特許 7536832 減圧乾燥装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-09

(45)【発行日】2024-08-20

(54)【発明の名称】減圧乾燥装置

(51)【国際特許分類】

   F26B 5/04 20060101AFI20240813BHJP

【ＦＩ】

F26B5/04

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2022109686

(22)【出願日】2022-07-07

(65)【公開番号】P2024008110

(43)【公開日】2024-01-19

【審査請求日】2023-04-03

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】北村 翔也

【審査官】岩瀬 昌治

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－１５３３６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１１／０３０６０７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００４－２３３９１２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｆ２６Ｂ ５／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の上面に形成された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する複数の支持ピンと、
前記チャンバ内の気体を排出する排気部と
を備え、
前記複数の支持ピンは、１つ以上の第１支持ピンと、前記第１支持ピンよりも細い１つ以上の第２支持ピンとを含み、
前記第１支持ピンのうちの少なくとも一つは、前記基板のうちの周縁領域を下方から支持し、
前記第２支持ピンのうちの少なくとも一つは、前記基板の前記周縁領域よりも内側の内側領域のうち、前記塗布膜が形成された領域を下方から支持し、
前記第１支持ピンは等幅の第１柱部を含み、前記第２支持ピンは等幅の第２柱部を含み、
前記第１柱部の幅と前記第２柱部の幅との差は０．５ｍｍ以上あり、
前記第２柱部が前記第２支持ピンに対して上下方向で占める割合は、前記第２支持ピンのうちの他の部分が占める割合に比べて最も大きい、減圧乾燥装置。

【請求項2】

基板の上面に形成された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する複数の支持ピンと、
前記チャンバ内の気体を排出する排気部と
を備え、
前記複数の支持ピンは、複数の第１支持ピンと、前記複数の第１支持ピンよりも細い複数の第２支持ピンとを含み、
前記複数の第１支持ピンは、前記基板のうちの周縁領域を下方から支持し、
前記複数の第２支持ピンは、前記基板の前記周縁領域よりも内側の内側領域のうち、前記塗布膜が形成された領域を下方から支持し、
前記複数の第１支持ピンどうしのピッチは、前記複数の第２支持ピンどうしのピッチよりも広い、減圧乾燥装置。

【請求項3】

基板の上面に形成された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、
前記基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する複数の支持ピンと、
前記チャンバ内の気体を排出する排気部と
を備え、
前記複数の支持ピンは、１つ以上の第１支持ピンと、前記第１支持ピンよりも細い１つ以上の第２支持ピンとを含み、
前記第１支持ピンのうちの少なくとも一つは、前記基板のうちの周縁領域を下方から支持し、
前記第２支持ピンのうちの少なくとも一つは、前記基板の前記周縁領域よりも内側の内側領域のうち、前記塗布膜が形成された領域を下方から支持し、
前記第２支持ピンの熱伝導率は０．１２Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、減圧乾燥装置。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の減圧乾燥装置であって、
前記基板の前記内側領域は前記第２支持ピンのみによって支持される、減圧乾燥装置。

【請求項5】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の減圧乾燥装置であって、
前記第１支持ピンのうちの少なくとも他の一つは、前記基板の前記内側領域のうち前記塗布膜が形成された前記領域以外の領域を支持する、減圧乾燥装置。

【請求項6】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の減圧乾燥装置であって、
前記第１支持ピンと前記基板との接触面積は、前記第２支持ピンと前記基板との接触面積よりも広い、減圧乾燥装置。

【請求項7】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の減圧乾燥装置であって、
前記第２支持ピンは多孔質樹脂によって形成されている、減圧乾燥装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、減圧乾燥装置に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、各種の基板に塗布されたフォトレジスト等の塗布膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置が知られている。各種の基板には、例えば、各種のデバイスを形成するためのガラス基板、セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板または印刷用の印刷版等の種々の基板が適用される。各種のデバイスには、例えば、半導体装置、表示パネル、太陽電池パネル、磁気ディスク、または光ディスク等が適用される。表示パネルには、例えば、液晶表示パネル、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示パネル、プラズマ表示パネル、または電界放出ディスプレイ等が適用される。

【0003】

減圧乾燥装置を用いて塗布膜を乾燥する際には、例えば、チャンバ内において複数のピンが基板を支持している状態で、チャンバの底部の排気口を介して真空ポンプでチャンバ内から排気を行う。そして、例えば、真空度が所定値に到達するとチャンバ内からの排気を停止し、チャンバ内にガスを供給することでチャンバ内を大気圧に戻す。ガスには、例えば、窒素ガス等の不活性ガスまたは空気等が適用される。

【0004】

ところで、減圧乾燥装置では、例えば、基板の上面に形成された塗布膜において、場所に応じて乾燥速度が違っていれば、その乾燥速度の違いに応じた乾燥のムラ（乾燥ムラともいう）が生じ得る。乾燥ムラは、例えば、乾燥後の塗布膜における厚さのばらつき等を生じさせる。

【0005】

例えば、基板において、複数のピンの接触により、複数のピンによって支持されている部分とその周辺の部分との間に温度差が生じ得る。これにより、例えば、複数のピンに起因する温度差に応じて、塗布膜の乾燥速度に違いが生じ得る。その結果、例えば、塗布膜において複数のピンの配置に応じた乾燥ムラが生じ得る。ここでは、例えば、塗布膜の減圧乾燥時には、塗布膜から溶媒等が気化する際に生じる気化熱によって基板の温度が低下するものの、複数のピンの熱容量が大きい場合にも、複数のピンが熱容量の大きなチャンバ等に連結されている場合にも、複数のピンの温度が変化し難い。このため、例えば、基板において複数のピンの配置に応じた温度差が生じ得る。

【0006】

特許文献１には、基板を支持する複数のピンを、内部空間内の流体が排出されることで冷却される中空ピン、あるいは内部空間内に冷却水等の液体が供給されることで冷却される中空ピンとすることが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特許第６５７９７７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら、特許文献１に係る減圧乾燥装置では、装置構成が複雑になり装置価格が高くなることにつながる。また、例えば、中空ピンに冷却水を供給する構成では、冷却水の漏れによって、チャンバ内の真空状態に悪影響を及ぼす場合も考えられる。

【0009】

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、塗布膜に対する乾燥ムラの発生を抑制する技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

第１の態様は、基板の上面に形成された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する複数の支持ピンと、前記チャンバ内の気体を排出する排気部とを備え、前記複数の支持ピンは、１つ以上の第１支持ピンと、前記第１支持ピンよりも細い１つ以上の第２支持ピンとを含み、前記第１支持ピンのうちの少なくとも一つは、前記基板のうちの周縁領域を下方から支持し、前記第２支持ピンのうちの少なくとも一つは、前記基板の前記周縁領域よりも内側の内側領域のうち、前記塗布膜が形成された領域を下方から支持し、前記第１支持ピンは等幅の第１柱部を含み、前記第２支持ピンは等幅の第２柱部を含み、前記第１柱部の幅と前記第２柱部の幅との差は０．５ｍｍ以上あり、前記第２柱部が前記第２支持ピンに対して上下方向で占める割合は、前記第２支持ピンのうちの他の部分が占める割合に比べて最も大きい。
第２の態様は、基板の上面に形成された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する複数の支持ピンと、前記チャンバ内の気体を排出する排気部とを備え、前記複数の支持ピンは、複数の第１支持ピンと、前記複数の第１支持ピンよりも細い複数の第２支持ピンとを含み、前記複数の第１支持ピンは、前記基板のうちの周縁領域を下方から支持し、前記複数の第２支持ピンは、前記基板の前記周縁領域よりも内側の内側領域のうち、前記塗布膜が形成された領域を下方から支持し、前記複数の第１支持ピンどうしのピッチは、前記複数の第２支持ピンどうしのピッチよりも広い。
第３の態様は、基板の上面に形成された塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置であって、前記基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内において前記基板を下方から支持する複数の支持ピンと、前記チャンバ内の気体を排出する排気部とを備え、前記複数の支持ピンは、１つ以上の第１支持ピンと、前記第１支持ピンよりも細い１つ以上の第２支持ピンとを含み、前記第１支持ピンのうちの少なくとも一つは、前記基板のうちの周縁領域を下方から支持し、前記第２支持ピンのうちの少なくとも一つは、前記基板の前記周縁領域よりも内側の内側領域のうち、前記塗布膜が形成された領域を下方から支持し、前記第２支持ピンの熱伝導率は０．１２Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。

【0011】

第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記基板の前記内側領域は前記第２支持ピンのみによって支持される。

【0012】

第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記第１支持ピンのうちの少なくとも他の一つは、前記基板の前記内側領域のうち前記塗布膜が形成された前記領域以外の領域を支持する。

【0013】

第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記第１支持ピンと前記基板との接触面積は、前記第２支持ピンと前記基板との接触面積よりも広い。

【0016】

第７の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる減圧乾燥装置であって、前記第２支持ピンは多孔質樹脂によって形成されている。

【発明の効果】

【0017】

第１の態様によれば、第２支持ピンのうちの少なくとも一つは、基板の内側領域のうち、塗布膜が形成された領域（以下、第１領域と呼ぶ）を下方から支持する。第２支持ピンは細いので、チャンバの減圧下で第２支持ピンの周囲で生じる上昇気流の発生量は小さい。このため、該上昇気流によって気体が第２支持ピンに沿って上昇して基板の第１領域の下面に局所的に供給されても、第１領域における温度分布のばらつきを招きにくい。そのため、第１領域上の塗布膜に対する乾燥ムラを抑制することができる。
第２の態様によれば、第１支持ピンの本数を低減させることができる。このため、減圧乾燥装置の製造コストを低減させることができる。また、支持ピンの交換作業の手間を低減させることができる。
第３の態様によれば、第２支持ピンと基板との間の熱の移動量を低減させることができ、塗布膜に対する乾燥ムラをさらに抑制することができる。

【0018】

第４の態様によれば、内側領域において、塗布膜が形成される領域の個数、形状および位置が変更されたとしても、該領域を第２支持ピンによって支持することができる。

【0019】

第５の態様によれば、基板をより強固に支持することができる。

【0020】

第６の態様によれば、第１支持ピンに対する基板の水平方向のずれ量を抑制することができる。一方、第２支持ピンと基板との間の熱の移動量を低減させることができ、塗布膜に対する乾燥ムラをさらに抑制することができる。

【0022】

第７の態様によれば、第２支持ピンと基板との間の熱の移動量を低減させることができ、塗布膜に対する乾燥ムラをさらに抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】図１は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。

【図2】図２は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の横断面の一例を示す図である。

【図3】図３は、一実施形態に係る減圧乾燥装置の縦断面の一例を示す図である。

【図4】図４は、基板の一例を示す斜視図である。

【図5】図５は、基板の一部分の縦断面の一例を示す図である。

【図6】図６は、第１支持ピンの外観の一例を示す正面図である。

【図7】図７は、第２支持ピンの外観の一例を示す正面図である。

【図8】図８は、基板の塗布領域と第１支持ピンおよび第２支持ピンとの関係の第１例を示す図である。

【図9】図９は、減圧下でのチャンバ内の気流の一例を模式的に示す図である。

【図10】図１０は、制御部において実現される機能を概念的に示したブロック図である。

【図11】図１１は、一実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。

【図12】図１２は、基板の塗布領域と第１支持ピンおよび第２支持ピンとの関係の第２例を示す図である。

【図13】図１３は、基板の塗布領域と第１支持ピンおよび第２支持ピンとの関係の第３例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本開示の一実施形態および各種変形例について、図面を参照しつつ説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。また、本明細書において、下方向は、重力方向であり、上方向は、重力方向とは逆の方向である。

【0025】

＜１．減圧乾燥装置の構成＞
図１は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を模式的に示す図である。図２は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の横断面の一例を模式的に示す図である。図３は、一実施形態に係る減圧乾燥装置１の縦断面の一例を模式的に示す図である。図１の縦断面と図３の縦断面とは、約９０度異なる方向からそれぞれ見たときの減圧乾燥装置１の構成を示している。図３では、図面の煩雑化を避けるために、後述する排気部３０、給気部６０、圧力計７０および制御部８０に関する構成が便宜的に省略されている。減圧乾燥装置１は、基板９の上面に形成された塗布膜９０（図５参照）を乾燥させる装置である。

【0026】

基板９には、例えば、ガラス基板、半導体ウエハ、またはセラミック基板等が適用される。基板９は、例えば、第１主面としての第１面Ｆ１（図４および図５参照）と、この第１面Ｆ１とは逆の第２主面としての第２面Ｆ２（図５参照）と、を有する平板状の基板である。例えば、減圧乾燥装置１では、基板９の第１面Ｆ１が基板９の上面とされ、基板９の第２面Ｆ２が基板９の下面とされる。ここでは、基板９に矩形のガラス基板が適用された具体例を適宜挙げて説明する。基板９の第１面Ｆ１には、例えば、予め有機材料および溶媒を含む処理液が塗布されることで、塗布膜９０が部分的に形成されている。処理液の塗布は、例えば、スリットコータまたはインクジェット装置等で行われる。処理液には、例えば、ポリイミド前駆体と溶媒とを含む液（ＰＩ液ともいう）またはレジスト液等の塗布液が適用される。ポリイミド前駆体には、例えば、ポリアミド酸（ポリアミック酸）等が適用される。溶媒には、例えば、ＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン：N-Methyl-2-Pyrrolidone）が適用される。また、例えば、減圧乾燥装置１が有機ＥＬディスプレイの製造工程に適用される場合には、塗布膜９０が、減圧乾燥装置１で乾燥されることによって有機ＥＬディスプレイパネルの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる態様が採用されてもよい。

【0027】

図４は、基板９の一例を示す斜視図である。図５は、基板９の一部分の縦断面の一例を示す図である。図４で示されるように、基板９は、例えば、上面視において、縦横の長さが異なる長方形状の形態を有する。基板９には、デバイス等が形成される領域（被形成領域とも塗布領域ともいう）Ａ１が、複数配列されている。図４の例では、上面視において、基板９には、４つの矩形状の塗布領域Ａ１が、２行２列のマトリックス状に配列されている。ただし、塗布領域Ａ１の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗布膜９０は、減圧乾燥装置１による減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、スリットコータまたはインクジェット装置等によって、各塗布領域Ａ１の上面に、所望のパターンに従って形成される。所望のパターンには、例えば、回路のパターンが適用される。ここでは、例えば、図５で示されるように、各塗布領域Ａ１の上面としての第１面Ｆ１は、塗布膜９０に覆われた領域（被覆領域ともいう）Ａ３と、塗布膜９０に覆われていない露出した領域（露出領域ともいう）Ａ４と、を有する。また、基板９のうちの塗布領域Ａ１の周囲および隣り合う塗布領域Ａ１の間の領域は、上面としての第１面Ｆ１に塗布膜９０が形成されていない領域（非塗布領域ともいう）Ａ２となっている。非塗布領域Ａ２は、塗布膜９０に覆われていない露出した領域（露出領域）Ａ４でもある。

【0028】

図４の例では、基板９のうちの周縁領域Ｂ１および内側領域Ｂ２も示されている。基板９の周縁領域Ｂ１は、基板９の外周部（つまり側面）９ｏｐから所定幅だけ内側の枠状の領域である。所定幅は例えば１００ｍｍ程度以下である。ここでは、基板９の周縁領域Ｂ１は非塗布領域Ａ２の一部に該当する。つまり、基板９の周縁領域Ｂ１の上面には、デバイスが形成されず、ここでは塗布膜９０も形成されていない。基板９の内側領域Ｂ２は、基板９のうちの周縁領域Ｂ１よりも内側の領域である。基板９の周縁領域Ｂ１と内側領域Ｂ２との境界Ｂ３は例えば矩形状の形状を有している。ここでは、基板９の内側領域Ｂ２は、複数の塗布領域Ａ１と、複数の塗布領域Ａ１の間の領域（図４では、十字状の非塗布領域Ａ２）とを含んでいる。内側領域Ｂ２は例えば上面視において長方形状を有する。

【0029】

＜＜減圧乾燥装置の構成の概要＞＞
まず減圧乾燥装置１の構成について概説する。図１および図２で示されるように、減圧乾燥装置１は、例えば、チャンバ１０と、支持部２０と、排気部３０と、を備えている。チャンバ１０は、基板９を収容するための部分である。支持部２０はチャンバ１０内に設けられており、基板９を水平姿勢で支持する。ここでいう水平姿勢とは、基板９の厚み方向が上下方向に沿う姿勢である。排気部３０はチャンバ１０内の気体を外部に排出し、チャンバ１０内の気圧を低下させる。この気圧の低下によって、塗布膜９０の溶剤が蒸発して塗布膜９０が乾燥する。

【0030】

また、図１および図２の例では、減圧乾燥装置１は、昇降部１００と、給気部６０と、制御部８０と、底面整流板４０と、側面整流板５０と、圧力計７０と、を備えている。昇降部１００は支持部２０を昇降させる。これにより、支持部２０によって支持された基板９もチャンバ１０内において昇降する。給気部６０はチャンバ１０内に気体を供給する。これにより、チャンバ１０内の気圧を大気圧に戻すことができる。底面整流板４０および側面整流板５０はチャンバ１０内に設けられており、チャンバ１０内の気流を整える。圧力計７０はチャンバ１０内の気圧を計測し、その計測結果を示す電気信号を制御部８０に出力する。制御部８０は上述の減圧乾燥装置１の各種構成を制御する。例えば、制御部８０は、圧力計７０によって計測された気圧に基づいて排気部３０を制御して、チャンバ１０内の気圧を目標気圧に調整する。

【0031】

次に、減圧乾燥装置１の各構成の詳細な一例について述べる。

【0032】

＜＜チャンバ１０＞＞
チャンバ１０は、基板９を収容するための部分である。チャンバ１０には、基板９を収容するための内部空間１０ｓを有する耐圧容器が適用される。チャンバ１０は、例えば、図示を省略した装置フレーム上に固定されている。チャンバ１０の形状は、例えば、扁平な直方体状である。チャンバ１０は、例えば、略正方形状の底板部１１と、４つの側壁部１２と、略正方形状の天板部１３と、を有する。４つの側壁部１２は、例えば、底板部１１の４つの端辺と、天板部１３の４つの端辺とを、上下方向に接続している。例えば、４つの側壁部１２のうちの１つの側壁部１２には、搬入出口１４と、この搬入出口１４を開閉するゲート部（ゲートバルブともいう）１５と、が設けられている。ゲート部１５は、例えば、開閉駆動部１６に連結もしくは接続されている。図３では、図面の煩雑化を避けるために、開閉駆動部１６が概念的に示されている。開閉駆動部１６には、例えば、エアシリンダ等の駆動機構が適用される。ここでは、例えば、開閉駆動部１６の動作によって、ゲート部１５は、搬入出口１４を閉鎖している位置（閉鎖位置ともいう）と、搬入出口１４を開放している位置（開放位置ともいう）との間で移動することができる。

【0033】

ここで、例えば、ゲート部１５が閉鎖位置に位置する状態では、チャンバ１０の内部空間１０ｓが密閉される。例えば、ゲート部１５が開放位置に位置する状態では、搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。

【0034】

＜＜支持部２０＞＞
支持部２０は、チャンバ１０内において基板９を下方から支持する部分である。例えば、支持部２０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓに位置しており、チャンバ１０の内部空間１０ｓに収容された基板９を下方から支持することができる。支持部２０は、例えば、複数の支持プレート２１と、複数の支持ピン２２と、を有する。複数の支持プレート２１は、例えば、水平方向に間隔をあけて配列されている。各支持プレート２１の上面には、複数の支持ピン２２が立設されている。複数の支持プレート２１は、支持部２０のベースとなる部分である。基板９は、例えば、複数の支持プレート２１の上方に配置され、複数の支持ピン２２の上端部が基板９の下面としての第２面Ｆ２に接触することで、基板９が水平姿勢で支持される。

【0035】

複数の支持ピン２２は、例えば、１つ以上の第１支持ピン２２ａおよび１つ以上の第２支持ピン２２ｂを含む。換言すれば、支持部２０は、基板９を下方からそれぞれ支持する第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂを含む。図３で示されるように、第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂは上下方向に長い棒状の形状を有しており、第１支持ピン２２ａは第２支持ピン２２ｂよりも太い。

【0036】

図６は、第１支持ピン２２ａの外観の一例を示す正面図であり、図７は、第２支持ピン２２ｂの外観の一例を示す正面図である。

【0037】

図６の例では、第１支持ピン２２ａは第１台座部２６ａの上面に立設されている。つまり、第１支持ピン２２ａは第１台座部２６ａの上面から上方に向かって延びている。第１台座部２６ａは第１支持ピン２２ａよりも幅広に形成される。図６の例では、第１台座部２６ａの下面には第１雄ネジ部２７ａが設けられている。第１雄ネジ部２７ａは、第１台座部２６ａの下面から下方に延びた柱状の形状を有し、その側面にネジ山が形成されている。第１支持ピン２２ａは、第１雄ネジ部２７ａによるねじ作用により、支持プレート２１の上面に取り付けられる。つまり、第１雄ネジ部２７ａが支持プレート２１の上面に形成された雌ネジ部（不図示）に対してねじ作用で結合することにより、第１支持ピン２２ａが支持プレート２１の上面に取り付けられる。

【0038】

第１支持ピン２２ａ、第１台座部２６ａおよび第１雄ネジ部２７ａからなるピン構造体は同一材料によって一体に形成されてもよく、あるいは、複数の部材が組み合わされて形成されてもよい。なお、ピン構造体の全体を第１支持ピン２２ａと把握すれば、第１台座部２６ａの上面よりも上方の部分を第１ピン本体部と把握することができる。

【0039】

図６の例では、第１支持ピン２２ａは、第１当接部２３ａと、第１柱状部２５ａと、を含んでいる。第１柱状部２５ａは、上下方向に延びる柱状の形状を有しており、第１台座部２６ａの上面に立設されている。つまり、第１柱状部２５ａは第１台座部２６ａの上面から上方に延びている。第１柱状部２５ａは例えば円柱状の形状を有する。この場合、上下方向に直交した水平断面における第１柱状部２５ａの形状は円状である。例えば第１柱状部２５ａは等幅で上下方向に沿って延びる。第１柱状部２５ａの幅（ここでは直径）は、例えば、１ｍｍ以上に設定され、具体的な一例として３ｍｍ程度に設定される。

【0040】

第１当接部２３ａは第１柱状部２５ａの上端面に設けられている。第１当接部２３ａは例えば錐体状の形状を有している。具体的な一例として、第１当接部２３ａは円錐状の形状を有していてもよい。あるいは、第１当接部２３ａは半球状もしくは半楕円状の形状を有してもよい。この場合、第１当接部２３ａの水平断面の形状も円状である。このような第１当接部２３ａの幅（ここでは直径）も上方に向かうにつれて小さくなる。第１当接部２３ａの下端の幅（ここでは直径）は例えば第１柱状部２５ａの幅（ここでは直径）と等しく、例えば１ｍｍ以上に設定され、より具体的な一例として３ｍｍ程度に設定される。第１当接部２３ａの上端（つまり、頂点）は基板９の第２面Ｆ２に当接する。

【0041】

以上のように、図６の例では、第１支持ピン２２ａは、その幅（ここでは直径）が上方に向かうにつれて単調非増加で減少した棒状の形状を有している。図６の例では、第１支持ピン２２ａの幅は、第１柱状部２５ａにおいて上下方向に依らず一定であり、第１当接部２３ａにおいて上方に向かうにつれて単調に減少している。

【0042】

第１支持ピン２２ａの材料には、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）もしくはポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料が適用される。例えば、樹脂材料の摩擦力が適宜調整されることで、第１支持ピン２２ａは、第１支持ピン２２ａの上端と基板９の第２面Ｆ２との間の摩擦力により、基板９が水平方向にずれないように下方から基板９を支持することができる。第１支持ピン２２ａは例えば中実材である。

【0043】

次に、第１当接部２３ａおよび第１柱状部２５ａの上下方向の長さの一例について説明する。図６の例では、第１当接部２３ａの長さは、第１柱状部２５ａの長さに比べて非常に短い。つまり、第１柱状部２５ａが最も長い。言い換えれば、第１支持ピン２２ａの上下方向の全体に対して第１柱状部２５ａが占める割合が最も大きい。このため、第１支持ピン２２ａの太さは第１柱状部２５ａの太さによって代表され得る。つまり、主として、第１柱状部２５ａの幅（ここでは直径）が第１支持ピン２２ａの太さを示している。

【0044】

図７の例では、第２支持ピン２２ｂは第２台座部２６ｂの上面に立設されている。つまり、第２支持ピン２２ｂは第２台座部２６ｂの上面から上方に向かって延びている。第２台座部２６ｂは第２支持ピン２２ｂよりも幅広に形成される。図７の例では、第２台座部２６ｂの下面には第２雄ネジ部２７ｂが設けられている。第２雄ネジ部２７ｂは、第２台座部２６ｂの下面から下方に延びた柱状の形状を有し、その側面にネジ山が形成されている。第２支持ピン２２ｂは第２雄ネジ部２７ｂのねじ作用により支持プレート２１に取り付けられる。第２支持ピン２２ｂ、第２台座部２６ｂおよび第２雄ネジ部２７ｂからなるピン構造体は同一材料によって一体に形成されてもよく、あるいは、複数の部材が組み合わされて形成されてもよい。なお、ピン構造体の全体を第２支持ピン２２ｂと把握すれば、第２台座部２６ｂの上面よりも上方の部分を第２ピン本体部と把握することができる。

【0045】

図７の例では、第２支持ピン２２ｂは、第２当接部２３ｂと、第２柱状部２５ｂとを含んでいる。第２柱状部２５ｂは、上下方向に延びる柱状の形状を有しており、第２台座部２６ｂの上面に立設されている。つまり、第２柱状部２５ｂは第２台座部２６ｂの上面から上方に延びている。第２柱状部２５ｂは例えば円柱状の形状を有する。この場合、第２柱状部２５ｂの水平断面の形状は円状である。第２柱状部２５ｂは、例えば、等幅で上下方向に沿って延びる。第２柱状部２５ｂの幅（ここでは直径）は、例えば、０．６ｍｍ以上に設定され、より具体的な一例として１ｍｍ程度に設定される。

【0046】

第２当接部２３ｂは第２柱状部２５ｂの上端面に設けられている。第２当接部２３ｂは例えば錐体状の形状を有している。具体的な一例として、第２当接部２３ｂは円錐状の形状を有していてもよい。あるいは、第２当接部２３ｂは半球状もしくは半楕円状の形状を有している。この場合、第２当接部２３ｂの水平断面の形状も円状である。このような第２当接部２３ｂの幅（ここでは直径）も上方に向かうにつれて小さくなる。第２当接部２３ｂの下端の幅（ここでは直径）は例えば第２柱状部２５ｂの幅（ここでは直径）と等しく、例えば０．６ｍｍ以上に設定され、より具体的な一例として１ｍｍ程度に設定される。第２当接部２３ｂの上端（つまり、頂点）は基板９の第２面Ｆ２に当接する。

【0047】

以上のように、図７の例では、第２支持ピン２２ｂは、その幅（ここでは直径）が上方に向かうにつれて単調非増加で減少した棒状の形状を有している。図７の例では、第２支持ピン２２ｂの幅は、第２柱状部２５ｂにおいて上下方向に依らず一定であり、第２当接部２３ｂにおいて上方に向かうにつれて単調に減少している。

【0048】

第２支持ピン２２ｂの材料には、例えば、第１支持ピン２２ａと同様に、ポリエーテルエーテルケトンもしくはポリイミド等の樹脂材料が適用される。第２支持ピン２２ｂは例えば中実材である。

【0049】

次に、第２当接部２３ｂおよび第２柱状部２５ｂの上下方向の長さについて説明する。図７の例では、第２当接部２３ｂの長さは第２柱状部２５ｂの長さに比べて非常に短い。つまり、第２支持ピン２２ｂの上下方向の全体に対して第２柱状部２５ｂの占める割合が最も大きい。このため、第２支持ピン２２ｂの太さは、第２柱状部２５ｂの太さによって代表され得る。つまり、主として、第２柱状部２５ｂの幅（ここでは直径）が第２支持ピン２２ｂの太さを示している。

【0050】

図６および図７の比較からも理解できるように、第１支持ピン２２ａは第２支持ピン２２ｂよりも太い。ここでは、第１柱状部２５ａが第２柱状部２５ｂよりも太い。第１柱状部２５ａの幅（ここでは直径）と、第２柱状部２５ｂの幅（ここでは、直径）との差は、例えば、０．５ｍｍ以上であってもよく、１ｍｍ以上であってもよく、２ｍｍ以上であってもよい。

【0051】

ここで、同一の水平断面における第１支持ピン２２ａの幅と第２支持ピン２２ｂの幅との比較について、さらに考察する。図６および図７で示されるように、第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの上下方向の全体において、任意の水平断面における第１支持ピン２２ａの幅が第２支持ピン２２ｂの幅以上であってもよい。例えば、第１支持ピン２２ａの第１当接部２３ａの上部および第２支持ピン２２ｂの第２当接部２３ｂは例えば同一形状を有していてもよい。この形状によれば、水平断面における第１当接部２３ａの上部の幅と第２当接部２３ｂの幅は互いに等しい。一方、第１当接部２３ａの下部の幅は下方に向かうにつれてさらに大きくなるので、同一の水平断面において、第１支持ピン２２ａの第１当接部２３ａの下部の幅は第２支持ピン２２ｂの第２柱状部２５ｂの幅より大きい。また、第１柱状部２５ａの幅も同一の水平断面において第２柱状部２５ｂの幅より大きい。このような形状によれば、任意の水平断面において、第１支持ピン２２ａは第２支持ピン２２ｂと同じ太さか、あるいは、第２支持ピン２２ｂよりも太い。

【0052】

なお、第１支持ピン２２ａと第２支持ピン２２ｂの太さの比較は、例えば同一の水平断面において、第１支持ピン２２ａの側面に相当する輪郭の第１全周長さと、第２支持ピン２２ｂの側面に相当する輪郭の第２全周長さとの比較によって、規定されてもよい。上述の例では、第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの水平断面の形状は円状であるので、全周長さは円周の長さに相当する。

【0053】

ここで、水平断面を上下方向に移動させたときに、第１全周長さが第２全周長さよりも長い上下方向の範囲が、第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの上下方向の長さに対して、５割以上を占めればよい。この場合、第１支持ピン２２ａは第２支持ピン２２ｂよりも太いといえる。該割合は、例えば６割以上であってもよく、７割以上であってもよく、８割以上であってもよい。

【0054】

図８は、基板９と第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂとの位置関係の第１例を示す図である。図８では、基板９の下面としての第２面Ｆ２のうち、第１支持ピン２２ａによって支持される位置が白丸で示されており、第２支持ピン２２ｂによって支持される位置が黒丸で示されている。また、図８では、基板９のうちの塗布領域Ａ１の外縁と、基板９のうちの周縁領域Ｂ１および内側領域Ｂ２の境界Ｂ３とが、それぞれ、二点鎖線で描かれている。

【0055】

図８で示されるように、いくつかの第１支持ピン２２ａは、基板９の周縁領域Ｂ１を支持している。つまり、これらの第１支持ピン２２ａの上端は基板９の周縁領域Ｂ１の下面に接触する。基板９の周縁領域Ｂ１は平面視において矩形の枠状形状を有するので、これらの第１支持ピン２２ａも矩形状の枠に沿って全周に配列される。図８の例では、基板９の周縁領域Ｂ１の上面には、塗布膜９０が形成されていない。つまり、周縁領域Ｂ１は非塗布領域Ａ２に相当する。また、図８の例では、残りのいくつかの第１支持ピン２２ａは基板９の内側領域Ｂ２のうちの塗布領域Ａ１以外の領域に位置している。つまり、残りの第１支持ピン２２ａは基板９の内側領域Ｂ２を支持しているものの、内側領域Ｂ２のうちの非塗布領域Ａ２を支持している。言い換えれば、残りの第１支持ピン２２ａの上端は基板９の内側領域Ｂ２のうちの非塗布領域Ａ２の下面に接触する。

【0056】

一方で、複数の第２支持ピン２２ｂは、基板９の内側領域Ｂ２のうちの塗布領域Ａ１を支持している。つまり、複数の第２支持ピン２２ｂの上端は基板９の塗布領域Ａ１の下面に接触する。塗布領域Ａ１にパターン状の塗布膜９０が形成されている場合には、いくつかの第２支持ピン２２ｂは塗布領域Ａ１のうちの被覆領域Ａ３を支持し、残りの第２支持ピン２２ｂは塗布領域Ａ１のうちの露出領域Ａ４を支持し得る。塗布領域Ａ１の全体に塗布膜９０が形成されている場合には、塗布領域Ａ１の全体が被覆領域Ａ３に相当するので、すべての第２支持ピン２２ｂが被覆領域Ａ３を支持する。

【0057】

以上のように、図８の例では、すべての第２支持ピン２２ｂは基板９のうちの塗布領域Ａ１の下面に当接し、すべての第１支持ピン２２ａは基板９のうちの非塗布領域Ａ２の下面に当接する。

【0058】

図９は、減圧下でのチャンバ１０内の気流の一例を模式的に示す図である。排気部３０がチャンバ１０内の気体を排出すると、チャンバ１０内の気体の温度が断熱膨張により急激に低下する。チャンバ１０内の気体の温度は例えば摂氏マイナス（－）２０度程度まで低下し得る。一方で、チャンバ１０内の物体（固体）の温度も低下する。例えば、基板９の温度は、塗布膜９０の溶媒の蒸発に伴う気化熱の吸収および基板９と周囲の気体との間の熱交換によって、低下する。また、例えば支持ピン２２の温度は、支持ピン２２と周囲の気体との熱交換によって低下する。しかしながら、これらの物体の温度の低下は、断熱膨張によって生じる気体の温度の低下に比べてそこまで大きくなく、例えば、支持ピン２２の温度の低下量は数度程度（例えば２度程度以下）である。このため、支持ピン２２の温度は例えば摂氏２３度程度となる。

【0059】

この支持ピン２２と気体との熱交換により、支持ピン２２の周囲では気体が温められることになる。このため、第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの周囲で、それぞれ、上昇気流Ｇａおよび上昇気流Ｇｂが発生する。上昇気流Ｇａによって気体は第１支持ピン２２ａに沿って上昇し、上昇気流Ｇｂによって気体は第２支持ピン２２ｂに沿って上昇する。このため、上昇気流Ｇａおよび上昇気流Ｇｂによって気体は基板９の第２面Ｆ２に局所的に供給され得る。したがって、基板９のうち支持ピン２２との接触箇所の周囲（以下、ピン近傍領域と呼ぶ）は、該ピン近傍領域から離れた領域（以下、ピン離間領域と呼ぶ）に比べて、上昇気流Ｇａおよび上昇気流Ｇｂの影響を受けやすい。その結果、基板９のうちピン近傍領域の温度とピン離間領域の温度との差が大きくなり、基板９の温度分布が不均一になり得る。

【0060】

ところで、本実施の形態では、第２支持ピン２２ｂは第１支持ピン２２ａよりも細い。つまり、水平断面における第２支持ピン２２ｂの第２全周長さは、該水平断面における第１支持ピン２２ａの第１全周長さよりも短い。さらに言い換えれば、第２支持ピン２２ｂの側面の表面積は第１支持ピン２２ａの側面の表面積よりも小さい。このため、第１支持ピン２２ａの周囲の気体はより大きな表面積で第１支持ピン２２ａと熱交換し、第２支持ピン２２ｂの周囲の気体はより小さい表面積で第２支持ピン２２ｂと熱交換する。したがって、上昇気流Ｇａはより広い範囲（つまり、太い第１支持ピン２２ａの周囲）で発生し、上昇気流Ｇｂはより狭い範囲（つまり、細い第２支持ピン２２ｂの周囲）で発生する。このため、上昇気流Ｇｂの発生量（例えば体積流量）は上昇気流Ｇａの発生量よりも小さい。図９では、上昇気流Ｇａおよび上昇気流Ｇｂの発生量を矢印の線の太さで模式的に示している。

【0061】

第２支持ピン２２ｂは基板９の塗布領域Ａ１の下面に当接している。このため、第２支持ピン２２ｂの周囲の上昇気流Ｇｂによって、気体が塗布領域Ａ１の下面に局所的に供給され得る。しかしながら、上昇気流Ｇｂの発生量は小さいので、塗布領域Ａ１における温度の均一性をさほど阻害しない。このため、塗布領域Ａ１の下面に当接する支持ピン２２として第１支持ピン２２ａを採用した構造に比べて、基板９の塗布領域Ａ１における温度分布の均一性を向上させることができる。その結果、塗布膜９０をより均一に乾燥させることができる。言い換えれば、基板９の上面に形成された塗布膜９０における乾燥ムラの発生が抑制され得る。

【0062】

一方で、第１支持ピン２２ａは基板９の非塗布領域Ａ２の下面に当接している。このため、上昇気流Ｇａによって、気体が基板９の非塗布領域Ａ２の下面に局所的に供給され得る。この上昇気流Ｇａの発生量は比較的に大きいので、非塗布領域Ａ２における温度分布は塗布領域Ａ１に比べて不均一になり得る。しかしながら、上述の例では、非塗布領域Ａ２では塗布膜９０が形成されていないので、塗布膜９０の乾燥不良をほとんど招かない。

【0063】

しかも、第１支持ピン２２ａは第２支持ピン２２ｂよりも太いので、第２支持ピン２２ｂの剛性よりもより高い剛性を有する。このため、第１支持ピン２２ａは基板９の周縁領域Ｂ１をより強固に支持することができる。比較のために、すべての支持ピン２２に細い第２支持ピン２２ｂを採用した構造（以下、比較構造と呼ぶ）について考察する。この比較構造では、水平方向において基板９に外力が印加されたときに、基板９が水平方向に変位し得る。なぜなら、支持ピン２２が細いほど、支持ピン２２は水平方向の外力に弱くなるからである。例えば、支持ピン２２は台座部を固定端として撓み得る。基板９の搬入出時もしくはチャンバ１０内の減圧時には、基板９に対して水平方向成分を有する外力が印加され得るので、基板９が水平方向に変位し得る。このような基板９の水平方向の変位は好ましくない。

【0064】

これに対して、本実施の形態においては、基板９の周縁領域Ｂ１を支持する第１支持ピン２２ａは、基板９の内側領域Ｂ２のうちの塗布領域Ａ１を支持する第２支持ピン２２ｂよりも太い。そのため、第１支持ピン２２ａがより高い剛性で基板９の周縁領域Ｂ１を支持することができる。したがって、水平方向成分を有する外力が基板９に印加されたとしても、太い第１支持ピン２２ａが基板９の水平方向の変位を効果的に抑制することができる。しかも、第１支持ピン２２ａが基板９の周縁領域Ｂ１の周方向に沿って全周に配列されていれば、基板９の周縁領域Ｂ１をより強固に支持することができ、より効果的に基板９の水平方向の変位を抑制することができる。

【0065】

＜＜排気部３０＞＞
図１を参照して、排気部３０は、チャンバ１０内の気体を排出する部分である。図１および図２で示されるように、チャンバ１０の底板部１１のうち基板９と上下方向において重なる部分には、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。排気部３０は、例えば、排気配管３１と、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄと、主バルブＶｅと、真空ポンプ３２と、を有する。排気配管３１は、例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄと、１つの主配管３１ｅと、を有する。例えば、個別配管３１ａの一端は、排気口１６ａに接続しており、個別配管３１ｂの一端は、排気口１６ｂに接続しており、個別配管３１ｃの一端は、排気口１６ｃに接続しており、個別配管３１ｄの一端は、排気口１６ｄに接続している。例えば、４つの個別配管３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄのそれぞれの他端は、合流して主配管３１ｅの一端に接続されている。例えば、主配管３１ｅの他端は、真空ポンプ３２に接続している。例えば、個別バルブＶａは、個別配管３１ａの経路上に設けられており、個別バルブＶｂは、個別配管３１ｂの経路上に設けられており、個別バルブＶｃは、個別配管３１ｃの経路上に設けられており、個別バルブＶｄは、個別配管３１ｄの経路上に設けられている。例えば、主バルブＶｅは、主配管３１ｅの経路上に設けられている。

【0066】

ここで、例えば、ゲート部１５によって搬入出口１４を閉鎖した状態で、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの少なくとも１つと、１つの主バルブＶｅとを開放し、真空ポンプ３２を動作させると、チャンバ１０内の気体が、排気配管３１を介してチャンバ１０の外部へ排出される。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を低下させることができる。４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの排気量を、個別に調節するためのバルブである。４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開状態と閉状態との間で切り替えられる弁（開閉弁ともいう）が適用される。主バルブＶｅは、例えば、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄからの合計の排気量を調整するためのバルブである。主バルブＶｅには、例えば、制御部８０からの指令に基づいて開度が調節され得る弁（開度制御弁ともいう）が適用される。

【0067】

＜＜昇降部１００＞＞
昇降部１００は、チャンバ１０内において支持部２０を昇降させる部分である。換言すれば、例えば、昇降部１００は、支持部２０を昇降させることができる機構（昇降機構ともいう）を有する。図１では、図面の煩雑化を避けるために、昇降部１００が概念的に示されている。昇降部１００には、例えば、直動型モータまたはエアシリンダ等の駆動装置が適用される。図３で示されるように、昇降部１００は、例えば、本体部１００ａと、移動部１００ｂと、を有する。本体部１００ａは、例えば、チャンバ１０の外部において、図示を省略した装置フレームに固定されている。移動部１００ｂは、例えば、本体部１００ａに対して、上下方向に移動することができる。移動部１００ｂには、例えば、棒状の部材等が適用される。移動部１００ｂは、例えば、チャンバ１０の底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された状態で位置している。そして、例えば、移動部１００ｂの上端部に、支持部２０が固定されている。ここでは、例えば、底板部１１の下面と移動部１００ｂとの間にベローズ等が設けられれば、底板部１１と移動部１００ｂとの隙間が密閉され得る。例えば、支持部２０が複数の支持プレート２１を有する場合には、移動部１００ｂは、支持プレート２１ごとに支持プレート２１に固定されており且つ底板部１１の貫通孔１１ｈに挿通された棒状の部分（棒状部ともいう）と、複数の棒状部を連結している部分（連結部ともいう）と、連結部に接続されており且つ本体部１００ａに摺動可能に支持された部分（摺動部ともいう）と、を有する。

【0068】

ここで、例えば、昇降部１００を動作させると、支持部２０は、下降位置Ｈ１（図１および図３で一点鎖線で示した位置）と、下降位置Ｈ１よりも高い上昇位置Ｈ２（図１および図３で二点鎖線で示した位置）との間で、上下方向に昇降する。このとき、例えば、複数の支持プレート２１は、一体的に昇降し得る。

【0069】

＜＜底面整流板４０＞＞
底面整流板４０は、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、底面整流板４０は、支持部２０に支持される基板９と、チャンバ１０の底板部１１との間に位置するように配置されている。底面整流板４０は、例えば、チャンバ１０の底板部１１に、図示を省略した複数の支柱を介して固定されている。図２で示されるように、例えば、底面整流板４０は、上面視において正方形状の形状を有する。そして、例えば、底面整流板４０の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板９の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、例えば、支持部２０上に配置される基板９の向きに拘わらず、上面視において、底面整流板４０は、基板９よりも大きい。また、底面整流板４０は、例えば、昇降部１００の移動部１００ｂが挿通された状態にある貫通孔４０ｈを有している。貫通孔４０ｈにおいて、底面整流板４０と移動部１００ｂとは、ごく小さな間隔をあけて位置している。

【0070】

＜＜側面整流板５０＞＞
側面整流板５０は、底面整流板４０とともに、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時に、内部空間１０ｓにおける気体の流れを規制するためのプレートである。例えば、側面整流板５０は、下降位置Ｈ１に配置されている支持部２０によって支持される基板９と、チャンバ１０の側壁部１２との間に位置するように配置されている。ここでは、例えば、支持部２０に支持される基板９の周囲を囲むように、４つの側面整流板５０が配置されている。例えば、４つの側面整流板５０は、全体として、基板９を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、例えば、底面整流板４０および４つの側面整流板５０は、全体として、有底筒状の箱状の整流板を形成している。

【0071】

ここで、例えば、排気部３０によるチャンバ１０内の減圧時には、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気体は、側面整流板５０と側壁部１２との間の空間、底面整流板４０と底板部１１との間の空間、および排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄをこの記載の順に通って、チャンバ１０の外部へ排出される。このように、例えば、気体が基板９から離れた空間を流れることで、基板９の近傍に気流が形成され難くなる。そして、基板９の周縁部において集中的な気流の発生が生じ難くなる。これにより、例えば、基板９の上面に形成された塗布膜９０の乾燥ムラの発生が抑制され得る。

【0072】

また、ここで、例えば、図２で示されるように、上面視において、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄが、いずれも正方形状の底面整流板４０の対角線４１上に位置している構成が採用される。この場合には、例えば、各排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄによって、底面整流板４０の中央（２本の対角線４１の交点）に対して対称な気流が形成され得る。これにより、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓにおいて、より均一な気流が形成され得る。

【0073】

＜＜給気部６０＞＞
給気部６０は、チャンバ１０内に気体を供給する動作（給気ともいう）を行う部分である。図１で示されるように、チャンバ１０の底板部１１には、例えば、給気口１６ｆが設けられている。給気口１６ｆは、例えば、底面整流板４０の下方に位置している。給気部６０は、給気口１６ｆに接続された給気配管６１と、給気バルブＶｆと、給気源６２と、を有する。例えば、給気配管６１の一端は、給気口１６ｆに接続している。例えば、給気配管６１の他端は、給気源６２に接続している。例えば、給気バルブＶｆは、給気配管６１の経路上に設けられている。

【0074】

ここで、例えば、給気バルブＶｆを開放すると、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓに気体が供給される。これにより、チャンバ１０内の気圧を上昇させることができる。給気源６２から供給される気体は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスであってもよいし、クリーンドライエアであってもよい。クリーンドライエアは、例えば、一般的な環境における空気に対してパーティクルおよび水分を除去する清浄化を施すことで準備され得る。

【0075】

＜＜圧力計７０＞＞
圧力計７０は、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を計測するセンサである。図１で示されるように、例えば、圧力計７０は、チャンバ１０の一部分に取り付けられている。圧力計７０は、例えば、チャンバ１０の内部空間１０ｓの気圧を計測し、その計測結果を、制御部８０へ出力することができる。

【0076】

＜＜制御部８０＞＞
制御部８０は、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御するためのユニットである。例えば、制御部８０は、排気部３０、給気部６０および昇降部１００等を制御することができる。制御部８０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサ８０１、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリ８０２、およびハードディスクドライブ等の記憶部８０３を有するコンピュータによって構成されている。記憶部８０３には、例えば、減圧乾燥装置１において基板９上の塗布膜９０を減圧によって乾燥させる処理（減圧乾燥処理ともいう）を実行させるためのコンピュータプログラム（プログラムともいう）８０３ｐおよび各種のデータが記憶されている。記憶部８０３は、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。制御部８０は、例えば、記憶部８０３からメモリ８０２にプログラム８０３ｐおよびデータを読み出して、プロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐおよびデータに従った演算処理を行うことで、減圧乾燥装置１の各部の動作を制御する。このため、例えば、プログラム８０３ｐは、減圧乾燥装置１において制御部８０に含まれるプロセッサ８０１によって実行されることで、減圧乾燥処理を実行させることができる。

【0077】

また、制御部８０には、例えば、入力部８０４、出力部８０５、通信部８０６およびドライブ８０７が接続されていてもよい。入力部８０４は、例えば、ユーザの動作等に応答して各種の信号を制御部８０に入力する部分である。入力部８０４には、例えば、ユーザの操作に応じた信号を入力する操作部、ユーザの音声に応じた信号を入力するマイク、およびユーザの動きに応じた信号を入力する各種センサ等が含まれ得る。出力部８０５は、例えば、各種の情報をユーザが認識可能な態様で出力する部分である。出力部８０５には、例えば、表示部、プロジェクタ、およびスピーカ等が含まれ得る。表示部は、入力部８０４と一体化されたタッチパネルであってもよい。通信部８０６は、例えば、有線もしくは無線の通信手段等によってサーバ等の外部の装置との間で各種の情報の送受信を行う部分である。例えば、通信部８０６によって外部の装置から受信したプログラム８０３ｐが記憶部８０３に記憶されてもよい。ドライブ８０７は、例えば、磁気ディスクまたは光ディスク等の可搬性の記憶媒体８０７ｍの着脱が可能な部分である。このドライブ８０７は、例えば、記憶媒体８０７ｍが装着されている状態で、この記憶媒体８０７ｍと制御部８０との間におけるデータの授受を行う。例えば、プログラム８０３ｐが記憶された記憶媒体８０７ｍがドライブ８０７に装着されることで、記憶媒体８０７ｍから記憶部８０３内にプログラム８０３ｐが読み込まれて記憶されてもよい。ここでは、記憶媒体８０７ｍは、例えば、プログラム８０３ｐを記憶し、コンピュータで読み取り可能な非一時的な記憶媒体としての役割を有する。

【0078】

図１０は、制御部８０において実現される機能を概念的に示したブロック図である。図１０で示されるように、制御部８０は、例えば、開閉駆動部１６、昇降部１００、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄ、主バルブＶｅ、真空ポンプ３２、給気バルブＶｆ、および圧力計７０と、それぞれ電気的に接続されている。制御部８０は、例えば、圧力計７０から出力される計測値を参照しつつ、上記各部の動作を制御することができる。

【0079】

図１０で概念的に示したように、制御部８０は、実現される機能的な構成として、例えば、開閉制御部８１、昇降制御部８２、切替制御部８３、排気制御部８４、ポンプ制御部８５、および給気制御部８６を有する。例えば、開閉制御部８１は、開閉駆動部１６の動作を制御する。例えば、昇降制御部８２は、昇降部１００の動作を制御する。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を個別に制御する。例えば、排気制御部８４は、主バルブＶｅの開閉状態および開度を制御する。例えば、ポンプ制御部８５は、真空ポンプ３２の動作を制御する。例えば、給気制御部８６は、給気バルブＶｆの開閉状態を制御する。制御部８０における各部の機能は、例えば、上述したプログラム８０３ｐ等に従った演算処理をプロセッサ８０１が行うことで実現される。

【0080】

＜２．減圧乾燥処理＞
次に、減圧乾燥装置１を用いた基板９の減圧乾燥処理について説明する。図１１は、一実施形態に係る減圧乾燥処理の流れの一例を示す流れ図である。この減圧乾燥処理のフローは、例えば、制御部８０に含まれるプロセッサ８０１においてプログラム８０３ｐが実行されることで実現される。ここでは、例えば、図１１のステップＳ１からステップＳ４の処理がこの記載の順に行われる。

【0081】

減圧乾燥装置１を用いて減圧乾燥処理を行う際には、例えば、まず、基板９をチャンバ１０内に搬入する（ステップＳ１）。このとき、基板９の上面には、未乾燥の塗布膜９０が形成されている状態にある。ステップＳ１では、例えば、ゲート部１５が制御部８０の制御下で搬入出口１４を開放し、図示を省略した搬送ロボットが、フォーク状のハンドに基板９を載置しつつ、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の内部空間１０ｓへ基板９を搬入する。この時点では、支持部２０は、例えば、下降位置Ｈ１に配置されている。搬送ロボットは、例えば、支持部２０の複数の支持プレート２１の間へフォーク状のハンドを挿入しつつ、支持部２０上に基板９を載置し、その後、チャンバ１０の外部にフォークを退避させる。そして、ゲート部１５は制御部８０の制御下で搬入出口１４を閉鎖する。以上のように、ステップＳ１では、チャンバ１０内に配置された複数の支持ピン２２に基板９を載置する工程（載置工程ともいう）が行われる。

【0082】

このステップＳ１において、基板９は複数の支持ピン２２によって支持される。具体的には、基板９の周縁領域Ｂ１が第１支持ピン２２ａによって支持され、基板９の内側領域Ｂ２のうちの塗布領域Ａ１が第２支持ピン２２ｂによって支持される。また、基板９の内側領域Ｂ２のうちの非塗布領域Ａ２が第１支持ピン２２ａによって支持される。

【0083】

次に、減圧乾燥装置１はチャンバ１０内の気体を排出する（ステップＳ２）。具体的には、制御部８０が、排気部３０にチャンバ１０内の気体を排出させることにより、チャンバ１０内を減圧させる。換言すれば、ステップＳ２では、チャンバ１０内を減圧させる工程（排気工程ともいう）が行われる。この排気工程によって、チャンバ１０内の気圧が目標気圧まで低下する。

【0084】

ステップＳ２では、例えば、制御部８０が、支持部２０を適宜昇降させてもよいし、複数の個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのそれぞれの開閉状態を個別に適宜制御してもよいし、主バルブＶｅの開度を適宜制御してもよい。例えば、減圧乾燥装置１は、排気工程の初期において、支持部２０を上昇位置Ｈ２へ移動させた状態でチャンバ１０内の気体を緩やかに排出し（第１処理）、その後、支持部２０を下降位置Ｈ１に移動させた上で、排気部３０がチャンバ１０内の気体を急激に排出してもよい（第２処理）。これにより、チャンバ１０内の基板９の周囲に強い気流が発生することを抑制しながら、チャンバ１０内を減圧することができる。

【0085】

その後、排気部３０はチャンバ１０内の気圧が目標気圧で略一定となるようにチャンバ１０内の気体を排出する（第３処理）。気圧が目標気圧に達すると、塗布膜９０の溶剤が沸騰して塗布膜９０の乾燥がより高い速度で進行する。塗布膜９０の沸騰が終了すると、排気部３０はチャンバ１０内をさらに減圧してもよい（第４処理）。これにより、塗布膜９０をより確実に乾燥させることができる。

【0086】

また、チャンバ１０内の気体の排出により、チャンバ１０内の気体の温度は急激に低下するとともに、チャンバ１０内の各物体の温度もある程度低下する。そのため、上述のように、チャンバ１０内の第１支持ピン２２ａの周囲および第２支持ピン２２ｂの周囲において、それぞれ上昇気流Ｇａおよび上昇気流Ｇｂが生じる。ただし、上昇気流Ｇｂの発生量は上昇気流Ｇａよりも小さいので、上昇気流Ｇｂに起因して生じる基板９の塗布領域Ａ１の温度分布のばらつきは小さい。このため、基板９の温度分布のばらつきに起因した乾燥ムラの発生は抑制される。

【0087】

なお、この排気工程において、制御部８０は、基板９の上面と天板部１３との間の気流により、塗布膜９０の乾燥ムラが生じ得る。この乾燥ムラの発生を抑制させるために、第１処理から第３処理の各々において、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの開閉状態を、順次に切り替えてもよい。例えば、切替制御部８３は、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのうちの１つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部８３は、閉鎖する１つの個別バルブを順次に変更する。具体的には、１つの個別バルブＶａを閉鎖して他の３つの個別バルブＶｂ，Ｖｃ，Ｖｄを開放する第１状態と、１つの個別バルブＶｂを閉鎖して他の３つの個別バルブＶａ，Ｖｃ，Ｖｄを開放する第２状態と、１つの個別バルブＶｃを閉鎖して他の３つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｄを開放する第３状態と、１つの個別バルブＶｄを閉鎖して他の３つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃを開放する第４状態と、を順次に切り替える。このようにすれば、排気工程において、基板９の上面と天板部１３との間の空間に形成される気流の向きが、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄの切り替えに応じて変化する。よって、基板９の上面の塗布膜９０を、より均一に乾燥させることができる。一方で、第４処理においては、溶剤の蒸発は活発でないので、４つの個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄのすべてを開放してもよい。

【0088】

次に、制御部８０が、給気バルブＶｆを開放する。これにより、給気源６２から給気配管６１および給気口１６ｆを通ってチャンバ１０の内部空間１０ｓへ気体が供給される（ステップＳ３）。これにより、チャンバ１０内の気圧が、再び大気圧まで上昇する。

【0089】

そして、例えば、最後に、基板９をチャンバ１０内から搬出する（ステップＳ４）。ステップＳ４では、例えば、まず、ゲート部１５が制御部８０の制御下で搬入出口１４を開放し、図示を省略した搬送ロボットが、支持部２０に載置された乾燥済みの基板９を、チャンバ１０の搬入出口１４を介して、チャンバ１０の外部へ搬出する。これにより、１枚の基板９に対する減圧乾燥処理が終了し得る。

【0090】

このように、減圧乾燥装置１を用いて基板９の上面としての第１面Ｆ１に形成された塗布膜９０を乾燥させる方法（減圧乾燥方法ともいう）は、例えば、載置工程と、排気工程と、を有する。

【0091】

以上のように、一実施形態に係る減圧乾燥装置１では、ステップＳ１において、第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの上に基板９を載置する。第１支持ピン２２ａは第２支持ピン２２ｂよりも太く、図８の例では、いくつかの第１支持ピン２２ａは基板９の周縁領域Ｂ１を支持しており、第２支持ピン２２ｂは基板９の内側領域Ｂ２のうちの塗布領域Ａ１を支持している。太い第１支持ピン２２ａは基板９の周縁領域Ｂ１を支持するので、例えば排気工程において、気流により水平方向成分の外力が基板９に印加されたとしても、基板９の水平方向の変位をより確実に抑制することができる。

【0092】

一方、排気工程において生じる第１支持ピン２２ａの周囲の上昇気流Ｇａの発生量は比較的に大きい。このため、周縁領域Ｂ１の温度分布の均一性を低下させ得る。しかしながら、周縁領域Ｂ１には塗布膜９０が形成されていないので、乾燥ムラの発生をほとんど招かない。

【0093】

基板９の塗布領域Ａ１を支持する第２支持ピン２２ｂは細いので、排気工程において生じる第２支持ピン２２ｂの周囲の上昇気流Ｇｂの発生量を低減させることができる。このため、上昇気流Ｇｂによる基板９の塗布領域Ａ１の下面への気体の供給を抑制することができる。したがって、塗布領域Ａ１における温度分布のばらつき量を低減させることができ、塗布膜９０に対する乾燥ムラの発生を抑制することができる。

【0094】

以上のように、一実施の形態に係る減圧乾燥装置１によれば、基板９の水平方向の変位の抑制と塗布領域Ａ１における温度分布のばらつきの抑制とを両立させることができる。

【0095】

また、図８の例では、基板９の内側領域Ｂ２のうちの非塗布領域Ａ２は太い第１支持ピン２２ａによって支持されている。これによれば、基板９をより強固に支持することができる。

【0096】

＜＜支持ピンの本数＞＞
上述のように、太い第１支持ピン２２ａによって基板９の水平方向の変位を抑制することができる。このため、第２支持ピン２２ｂについては、座屈方向の強度のみを考慮して、第２支持ピン２２ｂの本数を決定することができる。例えば、支持ピン２２の座屈荷重Ｐｃｒは以下の式で表せられる。

【0097】

【数1】

【0098】

ここで、Ｅはヤング係数を示し、Ｉｍｉｎは断面二次モーメントの最小値を示し、Ｌは支持ピン２２の長さを示す。

【0099】

例えば、直径が０．５ｍｍ、ヤング係数が４３００Ｍｐａ、支持ピン２２の長さが３０ｍｍである場合、座屈荷重Ｐｃｒは約０．２９Ｎである。第２支持ピン２２ｂの１本あたりに印加される基板９の重量が、座屈荷重Ｐｃｒ以下となればよいので、厚さが０．５ｍｍであり、比重が３ｇ／ｃｍ^３である基板９を支持するには、１３０ｍｍごとに１本の第２支持ピン２２ｂが必要となる。

【0100】

＜＜支持ピンの配列例＞＞
図８の例では、第１支持ピン２２ａは基板９の非塗布領域Ａ２の下面に当接し、第２支持ピン２２ｂは基板９の塗布領域Ａ１の下面に当接していた。塗布領域Ａ１はデバイスが形成されるデバイス領域であるともいえるので、第１支持ピン２２ａは基板９の非デバイス領域の下面に当接し、第２支持ピン２２ｂは基板９のデバイス領域に当接している、ともいえる。しかしながら、必ずしもこれに限らない。

【0101】

図１２は、基板９と第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂとの位置関係の第２例を示す図である。図１２の例では、すべての第１支持ピン２２ａが基板９の周縁領域Ｂ１の下面に当接しており、すべての第２支持ピン２２ｂが基板９の内側領域Ｂ２の下面に当接している。逆に言えば、すべての第１支持ピン２２ａは基板９の内側領域Ｂ２の下面には当接しておらず、基板９の内側領域Ｂ２を避けて設けられている。同様に、すべての第２支持ピン２２ｂは基板９の周縁領域Ｂ１の下面には当接しておらず、基板９の周縁領域Ｂ１を避けて設けられている。

【0102】

これによれば、基板９の内側領域Ｂ２の直下には、太い第１支持ピン２２ａが位置していない。このため、基板９の内側領域Ｂ２のうちで塗布領域Ａ１の個数、位置および形状が変更されたとしても、基板９の塗布領域Ａ１は細い第２支持ピン２２ｂのみによって支持される。このため、基板９のうちの塗布膜９０が形成される領域は第２支持ピン２２ｂのみによって支持される。したがって、塗布領域Ａ１の個数、位置および形状が変更されたとしても、塗布膜９０に対する乾燥ムラの発生を抑制することができる。

【0103】

＜＜支持ピン２２と基板９との接触面積＞＞
第１支持ピン２２ａの上端と基板９の下面としての第２面Ｆ２との第１接触面積と、第２支持ピン２２ｂの上端と基板９の第２面Ｆ２との第２接触面積の大小関係は特に限定されない。しかるに、基板９の周縁領域Ｂ１を支持する第１支持ピン２２ａについての第１接触面積が、第２接触面積よりも大きくてもよい。

【0104】

これによれば、第１支持ピン２２ａと基板９の周縁領域Ｂ１との間の摩擦力を、第２支持ピン２２ｂと基板９との間の摩擦力よりも大きくすることができる。このため、より太い第１支持ピン２２ａが基板９の水平方向のずれ量を低減させることができる。一方で、第１接触面積が大きければ、第１支持ピン２２ａと基板９との間で移動する熱の量は比較的に大きくなる。しかしながら、これらの第１支持ピン２２ａは基板９の周縁領域Ｂ１（つまり非塗布領域Ａ２）を支持するので、基板９の塗布領域Ａ１における温度分布のばらつきを招きにくい。

【0105】

第２支持ピン２２ｂと基板９との第２接触面積は、第１支持ピン２２ａと基板９との第２接触面積よりも小さいので、第２支持ピン２２ｂと基板９との間で移動する熱の量を低減させることができる。第２支持ピン２２ｂは基板９の塗布領域Ａ１を支持しているものの、第２支持ピン２２ｂと基板９との間の熱の移動量は小さいので、塗布領域Ａ１における温度分布のばらつきを抑制することができる。したがって、塗布膜９０に対する乾燥ムラの発生を抑制することができる。

【0106】

＜＜支持ピン２２のピッチ＞＞
次に、第１支持ピン２２ａどうしのピッチおよび第２支持ピン２２ｂどうしのピッチについて説明する。図１３は、基板９と第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂとの位置関係の第３例を示す図である。図１３の例では、第１支持ピン２２ａどうしのピッチは第２支持ピン２２ｂどうしのピッチよりも広い。

【0107】

第１支持ピン２２ａは第２支持ピン２２ｂよりも太いので、第１支持ピン２２ａどうしのピッチを第２支持ピン２２ｂどうしのピッチよりも広く設定しても、基板９を適切に支持することができる。逆に言えば、基板９の水平方向の変位を抑制しながら基板９を適切に支持できる程度の範囲で、第１支持ピン２２ａのピッチを第２支持ピン２２ｂのピッチよりも広く設定することができる。

【0108】

これによれば、第１支持ピン２２ａの本数を低減させることができ、減圧乾燥装置１の製造コストを低減させることができる。また、支持ピン２２の上端は基板９との接触により摩耗し得る。つまり、支持ピン２２は消耗品であるので、支持ピン２２の交換が必要になるが、支持ピン２２の本数が少ないほど支持ピン２２の交換作業の手間を低減させることができる。

【0109】

＜＜支持ピン２２の材質＞＞
第２支持ピン２２ｂは例えば多孔質樹脂によって形成されてもよい。ここでいう多孔質樹脂とは、樹脂内部に多数の細孔が含まれた構造をいう。このような多孔質樹脂は、例えば、超臨界発泡成形等の発泡成形によって製造され得る。樹脂には、例えば、ポリプロピレンが適用され得る。樹脂内部に形成される細孔の直径の平均値は、例えば、数ｎｍ以上であってもよく、数十μｍ以下であってもよい。

【0110】

このような第２支持ピン２２ｂの熱伝導率は比較的に低い。なぜなら、細孔内の気体は樹脂に比べて熱を伝達しにくいので、第２支持ピン２２ｂ内の熱の移動が多数の細孔によって妨げられるからである。第２支持ピン２２ｂの熱伝導率は例えば０．１２Ｗ／ｍ・Ｋ以下であってもよい。

【0111】

第２支持ピン２２ｂの熱伝導率が小さければ、第２支持ピン２２ｂと基板９の内側領域Ｂ２との接触箇所を通じて第２支持ピン２２ｂと基板９との間で移動する熱の量を低減させることができる。このため、基板９の温度の均一性をさらに向上させることができる。したがって、基板９の塗布領域Ａ１に形成された塗布膜９０の乾燥ムラをさらに抑制することができる。

【0112】

なお、第２支持ピン２２ｂの全体が多孔質樹脂によって形成される必要はなく、例えば第２支持ピン２２ｂのうち少なくとも第２当接部２３ｂが多孔質樹脂によって形成されていればよい。例えば、第２当接部２３ｂが多孔質樹脂によって形成され、第２柱状部２５ｂが非多孔質樹脂によって形成されてもよい。これによっても、第２支持ピン２２ｂと基板９との間で移動する熱の量を低減させることができる。もちろん、第２支持ピン２２ｂの全体が多孔質樹脂によって形成されると、さらに熱の移動を低減させることができる。

【0113】

第１支持ピン２２ａも第２支持ピン２２ｂと同様に多孔質樹脂によって形成されてもよい。これによれば、第１支持ピン２２ａと基板９の周縁領域Ｂ１との接触箇所を通じて第１支持ピン２２ａと基板９との間で移動する熱の量を低減させることができる。したがって、基板９の周縁領域Ｂ１の温度分布のばらつき量を低減させることができる。ひいては、基板９の周縁領域Ｂ１と内側領域Ｂ２との間の温度差を低減させることができ、周縁領域Ｂ１と内側領域Ｂ２との間の熱の移動を低減させることができる。このため、内側領域Ｂ２のうちの端部分における温度分布のばらつきの増大を抑制または回避することができる。

【0114】

＜３．変形例＞
本開示は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。

【0115】

上記一実施形態では、基板９の周縁領域Ｂ１を支持する２つ以上の支持ピン２２のうち少なくとも１つが第１支持ピン２２ａであればよい。言い換えれば、基板９の周縁領域Ｂ１を支持する２つ以上の支持ピン２２のうちのいくつかが第２支持ピン２２ｂであってもよい。要するに、基板９の周縁領域Ｂ１を支持する２つ以上の支持ピン２２が第１支持ピン２２ａおよび第２支持ピン２２ｂの両方を含んでいてもよい。１つ以上の太い第１支持ピン２２ａが基板９の周縁領域Ｂ１を支持すれば、基板９の水平方向の変位を抑制することができる。なお、周縁領域Ｂ１を支持する支持ピン２２のうち、少なくとも半数以上が第１支持ピン２２ａであることが望ましい。

【0116】

また、基板９の塗布領域Ａ１を支持する２つ以上の支持ピン２２のうち少なくとも１つが第２支持ピン２２ｂであればよい。言い換えれば、基板９の塗布領域Ａ１を支持する２つ以上の支持ピン２２のうちのいくつかが第１支持ピン２２ａであってもよい。１つ以上の細い第２支持ピン２２ｂが基板９の塗布領域Ａ１を支持すれば、塗布領域Ａ１を第１支持ピン２２ａのみが支持する構造と比較して、塗布領域Ａ１の温度分布のばらつき量を低減させることができる。なお、周縁領域Ｂ１を支持する支持ピン２２のうち、少なくとも半分以上が第２支持ピン２２ｂであることが望ましい。

【0117】

また、塗布膜９０が基板９のうちの周縁領域Ｂ１を除く全面に形成されてもよい。

【0118】

上記一実施形態では、支持部２０を昇降させる昇降部１００が存在していなくてもよい。この場合には、複数の支持ピン２２は、底面整流板４０の上面等のチャンバ１０内の部分あるいは底板部１１の上面等のチャンバ１０に対して固定されていてもよい。

【0119】

上記一実施形態では、例えば、チャンバ１０が、４つの排気口１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄを有していたが、これに限られない。例えば、チャンバ１０が有する排気口の数は、１つから３つおよび５つ以上の何れであってもよい。また、例えば、個別バルブＶａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄは、なくてもよい。

【0120】

上記一実施形態では、減圧乾燥装置１は、基板９上の塗布膜９０を、減圧によって乾燥させるものであったが、これに限られない。例えば、減圧乾燥装置１は、減圧および加熱によって、基板９上の塗布膜９０を乾燥させるものであってもよい。

【0121】

上記一実施形態では、チャンバ１０の側壁部１２に、基板９の搬入出口１４が設けられていたが、これに限られない。例えば、チャンバ１０の４つの側壁部１２および天板部１３が一体の蓋部を構成しており、この蓋部が底板部１１から分離して上方へ退避することができる構造が採用されてもよい。この場合には、例えば、蓋部が開閉駆動部１６等によって上下に移動されてもよい。そして、チャンバ１０は、蓋部がＯリング等のシール材を介して底板部１１に接触して内部空間１０ｓを密閉している状態（密閉状態）と、蓋部が底板部１１から上方へ分離して内部空間１０ｓを開放している状態（開放状態）と、に選択的に設定され得る。ここで、チャンバ１０が開放状態にあれば、チャンバ１０の内部空間１０ｓへの基板９の搬入およびチャンバ１０の内部空間１０ｓからの基板９の搬出を行うことができる。チャンバ１０が閉鎖状態にあれば、内部空間１０ｓからの排気および内部空間１０ｓへの給気によって、基板９上の塗布膜９０を減圧によって乾燥させることができる。

【0122】

上記一実施形態では、例えば、支持部２０は種々の形態を有していてもよい。例えば、複数の支持プレート２１は、一体的な１つの支持プレート２１であってもよい。

【0123】

上記一実施形態では、例えば、底面整流板４０がなくてもよいし、側面整流板５０がなくてもよい。

【0124】

上記一実施形態では、例えば、減圧乾燥装置１における各種の動作は、例えば、入力部８０４に対するユーザの動作もしくは通信部８０６に対して外部の装置から入力された信号等に応答して、開始あるいは終了されてもよい。

【0125】

上記一実施形態では、例えば、制御部８０において、実現される機能的な構成の少なくとも一部が、専用の電子回路等のハードウェアで構成されていてもよい。

【0126】

なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

【符号の説明】

【0127】

１ 減圧乾燥装置
１０ チャンバ
２０ 支持部
２２ 支持ピン
２２ａ 第１支持ピン
２２ｂ 第２支持ピン
９ 基板
９０ 塗布膜
３０ 排気部
Ｂ１ 周縁領域
Ｂ２ 内側領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】