特許 7536000 ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネント

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-08

(45)【発行日】2024-08-19

(54)【発明の名称】ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネント

(51)【国際特許分類】

   H10N 60/80 20230101AFI20240809BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20240809BHJP

   H10N 60/00 20230101ALI20240809BHJP

【ＦＩ】

H10N60/80

H01L21/92 603Z

H01L21/92 604Z

H01L21/92 621A

H10N60/00 C

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2021513386

(86)(22)【出願日】2019-09-18

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-01-06

(86)【国際出願番号】 EP2019075078

(87)【国際公開番号】W WO2020058370

(87)【国際公開日】2020-03-26

【審査請求日】2022-02-22

(31)【優先権主張番号】16/136,808

(32)【優先日】2018-09-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】390009531

【氏名又は名称】インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＭＡＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

【住所又は居所原語表記】Ｎｅｗ Ｏｒｃｈａｒｄ Ｒｏａｄ， Ａｒｍｏｎｋ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １０５０４， Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ

(74)【代理人】

【識別番号】100112690

【弁理士】

【氏名又は名称】太佐 種一

(74)【代理人】

【識別番号】100120710

【弁理士】

【氏名又は名称】片岡 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】ナ、ジェウン

(72)【発明者】

【氏名】レワンドウスキ、エリック、ピーター

(72)【発明者】

【氏名】ナラスゴンド、アディナス、シャンティナス

【審査官】田付 徳雄

(56)【参考文献】

【文献】特開平０８－２０４２４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２４６７６３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１６３２９２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１７／１０４７４６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１６／１８１８５９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００６－２７８９７６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｎ ６０／８０

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

Ｈ１０Ｎ ６０／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

超伝導相互接続コンポーネントおよびはんだ濡れコンポーネントを含むアンダーバンプ金属化コンポーネントと、
前記超伝導相互接続コンポーネントおよび前記はんだ濡れコンポーネントに結合されたはんだバンプと
を含み、前記はんだ濡れコンポーネントが、はんだと反応して金属間化合物層を形成する材料を含み、前記金属間化合物が形成されるよう構成された、デバイス。

【請求項2】

前記はんだ濡れコンポーネントが前記超伝導相互接続コンポーネントを囲む、請求項１に記載のデバイス。

【請求項3】

前記超伝導相互接続コンポーネントが密封された超伝導相互接続コンポーネントを含む、請求項１または２に記載のデバイス。

【請求項4】

前記アンダーバンプ金属化コンポーネントが、基板に結合された少なくとも１つの超伝導層に結合される、請求項１ないし３のいずれかに記載のデバイス。

【請求項5】

前記はんだバンプが少なくとも１つの超伝導材料を含む、請求項１ないし４のいずれかに記載のデバイス。

【請求項6】

超伝導層および金属間化合物層を有する基板と、
前記超伝導層および前記金属間化合物層に結合されたはんだバンプと
を含み、前記金属間化合物層は、はんだと反応することにより形成され、
さらに、前記金属間化合物層および前記超伝導層に結合されたはんだ拡散層を含む、
デバイス。

【請求項7】

前記超伝導層が、前記金属間化合物層または前記はんだバンプのうちの少なくとも１つによって密封される、請求項６に記載のデバイス。

【請求項8】

超伝導層を含む超伝導相互接続コンポーネント、および金属間化合物層を含む第１のアンダーバンプ金属化コンポーネントと、
前記超伝導相互接続コンポーネント、前記金属間化合物層、および第２のアンダーバンプ金属化コンポーネントに結合されたはんだバンプと
を含み、前記金属間化合物層は、はんだと反応することにより形成され、
さらに、前記金属間化合物層および前記超伝導層に結合されたはんだ拡散層を含む、
デバイス。

【請求項9】

前記はんだバンプが、前記第２のアンダーバンプ金属化コンポーネントの第２の超伝導相互接続コンポーネントに結合される、請求項８に記載のデバイス。

【請求項10】

前記超伝導相互接続コンポーネントが密封された超伝導相互接続コンポーネントを含む、請求項８または９に記載のデバイス。

【請求項11】

前記第１のアンダーバンプ金属化コンポーネントおよび前記第２のアンダーバンプ金属
化コンポーネントに結合された機械的相互接続コンポーネントをさらに含み、前記機械的
相互接続コンポーネントがスタッド・バンプまたはめっきされた台のうちの少なくとも１つを含む、請求項８ないし１０のいずれかに記載のデバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は超伝導デバイスに関連し、より詳細には、半導体基板上に製造される超伝導の機械的に堅牢なアンダーバンプ金属化コンポーネントに関連する。

【背景技術】

【0002】

量子コンピューティングは、通常、計算機能および情報処理機能を実行する目的での量子力学的現象の利用である。量子コンピューティングは、通常はトランジスタを使用して２進値に対して動作する古典的コンピューティングとは対照的であると見なせる。すなわち、古典的コンピュータは、０または１のいずれかであるビット値に対して動作することができるが、量子コンピュータは、０と１の両方の重ね合わせを含む量子ビットに対して動作し、複数の量子ビットをもつれさせ、干渉を使用することができる。

【0003】

量子コンピューティング・ハードウェアは、古典的コンピューティング・ハードウェアとは異なることができる。特に、量子コンピューティング・ハードウェアは、通常、超伝導量子回路を備えており、超伝導量子回路は、半導体デバイス中に製造することができ、そのような量子コンピューティング・ハードウェアにおいて使用され得るフリップ・チップ実装型量子デバイスに採用することができる。そのような量子コンピューティング・ハードウェア（例えば、超伝導量子プロセッサ）は、古典的コンピューティング・デバイス（例えば、汎用コンピュータ、専用コンピュータなど）によって実行され得る機能よりも大幅に複雑な計算機能および情報処理機能を実行することができる。

【0004】

フリップ・チップ実装型量子デバイスに実装され得るそのような超伝導量子回路の設計に関連する課題としては、そのような超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続および機械的に堅牢な相互接続を提供すること、ならびにそのような回路またはデバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の密封された超伝導相互接続を提供することなどが挙げられるが、これらに限定されない。既存の超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方は、前に列挙した課題のうちの１つまたは複数を克服しようとするが、そのような従来技術の回路またはデバイスあるいはその両方は、そのように行うことができないか、あるいは設計のトレードオフ、製造のトレードオフ、または例えば性能の信頼性の欠如もしくは過剰な電力消費またはその両方などのその他の問題、あるいはその組合せを引き起こす。

【0005】

例えば、一部の従来技術の超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方は、そのような回路またはデバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続を提供する。そのような従来技術に伴う問題としては、密封された超伝導相互接続を提供しないこと、またはそのような回路もしくはデバイスまたはその両方のさまざまなコンポーネントの機械的結合が弱いこと、あるいはその両方であることなどが挙げられるが、これらに限定されない。別の例では、一部の従来技術の回路またはデバイスあるいはその両方は、集積回路またはフリップ・チップ実装型デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネントの強い機械的結合を提供する。そのような従来技術に伴う問題としては、そのような集積回路またはフリップ・チップ実装型デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続を提供しないこと、またはそのようなさまざまなコンポーネント間の密封された超伝導相互接続を提供しないこと、あるいはその両方であることなどが挙げられるが、これらに限定されない。

【0006】

したがって、当技術分野において、前述の問題に対処する必要がある。

【発明の概要】

【0007】

第１の態様から見ると、本発明は、超伝導相互接続コンポーネントおよびはんだ濡れコンポーネントを含むアンダーバンプ金属化コンポーネントと、超伝導相互接続コンポーネントおよびはんだ濡れコンポーネントに結合されたはんだバンプとを含むデバイスを提供する。

【0008】

さらに別の一態様から見ると、本発明は、アンダーバンプ金属化コンポーネント上にはんだを堆積することと、この堆積に基づいてアンダーバンプ金属化コンポーネント上に超伝導相互接続コンポーネントおよび金属間化合物層を形成することとを含んでいる方法を提供する。

【0009】

さらに別の一態様から見ると、本発明は、超伝導層および金属間化合物層を有する基板と、超伝導層および金属間化合物層に結合されたはんだバンプとを含むデバイスを提供する。

【0010】

さらに別の一態様から見ると、本発明は、超伝導相互接続コンポーネントおよび金属間化合物層を含む第１のアンダーバンプ金属化コンポーネントと、超伝導相互接続コンポーネント、金属間化合物層、および第２のアンダーバンプ金属化コンポーネントに結合されたはんだバンプとを含むデバイスを提供する。

【0011】

さらに別の一態様から見ると、本発明は、第１のアンダーバンプ金属化コンポーネントを、超伝導相互接続コンポーネントおよび金属間化合物層を含む第２のアンダーバンプ金属化コンポーネントに結合することと、この結合に基づいて第１のアンダーバンプ金属化コンポーネント上に密封された超伝導相互接続コンポーネントを形成することとを含んでいる方法を提供する。

【0012】

以下に、本発明の１つまたは複数の実施形態の基本的理解を可能にするための概要を示す。この概要は、主要な要素もしくは重要な要素を特定するよう意図されていない、または、特定の実施形態のいかなる範囲もしくは特許請求のいかなる範囲も正確に説明するよう意図されていない。この概要の唯一の目的は、後で提示されるより詳細な説明の前置きとして、概念を簡略化された形態で提示することである。本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態では、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネント（hybrid under-bump metallization components）を容易にするデバイス、システム、コンピュータ実装方法、装置、またはコンピュータ・プログラム製品、あるいはその組合せが説明される。

【0013】

一実施形態によれば、デバイスは、超伝導相互接続コンポーネントおよびはんだ濡れコンポーネントを含むアンダーバンプ金属化コンポーネントを含むことができる。このデバイスは、超伝導相互接続コンポーネントおよびはんだ濡れコンポーネントに結合され得るはんだバンプをさらに含むことができる。そのようなデバイスの利点は、超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続、およびそれらのコンポーネントの堅牢な機械的結合を容易にすることができるということである。

【0014】

別の実施形態では、超伝導相互接続コンポーネントは、密封された超伝導相互接続コンポーネントを含むことができる。そのようなデバイスの利点は、そのような密封された超伝導相互接続コンポーネントによって結合され得る超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の酸化物形成（例えば、酸化）を排除することができ、それによって、そのようなコンポーネント間の電気的結合の改善を容易にするということである。

【0015】

一実施形態によれば、方法は、アンダーバンプ金属化コンポーネント上にはんだを堆積することを含む。この方法は、かかる堆積に基づいて、アンダーバンプ金属化コンポーネント上に超伝導相互接続コンポーネントおよび金属間化合物層を形成することをさらに含むことができる。そのような方法の利点は、超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続、およびそれらのコンポーネントの堅牢な機械的結合を容易にすることができるハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを製造するために採用され得るということである。

【0016】

別の実施形態では、この方法は、かかる堆積に基づいて、アンダーバンプ金属化コンポーネント上に密封された超伝導相互接続コンポーネントを形成することをさらに含むことができる。そのような方法の利点は、そのような密封された超伝導相互接続コンポーネントによって結合され得る超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の酸化物形成（例えば、酸化）を排除することができ、それによって、そのようなコンポーネント間の電気的結合の改善を容易にする、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを製造するために採用され得るということである。

【0017】

一実施形態によれば、デバイスは、超伝導層および金属間化合物層を含む基板を含むことができる。このデバイスは、超伝導層および金属間化合物層に結合され得るはんだバンプをさらに含むことができる。そのようなデバイスの利点は、超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続、およびそれらのコンポーネントの堅牢な機械的結合を容易にすることができるということである。

【0018】

別の実施形態では、超伝導層は、金属間化合物層またははんだバンプのうちの少なくとも１つによって密封され得る。そのようなデバイスの利点は、そのように密封された超伝導層によって結合され得る超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の酸化物形成（例えば、酸化）を排除することができ、それによって、そのようなコンポーネント間の電気的結合の改善を容易にするということである。

【0019】

一実施形態によれば、デバイスは、超伝導相互接続コンポーネントおよび金属間化合物層を含む第１のアンダーバンプ金属化コンポーネントを含むことができる。このデバイスは、超伝導相互接続コンポーネント、金属間化合物層、および第２のアンダーバンプ金属化コンポーネントに結合され得るはんだバンプをさらに含むことができる。そのようなデバイスの利点は、超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続、およびそれらのコンポーネントの堅牢な機械的結合を容易にすることができるということである。

【0020】

別の実施形態では、超伝導相互接続コンポーネントは、密封された超伝導相互接続コンポーネントを含むことができる。そのようなデバイスの利点は、そのような密封された超伝導相互接続コンポーネントによって結合され得る超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の酸化物形成（例えば、酸化）を排除することができ、それによって、そのようなコンポーネント間の電気的結合の改善を容易にするということである。

【0021】

一実施形態によれば、方法は、第１のアンダーバンプ金属化コンポーネントを、超伝導相互接続コンポーネントおよび金属間化合物層を含む第２のアンダーバンプ金属化コンポーネントに結合することを含む。この方法は、かかる結合に基づいて、第１のアンダーバンプ金属化コンポーネント上に密封された超伝導相互接続コンポーネントを形成することをさらに含む。そのような方法の利点は、フリップ・チップ・デバイスのさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続、およびそれらのコンポーネントの堅牢な機械的結合を容易にすることができる、そのようなフリップ・チップ・デバイスを製造するために採用され得るということである。そのような方法の別の利点は、そのような密封された超伝導相互接続コンポーネントによって結合され得る、そのようなフリップ・チップ・デバイスのさまざまなコンポーネント間の酸化物形成（例えば、酸化）を排除することができ、それによって、そのようなコンポーネント間の電気的結合の改善を容易にする、フリップ・チップ・デバイスを製造するために採用され得るということである。

【0022】

ここで、添付の図面を例として参照し、本発明の実施形態について説明する。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的な非限定的デバイスの側面断面図である。

【図2】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的な非限定的デバイスの側面断面図である。

【図3】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的な非限定的デバイスの上面図である。

【図4】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的な非限定的デバイスの側面断面図である。

【図5】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的な非限定的デバイスの側面断面図である。

【図6】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的な非限定的デバイスの側面断面図である。

【図7】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的な非限定的デバイスの側面断面図である。

【図8】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントの実装を容易にする例示的非限定的方法のフロー図である。

【図9】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントの実装を容易にする例示的非限定的方法のフロー図である。

【図10】本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態を容易にすることができる例示的非限定的動作環境のブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下の詳細な説明は、例にすぎず、実施形態、または実施形態の適用もしくは使用、あるいはその両方を制限するよう意図されていない。さらに、先行する「背景技術」または「発明の概要」のセクション、あるいは「発明を実施するための形態」のセクションで提示された、いずれかの明示されたか、または暗示された情報によって制約されるという意図はない。

【0025】

ここで、図面を参照して１つまたは複数の実施形態が説明され、図面全体を通じて、類似する参照番号が、類似する要素を参照するために使用されている。以下の説明では、説明の目的で、１つまたは複数の実施形態をより十分に理解できるように、多数の特定の詳細が示されている。しかし、これらの特定の詳細がなくても、さまざまな事例において、１つまたは複数の実施形態が実践され得るということは明らかである。

【0026】

既存の超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方に伴う、超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続、およびそれらのコンポーネントの堅牢な機械的結合の両方を容易にしないという上記の問題を想定して、本開示は、超伝導相互接続コンポーネントおよび金属間化合物層を含むハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントの形態とすることで、この問題に対する解決策をもたらす実装をなし得る。そのようなデバイスの利点は、超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の超伝導相互接続、およびそれらのコンポーネントの堅牢な機械的結合を容易にすることができるということである。

【0027】

さらに、既存の超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方に伴う、超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の密封された超伝導相互接続、およびそれらのコンポーネントの堅牢な機械的結合を備えていないという上記の問題を想定して、本開示は、密封された超伝導相互接続コンポーネントおよび金属間化合物層を含むハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントの形態とすることで、この問題に対する解決策をもたらす実装をなし得る。そのようなデバイスの利点は、そのような密封された超伝導相互接続コンポーネントによって結合され得る超伝導量子回路またはフリップ・チップ実装型量子デバイスあるいはその両方のさまざまなコンポーネント間の酸化物形成（例えば、酸化）を排除することができ、それによって、そのようなコンポーネント間の電気的結合の改善を容易にするということである。

【0028】

図１（Ａ）～（Ｄ）は、本明細書に記載されたか、または図に示されたか、あるいはその両方である本開示の１つまたは複数の実施形態を製造するために実施され得る、１つの例示的、非限定的、複数のステップの製造シーケンスを示している。例えば、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、図１（Ａ）～（Ｄ）に示されている非限定的な複数のステップの製造シーケンスは、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂを備えることができるデバイス１００Ｄ（図１（Ｄ）に示されている）を製造するために実施され得る。

【0029】

複数の実施形態によれば、本明細書に記載されたか、または図に示されたか、あるいはその両方である本開示（例えば、デバイス１００Ｄ、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂなど）は、超伝導量子回路または超伝導量子デバイスあるいはその両方（例えば、量子コンピューティング・デバイス、量子コンピューティング・ハードウェアなど）の１つまたは複数のコンポーネントを構成することができる。一部の実施形態では、本明細書に記載されたか、または図に示されたか、あるいはその両方である本開示（例えば、デバイス１００Ｄ、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂなど）は、集積回路を製造するための１つまたは複数の手法を利用して、半導体デバイスにおいて製造され得る。

【0030】

図１（Ａ）～（Ｄ）を参照して下で説明されているように、本明細書に記載されたか、または図に示されたか、あるいはその両方である本開示（例えば、デバイス１００Ｄ、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂなど）のさまざまな実施形態の製造は、例えば、１つまたは複数の基板層上での電子工学に基づく（例えば、マイクロエレクトロニクスに基づく）システム、デバイス、コンポーネント、または回路、あるいはその組合せの段階的作成を容易にするフォトリソグラフィ処理ステップまたは化学処理ステップあるいはその両方の、複数のステップのシーケンスを含むことができる。例えば、本明細書に記載されたか、または図に示されたか、あるいはその両方である本開示（例えば、デバイス１００Ｄ、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂなど）のさまざまな実施形態は、フォトリソグラフィ、マイクロリソグラフィ、ナノリソグラフィ、ナノインプリント・リソグラフィ、フォトマスキング手法、パターン形成手法、フォトレジスト手法、エッチング手法（例えば、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ：reactive ion etching）、ドライ・エッチング、ウェット・エッチングなど）、蒸着手法、スパッタリング手法、プラズマ灰化手法、熱処理（例えば、高速熱アニール、炉アニール、熱酸化など）、化学蒸着（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）、物理蒸着（ＰＶＤ：physical vapor deposition）、分子線エピタキシ（ＭＢＥ：molecular beam epitaxy）、電気化学堆積（ＥＣＤ：electrochemical deposition）、化学機械平坦化（ＣＭＰ：chemical-mechanical planarization）、裏面研削手法、または集積回路を製造するための別の手法、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない手法を採用することによって、製造され得る。

【0031】

図１（Ａ）～（Ｄ）を参照して下で説明されているように、本明細書に記載されたか、または図に示されたか、あるいはその両方である本開示（例えば、デバイス１００Ｄ、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂなど）のさまざまな実施形態は、さまざまな材料を使用して製造され得る。例えば、本明細書に記載されたか、または図に示されたか、あるいはその両方である本開示（例えば、デバイス１００Ｄ、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂなど）のさまざまな実施形態は、導電材料、半導体材料、超伝導材料、誘電体材料、ポリマー材料、有機材料、無機材料、非導電材料、または集積回路を製造するための前述した手法のうちの１つもしくは複数で利用され得る別の材料、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない１つまたは複数の異なる材料区分の材料を使用して製造され得る。

【0032】

図１（Ａ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス１００Ａの側面断面図を示している。いくつかの実施形態によれば、デバイス１００Ａは、基板１０２、第１の超伝導層１０４、第２の超伝導層１０６（これは第１の超伝導層１０４の酸化を保護することができる）、第３の超伝導層１０８（これは第２の超伝導層１０６とはんだ拡散層１１０との間の接着を改善することができる）、はんだ拡散層１１０、またははんだ濡れ層１１２、あるいはその組合せを備えることができる。

【0033】

複数の実施形態によれば、基板１０２は半導体材料を含むことができる。例えば、基板１０２は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３））、または別の半導体材料、あるいはその組合せを含むことができる。例えば、基板１０２は、シリコン（Ｓｉ）、サファイア（例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３））、または低温での誘電損失正接を減らすことができる別の半導体材料、あるいはその組合せを含むことができる。

【0034】

一部の実施形態では、基板１０２は、基板１０２に結合されたすべての材料層またはコンポーネントあるいはその両方の機械的安定性を保証する任意の厚さを備えることができる。例えば、基板１０２は、１０マイクロメートル（μｍ）～１，０００μｍの範囲内の厚さ（例えば、高さ）に（例えば、裏面研削によって）研磨され得る。

【0035】

複数の実施形態によれば、第１の超伝導層１０４は超伝導材料を含むことができる。例えば、第１の超伝導層１０４は、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、ダイヤモンド、または別の超伝導材料、あるいはその組合せを含むことができる。

【0036】

一部の実施形態では、第１の超伝導層１０４が基板１０２に結合され得る。例えば、第１の超伝導層１０４が、基板１０２の上面に（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。一部の実施形態では、そのような結合を容易にするために、第１の超伝導層１０４が基板１０２の上面に堆積され得る。例えば、第１の超伝導層１０４は、図１（Ａ）に示されているように、物理蒸着（ＰＶＤ）、スパッタリング、蒸着、または第１の超伝導層１０４を基板１０２の上に堆積するための別の手法、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない手法を採用することによって、基板１０２の上面に堆積され得る。一部の実施形態では、第１の超伝導層１０４は、第１の超伝導層１０４が例えば５０ナノメートル（ｎｍ）～５００ｎｍの範囲内の厚さ（例えば、高さ）を有することができるように、（例えば、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着などによって）基板１０２の上に堆積され得る。

【0037】

一部の実施形態では、第１の超伝導層１０４は、超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる。例えば、第１の超伝導層１０４は、基板１０２を第２の超伝導層１０６に（例えば、電気的に、動作可能なように、などで）結合できる超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる。

【0038】

複数の実施形態によれば、第２の超伝導層１０６は超伝導材料を含むことができる。例えば、第２の超伝導層１０６は、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、窒化チタン・ニオブ（ＴｉＮｂＮ）、シリサイド、または別の超伝導材料、あるいはその組合せを含むことができる。

【0039】

一部の実施形態では、第２の超伝導層１０６が第１の超伝導層１０４に結合され得る。例えば、第２の超伝導層１０６が、第１の超伝導層１０４の上面に（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。一部の実施形態では、そのような結合を容易にするために、真空を壊さずに第２の超伝導層１０６が第１の超伝導層１０４の上面に堆積され、それによって、第１の超伝導層１０４の酸化を防ぐことができる。例えば、第２の超伝導層１０６は、図１（Ａ）に示されているように、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着、または第２の超伝導層１０６を第１の超伝導層１０４の上に堆積するための別の手法、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない手法を採用することによって、第１の超伝導層１０４の上面に堆積され得る。一部の実施形態では、第２の超伝導層１０６は、第２の超伝導層１０６が例えば１ｎｍ～１００ｎｍの範囲内の厚さ（例えば、高さ）を有することができるように、（例えば、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着などによって）第１の超伝導層１０４の上に堆積され得る。

【0040】

一部の実施形態では、第２の超伝導層１０６は、超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる。例えば、第２の超伝導層１０６は、第１の超伝導層１０４を第３の超伝導層１０８に（例えば、電気的に、動作可能なように、などで）結合できる超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる。別の例では、第２の超伝導層１０６は、（例えば、図２（Ａ）～（Ｄ）を参照して下で説明されているように）第１の超伝導層１０４をはんだバンプ１２２に（例えば、電気的に、動作可能なように、などで）結合できる超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる。

【0041】

一部の実施形態では、第２の超伝導層１０６は、ワイヤ・ボンディング層を備えることができる。例えば、第２の超伝導層１０６は、第１の超伝導層１０４を第３の超伝導層１０８に（例えば、電気的に、動作可能なように、などで）結合できるワイヤ・ボンディング層を備えることができる。別の例では、第２の超伝導層１０６は、（例えば、図２（Ａ）～（Ｄ）を参照して下で説明されているように）第１の超伝導層１０４をはんだバンプ１２２に（例えば、電気的に、動作可能なように、などで）結合できるワイヤ・ボンディング層を備えることができる。

【0042】

一部の実施形態では、第２の超伝導層１０６は、酸化遮断層を備えることができる。例えば、第２の超伝導層１０６は、第１の超伝導層１０４の酸化を防ぐことができる酸化遮断層を備えることができる。

【0043】

複数の実施形態によれば、第３の超伝導層１０８は超伝導材料を含むことができる。例えば、第３の超伝導層１０８は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、または別の超伝導材料、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない超伝導材料を含むことができる。

【0044】

一部の実施形態では、第３の超伝導層１０８が第２の超伝導層１０６に結合され得る。例えば、第３の超伝導層１０８が、第２の超伝導層１０６の上面に（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。一部の実施形態では、そのような結合を容易にするために、第３の超伝導層１０８が第２の超伝導層１０６の上面に堆積され得る。例えば、第３の超伝導層１０８は、図１（Ａ）に示されているように、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着、または第３の超伝導層１０８を第２の超伝導層１０６の上に堆積するための別の手法、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない手法を採用することによって、第２の超伝導層１０６の上面に堆積され得る。一部の実施形態では、第３の超伝導層１０８は、第３の超伝導層１０８が例えば５ｎｍ～５００ｎｍの範囲内の厚さ（例えば、高さ）を有することができるように、（例えば、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着などによって）第２の超伝導層１０６の上に堆積され得る。

【0045】

一部の実施形態では、第３の超伝導層１０８は、超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる。例えば、第３の超伝導層１０８は、図１（Ｃ）および（Ｄ）を参照して下で説明されているように、第２の超伝導層１０６をはんだ拡散層１１０またははんだバンプ１２２あるいはその両方に（例えば、電気的に、動作可能なように、などで）結合できる超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる。一部の実施形態では、第３の超伝導層１０８は、接着層を備えることができる。例えば、第３の超伝導層１０８は、第２の超伝導層１０６とはんだ拡散層１１０との間の改善された接着を提供できる接着層を備えることができる。

【0046】

複数の実施形態によれば、はんだ拡散層１１０は、はんだと反応して金属間化合物層を形成できる材料を含むことができ、ここではんだ拡散層１１０は、はんだとの反応によって部分的に消費され得る（完全には消費されない）。例えば、はんだ拡散層１１０は、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、またははんだ（例えば、図１（Ｃ）を参照して下で説明されているような、はんだバンプ１２２）と反応して金属間化合物層（例えば、図１（Ｃ）を参照して下で説明されているような、金属間化合物層１２０）を形成できるが、はんだとの反応後に完全には消費されない（例えば、金属間化合物層１２０の形成後に、はんだ拡散層１１０の一部が図１（Ｃ）にまだ示されている）別の金属、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない材料を含むことができる。

【0047】

一部の実施形態では、はんだ拡散層１１０が第３の超伝導層１０８に結合され得る。例えば、はんだ拡散層１１０が、第３の超伝導層１０８の上面に（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。一部の実施形態では、そのような結合を容易にするために、はんだ拡散層１１０が第３の超伝導層１０８の上面に堆積され得る。例えば、はんだ拡散層１１０は、図１（Ａ）に示されているように、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着、またははんだ拡散層１１０を第３の超伝導層１０８の上に堆積するための別の手法、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない手法を採用することによって、第３の超伝導層１０８の上面に堆積され得る。一部の実施形態では、はんだ拡散層１１０は、はんだ拡散層１１０が例えば５ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内の厚さ（例えば、高さ）を有することができるように、（例えば、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着などによって）第３の超伝導層１０８の上に堆積され得る。

【0048】

一部の実施形態では、はんだ拡散層１１０は、酸化遮断層を備えることができる。例えば、はんだ拡散層１１０は、第３の超伝導層１０８の酸化を防ぐことができる酸化遮断層を備えることができる。一部の実施形態では、はんだ拡散層１１０は、はんだと反応して金属間化合物層を形成できる、はんだ濡れ層を備えることができる。例えば、はんだ拡散層１１０は、はんだ（例えば、図１（Ｃ）を参照して下で説明されているような、はんだバンプ１２２）と反応して金属間化合物層（例えば、図１（Ｃ）を参照して下で説明されているような、金属間化合物層１２０）を形成できる、はんだ濡れ層を備えることができる。

【0049】

複数の実施形態によれば、はんだ濡れ層１１２は、溶融はんだと反応してはんだに混入することができる、はんだ濡れ材料を含むことができる。一部の実施形態では、はんだ濡れ層１１２は、はんだに接触する前に酸化されるべきではない。例えば、はんだ濡れ層１１２は、金（Ａｕ）、または溶融はんだ（例えば、図１（Ｃ）を参照して下で説明されているような、はんだバンプ１２２）と反応してはんだに混入し、はんだバンプ１２２とはんだ拡散層１１０との間の金属間化合物層の形成を可能にすることができる別のはんだ濡れ材料、あるいはその両方を含むことができる（例えば、図１（Ｂ）のはんだ濡れ層１１２は、図１（Ｃ）に示されていない）。
一部の実施形態では、はんだ濡れ層１１２がはんだ拡散層１１０に結合され得る。例えば、はんだ濡れ層１１２が、はんだ拡散層１１０の上面に（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。一部の実施形態では、そのような結合を容易にするために、はんだ濡れ層１１２がはんだ拡散層１１０の上面に堆積され得る。例えば、はんだ濡れ層１１２は、図１（Ａ）に示されているように、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着、またははんだ濡れ層１１２をはんだ拡散層１１０の上に堆積するための別の手法、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない手法を採用することによって、はんだ拡散層１１０の上面に堆積され得る。一部の実施形態では、はんだ濡れ層１１２は、はんだ濡れ層１１２が例えば５ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内の厚さ（例えば、高さ）を有することができるように、（例えば、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着などによって）はんだ拡散層１１０の上に堆積され得る。

【0050】

一部の実施形態では、はんだ濡れ層１１２は、酸化遮断層を備えることができる。例えば、はんだ濡れ層１１２は、はんだ拡散層１１０の酸化を防ぐことができる酸化遮断層を備えることができる。

【0051】

図１（Ｂ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス１００Ｂの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。いくつかの実施形態によれば、デバイス１００Ｂは、１つまたは複数のチャネル１１４、フォトレジスト層１１６、開口部１１８、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ａ、あるいはその組合せを備えることができる。

【0052】

複数の実施形態によれば、デバイス１００Ａのはんだ濡れ層１１２およびはんだ拡散層１１０を通るチャネル１１４が形成されて、デバイス１００Ｂを形成することができる。例えば、（例えば、図１（Ｂ）に示されている実施形態に示されているように）第３の超伝導層１０８の上面が露出するように、はんだ濡れ層１１２およびはんだ拡散層１１０を通るチャネル１１４が形成され得る。一部の実施形態では、デバイス１００Ａ上の１つまたは複数のフォトレジスト手法、フォトマスキング手法、パターン形成手法、またはエッチング手法、あるいはその組合せを採用することによって、はんだ濡れ層１１２およびはんだ拡散層１１０を通るチャネル１１４が形成され得る。例えば、チャネル１１４の望ましい幾何学的パターン（例えば、チャネル１１４の２次元（２Ｄ：two-dimensional）形状）がはんだ濡れ層１１２の上面に重ね合わせられるように、フォトマスクまたはフォトレジストあるいはその両方をはんだ濡れ層１１２の上面に適用し、（例えば、図１（Ｂ）に示されている実施形態に示されているように）第３の超伝導層１０８の上面が露出するように、はんだ濡れ層１１２およびはんだ拡散層１１０内を通るチャネル１１４の望ましい幾何学的パターンを（例えば、ＲＩＥ、ドライ・エッチング、ウェット・エッチングなどによって）エッチングすることによって、はんだ濡れ層１１２およびはんだ拡散層１１０を通るチャネル１１４が形成され得る。

【0053】

一部の実施形態では、チャネル１１４は、さまざまな形状を備えることができる。例えば、チャネル１１４の形状は、図１（Ａ）～（Ｄ）のＸ軸およびＺ軸に沿って広がる２Ｄ平面内で定義することができ、この２Ｄ平面は、（例えば、図３（Ａ）～（Ｄ）に示されている実施形態例において提示されているような）デバイス１００Ｂの上面図において観察され得る。一部の実施形態では、このような方法で、輪、正方形、長方形、円形、六角形、八角形、ダイヤモンド、または図１（Ａ）～（Ｄ）のＸ軸およびＺ軸に沿って広がるそのような２Ｄ平面内で定義される別の形状、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない形状を形成するように、はんだ濡れ層１１２およびはんだ拡散層１１０を通るチャネル１１４がエッチングされ得る。

【0054】

複数の実施形態によれば、フォトレジスト層１１６は、さまざまな種類のフォトレジスト材料を含むことができる。例えば、フォトレジスト層１１６は、ドライ・フィルム・フォトレジスト、液体フォトレジスト、または別の種類のフォトレジスト、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されないフォトレジスト材料を含むことができる。

【0055】

一部の実施形態では、フォトレジスト層１１６が、基板１０２上に堆積されたさまざまな材料層（例えば、第１の超伝導層１０４、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、はんだ拡散層１１０、またははんだ濡れ層１１２、あるいはその組合せ）を取り囲む（例えば、囲む、包含する、などの）壁構造を形成できるように、フォトレジスト層１１６が基板１０２に適用され得る。一部の実施形態では、フォトレジスト層１１６が、基板１０２上に堆積されたさまざまな材料層および（例えば、図１（Ｂ）に示されている実施形態に示されているような）開口部１１８を取り囲む壁構造を形成できるように、フォトレジスト層１１６が基板１０２に適用され得る。一部の実施形態では、フォトレジスト層１１６が例えば１０μｍ～２００μｍの範囲内の厚さ（例えば、高さ）を有することができるように、フォトレジスト層１１６が基板１０２に適用され得る。

【0056】

複数の実施形態によれば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ａは、デバイス１００Ｂの１つまたは複数の材料層を備えることができる。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ａは、第３の超伝導層１０８、はんだ拡散層１１０、またははんだ濡れ層１１２、あるいはその組合せを備えることができる。

【0057】

図１（Ｃ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス１００Ｃの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。いくつかの実施形態によれば、デバイス１００Ｃは、１つもしくは複数の金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂ、あるいはその組合せを備えることができる。

【0058】

複数の実施形態によれば、例えば射出成形はんだ（ＩＭＳ：injection molded solder）などの溶融はんだが、デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内に射出されて、デバイス１００Ｃを形成することができる。例えば、そのようなＩＭＳをデバイス１００Ｂの開口部１１８に射出して、（例えば、図１（Ｂ）および（Ｃ）に示されている実施形態に示されているような）フォトレジスト層１１６によって囲まれた体積を満たすことができる充填ヘッド・デバイス（図１（Ａ）～（Ｄ）に示されていない）を採用することによって、射出成形はんだ（ＩＭＳ）がデバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内に射出され得る。一部の実施形態では、ＩＭＳは、さまざまな種類のはんだ材料を含むことができる。例えば、ＩＭＳは、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、鉛スズ（ＰｂＳｎ）、インジウム・ビスマス・スズ合金（ＩｎＢｉＳｎ）、インジウム・スズ合金（ＩｎＳｎ）、または別の材料、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されないはんだ材料を含むことができる。一部の実施形態では、ＩＭＳは、極低温に相当するはんだを含むことができる。

【0059】

一部の実施形態では、（例えば、前述したような）デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内への溶融はんだ（例えば、ＩＭＳ）の射出は、金属間化合物層１２０の形成を容易にすることができる。例えば、はんだ濡れ層１１２およびはんだ拡散層１１０がＩＭＳと反応し、金属間化合物層１２０の形成を容易にすることができる。例えば、はんだ濡れ層１１２は、ＩＭＳ内に拡散できる金（Ａｕ）を含むことができ、はんだ拡散層１１０は、プラチナ（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、または例えばＩＭＳのインジウム（Ｉｎ）と反応して金属間化合物層１２０の形成を容易にすることができる別の材料、あるいはその組合せを含むことができる。

【0060】

一部の実施形態では、（例えば、前述したように）デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内に射出され得る溶融はんだ（例えば、ＩＭＳ）によって、はんだ濡れ層１１２を完全に消費することができ、それによって、金属間化合物層１２０の形成を容易にすることができる。例えば、はんだ濡れ層１１２のすべての材料（例えば、Ａｕ）がＩＭＳ内に拡散し、金属間化合物層１２０の形成を容易にすることができる。一部の実施形態では、（例えば、前述したように）デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内に射出され得る溶融はんだ（例えば、ＩＭＳ）によって、はんだ拡散層１１０を部分的に消費することができ、それによって、金属間化合物層１２０の形成をさらに容易にすることができる。例えば、はんだ拡散層１１０の材料（例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉなど）の一部がＩＭＳ（例えば、ＩＭＳ内のインジウム（Ｉｎ））と反応し、金属間化合物層１２０の形成を容易にすることができる。一部の実施形態では、したがって、（例えば、前述したような）デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内へのＩＭＳの射出に基づいて、金属間化合物層１２０は、例えばＩＭＳ、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、または（例えば、下で説明されているように）ＩＭＳから形成できるはんだバンプ１２２、あるいはその組合せの材料を含むことができる。

【0061】

一部の実施形態では、（例えば、前述したような）デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内への溶融はんだ（例えば、ＩＭＳ）の射出は、はんだバンプ１２２の形成を容易にすることができる。例えば、デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内に射出されたＩＭＳは、図１（Ｃ）に示されているように固まることができ、それによって、ＩＭＳの表面張力に起因するはんだバンプ１２２の形成を容易にする。

【0062】

一部の実施形態では、（例えば、前述したような）デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内への溶融はんだ（例えば、ＩＭＳ）の射出は、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂの形成を容易にすることができる。例えば、デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内に射出されたＩＭＳは、（例えば、前述したような）金属間化合物層１２０の形成を容易にすることができる。この例では、金属間化合物層１２０のそのような形成に基づいて、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂが、第３の超伝導層１０８、はんだ拡散層１１０、または金属間化合物層１２０、あるいはその組合せを備えることができるため、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂの形成が完了することができる。

【0063】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂは、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを含むことができる。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂは、機械的相互接続コンポーネント（例えば、下で説明されているような、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、または金属間化合物層１２０）および（例えば、下で説明されているように、はんだバンプ１２２による第３の超伝導層１０８の密封によって）密封された超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを含むことができる。

【0064】

一部の実施形態では、金属間化合物層１２０は、はんだバンプ１２２をデバイス１００Ｃの１つまたは複数のコンポーネントに機械的に結合することができる機械的相互接続コンポーネントを構成することができる。例えば、金属間化合物層１２０は、はんだバンプ１２２を、第３の超伝導層１０８、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂ、あるいはその組合せに、機械的に結合することができる。そのような機械的結合が、デバイス１００Ｃ（またはデバイス１００Ｄあるいはその両方）の機械的完全性の改善を容易にすることができ、このことが、従来技術を上回る本開示の利点になり得ることが、理解されるべきである。そのような機械的結合が、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂへのはんだバンプ１２２の機械的接続の強度の改善を容易にすることができ、それによって、そのようなコンポーネントの電気的結合の改善（例えば、電気接続の一貫性の改善）を容易にし、このことが、従来技術を上回る本開示の利点になり得ることも、理解されるべきである。

【0065】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂは、密封された超伝導相互接続コンポーネントを備えることができる。例えば、（例えば、前述したような）デバイス１００Ｂ上およびチャネル１１４内へのＩＭＳの射出に基づいて、チャネル１１４を満たすＩＭＳは、第３の超伝導層１０８の上面を密封することができ、これが、それによって、（例えば、はんだバンプ１２２によって密封された）密封された超伝導相互接続コンポーネントを構成することができる。そのような密封が、第３の超伝導層１０８とはんだバンプ１２２との間の酸化物形成（例えば、酸化）を防ぐことができ、それによって、そのようなコンポーネントの電気的結合の改善を促進し、このことが、従来技術を上回る本開示の利点になり得ることが、理解されるべきである。

【0066】

図１（Ｄ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス１００Ｄの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0067】

複数の実施形態によれば、デバイス１００Ｄは、フォトレジスト層１１６がないデバイス１００Ｃを含むことができる。例えば、（例えば、前述したような）金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂ、あるいはその組合せの形成を容易にするＩＭＳの固化に基づいて、（例えば、ＲＩＥ、ドライ・エッチング、ウェット・エッチングなどによって）フォトレジスト層１１６がデバイス１００Ｃからはぎ取られて、デバイス１００Ｄを形成することができる。

【0068】

図２（Ａ）～（Ｄ）は、本明細書に記載されたか、または図に示されたか、あるいはその両方である本開示の１つまたは複数の実施形態を製造するために実施され得る、例示的非限定的、複数のステップの製造シーケンスを示している。例えば、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、図２（Ａ）～（Ｄ）に示されている非限定的な複数のステップの製造シーケンスは、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂを備えることができるデバイス２００Ｄ（図２（Ｄ）に示されている）を製造するために実施され得る。

【0069】

複数の実施形態によれば、図２（Ａ）～（Ｄ）に示されている例示的な非限定的、複数のステップの製造シーケンスは、図１（Ａ）～（Ｄ）を参照して上で説明された製造シーケンスの代替の例示的製造シーケンスを含むことができる。例えば、図２（Ａ）～（Ｄ）に示されている製造シーケンスは、（例えば、下で説明されているような）デバイス１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、または１００Ｄ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を製造するために実施され得る。

【0070】

図２（Ａ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス２００Ａの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0071】

いくつかの実施形態によれば、デバイス２００Ａは、デバイス１００Ａの代替の実施形態例を含むことができ、ここでデバイス２００Ａは、はんだ濡れ層１１２を備えていない。追加的または代替的に、一部の実施形態では、デバイス１００Ａを製造するために実施され得る図１（Ａ）を参照して上で説明された製造シーケンスが、デバイス２００Ａを製造するためにも実施することができ、ここではんだ濡れ層１１２の堆積がそのような製造シーケンスから省略されて、デバイス２００Ａを形成することができる。

【0072】

図２（Ｂ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス２００Ｂの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0073】

いくつかの実施形態によれば、デバイス２００Ｂは、図１（Ｂ）を参照して上で説明されたデバイス１００Ｂの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、デバイス２００Ｂは、１つまたは複数のチャネル２０２を備えることができる。一部の実施形態では、デバイス２００Ｂは、（例えば、図２（Ｂ）に示されている実施形態に示されているように）はんだ拡散層１１０および第２の超伝導層１０６の上に堆積されたはんだ濡れ層１１２を備えることができる。一部の実施形態では、デバイス２００Ｂはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａを備えることができ、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａは、図１（Ｂ）のアンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ａの代替の実施形態例を含むことができる。

【0074】

複数の実施形態によれば、チャネル２０２は、デバイス１００Ｂおよび図１（Ｂ）を参照して上で説明されたチャネル１１４の代替の実施形態例を含むことができ、ここで第２の超伝導層１０６の上面を露出するように、デバイス２００Ａのはんだ拡散層１１０および第３の超伝導層１０８を通るチャネル２０２が形成され得る。例えば、チャネル２０２の望ましい幾何学的パターン（例えば、チャネル２０２の２次元（２Ｄ）形状）がはんだ拡散層１１０の上面に重ね合わせられるように、フォトマスクまたはフォトレジストあるいはその両方をはんだ拡散層１１０の上面に適用し、第２の超伝導層１０６の上面が露出するように、はんだ拡散層１１０および第３の超伝導層１０８内を通るチャネル２０２の望ましい幾何学的パターンを（例えば、ＲＩＥ、ドライ・エッチング、ウェット・エッチングなどによって）エッチングすることによって、はんだ拡散層１１０および第３の超伝導層１０８を通るチャネル２０２が形成され得る。一部の実施形態では、チャネル２０２の形成に基づいて、はんだ拡散層１１０の上面および第２の超伝導層１０６の上面に、はんだ濡れ層１１２が堆積され得る。例えば、チャネル２０２の形成に基づいて、はんだ濡れ層１１２は、図２（Ｂ）に示されているように、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着、またははんだ濡れ層１１２をはんだ拡散層１１０および第２の超伝導層１０６の上に堆積するための別の手法、あるいはその組合せを含むが、これらに限定されない手法を採用することによって、はんだ拡散層１１０の上面および第２の超伝導層１０６の上面に堆積され得る。一部の実施形態では、はんだ濡れ層１１２は、はんだ濡れ層１１２が例えば５ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内の厚さ（例えば、高さ）を有することができるように、（例えば、ＰＶＤ、スパッタリング、蒸着などによって）はんだ拡散層１１０および第２の超伝導層１０６の上に堆積され得る。

【0075】

一部の実施形態では、はんだ濡れ層１１２は、酸化遮断層を備えることができる。例えば、はんだ濡れ層１１２は、はんだ拡散層１１０または第２の超伝導層１０６あるいはその両方の酸化を防ぐことができる酸化遮断層を備えることができる。

【0076】

図２（Ｃ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス２００Ｃの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0077】

いくつかの実施形態によれば、デバイス２００Ｃはデバイス１００Ｃの代替の実施形態例を含むことができ、ここでデバイス２００Ｃは、図１（Ｃ）のアンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂの代替の実施形態例を含むことができるアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂを備えている。追加的または代替的に、一部の実施形態では、デバイス１００Ｃを製造するために実施され得る図１（Ｃ）を参照して上で説明された製造シーケンスが、デバイス２００Ｃを製造するためにも実施され得る。例えば、溶融はんだ（例えば、ＩＭＳ）がデバイス２００Ｂの上およびチャネル２０２内に射出されて、デバイス２００Ｃの金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂ、あるいはその組合せの形成を容易にすることができる。

【0078】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂの金属間化合物層１２０は、はんだバンプ１２２を、例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂ、あるいはその組合せに機械的に結合することができる、機械的相互接続コンポーネントを構成することができる。一部の実施形態では、（例えば、前述したような）デバイス２００Ｂ上およびチャネル２０２内へのＩＭＳの射出に基づいて、チャネル２０２を満たすＩＭＳは、第３の超伝導層１０８の１つまたは複数の側面および第２の超伝導層１０６の上面を密封することができ、これらが、それによって、（例えば、はんだバンプ１２２によって密封された）密封された超伝導相互接続コンポーネントを構成することができる。

【0079】

図２（Ｄ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス２００Ｄの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0080】

複数の実施形態によれば、デバイス２００Ｄは、フォトレジスト層１１６がないデバイス２００Ｃを含むことができる。例えば、（例えば、前述したような）金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂ、あるいはその組合せの形成を容易にするＩＭＳの固化に基づいて、（例えば、ＲＩＥ、ドライ・エッチング、ウェット・エッチングなどによって）フォトレジスト層１１６がデバイス２００Ｃからはぎ取られて、デバイス２００Ｄを形成することができる。

【0081】

図３（Ａ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス３００Ａの上面図を示している。複数の実施形態によれば、デバイス３００Ａは、それぞれ、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂおよび図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂを含むことができ、ここで明確にするために、図３（Ａ）ではフォトレジスト層１１６が示されていない。図３（Ａ）では、破線３０４は、デバイス３００Ａに対してデバイス１００Ａおよびデバイス１００Ｂの側面断面図が現れる位置を示している。

【0082】

本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0083】

複数の実施形態によれば、デバイス３００Ａは、第３の超伝導層１０８またははんだ濡れ層１１２を含むことができる、層３０２を備えることができる。例えば、デバイス３００Ａは図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂを含むことができ、そのような実施形態では、層３０２は第３の超伝導層１０８を含むことができる。別の例では、デバイス３００Ａは図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂを含むことができ、そのような実施形態では、層３０２ははんだ濡れ層１１２を含むことができる。

【0084】

図３（Ｂ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス３００Ｂの上面図を示している。複数の実施形態によれば、デバイス３００Ｂは、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂ、図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂ、または図３（Ａ）のデバイス３００Ａ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を含むことができる。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0085】

図３（Ｃ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス３００Ｃの上面図を示している。複数の実施形態によれば、デバイス３００Ｃは、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂ、図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂ、または図３（Ａ）のデバイス３００Ａ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を含むことができる。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0086】

図３（Ｄ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス３００Ｄの上面図を示している。複数の実施形態によれば、デバイス３００Ｄは、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂ、図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂ、または図３（Ａ）のデバイス３００Ａ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を含むことができる。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0087】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方は、さまざまな技術に関連するハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネント、デバイス、システム、またはプロセス、あるいはその組合せを含むことができる。例えば、量子ビット（quantum bit）（キュービット（qubit））技術、量子回路技術、超伝導回路技術、回路量子電気力学（ｃＱＥＤ：circuit quantum electrodynamics）技術、量子コンピューティング技術、量子プロセッサ技術、超伝導体デバイス製造技術、半導体デバイス製造技術、フリップ・チップ・デバイス技術、半導体デバイス実装技術、超伝導体デバイス実装技術、量子ハードウェア技術、またはその他の技術、あるいはその組合せに関連することができる。

【0088】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方は、前に列挙したさまざまな技術に関連するシステム、デバイス、コンポーネント、動作可能なステップ、または処理ステップ、あるいはその組合せに対する技術的改良を提供することができる。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方は、密封された超伝導相互接続（例えば、はんだバンプ１２２によって密封された第２の超伝導層１０６または第３の超伝導層１０８あるいはその両方）を提供することができ、密封された超伝導相互接続は、そのような密封された超伝導相互接続に結合されたコンポーネント間（例えば、第２の超伝導層１０６または第３の超伝導層１０８あるいはその両方とはんだバンプ１２２との間）の酸化物形成（例えば、酸化）を防ぐことができ、それによって、そのようなコンポーネントの電気的結合の改善を容易にする。別の例では、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方は、（例えば、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、または金属間化合物層１２０、あるいはその組合せによって）はんだバンプ１２２とのアンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方の改善された機械的結合を提供することができる。この例では、そのような改善された機械的結合は、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方を備えているフリップ・チップ・デバイス（例えば、量子ビット（quantum bit）（キュービット（qubit））チップ、量子ハードウェア、超伝導量子プロセッサ、量子コンピューティング・デバイスなど）の機械的完全性の改善を容易にすることができる。

【0089】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方は、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方に関連する処理ユニットに対する技術的改良を提供することができる。例えば、（例えば、前述したような）アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方によって提供される改善された電気的結合および機械的結合は、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方に関連する処理ユニット（例えば、量子プロセッサ）の処理ワークロードを実行するために必要な電気接続性の改善を容易にすることができる。この例では、そのような改善された電気接続性は、所定の処理ワークロードを完了するために必要な処理サイクルをより少なくすることを容易にすることができ、それによって、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方を備えている処理ユニット（例えば、超伝導量子プロセッサ）の処理効率または処理性能あるいはその両方の改善を容易にし、それによって、そのような処理ユニットによる電力消費量を削減することができる。

【0090】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方は、抽象的ではない、人間による一連の精神的活動として実行され得ない本質的に高度に技術的な問題を解決するためのハードウェアまたはソフトウェアあるいはその両方を採用することができる。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方は、量子力学的現象に基づいて情報を処理するか、または計算を実行するか、あるいはその両方を実行できる量子コンピューティング・デバイスを実装するために使用されるフリップ・チップ・デバイスにおいて採用され得る超伝導相互接続の密封を容易にすることができる。

【0091】

アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方が、人間の知性において再現されることも、人間によって実行されることもできない電気的コンポーネント、機械的コンポーネント、および回路（例えば、超伝導量子回路）のさまざまな組合せを利用する超伝導相互接続プロセスを容易にすることができるということが、理解されるべきである。例えば、量子コンピューティング・デバイス（例えば、量子プロセッサ、量子コンピュータなど）の動作を可能にすることができる超伝導相互接続を容易にすることは、人間の知性の能力を越える動作である。例えば、特定の期間にわたってアンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方によって処理されるデータの量、そのようなデータの処理速度、または処理されるデータの型、あるいはその組合せは、同じ期間にわたって人間の知性によって処理され得る量よりも多く、速度よりも速く、またはデータ型とは異なるデータであり、あるいはその組合せであることができる。

【0092】

いくつかの実施形態によれば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方は、上で参照された超伝導相互接続プロセスも実行しながら、１つまたは複数の他の機能を実行することに向けて完全に動作可能であることもできる（例えば、完全に電源が投入される、完全に実行されるなど）。そのような同時の複数の動作の実行が、人間の知性の能力を越えているということも、理解されるべきである。アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方が、人間のユーザなどの実体によって手動で取得することが不可能な情報を含むことができるということも、理解されるべきである。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方に含まれる情報の種類、量、または多様性、あるいはその組合せは、人間のユーザによって手動で取得される情報よりも複雑になることができる。

【0093】

図４（Ａ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス４００Ａの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0094】

複数の実施形態によれば、デバイス４００Ａは、デバイス４０６および図２（Ｄ）のデバイス２００Ｄを含むことができる。一部の実施形態では、デバイス４０６は、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂ、図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂ、または図３（Ａ）のデバイス３００Ａ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、デバイス４０６は、基板１０２を含むことができる基板４０２を備えることができる。一部の実施形態では、基板４０２は量子ビット（quantum bit）（キュービット（qubit））チップを含むことができる。

【0095】

一部の実施形態では、デバイス４０６はアンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ａを備えることができ、アンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ａは、図２（Ｂ）を参照して上で説明されたデバイス２００Ｂのアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ａは、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂへのアンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ａのそのような結合を容易にするために、デバイス４０６がデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合されて、（例えば、図４（Ｂ）を参照して下で説明されているように）デバイス４００Ｂを形成することができる。

【0096】

図４（Ｂ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス４００Ｂの側面断面図を示している。

【0097】

本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。複数の実施形態によれば、デバイス４００Ｂはアンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ｂを備えることができ、アンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ｂは、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂの代替の実施形態例を含むことができる。

【0098】

複数の実施形態によれば、デバイス４００Ｂは、デバイス４０６をデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合することによって形成され得る。例えば、デバイス４０６はデバイス２００Ｄに、リフローはんだ付け手法を採用することによって（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。例えば、はんだバンプ１２２が固体状態から液体状態または半液体状態あるいはその両方（例えば、はんだリフロー状態）に変化するように、熱源（図４（Ａ）および（Ｂ）には示されていない）によってデバイス２００Ｄのはんだバンプ１２２に熱を加えることができる。この例では、そのようなリフローはんだ付け手法を実施することに基づいて、デバイス４０６のアンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ａがはんだバンプ１２２に挿入され、それによって、アンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ｂおよびデバイス４００Ｂの形成を容易にすることができる。この例では、リフローはんだ付け手法を実施すること、およびアンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ａをはんだバンプ１２２に挿入することによって、図４（Ｂ）に示されている実施形態に示されているようなアンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ｂの金属間化合物層１２０の形成を容易にすることができる。

【0099】

一部の実施形態では、デバイス４００Ｂは、フリップ・チップ・デバイスを含むことができる。例えば、デバイス４００Ｂは、１つもしくは複数の密封された超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、はんだバンプ１２２など）または１つもしくは複数の機械的相互接続コンポーネント（例えば、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２など）あるいはその両方を備えているフリップ・チップ・デバイスを含むことができる。

【0100】

図５（Ａ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス５００Ａの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0101】

複数の実施形態によれば、デバイス５００Ａは、デバイス５０２および図２（Ｄ）のデバイス２００Ｄを含むことができる。一部の実施形態では、デバイス５０２は、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂ、図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂ、または図３（Ａ）のデバイス３００Ａ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、デバイス５０２はアンダーバンプ金属化コンポーネント５０４を備えることができ、アンダーバンプ金属化コンポーネント５０４は、図２（Ｂ）を参照して上で説明されたデバイス２００Ｂのアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント５０４は、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂへのアンダーバンプ金属化コンポーネント５０４のそのような結合を容易にするために、デバイス５０２がデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合されて、（例えば、図５（Ｂ）を参照して下で説明されているように）デバイス５００Ｂを形成することができる。

【0102】

図５（Ｂ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス５００Ｂの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0103】

複数の実施形態によれば、デバイス５００Ｂは、デバイス５０２をデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合することによって形成され得る。例えば、デバイス５０２はデバイス２００Ｄに、冷間溶接手法（接触溶接とも呼ばれる）を採用することによって（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。この例では、そのような冷間溶接手法の実施に基づいて、デバイス５０２のアンダーバンプ金属化コンポーネント５０４がはんだバンプ１２２に挿入されて結合され、それによって、デバイス５００Ｂの形成およびアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａへのアンダーバンプ金属化コンポーネント５０４の（例えば、電気的な、機械的な、動作可能な、化学的な、などの）結合を容易にすることができる。

【0104】

一部の実施形態では、デバイス５００Ｂは、フリップ・チップ・デバイスを含むことができる。例えば、デバイス５００Ｂは、１つもしくは複数の密封された超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、はんだバンプ１２２など）または１つもしくは複数の機械的相互接続コンポーネント（例えば、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２など）あるいはその両方を備えているフリップ・チップ・デバイスを含むことができる。

【0105】

図５（Ｃ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス５００Ｃの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0106】

複数の実施形態によれば、デバイス５００Ｃは、デバイス５０６および図２（Ｄ）のデバイス２００Ｄを含むことができる。一部の実施形態では、デバイス５０６は、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂ、図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂ、または図３（Ａ）のデバイス３００Ａ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、デバイス５０６はアンダーバンプ金属化コンポーネント５０８を備えることができ、アンダーバンプ金属化コンポーネント５０８は、図２（Ｂ）を参照して上で説明されたデバイス２００Ｂのアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント５０８は、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂへのアンダーバンプ金属化コンポーネント５０８のそのような結合を容易にするために、デバイス５０６がデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合されて、（例えば、図５（Ｄ）を参照して下で説明されているように）デバイス５００Ｄを形成することができる。

【0107】

図５（Ｄ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス５００Ｄの側面断面図を示している。

【0108】

本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0109】

複数の実施形態によれば、デバイス５００Ｄは、デバイス５０６をデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合することによって形成され得る。例えば、デバイス５０６はデバイス２００Ｄに、冷間溶接手法（接触溶接とも呼ばれる）を採用することによって（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。この例では、そのような冷間溶接手法の実施に基づいて、デバイス５０６のアンダーバンプ金属化コンポーネント５０８がはんだバンプ１２２に挿入されて結合され、それによって、デバイス５００Ｄの形成およびアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａへのアンダーバンプ金属化コンポーネント５０８の（例えば、電気的な、機械的な、動作可能な、化学的な、などの）結合を容易にすることができる。

【0110】

一部の実施形態では、デバイス５００Ｄは、フリップ・チップ・デバイスを含むことができる。例えば、デバイス５００Ｄは、１つもしくは複数の密封された超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、はんだバンプ１２２など）または１つもしくは複数の機械的相互接続コンポーネント（例えば、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２など）あるいはその両方を備えているフリップ・チップ・デバイスを含むことができる。

【0111】

図６（Ａ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス６００Ａの側面断面図を示している。

【0112】

本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0113】

複数の実施形態によれば、デバイス６００Ａは、デバイス６０２および図２（Ｄ）のデバイス２００Ｄを含むことができる。一部の実施形態では、デバイス６０２は、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂ、図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂ、または図３（Ａ）のデバイス３００Ａ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、デバイス６０２はアンダーバンプ金属化コンポーネント６０４を備えることができ、アンダーバンプ金属化コンポーネント６０４は、図２（Ｂ）を参照して上で説明されたデバイス２００Ｂのアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、デバイス６０２またはアンダーバンプ金属化コンポーネント６０４あるいはその両方は、スタッド・バンプ６０６を備えることができる。

【0114】

複数の実施形態によれば、スタッド・バンプ６０６は導電材料を含むことができる。例えば、スタッド・バンプ６０６は金（Ａｕ）または別の導電材料あるいはその両方を含むことができる。一部の実施形態では、スタッド・バンプ６０６は、例えば、ワイヤ・ボンダを使用する改良されたワイヤ・ボンディング・プロセスまたはスタッド・バンピング・プロセス（スタッド・バンプ・ボンディングとも呼ばれる）を採用することによって、はんだ濡れ層１１２上に形成され得る。

【0115】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント６０４は、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂへのアンダーバンプ金属化コンポーネント６０４のそのような結合を容易にするために、デバイス６０２がデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合されて、（例えば、図６（Ｂ）を参照して下で説明されているように）デバイス６００Ｂを形成することができる。

【0116】

図６（Ｂ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス６００Ｂの側面断面図を示している。

【0117】

本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0118】

複数の実施形態によれば、デバイス６００Ｂは、デバイス６０２をデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合することによって形成され得る。例えば、デバイス６０２はデバイス２００Ｄに、冷間溶接手法（接触溶接とも呼ばれる）を採用することによって（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。この例では、そのような冷間溶接手法の実施に基づいて、デバイス６０２のアンダーバンプ金属化コンポーネント６０４がはんだバンプ１２２に挿入されて結合され、それによって、デバイス６００Ｂの形成およびアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａへのアンダーバンプ金属化コンポーネント６０４の（例えば、電気的な、機械的な、動作可能な、化学的な、などの）結合を容易にすることができる。スタッド・バンプ６０６が、デバイス２００Ｄへのデバイス６０２の冷間溶接中に絶縁体として機能することができ、デバイス２００Ｄへのデバイス６０２の機械的結合の改善をさらに容易にし得るということが、理解されるべきである。

【0119】

一部の実施形態では、デバイス６００Ｂは、フリップ・チップ・デバイスを含むことができる。例えば、デバイス６００Ｂは、１つもしくは複数の密封された超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、はんだバンプ１２２など）または１つもしくは複数の機械的相互接続コンポーネント（例えば、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２、スタッド・バンプ６０６など）あるいはその両方を備えているフリップ・チップ・デバイスを含むことができる。

【0120】

図７（Ａ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス７００Ａの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0121】

複数の実施形態によれば、デバイス７００Ａは、デバイス７０２および図２（Ｄ）のデバイス２００Ｄを含むことができる。一部の実施形態では、デバイス７０２は、図１（Ｂ）のデバイス１００Ｂ、図２（Ｂ）のデバイス２００Ｂ、または図３（Ａ）のデバイス３００Ａ、あるいはその組合せの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、デバイス７０２はアンダーバンプ金属化コンポーネント７０４を備えることができ、アンダーバンプ金属化コンポーネント７０４は、図２（Ｂ）を参照して上で説明されたデバイス２００Ｂのアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａの代替の実施形態例を含むことができる。一部の実施形態では、デバイス７０２またはアンダーバンプ金属化コンポーネント７０４あるいはその両方は、めっきされた台または柱７０６を備えることができる。

【0122】

複数の実施形態によれば、めっきされた台または柱７０６は導電材料を含むことができる。例えば、めっきされた台または柱７０６は銅（Ｃｕ）または別の導電材料あるいはその両方を含むことができる。一部の実施形態では、めっきされた台または柱７０６は、例えば電気めっきプロセスを採用することによって、はんだ濡れ層１１２上に形成され得る。

【0123】

一部の実施形態では、アンダーバンプ金属化コンポーネント７０４は、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂへのアンダーバンプ金属化コンポーネント７０４のそのような結合を容易にするために、デバイス７０２がデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合されて、（例えば、図７（Ｂ）を参照して下で説明されているように）デバイス７００Ｂを形成することができる。

【0124】

図７（Ｂ）は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントを容易にする例示的非限定的デバイス７００Ｂの側面断面図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0125】

複数の実施形態によれば、デバイス７００Ｂは、デバイス７０２をデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合することによって形成され得る。例えば、デバイス７０２は、冷間溶接手法（接触溶接とも呼ばれる）を採用することによってデバイス２００Ｄに（例えば、電気的に、機械的に、動作可能なように、化学的に、など）結合され得る。この例では、そのような冷間溶接手法の実施に基づいて、デバイス７０２のアンダーバンプ金属化コンポーネント７０４がはんだバンプ１２２に挿入されて結合され、それによって、デバイス７００Ｂの形成およびアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａへのアンダーバンプ金属化コンポーネント７０４の（例えば、電気的な、機械的な、動作可能な、化学的な、などの）結合を容易にすることができる。めっきされた台または柱７０６が、デバイス２００Ｄへのデバイス７０２の冷間溶接中に絶縁体として機能することができ、デバイス２００Ｄへのデバイス７０２の機械的結合の改善をさらに容易にし得るということが、理解されるべきである。

【0126】

一部の実施形態では、デバイス７００Ｂは、フリップ・チップ・デバイスを含むことができる。例えば、デバイス７００Ｂは、１つもしくは複数の密封された超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、はんだバンプ１２２など）または１つもしくは複数の機械的相互接続コンポーネント（例えば、はんだ拡散層１１０、はんだ濡れ層１１２、金属間化合物層１２０、はんだバンプ１２２、めっきされた台または柱７０６など）あるいはその両方を備えているフリップ・チップ・デバイスを含むことができる。図８は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントの実装を容易にする例示的非限定的方法８００のフロー図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0127】

一部の実施形態では、方法８００は、コンピューティング・システム（例えば、図１０に示されており、下で説明される動作環境１０００）またはコンピューティング・デバイス（例えば、図１０に示されており、下で説明されるコンピュータ１０１２）あるいはその両方によって実施され得る。非限定的な実施形態例では、そのようなコンピューティング・システム（例えば、動作環境１０００）またはそのようなコンピューティング・デバイス（例えば、コンピュータ１０１２）あるいはその両方は、１つまたは複数のプロセッサと、実行可能な命令を格納することができる１つまたは複数のメモリ・デバイスとを備えることができ、これらの命令は、１つまたは複数のプロセッサによって実行されたときに、図８に示されている方法８００の非限定的な動作を含む、本明細書に記載された動作の実行を容易にすることができる。非限定的な例として、１つまたは複数のプロセッサは、半導体製造を実行するよう機能し得る１つもしくは複数のシステムまたは機器あるいはその両方を管理または制御することによって、本明細書に記載された動作（例えば、方法８００）の実行を容易にすることができる。

【0128】

８０２では、アンダーバンプ金属化コンポーネント（例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ａ、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂ、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａ、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂ、あるいはその組合せ）上に、（例えば、コンピュータ１０１２によって）はんだ（例えば、射出溶融はんだ（ＩＭＳ：injection molten solder）またははんだバンプ１２２あるいはその両方）を堆積する。

【0129】

８０４では、この堆積に基づいて、アンダーバンプ金属化コンポーネント上に、（例えば、コンピュータ１０１２によって）超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、またははんだバンプ１２２、あるいはその組合せ）および金属間化合物層（例えば、金属間化合物層１２０）を形成する。

【0130】

一部の実施形態では、そのような動作８０２の堆積および動作８０４の形成は、図１（Ａ）～（Ｄ）または図２（Ａ）～（Ｄ）あるいはその両方を参照して上で説明された１つまたは複数の集積回路製造手法を採用することによって（例えば、コンピュータ１０１２によって）実行され得る。そのような動作８０２の堆積および動作８０４の形成が、超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８など）と別の導電性コンポーネント（例えば、はんだバンプ１２２）との間の酸化物形成（例えば、酸化）を防ぐことができる（例えば、はんだバンプ１２２による）超伝導相互接続コンポーネントの密封を容易にすることができ、それによって、そのようなコンポーネントの電気的結合の改善を容易にするということが、理解されるべきである。そのような動作８０２の堆積および動作８０４の形成が、アンダーバンプ金属化コンポーネント（例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ａ、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂ、アンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ａ、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂ、あるいはその組合せ）の機械的完全性の改善およびはんだバンプ１２２へのアンダーバンプ金属化コンポーネントの機械的接続の強度の改善を容易にし得るということも、理解されるべきである。前述したそのような密封、改善された電気的結合、改善された機械的完全性、および改善された機械的相互接続が、従来技術を上回る本開示の利点になり得るということが、さらに理解されるべきである。

【0131】

図９は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態に従って、ハイブリッド・アンダーバンプ金属化コンポーネントの実装を容易にする例示的非限定的方法９００のフロー図を示している。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0132】

一部の実施形態では、方法９００は、コンピューティング・システム（例えば、図１０に示されており、下で説明される動作環境１０００）またはコンピューティング・デバイス（例えば、図１０に示されており、下で説明されるコンピュータ１０１２）あるいはその両方によって実施され得る。非限定的な実施形態例では、そのようなコンピューティング・システム（例えば、動作環境１０００）またはそのようなコンピューティング・デバイス（例えば、コンピュータ１０１２）あるいはその両方は、１つまたは複数のプロセッサと、実行可能な命令を格納することができる１つまたは複数のメモリ・デバイスとを備えることができ、これらの命令は、１つまたは複数のプロセッサによって実行されたときに、図９に示されている方法９００の非限定的な動作を含む、本明細書に記載された動作の実行を容易にすることができる。非限定的な一例として、１つまたは複数のプロセッサは、半導体製造を実行するよう機能し得る１つもしくは複数のシステムまたは機器あるいはその両方を管理または制御することによって、本明細書に記載された動作（例えば、方法９００）の実行を容易にすることができる。

【0133】

９０２では、（例えば、コンピュータ１０１２によって）第１のアンダーバンプ金属化コンポーネント（例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ａ、アンダーバンプ金属化コンポーネント４０４Ｂ、アンダーバンプ金属化コンポーネント５０４、アンダーバンプ金属化コンポーネント５０８、アンダーバンプ金属化コンポーネント６０４、またはアンダーバンプ金属化コンポーネント７０４、あるいはその組合せ）を超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８、またははんだバンプ１２２、あるいはその組合せ）および金属間化合物層（例えば、金属間化合物層１２０）を備えている第２のアンダーバンプ金属化コンポーネント（例えば、アンダーバンプ金属化コンポーネント１２４Ｂまたはアンダーバンプ金属化コンポーネント２０４Ｂあるいはその両方）に結合する。

【0134】

９０４では、この結合に基づいて、第１のアンダーバンプ金属化コンポーネント上に、（例えば、コンピュータ１０１２によって）密封された超伝導相互接続コンポーネント（例えば、はんだバンプ１２２によって密封された第２の超伝導層１０６または第３の超伝導層１０８あるいはその両方）を形成する。

【0135】

一部の実施形態では、そのような動作９０２の結合および動作９０４の形成は、図４（Ａ）および（Ｂ）、図５（Ａ）～（Ｄ）、図６（Ａ）および（Ｂ）、または図７（Ａ）および（Ｂ）、あるいはその組合せを参照して上で説明された１つまたは複数の集積回路製造手法（例えば、リフローはんだ付け、冷間溶接など）を採用することによって（例えば、コンピュータ１０１２によって）実行され得る。そのような動作９０２の結合および動作９０４の形成が、密封された超伝導相互接続コンポーネント（例えば、第２の超伝導層１０６、第３の超伝導層１０８など）と別の導電性コンポーネント（例えば、はんだバンプ１２２）との間の酸化物形成（例えば、酸化）を防ぐことができる１つまたは複数の密封された超伝導相互接続コンポーネント（例えば、はんだバンプ１２２によって密封された第２の超伝導層１０６または第３の超伝導層１０８あるいはその両方）を備えているフリップ・チップ・デバイスを提供することができ、それによって、そのようなコンポーネントの電気的結合の改善を容易にするということが、理解されるべきである。そのような動作９０２の結合および動作９０４の形成が、そのようなフリップ・チップ・デバイスのさまざまなコンポーネント間（例えば、第１のアンダーバンプ金属化コンポーネントとはんだバンプ１２２との間、第２のアンダーバンプ金属化コンポーネントとはんだバンプ１２２との間など）の改善された機械的完全性および機械的接続の改善された強度を有するフリップ・チップ・デバイスを提供できるということも、理解されるべきである。前述したそのような密封、改善された電気的結合、改善された機械的完全性、および改善された機械的相互接続が、従来技術を上回る本開示の利点になり得るということが、さらに理解されるべきである。

【0136】

説明を簡単にするために、本明細書に記載された方法（例えば、コンピュータ実装方法）は、一連の動作として示され、説明されている。本革新技術が、示された動作によって、または動作の順序によって、あるいはその両方によって制限されず、例えば動作が、本明細書において提示されておらず、説明されていない他の動作と共に、さまざまな順序で、または同時に、あるいはその両方で発生できるということが、理解されるべきである。さらに、開示される対象に従って本明細書に記載された方法（例えば、コンピュータ実装方法）を実装するために、示されているすべての動作が必要でなくてもよい。加えて、当業者は、そのような方法が、代替として、状態図を介して相互に関連する一連の状態またはイベントとして表され得るということを理解するであろう。さらに、そのような方法（例えば、コンピュータ実装方法）をコンピュータに輸送および転送するのを容易にするために、以下および本明細書全体を通じて開示された方法（例えば、コンピュータ実装方法）を製品に格納できるということが、さらに理解されるべきである。製品という用語は、本明細書において使用されるとき、任意のコンピュータ可読デバイスまたはコンピュータ可読ストレージ媒体からアクセスできるコンピュータ・プログラムを包含するよう意図されている。

【0137】

開示される対象のさまざまな態様の背景を提供するために、図１０および以下の説明は、開示される対象のさまざまな態様が実装され得る適切な環境の概要を示すよう意図されている。図１０は、本明細書に記載された１つまたは複数の実施形態を容易にすることができる例示的非限定的動作環境のブロック図を示している。例えば、動作環境１０００は、例示的な図８の非限定的方法８００または図９の非限定的方法９００あるいはその両方を実施するために使用することができ、方法８００および方法９００は両方とも、本明細書に記載された本開示のさまざまな実施形態の実施を容易にする。本明細書に記載された他の実施形態で採用されている類似する要素の説明の繰返しは、簡潔にするために省略されている。

【0138】

図１０を参照すると、本開示のさまざまな態様を実装するための適切な動作環境１０００は、コンピュータ１０１２を含むこともできる。コンピュータ１０１２は、処理ユニット１０１４、システム・メモリ１０１６、およびシステム・バス１０１８を含むこともできる。システム・バス１０１８は、システム・メモリ１０１６を含むが、これに限定されないシステム・コンポーネントを、処理ユニット１０１４に結合する。処理ユニット１０１４は、さまざまな使用可能なプロセッサのいずれかであることができる。デュアル・マイクロプロセッサおよびその他のマルチプロセッサ・アーキテクチャが、処理ユニット１０１４として採用されてもよい。システム・バス１０１８は、ＩＳＡ（Industrial Standard Architecture）、ＭＣＡ（Micro-Channel Architecture）、ＥＩＳＡ（Extended ISA）、ＩＤＥ（Intelligent Drive Electronics）、ＶＥＳＡローカル・バス（ＶＬＢ：VESA Local Bus）、ＰＣＩ（Peripheral Component Interconnect）、カードバス、ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ：Universal Serial Bus）、ＡＧＰ（Advanced Graphics Port）、ＦｉｒｅＷｉｒｅ（ＩＥＥＥ １３９４）、および小型コンピュータ・システム・インターフェイス（ＳＣＳＩ：Small Computer Systems Interface）を含むが、これらに限定されない、任意のさまざまな使用可能なバス・アーキテクチャを使用する、メモリ・バスもしくはメモリ・コントローラ、ペリフェラル・バスもしくは外部バス、またはローカル・バス、あるいはその組合せを含む、いくつかの種類のバス構造のいずれかであることができる。

【0139】

システム・メモリ１０１６は、揮発性メモリ１０２０および不揮発性メモリ１０２２を含むこともできる。起動中などにコンピュータ１０１２内の要素間で情報を転送するための基本ルーチンを含んでいる基本入出力システム（ＢＩＯＳ：basic input/output system）が、不揮発性メモリ１０２２に格納される。コンピュータ１０１２は、取外し可能／取外し不可能な揮発性／不揮発性のコンピュータ・ストレージ媒体を含むこともできる。例えば図１０は、ディスク・ストレージ１０２４を示している。ディスク・ストレージ１０２４は、磁気ディスク・ドライブ、フロッピー（Ｒ）・ディスク・ドライブ、テープ・ドライブ、Ｊａｚドライブ、Ｚｉｐドライブ、ＬＳ－１００ドライブ、フラッシュ・メモリ・カード、またはメモリ・スティックなどの、ただしこれらに限定されない、デバイスを含むこともできる。ディスク・ストレージ１０２４は、ストレージ媒体を、別々に、または他のストレージ媒体と組み合わせて、含むこともできる。システム・バス１０１８へのディスク・ストレージ１０２４の接続を容易にするために、インターフェイス１０２６などの、取外し可能または取外し不可能なインターフェイスが通常は使用される。図１０は、ユーザと、適切な動作環境１０００において説明された基本的なコンピュータ・リソースとの間の仲介として機能するソフトウェアも示している。そのようなソフトウェアは、例えば、オペレーティング・システム１０２８を含むこともできる。ディスク・ストレージ１０２４に格納できるオペレーティング・システム１０２８は、コンピュータ１０１２のリソースを制御し、割り当てるように動作する。

【0140】

システムのアプリケーション１０３０は、例えばシステム・メモリ１０１６またはディスク・ストレージ１０２４のいずれかに格納されたプログラム・モジュール１０３２およびプログラム・データ１０３４を介して、オペレーティング・システム１０２８によるリソースの管理を利用する。さまざまなオペレーティング・システムまたはオペレーティング・システムの組合せを使用して本開示が実装され得るということが、理解されるべきである。ユーザは、１つまたは複数の入力デバイス１０３６を介して、コマンドまたは情報をコンピュータ１０１２に入力する。入力デバイス１０３６は、マウス、トラックボール、スタイラス、タッチ・パッドなどのポインティング・デバイス、キーボード、マイクロホン、ジョイスティック、ゲーム・パッド、衛星放送受信アンテナ、スキャナ、ＴＶチューナー・カード、デジタル・カメラ、デジタル・ビデオ・カメラ、およびＷｅｂカメラなどを含むが、これらに限定されない。これらおよびその他の入力デバイスは、１つまたは複数のインターフェイス・ポート１０３８を介してシステム・バス１０１８を通り、処理ユニット１０１４に接続する。１つまたは複数のインターフェイス・ポート１０３８は、例えば、シリアル・ポート、パラレル・ポート、ゲーム・ポート、およびユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）を含む。１つまたは複数の出力デバイス１０４０は、１つまたは複数の入力デバイス１０３６と同じ種類のポートの一部を使用する。このようにして、例えば、ＵＳＢポートを使用して、入力をコンピュータ１０１２に提供し、コンピュータ１０１２から出力デバイス１０４０に情報を出力できる。出力アダプタ１０４２は、特殊なアダプタを必要とする出力デバイス１０４０の中でも特に、モニタ、スピーカ、およびプリンタのような何らかの出力デバイス１０４０が存在することを示すために提供される。出力アダプタ１０４２の例としては、出力デバイス１０４０とシステム・バス１０１８との間の接続の手段を提供するビデオ・カードおよびサウンド・カードが挙げられるが、これらに限定されない。１つまたは複数のリモート・コンピュータ１０４４などの、その他のデバイスまたはデバイスのシステムあるいはその両方が、入力機能および出力機能の両方を提供するということに、注意するべきである。

【0141】

コンピュータ１０１２は、１つまたは複数のリモート・コンピュータ１０４４などの１つまたは複数のリモート・コンピュータへの論理接続を使用して、ネットワーク化された環境内で動作できる。１つまたは複数のリモート・コンピュータ１０４４は、コンピュータ、サーバ、ルータ、ネットワークＰＣ、ワークステーション、マイクロプロセッサ・ベースの機器、および、ピア・デバイスまたはその他の一般的なネットワーク・ノードなどであることができ、通常は、コンピュータ１０１２に関連して説明された要素の多くまたはすべてを含むこともできる。簡潔にするために、メモリ・ストレージ・デバイス１０４６のみが、１つまたは複数のリモート・コンピュータ１０４４と共に示されている。１つまたは複数のリモート・コンピュータ１０４４は、ネットワーク・インターフェイス１０４８を介してコンピュータ１０１２に論理的に接続されてから、通信接続１０５０を介して物理的に接続される。ネットワーク・インターフェイス１０４８は、ローカルエリア・ネットワーク（ＬＡＮ：local-area networks）、広域ネットワーク（ＷＡＮ：wide-area networks）、セルラー・ネットワークなどの、有線通信ネットワークまたは無線通信ネットワークあるいはその両方を包含する。ＬＡＮ技術は、光ファイバ分散データ・インターフェイス（ＦＤＤＩ：Fiber Distributed Data Interface）、銅線分散データ・インターフェイス（ＣＤＤＩ：Copper Distributed Data Interface）、イーサネット（Ｒ）、およびトークン・リングなどを含む。ＷＡＮ技術は、ポイントツーポイント・リンク、総合デジタル通信網（ＩＳＤＮ：Integrated Services Digital Networks）およびその変形などの回路交換網、パケット交換網、およびデジタル加入者回線（ＤＳＬ：Digital Subscriber Lines）を含むが、これらに限定されない。１つまたは複数の通信接続１０５０は、ネットワーク・インターフェイス１０４８をシステム・バス１０１８に接続するために採用されたハードウェア／ソフトウェアのことを指す。通信接続１０５０は、説明を明確にするために、コンピュータ１０１２内に示されているが、コンピュータ１０１２の外部に存在することもできる。ネットワーク・インターフェイス１０４８に接続するためのハードウェア／ソフトウェアは、単に例示の目的で、通常の電話の等級のモデム、ケーブル・モデム、およびＤＳＬモデムを含むモデム、ＩＳＤＮアダプタ、およびイーサネット（Ｒ）・カードなどの、内部および外部の技術を含むこともできる。

【0142】

本発明は、任意の可能な統合の技術的詳細レベルで、システム、方法、装置、またはコンピュータ・プログラム製品、あるいはその組合せであってよい。コンピュータ・プログラム製品は、プロセッサに本発明の態様を実行させるためのコンピュータ可読プログラム命令を含んでいる１つまたは複数のコンピュータ可読ストレージ媒体を含むことができる。コンピュータ可読ストレージ媒体は、命令実行デバイスによって使用するための命令を保持および格納できる有形のデバイスであることができる。コンピュータ可読ストレージ媒体は、例えば、電子ストレージ・デバイス、磁気ストレージ・デバイス、光ストレージ・デバイス、電磁ストレージ・デバイス、半導体ストレージ・デバイス、またはこれらの任意の適切な組合せであることができるが、これらに限定されない。コンピュータ可読ストレージ媒体のさらに具体的な例の非網羅的リストは、ポータブル・フロッピー（Ｒ）・ディスク、ハード・ディスク、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ：random access memory）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ：read-only memory）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ：erasable programmable read-only memoryまたはフラッシュ・メモリ）、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ：static random access memory）、ポータブル・コンパクト・ディスク読取り専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ：compact disc read-only memory）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ：digital versatile disk）、メモリ・スティック、フロッピー（Ｒ）・ディスク、パンチカードまたは命令が記録されている溝の中の隆起構造などの機械的にエンコードされるデバイス、およびこれらの任意の適切な組合せを含むこともできる。本明細書において使用されるとき、コンピュータ可読ストレージ媒体は、それ自体が、電波またはその他の自由に伝搬する電磁波、導波管またはその他の送信媒体を介して伝搬する電磁波（例えば、光ファイバ・ケーブルを通過する光パルス）、あるいはワイヤを介して送信される電気信号などの一過性の信号であると解釈されるべきではない。本明細書に記載されたコンピュータ可読プログラム命令は、コンピュータ可読ストレージ媒体から各コンピューティング・デバイス／処理デバイスへ、またはネットワーク（例えば、インターネット、ローカル・エリア・ネットワーク、広域ネットワーク、または無線ネットワーク、あるいはその組合せ）を介して外部コンピュータまたは外部ストレージ・デバイスへダウンロードされ得る。このネットワークは、銅伝送ケーブル、光伝送ファイバ、無線送信、ルータ、ファイアウォール、スイッチ、ゲートウェイ・コンピュータ、またはエッジ・サーバ、あるいはその組合せを備えることができる。各コンピューティング・デバイス／処理デバイス内のネットワーク・アダプタ・カードまたはネットワーク・インターフェイスは、コンピュータ可読プログラム命令をネットワークから受信し、それらのコンピュータ可読プログラム命令を各コンピューティング・デバイス／処理デバイス内のコンピュータ可読ストレージ媒体に格納するために転送する。本発明の動作を実行するためのコンピュータ可読プログラム命令は、アセンブラ命令、命令セットアーキテクチャ（ＩＳＡ：instruction-set-architecture）命令、マシン命令、マシン依存命令、マイクロコード、ファームウェア命令、状態設定データ、集積回路のための構成データ、あるいは、Ｓｍａｌｌｔａｌｋ（Ｒ）、またはＣ＋＋などのオブジェクト指向プログラミング言語、および「Ｃ」プログラミング言語または同様のプログラミング言語などの手続き型プログラミング言語を含む１つまたは複数のプログラミング言語の任意の組合せで記述されたソース・コードまたはオブジェクト・コードのいずれかであることができる。コンピュータ可読プログラム命令は、ユーザのコンピュータ上で全体的に実行すること、ユーザのコンピュータ上でスタンドアロン・ソフトウェア・パッケージとして部分的に実行すること、ユーザのコンピュータ上およびリモート・コンピュータ上でそれぞれ部分的に実行すること、あるいはリモート・コンピュータまたはサーバ上で全体的に実行することができる。後者のシナリオでは、リモート・コンピュータは、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）または広域ネットワーク（ＷＡＮ）を含む任意の種類のネットワークを介してユーザのコンピュータに接続することができ、または接続は、（例えば、インターネット・サービス・プロバイダを使用してインターネットを介して）外部コンピュータに対して行われ得る。一部の実施形態では、本発明の態様を実行するために、例えばプログラマブル論理回路、フィールドプログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ：field-programmable gate arrays）、またはプログラマブル・ロジック・アレイ（ＰＬＡ：programmable logic arrays）を含む電子回路は、コンピュータ可読プログラム命令の状態情報を利用することによって、電子回路をカスタマイズするためのコンピュータ可読プログラム命令を実行することができる。

【0143】

本発明の態様は、本明細書において、本発明の実施形態に従って、方法、装置（システム）、およびコンピュータ・プログラム製品のフローチャート図またはブロック図あるいはその両方を参照して説明される。フローチャート図またはブロック図あるいはその両方の各ブロック、ならびにフローチャート図またはブロック図あるいはその両方内のブロックの組合せが、コンピュータ可読プログラム命令によって実装され得るということが理解されるであろう。これらのコンピュータ可読プログラム命令は、コンピュータまたはその他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサを介して実行される命令が、フローチャートまたはブロック図あるいはその両方の１つまたは複数のブロックに指定される機能／動作を実施する手段を作り出すべく、汎用コンピュータ、専用コンピュータ、または他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサに提供されてマシンを作り出すものであることができる。これらのコンピュータ可読プログラム命令は、命令が格納されたコンピュータ可読ストレージ媒体がフローチャートまたはブロック図あるいはその両方の１つまたは複数のブロックに指定される機能／動作の態様を実施する命令を含んでいる製品を備えるように、コンピュータ可読ストレージ媒体に格納され、コンピュータ、プログラム可能なデータ処理装置、または他のデバイス、あるいはその組合せに特定の方式で機能するように指示できるものであることもできる。コンピュータ可読プログラム命令は、コンピュータ上、その他のプログラム可能な装置上、またはその他のデバイス上で実行される命令が、フローチャートまたはブロック図あるいはその両方の１つまたは複数のブロックに指定される機能／動作を実施するように、コンピュータ、その他のプログラム可能なデータ処理装置、またはその他のデバイスに読み込むこともでき、それによって、一連の操作可能な動作を、コンピュータ上、その他のプログラム可能な装置上、またはコンピュータ実装プロセスを生成するその他のデバイス上で実行させる。

【0144】

図内のフローチャートおよびブロック図は、本発明のさまざまな実施形態に従って、システム、方法、およびコンピュータ・プログラム製品の可能な実装のアーキテクチャ、機能、および動作を示す。これに関連して、フローチャートまたはブロック図内の各ブロックは、規定された１つまたは複数の論理機能を実装するための１つまたは複数の実行可能な命令を含んでいる、命令のモジュール、セグメント、または部分を表すことができる。一部の代替の実装では、ブロックに示された機能は、図に示された順序とは異なる順序で発生することができる。例えば、連続して示された２つのブロックは、実際には、含まれている機能に応じて、実質的に同時に実行され得るか、または場合によっては逆の順序で実行され得る。ブロック図またはフローチャート図あるいはその両方の各ブロック、ならびにブロック図またはフローチャート図あるいはその両方内のブロックの組合せは、規定された機能または動作を実行するか、または専用ハードウェアとコンピュータ命令の組合せを実行する専用ハードウェアベースのシステムによって実装され得るということにも注意することになる。

【0145】

上記では、１つのコンピュータまたは複数のコンピュータあるいはその両方で実行されるコンピュータ・プログラム製品のコンピュータ実行可能命令との一般的な関連において、対象が説明されたが、当業者は、本開示がその他のプログラム・モジュールと組み合わせられ得るか、またはその他のプログラム・モジュールと組み合わせて実装され得るということを認識するであろう。通常、プログラム・モジュールは、特定のタスクを実行するか、または特定の抽象データ型を実装するか、あるいはその両方を行うルーチン、プログラム、コンポーネント、データ構造などを含む。さらに、当業者は、本発明のコンピュータ実装方法が、シングルプロセッサ・コンピュータ・システムまたはマルチプロセッサ・コンピュータ・システム、ミニコンピューティング・デバイス、メインフレーム・コンピュータ、さらに、コンピュータ、ハンドヘルド・コンピューティング・デバイス（例えば、ＰＤＡ、電話）、およびマイクロプロセッサベースまたはプログラム可能な家庭用電化製品または産業用電子機器などを含む、その他のコンピュータ・システム構成を使用して実践され得るということを理解するであろう。示された態様は、通信ネットワークを介してリンクされたリモート処理デバイスによってタスクが実行される、分散コンピューティング環境内で実践されてもよい。ただし、本開示の態様の全部ではないとしても一部は、スタンドアロン・コンピュータ上で実践され得る。分散コンピューティング環境において、プログラム・モジュールは、ローカルおよびリモートの両方のメモリ・ストレージ・デバイスに配置され得る。

【0146】

本出願において使用されるとき、「コンポーネント」、「システム」、「プラットフォーム」、および「インターフェイス」などの用語は、１つまたは複数の特定の機能を含むコンピュータ関連の実体または操作可能なマシンに関連する実体を指すことができるか、またはそれらの実体を含むことができるか、あるいはその両方が可能である。本明細書で開示された実体は、ハードウェア、ハードウェアとソフトウェアの組合せ、ソフトウェア、または実行中のソフトウェアのいずれかであることができる。例えば、コンポーネントは、プロセッサ上で実行されるプロセス、プロセッサ、オブジェクト、実行ファイル、実行のスレッド、プログラム、またはコンピュータ、あるいはその組合せであることができるが、これらに限定されない。例として、サーバ上で実行されるアプリケーションおよびサーバの両方が、コンポーネントであることができる。１つまたは複数のコンポーネントが、プロセス内または実行のスレッド内あるいはその両方に存在することができ、コンポーネントは、１つのコンピュータ上に局在するか、または２つ以上のコンピュータ間で分散されるか、あるいはその両方が可能である。別の例では、各コンポーネントは、さまざまなデータ構造が格納されているさまざまなコンピュータ可読媒体から実行できる。コンポーネントは、１つまたは複数のデータ・パケット（例えば、ローカル・システム内または分散システム内の別のコンポーネントとやりとりするか、またはインターネットなどのネットワークを経由して、信号を介して他のシステムとやりとりするか、あるいはその両方によってやりとりする、１つのコンポーネントからのデータ）を含んでいる信号などに従って、ローカルまたはリモートあるいはその両方のプロセスを介して通信できる。別の例として、コンポーネントは、電気または電子回路によって操作される機械的部品によって提供される特定の機能を有する装置であることができ、これはプロセッサによって実行されるソフトウェア・アプリケーションまたはファームウェア・アプリケーションによって操作される。そのような場合、プロセッサは、装置の内部または外部に存在することができ、ソフトウェア・アプリケーションまたはファームウェア・アプリケーションの少なくとも一部を実行できる。さらに別の例として、コンポーネントは、機械的部品を含まない電子コンポーネントを介して特定の機能を提供する装置であることができ、それらの電子コンポーネントは、電子コンポーネントの機能の少なくとも一部を与えるソフトウェアまたはファームウェアを実行するためのプロセッサまたはその他の手段を含むことができる。１つの態様では、コンポーネントは、例えばクラウド・コンピューティング・システム内で、仮想マシンを介して電子コンポーネントをエミュレートすることができる。

【0147】

加えて、「または（ｏｒ）」という用語は、排他的「論理和（ｏｒ）」ではなく、包含的「論理和（ｏｒ）」を意味するよう意図されている。すなわち、特に指定されない限り、または文脈から明らかでない限り、「ＸがＡまたはＢを採用する」は、自然な包含的順列のいずれかを意味するよう意図されている。すなわち、ＸがＡを採用するか、ＸがＢを採用するか、またはＸがＡおよびＢの両方を採用する場合、「ＸがＡまたはＢを採用する」が、前述の事例のいずれかにおいて満たされる。さらに、本明細書および添付の図面において使用されるような冠詞「ａ」および「ａｎ」は、単数形を対象にすることが特に指定されない限り、または文脈から明らかでない限り、「１つまたは複数」を意味すると一般に解釈されるべきである。本明細書において使用されるとき、「例」または「例示的」あるいはその両方の用語は、一例、一事例、または一実例となることを意味するために使用される。誤解を避けるために、本明細書で開示された対象は、そのような例によって制限されない。加えて、一「例」または一「例示的」あるいはその両方として本明細書に記載された任意の態様または設計は、他の態様または設計よりも好ましいか、または有利であると必ずしも解釈されず、当業者に知られている同等の例示的な構造および技術を除外するよう意図されていない。

【0148】

本明細書において使用されるとき、「プロセッサ」という用語は、シングルコア・プロセッサと、ソフトウェアのマルチスレッド実行機能を備えるシングルプロセッサと、マルチコア・プロセッサと、ソフトウェアのマルチスレッド実行機能を備えるマルチコア・プロセッサと、ハードウェアのマルチスレッド技術を備えるマルチコア・プロセッサと、並列プラットフォームと、分散共有メモリを備える並列プラットフォームとを含むが、これらに限定されない、実質的に任意の計算処理ユニットまたはデバイスを指すことができる。さらに、プロセッサは、集積回路、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：application specific integrated circuit）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ：digital signal processor）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ：field programmable gate array）、プログラマブル・ロジック・コントローラ（ＰＬＣ：programmable logic controller）、複合プログラム可能論理デバイス（ＣＰＬＤ：complex programmable logic device）、個別のゲートまたはトランジスタ論理、個別のハードウェア・コンポーネント、あるいは本明細書に記載された機能を実行するように設計されたこれらの任意の組合せを指すことができる。さらに、プロセッサは、空間利用を最適化し、ユーザ機器の性能を向上するために、分子および量子ドット・ベースのトランジスタ、スイッチ、およびゲートなどの、ただしこれらに限定されない、ナノスケール・アーキテクチャを利用することができる。プロセッサは、計算処理ユニットの組合せとして実装されてもよい。本開示では、コンポーネントの動作および機能に関連する「ストア」、「ストレージ」、「データ・ストア」、「データ・ストレージ」、「データベース」、および実質的に任意のその他の情報格納コンポーネントなどの用語は、「メモリ・コンポーネント」、「メモリ」内に具現化された実体、またはメモリを備えているコンポーネントを指すために使用される。本明細書に記載されたメモリまたはメモリ・コンポーネントあるいはその両方が、揮発性メモリまたは不揮発性メモリのいずれかであることができ、あるいは揮発性メモリおよび不揮発性メモリの両方を含むことができるということが、理解されるべきである。不揮発性メモリの例としては、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラマブルＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、電気的プログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュ・メモリ、または不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）（例えば、強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ））が挙げられ得るが、これらに限定されない。揮発性メモリは、例えば外部キャッシュ・メモリとして機能できる、ＲＡＭを含むことができる。例えばＲＡＭは、シンクロナスＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、ダブル・データ・レートＳＤＲＡＭ（ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ）、拡張ＳＤＲＡＭ（ＥＳＤＲＡＭ）、シンクリンクＤＲＡＭ（ＳＬＤＲＡＭ）、ダイレクト・ラムバスＲＡＭ（ＤＲＲＡＭ）、ダイレクト・ラムバス・ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＤＲＡＭ）、およびラムバス・ダイナミックＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ：Rambus dynamic RAM）などの、ただしこれらに限定されない、多くの形態で利用可能である。さらに、本明細書において開示されたシステムまたはコンピュータ実装方法のメモリ・コンポーネントは、これらおよび任意のその他の適切な種類のメモリを含むが、これらに限定されない、メモリを含むよう意図されている。

【0149】

前述した内容は、システムおよびコンピュータ実装方法の単なる例を含んでいる。当然ながら、本開示を説明する目的で、コンポーネントまたはコンピュータ実装方法の考えられるすべての組合せについて説明することは不可能であるが、当業者は、本開示の多くのその他の組合せおよび並べ替えが可能であるということを認識できる。さらに、「含む」、「有する」、および「所有する」などの用語が、発明を実施するための形態、特許請求の範囲、付録、および図面において使用される範囲では、そのような用語は、「備えている」が特許請求における暫定的な用語として使用されるときに解釈されるような、用語「備えている」と同様の方法で、包含的であるよう意図されている。

【0150】

さまざまな実施形態の説明は、例示の目的で提示されているが、網羅的であることは意図されておらず、または開示された実施形態に制限されない。説明された実施形態の範囲から逸脱することなく多くの変更および変形が、当業者にとって明らかであろう。本明細書で使用された用語は、実施形態の原理、実際の適用、または市場で見られる技術を超える技術的改良を最も適切に説明するため、または当業者が本明細書で開示された実施形態を理解できるようにするために選択されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】