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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-16
(45)【発行日】2024-08-26
(54)【発明の名称】医用システムおよび記録媒体
(51)【国際特許分類】
A61B 6/03 20060101AFI20240819BHJP
A61B 6/58 20240101ALI20240819BHJP
【ＦＩ】
A61B6/03 573
A61B6/03 530Z
A61B6/58 500Z
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2024027948
(22)【出願日】2024-02-27
【審査請求日】2024-02-28
(73)【特許権者】
【識別番号】319011672
【氏名又は名称】ジーイー・プレシジョン・ヘルスケア・エルエルシー
(74)【代理人】
【識別番号】100105588
【弁理士】
【氏名又は名称】小倉 博
(74)【代理人】
【識別番号】100129779
【弁理士】
【氏名又は名称】黒川 俊久
(74)【代理人】
【識別番号】100151286
【弁理士】
【氏名又は名称】澤木 亮一
(72)【発明者】
【氏名】藤本 亮介
(72)【発明者】
【氏名】緒方 研太郎
【審査官】蔵田 真彦
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２１－２３５１５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２１５４８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１３２５０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２１／０１００５１７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１１７２９７６３７（ＣＮ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ａ６１Ｂ ６／００－６／５８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｘ線管であって、第１の管電圧と第２の管電圧との間で前記Ｘ線管に印加される管電圧を切り替えることができるように構成されたＸ線管と、前記Ｘ線管から照射されたＸ線を検出する検出器アセンブリであって、前記検出器アセンブリは、Ｘ線を検出する参照領域とフィルタとを含み、前記参照領域は、前記フィルタを通過したＸ線を検出する第１のサブ領域と、前記フィルタを通過していないＸ線を検出する第２のサブ領域とを含む、検出器アセンブリと、
１つ又は複数のプロセッサであって、
管電圧を第１の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第１の遅延時間と、管電圧を第２の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第２の遅延時間を設定すること、
前記Ｘ線管に前記第１の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第１の管電圧の第１の実効電圧値を決定すること、
前記Ｘ線管に前記第２の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第２の管電圧の第２の実効電圧値を決定すること、および
第１の実効電圧値と第２の実効電圧値との差を表す実効電圧差を計算すること
を実行する１つ又は複数のプロセッサと
を含み、
前記１つ又は複数のプロセッサは、
前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間を設定すること、前記第１の実効電圧値を決定すること、前記第２の実効電圧値を決定すること、および前記実効電圧差を計算することを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得し、前記複数の実効電圧差に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの前記第１の遅延時間および前記第２の遅延時間を求めること
を実行する、医用システム。
【請求項2】
前記医用システムが有する記憶装置又は前記医用システムがアクセス可能な記憶装置に、前記第１の遅延時間の基準値を表す第１の基準遅延時間と、前記第２の遅延時間の基準値を表す第２の基準遅延時間が記憶されており、前記医用システムに対して第１のキャリブレーションが実行される場合、前記１つ又は複数のプロセッサは、
前記第１の遅延時間が前記第１の基準遅延時間に設定され、前記第２の遅延時間が前記第２の基準遅延時間に設定された場合に得られたデータに基づいて、前記第１の実効電圧値と前記第２の実効電圧値との差を表す第１の実効電圧差を計算すること、
前記第１の遅延時間が前記第１の基準遅延時間よりも長い遅延時間に設定され、前記第２の遅延時間が前記第２の基準遅延時間よりも長い遅延時間に設定された場合に得られたデータに基づいて、前記第１の実効電圧値と前記第２の実効電圧値との差を表す第２の実効電圧差を計算すること、
前記第１の遅延時間が前記第１の基準遅延時間よりも短い遅延時間に設定され、前記第２の遅延時間が前記第２の基準遅延時間よりも短い遅延時間に設定された場合に得られたデータに基づいて、前記第１の実効電圧値と前記第２の実効電圧値との差を表す第３の実効電圧差を計算すること、および
前記第１の実効電圧差、前記第２の実効電圧差、および前記第３の実効電圧差に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの前記第１の遅延時間および前記第２の遅延時間を求めること
を実行する、請求項１に記載の医用システム。
【請求項3】
前記第１のキャリブレーションは、前記医用システムの設置作業、保守作業、又は部品交換のときに実行される、請求項２に記載の医用システム。
【請求項4】
前記第１の遅延時間および前記第２の遅延時間は同じ値又は異なる値である、請求項２に記載の医用システム。
【請求項5】
前記医用システムが有する記憶装置又は前記医用システムがアクセス可能な記憶装置に、前記第１の遅延時間の最新の値として登録された遅延時間を表す第１の登録された遅延時間と、前記第２の遅延時間の最新の値として登録された遅延時間を表す第２の登録された遅延時間と、前記第１の登録された遅延時間および前記第２の登録された遅延時間に対応する第４の実効電圧差が記憶されており、前記医用システムに対して第２のキャリブレーションが実行される場合、前記１つ又は複数のプロセッサは、
前記第１の遅延時間を、前記第１の登録された遅延時間とは異なる第１の別の遅延時間に設定し、前記第２の遅延時間を、前記第２の登録された遅延時間とは異なる第２の別の遅延時間に設定すること、
前記第１の遅延時間が前記第１の別の遅延時間に設定され、前記第２の遅延時間が前記第２の別の遅延時間に設定された場合に得られたデータに基づいて、前記第１の実効電圧値と前記第２の実効電圧値との差を表す第５の実効電圧差を計算すること、および
前記第５の実効電圧差が、前記第４の実効電圧差よりも大きい場合、前記第１の遅延時間を前記第１の別の遅延時間に更新し、前記第２の遅延時間を前記第２の別の遅延時間に更新すること、
を実行する、請求項１に記載の医用システム。
【請求項6】
前記第２のキャリブレーションは、ユーザが定期的に実行するキャリブレーションである、請求項５に記載の医用システム。
【請求項7】
前記第１の実効電圧値を決定することは、前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値と、前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値とに基づいて、前記第１の実効電圧値を決定することを含み、
前記第２の実効電圧値を決定することは、
前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値と、前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値とに基づいて、前記第２の実効電圧値を決定することを含む、請求項１に記載の医用システム。
【請求項8】
前記第１の実効電圧値を決定することは、前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値と、前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値とに基づいて、第１の指標値を計算すること、および
前記第１の指標値に基づいて前記第１の実効電圧値を決定することを含み、
前記第２の実効電圧値を決定することは、
前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値と、前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値とに基づいて、第２の指標値を計算すること、および
前記第２の指標値に基づいて前記第２の実効電圧値を決定することを含む、請求項７に記載の医用システム。
【請求項9】
前記第１の指標値および前記第２の指標値は、前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値と、前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値との比によって計算される、請求項８に記載の医用システム。
【請求項10】
前記１つ以上のプロセッサは、管電圧と指標値とを対応付けるベースラインに基づいて、前記第１の実効電圧値および前記第２の実効電圧値を計算する、請求項９に記載の医用システム。
【請求項11】
前記ベースラインは、複数の基準管電圧と前記複数の基準管電圧に対応する複数の指標値とに基づいて作成されるラインであり、前記複数の指標値の各々は、前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値と、前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値との比である、請求項１０に記載の医用システム。
【請求項12】
Ｘ線管であって、第１の管電圧と第２の管電圧との間で前記Ｘ線管に印加される管電圧を切り替えることができるように構成されたＸ線管と、前記Ｘ線管から照射されたＸ線を検出する検出器アセンブリであって、前記検出器アセンブリは、Ｘ線を検出する参照領域とフィルタとを含み、前記参照領域は、前記フィルタを通過したＸ線を検出する第１のサブ領域と、前記フィルタを通過していないＸ線を検出する第２のサブ領域とを含む、検出器アセンブリと、
１つ又は複数のプロセッサと
を含む医用システムの前記１つ又は複数のプロセッサによって実行される命令が記憶された非一時的な記憶媒体であって、前記命令は、前記１つ又はプロセッサによって実行されると、前記１つ又はプロセッサに、
管電圧を第１の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第１の遅延時間と、管電圧を第２の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第２の遅延時間を設定すること、
前記Ｘ線管に前記第１の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第１の管電圧の第１の実効電圧値を決定すること、
前記Ｘ線管に前記第２の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第２の管電圧の第２の実効電圧値を決定すること、および
第１の実効電圧値と第２の実効電圧値との差を表す実効電圧差を計算すること
を実行させ、
前記命令は、前記１つ又はプロセッサによって実行されると、前記１つ又はプロセッサに、更に、
前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間を設定すること、前記第１の実効電圧値を決定すること、前記第２の実効電圧値を決定すること、および前記実効電圧差を計算することを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得し、前記複数の実効電圧差に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの前記第１の遅延時間および前記第２の遅延時間を求めること
を実行させる、記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、管電圧を切り替えることができる医用システム、および当該医用システムを制御するための命令が記録された記録媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
被検体を非侵襲的に撮影する医用装置としてＣＴシステムが知られている。ＣＴシステムは、短いスキャン時間で被検体の断層画像を取得することができるので、病院などの医療施設に普及している。
【0003】
ＣＴシステムは、Ｘ線管の陰極－陽極管に所定の電圧を印加し、Ｘ線を発生させる。発生したＸ線は被検体を透過して検出器で検出される。ＣＴシステムは、検出器で検出されたデータに基づいて、被検体のＣＴ画像を再構成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特許第６０３１６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ＣＴシステムの撮影技術として、ＳＥＣＴ（Single Energy CT）が知られている。ＳＥＣＴは、Ｘ線管の陰極－陽極管に所定の電圧（例えば、１２０ｋＶ）を印加し、Ｘ線を発生させ、被検体のＣＴ画像を得る方法である。しかし、ＳＥＣＴでは、異なる物質であってもＣＴ値が近い値になることがあり、異なる物質の同定が難しい場合がある。
【0006】
そこで、ＤＥＣＴ（Dual Energy CT）の技術が研究、開発されている。ＤＥＣＴは、異なるエネルギー領域のＸ線を利用して物質の弁別を行う技術であり、臨床現場での診断に有益な画像を取得することができ、広く普及し始めている。ＤＥＣＴの技術では、Ｘ線管の管電圧を、低い管電圧と高い管電圧との間で切り替えるｋＶスイッチング技術が知られている。
【0007】
ｋＶスイッチングの技術では、検出器で取得したデータを、高い管電圧に対応するデータと、低い管電圧に対応するデータに分ける必要がある。一般には、高い管電圧と低い管電圧との電圧差が小さいと、物質の識別精度（データの識別精度）が低くなりやすい。そこで、ｋＶスイッチングの技術では、高い管電圧と低い管電圧との差ができるだけ大きくなるように、管電圧が設定されている。
【0008】
一方、ｋＶスイッチングでは、短時間で低い管電圧と高い管電圧とを切り替える必要がある。理想的には、管電圧を切り替えた場合、電圧は矩形状に変化することが望ましい。しかし、実際には、管電圧を切り替えた場合、管電圧が所望の値に到達するには、一定の時間が掛かる。例えば、管電圧を、低い管電圧から高い管電圧に切り替えた場合、管電圧が所望の値に到達するまでには、一定の立ち上がり時間が必要になる。同様に、管電圧を、高い管電圧から低い管電圧に切り替えた場合、管電圧が所望の値に到達するまでには、一定の立ち下がり時間が必要になる。そこで、この管電圧の立ち上がり時間および立ち下がり時間の影響を低減するために、ＣＴシステムは、管電圧の切替えと同時にデータの収集を開始するのではなく、管電圧を切り替えてから、対応する管電圧のデータの収集を開始するまでの間に遅延時間を設けている。
【0009】
しかし、ＣＴシステムの管電圧の立ち上がり時間および立ち下がり時間には個体差があり、或るＣＴシステムで設定されている遅延時間が、別のＣＴシステムでは必ずしも適切な遅延時間であるとは限らない。また、ＣＴシステムを長期間使用することによって部品は経年劣化し、その結果、現在使用されている遅延時間が理想的な遅延時間から離れていき、画質が劣化するという問題がある。
そこで、最適な遅延時間を求めることができる技術が望まれている。
そこで、最適な遅延時間を求めることができる技術が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の第１の観点は、Ｘ線管であって、第１の管電圧と第２の管電圧との間で前記Ｘ線管に印加される管電圧を切り替えることができるように構成されたＸ線管と、
前記Ｘ線管から照射されたＸ線を検出する検出器アセンブリであって、前記検出器アセンブリは、Ｘ線を検出する参照領域とフィルタとを含み、前記参照領域は、前記フィルタを通過したＸ線を検出する第１のサブ領域と、前記フィルタを通過していないＸ線を検出する第２のサブ領域とを含む、検出器アセンブリと、
１つ又は複数のプロセッサであって、
管電圧を第１の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第１の遅延時間と、管電圧を第２の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第２の遅延時間を設定すること、
前記Ｘ線管に前記第１の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第１の管電圧の第１の実効電圧値を決定すること、
前記Ｘ線管に前記第２の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第２の管電圧の第２の実効電圧値を決定すること、および
第１の実効電圧値と第２の実効電圧値との差を表す実効電圧差を計算すること
を実行する１つ又は複数のプロセッサと
を含み、
前記１つ又は複数のプロセッサは、
前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間を設定すること、前記第１の実効電圧値を決定すること、前記第２の実効電圧値を決定すること、および前記実効電圧差を計算することを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得し、前記複数の実効電圧差に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの前記第１の遅延時間および前記第２の遅延時間を求めること
を実行する、医用システムである。
前記Ｘ線管から照射されたＸ線を検出する検出器アセンブリであって、前記検出器アセンブリは、Ｘ線を検出する参照領域とフィルタとを含み、前記参照領域は、前記フィルタを通過したＸ線を検出する第１のサブ領域と、前記フィルタを通過していないＸ線を検出する第２のサブ領域とを含む、検出器アセンブリと、
１つ又は複数のプロセッサであって、
管電圧を第１の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第１の遅延時間と、管電圧を第２の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第２の遅延時間を設定すること、
前記Ｘ線管に前記第１の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第１の管電圧の第１の実効電圧値を決定すること、
前記Ｘ線管に前記第２の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第２の管電圧の第２の実効電圧値を決定すること、および
第１の実効電圧値と第２の実効電圧値との差を表す実効電圧差を計算すること
を実行する１つ又は複数のプロセッサと
を含み、
前記１つ又は複数のプロセッサは、
前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間を設定すること、前記第１の実効電圧値を決定すること、前記第２の実効電圧値を決定すること、および前記実効電圧差を計算することを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得し、前記複数の実効電圧差に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの前記第１の遅延時間および前記第２の遅延時間を求めること
を実行する、医用システムである。
【0011】
また、本発明の第２の観点は、Ｘ線管であって、第１の管電圧と第２の管電圧との間で前記Ｘ線管に印加される管電圧を切り替えることができるように構成されたＸ線管と、
前記Ｘ線管から照射されたＸ線を検出する検出器アセンブリであって、前記検出器アセンブリは、Ｘ線を検出する参照領域とフィルタとを含み、前記参照領域は、前記フィルタを通過したＸ線を検出する第１のサブ領域と、前記フィルタを通過していないＸ線を検出する第２のサブ領域とを含む、検出器アセンブリと、
１つ又は複数のプロセッサと
を含む医用システムの前記１つ又は複数のプロセッサによって実行される命令が記憶された非一時的な記憶媒体であって、前記命令は、前記１つ又はプロセッサによって実行されると、前記１つ又はプロセッサに、
管電圧を第１の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第１の遅延時間と、管電圧を第２の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第２の遅延時間を設定すること、
前記Ｘ線管に前記第１の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第１の管電圧の第１の実効電圧値を決定すること、
前記Ｘ線管に前記第２の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第２の管電圧の第２の実効電圧値を決定すること、および
第１の実効電圧値と第２の実効電圧値との差を表す実効電圧差を計算すること
を実行させ、
前記命令は、前記１つ又はプロセッサによって実行されると、前記１つ又はプロセッサに、更に、
前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間を設定すること、前記第１の実効電圧値を決定すること、前記第２の実効電圧値を決定すること、および前記実効電圧差を計算することを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得し、前記複数の実効電圧差に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの前記第１の遅延時間および前記第２の遅延時間を求めること
を実行させる、記憶媒体である。
前記Ｘ線管から照射されたＸ線を検出する検出器アセンブリであって、前記検出器アセンブリは、Ｘ線を検出する参照領域とフィルタとを含み、前記参照領域は、前記フィルタを通過したＸ線を検出する第１のサブ領域と、前記フィルタを通過していないＸ線を検出する第２のサブ領域とを含む、検出器アセンブリと、
１つ又は複数のプロセッサと
を含む医用システムの前記１つ又は複数のプロセッサによって実行される命令が記憶された非一時的な記憶媒体であって、前記命令は、前記１つ又はプロセッサによって実行されると、前記１つ又はプロセッサに、
管電圧を第１の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第１の遅延時間と、管電圧を第２の管電圧に切り替えてからデータの収集を開始するまでの第２の遅延時間を設定すること、
前記Ｘ線管に前記第１の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第１の管電圧の第１の実効電圧値を決定すること、
前記Ｘ線管に前記第２の管電圧が印加された場合、前記検出器アセンブリの前記第１のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報と、前記検出器アセンブリの前記第２のサブ領域で検出されたＸ線のエネルギー情報とに基づいて、前記第２の管電圧の第２の実効電圧値を決定すること、および
第１の実効電圧値と第２の実効電圧値との差を表す実効電圧差を計算すること
を実行させ、
前記命令は、前記１つ又はプロセッサによって実行されると、前記１つ又はプロセッサに、更に、
前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間を設定すること、前記第１の実効電圧値を決定すること、前記第２の実効電圧値を決定すること、および前記実効電圧差を計算することを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得し、前記複数の実効電圧差に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの前記第１の遅延時間および前記第２の遅延時間を求めること
を実行させる、記憶媒体である。
【発明の効果】
【0012】
本発明は、前記第１の遅延時間と前記第２の遅延時間を設定すること、前記第１の実効電圧値を決定すること、前記第２の実効電圧値を決定すること、および前記実効電圧差を計算することを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得する。したがって、複数の実効電圧差に基づいて、実効電圧差を大きい値に設定するのに適した遅延時間を求めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本実施形態におけるＣＴシステム１００のブロック図である。
【図2】管電圧を切り替える時の説明図である。
【図3】管電圧波形の高ｋＶの期間と低ｋＶの期間の説明図である。
【図4】期間２１の管電圧に対応する実効電圧値ＶＨと、期間２２の管電圧に対応する実効電圧値ＶＬの一例を示す図である。
【図5】遅延時間の説明図である。
【図6】矩形状の波形３０に対して得られる実効電圧差を示す図である。
【図7】検出器アセンブリ１０８の説明図である。
【図8】検出器アセンブリ１０８の参照領域１０９の拡大図である。
【図9】ベースラインの作成方法のフロー図である。
【図10】指標値Ｍの計算方法を示す図である。
【図11】ベースラインの作成方法の説明図である。
【図12】ベースライン６０を示す図である。
【図13】ＣＴシステムの設置作業時において、最適な遅延時間を求めるためのフロー図である。
【図14】基準遅延時間の説明図である。
【図15】高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）の計算方法の説明図である。
【図16】実効電圧値の決定方法の説明図である。
【図17】ベースライン６０を用いて実効電圧値ＶＨｒおよびＶＬｒを決定する方法の具体的な説明図である。
【図18】遅延時間を基準遅延時間よりも長い時間に設定した例を示す図である。
【図19】高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＬ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＬ）の計算方法の説明図である。
【図20】実効電圧値の決定方法の説明図である。
【図21】遅延時間を基準遅延時間よりも短い時間に設定した例を示す図である。
【図22】高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＳ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＳ）の計算方法の説明図である。
【図23】データセットＱ１、Ｑ２、およびＱ３を示す図である。
【図24】ユーザがＣＴシステムのキャリブレーションを定期的に実行する場合において、最適な遅延時間の求める方法のフロー図である。
【図25】登録されている遅延時間の最新の値の説明図である。
【図26】登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）とは異なる時間に設定された遅延時間を示す図である。
【図27】第５の実効電圧差Ｄ５の計算方法の説明図である。
【図28】データセットＱ４およびＱ５を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、以下の形態に限定されることはない。
【0015】
図１は、本実施形態におけるＣＴシステム１００のブロック図である。
ＣＴシステム１００は、ガントリ１０２およびテーブル１１６を含んでいる。
ガントリ１０２はボア１０７を有しており、そのボア１０７に被検体１１２が搬送され、被検体１１２がスキャンされる。
ＣＴシステム１００は、ガントリ１０２およびテーブル１１６を含んでいる。
ガントリ１０２はボア１０７を有しており、そのボア１０７に被検体１１２が搬送され、被検体１１２がスキャンされる。
【0016】
ガントリ１０２には、Ｘ線管１０４、フィルタ部１０３、前置コリメータ１０５、および検出器アセンブリ１０８などが取り付けられている。
【0017】
Ｘ線管１０４は、陰極－陽極管に所定の電圧が印加されることにより、Ｘ線を発生させるものである。Ｘ線管１０４は、ＸＹ面内において、回転軸２０６を中心とした経路上を回転することができるように構成されている。ここで、Ｚ方向は体軸方向を表し、Ｙ方向は鉛直方向（テーブル１１６の高さ方向）を表し、Ｘ方向は、Ｚ方向およびＹ方向に対して垂直の方向を表している。本実施形態では、Ｘ線管１０４は、第１の管電圧と第２の管電圧との間でＸ線管１０４に印加される管電圧を切り替えることができるｋＶスイッチング方式に対応したＸ線管である。尚、本実施形態では、ＣＴシステム１００は１つのＸ線管１０４を備えているが、２つのＸ線管１０４を備えてもよい。
【0018】
フィルタ部１０３は、例えば、平板フィルタおよび／又はボウタイフィルタを含んでいる。
前置コリメータ１０５は、不要な領域にＸ線が照射されないようにＸ線の照射範囲を絞り込むための部材である。
前置コリメータ１０５は、不要な領域にＸ線が照射されないようにＸ線の照射範囲を絞り込むための部材である。
【0019】
検出器アセンブリ１０８は複数の検出器素子２０２を含んでいる。複数の検出器素子２０２は、Ｘ線管１０４から照射され、患者などの被検体１１２を通過するＸ線１０６を検出する。したがって、検出器アセンブリ１０８は、ビューごとに投影データを取得することができる。
【0020】
検出器アセンブリ１０８により検出された投影データは、ＤＡＳ２１４で収集される。ＤＡＳ２１４は、収集した投影データに対して、サンプリング、デジタル変換などを含む所定の処理を実行する。処理された投影データは、コンピュータ２１６に送信される。コンピュータ２１６は、ＤＡＳ２１４からのデータを記憶装置２１８に記憶する。記憶装置２１８は、プログラムや、プロセッサで実行される命令などを記録する1つ以上の記録媒体を含むものである。記録媒体は、例えば、1つ以上の非一時的でコンピュータ可読記録媒体とすることができる。記憶装置２１８は、例えば、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ、コンパクトディスク読み出し／書き込み（ＣＤ－Ｒ／Ｗ）ドライブ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）ドライブ、フラッシュドライブ、および／またはソリッドステート記録ドライブを含むことができる。
【0021】
コンピュータ２１６は１つ又は複数のプロセッサ２１７を含んでいる。コンピュータ２１６は、１つ又は複数のプロセッサ２１７を使用して、ＤＡＳ２１４、Ｘ線コントローラ２１０、および／又はガントリモータコントローラ２１２に、コマンドおよびパラメータを出力し、データ取得および／または処理などのシステム動作を制御する。また、コンピュータ２１６は、１つ又は複数のプロセッサを使用して、後述するフローの各ステップにおいて、信号処理、データ処理、画像処理など、様々な処理を実行する。尚、図１では、１つ又は複数のプロセッサ２１７はコンピュータ２１６に含まれているが、１つ又は複数のプロセッサ２１７は、コンピュータ２１６と他の構成要素（例えば、Ｘ線コントローラ２１０、ガントリモータコントローラ２１２、テーブルモータコントローラ１１８など）に分散させるように設けられていてもよい。
【0022】
コンピュータ２１６には、オペレータコンソール２２０が結合されている。オペレータは、オペレータコンソール２２０を操作することにより、ＣＴシステム１００の動作に関連する所定のオペレータ入力をコンピュータ２１６に入力することができる。コンピュータ２１６は、オペレータコンソール２２０を介して、コマンドおよび／またはスキャンパラメータを含むオペレータ入力を受信し、そのオペレータ入力に基づいてシステム動作を制御する。オペレータコンソール２２０は、オペレータがコマンドおよび／またはスキャンパラメータを指定するためのキーボード（図示せず）またはタッチスクリーンを含むことができる。
【0023】
Ｘ線コントローラ２１０は、コンピュータ２１６からの命令に基づいてＸ線管１０４を制御する。また、ガントリモータコントローラ２１２は、コンピュータ２１６からの命令に基づいて、Ｘ線管１０４および検出器アセンブリ１０８などの構成要素が回転するように、ガントリモータを制御する。
【0024】
図１は、１つのオペレータコンソール２２０のみを示しているが、２つ以上のオペレータコンソールをコンピュータ２１６に結合してもよい。
【0025】
また、ＣＴシステム１００は、例えば、有線ネットワークおよび／又は無線ネットワークを介して、遠隔に位置する複数のディスプレイ、プリンタ、ワークステーション、および／もしくは同様のデバイスが結合されるようにしてもよい。
【0026】
一実施形態では、例えば、ＣＴシステム１００は、画像保管通信システム（ＰＡＣＳ）２２４を含んでいてもよいし、ＰＡＣＳ２２４に結合されていてもよい。例示的な実施態様では、ＰＡＣＳ２２４は、放射線科情報システム、病院情報システム、および／または内部もしくは外部ネットワーク（図示せず）などの遠隔システムに結合されていてもよい。
【0027】
コンピュータ２１６は、テーブルモータコントローラ１１８に、テーブル１１６を制御するための命令を供給する。テーブルモータコントローラ１１８は、受け取った命令に基づいて、テーブル１１６が移動するように、テーブルモータを制御することができる。例えば、テーブルモータコントローラ１１８は、被検体１１２が撮影に適した位置に位置決めされるように、テーブル１１６を移動させることができる。
【0028】
前述のように、ＤＡＳ２１４は、検出器素子２０２によって取得された投影データをサンプリングしてデジタル変換する。その後、画像再構成器２３０が、サンプリングされデジタル変換されたデータを使用して画像を再構成する。画像再構成器２３０は１つ又は複数のプロセッサを含んでおり、このプロセッサが画像再構成の処理を実行することができる。図１では、画像再構成器２３０は、コンピュータ２１６とは別個の構成要素として示されているが、画像再構成器２３０は、コンピュータ２１６の一部を形成するものであってもよい。また、コンピュータ２１６が、画像再構成器２３０の１つまたは複数の機能を実施してもよい。さらに、画像再構成器２３０は、ＣＴシステム１００から離れた位置に設けられ、有線ネットワークまたは無線ネットワークを使用してＣＴシステム１００に動作可能に接続されるようにしてもよい。
【0029】
画像再構成器２３０は、再構成された画像を記憶装置２１８に記憶することができる。また、画像再構成器２３０は、再構成された画像をコンピュータ２１６に送信してもよい。コンピュータ２１６は、再構成された画像および／または患者情報を、コンピュータ２１６および／または画像再構成器２３０に通信可能に結合された表示装置２３２に送信することができる。
【0030】
本明細書で説明される様々な方法およびプロセスは、ＣＴシステム１００内の非一時的な記録媒体に実行可能命令として記録することができる。この実行可能命令は、１つの記録媒体に記録されていてもよいし、複数の記録媒体に分散させて記録されるようにしてもよい。ＣＴシステム１００に備えられる１つ以上のプロセッサは、記録媒体に記録された命令に従って、本明細書で説明される様々な方法、ステップ、およびプロセスを実行する。
【0031】
ＣＴシステム１００は上記のように構成されている。本実施形態では、ＣＴシステムは、Ｘ線管の管電圧を、高い管電圧（以下、「高ｋＶ」と呼ぶ）と低い管電圧（以下、「低ｋＶ」と呼ぶ）との間で切り替えるｋＶスイッチング技術を使用して被検体の撮影をすることができるように構成されている。
【0032】
ｋＶスイッチングの技術では、検出器で取得したデータを、高ｋＶに対応するデータと、低ｋＶに対応するデータに分ける必要がある。一般には、高ｋＶと低ｋＶとの電圧差が小さいと、物質の識別精度（データの識別精度）が悪くなりやすい。そこで、ｋＶスイッチングの技術では、高ｋＶと低ｋＶとの差ができるだけ大きくなるように、管電圧を切り替えることが必要となる。
【0033】
図２は、管電圧を切り替える時の説明図である。図２には、管電圧の波形１０が示されている。
時点ｔ１の直前では、Ｘ線管に低ｋＶが印加されていたとする。時点ｔ１において、Ｘ線管１０４に印加される管電圧は、低ｋＶから高ｋＶに切り替わる。管電圧は矩形状に切り替わるのが理想ではあるが、実際には管電圧の過渡現象により、時点ｔ１において低ｋＶから瞬間的に高ｋＶに到達することはできず、所定の電圧値に到達するまでに一定の時間が掛かる。
時点ｔ１の直前では、Ｘ線管に低ｋＶが印加されていたとする。時点ｔ１において、Ｘ線管１０４に印加される管電圧は、低ｋＶから高ｋＶに切り替わる。管電圧は矩形状に切り替わるのが理想ではあるが、実際には管電圧の過渡現象により、時点ｔ１において低ｋＶから瞬間的に高ｋＶに到達することはできず、所定の電圧値に到達するまでに一定の時間が掛かる。
【0034】
そして、時点ｔ１から所定の時間が経過した時点ｔ２で、Ｘ線管の管電圧は、高ｋＶから低ｋＶに切り替わる。しかし、管電圧の過渡現象により、時点ｔ２において高ｋＶから瞬間的に低ｋＶに到達することはできず、所定の電圧値に到達するまでに一定の時間が掛かる。
【0035】
次に、時点ｔ２から所定の時間が経過した時点ｔ３で、Ｘ線管の管電圧は、低ｋＶから高ｋＶに切り替わる。しかし、管電圧の過渡現象により、時点ｔ３において低ｋＶから瞬間的に高ｋＶに到達することはできず、所定の電圧値に到達するまでに一定の時間が掛かる。
【0036】
以下同様に、高ｋＶと低ｋＶとが切り換えられる。したがって、管電圧の波形には、高ｋＶの期間と、低ｋＶの期間が含まれている。
【0037】
図３は、管電圧波形の高ｋＶの期間と低ｋＶの期間の説明図である。
図３の上段には、図２で示した管電圧波形１０が示されており、下段には、矩形状の波形２０が示されている。矩形状の波形２０は、高ｋＶに対応する期間２１と、低ｋＶに対応する期間２２を表す波形である。期間２１は、管電圧が低ｋＶから高ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ１から、管電圧が高ｋＶから低ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ２までの期間を表している。
図３の上段には、図２で示した管電圧波形１０が示されており、下段には、矩形状の波形２０が示されている。矩形状の波形２０は、高ｋＶに対応する期間２１と、低ｋＶに対応する期間２２を表す波形である。期間２１は、管電圧が低ｋＶから高ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ１から、管電圧が高ｋＶから低ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ２までの期間を表している。
【0038】
一方、期間２２は、管電圧が高ｋＶから低ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ２から、管電圧が低ｋＶから高ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ３までの期間を表している。
【0039】
上記の例では、期間２１が高ｋＶの期間を表しており、期間２２が低ｋＶの期間を表している。しかし、管電圧は、図３に示すように、矩形状に変化せず、一定の立ち上がり時間および立ち下がり時間に従って変化する。したがって、期間２１には、高ｋＶに十分に近い電圧だけでなく、低ｋＶから高ｋＶに切り替わった直後の電圧も含まれている。このため、期間２１の管電圧を考える場合、管電圧の理想値ではなく、実効電圧値を考える必要がある。同様に、期間２２には、低ｋＶに十分に近い電圧だけでなく、高ｋＶから低ｋＶに切り替わった直後の電圧も含まれている。したがって、期間２２の管電圧を考える場合も、管電圧の理想値ではなく、実効電圧値を考える必要がある。図４には、期間２１の管電圧に対応する実効電圧値ＶＨと、期間２２の管電圧に対応する実効電圧値ＶＬの一例が示されている。
【0040】
ｋＶスイッチングの技術では、検出器で取得したデータを、高ｋＶに対応するデータと、低ｋＶに対応するデータに分ける必要がある。一般には、実効電圧値ＶＨと実効電圧値ＶＬとの実効電圧差Ｄが小さいと、物質の識別精度（データの識別精度）が低くなりやすいので、実効電圧差Ｄはできるだけ大きくする必要がある。しかし、図４の例では、期間２１には、高ｋＶに十分に近い電圧だけでなく、低ｋＶから高ｋＶに切り替わった直後の電圧も含まれているので、実効電圧値ＶＨは、低ｋＶから高ｋＶに切り替わった直後の電圧の影響を受けて、十分に大きな値にすることができない。同様に、期間２２には、低ｋＶに十分に近い電圧だけでなく、高ｋＶから低ｋＶに切り替わった直後の電圧も含まれているので、実効電圧値ＶＬは、高ｋＶから低ｋＶに切り替わった直後の電圧の影響を受けて、十分に小さい値にすることができない。このため、実効電圧差Ｄを十分に大きい値にすることができない。そこで、この問題に対処するために、管電圧が変化してから投影データの収集を開始するまでの間に、一定の遅延時間を設けている。次に、この遅延時間について説明する。
【0041】
図５は、遅延時間の説明図である。
図５には、管電圧波形１０が示されており、管電圧波形１０の下には、遅延時間が設けられた矩形状の波形３０が示されている。尚、参考として、矩形状の波形３０の下には、遅延時間が設けられていない矩形状の波形２０も示してある。
図５には、管電圧波形１０が示されており、管電圧波形１０の下には、遅延時間が設けられた矩形状の波形３０が示されている。尚、参考として、矩形状の波形３０の下には、遅延時間が設けられていない矩形状の波形２０も示してある。
【0042】
矩形状の波形３０には、矩形状の波形２０に対して、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢが設けられている。図５では、紙面の制約上、２つの第１の遅延時間ＴＡ（即ち、期間３５の第１の遅延時間ＴＡと、期間３７の第１の遅延時間ＴＡ）と、２つの第２の遅延時間ＴＢ（即ち、期間３６の第２の遅延時間ＴＢと、期間３８の第２の遅延時間ＴＢ）のみを図示してある。
【0043】
期間３５の遅延時間ＴＡは、低ｋＶから高ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ１から、投影データの収集が開始される時点ｔ１１までの時間である。また、期間３６の遅延時間ＴＢは、高ｋＶから低ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ２から、投影データの収集が開始される時点ｔ２１までの時間である。したがって、検出器アセンブリ１０８は、期間３１（つまり、期間２１から遅延時間ＴＡおよびＴＢだけずれた期間）の間に高ｋＶに対応する投影データを検出する。
【0044】
また、期間３７の遅延時間ＴＡは、低ｋＶから高ｋＶに切り替わり始めた時点ｔ３から、投影データの収集が開始される時点ｔ３１までの時間である。したがって、検出器アセンブリ１０８は、期間３２（つまり、期間２２から遅延時間ＴＢおよびＴＡだけずれた期間）の間に低ｋＶに対応する投影データを検出する。
【0045】
図６は、矩形状の波形３０に対して得られる実効電圧差を示す図である。
期間３１は、期間２１よりも、高ｋＶ（および高ｋＶに近い電圧）を含む範囲を広くすることができる。したがって、実効電圧値ＶＨを大きくすることができる。また、期間３２は、期間２２よりも、低ｋＶ（および低ｋＶに近い電圧）を含む範囲を広くすることができる。したがって、実効電圧値ＶＬを小さくすることができる。このため、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢを設けることによって、実効電圧差Ｄを大きくすることができる。
期間３１は、期間２１よりも、高ｋＶ（および高ｋＶに近い電圧）を含む範囲を広くすることができる。したがって、実効電圧値ＶＨを大きくすることができる。また、期間３２は、期間２２よりも、低ｋＶ（および低ｋＶに近い電圧）を含む範囲を広くすることができる。したがって、実効電圧値ＶＬを小さくすることができる。このため、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢを設けることによって、実効電圧差Ｄを大きくすることができる。
【0046】
第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢの具体的な値は、一般的には、ＣＴシステムの開発段階で、実験などを通じて、ＣＴシステム自体の個体差や経年劣化を考慮した上で固定値として決められている。そして、その開発段階で決定された遅延時間が、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢのデフォルト値として使用される。しかし、最適な遅延時間は、ＣＴシステム自体の個体差によって異なる。また、ＣＴシステムで使用される部品の経年劣化などによって、最適な遅延時間は変化する。したがって、デフォルト値として設定された遅延時間をそのまま使用し続けていると、高品質な画像を取得することが難しくなるという問題がある。
【0047】
そこで、本実施形態のＣＴシステムは、ＣＴシステムを病院などの施設に設置した後も最適な遅延時間を求めることができるように構成されている。以下に、最適な遅延時間の求め方について説明する。
【0048】
尚、本実施形態では、後述するように、高ｋＶに対応する実効電圧値ＶＨと、低ｋＶに対応する実効電圧値ＶＬとを求め、この実効電圧値ＶＨおよびＶＬに基づいて、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢの最適値を求めている。したがって、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢの最適値を求めるためには、実効電圧値ＶＨおよびＶＬを求める必要がある。そこで、以下では、先ず、本実施形態において実効電圧値ＶＨおよびＶＬを求める方法について説明する。そして、この説明の後で、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢの最適値の求め方について説明する。
【0049】
【0050】
検出器アセンブリ１０８は複数の検出器素子２０２を有している。検出器アセンブリ１０８には、参照領域１０９が設けられている。参照領域１０９で検出されたＸ線のエネルギー情報は、後述する指標値Ｍを計算するために使用される。指標値Ｍについては後で詳細に説明する。参照領域１０９は、被検体１１２のスキャン中において、Ｘ線管１０４から照射されたＸ線のうち、被検体１１２を通過しないＸ線を検出することができるように、検出器アセンブリ１０８のｘ方向の中心位置１２０からできるだけ離れた位置に設けられている。本実施形態では、参照領域１０９は、検出器アセンブリ１０８の一方の端部１２１に設けられている。尚、参照領域１０９は、検出器アセンブリ１０８の一方の端部１２１だけでなく、検出器アセンブリ１０８の反対側の端部１２２に設けてもよい。本実施形態では、参照領域１０９は検出器アセンブリ１０８の一方の端部１２１のみに設けられているとして説明を続ける。
【0051】
また、検出器アセンブリ１０８は、散乱線による画質劣化を低減するために、検出器コリメータ１２３を有している。検出器コリメータ１２３は、検出器素子２０２に対してＸ線管１０４側に配置されている。
【0052】
図８は、検出器アセンブリ１０８の参照領域１０９の拡大図である。
検出器コリメータ１２３は、隣り合う検出器素子２０２の境界の延長上に設けられている。
検出器コリメータ１２３は、隣り合う検出器素子２０２の境界の延長上に設けられている。
【0053】
また、図８には、Ｘ線１０４Ａおよび１０４Ｂが示されている。Ｘ線１０４Ａは、検出器アセンブリ１０８の参照領域１０９に設けられた複数の検出器素子２０２のうちの検出器素子２０２Ａに向かって進むＸ線を表している。また、Ｘ線１０４Ｂは、検出器アセンブリ１０８の参照領域１０９に設けられた複数の検出器素子２０２のうちの検出器素子２０２Ｂに向かって進むＸ線を表している。
【0054】
検出器アセンブリ１０８は、フィルタ１２４を有している。フィルタ１２４は、例えば、銅、モリブデン、又はタングステンなどを使用して製造することができる。フィルタ１２４は、Ｘ線１０４Ａの経路上には配置されていないが、Ｘ線１０４Ｂの経路上に配置されている。Ｘ線１０４Ａは、フィルタ１２４を通過することなく検出器素子２０２Ａで検出される。一方、Ｘ線１０４Ｂは、フィルタ１２４を通過し、フィルタ１２４でエネルギーが吸収された後のＸ線１０４Ｃが検出器素子２０２Ｂで検出される。したがって、検出器アセンブリ１０８の参照領域１０９は、フィルタ１２４を通過したＸ線を検出する第１のサブ領域１０９Ｂと、フィルタ１２４を通過していないＸ線を検出する第２のサブ領域１０９Ａとを有している。
【0055】
本実施形態では、上記のように、ＣＴシステム１００は、参照領域１０９にフィルタ１２４を設けた検出器アセンブリ１０８を備えており、この検出器アセンブリ１０８の参照領域１０９で検出されたＸ線に基づいて、Ｘ線管１０４の実効電圧値を求めることができる。しかし、実効電圧値を求めるためには、予め実効電圧値を求めるために使用されるベースラインを準備しておく必要がある。このベースラインは、一般的には、ＣＴシステム１００を病院などの施設に設置するための設置作業が行われるときに作成することができる。以下に、ベースラインの作成方法を説明する。
【0056】
図９は、ベースラインの作成方法のフロー図である。
ステップＳＴ１では、ベースラインを作成するために使用される管電圧の基準電圧（以下、「基準管電圧」と呼ぶ）を決定する。本実施形態では、基準管電圧として、４つの基準管電圧ＶＲ１、ＶＲ２、ＶＲ３、およびＶＲ４を決定する。基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４は、ｋＶスイッチングで実際に使用される管電圧に基づいて決定することができる。本実施形態では、基準管電圧は、ＶＲ１＝８０ｋｖＶ、ＶＲ２＝１００ｋＶ、ＶＲ３＝１２０ｋＶ、およびＶＲ４＝１４０ｋＶとするが、別の基準管電圧を採用してもよい。
ステップＳＴ１では、ベースラインを作成するために使用される管電圧の基準電圧（以下、「基準管電圧」と呼ぶ）を決定する。本実施形態では、基準管電圧として、４つの基準管電圧ＶＲ１、ＶＲ２、ＶＲ３、およびＶＲ４を決定する。基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４は、ｋＶスイッチングで実際に使用される管電圧に基づいて決定することができる。本実施形態では、基準管電圧は、ＶＲ１＝８０ｋｖＶ、ＶＲ２＝１００ｋＶ、ＶＲ３＝１２０ｋＶ、およびＶＲ４＝１４０ｋＶとするが、別の基準管電圧を採用してもよい。
【0057】
尚、本実施形態では、ベースラインを作成するために使用される基準管電圧として４つの基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４が決定されている。しかし、５つ以上の基準管電圧を、ベースラインを作成するために使用される基準管電圧として決定してもよいし、３つ以下の基準管電圧を、ベースラインを作成するために使用される基準管電圧として決定してもよい。尚、基準管電圧の数が少なすぎると、実効管電圧の精度の信頼性が低くなる恐れがあり、一方、基準管電圧の数が多すぎると、データ収集に時間が掛かるので、これらのバランスを考えて基準管電圧の数を決定することが望ましい。一例としては、本実施形態で採用した４つの基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４を、ベースラインを作成するために使用される基準管電圧として決定することが望ましい。４つの基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４を決定した後、ステップＳＴ２に進む。
【0058】
ステップＳＴ２において、Ｘ線管１０４の管電圧を、ベースラインを作成するために使用される基準管電圧に設定する。ここでは、ステップＳＴ１で決定された４つの基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４のうち、先ず、基準管電圧ＶＲ１（＝８０ｋＶ）を選択し、Ｘ線管１０４の管電圧を、基準管電圧ＶＲ１（＝８０ｋＶ）に設定する。基準管電圧を設定したら、ステップＳＴ３に進む。
【0059】
ステップＳＴ３では、Ｘ線管１０４に基準管電圧ＶＲ１（＝８０ｋＶ）が印加され、Ｘ線管１０４からＸ線が照射される。Ｘ線管１０４から照射されたＸ線は検出器アセンブリ１０８で検出される。検出器アセンブリ１０８で検出されたＸ線は、図１０に示すように、アナログ信号として、ＤＡＳ２１４に出力される。ＤＡＳ２１４は、検出器アセンブリ１０８から受信したアナログデータをサンプリングし、アナログデータを後続の処理ができるようにデジタル信号に変換する。デジタル信号は、コンピュータ２１６に出力される。
【0060】
ステップＳＴ４では、コンピュータのプロセッサ２１７は、デジタル信号に基づいて、参照領域１０９の第１のサブ領域１０９Ｂで検出されたＸ線（つまり、フィルタ１２４を通過したＸ線）のエネルギー情報と、参照領域１０９の第２のサブ領域１０９Ａで検出されたＸ線（つまり、フィルタ１２４を通過していないＸ線）のエネルギー情報との違いを表す指標値Ｍを計算する。指標値Ｍの計算方法については、図１０を参照しながら説明する。
【0061】
本実施形態では、指標値Ｍは、以下の式で計算することができる。
Ｍ＝ Ｓfilt（Ｅ）／Ｓ（Ｅ） （１）
ここで、Ｍ：指標値
Ｓfilt（Ｅ）：第１のサブ領域１０９Ｂの検出器素子２０２Ｂで検出されたＸ線（つまり、フィルタ１２４を通過したＸ線）のエネルギー情報を含む信号値
Ｓ（Ｅ）：第２のサブ領域１０９Ａの検出器素子２０２Ａで検出されたＸ線（つまり、フィルタ１２４を通過していないＸ線）のエネルギー情報を含む信号値
Ｍ＝ Ｓfilt（Ｅ）／Ｓ（Ｅ） （１）
ここで、Ｍ：指標値
Ｓfilt（Ｅ）：第１のサブ領域１０９Ｂの検出器素子２０２Ｂで検出されたＸ線（つまり、フィルタ１２４を通過したＸ線）のエネルギー情報を含む信号値
Ｓ（Ｅ）：第２のサブ領域１０９Ａの検出器素子２０２Ａで検出されたＸ線（つまり、フィルタ１２４を通過していないＸ線）のエネルギー情報を含む信号値
【0062】
したがって、指標値Ｍは、フィルタ１２４を通過し第１のサブ領域１０９Ｂで検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値Ｓfilt（Ｅ）と、フィルタ１２４を通過せずに第２のサブ領域１０９Ａで検出されたＸ線のエネルギー情報を含む信号値Ｓ（Ｅ）との比で表すことができる。
【0063】
尚、信号値Ｓfilt（Ｅ）は、５つの検出器素子２０２Ｂのうちの１つ以上の検出器素子２０２Ｂから得られる信号に基づいて求めることができる。例えば、信号値Ｓfilt（Ｅ）は、５つの検出器素子２０２Ｂのうちの１つ検出器素子２０２Ｂから得られる信号の代表値（最大値、積分値など）などに基づいて求めてもよいし、５つの検出器素子２０２Ｂの２つ以上の検出器素子２０２Ｂから得られる各信号の代表値（最大値、積分値など）の平均値及び／又は合計値などに基づいて求めてもよい。
【0064】
同様に、信号値Ｓ（Ｅ）は、５つの検出器素子２０２Ａのうちの１つ以上の検出器素子２０２Ａから得られる信号に基づいて求めることができる。例えば、信号値Ｓ（Ｅ）は、５つの検出器素子２０２Ａのうちの１つ検出器素子２０２Ａから得られる信号の代表値（最大値、積分値など）などに基づいて求めてもよいし、５つの検出器素子２０２Ａの２つ以上の検出器素子２０２Ａから得られる各信号の代表値（最大値、積分値など）の平均値及び／又は合計値などに基づいて求めてもよい。
【0065】
したがって、Ｘ線管１０４の管電圧を８０ｋＶに設定し、検出器アセンブリ１０８の参照領域１０９で検出されたＸ線のエネルギーに基づいて、信号値Ｓfilt（Ｅ）およびＳ（Ｅ）を得ることにより、式（１）から、基準管電圧ＶＲ１（＝８０ｋＶ）に対応する指標値Ｍ（＝Ｍ８０）を計算することができる。
【0066】
上記のように、指標値Ｍ８０を計算する場合、Ｘ線管１０４の管電圧は８０ｋＶで一定である。したがって、ガントリが回転している間、管電圧を高ｋＶおよび低ｋＶの間で切り替える必要がないので、ガントリが回転している間、管電圧の値は安定している。このため、ガントリの回転速度の影響を受けることなく、指標値Ｍ８０を計算することができる。また、指標値Ｍ８０は、Ｘ線のエネルギー情報に基づいて計算される値である。Ｘ線のエネルギーは、基本的にはＸ線管１０４の管電圧に依存し、管電流にはあまり依存しないので、管電流の影響を受けることなく、指標値Ｍ８０を計算することができる。
【0067】
このように、基準管電圧ＶＲ１（＝８０ｋＶ）に対応する指標値Ｍ８０は、ガントリの回転速度や管電流に実質的な影響を受けることなく計算することができる。
指標値Ｍ８０を計算した後、指標値Ｍ８０を記憶装置に記憶し、ステップＳＴ５に進む。
指標値Ｍ８０を計算した後、指標値Ｍ８０を記憶装置に記憶し、ステップＳＴ５に進む。
【0068】
ステップＳＴ５では、基準管電圧を変更するかどうかを判断する。ここでは、４つの基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４のうち、基準管電圧ＶＲ１の指標値Ｍ８０しか計算していない。したがって、残りの基準管電圧の指標値Ｍを計算するために、ステップＳＴ２に戻る。
【0069】
ステップＳＴ２では、Ｘ線管１０４の基準管電圧を別の電圧値に設定する。ここでは、ステップＳＴ１で決定された４つの基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４のうち、基準管電圧ＶＲ２（＝１００ｋＶ）を選択し、Ｘ線管１０４の管電圧を、基準管電圧ＶＲ２（＝１００ｋＶ）に設定する。
【0070】
ステップＳＴ３では、Ｘ線管１０４に基準管電圧ＶＲ２（＝１００ｋＶ）が印加され、Ｘ線管１０４からＸ線が照射される。Ｘ線管１０４から照射されたＸ線は検出器アセンブリ１０８で検出される。検出器アセンブリ１０８で検出されたＸ線は、図５に示すように、アナログ信号として、ＤＡＳ２１４に出力される。ＤＡＳ２１４は、検出器アセンブリ１０８から受信したアナログデータをサンプリングし、アナログデータを後続の処理ができるようにデジタル信号に変換する。デジタル信号は、コンピュータ２１６に出力される。
【0071】
ステップＳＴ４では、プロセッサ２１７は、式（１）を使用して、基準管電圧ＶＲ２に対応する指標値Ｍ１００を計算し、指標値Ｍ１００を記憶装置に記憶する。そして、ステップＳＴ５に進み、基準管電圧を変更するかどうかを判断する。ここでは、４つの基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４のうち、２つの基準管電圧ＶＲ１およびＶＲ２の指標値Ｍ８０およびＭ１００は計算したが、残りの２つの基準管電圧ＶＲ３およびＶＲ４の指標値は、まだ計算していない。したがって、残りの基準管電圧の指標値を計算するために、ステップＳＴ２に戻る。
【0072】
以下同様に、基準管電圧ＶＲ３（＝１２０ｋＶ）に対応する指標値Ｍ１２０と、基準管電圧ＶＲ４に対応する指標値Ｍ１４０を計算するまで、ステップＳＴ２～ＳＴ５のループを繰り返し実行する。そして、基準管電圧ＶＲ４に対応する指標値Ｍ１４０を計算したら、ステップＳＴ５に進む。
【0073】
ステップＳＴ５では、基準管電圧を変更するかどうかを判断する。ここでは、４つの基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４の全ての基準管電圧に対応する指標値Ｍ８０～Ｍ１４０が計算されている。したがって、ステップＳＴ６に進む。
【0074】
ステップＳＴ６では、計算した４つの指標値Ｍ８０～Ｍ１４０に基づいて、実効電圧値を決定するために使用するベースラインを作成する。
【0075】
図１１は、ベースラインの作成方法の説明図である。
コンピュータのプロセッサ２１７は、二次元座標上で、基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４と指標値Ｍ８０～Ｍ１４０とを対応付ける。
コンピュータのプロセッサ２１７は、二次元座標上で、基準管電圧ＶＲ１～ＶＲ４と指標値Ｍ８０～Ｍ１４０とを対応付ける。
【0076】
点Ｐ１は、基準管電圧ＶＲ１と、基準管電圧ＶＲ１に対して計算された指標値Ｍ８０とを対応付ける点である。
点Ｐ２は、基準管電圧ＶＲ２と、基準管電圧ＶＲ２に対して計算された指標値Ｍ１００とを対応付ける点である。
点Ｐ３は、基準管電圧ＶＲ３と、基準管電圧ＶＲ３に対して計算された指標値Ｍ１２０とを対応付ける点である。
点Ｐ４は、基準管電圧ＶＲ４と、基準管電圧ＶＲ４に対して計算された指標値Ｍ１４０とを対応付ける点である。
点Ｐ２は、基準管電圧ＶＲ２と、基準管電圧ＶＲ２に対して計算された指標値Ｍ１００とを対応付ける点である。
点Ｐ３は、基準管電圧ＶＲ３と、基準管電圧ＶＲ３に対して計算された指標値Ｍ１２０とを対応付ける点である。
点Ｐ４は、基準管電圧ＶＲ４と、基準管電圧ＶＲ４に対して計算された指標値Ｍ１４０とを対応付ける点である。
【0077】
そして、プロセッサ２１７は、点Ｐ１～Ｐ４に基づいて、管電圧と指標値Ｍとの関係を表すベースラインを作成する。このベースラインは、例えば、点Ｐ１～Ｐ４に最もよく当てはまるような曲線として求めることができる。図１２に、求められたベースライン６０を示す。このベースライン６０を表すデータは、ＣＴシステム１００の記憶装置又はＣＴシステム１００と通信可能な外部の記憶装置に記憶される。
以下に、ベースラインを使用して最適な遅延時間を求める方法について説明する。
以下に、ベースラインを使用して最適な遅延時間を求める方法について説明する。
【0078】
尚、最適な遅延時間を求める作業を実行することが望ましい例として、一般的には、２つの例が考えられる。第１の例は、ＣＴシステムを病院などの施設に設置する設置作業を実行する場合、メンテナンスを実行する場合、又は部品を交換する場合である。第２の例は、施設に設置されたＣＴシステムを実際に稼働し始めてから、ＣＴシステムのユーザがＣＴシステムの簡易的なキャリブレーションを定期的に実行する場合である。そこで、以下の説明では、第１の例および第２の例の各例について、最適な遅延時間を求める方法を説明する。尚、第１の例としては、ＣＴシステムを病院などの施設に設置する設置作業を取り上げて説明することにする。
【0079】
（１）ＣＴシステムの設置作業時において、最適な遅延時間を求める方法
図１３は、ＣＴシステムの設置作業時において、最適な遅延時間を求めるためのフロー図である。
図１３は、ＣＴシステムの設置作業時において、最適な遅延時間を求めるためのフロー図である。
【0080】
ステップＳＴ１１では、プロセッサ２１７は、図１４に示すように、第１の遅延時間ＴＡを第１の基準遅延時間ＴＡｒに設定し、第２の遅延時間ＴＢを第２の基準遅延時間ＴＢｒに設定する。第１の基準遅延時間ＴＡｒは、第１の遅延時間ＴＡの基準値を表す遅延時間であり、第２の基準遅延時間ＴＢｒは、第２の遅延時間ＴＢの基準値を表す遅延時間である。基準遅延時間ＴＡｒおよびＴＢｒは、ＣＴシステムの設置作業の前の段階で予め決められている値であって、デフォルト値として記憶装置又は外部記憶装置に記憶されている値である。基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）は、例えば、ＣＴシステムの開発段階で実験などを通じて決定された値を採用することができる。尚、第１の基準遅延時間ＴＡｒおよび第２の基準遅延時間ＴＢｒは、互いに同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。プロセッサ２１７は、記憶装置から基準遅延時間ＴＡｒおよびＴＢｒを読み出し、図１４に示すように、第１の遅延時間ＴＡを第１の基準遅延時間ＴＡｒに設定し、第２の遅延時間ＴＢを第２の基準遅延時間ＴＢｒに設定する。基準遅延時間を設定した後、ステップＳＴ１２に進む。
【0081】
ステップＳＴ１２では、遅延時間（ＴＡ，ＴＢ）が基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）に設定された状態で、管電圧が高ｋＶと低ｋＶとの間で交互に切り替えられるｋＶスイッチングが実行され、検出器アセンブリ１０８でＸ線を検出する。一例として、高ｋＶは１４０ｋＶ、低ｋＶは８０ｋＶとすることができる。ＤＡＳ２１４は、検出されたＸ線のエネルギー情報を含むデータに対して、サンプリング処理等を含む所定の処理を実行してデジタルデータに変換し、コンピュータに出力する。
【0082】
ステップＳＴ１３では、コンピュータのプロセッサ２１７が、ＤＡＳ２１４から受け取ったデータに基づいて、第１の実効電圧差Ｄ１（図１６参照）を計算する。尚、ステップＳＴ１３はステップＳＴ１３１～ＳＴ１３３を有しているので、各ステップについて順に説明する。
【0083】
ステップＳＴ１３１では、コンピュータのプロセッサ２１７が、ＤＡＳ２１４から受け取ったデータに基づいて、式（１）に含まれる信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）とを決定し、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）を計算する（図１５参照）。
【0084】
図１５は、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）の計算方法の説明図である。
【0085】
プロセッサ２１７は、高ｋＶのデータ収集が行われる期間３１の間に参照領域１０９（図１０参照）から得られたデータに基づいて、式（１）の信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を決定し、決定した信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を式（１）に代入して、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）を計算する。尚、ｋＶスイッチングのスキャンにおいて、高ｋＶのデータ収集が行われる期間３１がＮ個現れる場合、信号値Ｓfilt（Ｅ）および信号値Ｓ（Ｅ）は、Ｎ個の期間３１で得られた全データに基づいて決定してもよいし、Ｎ個の期間３１のうちのＭ（＜Ｎ）個の期間３１で得られたデータに基づいて決定してもよい。決定した信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を式（１）に代入して、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）を計算する。
【0086】
また、プロセッサ２１７は、低ｋＶのデータ収集が行われる期間３２の間に参照領域１０９から得られたデータに基づいて、式（１）の信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を決定し、決定した信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を式（１）に代入して、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）を計算する。尚、ｋＶスイッチングのスキャンにおいて、低ｋＶのデータ収集が行われる期間３２がＮ個現れる場合、信号値Ｓfilt（Ｅ）および信号値Ｓ（Ｅ）は、Ｎ個の期間３２で得られた全データに基づいて決定してもよいし、Ｎ個の期間３２のうちのＭ（＜Ｎ）個の期間３２で得られたデータに基づいて決定してもよい。
【0087】
高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）とを計算した後、ステップＳＴ１３２に進む。
【0088】
ステップＳＴ１３２では、プロセッサ２１７は、指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）に基づいて高ｋＶに対応する第１の実効電圧値を決定し、指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）に基づいて低ｋＶに対応する第２の実効電圧値を決定する（図１６参照）。
【0089】
図１６は、実効電圧値の決定方法の説明図である。
プロセッサ２１７は、記憶装置に記憶されたベースライン６０を読み出す。そして、プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、高ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）に対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨｒ）と、低ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）に対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬｒ）とを決定する（図１７参照）。
プロセッサ２１７は、記憶装置に記憶されたベースライン６０を読み出す。そして、プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、高ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）に対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨｒ）と、低ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）に対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬｒ）とを決定する（図１７参照）。
【0090】
図１７は、ベースライン６０を用いて実効電圧値ＶＨｒおよびＶＬｒを決定する方法の具体的な説明図である。
ベースライン６０は、指標値Ｍと管電圧との関係を表している。したがって、プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、高ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）に対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨｒ）を特定することができる。この実効電圧値ＶＨｒが、高ｋＶに対応する実効電圧値として決定される。
ベースライン６０は、指標値Ｍと管電圧との関係を表している。したがって、プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、高ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＨｒ）に対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨｒ）を特定することができる。この実効電圧値ＶＨｒが、高ｋＶに対応する実効電圧値として決定される。
【0091】
また、プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、低ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＬｒ）に対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬｒ）を特定することができる。この実効電圧値ＶＬｒが、低ｋＶに対応する実効電圧値として決定される。
【0092】
図１６に戻ると、管電圧波形１０には、ベースライン６０を使用して決定された実効電圧値ＶＨｒと実効電圧値ＶＬｒが示されている。実効電圧値ＶＨｒおよび実効電圧値ＶＬｒを決定した後、ステップＳＴ１３３に進む。
【0093】
ステップＳＴ１３３では、プロセッサ２１７は、高ｋＶに対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨｒ）と低ｋＶに対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬｒ）との差を表す第１の実効電圧差Ｄ１を計算する。第１の実効電圧差Ｄ１は、図１６に示すように、Ｄ１＝ＶＨｒ－ＶＬｒである。実効電圧差Ｄ１は、実効電圧値（ＶＨｒ，ＶＬｒ）および基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）と対応付けて記憶装置に記憶される。第１の実効電圧差Ｄ１を求めた後、ステップＳＴ１４に進む。
【0094】
ステップＳＴ１４では、プロセッサ２１７は、基準遅延時間よりも長い遅延時間でｋＶスイッチングが実行されたかどうかを判断する。ここでは、遅延時間を基準遅延時間に設定してｋＶスイッチングが実行されたが、基準遅延時間よりも長い遅延時間でｋＶスイッチングは実行されていない。したがって、ステップＳＴ１５に進む。
【0095】
ステップＳＴ１５では、プロセッサ２１７は、遅延時間を、基準遅延時間よりも長い時間に設定する（図１８参照）。
【0096】
図１８は、遅延時間を基準遅延時間よりも長い時間に設定した例を示す図である。
図１８には、管電圧波形１０が示されており、管電圧波形１０の下には、基準遅延時間よりも長い遅延時間が設けられた矩形状の波形７０が示されている。尚、参考として、矩形状の波形７０の下には、遅延時間が基準遅延時間に設定された矩形状の波形３０も示してある。
図１８には、管電圧波形１０が示されており、管電圧波形１０の下には、基準遅延時間よりも長い遅延時間が設けられた矩形状の波形７０が示されている。尚、参考として、矩形状の波形７０の下には、遅延時間が基準遅延時間に設定された矩形状の波形３０も示してある。
【0097】
矩形状の波形７０では、遅延時間ＴＡは、第１の基準遅延時間ＴＡｒよりもΔａ１だけ長い遅延時間ＴＡＬに設定されている。また、遅延時間ＴＢは、第２の基準遅延時間ＴＢｒよりもΔｂ１だけ長い遅延時間ＴＢＬに設定されている。尚、長い遅延時間ＴＡＬおよび長い遅延時間ＴＢＬは、互いに同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。遅延時間を、基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）よりも長い時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）に設定したら、ステップＳＴ１２に戻る。
【0098】
ステップＳＴ１２では、遅延時間（ＴＡ，ＴＢ）が、基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）よりも長い時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）に設定された状態で、管電圧が高ｋＶと低ｋＶとの間で交互に切り替えられるｋＶスイッチングが実行され、検出器アセンブリ１０８でＸ線を検出する。ＤＡＳ２１４は、検出されたＸ線のエネルギー情報を含むデータに対して、サンプリング処理等を含む所定の処理を実行してデジタルデータに変換し、コンピュータに出力する。
【0099】
ステップＳＴ１３では、コンピュータのプロセッサ２１７が、ＤＡＳ２１４から受け取ったデータに基づいて、第２の実効電圧差Ｄ２（図２０参照）を計算する。具体的には、以下のようにして、第２の実効電圧差Ｄ２を計算する。
【0100】
ステップＳＴ１３１では、プロセッサ２１７が、ＤＡＳ２１４から受け取ったデータに基づいて、式（１）に含まれる信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）とを決定し、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＬ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＬ）を計算する（図１９参照）。
【0101】
図１９は、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＬ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＬ）の計算方法の説明図である。
【0102】
プロセッサ２１７は、高ｋＶのデータ収集が行われる期間７１の間に参照領域１０９（図１０参照）から得られたデータに基づいて、式（１）の信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を決定し、決定した信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を式（１）に代入して、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＬ）を計算する。尚、ｋＶスイッチングのスキャンにおいて、高ｋＶのデータ収集が行われる期間７１がＮ個現れる場合、信号値Ｓfilt（Ｅ）および信号値Ｓ（Ｅ）は、Ｎ個の期間７１で得られた全データに基づいて決定してもよいし、Ｎ個の期間７１のうちのＭ（＜Ｎ）個の期間７１で得られたデータに基づいて決定してもよい。
【0103】
また、プロセッサ２１７は、低ｋＶのデータ収集が行われる期間７２の間に参照領域１０９から得られたデータに基づいて、式（１）の信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を決定し、決定した信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を式（１）に代入して、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＬ）を計算する。尚、ｋＶスイッチングのスキャンにおいて、低ｋＶのデータ収集が行われる期間７２がＮ個現れる場合、信号値Ｓfilt（Ｅ）および信号値Ｓ（Ｅ）は、Ｎ個の期間７２で得られた全データに基づいて決定してもよいし、Ｎ個の期間７２のうちのＭ（＜Ｎ）個の期間７２で得られたデータに基づいて決定してもよい。
【0104】
高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＬ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＬ）とを計算した後、ステップＳＴ１３２に進む。
【0105】
ステップＳＴ１３２では、プロセッサ２１７は、指標値Ｍ（＝ＭＨＬ）に基づいて高ｋＶに対応する第１の実効電圧値を決定し、指標値Ｍ（＝ＭＬＬ）に基づいて低ｋＶに対応する第２の実効電圧値を決定する（図２０参照）。
【0106】
図２０は、実効電圧値の決定方法の説明図である。
プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、高ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＨＬ）に対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＬ）と、低ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＬＬ）に対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＬ）とを決定する。実効電圧値の決定方法は、図１７を参照しながら説明した方法と同じであるので、詳細な説明は省略する。図２０の管電圧波形１０には、ベースライン６０を使用して決定された実効電圧値ＶＨＬと実効電圧値ＶＬＬを示してある。実効電圧値ＶＨＬおよび実効電圧値ＶＬＬを決定した後、ステップＳＴ１３３に進む。
プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、高ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＨＬ）に対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＬ）と、低ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＬＬ）に対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＬ）とを決定する。実効電圧値の決定方法は、図１７を参照しながら説明した方法と同じであるので、詳細な説明は省略する。図２０の管電圧波形１０には、ベースライン６０を使用して決定された実効電圧値ＶＨＬと実効電圧値ＶＬＬを示してある。実効電圧値ＶＨＬおよび実効電圧値ＶＬＬを決定した後、ステップＳＴ１３３に進む。
【0107】
ステップＳＴ１３３では、プロセッサ２１７は、高ｋＶに対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＬ）と低ｋＶに対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＬ）との差を表す第２の実効電圧差Ｄ２を計算する。第２の実効電圧差Ｄ２は、図２０に示すように、Ｄ２＝ＶＨＬ－ＶＬＬである。第２の実効電圧差Ｄ２は、実効電圧値（ＶＨＬ，ＶＬＬ）および長い遅延時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）と対応付けて記憶装置に記憶される。第２の実効電圧差Ｄ２を求めた後、ステップＳＴ１４に進む。
【0108】
ステップＳＴ１４では、プロセッサは、基準遅延時間よりも長い遅延時間でｋＶスイッチングが実行されたかどうかを判断する。ここでは、基準遅延時間よりも長い遅延時間でｋＶスイッチングが実行されたので、ステップＳＴ１６に進む。
【0109】
ステップＳＴ１６では、プロセッサは、基準遅延時間よりも短い遅延時間でｋＶスイッチングが実行されたかどうかを判断する。ここでは、基準遅延時間のｋＶスイッチングと、基準遅延時間よりも長い遅延時間のｋＶスイッチングは実行されたが、基準遅延時間よりも短い遅延時間でｋＶスイッチングは実行されていない。したがって、ステップＳＴ１７に進む。
【0110】
ステップＳＴ１７では、プロセッサ２１７は、遅延時間を、基準遅延時間よりも短い時間に設定する（図２１参照）。
【0111】
図２１は、遅延時間を基準遅延時間よりも短い時間に設定した例を示す図である。
図２１には、管電圧波形１０が示されており、管電圧波形１０の下には、基準遅延時間よりも短い遅延時間が設けられた矩形状の波形８０が示されている。尚、参考として、矩形状の波形８０の下には、遅延時間が基準遅延時間に設定された矩形状の波形３０も示してある。
図２１には、管電圧波形１０が示されており、管電圧波形１０の下には、基準遅延時間よりも短い遅延時間が設けられた矩形状の波形８０が示されている。尚、参考として、矩形状の波形８０の下には、遅延時間が基準遅延時間に設定された矩形状の波形３０も示してある。
【0112】
矩形状の波形８０では、遅延時間ＴＡは、基準遅延時間ＴＡｒよりもΔａ２だけ短い遅延時間ＴＡＳに設定されている。また、遅延時間ＴＢは、基準遅延時間ＴＢｒよりもΔｂ２だけ短い遅延時間ＴＢＳに設定されている。尚、短い遅延時間ＴＡＳおよび短い遅延時間ＴＢＳは、互いに同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。遅延時間を、基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）よりも短い時間（ＴＡＳ，ＴＢＳ）に設定したら、ステップＳＴ１２に戻る。
【0113】
ステップＳＴで１２は、遅延時間（ＴＡ，ＴＢ）が、基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）よりも短い時間（ＴＡＳ，ＴＢＳ）に設定された状態で、管電圧が高ｋＶと低ｋＶとの間で交互に切り替えられるｋＶスイッチングが実行され、検出器アセンブリ１０８でＸ線を検出する。ＤＡＳ２１４は、検出されたＸ線のエネルギー情報を含むデータに対して、サンプリング処理等を含む所定の処理を実行してデジタルデータに変換し、コンピュータに出力する。
【0114】
ステップＳＴ１３では、コンピュータのプロセッサ２１７が、ＤＡＳ２１４から受け取ったデータに基づいて、第３の実効電圧差Ｄ３（図２２参照）を計算する。具体的には、以下のようにして、第３の実効電圧差Ｄ３を計算する。
【0115】
ステップＳＴ１３１では、プロセッサ２１７が、ＤＡＳ２１４から受け取ったデータに基づいて、式（１）に含まれる信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）とを決定し、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＳ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＳ）を計算する（図２２参照）。
【0116】
図２２は、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＳ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＳ）の計算方法の説明図である。
【0117】
プロセッサ２１７は、高ｋＶのデータ収集が行われる期間８１の間に参照領域１０９（図１０参照）から得られたデータに基づいて、式（１）の信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を決定し、決定した信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を式（１）に代入して、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＳ）を計算する。尚、ｋＶスイッチングのスキャンにおいて、高ｋＶのデータ収集が行われる期間８１がＮ個現れる場合、信号値Ｓfilt（Ｅ）および信号値Ｓ（Ｅ）は、Ｎ個の期間８１で得られた全データに基づいて決定してもよいし、Ｎ個の期間８１のうちのＭ（＜Ｎ）個の期間８１で得られたデータに基づいて決定してもよい。
【0118】
また、プロセッサ２１７は、低ｋＶのデータ収集が行われる期間８２の間に参照領域１０９から得られたデータに基づいて、式（１）の信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を決定し、決定した信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）を式（１）に代入して、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＳ）を計算する。尚、ｋＶスイッチングのスキャンにおいて、低ｋＶのデータ収集が行われる期間８２がＮ個現れる場合、信号値Ｓfilt（Ｅ）および信号値Ｓ（Ｅ）は、Ｎ個の期間８２で得られた全データに基づいて決定してもよいし、Ｎ個の期間８２のうちのＭ（＜Ｎ）個の期間８２で得られたデータに基づいて決定してもよい。
【0119】
高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＳ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＳ）とを計算した後、ステップＳＴ１３２に進む。
【0120】
ステップＳＴ１３２では、プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、高ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＨＳ）に対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＳ）と、低ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＬＳ）に対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＳ）とを決定する。実効電圧値の決定方法は、図１７を参照しながら説明した方法と同じであるので、詳細な説明は省略する。図２２の管電圧波形１０には、ベースライン６０を使用して決定された実効電圧値ＶＨＳと実効電圧値ＶＬＳを示してある。実効電圧値ＶＨＳおよび実効電圧値ＶＬＳを決定した後、ステップＳＴ１３３に進む。
【0121】
ステップＳＴ１３３では、プロセッサ２１７は、高ｋＶに対応する第１の実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＳ）と低ｋＶに対応する第２の実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＳ）との差を表す第３の実効電圧差Ｄ３を計算する。第３の実効電圧差Ｄ３は、図２２に示すように、Ｄ３＝ＶＨＳ－ＶＬＳである。第３の実効電圧差Ｄ３は、実効電圧値（ＶＨＳ，ＶＬＳ）および短い遅延時間（ＴＡＳ，ＴＢＳ）と対応付けて記憶装置に記憶される。したがって、記憶装置には、図２３に示すように、データセットＱ１、Ｑ２、およびＱ３が記憶される。
【0122】
データセットＱ１は、第１の実効電圧差Ｄ１と、第１の実効電圧差Ｄ１に対応付けられた実効電圧値（ＶＨｒ，ＶＬｒ）および基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）とを含んでいる（図１６参照）。
データセットＱ２は、第２の実効電圧差Ｄ２と、第２の実効電圧差Ｄ２に対応付けられた実効電圧値（ＶＨＬ，ＶＬＬ）および長い遅延時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）とを含んでいる（図２０参照）。
データセットＱ３は、第３の実効電圧差Ｄ３と、第３の実効電圧差Ｄ３に対応付けられた実効電圧値（ＶＨＳ，ＶＬＳ）および短い遅延時間（ＴＡＳ，ＴＢＳ）とを含んでいる（図２２参照）。
データセットＱ２は、第２の実効電圧差Ｄ２と、第２の実効電圧差Ｄ２に対応付けられた実効電圧値（ＶＨＬ，ＶＬＬ）および長い遅延時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）とを含んでいる（図２０参照）。
データセットＱ３は、第３の実効電圧差Ｄ３と、第３の実効電圧差Ｄ３に対応付けられた実効電圧値（ＶＨＳ，ＶＬＳ）および短い遅延時間（ＴＡＳ，ＴＢＳ）とを含んでいる（図２２参照）。
【0123】
第３の実効電圧差Ｄ３を求めた後、ステップＳＴ１４に進む。
【0124】
ステップＳＴ１４では、プロセッサ２１７は、基準遅延時間よりも長い遅延時間でｋＶスイッチングが実行されたかどうかを判断する。ここでは、基準遅延時間よりも長い遅延時間でｋＶスイッチングが実行されたので、ステップＳＴ１６に進む。
【0125】
ステップＳＴ１６では、プロセッサ２１７は、基準遅延時間よりも短い遅延時間でｋＶスイッチングが実行されたかどうかを判断する。ここでは、基準遅延時間よりも短い遅延時間でｋＶスイッチングが実行されたので、ステップＳＴ１８に進む。
【0126】
ステップＳＴ１８では、プロセッサ２１７は、第１の実効電圧差Ｄ１、第２の実効電圧差Ｄ２、および第３の実効電圧差Ｄ３に基づいて、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢを最適化する。具体的には、プロセッサ２１７は、第１の実効電圧差Ｄ１、第２の実効電圧差Ｄ２、および第３の実効電圧差Ｄ３に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢを求める。以下に、最大の実効電圧差が得られるときの第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢを求める方法の一例について説明する。
【0127】
プロセッサ２１７は、記憶装置から、データセットＱ１～Ｑ３を読み出す。
次に、プロセッサ２１７は、データセットＱ１～Ｑ３に基づいて、最大の実効電圧差が得られるように、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢを最適化し、第１の遅延時間ＴＡの最適値を表す第１の最適遅延時間ＴＡＯと、第２の遅延時間ＴＢの最適値を表す第２の最適遅延時間ＴＢＯとを求める。プロセッサは、例えば、一定の制約（例えば、実効電圧差と遅延時間が正規分布で表されるという制約など）を加えることにより、実効電圧差Ｄ１～Ｄ３と遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）、（ＴＡＬ，ＴＢＬ）、（ＴＡＳ，ＴＢＳ）に基づいて、第１の最適遅延時間ＴＡＯと、第２の最適遅延時間ＴＢＯとを求めることができる。尚、データセットＱ１～Ｑ３の中から、最大の実効電圧差を含むデータセットを特定し、そのデータセットに含まれる遅延時間を、最適遅延時間（ＴＡＯ，ＴＢＯ）として特定してもよい。例えば、データセットＱ１～Ｑ３のうち、最大の実効電圧差を含むデータセットがＱ２である場合、データセットＱ２に含まれる長い遅延時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）を、最適遅延時間（ＴＡＯ，ＴＢＯ）としてもよい。
次に、プロセッサ２１７は、データセットＱ１～Ｑ３に基づいて、最大の実効電圧差が得られるように、第１の遅延時間ＴＡおよび第２の遅延時間ＴＢを最適化し、第１の遅延時間ＴＡの最適値を表す第１の最適遅延時間ＴＡＯと、第２の遅延時間ＴＢの最適値を表す第２の最適遅延時間ＴＢＯとを求める。プロセッサは、例えば、一定の制約（例えば、実効電圧差と遅延時間が正規分布で表されるという制約など）を加えることにより、実効電圧差Ｄ１～Ｄ３と遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）、（ＴＡＬ，ＴＢＬ）、（ＴＡＳ，ＴＢＳ）に基づいて、第１の最適遅延時間ＴＡＯと、第２の最適遅延時間ＴＢＯとを求めることができる。尚、データセットＱ１～Ｑ３の中から、最大の実効電圧差を含むデータセットを特定し、そのデータセットに含まれる遅延時間を、最適遅延時間（ＴＡＯ，ＴＢＯ）として特定してもよい。例えば、データセットＱ１～Ｑ３のうち、最大の実効電圧差を含むデータセットがＱ２である場合、データセットＱ２に含まれる長い遅延時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）を、最適遅延時間（ＴＡＯ，ＴＢＯ）としてもよい。
【0128】
このようにして、最大の実効電圧差が得られるときの遅延時間である最適遅延時間（ＴＡＯ，ＴＢＯ）を求めることができる。プロセッサは、最適遅延時間（ＴＡＯ，ＴＢＯ）を記憶装置に登録し、フローを終了する。
【0129】
ＣＴシステム設置作業では、基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）に対応する第１の実効電圧差Ｄ１（図１６参照）の他に、基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）よりも長い遅延時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）に対応する第２の実効電圧差Ｄ２（図２０参照）と、基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）よりも短い遅延時間（ＴＡＳ，ＴＢＳ）に対応する第３の実効電圧差Ｄ３（図２２参照）とを計算する。そして、これらの実効電圧差Ｄ１、Ｄ２、およびＤ３に基づいて、最大の実効電圧差が得られるときの遅延時間である最適遅延時間（ＴＡＯ，ＴＢＯ）を求めることができる。したがって、ＣＴ検査で被検体を実際に撮影する場合には、上記のフローで得られた最適化された遅延時間である最適遅延時間（ＴＡＯ，ＴＢＯ）に基づいて、高ｋＶに対応する投影データと、低ｋＶに対応する投影データを取得することができる。したがって、最大の実効電圧差が得られるときの遅延時間で、高ｋＶに対応する投影データと、低ｋＶに対応する投影データを取得することができるので、高品質なＣＴ画像を再構成することができる。
【0130】
尚、図１３のフローでは、基準遅延時間（ＴＡｒ，ＴＢｒ）、長い遅延時間（ＴＡＬ，ＴＢＬ）、および短い遅延時間（ＴＡＳ，ＴＢＳ）に対してｋＶスイッチングが実行されている。つまり、３通りの遅延時間に対してｋＶスイッチングが実行されている。しかし、２通りの遅延時間を設定して、２通りの遅延時間に対してｋＶスイッチングを実行してもよいし、４通り以上の遅延時間を設定し、４通り以上の遅延時間に対してｋＶスイッチングを実行してもよい。
【0131】
次に、施設に設置されたＣＴシステムを実際に稼働し始めてから、ＣＴシステムのユーザがＣＴシステムのキャリブレーションを定期的に実行する場合に、最適な遅延時間を求める例について説明する。
【0132】
（２）ＣＴシステムのユーザがＣＴシステムのキャリブレーションを定期的に実行する場合に、最適な遅延時間を求める方法
図２４は、ユーザがキャリブレーションを定期的に実行する場合において、最適な遅延時間を求める方法のフロー図である。
図２４は、ユーザがキャリブレーションを定期的に実行する場合において、最適な遅延時間を求める方法のフロー図である。
【0133】
ステップＳＴ２０では、プロセッサ２１７は、記憶装置にアクセスし、登録されている遅延時間の最新の値を読み出す。図２５は、登録されている遅延時間の最新の値の説明図である。
【0134】
図２５の上段には、管電圧波形１０が示されており、下段には、矩形状の波形５０が示されている。矩形状の波形５０は、高ｋＶに対応する期間５１と、低ｋＶに対応する期間５２を表す波形である。
【0135】
矩形状の波形５０には、第１の登録された遅延時間ＴＡＮと第２の登録された遅延時間ＴＢＮが示されている。第１の登録された遅延時間ＴＡＮは、第１の遅延時間ＴＡの最新の値として登録された遅延時間を表しており、第２の登録された遅延時間ＴＢＮは、第２の遅延時間ＴＢの最新の値として登録された遅延時間を表している。尚、遅延時間ＴＡＮおよび遅延時間ＴＢＮは、互いに同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。また、実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＮ）および実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＮ）は、それぞれ、期間５１および５２に対して得られた実効電圧値である。第４の実効電圧差Ｄ４は、実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＮ）と実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＮ）との差を表している。登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）、実効電圧値（ＶＨＮ，ＶＬＮ）、および第４の実効電圧差Ｄ４は、互いに対応付けられ、図２５の下に示すように、データセットＱ４として記憶装置に記憶されている。プロセッサ２１７は、記憶装置にアクセスし、データセットＱ４の中から、第１の登録された遅延時間ＴＡＮと、第２の登録された遅延時間ＴＢＮを読み出す。プロセッサ２１７が、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）を読み出したら、ステップＳＴ２１に進む。
【0136】
ステップＳＴ２１では、プロセッサ２１７は、遅延時間を、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）とは異な遅延時間に設定する（図２６参照）。
【0137】
【0138】
矩形状の波形９０は、高ｋＶに対応する期間９１と、低ｋＶに対応する期間９２を表す波形である。矩形状の波形９０には、第１の登録された遅延時間ＴＡＮとは異なる第１の別の遅延時間ＴＡＦと、第２の登録された遅延時間ＴＢＮとは異なる第２の別の遅延時間ＴＢＦが設けられている。
【0139】
矩形状の波形９０において、第１の別の遅延時間ＴＡＦは、第１の登録された遅延時間ＴＡＮよりもΔａ３だけ長い遅延時間に設定されている。また、第２の別の遅延時間ＴＢＦは、第２の登録された遅延時間ＴＢＮよりもΔｂ３だけ長い遅延時間に設定されている。尚、図２６では、別の遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）は、それぞれ、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）よりも長い遅延時間であるが、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）よりも短い遅延時間であってもよい。別の遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）を設定した後、ステップＳＴ２２に進む。
【0140】
ステップＳＴ２２では、遅延時間が、別の遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）に設定された状態で、管電圧が高ｋＶと低ｋＶとの間で交互に切り替えられるｋＶスイッチングが実行され、検出器アセンブリ１０８でＸ線を検出する。一例として、高ｋＶは１４０ｋＶ、低ｋＶは８０ｋＶとすることができる。ＤＡＳ２１４は、検出されたＸ線のエネルギー情報を含むデータに対して、サンプリング処理等を含む所定の処理を実行してデジタルデータに変換し、コンピュータに出力する。
【0141】
ステップＳＴ２３では、コンピュータのプロセッサ２１７が、ＤＡＳ２１４から受け取ったデータに基づいて、第５の実効電圧差Ｄ５を計算する（図２７参照）。
【0142】
【0143】
ステップＳＴ１３１では、プロセッサ２１７が、ＤＡＳ２１４から受け取ったデータに基づいて、式（１）に含まれる信号値Ｓfilt（Ｅ）と信号値Ｓ（Ｅ）とを決定し、高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＦ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＦ）を計算する。尚、ｋＶスイッチングのスキャンにおいて、高ｋＶのデータ収集が行われる期間９１がＮ個現れる場合、信号値Ｓfilt（Ｅ）および信号値Ｓ（Ｅ）は、Ｎ個の期間９１で得られた全データに基づいて決定してもよいし、Ｎ個の期間９１のうちのＭ（＜Ｎ）個の期間９１で得られたデータに基づいて決定してもよい。また、ｋＶスイッチングのスキャンにおいて、低ｋＶのデータ収集が行われる期間９２がＮ個現れる場合、信号値Ｓfilt（Ｅ）および信号値Ｓ（Ｅ）は、Ｎ個の期間９２で得られた全データに基づいて決定してもよいし、Ｎ個の期間９２のうちのＭ（＜Ｎ）個の期間９２で得られたデータに基づいて決定してもよい。
【0144】
高ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＨＦ）と、低ｋＶに対応する指標値Ｍ（＝ＭＬＦ）とを計算した後、ステップＳＴ１３２に進む。
【0145】
ステップＳＴ１３２では、プロセッサ２１７は、ベースライン６０に基づいて、高ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＨＦ）に対応する実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＦ）と、低ｋＶの指標値Ｍ（＝ＭＬＦ）に対応する実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＦ）とを決定する。実効電圧値ＶＨＦおよび実効電圧値ＶＬＦを決定した後、ステップＳＴ１３３に進む。
【0146】
ステップＳＴ１３３では、プロセッサ２１７は、高ｋＶに対応する実効電圧値ＶＨ（＝ＶＨＦ）と低ｋＶに対応する実効電圧値ＶＬ（＝ＶＬＦ）との差を表す第５の実効電圧差Ｄ５を計算する。第５の実効電圧差Ｄ５は、図２７に示すように、Ｄ５＝ＶＨＦ－ＶＬＦである。第５の実効電圧差Ｄ５、実効電圧値（ＶＨＦ，ＶＬＦ）および遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）は、１つのデータセットとして、記憶装置に記憶される。図２８に、記憶装置に記憶されたデータセットＱ４およびＱ５を示す。データセットＱ４は、先の図２５で説明した登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）、実効電圧値（ＶＨＮ，ＶＬＮ）、および第４の実効電圧差Ｄ４を含むデータセットである。一方、データセットＱ５は、図２４のフローのステップＳＴ２１で設定された別の遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）と、ステップＳＴ２３で得られた実効電圧値（ＶＨＦ，ＶＬＦ）および実効電圧差Ｄ５を含むデータセットである。データセットＱ５を記憶した後、ステップＳＴ２４に進む。
【0147】
ステップＳＴ２４では、プロセッサ２１７は、データセットＱ４の登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）に対応する第４の実効電圧差Ｄ４と、データセットＱ５の別の遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）に対応する第５の実効電圧差Ｄ５とを比較する。Ｄ５＞Ｄ４の場合、これは、ステップＳＴ２１で設定した遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）が、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）よりも、大きい実効電圧差を得ることができることを意味する。したがって、Ｄ５＞Ｄ４の場合、ステップＳＴ２１で設定した遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）は、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）よりも、画質を向上させることができると考えられる。このため、Ｄ５＞Ｄ４の場合、ステップＳＴ２５に進み、遅延時間を、第５の実効電圧差Ｄ５に対応する別の遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）に更新し、フローを終了する。
【0148】
一方、Ｄ５≦Ｄ４の場合、これは、ステップＳＴ２１で設定した遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）が、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）と同じ実効電圧差又は小さい実効電圧差を有することを意味する。したがって、Ｄ５≦Ｄ４の場合、ステップＳＴ２１で設定した遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）は、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）よりも、画質を向上させることは困難であると考えられる。このため、Ｄ５≦Ｄ４の場合、ステップＳＴ２６に進み、遅延時間を更新せずに、登録された遅延時間（ＴＡＮ，ＴＢＮ）を維持し、フローを終了する。
【0149】
図２４に示すフローでは、ステップＳＴ２１で設定された遅延時間（ＴＡＦ，ＴＢＦ）に対して１回のキャリブレーションスキャンが実行され、１回のキャリブレーションスキャンにより得られたデータに基づいて、遅延時間を更新するかどうかが判断される。したがって、図２４に示すフローは、１回のキャリブレーションスキャンを実行すればよいだけなので、できるだけ短時間で終わらせることが優先されるキャリブレーションに適している。例えば、ユーザは、１日に１回を目処にデイリーキャリブレーションを実行することが推奨されている場合がある。しかし、デイリーキャリブレーションは、ユーザの日々の忙しい業務の中で、原則として毎日実行しなければならない作業であるため、ユーザの立場としては、デイリーキャリブレーションは、できるだけ短時間で済ませたい作業になる。そこで、デイリーキャリブレーションに、図２４に示すフローを組み込むことにより、ユーザは、１回のキャリブレーションスキャンで遅延時間を更新する作業を完了することができるので、キャリブレーションに掛かる時間を短縮することが可能となる。
【0150】
尚、本発明は、管電圧を切り替えながらスキャンを実行するのであれば、フルスキャンだけでなく、ハーフスキャンを実行する場合にも適用することができる。
【0151】
尚、本実施形態では、医用システムとしてＣＴシステム１００を使用した例が示されている。しかし、本発明は、ＣＴシステム１００に限定されることはなく、Ｘ線源を被検体に照射する医用システムであれば、ＣＴシステム１００以外の他のシステム（例えば、ＰＥＴ－ＣＴシステム）に適用することができる。
【符号の説明】
【0152】
６０ ベースライン
１００ ＣＴシステム
１０２ ガントリ
１０３ フィルタ部
１０４ Ｘ線管
１０４Ａ Ｘ線
１０４Ｂ Ｘ線
１０４Ｃ Ｘ線
１０５ 前置コリメータ
１０６ Ｘ線
１０７ ボア
１０８ 検出器アセンブリ
１０９ 参照領域
１０９Ａ 第２のサブ領域
１０９Ｂ 第１のサブ領域
１１２ 検体
１１６ テーブル
１１８ テーブルモータコントローラ
１２０ 中心位置
１２１ 端部
１２２ 端部
１２３ 検出器コリメータ
１２４ フィルタ
２０２ 検出器素子
２０２Ａ 検出器素子
２０２Ｂ 検出器素子
２０６ 回転軸
２１０ Ｘ線コントローラ
２１２ ガントリモータコントローラ
２１４ ＤＡＳ
２１６ コンピュータ
２１７ プロセッサ
２１８ 記憶装置
２２０ オペレータコンソール
２２４ ＰＡＣＳ
２３０ 画像再構成器
２３２ 表示装置
１００ ＣＴシステム
１０２ ガントリ
１０３ フィルタ部
１０４ Ｘ線管
１０４Ａ Ｘ線
１０４Ｂ Ｘ線
１０４Ｃ Ｘ線
１０５ 前置コリメータ
１０６ Ｘ線
１０７ ボア
１０８ 検出器アセンブリ
１０９ 参照領域
１０９Ａ 第２のサブ領域
１０９Ｂ 第１のサブ領域
１１２ 検体
１１６ テーブル
１１８ テーブルモータコントローラ
１２０ 中心位置
１２１ 端部
１２２ 端部
１２３ 検出器コリメータ
１２４ フィルタ
２０２ 検出器素子
２０２Ａ 検出器素子
２０２Ｂ 検出器素子
２０６ 回転軸
２１０ Ｘ線コントローラ
２１２ ガントリモータコントローラ
２１４ ＤＡＳ
２１６ コンピュータ
２１７ プロセッサ
２１８ 記憶装置
２２０ オペレータコンソール
２２４ ＰＡＣＳ
２３０ 画像再構成器
２３２ 表示装置
【要約】 （修正有）
【課題】最適な遅延時間を求めることができる技術を提供する。
【解決手段】管電圧を高ｋＶに切り替えてからデータの収集を開始するまでの第１の遅延時間ＴＡと、管電圧を低ｋＶに切り替えてからデータの収集を開始するまでの第２の遅延時間ＴＢを設定すること、Ｘ線管に高ｋＶが印加された場合、高ｋＶの第１の実効電圧値ＶＨを決定すること、Ｘ線管に低ｋＶが印加された場合、低ｋＶの第２の実効電圧値ＶＬを決定すること、および実効電圧値ＶＨと実効電圧値ＶＬとの差を表す実効電圧差を計算することを実行し、更に、上記のステップを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得し、前記複数の実効電圧差に基づいて、第１の最適遅延時間ＴＡＮと、前記第２の最適遅延時間ＴＢＮとを求めることを実行する。
【選択図】図１６
【解決手段】管電圧を高ｋＶに切り替えてからデータの収集を開始するまでの第１の遅延時間ＴＡと、管電圧を低ｋＶに切り替えてからデータの収集を開始するまでの第２の遅延時間ＴＢを設定すること、Ｘ線管に高ｋＶが印加された場合、高ｋＶの第１の実効電圧値ＶＨを決定すること、Ｘ線管に低ｋＶが印加された場合、低ｋＶの第２の実効電圧値ＶＬを決定すること、および実効電圧値ＶＨと実効電圧値ＶＬとの差を表す実効電圧差を計算することを実行し、更に、上記のステップを複数回実行することによって、複数の実効電圧差を取得し、前記複数の実効電圧差に基づいて、第１の最適遅延時間ＴＡＮと、前記第２の最適遅延時間ＴＢＮとを求めることを実行する。
【選択図】図１６
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
