ユニットと
を備え、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御し、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する第１選択部を含み、
前記複数の処理ユニットは、複数の一連工程を並行して実行し、
前記複数の一連工程の各々は、順次実行される複数の処理工程を含み、
前記複数の処理ユニットは、前記複数の一連工程の相互間において、処理内容が同一の２以上の前記処理工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニットを含み、
前記第１選択部は、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットによる２以上の前記基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の前記処理結果情報に基づいて、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、基板処理装置。

【請求項4】

複数の学習データに対して機械学習を実行することで構築される学習モデルを記憶する記憶ユニットをさらに備え、
前記複数の学習データの各々は、学習対象基板の処理結果を示す処理結果情報と、前記学習対象基板の処理結果に対する評価を示す評価情報とを含み、
前記第１選択部は、前記学習モデルに対して、前記２以上の処理結果情報の各々を入力情報として入力して、前記学習モデルから、前記２以上の基板の各々の処理結果に対する評価を示す評価情報を出力情報として取得し、取得した２以上の前記評価情報に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構と、
前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する制御ユニットと
を備え、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御し、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する第１選択部を含み、
前記複数の処理ユニットは、複数の一連工程を並行して実行し、
前記複数の一連工程の各々は、処理内容が相異する複数の処理工程を含み、
前記複数の処理ユニットは、前記処理内容が相異する前記複数の処理工程を順次実行する２以上の処理ユニットを含み、
前記第１選択部は、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットによる前記基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の前記処理結果情報に基づいて、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、基板処理装置。

【請求項6】

複数の学習データに対して機械学習を実行することで構築される学習モデルを記憶する記憶ユニットをさらに備え、
前記複数の学習データの各々は、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットによる学習対象基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報を含み、
前記学習モデルは、前記２以上の処理結果情報の各々を入力情報として入力して、前記２以上の処理結果情報をクラスタリングし、クラスタリングの結果を示すクラスタリング情報を出力情報として出力し、
前記第１選択部は、前記学習モデルから取得した前記クラスタリング情報に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第１選択部は、前記処理内容が相異する前記複数の処理工程のうち、所定の処理工程よりも前段で実行される処理工程で得られる前記処理結果情報が、前記所定の処理工程で得られる前記処理結果情報と同じクラスタに属するか否かを、前記クラスタリング情報に基づいて判定し、判定結果に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記複数の処理ユニットは、前記複数の一連工程の相互間において、前記処理内容が同一の２以上の前記処理工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニットを含み、
前記所定の処理工程よりも前段で実行される前記処理工程で得られた前記処理結果情報が、前記所定の処理工程で得られた前記処理結果情報と同じクラスタに属する場合、前記前段で実行される処理工程と前記処理内容が同一の前記処理工程で得られる前記処理結果情報が、前記前段で実行される処理工程で得られた前記処理結果情報に対して、相関があるか否かを、前記第１選択部は、判定し、判定結果に基づいて、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１選択部は、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを、使用の優先順位を付けて選択する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項10】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構と、
前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する制御ユニットと
を備え、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御し、
前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する第１選択部を含み、
前記第１選択部は、
前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを、使用の優先順位を付けて選択し、
予め定められた優先順位より低い優先順位の前記処理ユニットによって処理される前記処理対象基板を品質検査の対象に設定する、基板処理装置。

【請求項11】

前記複数の処理結果情報の各々は、前記基板の表面における処理液に対する接触角と、前記接触角に基づく数値と、前記基板に形成された膜の膜厚と、前記膜厚に基づく数値と、前記基板の表面における熱処理後の温度と、前記温度に基づく数値と、前記基板の表面におけるパターンの線幅と、前記線幅に基づく数値と、前記基板の表面におけるパーティクル数と、前記パーティクル数に基づく数値と、前記基板の表面におけるパターンの倒壊数と、前記倒壊数に基づく数値と、前記基板のエッジのカット幅とのうちの少なくとも１つを示す、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記接触角、前記膜厚、前記温度、前記線幅、前記パーティクル数、前記倒壊数、又は、前記カット幅を測定する測定ユニットをさらに備える、請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記第１選択部は、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、不使用対象の処理ユニットを決定する、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記制御ユニットは、
前記不使用対象の処理ユニットによる前記基板の処理結果を示す前記処理結果情報を解析する解析部と、
前記処理結果情報の解析結果に基づいて、前記不使用対象の処理ユニットを調節し、前記不使用対象の処理ユニットを使用対象の処理ユニットに復帰させる調節部と
をさらに含む、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、
前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、
前記処理対象基板を処理する工程と
を含み、
前記複数の処理ユニットは、所定数の処理ユニットを含み、
前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記所定数の処理ユニットによる前記所定数の前記基板の処理結果をそれぞれ示す前記所定数の前記処理結果情報に基づいて、前記所定数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択し、
前記基板処理方法は、
前記所定数の処理ユニットのうちから選択される前記１以上の処理ユニットを使用するか、又は、前記所定数の処理ユニットの全てを使用するかを選択する工程をさらに含む、基板処理方法。

【請求項16】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、
前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、
前記処理対象基板を処理する工程と
を含み、
前記処理ユニットを選択する前記工程では、互いに異なる複数の解析アルゴリズムによって前記複数の処理結果情報を解析して、前記解析アルゴリズムごとに、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、基板処理方法。

【請求項17】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、
前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、
前記処理対象基板を処理する工程と
を含み、
前記複数の処理ユニットによって、複数の一連工程が並行して実行され、
前記複数の一連工程の各々は、順次実行される複数の処理工程を含み、
前記複数の処理ユニットは、前記複数の一連工程の相互間において、処理内容が同一の２以上の前記処理工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニットを含み、
前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットによる２以上の前記基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の前記処理結果情報に基づいて、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、基板処理方法。

【請求項18】

学習モデルが学習する複数の学習データの各々は、学習対象基板の処理結果を示す処理結果情報と、前記学習対象基板の処理結果に対する評価を示す評価情報とを含み、
前記学習モデルは、前記複数の学習データに対して機械学習を実行することで構築されており、
前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記学習モデルに対して、前記２以上の処理結果情報の各々を入力情報として入力して、前記学習モデルから、前記２以上の基板の各々の処理結果に対する評価を示す評価情報を出力情報として取得し、取得した２以上の前記評価情報に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、請求項１７に記載の基板処理方法。

【請求項19】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、
前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、
前記処理対象基板を処理する工程と
を含み、
前記複数の処理ユニットによって、複数の一連工程が並行して実行され、
前記複数の一連工程の各々は、処理内容が相異する複数の処理工程を含み、
前記複数の処理ユニットは、前記処理内容が相異する前記複数の処理工程を順次実行する２以上の処理ユニットを含み、
前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットによる前記基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の前記処理結果情報に基づいて、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、基板処理方法。

【請求項20】

学習モデルに学習させる複数の学習データの各々は、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットによる学習対象基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報を含み、
前記学習モデルは、前記複数の学習データに対して機械学習を実行することで構築されており、
前記学習モデルは、前記２以上の処理結果情報の各々を入力情報として入力して、前記２以上の処理結果情報をクラスタリングし、クラスタリングの結果を示すクラスタリング情報を出力情報として出力し、
前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記学習モデルから取得した前記クラスタリング情報に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、請求項１９に記載の基板処理方法。

【請求項21】

前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記処理内容が相異する前記複数の処理工程のうち、所定の処理工程よりも前段で実行される処理工程で得られる前記処理結果情報が、前記所定の処理工程で得られる前記処理結果情報と同じクラスタに属するか否かを、前記クラスタリング情報に基づいて判定し、判定結果に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、請求項２０に記載の基板処理方法。

【請求項22】

前記複数の処理ユニットは、前記複数の一連工程の相互間において、前記処理内容が同一の２以上の前記処理工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニットを含み、
前記処理ユニットを選択する前記工程では、
前記所定の処理工程よりも前段で実行される前記処理工程で得られた前記処理結果情報が、前記所定の処理工程で得られた前記処理結果情報と同じクラスタに属する場合、前記前段で実行される処理工程と前記処理内容が同一の前記処理工程で得られる前記処理結果情報が、前記前段で実行される処理工程で得られた前記処理結果情報に対して、相関があるか否かを判定し、判定結果に基づいて、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する、請求項２１に記載の基板処理方法。

【請求項23】

前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを、使用の優先順位を付けて選択する、請求項１５から請求項２２のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項24】

複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、
前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、
前記処理対象基板を処理する工程と
を含み、
前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを、使用の優先順位を付けて選択し、
前記基板処理方法は、
予め定められた優先順位より低い優先順位の前記処理ユニットによって処理される前記処理対象基板を品質検査の対象に設定する工程をさらに含む、基板処理方法。

【請求項25】

前記複数の処理結果情報の各々は、前記基板の表面における処理液に対する接触角と、前記接触角に基づく数値と、前記基板に形成された膜の膜厚と、前記膜厚に基づく数値と、前記基板の表面における熱処理後の温度と、前記温度に基づく数値と、前記基板の表面におけるパターンの線幅と、前記線幅に基づく数値と、前記基板の表面におけるパーティクル数と、前記パーティクル数に基づく数値と、前記基板の表面におけるパターンの倒壊数と、前記倒壊数に基づく数値と、前記基板のエッジのカット幅とのうちの少なくとも１つを示す、請求項１５から請求項２４のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項26】

前記接触角、前記膜厚、前記温度、前記線幅、前記パーティクル数、前記倒壊数、又は、前記カット幅を測定する工程をさらに含む、請求項２５に記載の基板処理方法。

【請求項27】

前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、不使用対象の処理ユニットを決定する、請求項１５から請求項２６のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項28】

前記不使用対象の処理ユニットによる前記基板の処理結果を示す前記処理結果情報を解析する工程と、
前記処理結果情報の解析結果に基づいて、前記不使用対象の処理ユニットを調節し、前記不使用対象の処理ユニットを使用対象の処理ユニットに復帰させる工程と
をさらに含む、請求項２７に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、選択装置、選択方法、学習モデル生成方法、及び、学習モデルに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載されている基板処理装置は、基板を収容するキャリアを保持するキャリア保持部と、基板を処理する複数の処理ユニットと、キャリアと処理ユニットとの間で基板を搬送する基板搬送ユニットと、コンピューターとを備える。コンピューターは、複数の処理ユニットを複数のグループに分類しており、基板を処理すべき処理ユニットを決定するときに、複数のグループのうちの１つを選択する。さらに、コンピューターは、選択されたグループに属する１つの処理ユニットを選択し、選択された処理ユニットに基板を搬入するように基板搬送ユニットを制御する。その結果、複数の処理ユニットの使用頻度のばらつきを低減できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１７－１８３５４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、処理ユニットの使用頻度のばらつきにだけ着目している。

【0005】

これに対して、本願の発明者は、複数の処理ユニット間で処理特性がばらつくことの可能性に着目した。そして、本願の発明者は、処理特性がばらついている場合であっても複数の基板間での処理の均一性を向上するための鋭意研究を行った。

【0006】

本発明の目的は、複数の基板間での処理の均一性を向上できる基板処理装置、基板処理方法、選択装置、選択方法、学習モデル生成方法、及び、学習モデルを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、複数の処理ユニットと、搬送機構と、制御ユニットとを備える。複数の処理ユニットは、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する。搬送機構は、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う。制御ユニットは、前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、第１選択部を含む。第１選択部は、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。前記複数の処理ユニットは、所定数の処理ユニットを含む。前記第１選択部は、前記所定数の処理ユニットによる前記所定数の前記基板の処理結果をそれぞれ示す前記所定数の前記処理結果情報に基づいて、前記所定数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。前記制御ユニットは、第２選択部をさらに含む。第２選択部は、前記所定数の処理ユニットのうちから選択される前記１以上の処理ユニットを使用するか、又は、前記所定数の処理ユニットの全てを使用するかを選択する。

【0008】

本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、複数の処理ユニットと、搬送機構と、制御ユニットとを備える。複数の処理ユニットは、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する。搬送機構は、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う。制御ユニットは、前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、第１選択部を含む。第１選択部は、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。前記第１選択部は、互いに異なる複数の解析アルゴリズムによって前記複数の処理結果情報を解析して、前記解析アルゴリズムごとに、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0009】

本発明の更に他の局面によれば、基板処理装置は、複数の処理ユニットと、搬送機構と、制御ユニットとを備える。複数の処理ユニットは、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する。搬送機構は、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う。制御ユニットは、前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、第１選択部を含む。第１選択部は、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。前記複数の処理ユニットは、複数の一連工程を並行して実行する。前記複数の一連工程の各々は、順次実行される複数の処理工程を含む。前記複数の処理ユニットは、前記複数の一連工程の相互間において、処理内容が同一の２以上の前記処理工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニットを含む。前記第１選択部は、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットによる２以上の前記基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の前記処理結果情報に基づいて、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0010】

本発明の基板処理装置は、記憶ユニットをさらに備える。記憶ユニットは、複数の学習データに対して機械学習を実行することで構築される学習モデルを記憶する。前記複数の学習データの各々は、学習対象基板の処理結果を示す処理結果情報と、前記学習対象基板の処理結果に対する評価を示す評価情報とを含む。前記第１選択部は、前記学習モデルに対して、前記２以上の処理結果情報の各々を入力情報として入力して、前記学習モデルから、前記２以上の基板の各々の処理結果に対する評価を示す評価情報を出力情報として取得し、取得した２以上の前記評価情報に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0011】

本発明の更に他の局面によれば、基板処理装置は、複数の処理ユニットと、搬送機構と、制御ユニットとを備える。複数の処理ユニットは、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する。搬送機構は、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う。制御ユニットは、前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、第１選択部を含む。第１選択部は、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。前記複数の処理ユニットは、複数の一連工程を並行して実行する。前記複数の一連工程の各々は、処理内容が相異する複数の処理工程を含む。前記複数の処理ユニットは、前記処理内容が相異する前記複数の処理工程を順次実行する２以上の処理ユニットを含む。前記第１選択部は、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットによる前記基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の前記処理結果情報に基づいて、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0012】

本発明の基板処理装置は、記憶ユニットをさらに備える。記憶ユニットは、複数の学習データに対して機械学習を実行することで構築される学習モデルを記憶する。前記複数の学習データの各々は、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットによる学習対象基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報を含む。前記学習モデルは、前記２以上の処理結果情報の各々を入力情報として入力して、前記２以上の処理結果情報をクラスタリングし、クラスタリングの結果を示すクラスタリング情報を出力情報として出力する。前記第１選択部は、前記学習モデルから取得した前記クラスタリング情報に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0013】

本発明の基板処理装置において、前記第１選択部は、前記処理内容が相異する前記複数の処理工程のうち、所定の処理工程よりも前段で実行される処理工程で得られる前記処理結果情報が、前記所定の処理工程で得られる前記処理結果情報と同じクラスタに属するか否かを、前記クラスタリング情報に基づいて判定し、判定結果に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0014】

本発明の基板処理装置において、前記複数の処理ユニットは、前記複数の一連工程の相互間において、前記処理内容が同一の２以上の前記処理工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニットを含む。前記所定の処理工程よりも前段で実行される前記処理工程で得られた前記処理結果情報が、前記所定の処理工程で得られた前記処理結果情報と同じクラスタに属する場合、前記前段で実行される処理工程と前記処理内容が同一の前記処理工程で得られる前記処理結果情報が、前記前段で実行される処理工程で得られた前記処理結果情報に対して、相関があるか否かを、前記第１選択部は、判定し、判定結果に基づいて、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0015】

本発明の基板処理装置において、前記第１選択部は、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを、使用の優先順位を付けて選択する。

【0016】

本発明の更に他の局面によれば、基板処理装置は、複数の処理ユニットと、搬送機構と、制御ユニットとを備える。複数の処理ユニットは、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する。搬送機構は、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う。制御ユニットは、前記複数の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理ユニットのそれぞれによる複数の基板の処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する。前記制御ユニットは、第１選択部を含む。第１選択部は、前記複数の処理ユニットによる前記複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。前記第１選択部は、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを、使用の優先順位を付けて選択し、予め定められた優先順位より低い優先順位の前記処理ユニットによって処理される前記処理対象基板を品質検査の対象に設定する。

【0017】

本発明の基板処理装置において、前記複数の処理結果情報の各々は、前記基板の表面における処理液に対する接触角と、前記接触角に基づく数値と、前記基板に形成された膜の膜厚と、前記膜厚に基づく数値と、前記基板の表面における熱処理後の温度と、前記温度に基づく数値と、前記基板の表面におけるパターンの線幅と、前記線幅に基づく数値と、前記基板の表面におけるパーティクル数と、前記パーティクル数に基づく数値と、前記基板の表面におけるパターンの倒壊数と、前記倒壊数に基づく数値と、前記基板のエッジのカット幅とのうちの少なくとも１つを示す。

【0018】

本発明の基板処理装置において、前記接触角、前記膜厚、前記温度、前記線幅、前記パーティクル数、前記倒壊数、又は、前記カット幅を測定する測定ユニットをさらに備える。

【0019】

本発明の基板処理装置において、前記第１選択部は、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、不使用対象の処理ユニットを決定する。

【0020】

本発明の基板処理装置において、前記制御ユニットは、解析部と、調節部とをさらに含む。解析部は、前記不使用対象の処理ユニットによる前記基板の処理結果を示す前記処理結果情報を解析する。調節部は、前記処理結果情報の解析結果に基づいて、前記不使用対象の処理ユニットを調節し、前記不使用対象の処理ユニットを使用対象の処理ユニットに復帰させる。

【0021】

本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、前記処理対象基板を処理する工程とを含む。前記複数の処理ユニットは、所定数の処理ユニットを含む。前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記所定数の処理ユニットによる前記所定数の前記基板の処理結果をそれぞれ示す前記所定数の前記処理結果情報に基づいて、前記所定数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。前記基板処理方法は、前記所定数の処理ユニットのうちから選択される前記１以上の処理ユニットを使用するか、又は、前記所定数の処理ユニットの全てを使用するかを選択する工程をさらに含む。

【0022】

本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、前記処理対象基板を処理する工程とを含む。前記処理ユニットを選択する前記工程では、互いに異なる複数の解析アルゴリズムによって前記複数の処理結果情報を解析して、前記解析アルゴリズムごとに、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0023】

本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、前記処理対象基板を処理する工程とを含む。前記複数の処理ユニットによって、複数の一連工程が並行して実行される。前記複数の一連工程の各々は、順次実行される複数の処理工程を含む。前記複数の処理ユニットは、前記複数の一連工程の相互間において、処理内容が同一の２以上の前記処理工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニットを含む。前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットによる２以上の前記基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の前記処理結果情報に基づいて、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0024】

本発明の基板処理方法において、学習モデルが学習する複数の学習データの各々は、学習対象基板の処理結果を示す処理結果情報と、前記学習対象基板の処理結果に対する評価を示す評価情報とを含む。前記学習モデルは、前記複数の学習データに対して機械学習を実行することで構築されている。前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記学習モデルに対して、前記２以上の処理結果情報の各々を入力情報として入力して、前記学習モデルから、前記２以上の基板の各々の処理結果に対する評価を示す評価情報を出力情報として取得し、取得した２以上の前記評価情報に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0025】

本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、前記処理対象基板を処理する工程とを含む。前記複数の処理ユニットによって、複数の一連工程が並行して実行される。前記複数の一連工程の各々は、処理内容が相異する複数の処理工程を含む。前記複数の処理ユニットは、前記処理内容が相異する前記複数の処理工程を順次実行する２以上の処理ユニットを含む。前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットによる前記基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の前記処理結果情報に基づいて、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0026】

本発明の基板処理方法において、学習モデルに学習させる複数の学習データの各々は、前記処理内容が相異する前記２以上の処理ユニットによる学習対象基板の処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報を含む。前記学習モデルは、前記複数の学習データに対して機械学習を実行することで構築されている。前記学習モデルは、前記２以上の処理結果情報の各々を入力情報として入力して、前記２以上の処理結果情報をクラスタリングし、クラスタリングの結果を示すクラスタリング情報を出力情報として出力する。前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記学習モデルから取得した前記クラスタリング情報に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0027】

本発明の基板処理方法において、前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記処理内容が相異する前記複数の処理工程のうち、所定の処理工程よりも前段で実行される処理工程で得られる前記処理結果情報が、前記所定の処理工程で得られる前記処理結果情報と同じクラスタに属するか否かを、前記クラスタリング情報に基づいて判定し、判定結果に基づいて、前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0028】

本発明の基板処理方法において、前記複数の処理ユニットは、前記複数の一連工程の相互間において、前記処理内容が同一の２以上の前記処理工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニットを含む。前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記所定の処理工程よりも前段で実行される前記処理工程で得られた前記処理結果情報が、前記所定の処理工程で得られた前記処理結果情報と同じクラスタに属する場合、前記前段で実行される処理工程と前記処理内容が同一の前記処理工程で得られる前記処理結果情報が、前記前段で実行される処理工程で得られた前記処理結果情報に対して、相関があるか否かを判定し、判定結果に基づいて、前記処理内容が同一の前記２以上の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを選択する。

【0029】

本発明の基板処理方法において、前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを、使用の優先順位を付けて選択する。

【0030】

本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、複数の処理対象基板をそれぞれ処理する複数の処理ユニットと、前記処理ユニットに対して前記処理対象基板の搬入及び搬出を行う搬送機構とを備える基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、前記複数の処理ユニットによる複数の基板の処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する１以上の処理ユニットを選択する工程と、前記複数の処理ユニットのうちから、前記複数の処理結果情報に基づいて選択された前記１以上の処理ユニットによって前記処理対象基板の各々を処理するように、前記１以上の処理ユニット及び前記搬送機構を制御する工程と、前記処理対象基板を処理する工程とを含む。前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、前記処理対象基板の各々を処理するために使用する前記１以上の処理ユニットを、使用の優先順位を付けて選択する。前記基板処理方法は、予め定められた優先順位より低い優先順位の前記処理ユニットによって処理される前記処理対象基板を品質検査の対象に設定する工程をさらに含む。

【0031】

本発明の基板処理方法において、前記複数の処理結果情報の各々は、前記基板の表面における処理液に対する接触角と、前記接触角に基づく数値と、前記基板に形成された膜の膜厚と、前記膜厚に基づく数値と、前記基板の表面における熱処理後の温度と、前記温度に基づく数値と、前記基板の表面におけるパターンの線幅と、前記線幅に基づく数値と、前記基板の表面におけるパーティクル数と、前記パーティクル数に基づく数値と、前記基板の表面におけるパターンの倒壊数と、前記倒壊数に基づく数値と、前記基板のエッジのカット幅とのうちの少なくとも１つを示す。

【0032】

本発明の基板処理方法において、前記接触角、前記膜厚、前記温度、前記線幅、前記パーティクル数、前記倒壊数、又は、前記カット幅を測定する工程をさらに含む。

【0033】

本発明の基板処理方法において、前記処理ユニットを選択する前記工程では、前記複数の処理結果情報に基づいて、前記複数の処理ユニットのうちから、不使用対象の処理ユニットを決定する。

【0034】

本発明の基板処理方法は、前記不使用対象の処理ユニットによる前記基板の処理結果を示す前記処理結果情報を解析する工程と、前記処理結果情報の解析結果に基づいて、前記不使用対象の処理ユニットを調節し、前記不使用対象の処理ユニットを使用対象の処理ユニットに復帰させる工程とをさらに含む。

【発明の効果】

【0045】

本発明によれば、複数の基板間での処理の均一性を向上できる基板処理装置、基板処理方法、選択装置、選択方法、学習モデル生成方法、及び、学習モデルを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0046】

【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す平面図である。

【図2】実施形態１に係る基板処理装置の塗布処理部、現像処理部、及び、洗浄乾燥処理部を、図１中の方向Ｄ１から見た図である。

【図3】実施形態１に係る基板処理装置の熱処理部、及び、洗浄乾燥処理部を、図１中の方向Ｄ１から見た図である。

【図4】実施形態１に係る基板処理装置の塗布処理部、搬送部、及び、熱処理部を、図１中の方向Ｄ２から見た図である。

【図5】実施形態１に係る基板処理装置の搬送部を、図１中の方向Ｄ１から見た図である。

【図6】実施形態１に係る基板処理装置による往路における１枚の基板に対する処理を示すフローチャートである。

【図7】実施形態１に係る基板処理装置による復路における１枚の基板に対する処理を示すフローチャートである。

【図8】実施形態１に係る基板処理装置における制御装置を示すブロック図である。

【図9】実施形態１に係る基板処理装置が実行する基板処理方法を示すフローチャートである。

【図10】実施形態１に係る基板処理方法の「処理ユニット選択」処理を示すフローチャートである。

【図11】実施形態１に係る処理結果情報、優先順位情報、選択結果情報、及び、検査対象情報の一例を示す図である。

【図12】本発明の実施形態２に係る基板処理装置における制御装置を示すブロック図である。

【図13】実施形態２に係る基板処理方法の「処理ユニット選択」処理を示すフローチャートである。

【図14】実施形態２に係る基板処理方法の「処理結果情報に基づく１以上の処理ユニットの選択」処理の一例を示すフローチャートである。

【図15】実施形態２に係る基板処理装置が実行する学習方法を示すフローチャートである。

【図16】実施形態２に係る処理結果情報、優先順位情報、選択結果情報、及び、検査対象情報の一例を示す図である。

【図17】実施形態２に係る接触角マップを示す図である。

【図18】実施形態２に係る別の接触角マップを示す図である。

【図19】実施形態２に係る更に別の接触角マップを示す図である。

【図20】本発明の実施形態３に係る記憶ユニット及び制御ユニットを示す図である。

【図21】実施形態３に係る基板処理方法の「処理ユニット選択」処理の一部を示すフローチャートである。

【図22】実施形態３に係る基板処理方法の「処理ユニット選択」処理の他の一部を示すフローチャートである。

【図23】実施形態３に係る基板処理方法の「処理結果情報セットに基づく１以上の処理ユニットの選択」処理の一例を示すフローチャートである。

【図24】実施形態３に係る基板処理方法の「相関関係に基づく１以上の処理ユニットの選択」処理の一例を示すフローチャートである。

【図25】実施形態３に係る処理結果情報セット、優先順位情報、選択結果情報、及び、検査対象情報の一例を示す図である。

【図26】実施形態３に係る処理結果情報セットを構成する、接触角マップ、膜厚マップ、温度マップ、及び、パターン線幅マップを示す図である。

【図27】実施形態３に係る別の処理結果情報セットを構成する、接触角マップ、膜厚マップ、温度マップ、及び、パターン線幅マップを示す図である。

【図28】実施形態３に係る更に別の処理結果情報セットを構成する、接触角マップ、膜厚マップ、温度マップ、及び、パターン線幅マップを示す図である。

【図29】本発明の実施形態４に係る基板処理システムを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0047】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

【0048】

（実施形態１）
図１～図７を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを並行して処理する。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。基板Ｗは、例えば、略円板状である。以下の実施形態１の説明では、基板Ｗは半導体基板である。

【0049】

まず、図１を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、実施形態１に係る基板処理装置１００を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサーブロック１１、第１処理ブロック１２、第２処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂ、及び、制御装置ＣＭを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ及び搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

【0050】

制御装置ＣＭは、インデクサーブロック１１、第１処理ブロック１２、第２処理ブロック１３、及び、インターフェイスブロック１４を制御する。制御装置ＣＭは、例えば、コンピューターである。

【0051】

インデクサーブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１及び搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。実施形態１においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）を採用しているが、これに限定されず、例えば、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒ Ｆａｃｅ）ポッド、又は、収納した基板Ｗを外気に曝すＯＣ（ｏｐｅｎ ｃａｓｓｅｔｔｅ）を用いてもよい。

【0052】

搬送部１１２には、搬送機構１１５が設けられる。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。

【0053】

第１処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２、及び、熱処理部１２３を含む。熱処理部１２３は複数のプレート５を含む。プレート５には基板Ｗが載置される。塗布処理部１２１及び熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向する。搬送部１２２とインデクサーブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１及び後述する基板載置部ＰＡＳＳ２～ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７及び後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。

【0054】

第２処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２、及び、熱処理部１３３を含む。熱処理部１３３は複数のプレート５を含む。プレート５には基板Ｗが載置される。現像処理部１３１及び熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５及び後述する基板載置部ＰＡＳＳ６～ＰＡＳＳ８（図５参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７及び後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。第２処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

【0055】

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１、１６２及び搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１、１６２は、搬送部１６３を挟んで対向する。搬送部１６３には、搬送機構１４１、１４２が設けられる。

【0056】

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１及び後述の載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２（図５参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１、Ｐ－ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能である。

【0057】

また、搬送機構１４１、１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１、ＰＡＳＳ１２及び後述の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ（図５参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ－ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。従って、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、冷却処理ユニットとして機能する。以下、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰを、処理ユニットＰ－ＣＰ、又は、冷却処理ユニットＰ－ＣＰと記載する場合がある。

【0058】

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入及び搬出を行う。搬送機構１４６は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ７、Ｈ８を有する。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａ及び基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。

【0059】

次に、図２を参照して、図１の塗布処理部１２１及び現像処理部１３１を説明する。図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１、及び、洗浄乾燥処理部１６１を、図１中の方向Ｄ１から見た図である。

【0060】

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１、２２、２３、２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１には、反射防止膜用塗布処理ユニットＡＲ［１１］、ＡＲ［１２］が設けられる。塗布処理室２３には、反射防止膜用塗布処理ユニットＡＲ［２１］、ＡＲ［２２］が設けられる。塗布処理室２２には、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＴ［１１］、ＲＴ［１２］が設けられる。塗布処理室２４には、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＴ［２１］、ＲＴ［２２］が設けられる。

【0061】

以下、反射防止膜用塗布処理ユニットＡＲ［１１］、ＡＲ［１２］、ＡＲ［２１］、ＡＲ［２２］を総称して、処理ユニットＡＲ又は反射防止膜用塗布処理ユニットＡＲと記載する場合がある。また、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＴ［１１］、ＲＴ［１２］、ＲＴ［２１］、ＲＴ［２２］を総称して、処理ユニットＲＴ又はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＴと記載する場合がある。

【0062】

各処理ユニットＲＴ、ＡＲは、基板Ｗを保持するスピンチャック２５及びスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

【0063】

また、図１に示すように、処理ユニットＲＴが配置される塗布処理室２４には、処理液を吐出する複数のノズル２８及びノズル搬送機構２９が備えられる。ノズル搬送機構２９はノズル２８を搬送する。

【0064】

そして、塗布処理室２４においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、ノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。その結果、基板Ｗが回転される。

【0065】

各塗布処理室２３、２２、２１（図２）についても、塗布処理室２４と同様に、複数のノズル２８及びノズル搬送機構２９が備えられる。

【0066】

塗布処理室２４、２２のノズル２８及びノズル搬送機構２９は、処理ユニットＲＴの一部を構成している。塗布処理室２３、２１のノズル２８及びノズル搬送機構２９は、処理ユニットＡＲの一部を構成している。

【0067】

実施形態１においては、処理ユニットＲＴが配置される塗布処理室２４、２２において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。従って、塗布処理室２４、２２のノズル２８は、処理ユニットＲＴの一部を構成している。

【0068】

また、処理ユニットＡＲが配置される塗布処理室２３、２１において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。従って、塗布処理室２３、２１のノズル２８は、処理ユニットＡＲの一部を構成している。

【0069】

図２に示すように、現像処理部１３１には、現像処理室３１、３２、３３、３４が階層的に設けられる。現像処理室３１には、現像処理ユニットＤＶ［１２］、ＤＶ［１４］、ＤＶ［１６］が設けられる。現像処理室３２には、現像処理ユニットＤＶ［１１］、ＤＶ［１３］、ＤＶ［１５］が設けられる。現像処理室３３には、現像処理ユニットＤＶ［２２］、ＤＶ［２４］、ＤＶ［２６］が設けられる。現像処理室３４には、現像処理ユニットＤＶ［２１］、ＤＶ［２３］、ＤＶ［２５］が設けられる。

【0070】

以下、現像処理ユニットＤＶ［１１］～ＤＶ［１６］、ＤＶ［２１］～ＤＶ［２６］を総称して、処理ユニットＤＶ又は現像処理ユニットＤＶと記載する場合がある。

【0071】

処理ユニットＤＶは、処理ユニットＲＴ、ＡＲと同様に、スピンチャック３５及びカップ３７を備える。また、図１に示すように、処理ユニットＤＶは、現像液を吐出する２つのノズル３８及び移動機構３９を備える。移動機構３９は、ノズル３８をＸ方向に移動させる。

【0072】

処理ユニットＤＶにおいては、まず、一方のノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、ノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。その結果、基板Ｗが回転される。

【0073】

実施形態１では、処理ユニットＤＶにおいて基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、実施形態１においては、２つのノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。従って、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

【0074】

図２に示すように、洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄及び乾燥処理が行われる。

【0075】

また、塗布処理室２１～２４において処理ユニットＡＲ、ＲＴの上方には、塗布処理室２１～２４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、現像処理室３１～３４において処理ユニットＤＶの上方には、現像処理室３１～３４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４７が設けられる。

【0076】

また、塗布処理室２１～２４内において処理ユニットＡＲ、ＲＴの下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理室３１～３４において処理ユニットＤＶの下部には、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４８が設けられる。

【0077】

図１及び図２に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、処理ユニットＡＲ、ＲＴ、ＤＶへの薬液の供給ならびに処理ユニットＡＲ、ＲＴ、ＤＶからの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。

【0078】

次に、図３を参照して、図１の熱処理部１２３、１３３及び洗浄乾燥処理部１６２を説明する。図３は、熱処理部１２３、１３３及び洗浄乾燥処理部１６２を、図１中の方向Ｄ１から見た図である。

【0079】

図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１及び下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。下段熱処理部３０２には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ［１１］～ＰＡＨＰ［１４］、複数の熱処理ユニットＰＨＰ［１５］～ＰＨＰ［２２］、及び、複数の冷却処理ユニットＣＰ［１１］～ＣＰ［１３］が設けられる。上段熱処理部３０１には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ［５１］～ＰＡＨＰ［５４］、複数の熱処理ユニットＰＨＰ［５５］～ＰＨＰ［６２］、及び、複数の冷却処理ユニットＣＰ［２１］～ＣＰ［２３］が設けられる。

【0080】

また、熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３及び下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。下段熱処理部３０４には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ［２３］～ＰＨＰ［３４］、複数の冷却処理ユニットＣＰ［１４］、ＣＰ［１５］、及び、エッジ露光処理ユニットＥＥＷ［１］が設けられる。上段熱処理部３０３には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ［６３］～ＰＨＰ［７４］、複数の冷却処理ユニットＣＰ［２４］、ＣＰ［２５］、及び、エッジ露光処理ユニットＥＥＷ［２］が設けられる。

【0081】

以下、熱処理ユニットＰＨＰ［１５］～ＰＨＰ［３４］、ＰＨＰ［５５］～ＰＨＰ［７４］を総称して、処理ユニットＰＨＰ又は熱処理ユニットＰＨＰと記載する場合ある。密着強化処理ユニットＰＡＨＰ［１１］～ＰＡＨＰ［１４］、ＰＡＨＰ［５１］～ＰＡＨＰ［５４］を総称して、処理ユニットＰＡＨＰ又は密着強化処理ユニットＰＡＨＰと記載する場合ある。冷却処理ユニットＣＰ［１１］～ＣＰ［１５］、ＣＰ［２１］～ＣＰ［２５］を総称して、処理ユニットＣＰ又は冷却処理ユニットＣＰと記載する場合ある。エッジ露光処理ユニットＥＥＷ［１］、ＥＥＷ［２］を総称して、処理ユニットＥＥＷ又はエッジ露光処理ユニットＥＥＷと記載する場合ある。

【0082】

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理及び冷却処理が行われる。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。例えば、熱処理ユニットＰＨＰは、２つのプレート５（図１）を含む。そして、一方のプレート５に基板Ｗが載置されて、基板Ｗに加熱処理が行われる。また、他方のプレート５に基板Ｗが載置されて、基板Ｗの冷却処理が行われる。

【0083】

密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。基板Ｗに密着強化剤を塗布することは、基板Ｗに対して疎水化処理を行うことに相当する。加えて、基板Ｗの加熱処理後に、基板Ｗの冷却処理が行われる。例えば、密着強化処理ユニットＰＡＨＰは、２つのプレート５（図１）を含む。そして、一方のプレート５に基板Ｗが載置されて、密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。また、他方のプレート５に基板Ｗが載置されて、基板Ｗの冷却処理が行われる。

【0084】

冷却処理ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。例えば、冷却処理ユニットＣＰは、１つ又は２つのプレート（不図示）を含む。そして、プレートに基板Ｗが載置されて、基板Ｗの冷却処理が行われる。

【0085】

エッジ露光処理ユニットＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に対して露光処理が行われる。例えば、エッジ露光処理ユニットＥＥＷは、１つのプレート５（図１）を含む。そして、プレート５に基板Ｗが載置されて、基板Ｗの周縁部に対して露光処理が行われる。

【0086】

以下、熱処理ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却処理ユニットＣＰ、エッジ露光処理ユニットＥＥＷ、反射防止膜用塗布処理ユニットＡＲ、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＴ、現像処理ユニットＤＶ、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ、及び、冷却処理ユニットとして機能することの可能な後述の基板載置部ＰＡＳＳ６、ＰＡＳＳ８を総称して、処理ユニット２２０（後述の図５）と記載する場合がある。

【0087】

また、図３に示すように、洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄及び乾燥処理が行われる。

【0088】

次に、図４及び図５を参照して、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２、及び、熱処理部１２３を説明する。図４は、塗布処理部１２１、搬送部１２２、及び、熱処理部１２３を、図１中の方向Ｄ２から見た図である。図５は、搬送部１２２、１３２、１６３を、図１中の方向Ｄ１から見た図である。

【0089】

図４及び図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５及び下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５及び下段搬送室１３６を有する。

【0090】

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

【0091】

図４に示すように、塗布処理室２３、２４と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２１、２２と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。同様に、現像処理室３３、３４（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向し、現像処理室３１、３２（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向する。

【0092】

図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４が設けられる。例えば、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間に載置兼バッファ部を設けてもよい。載置兼バッファ部は、搬送機構１１５、１２７による基板Ｗの搬入及び搬出が可能に構成される。例えば、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間に載置兼バッファ部を設けてもよい。載置兼バッファ部は、搬送機構１１５、１２８による基板Ｗの搬入及び搬出が可能に構成される。

【0093】

上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が設けられる。例えば、複数の基板載置部ＰＡＳＳ６（例えば３つの基板載置部ＰＡＳＳ６）が上下に設けられてもよいし、複数の基板載置部ＰＡＳＳ８（例えば３つの基板載置部ＰＡＳＳ８）が上下に設けられてもよい。例えば、上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間に載置兼バッファ部を設けてもよい。載置兼バッファ部は、搬送機構１２７、１３７による基板Ｗの搬入及び搬出が可能に構成される。例えば、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間に載置兼バッファ部を設けてもよい。載置兼バッファ部は、搬送機構１２８、１３８による基板Ｗの搬入及び搬出が可能に構成される。

【0094】

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２が設けられる。また、上段搬送室１３５と搬送部１６３との間に基板載置部ＰＡＳＳ９が設けられる。さらに、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間に基板載置部ＰＡＳＳ１０が設けられる。

【0095】

搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１、ＰＡＳＳ１２及び複数の載置兼冷却部Ｐ－ＣＰが設けられる。

【0096】

載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１及び基板載置部ＰＡＳＳ９は、搬送機構１３７及び搬送機構１４１、１４２（図１）による基板Ｗの搬入及び搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２及び基板載置部ＰＡＳＳ１０は、搬送機構１３８及び搬送機構１４１、１４２（図１）による基板Ｗの搬入及び搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ１１、ＰＡＳＳ１２及び載置兼冷却部Ｐ－ＣＰは、搬送機構１４１、１４２（図１）及び搬送機構１４６による基板Ｗの搬入及び搬出が可能に構成される。

【0097】

搬送機構１４１、１４２（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１、Ｐ－ＢＦ２、基板載置部ＰＡＳＳ９～ＰＡＳＳ１２、及び、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰに対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、搬送機構１４６は、基板載置部ＰＡＳＳ１１、ＰＡＳＳ１２、載置兼冷却部Ｐ－ＣＰ、基板搬入部１５ａ（図１）、及び、基板搬出部１５ｂ（図１）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【0098】

なお、図５の例では、基板載置部ＰＡＳＳ１１が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ１１（例えば２つの基板載置部ＰＡＳＳ１１）が上下に設けられてもよい。また、複数の基板載置部ＰＡＳＳ１２（例えば２つの基板載置部ＰＡＳＳ１２）が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として基板載置部ＰＡＳＳ１１、ＰＡＳＳ１２を用いてもよい。

【0099】

実施形態１においては、基板載置部ＰＡＳＳ１及び基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサーブロック１１から第１処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２及び基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１処理ブロック１２からインデクサーブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。搬送機構１１５は、ハンド１１６を用いて、キャリア１１３及び基板載置部ＰＡＳＳ１～ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【0100】

また、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６、ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８には、第１処理ブロック１２から第２処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、又は、第２処理ブロック１３から第１処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。実施形態１では、基板載置部ＰＡＳＳ６及び基板載置部ＰＡＳＳ８の各々は、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を有する。従って、基板載置部ＰＡＳＳ６、ＰＡＳＳ８は、冷却処理ユニットとして機能する。以下、基板載置部ＰＡＳＳ６を、処理ユニットＰＡＳＳ６又は冷却処理ユニットＰＡＳＳ６と記載する場合がある。また、基板載置部ＰＡＳＳ８を、処理ユニットＰＡＳＳ８又は冷却処理ユニットＰＡＳＳ８と記載する場合がある。

【0101】

また、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１には、第２処理ブロック１３の上段搬送室１３５から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから上段搬送室１３５へ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２には、第２処理ブロック１３の下段搬送室１３６から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１０には、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから下段搬送室１３６へ搬送される基板Ｗが載置される。

【0102】

載置兼冷却部Ｐ－ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１１には、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１２には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

【0103】

上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。

【0104】

また、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方に上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方に下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

【0105】

同様に、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方に上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方に下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

【0106】

その結果、上段搬送室１２５、１３５及び下段搬送室１２６、１３６の雰囲気が適切な温湿度及び清浄な状態に維持される。

【0107】

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの搬送部１６３内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂ内の上部には、給気ユニット４６が設けられる。給気ユニット４５、４６には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。その結果、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ及び搬入搬出ブロック１４Ｂ内の雰囲気が適切な温湿度及び清浄な状態に維持される。

【0108】

引き続き図５を参照して、搬送機構１２７を説明する。搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１、３１２を備える。ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

【0109】

ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１、３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

【0110】

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１及びハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１、Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

【0111】

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向及びＺ方向に自在に移動することができる。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１、Ｈ２を用いて塗布処理室２４、２３（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６（図５）及び上段熱処理部３０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【0112】

なお、図５に示すように、搬送機構１２８、１３７、１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

【0113】

従って、搬送機構１２８は、下段搬送室１２６内においてＸ方向及びＺ方向に自在に移動することができる。また、搬送機構１２８は、ハンドＨ１、Ｈ２を用いて、塗布処理室２２、２１（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４、ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８（図５）及び下段熱処理部３０２（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【0114】

また、搬送機構１３７は、上段搬送室１３５内においてＸ方向及びＺ方向に自在に移動することができる。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１、Ｈ２を用いて、現像処理室３４、３３（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６（図５）、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ１（図５）、基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）及び上段熱処理部３０３（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【0115】

また、搬送機構１３８は、下段搬送室１３６内においてＸ方向及びＺ方向に自在に移動することができる。また、搬送機構１３８は、ハンドＨ１、Ｈ２を用いて、現像処理室３２、３１（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８（図５）、載置兼バッファ部Ｐ－ＢＦ２（図５）、基板載置部ＰＡＳＳ１０（図５）及び下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【0116】

以下、搬送機構１１５、１２７、１２８、１３７、１３８、１４１、１４２、１４６を総称して、搬送機構２１０と記載する場合がある。

【0117】

次に、図６及び図７を参照して、基板処理装置１００のキャリア１１３から露光装置１５まで搬送される基板Ｗの処理、及び、露光装置１５から基板処理装置１００のキャリア１１３まで搬送される基板Ｗの処理を説明する。

【0118】

図６は、基板処理装置１００から露光装置１５に向かう往路における１枚の基板Ｗに対する処理を示すフローチャートである。図７は、露光装置１５から基板処理装置１００に向かう復路における１枚の基板Ｗに対する処理を示すフローチャートである。

【0119】

図６に示す工程Ｓ１の密着強化処理を行うために、図５の搬送機構１１５、１２８は、キャリア１１３から基板Ｗを搬出して、図３の処理ユニットＰＡＨＰ（例えば、処理ユニットＰＡＨＰ［１１］）に搬入する。

【0120】

そして、工程Ｓ１において、処理ユニットＰＡＨＰ（例えば、処理ユニットＰＡＨＰ［１１］）は、基板Ｗに対して密着強化処理を行う。つまり、処理ユニットＰＡＨＰは、基板Ｗに密着強化剤を塗布するとともに、基板Ｗを加熱する。そして、処理ユニットＰＡＨＰは、基板Ｗを冷却する。

【0121】

次に、工程Ｓ２において、図２の処理ユニットＡＲ（例えば、処理ユニットＡＲ［１１］）は、基板Ｗに対して反射防止膜形成処理を行う。つまり、処理ユニットＡＲは、反射防止膜用の処理液を、密着強化処理が行われた基板Ｗに塗布して、基板Ｗに反射防止膜を形成する。

【0122】

次に、工程Ｓ３において、図３の処理ユニットＰＨＰ（例えば、処理ユニットＰＨＰ［１５］）は、基板Ｗに対して第１加熱処理を行う。つまり、処理ユニットＰＨＰは、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱する。

【0123】

次に、工程Ｓ４において、処理ユニットＣＰ（例えば、処理ユニットＣＰ［１１］）は、基板Ｗに対して第１冷却処理を行う。つまり、処理ユニットＣＰは、第１加熱処理後の基板Ｗを冷却する。

【0124】

次に、工程Ｓ５において、図２の処理ユニットＲＴ（例えば、処理ユニットＲＴ［１１］）は、基板Ｗに対してレジスト膜形成処理を行う。つまり、処理ユニットＲＴは、レジスト膜用の処理液を、第１冷却処理後の基板Ｗに塗布して、基板Ｗにレジスト膜を形成する。レジスト膜は反射防止膜上に形成される。

【0125】

次に、工程Ｓ６において、図３の処理ユニットＰＨＰ（例えば、処理ユニットＰＨＰ［１９］）は、基板Ｗに対して第２加熱処理を行う。つまり、処理ユニットＰＨＰは、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱する。

【0126】

次に、工程Ｓ７において、図５の処理ユニットＰＡＳＳ８は、基板Ｗに対して第２冷却処理を行う。つまり、処理ユニットＰＡＳＳ８は、第２加熱処理後の基板Ｗを冷却する。なお、工程Ｓ７において、処理ユニットＣＰ（例えば、処理ユニットＣＰ［１３］）が、基板Ｗに対して第２冷却処理を行ってもよい。

【0127】

次に、工程Ｓ８において、図３の処理ユニットＥＥＷ（例えば、処理ユニットＥＥＷ［１］）は、基板Ｗに対してエッジ露光処理を行う。つまり、処理ユニットＥＥＷは、第２冷却処理後の基板Ｗの周縁部に対して露光処理を行う。

【0128】

次に、工程Ｓ９において、図５の処理ユニットＰ－ＣＰは、基板Ｗに対して冷却処理を行う。つまり、処理ユニットＰ－ＣＰは、エッジ露光処理後の基板Ｗを冷却する。

【0129】

次に、工程Ｓ１０において、図１の露光装置１５は、基板Ｗに対して露光処理を行う。つまり、露光装置１５は、冷却処理後の基板Ｗ、つまり、レジスト膜が形成された基板Ｗを露光する。

【0130】

次に、図７に示すように、工程Ｓ１１において、図３の処理ユニットＰＨＰ（例えば、処理ユニットＰＨＰ［３１］）は、基板Ｗに対して第３加熱処理を行う。つまり、処理ユニットＰＨＰは、露光処理後の基板Ｗを加熱する。

【0131】

次に、工程Ｓ１２において、処理ユニットＣＰ（例えば、処理ユニットＣＰ［１４］）は、基板Ｗに対して第３冷却処理を行う。つまり、処理ユニットＰＨＰは、第３加熱処理後の基板Ｗを冷却する。

【0132】

次に、工程Ｓ１３において、図２の処理ユニットＤＶ（例えば、処理ユニットＤＶ［１５］）は、基板Ｗに対して現像処理を行う。つまり、処理ユニットＤＶは、第３冷却後の基板Ｗに現像液を供給して、基板Ｗを現像する。

【0133】

次に、工程Ｓ１４において、図３の処理ユニットＰＨＰ（例えば、処理ユニットＰＨＰ［２７］）は、基板Ｗに対して第４加熱処理を行う。つまり、処理ユニットＰＨＰは、現像処理後の基板Ｗを加熱する。

【0134】

次に、工程Ｓ１５において、処理ユニットＣＰ（例えば、処理ユニットＣＰ［１５］）は、基板Ｗに対して第４冷却処理を行う。つまり、処理ユニットＣＰは、第４加熱処理後の基板Ｗを冷却する。

【0135】

そして、図５の搬送機構１３８、１２８、１１５は、工程Ｓ１５で第４冷却処理行った処理ユニットＣＰから基板Ｗを搬出して、基板Ｗをキャリア１１３に搬入する。

【0136】

なお、工程Ｓ３で第１加熱処理を行う処理ユニットＰＨＰと、工程Ｓ６で第２加熱処理を行う処理ユニットＰＨＰと、工程Ｓ１１で第３加熱処理を行う処理ユニットＰＨＰと、工程Ｓ１４で第４加熱処理を行う処理ユニットＰＨＰとは、互いに異なる。

【0137】

また、工程Ｓ４で第１冷却処理を行う処理ユニットＣＰと、工程Ｓ７で第２冷却処理を行う処理ユニットＰＡＳＳ８と、工程Ｓ１２で第３冷却処理を行う処理ユニットＣＰと、工程Ｓ１５で第４冷却処理を行う処理ユニットＣＰとは、互いに異なる。

【0138】

ここで、工程Ｓ１～Ｓ１５のうち、工程Ｓ１０を除く一連の工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５を一連工程ＳＱと記載する。実施形態１では、基板処理装置１００は、複数の基板Ｗの各々に対して、複数の一連工程ＳＱを並行して実行する。工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５の各々は、「処理工程」の一例に相当する。

【0139】

具体的には、一連工程ＳＱは、順次実行される複数の工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５を含む。つまり、一連工程ＳＱは、処理内容が相異する複数の工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５を含む。

【0140】

次に、図６～図８を参照して、基板処理装置１００を説明する。図８は、制御装置ＣＭ、及び、制御装置ＣＭによって制御される複数の処理ユニット２２０を示すブロック図である。

【0141】

図８に示すように、制御装置ＣＭは、複数の処理ユニット２２０を制御する。そして、図６～図８に示すように、複数の処理ユニット２２０は、複数の一連工程ＳＱを並行して実行する。

【0142】

具体的には、複数の処理ユニット２２０は、複数の一連工程ＳＱの相互間において、基板Ｗに対して実行する処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０を含む。「処理内容が同一」とは、処理機能及び処理条件が同一であることを示す。例えば、図６及び図７に示す工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５のうちの１つの工程を「工程ＳＰ」と記載する。この場合、２以上の処理ユニット２２０によって、それぞれ、工程ＳＰが並行して実行される。この場合、同一工程ＳＰを並行して実行する２以上の処理ユニット２２０の処理内容は同一である。例えば、複数の処理ユニット２２０は、複数の一連工程ＳＱに含まれる２以上の工程Ｓ１をそれぞれ実行する２以上の処理ユニット２２０を含む。

【0143】

図８に示すように、制御装置ＣＭは、各搬送機構２１０を制御する。そして、各搬送機構２１０は、各処理ユニット２２０に対して基板Ｗの搬入及び搬出を行う。そして、複数の処理ユニット２２０は、それぞれ、複数の基板Ｗを処理する。

【0144】

基板処理装置１００は、単数又は複数の測定ユニット２００を備えていてもよい。この場合、例えば、測定ユニット２００は、搬送部１１２、搬送部１２２（上段搬送室１２５、下段搬送室１２６）、搬送部１３２（上段搬送室１３５、下段搬送室１３６）、搬送部１６３、搬入搬出ブロック１４Ｂ、塗布処理部１２１（塗布処理室２１～２４）、現像処理部１３１（現像処理室３１～３４）、処理ユニットＰＡＨＰ、処理ユニットＰＨＰ、処理ユニットＣＰ、又は、処理ユニットＥＥＷに、配置される。

【0145】

また、単数又は複数の測定ユニット２００が、基板処理装置１００の一部を構成していなくてもよい。つまり、単数又は複数の測定ユニット２００が、基板処理装置１００の外部に配置されていてもよい。

【0146】

測定ユニット２００は、処理ユニット２２０による処理後の基板Ｗの状態を測定する。例えば、測定ユニット２００は、処理ユニット２２０による処理後の基板Ｗの表面の複数の測定点における状態を測定する。測定ユニット２００は、基板Ｗの状態の測定結果を示す測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する。例えば、測定データＭＥ２は、基板Ｗの表面の複数の測定点のそれぞれの状態を示す複数の測定値を含む。測定ユニット２００は、例えば、基板Ｗの状態を測定するセンサーと、測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する送信機とを含む。実施形態１によれば、基板処理装置１００が測定ユニット２００を備えることで、測定データＭＥ２を容易に取得できる。

【0147】

例えば、１以上の測定ユニット２００は、図６及び図７に示す工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５から選択された１以上の工程ごとに、処理ユニット２２０による処理後の基板Ｗの状態を測定する。

【0148】

例えば、複数の測定ユニット２００のうちの１つの測定ユニット２００は、基板Ｗの表面における処理液に対する接触角を測定して、接触角を示す測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する。例えば、測定ユニット２００は、基板Ｗの表面の複数の測定点における処理液に対する接触角を測定する。測定ユニット２００は、例えば、θ／２法、接線法、又は、液滴法によって、接触角を測定する。例えば、測定ユニット２００は、図６の工程Ｓ１の密着強化処理後の基板Ｗの表面における処理液に対する接触角を測定する。

【0149】

例えば、複数の測定ユニット２００のうちの１つの測定ユニット２００は、基板Ｗに形成された膜の膜厚を測定して、膜厚を示す測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する。例えば、測定ユニット２００は、基板Ｗの表面の複数の測定点における膜厚を測定する。測定ユニット２００は、例えば、分光干渉法によって膜厚を測定する。例えば、測定ユニット２００は、図６の工程Ｓ５のレジスト膜形成処理後の基板Ｗのレジスト膜の膜厚を測定する。

【0150】

例えば、複数の測定ユニット２００のうちの１つの測定ユニット２００は、基板Ｗにおける熱処理中の温度を測定して、温度を示す測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する。例えば、測定ユニット２００は、基板Ｗの複数の測定点における熱処理中の温度を測定する。測定ユニット２００は、例えば、温度センサーを内蔵した基板Ｗを使用して温度を測定する。例えば、測定ユニット２００は、図７の工程Ｓ１１の第３加熱処理中（露光後の加熱処理中）の基板Ｗの温度を測定する。

【0151】

例えば、複数の測定ユニット２００のうちの１つの測定ユニット２００は、基板Ｗの表面におけるパターンの線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を測定して、線幅を示す測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する。例えば、測定ユニット２００は、基板Ｗの表面の複数の測定点におけるパターンの線幅を測定する。測定ユニット２００が測定する「パターンの線幅」は、例えば、「レジストパターンの線幅」である。測定ユニット２００は、例えば、ＣＤ－ＳＥＭ、又は、ＣＤ－ＡＦＭである。例えば、測定ユニット２００は、図７の工程Ｓ１３の現像処理後の基板Ｗの表面におけるレジストパターンの線幅を測定する。

【0152】

例えば、複数の測定ユニット２００のうちの１つの測定ユニット２００は、基板Ｗの表面におけるパーティクル数を測定して、パーティクル数を示す測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する。例えば、測定ユニット２００は、基板Ｗの表面の複数の測定点におけるパーティクル数を測定する。

【0153】

例えば、複数の測定ユニット２００のうちの１つの測定ユニット２００は、基板Ｗの表面におけるパターンの倒壊数を測定して、倒壊数を示す測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する。例えば、測定ユニット２００は、基板Ｗの表面の複数の測定点におけるパターンの倒壊数を測定する。

【0154】

例えば、複数の測定ユニット２００のうちの１つの測定ユニット２００は、基板Ｗのエッジのカット幅を測定して、カット幅を示す測定データＭＥ２を制御装置ＣＭに送信する。例えば、測定ユニット２００は、円周方向に沿った複数の測定点における基板Ｗのエッジのカット幅を測定する。

【0155】

制御装置ＣＭは、制御ユニットＣＮＴと、記憶ユニットＭＥＭと、入力ユニットＩＮと、表示ユニットＤＰと、通信ユニットＴＲとを含む。

【0156】

制御ユニットＣＮＴは、複数の処理ユニット２２０及び各搬送機構２１０を制御する。具体的には、制御ユニットＣＮＴは、複数の処理ユニット２２０のうちから、複数の処理ユニット２２０のそれぞれによる複数の基板Ｗｐの処理結果に基づいて選択された１以上の処理ユニット２２０によって処理対象基板Ｗｘの各々を処理するように、１以上の処理ユニット２２０及び各搬送機構２１０を制御する。従って、実施形態１によれば、仮に複数の処理ユニット２２０による処理特性がばらついている場合であっても、処理結果が良好な処理ユニット２２０を選択して使用できる。その結果、複数の処理対象基板Ｗｘ間での処理の均一性を向上できる。

【0157】

「複数の処理ユニット２２０のそれぞれによる複数の基板Ｗｐの処理結果」は、処理対象基板Ｗｘを処理する以前の過去における基板Ｗｐの処理結果を示す。また、処理対象基板Ｗｘは、一連工程ＳＱによる処理の対象となる基板Ｗである。なお、一連工程ＳＱに含まれる工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５の各々は、「処理対象基板を処理する工程」の一例に相当する。

【0158】

本明細書では、過去に処理された基板Ｗｐと処理対象基板Ｗｘとを区別する必要がない場合には、基板Ｗｐ及び処理対象基板Ｗｘを、単に「基板Ｗ」と記載している。

【0159】

制御ユニットＣＮＴは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）及びＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを備える。記憶ユニットＭＥＭは、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶ユニットＭＥＭは、例えば、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー及びハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを備える。記憶ユニットＭＥＭは、光ディスク等のリムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶ユニットＭＥＭは、例えば、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体である。

【0160】

制御ユニットＣＮＴのプロセッサーは、記憶ユニットＭＥＭの記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、記憶ユニットＭＥＭ、入力ユニットＩＮ、表示ユニットＤＰ、通信ユニットＴＲ、各測定ユニット２００、各搬送機構２１０、及び、各処理ユニット２２０を制御する。

【0161】

通信ユニットＴＲは、ネットワークに接続され、外部装置と通信する。ネットワークは、例えば、インターネット、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、公衆電話網、及び、近距離無線ネットワークを含む。通信ユニットＴＲは、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。

【0162】

入力ユニットＩＮは、制御ユニットＣＮＴに対して各種情報を入力するための入力機器である。例えば、入力ユニットＩＮは、キーボード及びポインティングデバイス、又は、タッチパネルである。

【0163】

表示ユニットＤＰは画像を表示する。表示ユニットＤＰは、例えば、液晶ディスプレイ、又は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイである。

【0164】

具体的には、制御ユニットＣＮＴは、制御プログラムＭＥ１を実行することで、前処理部ＣＮ１、取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、解析部ＣＮ４、調節部ＣＮ５、第２選択部ＣＮ６、基板経路決定部ＣＮ７、及び、基板処理制御部ＣＮ８として機能する。つまり、制御ユニットＣＮＴは、前処理部ＣＮ１、取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、解析部ＣＮ４、調節部ＣＮ５、第２選択部ＣＮ６、基板経路決定部ＣＮ７、及び、基板処理制御部ＣＮ８を含む。第１選択部ＣＮ３は「選択部」の一例に相当する。記憶ユニットＭＥＭが制御プログラムＭＥ１を記憶している。

【0165】

取得部ＣＮ２は、各測定ユニット２００から測定データＭＥ２を取得する。測定ユニット２００が基板処理装置１００の外部に配置される場合には、取得部ＣＮ２は、通信ユニットＴＲを介して、測定ユニット２００から測定データＭＥ２を取得する。

【0166】

記憶ユニットＭＥＭは、複数の測定ユニット２００からそれぞれ取得された複数の測定データＭＥ２を記憶する。

【0167】

前処理部ＣＮ１は、測定データＭＥ２を処理して、処理結果情報ＭＥ３を算出する。処理結果情報ＭＥ３は、基板Ｗごとに生成され、処理ユニット２２０による基板Ｗの処理結果を示す。前処理部ＣＮ１は、処理ユニット２２０ごとに、各測定データＭＥ２を処理して、処理結果情報ＭＥ３を算出する。記憶ユニットＭＥＭは処理結果情報ＭＥ３を記憶する。以下、前処理部ＣＮ１による処理を「前処理」と記載する場合がある。

【0168】

例えば、前処理部ＣＮ１は、基板Ｗの表面の複数の測定点のそれぞれの状態を示す複数の測定値に対して、統計的処理を実行して、基板Ｗの状態を示す数値を、基板Ｗごとに算出する。統計的処理による「基板Ｗの状態を示す数値」が処理結果情報ＭＥ３である。この場合、例えば、前処理部ＣＮ１は、基板Ｗに対する複数の測定値の平均値を算出する。「平均値」は、統計的処理による「基板Ｗの状態を示す数値」の一例であって、処理結果情報ＭＥ３である。

【0169】

また、例えば、前処理部ＣＮ１は、基板Ｗに対する複数の測定値のばらつきを示す数値を算出する。「ばらつきを示す数値」は、統計的処理による「基板Ｗの状態を示す数値」の一例であって、処理結果情報ＭＥ３である。ばらつきを示す数値は、例えば、複数の測定値の最大値と最小値との差分値、複数の測定値の標準偏差σ、標準偏差σに基づく数値、複数の測定値の分散σ²、又は、分散σ²に基づく数値である。標準偏差σに基づく数値は、例えば、３σ値である。

【0170】

さらに、例えば、前処理部ＣＮ１は、基板Ｗに対する複数の測定値を正規化して、複数の測定値を無次元量にする。「正規化された複数の測定値」は、統計的処理による「基板Ｗの状態を示す数値」の一例であって、処理結果情報ＭＥ３である。

【0171】

前処理部ＣＮ１は、同一の測定データＭＥ２から、複数種類の処理結果情報ＭＥ３を算出することができる。複数種類の処理結果情報ＭＥ３は、例えば、平均値、最大値と最小値との差分値、標準偏差σ、標準偏差σに基づく数値、分散σ²、及び、分散σ²に基づく数値のうちの２以上の数値である。

【0172】

また、測定データＭＥ２自体が、処理結果情報ＭＥ３であってもよい。例えば、処理結果情報ＭＥ３は、測定データＭＥ２が示すマップデータである。マップデータは、基板Ｗの表面の複数の測定点のそれぞれの状態を示す複数の測定値の分布、又は、基板Ｗの複数の測定点のそれぞれの状態を示す複数の測定値の分布を示す。

【0173】

例えば、処理結果情報ＭＥ３は、基板Ｗの表面における処理液に対する接触角θと、接触角θに基づく数値と、基板Ｗに形成された膜の膜厚ｔと、膜厚ｔに基づく数値と、基板Ｗの表面における熱処理後の温度Ｔと、温度Ｔに基づく数値と、基板Ｗの表面におけるパターンの線幅Ｗ１と、線幅Ｗ１に基づく数値と、基板Ｗの表面におけるパーティクル数ＮＭ１と、パーティクル数ＮＭ１に基づく数値と、基板Ｗの表面におけるパターンの倒壊数ＮＭ２と、倒壊数ＮＭ２に基づく数値と、基板Ｗのエッジのカット幅Ｗ２とのうちの少なくとも１つを示す。従って、実施形態１によれば、処理結果情報ＭＥ３は、基板Ｗの表面の状態を的確に示すことができる。

【0174】

具体的には、処理結果情報ＭＥ３は、例えば、接触角マップデータ、膜厚マップデータ、温度マップデータ、パターン線幅マップデータ、パーティクルマップデータ、又は、倒壊マップデータである。接触角マップデータは、基板Ｗの表面における処理液に対する接触角θの分布を示す。膜厚マップデータは、基板Ｗの膜厚ｔの分布を示す。温度マップデータは、基板Ｗの温度Ｔの分布を示す。パターン線幅マップデータは、基板Ｗの表面におけるパターンの線幅Ｗ１の分布を示す。パーティクルマップデータは、基板Ｗの表面におけるパーティクル数ＮＭ１の分布を示す。倒壊マップデータは、基板Ｗの表面におけるパターンの倒壊数ＮＭ２の分布を示す。

【0175】

処理結果情報ＭＥ３としての「接触角θに基づく数値」は、例えば、基板Ｗの表面の複数の測定点のそれぞれの複数の接触角θに対して、統計的処理を実行して得られた数値又は正規化された値である。処理結果情報ＭＥ３としての「膜厚ｔに基づく数値」は、例えば、基板Ｗの表面の複数の測定点のそれぞれの複数の膜厚ｔに対して、統計的処理を実行して得られた数値又は正規化された値である。処理結果情報ＭＥ３としての「温度Ｔに基づく数値」は、例えば、基板Ｗの表面の複数の測定点のそれぞれの複数の温度Ｔに対して、統計的処理を実行して得られた数値又は正規化された値である。処理結果情報ＭＥ３としての「線幅Ｗ１に基づく数値」は、例えば、基板Ｗの表面の複数の測定点のそれぞれの複数の線幅Ｗ１に対して、統計的処理を実行して得られた数値又は正規化された値である。処理結果情報ＭＥ３としての「パーティクル数ＮＭ１に基づく数値」は、例えば、基板Ｗの表面の各測定点でのパーティクル数ＮＭ１に対して、統計的処理を実行して得られた数値又は正規化された値である。処理結果情報ＭＥ３としての「倒壊数ＮＭ２に基づく数値」は、例えば、基板Ｗの表面の各測定点での倒壊数ＮＭ２に対して、統計的処理を実行して得られた数値又は正規化された値である。これらの場合において、「数値」は、例えば、平均値、又は、ばらつきを示す数値である。

【0176】

処理結果情報ＭＥ３は、基板処理装置１００の外部装置に格納されていてもよい。この場合は、取得部ＣＮ２は、通信ユニットＴＲ及びネットワークを介して、外部装置から、複数の処理ユニット２２０の各々による基板Ｗの処理結果を示す処理結果情報ＭＥ３を取得して、処理結果情報ＭＥ３を記憶ユニットＭＥＭに記憶させる。外部装置は、例えば、サーバー又は記憶装置である。

【0177】

また、取得部ＣＮ２は、記憶ユニットＭＥＭから処理結果情報ＭＥ３を取得して、第１選択部ＣＮ３に、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択させる。

【0178】

第１選択部ＣＮ３は、少なくとも１つの解析アルゴリズムを有している。実施形態１では、第１選択部ＣＮ３は、複数の解析アルゴリズムを有している。解析アルゴリズムは、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する際に処理結果情報ＭＥ３を解析するためのアルゴリズムである。解析アルゴリズムは、例えば、処理結果情報ＭＥ３の種類ごとに用意される。例えば、解析アルゴリズムは、解析対象である処理結果情報ＭＥ３の種類及び処理結果情報ＭＥ３の解析方法を示す。解析方法は、処理ユニット２２０の選択条件を含む。解析アルゴリズムは、例えば、制御プログラムＭＥ１に組み込まれている。

【0179】

第１選択部ＣＮ３は、複数の処理ユニット２２０による複数の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、複数の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択し、選択結果を示す選択結果情報ＭＥ４を生成する。従って、実施形態１によれば、処理結果が良好な処理ユニット２２０を選択できて、処理後の処理対象基板Ｗｘの品質を向上できる。制御装置ＣＭを「選択装置」と捉えることができる。

【0180】

例えば、選択結果情報ＭＥ４は、複数の処理ユニット２２０のうち、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を示す。

【0181】

第１選択部ＣＮ３は、複数の処理ユニット２２０による複数の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、複数の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する２以上の処理ユニット２２０を選択することが好ましい。基板Ｗの処理のスループットを向上できるからである。

【0182】

また、第１選択部ＣＮ３は、複数の処理ユニット２２０のうち、選択されなかった処理ユニット２２０を、不使用対象の処理ユニット２２０に設定する。換言すれば、第１選択部ＣＮ３は、複数の処理ユニット２２０にそれぞれ対応する複数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、複数の処理ユニット２２０のうちから、不使用対象の処理ユニット２２０を決定する。この場合、選択結果情報ＭＥ４は、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を示す情報だけでなく、不使用対象の処理ユニット２２０を示す情報を含む。実施形態１によれば、不使用対象の処理ユニット２２０を決定することで、処理特性が良好でない処理ユニット２２０を起因とした複数の基板Ｗ間の処理の均一性の低下を抑制できる。

【0183】

第１選択部ＣＮ３は、複数の処理ユニット２２０による複数の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、複数の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を、使用の優先順位を付けて選択してもよい。従って、実施形態１によれば、優先順位の高い処理ユニット２２０の使用頻度を増やすことで、処理対象基板Ｗｘの処理後の品質をより向上できる。

【0184】

例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＭＥ３が示す基板Ｗｐの処理後の品質が高いほど、処理ユニット２２０に対して高い優先順位を付ける。

【0185】

例えば、第１選択部ＣＮ３は、複数の処理ユニット２２０にそれぞれ対応する複数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、使用の優先順位を付けて、全ての処理ユニット２２０又は一部の処理ユニット２２０を選択する。この場合、選択結果情報ＭＥ４は、使用の優先順位を示す情報を含む。この場合でも、選択結果情報ＭＥ４は、不使用対象の処理ユニット２２０を示す情報を含んでいてもよい。

【0186】

例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＭＥ３と、閾値とを比較して、比較結果に基づいて、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。「閾値」は、例えば、基板処理装置１００に要求される仕様値である。

【0187】

例えば、数値が小さい程、品質が良いことを示す処理結果情報ＭＥ３（例えば、ばらつきを示す数値）については、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＭＥ３が小さい数値を示す程、処理結果情報ＭＥ３に対応する処理ユニット２２０の優先順位を高くする。また、例えば、数値が大きい程、品質が良いことを示す処理結果情報ＭＥ３については、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＭＥ３が大きい数値を示す程、処理結果情報ＭＥ３に対応する処理ユニット２２０の優先順位を高くする。

【0188】

例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＭＥ３が示す数値（例えば、平均値）が、所定範囲内か否かを判定して、判定結果に基づいて、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。所定範囲は基準値を含む。この場合、例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＭＥ３が示す数値が所定範囲内である場合、処理結果情報ＭＥ３に対応する処理ユニット２２０を使用対象として選択し、処理結果情報ＭＥ３が示す数値が所定範囲外である場合、処理結果情報ＭＥ３に対応する処理ユニット２２０を不使用対象に設定する。また、例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＭＥ３が示す数値が基準値に近い程、処理結果情報ＭＥ３に対応する処理ユニット２２０の優先順位を高くする。「所定範囲」は、例えば、基板処理装置１００に要求される仕様が示す範囲である。「基準値」は、例えば、所定範囲の中間値である。

【0189】

第１選択部ＣＮ３は、解析アルゴリズムごとに用意された各処理結果情報ＭＥ３に基づいて、解析アルゴリズムごとに、選択結果情報ＭＥ４を生成する。記憶ユニットＭＥＭは、各選択結果情報ＭＥ４を記憶する。

【0190】

第１選択部ＣＮ３は、選択結果情報ＭＥ４に基づいて、予め定められた優先順位より低い優先順位の処理ユニット２２０によって処理される処理対象基板Ｗｘを品質検査の対象に設定する。従って、実施形態１によれば、全ての処理対象基板Ｗｘを品質検査の対象にする場合と比較して、品質検査の時間を短縮できる。加えて、比較的優先順位の低い処理ユニット２２０によって処理される処理対象基板Ｗｘだけを品質検査の対象にすることで、効率良く品質検査できる。

【0191】

予め定められた優先順位は、使用の優先順位であり、例えば、最も低い優先順位よりも１つ高い優先順位であってもよいし、最も低い優先順位よりもＮ順位だけ高い優先順位であってもよい。Ｎは２以上の整数を示す。

【0192】

具体的には、第１選択部ＣＮ３は、選択結果情報ＭＥ４に基づいて、複数の処理ユニット２２０から、処理後の基板Ｗが品質検査の対象となる処理ユニット２２０を決定する。

【0193】

例えば、第１選択部ＣＮ３は、選択結果情報ＭＥ４に基づいて、予め定められた優先順位より低い優先順位の処理ユニット２２０を示す検査対象情報ＭＥ５を生成する。つまり、検査対象情報ＭＥ５は、処理後の基板Ｗが品質検査の対象となる処理ユニット２２０を示す。

【0194】

第１選択部ＣＮ３は、品質検査の優先順位を付けて、複数の処理ユニット２２０から、処理後の基板Ｗが品質検査の対象となる処理ユニット２２０を決定してもよい。この場合、第１選択部ＣＮ３は、使用の優先順位が低い程、品質検査の優先順位を高くする。この場合、例えば、検査対象情報ＭＥ５は、品質検査の優先順位を示す情報を含む。

【0195】

複数の処理ユニット２２０は、所定数の処理ユニット２２０を含む。所定数は２以上の数である。そして、第１選択部ＣＮ３は、所定数の処理ユニット２２０による所定数の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す所定数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、所定数の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択してもよい。この場合、第２選択部ＣＮ６は、所定数の処理ユニット２２０から選択される１以上の処理ユニット２２０を使用するか、又は、所定数の処理ユニット２２０の全てを使用するかを選択する。

【0196】

すなわち、所定数の処理ユニット２２０から選択される１以上の処理ユニット２２０を使用することが選択される場合、処理後の基板Ｗの品質（処理品質）が優先される。一方、所定数の処理ユニット２２０の全てを使用することが選択される場合、基板Ｗの処理のスループット（処理速度）が優先される。従って、実施形態１によれば、ユーザーの要求に応じて、処理後の基板Ｗの品質を優先するか、又は、基板Ｗの処理のスループットを優先するかを選択できる。その結果、ユーザーの利便性を向上できる。

【0197】

記憶ユニットＭＥＭは、基板Ｗの処理のスループットを優先する場合の優先順位情報ＭＥ６を記憶している。優先順位情報ＭＥ６は、所定数の処理ユニット２２０の全てに対する使用の優先順位を示す。優先順位情報ＭＥ６は、例えば、所定数の処理ユニット２２０の全てに対して割り当てられる連続番号を示す。

【0198】

次に、図９及び図１０を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図９は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。基板処理方法は基板処理装置１００によって実行される。具体的には、図８に示す制御ユニットＣＮＴが基板処理方法を実行する。図９に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ３１～工程Ｓ３６を含む。

【0199】

工程Ｓ３１において、制御ユニットＣＮＴは、所定数の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果を示す選択結果情報ＭＥ４を生成する。実施形態１では、所定数の処理ユニット２２０は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０である。

【0200】

次に、工程Ｓ３２において、制御ユニットＣＮＴの第２選択部ＣＮ６は、各基板Ｗに対してスループット優先の処理を行うか、又は、処理後の基板Ｗの品質優先の処理を行うかを選択する。

【0201】

工程Ｓ３２でスループット優先の処理を行うことを選択した場合は、処理は工程Ｓ３３に進む。

【0202】

工程Ｓ３３において、制御ユニットＣＮＴの基板経路決定部ＣＮ７は、所定数の処理ユニット２２０の全てを並行して使用するように、複数の基板Ｗのそれぞれの複数の搬送経路を決定する。この場合、基板経路決定部ＣＮ７は、例えば、優先順位情報ＭＥ６によって示される使用の優先順位に基づいて、優先順位が高い処理ユニット２２０になる程、使用頻度が高くなるように、各搬送経路を決定する。具体的には、基板経路決定部ＣＮ７は、所定数の処理ユニット２２０だけでなく、他の２以上の処理ユニット２２０を並行して使用するように、各搬送経路を決定する。各搬送経路は、図６及び図７に示す工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５をそれぞれ実行する複数の処理ユニット２２０を含む。

【0203】

次に、工程Ｓ３４において、制御ユニットＣＮＴの基板処理制御部ＣＮ８は、工程Ｓ３３で決定された各搬送経路に従って、各基板Ｗを搬送及び処理するように、各搬送機構２１０及び各処理ユニット２２０を制御する。その結果、所定数の処理ユニット２２０の全てが並行して基板Ｗを処理するとともに、他の２以上の処理ユニット２２０が並行して基板Ｗを処理する。所望の枚数の基板Ｗの処理が完了すると、処理は終了する。

【0204】

一方、工程Ｓ３２で品質優先の処理を行うことを選択した場合は、処理は工程Ｓ３５に進む。

【0205】

工程Ｓ３５において、基板経路決定部ＣＮ７は、選択結果情報ＭＥ４に基づいて、所定数の処理ユニット２２０から選択される各処理ユニット２２０を並行して使用するように、複数の基板Ｗのそれぞれの複数の搬送経路を決定する。この場合、基板経路決定部ＣＮ７は、例えば、選択結果情報ＭＥ４によって示される使用の優先順位に基づいて、優先順位が高い処理ユニット２２０になる程、使用頻度が高くなるように、各搬送経路を決定する。具体的には、基板経路決定部ＣＮ７は、所定数の処理ユニット２２０から選択される各処理ユニット２２０だけでなく、他の２以上の処理ユニット２２０を並行して使用するように、各搬送経路を決定する。各搬送経路は、図６及び図７に示す工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５をそれぞれ実行する複数の処理ユニット２２０を含む。

【0206】

次に、工程Ｓ３６において、基板処理制御部ＣＮ８は、工程Ｓ３５で決定された各搬送経路に従って、各基板Ｗを搬送及び処理するように、各搬送機構２１０及び各処理ユニット２２０を制御する。その結果、所定数の処理ユニット２２０から選択された各処理ユニット２２０が並行して基板Ｗを処理するとともに、他の２以上の処理ユニット２２０が並行して基板Ｗを処理する。所望の枚数の基板Ｗの処理が完了すると、処理は終了する。

【0207】

図１０は、図９に示す工程Ｓ３１の処理を示すフローチャートである。図１０に示すように、工程Ｓ３１の処理は、工程Ｓ５１～工程Ｓ６１を含む。工程Ｓ３１の処理は、「選択方法」の一例に相当する。

【0208】

工程Ｓ５１において、制御ユニットＣＮＴの前処理部ＣＮ１は、複数の測定データＭＥ２を処理して、複数の処理結果情報ＭＥ３を生成する。

【0209】

次に、工程Ｓ５２において、取得部ＣＮ２は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による２以上の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＭＥ３を取得する。

【0210】

次に、工程Ｓ５３において、第１選択部ＣＮ３は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による２以上の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、２以上の処理ユニット２２０（具体的には所定数の処理ユニット２２０）のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。従って、実施形態１によれば、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理結果が良好な処理ユニット２２０を選択できて、処理後の処理対象基板Ｗｘの品質を向上できる。

【0211】

具体的には、第１選択部ＣＮ３は、解析アルゴリズムによって処理結果情報ＭＥ３を解析して、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果情報ＭＥ４を生成する。

【0212】

次に、工程Ｓ５４において、第１選択部ＣＮ３は、選択結果情報ＭＥ４に、不使用対象の処理ユニット２２０を示す情報が含まれるか否かを判定する。

【0213】

工程Ｓ５４で否定判定された場合、処理は工程Ｓ５９に進む。

【0214】

一方、工程Ｓ５４で肯定判定された場合、処理は工程Ｓ５５に進む。

【0215】

工程Ｓ５５において、第１選択部ＣＮ３は、不使用対象の処理ユニット２２０を調節する要求を受け付けたか否かを判定する。

【0216】

工程Ｓ５５で否定判定された場合、処理は工程Ｓ５９に進む。

【0217】

一方、工程Ｓ５５で肯定判定された場合、処理は工程Ｓ５６に進む。

【0218】

工程Ｓ５６において、解析部ＣＮ４は、不使用対象の処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果を示す処理結果情報ＭＥ３を解析する。

【0219】

次に、工程Ｓ５７において、調節部ＣＮ５は、解析部ＣＮ４による処理結果情報ＭＥ３の解析結果に基づいて、不使用対象の処理ユニット２２０を調節し、不使用対象の処理ユニット２２０を使用対象の処理ユニット２２０に復帰させる。従って、実施形態１によれば、品質優先の場合において、使用可能な処理ユニット２２０を増加できる。その結果、処理対象基板Ｗｘの処理後の品質を向上させつつも、処理対象基板Ｗｘの処理のスループットを向上できる。

【0220】

次に、工程Ｓ５８において、第１選択部ＣＮ３は、調節部ＣＮ５によって復帰した処理ユニット２２０が処理対象基板Ｗｘを処理するために選択されるように、選択結果情報ＭＥ４を更新する。

【0221】

次に、工程Ｓ５９において、第１選択部ＣＮ３は、選択結果情報ＭＥ４に基づいて、予め定められた優先順位より低い優先順位の処理ユニット２２０によって処理される処理対象基板Ｗｘを品質検査の対象に設定する。

【0222】

次に、工程Ｓ６０において、第１選択部ＣＮ３は、選択結果情報ＭＥ４を報知する。例えば、第１選択部ＣＮ３は、選択結果情報ＭＥ４を表示ユニットＤＰに表示させる。例えば、第１選択部ＣＮ３は、通信ユニットＴＲを介して、選択結果情報ＭＥ４を外部装置に送信する。外部装置は、例えば、基板処理装置１００の管理者の端末装置である。

【0223】

次に、工程Ｓ６１において、第１選択部ＣＮ３は、全ての解析アルゴリズムに基づく処理が完了したか否かを判定する。

【0224】

工程Ｓ６１で否定判定された場合は、処理は工程Ｓ５２に進む。そして、工程Ｓ５２では、取得部ＣＮ２は、前回の解析アルゴリズムと異なる解析アルゴリズムに対応する各処理結果情報ＭＥ３を取得する。また、工程Ｓ５３では、第１選択部ＣＮ３は、前回の解析アルゴリズムと異なる解析アルゴリズムによって処理結果情報ＭＥ３を解析して、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０から、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。

【0225】

一方、工程Ｓ６１で肯定判定された場合は、処理は、図９のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３２に進む。

【0226】

以上、図１０を参照して説明したように、実施形態１によれば、第１選択部ＣＮ３は、互いに異なる複数の解析アルゴリズムによって、対応する各処理結果情報ＭＥ３を解析して、解析アルゴリズムごとに、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。従って、第１選択部ＣＮ３は、解析アルゴリズムごとに、選択結果情報ＭＥ４を生成する。その結果、実施形態１によれば、複数の選択結果情報ＭＥ４のうち、ユーザーが所望する選択結果情報ＭＥ４に基づいて、使用対象の処理ユニット２２０を選択できる。

【0227】

基板経路決定部ＣＮ７は、記憶ユニットＭＥＭに複数の選択結果情報ＭＥ４が記憶されている場合には、例えば、複数の選択結果情報ＭＥ４のうちの１つの選択結果情報ＭＥ４に基づいて、各基板Ｗの搬送経路を決定する。

【0228】

なお、「処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０」における「処理内容」は、例えば、図６及び図７の一連工程ＳＱを構成する工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５のうちのいずれの工程での処理内容であってよい。

【0229】

次に、図１１を参照して、具体例を挙げながら選択結果情報ＭＥ４を説明する。また、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０として、１０個の処理ユニットＰＡＨＰを例に挙げる。処理ユニットＰＡＨＰは基板Ｗに対して密着強化処理（図１の工程Ｓ１）を行う。説明の便宜のために、１０個の処理ユニットＰＡＨＰには、それぞれ、識別情報Ｕ１～Ｕ１０を割り当てる。

【0230】

図１１は、処理結果情報ＭＥ３、優先順位情報ＭＥ６、選択結果情報ＭＥ４、及び、検査対象情報ＭＥ５の一例を示す図である。

【0231】

図１１には、処理結果情報ＭＥ３の第１例として、基板Ｗの表面における接触角（度）の平均値が示される。以下、接触角の平均値を、平均接触角と記載する場合がある。さらに、処理結果情報ＭＥ３の第２例として、基板Ｗの表面における接触角（度）の最大値と最小値との差分値が示される。さらに、処理結果情報ＭＥ３の第３例として、基板Ｗの表面における接触角（度）の分布から算出した３σ値が示される。第１例～第３例において、接触角は、反射防止膜用の処理液に対する接触角を示す。

【0232】

また、スループット優先の場合の優先順位情報ＭＥ６の一例として優先順位情報Ａ１が示される。

【0233】

スループット優先の場合、１０個全ての処理ユニットＵ１～Ｕ１０が使用される。そして、スループット優先の場合の優先順位情報Ａ１は、使用の優先順位が高い順に、処理ユニットＵ１～Ｕ１０を示している。従って、例えば、２５枚の基板Ｗを処理する場合は、処理ユニットＵ１～Ｕ５の各々が処理する基板Ｗの枚数は３枚であり、処理ユニットＵ６～Ｕ１０の各々が処理する基板Ｗの枚数は２枚である。

【0234】

また、品質優先の場合の選択結果情報ＭＥ４の一例として選択結果情報Ａ２が示される。

【0235】

品質優先の場合の選択結果情報Ａ２では、１０個全ての処理ユニットＵ１～Ｕ１０が選択されている。そして、選択結果情報Ａ２では、３σ値に基づいて、使用の優先順位が定められている。具体的には、選択結果情報Ａ２では、３σ値が小さい程、高い優先順位が処理ユニットＵ１～Ｕ１０に割り当てられている。つまり、選択結果情報Ａ２は、使用の優先順位が高い順に、処理ユニットＵ５、Ｕ６、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ７、Ｕ４、Ｕ８、Ｕ１、Ｕ９、Ｕ１０を示している。

【0236】

従って、例えば、２５枚の基板Ｗを処理する場合は、３σ値が小さい順に処理ユニットＵ５、Ｕ６、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ７の各々が処理する基板Ｗの枚数は３枚であり、３σ値が大きい処理ユニットＵ８、Ｕ１、Ｕ９、Ｕ１０の各々が処理する基板Ｗの枚数は２枚である。

【0237】

また、品質優先の場合の選択結果情報ＭＥ４の一例として選択結果情報Ａ３が示される。

【0238】

品質優先の場合の選択結果情報Ａ３では、平均接触角が所定範囲内の基板Ｗを処理した処理ユニットＵ８、Ｕ５、Ｕ９、Ｕ１、Ｕ５、Ｕ２が選択されている。図１１の例では、所定範囲は、「５９±０．５」である。「５９」は基準値である。

【0239】

そして、選択結果情報Ａ３では、平均接触角に基づいて、使用の優先順位が定められている。具体的には、選択結果情報Ａ３では、平均接触角が「５９」に近い程、高い優先順位が処理ユニットＵ８、Ｕ５、Ｕ９、Ｕ１、Ｕ５、Ｕ２に付けられている。つまり、選択結果情報Ａ３は、使用の優先順位が高い順に、処理ユニットＵ８、Ｕ５、Ｕ９、Ｕ１、Ｕ５、Ｕ２を示している。

【0240】

従って、例えば、２５枚の基板Ｗを処理する場合は、平均接触角が基準値「５９」に近い順に、処理ユニットＵ８が処理する基板Ｗの枚数は５枚であり、処理ユニットＵ５、Ｕ９、Ｕ１、Ｕ５、Ｕ２の各々が処理する基板Ｗの枚数は４枚である。

【0241】

一方、選択結果情報Ａ３では、平均接触角が所定範囲外の基板Ｗを処理した処理ユニットＵ１０、Ｕ７、Ｕ３、Ｕ４は選択されず、不使用対象として設定されている。図１１では、不使用対象であることを文字「ＮＵ」で示している。

【0242】

また、検査対象情報ＭＥ５は、処理ユニットＵ２によって処理される基板Ｗが品質検査の対象に設定されることを示している。つまり、検査対象情報ＭＥ５は、処理後の基板Ｗが品質検査の対象となる処理ユニットＵ２を示す。図１１の例では、検査対象情報ＭＥ５は、選択結果情報Ａ３に関連して、平均接触角が基準値「５９」から最も外れている基板Ｗを処理した処理ユニットＵ２を、品質検査の対象となる基板Ｗを処理する処理ユニットＵ２として設定している。つまり、検査対象情報ＭＥ５では、選択結果情報Ａ３において使用対象として選択されている処理ユニットＵ８、Ｕ５、Ｕ９、Ｕ１、Ｕ５、Ｕ２のうち、最も使用の優先順位の低い処理ユニットＵ２によって処理される基板Ｗが品質検査の対象に設定される。

【0243】

（実施形態２）
図１２～図１９を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００を説明する。実施形態２に係る基板処理装置１００が機械学習を行う点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。実施形態２に係る基板処理装置１００の構成は、図１～図７を参照して説明した実施形態１に係る基板処理装置１００の構成と同様である。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。

【0244】

まず、図１２を参照して、実施形態２に係る基板処理装置１００を説明する。図１２は、実施形態２に係る基板処理装置１００の制御装置ＣＭを示すブロック図である。図１２に示すように、制御ユニットＣＮＴは、学習部ＣＮ９をさらに含む。また、記憶ユニットＭＥＭは、学習プログラムＭＥ７、複数の学習データＭＥ８、及び、学習モデルＭＥ９をさらに記憶する。

【0245】

学習モデルＭＥ９は、複数の学習データＭＥ８に対して機械学習（例えば教師ありの機械学習）を実行することで構築される。学習モデルＭＥ９は、例えば、学習済みモデルである。

【0246】

複数の学習データＭＥ８の各々は、処理ユニット２２０による学習対象基板（以下、「学習対象基板Ｗｎ」と記載する。）の処理結果を示す処理結果情報（以下、「処理結果情報Ｆ１」と記載する。）と、処理結果情報Ｆ１によって示される学習対象基板Ｗｎの処理結果に対する評価を示す評価情報（以下、「評価情報ＴＶ１」と記載する。）とを含む。

【0247】

複数の学習データＭＥ８にそれぞれ含まれる複数の処理結果情報Ｆ１は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による処理結果を示す。また、処理結果情報Ｆ１は説明変数である。つまり、処理結果情報Ｆ１は、特徴量である。処理結果情報Ｆ１の構成は、処理結果情報ＭＥ３の構成と同様である。評価情報ＴＶ１は、目的変数である。つまり、評価情報ＴＶ１はラベルである。

【0248】

評価情報ＴＶ１は、例えば、学習対象基板Ｗｎの処理結果を、「正常」及び「異常」のいずれかで示す。評価情報ＴＶ１は、例えば、学習対象基板Ｗｎの処理結果を、複数段階で示してもよい。評価情報ＴＶ１は、処理結果情報Ｆ１の評価を示す情報と捉えることもできる。

【0249】

学習プログラムＭＥ７は、複数の学習データＭＥ８の中から一定の規則を見出し、見出した規則を表現する学習モデルＭＥ９を生成するための機械学習アルゴリズムを実行するためのプログラムである。

【0250】

実施形態１において、機械学習アルゴリズムは、教師あり学習であり、例えば、決定木、最近傍法、単純ベイズ分類器、サポートベクターマシン、又は、ニューラルネットワークである。従って、学習モデルＭＥ９は、決定木、最近傍法、単純ベイズ分類器、サポートベクターマシン、又は、ニューラルネットワークを含む。学習モデルＭＥ９を生成する機械学習において、誤差逆伝搬法を利用してもよい。

【0251】

例えば、ニューラルネットワークは、入力層、単数又は複数の中間層、及び、出力層を含む。具体的には、ニューラルネットワークは、ディープニューラルネットワーク（ＤＮＮ：Ｄｅｅｐ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、再帰型ニューラルネットワーク（ＲＮＮ：Ｒｅｃｕｒｒｅｎｔ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、又は、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ：Ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎａｌ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）であり、ディープラーニングを行う。例えば、ディープニューラルネットワークは、入力層、複数の中間層、及び、出力層を含む。

【0252】

学習部ＣＮ９は、学習プログラムＭＥ７に基づいて複数の学習データＭＥ８を機械学習する。その結果、複数の学習データＭＥ８の中から一定の規則が見出されて、学習モデルＭＥ９が生成される。

【0253】

具体的には、学習部ＣＮ９は、学習データＭＥ８に含まれる処理結果情報Ｆ１と評価情報ＴＶ１との間における一定の規則を見出して、学習モデルＭＥ９を生成する。

【0254】

更に具体的には、学習部ＣＮ９は、学習プログラムＭＥ７に基づいて複数の学習データＭＥ８を機械学習することによって、複数の学習済みパラメータを算出し、複数の学習済みパラメータが適用された１以上の関数を含む学習モデルＭＥ９を生成する。学習済みパラメータは、複数の学習データＭＥ８を用いた機械学習の結果に基づいて取得されるパラメータ（係数）である。

【0255】

学習モデルＭＥ９は、処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果を示す処理結果情報ＭＥ３を入力情報として入力して、基板Ｗｐの処理結果に対する評価を示す評価情報（以下、「評価情報ＯＴ１」と記載する。）を出力情報として出力する。つまり、学習モデルＭＥ９は、処理ユニット２２０による処理後の基板Ｗｐを評価する。評価情報ＯＴ１の構成は、評価情報ＴＶ１の構成と同様である。

【0256】

第１選択部ＣＮ３は、学習モデルＭＥ９に対して、２以上の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＭＥ３の各々を入力情報として入力して、学習モデルＭＥ９から、２以上の基板Ｗｐの各々の処理結果の評価を示す評価情報ＯＴ１を出力情報として取得する。この場合の「２以上の基板Ｗｐの処理結果」は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による２以上の基板Ｗｐの処理結果を示す。

【0257】

そして、第１選択部ＣＮ３は、学習モデルＭＥ９から取得した２以上の評価情報ＯＴ１に基づいて、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。従って、実施形態２によれば、複数の処理結果情報Ｆ１をそれぞれ含む複数の学習データＭＥ８を学習した学習モデルＭＥ９を利用することで、高速かつ精度良く、使用対象の処理ユニット２２０を選択できる。

【0258】

次に、図１３及び図１４を参照して、実施形態２に係る基板処理方法を説明する。実施形態２に係る基板処理方法は、図９を参照して説明した実施形態１に係る基板処理方法と同様である。以下、実施形態２に係る基板処理方法が実施形態１の基板処理方法と異なる点を主に説明する。

【0259】

図１３は、実施形態２において、図９の工程Ｓ３１を示すフローチャートである。図１３に示すように、実施形態２に係る工程Ｓ３１の処理は、工程Ｓ８１～工程Ｓ９４を含む。

【0260】

工程Ｓ８１～工程Ｓ９１の処理は、それぞれ、図１０を参照して説明した工程Ｓ５１～工程Ｓ６１の処理と同様である。ただし、工程Ｓ８３では、図１４に示す処理を行ってもよい。

【0261】

図１４は、図１３の工程Ｓ８３の処理の一例を示すフローチャートである。図１４に示すように、工程Ｓ８３の処理は、工程Ｓ１１１～工程Ｓ１１４を含む。

【0262】

工程Ｓ１１１において、第１選択部ＣＮ３は、学習モデルＭＥ９に対して、基板Ｗｐの処理結果を示す処理結果情報ＭＥ３を入力情報として入力する。

【0263】

次に、工程Ｓ１１２において、第１選択部ＣＮ３は、学習モデルＭＥ９から、基板Ｗｐの処理結果に対する評価を示す評価情報ＯＴ１を出力情報として取得する。

【0264】

次に、工程Ｓ１１３において、第１選択部ＣＮ３は、評価情報ＯＴ１に基づいて、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。例えば、第１選択部ＣＮ３は、評価情報ＯＴ１が「正常」を示す基板Ｗｐを処理した処理ユニット２２０を使用対象として選択し、評価情報ＯＴ１が「異常」を示す基板Ｗｐを処理した処理ユニット２２０を不使用対象に設定する。

【0265】

次に、工程Ｓ１１４において、第１選択部ＣＮ３は、全ての処理結果情報ＭＥ３に対して処理が完了したか否かを判定する。

【0266】

工程Ｓ１１４で否定判定された場合、処理は工程Ｓ１１１に進む。

【0267】

一方、工程Ｓ１１４で肯定判定された場合、第１選択部ＣＮ３は、選択結果情報ＭＥ４を出力し、処理は、図１３に示すルーチンにリターンして、工程Ｓ８４に進む。

【0268】

図１３に示すように、工程Ｓ９２において、第１選択部ＣＮ３は、異なる複数の解析アルゴリズムによってそれぞれ得られた異なる複数の選択結果情報ＭＥ４に基づいて、複数の処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。例えば、第１選択部ＣＮ３は、異なる複数の解析アルゴリズムによってそれぞれ得られた異なる複数の選択結果情報ＭＥ４をＡＮＤ条件によって処理して、新たな選択結果情報ＭＥ４を生成する。

【0269】

次に、工程Ｓ９３において、第１選択部ＣＮ３は、工程Ｓ９２で生成した選択結果情報ＭＥ４に基づいて、予め定められた優先順位より低い優先順位の処理ユニット２２０によって処理される処理対象基板Ｗｘを品質検査の対象に設定する。この点は、工程Ｓ８９と同様である。

【0270】

次に、工程Ｓ９４において、第１選択部ＣＮ３は、工程Ｓ９２で生成した選択結果情報ＭＥ４を報知する。この点は、工程Ｓ９０と同様である。工程Ｓ９４の完了後、処理は、図９のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３２に進む。

【0271】

なお、「処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０」における「処理内容」は、例えば、図６及び図７の一連工程ＳＱを構成する工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５のうちのいずれの工程での処理内容であってよい。

【0272】

次に、図１２及び図１５を参照して、学習部ＣＮ９を説明する。図１５は、学習部ＣＮ９が実行する学習方法を示すフローチャートである。図１５に示すように、学習方法は、工程Ｓ１３１～工程Ｓ１３４を含む。

【0273】

工程Ｓ１３１において、学習部ＣＮ９は、学習データＭＥ８を取得する。

【0274】

次に、工程Ｓ１３２において、学習部ＣＮ９は、学習プログラムＭＥ７に基づいて学習データＭＥ８を機械学習する。

【0275】

次に、工程Ｓ１３３において、学習部ＣＮ９は、学習終了条件を満たすか否かを判定する。学習終了条件は、機械学習を終了するために予め定められた条件である。学習終了条件は、例えば、反復回数が規定回数に到達したことである。

【0276】

工程Ｓ１３３で否定判定された場合は、処理は工程Ｓ１３１に進む。その結果、機械学習が繰り返される。

【0277】

一方、工程Ｓ１３３で肯定判定された場合は、処理は工程Ｓ１３４に進む。

【0278】

工程Ｓ１３４において、学習部ＣＮ９は、最新の複数のパラメータ（係数）つまり、複数の学習済みパラメータ（係数）を適用したモデル（１以上の関数）を、学習モデルＭＥ９として出力する。そして、記憶ユニットＭＥＭは学習モデルＭＥ９を記憶する。

【0279】

以上、学習部ＣＮ９が工程Ｓ１３１～工程Ｓ１３４を実行することで、学習モデルＭＥ９が生成される。学習方法は、「学習モデル生成方法」の一例に相当する。制御装置ＣＭを「学習装置」と捉えることができる。

【0280】

繰り返される工程Ｓ１３１において、複数の学習データＭＥ８の各々は、学習対象基板Ｗｎの処理結果を示す処理結果情報Ｆ１と、学習対象基板Ｗｎの処理結果に対する評価を示す評価情報ＴＶ１とを含む。各学習データＭＥ８に含まれる処理結果情報Ｆ１は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による２以上の学習対象基板Ｗｎの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報Ｆ１のうちの１つである。そして、学習モデルＭＥ９は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による２以上の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＭＥ３の各々を入力情報として入力して、２以上の基板Ｗｐの各々の処理結果の評価を示す評価情報ＯＴ１を出力情報として出力するプログラムである。

【0281】

換言すれば、学習モデルＭＥ９は、基板Ｗｐの処理結果を評価するように、制御装置ＣＭを機能させる。制御装置ＣＭは「コンピューター」の一例である。具体的には、学習モデルＭＥ９は、２以上の入力情報の各々を入力して、２以上の出力情報の各々を出力するように、制御装置ＣＭを機能させる。２以上の入力情報は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による２以上の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＭＥ３である。２以上の出力情報は、２以上の基板Ｗｐの処理結果の評価をそれぞれ示す２以上の評価情報ＯＴ１である。

【0282】

次に、図１６～図１９を参照して、具体例を挙げながら選択結果情報ＭＥ４を説明する。また、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０として、図１１の場合と同様に、密着強化処理（図６の工程Ｓ１）を実行する１０個の処理ユニットＰＡＨＰを例に挙げる。また、説明の便宜のために、１０個の処理ユニットＰＡＨＰには、それぞれ、識別情報Ｕ１～Ｕ１０を割り当てる。

【0283】

図１６は、処理結果情報ＭＥ３、優先順位情報ＭＥ６、選択結果情報ＭＥ４、及び、検査対象情報ＭＥ５の一例を示す図である。図１７は、実施形態２に係る接触角マップデータＭ１～Ｍ１０を示す図である。

【0284】

図１６に示すように、実施形態２では、処理結果情報ＭＥ３の一例として、接触角マップデータＭ１～Ｍ１０が示される。接触角マップデータＭ１～Ｍ１０によって表される接触角は、反射防止膜用の処理液に対する接触角を示す。

【0285】

具体的には、図１７～図１９に示すように、接触角マップデータＭ１～Ｍ１０は、それぞれ、処理ユニットＵ１～Ｕ１０に対応する。例えば、接触角マップデータＭ１は、処理ユニットＵ１によって処理された基板Ｗの表面における接触角の分布を示す。

【0286】

接触角マップデータＭ１～Ｍ１０において、接触角は、領域Ｇ１が最も小さく、領域Ｇ５が最も大きい。接触角は、領域Ｇ１から領域Ｇ５に向かって、領域Ｇ１、領域Ｇ２、領域Ｇ３、領域Ｇ４、及び領域Ｇ５の順に大きくなる。領域Ｇ１は、右上に傾斜する密な斜線によって示される。領域Ｇ２は、右下に傾斜する疎な斜線によって示される。領域Ｇ３は、右上に傾斜する疎な斜線によって示される。領域Ｇ４は、クロスした斜線によって示される。領域Ｇ５は、ドットによって示される。図１７～図１９では、図面を分かり易くするために領域Ｇ１～Ｇ５を記載したが、実際には、接触角マップデータＭ１～Ｍ１０では、接触角の分布がグラデーションによって示される。

【0287】

図１６に戻って、品質優先の場合の選択結果情報ＭＥ４の一例として選択結果情報Ｂ２が示される。

【0288】

品質優先の場合の選択結果情報Ｂ２では、接触角マップデータＭ１～Ｍ１０を学習モデルＭＥ９に入力して得られた評価情報ＯＴ１に基づいて、処理ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４，Ｕ５，Ｕ６，Ｕ７が選択されている。図１６において、「○」は処理ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４，Ｕ５，Ｕ６，Ｕ７が選択されていることを示す。具体的には、選択結果情報Ｂ２では、評価情報ＯＴ１が「正常」を示している基板Ｗｐを処理した処理ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４，Ｕ５，Ｕ６，Ｕ７が選択されている。

【0289】

従って、例えば、２５枚の基板Ｗを処理する場合は、処理ユニットＵ２が処理する基板Ｗの枚数は５枚であり、処理ユニットＵ３，Ｕ４，Ｕ５，Ｕ６，Ｕ７の各々が処理する基板Ｗの枚数は４枚である。

【0290】

一方、選択結果情報Ｂ２では、評価情報ＯＴ１が「異常」を示している基板Ｗｐを処理した処理ユニットＵ１、Ｕ８、Ｕ９、Ｕ１０は選択されず、不使用対象として設定されている。図１６では、不使用対象であることを文字「ＮＵ」で示している。

【0291】

また、スループット優先の場合の優先順位情報Ｂ１は、図１１に示すスループット優先の場合の優先順位情報Ａ１と同じである。

【0292】

さらに、品質優先の場合の選択結果情報Ｂ３は、図１１に示す品質優先の場合の選択結果情報Ａ３と同じである。

【0293】

さらに、品質優先の場合の選択結果情報ＭＥ４の一例として選択結果情報Ｂ４が示される。

【0294】

品質優先の場合の選択結果情報Ｂ４では、処理ユニットＵ１～Ｕ１０ごとに、選択結果情報Ｂ２と選択結果情報Ｂ３とをＡＮＤ条件によって処理した結果が示される。例えば、処理ユニットＵ１において、選択結果情報Ｂ２の「不使用対象：ＮＵ」と選択結果情報Ｂ３の「使用対象：優先順位４」とに対してＡＮＤ条件をとると、ＡＮＤ条件による処理の結果は、選択結果情報Ｂ４において、「不使用対象：ＮＵ」になる。つまり、選択結果情報Ｂ２及び選択結果情報Ｂ３のうちの一方又は双方が「不使用対象：ＮＵ」を示していると、ＡＮＤ条件による処理の結果は、「不使用対象：ＮＵ」になる。一方、選択結果情報Ｂ２及び選択結果情報Ｂ３の双方が「使用対象」を示していると、つまり、選択結果情報Ｂ２及び選択結果情報Ｂ３の双方が「選択」を示していると、ＡＮＤ条件による処理の結果は、選択結果情報Ｂ４において、「使用対象」、つまり、「選択」になる。この場合、選択結果情報Ｂ４において、選択結果情報Ｂ３の優先順位が採用される。なぜなら、選択結果情報Ｂ２は優先順位を含まないからである。

【0295】

選択結果情報Ｂ４では、処理ユニットＵ６，Ｕ５，Ｕ２が選択されている。選択結果情報Ｂ４では、ＡＮＤ条件による処理の対象である選択結果情報Ｂ３の優先順位に基づいて、使用の優先順位が定められている。具体的には、選択結果情報Ｂ４では、選択結果情報Ｂ３の優先順位に応じて、使用の優先順位が高い順に、処理ユニットＵ６，Ｕ５，Ｕ２を示している。

【0296】

従って、例えば、２５枚の基板Ｗを処理する場合は、処理ユニットＵ６が処理する基板Ｗの枚数は９枚であり、処理ユニットＵ５，Ｕ２の各々が処理する基板Ｗの枚数は８枚である。

【0297】

一方、選択結果情報Ｂ４では、ＡＮＤ条件による処理結果が「不使用対象」を示す処理ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ７～Ｕ１０は選択されず、不使用対象として設定されている。図１６では、不使用対象であることを文字「ＮＵ」で示している。

【0298】

（実施形態３）
図１２及び図２０～図２８を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理装置１００を説明する。実施形態３では、処理内容が相異する処理ユニット２２０による処理結果情報ＭＥ３に基づいて１以上の処理ユニット２２０を選択する点で、実施形態３は実施形態１、２と主に異なる。実施形態３に係る基板処理装置１００の制御装置ＣＭの構成は、図１２を参照して説明した実施形態２に係る基板処理装置１００の制御装置ＣＭの構成と同様である。従って、実施形態３の説明において、図１２を適宜参照する。以下、実施形態３が実施形態１、２と異なる点を主に説明する。

【0299】

まず、図６、図７、図１２及び図２０を参照して、実施形態３に係る基板処理装置１００を説明する。図２０は、実施形態３に係る基板処理装置１００の記憶ユニットＭＥＭ及び制御ユニットＣＮＴを示す図である。図２０は、実施形態３に係る基板処理装置１００が図１２の基板処理装置１００と異なる部分を主に示している。

【0300】

図６、図７、及び、図１２に示すように、複数の処理ユニット２２０は、複数の一連工程ＳＱを並行して実行する。複数の一連工程ＳＱの各々は、基板Ｗに対して実行する処理内容が相異する複数の工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５を含む。そして、複数の処理ユニット２２０は、基板Ｗに対して実行する処理内容が相異する複数の工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５を順次実行する２以上の処理ユニット２２０を含む。「処理内容が相異」とは、処理機能及び処理条件のうちの少なくとも一方が相異することを示す。また、実施形態３では、実施形態１と同様に、複数の処理ユニット２２０は、複数の一連工程ＳＱの相互間において、基板Ｗに対して実行する処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０を含む。

【0301】

図２０に示すように、実施形態３に係る基板処理装置１００において、記憶ユニットＭＥＭは、図１２の複数の処理結果情報ＭＥ３に代えて、複数の処理結果情報セットＭＥ３０を記憶する。複数の処理結果情報セットＭＥ３０は、それぞれ、複数の一連工程ＳＱで得られる。複数の処理結果情報セットＭＥ３０の各々は、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＭＥ３を含む。つまり、複数の処理結果情報セットＭＥ３０の各々は、一連工程ＳＱに含まれる工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５のうちの２以上の工程での処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＭＥ３を含む。

【0302】

以下の説明では、複数の処理結果情報セットＭＥ３０の各々が、処理結果情報ＤＡ１、処理結果情報ＤＡ２、処理結果情報ＤＡ３、及び、処理結果情報ＤＡ４を含む場合を適宜例示する。また、第１選択部ＣＮ３による選択対象として、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３がそれぞれ得られる処理ユニット２２０を適宜例示する。

【0303】

処理結果情報ＤＡ１は、工程Ｓ１（図６）の密着強化処理を実行した処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果を示す。例えば、処理結果情報ＤＡ１は、密着強化処理後の接触角マップデータである。

【0304】

処理結果情報ＤＡ２は、工程Ｓ５（図６）のレジスト膜形成処理を実行した処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果を示す。例えば、処理結果情報ＤＡ２は、レジスト膜形成処理後のレジスト膜厚マップデータである。

【0305】

処理結果情報ＤＡ３は、工程Ｓ１１（図７）の第３加熱処理（露光後加熱処理）を実行した処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果を示す。例えば、処理結果情報ＤＡ３は、第３加熱処理後の温度マップデータである。

【0306】

処理結果情報ＤＡ４は、工程Ｓ１３（図７）の現像処理を実行した処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果を示す。例えば、処理結果情報ＤＡ４は、現像処理後のレジストパターン線幅マップデータである。

【0307】

図１２及び図２０に示すように、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報セットＭＥ３０に基づいて、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択し、選択結果を示す選択結果情報ＭＥ４を生成する。従って、実施形態３によれば、処理結果が良好な処理ユニット２２０を選択できて、処理後の処理対象基板Ｗｘの品質を向上できる。

【0308】

例えば、選択結果情報ＭＥ４は、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０のうち、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を示す。

【0309】

以下の説明では、処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる２以上の処理結果情報ＭＥ３は、前処理部ＣＮ１（図１２）によって正規化されており、無次元量である。

【0310】

実施形態３に係る基板処理装置１００において、記憶ユニットＭＥＭは、図１２の学習プログラムＭＥ７、複数の学習データＭＥ８、及び、学習モデルＭＥ９に代えて、第１学習プログラム７１、第２学習プログラム７２、複数の第３学習プログラム７３、複数の第１学習データ８１、複数の第２学習データ８２、複数の第３学習データ８３、第１学習モデル９１、第２学習モデル９２、及び、複数の第３学習モデル９３を記憶する。第１学習プログラム７１、第２学習プログラム７２、及び、第３学習プログラム７３の各々は、「学習プログラム」の一例に相当する。第１学習データ８１、第２学習データ８２、及び、第３学習データ８３の各々は、「学習データ」の一例に相当する。第１学習モデル９１、第２学習モデル９２、及び、第３学習モデル９３の各々は、「学習モデル」の一例に相当する。

【0311】

また、実施形態３に係る基板処理装置１００において、制御ユニットＣＮＴは、図１２の学習部ＣＮ９に代えて、第１学習部６１、第２学習部６２、及び、複数の第３学習部６３を含む。第１学習部６１、第２学習部６２、及び、第３学習部６３の各々は、「学習部」の一例に相当する。

【0312】

第１学習モデル９１は、複数の第１学習データ８１に対して機械学習（例えば教師ありの機械学習）を実行することで構築される。第１学習モデル９１は、例えば、学習済みモデルである。

【0313】

複数の第１学習データ８１の各々は、処理ユニット２２０による学習対象基板Ｗｎの処理結果を示す処理結果情報Ｆ１と、処理結果情報Ｆ１によって示される学習対象基板Ｗｎの処理結果に対する評価を示す評価情報ＴＶ１とを含む。複数の第１学習データ８１にそれぞれ含まれる複数の処理結果情報Ｆ１は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による処理結果を示す。その他、第１学習データ８１の構成は、図１２の学習データＭＥ８の構成と同様である。

【0314】

この場合、例えば、処理結果情報Ｆ１は、工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５のうち所定の工程（以下、「所定の工程ＳＴ」と記載する。）で得られる学習対象基板Ｗｎの処理結果を示す処理結果情報である。

【0315】

実施形態３では、所定の工程ＳＴは工程Ｓ１３である。従って、処理結果情報Ｆ１の構成は、処理結果情報ＤＡ４の構成と同様である。処理結果情報Ｆ１は、前処理部ＣＮ１（図１２）によって正規化されており、無次元量である。所定の工程ＳＴは「所定の処理工程」の一例に相当する。

【0316】

例えば、所定の工程ＳＴは、一連工程ＳＱに含まれる工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５のうち、初段の工程Ｓ１よりも後の工程Ｓ２～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５であれば、特に限定されない。例えば、所定の工程ＳＴは、工程Ｓ１０の露光処理よりも後の工程である。

【0317】

第１学習プログラム７１は、複数の第１学習データ８１の中から一定の規則を見出し、見出した規則を表現する第１学習モデル９１を生成するための機械学習アルゴリズムを実行するためのプログラムである。その他、第１学習プログラム７１の構成は、図１２の学習プログラムＭＥ７の構成と同様である。

【0318】

第１学習部６１は、第１学習プログラム７１に基づいて複数の第１学習データ８１を機械学習して、第１学習モデル９１を生成する。その他、第１学習部６１の構成は、図１２の学習部ＣＮ９の構成と同様である。

【0319】

第１学習モデル９１は、処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果を示す処理結果情報ＤＡ４を入力情報として入力して、基板Ｗｐの処理結果に対する評価を示す評価情報ＯＴ１を出力情報として出力する。評価情報ＯＴ１は、例えば、基板Ｗｐの処理結果を、「正常」及び「異常」のいずれかで示す。つまり、第１学習モデル９１は、処理ユニット２２０による処理後の基板Ｗを評価する。評価情報ＯＴ１は、処理結果情報ＤＡ４の評価を示す情報と捉えることもできる。その他、第１学習モデル９１の構成は、図１２の学習モデルＭＥ９の構成と同様である。

【0320】

第１選択部ＣＮ３は、第１学習モデル９１に対して、２以上の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＤＡ４の各々を入力情報として入力して、第１学習モデル９１から、２以上の基板Ｗｐの各々の処理結果の評価を示す評価情報ＯＴ１を出力情報として取得する。この場合の「２以上の基板Ｗｐの処理結果」は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による２以上の基板Ｗｐの処理結果を示す。２以上の処理結果情報ＤＡ４は、それぞれ、２以上の処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる。

【0321】

すなわち、第１選択部ＣＮ３は、複数の処理結果情報セットＭＥ３０ごとに、第１学習モデル９１に対して処理結果情報ＤＡ４を入力情報として入力して、第１学習モデル９１から評価情報ＯＴ１を出力情報として取得する。

【0322】

なお、第１学習データ８１に含まれる処理結果情報Ｆ１、及び、第１学習モデル９１に入力する処理結果情報ＤＡ４は、正規化前の情報であってもよい。

【0323】

第２学習モデル９２は、複数の第２学習データ８２に対して機械学習（例えば教師なしの機械学習）を実行することで構築される。第２学習モデル９２は、例えば、学習済みモデルである。

【0324】

複数の第２学習データ８２の各々は、処理結果情報セット（以下、「処理結果情報セットＦＳ」と記載する。）を含む。処理結果情報セットＦＳは、処理内容が異なる２以上の処理ユニット２２０による学習対象基板Ｗｎの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報（以下、「処理結果情報Ｆ２」と記載する。）を含む。

【0325】

また、処理結果情報Ｆ２は説明変数である。つまり、処理結果情報Ｆ２は、特徴量である。処理結果情報セットＦＳの構成は、処理結果情報セットＭＥ３０の構成と同様である。つまり、処理結果情報セットＦＳに含まれる２以上の処理結果情報Ｆ２の構成は、それぞれ、処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる２以上の処理結果情報ＭＥ３の構成と同様である。処理結果情報セットＦＳに含まれる２以上の処理結果情報Ｆ２は、前処理部ＣＮ１（図１２）によって正規化されており、無次元量である。

【0326】

実施形態３では、処理結果情報セットＦＳは、４つの処理結果情報Ｆ２を含む。具体的には、処理結果情報セットＦＳは、工程Ｓ１での学習対象基板Ｗｎの処理結果を示す処理結果情報ＤＢ１と、工程Ｓ５での学習対象基板Ｗｎの処理結果を示す処理結果情報ＤＢ２と、工程Ｓ１１での学習対象基板Ｗｎの処理結果を示す処理結果情報ＤＢ３と、工程Ｓ１３での学習対象基板Ｗｎの処理結果を示す処理結果情報ＤＢ４とを含む。処理結果情報ＤＢ１の構は処理結果情報ＤＡ１の構成と同様であり、処理結果情報ＤＢ２の構成は処理結果情報ＤＡ２の構成と同様である。また、処理結果情報ＤＢ３の構成は処理結果情報ＤＡ３の構成と同様であり、処理結果情報ＤＢ４の構成は処理結果情報ＤＡ４の構成と同様である。

【0327】

第２学習プログラム７２は、複数の第２学習データ８２の各処理結果情報Ｆ２から一定の規則を見出し、見出した規則を表現する第２学習モデル９２を生成するための機械学習アルゴリズムを実行するためのプログラムである。

【0328】

実施形態３において、機械学習アルゴリズムは、教師なし学習であり、例えば、ｋ平均法、ｋメドイド法、階層クラスタリング、自己組織化マップ、ファジィｃ平均法、混合ガウスモデル、又は、ニューラルネットワークである。

【0329】

第２学習部６２は、第２学習プログラム７２に基づいて複数の第２学習データ８２を機械学習する。その結果、複数の第２学習データ８２の各処理結果情報Ｆ２から一定の規則が見出されて、第２学習モデル９２が生成される。

【0330】

具体的には、第２学習部６２は、第２学習プログラム７２に基づいて複数の第２学習データ８２を機械学習することによって、複数の学習済みパラメータを算出し、複数の学習済みパラメータが適用された１以上の関数を含む第２学習モデル９２を生成する。学習済みパラメータは、複数の第２学習データ８２を用いた機械学習の結果に基づいて取得されるパラメータ（係数）である。

【0331】

第２学習モデル９２は、処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる２以上の処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４の各々を入力情報として入力して、２以上の処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４をクラスタリングし、クラスタリングの結果を示す第１クラスタリング情報を出力情報として出力する。クラスタリングとは、類似性又は相関のある情報を見つけ出し、類似性又は相関のある情報をグループ分けすることである。従って、クラスタリングによって、類似性又は相関のある情報は、１つのクラスタに分類される。第１クラスタリング情報は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４の各々が分類された各クラスタを示す。第１クラスタリング情報は「クラスタリング情報」の一例に相当する。

【0332】

第１選択部ＣＮ３は、第２学習モデル９２に対して、処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる２以上の処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４の各々を入力情報として入力して、第２学習モデル９２から、第１クラスタリング情報を取得する。この場合の「２以上の処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４」は、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０のそれぞれによる基板Ｗｐの処理結果を示す。

【0333】

そして、第１選択部ＣＮ３は、第２学習モデル９２から取得した第１クラスタリング情報に基づいて、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。従って、実施形態３によれば、処理結果情報ＤＢ１～ＤＢ４を含む複数の第２学習データ８２を学習した第２学習モデル９２を利用することで、高速かつ精度良く、使用対象の処理ユニット２２０を選択できる。

【0334】

例えば、ユーザーは、入力ユニットＩＮを介して、第２学習モデル９２が生成した各クラスタに対して、処理結果が正常であることを示す「正常」又は処理結果が異常であることを示す「異常」をラベル付けする。

【0335】

そして、例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４のうち「正常」がラベル付けされたクラスタに分類された処理結果情報が得られた処理ユニット２２０を、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０として選択する。一方、例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４のうち「異常」がラベル付けされたクラスタに分類された処理結果情報が得られた処理ユニット２２０を、不使用対象の処理ユニット２２０に設定する。

【0336】

特に、実施形態３では、第１選択部ＣＮ３は、処理内容が相異する複数の工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１、Ｓ１３のうち、所定の工程Ｓ１３よりも前段で実行される工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１で得られる処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３が、所定の工程Ｓ１３で得られる処理結果情報ＤＡ４と同じクラスタに属するか否かを、第１クラスタリング情報に基づいて判定し、判定結果に基づいて、２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。換言すれば、第１選択部ＣＮ３は、複数の工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１、Ｓ１３のうちの下流の工程である所定の工程Ｓ１３で得られた処理結果情報ＤＡ４が属するクラスタに基づいて、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０を選択する。従って、実施形態３によれば、複数の工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１、Ｓ１３のうち、処理結果情報ＤＡ４が示す処理結果の原因となった上流の工程を特定して、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０を選択できる。所定の工程Ｓ１３は「所定の処理工程」の一例に相当する。

【0337】

例えば、第１解析アルゴリズムＡＧ１では、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうち、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって「異常」が示されている処理結果情報ＤＡ４と異なるクラスタに属する処理結果情報が得られた処理ユニット２２０を、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０として選択する。つまり、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうち、評価情報ＯＴ１によって「異常」が示されている処理結果情報ＤＡ４に対して相関のない又は相関の小さい処理結果情報が得られた処理ユニット２２０が選択される。

【0338】

また、第１解析アルゴリズムＡＧ１では、第１選択部ＣＮ３は、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって処理結果情報ＤＡ４が「正常」と示されている場合は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３が得られた全ての処理ユニット２２０を、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０として選択する。

【0339】

さらに、第１解析アルゴリズムＡＧ１では、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうち、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって「異常」が示されている処理結果情報ＤＡ４と同じクラスタに属する処理結果情報が得られた処理ユニット２２０を、不使用対象の処理ユニット２２０に設定する。つまり、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうち、評価情報ＯＴ１によって「異常」が示されている処理結果情報ＤＡ４に対して相関のある処理結果情報が得られた処理ユニット２２０が不使用対象に設定される。

【0340】

また、例えば、第２解析アルゴリズムＡＧ２を実行するために、ユーザーは、入力ユニットＩＮを介して、第２学習モデル９２が生成した複数のクラスタのうちの少なくとも１つのクラスタに対して、処理結果に特異性のあることを示す「特異性」をラベル付けする。処理結果に特異性があるか否かは実験的及び／又は経験的に定められる。

【0341】

第２解析アルゴリズムＡＧ２は、第１解析アルゴリズムＡＧ１と同様である。ただし、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって処理結果情報ＤＡ４が「正常」と示されている場合であっても、一定条件の下、不使用対象の処理ユニット２２０が設定される。

【0342】

すなわち、第２解析アルゴリズムＡＧ２では、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうち、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって「正常」が示されている処理結果情報ＤＡ４と異なるクラスタに属する処理結果情報であって、「特異性」がラベル付けされたクラスタに属する処理結果情報を、不使用対象の処理ユニット２２０に設定する。

【0343】

なお、例えば、第１選択部ＣＮ３による選択対象は、処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる複数の処理結果情報ＭＥ３がそれぞれ得られる複数の処理ユニット２２０のうち、所定の工程ＳＴ（例えば工程Ｓ１３）以外の工程を実行する２以上の処理ユニット２２０である。ただし、第１選択部ＣＮ３による選択対象は、処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる複数の処理結果情報ＭＥ３がそれぞれ得られる複数の処理ユニット２２０の全てであってもよい。この場合、例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＤＡ４が「正常」のクラスタに属するときに、処理結果情報ＤＡ４が得られる処理ユニット２２０を、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０に選択する。一方、例えば、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報ＤＡ４が「異常」のクラスタに属するときに、処理結果情報ＤＡ４が得られる処理ユニット２２０を、不使用対象の処理ユニット２２０に設定する。

【0344】

ここで、第１選択部ＣＮ３は、複数の処理結果情報セットＭＥ３０ごとに、第２学習モデル９２に対して処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４の各々を入力情報として入力して、第２学習モデル９２から第１クラスタリング情報を取得する。そして、第１選択部ＣＮ３は、複数の処理結果情報セットＭＥ３０ごとに、第１クラスタリング情報に基づいて、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果情報ＭＥ４を生成する。すなわち、第１選択部ＣＮ３は、複数の一連工程ＳＱごとに、第１クラスタリング情報に基づいて、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果情報ＭＥ４を生成する。つまり、複数の一連工程ＳＱにそれぞれ対応して複数の選択結果情報ＭＥ４が生成される。

【0345】

そして、第１選択部ＣＮ３は、複数の選択結果情報ＭＥ４に対して優先順位を付けてもよい。この場合の優先順位は、選択結果情報ＭＥ４によって選択されている１以上の処理ユニット２２０を１組としたときに、１組の使用の優先順位である。

【0346】

例えば、第１解析アルゴリズムＡＧ１及び第２解析アルゴリズムＡＧ２では、第１選択部ＣＮ３は、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって処理結果情報ＤＡ４が「異常」であると示されている場合であって、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうちの少なくとも１つの処理結果情報が処理結果情報ＤＡ４と同じクラスタに属する場合は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４に基づく選択結果情報ＭＥ４に対して、最も低い優先順位を付ける。

【0347】

例えば、第１解析アルゴリズムＡＧ１では、第１選択部ＣＮ３は、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって処理結果情報ＤＡ４が「正常」であると示されている場合であって、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうちの少なくとも１つの処理結果情報が処理結果情報ＤＡ４と同じクラスタに属する場合は、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４に基づく選択結果情報ＭＥ４に対して、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３の全てが処理結果情報ＤＡ４と異なるクラスタに属する場合よりも、低い優先順位を付ける。

【0348】

例えば、第２解析アルゴリズムＡＧ２では、第１選択部ＣＮ３は、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって処理結果情報ＤＡ４が「正常」であると示されている場合であって、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうちの少なくとも１つの処理結果情報が「特異性」がラベル付けされたクラスタに属する場合、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４に基づく選択結果情報ＭＥ４に対して、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３の全てが「特異性」がラベル付けされたクラスタに属しない場合よりも、低い優先順位を付ける。

【0349】

また、例えば、第１選択部ＣＮ３は、予め定められた優先順位より低い優先順位が付された選択結果情報ＭＥ４によって選択されている１以上の処理ユニット２２０の組によって処理される処理対象基板Ｗｘを品質検査の対象に設定する。この場合、第１選択部ＣＮ３は、品質検査の優先順位を付けて、処理ユニット２２０の組を決定してもよい。

【0350】

さらに、実施形態３では、第１クラスタリング情報において、一連工程ＳＱに含まれる所定の工程Ｓ１３よりも前段で実行される工程（例えば、工程Ｓ１）で得られた処理結果情報（例えば、処理結果情報ＤＡ１）が、所定の工程Ｓ１３で得られた処理結果情報ＤＡ４と同じクラスタに属する場合、前段で実行される工程（例えば、工程Ｓ１）と処理内容が同一の工程（例えば、別の一連工程ＳＱの工程Ｓ１）で得られる処理結果情報（例えば、処理結果情報ＤＡ１）が、前段で実行される工程（例えば、工程Ｓ１）で得られた処理結果情報（例えば、処理結果情報ＤＡ１）に対して、相関があるか否かを、第１選択部ＣＮ３は判定する。そして、第１選択部ＣＮ３は、判定結果に基づいて、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。従って、実施形態３によれば、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理結果が良好な処理ユニット２２０を選択できて、処理後の処理対象基板Ｗｘの品質を向上できる。

【0351】

例えば、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって処理結果情報ＤＡ４が「異常」であると示されている場合であって、第１クラスタリング情報において、所定の工程Ｓ１３よりも前段で実行される工程Ｓ１による処理結果情報ＤＡ１が、所定の工程Ｓ１３による処理結果情報ＤＡ４と同じクラスタに属する場合、前段で実行される工程Ｓ１と処理内容が同一の工程Ｓ１による別の処理結果情報ＤＡ１が、前段で実行される工程Ｓ１による処理結果情報ＤＡ１に対して相関があると、第１選択部ＣＮ３が判定すると、第１選択部ＣＮ３は、処理内容が同一の工程Ｓ１による当該別の処理結果情報ＤＡ１が得られた処理ユニット２２０を、不使用対象の処理ユニット２２０に設定する。従って、実施形態３によれば、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理結果が良好でない処理ユニット２２０を不使用対象に設定できて、基板処理装置１００の全体として処理後の処理対象基板Ｗｘの品質を向上できる。

【0352】

本明細書において、不使用対象の処理ユニット２２０を設定すること（つまり、不使用対象の処理ユニット２２０を決定すること）は、不使用対象以外の処理ユニット２２０を選択することと同義である。

【0353】

特に、実施形態３では、第１選択部ＣＮ３は第３学習モデル９３を利用して、相関関係に基づく１以上の処理ユニット２２０の選択を行う。

【0354】

記憶ユニットＭＥＭは、一連工程ＳＱにおいて処理内容が異なる複数の工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５にそれぞれ対応して複数の第３学習モデル９３を記憶している。実施形態３では、一例として、記憶ユニットＭＥＭは、複数の工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１にそれぞれ対応して複数の第３学習モデル９３を記憶している。

【0355】

工程Ｓ１に対応する、第３学習モデル９３、複数の第３学習データ８３、及び、第３学習部６３を説明する。工程Ｓ５、Ｓ１１に対応する、第３学習モデル９３、第３学習データ８３、及び、第３学習部６３の構成は、工程Ｓ１に対応する、第３学習モデル９３、第３学習データ８３、及び、第３学習部６３の構成と同様であり、説明を省略する。

【0356】

第３学習モデル９３は、複数の第３学習データ８３に対して機械学習（例えば教師なしの機械学習）を実行することで構築される。第３学習モデル９３、例えば、学習済みモデルである。

【0357】

複数の第３学習データ８３の各々は、工程Ｓ１を実行する処理ユニット２２０による学習対象基板Ｗｎの処理結果を示す処理結果情報（以下、「処理結果情報Ｆ３」と記載する。）を含む。複数の処理結果情報Ｆ３は、複数の一連工程ＳＱの相互間において処理内容が同一の２以上の工程Ｓ１で得られる。

【0358】

また、処理結果情報Ｆ３は説明変数である。つまり、処理結果情報Ｆ３は、特徴量である。処理結果情報Ｆ３の構成は、工程Ｓ１によって得られた処理結果情報ＤＡ１の構成と同様である。処理結果情報Ｆ２は、前処理部ＣＮ１（図１２）によって正規化されており、無次元量である。

【0359】

第３学習プログラム７３は、複数の第３学習データ８３の中から一定の規則を見出し、見出した規則を表現する第３学習モデル９３を生成するための機械学習アルゴリズムを実行するためのプログラムである。第３学習プログラム７３の機械学習アルゴリズムは、第２学習プログラム７２の機械学習アルゴリズムと同様である。

【0360】

第３学習部６３は、第３学習プログラム７３に基づいて複数の第３学習データ８３を機械学習する。その結果、複数の第３学習データ８３の中から一定の規則が見出されて、第３学習モデル９３が生成される。

【0361】

具体的には、第３学習部６３は、第３学習プログラム７３に基づいて複数の第３学習データ８３を機械学習することによって、複数の学習済みパラメータを算出し、複数の学習済みパラメータが適用された１以上の関数を含む第３学習モデル９３を生成する。学習済みパラメータは、複数の第３学習データ８３を用いた機械学習の結果に基づいて取得されるパラメータ（係数）である。

【0362】

第３学習モデル９３は、複数の一連工程ＳＱの相互間において処理内容が同一の２以上の工程Ｓ１でそれぞれ得られる２以上の処理結果情報ＤＡ１を入力情報として入力して、２以上の処理結果情報ＤＡ１をクラスタリングし、クラスタリングの結果を示す第２クラスタリング情報を出力情報として出力する。第２クラスタリング情報は、２以上の処理結果情報ＤＡ１の各々が分類された各クラスタを示す。

【0363】

第１選択部ＣＮ３は、次のようにして、複数の一連工程ＳＱの相互間において処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０から、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０を選択する。

【0364】

すなわち、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報セットＭＥ３０に対して第２学習モデル９２から取得した第１クラスタリング情報を参照して、一連工程ＳＱにおいて所定の工程Ｓ１３よりも前段で実行される工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１で得られる処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうちから、所定の工程Ｓ１３で得られた処理結果情報ＤＡ４と同じクラスタに属する処理結果情報を特定する。以下、簡単のため、特定された処理結果情報が、工程Ｓ１で得られた処理結果情報ＤＡ１である場合を例示する。

【0365】

そして、第１選択部ＣＮ３は、特定された処理結果情報ＤＡ１が得られた工程Ｓ１に対応する第３学習モデル９３を選択する。

【0366】

さらに、第１選択部ＣＮ３は、選択した第３学習モデル９３に対して、特定された処理結果情報ＤＡ１と、複数の一連工程ＳＱの相互間において処理内容が同一の他の工程Ｓ１で得られた処理結果情報ＤＡ１とを入力情報として入力して、複数の処理結果情報ＤＡ１に対するクラスタリングの結果を示す第２クラスタリング情報を取得する。

【0367】

加えて、第１選択部ＣＮ３は、第２クラスタリング情報を参照して、特定された処理結果情報ＤＡ１と同じクラスタに属する他の処理結果情報ＤＡ１が存在するか否かを判定する。

【0368】

そして、第１選択部ＣＮ３は、判定結果に基づいて、複数の一連工程ＳＱの相互間において処理内容が同一の他の工程Ｓ１を実行する２以上の処理ユニット２２０から、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０を選択する。

【0369】

例えば、第１学習モデル９１から取得した評価情報ＯＴ１によって処理結果情報ＤＡ４が「異常」であると示されている場合は、第１選択部ＣＮ３は、特定された処理結果情報ＤＡ１と同じクラスタに属する他の処理結果情報ＤＡ１が得られた他の工程Ｓ１を実行する処理ユニット２２０を、不使用対象に設定する。

【0370】

なお、第３学習データ８３に含まれる処理結果情報Ｆ３、及び、第３学習モデル９３に入力する処理結果情報ＤＡ１は、正規化前の情報であってもよい。

【0371】

また、図１２に示すように、実施形態３においても、実施形態２と同様に、記憶ユニットＭＥＭは、スループット優先のための優先順位情報ＭＥ６を記憶している。ここで、一連工程ＳＱに含まれる工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１をそれぞれ実行する複数の処理ユニット２２０を１組とする。この場合、複数の一連工程ＳＱに対応して複数の組が存在する。そして、実施形態３の優先順位情報ＭＥ６は、複数の組に対する使用の優先順位を示す。複数の組を構成する全ての処理ユニット２２０の数が、所定数である。つまり、優先順位情報ＭＥ６では、所定数の処理ユニット２２０の全てが選択されている。例えば、優先順位情報ＭＥ６は、複数の組に対して割り当てられる連続番号を示す。

【0372】

次に、図９及び図２１～図２４を参照して、実施形態３に係る基板処理方法を説明する。実施形態３に係る基板処理方法は、図９を参照して説明した実施形態１に係る基板処理方法と同様である。以下、実施形態３に係る基板処理方法が実施形態１の基板処理方法と異なる点を主に説明する。

【0373】

図２１及び図２２は、実施形態３において、図９の工程Ｓ３１を示すフローチャートである。図２１及び図２２に示すように、実施形態３に係る工程Ｓ３１の処理は、工程Ｓ１５１～工程Ｓ１６６を含む。

【0374】

工程Ｓ１５１において、図１２の前処理部ＣＮ１は、複数の測定データＭＥ２を処理して、複数の処理結果情報セットＭＥ３０を生成する。

【0375】

次に、工程Ｓ１５２において、図１２の取得部ＣＮ２は、一連工程ＳＱにおいて処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０による処理結果情報セットＭＥ３０を取得する。

【0376】

次に、工程Ｓ１５３において、図１２の第１選択部ＣＮ３は、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０による処理結果情報セットＭＥ３０に基づいて、２以上の処理ユニット２２０（具体的には所定数の処理ユニット２２０）のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。

【0377】

具体的には、第１選択部ＣＮ３は、解析アルゴリズムによって処理結果情報セットＭＥ３０を解析して、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果情報ＭＥ４を生成する。

【0378】

図２３は、図２１の工程Ｓ１５３の処理の一例を示すフローチャートである。図２３に示すように、工程Ｓ１５３の処理は、工程Ｓ１８１～工程Ｓ１８５を含む。

【0379】

工程Ｓ１８１において、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４のうち、所定の工程Ｓ１３（図２０）で得られた処理結果情報ＤＡ４を、第１学習モデル９１に対して入力情報として入力する。

【0380】

次に、工程Ｓ１８２において、第１選択部ＣＮ３は、第１学習モデル９１から、所定の工程Ｓ１３での基板Ｗｐの処理結果に対する評価を示す評価情報ＯＴ１を出力情報として取得する。

【0381】

次に、工程Ｓ１８３において、第１選択部ＣＮ３は、処理結果情報セットＭＥ３０に含まれる処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４を、第２学習モデル９２に対して入力情報として入力する。

【0382】

次に、工程Ｓ１８４において、第１選択部ＣＮ３は、第２学習モデル９２から、処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４のクラスタリングの結果を示す第１クラスタリング情報を出力情報として取得する。

【0383】

次に、工程Ｓ１８５において、第１選択部ＣＮ３は、評価情報ＯＴ１及び第１クラスタリング情報に基づいて、一連工程ＳＱにおいて処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０のうちから、つまり、一連工程ＳＱに含まれる工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１（図２０）を実行する２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果情報ＭＥ４を生成する。そして、処理は、図２１に示すルーチンにリターンして、工程Ｓ１５４に進む。

【0384】

図２１に示す工程Ｓ１５４～工程Ｓ１５８は、それぞれ、図１０に示す工程Ｓ５４～工程Ｓ５８と同様であり、説明を省略する。

【0385】

工程Ｓ１５９において、第１選択部ＣＮ３は、複数の一連工程ＳＱにそれぞれ対応する複数の処理結果情報セットＭＥ３０の全てに対して、工程Ｓ１５２～工程Ｓ１５８の処理が完了したか否かを判定する。

【0386】

工程Ｓ１５９で否定判定がされた場合は、処理は工程Ｓ１５２に進む。

【0387】

一方、工程Ｓ１５９で肯定判定がされた場合は、処理は工程Ｓ１６０に進む。

【0388】

工程Ｓ１６０において、第１選択部ＣＮ３は、複数の処理結果情報セットＭＥ３０にそれぞれ対応して生成された複数の選択結果情報ＭＥ４に対して、優先順位を付ける。

【0389】

次に、工程Ｓ１６１において、第１選択部ＣＮ３は、全ての解析アルゴリズムに基づく処理が完了したか否かを判定する。

【0390】

工程Ｓ１６１で否定判定された場合は、処理は工程Ｓ１５２に進む。そして、工程Ｓ１５２の後の工程Ｓ１５３では、第１選択部ＣＮ３は、前回の解析アルゴリズムと異なる解析アルゴリズムによって処理結果情報セットＭＥ３０を解析して、処理ユニット２２０を選択する。

【0391】

一方、工程Ｓ１６１で肯定判定された場合は、処理は、図２２の工程Ｓ１６２に進む。

【0392】

図２２に示すように、工程Ｓ１６２において、第１選択部ＣＮ３は、処理内容が同一の２以上の処理ユニット２２０による２以上の処理結果情報ＭＥ３の相関関係に基づいて、２以上の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択する。

【0393】

図２４は、図２２の工程Ｓ１６２の処理の一例を示すフローチャートである。図２４に示すように、工程Ｓ１６２の処理は、工程Ｓ２０１～工程Ｓ２０４を含む。

【0394】

工程Ｓ２０１において、第１選択部ＣＮ３は、第１クラスタリング情報を参照して、所定の工程Ｓ１３（図２０）よりも前段の工程Ｓ１、Ｓ５、Ｓ１１（図２０）で得られる処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ３のうちから、所定の工程Ｓ１３で得られた処理結果情報ＤＡ４と同じクラスタに属する処理結果情報を特定する。以下、簡単のため、特定された処理結果情報が、工程Ｓ１で得られた処理結果情報ＤＡ１である場合を例示する。

【0395】

次に、工程Ｓ２０２において、第１選択部ＣＮ３は、複数の第３学習モデル９３から、工程Ｓ２０１で特定された処理結果情報ＤＡ１が得られた工程Ｓ１に対応する第３学習モデル９３を選択する。

【0396】

次に、工程Ｓ２０３において、第１選択部ＣＮ３は、工程Ｓ２０２で選択した第３学習モデル９３に対して、複数の一連工程ＳＱの相互間において処理内容が同一の工程Ｓ１でそれぞれ得られた複数の処理結果情報ＤＡ１を入力情報として入力して、第２クラスタリング情報を取得する。

【0397】

次に、工程Ｓ２０５において、第１選択部ＣＮ３は、第２クラスタリング情報に基づいて、複数の一連工程ＳＱの相互間において処理内容が同一の工程Ｓ１を実行する２以上の処理ユニット２２０から、処理対象基板Ｗｘを処理するために使用する処理ユニット２２０を選択する。そして、処理は、図２２に示すルーチンにリターンして、工程Ｓ１６３に進む。

【0398】

図２２に示すように、工程Ｓ１６３において、第１選択部ＣＮ３は、工程Ｓ１６２の結果に基づいて、各選択結果情報ＭＥ４を更新する。

【0399】

次に、工程Ｓ１６４において、第１選択部ＣＮ３は、工程Ｓ１６２の結果に基づいて、各選択結果情報ＭＥ４に付された優先順位を更新する。

【0400】

次に、工程Ｓ１６５において、第１選択部ＣＮ３は、各選択結果情報ＭＥ４に基づいて、処理後の基板Ｗが品質検査の対象になる処理ユニット２２０を決定する。

【0401】

次に、工程Ｓ１６６において、第１選択部ＣＮ３は、各選択結果情報ＭＥ４を報知する。この点は、図１０の工程Ｓ６０と同様である。そして、処理は、図９のメインルーチンにリターンして、工程Ｓ３２に進む。

【0402】

なお、「処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０」は、特に限定されず、例えば、図６及び図７の一連工程ＳＱを構成する工程Ｓ１～Ｓ９、Ｓ１１～Ｓ１５のうちの２以上の工程をそれぞれ実行する２以上の処理ユニット２２０であればよい。

【0403】

次に、図１５を参照して、第１学習部６１による第１学習方法、第２学習部６２による第２学習方法、及び、第３学習部６３による第３学習方法を説明する。

【0404】

第１学習部６１による第１学習方法は、図１５を参照して説明した学習部ＣＮ９による学習方法と同様である。つまり、図１５の説明において、学習方法を第１学習方法と読み替え、学習部ＣＮ９を第１学習部６１と読み替え、学習データＭＥ８を第１学習データ８１と読み替え、学習プログラムＭＥ７を第１学習プログラム７１と読み替え、学習モデルＭＥ９を第１学習モデル９１と読み替える。

【0405】

第２学習部６２による第２学習方法は、図１５を参照して説明した学習部ＣＮ９による学習方法と同様である。つまり、図１５の説明において、学習方法を第２学習方法と読み替え、学習部ＣＮ９を第２学習部６２と読み替え、学習データＭＥ８を第２学習データ８２と読み替え、学習プログラムＭＥ７を第２学習プログラム７２と読み替え、学習モデルＭＥ９を第２学習モデル９２と読み替える。

【0406】

特に、複数の第２学習データ８２の各々は、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０による学習対象基板Ｗｎの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報Ｆ２を含む。第２学習モデル９２は、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４の各々を入力情報として入力して、２以上の処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４をクラスタリングし、クラスタリングの結果を示す第１クラスタリング情報を出力情報として出力するプログラムである。

【0407】

換言すれば、第２学習モデル９２は、基板Ｗｐの処理結果を示す処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４をクラスタリングするように、制御装置ＣＭを機能させる。具体的には、第２学習モデル９２は、入力情報を入力して、出力情報を出力するように、制御装置ＣＭを機能させる。入力情報は、処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０による基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す２以上の処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４である。出力情報は、２以上の処理結果情報ＤＡ１～ＤＡ４のクラスタリングの結果を示す第１クラスタリング情報である。

【0408】

第３学習部６３による第３学習方法は、図１５を参照して説明した学習部ＣＮ９による学習方法と同様である。つまり、図１５の説明において、学習方法を第３学習方法と読み替え、学習部ＣＮ９を第３学習部６３と読み替え、学習データＭＥ８を第３学習データ８３と読み替え、学習プログラムＭＥ７を第３学習プログラム７３と読み替え、学習モデルＭＥ９を第３学習モデル９３と読み替える。また、第３学習部６３による第３学習方法は、クラスタリングを実行する点で、第２学習部６２による第２学習方法と同様である。

【0409】

次に、図２５～図２８を参照して、具体例を挙げながら選択結果情報ＭＥ４を説明する。また、一連工程ＳＱにおいて処理内容が相異する２以上の処理ユニット２２０として、図３の処理ユニットＰＡＨＰ［１１］、図２の処理ユニットＲＴ［１１］、図３の処理ユニットＰＨＰ［３１］、及び、図２の処理ユニットＤＶ［１１］を例に挙げる。他の一連工程ＳＱにおいて処理内容が相異する他の２以上の処理ユニット２２０として、処理ユニットＰＡＨＰ［１２］、処理ユニットＲＴ［１２］、処理ユニットＰＨＰ［３２］、及び、処理ユニットＤＶ［１２］を例に挙げる。更に他の一連工程ＳＱにおいて処理内容が相異する更に他の２以上の処理ユニット２２０として、処理ユニットＰＡＨＰ［１３］、処理ユニットＲＴ［１１］、処理ユニットＰＨＰ［３３］、及び、処理ユニットＤＶ［１３］を例に挙げる。

【0410】

すなわち、第１選択部ＣＮ３による選択対象として、処理ユニットＰＡＨＰ［１１］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３１］、ＰＡＨＰ［１２］、ＲＴ［１２］、ＰＨＰ［３２］、ＰＡＨＰ［１３］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３３］が例に挙げられる。

【0411】

図２５は、実施形態３に係る処理結果情報セットＭＥ３０、優先順位情報ＭＥ６、選択結果情報ＭＥ４、及び、検査対象情報ＭＥ５の一例を示す図である。なお、図２５では、不使用対象を「ＮＵ」で示している。

【0412】

図２５に示すように、実施形態３では、処理結果情報セットＭＥ３０の一例として、処理結果情報セットＭＥ３０ａ、ＭＥ３０ｂ、ＭＥ３０ｃが示される。

【0413】

処理結果情報セットＭＥ３０ａは、接触角マップデータＭ１０、膜厚マップデータＭ１１、温度マップデータＭ１２、及び、パターン線幅マップデータＭ１３を含む。マップデータＭ１０、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３は、それぞれ、処理ユニットＰＡＨＰ［１１］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３１］、ＤＶ［１１］での処理後の基板Ｗｐの処理結果を示している。

【0414】

処理結果情報セットＭＥ３０ｂは、接触角マップデータＭ２０、膜厚マップデータＭ２１、温度マップデータＭ２２、及び、パターン線幅マップデータＭ２３を含む。マップデータＭ２０、Ｍ２１、Ｍ２２、Ｍ２３は、それぞれ、処理ユニットＰＡＨＰ［１２］、ＲＴ［１２］、ＰＨＰ［３２］、ＤＶ［１２］での処理後の基板Ｗｐの処理結果を示している。

【0415】

処理結果情報セットＭＥ３０ｃは、接触角マップデータＭ３０、膜厚マップデータＭ３１、温度マップデータＭ３２、及び、パターン線幅マップデータＭ３３を含む。マップデータＭ３０、Ｍ３１、Ｍ３２、Ｍ３３は、それぞれ、処理ユニットＰＡＨＰ［１３］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３３］、ＤＶ［１３］での処理後の基板Ｗｐの処理結果を示している。

【0416】

接触角マップデータＭ１０、Ｍ２０、Ｍ３０によって表される接触角は、工程Ｓ１の密着強化処理後の基板Ｗｐの処理結果を示し、反射防止膜用の処理液に対する接触角を示す。

【0417】

膜厚マップデータＭ１１、Ｍ２１、Ｍ３１によって表される膜厚は、工程Ｓ５のレジスト膜形成処理後の基板Ｗｐの処理結果を示し、レジスト膜の膜厚を示す。

【0418】

温度マップデータＭ１２、Ｍ２２、Ｍ３２によって表される温度は、工程Ｓ１１の第３加熱処理後（露光後の加熱処理後）の基板Ｗｐの処理結果を示し、基板Ｗｐの温度を示す。

【0419】

パターン線幅マップデータＭ１３、Ｍ２３、Ｍ３３によって示される線幅は、工程Ｓ１３の現像処理後の基板Ｗｐの処理結果を示し、レジストパターンの線幅を示す。

【0420】

図２６は、図２５の処理結果情報セットＭＥ３０ａを構成する、接触角マップデータＭ１０、膜厚マップデータＭ１１、温度マップデータＭ１２、及び、パターン線幅マップデータＭ１３を示す図である。

【0421】

図２７は、図２５の処理結果情報セットＭＥ３０ｂを構成する、接触角マップデータＭ２０、膜厚マップデータＭ２１、温度マップデータＭ２２、及び、パターン線幅マップデータＭ２３を示す図である。

【0422】

図２８は、図２５の処理結果情報セットＭＥ３０ｃを構成する、接触角マップデータＭ３０、膜厚マップデータＭ３１、温度マップデータＭ３２、及び、パターン線幅マップデータＭ３３を示す図である。

【0423】

図２６～図２８では、理解を容易にするために、前処理部ＣＮ１による正規化前のマップデータＭ１０～Ｍ１３、Ｍ２０～Ｍ２３、Ｍ３０～Ｍ３３が示されている。

【0424】

図２６～図２８において、領域Ｇ１は、右上に傾斜する密な斜線によって示される。領域Ｇ２は、右下に傾斜する疎な斜線によって示される。領域Ｇ３は、右上に傾斜する疎な斜線によって示される。領域Ｇ４は、クロスした斜線によって示される。領域Ｇ５は、ドットによって示される。領域Ｇ６は、右下に傾斜する密な斜線によって示される。図２６～図２８では、図面を分かり易くするために領域Ｇ１、領域Ｇ２、領域Ｇ３、領域Ｇ４、領域Ｇ５、及び、領域Ｇ６を記載した。ただし、実際には、接触角マップデータＭ１０、Ｍ２０、Ｍ３０では、接触角の分布がグラデーションによって示される。同様に、実際には、膜厚マップデータＭ１１、Ｍ２１、Ｍ３１の膜厚、温度マップデータＭ１２、Ｍ２２、Ｍ３２の温度、及び、パターン線幅マップデータＭ１３、Ｍ２３、Ｍ３３の線幅もまた、グラデーションによって示される。

【0425】

接触角マップデータＭ１０、Ｍ２０、Ｍ３０では、接触角は、領域Ｇ１が最も小さく、領域Ｇ６が最も大きい。接触角は、領域Ｇ１から領域Ｇ６に向かって、領域Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６の順に大きくなる。膜厚マップデータＭ１１、Ｍ２１、Ｍ３１についても同様に、膜厚は、領域Ｇ１から領域Ｇ６に向かって、領域Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６の順に大きくなる。温度マップデータＭ１２、Ｍ２２、Ｍ３２についても同様に、温度は、領域Ｇ１から領域Ｇ６に向かって、領域Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６の順に高くなる。パターン線幅マップデータＭ１３、Ｍ２３、Ｍ３３についても同様に、線幅は、領域Ｇ１から領域Ｇ６に向かって、領域Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５、Ｇ６の順に大きくなる。

【0426】

図２５に戻って、スループット優先の場合の優先順位情報ＭＥ６の一例として優先順位情報Ｃ１が示される。

【0427】

スループット優先の場合、選択対象の全ての処理ユニットＰＡＨＰ［１１］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３１］、ＰＡＨＰ［１２］、ＲＴ［１２］、ＰＨＰ［３２］、ＰＡＨＰ［１３］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３３］が使用される。そして、優先順位情報Ｃ１は、使用の優先順位が高い順に、処理ユニットＰＡＨＰ［１１］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３１］の組、処理ユニットＰＡＨＰ［１２］、ＲＴ［１２］、ＰＨＰ［３２］の組、及び、処理ユニットＰＡＨＰ［１３］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３３］の組を示している。

【0428】

また、品質優先の場合の選択結果情報ＭＥ４の一例として選択結果情報Ｃ２が示される。選択結果情報Ｃ２は、上述した第１解析アルゴリズムＡＧ１に基づいて得られている。

【0429】

選択結果情報Ｃ２に関し、処理結果情報セットＭＥ３０ａのパターン線幅マップデータＭ１３は、第１学習モデル９１の評価情報ＯＴ１によって「異常」と示されている。

【0430】

また、図２６に示すように、温度マップデータＭ１２は、パターン線幅マップデータＭ１３に対して相関がある。図２６の例では、温度マップデータＭ１２は、パターン線幅マップデータＭ１３に対して負の相関がある。従って、第２学習モデル９２による第１クラスタリング情報は、温度マップデータＭ１２がパターン線幅マップデータＭ１３と同じクラスタに属することを示す。この場合、パターン線幅マップデータＭ１３の「異常」の原因が、温度マップデータＭ１２にあることを推定できる。換言すれば、パターン線幅マップデータＭ１３の「異常」の原因が、温度マップデータＭ１２が得られた処理ユニットＰＨＰ［３１］にあることを推定できる。

【0431】

従って、図２５に示すように、処理結果情報セットＭＥ３０ａに関し、選択結果情報Ｃ２において、第１選択部ＣＮ３は、温度マップデータＭ１２が得られた処理ユニットＰＨＰ［３１］を不使用対象に設定し、接触角マップデータＭ１０が得られた処理ユニットＰＡＨＰ［１１］及び膜厚マップデータＭ１１が得られた処理ユニットＲＴ［１１］を、処理対象基板Ｗｘを処理するための処理ユニットに選択している。

【0432】

また、選択結果情報Ｃ２に関し、処理結果情報セットＭＥ３０ｂのパターン線幅マップデータＭ２３は、第１学習モデル９１の評価情報ＯＴ１によって「正常」と示されている。

【0433】

さらに、図２７に示すように、接触角マップデータＭ２０、膜厚マップデータＭ２１、及び、温度マップデータＭ２２のいずれも、パターン線幅マップデータＭ１３に対して相関がない。従って、第２学習モデル９２による第１クラスタリング情報は、接触角マップデータＭ２０、膜厚マップデータＭ２１、及び、温度マップデータＭ２２が、パターン線幅マップデータＭ１３と異なるクラスタに属することを示す。

【0434】

そして、図２５に示すように、処理結果情報セットＭＥ３０ｂに関し、選択結果情報Ｃ２において、第１選択部ＣＮ３は、全ての処理ユニットＰＡＨＰ［１２］、ＲＴ［１２］、ＰＨＰ［３２］を、処理対象基板Ｗｘを処理するための処理ユニットに選択している。

【0435】

さらに、選択結果情報Ｃ２に関し、処理結果情報セットＭＥ３０ｃのパターン線幅マップデータＭ３３は、第１学習モデル９１の評価情報ＯＴ１によって「正常」と示されている。

【0436】

また、図２８に示すように、膜厚マップデータＭ３１は、パターン線幅マップデータＭ３３に対して相関がある。従って、第２学習モデル９２による第１クラスタリング情報は、膜厚マップデータＭ３１がパターン線幅マップデータＭ３３と同じクラスタに属することを示す。この場合、パターン線幅マップデータＭ３３の線幅の分布に、膜厚マップデータＭ３１の膜厚の分布が影響を及ぼしたと推定できる。換言すれば、パターン線幅マップデータＭ３３の線幅の分布に、膜厚マップデータＭ３１が得られた処理ユニットＲＴ［１１］が影響を及ぼしていることを推定できる。

【0437】

そして、図２５に示すように、処理結果情報セットＭＥ３０ｃに関し、選択結果情報Ｃ２において、第１選択部ＣＮ３は、全ての処理ユニットＰＡＨＰ［１３］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３３］を、処理対象基板Ｗｘを処理するための処理ユニットに選択している。

【0438】

また、第１解析アルゴリズムＡＧ１に従って、選択結果情報Ｃ２において、処理結果情報セットＭＥ３０ａに基づき選択された処理ユニットＰＡＨＰ［１１］、ＲＴ［１１］の組に対して、最も低い優先順位が付けられている。また、第１解析アルゴリズムＡＧ１に従って、処理結果情報セットＭＥ３０ｃに基づき選択された処理ユニットＰＡＨＰ［１３］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３３］の組に対して、処理結果情報セットＭＥ３０ｂに基づき選択された処理ユニットＰＡＨＰ［１２］、ＲＴ［１２］、ＰＨＰ［３２］の組よりも低い優先順位が付けられている。なぜなら、処理結果情報セットＭＥ３０ｃにおいて、膜厚マップデータＭ３１がパターン線幅マップデータＭ３３と同じクラスタに属するからである。

【0439】

また、品質優先の場合の選択結果情報ＭＥ４の一例として選択結果情報Ｃ３が示される。選択結果情報Ｃ３は、上述した第２解析アルゴリズムＡＧ２に基づいて得られている。

【0440】

選択結果情報Ｃ３に関し、処理結果情報セットＭＥ３０ａのパターン線幅マップデータＭ１３は、第１学習モデル９１の評価情報ＯＴ１によって「異常」と示されている。その他、処理結果情報セットＭＥ３０ａから得られた選択結果情報Ｃ３は、処理結果情報セットＭＥ３０ａから得られた選択結果情報Ｃ２と同じである。

【0441】

また、選択結果情報Ｃ３に関し、処理結果情報セットＭＥ３０ｂのパターン線幅マップデータＭ２３は、第１学習モデル９１の評価情報ＯＴ１によって「正常」と示されている。

【0442】

そして、図２７に示すように、接触角マップデータＭ２０は、特異性を有する。従って、第２学習モデル９２による第１クラスタリング情報は、接触角マップデータＭ２０が「特異性」のラベルが付けられたクラスタに属することを示す。特異性を有する接触角マップデータＭ２０が得られた処理ユニットＰＡＨＰ［１２］は、将来、レジストパターンの線幅に影響を及ぼす可能性が高いと推定できる。

【0443】

従って、図２５に示すように、処理結果情報セットＭＥ３０ｂに関し、選択結果情報Ｃ３において、第１選択部ＣＮ３は、接触角マップデータＭ２０が得られた処理ユニットＰＡＨＰ［１２］を不使用対象に設定し、膜厚マップデータＭ２１が得られた処理ユニットＲＴ［１２］及び温度マップデータＭ２２が得られた処理ユニットＰＨＰ［３２］を、処理対象基板Ｗｘを処理するための処理ユニットに選択している。

【0444】

さらに、選択結果情報Ｃ３に関し、処理結果情報セットＭＥ３０ｃのパターン線幅マップデータＭ３３は、第１学習モデル９１の評価情報ＯＴ１によって「正常」と示されている。

【0445】

そして、処理結果情報セットＭＥ３０ｃに関し、選択結果情報Ｃ３において、第１選択部ＣＮ３は、全ての処理ユニットＰＡＨＰ［１３］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３３］を、処理対象基板Ｗｘを処理するための処理ユニットに選択している。

【0446】

また、第２解析アルゴリズムＡＧ２に従って、選択結果情報Ｃ３において、処理結果情報セットＭＥ３０ａに基づき選択された処理ユニットＰＡＨＰ［１１］、ＲＴ［１１］の組に対して、最も低い優先順位が付けられている。また、第２解析アルゴリズムＡＧ２に従って、処理結果情報セットＭＥ３０ｂに基づき選択された処理ユニットＲＴ［１２］、ＰＨＰ［３２］の組に対して、処理結果情報セットＭＥ３０ｃに基づき選択された処理ユニットＰＡＨＰ［１３］、ＲＴ［１１］、ＰＨＰ［３３］の組よりも低い優先順位が付けられている。なぜなら、処理結果情報セットＭＥ３０ｂの接触角マップデータＭ２０が「特異性」のラベルが付けられたクラスタに属するからである。

【0447】

なお、第１選択部ＣＮ３は、例えば処理結果情報セットＭＥ３０ｂに関し、選択結果情報Ｃ２において選択されている処理ユニットＰＡＨＰ［１２］、ＲＴ［１２］、ＰＨＰ［３２］のうちの少なくとも１つの処理ユニットを、処理内容が同一の他の処理ユニット２２０に置き換えることで、選択結果情報Ｃ２を更新してもよい。この場合、他の処理ユニット２２０は、置き換えられる処理ユニットよりも、基板Ｗｐの処理結果が良好である。

【0448】

（実施形態４）
図２９を参照して、本発明の実施形態４に係る基板処理システムＳＹＳを説明する。実施形態４に係る基板処理システムＳＹＳが、処理ユニット２２０を選択する選択装置４００を基板処理装置１００Ａの外部に有する点で、実施形態４は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態４が実施形態１と異なる点を主に説明する。

【0449】

図２９は、本発明の実施形態４に係る基板処理システムＳＹＳを示す図である。図２９に示すように、基板処理システムＳＹＳは、基板処理装置１００Ａと、選択装置４００とを備える。基板処理装置１００Ａと選択装置４００とは、ネットワークＮＷを介して相互に通信する。ネットワークＮＷは、例えば、インターネット、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、公衆電話網、及び、近距離無線ネットワークを含む。

【0450】

基板処理装置１００Ａの構成は、図１～図８を参照して説明した実施形態１に係る基板処理装置１００の構成と同様である。ただし、基板処理装置１００Ａは、例えば、図８の取得部ＣＮ２及び第１選択部ＣＮ３を備えない。また、基板処理装置１００Ａは、図８の前処理部ＣＮ１を備えていなくてもよい。また、基板処理装置１００Ａは、測定データＭＥ２及び処理結果情報ＭＥ３を記憶していなくてもよい。

【0451】

選択装置４００は、複数の処理対象基板Ｗｘをそれぞれ処理する複数の処理ユニット２２０から１以上の処理ユニット２２０を選択する。具体的には、選択装置４００は、制御ユニット４０１と、記憶ユニット４０２と、入力ユニット４０３と、表示ユニット４０４と、通信ユニット４０５とを含む。制御ユニット４０１、記憶ユニット４０２、入力ユニット４０３、表示ユニット４０４、及び、通信ユニット４０５の構成は、それぞれ、図８の制御ユニットＣＮＴ、記憶ユニットＭＥＭ、入力ユニットＩＮ、表示ユニットＤＰ、及び、通信ユニットＴＲの構成と同様であり、適宜説明を省略する。

【0452】

制御ユニット４０１は、図８の取得部ＣＮ２及び第１選択部ＣＮ３を備える。

【0453】

制御ユニット４０１の取得部ＣＮ２は、複数の処理ユニット２２０による複数の基板Ｗｐの処理結果をそれぞれ示す複数の処理結果情報ＭＥ３を取得する。例えば、取得部ＣＮ２は、通信ユニット４０５及びネットワークＮＷを介して、基板処理装置１００Ａから処理結果情報ＭＥ３を取得して、記憶ユニット４０２に記憶してもよい。例えば、取得部ＣＮ２は、通信ユニット４０５及びネットワークＮＷを介して、基板処理装置１００Ａの外部の測定ユニット２００、及び／又は、基板処理装置１００Ａの内部の測定ユニット２００から、測定データＭＥ２を取得して、測定データＭＥ２を処理結果情報ＭＥ３として記憶ユニット４０２に記憶してもよい。

【0454】

なお、制御ユニット４０１は、図８の前処理部ＣＮ１を備えていてもよい。この場合、例えば、取得部ＣＮ２は、通信ユニット４０５及びネットワークＮＷを介して、基板処理装置１００Ａの外部の測定ユニット２００、及び／又は、基板処理装置１００Ａの内部の測定ユニット２００から、測定データＭＥ２を取得する。そして、制御ユニット４０１の前処理部ＣＮ１が、測定データＭＥ２を処理して、処理結果情報ＭＥ３を生成する。

【0455】

制御ユニット４０１の第１選択部ＣＮ３は、複数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、複数の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果情報ＭＥ４を生成する。そして、通信ユニット４０５は、ネットワークＮＷを介して、基板処理装置１００Ａに選択結果情報ＭＥ４を送信する。

【0456】

従って、基板処理装置１００Ａの制御ユニットＣＮＴは、選択結果情報ＭＥ４によって選択されている処理ユニット２２０によって処理対象基板Ｗｘを処理するように、各処理ユニット２２０及び各搬送機構２１０を制御できる。その結果、実施形態４によれば、仮に複数の処理ユニット２２０による処理特性がばらついている場合であっても、処理結果が良好な処理ユニット２２０を選択して使用できる。よって、複数の処理対象基板Ｗｘ間での処理の均一性を向上できる。

【0457】

また、第１選択部ＣＮ３は、検査対象情報ＭＥ５を生成して、通信ユニット４０５及びネットワークＮＷを介して、基板処理装置１００Ａに検査対象情報ＭＥ５を送信する。

【0458】

その他、実施形態４に係る制御ユニット４０１の取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、及び、前処理部ＣＮ１は、それぞれ、実施形態１に係る制御ユニットＣＮＴの取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、及び、前処理部ＣＮ１と同様に動作する。その他、実施形態４では、実施形態１と同様の効果を有する。

【0459】

（第１変形例）
図２９を参照して、本発明の実施形態４の第１変形例に係る基板処理システムＳＹＳを説明する。第１変形例に係る基板処理システムＳＹＳが、処理ユニット２２０を選択する選択装置４００を基板処理装置１００Ａの外部に有する点で、第１変形例は実施形態２と主に異なる。以下、第１変形例が実施形態２及び実施形態４と異なる点を主に説明する。

【0460】

第１変形例に係る基板処理装置１００Ａの構成は、図１～図７及び図１２を参照して説明した実施形態２に係る基板処理装置１００の構成と同様である。ただし、基板処理装置１００Ａは、例えば、図１２の取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、及び、学習部ＣＮ９を備えない。また、基板処理装置１００Ａは、図１２の前処理部ＣＮ１を備えていなくてもよい。また、基板処理装置１００Ａは、図１２の学習プログラムＭＥ７及び学習データＭＥ８を記憶ていていない。さらに、基板処理装置１００Ａは、図１２の測定データＭＥ２及び処理結果情報ＭＥ３を記憶していなくてもよい。

【0461】

第１変形例に係る制御ユニット４０１は、図１２の取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、及び、学習部ＣＮ９を備える。また、制御ユニット４０１は、図１２の前処理部ＣＮ１を備えていてもよい。さらに、記憶ユニット４０２は、図１２の学習プログラムＭＥ７、学習データＭＥ８、及び、学習モデルＭＥ９を記憶している。また、記憶ユニット４０２は、図１２の測定データＭＥ２及び処理結果情報ＭＥ３を記憶するが、この点は、実施形態４と同様である。

【0462】

第１変形例に係る制御ユニット４０１の第１選択部ＣＮ３は、複数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、複数の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果情報ＭＥ４を生成する。そして、通信ユニット４０５は、ネットワークＮＷを介して、基板処理装置１００Ａに選択結果情報ＭＥ４を送信する。

【0463】

その結果、第１変形例では、実施形態４と同様に、基板処理装置１００Ａにおいて、複数の処理対象基板Ｗｘ間での処理の均一性を向上できる。

【0464】

その他、第１変形例に係る制御ユニット４０１の取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、学習部ＣＮ９、及び、前処理部ＣＮ１は、それぞれ、実施形態２に係る制御ユニットＣＮＴの取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、学習部ＣＮ９、及び、前処理部ＣＮ１と同様に動作する。その他、第１変形例では、実施形態２と同様の効果を有する。なお、選択装置４００を「学習装置」と捉えることもできる。

【0465】

また、通信ユニット４０５は、ネットワークＮＷを介して、学習モデルＭＥ９を、基板処理装置１００Ａに送信してもよい。なお、学習モデルＭＥ９をリムーバブルメディアに記憶して、リムーバブルメディアから基板処理装置１００Ａに学習モデルＭＥ９を提供してもよい。

【0466】

（第２変形例）
図２９を参照して、本発明の実施形態４の第２変形例に係る基板処理システムＳＹＳを説明する。第２変形例に係る基板処理システムＳＹＳが、処理ユニット２２０を選択する選択装置４００を基板処理装置１００Ａの外部に有する点で、第２変形例は実施形態３と主に異なる。以下、第２変形例が実施形態３及び実施形態４と異なる点を主に説明する。

【0467】

第２変形例に係る基板処理装置１００Ａの構成は、図１～図７、図１２、及び、図２０を参照して説明した実施形態３に係る基板処理装置１００の構成と同様である。ただし、基板処理装置１００Ａは、例えば、図１２の取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、学習部ＣＮ９を備えないし、図２０の第１学習部６１、第２学習部６２、及び、第３学習部６３を備えない。また、基板処理装置１００Ａは、図１２の前処理部ＣＮ１を備えていなくてもよい。また、基板処理装置１００Ａは、図１２の学習プログラムＭＥ７及び学習データＭＥ８を記憶ていていないし、図２０の第１学習プログラム７１、第２学習プログラム７２、第３学習プログラム７３、第１学習データ８１、第２学習データ８２、及び、第３学習データ８３を記憶していない。さらに、基板処理装置１００Ａは、図１２の測定データＭＥ２及び処理結果情報ＭＥ３を記憶していなくてもよいし、図２０の処理結果情報セットＭＥ３０を記憶していなくてもよい。

【0468】

第２変形例に係る制御ユニット４０１は、図１２の取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、図２０の第１学習部６１、第２学習部６２、及び、第３学習部６３を備える。また、制御ユニット４０１は、図１２の前処理部ＣＮ１を備えていてもよい。さらに、記憶ユニット４０２は、図２０の第１学習プログラム７１、第２学習プログラム７２、第３学習プログラム７３、第１学習データ８１、第２学習データ８２、第３学習データ８３、第１学習モデル９１、第２学習モデル９２、及び、第３学習モデル９３を記憶している。また、記憶ユニット４０２は、図１２の測定データＭＥ２及び図２０の処理結果情報セットＭＥ３０を記憶するが、この点は、実施形態４と同様である。

【0469】

第２変形例に係る制御ユニット４０１の第１選択部ＣＮ３は、複数の処理結果情報ＭＥ３に基づいて、複数の処理ユニット２２０のうちから、処理対象基板Ｗｘの各々を処理するために使用する１以上の処理ユニット２２０を選択して、選択結果情報ＭＥ４を生成する。そして、通信ユニット４０５は、ネットワークＮＷを介して、基板処理装置１００Ａに選択結果情報ＭＥ４を送信する。

【0470】

その結果、第２変形例では、実施形態４と同様に、基板処理装置１００Ａにおいて、複数の処理対象基板Ｗｘ間での処理の均一性を向上できる。

【0471】

その他、第２変形例に係る制御ユニット４０１の取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、第１学習部６１、第２学習部６２、第３学習部６３、及び、前処理部ＣＮ１は、それぞれ、実施形態３に係る制御ユニットＣＮＴの取得部ＣＮ２、第１選択部ＣＮ３、第１学習部６１、第２学習部６２、第３学習部６３、及び、前処理部ＣＮ１と同様に動作する。その他、第２変形例では、実施形態３と同様の効果を有する。なお、選択装置４００を「学習装置」と捉えることもできる。

【0472】

また、通信ユニット４０５は、ネットワークＮＷを介して、第１学習モデル９１、第２学習モデル９２、及び、第３学習モデル９３を、基板処理装置１００Ａに送信してもよい。なお、第１学習モデル９１、第２学習モデル９２、及び、第３学習モデル９３をリムーバブルメディアに記憶して、リムーバブルメディアから基板処理装置１００Ａに、第１学習モデル９１、第２学習モデル９２、及び、第３学習モデル９３を提供してもよい。

【0473】

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

【0474】

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

【産業上の利用可能性】

【0475】

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、選択装置、選択方法、学習モデル生成方法、及び、学習モデルに関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

【符号の説明】

【0476】

６１ 第１学習部（学習部）
６２ 第２学習部（学習部）
６３ 第３学習部（学習部）
９１ 第１学習モデル（学習モデル）
９２ 第２学習モデル（学習モデル）
９３ 第３学習モデル（学習モデル）
１００、１００Ａ 基板処理装置
２００ 測定ユニット
２２０ 処理ユニット
２１０ 搬送機構
４００ 選択装置
４０１ 制御ユニット
４０２ 記憶ユニット
ＡＲ、ＲＴ、ＤＶ、ＰＡＨＰ、ＰＨＰ、ＣＰ、ＥＥＷ 処理ユニット
ＣＮＴ 制御ユニット
ＣＮ１ 前処理部
ＣＮ２ 取得部
ＣＮ３ 第１選択部（選択部）
ＣＮ４ 解析部
ＣＮ５ 調節部
ＣＮ６ 第２選択部
ＣＮ７ 基板経路決定部
ＣＮ８ 基板処理制御部
ＣＮ９ 学習部
ＭＥＭ 記憶ユニット
ＭＥ９ 学習モデル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】