特許 7536242出願番号 特願 2022-147271
グラフェン薄膜製造方法及びグラフェン薄膜基板
出願人 アンリツ株式会社（識別番号 572）
2026年 特許公開件数ランキング 364位 53件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 270位 66件（※）
出願人 国立大学法人 熊本大学（識別番号 504159235）
2026年 特許公開件数ランキング 982位 21件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 1035位 20件（※）
公報発行日 2024年8月20
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7536242 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
表面に酸化膜が形成された導電性基板の上にグラフェン薄膜を形成するグラフェン薄膜製造方法及びそのグラフェン薄膜
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかし、発明者らの検証では、非特許文献１及び２で開示される酸素プラズマエッチングでグラフェン薄膜に欠陥を形成する手法は、水素プラズマにおいて異方性エッチングの起点となったが、当該欠陥を大きくするだけであり、グラフェンのエッジ構造を制御できる六角形ナノピットの形成については再現性を確認することができなかった。つまり、非特許文献１及び２で開示される手法は、グラフェンのエッジ構造を制御できる六角形ナノピットを再現良く形成することが困難という課題がある。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、グラフェンのエッジの構造を制御できる六角形のナノピットを再現性良く形成できるグラフェン薄膜製造方法及びグラフェン薄膜基板を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
グラフェンのエッジ構造を説明する図である。
【図2】
本発明に係るグラフェン薄膜製造方法を説明する図である。
【図3】
グラフェン薄膜のエッジの状態を説明する図である。
【図4】
本発明に係るグラフェン薄膜製造方法を説明する図である。
【図5】
本発明に係るグラフェン薄膜からＧＮＲを製造する方法を説明する図である。
【図6】
本発明に係るグラフェン薄膜からＧＮＲを製造する方法を説明する図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１１：酸化膜
１２：導電性基板
１３：グラフェン薄膜
１４：レジストに形成した孔
１５、１５ａ：レジストマスク
１６：グラフェン薄膜とともに酸化膜に形成した孔
１７：エッチングで六角形に除去された部分（ナノピット）
５１：電極
６１：ＳｉＯ２膜
６２：Ｓｉ基板
１００：部分
１５０：トランジスタ
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