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技術分野

半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

トレンチゲート構造を備えた半導体装置の分野では、低オン抵抗化が一つの課題となっている。低オン抵抗化を図る一つの方法として、ドリフト層を高濃度化することが考えられる。この場合、キャリア密度の増加によってオン抵抗の低減を図ることができる。しかし、ドリフト層の全域を一括して高濃度化すると、半導体層中において電界集中が生じやすくなる結果、ブレークダウン電圧が低下するという背反が生じる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一主面を有する半導体層と、前記主面の表層部に形成された第１導電型のドリフト領域と、前記主面に形成され、前記ドリフト領域に側壁および底壁を有するトレンチ、前記トレンチの内壁に形成された絶縁層、および、前記絶縁層を挟んで前記トレンチに埋設され、ゲート電圧が印加される埋め込み電極を含むトレンチゲート構造と、前記ドリフト領域において前記トレンチゲート構造の外壁に沿う領域に形成され・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明の第１半導体装置を一つの方向から見た斜視図である。
【図2】 図２は、図１に示す半導体装置の電気的構造を示すブロック回路図である。
【図3】 図３は、図１に示す領域IIIの断面斜視図であって、第１形態例に係る高濃度ドリフト領域を含む形態を示す断面斜視図である。
【図4】 図４は、図３から電極を取り除いた断面斜視図である。
【図5】 図５は、図４から層間絶縁層を取り除いた断面斜視図である。
【図6】 図６は、図５の平面図である。
【図7】 図７は、図３に示す２つのトレンチゲート構造を含む領域の拡大断面図である。
【図8】 図８は、図７に示す１つのトレンチゲート構造の拡大断面図である。
【図9】 図９は、図１に示す領域IXの平面図であって、半導体層の入力領域の一部の構造を示す平面図である。
【図10】 図１０は、図９に示すX-X線に沿う断面図である。
【図11】 図１１は、図９に示すXI-XI線に沿う断面図である。
【図12A】 図１２Ａは、図７に対応する領域の断面図であって、図１に示す半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図12B】 図１２Ｂは、図１２Ａの後の工程を説明するための断面図である。
【図12C】 図１２Ｃは、図１２Ｂの後の工程を説明するための断面図である。
【図12D】 図１２Ｄは、図１２Ｃの後の工程を説明するための断面図である。
【図12E】 図１２Ｅは、図１２Ｄの後の工程を説明するための断面図である。
【図12F】 図１２Ｆは、図１２Ｅの後の工程を説明するための断面図である。
【図12G】 図１２Ｇは、図１２Ｆの後の工程を説明するための断面図である。
【図12H】 図１２Ｈは、図１２Ｇの後の工程を説明するための断面図である。
【図12I】 図１２Ｉは、図１２Ｈの後の工程を説明するための断面図である。
【図12J】 図１２Ｊは、図１２Ｉの後の工程を説明するための断面図である。
【図12K】 図１２Ｋは、図１２Ｊの後の工程を説明するための断面図である。
【図12L】 図１２Ｌは、図１２Ｋの後の工程を説明するための断面図である。
【図12M】 図１２Ｍは、図１２Ｌの後の工程を説明するための断面図である。
【図12N】 図１２Ｎは、図１２Ｍの後の工程を説明するための断面図である。
【図12O】 図１２Ｏは、図１２Ｎの後の工程を説明するための断面図である。
【図12P】 図１２Ｐは、図１２Ｏの後の工程を説明するための断面図である。
【図12Q】 図１２Ｑは、図１２Ｐの後の工程を説明するための断面図である。
【図12R】 図１２Ｒは、図１２Ｑの後の工程を説明するための断面図である。
【図12S】 図１２Ｓは、図１２Ｒの後の工程を説明するための断面図である。
【図12T】 図１２Ｔは、図１２Ｓの後の工程を説明するための断面図である。
【図12U】 図１２Ｕは、図１２Ｔの後の工程を説明するための断面図である。
【図12V】 図１２Ｖは、図１２Ｕの後の工程を説明するための断面図である。
【図13A】 図１３Ａは、図７に対応する領域の断面図であって、第２形態例に係る高濃度ドリフト領域が形成された形態を示す断面図である。
【図13B】 図１３Ｂは、図７に対応する領域の断面図であって、第３形態例に係る高濃度ドリフト領域が形成された形態を示す断面図である。
【図13C】 図１３Ｃは、図７に対応する領域の断面図であって、第４形態例に係る高濃度ドリフト領域が形成された形態を示す断面図である。
【図13D】 図１３Ｄは、図７に対応する領域の断面図であって、第５形態例に係る高濃度ドリフト領域が形成された形態を示す断面図である。
【図13E】 図１３Ｅは、図７に対応する領域の断面図であって、第６形態例に係る高濃度ドリフト領域が形成された形態を示す断面図である。
【図13F】 図１３Ｆは、図７に対応する領域の断面図であって、第７形態例に係る高濃度ドリフト領域が形成された形態を示す断面図である。
【図13G】 図１３Ｇは、図５に対応する領域の断面斜視図であって、第８形態例に係る高濃度ドリフト領域が形成された形態を示す断面斜視図である。
【図14】 図１４は、図７に対応する領域の断面図であって、本発明の第２半導体装置を示す断面図である。
【図15】 図１５は、図１示す半導体装置が組み込まれた半導体パッケージを、封止樹脂を透過して示す斜視図である。
【図16】 図１６は、図１５の平面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 半導体装置 ２ 半導体層 ３ 第１主面 ５１ 半導体基板 ５２ エピタキシャル層 ５４ ドリフト領域 ５５ ボディ領域 ６１ トレンチゲート構造 ６１Ａ 第１トレンチゲート構造 ６１Ｂ 第２トレンチゲート構造 ６２ 第１側壁 ６３ 第２側壁 ６４ 底壁 ６５ ゲートトレンチ ６６ 絶縁層 ６７ 埋め込み電極 ６８ 底側絶縁層 ６９ 開口側絶縁層 ７０ 側壁被覆部 ７１ 底壁被覆部 ７２ 底側電極 ７２Ａ 第１端部 ７２Ｂ 第２端部 ７３ 開口側電極 ７４ 中間絶縁層 ９１ 高濃度ドリフト領域 ９２ 側壁被覆部 ９３ 底壁被覆部 １０１ ソース領域 ２０１ 半導体装置

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