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特許7538389ＬＥＤブラケット、発光ユニット及び発光アセンブリ（ＬＥＤ ＢＲＡＣＫＥＴ，ＬＩＧＨＴ－ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＵＮＩＴ，ＡＮＤ ＬＩＧＨＴ－ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＡＳＳＥＭＢＬＹ）
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-14
(45)【発行日】2024-08-22
(54)【発明の名称】ＬＥＤブラケット、発光ユニット及び発光アセンブリ（ＬＥＤ ＢＲＡＣＫＥＴ，ＬＩＧＨＴ－ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＵＮＩＴ，ＡＮＤ ＬＩＧＨＴ－ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＡＳＳＥＭＢＬＹ）
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20240815BHJP
H01L 33/64 20100101ALI20240815BHJP
H01L 33/48 20100101ALI20240815BHJP
F21V 19/00 20060101ALI20240815BHJP
F21V 9/32 20180101ALI20240815BHJP
F21V 9/08 20180101ALI20240815BHJP
F21Y 107/70 20160101ALN20240815BHJP
F21Y 115/10 20160101ALN20240815BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H01L33/64
H01L33/48
F21V19/00 150
F21V19/00 170
F21V19/00 450
F21V9/32
F21V9/08 200
F21Y107:70
F21Y115:10 300
【請求項の数】
11
(21)【出願番号】P 2023535480
(86)(22)【出願日】2021-12-10
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-12-18
(86)【国際出願番号】 CN2021137073
(87)【国際公開番号】W WO2022122013
(87)【国際公開日】2022-06-16
【審査請求日】2023-06-23
(31)【優先権主張番号】202011639540.6
(32)【優先日】2020-12-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202011641293.3
(32)【優先日】2020-12-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202120148167.8
(32)【優先日】2021-01-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202120216659.6
(32)【優先日】2021-01-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202023003674.7
(32)【優先日】2020-12-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202023005249.1
(32)【優先日】2020-12-11
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202110323230.1
(32)【優先日】2021-03-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202110365627.7
(32)【優先日】2021-04-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202110665700.2
(32)【優先日】2021-06-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(31)【優先権主張番号】202121528970.0
(32)【優先日】2021-07-05
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】521083670
【氏名又は名称】シェンツェン ジュフェイ オプトエレクトロニクス カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＳＨＥＮＺＨＥＮ ＪＵＦＥＩ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．， ＬＴＤ
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ４， Ｅｌｉｎｇ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｚｏｎｅ， Ｐｉｎｇｈｕ Ｓｔｒｅｅｔ， Ｌｏｎｇｇａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ Ｓｈｅｎｚｈｅｎ， Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５１８１１１， Ｃｈｉｎａ
(73)【特許権者】
【識別番号】522410123
【氏名又は名称】深▲セン▼市月明光学科技有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】110002262
【氏名又は名称】ＴＲＹ国際弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】柯 有譜
(72)【発明者】
【氏名】劉 会萍
(72)【発明者】
【氏名】李 運華
(72)【発明者】
【氏名】孫 平如
(72)【発明者】
【氏名】譚 青青
(72)【発明者】
【氏名】譚 鎮良
(72)【発明者】
【氏名】▲しん▼ 美正
(72)【発明者】
【氏名】施 華平
(72)【発明者】
【氏名】梁 世飛
(72)【発明者】
【氏名】楊 麗敏
(72)【発明者】
【氏名】何 剛
(72)【発明者】
【氏名】黎 明権
(72)【発明者】
【氏名】許 輝
(72)【発明者】
【氏名】王 伝虎
(72)【発明者】
【氏名】宋 均楠
(72)【発明者】
【氏名】許 文欽
(72)【発明者】
【氏名】高 四清
(72)【発明者】
【氏名】王 東東
(72)【発明者】
【氏名】張 志強
(72)【発明者】
【氏名】李 金虎
【審査官】村井 友和
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１２－０１５４７１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１５６４５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１３７３２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１５９５６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１３／０６１９４３（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＬＥＤチップとＬＥＤブラケットとを含む発光ユニットであって、前記ＬＥＤブラケットはボウル状カップを有し、前記ＬＥＤチップは前記ボウル状カップの底部に設けられる藍色光ＬＥＤチップを含み、前記発光ユニットは前記ボウル状カップ内に設けられるパッケージ層を更に含み、前記パッケージ層は赤色媒体と緑色媒体とを含み、前記赤色媒体と前記緑色媒体は混合されて前記ボウル状カップに充填されると共に前記藍色光ＬＥＤチップを覆い、前記藍色光ＬＥＤチップは前記赤色媒体と前記緑色媒体を励起させ、白色光を射出し、前記白色光の正規化スペクトログラムは、
前記スペクトログラムは赤色光波長帯と緑色光波長帯を含み、前記赤色光波長帯の半値全幅は８０ｎｍ～１００ｎｍであり、前記赤色光波長帯のピークは第１ピークであり、前記第１ピークに対応する相対的光パワーは０．７５～０．９５であり、前記第１ピークに対応する波長は６４５ｎｍ～６６５ｎｍであり、前記緑色光波長帯の半値全幅は４５ｎｍ～７０ｎｍであり、前記緑色光波長帯のピークは第２ピークであり、前記第２ピークに対応する波長は５００ｎｍ～５２０ｎｍである、上記条件を満足する、
発光ユニット。
【請求項2】
前記第２ピークに対応する相対的光パワーは０．４～０．７であり、請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項3】
前記正規化スペクトログラムは、藍色光波長帯を更に含み、前記藍色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ～３０ｎｍであり、前記藍色光波長帯のピークは第３ピークであり、前記第３ピークに対応する相対的光パワーは０．９～１であり、前記第３ピークに対応する波長は４４５ｎｍ～４５５ｎｍである、請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項4】
前記正規化スペクトログラムは、黄色光波長帯を更に含み、前記黄色光波長帯に対応する波長範囲は５６０ｎｍ～５９０ｎｍであり、黄色光波長帯の相対的光パワーは０．０５～０．２５である、請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項5】
前記正規化スペクトログラムは、青色光波長帯を更に含み、前記青色光波長帯に対応する波長範囲は４６０ｎｍ～４９０ｎｍであり、青色光波長帯の相対的光パワーは０．１５～０．３５である、請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項6】
前記正規化スペクトログラムは、紫色光波長帯を更に含み、前記紫色光波長帯に対応する波長範囲は３５０ｎｍ～４２０ｎｍであり、前記紫色光波長帯の相対的光パワーは０．１未満である、請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項7】
前記正規化スペクトログラムは、前記赤色光波長帯と隣接する赤外線波長帯を更に含み、前記赤外線波長帯に対応する波長は７８０ｎｍを超え、前記赤外線波長帯の相対的光パワーは０．１未満である、請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項8】
前記赤色媒体の材質は窒化物を含み、前記緑色媒体の材質はβ－Ｓｉａｌｏｎ及び／又はケイ酸塩を含み、前記藍色光ＬＥＤチップの材質は窒化ガリウムを含み、請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項9】
前記赤色媒体と前記緑色媒体との比率範囲は１：１３～１：４である、請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項10】
前記パッケージ層は前記ボウル状カップに充填される封止材を更に含み、前記赤色媒体及び前記緑色媒体の混合物と前記封止材との混合比率範囲が１：８～１：１．８である、請求項９に記載の発光ユニット。
【請求項11】
前記白色光がＣＩＥ１９３１色度図において、Ｘ軸における分布範囲は０．３２～０．３８であり、Ｙ軸における分布範囲は０．２７５～０．３４であり、且つ前記白色光の色温度範囲は４０００Ｋ～６２００Ｋである、請求項１に記載の発光ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ、ＬＥＤチップ）分野に関し、特にＬＥＤブラケット、発光ユニット及び発光アセンブリに関する。
【背景技術】
【0002】
チップＬＥＤは、照明、装飾、バックライト、ディスプレイなどの分野で幅広く応用されている。チップＬＥＤは、ＬＥＤブラケットと、ＬＥＤブラケットに設けられるＬＥＤチップと、を含む。従来のチップＬＥＤのＬＥＤブラケットは、通常、基板と、基板に設けられるパッケージと、含み、パッケージにＬＥＤチップを収容するためのボウル状カップが形成される。しかし、従来のＬＥＤブラケットのボウル状カップの側壁は強度が低いため、例えば板材のひずみなどによる外力影響を受けて折れやすい。
【0003】
そのため、ＬＥＤブラケットの強度を如何に向上させることは、現在、早急に解決すべき技術問題である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上記従来技術の欠陥を鑑み、本願は、関連技術においてＬＥＤブラケットの強度が低く、外力を受けて折れやすい問題を解決するために、ＬＥＤブラケット、発光ユニット及び発光アセンブリを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願は、パッケージと、その一部が上記パッケージに覆われる基板と、を含むＬＥＤブラケットであって、上記パッケージにボウル状カップが形成され、上記基板の一部は上記ボウル状カップの底部として上記ボウル状カップ内にあり、上記基板は上記ボウル状カップ内にある２つの導電領域を含むと共に、上記２つの導電領域の間に両者を絶縁隔離する絶縁領域が設けられ、
上記基板が基板本体と、上記基板本体から上記ボウル状カップの側壁内まで延びる支持部と、を含み、上記支持部は上記側壁内で一方の上記導電領域から他方の上記導電領域へ延びると共に、少なくとも上記絶縁領域の上記側壁に対応する側壁領域まで延びる、ＬＥＤブラケット。
上記基板が基板本体と、上記基板本体から上記ボウル状カップの側壁内まで延びる支持部と、を含み、上記支持部は上記側壁内で一方の上記導電領域から他方の上記導電領域へ延びると共に、少なくとも上記絶縁領域の上記側壁に対応する側壁領域まで延びる、ＬＥＤブラケット。
【0006】
同一の発明概念に基づき、本願は、ＬＥＤチップと、上述したようなＬＥＤブラケットと、を含む発光ユニットであって、上記ＬＥＤチップは上記ボウル状カップの底部に設けられ、上記ＬＥＤチップの正・負極は上記２つの導電領域にそれぞれ電気的に接続され、
上記ボウル状カップ内に設けられるパッケージ層を更に含む、発光ユニットを提供する。
上記ボウル状カップ内に設けられるパッケージ層を更に含む、発光ユニットを提供する。
【0007】
同一の発明概念に基づき、本願は、回路板と、上述したような発光ユニットと、を含む発光アセンブリであって、上記発光ユニットは上記回路板に設けられると共に、上記回路板に電気的に接続される、発光アセンブリを更に提供する。
【発明の効果】
【0008】
本願は、ＬＥＤブラケット、発光ユニット及び発光アセンブリであって、そのうち、ＬＥＤブラケットの基板は基板本体と、基板本体からＬＥＤブラケットのボウル状カップの側壁内まで延びる支持部と、を含むＬＥＤブラケット、発光ユニット及び発光アセンブリを提供し、当該支持部によりボウル状カップの側壁の強度を向上させることで、ＬＥＤブラケットの全体強度を向上させることができる。また、支持部はボウル状カップの側壁内でＬＥＤブラケットの一方の導電領域から他方の導電領域へ延びると共に、少なくともこの２つの導電領域を絶縁隔離する絶縁領域の側壁に対応する側壁領域まで延び、即ち、支持部は２つの導電領域のボウル状カップの側壁に投影する２つの領域の間の領域まで延びており、この領域はＬＥＤブラケットの強度の最も弱い領域であり、支持部がこの領域まで延びることで、ＬＥＤブラケットの強度を更に向上させ、特にＬＥＤブラケットの強度の最も弱い部分が効果的に補強され、ＬＥＤブラケットが外力を受けて折れる状況の発生は最大限で避けることができる。本願により提供される発光ユニット及び発光アセンブリはより優れた強度のＬＥＤブラケットを採用したため、発光ユニット及び発光アセンブリの全体強度と信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図15】本願の実施例２により提供される発光アセンブリの構成図である。
【図21】本願の実施例３により提供される発光ユニットの構成図である。
【図25】本願の実施例４により提供される発光ユニットの構成図である。
【図33】本願の実施例５により提供される発光ユニットの構成図である。
【図41】本願の実施例６により提供される改善後の正規化スペクトログラム２である。
【図47】本願の実施例７により提供されるＬＥＤブラケットの上面におけるジグザグ状構造の構成図である。
【図50】本願の実施例８により提供される回路板の上面図である。
【図51】本願の実施例８により提供される発光アセンブリの構成図である。
【図52】本願の実施例８により提供される電子機器の折れ曲れ状態の模式図である。
【図53】本願の実施例８により提供される電子機器の構成図である。
【図60】本願の実施例９により提供される放熱リブの構成図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本願を容易に理解するために、関連図面を参照しながら本願についてより全面的に記述する。図面は本願の好適な実施形態を示している。しかし、本願は本明細書で記述される実施形態に限定されず、様々な形態で実現できる。逆に、これらの実施形態を提供する目的は、本願により開示された内容についてより全面的に理解するためである。
【0011】
別途で定義しない限り、本明細書で使用される全ての技術及び科学用語は、当業者が通常で理解するものと同じ意味を有する。本願の明細書で使用される用語は、具体的な実施形態を記述するためのものに過ぎず、本願を限定するためのものではない。
【0012】
なお、本願の明細書、特許請求の範囲及び上記図面における「第１」、「第２」などの用語は、類似する対象を区別するために使用され、必ず特定の順序又は優先順位を説明するために使用されるわけではない。このように使用される数字は、ここで本願の実施例を説明しやすくするために、適切であれば交換可能であることを理解すべきである。また、「含む」及び「有する」という用語及びそれらの任意の変形は、非排他的な包含をカバーすることを意図し、例えば、一連のステップやユニットを含むプロセス、方法、システム、製品又は機器は、必ずしも明らかに挙げられたステップやユニットに限定されず、明らかに挙げられていない、又は、これらのプロセス、方法、製品や機器に固有の他のステップやユニットを含むことができる。
【0013】
本願において、「上」、「下」、「内」、「中」、「外」、「前」、「後」などの用語で示される方位又は位置関係は図面に示される方位又は位置関係に基づく。これらの用語は主に本願及びその実施例をより好適に記述するためのものであり、示される装置、エレメント又は構成部分が特定の方位を必ず有すること、或いは特定の方位で構築と操作を行うこと、を限定するためのものではない。また、上記用語の一部は方位又は位置関係を示すために利用される他に、その他の意味を示すために利用されてもよく、例えば、用語「上」は特定の場合で特定の依存関係又は接続関係を示すために利用されてもよい。当業者にとって、具体的な状況に応じて、これらの用語の本願における具体的な意味を理解してもよい。また、用語「設定」、「接続」、「固定」は、広義的に理解すべきである。例えば、「接続」は、固定的な接続、取り外し可能な接続、或いは一体的な構造であってもよく、機械的な接続、或いは電気的な接続であってもよく、直接的な接続、或いは中間媒体を介する間接的な接続、或いは２つの装置、エレメント又は構成部分同士の内部連通であってもよい。当業者にとって、具体的な状況に応じて、上記用語の本願における具体的な意味を理解してもよい。
【0014】
なお、矛盾がない限り、本願の実施例及び実施例の特徴を互いに組み合わせることができる。以下、図面を参照しながら実施例に合わせて本願を詳しく説明する。
【実施例1】
【0015】
本実施例は、構造が簡単であり、コストが低く、良品率が高く、全体強度が優れるＬＥＤブラケットを提供し、当該ＬＥＤブラケットは照明、装飾、バックライト、ディスプレイなどの分野に利用されてもよいが、これらに限定されない。当該ＬＥＤブラケットはパッケージと、その一部がパッケージに覆われる基板と、を含み、パッケージにボウル状カップが形成され、基板の一部がボウル状カップの底部としてボウル状カップ内にあり、基板はボウル状カップ内にある２つの導電領域を含むと共に、２つの導電領域の間に両者を絶縁隔離する絶縁領域が設けられ、基板は基板本体と、基板本体からボウル状カップの側壁内まで延びる支持部と、を含み、当該支持部によりボウル状カップの側壁の強度を向上させることで、ＬＥＤブラケットの全体強度を向上させることができ、本実施例において、支持部は側壁内で一方の導電領域から他方の導電領域へ延びると共に、少なくとも絶縁領域の側壁に対応する側壁領域まで延び、通常、この側壁領域がＬＥＤブラケットの強度の最も弱い領域であり、支持部がこの領域まで延びることで、ＬＥＤブラケットの強度の最も弱い部分が効果的に補強され、ＬＥＤブラケットが外力を受けて折れる状況の発生は最大限で避けることができる。
【0016】
一例において、パッケージは様々な樹脂（これらに限定されない）などの材料を利用して射出成形、流し込み、型プレス（これらに限定されない）などの方法により基板上に形成される。パッケージに形成されるボウル状カップはＬＥＤチップを収容するために利用される。本例において、ボウル状カップの横断面形状は自由に設定でき、例えば、矩形、円形、グラウンド形、楕円形、台形（これらに限定されない）などの規則的な形状に設定してもよく、必要に応じて不規則な形状に設定してもよいが、ここで詳しく説明しない。
【0017】
一例において、基板本体の材質は、例えば、樹脂、セラミックスなどの絶縁材質であってもよいが、これらに限定されず、基板を１つだけ含んでもよく、本例における２つの導電領域は同一の基板本体に設けられてもよく、本例における基板は２つのサブ基板を含んでもよく、この場合、２つの導電領域は２つのサブ基板の基板本体にそれぞれ設けられてもよく、本例における導電領域は、基板本体に対応する導電層を設けることで導電領域を形成してもよいが、これらに限定されず、導電層同士は絶縁領域により絶縁隔離される。
【0018】
別の例において、基板本体の材質は、例えば、導電性金属などの導電性材質であってもよく、基板は２つのサブ基板を含んでもよく、この場合、２つのサブ基板は絶縁領域により絶縁隔離され、２つのサブ基板がボウル状カップ内にある領域はそれぞれ２つの導電領域を構成する。無論、幾つかの応用シーンにおいて、基板は２つのサブ基板を含んでもよく、且つ一方のサブ基板の材質は導電性材質であり、他方のサブ基板の材質は絶縁材質である。
【0019】
本例において、絶縁領域は、２つの導電領域の間に設けられて両者を絶縁隔離するギャップを含んでもよいが、これらに限定されず、２つの導電領域の間に設けられる絶縁材質を含んでもよく、例えば、様々な絶縁接着剤又は絶縁樹脂などを含むが、これらに限定されない。また、本例における絶縁領域のボウル状カップ開口に近づく面は、少なくとも１つの導電領域のボウル状カップ開口に近づく面より高く、又は少なくとも１つの導電領域のボウル状カップ開口に近づく面より低く、又は少なくとも１つの導電領域のボウル状カップ開口に近づく面と同じ高さに設けられ、具体的にその汎用性を向上させるために様々な需要に応じて自由に設けることができる。
【0020】
本例において、支持部と基板本体を一体成形構造に設定することで、ＬＥＤブラケットの構造を簡略化し、その集積度と強度を向上させる。無論、両者を非一体成形構造に設定してもよい。また、支持部は応用の需要に応じてその数及び具体的な位置を自由に設定でき、以下、容易に理解するために、本実施例は、基板は絶縁領域により絶縁隔離される２つのサブ基板を含み、２つのサブ基板がボウル状カップ内にある領域はそれぞれ２つの導電領域を構成することを、例として説明する。
【0021】
本例において、支持部は、そのうちの一方のサブ基板の基板本体からボウル状カップの側壁内まで延びる支持部、又はそのうちの一方のサブ基板の基板本体の対向する両側からボウル状カップの対向する２つの側壁内までそれぞれ延びる２つの支持部、又は２つのサブ基板の基板本体の対向する両側からボウル状カップの対向する２つの側壁内までそれぞれ延びる２つの支持部など、を含んでもよい。本例において、２つのサブ基板をそれぞれ第１サブ基板と第２サブ基板と呼び、２つの導電領域をそれぞれ第１導電領域と第２導電領域とする。
【0022】
一応用例は図１に示されるＬＥＤブラケットの上面図を参照する。また、本発明におけるＬＥＤブラケットの構造をより好適に示すために、図面ではパッケージを透視図法により処理し、上面視を示す図面では斜線部は側壁の頂部であり、そのうち、第１サブ基板１１の面積は比較的に大きく、第２サブ基板１２の面積は比較的に小さく、且つ第１サブ基板１１との間に絶縁領域１３を挟み、第１サブ基板１１と第２サブ基板１２は何れもパッケージ１０により部分的に覆われる。パッケージに形成されるボウル状カップにおいて、第１サブ基板１１と第２サブ基板１２は部分的に露出され、それぞれ第１導電領域Ｄ１と第２導電領域Ｄ２とする。ＬＥＤチップは第１導電領域Ｄ１に設けられてもよく、第１導電領域Ｄ１と第２導電領域Ｄ２を横断してもよい。本実施例において、第１サブ基板１１はその基板本体から延びる支持部１４を含み、当該支持部１４は第１サブ基板１１の基板本体からボウル状カップの側壁内まで延び、側壁内で第１導電領域Ｄ１の当該側壁に対応する第２領域Ｔ２から第２導電領域Ｄ２の当該側壁に対応する第３領域Ｔ３へ延びると共に、少なくとも絶縁領域１３の側壁に対応する側壁領域、即ち、図１における第１領域Ｔ１まで延び、これにより、ＬＥＤブラケットの強度の最も弱い部分が効果的に補強され、ＬＥＤブラケットが外力を受けて折れる状況の発生は最大限で避ける。本例において、例えば、図４に示されるように、支持部１４は第１領域Ｔ１を通過すると共に、第２領域Ｔ２内まで延びてもよく、例えば、図１～図３に示される支持部１４のように、支持部１４は第２領域Ｔ２内まで延びなくてもよい。本例における支持部１４はパッケージ１０により全体的に覆われ、即ち、その全体が側壁内まで延びてもよく、その一部だけがパッケージ１０により覆われてもよい（例えば、図２に示される）ことは理解すべきである。
【0023】
本例において、支持部１４のボウル状カップ開口に近づく面は基板本体のボウル状カップ開口に近づく面と同じ高さにあり、即ち、両者は同じ平面にあってもよく、又は支持部１４のボウル状カップ開口に近づく面は基板本体のボウル状カップ開口に近づく面と同じ平面になくてもよい。例えば、支持部１４のボウル状カップ開口に近づく面は基板本体のボウル状カップ開口に近づく面より高く設けられ、即ち、支持部１４は基板本体の高さ方向（即ち、ボウル状カップ開口に近づく方向）で突出するように設けられてもよく、言い換えれば、支持部１４は側壁内でボウル状カップのカップ縁へ延びることで、当該側壁の全体強度を更に向上させ、特に、ＬＥＤブラケットが例えば板材のひずみによる下から上に向かう外力を受けた場合、側壁が折れる可能性を更に低下させることができる。また、本例における絶縁領域１３の側壁に対応する第１領域Ｔ１は、絶縁領域１３と側壁が接触する領域の側壁に対応する領域を指す。言い換えれば、上面視では、絶縁領域１３の延長方向は支持部１４と交差する部分を有し、且つ当該部分における支持部１４は基板本体と同じ平面になく、立体的な補強構造を形成することで、側壁の強度を確保する。幾つかの応用シーンにおいて、絶縁領域１３の板材がより変形しやすく、支持部１４が第１領域Ｔ１に進入することで、ＬＥＤブラケットの側壁における強度の比較的に弱い部分がより好適に補強される。しかし、幾つかの具体的な応用シーンにおいて、支持部１４は同時に第２導電領域Ｄ２から離れる方向へ延びる部分を更に含んでもよく、その他の部分の側壁も同様に補強される。
【0024】
本例において、支持部１４は基板本体の側辺から上へ直接的に延びてもよく、基板本体の側辺から水平に一定の距離を延びてから上へ延びてもよい。上へ延びる場合、支持部１４は垂直的な突起を含んでもよく、斜め上の突起を含んでもよい。例えば、図２に示される例において、矩形断面の支持部１４は基板本体の側辺の頂部に近づく位置から直接的に延び、当該支持部１４の厚さは基板本体の厚さより小さく設けられてもよく、当該支持部１４は第１サブ基板１１の基板本体に沿って第２サブ基板１２の方向へ延びると共に第１領域Ｔ１に進入するように設けられる。本例において、支持部１４の形状は必要に応じて設定でき、例えば、半分Ｃ形（図３に示される）、逆Ｌ形などの形状又はその他の形状或いはこれらの形状の組合せを含むが、これらに限定されず、例えば、図１に示される半分グラウンド形と矩形の組合せである。
【0025】
図１～図３に示される例において、支持部は何れも一方のサブ基板の基板本体の片側から延びる。本実施例において、ＬＥＤブラケットは一方のサブ基板の基板本体の対向する両側からボウル状カップの対向する２つの側壁内までそれぞれ延びる２つの支持部、又は基板本体の対向する両側及び基板本体のパッケージに覆われるその他の領域からボウル状カップ側壁内までそれぞれ延びる３つの支持部を含むことで、ブラケットの全体強度を更に向上させることは理解すべきである。例えば、図４と図５に示されるＬＥＤブラケットは、図１～図３に示される例に対して、第１サブ基板１１の基板本体の対向する両側にボウル状カップの対向する２つの側壁内までそれぞれ延びる２つの支持部１４を有する。これにより、ＬＥＤブラケットの絶縁領域３の長さ方向における側壁に対応する第１領域Ｔ１の強度を向上させ、即ち、図１～図３に示されるＬＥＤブラケットに対して、その全体強度を倍以上に向上させることができる。
【0026】
本実施例において、ＬＥＤブラケットは２つのサブ基板の基板本体の片側からボウル状カップの側壁内までそれぞれ延びる２つの支持部を含んでもよい。例えば、図６に示されるＬＥＤブラケットは、図１～図３に示される例に対して、第１サブ基板１１の片側にボウル状カップの一方の側壁内まで延びる支持部１４を有し、第２サブ基板１２の基板本体の片側にもボウル状カップの他方の側壁内まで延びる支持部１４を有し、この２つの支持部１４はボウル状カップの対向する２つの側面にある。図１～図３に示されるＬＥＤブラケットに対して、その全体強度を倍以上に向上させることもできる。上記例によれば、本実施例において、支持部１４の数及び位置を自由に設定できると共に、その構造が簡単であるため、様々な応用シーンの需要に応じて対応できる。
【0027】
本実施例の幾つかの例において、図４に示されるように、支持部１４は基板本体に接続される第１支持体１４１と第１支持体１４１から延びる第２支持体１４２とを含み、第２支持体１４２は第１支持体１４１から延びてから、第２サブ基板へ一定の距離を延び、絶縁領域の対応する第１領域Ｔ１に進入するように設けられてもよい。幾つかの応用例において、第１支持体１４１と第２支持体１４２は一体成形であってもよい。第１支持体１４１は水平方向にのみ基板本体の側辺に垂直な方向又は垂直でない方向に沿って延び、第２支持体１４２は第１支持体１４１から延びてから高さ方向で突出しながら第２サブ基板へ延びてもよく、第１支持体１４１は一定の高さで突起し、第２支持体１４２は第１支持体１４１から延びてから水平に第２サブ基板へ延びてもよく、又は、第１支持体１４１と第２支持体１４２は何れも高さ方向で突出し、第１領域Ｔ１に進入する第２支持体１４２の少なくとも一部が基板本体より高ければよい。第１支持体１４１と第２支持体１４２を有する２段式の支持体構造により、側壁の強度が補強されると共に、ブラケットとパッケージとの結合力が確保され、一応用例において、第１支持体１４１の突起の勾配が第２支持体１４２より緩く設けられることができ、より緩い第１支持体１４１によりブラケットとパッケージとの結合力を増強させることで、ブラケットとパッケージとの結合がより安定的になり、外力を受けて分離しにくくなる。
【0028】
側壁内まで延びる支持部１４の部分は、何れも側壁の強度をある程度で増強させることができることは理解すべきである。幾つかの実施形態において、図５に示されるように、図５は図４に示されるＬＥＤブラケットのＡ－Ａ断面の模式図である。支持部１４の第１支持体１４１は弧状の接続領域を更に含み、即ち、支持部１４の基板本体に近づく部分は弧状部１４３であってもよく、本例において、弧状部１４３は支持部１４が高さ方向で突出した場合に存在する弧状のコーナー部を指し、当該弧状部１４３により支持部１４と基板本体との間が滑らかになると共に、パッケージとの接触面を更に増大させ、気密性の向上に繋がり、且つ侵入された湿気を支持部の方向へ誘導し、ＬＥＤブラケットの内部が湿るリスクを低下させる。
【0029】
幾つかの例において、図５に示されるように、支持部１４が設けられる側辺に垂直な断面において、支持部１４は水平方向で基板本体から離れる方向へ延び、支持部１４の先端延長方向と基板本体との夾角θは９０°以上且つ１８０°未満であり、即ち、支持部１４の壁内における先端延長方向と基板本体との夾角は９０°以上且つ１８０°未満であるため、ＬＥＤブラケットの成形難易度を低下させる。しかし、側壁の強度を増強させるために、支持部１４と基板本体との夾角に関係なく、支持部１４がパッケージの側壁に包まれることが望ましいことは理解すべきである。ＬＥＤブラケットが２つ以上の支持部１４を含む場合、この２つの支持部１４の先端延長方向と基板本体との夾角を同じに設定することができ、ＬＥＤブラケットの両側の強度を一致させる。
【0030】
本実施例において、支持部１４はパッケージより硬い材料を選定してもよく、一例において、当該パッケージは例えば、プラスチックなどの材料であってもよく、支持部の硬度は使用されるプラスチックより高い。支持部１４は金属材料、セラミックス材料又は高強度の樹脂材料或いはその他の材料などであってもよく、幾つかの実施形態において、第１サブ基板１１は導電性基板であり、その基板本体と支持部１４は導電性金属材料を使用し、例えば、第１サブ基板は銅基板、アルミニウム基板、鉄基板、銀基板などを含むが、これらに限定されず、支持部は基板本体と同じ材料であり、例えば、金属材料であり、且つ第１サブ基板を一体成形することで、構造の一体性を確保する。支持部１４を形成する過程において、支持部１４は第１サブ基板からの延長領域であってもよく、プレス、エッチングなどのプロセスにより必要とする形状などに形成される。支持部１４を成形してから、プラスチックなどの材料でパッケージングし、側壁などのパッケージ構造を形成する。
【0031】
本実施例の上記各例により提供されるＬＥＤブラケットにおいて、第１サブ基板１１と第２サブ基板１２のうちの少なくとも１つにボウル状カップの側壁内まで延びる少なくとも１つの支持部１４が形成され、支持部１４は基板本体から延びて基板本体から高さ方向で突出すると共に、支持部１４は第２サブ基板１２に近づく方向へ延びて絶縁領域３の対応する第１領域Ｔ１に進入する。本実施例のＬＥＤブラケットは、上記支持部１４により側壁の強度が補強され、特に絶縁領域３の対応する第１領域Ｔ１の強度を顕著に向上させ、側壁が例えば板材のひずみなどによる外力を受けて折れる状況は減少され、ＬＥＤブラケット及びＬＥＤブラケットで製造されたＬＥＤ発光デバイスの品質が確保される。本実施例により提供されるＬＥＤブラケットで製造された発光ユニット、及び当該発光ユニットを採用して製造された発光アセンブリの全体強度と信頼性も向上されることは見込まれる。
【実施例2】
【0032】
従来のＬＥＤデバイスパッケージにおいて、ＬＥＤチップがＬＥＤブラケットの基板の導電領域内に設けられると共に、封止材でＬＥＤチップをパッケージングすることで、ＬＥＤデバイスという発光ユニットを得る。ＬＥＤデバイスは高温、高湿、塩霧環境で動作する可能性があるため、封止材と基板とのガタツキ、更に剥離などの状況が発生し、ＬＥＤデバイスに対する保護が無効となる。
【0033】
本実施例は、上記の問題を解決するために、基板と封止材との接触面積がより大きく、結合強度がより強く、封止材と基板とのガタツキ、更に剥離などの状況の発生がなるべく避けられる、ＬＥＤブラケットを提供する。
【0034】
本実施例におけるＬＥＤブラケットは、上記実施例に示されるＬＥＤブラケットを採用してもよく、その他の構造のＬＥＤブラケットを採用してもよく、本実施例が限定しないことは理解すべきである。本実施例において、ＬＥＤブラケットは基板を含み、図７に示されるように、基板は基板本体２１と、基板本体２１の第１表面に設けられる第１導電層２２と第２導電層２３と、を含み、第１導電層２２と第２導電層２３は絶縁領域により隔離され、２つの導電領域を形成する。本実施例におけるＬＥＤブラケットは基板本体２１に設けられるパッケージを含んでもよく、当該パッケージは様々な封止材を採用してもよいが、これらに限定されない。
【0035】
本実施例において、第１導電層２２と第２導電層２３のうちの少なくとも１つのエッジに複数の第１凹溝２５が設けられることで、基板本体における封止材と接触する導電層がより大きい側面積を有すると共に、導電層のエッジ（即ち、側壁）に複数の第１凹溝２５が設けられることで、基板本体と封止材との結合面積がより大きく、即ち、封止材と本実施例の基板本体とがより頑丈に接着されるため、結合強度を向上させ、封止材と基板本体とのガタツキ又は剥離などの状況の発生が減少される。
【0036】
図７に示されるように、本例において、第１導電層２２と第２導電層２３の両方のエッジに複数の第１凹溝２５が設けられるが、第１導電層２２と第２導電層２３のうちの一方のエッジ（即ち、１つの側面）に第１凹溝２５が設けられてもよく、その複数のエッジに第１凹溝２５がそれぞれ設けられてもよいため、封止材との結合面積及び結合強度を更に向上させることは理解すべきである。
【0037】
本例において、基板本体２１に少なくとも２つの導電貫通孔２４が設けられると共に、第１導電層２２と第２導電層２３はそれぞれ異なる導電貫通孔２４に電気的に接続され、図９に示されるように、本例において、基板は基板本体の第２表面に覆われる第３導電層２６と第４導電層２７を更に含み、第３導電層２６は対応する導電貫通孔２４を介して第１導電層２２に電気的に接続され、第４導電層２７はその他の対応する導電貫通孔２４を介して第２導電層２３に電気的に接続され、本例において、基板本体の第１表面と第２表面は対向する２つの面であり、例えば、基板本体の正面と背面であってもよいが、これらに限定されない。
【0038】
そのうち、第１導電層２２及び／又は第２導電層２３のエッジにある複数の第１凹溝２５の導電層の高さ方向における厚さは、導電層の高さと一致してもよく、導電層の高さより小さくてもよい。例えば、図７に示される状況は、第１凹溝２５の導電層の高さ方向における厚さは導電層の高さと一致する。別の例は図８に示されるように、第１凹溝２５の導電層の高さ方向における厚さは導電層の高さより小さい状況である。
【0039】
第１導電層２２及び／又は第２導電層２３のエッジに複数の第１凹溝が追加で形成され、従来の矩形又はその他の形状の導電層と比べてより大きい側面積を有すると共に、第１導電層２２及び／又は第２導電層２３の側壁の粗さが通常より高いため、第１導電層２２と第２導電層２３が設けられる片側に封止材を設ける場合、封止材との結合がより強い。また、幾つかの実施過程において、最終的に形成されたＬＥＤ発光デバイスの気密性もこの理由で向上される。本実施例の各導電層はボンディングパット、ピンを含むが、これらに限定さらず、例えば、幾つかの実施形態において、上記第１導電層２２と第２導電層２３はＬＥＤチップを設けるためのボンディングパットであってもよく、第３導電層２６と第４導電層２７はピンとしてもよい。また、幾つかの従来の基板において、例えば、正極又は負極ボンディングパットとする導電層に１つの第１凹溝又は類似する形状が形成されるが、実際には、このような構造はボンディングパットの正負極を区別するためものだけであり、封止材の接着性を意図的に増強させるためのものではなく、且つ幾つかの基板において、マークを印刷することで正負極を区別する。本実施例の基板において、第１導電層２２及び／又は第２導電層２３に複数の第１凹溝２５があり、これらの第１凹溝２５の位置は導電層のエッジに沿って一定の周期で連続的且つ規律的に並んでもよく、実際の基板形状及び／又はその後に組み込まれるＬＥＤチップなどの電子デバイスの配置に応じて設けられてもよい。
【0040】
図９に示されるように、本実施例における導電貫通孔２４が基板本体２１の第１表面から第２表面まで貫通し、導電貫通孔２４の位置及び数が実際の状況に応じて選定してもよく、第１導電層２２と第２導電層２３が近づきすぎないように、第１導電層２２と第２導電層２３の対応する導電貫通孔２４は一定の距離で離れる。任意選択的に、導電貫通孔２４に導電性金属層を設けることで基板本体の両面の接続を実現してもよく、対応する導電層が互いに電気的に接続されるように、導電性金属層が基板本体の第１表面及び第２表面に対応する導電層と接触される。導電性金属層の材料は任意の導電性金属であってもよく、金、銀、銅、白金などを含むが、これらに限定されない。導電性金属層は例えば、真空スパッタリングなどのフィルム成形プロセスで導電貫通孔に設けられてもよく、その他のフィルム成形プロセスで製造されてもよい。本例において、導電性金属層は導電貫通孔２４に充満しなくてもよく、例示的に、導電貫通孔２４は孔径５０μｍ～２００μｍとなるように設けられ、導電性金属層は導電貫通孔の内壁に形成され、その厚さは１５μｍ未満となるように設けられてもよい。別の例において、導電貫通孔２４は導電性金属材料に充満されてもよく、又は導電性金属棒に充填されることで、基板の両面の対応する導電層を電気的に接続する効果が同じく実現できる。
【0041】
幾つかの例において、第１導電層２２、第２導電層２３、第３導電層２６及び第４導電層２７は銅層を含み、その形成方法は導電貫通孔２４における導電性金属層の形成方法と類似する方法を採用してもよいが、これらに限定さらず、ここで詳しく説明しない。本例において、銅層の厚さは実際のデバイスの大きさ又は仕様などの必要に応じて設定でき、一例として、銅層の厚さは約２０μｍ～１００μｍであり、第１導電層２２、第２導電層２３、第３導電層２６及び第４導電層２７は同じ厚さであってもよく、異なる厚さであってもよい。また、第１導電層２２と第２導電層２３は同じ厚さであり、第３導電層２６と第４導電層２７は同じ厚さであるが、第１導電層２２と第３導電層２６が同じ厚さとならないように、設けられてもよい。
【0042】
幾つかの例において、第１導電層２２、第２導電層２３、第３導電層２６及び第４導電層２７の少なくとも１つは金属メッキ層を更に含み、ここの金属メッキ層は、例えば、金メッキ、銀メッキ、白金メッキ、又は幾つかの合金など、任意の化学性質が銅より安定的な導電性金属を含んでもよい。導電層は金属メッキ層により相応する金属の表面性質を有し、裸銅を導電層とする場合と比べて、より安定的である。
【0043】
本実施例において、基板における上記第１凹溝２５はエッチング、切断などを含む（これらに限定されない）方法で製造されてもよい。例示的に、基板本体２１に例えば、真空スパッタリングなどの方法で全面の銅層を形成してから、エッチング、切断などの方法で銅層を必要とされる形状に製造してもよく、この過程で第１凹溝２５も製造される。上記金属メッキ層は第１凹溝２５の製造完了後に形成してもよく、これにより、第１導電層２２及び／又は第２導電層２３の側壁にも必要とされる金属が被覆される。本実施例の基板の製造過程において、導電層の表面が滑らかになるように研磨してから、導電層に金属を被覆してもよい。
【0044】
本実施例における基板本体はセラミックス板材を含んでもよく、即ち、本実施例の基板は例えば、ＡＬＮ、ＡＬ２０３などのセラミックス基板であってもよい。その他の実施形態において、基板本体はその他の絶縁材料であってもよい。
【0045】
本実施例における基板本体において、第１導電層２２と第２導電層２３の第１凹溝２５は様々な形状であってもよいことは理解すべきであり、幾つかの実施形態において、第１凹溝２５の形状は弧状、矩形、ジグザグ状のうちの少なくとも１種を含んでもよい。例えば、図７に示される第１導電層２２と第２導電層２３のエッジの周期性（即ち、各第１凹溝２５の間の間隔が一定である）配列は矩形の第１凹溝２５があり、図１０に示される導電層のエッジの周期性配列は弧状の第１凹溝２５があり、図１１に示される導電層のエッジの周期性配列はジグザグ状の第１凹溝２５があり、図１２に示されるのは別の形態のジグザグ状の第１凹溝２５である。第１凹溝はその他の形状であってもよく、その大きさと配列方法が自由に設定できることは理解すべきであり、複数の第１凹溝が確保できれば、封止材と接触する第１導電層と第２導電層の側面積が大きくなり、封止材の接着性を増大させる効果が得られる。
【0046】
幾つかの実施形態において、１つの第１導電層２２、１つの第２導電層２３、１つの第３導電層２６及び１つの第４導電層２７の対応する領域に１つ又は複数のＬＥＤチップが設けられることは理解すべきである。また、基板に複数のこのような領域が設けられてもよい。
【0047】
本実施例の基板において、第１導電層及び／又は第２導電層のエッジに複数の第１凹溝が形成されることで、第１導電層及び／又は第２導電層の比較的に粗い側表面の表面積を増大させ、封止材でパッケージングした後に、封止材が第１導電層及び／又は第２導電層の側壁とより大きい面積で接触することで、基板が封止材とより頑丈に結合し、最終的に製造されたＬＥＤ発光デバイスにおける封止材の剥離の状況が減少され、最終的に製造されたＬＥＤ発光デバイスの品質を向上させた効果は得られる。
【0048】
本実施例は、ＬＥＤ発光デバイスとも呼ばれ、図１３に示されるように、基板本体２１と、ＬＥＤチップ２８と、パッケージ層２９と、を含む、発光ユニットを更に提供する。ＬＥＤチップ２８が基板本体２１の第１表面に設けられ、ＬＥＤチップ２８の正極は第１導電層２２に溶着され、ＬＥＤチップ２８の負極は第２導電層２３に溶着され、パッケージ層２９は基板本体２１の第１表面に設けられ、第１導電層２２、第２導電層２３及びＬＥＤチップ２８を覆うと共に、パッケージ層２９は第１導電層２２及び／又は第２導電層２３のエッジの第１凹溝２５に進入する。
【0049】
上記発光ユニットにおいて、パッケージ層２９は封止材層であってもよいが、これらに限定されず、パッケージ層２９は第１導電層２２及び／又は第２導電層２３のエッジの第１凹溝２５に進入することで、基板における比較的に粗い第１導電層２２及び／又は第２導電層２３の側壁との接触面積を増大させ、基板との結合強度が効果的に向上される。
【0050】
本実施例の一例において、必要に応じて、発光ユニットはツェナーダイオードを更に含んでもよく、ツェナーダイオードは基板本体２１の第１表面に設けられ、即ち、ＬＥＤチップ２８の同一面に設けられ、ツェナーダイオードの正極は第２導電層２３に溶着され、負極が第１導電層２２に溶着されると共に、ツェナーダイオードもパッケージ層に覆われる。逆接続されるツェナーダイオードはＬＥＤチップを保護することができる。ツェナーダイオードをＬＥＤチップの同一面に設けることで、ツェナーダイオードも封止材層に覆われて保護される。その他の素子はＬＥＤ発光デバイスに更に含まれてもよく、回路構造に許容される場合、同じくＬＥＤチップの同一面に設けられてもよい。
【0051】
本実施例の一例において、第１導電層２２と第２導電層２３のエッジにおける複数の第１凹溝２５はＬＥＤチップ２８に覆われる領域以外の位置にあり、発光ユニットがツェナーダイオードを更に含む場合、複数の第１凹溝２５は更にツェナーダイオードに覆われる領域以外の位置にある。素子は基板に組み込まれた後、その一部の領域は第１導電層２２又は第２導電層２３と接触でき、面積がより大きい第１導電層２２又は第２導電層２３により熱の導出が実現でき、第１凹溝２５が素子以外の位置に設けられることで、第１導電層２２又は第２導電層２３による素子熱の導出が確保される。
【0052】
図１４は図１３に示される発光ユニットで使用される基板であり、第１導電層２２と第２導電層２３における第１凹溝２５はそれぞれ第１導電層２２及び第２導電層２３のエッジに沿って設けられ、第１導電層２２と第２導電層２３の長さ方向で基板の中心から離れる片側に比較的に多くの第１凹溝２５が設けられ、実際に、この部分の第１凹溝２５が周期的に設けられてもよく、第１導電層２２と第２導電層２３の幾つかの隅にも第１凹溝２５が形成され、且つ第１導電層又は第２導電層の長さ方向で基板の中心に近づく片側にも少量の第１凹溝２５が設けられる。本例において、第１導電層２２と第２導電層２３における第１凹溝は何れもＬＥＤチップ２８とツェナーダイオードに覆われる位置に設けられておらず、第１導電層２２と第２導電層２３が上記素子に覆われる位置に比較的に多くの第１凹溝２５ができる限り設けられることで、基板と封止材層（図示していない）との接着性を良好にさせることが分かる。実際の応用において、基板における第１凹溝２５は最終の素子配置に応じて選定してもよく、素子に覆われる領域を避けながら、第１導電層２２と第２導電層２３の一定の表面積を確保すると共に、第１導電層２２と第２導電層２３のエッジにできる限り沿って第１凹溝２５を形成し、基板と封止材層との結合強度を増強させ、且つ幾つかの実施過程において、これにより気密性も向上され、ＬＥＤ発光デバイスの最終品質の確保に繋がる。
【0053】
本実施例において、基板と本実施例のＬＥＤ発光チップの製造過程について更に説明する。当該ＬＥＤ発光チップの製造過程は、下記のステップを含む。
【0054】
Ｓ１０１：適切な基板本体を選定して孔を開け、例えば、基板本体２１の左下と右上領域にそれぞれ１つの孔を開け、例示的に、孔径が５０μｍ～２００μｍである。当該ステップにおいて、開けた孔は即ちその後に導電貫通孔に形成される孔である。
【0055】
Ｓ１０２：基板本体の正面、反面及び孔にスパッタリングで金属層を形成し、例えば、基板本体２１にスパッタリングで比較的に薄い金属層を形成し、厚さは１５μｍ未満に選んでもよい。当該金属層は導電性金属であってもよく、例えば、銅などである。
【0056】
Ｓ１０３：基板本体の表面に回路を転写し、電気メッキにより金属層に厚い銅層を被覆する。
【0057】
Ｓ１０４：厚い銅層を必要とされる導電層形状に製造し、エッチング又は切断を実施して図１４に示される例の基板の外形を得る。
【0058】
Ｓ１０５：導電層の表面が滑らかになるように研磨する。
【0059】
Ｓ１０６：導電層の表面を電気メッキにより処理し、完成品の基板を得て、例えば、電気メッキの方法により、銅層の表面に金属メッキ層を形成する。
【0060】
Ｓ１０７：基板に素子を設け、封止材でパッケージングする。
【0061】
例示的に、素子が共晶はんだによる溶着など（を含むが、これらに限定されない）の方法により基板に設けられ、素子はツェナーダイオード、ＬＥＤチップなどを含み、基板にこれらの素子を固定してから、圧縮などの方法で封止材層を製造する。幾つかの具体的な例において、封止材層の厚さは２００μｍ～４００μｍであってもよく、封止材層は、例えば、シリカゲルなどの絶縁のゴム材料であってもよい。幾つかの例において、封止材層が基板における素子の最高表面より高くなることで、各素子が覆われて保護されるように確保できることは理解すべきである。封止材層の圧縮完了後に、オーブンに入れてベーキングにより硬体化させ、例示的に、シリカゲルパッケージ層は温度１２０℃～１７０℃でベーキングにより硬体化される。基板にＬＥＤチップを設ける領域が複数含まれる場合、硬体化されたＬＥＤ発光デバイスを切断して単独のＬＥＤ発光デバイスを得ることは理解すべきである。
【0062】
本実施例は、図１５に示されるように、回路板２１０と、発光ユニットと、を含み、当該発光ユニットが本実施例の上記各例に示されるＬＥＤ発光デバイスであり、回路板２１０が配線層２１１を含み、第３導電層２６と第４導電層２７が配線層２１１に溶着される、発光アセンブリを更に提供する。当該発光アセンブリの回路板２１０に、相応する回路パターンと、ＬＥＤ発光デバイスを駆動して発光させる素子とが配置されてもよいことは理解すべきである。本実施例の発光装置におけるＬＥＤ発光デバイスの封止材層と基板との結合力がより強く、基板から剥離しにくく、発光装置の品質が高い。
【実施例3】
【0063】
従来のＬＥＤパッケージ構造において、パッケージと基板との結合性が悪く、気密性が悪く、光減衰などの問題が発生しやすい。当該問題に対して、本実施例は、新型ＬＥＤブラケットを提供し、ＬＥＤブラケットの基板とパッケージが接触される領域、即ち、基板がパッケージに覆われる領域に第２凹溝が追加され、パッケージにより第２凹溝に階段状構造が形成され、基板に覆われるパッケージの一部が第２凹溝内に充填され、第２凹溝によりパッケージと基板との接触面積を増大させ、基板とパッケージとの結合力及び気密性が増強される。また、当該ブラケットはＬＥＤパッケージに応用されて発光ユニットが得られる場合、第２凹溝が設けられることで、従来の案と比べて、パッケージの内壁の傾斜度が大きくなり、必要とされる結合強度が依然として確保されるため、発光ユニットの光の射出角度が大きくなる。本実施例におけるＬＥＤブラケットは、上記実施例（例えば実施例１）に示されるＬＥＤブラケットを採用してもよく、その他の構造のＬＥＤブラケットを採用してもよく、本実施例が限定しないことは理解すべきである。
【0064】
以下、容易に理解するために、図面に示される幾つかの例を参照しながら説明する。
【0065】
図１６に示されるＬＥＤブラケットにおいて、当該ブラケットは基板３と、基板３に設けられるパッケージ３２とを含み、基板３のパッケージ３２に接続される片側に第２凹溝３１が開設され、パッケージ３２は基板３の一部表面を覆うと共に第２凹溝３１に充填される。本実施例の幾つかの例において、基板３は導電伝熱層として利用されてもよく、材料は銅合金、アルミニウム、金、銀、銅などであってもよいが、これらに限定されない。パッケージ３２が基板の周辺を囲いながら充填物を充填することで形成される保護構造は、その材料は熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂などであってもよいが、これらに限定されない。
【0066】
本実施例の一例において、ＬＥＤブラケットに開設される第２凹溝３１は深さが０．０５ｍｍ～０．３ｍｍであってもよいが、これらに限定されず、幅が０．０５～０．５ｍｍであってもよいが、これらに限定されず、具体的に、パッケージ３２とする充填物材料の粒径を考慮した上で、通常、十分に充填できるように、幅と深さは最大粒径の２倍以上である必要がある。
【0067】
本実施例の幾つかの例において、基板３は絶縁領域３４により隔離される２つの導電領域を有し、本例における当該絶縁領域３４は帯状の孔溝構造であり、当該絶縁領域３４内に絶縁材質の充填物が充填されることで、２つの導電領域同士の電気的な隔離が実現される。
【0068】
本実施例の一例において、図１６に示されるように、パッケージ３２の内壁がホッパー状であると共に、開口寸法は基板３から離れる方向に向けて徐々に大きくなり、即ち、パッケージ３２に囲われて形成されるボウル状カップの開口寸法はボウル状カップの底部から基板３から離れる方向に向けて徐々に大きくなる。パッケージ３２の内壁が第２凹溝３１の溝口のボウル状カップ中心に近づく片側（即ち、第２凹溝３１の溝口の基板３エッジから離れる片側）に接続されると共に、パッケージ３２の内壁の基板３断面に投影する形状は直線Ｌ１であり、即ち、パッケージ３２の内壁形状は丸台又は角台構造の側面であり、そのうち、本例における基板３の断面は基板３の表面に垂直する。当該構造において、基板３とパッケージ３２との結合部に第２凹溝３１が設けられ、パッケージ３２の内部がより斜めにでき、必要とされる結合強度が依然として確保されることができ、ＬＥＤパッケージ構造に応用される場合、射出する光とＬＥＤ中心軸との角度がより大きいため、ＬＥＤパッケージの光の射出角度θ１が大きくなる。
【0069】
幾つかの実施形態において、図１７に示されるように、パッケージ３２の内壁がホッパー状であると共に、開口寸法は基板３から離れる方向に向けて徐々に大きくなり、パッケージ３２の内壁が第２凹溝３１の溝口のボウル状カップ中心に近づく片側に接続されると共に、パッケージ３２の内壁の基板３の断面における形状は曲線Ｌ２であり、曲線の具体的な形状は円弧、楕円弧、放物線を含むが、これらに限定されない。同様に、当該構造において、基板３とパッケージ３２の内壁との結合部に第２凹溝３１が設けられ、パッケージ３２の内部がより斜めにでき、必要とされる結合強度が依然として確保されることができ、ＬＥＤパッケージ構造に応用される場合、射出する光とＬＥＤ中心軸との角度がより大きいため、ＬＥＤパッケージの光の射出角度が大きくなる。
【0070】
幾つかの実施形態において、図１８に示されるように、パッケージ３２の内壁がホッパー状であると共に、開口寸法は基板３から離れる方向に向けて徐々に大きくなり、パッケージ３２は第２凹溝３１の両側の基板３の表面を覆う。パッケージ３２の内壁の基板３の断面における形状は基板３の表面に垂直に接続される第１段３５と、基板３の表面に対して傾斜して設けられる第２段３６と、を含む。パッケージ３２が第２凹溝３１の両側の基板３の表面を覆うことで、パッケージ３２は第２凹溝３１の両側に階段構造が形成され、基板３とパッケージ３２との結合強度が更に増強され、気密性も更に向上される。パッケージ３２の内壁の第１段３５はパッケージ３２の厚さを確保するために使用され、第２段３６は徐々に拡大する開放式開口を形成し、光の射出角度を増大するために使用される。
【0071】
幾つかの実施形態において、図１６～図１８に示されるように、基板３の第２凹溝３１が設けられる片側にチップ（ＬＥＤチップを含むが、これらに限定されない）を固定するための第３凹溝３３が更に開設され、第３凹溝３３は基板３の任意の導電領域内に開設されてもよい。一例において、第３凹溝３３は基板３の表面において皿穴の形態で存在し、その深さが０．０５ｍｍ～０．３ｍｍであってもよいが、これらに限定されず、幅が固定されるチップの辺より大きくてもよく、これにより、チップを第３凹溝３３の内部に入るようにする。第３凹溝３３はパッケージ３２のカップ深さを増加する働きも果たしており、当業者に知られているように、ＬＥＤパッケージにおいて、パッケージングされた製品の気密性を確保するために、チップの上にあるパッケージ層が一定の厚さを有することで、チップの信頼性に支障が出るほどの外部環境の影響を受けにくい。本実施例において、第３凹溝３３の働きは、ＬＥＤパッケージの高さが足りない場合でも、第３凹溝３３の深さによりパッケージの厚さを確保し、パッケージ層の高さを確保した前提で、ＬＥＤパッケージの大きさをできる限り小さくすることである。当該構造は、チップと基板３との間にあるボンディングワイヤ３１０が封止材の表面に露出しないようにすることで、光の減衰とデッドライトの可能性を低減させることができる。
【0072】
なお、本実施例により提供されるＬＥＤパッケージ用ブラケットのその他の構成及び操作は当業者によく知られており、何れも従来技術における関連装置の構造を参照できるため、ここで詳しく記述しない。
【0073】
本実施例は本実施例により提供されるＬＥＤブラケットを含む発光ユニットを更に提供し、図１９～図２１に示されるように、本実施例における発光ユニットはＬＥＤチップ３８を含み、ＬＥＤチップ３８がチップ固定用ゲル３７によりパッケージ３２の内側の基板３の表面（即ち、ボウル状カップ内）に固定され、ＬＥＤチップ３８がボンディングワイヤ３１０（これらに限定されない）により基板３に電気的に接続され、パッケージ層３９はパッケージ３２により形成されるボウル状カップ内に設けられ、ＬＥＤチップ３８を密封する。基板３に第３凹溝３３が開設される場合、第３凹溝３３はＬＥＤパッケージのチップ固定領域であり、第３凹溝３３はボウル状カップ形状のパッケージ３２の内部にあり、ＬＥＤチップ３８はチップ固定用ゲル３７により第３凹溝３３の内部に固定され、ＬＥＤチップ３８がボンディングワイヤ３１０により基板３に電気的に接続される。
【0074】
容易に理解するために、以下、本実施例はＬＥＤブラケットの一製造過程を例として説明する。当該ＬＥＤブラケットの製造過程は、下記のステップを含むが、これらに限定されない。
【0075】
基板３の製造：基板３の中央部に第３凹溝３３を開設し、第３凹溝３３の周辺に第２凹溝３１を開設し、そのうち、第２凹溝３１は深さが０．０５ｍｍ～０．３ｍｍであり、幅が０．０５～０．５ｍｍであり、第３凹溝３３は深さが０．０５～０．３ｍｍであり、幅がＬＥＤチップ３８の辺より大きい。
【0076】
ブラケットの形成：充填物で形成されるパッケージ３２が第２凹溝３１及び金型により第２凹溝３１内まで延び、基板３とパッケージ３２によりブラケット構造が形成される。
【0077】
チップ固定用設備と治具により第３凹溝３３内のチップ固定領域にチップ固定用ゲル３７を置いてから、チップ固定用設備と治具によりチップ固定用ゲル３７にＬＥＤチップ３８を置き、硬化処理によりＬＥＤチップ３８を第３凹溝３３内に固定する。
【0078】
ボンディングワイヤ設備と治具によりチップ固定とベーキング後の材料に対してボンディングワイヤを実施し、ＬＥＤチップ３８がボンディングワイヤ３１０により基板３に電気的に接続される。使用されるボンディングワイヤ３１０は金線、銀線又は合金線を含むが、これらに限定されない。
【0079】
ゲル設備によりボンディングワイヤが実施された材料に蛍光ゲル又は封止材を付け、蛍光ゲル又は封止材が付けられた材料をベーキングにより硬化させ、パッケージ層３９を形成する。最終的に得られた発光ユニット製品は、気密性が良好であり、製品の信頼性が高く、光の射出角度が大きく、輝度が高いため、室内と室外で高い信頼性が要求される製品に応用できる。本例におけるＬＥＤチップは正装ＬＥＤチップであり、必要に応じてフリップＬＥＤチップ又は縦型ＬＥＤチップに取り替えてもよいことは理解すべきである。
【0080】
本実施例により開示された発光ユニットは、上記実施例により提供されるブラケットを含むため、当該ブラケットを有する発光ユニットが上記の全ての技術効果を有し、ここで詳しく説明しない。発光ユニットのその他の構成及び操作は当業者によく知られており、ここで詳しく記述しない。本明細書の一部の実施例は漸進又は並列の方法で記述されており、各実施例により重点として説明されたのはその他の実施例との相違点であり、各実施例の相同又は類似の部分は互いに参照すればよいため、ここで詳しく説明しない。
【実施例4】
【0081】
従来のＬＥＤブラケットにおいて、通常、基板本体の表面に銅メッキ層と銀メッキ層と順に設けられることで、ＬＥＤブラケットの全体性能を向上させる。しかし、ＬＥＤチップがはんだ付けの方法により基板表面に接続された場合、銅メッキ層における大量の銅イオンが銀メッキ層に遷移し、銀メッキ層の表面における錫と結合して銅錫化合物が形成されることで、ホールが形成され、良品率が比較的に低い。
【0082】
上記問題について、本実施例は、基板を含む新型ＬＥＤブラケットであって、基板が基板本体（即ち、基板本体）を含み、基板本体の第１表面に絶縁領域により絶縁隔離される２つの導電領域が設けられ、そのうち、少なくとも１つの導電領域が基板本体の第１表面に順に積層される第１銅メッキ層とニッケルメッキ層と第２銅メッキ層と銀メッキ層とを含むと共に、第１銅メッキ層の厚さが第２銅メッキ層の厚さより厚く設けられ、ニッケルメッキ層は第１銅メッキ層における銅イオンの第２銅メッキ層への遷移を阻害するために使用される、新型ＬＥＤブラケットを提供する。基板本体の表面に第１銅メッキ層とニッケルメッキ層と第２銅メッキ層と銀メッキ層とが順に積層されることで、ＬＥＤブラケットの全体性能を効果的に向上させ、そのうち、第２銅メッキ層の厚さが比較的に薄く、第２銅メッキ層における少量の銅イオンだけが銀メッキ層に遷移することで、銅イオンと銀メッキ層の表面における錫はんだにより大量の銅錫化合物が形成されてホールが形成されることは効果的に避けられ、また、ニッケルメッキ層が存在することにより、第１銅メッキ層における銅イオンの第２銅メッキ層への遷移が阻害されるため、第２銅メッキ層における遷移銅イオンの含有量の増加が効果的に抑制され、銅錫化合物が大量に形成されず、良品率が向上される。本実施例におけるＬＥＤブラケットのその他の構造は、上記各実施例に示されるＬＥＤブラケットの構造を採用してもよく、本実施例のＬＥＤブラケットに適用されるその他の構造を採用してもよく、本実施例が限定しないことは理解すべきである。以下、容易に理解するために、本実施例は図面に示される例を参照しながら説明する。
【0083】
図２２に示されるＬＥＤブラケットの基板は、基板本体４０と、基板本体４０の表面に順に積層される第１銅メッキ層４１とニッケルメッキ層４２と第２銅メッキ層４３と銀メッキ層４４と、を含み、そのうち、基板本体４０は、担持の働きを果たすために、一定の構造強度を有する。なお、基板本体４０が熱伝導率の高い材料により製造されることで、ＬＥＤチップが動作して発熱する場合、発生された熱がＬＥＤブラケットにより伝導され、効果的な放熱が実現される。具体的な一実施例において、基板本体４０の製造材料は、例えば、金属材料のような導電性材料であってもよい。基板本体４０の材料は導電性材料を含むが、これらに限定されず、その他の任意の一定の構造強度を有する高熱伝導率材料により製造されてもよく、ここで基板本体４０の材料を詳しく限定しないことは理解すべきである。
【0084】
本実施例の一例において、基板本体４０は背向する第１表面４０１と第２表面４０２とを含み、第１表面４０１と第２表面４０２に何れも第１銅メッキ層４１とニッケルメッキ層４２と第２銅メッキ層４３と銀メッキ層４４とが積層される。そのうち、第１表面４０１における金属メッキ層はＬＥＤチップに接続され、第２表面４０２における金属メッキ層は回路板に接続される。電気メッキの方法により（これらに限定されない）基板本体４０の表面に上記金属メッキ層が形成されることは理解すべきであり、電気メッキ過程において、基板本体４０の１つの表面だけに金属メッキ層が形成されるのは比較的に困難であり、操作もより複雑であるため、第１表面４０１と第２表面４０２の両方に上記金属メッキ層が形成されてプロセスの難易度を低下させ、加工効率を向上させる。なお、基板本体４０の表面に第１銅メッキ層４１とニッケルメッキ層４２と第２銅メッキ層４３と銀メッキ層４４とが形成される方法は電気メッキを含むが、これらに限定されず、金属蒸着、化学メッキ又はその他の任意の相応する機能の要求に応じる方法で加工してもよく、ここで上記金属メッキ層の形成方法を詳しく限定しない。
【0085】
第１銅メッキ層４１は基板本体４０の表面に設けられる。通常の製造プロセスにおいて、基板本体４０の表面の平坦度が悪いという問題があり、基板本体４０をそのまま回路板に取り付ける場合、基板本体４０と回路板との間に隙間又はホールがあるため、良品率が低くなることは理解すべきである。同様に、ＬＥＤチップをそのままデコボコな基板本体４０の表面に取り付ける場合、ＬＥＤチップの動作効果に一定の影響を与える。基板本体４０の第１表面４０１と第２表面４０２に第１銅メッキ層４１が設けられることで、ＬＥＤブラケットの表面の平坦度が改善され、ＬＥＤブラケットと回路板との間における隙間又はホールが効果的に避けられ、なお、ＬＥＤチップを比較的に平坦な第１銅メッキ層４１に取り付けることで、その動作効果が同様に効果的に向上される。
【0086】
本実施例の一例において、第１銅メッキ層４１の厚さ範囲は０．５μｍ～５μｍである。第１銅メッキ層４１の厚さが０．５μｍ未満である場合、第１銅メッキ層４１の厚さは薄すぎるため、基板本体４０の表面の凹みを補正することが難しく、平坦化の効果が得られず、対応するＬＥＤブラケットと回路板との間に隙間又はホールが依然として存在し、且つＬＥＤチップを相対応するＬＥＤブラケットに取り付ける際に、その動作効果が依然として一定の影響を受けるが、第１銅メッキ層４１の厚さが５μｍを上回る場合、第１銅メッキ層４１の厚さが厚いため、製造コストがある程度で増加される。これにより、第１銅メッキ層４１の厚さが０．５μｍ以上且つ５μｍ以下である場合、ＬＥＤブラケットの表面の平坦度が確保されると共に、製造コストが効果的に減少される。
【0087】
ニッケルメッキ層４２は第１銅メッキ層４１と第２銅メッキ層４３との間に設けられる。通常のプロセスにおいて、ＬＥＤブラケットと回路板との間及びＬＥＤチップとＬＥＤブラケットとの間ははんだ付けの方法で固定して接続され、銀メッキ層４４の表面にはんだ層があり、一定の時間で動作した後、第１銅メッキ層４１における銅イオンは第２銅メッキ層４３容易に遷移するため、第２銅メッキ層４３における銅イオンが多くなり、大量の銅イオンが第２銅メッキ層４３から上記銀メッキ層４４に遷移し、当該銀メッキ層４４の表面における錫と結合して銅錫化合物が形成され、大量の銅錫化合物によりＬＥＤブラケットと回路板との間及びＬＥＤブラケットとＬＥＤチップとの間にホールが形成されやすいため、良品率が低下される。ニッケルメッキ層４２の存在により第１銅メッキ層４１における銅イオンの第２銅メッキ層４３への遷移が効果的に阻害され、更に大量の銅イオンが銀メッキ層４４に遷移して銀メッキ層の表面におけるはんだと多くの銅錫化合物を形成することは効果的に避けられる。
【0088】
ＬＥＤチップに接続される銀メッキ層４４は、輝度を向上させるために、ＬＥＤチップから発射される光を反射することは更に理解すべきである。ニッケルメッキ層４２の存在により、大量の銅イオンが上記銀メッキ層４４に遷移して銀メッキ層４４の反射率を低下させることは効果的に避けられ、更に当該銀メッキ層４４の相応する反射機能が確保される。
【0089】
本実施例の一例において、ニッケルメッキ層４２の厚さ範囲は０．１２５μｍ～２．５μｍである。ニッケルメッキ層４２の厚さが０．１２５μｍ未満である場合、ニッケルメッキ層４２の厚さが薄すぎるため、ニッケルメッキ層４２により銅イオンの遷移が効果的に阻害されることは困難であり、大量の銅錫化合物の形成が抑制されず、銀メッキ層４４の反射率が相応する要求に応じることは確保できないが、ニッケルメッキ層４２の厚さが２．５μｍを上回る場合、ニッケルメッキ層４２の厚さが厚いため、製造コストがある程度で増加されることは理解すべきである。これにより、ニッケルメッキ層４２の厚さが０．１２５μｍ以上且つ２．５μｍ以下である場合、銅イオンの遷移が阻害されると共に、製造コストが効果的に減少される。
【0090】
第２銅メッキ層４３がニッケルメッキ層４２と銀メッキ層４４との間に設けられると共に、第２銅メッキ層４３の厚さが第１銅メッキ層４１の厚さより小さくなる。銀メッキ層４４が直接的にニッケルメッキ層４２の表面に設けられる場合、銀メッキ層４４とニッケルメッキ層４２との結合度が悪く、銀メッキ層４４がニッケルメッキ層４２の表面から容易に剥離されるため、ＬＥＤブラケットの安定性が悪いが、ニッケルメッキ層４２と銀メッキ層４４との間に第２銅メッキ層４３を設けることで、第２銅メッキ層４３と銀メッキ層４４との結合度が比較的に良いため、ＬＥＤブラケットの構造の安定性が効果的に向上されることは理解すべきである。第２銅メッキ層４３の厚さは第１銅メッキ層４１の厚さより小さく、即ち、第２銅メッキ層４３の厚さが比較的に薄くべきであり、これにより、第２銅メッキ層４３における銅イオンの含有量が少なく、大量の銅イオンの第２銅メッキ層４３から銀メッキ層４４への遷移が効果的に抑制され、銅錫化合物により形成されるホールの数がある程度で減少され、良品率が効果的に向上されると共に、銀メッキ層４４の反射率が相応する要求に応じることは確保されることも理解すべきである。
【0091】
本実施例の一例において、第２銅メッキ層４３の厚さ範囲は０．０６２５μｍ～１μｍである。第２銅メッキ層４３の厚さが０．０６２５μｍ未満である場合、第２銅メッキ層４３の厚さが薄すぎるため、第２銅メッキ層４３は結合の働きを果たせず、銀メッキ層４４が依然として剥離しやすく、ＬＥＤブラケットの構造の安定性が効果的に確保できず、第２銅メッキ層４３の厚さが１μｍを上回る場合、第２銅メッキ層４３の厚さが厚すぎるため、第２銅メッキ層４３における銅イオンの含有量が比較的に多く、銅イオンが第２銅メッキ層４３から回路板に接続される銀メッキ層４４に大量に遷移しやすく、更に当該銀メッキ層４４の表面における錫と大量の銅錫化合物が形成されてホールが形成され、良品率が低下されることは理解すべきである。同時に、大量の銅イオンがＬＥＤチップに接続される銀メッキ層４４に容易に遷移するため、当該銀メッキ層４４の反射率が低下され、相応する機能の要求に応じることはできない。これにより、第２銅メッキ層４３の厚さが０．０６２５μｍ以上且つ１μｍ以下である場合、銀メッキ層４４と効果的に結合できると共に、大量の銅イオンの銀メッキ層４４への遷移が避けられる。
【0092】
銀メッキ層４４が第２銅メッキ層４３のニッケルメッキ層４２から離れる片側に設けられる。基板本体４０の第１表面４０１に近づく片側において、ＬＥＤチップが銀メッキ層４４の表面に設けられ、銀メッキ層４４の反射率が比較的に高いため、ＬＥＤチップから発射される光が銀メッキ層４４により反射され、その輝度効果が効果的に向上されるが、基板本体４０の第２表面４０２に近づく片側において、回路板が銀メッキ層４４の表面に接続さ、通常、回路板とＬＥＤブラケットとがはんだ付けの方法で固定して接続され、銀メッキ層４４とはんだ層との結合度がニッケルメッキ層４２とはんだ層との結合度より優れるため、銀メッキ層４４の存在により回路板とＬＥＤブラケットとが効果的に固定されて剥離しにくく、構造の安定性が向上されることは理解すべきである。なお、ＬＥＤブラケットと回路板との接続方式がはんだ付けによる接続を含むが、これらに限定されず、その他の任意の相応する機能の要求に応じる接続方法で接続されてもよく、ここでＬＥＤブラケットと回路板との接続方式を詳しく限定しない。
【0093】
本実施例の一例において、銀メッキ層４４の厚さ範囲は０．２５μｍ～５μｍである。銀メッキ層４４の厚さが０．２５μｍ未満である場合、銀メッキ層４４の厚さが薄すぎるため、基板本体４０の第１表面４０１に近づく銀メッキ層４４は光を反射する働きを果たせにくく、基板本体４０の第２表面４０２に近づく銀メッキ層４４ははんだ層と結合する働きを果たせにくいが、銀メッキ層４４の厚さが５μｍを上回る場合、銀メッキ層４４の厚さが厚すぎるため、銀の価格が高く、製造コストがかなり増加されることは理解すべきである。これにより、銀メッキ層４４の厚さが０．２５μｍ以上且つ５μｍ以下である場合、光の反射及びはんだ層との結合の要求に同時に応じることができ、製造コストが効果的に減少される。
【0094】
本実施例により提供されるＬＥＤブラケットは、基板本体４０の表面に第１銅メッキ層４１とニッケルメッキ層４２と第２銅メッキ層４３と銀メッキ層４４とが順に積層されることで、ＬＥＤブラケットの全体性能を効果的に向上させ、そのうち、第２銅メッキ層４３の厚さが比較的に薄く、第２銅メッキ層４３における少量の銅イオンだけが銀メッキ層４４に遷移することで、銅イオンと銀メッキ層４４の表面における錫はんだにより大量の銅錫化合物が形成されてホールが形成されることは効果的に避けられ、また、ニッケルメッキ層４２が存在することにより第１銅メッキ層４１における銅イオンの第２銅メッキ層４３への遷移が阻害されるため、第２銅メッキ層４３における遷移銅イオンの含有量の増加が効果的に抑制され、銅錫化合物が大量に形成されず、良品率が向上される。
【0095】
図２３及び図２４を併せて参照すると、図２３は本実施例の別の一例におけるＬＥＤブラケットの構成図であり、図２４は本実施例の別の一例におけるＬＥＤブラケットの構成図である。本実施例の一例において、ＬＥＤブラケットはパラジウムメッキ層４５を更に含み、パラジウムメッキ層４５は銀メッキ層４４の第２銅メッキ層４３から離れる片側に設けられ、パラジウムメッキ層４５は銀メッキ層４４を保護するために使用される。パラジウムメッキ層４５の構造が比較的に安定であり、パラジウムメッキ層４５は銀メッキ層４４の表面に覆われることで、銀メッキ層４４の抗酸化能力、抗硫化能力及び耐腐食能力を向上させ、ＬＥＤブラケットの性能がある程度で向上されることは理解すべきである。本例においてパラジウムメッキ層４５の厚さ範囲は０．００２５μｍ～０．２５μｍである。パラジウムメッキ層４５の厚さが０．００２５μｍ未満である場合、パラジウムメッキ層４５の厚さが薄すぎるため、パラジウムメッキ層４５の銀メッキ層４４に対する保護効果が十分に果たせず、銀メッキ層４４が容易に酸化、硫化、更に腐食されるが、パラジウムメッキ層４５の厚さが０．２５μｍを上回る場合、パラジウムメッキ層４５の厚さが厚すぎるため、パラジウムの価格が高く、製造コストがかなり増加されることは理解すべきである。これにより、パラジウムメッキ層４５の厚さが０．００２５μｍ以上且つ０．２５μｍ以下である場合、銀メッキ層４４が効果的に保護されると共に、製造コストが減少される。
【0096】
本実施例の一例において、基板本体４０の表面に金属メッキ層が形成されてから、酸化防止剤に浸漬させた後に、洗浄して乾燥させ、ＬＥＤブラケットの抗酸化能力を更に向上させることができる。
【0097】
図２４に示されるように、本実施例の別の一例において、製造コストを更に低下させるために、ＬＥＤチップに接続される銀メッキ層４４の表面だけにパラジウムメッキ層４５が設けられてもよい。通常、回路板に接続される銀メッキ層４４ははんだ層に覆われ、はんだ層は当該銀メッキ層４４に対して一定の保護効果を果たすことができる。ＬＥＤチップに接続される銀メッキ層４４の大部分は空気に曝露されるため、ＬＥＤチップに接続される銀メッキ層４４の表面だけにパラジウムメッキ層４５が設けられて、当該銀メッキ層４４が保護される。
【0098】
図２５に示される発光ユニット（即ち、ＬＥＤモジュール）の構成図を参照する。当該発光ユニットはＬＥＤチップ４０４と、パッケージ層４０５と、本実施例により提供されるＬＥＤブラケットと、を含み、パッケージ層４０５とＬＥＤチップ４０４は何れも基板４０３の表面に設けられると共に、ＬＥＤチップ４０４はボウル状カップの底部にある。ＬＥＤブラケットとパッケージ層４０５との間にはんだ層を更に設けることができ、即ち、ＬＥＤブラケットとパッケージ層４０５とははんだ付けの方法で固定されてもよく、無論、導電性ゲルで固定されてもよいことは理解すべきである。本実施例により提供される発光ユニットは、本願の任意の実施例により提供されるＬＥＤブラケットが取り付けられることで、発光ユニットの良好な全体性能が確保されると共に、発光ユニットの良品率が効果的に向上される。本実施例は当該ＬＥＤパッケージデバイスがパッケージと、上記発光ユニットと、を含むＬＥＤパッケージデバイスを更に提供し、パッケージは発光ユニットを収容してパッケージによる保護が実現される。本実施例により提供されるＬＥＤパッケージデバイスは、本実施例により提供される発光ユニットが取り付けられることで、ＬＥＤパッケージデバイスの良好な全体性能が確保されると共に、ディスプレイ装置の良品率が効果的に向上される。
【0099】
本実施例は、本実施例により提供される発光ユニット又はＬＥＤパッケージデバイスを含む、発光アセンブリを更に提供する。本実施例により提供される発光アセンブリは、本実施例により提供される発光ユニット又はＬＥＤパッケージデバイスが取り付けられることで、発光アセンブリの良好な全体性能が確保されると共に、ディスプレイ装置の良品率が効果的に向上される。
【実施例5】
【0100】
デバイス技術応用の発展につれて、インストルメントパネル、スイッチ、シンボル、電話、及びファックスなどの工業設備表示灯、バックライト、小型設備、スマートウェアラブル設備バックライト表示灯、及び寸法制限のあるニキシー管バックライト表示灯はＬＥＤパッケージに対して超薄、小型がますます強く要求されている。ニキシー管、スマートウェアラブル設備などの製品は軽量化、薄型化の傾向がある。
従来のＬＥＤチップパッケージでは、通常、絶縁接着剤で正装チップを基板に固定してから、ボンディングワイヤ材でチップの正負極と基板の正負極と接続し、最後に、蛍光ゲルを圧縮により基板に注入する。この構造では、製品の厚さを薄くできず、超薄型ＬＥＤ製品の応用要求を満足できない。
従来のＬＥＤチップパッケージでは、通常、絶縁接着剤で正装チップを基板に固定してから、ボンディングワイヤ材でチップの正負極と基板の正負極と接続し、最後に、蛍光ゲルを圧縮により基板に注入する。この構造では、製品の厚さを薄くできず、超薄型ＬＥＤ製品の応用要求を満足できない。
【0101】
上記の問題について、本実施例は、基板本体のボウル状カップ内にある領域に、第１表面から第２表面へ凹むと共に第２表面を貫通していない第４凹溝が開設され、そのうち、第２表面がボウル状カップから離れており、基板は、第４凹溝内に設けられると共に絶縁領域により絶縁隔離される第１ボンディングパットと第２ボンディングパットを含み、第１ボンディングパットと第２ボンディングパットは第４凹溝の底壁から基板本体の第２表面まで延び、第１ボンディングパットと第２ボンディングパットの第４凹溝内にある部分がそれぞれ２つの導電領域を構成する。基板に凹溝を開設し、チップの少なくとも一部を凹溝内に収容してパッケージングする構造により、チップが第１表面に露出する高さを減少させ、全体的にＬＥＤ製品の厚さを薄くし、超薄型ＬＥＤ製品の応用要求を満足する。以下、容易に理解するために、本実施例は図面に示される例を参照しながら説明する。
【0102】
図２６～図２８に示されるように、本実施例はＬＥＤブラケットを提供し、当該ＬＥＤブラケットは、上記各実施例に示されるＬＥＤブラケットを採用してもよく、その他の構造のＬＥＤブラケットを採用してもよく、本実施例はＬＥＤブラケットを限定しない。本実施例により提供されるＬＥＤブラケットは、基板と、第１ボンディングパット５１と、第２ボンディングパット５２と、ＬＥＤチップ５３と、を含む。基板１は基板本体５を含み、基板本体５は背向する第１表面５０１と第２表面５０２とを含み、基板本体５の第１表面５０１に第４凹溝５４が開設され、第４凹溝５４は第２表面５０２を貫通していない。第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２は絶縁領域により隔離され、間隔をあけて基板本体５に設けられ、また、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２は第４凹溝５４の底壁から第２表面５０２まで延びる。ＬＥＤチップ５３の少なくとも一部は第４凹溝５４内に収容され、ＬＥＤチップ５３の第１電極は第１ボンディングパット５１に接続され、ＬＥＤチップ５３の第２電極は第２ボンディングパット５２に接続される。
【0103】
本実施例において、基板本体５はＰＣＢ板であってもよいが、これらに限定されず、ＰＣＢ板に第４凹溝５４が設けられ、第４凹溝５４は第１表面５０１から第２表面５０２へ凹むと共に第２表面５０２を貫通しておらず、第４凹溝５４はＬＥＤチップ５３を収容し、且つ第４凹溝５４の底壁にＬＥＤチップ５３に対応する配線が印刷されている。ＬＥＤチップ５３は実際の必要に応じて１つ以上に設置でき、その取付け位置が実際の必要に応じて決定され、本実施例はこれについて限定しない。基板本体５の厚さはＬＥＤチップ５３より小さく、又はＬＥＤチップ５３の発光面が基板本体５の第１表面５０１より高い場合、第４凹溝５４の深さはＬＥＤチップ５３の厚さより小さく、ＬＥＤチップ５３の一部が第４凹溝５４内に収容され、図２７及び図２８に示されるように、基板本体５の厚さはＬＥＤチップ５３の厚さより大きく、且つＬＥＤチップ５３が第１表面５０１から突出しない場合、第４凹溝５４の深さはＬＥＤチップ５３の厚さ以上であり、ＬＥＤチップ５３は第４凹溝５４の内部に完全に収容され、このような構造により、ＬＥＤチップ５３がより良好に保護され、第４凹溝５４の外側に露出されて衝突などによって損傷されることは防止される。任意選択的に、ＬＥＤチップ５３はＬＥＤモジュールの構造がよりコンパクトであるように、フリップＬＥＤチップを採用する。その他の実施例において、正装ＬＥＤチップ、縦型ＬＥＤチップなどの構造を選定してもよい。
【0104】
第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２は導電機能を有する金属材質であり、又は外面に導電性金属層が設けられると共に、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２との間に間隔が設けられる。任意選択的に、第１ボンディングパット５１は第１端５１１と第２端５１２を含むと共に、第１ボンディングパット５１は第１端５１１から第２端５１２へ延びる。そのうち、第１端５１１は第４凹溝５４内に収容され、第２端５１２は基板本体５の第２表面５０２に接続される。類似的に、第２ボンディングパット５２は第３端５２１と第４端５２２とを含むと共に、第２ボンディングパット５２は第３端５２１から第４端５２２へ延び、第３端５２１は第４凹溝５４内に収容され、第４端５２２は第２表面５０２に接続される。ＬＥＤチップ５３の正極は第１ボンディングパット５１の第１端５１１に接続され、ＬＥＤチップ５３の負極は第２ボンディングパット５２の第３端５２１に接続される。第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２の位置は互いに交換でき、即ち、任意の一方のボンディングパットが第１ボンディングパット５１である場合、他方のボンディングパットが第２ボンディングパット５２であることは理解すべきである。
【0105】
基板本体５に第４凹溝５４を開設し、ＬＥＤチップ５３の少なくとも一部を第４凹溝５４内に収容してパッケージングする構造により、ＬＥＤチップ５３が第１表面５０１に露出する高さを減少させ、全体的にＬＥＤ製品の厚さを薄くし、超薄型ＬＥＤ製品の応用要求を満足する。
【0106】
一実施例において、図２９～図３１に示されるように、第４凹溝５４の形状はＬＥＤチップ５３の形状に対応する。任意選択的に、図２９に示されるように、ＬＥＤチップ５３が１つであると共に矩形である場合、矩形の第４凹溝５４が開設されてもよく、図３０に示されるように、ＬＥＤチップ５３が１つであると共に円形である場合、円形の第４凹溝５４が開設されてもよく、図３１に示されるように、ＬＥＤチップ５３が複数であると共に不規則な配列である場合、第４凹溝５４の形状が対応する不規則な形状である。第４凹溝５４がＬＥＤチップ５３を収容できるように、第４凹溝５４の底壁面積はＬＥＤチップ５３の第１表面５０１における正投影の面積より常に大きいことは理解すべきである。第４凹溝５４の形状をＬＥＤチップ５３に対応して設けることで、第４凹溝５４の形状と大きさを自由に調製できるため、第４凹溝５４の加工に有利であり、基板本体５の面積及びＬＥＤチップ５３の形状と配置に応じて第４凹溝５４の形状と大きさをリアルタイムで調製することにも有利であり、様々な要求に適する。
【0107】
一実施例において、図２６、図２９及び図３１に示されるように、第４凹溝５４が１つ以上であり、各第４凹溝５４内にあるＬＥＤチップ５３が１つ以上である。任意選択的に、図２９に示されるように、基板本体５に１つの第４凹溝５４が開設されると共に、第４凹溝５４内にあるＬＥＤチップ５３が１つであり、図３１に示されるように、基板本体５に１つの第４凹溝５４が開設されると共に、第４凹溝５４の内部に複数のＬＥＤチップ５３が設けられる。第４凹溝５４の数を自由に調整することで、必要に応じて複数のＬＥＤチップ５３を１つの凹溝内に設け、第４凹溝５４の複数回加工を避けてもよく、第４凹溝５４の数を追加して基板本体５の切断面積を減少することで、構造の強度を向上させてもよい。
【0108】
一実施例において、図２６に示されるように、基板本体５は背向する第１側面５５と第２側面５６とを含み、第１ボンディングパット５１の第１端５１１は第４凹溝５４の底壁から第１表面５０１と第１側面５５を介して第２表面５０２まで延び、第２端５１２を形成し、第２ボンディングパット５２の第３端５２１は第４凹溝５４の底壁から第１表面５０１と第２側面５６を介して第２表面５０２まで延びて、第４端５２２を形成し、第１ボンディングパット５１の第１端５１１と第２ボンディングパット５２の第３端５２１は第４凹溝５４内で第４凹溝５４の底壁の垂直二等分線Ｂに対して対称的に設けられると共に、第１端５１１と第３端５２１が間隔をあけて設けられる。任意選択的に、第１端５１１と第３端５２１との間に絶縁物質が設けられると共に、絶縁物質が第１端５１１と第３端５２１にそれぞれ接触され、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２が絶縁物質により電気的に隔離されると同時に、絶縁物質が第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２にそれぞれ接触されることで、より均一に伝熱される。
【0109】
一実施例において、図２６及び図２７に示されるように、ＬＥＤチップパッケージ構造は補強材５７を更に含む。例えば、図２７に示されるように、第４凹溝５４の底壁において、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２の間に第１隙間Ｌ１を有し、第１隙間Ｌ１は第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２を隔離し、正負極のボンディングパットを形成するために使用され、第１隙間Ｌ１の大きさはＬＥＤチップ５３の正負極の間隔の距離に応じて設定され、ＬＥＤチップ５３の正負極の間隔の距離が大きい場合、第１隙間Ｌ１が大きく、ＬＥＤチップ５３の正負極の間隔の距離が小さい場合、第１隙間Ｌ１が小さい。補強材５７は第２表面５０２に設けられ、補強材５７の第２表面５０２における正投影は第１隙間Ｌ１の第２表面５０２における正投影を完全に覆う。補強材５７を設けることで、基板本体５の第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２との間における厚さの薄すぎによる撓みやすい欠点は補われ、ＬＥＤパッケージ構造の第１隙間Ｌ１における厚さが増加され、構造の強度が向上される。
【0110】
一実施例において、図２６及び図２７に示されるように、第２表面５０２において、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２との間に第２隙間Ｌ２を有する。任意選択的に、第１ボンディングパット５１の第２端５１２と第２ボンディングパット５２の第４端５２２との間に第２隙間Ｌ２が設けられ、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２を隔離し、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２が電気的に隔離されることで、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２にそれぞれ正負極のボンディングパットを形成させる。任意選択的に、第２隙間Ｌ２の間に絶縁物質が設けられることで、絶縁物質により第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２が電気的に隔離されると同時に、絶縁物質により第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２が一体に接続されることで、均一に伝熱される。
【0111】
一実施例において、図２６～図２８に示されるように、補強材５７と第１ボンディングパット５１又は第２ボンディングパット５２が一体構造となっている。任意選択的に、図２７に示されるように、補強材５７と第１ボンディングパット５１が一体構造となり、補強材５７は第１ボンディングパット５１の第２端５１２で第１側面５５のある片側から第２側面５６のある片側へ延びると共に、補強材５７の第２表面５０２における正投影は第１隙間Ｌ１の第２表面５０２における正投影を完全に覆い、図２８に示されるように、補強材５７と第２ボンディングパット５２が一体構造となり、補強材５７は第２ボンディングパット５２の第４端５２２で第２側面５６のある片側から第１側面５５のある片側へ延びると共に、補強材５７の第２表面５０２における正投影の面積は第１隙間Ｌ１の第１表面５０１における正投影の面積より大きい。補強材５７と第１ボンディングパット５１又は第２ボンディングパット５２が一体構造とすることで、ＬＥＤパッケージ構造の強度を向上させると同時に、第１ボンディングパット５１又は第２ボンディングパット５２と基板本体５との接触面積がより大きくさせるため、放熱しやすく、取り付けしやすいようにする。
【0112】
一実施例において、図３２に示されるように、補強材５７は第２隙間Ｌ２に設けられると共に、補強材５７の幅が第２隙間Ｌ２より小さく、第１ボンディングパット５１及び第２ボンディングパット５２と何れも間隔をあけて設けられる。補強材５７は第２表面５０２に密着され、その第２表面５０２における正投影の面積は第１隙間Ｌ１の第１表面５０１における正投影の面積より大きい。補強材５７は金属又は一定の構造強度を有する非金属材料により製造され、金属材料は例えば銅であり、非金属材料は例えばセラミックスなどである。任意選択的に、補強材５７は第２表面５０２に取り外し可能に接続される。補強材５７を第２隙間Ｌ２に設けることで、基板本体５の第１隙間Ｌ１における厚さの薄いことによる折れやすい問題は避けられ、また、補強材５７は第１ボンディングパット５１及び第２ボンディングパット５２と互いに独立であるため、必要に応じて自由に取り付けられる。
【0113】
一実施例において、図２６に示されるように、補強材５７の基板本体５に背向する表面にソルダーレジスト層５８が設けられる。補強材５８と第１ボンディングパット５１又は第２ボンディングパット５２は一体構造となり、補強材５７の基板本体５に背向する表面は導電性を有する金属材質であり、ソルダーレジスト層５８は耐酸性、耐溶解性、及び絶縁性能を有する材料から構成され、例えば、インク層である。そのため、補強材５７の基板本体５に背向する表面に保護層を形成するためのソルダーレジスト層５８を塗布し、外部の水分などの要因による補強材５７の腐食の防止に繋がると共に、その高絶縁性によりチップマウント時に素子が想定位置に傾斜することによる短絡問題は防止される。
【0114】
本実施例は、上記任意の実施例に記載のＬＥＤブラケットにより製造される発光ユニットを含む、発光アセンブリを提供する。当該発光アセンブリは汎用照明装置であってもよく、例えば、ＬＥＤ発光ダイオード、高出力セラミックスＬＥＤ光源などであり、道路照明、建物照明、景観照明、室内照明などのハイエンドマーケットに利用される。ＬＥＤバックライト液晶テレビ、スマートウェアラブル設備などのディスプレイ装置のバックライト光源であってもよい。本実施例により提供されるＬＥＤチップパッケージ構造により、光源の厚さが小さくなり、ディスプレイ装置の薄型化に繋がり、超薄型ディスプレイ装置の応用要求を満足する。
【0115】
本実施例は、上記実施例に記載のＬＥＤチップのパッケージ構造の製造と当該ＬＥＤチップのパッケージ構造によるパッケージングとを含む、ＬＥＤチップパッケージング方法を更に提供する。当該方法は、下記を含むが、これらに限定されない。
【0116】
基板本体５に第４凹溝５４が開設される。任意選択的に、基板本体５は背向する第１表面５０１と第２表面５０２とを含む。任意選択的に、レーザーカットの方法で基板本体５の第１表面５０１に第４凹溝５４が開設され、第４凹溝５４が第１表面５０１から第２表面５０２へ凹むが、第２表面５０２を貫通しておらず、基板本体５が第４凹溝５４により正極と負極の２つの領域に分けられる。任意選択的に、深さ制御付きルータ加工、両面芯板積層などの方法により基板本体５に第４凹溝５４を加工してもよい。
【0117】
基板本体５に間隔をあけて第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２が設けられる。任意選択的に、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２は導電機能を有する金属材質であり、又は外面に導電機能を有する金属メッキ層が塗布される。第１ボンディングパット５１は第１端５１１と第２端５１２とを含み、第１端５１１は第４凹溝５４内に収容されると共に第４凹溝５４の底壁に接続され、第２端５１２は基板本体５の第２表面５０２に接続され、第１ボンディングパット５１は第１端５１１から第２端５１２まで延びる。類似的に、第２ボンディングパット５２は第３端５２１と第４端５２２とを含み、第３端５２１は第４凹溝５４内に収容され、第４端５２２は第２表面５０２に接続されると共に、第２ボンディングパット５２は第３端５２１から第４端５２２へ延びる。第１端５１１と第３端５２１との間、及び第２端５１２と第４端５２２との間に何れも間隔が設けられる。
【0118】
ＬＥＤチップ５３が第１ボンディングパット５１及び第２ボンディングパット５２に接続される。任意選択的に、はんだ５９は３Ｄスチールメッシュにより基板本体５の第４凹溝５４内印刷され、よく使われるはんだ５９は銀ペースト、錫ペースト、フラックスなどを含み、３Ｄスチールメッシュの開口パターンがＬＥＤチップ５３の電極に応じて設計され、その後、ＬＥＤチップ５３ははんだ５９に置かれる。選定されるはんだ５９が銀ペーストである場合、恒温１７０℃、時間１Ｈの条件でベーキングを行う。選定されるはんだ５９が錫ペースト又はフラックスである場合、はんだ５９における金属粒子が酸化されないように、最高炉温２９０℃、時間３０ｓ、窒素ガス雰囲気の条件でリフローはんだ付けを行い、このステップでは、はんだ５９によりＬＥＤチップ５３の第１電極が第１ボンディングパット５１に接続され、ＬＥＤチップ５３の第２電極が第２ボンディングパット５２に接続される。
【0119】
レーザーカットの方法で基板本体５に第４凹溝５４が開設されることで、より高い加工精度と加工効率を有し、完成品の良品率が向上される。第１ボンディングパット５１及び第２ボンディングパット５２の一端が第４凹溝５４の底壁に収容され、ＬＥＤチップ５３の第１電極及び第２電極が第４凹溝５４内で第１ボンディングパット５１及び第２ボンディングパット５２にそれぞれ接続されることで、ＬＥＤチップの基板本体５から突出する高さが低下され、更にＬＥＤ製品の厚さが低減される。
【0120】
【0121】
第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２は第４凹溝５４の底壁の垂直二等分線Ｂに対して対称的に設けられる。任意選択的に、第１ボンディングパット５１の第１端５１１と第２ボンディングパット５２の第３端５２１が第４凹溝５４内で垂直二等分線Ｂの両側にそれぞれ設けられると共に、第１端５１１及び第３端５２１の垂直二等分線Ｂまでの距離が同じであることで、構造は対称的になり、ＬＥＤパッケージ構造の厚さ不均一による撓みや損害が避けられる。
【0122】
第２表面５０２に補強材５７が設けられる。任意選択的に、２つの独立の金属ブロック又は金属プレートを第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２とし、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２の一端が第４凹溝５４の底壁に収容されると共に、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２との間に第１隙間Ｌ１を有し、第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２の他端は第２表面５０２まで延びる。補強材５７は同様に金属構造であると共に、第２表面５０２に設けられ、第２表面５０２における正投影が第１隙間Ｌ１の第２表面５０２における正投影を完全に覆う。補強材５７を設けることで、基板本体５の第１ボンディングパット５１と第２ボンディングパット５２との間における厚さの薄すぎによる撓み安育、損傷しやすい欠点は補われ、ＬＥＤパッケージ構造の第１隙間Ｌ１における厚さが増加され、構造の強度が向上される。
【0123】
更に、図２６～図２８に示されるように、第２表面５０２に補強材５７が設けられ、下記を含み、即ち、補強材５７と第１ボンディングパット５１又は第２ボンディングパット５２が一体構造となっている。任意選択的に、基板本体５は対向する第１側面５５と第２側面５６とを含み、補強材５７と第１ボンディングパット５１が一体構造となる場合、第２端５１２から第１側面５５までの距離が第３端５２１から第１側面５５までの距離より大きくなるように、補強材５７は第１ボンディングパット５１の第２端５１２から第２ボンディングパット５２の第４端５２２へ延びる。補強材５７と第２ボンディングパット５２が一体構造となる場合、第４端５２２から第２側面５６までの距離が第１端５１１から第２側面５６までの距離より大きくなるように、補強材５７は第２ボンディングパット５２の第４端５２２から第１ボンディングパット５１の第２端５１２へ延びる。
【0124】
任意選択的に、別の実施例において、補強材５７は単独の金属ブロック又はその他の一定の構造強度を有する材料により製造される構造であり、補強材５７は第１ボンディングパット５１又は第２ボンディングパット５２と接着又は溶着される。
【0125】
任意選択的に、補強材５７は第１ボンディングパット５１又は第２ボンディングパット５２と間隔をあけると共に、補強材５７の第２表面５０２における正投影が第１隙間Ｌ１の第２表面５０２における正投影を完全に覆う。
【0126】
第２表面５０２に補強材５７が設けられることで、基板本体５の第１隙間Ｌ１における厚さの薄すぎによる損傷しやすい問題は避けられる。
【0127】
幾つかの例において、図２６及び図３３に示されるように、第２表面５０２に補強材５７が設けられ、下記を更に含み、補強材５７の基板本体５に背向する表面にソルダーレジスト層５８が設けられる。任意選択的に、補強材５７とＬＥＤパッケージ構造の負極のボンディングパットが一体構造となる場合、補強材５７の基板本体５に背向する表面に液体フォトイメージャブルソルダーマスクが塗布され、液体フォトイメージャブルソルダーマスクは緑色、赤色、白色などの任意の色のソルダーレジストインクであってもよく、ソルダーレジストインクは使用前に粘着状態であり、印刷、プレベーキング、アライメント、露光、現像、硬化の後にソルダーレジスト層５８が形成され、補強材５７の基板本体５に背向する表面が完全に覆われる。ソルダーレジスト層５８は耐腐食、耐高温、高絶縁性などの優位性を有するため、ＬＥＤパッケージ構造に対して良好な保護効果を有し、且つその高絶縁性により素子の短絡しやすい問題は避けられる。
【0128】
幾つかの例において、図３３に示されるように、補強材５７の基板本体５に背向する表面にソルダーレジスト層５８が設けられた後に、パッケージを切断することを更に含んでもよい。任意選択的に、まず、配置されたエポキシ樹脂蛍光ゲル５１０を圧縮機に入れ、相応するパラメータを調整し、予熱されて洗浄された半製品に対してパッケージ処理を行う。パッケージングを完了させてベーキングした後に、切断機に相応する厚さのブレードを取り付け、基板本体５の全体に相応する切断処理を行い、最後に必要とされる製品を得る。
【実施例6】
【0129】
生鮮食品照明灯は、生鮮食品照明専用に設計される新型の特殊照明であり、生鮮食品の色特徴を鮮明にして、購買意欲を掻き立てる。市場で使用される既存の生鮮食品照明灯のスペクトルは主に普通の白色光又は単色光の混合であり、色の精細化管理及び被照射体に応じる色の復元能力の個別的且つ合理的な調整が考慮されていない。市場によくある生鮮食品照明灯は、通常、白色ビーズランプ＋赤色ビーズランプの案であり、そのミックス光効果が比較的に悪い。藍色光チップ＋緑色蛍光粉＋赤色蛍光粉の案を採用することもあり、励起される生鮮食品白色光の正規化スペクトログラムが図３４又は図３５に示され、２つの正規化スペクトログラムにおける赤色光波長帯のピークに対応する波長は６００ｎｍ未満であり、赤色光の透過性は不十分であり、生鮮食品照明はクロスカラーとなり、生鮮肉類の色の復元度が低い。また、２つの正規化スペクトログラムにおける赤色光波長帯のピークの相対的光パワー（即ち、相対的光強度）は０．７５未満であり、生鮮食品の赤色の発色効果が比較的に悪い。なお、赤色光波長帯と緑色光波長帯が繋がっているため、黄色光が発生しやすく、黄色光により生鮮肉類の赤色飽和度が影響されて、消費者を容易に誤解させる茶色が示される。これは従来の生鮮食品照明灯に一般的に存在する問題である。
【0130】
上記の問題について、本実施例は生鮮食品照明灯に応用できる（これらに限定されない）の２種類の発光ユニットを提供し、当該発光ユニットは、優位性として、生鮮食品の色が良好に復元でき、ある程度で黄色光の発生を抑制し、黄色光による生鮮肉類の赤色飽和度への影響が避けられ、生鮮食品照明の色の復元度が更に向上され、購買意欲を影響する茶色が押さえられ、生鮮肉類に比較的に相応する赤色が示される。本実施例により提供される発光ユニットは様々な生鮮食品照明装置に応用でき、例えば、生鮮豚肉、生鮮牛肉などの生鮮肉類の照明に応用できるが、これらに限定されない。生鮮食品照明装置は、生鮮食品照明灯、又は生鮮食品照明機能を有する冷蔵庫やフリーザーなどの電子機器を選んでもよい。以下、容易に理解するために、本実施例は２種類の発光ユニットについて例示的に説明する。
【0131】
一例の発光ユニットは、図３６及び図３７に示されるように、ＬＥＤブラケット６０と（上記各実施例に示されるＬＥＤブラケットを選定してもよく、その他の構造のブラケットを選定してもよく、本実施例はＬＥＤブラケットを限定しない。）、赤色光ＬＥＤチップ６１と、藍色光ＬＥＤチップ６２と、パッケージ層と、を含み、そのうち、パッケージ層は緑色媒体６３を含む。ＬＥＤブラケット６０は基板を有し、赤色光ＬＥＤチップ６１と藍色光ＬＥＤチップ６２は何れも基板に設けられ、緑色媒体６３は赤色光ＬＥＤチップ６１と藍色光ＬＥＤチップ６２を覆う。赤色光ＬＥＤチップ６１と藍色光ＬＥＤチップ６２は緑色媒体６３を励起させ、白色光を射出する。且つ射出される白色光の正規化スペクトログラムは下記の条件を満足する。正規化スペクトログラムは第１赤色光波長帯と緑色光波長帯とを含み、第１赤色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ～３０ｎｍであり、第１赤色光波長帯のピークは第１ピークであり、第１ピークに対応する相対的光パワーは０．９～１であり、第１ピークに対応する波長は６４５ｎｍ～６６５ｎｍである。
【0132】
任意選択的に、赤色光ＬＥＤチップ６１は垂直構造又は水平構造であってもよく、同様に、藍色光ＬＥＤチップ６２も垂直構造又は水平構造であってもよい。赤色光ＬＥＤチップ６１と藍色光ＬＥＤチップ６２はチップ固定用ゲルによりＬＥＤブラケット６０の底部に固定され、１５０℃の条件で１～２Ｈベーキングすることで、チップ固定用ゲルを完全に硬化させる。そのうち、水平構造のチップの場合、シリコーン樹脂の透明チップ固定用ゲルを採用するが、垂直構造のチップの場合、シリコーン樹脂の銀添加チップ固定用ゲルを採用する。赤色光ＬＥＤチップ６１及び藍色光ＬＥＤチップ６２とＬＥＤブラケット６０との間にボンディングワイヤを設ける必要があり、通常、ボンディングワイヤは０．９ｍｉｌ８０％Ａｕであり、任意選択的にＭ又はＳワイヤアークプロセスを採用する。ボンディングワイヤの配置及び接続方法は、ＬＥＤブラケット６０の構造と、赤色光ＬＥＤチップ６１及び藍色光ＬＥＤチップ６２の構造との組合せによって決定され、回路の導通が実現できればよい。垂直構造の赤色光ＬＥＤチップ６１と水平構造の藍色光ＬＥＤチップ６２が好ましく、ブラケットと、藍色光ＬＥＤチップ６２と、赤色光ＬＥＤチップ６１とが順にボンディングワイヤにより接続される。
【0133】
図３８に示されるように、白色光の正規化スペクトログラムは下記の条件を満足する。
【0134】
正規化スペクトログラムは第１赤色光波長帯を含み、第１赤色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ～３０ｎｍである。具体的に、第１赤色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ、１８ｎｍ、２４ｎｍ、２７ｎｍ、３０ｎｍなどを選んでもよく、そのうち、好ましくは３０ｎｍであり、且つ半波長範囲は６４０ｎｍ～６７０ｎｍである。
【0135】
第１赤色光波長帯のピークは第１ピークであり、第１ピークに対応する相対的光パワーは０．９～１であり、第１ピークに対応する波長は６４５ｎｍ～６６５ｎｍである。具体的に、第１ピークに対応する相対的光パワー（即ち、相対的光強度）は０．９、０．９２、０．９５、０．９９、１などであり、そのうち、好ましくは１である。第１ピークに対応する波長は６４５ｎｍ、６５１ｎｍ、６５４ｎｍ、６５９ｎｍ、６６５ｎｍなどを選んでもよく、そのうち、好ましくは６６０ｎｍである。
【0136】
赤色光ＬＥＤチップ６１と藍色光ＬＥＤチップ６２を設けて緑色媒体６３を励起させる案では、励起される第１赤色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ～３０ｎｍとなり、エネルギーが比較的に集中し、赤色光飽和度が高く、且つ第１赤色光波長帯の第１ピークの波長は６５０ｎｍ～６７０ｎｍであり、赤色光の透過性が強く、生鮮肉類の色が良好に復元でき、同時に、第１赤色光波長帯の第１ピークに対応する相対的光パワーは０．９～１であり、生鮮食品の赤色の発色効果が良好である。また、上記パラメータの第１赤色光波長帯は、ある程度で黄色光の発生を抑制し、黄色光による生鮮肉類の赤色飽和度への影響が避けられ、生鮮食品照明の色の復元度が更に向上され、購買意欲を影響する茶色が押さえられ、生鮮肉類に比較的に相応する赤色が示される。
【0137】
一実施形態において、図３８に示されるように、正規化スペクトログラムは緑色光波長帯を更に含む。緑色光波長帯の半値全幅は３５ｎｍ～６０ｎｍである。具体的に、緑色光波長帯の半値全幅は３５ｎｍ、４１ｎｍ、４８ｎｍ、５３ｎｍ、５７ｎｍ、６０ｎｍなどを選んでもよく、そのうち、好ましくは６０ｎｍであり、且つ半波長範囲は５１０ｎｍ～５７０ｎｍである。緑色光波長帯の半値全幅を３５ｎｍ～６０ｎｍにすることで、緑色光波長帯は白色生鮮食品の発色効果に影響せず、赤色生鮮食品の発色効果にも影響しない。緑色光波長帯の半値全幅が３５ｎｍ以下である場合、プロセスコストが比較的に高く、色が不調和になりやすく、白色がクロスカラーとなりやすく、生鮮肉類の白色部位の色復元に不利であるが、緑色光波長帯の半値全幅が６０ｎｍ以上である場合、白色光で緑色光波長帯が占める比率が大きすぎ、赤色光が影響されやすく、赤色がクロスカラーとなりやすく、生鮮肉類の赤色部位の発色に不利である。
【0138】
緑色光波長帯のピークは第２ピークであり、第２ピークに対応する相対的光パワーは０．２～０．４であり、第２ピークに対応する波長は５３０ｎｍ～５５０ｎｍである。具体的に、第２ピークに対応する相対的光パワーは０．２、０．２４、０．２９、０．３４、０．３８、０．４などを選んでもよい。第２ピークに対応する波長は５３０ｎｍ、５３２ｎｍ、５３８ｎｍ、５４４ｎｍ、５５０ｎｍなどを選んでもよく、そのうち、好ましくは５４０ｎｍである。第２ピークの相対的光パワーを０．２～０．４にすることで、白色発色に影響しない同時に、赤色発色を良好にでき、生鮮食品照明のクロスカラーを避けることに有利である。第２ピークに対応する波長は５３０ｎｍ～５５０ｎｍであり、第１赤色光波長帯の第１ピークとの距離が大きく、赤色光発色が影響されにくい。
【0139】
一実施形態において、図３８に示されるように、正規化スペクトログラムは黄色光波長帯を更に含み、黄色光波長帯に対応する波長範囲は５８５ｎｍ～６３０ｎｍであり、黄色光ボトムの相対的光パワーは０．１５未満である。具体的に、黄色光波長帯の左側は緑色光波長帯と繋がり、右側は赤色光波長帯と繋がる。黄色光波長帯は凹み状であり、即ち、黄色光波長帯の左側及び右側に対応する相対的光パワーは中央部に対応する相対的光パワーより高い。黄色光ボトムの相対的光パワーを０．１５未満にすることで、黄色光の発生が更に抑制され、黄色光による生鮮肉類の赤色飽和度への影響が避けられ、茶色も押さえられ、生鮮肉類に比較的に相応する赤色の発色に有利である。
【0140】
一実施形態において、図３８に示されるように、正規化スペクトログラムは藍色光波長帯を更に含み、藍色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ～３０ｎｍである。具体的に、藍色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ、１７ｎｍ、１９ｎｍ、２２ｎｍ、２６ｎｍ、２９ｎｍ、３０ｎｍなどを選んでもよく、そのうち、好ましくは１５ｎｍであり、且つ半波長範囲は４３５ｎｍ～４６５ｎｍである。藍色光波長帯の半値全幅を１５ｎｍ～３０ｎｍにすることで、藍色光波長帯は生鮮食品赤色の発色に影響せずに、生鮮食品の要求を満たす白色を発生することができる。藍色光波長帯の半値全幅が１５ｎｍ以下である場合、製造過程が難しく、ウェハ基板が厳しく要求されることは理解すべきである。藍色光波長帯の半値全幅が３０ｎｍ以上である場合、ウェハ全体の輝度がかなり低下され、白色光が不調和になり、青白く見え、白色部位の鮮度見栄え効果に不利である。
【0141】
藍色光波長帯のピークは第３ピークであり、第３ピークに対応する相対的光パワーが０．３～０．５であり、第３ピークに対応する波長は４４５ｎｍ～４５５ｎｍである。具体的に、第３ピークの相対的光パワーは０．３、０．３４、０．３９、０．４４、０．５などを選んでもよい。第３ピークに対応する波長は４４５ｎｍ、４４７ｎｍ、４４９ｎｍ、４５１ｎｍ、４５２ｎｍ、４５４ｎｍ、４５５ｎｍなどを選んでもよく、そのうち、好ましくは４５０ｎｍである。第３ピークの相対的光パワーを０．３～０．５にすることで、白色発色に影響しない同時に、赤色発色を良好にでき、生鮮食品照明のクロスカラーを避けることに有利である。第２ピークに対応する波長は４４５ｎｍ～４５５ｎｍであり、白色部位生鮮食品の要求を満たす白色を良好に発生できる。
【0142】
スペクトルの放射分布を的確に定義するために、赤色光波長帯の第１ピークに対応する相対的光パワーは０．９～１であり、緑色光波長帯に対応する相対的光パワーは０．２～０．４であり、藍色光波長帯の第３ピークに対応する相対的光パワーは０．３～５であることは理解すべきである。
【0143】
一実施形態において、図３８に示されるように、正規化スペクトログラムは青色光波長帯を更に含み、青色光波長帯に対応する波長範囲は４６５ｎｍ～５１５ｎｍであり、青色光ボトムの相対的光パワーは０．１未満である。具体的に、青色光波長帯の左側は藍色光波長帯と繋がり、右側は緑色光波長帯と繋がる。青色光波長帯は凹み状であり、即ち、青色光波長帯の左側及び右側に対応する相対的光パワーは中央部に対応する相対的光パワーより高い。青色光ボトムの相対的光パワーを０．１未満にすることで、青色光の発生が抑制され、青色光による生鮮食品赤色への影響が避けられ、及び青色光による生鮮食品白色への影響が避けられ、生鮮肉類の鮮度見栄え効果の向上に有利である。
【0144】
一実施形態において、図３８に示されるように、正規化スペクトログラムは紫色光波長帯を更に含み、紫色光波長帯に対応する波長範囲は３５０ｎｍ～４２０ｎｍであり、紫色光波長帯の相対的光パワーは０．１未満である。具体的に、紫色光波長帯は藍色光波長帯の左側と繋がる。紫色光波長帯は対応する波長の減少に伴って減少する（ある程度まで減少した後にほとんど変わらない）。紫色光波長帯の相対的光パワーを０．１未満にすることで、青白く見える確率の低減に繋がり、更に白色部位の鮮度見栄え効果が向上される。
【0145】
一実施形態において、図３８に示されるように、正規化スペクトログラムは第１赤色光波長帯と隣接する第２赤色光波長帯を更に含み、第２赤色光波長帯に対応する波長範囲は６８０ｎｍ～７８０ｎｍであり、第２赤色光波長帯の相対的光パワーは０．１未満である。具体的に、第２赤色光波長帯の左側は第１赤色光波長帯と繋がる。第２赤色光波長帯の相対的光パワーを０．１未満にすることで、赤色光の飽和度の向上に繋がり、赤色部位の鮮度見栄え効果が向上される。
【0146】
一実施形態において、図３６及び図３７に示されるように、緑色媒体６３の材質はβ－Ｓｉａｌｏｎを含み、藍色光ＬＥＤチップ６２の材質は窒化ガリウム（ＧａＮ）を含み、赤色光ＬＥＤチップ６１の材質はアルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）を含む。上記材質によって赤色光波長帯、藍色光波長帯、及び緑色光波長帯の半値全幅及びピークに対応する波長位置が決定されるため、本発明の実施例により提供される正規化スペクトログラムに合致する白色光の取得に繋がることは理解すべきである。
【0147】
一実施形態において、発光ユニットはボウル状カップ６５に充填される封止材６４を更に含み、緑色媒体６３と封止材６４との混合比率範囲は１：１２～１：２である。具体的に、緑色媒体６３と封止材６４との混合比率は１：１２、１：１１、１：１０．５、１：８、１：６．５、１：４．５、１：３、１：２などを選んでもよい。封止材６４と緑色媒体６３は攪拌機により均一に混合され、攪拌条件は２００ｓ～４００ｓ、速度１０００ｎ／ｍｉｎ～２０００ｎ／ｍｉｎを選んでもよく、これにより、封止材６４と緑色媒体６３の均一混合に有利である。また、封止材６４と緑色媒体６３の混合物がＬＥＤブラケット６０のボウル状カップ６５に注ぎ込まれた後、１５０℃で３～４Ｈベーキングすることで、混合物を硬化させ、パッケージを完成する。緑色媒体６３と封止材６４の混合比率を１：１２～１：２にすることで、第１ピーク、第２ピーク、及び第３ピークの高さ（相対的光パワー）の調節に有利であり、スペクトルの放射分布がより的確に定義されることは理解すべきである。
【0148】
一実施形態において、ＣＩＥ１９３１（ＣＩＥ１９３１色空間とも呼ばれる）色度図において、白色光のＸ軸における分布範囲は０．３１～０．３９であり、Ｙ軸における分布範囲は０．３～０．４であり、且つ白色光の色温度範囲は４０００Ｋ～７０００Ｋであり、具体的に、色温度は４０００Ｋ、４３００Ｋ、４５００Ｋ、４９００Ｋ、５１２０Ｋ、５８７０Ｋ、６３７０Ｋ及び７００などである。白色光の色温度を４０００Ｋ～７０００Ｋにすることで、本発明の実施例により提供される発光ユニットの鮮度見栄え効果が十分に示されると共に、光が人間の肉眼に適応されやすく、眩しい又は暗すぎるというような問題はない。なお、白色光のＣＩＥ１９３１分布が比較的に合理であり、鮮度見栄え効果の向上に繋がる。
【0149】
別の一例の発光ユニットは図３９及び図４０に示されるように、発光ユニットはＬＥＤブラケット７０と、藍色光ＬＥＤチップ７１と、赤色媒体７２と、緑色媒体７３と、を含む。ＬＥＤブラケット７０はボウル状カップ７５を有し、藍色光ＬＥＤチップ７１はボウル状カップ７５に設けられ、赤色媒体７２と緑色媒体７３は混合されてボウル状カップ７５に充填されると共に、藍色光ＬＥＤチップ７１を覆う。藍色光ＬＥＤチップ７１は赤色媒体７２と緑色媒体７３を励起させ、白色光を射出する。
【0150】
任意選択的に、本例における藍色光ＬＥＤチップ７１は正装構造又はフリップ構造を選んでもよい。例えば、正装構造の場合、藍色光ＬＥＤチップ７１はチップ固定用ゲルによりＬＥＤブラケット７０に固定され、１５０℃の条件で１～２Ｈベーキングすることで、チップ固定用ゲルを完全に硬化させる。フリップ構造の場合、藍色光ＬＥＤチップ７１は高温錫ペーストによりＬＥＤブラケット７０に固定され、リフローはんだ付けを行い、リフローはんだ付けの最高炉温は２９０℃であり、時間は約３０ｓであり、更に窒素ガス雰囲気で行う必要があり、はんだを完全に溶融させ、藍色光ＬＥＤチップ７１及びＬＥＤブラケット７０に完全に密着させる。また、正装構造の藍色光ＬＥＤチップ７１の場合、ボンディングワイヤプロセスを行う必要があり、通常、ボンディングワイヤは０．９ｍｉｌ８０％Ａｕであり、Ｓ又はＭワイヤアークプロセスを採用する。ボンディングワイヤの配置及び接続方法は、ＬＥＤブラケット７０の構造と藍色光ＬＥＤチップ７１の構造との組合せによって決定され、回路の導通が実現できればよい。
【0151】
図４１に示されるように、本例において白色光の正規化スペクトログラムは下記の条件を満足する。
【0152】
スペクトログラムは赤色光波長帯と緑色光波長帯を含み、赤色光波長帯の半値全幅は８０ｎｍ～１００ｎｍであり、赤色光波長帯のピークは第１ピークであり、第１ピークに対応する相対的光パワーは０．７５～０．９５であり、第１ピークに対応する波長は６４５ｎｍ～６６５ｎｍであり、緑色光波長帯の半値全幅は４５ｎｍ～７０ｎｍであり、緑色光波長帯のピークは第２ピークであり、第２ピークに対応する波長は５００ｎｍ～５２０ｎｍである。具体的に、赤色光波長帯の半値全幅は８０ｎｍ、８４ｎｍ、８６ｎｍ、８９ｎｍ、９４ｎｍ、９６ｎｍ、１００ｎｍなどを選んでもよく、好ましくは１００ｎｍであり、且つ半波長範囲は６１０ｎｍ～７１０ｎｍである。第１ピークに対応する相対的光パワーは０．７５、０．７９、０．８４、０．８９、０．９３、０．９５などを選んでもよい。第１ピークに対応する波長は６４５ｎｍ、６４６ｎｍ、６４９ｎｍ、６５３ｎｍ、６５９ｎｍ、６６３ｎｍ、６６５ｎｍなどを選んでもよく、好ましくは６６０ｎｍである。緑色光波長帯の半値全幅は４５ｎｍ、４６ｎｍ、４９ｎｍ、５３ｎｍ、５５ｎｍ、６１ｎｍ、６７ｎｍ、６９ｎｍ、７０ｎｍなどを選んでもよく、好ましくは７０ｎｍであり、且つ半波長範囲は４８０ｎｍ～５５０ｎｍである。第２ピークに対応する波長は５００ｎｍ、５０３ｎｍ、５０９ｎｍ、５１１ｎｍ、５１６ｎｍ、５１９ｎｍ、５２０ｎｍなどを選んでもよい。
【0153】
緑色光波長帯の半値全幅が４５ｎｍ以下である場合、プロセスコストが比較的に高く、色が不調和になりやすく、白色がクロスカラーとなりやすく、生鮮肉類の白色部位の色復元に不利であるが、緑色光波長帯の半値全幅が７０ｎｍ以上である場合、白色光で緑色光波長帯が占める比率が大きすぎ、赤色光と干渉し、赤色がクロスカラーとなりやすく、生鮮肉類の赤色部位の発色に不利である。藍色光ＬＥＤチップ７１を設けて赤色媒体７２及び緑色媒体７３を励起させる案では、励起される赤色光波長帯の第１ピークに対応する波長は６４５ｎｍ～６６５ｎｍであり、赤色光の透過性が強く、生鮮食品の色が良好に復元でき、第１ピークに対応する相対的光パワーは０．７５～０．９５であり、赤色の発色効果が良好である。同時に、緑色光波長帯の第２ピークに対応する波長は５００ｎｍ～５２０ｎｍであり、且つ緑色光波長帯の半値全幅は４５ｎｍ～７０ｎｍであり、緑色光波長帯は赤色光波長帯を干渉しにくく、且つ黄色光の発生がしにくく、黄色光による生鮮肉類の赤色飽和度への影響が避けられ、生鮮食品照明の色の復元度が更に向上され、購買意欲を影響する茶色が押さえられ、生鮮肉類に比較的に相応する赤色が示される。
【0154】
一実施形態において、図４１に示されるように、第２ピークに対応する相対的光パワーは０．４～０．７である。具体的に、第２ピークに対応する相対的光パワーは０．４、０．５、０．６、０．７などを選んでもよい。第２ピークの相対的光パワーを０．４～０．７にすることで、緑色光の飽和度の高すぎによる赤色のクロスカラー、及び飽和度の低すぎによる白色のクロスカラーが避けられる。
【0155】
一実施形態において、図４１に示されるように、正規化スペクトログラムは黄色光波長帯を更に含み、黄色光波長帯に対応する波長範囲は５６０ｎｍ～５９０ｎｍであり、黄色光ボトムの相対的光パワーは０．０５～０．２５である。具体的に、黄色光波長帯の左側は緑色光波長帯と繋がり、右側は赤色光波長帯と繋がる。黄色光波長帯は凹み状であり、即ち、黄色光波長帯の左側及び右側に対応する相対的光パワーは中央部に対応する相対的光パワーより高い。黄色光ボトムの相対的光パワーを０．０５～０．２５にすることで、黄色光の発生が更に抑制され、黄色光による鮮肉類の赤色飽和度への影響が避けられ、茶色も押さえられ、生鮮肉類に比較的に相応する赤色の発色に有利である。
【0156】
一実施形態において、図４１に示されるように、正規化スペクトログラムは藍色光波長帯を更に含み、藍色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ～３０ｎｍである。具体的に、藍色光波長帯の半値全幅は１５ｎｍ、１７ｎｍ、１９ｎｍ、２２ｎｍ、２６ｎｍ、２９ｎｍ、３０ｎｍなどを選んでもよく、そのうち、好ましくは１５ｎｍであり、且つ半波長範囲は４３５ｎｍ～４６５ｎｍである。藍色光波長帯の半値全幅を１５ｎｍ～３０ｎｍにすることで、藍色光波長帯は生鮮食品赤色の発色に影響せずに、生鮮食品の要求を満たす白色を発生することができる。藍色光波長帯の半値全幅が１５ｎｍ以下である場合、製造過程が難しく、ウェハ基板が厳しく要求されることは理解すべきである。藍色光波長帯の半値全幅が３０ｎｍ以上である場合、ウェハ全体の輝度がかなり低下され、白色光が不調和になり、青白く見え、白色部位の鮮度見栄え効果に不利である。
【0157】
藍色光波長帯のピークは第３ピークであり、第３ピークに対応する相対的光パワーは０．９～１であり、第３ピークに対応する波長は４４５ｎｍ～４５５ｎｍである。具体的に、第３ピークの相対的光パワーは０．９、０．９１、０．９３、０．９６、０．９８及び１などを選んでもよく、好ましくは１である。第３ピークに対応する波長は４４５ｎｍ、４４７ｎｍ、４４９ｎｍ、４５１ｎｍ、４５２ｎｍ、４５４ｎｍ、４５５ｎｍなどを選んでもよく、そのうち、好ましくは４５０ｎｍである。第３ピークの相対的光パワーを０．９～１にすることで、白色発色に影響しない同時に、赤色発色を良好にでき、生鮮食品照明のクロスカラーを避けることに有利である。第３ピークに対応する波長は４４５ｎｍ～４５５ｎｍであり、白色部位生鮮食品の要求を満たす白色が良好に発生できる。
【0158】
スペクトルの放射分布を的確に定義するために、赤色光波長帯の第１ピークに対応する相対的光パワーは０．７５～０．９５であり、緑色光波長帯に対応する相対的光パワーは０．４～０．７であり、藍色光波長帯の第３ピークに対応する相対的光パワーは０．９～１であることは理解すべきである。
【0159】
一実施形態において、図４１に示されるように、正規化スペクトログラムは青色光波長帯を更に含み、青色光波長帯に対応する波長範囲は４６０ｎｍ～４９０ｎｍであり、青色光ボトムの相対的光パワーは０．１５～０．３５である。具体的に、青色光波長帯の左側は藍色光波長帯と繋がり、右側は緑色光波長帯と繋がる。青色光波長帯は凹み状であり、即ち、青色光波長帯の左側及び右側に対応する相対的光パワーは中央部に対応する相対的光パワーより高い。青色光ボトムの相対的光パワーを０．１５～０．３５にすることで、青色光の発生が抑制され、青色光による生鮮食品赤色への影響が避けられ、及び青色光による生鮮食品白色への影響が避けられ、生鮮肉類の鮮度見栄え効果の向上に有利である。
【0160】
一実施形態において、図４１に示されるように、正規化スペクトログラムは紫色光波長帯を更に含み、紫色光波長帯に対応する波長範囲は３５０ｎｍ～４２０ｎｍであり、紫色光波長帯の相対的光パワーは０．１未満である。具体的に、紫色光波長帯は藍色光波長帯の左側と繋がる。紫色光波長帯は対応する波長の減少に伴って減少する（ある程度まで減少した後にほとんど変わらない）。紫色光波長帯の相対的光パワーを０．１未満にすることで、青白く見える確率の低減に繋がり、更に白色部位の鮮度見栄え効果が向上される。
【0161】
一実施形態において、図４１に示されるように、正規化スペクトログラムは赤色光波長帯と隣接する赤外線波長帯を更に含み、赤外線波長帯に対応する波長は７８０ｎｍを超え、赤外線波長帯の相対的光パワーは０．１未満である。具体的に、赤外線波長帯の左側は赤色光波長帯と繋がる。赤外線波長帯の相対的光パワーを０．１未満にすることで、赤色光の飽和度の向上に繋がり、赤色部位の鮮度見栄え効果が向上される。
【0162】
一実施形態において、図４１に示されるように、赤色媒体７２の材質は窒化物を含み、緑色媒体７３の材質はβ－Ｓｉａｌｏｎ及び／又はケイ酸塩を含み、藍色光ＬＥＤチップ７１の材質は窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む。具体的に、緑色媒体７３はβ－Ｓｉａｌｏｎとケイ酸塩のうちの１つだけ含んでもよく、β－Ｓｉａｌｏｎとケイ酸塩を同時に含んでもよい。上記材質によって赤色光波長帯、藍色光波長帯、及び緑色光波長帯の半値全幅及びピークに対応する波長位置が決定されるため、本発明の実施例により提供される正規化スペクトログラムに合致する白色光の取得に繋がることは理解すべきである。
【0163】
一実施形態において、図４１に示されるように、赤色媒体７２と緑色媒体７３との比率範囲は１：１３～１：４である。具体的に、赤色媒体７２と緑色媒体７３との比率は１：１３、１：１２、１：９、１：７、１：６、１：５、１：４．５、１：４などを選んでもよい。赤色媒体７２と緑色媒体７３の混合比率を適切にすることで、第１ピーク、第２ピーク、及び第３ピークの高さ（相対的光パワー）の調節に有利であり、スペクトルの放射分布が的確に定義される。
【0164】
一実施形態において、図４１に示されるように、発光ユニットはボウル状カップ７５に充填される封止材５０を更に含む。赤色媒体７２及び緑色媒体７３の混合物と封止材５０との混合比率範囲は１：８～１：１．８である。具体的に、赤色媒体７２及び緑色媒体７３の混合物と封止材５０との比率は１：８、１：７、１：６、１：５．５、１：５、１：４．５、１：３、１：２及び１：１．８などを選んでもよい。赤色媒体７２及び緑色媒体７３の混合物と封止材５０が攪拌機により均一に混合され、攪拌条件は２００ｓ～４００ｓ、速度１０００ｎ／ｍｉｎ～２０００ｎ／ｍｉｎを選んでもよく、これにより、封止材５０と緑色媒体７３の均一混合に有利である。また、封止材５０と緑色媒体７３の混合物がＬＥＤブラケット７０のボウル状カップ７５に注ぎ込まれた後、１５０℃の条件で３～４Ｈベーキングすることで、混合物を硬化させ、パッケージを完成する。緑色媒体７３と封止材５０との混合比率を１：１２～１：２にすることで、第１ピーク、第２ピーク、及び第３ピークの高さの調節に有利であり、スペクトルの放射分布がより的確に定義されることは理解すべきである。
【0165】
一実施形態において、ＣＩＥ１９３１色度図において、白色光のＸ軸における分布範囲は０．３２～０．３８であり、Ｙ軸における分布範囲は０．２７５～０．３４であり、且つ白色光の色温度範囲は４０００Ｋ～６２００Ｋである。具体的に、色温度は４０００Ｋ、４２３０Ｋ、４５００Ｋ、４９００Ｋ、５１２０Ｋ、５５３０Ｋ、５８７０Ｋ、６２００Ｋなどを選んでもよい。白色光の色温度を４５００Ｋ～８０００Ｋにすることで、本発明の実施例により提供される発光ユニットの鮮度見栄え効果が十分に示されると共に、光が人間の肉眼に適応されやすく、眩しい又は暗すぎるというような問題はない。なお、白色光のＣＩＥ１９３１色度範囲が比較的に合理であり、鮮度見栄え効果が確保される。
【実施例7】
【0166】
現在、バックライトモジュールは、ディスプレイユニットの重要部品の１つとして、ディスプレイユニットに光源を提供するために使用され、軽量化、薄型化、節電、ＨＤＲ（Ｈｉｇｈ－ＤｙｎａｍｉｃＲａｎｇｅ、ハイダイナミックレンジ）がディスプレイユニットの発展トレンドであり、これらのニーズにより、バックライトモジュールにおけるＬＥＤ発光ユニットは小さい寸法、高い輝度、大きい射出角度などの性能が要求される。従来のＬＥＤ発光ユニットでは、ＬＥＤチップの射出角度がＬＥＤブラケットにより限定されており、ＬＥＤチップの光の射出角度がＬＥＤブラケットにより限定されるため、ＬＥＤ発光ユニットの全体発光輝度と射出角度が影響される。ＬＥＤチップの発光表面からバックライトモジュールの射出面までの光混合距離又はＬＥＤの数を追加することで輝度と射出角度を増加させる場合、ディスプレイデバイスの軽量化、薄型化、節電などの要求が満足できないため、ＬＥＤ発光ユニットの射出角度を如何に増加させるのは早急に解決すべき問題である。
【0167】
上記の問題について、本実施例は、ＬＥＤチップと、ＬＥＤブラケットとを含む、射出角度が改善された発光ユニットを提供し、本実施例におけるＬＥＤブラケットは、上記各実施例に示されるＬＥＤブラケットを採用してもよく、その他のボウル状カップ構造を有するＬＥＤブラケットを採用してもよく、本実施例はＬＥＤブラケットを限定しない。そのうち、ＬＥＤチップはＬＥＤブラケットのボウル状カップの底部に設けられ、ＬＥＤチップの正・負極は２つの導電領域にそれぞれ電気的に接続される。発光ユニットはボウル状カップ内に設けられるパッケージ層を更に含み、当該パッケージ層は順に充填される第１封止材層と第２封止材層とを含み、第１封止材層はＬＥＤチップを覆い、第２封止材層のＬＥＤチップから離れる面は球面の突出形状であり、ＬＥＤチップ表面から射出される光は第１封止材層と球面で突出する第２封止材層とを介してＬＥＤデバイス外へ屈折され、第２封止材層のＬＥＤチップから離れる面が球面の突出形状であることで、ＬＥＤデバイスの射出角度が増大されるため、更に全体の射出角度が更に増大され、射出角度が増大されると同時に、ＬＥＤデバイスの発光輝度が向上される。以下、容易に理解するために、本実施例は図面に示される幾つかの例を参照しながら説明する。
【0168】
図４２に示されるように、本実施例の一例により提供される発光ユニットはＬＥＤブラケット８を含み、ＬＥＤブラケット８は正極基板８１（即ち、一方の導電領域）と、負極基板８２（即ち、他方の導電領域）と、正極基板８１と負極基板８２を絶縁隔離する隔離領域８３とを含み、ＬＥＤチップ８４を更に含み、ＬＥＤブラケット８のパッケージは正極基板８１及び負極基板８２の表面に設けられると共に囲いながらボウル状カップが形成され、ＬＥＤチップ８４は正極基板８１と負極基板８２の少なくとも１つの基板に設けられ、ＬＥＤブラケット８と正極基板８１及び負極基板８２により形成されるボウル状構造内に第１封止材層８５と第２封止材層８６が順に充填され、第１封止材層８５はＬＥＤチップ８４を覆い、第２封止材層８６のＬＥＤチップ８４から離れる面は球面の突出形状であり、第１封止材層８５と第２封止材層８６により湿気が隔離されてＬＥＤチップ８４が保護されると同時に、ＬＥＤチップ８４から射出される光は第１封止材層８５と第２封止材層８６により屈折、反射、拡散反射されることで、ＬＥＤチップ８４の表面から射出される光が周辺に屈折され、発光ユニットの射出角度が増大される。
【0169】
本例において、図４２に示されるように、第２封止材層８６は第１封止材層８５を完全に覆い、そのうち、第１封止材層８５及び／又は第２封止材層８６は透明ゲルの硬化により形成される透明ゲル層であってもよく、当該透明ゲルは、エポキシ樹脂、シリカゲル、シリコーン樹脂などを含むが、これらに限定されず、無論、第１封止材層８５及び／又は第２封止材層８６は透明ゲルと蛍光粉により混合されて硬化される蛍光ゲル層であってもよい。
【0170】
本例における正極基板８１と負極基板８２は導電性基板であり、本実施例における導電性基板は様々な導電性材質により構成される基板であってもよく、例えば、様々な金属導電性基板であってもよく、銅基板、アルミニウム基板、鉄基板、銀基板などのうちの１種を含むが、これらに限定されず、導電性基板は導電性材料を含む混合材料導電性基板であってもよく、例えば、導電性ゴムなどであり、銀ペースト、絶縁接着剤などのチップ固定用ゲルによりＬＥＤチップ８４が少なくとも１つの導電性基板に固定されることは理解すべきである。そのうち、ＬＥＤチップ８４は正装ＬＥＤチップであってもよく、この場合、ボンディングワイヤにより基板に電気的に接続され、フリップＬＥＤチップであってもよく、この場合、共晶プロセスにより基板に電気的に接続される。そのうち、ＬＥＤチップ８４の発光面に様々な厚さの反射層が覆われ、必要に応じて、様々な材質と厚さの反射層が採用されることで、チップの射出半値角が増大され、更に発光ユニットの射出角度が更に増大される。
【0171】
本例において、図４２に示されるように、第１封止材層８５のＬＥＤブラケット８と正極基板８１及び負極基板８２により形成されるボウル状構造における高さｈはパッケージの高さＨを超えない。第１封止材層８５がＬＥＤチップ８４を覆うため、第１封止材層８５のボウル状構造における最低高さｈはＬＥＤチップ８４の高さｈ１を超えることは理解すべきであり、幾つかの応用シーンにおいて、第１封止材層８５のボウル状構造における最低高さｈはボンディングワイヤを覆うものであり、ボンディングワイヤが覆われる場合、ＬＥＤチップ８４も覆われることは理解すべきであり、そのうち、第１封止材層８５は、ＬＥＤチップ８４を完全に覆うことで、ＬＥＤチップ８４の表面から射出される光を第２封止材層８６及びＬＥＤブラケット８へそれぞれ屈折させて拡散反射させ、ＬＥＤチップ８４の光の射出角度を増大させる。
【0172】
本実施例の別の例において、図４３に示されるように、第１封止材層８５の上面とＬＥＤブラケットの上面とは同じ高さにある。
【0173】
本実施例の幾つかの例において、第１封止材層８５のＬＥＤチップ８４から離れる表面はＬＥＤチップ８４へ凹む弧状面であってもよく、第１封止材層８５の凹み弧状面により光の反射角と屈折角が変化され、光がＬＥＤブラケット８及び第２封止材層８６に容易に射出されるため、発光ユニットからの光の射出がより均一になるようにさせ、図４３及び図４４に示されるように、発光ユニットの光の射出角度が更に増大され、そのうち、第１封止材層８５へ凹む場合の最低高さはＬＥＤチップ８４と同じ高さになるものであり、そのうち、第１封止材層８５はＬＥＤブラケット８と接触する位置から直接的に凹んでもよく、第１封止材層８５は透明ブラケットから一定の距離で水平に保持されてから凹んでもよいことは理解すべきであり、幾つかの例において、第１封止材層８５は水平構造であり、凹むことはないことは理解すべきである。
【0174】
本実施例の幾つかの例において、図４５に示されるように、第２封止材層８６の幅Ｅはボウル状構造の上面の幅ｅ以下であるため、第２封止材層８６は発光ユニットのボウル状構造に限定され、その結合強度が向上され、第２封止材層８６の幅Ｅが最低でも第１封止材層８５のＬＥＤチップ８４から離れる面の表面の幅Ｅ１であるため、第１封止材層８５は完全に覆われ、そのうち、ＬＥＤチップ８４が第１封止材層８５により完全に覆われることで、ＬＥＤチップ８４の表面から射出される光がそれぞれ第２封止材層８６及びＬＥＤブラケット８へ屈折、拡散反射され、ＬＥＤチップ８４から射出される光は第１封止材層８５により第２封止材層８６へ屈折され、更に第２封止材層８６により屈折、拡散反射されることで、ＬＥＤチップ８４の光の射出角度が増大されることは理解すべきであり、図４３及び図４４に示されるように、第１封止材層８５が凹む場合、第２封止材層８６の第１封止材層８５に近づく片側の表面は第１封止材層８５へ突出すると共に、突出する位置と第１封止材層８５の凹む位置とが合致することは理解すべきである。
【0175】
第２封止材層８６のＬＥＤチップ８４から離れる面は球面の突出形状であり、凸レンズ状を形成し、光を発散させることで、発光ユニットの光の射出角度が増大されることは理解すべきであり、そのうち、第２封止材層８６の高さが限定されず、即ち、第２封止材層８６の突出するラジアンが限定されず、好ましくは、図４４に示されるように、第２封止材層８６の自身の高さｋをＬＥＤブラケット８の高さＫを超えないようにすることで、第２パッケージの突出するラジアンを合理的な範囲内に押さえる。本実施例の幾つかの例において、第１封止材層８５の屈折率が第２封止材層８６の屈折率より大きく、且つ第２封止材層８６の屈折率が空気の屈折率より大きいため、ＬＥＤチップ８４から射出される光が第１封止材層８５により屈折されて第２封止材層８６に到達し、更に第２封止材層８６により外部へ屈折されることで、ＬＥＤチップ８４の真正面から射出される光の多くは周辺に屈折され、発光ユニットの射出角度が増大され、発光ユニットの射出角度が最大で１８０°に達する。
【0176】
本実施例の幾つかの例において、ＬＥＤブラケット８のボウル状カップに形成されるパッケージは透明ブラケットであってもよいが、これに限定されない。即ち、ＬＥＤブラケット８は透明材質を採用してもよく、例えば、透明樹脂、ＰＰＡ（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ、ポリフタルアミド）などの透明熱可塑性プラスチック、ＥＭＣ（ＥｐｏｘｙＭｏｌｄｉｎｇＣｏｍｐｏｕｎｄ、エポキシ樹脂封止材）などの透明熱硬化性プラスチックであり、ＬＥＤチップ８４から射出される光が直接的にＬＥＤブラケット８を通過して外部に到達させることで、発光ユニットの射出角度が更に増大される。幾つかの例において、ＬＥＤブラケット８は非透明ブラケットに採用される材料を使用してもよいことは理解すべきであり、例えば、エポキシ樹脂類（ＥＰ、Ｅｐｏｘｉｄｅｒｅｓｉｎ）、耐高温ナイロン（ＰＰＡプラスチック）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ、Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ポリ－１，４－シクロヘキサンジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ、Ｐｏｌｙ１，４－ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ、Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）、シートモールディングコンパウンド（ＳＭＣ、Ｓｈｅｅｔｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、エポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ、Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、不飽和ポリエステル（ＵＰ）樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ、Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ、Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリヘキサメチレンアジポアミド（ｎｙｌｏｎ６６）、ガラス繊維などである。
【0177】
本実施例の幾つかの例において、ＬＥＤチップ８４にＤＢＲ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｂｒａｇｇｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ、分布ブラッグ反射層）が設けられており、例えば、ＬＥＤチップ８４の正面にＤＢＲが被覆され、正面からの光の射出が減少され、側壁からの光の射出面積が増加されることで、射出角度が更に増大され、更に透明のＬＥＤブラケット８を組合せることで、発光ユニット側壁の光の射出効率が更に向上され、全体の光の射出効率が更に向上される。
【0178】
本実施例の幾つかの例において、ＬＥＤブラケット８の上面がジグザグ状Ｃであり、図４６及び図４７に示されるように、ＬＥＤブラケット８の上面がジグザグ状であることは、第２封止材層８６とＬＥＤブラケット８が結合する場合、第２封止材層８６とＬＥＤブラケット８との結合能力を増強させることができ、同時に、ＬＥＤブラケット８の上面がジグザグ状であることは、第２封止材層８６の流動性を押さえ、第２封止材層８６の成形を制御する目的を達成する。
【0179】
本実施例の幾つかの例において、ＬＥＤチップ８４は、赤色光ＬＥＤチップ、緑色光ＬＥＤチップ、藍色光ＬＥＤチップ及び黄色光ＬＥＤチップのうちの少なくとも１種を含む。具体的に応用の必要に応じて自由に設定でき、ここで詳しく説明しない。
【0180】
本実施例の幾つかの例において、絶縁領域８３を更に含み、絶縁領域８３が絶縁隔離帯に設けられるが、これらに限定されず、絶縁隔離帯は正極基板８１と負極基板８２との間にあり、両者を絶縁隔離し、絶縁隔離帯の材質はＬＥＤブラケット８の材質と相同であってもよく、相異であってもよいことは理解すべきである。
【0181】
よりよく理解するために、本実施例はより具体的な例を提供して発光ユニットについて説明する。図４８に示されるように、第１封止材層８５はＬＥＤチップ８４を覆い、第１封止材層８５の上面はＬＥＤブラケットの上面と同じ高さにあり、且つ第１封止材層８５のＬＥＤチップ８４から離れる表面はＬＥＤチップ８４へ凹む弧状面であり、第２封止材層８６の幅はボウル状構造の上面の幅と同じであり、第１封止材層８５を完全に覆うと共に、第２封止材層６の第１封止材層８５に近づく片側の表面は第１封止材層８５へ突出し、突出する位置と第１封止材層８５へ凹む位置とが合致する。第２封止材層８６のＬＥＤチップ８４から離れる面が球面の突出形状であり、凸レンズ状を形成し、光を発散させることで、発光ユニットの光の射出角度が更に増大される。
【0182】
本実施例は発光アセンブリを更に提供し、当該発光アセンブリはバックライトモジュールであってもよいが、これらに限定されず、駆動回路と上記発光ユニットとを含み、駆動回路は発光ユニットに接続されており、当該バックライトモジュールはより大きい発光角度を有するため、その発色効果が向上されると共に、同じ回路板面積の前提でより少ない発光ユニットを設けることで、同じ又は更に優れる発色効果が得られ、コストがより低い。本実施例は、上記バックライトモジュールと背板とを含み、バックライトモジュールの駆動回路と発光ユニットが背板に設けられる、ディスプレイユニットを更に提供する。
【実施例8】
【0183】
本実施例は発光アセンブリを提供し、当該発光アセンブリは、バックライトモジュール、照明モジュールなどであってもよいが、これらに限定されず、回路板と、回路板に設けられると共に回路板に対応する回路に電気的に接続される発光ユニットと、を含む。本実施例における発光ユニットは、上記各実施例に示される発光ユニットを採用してもよく、その他の構造（例えば、ブラケット無し式ＬＥＤ）の発光ユニットを採用してもよく、本実施例は発光ユニットを限定しない。
【0184】
発光アセンブリがバックライトモジュールである場合、バックライトモジュールは折畳み式ディスプレイにおいて幅広く応用される。従来技術のバックライトモジュールは、折畳み式ディスプレイの繰返し折り曲げと折り曲げからの回復の過程において、バックライトモジュールに採用されるフレキシブルプリント基板の背面支持板に対する相対的なオフセットが発生しやすいため、バックライトモジュールの一部が支持板により保護されないままとなる。当該問題に対して、本実施例の一例は当該問題を解決できるバックライトモジュールを提供し、本例におけるバックライトモジュールの回路板はフレキシブルプリント基板であり、バックライトモジュールは支持板と磁気シートとを更に含み、フレキシブルプリント基板は補強板と基材板とを含み、補強板は基材板に固定され、支持板に支持溝が設けられ、支持溝に少なくとも一部の補強板が収容され、即ち、補強板は全体的に支持溝内に設けられてもよく、又はその一部だけ支持溝内に設けられて、一部が支持溝外にあってもよい。支持溝に基材板に向かう開口端が設けられ、支持溝の開口端は基材板に覆われ、支持溝に溝底面が更に設けられ、磁気シートが溝底面に固定され、磁気シートと補強板とが正面で対向して平行に設けられ、磁気シートと補強板とが磁気により嵌め合うことにより、バックライトモジュールは繰返し折り曲げと折り曲げからの回復の過程において、磁気で互いに吸着される２つのマグネットにより上記フレキシブルプリント基板と上記支持板が折れ曲れる前の状態に回復し、バックライトモジュールの構造の安定性が向上される。以下、容易に理解するために、本実施例は図面に示される例を参照しながら説明する。
【0185】
一例において、支持板の厚さは支持溝の高さより大きく設けられ、支持板は支持溝に設けられ、支持板の天井面は支持溝から突出して支持溝外に位置することで、フレキシブルプリント基板と支持板との間に一定の隙間ができ、当該隙間は、折り曲げの過程においてフレキシブルプリント基板と支持板が折り曲げとひずみから回復するための一定のスペースを提供でき、又は折り曲げの過程において両者が接触する場合の摩擦力を低減させることができる。
【0186】
別の例において、図４９及び図５０に示されるように、フレキシブルプリント基板９０は基材板９０１と、ボンディングパット９０３と、発光ユニット９０４と、補強板９０５とを有し、基材板９０１は溶着部９０２を含み、溶着部９０２に第１面９０２１と第１面９０２１に背向する第２面９０２２とが設けられ、ボンディングパット９０３は第１面９０２１に固定され、発光ユニット９０４は第１面９０２１に固定され、発光ユニット９０４のピンペアは対応するボンディングパット９０３にスタック溶接され、補強板９０５は溶着部９０２の第２面９０２２に密着され、補強板９０５とボンディングパット９０３は対応して設けられる。
【0187】
フレキシブルプリント基板９０は折り曲げと導電の働きが実現でき、従来技術では、発光ユニット９０４のフレキシブルプリント基板９０への固定方法として、一般的に、デバイスの両端のピンをフレキシブルプリント基板９０に固定する方法を採用し、フレキシブルプリント基板９０の折り曲げの過程において、発光ユニット９０４の曲げ強度はフレキシブルプリント基板９０を折り曲げるための曲げ力より弱く、フレキシブルプリント基板９０が発光ユニット９０４の折り曲げに対して保護していないため、繰返し折り曲げの過程において、発光ユニット９０４が曲げ力を受けて折れやすい。本実施例において、補強板９０５はフレキシブルプリント基板９０の発光ユニット９０４から離れる片側に密着され、補強板９０５は硬質材料を採用し、補強板９０５が溶着部９０２に密着されることで、フレキシブルプリント基板９０を折り曲げるための曲げ力が補強板９０５に伝わり、補強板９０５の内部応力がフレキシブルプリント基板９０を折り曲げるための曲げ力と対抗するために用いられ、溶着部９０２の折り曲げが発生せず、発光ユニット９０４が第１面９０２１に固定されると共に、発光ユニット９０４と補強板９０５は対応して設けられ、第１面９０２１にある発光ユニット９０４が断裂することはない。補強板９０５により溶着部９０２の硬度が増強されるため、溶着部９０２に固定される発光ユニット９０４が曲げ力を受けることはなく、発光ユニット９０４がフレキシブルプリント基板９０の折り曲げにより壊れることはない。
【0188】
フレキシブルプリント基板９０は導電層９０６を含み、導電層９０６は第１面９０２１に設けられ、アレイで配置される発光ユニット９０４が導電層９０６により導通される。導電層９０６の働きは発光ユニット９０４の電極の導出を実現することであり、本実施形態において、導電層９０６の材質は錫であってもよく、錫は導電機能を良好に果たすと共に、ボンディングパット９０３と基材板９０１を容易に溶着して固定でき、無論、銀、銅、アルミニウム、金などのその他の導電性材質に取り替えてもよい。
【0189】
本実施例の幾つかの例において、補強板９０５は磁性材料を選定してもよく、その優位性として、外部設備に対応する金属材料が設けられるため、フレキシブルプリント基板９０が外部設備に取り付けられた場合、従来のネジ又は接着取り付け方法を採用せず、補強板９０５は磁気吸着力を有するため、フレキシブルプリント基板９０が支持板９１２に直接的に取り付けられる。補強板９０５は従来の取り付け方法と比べて、取り付けが容易であり、工程が簡単であり、且つ材料が節約でき、その他の固定パーツを添加する必要がないため、生産コストが削減される。
【0190】
本実施例におけるフレキシブルプリント基板９０は折畳みスクリーンに応用される場合、折畳みスクリーンの特性により一定の伸縮特性が要求されると共に、フレキシブルプリント基板９０が損害されないことは必要であり、フレキシブルプリント基板９０が従来の密着の固定方法により支持板に固定された後、フレキシブルプリント基板９０が折り曲げ、又は折畳む場合、溶着部９０２は比較的に大きい引張力を受け、フレキシブルプリント基板９０の回路が切断される可能性がある。本実施例において、補強板９０５が磁性材料を採用し、補強板９０５は磁気吸着の方法により支持板９１２に固定され、複数の溶着部９０２は磁気吸着により支持板９１２に固定されており、スクリーンが折り曲げ、又は折畳む場合、接着の固定方法と比べて、磁気吸着の方法で固定される補強板９０５はより良好な緩衝効果を有し、フレキシブルプリント基板９０に対しても保護効果を果たすことができる。
【0191】
図５１に示されるように、本願は発光アセンブリを更に提供し、当該発光アセンブリはバックライトモジュール９１であってもよく、バックライトモジュール９１はフレキシブルプリント基板９０と、支持板９１２と、磁気シート９１３とを含み、フレキシブルプリント基板９０は補強板９０５と、基材板９０１とを含み、補強板９０５は基材板９０１に固定され、支持板９１２に支持溝９１２１が設けられ、支持溝９１２１に少なくとも一部の補強板９０５が収容され、支持溝９１２１に基材板９０１に向かう開口端が設けられ、支持溝９１２１の開口端が基材板９０１に覆われ、支持溝９１２１に溝底面９１２４が更に設けられ、磁気シート９１３は溝底面９１２４に固定され、磁気シート９１３と補強板９０５とは正面で対向して平行に設けられ、磁気シート９１３と補強板９０５とは磁気により嵌め合う。支持板９１２はフレキシブルプリント基板９０を固定するためのものであり、従来技術では、支持板９１２はフレキシブルプリント基板９０と直接的に密着されて固定するため、折畳みスクリーン又は曲面スクリーンに応用される場合、支持板９１２によりフレキシブルプリント基板９０が簡単に割れ、製品の品質に対して大きな潜在的な欠陥となる。本実施形態において、支持板９１２に複数の支持溝９１２１が設けられ、複数の支持溝９１２１はフレキシブルプリント基板９０の複数の溶着部９０２に対応して設けられ、支持溝９１２１の溝底面９１２４は第２面９０２２に平行する。フレキシブルプリント基板９０は支持板９１２に対応して取付けられ、磁気シート９１３は磁性物質を有する材料であり、本実施形態において、磁気シート９１３はマグネットを採用してもよく、磁気シート９１３の補強板９０５に対向する面の磁極は補強板９０５の磁極と逆であり、即ち、磁気シート９１３のＮ極面は補強板９０５のＳ極に対向し、又は磁気シート９１３のＳ極面は補強板９０５のＮ極に対向し、磁気シート９１３の補強板９０５に背向する面は溝底面９１２４に密着して固定され、磁気シート９１３と補強板９０５との間に互いに吸引する磁力があるため、フレキシブルプリント基板９０が支持板９１２に固定される。一実施例において、磁気シート９１３は支持板９１２に固定され、補強板９０５は発光ユニット９０４に固定され、補強板９０５と磁気シート９１３は磁気吸着により固定されると共に、補強板９０５と磁気シート９１３は互いに密着される。補強板９０５と磁気シート９１３との固定により、発光ユニット９０４と支持板９１２との相対的な位置の固定が実現され、製品の構造の安定性が向上される。
【0192】
図５１に示されるように、磁気シート９１３と補強板９０５は間隔をあけている。支持溝９１２１の側壁にその溝口に近づく溝側面９１２２を有し、当該溝側面９１２２に接続されると共に溝口と支持溝９１２１の溝底面との間に位置する板密着面９１２３を更に有し、図に示されるように、本例において、板密着面９１２３が階段面に形成され、板密着面９１２３と溝底面９１２４が間隔をあけられ、補強板９０５と溝側面９１２２との間に隙間があり、補強板９０５は板密着面９１２３に密着される。支持板９１２、補強板９０５と磁気シート９１３との間に互いに吸引される力があり、支持板９１２が折り曲げた場合、フレキシブルプリント基板９０が偏向力を受け、フレキシブルプリント基板９０の支持板９１２に対する相対的な移動の傾向が発生し、この場合、磁気吸着力により偏向力に対抗する偏向磁気吸着力が発生され、支持板９１２が折り曲げるにつれて、フレキシブルプリント基板９０が受けた偏向力が大きくなり、フレキシブルプリント基板９０の受けた偏向力がフレキシブルプリント基板９０と磁気シート９１３との間の偏向磁気吸着力より大きくなる場合、フレキシブルプリント基板９０と支持板９１２はずらされる。
【0193】
バックライトモジュール９１の折り曲げ動作が終了し、バックライトモジュール９１が平坦に回復する過程において、磁気シート９１３と補強板９０５との間に互いに吸引する偏向磁気吸着力があり、発光ユニット９０４と支持板９１２が正面で対向する場合の相対的な位置に回復するように誘導され、磁気シート９１３と補強板９０５との間にある磁気吸着力が発光ユニット９０４及び支持板９１２に対して誘導機能を果たしている。従来技術と比べて、本実施形態における支持板９１２に溶着部９０２に対応して支持溝９１２１が設けられ、支持溝９１２１を収容するための磁気シート９１３が追加されており、本実施形態はよりエコ的であり、カプセル化プロセスの過程が必要とされず、生産コストが低下されると共に、磁気吸着の方法によりフレキシブルプリント基板９０が支持板９１２に固定され、フレキシブルプリント基板９０と支持板９１２が直接的に対応して設けられれば、組立てが完了し、取り付けの過程が簡略化される。
【0194】
溝側面９１２２と板密着面９１２３を設ける目的は、フレキシブルプリント基板９０と支持板９１２がずらす場合、フレキシブルプリント基板９０が磁気シート９１３に平行な平面に沿って移動し、板密着面９１２３が補強板９０５に密着され、即ち、補強板９０５がフレキシブルプリント基板９０と板密着面９１２３及び溝側面９１２２との間に位置すること、補強板９０５が支持板９１２に対して相対的に移動する場合、フレキシブルプリント基板９０が補強板９０５に従いながら第２面９０２２に平行な方向に沿って移動し、フレキシブルプリント基板９０と支持板９１２との密着が確保され、この過程における折畳みスクリーン又は曲面スクリーンの不均一な表示又は光のスポットなどの状況が避けられることである。
【0195】
本実施形態において、補強板９０５に第３面９０５１と第４面９０５２が設けられ、第３面９０５１はフレキシブルプリント基板９０の第２面９０２２に密着され、第４面９０５２は磁気シート９１３に正面で対向し、磁気シート９１３に第５面９１３１と第６面９１３２が設けられ、第５面９１３１は補強板９０５に向かい、第６面９１３２は溝底面９１２４に密着される。本実施形態において、第５面９１３１の面積は第４面９０５２の面積より小さく、その働きは、補強板９０５と磁気シート９１３との間の磁気範囲がより大きく、補強板９０５が磁気シート９１３の吸引力を受ける範囲はより広くなることである。フレキシブルプリント基板９０と支持板９１２との相対的な移動範囲がより大きく、折畳みスクリーン又は曲面スクリーンの曲がる程度もより大きくなる。
【0196】
本実施形態において、補強板９０５とフレキシブルプリント基板９０との密着部分は第３面９０５１であり、即ち、第３面９０５１の面積は補強板９０５のフレキシブルプリント基板９０に対する保護面積である。そのため、第３面９０５１の面積が増加されることで、フレキシブルプリント基板９０に対する保護が増強されるが、バックライトモジュール９１の折畳みに不利である。本実施形態において、補強板９０５の保護領域は発光ユニット９０４に正面で対向し、即ち、第３面９０５１の領域はボンディングパット９０３の領域に対応する。バックライトモジュール９１の使用過程において、良好な折畳み効果があると共に、補強板９０５の発光ユニット９０４に対する保護が影響されない。
【0197】
本実施例は電子機器を更に提供し、図５２及び図５３に示されるように、電子機器９２は制御回路板９５とケース９３とを更に含み、制御回路板９５はケース９３に収容され、制御回路板９５は何れもバックライトモジュール９１と導通して接続し、制御回路板９５はフレキシブルプリント基板９０に電気的に接続され、ケース９３に第１エッジ側９３５が設けられ、支持板９１２に第１エッジ側９３５に正面で対向する第２エッジ側９１２６が設けられ、第２エッジ側９１２６が第１エッジ側９３５に固定される。
【0198】
電子機器９２は、制御回路板９５のフレキシブルプリント基板９０から離れる片側にあるアクチュエータ９４を更に含み、アクチュエータ９４により電子機器９２が受けた電圧を調節する。
【0199】
本実施形態において、電子機器９２はテレビ、タブレット又は携帯電話であってもよい。バックライトモジュール９１は主に折畳みスクリーン又は曲面スクリーンを有する電子機器９２に応用される。例えば、電子機器９２が携帯電話である場合、ケース９３はバックライトモジュール９１の折畳み領域に対応して設けられ、ユーザーの使用過程において、バックライトモジュール９１はケース９３と共に折り曲げ、電子機器９２の開きと折畳みが実現される。従来技術と比べて、バックライトモジュール９１における補強板９０５により、バックライトモジュール２０は繰返し折り曲げができると共に、フレキシブルプリント基板９０における発光ユニット９０４が損害されず、バックライトモジュール９１の使用寿命が増加され、電子機器９２の品質が向上される。
【実施例9】
【0200】
発光アセンブリの使用過程において、発光ユニットが大量に発熱するため、発光アセンブリの放熱問題は設計過程において考慮すべき重要なポイントである。例えば、従来技術では、ＬＥＤチップの表面に熱伝導体が設けられ、且つファンによる強制対流により熱伝導体から熱が導出され、或いはポンプにより水冷の熱交換を実施するが、放熱過程において、別途でエネルギーが必要とされる。当該問題に対して、本実施例の別の例は、放熱性能が良好である省エネの発光アセンブリを更に提供する。当該発光アセンブリの回路板は上記例におけるフレキシブルプリント基板を採用してもよく、剛性回路板を採用してもよい。本例において回路板を限定しない。
【0201】
本例における発光アセンブリは、駆動チップと自励振動型ヒートパイプとを更に含み、そのうち、回路板はビーズランプ領域と駆動チップ領域とを含み、発光ユニットと駆動チップはそれぞれビーズランプ領域と駆動チップ領域に設けられ、自励振動型ヒートパイプの蒸発部は駆動チップ領域に設けられ、自励振動型ヒートパイプ内に作動媒体が設けられると共に、蒸発部にある作動媒体が駆動チップから離れる方向へ移動し、自励振動型ヒートパイプの凝縮部に近づき、駆動チップ領域の熱は自励振動型ヒートパイプにより駆動チップから離れる凝縮部に伝導されて放熱され、且つ自励振動型ヒートパイプの熱交換形態は受動式熱交換であり、別途で外部により駆動される必要がなく、駆動チップ領域からの熱だけで動作でき、エネルギーが節約される他に、熱伝導効果が優れる。以下、容易に理解するために、本実施例は図面に示される例を参照しながら説明する。
【0202】
【0203】
回路板１０１はビーズランプ領域と駆動チップ領域とを含み、ビーズランプ領域に複数の発光ユニット１０２が設けられ、当該発光ユニット１０２は上記各実施例に示される発光ユニット１０２であってもよく、その他の発光ユニット１０２を採用してもよく、例えば、ＬＥＤチップ又はその他の構造のＬＥＤビーズランプを直接的に採用してもよく、これらの発光ユニット１０２は様々な色の発光ユニットを含むが、これらに限定されず、発光ユニット１０２はＬＥＤアレイに配置されてもよく、その他の配置方法を採用してもよく、ここで詳しく説明しない。駆動チップ領域は発光ユニット１０２を駆動して発光させるための駆動チップ１０３を含むが、これらに限定されず、当該駆動チップ領域にその他のチップが設けられてもよく、１つ又は複数の駆動チップ１０３を含んでもよい。
【0204】
幾つかの応用例において、図５４に示されるように、回路板１０１は両面回路板であり、アレイで配置される発光ユニット１０２が設けられるビーズランプ領域と、駆動チップが回路板１０１の片側の中央部に設けられる駆動チップ領域とを含み、駆動チップと発光ユニット１０２がそれぞれ回路板１０１の両面に配置される。回路板１０１に複数の駆動チップ１０３が設けられ、駆動チップ１０３は回路板１０１における回路パターンにより発光ユニット１０２に接続されると共に、発光ユニット１０２を駆動する。
【0205】
図５５に示されるように、本実施例の発光アセンブリは自励振動型ヒートパイプ１０４を更に含み、当該自励振動型ヒートパイプ１０４の蒸発部は駆動チップ領域に設けられ、自励振動型ヒートパイプ１０４内で蒸発部にある作動媒体が駆動チップ１０３から離れる方向へ移動し、自励振動型ヒートパイプ１０４の凝縮部に近づく。自励振動型ヒートパイプの蒸発部は駆動チップ領域に設けられ、駆動チップ領域における、例えば、駆動チップ１０３などのデバイスから放出される熱を導出するために使用されており、通常、駆動チップ１０３の放熱量が大きく、発光アセンブリの駆動チップ１０３などのデバイスが設けられる領域が発光アセンブリにおける比較的に高温の領域でもあることは理解すべきである。自励振動型ヒートパイプ１０４の凝縮部は駆動チップ１０３から離れる位置に設けられるため、凝縮部が比較的に低温の領域にあり、自励振動型ヒートパイプ１０４で伝導される熱が効果的に放出される。図５６に示されるように、自励振動型ヒートパイプ１０４の内部において、液体プラグ１０４１と気体プラグ１０４２により構成される作動媒体がランダムに交互に充填され、熱伝導が行わない場合に、これらの作動媒体はバランスよい静止状態にあり、静止状態にある作動媒体は主に気体プラグ１０４２同士の圧力、液体プラグ１０４１への毛管力、作動媒体への重力を受ける。外部により加熱される場合、毛管力、重力、及び気体プラグ１０４２の気泡の熱膨張による圧力は、作動媒体の流れの動力となる。本例において、自励振動型ヒートパイプ内の流体である作動媒体は蒸発部で駆動チップ領域の過量熱を吸収してから、凝縮部まで流れ、熱が凝縮部で空気に放出されることで、駆動チップ領域の放熱効果が果たされる。自励振動型ヒートパイプを応用することで、駆動チップ領域の熱が素早く導出され、且つ自励振動型ヒートパイプは別途で外部による駆動が必要とされず、駆動チップ領域から放出される熱だけで動作でき、省エネ効果が得られ、熱伝導効果が良好である。
【0206】
幾つかの応用例において、発光ユニット１０２と駆動チップ１０３は回路板１０１の同一面で混じりながら配置されず、即ち、発光ユニット１０２と駆動チップ１０３は回路板１０１の同一面の異なる位置にあってもよく、或いは回路板１０１の異なる面の対応する位置又は対応しない位置にあってもよく、自励振動型ヒートパイプ１０４が直接的に駆動チップ１０３に設けられてもよく、その大きさと配置の位置を調整することで、発光ユニット１０２の発光を阻害することはない。別の幾つかの実施過程において、熱伝導性が優れる回路板１０１を使用してもよく、発光ユニット１０２と駆動チップ１０３が混じりながら回路板の同一面に配置されてもよく、自励振動型ヒートパイプが回路板の別の面に設けられ、自励振動型ヒートパイプにより駆動チップから回路板へ伝導される熱が素早く導出される。
【0207】
幾つかの応用例において、図５７に示されるように、発光アセンブリは熱伝導シート１０５を更に含み、当該熱伝導シート１０５は自励振動型ヒートパイプ１０４と駆動チップ１０３との間に設けられる。熱伝導シート１０５により駆動チップ１０３の熱が自励振動型ヒートパイプ１０４に均一に伝導され、自励振動型ヒートパイプ１０４の実際の放熱効率が向上される。当該熱伝導シートは銅シート又はその他の熱伝導性の良い材料により形成される熱伝導シートであってもよい。
【0208】
幾つかの応用例において、熱伝導シート１０５と自励振動型ヒートパイプ１０４及び／又は駆動チップ１０３との間にシリコーングリースが設けられる。一例として、熱伝導シート１０５の両面にシリコーングリースが設けられ、熱伝導シート１０５の一面が駆動チップ領域に密着されて、駆動チップ領域の駆動チップ１０３に接触され、自励振動型ヒートパイプ１０４は熱伝導シート１０５の別の面に密着される。実際の応用において、熱伝導シート１０５が駆動チップ１０３又は自励振動型ヒートパイプ１０４に接触される領域だけにシリコーングリースが設けられてもよく、熱伝導シート１０５の両面にそれぞれ全体的にシリコーングリースが設けられてもよい。シリコーングリースを設けることで、熱伝導シート１０５と自励振動型ヒートパイプ１０４及び／又は駆動チップ１０３との接続に繋がるだけでなく、シリコーングリースにより熱伝導の接触面積が拡大され、熱伝導の効率が保証できる。
【0209】
幾つかの応用例において、自励振動型ヒートパイプ１０４は放熱リブを含み、当該放熱リブは自励振動型ヒートパイプ１０４のパイプに接触し、自励振動型ヒートパイプ１０４のパイプにおける熱は放熱リブに伝導され、放熱リブにより放熱され、追加される放熱リブにより自励振動型ヒートパイプの有効放熱面積が増大され、熱が空気により高効率的に放出される。放熱リブは具体的に凝縮部に設けられると共に、凝縮部のパイプに接触し、凝縮部の熱が素早く放出される。無論、本実施例は、放熱リブは自励振動型ヒートパイプのその他の位置に設けられる可能性を排除するものではなく、例えば、放熱リブが凝縮部から自励振動型ヒートパイプの、蒸発部と凝縮部との間にある断熱部まで設けられてもよい。
【0210】
幾つかの応用例において、例えば、図５８及び図５９に示されるように、自励振動型ヒートパイプの凝縮部は回路板から露出してもよく、そのうち、図５８は回路板１０１の発光ユニット１０２が設けられる面を示し、図５９は回路板１０１の駆動チップ１０３が設けられる面を示す（発光ユニットと駆動チップは図示せず）。自励振動型ヒートパイプ１０４の凝縮部は回路板１０１以外の領域に設けられ、回路板１０１の駆動チップ領域の熱が自励振動型ヒートパイプ１０４により導出された後、回路板１０１以外に伝導されて放熱されることで、放熱の効果が更に保証され、大量の熱が回路板１０１に溜まることは避けられる。なお、実際の応用において、当該自励振動型ヒートパイプ１０４の凝縮部は回路板から露出するが、当該発光アセンブリが使用される発光装置の内部にある。凝縮部が回路板１０１以外の領域にあるため、その周辺に大きなスペースがあり、これらの実施形態において、放熱リブは当該凝縮部に差し込まれる構造となるように設けられてもよく、例えば、図６０に示される放熱リブ１０６の具体的な構造において、放熱リブ１０６は全体的に矩形シート状であり、放熱リブ１０６に複数の貫通孔１０６１が開設され、各貫通孔１０６１の孔径は自励振動型ヒートパイプ１０４のパイプの外径と一致し、自励振動型ヒートパイプ１０４のパイプがこれらの貫通孔１０６１を通過することで、放熱リブ１０６が自励振動型ヒートパイプ１０４のパイプに設けられると共に、パイプに接触させられ、自励振動型ヒートパイプ１０４に複数の放熱リブ１０６が設けられることで、放熱効率が向上される。
【0211】
幾つかの応用例において、駆動チップ領域に複数の駆動チップ１０３が設けられ、各駆動チップ１０３の少なくとも一部が自励振動型ヒートパイプ１０４の蒸発部の回路板１０１における投影に覆われる。即ち、自励振動型ヒートパイプ１０４は駆動チップ領域の全ての駆動チップ１０３を完全に覆うことで、各駆動チップ１０３の熱が効果的に導出されることを保証する。幾つかの例において、自励振動型ヒートパイプ１０４と駆動チップ１３０との間に熱伝導シート１０５が設けられ、熱伝導シート１０５の大きさは駆動チップ領域の大きさ以上に設けられてもよく、熱伝導シート１０５は同様に全ての駆動チップ１０３を覆い、自励振動型ヒートパイプ１０４が当該熱伝導シート１０５の別の面に設けられる。更に図５９に示されるように、本実施例の自励振動型ヒートパイプ１０４は複数のＵ型パイプを含み、Ｕ型パイプ同士がＵ型ベンド管により連通され、自励振動型ヒートパイプ１０４の内部が循環されて導通されると共に、Ｕ型パイプの長さ方向における両端はそれぞれ蒸発部と凝縮部である。即ち、自励振動型ヒートパイプ内の流体である作動媒体が同じ方向に向かって流れ続けると、元の位置に戻ることができる。これらのＵ型パイプが順に配列され、且つＵ型パイプ同士の隙間が狭く設けられ、即ち、Ｕ型パイプ同士が緊密に配列され、同じ面積範囲内でより多くのＵ型パイプが設けられることができ、放熱能力が保証される。その他の実施形態において、自励振動型ヒートパイプはその他の形状に取り替えてもよく、ここで詳しく説明しない。
【0212】
本実施例の発光アセンブリは回路板と自励振動型ヒートパイプとを含み、自励振動型ヒートパイプの蒸発部は回路板の駆動チップ領域に設けられ、凝縮部の位置は当該駆動チップ領域から離れ、自励振動型ヒートパイプにより駆動チップ領域の熱が導出されると共に、凝縮部で放熱され、別途でエネルギーにより駆動される必要がなく、省エネとなる。また、自励振動型ヒートパイプは微小化構造に製造されることに有利であり、均一に熱伝導でき、発光アセンブリにおけるスペースが小さくても、良好な効果が発揮できる。
【0213】
本願の上記各実施例の記載によれば、上記各実施例により提供されるＬＥＤブラケット、発光ユニット及び発光アセンブリは様々な発光分野に応用でき、例えば、バックライトモジュールに製造されてディスプレイバックライト分野（テレビ、ディスプレイ、携帯電話などの端末のバックライトモジュールであってもよい）、ボタンバックライト分野、撮影分野、家庭用照明分野、医療用照明分野、装飾分野、自動車分野、交通分野などに応用されることが分かる。ボタンバックライト分野に応用される場合、携帯電話、計算機、キーボードなどのボタンを有するボタンバックライト光源としてもよく、撮影分野に応用される場合、カメラのフラッシュランプに製造されてもよく、家庭用照明分野に応用される場合、フロアランプ、スタンド、照明灯、シーリングライト、ダウンライト、投光器などに製造されてもよく、医療用照明分野に応用される場合、無影灯、低電磁照明灯に製造されてもよく、装飾分野に応用される場合、例えば、様々なイルミネーション、景観照明灯、広告灯などの様々な装飾灯に製造されてもよく、自動車分野に応用される場合、自動車ランプ、自動車表示灯などに製造されてもよく、交通分野に応用される場合、様々な交通信号灯に製造されてもよく、様々な街灯に製造されてもよい。上記応用は本実施例に示される幾つかの応用に過ぎず、本実施例における発光装置の応用は上記例の分野に限定されないことは理解すべきである。
【0214】
本願の応用は上記例に限定されるものではなく、当業者にとって、上記説明を基に改善又は変換してもよく、これらの全ての改善及び変換は本願の添付される特許請求の保護範囲内に含まれることは理解すべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
