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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-19
(45)【発行日】2024-08-27
(54)【発明の名称】銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
(51)【国際特許分類】
C04B 37/02 20060101AFI20240820BHJP
H01L 23/13 20060101ALI20240820BHJP
H05K 3/38 20060101ALN20240820BHJP
【ＦＩ】
C04B37/02 B
H01L23/12 C
H05K3/38 E
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021003597
(22)【出願日】2021-01-13
(65)【公開番号】P2022108546
(43)【公開日】2022-07-26
【審査請求日】2023-10-06
(73)【特許権者】
【識別番号】000006264
【氏名又は名称】三菱マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100175802
【弁理士】
【氏名又は名称】寺本 光生
(74)【代理人】
【識別番号】100142424
【弁理士】
【氏名又は名称】細川 文広
(74)【代理人】
【識別番号】100140774
【弁理士】
【氏名又は名称】大浪 一徳
(72)【発明者】
【氏名】西元 修司
【審査官】安積 高靖
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１５－１１５５３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１９１９４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２５２０８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１３５５６８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ０４Ｂ ３７／０２
Ｈ０１Ｌ ２３／１３
Ｈ０５Ｋ ３／３８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
銅又は銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面には、Ａｇ－Ｃｕ共晶層が形成されており、
前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中には、コアとこのコアを覆うシェルとを有するコアシェル粒子が存在しており、
前記コアがＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、前記シェルがＴｉ化合物からなることを特徴とする銅／セラミックス接合体。
【請求項2】
前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１．０μｍ以上１５．０μｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項１に記載の銅／セラミックス接合体。
【請求項3】
前記コアシェル粒子の平均粒子径が０．０５μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅／セラミックス接合体。
【請求項4】
セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面には、Ａｇ－Ｃｕ共晶層が形成されており、
前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中には、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中には、コアとこのコアを覆うシェルとを有するコアシェル粒子が存在しており、
前記コアがＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、前記シェルがＴｉ化合物からなることを特徴とする絶縁回路基板。
【請求項5】
前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１．０μｍ以上１５．０μｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項４に記載の絶縁回路基板。
【請求項6】
前記コアシェル粒子の平均粒子径が０．０５μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の絶縁回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、銅又は銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体、および、セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
パワーモジュール、ＬＥＤモジュールおよび熱電モジュールにおいては、絶縁層の一方の面に導電材料からなる回路層を形成した絶縁回路基板に、パワー半導体素子、ＬＥＤ素子および熱電素子が接合された構造とされている。
例えば、風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子は、動作時の発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられている。なお、絶縁回路基板としては、セラミックス基板の他方の面に金属板を接合して金属層を形成したものも提供されている。
例えば、風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子は、動作時の発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられている。なお、絶縁回路基板としては、セラミックス基板の他方の面に金属板を接合して金属層を形成したものも提供されている。
【0003】
例えば、特許文献１には、セラミックス基板の一方の面および他方の面に、銅板を接合することにより回路層および金属層を形成した絶縁回路基板が提案されている。この特許文献１においては、セラミックス基板の一方の面および他方の面に、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材を介在させて銅板を配置し、加熱処理を行うことにより銅板が接合されている（いわゆる活性金属ろう付け法）。この活性金属ろう付け法では、活性金属であるＴｉが含有されたろう材を用いているため、溶融したろう材とセラミックス基板との濡れ性が向上し、セラミックス基板と銅板とが良好に接合されることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特許第３２１１８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、最近では、絶縁回路基板に搭載される半導体素子の発熱温度が高くなる傾向にあり、絶縁回路基板には、従来にも増して、厳しい冷熱サイクルに耐えることができる冷熱サイクル信頼性が求められている。
ここで、特許文献１のように、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材を用いて銅板とセラミックス基板とを接合した際には、接合界面にＣｕ－Ｔｉ化合物が析出し、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化し、セラミックス割れが生じ、冷熱サイクル信頼性が低下するおそれがあった。
ここで、特許文献１のように、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材を用いて銅板とセラミックス基板とを接合した際には、接合界面にＣｕ－Ｔｉ化合物が析出し、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化し、セラミックス割れが生じ、冷熱サイクル信頼性が低下するおそれがあった。
【0006】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、冷熱サイクル信頼性に優れた銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前述の課題を解決するために、本発明の銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材とセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面には、Ａｇ－Ｃｕ共晶層が形成されており、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中には、コアとこのコアを覆うシェルとを有するコアシェル粒子が存在しており、前記コアがＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、前記シェルがＴｉ化合物からなることを特徴としている。
【0008】
本発明の銅／セラミックス接合体によれば、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面に形成されたＡｇ－Ｃｕ共晶層の中に、コアがＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、シェルがＴｉ化合物からなるコアシェル粒子が存在しているので、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって多方向へ分散させることができる。また、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化することを抑制できる。
よって、冷熱サイクル負荷に、セラミックス部材に割れが生じることを抑制でき、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。
よって、冷熱サイクル負荷に、セラミックス部材に割れが生じることを抑制でき、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。
【0009】
ここで、本発明の銅／セラミックス接合体においては、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１．０μｍ以上１５．０μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１．０μｍ以上とされているので、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中に上述のコアシェル粒子を十分に存在させることができ、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって確実に多方向へ分散させることができる。
一方、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１５．０μｍ以下とされているので、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化することをさらに抑制できる。
この場合、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１．０μｍ以上とされているので、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中に上述のコアシェル粒子を十分に存在させることができ、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって確実に多方向へ分散させることができる。
一方、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１５．０μｍ以下とされているので、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化することをさらに抑制できる。
【0010】
また、本発明の銅／セラミックス接合体においては、前記コアシェル粒子の平均粒子径が０．０５μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記コアシェル粒子の平均粒子径が０．０５μｍ以上とされているので、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって確実に多方向へ分散させることができる。
一方、前記コアシェル粒子の平均粒子径が５．００μｍ以下とされているので、コアシェル粒子によって接合性が阻害されず、銅部材とセラミックス部材とを良好に接合することができる。
この場合、前記コアシェル粒子の平均粒子径が０．０５μｍ以上とされているので、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって確実に多方向へ分散させることができる。
一方、前記コアシェル粒子の平均粒子径が５．００μｍ以下とされているので、コアシェル粒子によって接合性が阻害されず、銅部材とセラミックス部材とを良好に接合することができる。
【0011】
本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面には、Ａｇ－Ｃｕ共晶層が形成されており、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中には、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中には、コアとこのコアを覆うシェルとを有するコアシェル粒子が存在しており、前記コアがＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、前記シェルがＴｉ化合物からなることを特徴としている。
【0012】
本発明の絶縁回路基板によれば、前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面に形成されたＡｇ－Ｃｕ共晶層の中に、コアがＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、シェルがＴｉ化合物からなるコアシェル粒子が存在しているので、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって多方向へ分散させることができる。また、冷熱サイクル負荷に、接合界面が加工硬化することを抑制できる。
よって、冷熱サイクル負荷に、セラミックス基板に割れが生じることを抑制でき、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。
よって、冷熱サイクル負荷に、セラミックス基板に割れが生じることを抑制でき、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。
【0013】
ここで、本発明の絶縁回路基板においては、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１．０μｍ以上１５．０μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１．０μｍ以上とされているので、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中に上述のコアシェル粒子を十分に存在させることができ、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって確実に多方向へ分散させることができる。
一方、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１５．０μｍ以下とされているので、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化することをさらに抑制できる。
この場合、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１．０μｍ以上とされているので、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中に上述のコアシェル粒子を十分に存在させることができ、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって確実に多方向へ分散させることができる。
一方、前記Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１５．０μｍ以下とされているので、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化することをさらに抑制できる。
【0014】
また、本発明の絶縁回路基板においては、前記コアシェル粒子の平均粒子径が０．０５μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記コアシェル粒子の平均粒子径が０．０５μｍ以上とされているので、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって確実に多方向へ分散させることができる。
一方、前記コアシェル粒子の平均粒子径が５．００μｍ以下とされているので、コアシェル粒子によって接合性が阻害されず、銅板とセラミックス基板とを良好に接合することができる。
この場合、前記コアシェル粒子の平均粒子径が０．０５μｍ以上とされているので、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、上述のコアシェル粒子によって確実に多方向へ分散させることができる。
一方、前記コアシェル粒子の平均粒子径が５．００μｍ以下とされているので、コアシェル粒子によって接合性が阻害されず、銅板とセラミックス基板とを良好に接合することができる。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、冷熱サイクル信頼性に優れた銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の実施形態に係る絶縁回路基板を用いたパワーモジュールの概略説明図である。
【図2】本発明の実施形態に係る絶縁回路基板の回路層（金属層）とセラミックス基板との接合界面の拡大説明図である。
【図3】コアシェル粒子の説明図である。
【図4】本発明の実施形態に係る絶縁回路基板の回路層（金属層）とセラミックス基板との接合界面の観察結果である。
【図5】本発明の実施形態に係る絶縁回路基板の製造方法のフロー図である。
【図6】本発明の実施形態に係る絶縁回路基板の製造方法の概略説明図である。
【図7】本発明の実施例においてコアシェル粒子の平均粒子径を測定する方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。
本実施形態に係る銅／セラミックス接合体は、セラミックスからなるセラミックス部材としてのセラミックス基板１１と、銅又は銅合金からなる銅部材としての銅板２２（回路層１２）および銅板２３（金属層１３）とが接合されてなる絶縁回路基板１０である。図１に、本実施形態である絶縁回路基板１０を備えたパワーモジュール１を示す。
本実施形態に係る銅／セラミックス接合体は、セラミックスからなるセラミックス部材としてのセラミックス基板１１と、銅又は銅合金からなる銅部材としての銅板２２（回路層１２）および銅板２３（金属層１３）とが接合されてなる絶縁回路基板１０である。図１に、本実施形態である絶縁回路基板１０を備えたパワーモジュール１を示す。
【0018】
このパワーモジュール１は、回路層１２および金属層１３が配設された絶縁回路基板１０と、回路層１２の一方の面（図１において上面）に接合層２を介して接合された半導体素子３と、金属層１３の他方側（図１において下側）に配置されたヒートシンク３０と、を備えている。
【0019】
半導体素子３は、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。この半導体素子３と回路層１２は、接合層２を介して接合されている。
接合層２は、例えばＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、若しくはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のはんだ材で構成されている。
接合層２は、例えばＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、若しくはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のはんだ材で構成されている。
【0020】
ヒートシンク３０は、前述の絶縁回路基板１０からの熱を放散するためのものである。このヒートシンク３０は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態ではりん脱酸銅で構成されている。このヒートシンク３０には、冷却用の流体が流れるための流路３１が設けられている。
なお、本実施形態においては、ヒートシンク３０と金属層１３とが、はんだ材からなるはんだ層３２によって接合されている。このはんだ層３２は、例えばＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、若しくはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のはんだ材で構成されている。
なお、本実施形態においては、ヒートシンク３０と金属層１３とが、はんだ材からなるはんだ層３２によって接合されている。このはんだ層３２は、例えばＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、若しくはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のはんだ材で構成されている。
【0021】
そして、本実施形態である絶縁回路基板１０は、図１に示すように、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に配設された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に配設された金属層１３と、を備えている。
【0022】
セラミックス基板１１は、絶縁性および放熱性に優れたセラミックスで構成されており、本実施形態では、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）で構成されている。このセラミックス基板１１の厚さは、例えば、０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．３２ｍｍに設定されている。
【0023】
回路層１２は、図６に示すように、セラミックス基板１１の一方の面（図６において上面）に、銅又は銅合金からなる銅板２２が接合されることにより形成されている。
本実施形態においては、回路層１２は、無酸素銅の圧延板からなる銅板２２がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。
なお、回路層１２となる銅板２２の厚さは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．８ｍｍに設定されている。
本実施形態においては、回路層１２は、無酸素銅の圧延板からなる銅板２２がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。
なお、回路層１２となる銅板２２の厚さは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．８ｍｍに設定されている。
【0024】
金属層１３は、図６に示すように、セラミックス基板１１の他方の面（図６において下面）に、銅又は銅合金からなる銅板２３が接合されることにより形成されている。
本実施形態においては、金属層１３は、無酸素銅の圧延板からなる銅板２３がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。
なお、金属層１３となる銅板２３の厚さは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．８ｍｍに設定されている。
本実施形態においては、金属層１３は、無酸素銅の圧延板からなる銅板２３がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。
なお、金属層１３となる銅板２３の厚さは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．８ｍｍに設定されている。
【0025】
セラミックス基板１１と回路層１２（金属層１３）との接合界面においては、図２に示すように、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５が形成されている。
本実施形態では、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さは、１．０μｍ以上１５．０μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
なお、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さの下限は、１．５μｍ以上であることがさらに好ましく、２．０μｍ以上であることがより好ましい。また、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さの上限は、１３．０μｍ以下であることがさらに好ましく、１１．０μｍ以下であることがより好ましい。
本実施形態では、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さは、１．０μｍ以上１５．０μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
なお、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さの下限は、１．５μｍ以上であることがさらに好ましく、２．０μｍ以上であることがより好ましい。また、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さの上限は、１３．０μｍ以下であることがさらに好ましく、１１．０μｍ以下であることがより好ましい。
【0026】
そして、このＡｇ－Ｃｕ共晶層４５の中には、図２から図４に示すように、コアシェル粒子５０が存在している。
このコアシェル粒子５０は、コア５１がＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、シェル５２がＴｉ化合物で構成されている。本実施形態では、コア５１はＡｇ－Ｃｕ共晶組織とされている。また、シェル５２を構成するＴｉ化合物としては、例えば、ＴｉＮ等のＴｉを含む金属間化合物やＴｉ酸化物等が挙げられる。
このコアシェル粒子５０は、コア５１がＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、シェル５２がＴｉ化合物で構成されている。本実施形態では、コア５１はＡｇ－Ｃｕ共晶組織とされている。また、シェル５２を構成するＴｉ化合物としては、例えば、ＴｉＮ等のＴｉを含む金属間化合物やＴｉ酸化物等が挙げられる。
【0027】
本実施形態では、このコアシェル粒子５０の平均粒子径が０．０５μｍ以上５．００μｍ以下の範囲内とされていることが好ましい。
なお、コアシェル粒子５０の平均粒子径の下限は、０．０７μｍ以上であることがさらに好ましく、０．１０μｍ以上であることがより好ましい。また、コアシェル粒子５０の平均粒子径の上限は、４．５０μｍ以下であることがさらに好ましく、４．００μｍ以下であることがより好ましい。
また、上述のコアシェル粒子５０は、図４に示すように、断面において概略円形状をなしており、球状組織となっていると推測される。
なお、コアシェル粒子５０の平均粒子径の下限は、０．０７μｍ以上であることがさらに好ましく、０．１０μｍ以上であることがより好ましい。また、コアシェル粒子５０の平均粒子径の上限は、４．５０μｍ以下であることがさらに好ましく、４．００μｍ以下であることがより好ましい。
また、上述のコアシェル粒子５０は、図４に示すように、断面において概略円形状をなしており、球状組織となっていると推測される。
【0028】
【0029】
（ブラスト処理工程Ｓ０１）
まず、回路層１２となる銅板２２および金属層１３となる銅板２３を準備する。そして、これら銅板２２，２３のセラミックス基板１１との接合面に対して、チタン粉または水素化チタン粉を用いて、ブラスト処理を行う。ここで、チタン粉または水素化チタン粉の噴射圧力を０．０５ＭＰａ以上０．５０ＭＰａ以下の範囲内、ブラスト時間を０．１秒以上１０．０秒以下の範囲内とすることが好ましい。
ブラスト時間が０．１秒未満の場合には、十分にコアシェル組織を形成することができないおそれがある。一方、ブラスト時間が１０秒を超えると、過剰にコアシェル組織が形成され、液相とセラミック基板１１との界面反応が不十分となり接合不良となるおそれがある。
また、噴射圧力が０．０５ＭＰａ未満の場合には、界面にコアシェル組織を有することができず効果が得られないおそれがある。一方、噴射圧力が０．５ＭＰａを超えると銅板２２，２３の表面粗さが大きくなり、接合不良となるおそれがある。
ここで、上述のチタン粉または水素化チタン粉の粒径（Ｄ５０）は、３．０μｍ以上８．０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
まず、回路層１２となる銅板２２および金属層１３となる銅板２３を準備する。そして、これら銅板２２，２３のセラミックス基板１１との接合面に対して、チタン粉または水素化チタン粉を用いて、ブラスト処理を行う。ここで、チタン粉または水素化チタン粉の噴射圧力を０．０５ＭＰａ以上０．５０ＭＰａ以下の範囲内、ブラスト時間を０．１秒以上１０．０秒以下の範囲内とすることが好ましい。
ブラスト時間が０．１秒未満の場合には、十分にコアシェル組織を形成することができないおそれがある。一方、ブラスト時間が１０秒を超えると、過剰にコアシェル組織が形成され、液相とセラミック基板１１との界面反応が不十分となり接合不良となるおそれがある。
また、噴射圧力が０．０５ＭＰａ未満の場合には、界面にコアシェル組織を有することができず効果が得られないおそれがある。一方、噴射圧力が０．５ＭＰａを超えると銅板２２，２３の表面粗さが大きくなり、接合不良となるおそれがある。
ここで、上述のチタン粉または水素化チタン粉の粒径（Ｄ５０）は、３．０μｍ以上８．０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0030】
（積層工程Ｓ０２）
次に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミックス基板１１を準備し、図６に示すように、回路層１２となる銅板２２とセラミックス基板１１との間、および、金属層１３となる銅板２３とセラミックス基板１１との間に、接合材としてろう材２４を配設する。なお、上述のろう材２４としては、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材を用いる。
具体的には、ろう材２４として、例えば、Ｃｕを０ｍａｓｓ％以上３２ｍａｓｓ％以下の範囲内、活性金属であるＴｉを０．５ｍａｓｓ％以上２０ｍａｓｓ％以下の範囲で含み、残部がＡｇおよび不可避不純物とされた組成のものを用いることが好ましい。また、ろう材２４の厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミックス基板１１を準備し、図６に示すように、回路層１２となる銅板２２とセラミックス基板１１との間、および、金属層１３となる銅板２３とセラミックス基板１１との間に、接合材としてろう材２４を配設する。なお、上述のろう材２４としては、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材、Ａｇ－Ｔｉ系ろう材を用いる。
具体的には、ろう材２４として、例えば、Ｃｕを０ｍａｓｓ％以上３２ｍａｓｓ％以下の範囲内、活性金属であるＴｉを０．５ｍａｓｓ％以上２０ｍａｓｓ％以下の範囲で含み、残部がＡｇおよび不可避不純物とされた組成のものを用いることが好ましい。また、ろう材２４の厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0031】
なお、ろう材２４に含まれる銀粉の粒径（Ｄ５０）は、０．４μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
また、ろう材２４に含まれるチタン粉（水素化チタン粉）の粒径（Ｄ５０）は、３．０μｍ以上８．０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
さらに、ろう材２４が銅を含む場合には、銅粉の粒径（Ｄ５０）は、０．３μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
また、ろう材２４に含まれるチタン粉（水素化チタン粉）の粒径（Ｄ５０）は、３．０μｍ以上８．０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
さらに、ろう材２４が銅を含む場合には、銅粉の粒径（Ｄ５０）は、０．３μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0032】
（接合工程Ｓ０３）
次に、銅板２２，２３とセラミックス基板１１とを積層方向に加圧した状態で、真空雰囲気の加熱炉内で加熱し、ろう材２４を溶融する。
ここで、加熱工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、加熱温度の上限は８４５℃以下とすることが好ましく、８４０℃以下とすることがより好ましく、８３５℃以下とすることがさらに好ましい。また、加熱温度の下限は８００℃以上とすることが好ましい。
また、この加熱工程Ｓ０３において、上述の加熱温度での保持時間は、１０ｍｉｎ以上９０ｍｉｎ以下の範囲内とすることが好ましい。
さらに、この加熱工程Ｓ０３における加圧荷重は、０．１０ＭＰａ以上１．００ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、銅板２２，２３とセラミックス基板１１とを積層方向に加圧した状態で、真空雰囲気の加熱炉内で加熱し、ろう材２４を溶融する。
ここで、加熱工程Ｓ０３における加熱温度は、ＡｇとＣｕの共晶点温度以上８５０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、加熱温度の上限は８４５℃以下とすることが好ましく、８４０℃以下とすることがより好ましく、８３５℃以下とすることがさらに好ましい。また、加熱温度の下限は８００℃以上とすることが好ましい。
また、この加熱工程Ｓ０３において、上述の加熱温度での保持時間は、１０ｍｉｎ以上９０ｍｉｎ以下の範囲内とすることが好ましい。
さらに、この加熱工程Ｓ０３における加圧荷重は、０．１０ＭＰａ以上１．００ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0033】
以上のように、ブラスト処理工程Ｓ０１と、積層工程Ｓ０２と、接合工程Ｓ０３とによって、セラミックス基板１１と銅板２２，２３が接合され、本実施形態である絶縁回路基板１０が製造されることになる。
【0034】
ここで、ろう材２４に含まれるＡｇと銅板２２，２３のＣｕとが反応することにより、銅板２２，２３とセラミックス基板１１とのＡｇ－Ｃｕ共晶層４５が形成される。
また、接合前に、銅板２２，２３の接合面に対してチタン粉（水素化チタン粉）を用いてブラスト処理を行うことにより、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の中に、コアシェル粒子５０が存在することになる。
なお、ブラスト処理に用いられるチタン粉（水素化チタン粉）の粒径、ろう材２４に含まれる銀粉、銅粉、チタン粉（水素化チタン粉）の粒径を調整することにより、コアシェル粒子５０の粒径を制御することができる。
また、接合前に、銅板２２，２３の接合面に対してチタン粉（水素化チタン粉）を用いてブラスト処理を行うことにより、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の中に、コアシェル粒子５０が存在することになる。
なお、ブラスト処理に用いられるチタン粉（水素化チタン粉）の粒径、ろう材２４に含まれる銀粉、銅粉、チタン粉（水素化チタン粉）の粒径を調整することにより、コアシェル粒子５０の粒径を制御することができる。
【0035】
（ヒートシンク接合工程Ｓ０５）
次に、絶縁回路基板１０の金属層１３の他方の面側にヒートシンク３０を接合する。
絶縁回路基板１０とヒートシンク３０とを、はんだ材を介して積層して加熱炉に装入し、はんだ層３２を介して絶縁回路基板１０とヒートシンク３０とをはんだ接合する。
次に、絶縁回路基板１０の金属層１３の他方の面側にヒートシンク３０を接合する。
絶縁回路基板１０とヒートシンク３０とを、はんだ材を介して積層して加熱炉に装入し、はんだ層３２を介して絶縁回路基板１０とヒートシンク３０とをはんだ接合する。
【0036】
【0037】
以上のような構成とされた本実施形態の絶縁回路基板１０（銅／セラミックス接合体）によれば、回路層１２（金属層１３）とセラミックス基板１１との接合界面に形成されたＡｇ－Ｃｕ共晶層４５の中に、コア５１がＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ共晶のいずれか１つ以上からなり、シェル５２がＴｉ化合物からなるコアシェル粒子５０が存在しているので、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、コアシェル粒子５０によって多方向へ分散させることができる。また、冷熱サイクル負荷に、接合界面が加工硬化することを抑制できる。
よって、冷熱サイクル負荷に、セラミックス基板１１に割れが生じることを抑制でき、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。
よって、冷熱サイクル負荷に、セラミックス基板１１に割れが生じることを抑制でき、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。
【0038】
本実施形態において、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さが１．０μｍ以上である場合には、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の中に上述のコアシェル粒子５０を十分に存在させることができ、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、コアシェル粒子５０によって確実に多方向へ分散させることができる。
また、本実施形態において、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さが１５．０μｍ以下である場合には、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化することをさらに抑制できる。
また、本実施形態において、Ａｇ－Ｃｕ共晶層４５の平均厚さが１５．０μｍ以下である場合には、冷熱サイクル負荷時に、接合界面が加工硬化することをさらに抑制できる。
【0039】
さらに、本実施形態において、コアシェル粒子５０の平均粒子径が０．０５μｍ以上である場合には、冷熱サイクル負荷時に接合界面に作用する応力を、コアシェル粒子５０によって確実に多方向へ分散させることができる。
また、本実施形態において、コアシェル粒子５０の平均粒子径が５μｍ以下である場合には、コアシェル粒子５０によって接合性が阻害されず、回路層１２（金属層１３）とセラミックス基板１１とを良好に接合することができる。
また、本実施形態において、コアシェル粒子５０の平均粒子径が５μｍ以下である場合には、コアシェル粒子５０によって接合性が阻害されず、回路層１２（金属層１３）とセラミックス基板１１とを良好に接合することができる。
【0040】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板に半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板の回路層にＬＥＤ素子を搭載してＬＥＤモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板に半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板の回路層にＬＥＤ素子を搭載してＬＥＤモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
【0041】
また、本実施形態の絶縁回路基板では、回路層と金属層がともに銅又は銅合金からなる銅板によって構成されたものとして説明したが、これに限定されることはない。
例えば、回路層とセラミックス基板とが本発明の銅／セラミックス接合体で構成されていれば、金属層の材質や接合方法に限定はなく、金属層がなくてもよいし、金属層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよく、銅とアルミニウムの積層体で構成されていてもよい。
一方、金属層とセラミックス基板とが本発明の銅／セラミックス接合体で構成されていれば、回路層の材質や接合方法に限定はなく、回路層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよく、銅とアルミニウムの積層体で構成されていてもよい。
例えば、回路層とセラミックス基板とが本発明の銅／セラミックス接合体で構成されていれば、金属層の材質や接合方法に限定はなく、金属層がなくてもよいし、金属層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよく、銅とアルミニウムの積層体で構成されていてもよい。
一方、金属層とセラミックス基板とが本発明の銅／セラミックス接合体で構成されていれば、回路層の材質や接合方法に限定はなく、回路層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよく、銅とアルミニウムの積層体で構成されていてもよい。
【0042】
さらに、本実施形態では、セラミックス基板が窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）で構成されたものとして説明したが、これに限定されることはなく、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の他のセラミックスで構成されたものであってもよい。
【実施例】
【0043】
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
【0044】
まず、Ｓｉ３Ｎ４からなるセラミックス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．３２ｍｍ）と、無酸素銅からなる銅板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ）と、を準備した。
本発明例１～１２においては、銅板の接合面に、表１に示す平均粒径の水素化チタン粉を用いて、噴射圧力０．０５ＭＰａ、表１に記載した時間でブラスト処理を行った。なお、比較例では、ブラスト処理を実施しなかった。
本発明例１～１２においては、銅板の接合面に、表１に示す平均粒径の水素化チタン粉を用いて、噴射圧力０．０５ＭＰａ、表１に記載した時間でブラスト処理を行った。なお、比較例では、ブラスト処理を実施しなかった。
【0045】
次に、セラミックス基板の両面に、表１に示す金属粉を含むろう材（組成：Ｃｕ２８ｍａｓｓ％、１ｍａｓｓ％ＴｉＨ２、残部がＡｇおよび不可避不純物）を用いて、表１に示す条件で銅板とセラミックス基板とを接合し、絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）を得た。なお、接合時の真空炉の真空度は５×１０－３Ｐａとした。
【0046】
得られた絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）について、Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さ、Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中のコアシェル粒子の平均粒子径、冷熱サイクル信頼性を、以下のようにして評価した。
【0047】
（Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さ）
Ａｇ－Ｃｕ共晶層の厚さは、断面からのＳＥＭ観察により確認した。まず、基板中央部を積層方向に切断し、断面研磨を行なった。得られた研磨面に対してクロスセクションポリッシャ（ＳＭ－０９０１０：日本電子製）を用いてＡｒイオンエッチングを行い、平滑な断面サンプルを得た。得られたサンプルに対して走査型電子顕微鏡（Ｓ－３４００Ｎ：日立ハイテク社製）を用いてＳＥＭ観察を行った。倍率１０００倍で観察を行い、反射電子像得られる界面近傍の明るいコントラストの部分を共晶組織とした。共晶組織の面積を求め、共晶組織の面積／測定視野の幅をＡｇ－Ｃｕ共晶層の厚さとし、５視野で同様の観察を行い、その平均値をＡｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さとした。
Ａｇ－Ｃｕ共晶層の厚さは、断面からのＳＥＭ観察により確認した。まず、基板中央部を積層方向に切断し、断面研磨を行なった。得られた研磨面に対してクロスセクションポリッシャ（ＳＭ－０９０１０：日本電子製）を用いてＡｒイオンエッチングを行い、平滑な断面サンプルを得た。得られたサンプルに対して走査型電子顕微鏡（Ｓ－３４００Ｎ：日立ハイテク社製）を用いてＳＥＭ観察を行った。倍率１０００倍で観察を行い、反射電子像得られる界面近傍の明るいコントラストの部分を共晶組織とした。共晶組織の面積を求め、共晶組織の面積／測定視野の幅をＡｇ－Ｃｕ共晶層の厚さとし、５視野で同様の観察を行い、その平均値をＡｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さとした。
【0048】
（コアシェル粒子の平均粒子径）
上記ＳＥＭ観察において、倍率１０００倍の視野に存在する円形組織１０個を選び、その直径を測定した。直径の測定方法としては、図７に示すように、各ＳＥＭ像における円形組織の外形を８等分し、得られた４本の対角線上での直径の平均値をコアシェル粒子の粒子径とした。１０視野測定を行い、その平均値を平均粒子径とした。
上記ＳＥＭ観察において、倍率１０００倍の視野に存在する円形組織１０個を選び、その直径を測定した。直径の測定方法としては、図７に示すように、各ＳＥＭ像における円形組織の外形を８等分し、得られた４本の対角線上での直径の平均値をコアシェル粒子の粒子径とした。１０視野測定を行い、その平均値を平均粒子径とした。
【0049】
（冷熱サイクル信頼性）
以下の冷熱サイクルを負荷し、１００回のサイクル毎に、ＳＡＴ検査により銅板とセラミックス基板の接合界面を検査し、セラミックス割れが発生したサイクル数を評価した。
－５５℃×２ｍｉｎ←→１５０℃×２ｍｉｎ
以下の冷熱サイクルを負荷し、１００回のサイクル毎に、ＳＡＴ検査により銅板とセラミックス基板の接合界面を検査し、セラミックス割れが発生したサイクル数を評価した。
－５５℃×２ｍｉｎ←→１５０℃×２ｍｉｎ
【0050】
【表1】
【0051】
水素化チタン粉によるブラスト処理を実施しなかった比較例においては、Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中にコアシェル粒子が確認できなかった。このため、冷熱サイクルを１２００回負荷した時点でセラミックス割れが生じた。
【0052】
これに対して、Ａｇ－Ｃｕ共晶層の中にコアシェル粒子が確認された本発明例１～１２においては、冷熱サイクルを４０００回負荷してもセラミックス割れが生じておらず、冷熱サイクル信頼性に優れていた。
また、Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内とされた本発明例１～１０においては、さらにセラミックス割れが抑制されており、冷熱サイクル信頼性に特に優れていた。
また、Ａｇ－Ｃｕ共晶層の平均厚さが１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内とされた本発明例１～１０においては、さらにセラミックス割れが抑制されており、冷熱サイクル信頼性に特に優れていた。
【0053】
以上の実施例の結果、本発明例によれば、冷熱サイクル信頼性に優れた銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板を提供可能であることが確認された。
【符号の説明】
【0054】
１０ 絶縁回路基板（銅／セラミックス接合体）
１１ セラミックス基板（セラミックス部材）
１２ 回路層（銅部材）
１３ 金属層（銅部材）
４５ Ａｇ－Ｃｕ共晶層
５０ コアシェル粒子
５１ コア
５２ シェル
１１ セラミックス基板（セラミックス部材）
１２ 回路層（銅部材）
１３ 金属層（銅部材）
４５ Ａｇ－Ｃｕ共晶層
５０ コアシェル粒子
５１ コア
５２ シェル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】