特許 7539329 塩素バイパスシステム及びその運転方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-15

(45)【発行日】2024-08-23

(54)【発明の名称】塩素バイパスシステム及びその運転方法

(51)【国際特許分類】

   C04B 7/60 20060101AFI20240816BHJP

   F27D 17/00 20060101ALI20240816BHJP

   B01D 53/68 20060101ALI20240816BHJP

【ＦＩ】

C04B7/60

F27D17/00 104A

B01D53/68 100

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2021026546

(22)【出願日】2021-02-22

(65)【公開番号】P2022128169

(43)【公開日】2022-09-01

【審査請求日】2023-07-06

(73)【特許権者】

【識別番号】000000240

【氏名又は名称】太平洋セメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000800

【氏名又は名称】デロイトトーマツ弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】浜田 航綺

(72)【発明者】

【氏名】北澤 健資

【審査官】大西 美和

(56)【参考文献】

【文献】特開平１１－０３５３５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１４１１３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１３７６４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０４１２２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１１６２９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２２－０９９６４１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ０４Ｂ ２／００－３２／０２

Ｃ０４Ｂ ４０／００－４０／０６

Ｂ０１Ｄ ５３／３４－５３／７３

Ｂ０１Ｄ ５３／７４－５３／８５

Ｂ０１Ｄ ５３／９２

Ｂ０１Ｄ ５３／９６

Ｆ２７Ｄ １７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

単一のセメントキルンの窯尻に設けられ、前記セメントキルン内の燃焼ガスの一部が抽気された抽気ガスがそれぞれ通過する第１の抽気プローブ及び第２の抽気プローブと、
前記第１の抽気プローブで抽気ガスを吸引するための第１の抽気ガス吸引手段と、
前記第１の抽気プローブで抽気した前記抽気ガス中のダストの粗粉を分離する第１の分級手段と、
前記第１の分級手段に導入される前記抽気ガス中のダスト濃度を測定する第１のダスト濃度測定手段と、
前記第１の分級手段によって前記粗粉を分離した後の前記抽気ガス中のダストの微粉を集塵する第１の集塵手段と、
前記第２の抽気プローブで抽気ガスを吸引するための第２の抽気ガス吸引手段と、
前記第２の抽気プローブで抽気した前記抽気ガス中のダストの粗粉を分離する第２の分級手段と、
前記第２の分級手段に導入される前記抽気ガス中のダスト濃度を測定する第２のダスト濃度測定手段と、
前記第２の分級手段によって前記粗粉を分離した後の前記抽気ガス中のダストの微粉を集塵する第２の集塵手段と、
前記第１のダスト濃度測定手段が測定した第１のダスト濃度と前記第２のダスト濃度測定手段が測定した第２のダスト濃度との比が０．６～１．８の範囲となるように前記第１の抽気ガス吸引手段及び前記第２の抽気ガス吸引手段の少なくとも何れかの前記抽気ガスの吸引流量を制御する制御手段とを備えることを特徴とする塩素バイパスシステム。

【請求項2】

単一のセメントキルンの窯尻に設けられ、前記セメントキルン内の燃焼ガスの一部が抽気された抽気ガスがそれぞれ通過する第１の抽気プローブ及び第２の抽気プローブと、
前記第１の抽気プローブで抽気ガスを吸引するための第１の抽気ガス吸引手段と、
前記第１の抽気プローブで抽気した前記抽気ガス中のダストの粗粉を分離する第１の分級手段と、
前記第１の分級手段に導入される前記抽気ガス中のダスト濃度を測定する第１のダスト濃度測定手段と、
前記第１の分級手段によって前記粗粉を分離した後の前記抽気ガス中のダストの微粉を集塵する第１の集塵手段と、
前記第２の抽気プローブで抽気ガスを吸引するための第２の抽気ガス吸引手段と、
前記第２の抽気プローブで抽気した前記抽気ガス中のダストの粗粉を分離する第２の分級手段と、
前記第２の分級手段に導入される前記抽気ガス中のダスト濃度を測定する第２のダスト濃度測定手段と、
前記第２の分級手段によって前記粗粉を分離した後の前記抽気ガス中のダストの微粉を集塵する第２の集塵手段とを備えた塩素バイパスシステムの運転方法であって、
前記第１のダスト濃度測定手段が測定した第１のダスト濃度と前記第２のダスト濃度測定手段が測定した第２のダスト濃度との比が０．６～１．８の範囲となるように前記第１の抽気ガス吸引手段及び前記第２の抽気ガス吸引手段の少なくとも何れかの前記抽気ガスの吸引流量を調整するように運転することを特徴とする塩素バイパスシステムの運転方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、塩素バイパスシステム及びその運転方法に関する。

【背景技術】

【0002】

塩素バイパスシステムは、塩素に起因するキルン内又はプレヒータ内のコーティングトラブルを防止して、キルンの安定運転を図るために導入される。廃棄物の原燃料代替の推進に従い、塩素バイパスシステムの処理能力の増強が図られている。特に、近年、廃プラスチックなどの廃棄物の処理量増加などによって、キルン内に持ち込まれる塩素量が増大しているので、塩素のバイパス量向上を図ることが検討されている。

【0003】

そこで、例えば、特許文献１には、塩素バイパス設備（塩素バイパスシステム）において、抽気プローブとサイクロンとをそれぞれ並列に２系統に配置することが開示されている。そして、バイパス率（抽気量）が最大バイパス率の５０％より高い場合には、２系統の抽気プローブの双方から抽気して２系統のサイクロンで分級を行い、バイパス率が最大バイパス率の５０％以下の場合には、１系統の抽気プローブのみで抽気して１系統のサイクロンのみで分級を行っている、

【0004】

また、特許文献２には、クリンカ焼成装置において、キルンの異なる２か所にそれぞれ抽気管が接続され、各抽気管が抽気した抽気ガスを冷却器で冷却した後に、単一の混合器に導入することが開示されている。抽気ガスの抽気量はダンパにより調整可能に構成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特許第３１１５５４５号公報

【文献】特許第６６３１２９３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、上記特許文献１に記載の技術では、各系統における抽気ガスの増加により、ダスト量が増加し、塩素バイパス効率が低下するという課題がある。また、上記特許文献２に記載の技術では、塩素バイパス系統自体は１系統であるので、従来と同様に、ダスト量が増加し、塩素バイパス効率が低下するという課題がある。

【0007】

本発明は、塩素バイパス効率の向上を図ることが可能な塩素バイパスシステム及びその運転方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の塩素バイパスシステムは、単一のセメントキルンの窯尻から燃焼ガスの一部をそれぞれ抽気する第１の抽気プローブ及び第２の抽気プローブと、前記第１の抽気プローブで抽気ガスを吸引するための第１の抽気ガス吸引手段と、前記第１の抽気プローブで抽気した前記抽気ガス中のダストの粗粉を分離する第１の分級手段と、前記第１の分級手段に導入される前記抽気ガス中のダスト濃度を測定する第１のダスト濃度測定手段と、前記第１の分級手段によって前記粗粉を分離した後の前記抽気ガス中のダストの微粉を集塵する第１の集塵手段と、前記第２の抽気プローブで抽気ガスを吸引するための第２の抽気ガス吸引手段と、前記第２の抽気プローブで抽気した前記抽気ガス中のダストの粗粉を分離する第２の分級手段と、前記第２の分級手段に導入される前記抽気ガス中のダスト濃度を測定する第２のダスト濃度測定手段と、前記第２の分級手段によって前記粗粉を分離した後の前記抽気ガス中のダストの微粉を集塵する第２の集塵手段と、前記第１のダスト濃度測定手段が測定した第１のダスト濃度と前記第２のダスト濃度測定手段が測定した第２のダスト濃度との比が０．６～１．８の範囲となるように前記第１の抽気ガス吸引手段及び前記第２の抽気ガス吸引手段の少なくとも何れかの前記抽気ガスの吸引流量を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。

【0009】

本発明の塩素バイパスシステムの運転方法は、単一のセメントキルンの窯尻から燃焼ガスの一部をそれぞれ抽気する第１の抽気プローブ及び第２の抽気プローブと、前記第１の抽気プローブで抽気ガスを吸引するための第１の抽気ガス吸引手段と、前記第１の抽気プローブで抽気した前記抽気ガス中のダストの粗粉を分離する第１の分級手段と、前記第１の分級手段に導入される前記抽気ガス中のダスト濃度を測定する第１のダスト濃度測定手段と、前記第１の分級手段によって前記粗粉を分離した後の前記抽気ガス中のダストの微粉を集塵する第１の集塵手段と、前記第２の抽気プローブで抽気ガスを吸引するための第２の抽気ガス吸引手段と、前記第２の抽気プローブで抽気した前記抽気ガス中のダストの粗粉を分離する第２の分級手段と、前記第２の分級手段に導入される前記抽気ガス中のダスト濃度を測定する第２のダスト濃度測定手段と、前記第２の分級手段によって前記粗粉を分離した後の前記抽気ガス中のダストの微粉を集塵する第２の集塵手段とを備えた塩素バイパスシステムの運転方法であって、前記第１のダスト濃度測定手段が測定した第１のダスト濃度と前記第２のダスト濃度測定手段が測定した第２のダスト濃度との比が０．６～１．８の範囲となるように前記第１の抽気ガス吸引手段及び前記第２の抽気ガス吸引手段の少なくとも何れかの前記抽気ガスの吸引流量を調整するように運転することを特徴とする。

【0010】

本発明の塩素バイパスシステム及びその運転方法においては、後述する本発明のシミュレーション結果から分かるように、第１のダスト濃度と第２のダスト濃度との比が０．６～１．８の範囲となるように第１の抽気ガス吸引手段及び第２の抽気ガス吸引手段の少なくとも何れかの抽気ガスの吸引流量を制御又は調整することによって、第１及び第２の集塵手段によって集塵される微粉が減少し、塩素バイパス効率の向上を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の実施形態に係る塩素バイパスシステムを示す模式図。

【図2】シミュレーションで使用するために作成したセメントキルンの窯尻付近の形状モデルの斜視図。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明の実施形態に係る塩素バイパスシステム１００について説明する。この塩素バイパスシステム１００は、図１を参照して、セメントキルン設備におけるセメントキルン１０の窯尻１１から燃焼ガスの一部を抽気し、この抽気ガスから塩素をバイパス（除去）する２系統の塩素バイパス系統２０，３０を備えている。各塩素バイパス系統２０，３０は従来と同様の構成である。

【0013】

ここでは、第１の塩素バイパス系統２０は、第１の抽気プローブ２１、第１の抽気ガス吸引手段２２、第１の冷却手段２３、第１の分級手段２４、第１のダスト濃度測定手段２５、第１の集塵手段２６、第１の排気手段２７などを第１のキルン抽気ガス流路２８上に備えている。

【0014】

ここでは、第１の塩素バイパス系統２０において、第１の抽気プローブ２１は、セメントキルン１０の窯尻１１に設けられ、セメントキルン１０内の燃焼ガスの一部が抽気された抽気ガスが通過するものであり、例えば、円筒状に形成されている。第１の抽気ガス吸引手段２２は、第１の抽気プローブ２１を介して抽気ガスを吸引するために設けられたものであり、例えば、吸引ファンである。第１の抽気プローブ２１に送り込まれた抽気ガスは、冷却ファンなどの第１の冷却手段２３によって、例えば、５５０℃以下に急冷される。これにより、塩素化合物の微結晶が生成される。

【0015】

第１の分級手段２４は、第１の抽気プローブ２１で抽気した抽気ガス中のダストの粗粉Ｐ１（原料ダスト）を分離するものであり、例えば、サイクロン式の分級機である。第１の分級手段２４は、例えば、粒径１２μｍを超えるものを粗粉Ｐ１として分離する。

【0016】

第１のダスト濃度測定手段２５は、第１の分級手段２４に導入される抽気ガス中のダスト濃度Ｗ１を測定する。第１のダスト濃度測定手段２５は、例えば、光散乱方式によるダスト濃度を測定する市販の濃度計である。また、作業者が抽気ガスをサンプリングすることにより直接的にダスト濃度Ｗ１を測定してもよい。

【0017】

第１の集塵手段２６は、第１の分級手段２４によって粗粉Ｐ１を分離され、さらに第１の冷却器２９により冷却された抽気ガス中からのダストから微粉（塩素バイパスダスト）Ｐ２を集塵するものであり、例えば、各種の電気集塵機やバグフィルターなどの固気分機などである。第１の集塵手段２６から排出される抽気ガス（排出ガス）は、排気ファンなどの第１の排気手段２７によって誘引して、図示しないが、セメントキルンの排ガス系、すなわち、セメントキルンの排ガスを誘引するファンの出口側やセメントキルンに付設されるプレヒータに戻される。

【0018】

ここでは、第２の塩素バイパス系統３０は、第１の塩素バイパス系統２０と同様に、第２の抽気プローブ３１、第２の抽気ガス吸引手段３２、第２の冷却手段３３、第２の分級手段３４、第２のダスト濃度測定手段３５、第２の集塵手段３６、第２の排気手段３７などを第２のキルン抽気ガス流路３８上に備上に備えている。第２の塩素バイパス系統３０の構成要素３１～３８は、第１の塩素バイパス系統２０の構成要素２１～２８と同等であるので、これらの説明は省略する。

【0019】

さらに、塩素バイパスシステム１００は、第１及び第２のダスト濃度測定手段２５，３５が測定したダスト濃度の比Ｗ１／Ｗ２などに基づいて、第１及び第２の抽気ガス吸引手段２２，３２の吸引流量（吸引力）を制御する制御手段４０を備えている。制御手段４０は、ＣＰＵ、記憶装置などを有するコンピュータ等から構成されている。

【0020】

第１及び第２の分級手段２４、３４で分離される粗粉Ｐ１は、相対的に塩素含有量が低く、セメントキルン系に戻すことができる。そこで、粗粉Ｐ１はセメントキルンに付設された図示しないプレヒータなどにセメント原料として戻す。一方、第１及び第２集塵手段２６、３６で集塵される微粉Ｐ２は、前記塩素化合物の微結晶が含まれており、相対的に塩素含有量が高い。そこで、微粉Ｐ２を回収することにより抽気ガスから塩素をバイパスすることが可能となる。

【0021】

なお、第１及び第２の抽気プローブ２１，３１は、セメントキルン１０の窯尻１１において、窯尻１１の中心軸に対して回転対称に設けられることが好ましい。これにより、窯尻１１に存在するダストの偏りが生じることをさらに抑制することが可能となる。

【0022】

以上説明したように、塩素バイパスシステム１００においては、２系統の塩素バイパス系統２０，３０を備えている。そのため、塩素バイパス系統を１系統しか備えていない場合と比較して、窯尻１１内のダストに偏りが生じることを抑制するとともに、１系統の塩素バイパス系統によって抽気されるダスト量の低減を図ることが可能であるので、抽気ガスのダスト濃度を低減させることにより、塩素バイパス効率の向上を図ることが可能となる。

【0023】

ただし、窯尻１１内のセメントクリンカ原料やガス流の偏りなどによって、塩素バイパス系統２０，３０内の抽気ガス流量やダスト量が変動すると、抽気ダスト量の増加などによって、塩素バイパス効率が低下する可能性がある。例えば、従来のように１系統の塩素バイパス系統しか備えていない場合、抽気速度が上昇するほど抽気ガスと共に微粉Ｐ２も抽気プローブ側へ片寄るため、抽気プローブ近傍のダスト濃度が上昇し、結果として抽気ガス中のダスト濃度も上昇する。

【0024】

そこで、発明者は、塩素バイパス効率を向上させるためには、第１のダスト濃度Ｗ１と第２のダスト濃度Ｗ２との比Ｗ１／Ｗ２が０．６（≒１／１．８）≦Ｗ１／Ｗ２≦１．８の範囲内であることが必要であることを、後述するシミュレーション結果から新たに見出した。

【0025】

そこで、制御手段４０は、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が０．６≦Ｗ１／Ｗ２≦１．８の範囲内となるように、第１又は第２の抽気ガス吸引手段２２，３２、あるいは、第１及び第２の抽気ガス吸引手段２２，３２の吸引流量を制御する。

【0026】

具体的には、例えば、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．８を超えた場合、塩素バイパス系統２０側にダストが片寄っていると判断し、塩素バイパス系統３０側の抽気ファン３３の吸引流量を増加させる、または、塩素バイパス系統２０側の抽気ファン２３の吸引流量を減少させる、もしくは、これら両方の抽気ファン２３，３３の吸引流量の変更を行って、窯尻１１内のダストを塩素バイパス系統３０側に引き寄せることにより、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が０．６≦Ｗ１／Ｗ２≦１．８となるように制御する。

【0027】

なお、塩素バイパス効率を向上させるためには、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．０であることが最も好ましいので、制御手段４０は、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．０に近づくように、又は、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が０．７（≒１／１．４）≦Ｗ１／Ｗ２≦１．４など、さらに狭い範囲内となるように制御することも好ましい。

【0028】

さらに、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２だけでなく、回収される微粉Ｐ２の量及び塩素濃度から各塩素バイパス系統２０，３０における塩素バイパス効率を求め、これに応じて、制御手段４０により、第１及び第２の抽気ガス吸引手段２２，３２の吸引力を制御してもよい。

【0029】

例えば、ダスト濃度Ｗ１，Ｗ２と第１及び第２の抽気ガス吸引手段２２，３２の抽気ガス流量から計算される各塩素バイパス系統２０，３０内のダスト量Ｘ１，Ｘ２と、第１及び第２の分級手段２４，３４によってそれぞれ回収される粗粉Ｐ１の測定量Ｍ１，Ｍ２との比Ｍ１／Ｘ１，Ｍ２／Ｘ２がともに０．８以上０．９５以下の範囲に収まるように第１及び第２の抽気ガス吸引手段２２，３２の吸引力を制御することが好ましい。これにより、第１及び第２の分級手段２４，３４の分級性能を良好に維持することができ、高い塩素バイパス効率を維持することが可能となる。

【0030】

なお、窯尻１１内の原料に片寄りが生じておらず、かつ、第１及び第２の塩素バイパス系統２０，３０から均等に抽気されると、窯尻１１内のガス流は均一になる。このような場合に、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．０となり、ダスト（微粉Ｐ２）の合計量Ｘ（Ｘ１＋Ｘ２）が最小化し、塩素バイパス効率が最大になる。しかしながら、実際のセメントキルンにおいては、原料の投入量や種類などの変動及びキルン内部の固結状況などにより窯尻１１のガス流れは常に変動しており、均一な流れであることは稀である。

【0031】

本発明は、そのような場合であっても、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２を０．６以上１．８以下の範囲内となるように制御することにより、ダスト量Ｘを低減して、塩素バイパス効率の向上を図るものである。

【0032】

なお、本発明は、上述した実施形態に具体的に記載した塩素バイパスシステム１００に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内であれば適宜変更することができる。

【0033】

例えば、上述した実施形態においては、第１及び第２のダスト濃度測定手段２５，３５が測定したダスト濃度Ｗ１／Ｗ２などに基づいて、第１及び第２の抽気ガス吸引手段２２，３２の吸引力を制御する制御手段４０を備えている。しかし、これに限定されず、このような制御手段４０を備えておらず、作業員が、第１及び第２のダスト濃度測定手段２５，３５が測定したダスト濃度Ｗ１／Ｗ２などに基づいて、第１及び第２の抽気ガス吸引手段２２，３２の吸引力を手動などによって調整してもよい。

【0034】

また、上述した実施形態においては、２系統の塩素バイパス系統２０，３０を備えている場合について説明した。しかし、これに限定されず、３系統以上の塩素バイパス系統を備えていてもよい。この場合、各塩素バイパス系統の抽気プローブは、セメントキルン１０の窯尻１１において、窯尻１１の中心軸に対して回転対称に設けられることが好ましいが、これに限定されない。そして、ダスト濃度が全ての系統において０．６≦Ｗ１／Ｗ２≦１．８の関係が成立するように制御すればよい。

【実施例】

【0035】

上述した塩素バイパスシステム１００における微粉（抽気ダスト）Ｐ２の低減効果を確認するために、ＡＮＳＹＳ ＪＡＰＡＮ社製のＦｌｕｅｎｔ Ｖｅｒ．１９．０を用いて、シミュレーション解析を行った。

【0036】

シミュレーションで使用するために作成したセメントキルン１０の窯尻１１付近の形状モデルは、図２に示すように、窯尻１１に左右対称に第１及び第２の抽気プローブ２１，３１が設けられている。さらに、第１の抽気プローブ２１の側の窯尻１１に第１の原料投入口１２が、第２１の抽気プローブ３１の側の窯尻１１に第２の原料投入口１３がそれぞれ設けられている。

【0037】

第１及び第２の原料投入口１２、１３からそれぞれ投入するセメントクリンカ原料の投入量Ｇ１，Ｇ２[ｋｇ／ｓ]、第１及び第２の塩素バイパス系統２０，３０によりそれぞれ抽気する窯尻１１内の燃焼ガスに対する抽気ガスの割合である抽気率Ｃ１，Ｃ２［％］及び第１及び第２の塩素バイパス系統２０，３０にそれぞれ抽気される抽気ガスの速度Ｓ１，Ｓ２［ｍ／ｓ］は表１に示す通りであった。

【0038】

なお、第１及び第２の原料投入口１２，１３からのセメントクリンカ原料の合計供給量は３３０［ｔ／時間］を想定したものである。また、窯尻１１における燃焼ガスの通気量は１６００００［Ｎｍ^３／時間］、その温度は１０５０［℃］を想定し、第１及び第２の塩素バイパス系統２０，３０による抽気ガスの合計抽気量は１６００００［Ｎｍ^３／時間］（抽気率は１０［％］）を想定している。

【0039】

なお、比較例１は、第２の塩素バイパス系統３０が存在しない、従来の塩素バイパス系統が１系統である場合を示している。また、第１及び第２の原料投入口１２，１３からの原料投入量Ｇ１，Ｇ２を相違させることにより、窯尻１１内の原料に片寄りを生じさせていている。さらに、抽気率Ｃ１，Ｃ２及び抽気ガス速度Ｓ１，Ｓ２は第１及び第２のガス吸引手段２６，３６による吸引流量に応じて定まる。

【0040】

【表1】

【0041】

第１及び第２のダスト濃度測定手段２５，３５でそれぞれ測定されるダスト濃度Ｗ１，Ｗ２［％］並びのその比Ｗ１／Ｗ２、及び、第１及び第２の集塵手段２６，３６で集塵される微粉（ダスト）Ｐ２の量Ｘ１，Ｘ２［ｋｇ／ｓ］並びにその合計量Ｘ（＝Ｘ１＋Ｘ２）［ｋｇ／ｓ］を表２に示す。

【0042】

【表2】

【0043】

表２から分かるように、塩素バイパス系統が２系統である実施例１～４及び比較例２においては、塩素バイパス系統が１系統である比較例１と比べて、ダスト量Ｘが減少しており、塩素バイパス効率が向上していることが分かる。なお、セメントクリンカ原料が同量である場合、ダスト量Ｘの増加は、ダストにセメント成分などの塩素成分以外の成分が多く含まれており、除去効率が悪化することを意味する。

【0044】

さらに、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．０である実施例１はダスト量Ｘが２．９［ｋｇ／ｓ］と最も小さく、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．４である実施例２，４はそれぞれダスト量Ｘが３．３，３．４［ｋｇ／ｓ］と次に小さく、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．８である実施例３はダスト量Ｘが３．５［ｋｇ／ｓ］と次に小さく、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が２．４である比較例２はダスト量Ｘが３．８［ｋｇ／ｓ］であった。

【0045】

このように、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．０に近いほど、ダスト量Ｘが小さく、塩素バイパス効率が優れていることが分かる。ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が２．４である比較例２においては、ダスト量Ｘが３．８［ｋｇ／ｓ］であり、塩素バイパス系統が１系統である比較例１である場合と比べてダスト量Ｘが減少しているものの、その減少量は０．２［ｋｇ／ｓ］と１割を超える減少率ではなく、塩素バイパス効率の向上は左程見られなかった。

【0046】

一方、ダスト濃度比Ｗ１／Ｗ２が１．８以下である実施例１～４においては、ダスト量Ｘが最大３．５［ｋｇ／ｓ］であり、塩素バイパス系統が１系統である比較例１である場合と比べてダスト量Ｘが０．５［ｋｇ／ｓ］以上と１割を超えて減少しており、塩素バイパス効率の向上が顕著に見られた。

【0047】

なお、実施例１は、第１及び第２の原料投入口１２，１３からの原料投入量Ｇ１，Ｇ２が同じであって、窯尻１１内の原料に片寄りが生じておらず、かつ、第１及び第２の塩素バイパス系統２０，３０からの抽気率Ｃ１，Ｃ２及び抽気ガス速度Ｓ１，Ｓ２が同じであり、均等に抽気されている。このように、実施例１は理想的な条件であり、実際にこのような状態となることは稀である。

【符号の説明】

【0048】

１０…セメントキルン、 １１…窯尻、 １２…第１の原料投入口、 １３…第２の原料投入口、 ２０…第１の塩素バイパス系統、 ２１…第１の抽気プローブ、 ２２…第１の抽気ガス吸引手段、 ２３…第１の冷却手段、 ２４…第１の分級手段、 ２５…第１のダスト濃度測定手段、 ２６…第１の集塵手段、 ２７…第１の排気手段、 ２８…第１のキルン抽気ガス流路、 ２９…第１の冷却器、 ３０…第２の塩素バイパス系統、 ３１…第２の抽気プローブ、 ３２…第２の抽気ガス吸引手段、 ３３…第２の冷却手段、 ３４…第２の分級手段、 ３５…第２のダスト濃度測定手段、 ３６…第２の集塵手段、 ３７…第２の排気手段、 ３８…第２のキルン抽気ガス流路、 ３９…第２の冷却器、 １００…塩素バイパスシステム， Ｐ１…粗粉、 Ｐ２…微粉。

【図1】

【図2】