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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-19
(45)【発行日】2024-08-27
(54)【発明の名称】リードフレーム及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/50 20060101AFI20240820BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20240820BHJP
【ＦＩ】
H01L23/50 H
H01L23/28 A
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2023216133
(22)【出願日】2023-12-21
(62)【分割の表示】P 2023113314の分割
【原出願日】2022-09-01
(65)【公開番号】P2024029078
(43)【公開日】2024-03-05
【審査請求日】2023-12-21
(31)【優先権主張番号】P 2021144288
(32)【優先日】2021-09-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021144291
(32)【優先日】2021-09-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021185138
(32)【優先日】2021-11-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2021185144
(32)【優先日】2021-11-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2022058471
(32)【優先日】2022-03-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000002897
【氏名又は名称】大日本印刷株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100127465
【弁理士】
【氏名又は名称】堀田 幸裕
(74)【代理人】
【識別番号】100141830
【弁理士】
【氏名又は名称】村田 卓久
(72)【発明者】
【氏名】永田 昌博
(72)【発明者】
【氏名】篠崎 和広
(72)【発明者】
【氏名】山田 雅宏
(72)【発明者】
【氏名】奥山 大輔
(72)【発明者】
【氏名】初田 千秋
(72)【発明者】
【氏名】関 謙太朗
(72)【発明者】
【氏名】松井 秀人
(72)【発明者】
【氏名】大内 一範
【審査官】井上 和俊
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１７－１６８８７１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１６７２０７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２３／５０
Ｈ０１Ｌ ２３／２８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリード部と、を備え、
前記ダイパッドの表面又は前記リード部の表面に平滑面の領域が形成され、
前記平滑面の領域の全周を取り囲むように粗面の領域が存在し、
前記平滑面の領域は、前記粗面の領域と同一の材料からなる、リードフレーム。
【請求項2】
前記粗面の領域は、平面視で前記ダイパッドの周縁全域又は前記リード部の周縁全域に沿って形成されている、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項3】
前記リード部は、裏面側から薄肉化されたインナーリードを有し、前記インナーリードの表面側にインナーリード表面が形成され、前記インナーリードの裏面側にインナーリード裏面が形成され、前記インナーリードのうち前記ダイパッドを向く面にはインナーリード先端面が形成され、
前記リード部の裏面のうち薄肉化されていない部分には、外部端子が形成され、
前記インナーリード裏面と、前記インナーリード先端面とは、粗面となっており、
前記外部端子が平滑面となっている、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項4】
前記ダイパッドの裏面は平滑面となっており、前記ダイパッドの側面は粗面となっている、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項5】
前記平滑面の領域は、平面視で円形、楕円又は長円である、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項6】
前記平滑面の領域は、平面視で正方形又は長方形である、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項7】
前記平滑面の領域は、平面視で曲線と線分とを含む閉じた図形である、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項8】
前記平滑面の領域と、前記ダイパッド又は前記リード部の周縁との最短距離は、０．０２５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項9】
前記粗面のＳ－ｒａｔｉｏは１．３０以上であり、前記平滑面のＳ－ｒａｔｉｏは１．３０未満である、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項10】
リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、
前記金属基板をエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリード部とを形成する工程と、
前記金属基板の一部にめっき層を形成する工程と、
前記金属基板のうち、前記めっき層に覆われていない部分に粗面を形成する工程と、
前記めっき層を除去する工程と、を備え、
前記ダイパッドの表面又は前記リード部の表面に平滑面の領域が形成され、
前記平滑面の領域の全周を取り囲むように前記粗面の領域が存在する、リードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、リードフレーム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、基板に実装される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このよ
うな要求に対応すべく、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプの半導
体装置が種々提案されている。ＱＦＮタイプの半導体装置は、リードフレームの搭載面に
搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露
出させて構成されたものである。
うな要求に対応すべく、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプの半導
体装置が種々提案されている。ＱＦＮタイプの半導体装置は、リードフレームの搭載面に
搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露
出させて構成されたものである。
【0003】
従来、フリップチップタイプの半導体装置が知られている（特許文献１参照）。フリッ
プチップタイプの半導体装置は、実装基板上に半導体素子を実装する際、半導体素子と実
装基板とをバンプによって互いに接続するものである。
プチップタイプの半導体装置は、実装基板上に半導体素子を実装する際、半導体素子と実
装基板とをバンプによって互いに接続するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２００２－１１０８４９号公報
【文献】特開２０１９－４０９９４号公報
【0005】
一般にフリップチップタイプの半導体装置は、半導体装置の外周から半導体素子の電極
までの距離であって、外気（空気）に含まれる水分が浸入可能な経路が短くなりやすい。
このため、半導体装置の外周から半導体素子の電極まで空気中の水分が浸入するおそれが
ある。
までの距離であって、外気（空気）に含まれる水分が浸入可能な経路が短くなりやすい。
このため、半導体装置の外周から半導体素子の電極まで空気中の水分が浸入するおそれが
ある。
【0006】
また従来、車載向け又は高信頼性が要求される半導体パッケージを作製する場合、ダイ
アタッチフィルムを用いて半導体素子をダイパッドに搭載している。近年、このような半
導体パッケージにおいて、半導体素子をダイパッド上に搭載する際、より安価なダイアタ
ッチペーストも用いられている。
アタッチフィルムを用いて半導体素子をダイパッドに搭載している。近年、このような半
導体パッケージにおいて、半導体素子をダイパッド上に搭載する際、より安価なダイアタ
ッチペーストも用いられている。
【0007】
しかしながら、従来、ダイアタッチペーストをダイパッドに塗布し、半導体素子を搭載
した後に加熱硬化させたとき、ダイアタッチペースト中のエポキシ樹脂成分が毛細管現象
により滲み出す現象（ブリードアウト）が生じている（特許文献２参照）。
した後に加熱硬化させたとき、ダイアタッチペースト中のエポキシ樹脂成分が毛細管現象
により滲み出す現象（ブリードアウト）が生じている（特許文献２参照）。
【0008】
本実施形態は、半導体素子の電極まで空気中の水分の浸入を抑制可能な半導体装置を製
造できるリードフレーム及びその製造方法を提供する。
造できるリードフレーム及びその製造方法を提供する。
【0009】
本実施形態は、バンプとリードフレームと良好に接続させるとともに、半導体装置の外
周から半導体素子の電極に向けて水分が侵入することを抑制可能な、リードフレーム及び
その製造方法を提供する。
周から半導体素子の電極に向けて水分が侵入することを抑制可能な、リードフレーム及び
その製造方法を提供する。
【0010】
本実施形態は、粗面が形成されたリードフレームを低コストで製造することが可能な、
リードフレーム及びその製造方法を提供する。
リードフレーム及びその製造方法を提供する。
【0011】
本実施形態は、半導体装置の外周から半導体素子の電極に向けて水分が侵入することを
抑制することが可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。
抑制することが可能な、リードフレーム及びその製造方法を提供する。
【0012】
本実施形態は、ブリードアウトを抑制するとともに、半導体装置の外周から半導体素子
の電極に向けて水分が侵入することを抑制可能な、リードフレーム及びその製造方法を提
供する。
の電極に向けて水分が侵入することを抑制可能な、リードフレーム及びその製造方法を提
供する。
【発明の開示】
【0013】
本開示の実施形態は、以下の［１］～［５１］に関する。
【0014】
［１］複数のリード部を備え、前記リード部の上面の少なくとも一部及び前記リード部
の側壁面は、粗化された粗面であり、前記粗面のＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１
２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲である、リードフレーム。
の側壁面は、粗化された粗面であり、前記粗面のＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１
２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲である、リードフレーム。
【0015】
［２］複数のリード部を備え、前記リード部の上面の少なくとも一部及び前記リード部
の側壁面は、粗化された粗面であり、前記粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍ
ｍ－１以上である、リードフレーム。
の側壁面は、粗化された粗面であり、前記粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍ
ｍ－１以上である、リードフレーム。
【0016】
［３］前記粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ以上である、［２］に記載のリード
フレーム。
フレーム。
【0017】
［４］前記リード部の上面の一部及び前記リード部の側壁面が前記粗面であり、前記リ
ード部の前記上面のうちの前記粗面ではない面に金属めっき層が設けられている、［１］
～［３］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
ード部の前記上面のうちの前記粗面ではない面に金属めっき層が設けられている、［１］
～［３］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0018】
［５］前記金属めっき層は、Ａｇめっき層、Ｎｉめっき層、Ｐｄめっき層、及びＡｕめ
っき層のうちの少なくとも１つを含む、［４］に記載のリードフレーム。
っき層のうちの少なくとも１つを含む、［４］に記載のリードフレーム。
【0019】
［６］前記リード部は、前記リード部の下面側から薄肉化されたインナーリード部を含
み、前記インナーリード部の下面は前記粗面である、［１］～［５］のいずれか１つに記
載のリードフレーム。
み、前記インナーリード部の下面は前記粗面である、［１］～［５］のいずれか１つに記
載のリードフレーム。
【0020】
［７］半導体素子を搭載するダイパッド部をさらに備え、前記ダイパッド部の周囲に前
記複数のリード部が配置され、前記ダイパッド部の上面及び前記ダイパッド部の側壁面は
前記粗面である、［１］～［５］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
記複数のリード部が配置され、前記ダイパッド部の上面及び前記ダイパッド部の側壁面は
前記粗面である、［１］～［５］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0021】
［８］前記リードフレームは、前記複数のリード部を少なくとも封止する封止部を備え
る半導体装置を製造するために用いられるものであって、前記封止部と接触する前記リー
ド部の上面及び前記リード部の側壁面は粗化された粗面である、［１］～［７］のいずれ
か１つに記載のリードフレーム。
る半導体装置を製造するために用いられるものであって、前記封止部と接触する前記リー
ド部の上面及び前記リード部の側壁面は粗化された粗面である、［１］～［７］のいずれ
か１つに記載のリードフレーム。
【0022】
［９］第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する金属基板を準備する金属基板準
備工程と、前記金属基板を加工することにより複数のリード部を形成する金属基板加工工
程と、前記リード部の上面の少なくとも一部及び前記リード部の側壁面を粗化して粗面を
形成する粗面形成工程とを含み、前記粗面形成工程において、前記粗面のＣＩＥＬａｂ色
空間におけるａ＊値が１２～１９の範囲、ｂ＊値が１２～１７の範囲となるように粗化す
る、リードフレームの製造方法。
備工程と、前記金属基板を加工することにより複数のリード部を形成する金属基板加工工
程と、前記リード部の上面の少なくとも一部及び前記リード部の側壁面を粗化して粗面を
形成する粗面形成工程とを含み、前記粗面形成工程において、前記粗面のＣＩＥＬａｂ色
空間におけるａ＊値が１２～１９の範囲、ｂ＊値が１２～１７の範囲となるように粗化す
る、リードフレームの製造方法。
【0023】
［１０］第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する金属基板を準備する金属基板
準備工程と、前記金属基板を加工することにより複数のリード部を形成する金属基板加工
工程と、前記リード部の上面の少なくとも一部及び前記リード部の側壁面を粗化して粗面
を形成する粗面形成工程とを含み、前記粗面形成工程において、前記粗面の山頂点の算術
平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上となるように粗化する、リードフレームの製造方法
。
準備工程と、前記金属基板を加工することにより複数のリード部を形成する金属基板加工
工程と、前記リード部の上面の少なくとも一部及び前記リード部の側壁面を粗化して粗面
を形成する粗面形成工程とを含み、前記粗面形成工程において、前記粗面の山頂点の算術
平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上となるように粗化する、リードフレームの製造方法
。
【0024】
［１１］前記粗面形成工程において、前記粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ以上
となるように粗化する、［１０］に記載のリードフレームの製造方法。
となるように粗化する、［１０］に記載のリードフレームの製造方法。
【0025】
［１２］前記粗面形成工程後に、前記リード部にアルカリ処理を施す、［９］～［１１
］のいずれか１つに記載のリードフレームの製造方法。
］のいずれか１つに記載のリードフレームの製造方法。
【0026】
［１３］前記リード部の前記上面の一部に金属めっき層が設けられており、前記粗面形
成工程において、前記リード部における前記金属めっき層が設けられていない前記上面及
び前記側壁面を粗化する、［９］～［１２］のいずれか１つに記載のリードフレームの製
造方法。
成工程において、前記リード部における前記金属めっき層が設けられていない前記上面及
び前記側壁面を粗化する、［９］～［１２］のいずれか１つに記載のリードフレームの製
造方法。
【0027】
［１４］前記金属めっき層は、Ａｇめっき層、Ｎｉめっき層、Ｐｄめっき層、及びＡｕ
めっき層のうちの少なくとも１つを含む、［１３］に記載のリードフレームの製造方法。
めっき層のうちの少なくとも１つを含む、［１３］に記載のリードフレームの製造方法。
【0028】
［１５］前記金属基板加工工程において、前記リード部の下面側から薄肉化されたイン
ナーリード部を含む前記リード部を形成し、前記粗面形成工程において、前記インナーリ
ード部の下面に前記粗面を形成する、［９］～［１４］のいずれか１つに記載のリードフ
レームの製造方法。
ナーリード部を含む前記リード部を形成し、前記粗面形成工程において、前記インナーリ
ード部の下面に前記粗面を形成する、［９］～［１４］のいずれか１つに記載のリードフ
レームの製造方法。
【0029】
［１６］前記金属基板加工工程において、半導体素子を搭載するダイパッド部を、前記
ダイパッド部の周囲に前記複数のリード部が配置されるように形成し、前記粗面形成工程
において、前記ダイパッド部の上面及び前記ダイパッド部の側壁面、並びに前記リード部
の上面の少なくとも一部及び前記リード部の側壁面を粗化して前記粗面を形成する工程を
含む、［９］～［１５］のいずれか１つに記載のリードフレームの製造方法。
ダイパッド部の周囲に前記複数のリード部が配置されるように形成し、前記粗面形成工程
において、前記ダイパッド部の上面及び前記ダイパッド部の側壁面、並びに前記リード部
の上面の少なくとも一部及び前記リード部の側壁面を粗化して前記粗面を形成する工程を
含む、［９］～［１５］のいずれか１つに記載のリードフレームの製造方法。
【0030】
［１７］半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリー
ド部と、を備え、前記ダイパッドの表面又は前記リード部の表面に平滑面の領域が形成さ
れ、前記平滑面の領域の全周を取り囲むように粗面の領域が存在する、リードフレーム。
ド部と、を備え、前記ダイパッドの表面又は前記リード部の表面に平滑面の領域が形成さ
れ、前記平滑面の領域の全周を取り囲むように粗面の領域が存在する、リードフレーム。
【0031】
［１８］前記粗面の領域は、平面視で前記ダイパッドの周縁全域又は前記リード部の周
縁全域に沿って形成されている、［１７］に記載のリードフレーム。
縁全域に沿って形成されている、［１７］に記載のリードフレーム。
【0032】
［１９］前記リード部は、裏面側から薄肉化されたインナーリードを有し、前記インナ
ーリードの表面側にインナーリード表面が形成され、前記インナーリードの裏面側にイン
ナーリード裏面が形成され、前記インナーリードのうち前記ダイパッドを向く面にはイン
ナーリード先端面が形成され、前記リード部の裏面のうち薄肉化されていない部分には、
外部端子が形成され、前記インナーリード裏面と、前記インナーリード先端面とは、粗面
となっており、前記外部端子が平滑面となっている、［１７］又は［１８］に記載のリー
ドフレーム。
ーリードの表面側にインナーリード表面が形成され、前記インナーリードの裏面側にイン
ナーリード裏面が形成され、前記インナーリードのうち前記ダイパッドを向く面にはイン
ナーリード先端面が形成され、前記リード部の裏面のうち薄肉化されていない部分には、
外部端子が形成され、前記インナーリード裏面と、前記インナーリード先端面とは、粗面
となっており、前記外部端子が平滑面となっている、［１７］又は［１８］に記載のリー
ドフレーム。
【0033】
［２０］前記ダイパッドの裏面は平滑面となっており、前記ダイパッドの側面は粗面と
なっている、［１７］～［１９］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
なっている、［１７］～［１９］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0034】
［２１］前記平滑面の領域は、平面視で円形、楕円又は長円である、［１７］～［２０
］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0035】
［２２］前記平滑面の領域は、平面視で正方形又は長方形である、［１７］～［２０］
のいずれか１つに記載のリードフレーム。
のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0036】
［２３］前記平滑面の領域は、平面視で曲線と線分とを含む閉じた図形である、［１７
］～［２０］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
］～［２０］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0037】
［２４］前記平滑面の領域と、前記ダイパッド又は前記リード部の周縁との最短距離は
、０．０２５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である、［１７］～［２３］のいずれか１つに記載
のリードフレーム。
、０．０２５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である、［１７］～［２３］のいずれか１つに記載
のリードフレーム。
【0038】
［２５］前記粗面のＳ－ｒａｔｉｏは１．３０以上であり、前記平滑面のＳ－ｒａｔｉ
ｏは１．３０未満である、［１７］～［２４］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
ｏは１．３０未満である、［１７］～［２４］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0039】
［２６］リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基
板をエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリード
部とを形成する工程と、前記金属基板の一部にめっき層を形成する工程と、前記金属基板
のうち、前記めっき層に覆われていない部分に粗面を形成する工程と、前記めっき層を除
去する工程と、を備え、前記ダイパッドの表面又は前記リード部の表面に平滑面の領域が
形成され、前記平滑面の領域の全周を取り囲むように前記粗面の領域が存在する、リード
フレームの製造方法。
板をエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリード
部とを形成する工程と、前記金属基板の一部にめっき層を形成する工程と、前記金属基板
のうち、前記めっき層に覆われていない部分に粗面を形成する工程と、前記めっき層を除
去する工程と、を備え、前記ダイパッドの表面又は前記リード部の表面に平滑面の領域が
形成され、前記平滑面の領域の全周を取り囲むように前記粗面の領域が存在する、リード
フレームの製造方法。
【0040】
［２７］リードフレームの製造方法において、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に
位置するリード部とを有する金属基板を準備する工程と、前記金属基板のうち、表面の少
なくとも一部を除く外周に、めっき層を形成する工程と、前記金属基板の少なくとも裏面
に存在するめっき層を残し、他のめっき層を除去する工程と、前記金属基板のうち、前記
めっき層に覆われていない部分に粗面を形成する工程と、前記めっき層を除去する工程と
、を備えた、リードフレームの製造方法。
位置するリード部とを有する金属基板を準備する工程と、前記金属基板のうち、表面の少
なくとも一部を除く外周に、めっき層を形成する工程と、前記金属基板の少なくとも裏面
に存在するめっき層を残し、他のめっき層を除去する工程と、前記金属基板のうち、前記
めっき層に覆われていない部分に粗面を形成する工程と、前記めっき層を除去する工程と
、を備えた、リードフレームの製造方法。
【0041】
［２８］前記めっき層を形成する工程において、前記めっき層は、前記金属基板の表面
全域に形成されない、［２７］に記載のリードフレームの製造方法。
全域に形成されない、［２７］に記載のリードフレームの製造方法。
【0042】
［２９］前記めっき層を形成する工程において、前記めっき層は、前記リード部の表面
の一部に形成され、前記他のめっき層を除去する工程において、前記リード部の表面の一
部に存在する前記めっき層を残す、［２７］に記載のリードフレームの製造方法。
の一部に形成され、前記他のめっき層を除去する工程において、前記リード部の表面の一
部に存在する前記めっき層を残す、［２７］に記載のリードフレームの製造方法。
【0043】
［３０］前記めっき層を除去する工程の後、前記金属基板の表面の一部上に金属層を形
成する工程を更に備えた、［２９］に記載のリードフレームの製造方法。
成する工程を更に備えた、［２９］に記載のリードフレームの製造方法。
【0044】
［３１］前記粗面のＳ－ｒａｔｉｏは１．３０以上である、［２７］～［３０］のいず
れか１つに記載のリードフレームの製造方法。
れか１つに記載のリードフレームの製造方法。
【0045】
［３２］半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリー
ド部と、を備え、前記リード部は、裏面側から薄肉化されたインナーリードを有し、前記
インナーリードの表面側にインナーリード表面が形成され、前記インナーリードの裏面側
にインナーリード裏面が形成され、前記インナーリードのうち前記ダイパッドを向く面に
はインナーリード先端面が形成され、前記リード部の裏面のうち薄肉化されていない部分
には、外部端子が形成され、前記インナーリード表面の少なくとも一部と、前記インナー
リード裏面と、前記インナーリード先端面とは、粗面となっており、前記外部端子が平滑
面となっている、リードフレーム。
ド部と、を備え、前記リード部は、裏面側から薄肉化されたインナーリードを有し、前記
インナーリードの表面側にインナーリード表面が形成され、前記インナーリードの裏面側
にインナーリード裏面が形成され、前記インナーリードのうち前記ダイパッドを向く面に
はインナーリード先端面が形成され、前記リード部の裏面のうち薄肉化されていない部分
には、外部端子が形成され、前記インナーリード表面の少なくとも一部と、前記インナー
リード裏面と、前記インナーリード先端面とは、粗面となっており、前記外部端子が平滑
面となっている、リードフレーム。
【0046】
［３３］前記インナーリード表面の全体が粗面となっている、［３２］に記載のリード
フレーム。
フレーム。
【0047】
［３４］前記インナーリード表面上に金属層が形成され、前記インナーリード表面のう
ち金属層が形成される部分は平滑面となっている、［３２］に記載のリードフレーム。
ち金属層が形成される部分は平滑面となっている、［３２］に記載のリードフレーム。
【0048】
［３５］半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリー
ド部と、を備え、前記リード部は、裏面側から一部が薄肉化され、前記リード部の裏面の
うち、薄肉化されている部分は粗面となっており、薄肉化されていない部分は平滑面とな
っている、リードフレーム。
ド部と、を備え、前記リード部は、裏面側から一部が薄肉化され、前記リード部の裏面の
うち、薄肉化されている部分は粗面となっており、薄肉化されていない部分は平滑面とな
っている、リードフレーム。
【0049】
［３６］前記リード部の表面に金属層が位置し、前記リード部の表面のうち、前記金属
層の外側に隣接する第１表面部分は平滑面となっており、前記第１表面部分の外側に隣接
する第２表面部分は粗面となっている、［３５］に記載のリードフレーム。
層の外側に隣接する第１表面部分は平滑面となっており、前記第１表面部分の外側に隣接
する第２表面部分は粗面となっている、［３５］に記載のリードフレーム。
【0050】
［３７］前記リード部の表面に金属層が位置し、前記リード部の表面のうち、前記金属
層の外側に凹部が形成され、前記凹部の外側に隣接する第３表面部分は粗面となっており
、前記凹部の内面は平滑面となっている、［３５］に記載のリードフレーム。
層の外側に凹部が形成され、前記凹部の外側に隣接する第３表面部分は粗面となっており
、前記凹部の内面は平滑面となっている、［３５］に記載のリードフレーム。
【0051】
［３８］前記リード部の表面に金属層が位置し、前記リード部の表面のうち、前記金属
層の外側に凹部が形成され、前記凹部の外側に隣接する第３表面部分は粗面となっており
、前記凹部の内面は粗面となっている、［３５］に記載のリードフレーム。
層の外側に凹部が形成され、前記凹部の外側に隣接する第３表面部分は粗面となっており
、前記凹部の内面は粗面となっている、［３５］に記載のリードフレーム。
【0052】
［３９］前記ダイパッドの表面と裏面とはそれぞれ平滑面となっており、前記ダイパッ
ドの側面は粗面となっている、［３５］～［３８］のいずれか１つに記載のリードフレー
ム。
ドの側面は粗面となっている、［３５］～［３８］のいずれか１つに記載のリードフレー
ム。
【0053】
［４０］前記リード部は、裏面側から薄肉化されたインナーリードを有し、前記インナ
ーリードのうち前記ダイパッドを向く面にはインナーリード先端面が形成され、前記イン
ナーリード先端面は、粗面となっている、［３５］～［３９］のいずれか１つに記載のリ
ードフレーム。
ーリードのうち前記ダイパッドを向く面にはインナーリード先端面が形成され、前記イン
ナーリード先端面は、粗面となっている、［３５］～［３９］のいずれか１つに記載のリ
ードフレーム。
【0054】
［４１］前記粗面のＳ－ｒａｔｉｏは１．３０以上であり、前記平滑面のＳ－ｒａｔｉ
ｏは１．３０未満である、［３５］～［４０］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
ｏは１．３０未満である、［３５］～［４０］のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0055】
［４２］リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基
板をエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するととも
に、裏面側から一部が薄肉化されたリード部とを形成する工程と、前記金属基板の周囲に
めっき層を形成する工程と、粗面を形成する領域に存在する一部のめっき層を除去する工
程と、前記金属基板のうち、前記めっき層に覆われていない部分に粗面を形成する工程と
、前記めっき層を除去する工程と、を備え、前記リード部の裏面のうち、薄肉化されてい
る部分は粗面となり、薄肉化されていない部分は平滑面となる、リードフレームの製造方
法。
板をエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するととも
に、裏面側から一部が薄肉化されたリード部とを形成する工程と、前記金属基板の周囲に
めっき層を形成する工程と、粗面を形成する領域に存在する一部のめっき層を除去する工
程と、前記金属基板のうち、前記めっき層に覆われていない部分に粗面を形成する工程と
、前記めっき層を除去する工程と、を備え、前記リード部の裏面のうち、薄肉化されてい
る部分は粗面となり、薄肉化されていない部分は平滑面となる、リードフレームの製造方
法。
【0056】
［４３］半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリー
ド部と、を備え、前記ダイパッドの表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成され、前記
リード部の表面の少なくとも一部に第２の粗面が形成され、前記リード部の前記第２の粗
面の粗さは、前記ダイパッドの前記第１の粗面の粗さよりも粗い、リードフレーム。
ド部と、を備え、前記ダイパッドの表面の少なくとも一部に第１の粗面が形成され、前記
リード部の表面の少なくとも一部に第２の粗面が形成され、前記リード部の前記第２の粗
面の粗さは、前記ダイパッドの前記第１の粗面の粗さよりも粗い、リードフレーム。
【0057】
［４４］前記ダイパッドの側面に第３の粗面が形成され、前記ダイパッドの前記第３の
粗面の粗さは、前記ダイパッドの前記第１の粗面の粗さよりも粗い、［４３］に記載のリ
ードフレーム。
粗面の粗さは、前記ダイパッドの前記第１の粗面の粗さよりも粗い、［４３］に記載のリ
ードフレーム。
【0058】
［４５］前記リード部は、裏面側から薄肉化されたインナーリードを有し、前記インナ
ーリードの裏面側にインナーリード裏面が形成され、前記インナーリード裏面には、第４
の粗面が形成され、前記リード部の前記第４の粗面の粗さは、前記ダイパッドの前記第１
の粗面の粗さよりも粗い、［４３］又は［４４］に記載のリードフレーム。
ーリードの裏面側にインナーリード裏面が形成され、前記インナーリード裏面には、第４
の粗面が形成され、前記リード部の前記第４の粗面の粗さは、前記ダイパッドの前記第１
の粗面の粗さよりも粗い、［４３］又は［４４］に記載のリードフレーム。
【0059】
［４６］前記リード部は、裏面側から薄肉化されたインナーリードを有し、前記インナ
ーリードのうち前記ダイパッドを向く面にはインナーリード先端面が形成され、前記イン
ナーリード先端面には、第５の粗面が形成され、前記リード部の前記第５の粗面の粗さは
、前記ダイパッドの前記第１の粗面の粗さよりも粗い、［４３］～［４５］のいずれか１
つに記載のリードフレーム。
ーリードのうち前記ダイパッドを向く面にはインナーリード先端面が形成され、前記イン
ナーリード先端面には、第５の粗面が形成され、前記リード部の前記第５の粗面の粗さは
、前記ダイパッドの前記第１の粗面の粗さよりも粗い、［４３］～［４５］のいずれか１
つに記載のリードフレーム。
【0060】
［４７］前記リード部の表面には平滑面の領域が形成されている、［４３］～［４６］
のいずれか１つに記載のリードフレーム。
のいずれか１つに記載のリードフレーム。
【0061】
［４８］前記平滑面の領域に、金属層が形成されている、［４７］に記載のリードフレ
ーム。
ーム。
【0062】
［４９］前記平滑面の領域は、外方に露出する、［４７］に記載のリードフレーム。
【0063】
［５０］前記第１の粗面のＳ－ｒａｔｉｏは１．１０以上１．３０未満であり、前記第
２の粗面のＳ－ｒａｔｉｏは１．３０以上２．３０以下である、［４３］～［４９］のい
ずれか１つに記載のリードフレーム。
２の粗面のＳ－ｒａｔｉｏは１．３０以上２．３０以下である、［４３］～［４９］のい
ずれか１つに記載のリードフレーム。
【0064】
［５１］リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基
板をエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリード
部とを形成する工程と、前記ダイパッド及び前記リード部に被覆層を形成する工程と、前
記ダイパッドの表面の少なくとも一部に存在する前記被覆層を除去する工程と、前記ダイ
パッドのうち、前記被覆層に覆われていない部分に第１の粗面を形成する工程と、前記リ
ード部の表面の少なくとも一部に存在する前記被覆層を除去する工程と、前記リード部の
うち、前記被覆層に覆われていない部分に第２の粗面を形成する工程と、を備え、前記リ
ード部の前記第２の粗面の粗さは、前記ダイパッドの前記第１の粗面の粗さよりも粗い、
リードフレームの製造方法。
板をエッチングすることにより、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に位置するリード
部とを形成する工程と、前記ダイパッド及び前記リード部に被覆層を形成する工程と、前
記ダイパッドの表面の少なくとも一部に存在する前記被覆層を除去する工程と、前記ダイ
パッドのうち、前記被覆層に覆われていない部分に第１の粗面を形成する工程と、前記リ
ード部の表面の少なくとも一部に存在する前記被覆層を除去する工程と、前記リード部の
うち、前記被覆層に覆われていない部分に第２の粗面を形成する工程と、を備え、前記リ
ード部の前記第２の粗面の粗さは、前記ダイパッドの前記第１の粗面の粗さよりも粗い、
リードフレームの製造方法。
【0065】
本実施形態によれば、半導体素子の電極まで空気中の水分の浸入を抑制可能な半導体装
置を製造できる。
置を製造できる。
【0066】
本実施形態によれば、バンプとリードフレームと良好に接続させるとともに、半導体装
置の外周から半導体素子の電極に向けて水分が侵入することを抑制できる。
置の外周から半導体素子の電極に向けて水分が侵入することを抑制できる。
【0067】
本実施形態によれば、粗面が形成されたリードフレームを低コストで製造できる。
【0068】
本実施形態によれば、半導体装置の外周から半導体素子の電極に向けて水分が侵入する
ことを抑制できる。
ことを抑制できる。
【0069】
本実施形態によれば、ブリードアウトを抑制するとともに、半導体装置の外周から半導
体素子の電極に向けて水分が侵入することを抑制できる。
体素子の電極に向けて水分が侵入することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0070】
【発明を実施するための形態】
【0071】
（第１の実施形態）
以下、図１乃至図７Ｄを参照して第１の実施形態について説明する。以下、本開示の実
施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的または概念的なもので
あり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らない
。また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表され
る場合もある。また、本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各
部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合があ
る。
以下、図１乃至図７Ｄを参照して第１の実施形態について説明する。以下、本開示の実
施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面は模式的または概念的なもので
あり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らない
。また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表され
る場合もある。また、本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各
部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合があ
る。
【0072】
なお、本明細書等において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載さ
れる数値のそれぞれを下限値および上限値として含む範囲であることを意味する。また、
本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づ
いて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ
得るような部材をも含む概念である。
れる数値のそれぞれを下限値および上限値として含む範囲であることを意味する。また、
本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づ
いて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ
得るような部材をも含む概念である。
【0073】
［リードフレーム］
本開示のリードフレームの実施形態について説明する。本実施形態に係るリードフレー
ム１００は、半導体装置２００（図３及び図４参照）を作製するために用いられるもので
ある。リードフレーム１００は、複数のパッケージ領域１００Ａを備えている。複数のパ
ッケージ領域１００Ａは、多列及び多段（マトリックス状）に配置されている。なお、図
１においては、１つのパッケージ領域１００Ａを中心としたリードフレーム１００の一部
のみを示している。
本開示のリードフレームの実施形態について説明する。本実施形態に係るリードフレー
ム１００は、半導体装置２００（図３及び図４参照）を作製するために用いられるもので
ある。リードフレーム１００は、複数のパッケージ領域１００Ａを備えている。複数のパ
ッケージ領域１００Ａは、多列及び多段（マトリックス状）に配置されている。なお、図
１においては、１つのパッケージ領域１００Ａを中心としたリードフレーム１００の一部
のみを示している。
【0074】
パッケージ領域１００Ａは、後述する半導体装置２００に対応する領域であって、矩形
状の仮想線（図１に示す破線）によって取り囲まれる領域である（図１参照）。なお、本
実施形態において、リードフレーム１００として、複数のパッケージ領域１００Ａを含む
ものを例示しているが、この態様に限定されるものではなく、リードフレーム１００は、
１つのパッケージ領域１００Ａのみから構成されていてもよい。
状の仮想線（図１に示す破線）によって取り囲まれる領域である（図１参照）。なお、本
実施形態において、リードフレーム１００として、複数のパッケージ領域１００Ａを含む
ものを例示しているが、この態様に限定されるものではなく、リードフレーム１００は、
１つのパッケージ領域１００Ａのみから構成されていてもよい。
【0075】
本明細書等において、「内」、「内側」とは、各パッケージ領域１００Ａの中心方向に
向かう側のことをいい、「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１００Ａの中心から離
れる側（コネクティングバー１３０側）のことをいう。また、「上面」とは、半導体素子
２１０が搭載される側の面のことをいい、「下面」とは、「上面」の反対側の面であって
外部の実装基板（図示せず）に接続される面のことをいい、「側壁面」とは、「上面」と
「下面」との間に位置する面であって、リードフレーム１００（金属基板３１０）の厚み
を構成する面のことをいう。
向かう側のことをいい、「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１００Ａの中心から離
れる側（コネクティングバー１３０側）のことをいう。また、「上面」とは、半導体素子
２１０が搭載される側の面のことをいい、「下面」とは、「上面」の反対側の面であって
外部の実装基板（図示せず）に接続される面のことをいい、「側壁面」とは、「上面」と
「下面」との間に位置する面であって、リードフレーム１００（金属基板３１０）の厚み
を構成する面のことをいう。
【0076】
また、本明細書等において、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向
に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは
、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの３０％～７０％、好ましくは、４０％
～６０％となる。
に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは
、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの３０％～７０％、好ましくは、４０％
～６０％となる。
【0077】
図１及び図２に示すように、リードフレーム１００の各パッケージ領域１００Ａは、複
数のリード部１１０と、ダイパッド部１２０と、リード部１１０を連結するコネクティン
グバー１３０とを含む。リード部１１０は、インナーリード部１１１と端子部１１３とを
含んでいてもよい。インナーリード部１１１は、下面側から薄肉化された部分であり、各
パッケージ領域１００Ａにおいて内側（ダイパッド部１２０側）に位置する。端子部１１
３は、各パッケージ領域１００Ａにおいて外側（コネクティングバー１３０側）に位置す
る。インナーリード部１１１は、端子部１１３からダイパッド部１２０側に延びている。
インナーリード部１１１の上面側には内部端子が形成される。この内部端子は、後述する
ように接続部材２２０を介して半導体素子２１０に電気的に接続される領域である。内部
端子上には、接続部材２２０との密着性を向上させるために金属めっき層１１２が設けら
れている。
数のリード部１１０と、ダイパッド部１２０と、リード部１１０を連結するコネクティン
グバー１３０とを含む。リード部１１０は、インナーリード部１１１と端子部１１３とを
含んでいてもよい。インナーリード部１１１は、下面側から薄肉化された部分であり、各
パッケージ領域１００Ａにおいて内側（ダイパッド部１２０側）に位置する。端子部１１
３は、各パッケージ領域１００Ａにおいて外側（コネクティングバー１３０側）に位置す
る。インナーリード部１１１は、端子部１１３からダイパッド部１２０側に延びている。
インナーリード部１１１の上面側には内部端子が形成される。この内部端子は、後述する
ように接続部材２２０を介して半導体素子２１０に電気的に接続される領域である。内部
端子上には、接続部材２２０との密着性を向上させるために金属めっき層１１２が設けら
れている。
【0078】
各リード部１１０は、それぞれ後述するように接続部材２２０を介して半導体素子２１
０に接続されるものであり、ダイパッド部１２０との間に空間を介して配置される（図４
及び図５参照）。複数のリード部１１０は、コネクティングバー１３０の長手方向に沿っ
て互いに間隔を空けて配置されている。各リード部１１０は、それぞれコネクティングバ
ー１３０から延び出している。
０に接続されるものであり、ダイパッド部１２０との間に空間を介して配置される（図４
及び図５参照）。複数のリード部１１０は、コネクティングバー１３０の長手方向に沿っ
て互いに間隔を空けて配置されている。各リード部１１０は、それぞれコネクティングバ
ー１３０から延び出している。
【0079】
リード部１１０は、ダイパッド部１２０の周囲に沿って配置されている。リード部１１
０は、下面側から一部が薄肉化されている。この下面側から薄肉化されている部分がイン
ナーリード部１１１である。また、リード部１１０のうちの下面側から薄肉化されていな
い部分が端子部１１３であり、端子部１１３の下面には外部端子１５０が形成されている
。外部端子１５０は、外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される部分である。外
部端子１５０は、後述する半導体装置２００の外方に露出する部分である。
０は、下面側から一部が薄肉化されている。この下面側から薄肉化されている部分がイン
ナーリード部１１１である。また、リード部１１０のうちの下面側から薄肉化されていな
い部分が端子部１１３であり、端子部１１３の下面には外部端子１５０が形成されている
。外部端子１５０は、外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される部分である。外
部端子１５０は、後述する半導体装置２００の外方に露出する部分である。
【0080】
インナーリード部１１１は、下面側から例えばハーフエッチングにより薄肉化されてい
る。インナーリード部１１１は、インナーリード部上面１１１Ａと、当該インナーリード
部上面１１１Ａに対向するインナーリード部下面１１１Ｂと、インナーリード部側壁面と
を有する。インナーリード部上面１１１Ａは、リード部１１０の上面の一部である。イン
ナーリード側壁面は、ダイパッド部１２０側に向くダイパッド部対向面１１１Ｃと、隣り
合うリード部１１０において対向する面とを含む。インナーリード部下面１１１Ｂはリー
ド部１１０の下側に位置する。
る。インナーリード部１１１は、インナーリード部上面１１１Ａと、当該インナーリード
部上面１１１Ａに対向するインナーリード部下面１１１Ｂと、インナーリード部側壁面と
を有する。インナーリード部上面１１１Ａは、リード部１１０の上面の一部である。イン
ナーリード側壁面は、ダイパッド部１２０側に向くダイパッド部対向面１１１Ｃと、隣り
合うリード部１１０において対向する面とを含む。インナーリード部下面１１１Ｂはリー
ド部１１０の下側に位置する。
【0081】
端子部１１３は、コネクティングバー１３０側に位置する。端子部１１３はコネクティ
ングバー１３０に連結されている。端子部１１３の下面は上述した外部端子１５０を構成
する。端子部１１３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド部１２０と同一の
厚みを有している。なお、端子部１１３のうちのコネクティングバー１３０側に位置する
一部の下面側が薄肉化され、コネクティングバー１３０との接続部を構成していてもよい
。
ングバー１３０に連結されている。端子部１１３の下面は上述した外部端子１５０を構成
する。端子部１１３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド部１２０と同一の
厚みを有している。なお、端子部１１３のうちのコネクティングバー１３０側に位置する
一部の下面側が薄肉化され、コネクティングバー１３０との接続部を構成していてもよい
。
【0082】
リード部１１０の上面の少なくとも一部及び側壁面は、粗化された粗面であり、リード
部１１０（端子部１１３）の下面は、粗化されていない非粗化面である。インナーリード
部下面１１１Ｂは、粗化された粗面である。なお、図１等において、粗化された粗面は太
い破線で示されている。
部１１０（端子部１１３）の下面は、粗化されていない非粗化面である。インナーリード
部下面１１１Ｂは、粗化された粗面である。なお、図１等において、粗化された粗面は太
い破線で示されている。
【0083】
本実施形態において、単に「粗面」と称するとき、当該粗面とは、粗化された粗面、好
適には、マイクロエッチング等により粗化された粗面を意味するものとする。
適には、マイクロエッチング等により粗化された粗面を意味するものとする。
【0084】
リード部１１０の下面のうち、薄肉化されている部分は粗化された粗面となっている。
具体的には、インナーリード部下面１１１Ｂは、その全域が粗面となっている。一方で、
リード部１１０の下面のうち、薄肉化されていない部分は非粗化面となっている。具体的
には、端子部１１３は下面側から薄肉化されておらず、端子部１１３の下面側に位置する
外部端子１５０は、その全域が非粗化面になっている。ダイパッド部対向面１１１Ｃを含
むインナーリード部側壁面は、その全域が粗化された粗面となっている。
具体的には、インナーリード部下面１１１Ｂは、その全域が粗面となっている。一方で、
リード部１１０の下面のうち、薄肉化されていない部分は非粗化面となっている。具体的
には、端子部１１３は下面側から薄肉化されておらず、端子部１１３の下面側に位置する
外部端子１５０は、その全域が非粗化面になっている。ダイパッド部対向面１１１Ｃを含
むインナーリード部側壁面は、その全域が粗化された粗面となっている。
【0085】
リード部１１０（インナーリード部１１１）の上面のうち、ダイパッド部１２０側に位
置する一部の領域は非粗化面であればよく、その非粗化面には金属めっき層１１２が設け
られていてもよい。金属めっき層１１２は、例えば、電解めっき法により形成されたもの
であってもよい。金属めっき層１１２の厚みは、１μｍ～１０μｍの範囲であればよい。
金属めっき層１１２は、例えば、Ａｇめっき層、Ａｇ合金めっき層、Ａｕめっき層、Ａｕ
合金めっき層、Ｐｔめっき層、Ｃｕめっき層、Ｃｕ合金めっき層、Ｐｄめっき層、Ｎｉめ
っき層等であればよく、これらのうちの１つまたは複数を含んでいてもよい。金属めっき
層１１２は、Ａｇめっき層、Ｎｉめっき層、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層のうちの少なく
とも１つを含んでいることが好ましい。また、金属めっき層１１２を構成するものによっ
て、下地めっきが必要な場合は、下地めっきとして公知なものを適用すればよい。例えば
、Ｎｉめっき層やＣｕめっき層等を下地めっきとして使用できる。
置する一部の領域は非粗化面であればよく、その非粗化面には金属めっき層１１２が設け
られていてもよい。金属めっき層１１２は、例えば、電解めっき法により形成されたもの
であってもよい。金属めっき層１１２の厚みは、１μｍ～１０μｍの範囲であればよい。
金属めっき層１１２は、例えば、Ａｇめっき層、Ａｇ合金めっき層、Ａｕめっき層、Ａｕ
合金めっき層、Ｐｔめっき層、Ｃｕめっき層、Ｃｕ合金めっき層、Ｐｄめっき層、Ｎｉめ
っき層等であればよく、これらのうちの１つまたは複数を含んでいてもよい。金属めっき
層１１２は、Ａｇめっき層、Ｎｉめっき層、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層のうちの少なく
とも１つを含んでいることが好ましい。また、金属めっき層１１２を構成するものによっ
て、下地めっきが必要な場合は、下地めっきとして公知なものを適用すればよい。例えば
、Ｎｉめっき層やＣｕめっき層等を下地めっきとして使用できる。
【0086】
ダイパッド部１２０の上面には、後述するように半導体素子２１０が搭載される。また
、ダイパッド部１２０の周囲には、複数のリード部１１０が配置されていればよい。ダイ
パッド部１２０の上面及び側壁面は、粗化された粗面であり、ダイパッド部１２０の下面
は、粗化されていない非粗化面であればよい（図２参照）。
、ダイパッド部１２０の周囲には、複数のリード部１１０が配置されていればよい。ダイ
パッド部１２０の上面及び側壁面は、粗化された粗面であり、ダイパッド部１２０の下面
は、粗化されていない非粗化面であればよい（図２参照）。
【0087】
ダイパッド部１２０の上面は、後述するようにダイアタッチペースト等の接着剤２４０
を介して半導体素子２１０に接合される領域（内部端子）である。ダイパッド部１２０の
下面は、例えばハーフエッチングにより薄肉化されることなく、後述する加工前の金属基
板３１０と同様に粗化されていない非粗化面となっている。ダイパッド部１２０の下面は
、後述する半導体装置２００において外方に露出される。
を介して半導体素子２１０に接合される領域（内部端子）である。ダイパッド部１２０の
下面は、例えばハーフエッチングにより薄肉化されることなく、後述する加工前の金属基
板３１０と同様に粗化されていない非粗化面となっている。ダイパッド部１２０の下面は
、後述する半導体装置２００において外方に露出される。
【0088】
各パッケージ領域１００Ａ同士は、コネクティングバー１３０を介して互いに連結され
ており、コネクティングバー１３０は、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。
なお、Ｘ方向及びＹ方向とは、リードフレーム１００の面内において、パッケージ領域１
００Ａの各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。
ており、コネクティングバー１３０は、Ｘ方向及びＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。
なお、Ｘ方向及びＹ方向とは、リードフレーム１００の面内において、パッケージ領域１
００Ａの各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。
【0089】
各コネクティングバー１３０は、パッケージ領域１００Ａの周囲であって、パッケージ
領域１００Ａよりも外側に配置されている。各コネクティングバー１３０は、平面視で細
長い棒形状を有している。各コネクティングバー１３０の幅Ｗ（コネクティングバー１３
０の長手方向に直交する方向の距離）は、特に限定されるものではないが、例えば、９５
μｍ～２５０μｍの範囲で適宜設定され得る。各コネクティングバー１３０には、複数の
リード部１１０がコネクティングバー１３０の長手方向に沿って所定の間隔を空けて連結
されており、ダイパッド部１２０は、吊りリード１４０を介してコネクティングバー１３
０に支持されている。なお、本実施形態におけるコネクティングバー１３０は、薄肉化さ
れていないが、この態様に限定されるものではない。例えば、コネクティングバー１３０
は、その下面側からハーフエッチングにより薄肉化されていてもよい。この場合のコネク
ティングバー１３０の厚みは、半導体装置２００の構成等を考慮して設定できる。コネク
ティングバー１３０の厚みは、例えば、８０μｍ～２００μｍの範囲で適宜設定され得る
。
領域１００Ａよりも外側に配置されている。各コネクティングバー１３０は、平面視で細
長い棒形状を有している。各コネクティングバー１３０の幅Ｗ（コネクティングバー１３
０の長手方向に直交する方向の距離）は、特に限定されるものではないが、例えば、９５
μｍ～２５０μｍの範囲で適宜設定され得る。各コネクティングバー１３０には、複数の
リード部１１０がコネクティングバー１３０の長手方向に沿って所定の間隔を空けて連結
されており、ダイパッド部１２０は、吊りリード１４０を介してコネクティングバー１３
０に支持されている。なお、本実施形態におけるコネクティングバー１３０は、薄肉化さ
れていないが、この態様に限定されるものではない。例えば、コネクティングバー１３０
は、その下面側からハーフエッチングにより薄肉化されていてもよい。この場合のコネク
ティングバー１３０の厚みは、半導体装置２００の構成等を考慮して設定できる。コネク
ティングバー１３０の厚みは、例えば、８０μｍ～２００μｍの範囲で適宜設定され得る
。
【0090】
本実施形態に係るリードフレーム１００は、後述する封止部２３０を備える半導体装置
２００を製造するために用いられるものであって、封止部２３０と接触するリード部１１
０の上面及びリード部１１０の側壁面は粗化された粗面であってもよい。また、パッケー
ジ領域１００Ａよりも外側に位置するリード部１１０の上面及びリード部１１０の側壁面
、並びにコネクティングバー１３０は粗化された粗面であってもよいし、粗化されていな
い非粗化面であってもよい。なお、リードフレーム１００を用いて半導体装置２００を製
造する際に、コネクティングバー１３０に沿ってダイシングされる。このとき、各々のパ
ッケージ領域１００Ａを個別にモールドしてダイシングすると、コネクティングバー１３
０の上面が粗化された粗面であるとリードフレーム１００をダイシングする際に異物が発
生するおそれがある。そのため、コネクティングバー１３０の上面を粗化されていない非
粗化面とすることで、半導体装置２００を製造する際において、異物の発生を抑制できる
。
２００を製造するために用いられるものであって、封止部２３０と接触するリード部１１
０の上面及びリード部１１０の側壁面は粗化された粗面であってもよい。また、パッケー
ジ領域１００Ａよりも外側に位置するリード部１１０の上面及びリード部１１０の側壁面
、並びにコネクティングバー１３０は粗化された粗面であってもよいし、粗化されていな
い非粗化面であってもよい。なお、リードフレーム１００を用いて半導体装置２００を製
造する際に、コネクティングバー１３０に沿ってダイシングされる。このとき、各々のパ
ッケージ領域１００Ａを個別にモールドしてダイシングすると、コネクティングバー１３
０の上面が粗化された粗面であるとリードフレーム１００をダイシングする際に異物が発
生するおそれがある。そのため、コネクティングバー１３０の上面を粗化されていない非
粗化面とすることで、半導体装置２００を製造する際において、異物の発生を抑制できる
。
【0091】
本実施形態に係るリードフレーム１００の粗面において、ＣＩＥＬａｂ色空間のうちの
ａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲であり、好ましくはａ＊値
が１３～１８の範囲であり、ｂ＊値が１２～１６の範囲である。後述する実施例から明ら
かなように、本実施形態に係るリードフレーム１００における粗面のＣＩＥＬａｂ色空間
のうちのａ＊値及びｂ＊値が所定の範囲であると、表面積比が高くなることになる。この
ため、当該リードフレーム１００を用いて製造され得る半導体装置において、モールド樹
脂との密着強度が上がる。これにより、半導体素子の電極まで空気中の水分が浸入するの
を抑制できる。すなわち、本実施形態に係るリードフレーム１００における粗面のＣＩＥ
Ｌａｂ色空間のうちのａ＊値及びｂ＊値が上記範囲であることで、半導体素子の電極まで
空気中の水分が浸入するのを抑制可能な半導体装置を製造できる。なお、本実施形態にお
いて、ＣＩＥＬａｂ色空間のａ＊値及びｂ＊値は、分光濃度・測色計eXact（X-rite社製
）を用いて測定される。
ａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲であり、好ましくはａ＊値
が１３～１８の範囲であり、ｂ＊値が１２～１６の範囲である。後述する実施例から明ら
かなように、本実施形態に係るリードフレーム１００における粗面のＣＩＥＬａｂ色空間
のうちのａ＊値及びｂ＊値が所定の範囲であると、表面積比が高くなることになる。この
ため、当該リードフレーム１００を用いて製造され得る半導体装置において、モールド樹
脂との密着強度が上がる。これにより、半導体素子の電極まで空気中の水分が浸入するの
を抑制できる。すなわち、本実施形態に係るリードフレーム１００における粗面のＣＩＥ
Ｌａｂ色空間のうちのａ＊値及びｂ＊値が上記範囲であることで、半導体素子の電極まで
空気中の水分が浸入するのを抑制可能な半導体装置を製造できる。なお、本実施形態にお
いて、ＣＩＥＬａｂ色空間のａ＊値及びｂ＊値は、分光濃度・測色計eXact（X-rite社製
）を用いて測定される。
【0092】
ここで、ＣＩＥＬａｂ色空間（Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間）について説明する。Ｌ＊ａ＊ｂ＊
色空間は、ＣＩＥが推薦するＣＩＥＬａｂという色度図である。Ｌ＊が明度を表し、ａ＊
が赤／マゼンタまたは緑の度合いを表し、ｂ＊が黄または青の度合いを表す。ａ＊の値が
マイナス側へ向かうほど緑色に近づき、プラス側へ向かうほど赤色に近づく。また、ｂ＊
の値がマイナス側へ向かうほど青色に近づき、プラス側へ向かうほど黄色に近づく。Ｌ＊
の値が１００の時は白色を示し（全反射）、Ｌ＊の値が０の時は黒色を示す（全吸収）。
そしてこれら３つの値の中心が中間色（灰色）となる。すなわち、Ｌ＊軸方向の移動は明
度の変化を示し、ａ＊ｂ＊平面上の移動は、色相の変化を示す。なお、Ｌ＊ａ＊ｂ＊空間
上の距離は色の近さに対応しており、距離が近いほど色が近いということができる。本実
施形態に係るリードフレーム１００の粗面においては、ＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊
値は赤／マゼンタと緑との間に、ｂ＊値は黄色と青との間に上記所定の範囲が相当すると
いうことができる。
色空間は、ＣＩＥが推薦するＣＩＥＬａｂという色度図である。Ｌ＊が明度を表し、ａ＊
が赤／マゼンタまたは緑の度合いを表し、ｂ＊が黄または青の度合いを表す。ａ＊の値が
マイナス側へ向かうほど緑色に近づき、プラス側へ向かうほど赤色に近づく。また、ｂ＊
の値がマイナス側へ向かうほど青色に近づき、プラス側へ向かうほど黄色に近づく。Ｌ＊
の値が１００の時は白色を示し（全反射）、Ｌ＊の値が０の時は黒色を示す（全吸収）。
そしてこれら３つの値の中心が中間色（灰色）となる。すなわち、Ｌ＊軸方向の移動は明
度の変化を示し、ａ＊ｂ＊平面上の移動は、色相の変化を示す。なお、Ｌ＊ａ＊ｂ＊空間
上の距離は色の近さに対応しており、距離が近いほど色が近いということができる。本実
施形態に係るリードフレーム１００の粗面においては、ＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊
値は赤／マゼンタと緑との間に、ｂ＊値は黄色と青との間に上記所定の範囲が相当すると
いうことができる。
【0093】
また、本実施形態に係るリードフレーム１００において、粗面の山頂点の算術平均曲率
Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、好ましくは１０００ｍｍ－１～５０００ｍｍ－１で
あり、より好ましくは２０００ｍｍ－１～４０００ｍｍ－１である。後述する実施例から
明らかなように、本実施形態に係るリードフレーム１００における粗面の山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが所定の範囲であると、被接触体に対して接触する点が尖っていることを示
している。この場合、当該リードフレーム１００を用いて製造される半導体装置において
、モールド樹脂との密着強度が上がることとなり、半導体素子の電極まで空気中の水分が
浸入するのを抑制できる。すなわち、本実施形態に係るリードフレーム１００における粗
面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが上記範囲であることで、半導体素子の電極まで空気中
の水分が浸入するのを抑制可能な半導体装置を製造できる。さらに粗面の算術平均高さＳ
ａが０．１２μｍ以上であることが好ましく、０．１２μｍ～０．３４μｍの範囲である
ことがより好ましい。粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、
粗面の算術平均高さＳａが所定の範囲であることで、半導体素子の電極まで空気中の水分
が浸入するのを効果的に抑制可能な半導体装置を製造できる。なお、山頂点の算術平均曲
率Ｓｐｃとは物体に存在する山頂点の主曲率の平均を表し、山頂点が尖っているほど、山
頂点の算術平均曲率Ｓｐｃの値が大きくなる。また、算術平均高さＳａは、線の算術平均
高さＲａを三次元すなわち面に拡張したパラメータであり、表面の平均面に対して、各点
の高さの差の絶対値の平均を表す数値である。なお、本実施形態において、山頂点の算術
平均曲率Ｓｐｃ及び算術平均高さＳａは、レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２６０（キーエンス社
製、測定部）、レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２５０（キーエンス社製、コントローラー部）を
用いて測定される。
Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、好ましくは１０００ｍｍ－１～５０００ｍｍ－１で
あり、より好ましくは２０００ｍｍ－１～４０００ｍｍ－１である。後述する実施例から
明らかなように、本実施形態に係るリードフレーム１００における粗面の山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが所定の範囲であると、被接触体に対して接触する点が尖っていることを示
している。この場合、当該リードフレーム１００を用いて製造される半導体装置において
、モールド樹脂との密着強度が上がることとなり、半導体素子の電極まで空気中の水分が
浸入するのを抑制できる。すなわち、本実施形態に係るリードフレーム１００における粗
面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが上記範囲であることで、半導体素子の電極まで空気中
の水分が浸入するのを抑制可能な半導体装置を製造できる。さらに粗面の算術平均高さＳ
ａが０．１２μｍ以上であることが好ましく、０．１２μｍ～０．３４μｍの範囲である
ことがより好ましい。粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、
粗面の算術平均高さＳａが所定の範囲であることで、半導体素子の電極まで空気中の水分
が浸入するのを効果的に抑制可能な半導体装置を製造できる。なお、山頂点の算術平均曲
率Ｓｐｃとは物体に存在する山頂点の主曲率の平均を表し、山頂点が尖っているほど、山
頂点の算術平均曲率Ｓｐｃの値が大きくなる。また、算術平均高さＳａは、線の算術平均
高さＲａを三次元すなわち面に拡張したパラメータであり、表面の平均面に対して、各点
の高さの差の絶対値の平均を表す数値である。なお、本実施形態において、山頂点の算術
平均曲率Ｓｐｃ及び算術平均高さＳａは、レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２６０（キーエンス社
製、測定部）、レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２５０（キーエンス社製、コントローラー部）を
用いて測定される。
【0094】
一般に、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプの半導体装置に使われるリー
ドフレームは、近年、半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような
半導体装置においては、外周から半導体素子の電極までの距離であって、外気（空気）に
含まれる水分が浸入可能な経路が短くなりやすく、半導体素子の電極まで空気中の水分が
浸入し、半導体装置が故障するおそれがある。
ドフレームは、近年、半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような
半導体装置においては、外周から半導体素子の電極までの距離であって、外気（空気）に
含まれる水分が浸入可能な経路が短くなりやすく、半導体素子の電極まで空気中の水分が
浸入し、半導体装置が故障するおそれがある。
【0095】
そこで、本発明者らは、半導体装置に用いられるリードフレームでは、リードフレーム
の粗化された粗面の状態が重要であると気付いた。また半導体装置に対して要求される信
頼性の観点では、粗面の状態を示す指標としてＣＩＥＬａｂ色空間または山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃ及び算術平均高さＳａに着目すべきことに気付いた。そして、ＣＩＥＬａｂ
色空間のうちのａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲である場合
、または、粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、粗面の算術
平均高さＳａが０．１２μｍ以上である場合に、半導体装置に対して要求される信頼性の
高いリードフレームが得られることに気付くことによって、本発明を完成させた。
の粗化された粗面の状態が重要であると気付いた。また半導体装置に対して要求される信
頼性の観点では、粗面の状態を示す指標としてＣＩＥＬａｂ色空間または山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃ及び算術平均高さＳａに着目すべきことに気付いた。そして、ＣＩＥＬａｂ
色空間のうちのａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲である場合
、または、粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、粗面の算術
平均高さＳａが０．１２μｍ以上である場合に、半導体装置に対して要求される信頼性の
高いリードフレームが得られることに気付くことによって、本発明を完成させた。
【0096】
本実施形態に係る粗面は、例えば、後述する金属基板３１０をマイクロエッチング液で
粗面化処理をすることによって形成されていてもよい。なお、本実施形態において使用さ
れ得るマイクロエッチング液としては、硫酸又は塩酸を主成分として含有するもの、過酸
化水素と硫酸を主成分として含有するもの等が挙げられる。
粗面化処理をすることによって形成されていてもよい。なお、本実施形態において使用さ
れ得るマイクロエッチング液としては、硫酸又は塩酸を主成分として含有するもの、過酸
化水素と硫酸を主成分として含有するもの等が挙げられる。
【0097】
本実施形態における粗面は、ＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１２～１９の範囲で
あり、ｂ＊値が１２～１７の範囲である。また、粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７
００ｍｍ－１以上であり、粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ以上である。このよう
な所定の範囲の粗面を有することで、半導体素子の電極まで空気中の水分が浸入するのを
抑制可能な半導体装置を製造できる。
あり、ｂ＊値が１２～１７の範囲である。また、粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７
００ｍｍ－１以上であり、粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ以上である。このよう
な所定の範囲の粗面を有することで、半導体素子の電極まで空気中の水分が浸入するのを
抑制可能な半導体装置を製造できる。
【0098】
以上説明したリードフレーム１００は、銅、銅合金、またはＮｉ合金等の金属から構成
されている。なお、リードフレーム１００の厚みは、半導体装置２００の構成等を考慮し
て設定できるが、リードフレーム１００の厚みは、例えば、８０μｍ～３００μｍの範囲
で適宜設定され得る。
されている。なお、リードフレーム１００の厚みは、半導体装置２００の構成等を考慮し
て設定できるが、リードフレーム１００の厚みは、例えば、８０μｍ～３００μｍの範囲
で適宜設定され得る。
【0099】
本実施形態におけるリード部１１０は、パッケージ領域１００Ａの４辺全てに沿って配
置されているが、これに限定されるものではなく、例えば、パッケージ領域１００Ａの対
向する２辺のみに沿って配置されていてもよい。
置されているが、これに限定されるものではなく、例えば、パッケージ領域１００Ａの対
向する２辺のみに沿って配置されていてもよい。
【0100】
図１及び図２に示すリードフレーム１００は、ダイパッド部１２０を備えている態様で
説明をしたが、これに限定されるものではなく、ダイパッド部１２０を備えていなくても
よく、例えば、各リード部１１０は、後述するように接続部材２２０としてバンプを介し
て半導体素子２１０に接続されるものであってもよい（図５参照）。
説明をしたが、これに限定されるものではなく、ダイパッド部１２０を備えていなくても
よく、例えば、各リード部１１０は、後述するように接続部材２２０としてバンプを介し
て半導体素子２１０に接続されるものであってもよい（図５参照）。
【0101】
［半導体装置］
本開示の半導体装置の実施形態について説明する。図３及び図４に示すように、半導体
装置２００は、複数のリード部１１０と、ダイパッド部１２０と、半導体素子２１０と、
接続部材２２０と、封止部２３０とを備えている。
本開示の半導体装置の実施形態について説明する。図３及び図４に示すように、半導体
装置２００は、複数のリード部１１０と、ダイパッド部１２０と、半導体素子２１０と、
接続部材２２０と、封止部２３０とを備えている。
【0102】
本実施形態における半導体装置２００は、上述したリードフレーム１００を用いて製造
されるものである。したがって、半導体装置２００におけるリード部１１０及びダイパッ
ド部１２０は、上述したリードフレーム１００に備えられるものである。そのため、リー
ド部１１０の上面のうち金属めっき層１１２よりも外側（ダイパッド部１２０から遠い側
）の上面及びリード部１１０の側壁面は粗化された粗面である。また、ダイパッド部１２
０の上面及びダイパッド部１２０の側壁面も粗化された粗面である。なお、図４に示すよ
うに、リード部１１０は、リード部１１０の下面側から薄肉化されたインナーリード部１
１１を含み、インナーリード部下面１１１Ｂは粗面である。インナーリード部下面１１１
Ｂには封止部２３０が密着している。リード部１１０の端子部１１３は、下面側から薄肉
化されていない。端子部１１３の下面に位置する外部端子１５０は非粗化面となっている
。外部端子１５０は、封止部２３０から露出している。
されるものである。したがって、半導体装置２００におけるリード部１１０及びダイパッ
ド部１２０は、上述したリードフレーム１００に備えられるものである。そのため、リー
ド部１１０の上面のうち金属めっき層１１２よりも外側（ダイパッド部１２０から遠い側
）の上面及びリード部１１０の側壁面は粗化された粗面である。また、ダイパッド部１２
０の上面及びダイパッド部１２０の側壁面も粗化された粗面である。なお、図４に示すよ
うに、リード部１１０は、リード部１１０の下面側から薄肉化されたインナーリード部１
１１を含み、インナーリード部下面１１１Ｂは粗面である。インナーリード部下面１１１
Ｂには封止部２３０が密着している。リード部１１０の端子部１１３は、下面側から薄肉
化されていない。端子部１１３の下面に位置する外部端子１５０は非粗化面となっている
。外部端子１５０は、封止部２３０から露出している。
【0103】
上記粗面におけるＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊
値が１２～１７の範囲である。粗面のＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値及びｂ＊値が上
記範囲であることで、半導体素子２１０の電極まで空気中の水分が浸入するのを抑制でき
る。
値が１２～１７の範囲である。粗面のＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値及びｂ＊値が上
記範囲であることで、半導体素子２１０の電極まで空気中の水分が浸入するのを抑制でき
る。
【0104】
また、上記粗面における山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上である。山
頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であることで、半導体素子２１０の電極
まで空気中の水分が浸入するのを抑制できる。さらに上記粗面の算術平均高さＳａが０．
１２μｍ以上であることが好ましく、０．１２μｍ～０．３４μｍの範囲であることがよ
り好ましい。粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、粗面の算
術平均高さＳａが所定の範囲であることで、半導体素子２１０の電極まで空気中の水分が
浸入するのをより効果的に抑制できる。
頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であることで、半導体素子２１０の電極
まで空気中の水分が浸入するのを抑制できる。さらに上記粗面の算術平均高さＳａが０．
１２μｍ以上であることが好ましく、０．１２μｍ～０．３４μｍの範囲であることがよ
り好ましい。粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、粗面の算
術平均高さＳａが所定の範囲であることで、半導体素子２１０の電極まで空気中の水分が
浸入するのをより効果的に抑制できる。
【0105】
半導体素子２１０は、従来一般的に用いられている各種半導体素子を使用可能であり、
特に限定されるものではないが、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サ
イリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１０は、各々接続部材
２２０が取り付けられる複数の電極２１０Ａを有している。
特に限定されるものではないが、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サ
イリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１０は、各々接続部材
２２０が取り付けられる複数の電極２１０Ａを有している。
【0106】
各接続部材２２０は、例えば、銅や金等の導電性の良い金属材料からなり、各接続部材
２２０は、その一端が半導体素子２１０の電極２１０Ａに、その他端は各リード部１１０
上に位置する金属めっき層１１２にそれぞれ電気的に接続されている。なお、接続部材２
２０として用いられるものとして、ボンディングワイヤやバンプ等の導電体等が挙げられ
る。
２２０は、その一端が半導体素子２１０の電極２１０Ａに、その他端は各リード部１１０
上に位置する金属めっき層１１２にそれぞれ電気的に接続されている。なお、接続部材２
２０として用いられるものとして、ボンディングワイヤやバンプ等の導電体等が挙げられ
る。
【0107】
封止部２３０は、リード部１１０と、ダイパッド部１２０と、半導体素子２１０と、接
続部材２２０とを少なくとも封止する。封止部２３０は、例えば、シリコーン樹脂やエポ
キシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂等の樹脂から構成されていても
よい。なお、封止部２３０全体の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、３０
０μｍ～１５００μｍ程度の範囲で適宜設定され得る。また、半導体装置２００の平面視
において、封止部２３０の一辺（半導体装置２００の一辺）の長さは、特に限定されるも
のではないが、例えば、０．２ｍｍ～２０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。
続部材２２０とを少なくとも封止する。封止部２３０は、例えば、シリコーン樹脂やエポ
キシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂等の樹脂から構成されていても
よい。なお、封止部２３０全体の厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、３０
０μｍ～１５００μｍ程度の範囲で適宜設定され得る。また、半導体装置２００の平面視
において、封止部２３０の一辺（半導体装置２００の一辺）の長さは、特に限定されるも
のではないが、例えば、０．２ｍｍ～２０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。
【0108】
図３及び図４に示す半導体装置２００は、ダイパッド部１２０を備えている態様で説明
をしたが、これに限定されるものではなく、ダイパッド部１２０を備えていなくてもよく
、例えば、各リード部１１０は、接続部材２２０としてバンプを介して半導体素子２１０
の電極２１０Ａに接続されていてもよい（図５参照）。
をしたが、これに限定されるものではなく、ダイパッド部１２０を備えていなくてもよく
、例えば、各リード部１１０は、接続部材２２０としてバンプを介して半導体素子２１０
の電極２１０Ａに接続されていてもよい（図５参照）。
【0109】
【0110】
＜金属基板準備工程＞
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、第１面３１０Ａ及び当該第１面３１０Ａに対向する第
２面３１０Ｂを有する金属基板３１０を準備する（図６Ａ参照）。なお、本実施形態で使
用できる金属基板３１０としては、純銅基板、銅合金基板、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ
合金）基板等が挙げられるが、純銅基板または銅合金基板であることが好ましい。また、
金属基板３１０は、第１面３１０Ａ及び第２面３１０Ｂに対して脱脂を行い、洗浄処理を
施したものを使用してもよい。
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、第１面３１０Ａ及び当該第１面３１０Ａに対向する第
２面３１０Ｂを有する金属基板３１０を準備する（図６Ａ参照）。なお、本実施形態で使
用できる金属基板３１０としては、純銅基板、銅合金基板、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ
合金）基板等が挙げられるが、純銅基板または銅合金基板であることが好ましい。また、
金属基板３１０は、第１面３１０Ａ及び第２面３１０Ｂに対して脱脂を行い、洗浄処理を
施したものを使用してもよい。
【0111】
＜金属基板加工工程＞
次に、金属基板３１０の第１面３１０Ａ及び第２面３１０Ｂにそれぞれ感光性レジスト
３２０を塗布し、これを乾燥させる（図６Ｂ参照）。なお、本実施形態で使用できる感光
性レジスト３２０としては、従来公知のものを使用できる。
次に、金属基板３１０の第１面３１０Ａ及び第２面３１０Ｂにそれぞれ感光性レジスト
３２０を塗布し、これを乾燥させる（図６Ｂ参照）。なお、本実施形態で使用できる感光
性レジスト３２０としては、従来公知のものを使用できる。
【0112】
続いて、この金属基板３１０に対してフォトマスクを介して露光し現像することにより
、所望の開口部３３０を有するレジスト層３４０を形成する（図６Ｃ参照）。
、所望の開口部３３０を有するレジスト層３４０を形成する（図６Ｃ参照）。
【0113】
次に、レジスト層３４０を耐腐蝕膜として金属基板３１０に腐蝕液でエッチングを施す
（図６Ｄ参照）。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１０の材質に応じて適宜選択でき
る。例えば、金属基板３１０として純銅基板を用いる場合、通常、腐蝕液として塩化第二
鉄水溶液を用い、金属基板３１０の第１面３１０Ａ及び第２面３１０Ｂの両面にスプレー
エッチングを行ってもよい。これにより、リード部１１０、ダイパッド部１２０及びコネ
クティングバー１３０の外形が形成される。このとき、ハーフエッチングによりリード部
１１０の一部の下面が薄肉化され、インナーリード部１１１及び端子部１１３が形成され
てもよい。
（図６Ｄ参照）。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１０の材質に応じて適宜選択でき
る。例えば、金属基板３１０として純銅基板を用いる場合、通常、腐蝕液として塩化第二
鉄水溶液を用い、金属基板３１０の第１面３１０Ａ及び第２面３１０Ｂの両面にスプレー
エッチングを行ってもよい。これにより、リード部１１０、ダイパッド部１２０及びコネ
クティングバー１３０の外形が形成される。このとき、ハーフエッチングによりリード部
１１０の一部の下面が薄肉化され、インナーリード部１１１及び端子部１１３が形成され
てもよい。
【0114】
次いで、レジスト層３４０を剥離除去し、エッチングされた金属基板３１０の表面に被
覆層３５０を形成する（図６Ｅ参照）。これにより、リード部１１０、ダイパッド部１２
０及びコネクティングバー１３０の全周に被覆層３５０が形成される。被覆層３５０の厚
みは、特に限定されるものではないが、例えば０μｍ超２μｍ以下の厚さであればよい。
また、被覆層３５０を形成する金属としては、特に限定されるものではないが、例えば、
銀を用いてもよい。被覆層３５０が銀めっき層からなる場合、電解めっき用めっき液とし
ては、シアン化銀及びシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる
。なお、リード部１１０（端子部１１３）の下面の外部端子１５０及びダイパッド部１２
０の下面には被覆層３５０を形成しないようにするのが好ましい。リード部１１０（端子
部１１３）の下面の外部端子１５０及びダイパッド部１２０の下面に被覆層３５０を形成
しないようにするために、例えば、リード部１１０（端子部１１３）の下面の外部端子１
５０及びダイパッド部１２０の下面にレジスト層４００を形成することで被覆層３５０の
形成を回避してもよい（図６Ｅ参照）。
覆層３５０を形成する（図６Ｅ参照）。これにより、リード部１１０、ダイパッド部１２
０及びコネクティングバー１３０の全周に被覆層３５０が形成される。被覆層３５０の厚
みは、特に限定されるものではないが、例えば０μｍ超２μｍ以下の厚さであればよい。
また、被覆層３５０を形成する金属としては、特に限定されるものではないが、例えば、
銀を用いてもよい。被覆層３５０が銀めっき層からなる場合、電解めっき用めっき液とし
ては、シアン化銀及びシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる
。なお、リード部１１０（端子部１１３）の下面の外部端子１５０及びダイパッド部１２
０の下面には被覆層３５０を形成しないようにするのが好ましい。リード部１１０（端子
部１１３）の下面の外部端子１５０及びダイパッド部１２０の下面に被覆層３５０を形成
しないようにするために、例えば、リード部１１０（端子部１１３）の下面の外部端子１
５０及びダイパッド部１２０の下面にレジスト層４００を形成することで被覆層３５０の
形成を回避してもよい（図６Ｅ参照）。
【0115】
続いて、粗面を形成する領域に存在する被覆層３５０を除去する。具体的には、リード
部１１０の上面のうち金属めっき層１１２が設けられる領域以外の上面、リード部１１０
の側壁面、インナーリード部１１１の下面、ダイパッド部１２０の上面及びダイパッド部
１２０の側壁面に形成されている被覆層３５０が除去される（図６Ｆ参照）。この間、図
６Ｆに示すように、金属基板３１０の第１面３１０Ａ及び第２面３１０Ｂにそれぞれゴム
パッキン等の弾性部材４１０を配置し、弾性部材４１０を介して金属基板３１０を治具４
２０によって挟む。次いで、弾性部材４１０に覆われていない部分の被覆層３５０を剥離
除去する。これにより、リード部１１０の上面のうち金属めっき層１１２が設けられる領
域以外の上面、リード部１１０の側壁面、インナーリード部１１１の下面、ダイパッド部
１２０の上面及びダイパッド部１２０の側壁面が露出する。一方、弾性部材４１０に覆わ
れたリード部１１０の上面のうち金属めっき層１１２が形成される領域の上面及びコネク
ティングバー１３０上の被覆層３５０は残存する。
部１１０の上面のうち金属めっき層１１２が設けられる領域以外の上面、リード部１１０
の側壁面、インナーリード部１１１の下面、ダイパッド部１２０の上面及びダイパッド部
１２０の側壁面に形成されている被覆層３５０が除去される（図６Ｆ参照）。この間、図
６Ｆに示すように、金属基板３１０の第１面３１０Ａ及び第２面３１０Ｂにそれぞれゴム
パッキン等の弾性部材４１０を配置し、弾性部材４１０を介して金属基板３１０を治具４
２０によって挟む。次いで、弾性部材４１０に覆われていない部分の被覆層３５０を剥離
除去する。これにより、リード部１１０の上面のうち金属めっき層１１２が設けられる領
域以外の上面、リード部１１０の側壁面、インナーリード部１１１の下面、ダイパッド部
１２０の上面及びダイパッド部１２０の側壁面が露出する。一方、弾性部材４１０に覆わ
れたリード部１１０の上面のうち金属めっき層１１２が形成される領域の上面及びコネク
ティングバー１３０上の被覆層３５０は残存する。
【0116】
＜粗面形成工程＞
次に、金属基板３１０の下面側に金属基板を支持する支持層３６０を設ける（図６Ｇ参
照）。支持層３６０は、例えば、レジスト層であってもよい。支持層３６０を設けた後、
金属基板３１０のうち被覆層３５０に覆われていない部分を粗化することにより粗面を形
成する（図６Ｇ参照）。具体的には、リード部１１０の上面のうち金属めっき層１１２が
形成される領域よりも外側（ダイパッド部１２０から遠い側）の上面、リード部１１０の
側壁面、インナーリード部１１１の下面、ダイパッド部１２０の上面及びダイパッド部１
２０の側壁面に粗面が形成される。粗面を形成するには、例えば、金属基板３１０に対し
てマイクロエッチング液を供給する。これにより、被覆層３５０で覆われている部分を除
き、金属基板３１０全体に粗面を形成できる。なお、マイクロエッチング液とは、金属表
面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成できる表面処理剤である。本実施形態におい
て使用され得るマイクロエッチング液としては、硫酸又は塩酸を主成分として含有するも
の、過酸化水素と硫酸を主成分として含有するもの等が挙げられる。
次に、金属基板３１０の下面側に金属基板を支持する支持層３６０を設ける（図６Ｇ参
照）。支持層３６０は、例えば、レジスト層であってもよい。支持層３６０を設けた後、
金属基板３１０のうち被覆層３５０に覆われていない部分を粗化することにより粗面を形
成する（図６Ｇ参照）。具体的には、リード部１１０の上面のうち金属めっき層１１２が
形成される領域よりも外側（ダイパッド部１２０から遠い側）の上面、リード部１１０の
側壁面、インナーリード部１１１の下面、ダイパッド部１２０の上面及びダイパッド部１
２０の側壁面に粗面が形成される。粗面を形成するには、例えば、金属基板３１０に対し
てマイクロエッチング液を供給する。これにより、被覆層３５０で覆われている部分を除
き、金属基板３１０全体に粗面を形成できる。なお、マイクロエッチング液とは、金属表
面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成できる表面処理剤である。本実施形態におい
て使用され得るマイクロエッチング液としては、硫酸又は塩酸を主成分として含有するも
の、過酸化水素と硫酸を主成分として含有するもの等が挙げられる。
【0117】
なお、粗面を形成する工程において、粗面におけるＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値
が１２～１９の範囲、ｂ＊値が１２～１７の範囲となるように粗化される。また、粗面を
形成する工程において、粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上となる
ように粗化される。さらに、粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ以上であることが好
ましく、０．１２μｍ～０．３４μｍの範囲となるように粗化されることがより好ましい
。このような所定の範囲になるように粗面を形成することで、半導体素子の電極まで空気
中の水分が浸入するのを抑制可能な半導体装置を製造可能なリードフレーム１００を得る
ことができる。
が１２～１９の範囲、ｂ＊値が１２～１７の範囲となるように粗化される。また、粗面を
形成する工程において、粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上となる
ように粗化される。さらに、粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ以上であることが好
ましく、０．１２μｍ～０．３４μｍの範囲となるように粗化されることがより好ましい
。このような所定の範囲になるように粗面を形成することで、半導体素子の電極まで空気
中の水分が浸入するのを抑制可能な半導体装置を製造可能なリードフレーム１００を得る
ことができる。
【0118】
その後、支持層３６０、被覆層３５０を順次剥離除去し、インナーリード部上面１１１
Ａの内側（ダイパッド部１２０側）端部に、金属めっき層１１２を設けることで、図１及
び図２に示すリードフレーム１００が得られる（図６Ｈ参照）。金属めっき層１１２は、
例えば、フォトリソグラフィ法により所定のパターンを有するめっき用レジスト層を形成
し、めっき用レジスト層に覆われていない箇所に電解めっき法により金属めっき層１１２
を形成できる。なお、上記製造方法により作製されたリードフレーム１００にアルカリ処
理を施してもよい。具体的には、リードフレーム１００をアルカリ水溶液中に浸漬する。
アルカリ処理を行うことで、粗面形成工程において使用した表面処理剤に含有する酸と中
和し、リードフレーム１００の腐食を抑止できる。なお、アルカリ処理に用いられるアル
カリとしては、特に限定されるものではなく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム等が挙げられ、これらのうちの１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使
用してもよい。
Ａの内側（ダイパッド部１２０側）端部に、金属めっき層１１２を設けることで、図１及
び図２に示すリードフレーム１００が得られる（図６Ｈ参照）。金属めっき層１１２は、
例えば、フォトリソグラフィ法により所定のパターンを有するめっき用レジスト層を形成
し、めっき用レジスト層に覆われていない箇所に電解めっき法により金属めっき層１１２
を形成できる。なお、上記製造方法により作製されたリードフレーム１００にアルカリ処
理を施してもよい。具体的には、リードフレーム１００をアルカリ水溶液中に浸漬する。
アルカリ処理を行うことで、粗面形成工程において使用した表面処理剤に含有する酸と中
和し、リードフレーム１００の腐食を抑止できる。なお、アルカリ処理に用いられるアル
カリとしては、特に限定されるものではなく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム等が挙げられ、これらのうちの１種を単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使
用してもよい。
【0119】
【0120】
まず、図６Ａ～図６Ｈに示す製造方法により製造されたリードフレーム１００を準備す
る（図７Ａ参照）。次に、リードフレーム１００のダイパッド部１２０上に、半導体素子
２１０を搭載する。この場合、例えば、ダイアタッチペースト等の接着剤２４０を用いて
、半導体素子２１０をダイパッド部１２０上に載置して固定する（図７Ｂ参照）。なお、
接着剤２４０は、銀ペースト及びエポキシ樹脂等の成分を含むエポキシ樹脂系の接着剤で
あってもよい。このとき、半導体素子２１０は、接着剤２４０を介してダイパッド部１２
０の上面の粗面上に配置される。
る（図７Ａ参照）。次に、リードフレーム１００のダイパッド部１２０上に、半導体素子
２１０を搭載する。この場合、例えば、ダイアタッチペースト等の接着剤２４０を用いて
、半導体素子２１０をダイパッド部１２０上に載置して固定する（図７Ｂ参照）。なお、
接着剤２４０は、銀ペースト及びエポキシ樹脂等の成分を含むエポキシ樹脂系の接着剤で
あってもよい。このとき、半導体素子２１０は、接着剤２４０を介してダイパッド部１２
０の上面の粗面上に配置される。
【0121】
【0122】
次に、リードフレーム１００に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形また
はトランスファ成形することにより、封止部２３０を形成する（図７Ｄ参照）。これによ
り、リード部１１０、ダイパッド部１２０、半導体素子２１０及び接続部材２２０を樹脂
封止できる。
はトランスファ成形することにより、封止部２３０を形成する（図７Ｄ参照）。これによ
り、リード部１１０、ダイパッド部１２０、半導体素子２１０及び接続部材２２０を樹脂
封止できる。
【0123】
その後、パッケージ領域１００Ａごとに、リードフレーム１００をダイシングする。こ
のとき、ダイシングされるコネクティングバー１３０の上面が粗化されていない非粗化面
であるため、ダイシング時に異物が発生するのを抑制できる。このようにして、半導体装
置２００ごとに個片化され、図３及び図４に示す半導体装置２００が得られる。
のとき、ダイシングされるコネクティングバー１３０の上面が粗化されていない非粗化面
であるため、ダイシング時に異物が発生するのを抑制できる。このようにして、半導体装
置２００ごとに個片化され、図３及び図４に示す半導体装置２００が得られる。
【0124】
また、半導体装置２００を長時間使用していると、空気中の水分等が、半導体装置２０
０の側面または下面側から浸入するおそれがある。例えば、空気中の水分等が封止部２３
０と、リード部１１０またはダイパッド部１２０との界面を介して浸入してくるおそれが
ある。
０の側面または下面側から浸入するおそれがある。例えば、空気中の水分等が封止部２３
０と、リード部１１０またはダイパッド部１２０との界面を介して浸入してくるおそれが
ある。
【0125】
この問題に対して本実施形態においては、リード部１１０の金属めっき層１１２が設け
られていない上面、リード部１１０の側壁面、ダイパッド部１２０の上面及びダイパッド
部１２０の側壁面には粗面が形成されている。粗面は、粗面のＣＩＥＬａｂ色空間のうち
のａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲であるように、または、
粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、粗面の算術平均高さＳ
ａが０．１２μｍ以上であるように粗化されている。これにより、封止部２３０と、リー
ド部１１０またはダイパッド部１２０との界面から半導体素子２１０側に水分が浸入して
くる浸入経路の距離が相対的に長くなっている。このため、半導体素子２１０の電極２１
０Ａまで水分が浸入するのを抑制できる。さらに、上記所定の範囲の粗面を有することで
、ダイパッド部１２０やリード部１１０と封止部２３０の密着強度を高めることができ、
ダイパッド部１２０やリード部１１０と封止部２３０とが互いに剥離することを抑制でき
る。
られていない上面、リード部１１０の側壁面、ダイパッド部１２０の上面及びダイパッド
部１２０の側壁面には粗面が形成されている。粗面は、粗面のＣＩＥＬａｂ色空間のうち
のａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲であるように、または、
粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、粗面の算術平均高さＳ
ａが０．１２μｍ以上であるように粗化されている。これにより、封止部２３０と、リー
ド部１１０またはダイパッド部１２０との界面から半導体素子２１０側に水分が浸入して
くる浸入経路の距離が相対的に長くなっている。このため、半導体素子２１０の電極２１
０Ａまで水分が浸入するのを抑制できる。さらに、上記所定の範囲の粗面を有することで
、ダイパッド部１２０やリード部１１０と封止部２３０の密着強度を高めることができ、
ダイパッド部１２０やリード部１１０と封止部２３０とが互いに剥離することを抑制でき
る。
【0126】
また、本実施形態におけるリード部１１０が、当該リード部１１０の下面側から薄肉化
されたインナーリード部１１１を含む。インナーリード部１１１の下面は粗面であること
で、半導体装置２００の下面側において、封止部２３０とリード部１１０との界面におけ
る水分の浸入経路の距離が長くなっている。これにより封止部２３０とリード部１１０と
の界面から半導体素子２１０の電極２１０Ａまで水分が浸入することを抑制できる。さら
に、インナーリード部１１１の下面に上記所定の範囲の粗面を有することで、リード部１
１０と封止部２３０の密着強度を高めることができ、リード部１１０と封止部２３０とが
互いに剥離することを抑制できる。
されたインナーリード部１１１を含む。インナーリード部１１１の下面は粗面であること
で、半導体装置２００の下面側において、封止部２３０とリード部１１０との界面におけ
る水分の浸入経路の距離が長くなっている。これにより封止部２３０とリード部１１０と
の界面から半導体素子２１０の電極２１０Ａまで水分が浸入することを抑制できる。さら
に、インナーリード部１１１の下面に上記所定の範囲の粗面を有することで、リード部１
１０と封止部２３０の密着強度を高めることができ、リード部１１０と封止部２３０とが
互いに剥離することを抑制できる。
【0127】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、
本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示され
た各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示され
た各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【0128】
［実施例］
以下、実施例及び比較例を挙げて本開示をさらに詳細に説明するが、本開示は、下記の
実施例等に何ら限定されるものではない。
以下、実施例及び比較例を挙げて本開示をさらに詳細に説明するが、本開示は、下記の
実施例等に何ら限定されるものではない。
【0129】
〔実施例１〕
図１及び図２に示す構成を有する。リードフレーム１００を準備した。リードフレーム
１００において、リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及
び側壁面が、ＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１７．５３、ｂ＊値が１４．８０及び
山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが２４３１．４６ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．
１４μｍの粗面により構成されていた。なお、ａ＊値及びｂ＊値は、分光濃度・測色計eX
act（X-rite社製）を用いて測定し、山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃ及び算術平均高さＳａ
は、レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２６０（キーエンス社製、測定部）、レーザー顕微鏡ＶＫ－
Ｘ２５０（キーエンス社製、コントローラー部）を用いて測定した。
図１及び図２に示す構成を有する。リードフレーム１００を準備した。リードフレーム
１００において、リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及
び側壁面が、ＣＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１７．５３、ｂ＊値が１４．８０及び
山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが２４３１．４６ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．
１４μｍの粗面により構成されていた。なお、ａ＊値及びｂ＊値は、分光濃度・測色計eX
act（X-rite社製）を用いて測定し、山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃ及び算術平均高さＳａ
は、レーザー顕微鏡ＶＫ－Ｘ２６０（キーエンス社製、測定部）、レーザー顕微鏡ＶＫ－
Ｘ２５０（キーエンス社製、コントローラー部）を用いて測定した。
【0130】
〔実施例２〕
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１６．０３、ｂ＊値が１３．８４及び山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが２９５２．０８ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．１７μｍの粗面
により構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフレーム１００を準
備した。
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１６．０３、ｂ＊値が１３．８４及び山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが２９５２．０８ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．１７μｍの粗面
により構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフレーム１００を準
備した。
【0131】
〔実施例３〕
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１５．３９、ｂ＊値が１３．１６及び山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが３５２３．７６ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．２２μｍの粗面
により構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフレーム１００を準
備した。
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１５．３９、ｂ＊値が１３．１６及び山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが３５２３．７６ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．２２μｍの粗面
により構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフレーム１００を準
備した。
【0132】
〔実施例４〕
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１４．６５、ｂ＊値が１２．８６及び山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが３３７８．００ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．２１μｍの粗面
により構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフレーム１００を準
備した。
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１４．６５、ｂ＊値が１２．８６及び山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが３３７８．００ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．２１μｍの粗面
により構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフレーム１００を準
備した。
【0133】
〔比較例１〕
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１８．５９、ｂ＊値が１７．２９及び山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが６２９．０５ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．１１μｍの粗面に
より構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフレームを準備した。
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１８．５９、ｂ＊値が１７．２９及び山頂点の算術平
均曲率Ｓｐｃが６２９．０５ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．１１μｍの粗面に
より構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフレームを準備した。
【0134】
〔比較例２〕
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１０．０６、ｂ＊値が７．１８及び山頂点の算術平均
曲率Ｓｐｃが９８６．９６ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．０９μｍの粗化され
ていない非粗化面により構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフ
レームを準備した。
リード部１１０の上面及び側壁面、並びにダイパッド部１２０の上面及び側壁面が、Ｃ
ＩＥＬａｂ色空間のうちのａ＊値が１０．０６、ｂ＊値が７．１８及び山頂点の算術平均
曲率Ｓｐｃが９８６．９６ｍｍ－１、並びに算術平均高さＳａが０．０９μｍの粗化され
ていない非粗化面により構成されている以外は、実施例１と同様の構成を有するリードフ
レームを準備した。
【0135】
［試験例］粗面状態評価試験
実施例１～４及び比較例１～２の各リードフレームの粗面の状態をＳＥＭ及びレーザー
顕微鏡で観察し、実施例１～４及び比較例１～２の各リードフレームのせん断強さを測定
した。結果を表１に示す。なお、せん断強さは、モールド樹脂密着強度試験（プリンカッ
プ試験）として、リードフレーム上にモールド樹脂を成型し、せん断方向を与えることに
よって計測する。モールド樹脂は、ＥＭＥ－６３１（住友ベークライト社製）を使用し、
成型時間１２０秒、成型温度１７５±５℃、成型圧力１０ＭＰａでモールド樹脂成型を行
い、その後、１７５℃で６時間硬化処理を行った。なお、成型したモールド樹脂のサイズ
は、高さ４ｍｍ、底面直径４ｍｍ、上面直径３ｍｍとし、底面側をリードフレームに成型
した。その後、リードフレームを接合強度試験機ＤＡＧＥ４０００（ノードソン社製）に
固定し、リードフレーム上のモールド樹脂の横方向からせん断荷重１ｋｇ、速度０．１ｍ
ｍ／秒の荷重をかけることで、せん断強さを測定した。
実施例１～４及び比較例１～２の各リードフレームの粗面の状態をＳＥＭ及びレーザー
顕微鏡で観察し、実施例１～４及び比較例１～２の各リードフレームのせん断強さを測定
した。結果を表１に示す。なお、せん断強さは、モールド樹脂密着強度試験（プリンカッ
プ試験）として、リードフレーム上にモールド樹脂を成型し、せん断方向を与えることに
よって計測する。モールド樹脂は、ＥＭＥ－６３１（住友ベークライト社製）を使用し、
成型時間１２０秒、成型温度１７５±５℃、成型圧力１０ＭＰａでモールド樹脂成型を行
い、その後、１７５℃で６時間硬化処理を行った。なお、成型したモールド樹脂のサイズ
は、高さ４ｍｍ、底面直径４ｍｍ、上面直径３ｍｍとし、底面側をリードフレームに成型
した。その後、リードフレームを接合強度試験機ＤＡＧＥ４０００（ノードソン社製）に
固定し、リードフレーム上のモールド樹脂の横方向からせん断荷重１ｋｇ、速度０．１ｍ
ｍ／秒の荷重をかけることで、せん断強さを測定した。
【0136】
【表1】
【0137】
表１に示すように、リードフレーム１００が有する粗面のＣＩＥＬａｂ色空間のうちの
ａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲であれば、ａ＊値及びｂ＊
値が上記範囲外であるときに比べ、せん断強さが上昇することが確認された。したがって
、ａ＊値及びｂ＊値が上記範囲内であることで、リードフレーム１００を用いて製造され
る半導体装置において、モールド樹脂との密着強度が上がることとなり、半導体素子２１
０の電極２１０Ａまで空気中の水分が浸入することを抑制できると推察される。
ａ＊値が１２～１９の範囲であり、ｂ＊値が１２～１７の範囲であれば、ａ＊値及びｂ＊
値が上記範囲外であるときに比べ、せん断強さが上昇することが確認された。したがって
、ａ＊値及びｂ＊値が上記範囲内であることで、リードフレーム１００を用いて製造され
る半導体装置において、モールド樹脂との密着強度が上がることとなり、半導体素子２１
０の電極２１０Ａまで空気中の水分が浸入することを抑制できると推察される。
【0138】
また、リードフレーム１００の粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以
上であれば、山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１未満であるときに比べ、せん
断強さが上昇することが確認された。さらに、実施例１～４の各リードフレーム１００の
粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ以上であった。この結果から、粗面の山頂点の算
術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ
以上であることで、リードフレーム１００を用いて製造される半導体装置において、モー
ルド樹脂との密着強度が上がることとなり、半導体素子２１０の電極２１０Ａまで空気中
の水分が浸入することを抑制できると推察される。なお、比較例２の粗化されていない非
粗化面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上となっている。これは、金属
基板を圧延加工して比較例２のリードフレームを製造する際に、圧延痕の鋭い山が存在し
たため、山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃの値が７００ｍｍ－１以上になったものと推察され
る。また、比較例１のリードフレームの粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが比較例２の
非粗化面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃよりも小さい。これは、粗面を形成する際に圧延
痕の鋭い山の山頂点が削れる程度に粗化して粗面を形成したものであったため、算術平均
曲率Ｓｐｃの値が小さくなったものと推察される。実施例１～４のリードフレーム１００
の粗面は、比較例１のリードフレームの粗面よりもさらに粗化した粗面である。このため
、エッチングが深く入り山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃの値が大きくなったものと推察され
る。
上であれば、山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１未満であるときに比べ、せん
断強さが上昇することが確認された。さらに、実施例１～４の各リードフレーム１００の
粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ以上であった。この結果から、粗面の山頂点の算
術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上であり、粗面の算術平均高さＳａが０．１２μｍ
以上であることで、リードフレーム１００を用いて製造される半導体装置において、モー
ルド樹脂との密着強度が上がることとなり、半導体素子２１０の電極２１０Ａまで空気中
の水分が浸入することを抑制できると推察される。なお、比較例２の粗化されていない非
粗化面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが７００ｍｍ－１以上となっている。これは、金属
基板を圧延加工して比較例２のリードフレームを製造する際に、圧延痕の鋭い山が存在し
たため、山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃの値が７００ｍｍ－１以上になったものと推察され
る。また、比較例１のリードフレームの粗面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃが比較例２の
非粗化面の山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃよりも小さい。これは、粗面を形成する際に圧延
痕の鋭い山の山頂点が削れる程度に粗化して粗面を形成したものであったため、算術平均
曲率Ｓｐｃの値が小さくなったものと推察される。実施例１～４のリードフレーム１００
の粗面は、比較例１のリードフレームの粗面よりもさらに粗化した粗面である。このため
、エッチングが深く入り山頂点の算術平均曲率Ｓｐｃの値が大きくなったものと推察され
る。
【0139】
【0140】
【0141】
図８及び図９に示すリードフレーム１０は、半導体装置２０（図１１及び図１２）を作
製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、複数のパッケージ
領域１０ａを備えている。複数のパッケージ領域１０ａは、多列及び多段に（マトリック
ス状に）配置されている。なお、図８においては、１つのパッケージ領域１０ａを中心と
したリードフレーム１０の一部のみを示している。
製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、複数のパッケージ
領域１０ａを備えている。複数のパッケージ領域１０ａは、多列及び多段に（マトリック
ス状に）配置されている。なお、図８においては、１つのパッケージ領域１０ａを中心と
したリードフレーム１０の一部のみを示している。
【0142】
本明細書中、「内」、「内側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心方向を向く側をい
う。「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心から離れる側（コネクティン
グバー１３側）をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいう
。「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される
側の面をいう。「側面」とは、「表面」と「裏面」との間に位置する面であって、リード
フレーム１０（金属基板）の厚みを構成する面をいう。
う。「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１０ａの中心から離れる側（コネクティン
グバー１３側）をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいう
。「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される
側の面をいう。「側面」とは、「表面」と「裏面」との間に位置する面であって、リード
フレーム１０（金属基板）の厚みを構成する面をいう。
【0143】
また、本明細書中、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中ま
でエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフ
エッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０
％以上６０％以下となる。
でエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフ
エッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０
％以上６０％以下となる。
【0144】
図８及び図９に示すように、リードフレーム１０の各パッケージ領域１０ａは、ダイパ
ッド１１と、ダイパッド１１の周囲に位置するリード部１２と、を備えている。このうち
リード部１２は、裏面側から一部が薄肉化されている。リード部１２の裏面のうち、薄肉
化されている部分は粗面となっている。リード部１２の裏面のうち、薄肉化されていない
部分は平滑面となっている。
ッド１１と、ダイパッド１１の周囲に位置するリード部１２と、を備えている。このうち
リード部１２は、裏面側から一部が薄肉化されている。リード部１２の裏面のうち、薄肉
化されている部分は粗面となっている。リード部１２の裏面のうち、薄肉化されていない
部分は平滑面となっている。
【0145】
パッケージ領域１０ａは、半導体装置２０（後述）に対応する領域である。パッケージ
領域１０ａは、図８において矩形状の仮想線（二点鎖線）によって取り囲まれる領域であ
る。なお、本実施形態において、リードフレーム１０は、複数のパッケージ領域１０ａを
含んでいる。しかしながら、これに限らず、１つのリードフレーム１０に１つのパッケー
ジ領域１０ａのみが形成されていても良い。
領域１０ａは、図８において矩形状の仮想線（二点鎖線）によって取り囲まれる領域であ
る。なお、本実施形態において、リードフレーム１０は、複数のパッケージ領域１０ａを
含んでいる。しかしながら、これに限らず、１つのリードフレーム１０に１つのパッケー
ジ領域１０ａのみが形成されていても良い。
【0146】
各パッケージ領域１０ａ同士は、コネクティングバー（支持部材）１３を介して互いに
連結されている。このコネクティングバー１３は、ダイパッド１１及びリード部１２を支
持する。コネクティングバー１３は、Ｘ方向又はＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。こ
こで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、パッケージ領域１０ａ
の各辺に平行な二方向である。Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は
、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。
連結されている。このコネクティングバー１３は、ダイパッド１１及びリード部１２を支
持する。コネクティングバー１３は、Ｘ方向又はＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。こ
こで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、パッケージ領域１０ａ
の各辺に平行な二方向である。Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は
、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。
【0147】
各コネクティングバー１３は、パッケージ領域１０ａの周囲であってパッケージ領域１
０ａよりも外側に配置されている。各コネクティングバー１３は、平面視で細長い棒形状
を有している。各コネクティングバー１３の幅（コネクティングバー１３の長手方向に直
交する方向の距離）は、９５μｍ以上２５０μｍ以下としても良い。各コネクティングバ
ー１３には、それぞれ複数のリード部１２が、コネクティングバー１３の長手方向に沿っ
て間隔を空けて連結されている。ダイパッド１１は、吊りリード１４を介してコネクティ
ングバー１３に支持されている。コネクティングバー１３は、薄肉化されていないが、こ
れに限らず、裏面側から例えばハーフエッチングにより薄肉化されていても良い。コネク
ティングバー１３の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ
以下としても良い。
０ａよりも外側に配置されている。各コネクティングバー１３は、平面視で細長い棒形状
を有している。各コネクティングバー１３の幅（コネクティングバー１３の長手方向に直
交する方向の距離）は、９５μｍ以上２５０μｍ以下としても良い。各コネクティングバ
ー１３には、それぞれ複数のリード部１２が、コネクティングバー１３の長手方向に沿っ
て間隔を空けて連結されている。ダイパッド１１は、吊りリード１４を介してコネクティ
ングバー１３に支持されている。コネクティングバー１３は、薄肉化されていないが、こ
れに限らず、裏面側から例えばハーフエッチングにより薄肉化されていても良い。コネク
ティングバー１３の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ
以下としても良い。
【0148】
図９に示すように、ダイパッド１１は、表面側に位置するダイパッド表面１１ａと、裏
面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。ダイパッド表面１１ａには、後述
するように半導体素子２１が搭載される。ダイパッド裏面１１ｂは、半導体装置２０（後
述）から外方に露出する。また、ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、第１
ダイパッド側面１１ｃと、第２ダイパッド側面１１ｄとが形成されている。第１ダイパッ
ド側面１１ｃは、ダイパッド表面１１ａ側に位置している。第２ダイパッド側面１１ｄは
、ダイパッド裏面１１ｂ側に位置している。この場合、ダイパッド１１のうち第１ダイパ
ッド側面１１ｃと第２ダイパッド側面１１ｄとはそれぞれ粗面となっている。一方、ダイ
パッド表面１１ａには、後述するように、平滑面（ダイパッド平滑面領域１１ｅ）と粗面
（ダイパッド粗面領域１１ｆ）とが形成されている。ダイパッド裏面１１ｂは、平滑面と
なっている。
面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。ダイパッド表面１１ａには、後述
するように半導体素子２１が搭載される。ダイパッド裏面１１ｂは、半導体装置２０（後
述）から外方に露出する。また、ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、第１
ダイパッド側面１１ｃと、第２ダイパッド側面１１ｄとが形成されている。第１ダイパッ
ド側面１１ｃは、ダイパッド表面１１ａ側に位置している。第２ダイパッド側面１１ｄは
、ダイパッド裏面１１ｂ側に位置している。この場合、ダイパッド１１のうち第１ダイパ
ッド側面１１ｃと第２ダイパッド側面１１ｄとはそれぞれ粗面となっている。一方、ダイ
パッド表面１１ａには、後述するように、平滑面（ダイパッド平滑面領域１１ｅ）と粗面
（ダイパッド粗面領域１１ｆ）とが形成されている。ダイパッド裏面１１ｂは、平滑面と
なっている。
【0149】
本実施形態中、「粗面」とは、Ｓ－ｒａｔｉｏが１．３０以上となる面をいう。「平滑
面」とは、Ｓ－ｒａｔｉｏが１．３０未満となる面をいう。粗面は、平滑面よりも粗い面
である。また、「粗面」のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下となることが好
ましい。「平滑面」のＳ－ｒａｔｉｏは、１．００以上１．２０以下となることが好まし
い。ここで「Ｓ－ｒａｔｉｏ」とは、測定対象となる面を光干渉式測定器で複数の画素に
分割して測定して得られた表面積を観察面積で除したものである。具体的には、測定対象
となる面を株式会社日立ハイテクサイエンス製、ＶｅｒｔＳｃａｎを用いて複数の画素に
分割して測定し、得られた表面積を観察面積で除して算出する。
面」とは、Ｓ－ｒａｔｉｏが１．３０未満となる面をいう。粗面は、平滑面よりも粗い面
である。また、「粗面」のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下となることが好
ましい。「平滑面」のＳ－ｒａｔｉｏは、１．００以上１．２０以下となることが好まし
い。ここで「Ｓ－ｒａｔｉｏ」とは、測定対象となる面を光干渉式測定器で複数の画素に
分割して測定して得られた表面積を観察面積で除したものである。具体的には、測定対象
となる面を株式会社日立ハイテクサイエンス製、ＶｅｒｔＳｃａｎを用いて複数の画素に
分割して測定し、得られた表面積を観察面積で除して算出する。
【0150】
粗面は、後述する金属基板３１の外面を、例えば過酸化水素と硫酸を主成分とするマイ
クロエッチング液で粗面化処理することによって形成されても良い。平滑面は、後述する
金属基板３１に対してこのような粗面化処理を施さない、未加工の面であっても良い。な
お、図９において、粗面化された部分を太い破線で示している（他の断面図についても同
様）。
クロエッチング液で粗面化処理することによって形成されても良い。平滑面は、後述する
金属基板３１に対してこのような粗面化処理を施さない、未加工の面であっても良い。な
お、図９において、粗面化された部分を太い破線で示している（他の断面図についても同
様）。
【0151】
ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａは、後述するようにバンプ２６を介して半導体
素子２１に電気的に接続される領域（内部端子）となっている。ダイパッド表面１１ａは
、ハーフエッチング等により薄肉化されていない領域であっても良い。ダイパッド表面１
１ａには、平滑面の領域であるダイパッド平滑面領域１１ｅと、粗面の領域であるダイパ
ッド粗面領域１１ｆとが形成されている。
素子２１に電気的に接続される領域（内部端子）となっている。ダイパッド表面１１ａは
、ハーフエッチング等により薄肉化されていない領域であっても良い。ダイパッド表面１
１ａには、平滑面の領域であるダイパッド平滑面領域１１ｅと、粗面の領域であるダイパ
ッド粗面領域１１ｆとが形成されている。
【0152】
ダイパッド表面１１ａには、複数のダイパッド平滑面領域１１ｅが形成されていても良
い。ダイパッド平滑面領域１１ｅは、それぞれ対応するバンプ２６に接続される（図１２
参照）。ダイパッド１１上のダイパッド平滑面領域１１ｅの個数と、ダイパッド１１に接
続されるバンプ２６の個数は同一であっても良い。あるいは、１つのダイパッド平滑面領
域１１ｅに複数のバンプ２６が配置されても良い。この場合、ダイパッド１１上のダイパ
ッド平滑面領域１１ｅの個数は、ダイパッド１１に接続されるバンプ２６の個数より少な
くても良い。
い。ダイパッド平滑面領域１１ｅは、それぞれ対応するバンプ２６に接続される（図１２
参照）。ダイパッド１１上のダイパッド平滑面領域１１ｅの個数と、ダイパッド１１に接
続されるバンプ２６の個数は同一であっても良い。あるいは、１つのダイパッド平滑面領
域１１ｅに複数のバンプ２６が配置されても良い。この場合、ダイパッド１１上のダイパ
ッド平滑面領域１１ｅの個数は、ダイパッド１１に接続されるバンプ２６の個数より少な
くても良い。
【0153】
ダイパッド粗面領域１１ｆは、ダイパッド平滑面領域１１ｅよりも粗い（Ｓ－ｒａｔｉ
ｏが大きい）。図１０（ａ）に示すように、ダイパッド粗面領域１１ｆは、平面視で、各
ダイパッド平滑面領域１１ｅの全周を取り囲むように形成される。すなわち、ダイパッド
平滑面領域１１ｅは、ダイパッド１１の周縁１１ｇに直接接することがない。またダイパ
ッド粗面領域１１ｆは、平面視でダイパッド１１の周縁１１ｇの全域に沿って形成されて
いる。ここで、ダイパッド１１の周縁１１ｇとは、図８に示すように、ダイパッド１１の
複数（４つ）の辺によって取り囲まれる領域をいう。またダイパッド表面１１ａのうち、
ダイパッド平滑面領域１１ｅ以外の領域は、全てダイパッド粗面領域１１ｆとなっていて
も良い。すなわち、ダイパッド表面１１ａは、複数のダイパッド平滑面領域１１ｅと、そ
れ以外のダイパッド粗面領域１１ｆと、のみによって構成されていても良い。
ｏが大きい）。図１０（ａ）に示すように、ダイパッド粗面領域１１ｆは、平面視で、各
ダイパッド平滑面領域１１ｅの全周を取り囲むように形成される。すなわち、ダイパッド
平滑面領域１１ｅは、ダイパッド１１の周縁１１ｇに直接接することがない。またダイパ
ッド粗面領域１１ｆは、平面視でダイパッド１１の周縁１１ｇの全域に沿って形成されて
いる。ここで、ダイパッド１１の周縁１１ｇとは、図８に示すように、ダイパッド１１の
複数（４つ）の辺によって取り囲まれる領域をいう。またダイパッド表面１１ａのうち、
ダイパッド平滑面領域１１ｅ以外の領域は、全てダイパッド粗面領域１１ｆとなっていて
も良い。すなわち、ダイパッド表面１１ａは、複数のダイパッド平滑面領域１１ｅと、そ
れ以外のダイパッド粗面領域１１ｆと、のみによって構成されていても良い。
【0154】
図１０（ａ）に示すように、ダイパッド平滑面領域１１ｅは、平面視で円形であっても
良い。ダイパッド平滑面領域１１ｅは、平面視でバンプ２６（仮想線）よりも大きいこと
が好ましい。ダイパッド平滑面領域１１ｅの幅（直径）Ｄ１は、０．０３０ｍｍ以上とし
ても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。幅（直径）Ｄ１は、０．０７０ｍｍ以下と
しても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。バンプ２６をダイパッド平滑面領域１１
ｅの中心に配置したとき、バンプ２６の周縁とダイパッド平滑面領域１１ｅの周縁との最
短距離ｄ１は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１０ｍｍ以上としても良い。最
短距離ｄ１は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１５ｍｍ以下としても良い。ダ
イパッド平滑面領域１１ｅと、ダイパッド１１の周縁１１ｇとの最短距離Ｌ１は、０．０
２５ｍｍ以上としても良く、０．０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ１は、１．０
ｍｍ以下としても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い。ダイパッド平滑面領域１１ｅが
平面視で円形であることにより、円形のバンプ２６をダイパッド平滑面領域１１ｅに対し
て位置決めしやすくなっている。なお、図１０（ａ）（ｂ）において、平滑面の部分を白
色で示し、粗面の部分を網掛けで示している（図１７（ａ）－（ｄ）についても同様）。
良い。ダイパッド平滑面領域１１ｅは、平面視でバンプ２６（仮想線）よりも大きいこと
が好ましい。ダイパッド平滑面領域１１ｅの幅（直径）Ｄ１は、０．０３０ｍｍ以上とし
ても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。幅（直径）Ｄ１は、０．０７０ｍｍ以下と
しても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。バンプ２６をダイパッド平滑面領域１１
ｅの中心に配置したとき、バンプ２６の周縁とダイパッド平滑面領域１１ｅの周縁との最
短距離ｄ１は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１０ｍｍ以上としても良い。最
短距離ｄ１は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１５ｍｍ以下としても良い。ダ
イパッド平滑面領域１１ｅと、ダイパッド１１の周縁１１ｇとの最短距離Ｌ１は、０．０
２５ｍｍ以上としても良く、０．０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ１は、１．０
ｍｍ以下としても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い。ダイパッド平滑面領域１１ｅが
平面視で円形であることにより、円形のバンプ２６をダイパッド平滑面領域１１ｅに対し
て位置決めしやすくなっている。なお、図１０（ａ）（ｂ）において、平滑面の部分を白
色で示し、粗面の部分を網掛けで示している（図１７（ａ）－（ｄ）についても同様）。
【0155】
また図１０（ａ）において、ダイパッド表面１１ａに複数のダイパッド平滑面領域１１
ｅが存在する場合、互いに隣接するダイパッド平滑面領域１１ｅ同士の最短距離Ｍ１は、
０．０３０ｍｍ以上としても良く、０．０４０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｍ１は、
１．０ｍｍ以下としても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い。互いに隣接するダイパッ
ド平滑面領域１１ｅの中心同士のピッチＰ１は、０．０４５ｍｍ以上としても良く、０．
０５７ｍｍ以上としても良い。ピッチＰ１は、１．２ｍｍ以下としても良く、０．６０ｍ
ｍ以下としても良い。なお、上記ピッチＰ１は、互いに隣接するバンプ２６の中心同士の
ピッチに相当する。
ｅが存在する場合、互いに隣接するダイパッド平滑面領域１１ｅ同士の最短距離Ｍ１は、
０．０３０ｍｍ以上としても良く、０．０４０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｍ１は、
１．０ｍｍ以下としても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い。互いに隣接するダイパッ
ド平滑面領域１１ｅの中心同士のピッチＰ１は、０．０４５ｍｍ以上としても良く、０．
０５７ｍｍ以上としても良い。ピッチＰ１は、１．２ｍｍ以下としても良く、０．６０ｍ
ｍ以下としても良い。なお、上記ピッチＰ１は、互いに隣接するバンプ２６の中心同士の
ピッチに相当する。
【0156】
図９を参照すると、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂには、外部端子が形成され
ても良い。この外部端子は、図示しない実装基板に電気的に接続されても良い。ダイパッ
ド裏面１１ｂは、例えばハーフエッチングにより薄肉化されることなく、加工前の金属基
板（後述する金属基板３１）と同様の平滑面となっている。ダイパッド裏面１１ｂは、半
導体装置２０（後述）の製造後に、半導体装置２０から外方に露出する。
ても良い。この外部端子は、図示しない実装基板に電気的に接続されても良い。ダイパッ
ド裏面１１ｂは、例えばハーフエッチングにより薄肉化されることなく、加工前の金属基
板（後述する金属基板３１）と同様の平滑面となっている。ダイパッド裏面１１ｂは、半
導体装置２０（後述）の製造後に、半導体装置２０から外方に露出する。
【0157】
各リード部１２は、それぞれ後述するようにバンプ２６を介して半導体素子２１に接続
されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。複数のリード
部１２は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って互いに間隔を空けて配置されてい
る。各リード部１２は、それぞれコネクティングバー１３から延び出している。
されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。複数のリード
部１２は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って互いに間隔を空けて配置されてい
る。各リード部１２は、それぞれコネクティングバー１３から延び出している。
【0158】
リード部１２は、ダイパッド１１の周囲に沿って配置されている。リード部１２は、裏
面側から一部が薄肉化されている。この場合、リード部１２のうち、後述するインナーリ
ード５１の裏面が薄肉化されている。またリード部１２の裏面のうち薄肉化されていない
部分には、外部端子１７が形成されている。外部端子１７は、外部の実装基板（図示せず
）に電気的に接続される。外部端子１７は、半導体装置２０（後述）の製造後に、半導体
装置２０から外方に露出する。
面側から一部が薄肉化されている。この場合、リード部１２のうち、後述するインナーリ
ード５１の裏面が薄肉化されている。またリード部１２の裏面のうち薄肉化されていない
部分には、外部端子１７が形成されている。外部端子１７は、外部の実装基板（図示せず
）に電気的に接続される。外部端子１７は、半導体装置２０（後述）の製造後に、半導体
装置２０から外方に露出する。
【0159】
図９に示すように、リード部１２は、インナーリード５１と端子部５３とを有している
。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側（
コネクティングバー１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイパ
ッド１１側に延びている。インナーリード５１の表面側には内部端子が形成される。この
内部端子は、後述するようにバンプ２６を介して半導体素子２１に電気的に接続される領
域（リード平滑面領域１２ｅ）である。
。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側（
コネクティングバー１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイパ
ッド１１側に延びている。インナーリード５１の表面側には内部端子が形成される。この
内部端子は、後述するようにバンプ２６を介して半導体素子２１に電気的に接続される領
域（リード平滑面領域１２ｅ）である。
【0160】
インナーリード５１は、裏面側から例えばハーフエッチングにより薄肉化されている。
インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有
している。インナーリード表面５１ａは表面側に位置する。また、インナーリード５１の
うちダイパッド１１を向く面には、インナーリード先端面５１ｃが形成されている。イン
ナーリード裏面５１ｂは裏面側に位置する。
インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有
している。インナーリード表面５１ａは表面側に位置する。また、インナーリード５１の
うちダイパッド１１を向く面には、インナーリード先端面５１ｃが形成されている。イン
ナーリード裏面５１ｂは裏面側に位置する。
【0161】
端子部５３は、コネクティングバー１３側に位置する。端子部５３の基端部はコネクテ
ィングバー１３に連結されている。端子部５３は、端子部表面５３ａを有する。端子部５
３の裏面には、上述した外部端子１７が形成されている。端子部５３は、ハーフエッチン
グされることなく、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。なお、リード部１２のう
ち、端子部５３よりもコネクティングバー１３側に位置する部分の裏面が薄肉化され、コ
ネクティングバー１３との接続部を構成しても良い。
ィングバー１３に連結されている。端子部５３は、端子部表面５３ａを有する。端子部５
３の裏面には、上述した外部端子１７が形成されている。端子部５３は、ハーフエッチン
グされることなく、ダイパッド１１と同一の厚みを有している。なお、リード部１２のう
ち、端子部５３よりもコネクティングバー１３側に位置する部分の裏面が薄肉化され、コ
ネクティングバー１３との接続部を構成しても良い。
【0162】
本実施形態において、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されている部分は粗面となっ
ている。具体的には、リード部１２のインナーリード５１が裏面側から薄肉化されている
。インナーリード５１の裏面側に位置するインナーリード裏面５１ｂは、その全域が粗面
となっている。一方、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されていない部分は平滑面とな
っている。具体的には、リード部１２の端子部５３は裏面側から薄肉化されていない。端
子部５３の裏面側に位置する外部端子１７は、その全域が平滑面となっている。
ている。具体的には、リード部１２のインナーリード５１が裏面側から薄肉化されている
。インナーリード５１の裏面側に位置するインナーリード裏面５１ｂは、その全域が粗面
となっている。一方、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されていない部分は平滑面とな
っている。具体的には、リード部１２の端子部５３は裏面側から薄肉化されていない。端
子部５３の裏面側に位置する外部端子１７は、その全域が平滑面となっている。
【0163】
さらにリード部１２のインナーリード先端面５１ｃは、その全域が粗面となっている。
また、図示していないが、リード部１２の長手方向に沿う両側面も粗面となっていても良
い。一方、リード部１２のインナーリード５１は表面側から薄肉化されていない。またリ
ード部１２の端子部５３は表面側から薄肉化されていない。
また、図示していないが、リード部１２の長手方向に沿う両側面も粗面となっていても良
い。一方、リード部１２のインナーリード５１は表面側から薄肉化されていない。またリ
ード部１２の端子部５３は表面側から薄肉化されていない。
【0164】
インナーリード５１のインナーリード表面５１ａと、端子部５３の端子部表面５３ａと
により、リード表面１２ａが構成されている。リード表面１２ａは、ハーフエッチング等
により表面側から薄肉化されていない領域である。リード表面１２ａには、平滑面の領域
であるリード平滑面領域１２ｅと、粗面の領域であるリード粗面領域１２ｆとが形成され
ている。
により、リード表面１２ａが構成されている。リード表面１２ａは、ハーフエッチング等
により表面側から薄肉化されていない領域である。リード表面１２ａには、平滑面の領域
であるリード平滑面領域１２ｅと、粗面の領域であるリード粗面領域１２ｆとが形成され
ている。
【0165】
各リード部１２のリード表面１２ａには、それぞれ１つのリード平滑面領域１２ｅが形
成されている。各リード部１２のリード表面１２ａには、それぞれ複数のリード平滑面領
域１２ｅが形成されていても良い。リード平滑面領域１２ｅは、それぞれ対応するバンプ
２６に接続される（図１２参照）。また、１つのリード平滑面領域１２ｅに複数のバンプ
２６が配置されても良い。この場合、各リード部１２上のリード平滑面領域１２ｅの個数
は、当該リード部１２に接続されるバンプ２６の個数より少なくても良い。
成されている。各リード部１２のリード表面１２ａには、それぞれ複数のリード平滑面領
域１２ｅが形成されていても良い。リード平滑面領域１２ｅは、それぞれ対応するバンプ
２６に接続される（図１２参照）。また、１つのリード平滑面領域１２ｅに複数のバンプ
２６が配置されても良い。この場合、各リード部１２上のリード平滑面領域１２ｅの個数
は、当該リード部１２に接続されるバンプ２６の個数より少なくても良い。
【0166】
リード平滑面領域１２ｅの周囲には、リード粗面領域１２ｆが存在する。リード粗面領
域１２ｆはリード平滑面領域１２ｅよりも粗い（Ｓ－ｒａｔｉｏが大きい）。図１０（ｂ
）に示すように、リード粗面領域１２ｆは、平面視で、各リード平滑面領域１２ｅの全周
を取り囲むように形成される。すなわち、リード平滑面領域１２ｅは、リード部１２の周
縁１２ｇに直接接することがない。またリード粗面領域１２ｆは、平面視でリード部１２
の周縁１２ｇの全域に沿って形成されている。ここで、リード部１２の周縁１２ｇとは、
図８に示すように、リード部１２の複数（３つ）の辺と、コネクティングバー１３とによ
って取り囲まれる領域をいう。またリード表面１２ａのうち、リード平滑面領域１２ｅ以
外の領域は全てリード粗面領域１２ｆとなっていても良い。すなわち、リード表面１２ａ
は、リード平滑面領域１２ｅと、それ以外のリード粗面領域１２ｆと、のみによって構成
されていても良い。
域１２ｆはリード平滑面領域１２ｅよりも粗い（Ｓ－ｒａｔｉｏが大きい）。図１０（ｂ
）に示すように、リード粗面領域１２ｆは、平面視で、各リード平滑面領域１２ｅの全周
を取り囲むように形成される。すなわち、リード平滑面領域１２ｅは、リード部１２の周
縁１２ｇに直接接することがない。またリード粗面領域１２ｆは、平面視でリード部１２
の周縁１２ｇの全域に沿って形成されている。ここで、リード部１２の周縁１２ｇとは、
図８に示すように、リード部１２の複数（３つ）の辺と、コネクティングバー１３とによ
って取り囲まれる領域をいう。またリード表面１２ａのうち、リード平滑面領域１２ｅ以
外の領域は全てリード粗面領域１２ｆとなっていても良い。すなわち、リード表面１２ａ
は、リード平滑面領域１２ｅと、それ以外のリード粗面領域１２ｆと、のみによって構成
されていても良い。
【0167】
図１０（ｂ）に示すように、リード平滑面領域１２ｅは、平面視で円形であっても良い
。リード平滑面領域１２ｅの形状は、上述したダイパッド平滑面領域１１ｅと同一であっ
ても良く、異なっていても良い。またリード平滑面領域１２ｅは、平面視でバンプ２６（
仮想線）よりも大きいことが好ましい。リード平滑面領域１２ｅの幅（直径）Ｄ２は、０
．０３０ｍｍ以上としても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。幅（直径）Ｄ２は、
０．０７０ｍｍ以下としても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。バンプ２６をリー
ド平滑面領域１２ｅの中心に配置したとき、バンプ２６の周縁とリード平滑面領域１２ｅ
の周縁との最短距離ｄ２は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１０ｍｍ以上とし
ても良い。最短距離ｄ２は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１５ｍｍ以下とし
ても良い。リード平滑面領域１２ｅと、リード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ２は、
０．０２５ｍｍ以上としても良く、０．０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ２は、
１．０ｍｍ以下としても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い。リード平滑面領域１２ｅ
が平面視で円形であることにより、円形のバンプ２６をダイパッド平滑面領域１１ｅに対
して位置決めしやすくなっている。
。リード平滑面領域１２ｅの形状は、上述したダイパッド平滑面領域１１ｅと同一であっ
ても良く、異なっていても良い。またリード平滑面領域１２ｅは、平面視でバンプ２６（
仮想線）よりも大きいことが好ましい。リード平滑面領域１２ｅの幅（直径）Ｄ２は、０
．０３０ｍｍ以上としても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。幅（直径）Ｄ２は、
０．０７０ｍｍ以下としても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。バンプ２６をリー
ド平滑面領域１２ｅの中心に配置したとき、バンプ２６の周縁とリード平滑面領域１２ｅ
の周縁との最短距離ｄ２は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１０ｍｍ以上とし
ても良い。最短距離ｄ２は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１５ｍｍ以下とし
ても良い。リード平滑面領域１２ｅと、リード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ２は、
０．０２５ｍｍ以上としても良く、０．０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ２は、
１．０ｍｍ以下としても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い。リード平滑面領域１２ｅ
が平面視で円形であることにより、円形のバンプ２６をダイパッド平滑面領域１１ｅに対
して位置決めしやすくなっている。
【0168】
以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％の
Ｆｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０のうち薄肉化されて
いない部分の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上３００μ
ｍ以下としても良い。
Ｆｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０のうち薄肉化されて
いない部分の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上３００μ
ｍ以下としても良い。
【0169】
なお、本実施形態において、リード部１２は、パッケージ領域１０ａの４辺全てに沿っ
て配置されているが、これに限られるものではなく、例えばパッケージ領域１０ａの対向
する２辺のみに沿って配置されていても良い。
て配置されているが、これに限られるものではなく、例えばパッケージ領域１０ａの対向
する２辺のみに沿って配置されていても良い。
【0170】
【0171】
【0172】
このうち半導体素子２１は、ダイパッド１１及びリード部１２上に搭載されている。複
数のバンプ２６は、それぞれ半導体素子２１と、ダイパッド１１又はリード部１２とを電
気的に接続する。この場合、バンプ２６は接続部を構成する。またバンプ２６は、ピラー
であっても良い。封止樹脂２３は、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及び
バンプ２６を樹脂封止する。
数のバンプ２６は、それぞれ半導体素子２１と、ダイパッド１１又はリード部１２とを電
気的に接続する。この場合、バンプ２６は接続部を構成する。またバンプ２６は、ピラー
であっても良い。封止樹脂２３は、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及び
バンプ２６を樹脂封止する。
【0173】
ダイパッド１１及びリード部１２は、上述したリードフレーム１０から作製されたもの
である。この場合、リード部１２のインナーリード５１は、裏面側から薄肉化されている
。インナーリード５１のインナーリード裏面５１ｂは粗面となっている。インナーリード
裏面５１ｂには、封止樹脂２３が密着している。リード部１２の端子部５３は、裏面側か
ら薄肉化されていない。端子部５３の裏面に位置する外部端子１７は平滑面となっている
。外部端子１７は、封止樹脂２３から外方に露出している。
である。この場合、リード部１２のインナーリード５１は、裏面側から薄肉化されている
。インナーリード５１のインナーリード裏面５１ｂは粗面となっている。インナーリード
裏面５１ｂには、封止樹脂２３が密着している。リード部１２の端子部５３は、裏面側か
ら薄肉化されていない。端子部５３の裏面に位置する外部端子１７は平滑面となっている
。外部端子１７は、封止樹脂２３から外方に露出している。
【0174】
ダイパッド１１及びリード部１２上には、それぞれバンプ２６が設けられている。ダイ
パッド１１上のバンプ２６は、ダイパッド平滑面領域１１ｅに設けられている。バンプ２
６は、ダイパッド粗面領域１１ｆから最短距離ｄ１だけ離間して設けられている。リード
部１２上のバンプ２６は、リード平滑面領域１２ｅに設けられている。バンプ２６は、リ
ード粗面領域１２ｆから最短距離ｄ２だけ離間して設けられている。バンプ２６を介して
、半導体素子２１と、ダイパッド１１及びリード部１２とが互いに電気的に接続されてい
る。
パッド１１上のバンプ２６は、ダイパッド平滑面領域１１ｅに設けられている。バンプ２
６は、ダイパッド粗面領域１１ｆから最短距離ｄ１だけ離間して設けられている。リード
部１２上のバンプ２６は、リード平滑面領域１２ｅに設けられている。バンプ２６は、リ
ード粗面領域１２ｆから最短距離ｄ２だけ離間して設けられている。バンプ２６を介して
、半導体素子２１と、ダイパッド１１及びリード部１２とが互いに電気的に接続されてい
る。
【0175】
半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが
可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サ
イリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々バンプ２６
が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。
可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サ
イリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々バンプ２６
が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。
【0176】
封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰ
ＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μ
ｍ以上１５００μｍ以下程度としても良い。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０
の一辺）は、例えば０．２ｍｍ以上２０ｍｍ以下としても良く、０．２ｍｍ以上１６ｍｍ
以下としても良い。なお、図１１において、封止樹脂２３のうち、リード部１２及び半導
体素子２１よりも表面側に位置する部分の表示を省略している。
ＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μ
ｍ以上１５００μｍ以下程度としても良い。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０
の一辺）は、例えば０．２ｍｍ以上２０ｍｍ以下としても良く、０．２ｍｍ以上１６ｍｍ
以下としても良い。なお、図１１において、封止樹脂２３のうち、リード部１２及び半導
体素子２１よりも表面側に位置する部分の表示を省略している。
【0177】
バンプ（接続部）２６は、例えば銅等の導電性の良い金属材料からなり、中実の略円柱
形状又は略球形状を有していても良い。バンプ２６は、それぞれその上端が半導体素子２
１の電極２１ａに接続されるとともに、その下端がダイパッド平滑面領域１１ｅ又はリー
ド平滑面領域１２ｅにそれぞれ接続されている。バンプ２６の幅（直径）は、０．０１ｍ
ｍ以上０．０７０ｍｍ以下としても良い。なお、ダイパッド１１には必ずしもバンプ２６
が設けられていなくても良い。この場合、ダイパッド１１と半導体素子２１とは、例えば
ダイボンディングペースト等の接着剤により互いに固定されても良い。
形状又は略球形状を有していても良い。バンプ２６は、それぞれその上端が半導体素子２
１の電極２１ａに接続されるとともに、その下端がダイパッド平滑面領域１１ｅ又はリー
ド平滑面領域１２ｅにそれぞれ接続されている。バンプ２６の幅（直径）は、０．０１ｍ
ｍ以上０．０７０ｍｍ以下としても良い。なお、ダイパッド１１には必ずしもバンプ２６
が設けられていなくても良い。この場合、ダイパッド１１と半導体素子２１とは、例えば
ダイボンディングペースト等の接着剤により互いに固定されても良い。
【0178】
図１３（ａ）、（ｂ）は、バンプ２６の周辺を示す拡大断面図である。図１３（ａ）に
示すように、バンプ２６は、単一の層から構成されていても良い。この場合、バンプ２６
は、例えば銅等の金属層を含んでも良い。バンプ２６は、ダイパッド１１及びリード部１
２に含まれる主たる金属（例えば銅）と同一の金属から構成されても良い。バンプ２６の
高さは、３０μｍ以上１１０μｍ以下としても良い。
示すように、バンプ２６は、単一の層から構成されていても良い。この場合、バンプ２６
は、例えば銅等の金属層を含んでも良い。バンプ２６は、ダイパッド１１及びリード部１
２に含まれる主たる金属（例えば銅）と同一の金属から構成されても良い。バンプ２６の
高さは、３０μｍ以上１１０μｍ以下としても良い。
【0179】
あるいは、図１３（ｂ）に示すように、バンプ２６は、複数の層を含んでいても良い。
例えば、バンプ２６は、ダイパッド１１側又はリード部１２側に位置する第１層２６ａと
、半導体素子２１側に位置する第２層２６ｂとを含む。第１層２６ａは、例えば錫等の金
属を含んでも良い。第１層２６ａの高さは、１μｍ以上１０μｍ以下としても良い。第２
層２６ｂは、例えば銅等の金属を含んでも良い。第２層２６ｂの高さは、３０μｍ以上１
００μｍ以下としても良い。
例えば、バンプ２６は、ダイパッド１１側又はリード部１２側に位置する第１層２６ａと
、半導体素子２１側に位置する第２層２６ｂとを含む。第１層２６ａは、例えば錫等の金
属を含んでも良い。第１層２６ａの高さは、１μｍ以上１０μｍ以下としても良い。第２
層２６ｂは、例えば銅等の金属を含んでも良い。第２層２６ｂの高さは、３０μｍ以上１
００μｍ以下としても良い。
【0180】
【0181】
（リードフレームの製造方法）
次に、図８及び図９に示すリードフレーム１０の製造方法について、図１４（ａ）－（
ｉ）を用いて説明する。図１４（ａ）－（ｉ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す
断面図（図９に対応する図）である。
次に、図８及び図９に示すリードフレーム１０の製造方法について、図１４（ａ）－（
ｉ）を用いて説明する。図１４（ａ）－（ｉ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す
断面図（図９に対応する図）である。
【0182】
まず図１４（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１
としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用
できる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを
使用することが好ましい。
としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用
できる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを
使用することが好ましい。
【0183】
【0184】
【0185】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエ
ッチングを施す（図１４（ｄ））。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じ
て適宜選択できる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、腐蝕液として塩
化第二鉄水溶液を用い、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行っても良い。こ
れにより、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の外形が形成され
る。このとき、リード部１２は、ハーフエッチングにより裏面側から一部が薄肉化される
。具体的には、リード部１２のインナーリード５１の裏面が薄肉化される。
ッチングを施す（図１４（ｄ））。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じ
て適宜選択できる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、腐蝕液として塩
化第二鉄水溶液を用い、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行っても良い。こ
れにより、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の外形が形成され
る。このとき、リード部１２は、ハーフエッチングにより裏面側から一部が薄肉化される
。具体的には、リード部１２のインナーリード５１の裏面が薄肉化される。
【0186】
【0187】
次に、金属基板３１の一部にめっき層３６を形成する（図１４（ｆ））。このとき、ま
ず金属基板３１の表面に所定のパターンの開口を有するゴムパッキン等の弾性部材４６を
配置する。なお弾性部材４６の開口は、ダイパッド平滑面領域１１ｅ及びリード平滑面領
域１２ｅに対応する形状を有する。次に、弾性部材４６を介して金属基板３１の表面を冶
具４７によって押さえる。冶具４７は、弾性部材４６と同様のパターンの開口を有する。
次いで、金属基板３１の表面のうち、弾性部材４６及び冶具４７に覆われていない部分に
めっき層３６を形成する。これにより、ダイパッド１１のダイパッド平滑面領域１１ｅに
対応する部分と、リード部１２のリード平滑面領域１２ｅに対応する部分とに、めっき層
３６が形成される。めっき層３６の厚みは、０μｍ超２μｍ以下としても良い。めっき層
３６を構成する金属としては、例えば銀を用いてもよい。めっき層３６が銀めっきからな
る場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀及びシアン化カリウムを主成分とし
た銀めっき液を用いることができる。
ず金属基板３１の表面に所定のパターンの開口を有するゴムパッキン等の弾性部材４６を
配置する。なお弾性部材４６の開口は、ダイパッド平滑面領域１１ｅ及びリード平滑面領
域１２ｅに対応する形状を有する。次に、弾性部材４６を介して金属基板３１の表面を冶
具４７によって押さえる。冶具４７は、弾性部材４６と同様のパターンの開口を有する。
次いで、金属基板３１の表面のうち、弾性部材４６及び冶具４７に覆われていない部分に
めっき層３６を形成する。これにより、ダイパッド１１のダイパッド平滑面領域１１ｅに
対応する部分と、リード部１２のリード平滑面領域１２ｅに対応する部分とに、めっき層
３６が形成される。めっき層３６の厚みは、０μｍ超２μｍ以下としても良い。めっき層
３６を構成する金属としては、例えば銀を用いてもよい。めっき層３６が銀めっきからな
る場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀及びシアン化カリウムを主成分とし
た銀めっき液を用いることができる。
【0188】
【0189】
次に、図１４（ｈ）に示すように、金属基板３１のうちめっき層３６及び支持層３７に
覆われていない部分を粗化することにより、当該部分に粗面を形成する。具体的には、金
属基板３１にダイパッド粗面領域１１ｆ及びリード粗面領域１２ｆがそれぞれ形成される
。さらに、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード先端
面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗面とされる。この間、金属基板３１に対して
マイクロエッチング液を供給することにより、めっき層３６及び支持層３７で覆われてい
る部分を除き、金属基板３１の全体に粗面を形成する。ここでマイクロエッチング液とは
、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又
は銅合金からなる金属基板３１を粗面化する場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマ
イクロエッチング液を用いても良い。
覆われていない部分を粗化することにより、当該部分に粗面を形成する。具体的には、金
属基板３１にダイパッド粗面領域１１ｆ及びリード粗面領域１２ｆがそれぞれ形成される
。さらに、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード先端
面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗面とされる。この間、金属基板３１に対して
マイクロエッチング液を供給することにより、めっき層３６及び支持層３７で覆われてい
る部分を除き、金属基板３１の全体に粗面を形成する。ここでマイクロエッチング液とは
、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又
は銅合金からなる金属基板３１を粗面化する場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマ
イクロエッチング液を用いても良い。
【0190】
【0191】
（半導体装置の製造方法）
次に、図１１及び図１２に示す半導体装置２０の製造方法について、図１５（ａ）－（
ｄ）を用いて説明する。図１５（ａ）－（ｄ）は、半導体装置２０の製造方法を示す断面
図（図１２に対応する図）である。
次に、図１１及び図１２に示す半導体装置２０の製造方法について、図１５（ａ）－（
ｄ）を用いて説明する。図１５（ａ）－（ｄ）は、半導体装置２０の製造方法を示す断面
図（図１２に対応する図）である。
【0192】
【0193】
次に、リードフレーム１０のダイパッド１１及びリード部１２上に、半導体素子２１を
搭載する。この場合、予め半導体素子２１の電極２１ａにそれぞれバンプ２６を形成して
おく。次いで、このバンプ２６をダイパッド１１及びリード部１２にそれぞれ接続して固
定する（図１５（ｂ））。このとき、半導体素子２１の各電極２１ａと、ダイパッド１１
及びリード部１２とが、それぞれバンプ２６を介して互いに電気的に接続される。ダイパ
ッド１１上のバンプ２６は、ダイパッド平滑面領域１１ｅに接続される。このときバンプ
２６は、ダイパッド粗面領域１１ｆから離間して設けられる。またリード部１２上のバン
プ２６は、リード平滑面領域１２ｅに接続される。このときバンプ２６は、リード粗面領
域１２ｆから離間して設けられる。
搭載する。この場合、予め半導体素子２１の電極２１ａにそれぞれバンプ２６を形成して
おく。次いで、このバンプ２６をダイパッド１１及びリード部１２にそれぞれ接続して固
定する（図１５（ｂ））。このとき、半導体素子２１の各電極２１ａと、ダイパッド１１
及びリード部１２とが、それぞれバンプ２６を介して互いに電気的に接続される。ダイパ
ッド１１上のバンプ２６は、ダイパッド平滑面領域１１ｅに接続される。このときバンプ
２６は、ダイパッド粗面領域１１ｆから離間して設けられる。またリード部１２上のバン
プ２６は、リード平滑面領域１２ｅに接続される。このときバンプ２６は、リード粗面領
域１２ｆから離間して設けられる。
【0194】
次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトラ
ンスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図１５（ｃ））。これにより、
ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びバンプ２６を樹脂封止する。
ンスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図１５（ｃ））。これにより、
ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びバンプ２６を樹脂封止する。
【0195】
その後、パッケージ領域１０ａ毎に、リードフレーム１０及び封止樹脂２３を切断する
。これにより、リードフレーム１０が半導体装置２０毎に分離され、図１１及び図１２に
示す半導体装置２０が得られる（図１５（ｄ））。
。これにより、リードフレーム１０が半導体装置２０毎に分離され、図１１及び図１２に
示す半導体装置２０が得られる（図１５（ｄ））。
【0196】
ところで、このようにして作製された半導体装置２０を長期間使用している間、空気中
の水分等が、半導体装置２０の側面側又は裏面側から、封止樹脂２３と、ダイパッド１１
又はリード部１２との界面を介して侵入することが考えられる。
の水分等が、半導体装置２０の側面側又は裏面側から、封止樹脂２３と、ダイパッド１１
又はリード部１２との界面を介して侵入することが考えられる。
【0197】
これに対して本実施形態によれば、ダイパッド平滑面領域１１ｅの全周を取り囲むよう
にダイパッド粗面領域１１ｆが存在する。同様に、リード平滑面領域１２ｅの全周を取り
囲むようにリード粗面領域１２ｆが存在する。このため、バンプ２６の外側で、ダイパッ
ド表面１１ａ又はリード表面１２ａと封止樹脂２３との界面における水分の侵入経路の距
離が長くなっている。これにより、ダイパッド表面１１ａ又はリード表面１２ａと封止樹
脂２３との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えられる（図１６の矢
印ＦＡ参照）。この結果、長期間の使用後における半導体装置２０の信頼性を向上させる
ことができる。
にダイパッド粗面領域１１ｆが存在する。同様に、リード平滑面領域１２ｅの全周を取り
囲むようにリード粗面領域１２ｆが存在する。このため、バンプ２６の外側で、ダイパッ
ド表面１１ａ又はリード表面１２ａと封止樹脂２３との界面における水分の侵入経路の距
離が長くなっている。これにより、ダイパッド表面１１ａ又はリード表面１２ａと封止樹
脂２３との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えられる（図１６の矢
印ＦＡ参照）。この結果、長期間の使用後における半導体装置２０の信頼性を向上させる
ことができる。
【0198】
また本実施形態によれば、ダイパッド表面１１ａのうち、バンプ２６の外側に隣接する
ダイパッド平滑面領域１１ｅは平滑面となっている。またリード表面１２ａのうち、バン
プ２６の外側に隣接するリード平滑面領域１２ｅは平滑面となっている。
ダイパッド平滑面領域１１ｅは平滑面となっている。またリード表面１２ａのうち、バン
プ２６の外側に隣接するリード平滑面領域１２ｅは平滑面となっている。
【0199】
これにより、バンプ２６が銅等の単一の金属層から構成される場合（図１３（ａ）参照
）、以下のような効果が得られる。すなわちダイパッド１１及びリード部１２上に半導体
素子２１を搭載する際、バンプ２６とダイパッド１１及びリード部１２との密着性を高め
ることができる。他方、仮にバンプ２６を接続するダイパッド１１及びリード部１２の面
が粗面であると、粗面に形成された酸化膜（例えば酸化銅）の影響により、バンプ２６と
粗面との接触面積が狭くなる。この場合、バンプ２６とダイパッド１１及びリード部１２
との接合強度が弱くなるおそれがある。
）、以下のような効果が得られる。すなわちダイパッド１１及びリード部１２上に半導体
素子２１を搭載する際、バンプ２６とダイパッド１１及びリード部１２との密着性を高め
ることができる。他方、仮にバンプ２６を接続するダイパッド１１及びリード部１２の面
が粗面であると、粗面に形成された酸化膜（例えば酸化銅）の影響により、バンプ２６と
粗面との接触面積が狭くなる。この場合、バンプ２６とダイパッド１１及びリード部１２
との接合強度が弱くなるおそれがある。
【0200】
またバンプ２６が錫等の金属を含む場合（図１３（ｂ）参照）、以下のような効果が得
られる。すなわちダイパッド１１及びリード部１２上に半導体素子２１を搭載する際、バ
ンプ２６に含まれる錫等が粗面を伝わって流れ出すことを抑制できる。他方、仮にバンプ
２６の外側に隣接する部分が粗面であると、表面張力により、バンプ２６に含まれる錫等
が粗面を伝わって流れ出てしまうおそれがある。
られる。すなわちダイパッド１１及びリード部１２上に半導体素子２１を搭載する際、バ
ンプ２６に含まれる錫等が粗面を伝わって流れ出すことを抑制できる。他方、仮にバンプ
２６の外側に隣接する部分が粗面であると、表面張力により、バンプ２６に含まれる錫等
が粗面を伝わって流れ出てしまうおそれがある。
【0201】
また、本実施形態によれば、ダイパッド粗面領域１１ｆは、平面視でダイパッド１１の
周縁１１ｇの全域に沿って形成されている。またリード粗面領域１２ｆは、平面視でリー
ド部１２の周縁１２ｇの全域に沿って形成されている。これにより、ダイパッド表面１１
ａ又はリード表面１２ａと封止樹脂２３との界面から半導体素子２１側に水分が侵入する
ことをより効果的に抑制できる。
周縁１１ｇの全域に沿って形成されている。またリード粗面領域１２ｆは、平面視でリー
ド部１２の周縁１２ｇの全域に沿って形成されている。これにより、ダイパッド表面１１
ａ又はリード表面１２ａと封止樹脂２３との界面から半導体素子２１側に水分が侵入する
ことをより効果的に抑制できる。
【0202】
また本実施形態によれば、リード部１２のインナーリード裏面５１ｂとインナーリード
先端面５１ｃとが粗面となっている。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ
及び第２ダイパッド側面１１ｄがそれぞれ粗面となっている。このため、封止樹脂２３と
、ダイパッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなって
いる。これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半
導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図１６の矢印ＦＢ参照）。
この結果、長期間使用した後における半導体装置２０の信頼性を向上させることができる
。
先端面５１ｃとが粗面となっている。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ
及び第２ダイパッド側面１１ｄがそれぞれ粗面となっている。このため、封止樹脂２３と
、ダイパッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなって
いる。これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半
導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図１６の矢印ＦＢ参照）。
この結果、長期間使用した後における半導体装置２０の信頼性を向上させることができる
。
【0203】
とりわけ、フリップチップタイプの半導体装置２０においては、半導体素子２１の電極
２１ａが裏面側を向いている。このため、フリップチップタイプの半導体装置２０におい
ては、半導体装置２０の裏面から半導体素子２１の電極２１ａまでの距離が短くなりやす
い。これに対して本実施形態によれば、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されている部
分が粗面となっている。これにより、封止樹脂２３とリード部１２との界面から、半導体
素子２１側に水分が侵入することをより効果的に抑えることができる。
２１ａが裏面側を向いている。このため、フリップチップタイプの半導体装置２０におい
ては、半導体装置２０の裏面から半導体素子２１の電極２１ａまでの距離が短くなりやす
い。これに対して本実施形態によれば、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されている部
分が粗面となっている。これにより、封止樹脂２３とリード部１２との界面から、半導体
素子２１側に水分が侵入することをより効果的に抑えることができる。
【0204】
また、本実施形態によれば、リード部１２のインナーリード裏面５１ｂとインナーリー
ド先端面５１ｃとが粗面となっている。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１
ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄがそれぞれ粗面となっている。これにより、ダイパッド
１１及びリード部１２と封止樹脂２３との密着強度を高め、ダイパッド１１及びリード部
１２と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
ド先端面５１ｃとが粗面となっている。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１
ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄがそれぞれ粗面となっている。これにより、ダイパッド
１１及びリード部１２と封止樹脂２３との密着強度を高め、ダイパッド１１及びリード部
１２と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
【0205】
（変形例）
次に、図１７（ａ）－（ｄ）により、ダイパッド平滑面領域１１ｅ及びリード平滑面領
域１２ｅの変形例について説明する。図１７（ａ）－（ｄ）は、それぞれダイパッド平滑
面領域１１ｅ及びリード平滑面領域１２ｅ（以下、単に平滑面領域１１ｅ、１２ｅともい
う）と、ダイパッド粗面領域１１ｆ及びリード粗面領域１２ｆ（以下、単に粗面領域１１
ｆ、１２ｆともいう）を示す拡大平面図である。
次に、図１７（ａ）－（ｄ）により、ダイパッド平滑面領域１１ｅ及びリード平滑面領
域１２ｅの変形例について説明する。図１７（ａ）－（ｄ）は、それぞれダイパッド平滑
面領域１１ｅ及びリード平滑面領域１２ｅ（以下、単に平滑面領域１１ｅ、１２ｅともい
う）と、ダイパッド粗面領域１１ｆ及びリード粗面領域１２ｆ（以下、単に粗面領域１１
ｆ、１２ｆともいう）を示す拡大平面図である。
【0206】
図１７（ａ）に示すように、平滑面領域１１ｅ、１２ｅは、平面視で正方形又は長方形
であっても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅの幅（各辺の長さ）Ｄ３は、０．０３０ｍｍ
以上としても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。幅Ｄ３は、０．０７０ｍｍ以下と
しても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。またバンプ２６を平滑面領域１１ｅ、１
２ｅの中心に配置したとき、バンプ２６の周縁と平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁との最
短距離ｄ３は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１０ｍｍ以上としても良い。最
短距離ｄ３は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１５ｍｍ以下としても良い。ま
た平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイパッド１１の周縁１１ｇ又はリード部１２の周縁１
２ｇとの最短距離Ｌ３は、０．０２５ｍｍ以上としても良く、０．０３０ｍｍ以上として
も良い。最短距離Ｌ３は、１．０ｍｍ以下としても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い
。平滑面領域１１ｅ、１２ｅが平面視で正方形又は長方形であることにより、バンプ２６
の周縁と平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁との最短距離（間隔）ｄ３を十分確保できる。
であっても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅの幅（各辺の長さ）Ｄ３は、０．０３０ｍｍ
以上としても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。幅Ｄ３は、０．０７０ｍｍ以下と
しても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。またバンプ２６を平滑面領域１１ｅ、１
２ｅの中心に配置したとき、バンプ２６の周縁と平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁との最
短距離ｄ３は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１０ｍｍ以上としても良い。最
短距離ｄ３は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１５ｍｍ以下としても良い。ま
た平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイパッド１１の周縁１１ｇ又はリード部１２の周縁１
２ｇとの最短距離Ｌ３は、０．０２５ｍｍ以上としても良く、０．０３０ｍｍ以上として
も良い。最短距離Ｌ３は、１．０ｍｍ以下としても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い
。平滑面領域１１ｅ、１２ｅが平面視で正方形又は長方形であることにより、バンプ２６
の周縁と平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁との最短距離（間隔）ｄ３を十分確保できる。
【0207】
図１７（ｂ）に示すように、平滑面領域１１ｅ、１２ｅは、平面視で正方形又は長方形
であり、１つの平滑面領域１１ｅ、１２ｅに複数のバンプ２６が配置されても良い。平滑
面領域１１ｅ、１２ｅの長辺の長さＤ４ａは、０．０４５ｍｍ以上としても良く、０．０
６５ｍｍ以上としても良い。長さＤ４ａは、０．１２ｍｍ以下としても良く、０．１０ｍ
ｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅの短辺の長さＤ４ｂは、０．０３０ｍｍ
以上としても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。長さＤ４ｂは、０．０７０ｍｍ以
下としても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。また各バンプ２６を平滑面領域１１
ｅ、１２ｅの短辺方向の中心に配置したとき、バンプ２６の周縁と平滑面領域１１ｅ、１
２ｅの周縁との短辺方向の最短距離ｄ４は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１
０ｍｍ以上としても良い。最短距離ｄ４は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１
５ｍｍ以下としても良い。また平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイパッド１１の周縁１１
ｇ又はリード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ４は、０．０２５ｍｍ以上としても良く
、０．０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ４は、１．０ｍｍ以下としても良く、０
．５０ｍｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅが平面視で正方形又は長方形で
あることにより、バンプ２６の周縁と平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁との最短距離（間
隔）ｄ４を十分確保できる。また、各平滑面領域１１ｅ、１２ｅに、互いに隣接する２つ
以上のバンプ２６を設置できる。
であり、１つの平滑面領域１１ｅ、１２ｅに複数のバンプ２６が配置されても良い。平滑
面領域１１ｅ、１２ｅの長辺の長さＤ４ａは、０．０４５ｍｍ以上としても良く、０．０
６５ｍｍ以上としても良い。長さＤ４ａは、０．１２ｍｍ以下としても良く、０．１０ｍ
ｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅの短辺の長さＤ４ｂは、０．０３０ｍｍ
以上としても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。長さＤ４ｂは、０．０７０ｍｍ以
下としても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。また各バンプ２６を平滑面領域１１
ｅ、１２ｅの短辺方向の中心に配置したとき、バンプ２６の周縁と平滑面領域１１ｅ、１
２ｅの周縁との短辺方向の最短距離ｄ４は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１
０ｍｍ以上としても良い。最短距離ｄ４は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１
５ｍｍ以下としても良い。また平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイパッド１１の周縁１１
ｇ又はリード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ４は、０．０２５ｍｍ以上としても良く
、０．０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ４は、１．０ｍｍ以下としても良く、０
．５０ｍｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅが平面視で正方形又は長方形で
あることにより、バンプ２６の周縁と平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁との最短距離（間
隔）ｄ４を十分確保できる。また、各平滑面領域１１ｅ、１２ｅに、互いに隣接する２つ
以上のバンプ２６を設置できる。
【0208】
図１７（ｃ）に示すように、平滑面領域１１ｅ、１２ｅは、平面視で楕円又は長円であ
り、１つの平滑面領域１１ｅ、１２ｅに複数のバンプ２６が配置されても良い。平滑面領
域１１ｅ、１２ｅの長手方向の長さＤ５ａは、０．０４５ｍｍ以上としても良く、０．０
６５ｍｍ以上としても良い。長さＤ５ａは、０．１２ｍｍ以下としても良く、０．１０ｍ
ｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅの短手方向の長さＤ５ｂは、０．０３０
ｍｍ以上としても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。長さＤ５ｂは、０．０７０ｍ
ｍ以下としても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。また各バンプ２６を平滑面領域
１１ｅ、１２ｅの短手方向の中心に配置したとき、バンプ２６の周縁と平滑面領域１１ｅ
、１２ｅの周縁との最短距離ｄ５は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１０ｍｍ
以上としても良い。最短距離ｄ５は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１５ｍｍ
以下としても良い。また平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイパッド１１の周縁１１ｇ又は
リード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ５は、０．０２５ｍｍ以上としても良く、０．
０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ５は、１．０ｍｍ以下としても良く、０．５０
ｍｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅが平面視で楕円又は長円であることに
より、各平滑面領域１１ｅ、１２ｅに、互いに隣接する２つ以上のバンプ２６を設置でき
る。
り、１つの平滑面領域１１ｅ、１２ｅに複数のバンプ２６が配置されても良い。平滑面領
域１１ｅ、１２ｅの長手方向の長さＤ５ａは、０．０４５ｍｍ以上としても良く、０．０
６５ｍｍ以上としても良い。長さＤ５ａは、０．１２ｍｍ以下としても良く、０．１０ｍ
ｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅの短手方向の長さＤ５ｂは、０．０３０
ｍｍ以上としても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。長さＤ５ｂは、０．０７０ｍ
ｍ以下としても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。また各バンプ２６を平滑面領域
１１ｅ、１２ｅの短手方向の中心に配置したとき、バンプ２６の周縁と平滑面領域１１ｅ
、１２ｅの周縁との最短距離ｄ５は、０．００５ｍｍ以上としても良く、０．０１０ｍｍ
以上としても良い。最短距離ｄ５は、０．０２０ｍｍ以下としても良く、０．０１５ｍｍ
以下としても良い。また平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイパッド１１の周縁１１ｇ又は
リード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ５は、０．０２５ｍｍ以上としても良く、０．
０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ５は、１．０ｍｍ以下としても良く、０．５０
ｍｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅが平面視で楕円又は長円であることに
より、各平滑面領域１１ｅ、１２ｅに、互いに隣接する２つ以上のバンプ２６を設置でき
る。
【0209】
図１７（ｄ）に示すように、平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁は、平面視で曲線Ｃｖと
線分Ｌｓとを含む閉じた図形であっても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅは、円又は楕円
の一部を除去した図形、例えば半円又は半楕円であっても良い。平滑面領域１１ｅ、１２
ｅの周縁を構成する線分Ｌｓは、ダイパッド１１の周縁１１ｇ又はリード部１２の周縁１
２ｇに対して平行であっても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅの、線分Ｌｓに直交する方
向の長さＤ６ａは、０．０３０ｍｍ以上としても良く、０．０５０ｍｍ以上としても良い
。長さＤ６ａは、０．１２ｍｍ以下としても良く、０．１０ｍｍ以下としても良い。平滑
面領域１１ｅ、１２ｅの、線分Ｌｓに平行な方向の長さＤ６ｂは、０．０３０ｍｍ以上と
しても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。長さＤ６ｂは、０．０７０ｍｍ以下とし
ても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。また各バンプ２６を平滑面領域１１ｅ、１
２ｅの線分Ｌｓに平行な方向及び直交する方向の中心に配置したとき、バンプ２６の周縁
と平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁との最短距離ｄ６は、０．００５ｍｍ以上としても良
く、０．０１０ｍｍ以上としても良い。最短距離ｄ６は、０．０２０ｍｍ以下としても良
く、０．０１５ｍｍ以下としても良い。また平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイパッド１
１の周縁１１ｇ又はリード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ６は、０．０２５ｍｍ以上
としても良く、０．０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ６は、１．０ｍｍ以下とし
ても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅが平面視で曲線Ｃ
ｖと線分Ｌｓとを含む閉じた図形であることにより、平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイ
パッド１１の周縁１１ｇ又はリード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ６を一定以上確保
できる。
線分Ｌｓとを含む閉じた図形であっても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅは、円又は楕円
の一部を除去した図形、例えば半円又は半楕円であっても良い。平滑面領域１１ｅ、１２
ｅの周縁を構成する線分Ｌｓは、ダイパッド１１の周縁１１ｇ又はリード部１２の周縁１
２ｇに対して平行であっても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅの、線分Ｌｓに直交する方
向の長さＤ６ａは、０．０３０ｍｍ以上としても良く、０．０５０ｍｍ以上としても良い
。長さＤ６ａは、０．１２ｍｍ以下としても良く、０．１０ｍｍ以下としても良い。平滑
面領域１１ｅ、１２ｅの、線分Ｌｓに平行な方向の長さＤ６ｂは、０．０３０ｍｍ以上と
しても良く、０．０３５ｍｍ以上としても良い。長さＤ６ｂは、０．０７０ｍｍ以下とし
ても良く、０．０６５ｍｍ以下としても良い。また各バンプ２６を平滑面領域１１ｅ、１
２ｅの線分Ｌｓに平行な方向及び直交する方向の中心に配置したとき、バンプ２６の周縁
と平滑面領域１１ｅ、１２ｅの周縁との最短距離ｄ６は、０．００５ｍｍ以上としても良
く、０．０１０ｍｍ以上としても良い。最短距離ｄ６は、０．０２０ｍｍ以下としても良
く、０．０１５ｍｍ以下としても良い。また平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイパッド１
１の周縁１１ｇ又はリード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ６は、０．０２５ｍｍ以上
としても良く、０．０３０ｍｍ以上としても良い。最短距離Ｌ６は、１．０ｍｍ以下とし
ても良く、０．５０ｍｍ以下としても良い。平滑面領域１１ｅ、１２ｅが平面視で曲線Ｃ
ｖと線分Ｌｓとを含む閉じた図形であることにより、平滑面領域１１ｅ、１２ｅと、ダイ
パッド１１の周縁１１ｇ又はリード部１２の周縁１２ｇとの最短距離Ｌ６を一定以上確保
できる。
【0210】
（第３の実施形態）
次に第３の実施形態について、図１８乃至図２５を参照して説明する。図１８乃至図２
５は、第３の実施形態を示す図である。図１８乃至図２５において、図８乃至図１７に示
す形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に第３の実施形態について、図１８乃至図２５を参照して説明する。図１８乃至図２
５は、第３の実施形態を示す図である。図１８乃至図２５において、図８乃至図１７に示
す形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0211】
【0212】
本明細書中、「外周」とは、リードフレーム１０（金属基板）のうち外側に露出する部
分であり、「表面」、「側面」及び「裏面」を含む領域をいう。
分であり、「表面」、「側面」及び「裏面」を含む領域をいう。
【0213】
図１８及び図１９に示すように、リードフレーム１０の各パッケージ領域１０ａは、ダ
イパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に位置するリード部１２と、を備えている。この
うちリード部１２は、裏面側から一部が薄肉化されている。リード部１２の裏面のうち、
薄肉化されている部分は粗面となっている。リード部１２の裏面のうち、薄肉化されてい
ない部分は平滑面となっている。
イパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に位置するリード部１２と、を備えている。この
うちリード部１２は、裏面側から一部が薄肉化されている。リード部１２の裏面のうち、
薄肉化されている部分は粗面となっている。リード部１２の裏面のうち、薄肉化されてい
ない部分は平滑面となっている。
【0214】
図１９に示すように、ダイパッド１１は、表面側に位置するダイパッド表面１１ａと、
裏面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。この場合、ダイパッド１１のう
ちダイパッド表面１１ａと第１ダイパッド側面１１ｃと第２ダイパッド側面１１ｄとはそ
れぞれ粗面となっている。一方、ダイパッド１１のうちダイパッド裏面１１ｂは平滑面と
なっている。
裏面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。この場合、ダイパッド１１のう
ちダイパッド表面１１ａと第１ダイパッド側面１１ｃと第２ダイパッド側面１１ｄとはそ
れぞれ粗面となっている。一方、ダイパッド１１のうちダイパッド裏面１１ｂは平滑面と
なっている。
【0215】
図１９に示すように、リード部１２は、インナーリード５１と端子部５３とを有してい
る。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側
（コネクティングバー１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイ
パッド１１側に延びている。インナーリード５１の表面側の先端部には内部端子が形成さ
れる。この内部端子は、後述するようにバンプ２６を介して半導体素子２１に電気的に接
続される領域である。
る。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側
（コネクティングバー１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイ
パッド１１側に延びている。インナーリード５１の表面側の先端部には内部端子が形成さ
れる。この内部端子は、後述するようにバンプ２６を介して半導体素子２１に電気的に接
続される領域である。
【0216】
インナーリード５１は、裏面側から例えばハーフエッチングにより薄肉化されている。
インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有
している。インナーリード表面５１ａは表面側に位置する。インナーリード表面５１ａの
一部には、内部端子が形成される。また、インナーリード５１のうちダイパッド１１を向
く面には、インナーリード先端面５１ｃが形成されている。インナーリード裏面５１ｂは
裏面側に位置する。
インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有
している。インナーリード表面５１ａは表面側に位置する。インナーリード表面５１ａの
一部には、内部端子が形成される。また、インナーリード５１のうちダイパッド１１を向
く面には、インナーリード先端面５１ｃが形成されている。インナーリード裏面５１ｂは
裏面側に位置する。
【0217】
リード部１２のインナーリード先端面５１ｃは、その全域が粗面となっている。また、
図示していないが、リード部１２の長手方向に沿う両側面も粗面となっていても良い。一
方、リード部１２のインナーリード５１は表面側から薄肉化されていない。インナーリー
ド５１の表面側に位置するインナーリード表面５１ａは、その全域が粗面となっている。
またリード部１２の端子部５３は表面側から薄肉化されていない。端子部５３の表面側に
位置する端子部表面５３ａは、その全域が粗面となっている。
図示していないが、リード部１２の長手方向に沿う両側面も粗面となっていても良い。一
方、リード部１２のインナーリード５１は表面側から薄肉化されていない。インナーリー
ド５１の表面側に位置するインナーリード表面５１ａは、その全域が粗面となっている。
またリード部１２の端子部５３は表面側から薄肉化されていない。端子部５３の表面側に
位置する端子部表面５３ａは、その全域が粗面となっている。
【0218】
このほか、本実施形態によるリードフレーム１０の構成は、第２の実施形態によるリー
ドフレーム１０の構成と同様としても良い。
ドフレーム１０の構成と同様としても良い。
【0219】
本実施形態において、「粗面」及び「平滑面」の定義及び測定方法は、第２の実施形態
の場合と同様である。
の場合と同様である。
【0220】
【0221】
【0222】
このうち半導体素子２１は、ダイパッド１１上に搭載されている。また複数のリード部
１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。複数のバンプ２６は、それぞれ半導体
素子２１と、ダイパッド１１又はリード部１２とを電気的に接続する。この場合、バンプ
２６は接続部を構成する。またバンプ２６は、ピラーであっても良い。封止樹脂２３は、
ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びバンプ２６を樹脂封止する。
１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。複数のバンプ２６は、それぞれ半導体
素子２１と、ダイパッド１１又はリード部１２とを電気的に接続する。この場合、バンプ
２６は接続部を構成する。またバンプ２６は、ピラーであっても良い。封止樹脂２３は、
ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びバンプ２６を樹脂封止する。
【0223】
ダイパッド１１及びリード部１２上にはバンプ２６が設けられている。このバンプ２６
を介して、半導体素子２１と、ダイパッド１１及びリード部１２とが互いに電気的に接続
されている。
を介して、半導体素子２１と、ダイパッド１１及びリード部１２とが互いに電気的に接続
されている。
【0224】
バンプ（接続部）２６は、例えば銅等の導電性の良い金属材料からなり、中実の略円柱
形状又は略球形状を有していても良い。バンプ２６は、それぞれその上端が半導体素子２
１の電極２１ａに接続されるとともに、その下端がダイパッド１１及びリード部１２にそ
れぞれ接続されている。なお、ダイパッド１１には必ずしもバンプ２６が設けられていな
くても良い。この場合、ダイパッド１１と半導体素子２１とは、例えばダイボンディング
ペースト等の接着剤により互いに固定されても良い。
形状又は略球形状を有していても良い。バンプ２６は、それぞれその上端が半導体素子２
１の電極２１ａに接続されるとともに、その下端がダイパッド１１及びリード部１２にそ
れぞれ接続されている。なお、ダイパッド１１には必ずしもバンプ２６が設けられていな
くても良い。この場合、ダイパッド１１と半導体素子２１とは、例えばダイボンディング
ペースト等の接着剤により互いに固定されても良い。
【0225】
図２２は、バンプ２６の周辺を示す拡大断面図である。図２２に示すように、バンプ２
６は、複数の層を含んでいても良い。例えば、バンプ２６は、ダイパッド１１又はリード
部１２側に位置する第１層２６ａと、半導体素子２１側に位置する第２層２６ｂとを含む
。第１層２６ａは、例えば錫等の金属を含んでも良い。第１層２６ａの高さは、１μｍ以
上１０μｍ以下としても良い。第２層２６ｂは、例えば銅等の金属を含んでも良い。第２
層２６ｂの高さは、３０μｍ以上１００μｍ以下としても良い。
６は、複数の層を含んでいても良い。例えば、バンプ２６は、ダイパッド１１又はリード
部１２側に位置する第１層２６ａと、半導体素子２１側に位置する第２層２６ｂとを含む
。第１層２６ａは、例えば錫等の金属を含んでも良い。第１層２６ａの高さは、１μｍ以
上１０μｍ以下としても良い。第２層２６ｂは、例えば銅等の金属を含んでも良い。第２
層２６ｂの高さは、３０μｍ以上１００μｍ以下としても良い。
【0226】
なお、半導体装置２０としては、フリップチップタイプのものには限られない。バンプ
２６に代えて、例えばボンディングワイヤが接続部を構成しても良い。この場合、ボンデ
ィングワイヤが、半導体素子２１とリード部１２とを互いに電気的に接続しても良い。
２６に代えて、例えばボンディングワイヤが接続部を構成しても良い。この場合、ボンデ
ィングワイヤが、半導体素子２１とリード部１２とを互いに電気的に接続しても良い。
【0227】
このほか、本実施形態による半導体装置２０の構成は、第２の実施形態による半導体装
置２０の構成と同様としても良い。
置２０の構成と同様としても良い。
【0228】
（リードフレームの製造方法）
次に、図１８及び図１９に示すリードフレーム１０の製造方法について、図２３（ａ）
－（ｉ）を用いて説明する。図２３（ａ）－（ｉ）は、リードフレーム１０の製造方法を
示す断面図（図１９に対応する図）である。
次に、図１８及び図１９に示すリードフレーム１０の製造方法について、図２３（ａ）
－（ｉ）を用いて説明する。図２３（ａ）－（ｉ）は、リードフレーム１０の製造方法を
示す断面図（図１９に対応する図）である。
【0229】
【0230】
次に、金属基板３１の外周の一部にめっき層３６を形成する（図２３（ｆ））。このと
き、金属基板３１のうち、表面の全域を除く外周領域にめっき層３６が形成される。すな
わち、めっき層３６は、金属基板３１の表面全域には形成されず、金属基板３１の裏面全
域及び側面全域に形成される。より具体的には、めっき層３６は、ダイパッド１１のダイ
パッド表面１１ａと、リード部１２のインナーリード表面５１ａ及び端子部表面５３ａに
は形成されない。一方、めっき層３６は、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂ、第１
ダイパッド側面１１ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄに形成される。また、めっき層３６
は、リード部１２の外部端子１７、インナーリード裏面５１ｂ及びインナーリード先端面
５１ｃに形成される。なお、めっき層３６は、コネクティングバー１３の表面に形成され
なくても良い。めっき層３６は、コネクティングバー１３の裏面に形成されても良い。
き、金属基板３１のうち、表面の全域を除く外周領域にめっき層３６が形成される。すな
わち、めっき層３６は、金属基板３１の表面全域には形成されず、金属基板３１の裏面全
域及び側面全域に形成される。より具体的には、めっき層３６は、ダイパッド１１のダイ
パッド表面１１ａと、リード部１２のインナーリード表面５１ａ及び端子部表面５３ａに
は形成されない。一方、めっき層３６は、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂ、第１
ダイパッド側面１１ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄに形成される。また、めっき層３６
は、リード部１２の外部端子１７、インナーリード裏面５１ｂ及びインナーリード先端面
５１ｃに形成される。なお、めっき層３６は、コネクティングバー１３の表面に形成され
なくても良い。めっき層３６は、コネクティングバー１３の裏面に形成されても良い。
【0231】
この際、図２３（ｆ）に示すように、金属基板３１の表面の全域をゴムパッキン等の弾
性部材４４を介して第１の治具４５で覆う。この状態で金属基板３１に対して電解めっき
を施すことにより、金属基板３１のうち、表面の全域を除く領域にめっき層３６が形成さ
れる。めっき層３６の厚みは、０μｍ超２μｍ以下としても良い。めっき層３６を構成す
る金属としては、例えば銀を用いてもよい。めっき層３６が銀めっきからなる場合、電解
めっき用めっき液としては、シアン化銀及びシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液
を用いることができる。このように、めっき層３６が金属基板３１の表面全域に形成され
ないことにより、めっき層３６を構成する銀等の金属の使用量を削減できる。これにより
、リードフレーム１０の製造コストを低減できる。
性部材４４を介して第１の治具４５で覆う。この状態で金属基板３１に対して電解めっき
を施すことにより、金属基板３１のうち、表面の全域を除く領域にめっき層３６が形成さ
れる。めっき層３６の厚みは、０μｍ超２μｍ以下としても良い。めっき層３６を構成す
る金属としては、例えば銀を用いてもよい。めっき層３６が銀めっきからなる場合、電解
めっき用めっき液としては、シアン化銀及びシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液
を用いることができる。このように、めっき層３６が金属基板３１の表面全域に形成され
ないことにより、めっき層３６を構成する銀等の金属の使用量を削減できる。これにより
、リードフレーム１０の製造コストを低減できる。
【0232】
続いて、粗面を形成する領域に存在する一部のめっき層３６を除去する。具体的には、
金属基板３１の少なくとも裏面に存在するめっき層３６を残し、他のめっき層３６を除去
する（図２３（ｇ））。具体的には、めっき層３６のうち、金属基板３１の側面に存在す
る部分を除去する。これにより、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ上及び第２
ダイパッド側面１１ｄ上のめっき層３６が除去される。また、リード部１２のインナーリ
ード先端面５１ｃ上及びインナーリード裏面５１ｂ上のめっき層３６が除去される。
金属基板３１の少なくとも裏面に存在するめっき層３６を残し、他のめっき層３６を除去
する（図２３（ｇ））。具体的には、めっき層３６のうち、金属基板３１の側面に存在す
る部分を除去する。これにより、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ上及び第２
ダイパッド側面１１ｄ上のめっき層３６が除去される。また、リード部１２のインナーリ
ード先端面５１ｃ上及びインナーリード裏面５１ｂ上のめっき層３６が除去される。
【0233】
この間、図２３（ｇ）に示すように、まず金属基板３１の裏面にゴムパッキン等の弾性
部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１の裏面側に第２の冶具４７Ａを配
置する。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去する。こ
れにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード先端
面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方、弾性部材４６に覆われたダイ
パッド裏面１１ｂ及び外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１の裏面側に第２の冶具４７Ａを配
置する。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去する。こ
れにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード先端
面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方、弾性部材４６に覆われたダイ
パッド裏面１１ｂ及び外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
【0234】
次に、図２３（ｈ）に示すように、金属基板３１の裏面側に、金属基板３１を支持する
支持層３７を設ける。支持層３７は、例えばレジスト層であっても良い。続いて図２３（
ｈ）に示すように、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化するこ
とにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する。具体的には、ダイパッ
ド表面１１ａ、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード
表面５１ａ、端子部表面５３ａ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５
１ｂがそれぞれ粗面とされる。この間、金属基板３１に対してマイクロエッチング液を供
給することにより、めっき層３６で覆われている部分を除き、金属基板３１の全体に粗面
を形成する。ここでマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の
粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１を粗面化す
る場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液を用いても良い。
支持層３７を設ける。支持層３７は、例えばレジスト層であっても良い。続いて図２３（
ｈ）に示すように、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化するこ
とにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する。具体的には、ダイパッ
ド表面１１ａ、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード
表面５１ａ、端子部表面５３ａ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５
１ｂがそれぞれ粗面とされる。この間、金属基板３１に対してマイクロエッチング液を供
給することにより、めっき層３６で覆われている部分を除き、金属基板３１の全体に粗面
を形成する。ここでマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の
粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１を粗面化す
る場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液を用いても良い。
【0235】
【0236】
（半導体装置の製造方法）
図２４（ａ）－（ｄ）に示すように、本実施形態による半導体装置２０の製造方法は、
第２の実施形態による半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。この
場合、半導体素子２１の各電極２１ａは、それぞれバンプ２６を介して、ダイパッド１１
及びリード部１２に電気的に接続される。
図２４（ａ）－（ｄ）に示すように、本実施形態による半導体装置２０の製造方法は、
第２の実施形態による半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。この
場合、半導体素子２１の各電極２１ａは、それぞれバンプ２６を介して、ダイパッド１１
及びリード部１２に電気的に接続される。
【0237】
このように本実施形態によれば、金属基板３１のうち、表面を除く領域にめっき層３６
を形成する（図２４（ｆ））。次に、金属基板３１の裏面に存在するめっき層３６を残し
、他のめっき層３６を除去する（図２４（ｇ））。その後、金属基板３１のうち、めっき
層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図２４（ｈ））。このように、粗面を形
成するためのめっき層３６を金属基板３１の全面に設けることなく、金属基板３１のうち
表面を除く領域に設けている。これにより、めっき層３６を構成する銀等の金属の使用量
を削減できる。この結果、リードフレーム１０の製造コストを低減できる。
を形成する（図２４（ｆ））。次に、金属基板３１の裏面に存在するめっき層３６を残し
、他のめっき層３６を除去する（図２４（ｇ））。その後、金属基板３１のうち、めっき
層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図２４（ｈ））。このように、粗面を形
成するためのめっき層３６を金属基板３１の全面に設けることなく、金属基板３１のうち
表面を除く領域に設けている。これにより、めっき層３６を構成する銀等の金属の使用量
を削減できる。この結果、リードフレーム１０の製造コストを低減できる。
【0238】
ところで、このようにして作製された半導体装置２０を長期間使用している間、空気中
の水分等が、半導体装置２０の裏面側から封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部
１２との界面を介して侵入することが考えられる。これに対して本実施形態によれば、リ
ード部１２のインナーリード裏面５１ｂとインナーリード先端面５１ｃとが粗面となって
いる。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄ
がそれぞれ粗面となっている。このため、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部
１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。これにより、封止樹脂２
３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入す
ることを抑えることができる（図２５の矢印ＦＡ参照）。この結果、長期間使用した後に
おける半導体装置２０の信頼性を向上させることができる。
の水分等が、半導体装置２０の裏面側から封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部
１２との界面を介して侵入することが考えられる。これに対して本実施形態によれば、リ
ード部１２のインナーリード裏面５１ｂとインナーリード先端面５１ｃとが粗面となって
いる。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄ
がそれぞれ粗面となっている。このため、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部
１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。これにより、封止樹脂２
３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入す
ることを抑えることができる（図２５の矢印ＦＡ参照）。この結果、長期間使用した後に
おける半導体装置２０の信頼性を向上させることができる。
【0239】
（第４の実施形態）
次に、図２６乃至図２９を参照して第４の実施形態について説明する。図２６乃至図２
９は第４の実施形態を示す図である。図２６乃至図２９に示す第４の実施形態は、主とし
て、ダイパッド１１及びリード部１２の表面に金属層２５が設けられている点が異なるも
のであり、他の構成は上述した第３の実施形態と略同一である。図２６乃至図２９におい
て、図８乃至図１７に示す第２の実施形態、及び、図１８乃至図２５に示す第３の実施形
態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図２６乃至図２９を参照して第４の実施形態について説明する。図２６乃至図２
９は第４の実施形態を示す図である。図２６乃至図２９に示す第４の実施形態は、主とし
て、ダイパッド１１及びリード部１２の表面に金属層２５が設けられている点が異なるも
のであり、他の構成は上述した第３の実施形態と略同一である。図２６乃至図２９におい
て、図８乃至図１７に示す第２の実施形態、及び、図１８乃至図２５に示す第３の実施形
態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0240】
【0241】
図２６に示すリードフレーム１０Ａ及び図２７に示す半導体装置２０Ａにおいて、ダイ
パッド１１の一部上及びリード部１２の一部上に、金属層２５が位置している。具体的に
は、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａに、バンプ２６との密着性を向上させる金属
層２５が複数設けられている。またリード部１２のインナーリード５１に形成された内部
端子上に、バンプ２６と密着性を向上させる金属層２５が設けられている。
パッド１１の一部上及びリード部１２の一部上に、金属層２５が位置している。具体的に
は、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａに、バンプ２６との密着性を向上させる金属
層２５が複数設けられている。またリード部１２のインナーリード５１に形成された内部
端子上に、バンプ２６と密着性を向上させる金属層２５が設けられている。
【0242】
金属層２５は、バンプ２６と、ダイパッド１１及びリード部１２との接続を良好にする
ためのものである。金属層２５は、例えば電解めっき法により形成されためっき層であっ
ても良い。金属層２５の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下としても良い。このようなめっ
き層を構成する金属としては、銀、銀合金、金、金合金、白金族、銅、銅合金、パラジウ
ムなどを用いてもよい。金属層２５を構成する金属によって、下地めっきが必要な場合は
、ニッケルや、銅などの公知のものを適用すればよい。
ためのものである。金属層２５は、例えば電解めっき法により形成されためっき層であっ
ても良い。金属層２５の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下としても良い。このようなめっ
き層を構成する金属としては、銀、銀合金、金、金合金、白金族、銅、銅合金、パラジウ
ムなどを用いてもよい。金属層２５を構成する金属によって、下地めっきが必要な場合は
、ニッケルや、銅などの公知のものを適用すればよい。
【0243】
図２６及び図２７に示すように、リード部１２の表面は、平滑面である第１表面部分５
６ａと、粗面である第２表面部分５６ｂとを有する。第１表面部分５６ａは、リード部１
２の内側（ダイパッド１１側）端部に位置する。第１表面部分５６ａ上には、金属層２５
が形成される。第１表面部分５６ａは、その全体が平滑面となっている。なお第１表面部
分５６ａは、インナーリード表面５１ａの一部に位置している。
６ａと、粗面である第２表面部分５６ｂとを有する。第１表面部分５６ａは、リード部１
２の内側（ダイパッド１１側）端部に位置する。第１表面部分５６ａ上には、金属層２５
が形成される。第１表面部分５６ａは、その全体が平滑面となっている。なお第１表面部
分５６ａは、インナーリード表面５１ａの一部に位置している。
【0244】
第２表面部分５６ｂは、第１表面部分５６ａ及び金属層２５の外側（ダイパッド１１の
反対側）に隣接する。第２表面部分５６ｂは、第１表面部分５６ａ及び金属層２５に直接
接している。この第２表面部分５６ｂは、その全体が粗面となっている。またリードフレ
ーム１０Ａにおいて、第２表面部分５６ｂは、リード部１２とコネクティングバー１３と
の接続部まで連続的に延びていることが好ましい。またコネクティングバー１３の表面が
粗面となっていてもよい。なお第２表面部分５６ｂは、インナーリード表面５１ａの一部
と端子部表面５３ａの一部とに位置している。
反対側）に隣接する。第２表面部分５６ｂは、第１表面部分５６ａ及び金属層２５に直接
接している。この第２表面部分５６ｂは、その全体が粗面となっている。またリードフレ
ーム１０Ａにおいて、第２表面部分５６ｂは、リード部１２とコネクティングバー１３と
の接続部まで連続的に延びていることが好ましい。またコネクティングバー１３の表面が
粗面となっていてもよい。なお第２表面部分５６ｂは、インナーリード表面５１ａの一部
と端子部表面５３ａの一部とに位置している。
【0245】
図２７に示すように、半導体装置２０Ａにおいて、バンプ２６は、金属層２５上に設け
られている。バンプ２６は、それぞれその上端が半導体素子２１の電極２１ａに接続され
るとともに、その下端が金属層２５を介してダイパッド１１及びリード部１２にそれぞれ
接続されている。なお、ダイパッド１１には必ずしも金属層２５及びバンプ２６が設けら
れていなくても良い。
られている。バンプ２６は、それぞれその上端が半導体素子２１の電極２１ａに接続され
るとともに、その下端が金属層２５を介してダイパッド１１及びリード部１２にそれぞれ
接続されている。なお、ダイパッド１１には必ずしも金属層２５及びバンプ２６が設けら
れていなくても良い。
【0246】
本実施形態において、「粗面」及び「平滑面」の定義及び測定方法は、第２の実施形態
の場合と同様である。
の場合と同様である。
【0247】
（リードフレームの製造方法）
次に、図２６に示すリードフレーム１０Ａの製造方法について、図２８（ａ）－（ｊ）
を用いて説明する。図２８（ａ）－（ｊ）において、図２３（ａ）－（ｉ）に示す構成と
同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図２６に示すリードフレーム１０Ａの製造方法について、図２８（ａ）－（ｊ）
を用いて説明する。図２８（ａ）－（ｊ）において、図２３（ａ）－（ｉ）に示す構成と
同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0248】
【0249】
次に、金属基板３１のうち、表面の一部を除く領域にめっき層３６を形成する（図２８
（ｆ））。このとき、めっき層３６は、金属基板３１の表面の一部と、裏面全域と、側面
全域とに形成される。また、めっき層３６は、ダイパッド１１の表面の一部と、リード部
１２の表面の一部とに形成される。より具体的には、めっき層３６は、ダイパッド１１の
ダイパッド表面１１ａのうち金属層２５を形成する領域に形成され、金属層２５を形成す
る領域以外には形成されない。まためっき層３６は、ダイパッド１１のダイパッド裏面１
１ｂ、第１ダイパッド側面１１ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄに形成される。まためっ
き層３６は、リード部１２の第１表面部分５６ａ、外部端子１７、インナーリード裏面５
１ｂ及びインナーリード先端面５１ｃに形成される。一方、めっき層３６は、リード部１
２の第２表面部分５６ｂには形成されない。なお、めっき層３６は、コネクティングバー
１３の表面に形成されなくても良く、コネクティングバー１３の裏面に形成されても良い
。
（ｆ））。このとき、めっき層３６は、金属基板３１の表面の一部と、裏面全域と、側面
全域とに形成される。また、めっき層３６は、ダイパッド１１の表面の一部と、リード部
１２の表面の一部とに形成される。より具体的には、めっき層３６は、ダイパッド１１の
ダイパッド表面１１ａのうち金属層２５を形成する領域に形成され、金属層２５を形成す
る領域以外には形成されない。まためっき層３６は、ダイパッド１１のダイパッド裏面１
１ｂ、第１ダイパッド側面１１ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄに形成される。まためっ
き層３６は、リード部１２の第１表面部分５６ａ、外部端子１７、インナーリード裏面５
１ｂ及びインナーリード先端面５１ｃに形成される。一方、めっき層３６は、リード部１
２の第２表面部分５６ｂには形成されない。なお、めっき層３６は、コネクティングバー
１３の表面に形成されなくても良く、コネクティングバー１３の裏面に形成されても良い
。
【0250】
この際、図２８（ｆ）に示すように、金属基板３１の表面の一部をゴムパッキン等の弾
性部材４４Ａを介して第１の治具４５Ａで覆う。この状態で金属基板３１に対して電解め
っきを施すことにより、金属基板３１のうち、表面の一部を除く領域にめっき層３６が形
成される。このように、めっき層３６を金属基板３１の表面の一部に形成しないことによ
り、めっき層３６を構成する銀等の金属の使用量を削減できる。これにより、リードフレ
ーム１０Ａの製造コストを低減できる。なお、めっき層３６の材料及び厚みは、第３の実
施形態の場合と同様にすることができる。
性部材４４Ａを介して第１の治具４５Ａで覆う。この状態で金属基板３１に対して電解め
っきを施すことにより、金属基板３１のうち、表面の一部を除く領域にめっき層３６が形
成される。このように、めっき層３６を金属基板３１の表面の一部に形成しないことによ
り、めっき層３６を構成する銀等の金属の使用量を削減できる。これにより、リードフレ
ーム１０Ａの製造コストを低減できる。なお、めっき層３６の材料及び厚みは、第３の実
施形態の場合と同様にすることができる。
【0251】
次いで、粗面を形成する領域に存在する一部のめっき層３６を除去する（図２８（ｇ）
）。このとき、金属基板３１の表面の一部及び裏面に存在するめっき層３６を残し、他の
めっき層３６を除去する。具体的には、めっき層３６のうち、金属基板３１の第１ダイパ
ッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナー
リード裏面５１ｂに対応する部分を除去する。
）。このとき、金属基板３１の表面の一部及び裏面に存在するめっき層３６を残し、他の
めっき層３６を除去する。具体的には、めっき層３６のうち、金属基板３１の第１ダイパ
ッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナー
リード裏面５１ｂに対応する部分を除去する。
【0252】
この間、図２８（ｇ）に示すように、まず金属基板３１の表面及び裏面にそれぞれ弾性
部材４６を配置し、ゴムパッキン等の弾性部材４６を介して金属基板３１を第２の冶具４
７Ｂによって挟む。なお、金属基板３１の表面側の弾性部材４６は、金属基板３１の表面
側全域を覆う。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去す
る。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリー
ド先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方、弾性部材４６に覆われ
たダイパッド表面１１ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、第１表面部分５６ａ及び外部端子１７
上のめっき層３６は残存する。
部材４６を配置し、ゴムパッキン等の弾性部材４６を介して金属基板３１を第２の冶具４
７Ｂによって挟む。なお、金属基板３１の表面側の弾性部材４６は、金属基板３１の表面
側全域を覆う。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去す
る。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリー
ド先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方、弾性部材４６に覆われ
たダイパッド表面１１ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、第１表面部分５６ａ及び外部端子１７
上のめっき層３６は残存する。
【0253】
続いて、上述した図２３（ｈ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１の裏面側に支
持層３７を設ける。次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化
することにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図２８（ｈ））
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第２表面部分５
６ｂ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗面となる。
持層３７を設ける。次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化
することにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図２８（ｈ））
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第２表面部分５
６ｂ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗面となる。
【0254】
【0255】
その後、図２８（ｊ）に示すように、金属基板３１の表面の一部上に金属層２５を形成
する。具体的には、ダイパッド１１の一部上及びリード部１２の一部上に金属層２５を形
成する。この場合、まずダイパッド１１及びリード部１２上に、例えばフォトリソグラフ
ィ法により図示しない所定パターンのめっき用レジスト層を形成する。次にこのめっき用
レジスト層に覆われていない箇所に、例えば電解めっき法によりめっき層からなる金属層
２５を形成する。その後、めっき用レジスト層を除去することにより、図２６に示すリー
ドフレーム１０Ａが得られる。
する。具体的には、ダイパッド１１の一部上及びリード部１２の一部上に金属層２５を形
成する。この場合、まずダイパッド１１及びリード部１２上に、例えばフォトリソグラフ
ィ法により図示しない所定パターンのめっき用レジスト層を形成する。次にこのめっき用
レジスト層に覆われていない箇所に、例えば電解めっき法によりめっき層からなる金属層
２５を形成する。その後、めっき用レジスト層を除去することにより、図２６に示すリー
ドフレーム１０Ａが得られる。
【0256】
（半導体装置の製造方法）
本実施形態による半導体装置２０Ａの製造方法は、図２４（ａ）－（ｄ）に示す半導体
装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。この場合、半導体素子２１の各電
極２１ａは、それぞれバンプ２６及び金属層２５を介して、ダイパッド１１及びリード部
１２に電気的に接続される。
本実施形態による半導体装置２０Ａの製造方法は、図２４（ａ）－（ｄ）に示す半導体
装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。この場合、半導体素子２１の各電
極２１ａは、それぞれバンプ２６及び金属層２５を介して、ダイパッド１１及びリード部
１２に電気的に接続される。
【0257】
このように本実施形態によれば、金属基板３１のうち、表面の一部を除く領域にめっき
層３６を形成する（図２８（ｆ））。次に、金属基板３１の表面の一部及び裏面に存在す
るめっき層３６を残し、他のめっき層３６を除去する（図２８（ｇ））。その後、金属基
板３１のうち、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図２８（ｈ））。
このように、粗面を形成するためのめっき層３６を金属基板３１の全面に設けることなく
、金属基板３１のうち表面の一部を除く領域に設けている。これにより、めっき層３６を
構成する銀等の金属の使用量を削減できる。この結果、リードフレーム１０の製造コスト
を低減できる。
層３６を形成する（図２８（ｆ））。次に、金属基板３１の表面の一部及び裏面に存在す
るめっき層３６を残し、他のめっき層３６を除去する（図２８（ｇ））。その後、金属基
板３１のうち、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図２８（ｈ））。
このように、粗面を形成するためのめっき層３６を金属基板３１の全面に設けることなく
、金属基板３１のうち表面の一部を除く領域に設けている。これにより、めっき層３６を
構成する銀等の金属の使用量を削減できる。この結果、リードフレーム１０の製造コスト
を低減できる。
【0258】
また本実施形態によれば、金属層２５の外側に隣接する第２表面部分５６ｂは粗面とな
っている。このため、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面における水分の侵入経
路の距離が長くなっている。これにより、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面か
ら、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図２９の矢印ＦＢ参
照）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２０Ａの信頼性を向上させること
ができる。
っている。このため、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面における水分の侵入経
路の距離が長くなっている。これにより、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面か
ら、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図２９の矢印ＦＢ参
照）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２０Ａの信頼性を向上させること
ができる。
【0259】
また本実施形態によれば、リード部１２の第２表面部分５６ｂは粗面となっている。こ
れにより、第２表面部分５６ｂと封止樹脂２３との密着強度を高め、リード部１２の表面
と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
れにより、第２表面部分５６ｂと封止樹脂２３との密着強度を高め、リード部１２の表面
と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
【0260】
また本実施形態によれば、半導体装置２０Ａの裏面側において、封止樹脂２３と、ダイ
パッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。
これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素
子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図２９の矢印ＦＡ参照）。この結
果、長期間使用した後における半導体装置２０Ａの信頼性を向上させることができる。
パッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。
これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素
子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図２９の矢印ＦＡ参照）。この結
果、長期間使用した後における半導体装置２０Ａの信頼性を向上させることができる。
【0261】
（第５の実施形態）
第５の実施形態について、図３０乃至図３７を参照して説明する。図３０乃至図３７は
、第５の実施形態を示す図である。図３０乃至図３７において、図８乃至図２９に示す実
施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
第５の実施形態について、図３０乃至図３７を参照して説明する。図３０乃至図３７は
、第５の実施形態を示す図である。図３０乃至図３７において、図８乃至図２９に示す実
施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0262】
【0263】
本明細書中、「外周」とは、リードフレーム１０（金属基板）のうち外側に露出する部
分であり、「表面」、「側面」及び「裏面」を含む領域をいう。
分であり、「表面」、「側面」及び「裏面」を含む領域をいう。
【0264】
図３０及び図３１に示すように、リードフレーム１０の各パッケージ領域１０ａは、ダ
イパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に位置するリード部１２と、を備えている。この
うちリード部１２は、裏面側から一部が薄肉化されている。リード部１２の裏面のうち、
薄肉化されている部分は粗面となっている。リード部１２の裏面のうち、薄肉化されてい
ない部分は平滑面となっている。
イパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に位置するリード部１２と、を備えている。この
うちリード部１２は、裏面側から一部が薄肉化されている。リード部１２の裏面のうち、
薄肉化されている部分は粗面となっている。リード部１２の裏面のうち、薄肉化されてい
ない部分は平滑面となっている。
【0265】
図３１に示すように、ダイパッド１１は、表面側に位置するダイパッド表面１１ａと、
裏面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。ダイパッド表面１１ａには、後
述するように半導体素子２１が搭載される。ダイパッド裏面１１ｂは、半導体装置２０（
後述）から外方に露出する。また、ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、第
１ダイパッド側面１１ｃと、第２ダイパッド側面１１ｄとが形成されている。第１ダイパ
ッド側面１１ｃは、ダイパッド表面１１ａ側に位置している。第２ダイパッド側面１１ｄ
は、ダイパッド裏面１１ｂ側に位置している。この場合、ダイパッド１１のうち第１ダイ
パッド側面１１ｃと第２ダイパッド側面１１ｄとはそれぞれ粗面となっている。一方、ダ
イパッド１１のうちダイパッド表面１１ａとダイパッド裏面１１ｂとはそれぞれ平滑面と
なっている。
裏面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。ダイパッド表面１１ａには、後
述するように半導体素子２１が搭載される。ダイパッド裏面１１ｂは、半導体装置２０（
後述）から外方に露出する。また、ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、第
１ダイパッド側面１１ｃと、第２ダイパッド側面１１ｄとが形成されている。第１ダイパ
ッド側面１１ｃは、ダイパッド表面１１ａ側に位置している。第２ダイパッド側面１１ｄ
は、ダイパッド裏面１１ｂ側に位置している。この場合、ダイパッド１１のうち第１ダイ
パッド側面１１ｃと第２ダイパッド側面１１ｄとはそれぞれ粗面となっている。一方、ダ
イパッド１１のうちダイパッド表面１１ａとダイパッド裏面１１ｂとはそれぞれ平滑面と
なっている。
【0266】
本実施形態において、「粗面」及び「平滑面」の定義及び測定方法は、第２の実施形態
の場合と同様である。
の場合と同様である。
【0267】
粗面は、後述する金属基板３１の外面を、例えば過酸化水素と硫酸を主成分とするマイ
クロエッチング液で粗面化処理することによって形成されても良い。平滑面は、後述する
金属基板３１に対してこのような粗面化処理を施さない、未加工の面であっても良い。な
お、図３１において、粗面化された部分を太い破線で示している（他の断面図についても
同様）。
クロエッチング液で粗面化処理することによって形成されても良い。平滑面は、後述する
金属基板３１に対してこのような粗面化処理を施さない、未加工の面であっても良い。な
お、図３１において、粗面化された部分を太い破線で示している（他の断面図についても
同様）。
【0268】
図３１に示すように、リード部１２は、インナーリード５１と端子部５３とを有してい
る。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側
（コネクティングバー１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイ
パッド１１側に延びている。インナーリード５１の表面側の先端部には内部端子が形成さ
れる。この内部端子は、後述するようにバンプ２６を介して半導体素子２１に電気的に接
続される領域である。内部端子上には、バンプ２６と密着性を向上させる金属層２５が設
けられている。
る。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側
（コネクティングバー１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイ
パッド１１側に延びている。インナーリード５１の表面側の先端部には内部端子が形成さ
れる。この内部端子は、後述するようにバンプ２６を介して半導体素子２１に電気的に接
続される領域である。内部端子上には、バンプ２６と密着性を向上させる金属層２５が設
けられている。
【0269】
インナーリード５１は、裏面側から例えばハーフエッチングにより薄肉化されている。
インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有
している。インナーリード表面５１ａは表面側に位置する。インナーリード表面５１ａの
一部には、内部端子が形成される。また、インナーリード５１のうちダイパッド１１を向
く面には、インナーリード先端面５１ｃが形成されている。インナーリード裏面５１ｂは
裏面側に位置する。
インナーリード５１は、インナーリード表面５１ａと、インナーリード裏面５１ｂとを有
している。インナーリード表面５１ａは表面側に位置する。インナーリード表面５１ａの
一部には、内部端子が形成される。また、インナーリード５１のうちダイパッド１１を向
く面には、インナーリード先端面５１ｃが形成されている。インナーリード裏面５１ｂは
裏面側に位置する。
【0270】
さらにリード部１２のインナーリード先端面５１ｃは、その全域が粗面となっている。
また、図示していないが、リード部１２の長手方向に沿う両側面も粗面となっていても良
い。一方、リード部１２のインナーリード５１は表面側から薄肉化されていない。インナ
ーリード５１の表面側に位置するインナーリード表面５１ａは、その全域が平滑面となっ
ている。またリード部１２の端子部５３は表面側から薄肉化されていない。端子部５３の
表面側に位置する端子部表面５３ａは、その全域が平滑面となっている。
また、図示していないが、リード部１２の長手方向に沿う両側面も粗面となっていても良
い。一方、リード部１２のインナーリード５１は表面側から薄肉化されていない。インナ
ーリード５１の表面側に位置するインナーリード表面５１ａは、その全域が平滑面となっ
ている。またリード部１２の端子部５３は表面側から薄肉化されていない。端子部５３の
表面側に位置する端子部表面５３ａは、その全域が平滑面となっている。
【0271】
また図３１に示すように、ダイパッド１１及びリード部１２上に、金属層２５が位置し
ている。この金属層２５は、ダイパッド１１の一部上及びリード部１２の一部上に形成さ
れている。金属層２５は、バンプ２６と、ダイパッド１１及びリード部１２との接続を良
好にするためのものである。金属層２５は、例えば電解めっき法により形成されためっき
層であっても良い。金属層２５の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下としても良い。このよ
うなめっき層を構成する金属としては、銀、銀合金、金、金合金、白金族、銅、銅合金、
パラジウムなどを用いてもよい。金属層２５を構成する金属によって、下地めっきが必要
な場合は、ニッケルや、銅などの公知のものを適用すればよい。
ている。この金属層２５は、ダイパッド１１の一部上及びリード部１２の一部上に形成さ
れている。金属層２５は、バンプ２６と、ダイパッド１１及びリード部１２との接続を良
好にするためのものである。金属層２５は、例えば電解めっき法により形成されためっき
層であっても良い。金属層２５の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下としても良い。このよ
うなめっき層を構成する金属としては、銀、銀合金、金、金合金、白金族、銅、銅合金、
パラジウムなどを用いてもよい。金属層２５を構成する金属によって、下地めっきが必要
な場合は、ニッケルや、銅などの公知のものを適用すればよい。
【0272】
このほか、本実施形態によるリードフレーム１０の構成は、第２の実施形態によるリー
ドフレーム１０の構成と同様としても良い。
ドフレーム１０の構成と同様としても良い。
【0273】
【0274】
【0275】
このうち半導体素子２１は、ダイパッド１１上に搭載されている。また複数のリード部
１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。また、ダイパッド１１及びリード部１
２上には、それぞれ金属層２５が形成されている。金属層２５上にはバンプ２６が設けら
れている。このバンプ２６を介して、半導体素子２１と、ダイパッド１１及びリード部１
２とが互いに電気的に接続されている。
１２は、ダイパッド１１の周囲に配置されている。また、ダイパッド１１及びリード部１
２上には、それぞれ金属層２５が形成されている。金属層２５上にはバンプ２６が設けら
れている。このバンプ２６を介して、半導体素子２１と、ダイパッド１１及びリード部１
２とが互いに電気的に接続されている。
【0276】
封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば０．２ｍｍ以上１６ｍｍ以下
としても良い。
としても良い。
【0277】
バンプ（接続部）２６は、例えば銅等の導電性の良い金属材料からなり、中実の略円柱
形状又は略球形状を有していても良い。バンプ２６は、それぞれその上端が半導体素子２
１の電極２１ａに接続されるとともに、その下端が金属層２５を介してダイパッド１１及
びリード部１２にそれぞれ接続されている。なお、ダイパッド１１には必ずしも金属層２
５及びバンプ２６が設けられていなくても良い。この場合、ダイパッド１１と半導体素子
２１とは、例えばダイボンディングペースト等の接着剤により互いに固定されても良い。
形状又は略球形状を有していても良い。バンプ２６は、それぞれその上端が半導体素子２
１の電極２１ａに接続されるとともに、その下端が金属層２５を介してダイパッド１１及
びリード部１２にそれぞれ接続されている。なお、ダイパッド１１には必ずしも金属層２
５及びバンプ２６が設けられていなくても良い。この場合、ダイパッド１１と半導体素子
２１とは、例えばダイボンディングペースト等の接着剤により互いに固定されても良い。
【0278】
図３４は、バンプ２６の周辺を示す拡大断面図である。図３４に示すように、バンプ２
６は、複数の層を含んでいても良い。例えば、バンプ２６は、金属層２５側に位置する第
１層２６ａと、半導体素子２１側に位置する第２層２６ｂとを含む。第１層２６ａは、例
えば錫等の金属を含んでも良い。第１層２６ａの高さは、１μｍ以上１０μｍ以下として
も良い。第２層２６ｂは、例えば銅等の金属を含んでも良い。第２層２６ｂの高さは、３
０μｍ以上１００μｍ以下としても良い。
６は、複数の層を含んでいても良い。例えば、バンプ２６は、金属層２５側に位置する第
１層２６ａと、半導体素子２１側に位置する第２層２６ｂとを含む。第１層２６ａは、例
えば錫等の金属を含んでも良い。第１層２６ａの高さは、１μｍ以上１０μｍ以下として
も良い。第２層２６ｂは、例えば銅等の金属を含んでも良い。第２層２６ｂの高さは、３
０μｍ以上１００μｍ以下としても良い。
【0279】
【0280】
なお、半導体装置２０としては、フリップチップタイプのものには限られない。バンプ
２６に代えて、例えばボンディングワイヤが接続部を構成しても良い。この場合、ボンデ
ィングワイヤが、半導体素子２１とリード部１２とを互いに電気的に接続しても良い。
２６に代えて、例えばボンディングワイヤが接続部を構成しても良い。この場合、ボンデ
ィングワイヤが、半導体素子２１とリード部１２とを互いに電気的に接続しても良い。
【0281】
このほか、本実施形態による半導体装置２０の構成は、第２の実施形態による半導体装
置２０の構成と同様としても良い。
置２０の構成と同様としても良い。
【0282】
（リードフレームの製造方法）
次に、図３０及び図３１に示すリードフレーム１０の製造方法について、図３５（ａ）
－（ｊ）を用いて説明する。図３５（ａ）－（ｊ）は、リードフレーム１０の製造方法を
示す断面図（図３１に対応する図）である。
次に、図３０及び図３１に示すリードフレーム１０の製造方法について、図３５（ａ）
－（ｊ）を用いて説明する。図３５（ａ）－（ｊ）は、リードフレーム１０の製造方法を
示す断面図（図３１に対応する図）である。
【0283】
【0284】
次に、金属基板３１の周囲にめっき層３６を形成する（図３５（ｆ））。このとき、ダ
イパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の全周にめっき層３６が形成さ
れる。めっき層３６の厚みは、０μｍ超２μｍ以下としても良い。めっき層３６を構成す
る金属としては、例えば銀を用いてもよい。めっき層３６が銀めっきからなる場合、電解
めっき用めっき液としては、シアン化銀及びシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液
を用いることができる。
イパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の全周にめっき層３６が形成さ
れる。めっき層３６の厚みは、０μｍ超２μｍ以下としても良い。めっき層３６を構成す
る金属としては、例えば銀を用いてもよい。めっき層３６が銀めっきからなる場合、電解
めっき用めっき液としては、シアン化銀及びシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液
を用いることができる。
【0285】
続いて、粗面を形成する領域に存在する一部のめっき層３６を除去する。具体的には、
めっき層３６のうち、金属基板３１の表面及び裏面以外に位置する部分を除去する（図３
５（ｇ））。これにより、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ、ダイパッド１１
の第２ダイパッド側面１１ｄ、リード部１２のインナーリード先端面５１ｃ、及び、リー
ド部１２のインナーリード裏面５１ｂ上のめっき層３６が除去される。
めっき層３６のうち、金属基板３１の表面及び裏面以外に位置する部分を除去する（図３
５（ｇ））。これにより、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ、ダイパッド１１
の第２ダイパッド側面１１ｄ、リード部１２のインナーリード先端面５１ｃ、及び、リー
ド部１２のインナーリード裏面５１ｂ上のめっき層３６が除去される。
【0286】
この間、図３５（ｇ）に示すように、まず金属基板３１の表面及び裏面にそれぞれゴム
パッキン等の弾性部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１を冶具４７Ｃに
よって挟む。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去する
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード
先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方、弾性部材４６に覆われた
ダイパッド表面１１ａ、端子部表面５３ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、インナーリード表面
５１ａ及び外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
パッキン等の弾性部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１を冶具４７Ｃに
よって挟む。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去する
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード
先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方、弾性部材４６に覆われた
ダイパッド表面１１ａ、端子部表面５３ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、インナーリード表面
５１ａ及び外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
【0287】
次に、図３５（ｈ）に示すように、金属基板３１の裏面側に、金属基板３１を支持する
支持層３７を設ける。支持層３７は、例えばレジスト層であっても良い。続いて図３５（
ｈ）に示すように、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化するこ
とにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する。具体的には、第１ダイ
パッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナ
ーリード裏面５１ｂが粗面とされる。この間、金属基板３１に対してマイクロエッチング
液を供給することにより、めっき層３６で覆われている部分を除き、金属基板３１の全体
に粗面を形成する。ここでマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な
凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１を粗
面化する場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液を用いても良い
。
支持層３７を設ける。支持層３７は、例えばレジスト層であっても良い。続いて図３５（
ｈ）に示すように、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化するこ
とにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する。具体的には、第１ダイ
パッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナ
ーリード裏面５１ｂが粗面とされる。この間、金属基板３１に対してマイクロエッチング
液を供給することにより、めっき層３６で覆われている部分を除き、金属基板３１の全体
に粗面を形成する。ここでマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な
凹凸の粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１を粗
面化する場合、過酸化水素水と硫酸を主成分とするマイクロエッチング液を用いても良い
。
【0288】
次いで、図３５（ｉ）に示すように、支持層３７とめっき層３６とを順次剥離除去する
。
。
【0289】
その後、図３５（ｊ）に示すように、ダイパッド１１及びリード部１２上に金属層２５
を形成する。この場合、まずダイパッド１１及びリード部１２上に、例えばフォトリソグ
ラフィ法により図示しない所定パターンのめっき用レジスト層を形成する。次にこのめっ
き用レジスト層に覆われていない箇所に、例えば電解めっき法によりめっき層からなる金
属層２５を形成する。その後、めっき用レジスト層を除去することにより、図３０及び図
３１に示すリードフレーム１０が得られる。
を形成する。この場合、まずダイパッド１１及びリード部１２上に、例えばフォトリソグ
ラフィ法により図示しない所定パターンのめっき用レジスト層を形成する。次にこのめっ
き用レジスト層に覆われていない箇所に、例えば電解めっき法によりめっき層からなる金
属層２５を形成する。その後、めっき用レジスト層を除去することにより、図３０及び図
３１に示すリードフレーム１０が得られる。
【0290】
（半導体装置の製造方法）
図３６（ａ）－（ｄ）に示すように、本実施形態による半導体装置２０の製造方法は、
第２の実施形態による半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。この
場合、半導体素子２１の各電極２１ａと、ダイパッド１１及びリード部１２とが、それぞ
れバンプ２６及び金属層２５を介して互いに電気的に接続される。
図３６（ａ）－（ｄ）に示すように、本実施形態による半導体装置２０の製造方法は、
第２の実施形態による半導体装置２０の製造方法と略同様にして行うことができる。この
場合、半導体素子２１の各電極２１ａと、ダイパッド１１及びリード部１２とが、それぞ
れバンプ２６及び金属層２５を介して互いに電気的に接続される。
【0291】
ところで、このようにして作製された半導体装置２０を長期間使用している間、空気中
の水分等が、半導体装置２０の裏面側から封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部
１２との界面を介して侵入することが考えられる。これに対して本実施形態によれば、リ
ード部１２のインナーリード裏面５１ｂとインナーリード先端面５１ｃとが粗面となって
いる。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄ
がそれぞれ粗面となっている。このため、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部
１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。これにより、封止樹脂２
３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入す
ることを抑えることができる（図３７の矢印ＦＡ参照）。この結果、長期間使用した後に
おける半導体装置２０の信頼性を向上させることができる。
の水分等が、半導体装置２０の裏面側から封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部
１２との界面を介して侵入することが考えられる。これに対して本実施形態によれば、リ
ード部１２のインナーリード裏面５１ｂとインナーリード先端面５１ｃとが粗面となって
いる。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄ
がそれぞれ粗面となっている。このため、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部
１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。これにより、封止樹脂２
３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入す
ることを抑えることができる（図３７の矢印ＦＡ参照）。この結果、長期間使用した後に
おける半導体装置２０の信頼性を向上させることができる。
【0292】
とりわけ、フリップチップタイプの半導体装置２０においては、半導体素子２１の電極
２１ａが裏面側を向いている。このため、フリップチップタイプの半導体装置２０におい
ては、半導体装置２０の裏面から半導体素子２１の電極２１ａまでの距離が短くなりやす
い。これに対して本実施形態によれば、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されている部
分が粗面となっている。これにより、封止樹脂２３とリード部１２との界面から、半導体
素子２１側に水分が侵入することをより効果的に抑えることができる。
２１ａが裏面側を向いている。このため、フリップチップタイプの半導体装置２０におい
ては、半導体装置２０の裏面から半導体素子２１の電極２１ａまでの距離が短くなりやす
い。これに対して本実施形態によれば、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されている部
分が粗面となっている。これにより、封止樹脂２３とリード部１２との界面から、半導体
素子２１側に水分が侵入することをより効果的に抑えることができる。
【0293】
また、本実施形態によれば、リード部１２のインナーリード裏面５１ｂとインナーリー
ド先端面５１ｃとが粗面となっている。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１
ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄがそれぞれ粗面となっている。これにより、ダイパッド
１１及びリード部１２と封止樹脂２３との密着強度を高め、ダイパッド１１及びリード部
１２と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
ド先端面５１ｃとが粗面となっている。また、ダイパッド１１の第１ダイパッド側面１１
ｃ及び第２ダイパッド側面１１ｄがそれぞれ粗面となっている。これにより、ダイパッド
１１及びリード部１２と封止樹脂２３との密着強度を高め、ダイパッド１１及びリード部
１２と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
【0294】
（第６の実施形態）
次に、図３８乃至図４１を参照して第６の実施形態について説明する。図３８乃至図４
１は第６の実施形態を示す図である。図３８乃至図４１に示す第６の実施形態は、主とし
て、リード部１２の表面に粗面が形成されている点が異なるものであり、他の構成は上述
した第５の実施形態と略同一である。図３８乃至図４１において、図８乃至図３７に示す
実施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図３８乃至図４１を参照して第６の実施形態について説明する。図３８乃至図４
１は第６の実施形態を示す図である。図３８乃至図４１に示す第６の実施形態は、主とし
て、リード部１２の表面に粗面が形成されている点が異なるものであり、他の構成は上述
した第５の実施形態と略同一である。図３８乃至図４１において、図８乃至図３７に示す
実施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0295】
【0296】
【0297】
第１表面部分５４ａは、金属層２５の外側（ダイパッド１１の反対側）に隣接する。第
１表面部分５４ａは、金属層２５に直接接している。この第１表面部分５４ａは、その全
体が平滑面となっている。リード部１２の長手方向に沿う第１表面部分５４ａの長さ（Ｘ
方向の長さ）ＬＡは、２５μｍ以上２００μｍ以下としても良く、好ましくは５０μｍ以
上１００μｍ以下としても良い。なお第１表面部分５４ａは、インナーリード表面５１ａ
の一部に位置しているが、これに限られない。第１表面部分５４ａは、例えばインナーリ
ード表面５１ａの一部と端子部表面５３ａの一部とに位置していても良い。
１表面部分５４ａは、金属層２５に直接接している。この第１表面部分５４ａは、その全
体が平滑面となっている。リード部１２の長手方向に沿う第１表面部分５４ａの長さ（Ｘ
方向の長さ）ＬＡは、２５μｍ以上２００μｍ以下としても良く、好ましくは５０μｍ以
上１００μｍ以下としても良い。なお第１表面部分５４ａは、インナーリード表面５１ａ
の一部に位置しているが、これに限られない。第１表面部分５４ａは、例えばインナーリ
ード表面５１ａの一部と端子部表面５３ａの一部とに位置していても良い。
【0298】
第２表面部分５４ｂは、第１表面部分５４ａの外側に隣接する。すなわち第２表面部分
５４ｂは、第１表面部分５４ａに直接接している。この第２表面部分５４ｂは、その全体
が粗面となっている。またリードフレーム１０Ａにおいて、第２表面部分５４ｂは、リー
ド部１２とコネクティングバー１３との接続部まで連続的に延びていることが好ましい。
またコネクティングバー１３の表面が粗面となっていてもよい。なお第２表面部分５４ｂ
は、インナーリード表面５１ａの一部と端子部表面５３ａの一部とに位置しているが、こ
れに限られない。第２表面部分５４ｂは、端子部表面５３ａの一部に位置していても良い
。
５４ｂは、第１表面部分５４ａに直接接している。この第２表面部分５４ｂは、その全体
が粗面となっている。またリードフレーム１０Ａにおいて、第２表面部分５４ｂは、リー
ド部１２とコネクティングバー１３との接続部まで連続的に延びていることが好ましい。
またコネクティングバー１３の表面が粗面となっていてもよい。なお第２表面部分５４ｂ
は、インナーリード表面５１ａの一部と端子部表面５３ａの一部とに位置しているが、こ
れに限られない。第２表面部分５４ｂは、端子部表面５３ａの一部に位置していても良い
。
【0299】
本実施形態において、「粗面」及び「平滑面」の定義及び測定方法は、第２の実施形態
の場合と同様である。
の場合と同様である。
【0300】
（リードフレームの製造方法）
次に、図３８に示すリードフレーム１０Ａの製造方法について、図４０（ａ）－（ｊ）
を用いて説明する。図４０（ａ）－（ｊ）において、図３５（ａ）－（ｊ）に示す構成と
同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図３８に示すリードフレーム１０Ａの製造方法について、図４０（ａ）－（ｊ）
を用いて説明する。図４０（ａ）－（ｊ）において、図３５（ａ）－（ｊ）に示す構成と
同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0301】
【0302】
【0303】
次いで、めっき層３６のうち、金属基板３１の第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパ
ッド側面１１ｄ、第２表面部分５４ｂ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード
裏面５１ｂに対応する部分を除去する（図４０（ｇ））。
ッド側面１１ｄ、第２表面部分５４ｂ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード
裏面５１ｂに対応する部分を除去する（図４０（ｇ））。
【0304】
この間、図４０（ｇ）に示すように、まず金属基板３１の表面及び裏面にそれぞれゴム
パッキン等の弾性部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１を冶具４７Ｄに
よって挟む。なお、金属基板３１の表面側の弾性部材４６は、ダイパッド表面１１ａと、
第１表面部分５４ａに対応する領域と、リード部１２の金属層２５が設けられる領域とを
覆う。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去する。これ
により、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第２表面部分５４ｂ、
インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方、弾性部材
４６に覆われたダイパッド表面１１ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、第１表面部分５４ａ及び
外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
パッキン等の弾性部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１を冶具４７Ｄに
よって挟む。なお、金属基板３１の表面側の弾性部材４６は、ダイパッド表面１１ａと、
第１表面部分５４ａに対応する領域と、リード部１２の金属層２５が設けられる領域とを
覆う。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去する。これ
により、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第２表面部分５４ｂ、
インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方、弾性部材
４６に覆われたダイパッド表面１１ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、第１表面部分５４ａ及び
外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
【0305】
続いて、上述した図３５（ｈ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１の裏面側に支
持層３７を設ける。次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化
することにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図４０（ｈ））
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第２表面部分５
４ｂ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗面となる。
持層３７を設ける。次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化
することにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図４０（ｈ））
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第２表面部分５
４ｂ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗面となる。
【0306】
【0307】
【0308】
【0309】
本実施形態によれば、リード部１２の表面のうち、金属層２５の外側に隣接する第１表
面部分５４ａは平滑面となっている。これにより、ダイパッド１１上に半導体素子２１を
搭載する際、バンプ２６に含まれる錫等が第１表面部分５４ａを伝わって流れ出すことを
抑制できる（図４１の矢印ＦＣ参照）。他方、仮に第１表面部分５４ａが粗面であると、
表面張力により、バンプ２６に含まれる錫等が第１表面部分５４ａを伝わって流れ出てし
まうおそれがある。
面部分５４ａは平滑面となっている。これにより、ダイパッド１１上に半導体素子２１を
搭載する際、バンプ２６に含まれる錫等が第１表面部分５４ａを伝わって流れ出すことを
抑制できる（図４１の矢印ＦＣ参照）。他方、仮に第１表面部分５４ａが粗面であると、
表面張力により、バンプ２６に含まれる錫等が第１表面部分５４ａを伝わって流れ出てし
まうおそれがある。
【0310】
また本実施形態によれば、第１表面部分５４ａの外側に隣接する第２表面部分５４ｂは
粗面となっている。このため、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面における水分
の侵入経路の距離が長くなっている。これにより、リード部１２の表面と封止樹脂２３と
の界面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４１の矢
印ＦＢ参照）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２０Ａの信頼性を向上さ
せることができる。
粗面となっている。このため、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面における水分
の侵入経路の距離が長くなっている。これにより、リード部１２の表面と封止樹脂２３と
の界面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４１の矢
印ＦＢ参照）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２０Ａの信頼性を向上さ
せることができる。
【0311】
また本実施形態によれば、リード部１２の第２表面部分５４ｂは粗面となっている。こ
れにより、第２表面部分５４ｂと封止樹脂２３との密着強度を高め、リード部１２の表面
と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
れにより、第２表面部分５４ｂと封止樹脂２３との密着強度を高め、リード部１２の表面
と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
【0312】
また本実施形態によれば、半導体装置２０Ａの裏面側において、封止樹脂２３と、ダイ
パッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。
これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素
子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４１の矢印ＦＡ参照）。この結
果、長期間使用した後における半導体装置２０Ａの信頼性を向上させることができる。
パッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。
これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素
子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４１の矢印ＦＡ参照）。この結
果、長期間使用した後における半導体装置２０Ａの信頼性を向上させることができる。
【0313】
（第７の実施形態）
次に、図４２乃至図４５を参照して第７の実施形態について説明する。図４２乃至図４
５は第７の実施形態を示す図である。図４２乃至図４５に示す第７の実施形態は、主とし
て、リード部１２の表面に凹部１８が形成されている点が異なるものであり、他の構成は
上述した第５の実施形態と略同一である。図４２乃至図４５において、図８乃至図４１に
示す実施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図４２乃至図４５を参照して第７の実施形態について説明する。図４２乃至図４
５は第７の実施形態を示す図である。図４２乃至図４５に示す第７の実施形態は、主とし
て、リード部１２の表面に凹部１８が形成されている点が異なるものであり、他の構成は
上述した第５の実施形態と略同一である。図４２乃至図４５において、図８乃至図４１に
示す実施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0314】
【0315】
図４２に示すリードフレーム１０Ｂ及び図４３に示す半導体装置２０Ｂにおいて、リー
ド部１２の表面のうち、金属層２５の外側（ダイパッド１１の反対側）に凹部１８が形成
されている。また凹部１８の外側に隣接する部分（第３表面部分５４ｃ）は粗面となって
いる。凹部１８の内面は平滑面となっている。凹部１８と金属層２５との間に位置する部
分（第４表面部分５４ｄ）は平滑面となっている。
ド部１２の表面のうち、金属層２５の外側（ダイパッド１１の反対側）に凹部１８が形成
されている。また凹部１８の外側に隣接する部分（第３表面部分５４ｃ）は粗面となって
いる。凹部１８の内面は平滑面となっている。凹部１８と金属層２５との間に位置する部
分（第４表面部分５４ｄ）は平滑面となっている。
【0316】
第４表面部分５４ｄは、金属層２５の外側（ダイパッド１１の反対側）に隣接する。第
４表面部分５４ｄは、金属層２５に直接接している。この第４表面部分５４ｄは、その全
体が平滑面となっている。リード部１２の長手方向に沿う第４表面部分５４ｄの長さ（Ｘ
方向の長さ）ＬＢは、２５μｍ以上２００μｍ以下としても良く、好ましくは５０μｍ以
上１００μｍ以下としても良い。
４表面部分５４ｄは、金属層２５に直接接している。この第４表面部分５４ｄは、その全
体が平滑面となっている。リード部１２の長手方向に沿う第４表面部分５４ｄの長さ（Ｘ
方向の長さ）ＬＢは、２５μｍ以上２００μｍ以下としても良く、好ましくは５０μｍ以
上１００μｍ以下としても良い。
【0317】
凹部１８は、第４表面部分５４ｄの外側（ダイパッド１１の反対側）に隣接する。凹部
１８は、第４表面部分５４ｄに直接接している。この凹部１８の内面は、その全体が平滑
面となっている。リード部１２の長手方向に沿う凹部１８の長さ（Ｘ方向の長さ）Ｌｃは
、５０μｍ以上１５０μｍ以下としても良く、好ましくは７５μｍ以上１００μｍ以下と
しても良い。凹部１８の深さは、２５μｍ以上１２５μｍ以下としても良く、好ましくは
５０μｍ以上１００μｍ以下としても良い。凹部１８の平面形状は、例えば円形、四角形
等の多角形としても良い。凹部１８は、リード部１２の幅方向の一部に設けられている。
しかしながらこれに限らず、凹部１８は、リード部１２の幅方向全域にわたって設けられ
ていても良い。
１８は、第４表面部分５４ｄに直接接している。この凹部１８の内面は、その全体が平滑
面となっている。リード部１２の長手方向に沿う凹部１８の長さ（Ｘ方向の長さ）Ｌｃは
、５０μｍ以上１５０μｍ以下としても良く、好ましくは７５μｍ以上１００μｍ以下と
しても良い。凹部１８の深さは、２５μｍ以上１２５μｍ以下としても良く、好ましくは
５０μｍ以上１００μｍ以下としても良い。凹部１８の平面形状は、例えば円形、四角形
等の多角形としても良い。凹部１８は、リード部１２の幅方向の一部に設けられている。
しかしながらこれに限らず、凹部１８は、リード部１２の幅方向全域にわたって設けられ
ていても良い。
【0318】
第３表面部分５４ｃは、凹部１８の外側（ダイパッド１１の反対側）に隣接する。第３
表面部分５４ｃは、凹部１８に直接接している。この第３表面部分５４ｃは、その全体が
粗面となっている。またリードフレーム１０Ｂにおいて、第３表面部分５４ｃは、リード
部１２とコネクティングバー１３との接続部まで連続的に延びていることが好ましい。ま
たコネクティングバー１３の表面が粗面となっていてもよい。
表面部分５４ｃは、凹部１８に直接接している。この第３表面部分５４ｃは、その全体が
粗面となっている。またリードフレーム１０Ｂにおいて、第３表面部分５４ｃは、リード
部１２とコネクティングバー１３との接続部まで連続的に延びていることが好ましい。ま
たコネクティングバー１３の表面が粗面となっていてもよい。
【0319】
本実施形態において、「粗面」及び「平滑面」の定義及び測定方法は、第２の実施形態
の場合と同様である。
の場合と同様である。
【0320】
（リードフレームの製造方法）
次に、図４２に示すリードフレーム１０Ｂの製造方法について、図４４（ａ）－（ｊ）
を用いて説明する。図４４（ａ）－（ｊ）において、図３５（ａ）－（ｊ）に示す構成と
同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図４２に示すリードフレーム１０Ｂの製造方法について、図４４（ａ）－（ｊ）
を用いて説明する。図４４（ａ）－（ｊ）において、図３５（ａ）－（ｊ）に示す構成と
同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0321】
【0322】
次に、上述した図３５（ｃ）に示す工程と略同様にして、開口部３２ｂ、３３ｂを有す
るエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図４４（ｃ））。なお、このとき凹部
１８に対応する領域にも開口部３２ｂが形成される。
るエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図４４（ｃ））。なお、このとき凹部
１８に対応する領域にも開口部３２ｂが形成される。
【0323】
続いて、上述した図３５（ｄ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１にエッチング
を施すことにより、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の外形を
形成する（図４４（ｄ））。また、このときリード部１２の表面に凹部１８が形成される
。次いで、上述した図３５（ｅ）に示す工程と略同様にして、エッチング用レジスト層３
２、３３を剥離除去する（図４４（ｅ））。
を施すことにより、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の外形を
形成する（図４４（ｄ））。また、このときリード部１２の表面に凹部１８が形成される
。次いで、上述した図３５（ｅ）に示す工程と略同様にして、エッチング用レジスト層３
２、３３を剥離除去する（図４４（ｅ））。
【0324】
【0325】
次いで、めっき層３６のうち、金属基板３１の第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパ
ッド側面１１ｄ、第３表面部分５４ｃ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード
裏面５１ｂに対応する部分を除去する（図４４（ｇ））。
ッド側面１１ｄ、第３表面部分５４ｃ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード
裏面５１ｂに対応する部分を除去する（図４４（ｇ））。
【0326】
この間、図４４（ｇ）に示すように、まず金属基板３１の表面及び裏面にそれぞれゴム
パッキン等の弾性部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１を冶具４７Ｅに
よって挟む。なお、金属基板３１の表面側の弾性部材４６は、ダイパッド表面１１ａと、
凹部１８と、第４表面部分５４ｄに対応する領域と、リード部１２の金属層２５が設けら
れる領域とを覆う。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除
去する。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第３表面
部分５４ｃ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一
方、弾性部材４６に覆われたダイパッド表面１１ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、凹部１８の
内面、第４表面部分５４ｄ及び外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
パッキン等の弾性部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１を冶具４７Ｅに
よって挟む。なお、金属基板３１の表面側の弾性部材４６は、ダイパッド表面１１ａと、
凹部１８と、第４表面部分５４ｄに対応する領域と、リード部１２の金属層２５が設けら
れる領域とを覆う。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除
去する。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第３表面
部分５４ｃ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一
方、弾性部材４６に覆われたダイパッド表面１１ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、凹部１８の
内面、第４表面部分５４ｄ及び外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
【0327】
続いて、上述した図３５（ｈ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１の裏面側に支
持層３７を設ける。次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化
することにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図４４（ｈ））
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第３表面部分５
４ｃ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗面となる。
持層３７を設ける。次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化
することにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図４４（ｈ））
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第３表面部分５
４ｃ、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗面となる。
【0328】
【0329】
【0330】
【0331】
本実施形態によれば、リード部１２の表面のうち、金属層２５の外側に隣接する第４表
面部分５４ｄは平滑面となっている。これにより、ダイパッド１１上に半導体素子２１を
搭載する際、バンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝わって流れ出すことを
抑制できる（図４５の矢印ＦＣ参照）。他方、仮に第４表面部分５４ｄが粗面であると、
表面張力により、バンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝わって流れ出てし
まうおそれがある。
面部分５４ｄは平滑面となっている。これにより、ダイパッド１１上に半導体素子２１を
搭載する際、バンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝わって流れ出すことを
抑制できる（図４５の矢印ＦＣ参照）。他方、仮に第４表面部分５４ｄが粗面であると、
表面張力により、バンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝わって流れ出てし
まうおそれがある。
【0332】
また本実施形態によれば、リード部１２の表面のうち、金属層２５の外側に凹部１８が
形成されている。これにより、仮にバンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝
わって流れ出した場合でも、流れ出た錫等を凹部１８によって受け止めることができる。
これにより、流れ出た錫等が第３表面部分５４ｃ側まで到達することを抑制できる。
形成されている。これにより、仮にバンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝
わって流れ出した場合でも、流れ出た錫等を凹部１８によって受け止めることができる。
これにより、流れ出た錫等が第３表面部分５４ｃ側まで到達することを抑制できる。
【0333】
また本実施形態によれば、凹部１８の外側に隣接する第３表面部分５４ｃは粗面となっ
ている。このため、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面における水分の侵入経路
の距離が長くなっている。これにより、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面から
、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４５の矢印ＦＢ参照
）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２０Ｂの信頼性を向上させることが
できる。
ている。このため、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面における水分の侵入経路
の距離が長くなっている。これにより、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面から
、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４５の矢印ＦＢ参照
）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２０Ｂの信頼性を向上させることが
できる。
【0334】
また本実施形態によれば、リード部１２の第３表面部分５４ｃは粗面となっている。こ
れにより、第３表面部分５４ｃと封止樹脂２３との密着強度を高め、リード部１２の表面
と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
れにより、第３表面部分５４ｃと封止樹脂２３との密着強度を高め、リード部１２の表面
と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
【0335】
また本実施形態によれば、半導体装置２０Ｂの裏面側において、封止樹脂２３と、ダイ
パッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。
これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素
子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４５の矢印ＦＡ参照）。この結
果、長期間使用した後における半導体装置２０Ｂの信頼性を向上させることができる。
パッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。
これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素
子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４５の矢印ＦＡ参照）。この結
果、長期間使用した後における半導体装置２０Ｂの信頼性を向上させることができる。
【0336】
（第８の実施形態）
次に、図４６乃至図４９を参照して第８の実施形態について説明する。図４６乃至図４
９は第８の実施形態を示す図である。図４６乃至図４９に示す第８の実施形態は、主とし
て、凹部１８の内面が粗面となっている点が異なるものであり、他の構成は上述した第７
の実施形態と略同一である。図４６乃至図４９において、図８乃至図４５に示す実施形態
と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図４６乃至図４９を参照して第８の実施形態について説明する。図４６乃至図４
９は第８の実施形態を示す図である。図４６乃至図４９に示す第８の実施形態は、主とし
て、凹部１８の内面が粗面となっている点が異なるものであり、他の構成は上述した第７
の実施形態と略同一である。図４６乃至図４９において、図８乃至図４５に示す実施形態
と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0337】
【0338】
図４６に示すリードフレーム１０Ｃ及び図４７に示す半導体装置２０Ｃにおいて、リー
ド部１２の表面のうち、金属層２５の外側（ダイパッド１１の反対側）に凹部１８が形成
されている。また凹部１８の外側に隣接する部分（第３表面部分５４ｃ）は粗面となって
いる。凹部１８の内面は、その全体が粗面となっている。凹部１８と金属層２５との間に
位置する部分（第４表面部分５４ｄ）は平滑面となっている。
ド部１２の表面のうち、金属層２５の外側（ダイパッド１１の反対側）に凹部１８が形成
されている。また凹部１８の外側に隣接する部分（第３表面部分５４ｃ）は粗面となって
いる。凹部１８の内面は、その全体が粗面となっている。凹部１８と金属層２５との間に
位置する部分（第４表面部分５４ｄ）は平滑面となっている。
【0339】
本実施形態において、「粗面」及び「平滑面」の定義及び測定方法は、第２の実施形態
の場合と同様である。
の場合と同様である。
【0340】
（リードフレームの製造方法）
次に、図４６に示すリードフレーム１０Ｃの製造方法について、図４８（ａ）－（ｊ）
を用いて説明する。図４８（ａ）－（ｊ）において、図３５（ａ）－（ｊ）に示す構成と
同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図４６に示すリードフレーム１０Ｃの製造方法について、図４８（ａ）－（ｊ）
を用いて説明する。図４８（ａ）－（ｊ）において、図３５（ａ）－（ｊ）に示す構成と
同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0341】
【0342】
次に、上述した図３５（ｃ）に示す工程と略同様にして、開口部３２ｂ、３３ｂを有す
るエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図４８（ｃ））。なお、このとき凹部
１８に対応する領域にも開口部３２ｂが形成される。
るエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図４８（ｃ））。なお、このとき凹部
１８に対応する領域にも開口部３２ｂが形成される。
【0343】
続いて、上述した図３５（ｄ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１にエッチング
を施すことにより、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の外形を
形成する（図４８（ｄ））。また、このときリード部１２の表面に凹部１８が形成される
。次いで、上述した図３５（ｅ）に示す工程と略同様にして、エッチング用レジスト層３
２、３３を剥離除去する（図４８（ｅ））。
を施すことにより、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の外形を
形成する（図４８（ｄ））。また、このときリード部１２の表面に凹部１８が形成される
。次いで、上述した図３５（ｅ）に示す工程と略同様にして、エッチング用レジスト層３
２、３３を剥離除去する（図４８（ｅ））。
【0344】
【0345】
次いで、めっき層３６のうち、金属基板３１の第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパ
ッド側面１１ｄ、第３表面部分５４ｃ、凹部１８、インナーリード先端面５１ｃ及びイン
ナーリード裏面５１ｂに対応する部分を除去する（図４８（ｇ））。
ッド側面１１ｄ、第３表面部分５４ｃ、凹部１８、インナーリード先端面５１ｃ及びイン
ナーリード裏面５１ｂに対応する部分を除去する（図４８（ｇ））。
【0346】
この間、図４８（ｇ）に示すように、まず金属基板３１の表面及び裏面にそれぞれゴム
パッキン等の弾性部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１を冶具４７Ｆに
よって挟む。なお、金属基板３１の表面側の弾性部材４６は、ダイパッド表面１１ａと、
第４表面部分５４ｄに対応する領域と、リード部１２の金属層２５が設けられる領域とを
覆う。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去する。これ
により、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第３表面部分５４ｃ、
凹部１８、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方
、弾性部材４６に覆われたダイパッド表面１１ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、第４表面部分
５４ｄ及び外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
パッキン等の弾性部材４６を配置し、弾性部材４６を介して金属基板３１を冶具４７Ｆに
よって挟む。なお、金属基板３１の表面側の弾性部材４６は、ダイパッド表面１１ａと、
第４表面部分５４ｄに対応する領域と、リード部１２の金属層２５が設けられる領域とを
覆う。次いで、弾性部材４６に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去する。これ
により、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第３表面部分５４ｃ、
凹部１８、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが露出する。一方
、弾性部材４６に覆われたダイパッド表面１１ａ、ダイパッド裏面１１ｂ、第４表面部分
５４ｄ及び外部端子１７上のめっき層３６は残存する。
【0347】
続いて、上述した図３５（ｈ）に示す工程と略同様にして、金属基板３１の裏面側に支
持層３７を設ける。次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化
することにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図４８（ｈ））
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第３表面部分５
４ｃ、凹部１８の内面、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗
面となる。
持層３７を設ける。次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化
することにより、めっき層３６に覆われていない部分に粗面を形成する（図４８（ｈ））
。これにより、第１ダイパッド側面１１ｃ、第２ダイパッド側面１１ｄ、第３表面部分５
４ｃ、凹部１８の内面、インナーリード先端面５１ｃ及びインナーリード裏面５１ｂが粗
面となる。
【0348】
【0349】
【0350】
【0351】
本実施形態によれば、リード部１２の表面のうち、金属層２５の外側に隣接する第４表
面部分５４ｄは平滑面となっている。これにより、ダイパッド１１上に半導体素子２１を
搭載する際、バンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝わって流れ出すことを
抑制できる（図４９の矢印ＦＣ参照）。他方、仮に第４表面部分５４ｄが粗面であると、
表面張力により、バンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝わって流れ出てし
まうおそれがある。
面部分５４ｄは平滑面となっている。これにより、ダイパッド１１上に半導体素子２１を
搭載する際、バンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝わって流れ出すことを
抑制できる（図４９の矢印ＦＣ参照）。他方、仮に第４表面部分５４ｄが粗面であると、
表面張力により、バンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝わって流れ出てし
まうおそれがある。
【0352】
また本実施形態によれば、リード部１２の表面のうち、金属層２５の外側に凹部１８が
形成されている。これにより、仮にバンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝
わって流れ出した場合でも、流れ出た錫等を凹部１８によって受け止めることができる。
これにより、流れ出た錫等が第３表面部分５４ｃ側まで到達することを抑制できる。
形成されている。これにより、仮にバンプ２６に含まれる錫等が第４表面部分５４ｄを伝
わって流れ出した場合でも、流れ出た錫等を凹部１８によって受け止めることができる。
これにより、流れ出た錫等が第３表面部分５４ｃ側まで到達することを抑制できる。
【0353】
また本実施形態によれば、凹部１８の内面と、第３表面部分５４ｃとは粗面となってい
る。このため、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面における水分の侵入経路の距
離が長くなっている。これにより、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面から、半
導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４９の矢印ＦＢ参照）。
この結果、長期間使用した後における半導体装置２０Ｃの信頼性を向上させることができ
る。
る。このため、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面における水分の侵入経路の距
離が長くなっている。これにより、リード部１２の表面と封止樹脂２３との界面から、半
導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４９の矢印ＦＢ参照）。
この結果、長期間使用した後における半導体装置２０Ｃの信頼性を向上させることができ
る。
【0354】
また本実施形態によれば、凹部１８の内面と、第３表面部分５４ｃとは粗面となってい
る。これにより、凹部１８及び第３表面部分５４ｃと封止樹脂２３との密着強度を高め、
リード部１２の表面と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
る。これにより、凹部１８及び第３表面部分５４ｃと封止樹脂２３との密着強度を高め、
リード部１２の表面と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
【0355】
また本実施形態によれば、半導体装置２０Ｃの裏面側において、封止樹脂２３と、ダイ
パッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。
これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素
子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４９の矢印ＦＡ参照）。この結
果、長期間使用した後における半導体装置２０Ｃの信頼性を向上させることができる。
パッド１１又はリード部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。
これにより、封止樹脂２３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面から、半導体素
子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図４９の矢印ＦＡ参照）。この結
果、長期間使用した後における半導体装置２０Ｃの信頼性を向上させることができる。
【0356】
（第９の実施形態）
第９の実施形態について、図５０乃至図５７を参照して説明する。図５０乃至図５７は
、第９の実施形態を示す図である。図５０乃至図５７において、図８乃至図４９に示す実
施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
第９の実施形態について、図５０乃至図５７を参照して説明する。図５０乃至図５７は
、第９の実施形態を示す図である。図５０乃至図５７において、図８乃至図４９に示す実
施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0357】
【0358】
図５０及び図５１に示すように、リードフレーム１０の各パッケージ領域１０ａは、ダ
イパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に位置するリード部１２と、を備えている。この
うちリード部１２は、裏面側から一部が薄肉化されている。リード部１２の裏面のうち、
薄肉化されている部分は粗面となっている。リード部１２の裏面のうち、薄肉化されてい
ない部分は平滑面となっている。
イパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に位置するリード部１２と、を備えている。この
うちリード部１２は、裏面側から一部が薄肉化されている。リード部１２の裏面のうち、
薄肉化されている部分は粗面となっている。リード部１２の裏面のうち、薄肉化されてい
ない部分は平滑面となっている。
【0359】
図５１に示すように、ダイパッド１１は、表面側に位置するダイパッド表面１１ａと、
裏面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。ダイパッド表面１１ａには、後
述するように半導体素子２１が搭載される。ダイパッド裏面１１ｂは、半導体装置２０（
後述）から外方に露出する。また、ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、ダ
イパッド側面１１ｈが形成されている。ダイパッド側面１１ｈは、ダイパッド表面１１ａ
側からダイパッド裏面１１ｂ側まで厚み方向（Ｚ方向）に延びている。この場合、ダイパ
ッド側面１１ｈは粗面となっている。すなわちダイパッド側面１１ｈには、第３の粗面Ｒ
３が形成されている。一方、ダイパッド裏面１１ｂは、平滑面となっている。
裏面側に位置するダイパッド裏面１１ｂとを有している。ダイパッド表面１１ａには、後
述するように半導体素子２１が搭載される。ダイパッド裏面１１ｂは、半導体装置２０（
後述）から外方に露出する。また、ダイパッド１１のうちリード部１２を向く側には、ダ
イパッド側面１１ｈが形成されている。ダイパッド側面１１ｈは、ダイパッド表面１１ａ
側からダイパッド裏面１１ｂ側まで厚み方向（Ｚ方向）に延びている。この場合、ダイパ
ッド側面１１ｈは粗面となっている。すなわちダイパッド側面１１ｈには、第３の粗面Ｒ
３が形成されている。一方、ダイパッド裏面１１ｂは、平滑面となっている。
【0360】
本実施形態において、「粗面」とは、Ｓ－ｒａｔｉｏが１．１０以上となる面をいう。
「平滑面」とは、Ｓ－ｒａｔｉｏが１．１０未満となる面をいう。粗面は、平滑面よりも
粗い面である。また、「粗面」のＳ－ｒａｔｉｏは、１．１０以上２．３０以下となるこ
とが好ましい。「平滑面」のＳ－ｒａｔｉｏは、１．００以上１．１０未満となることが
好ましい。ここで「Ｓ－ｒａｔｉｏ」とは、測定対象となる面を光干渉式測定器で複数の
画素に分割して測定して得られた表面積率をあらわしている。具体的には、測定対象とな
る面を株式会社日立ハイテクサイエンス製、ＶｅｒｔＳｃａｎを用いて複数の画素に分割
して測定し、得られた表面積を観察面積で除して算出する。
「平滑面」とは、Ｓ－ｒａｔｉｏが１．１０未満となる面をいう。粗面は、平滑面よりも
粗い面である。また、「粗面」のＳ－ｒａｔｉｏは、１．１０以上２．３０以下となるこ
とが好ましい。「平滑面」のＳ－ｒａｔｉｏは、１．００以上１．１０未満となることが
好ましい。ここで「Ｓ－ｒａｔｉｏ」とは、測定対象となる面を光干渉式測定器で複数の
画素に分割して測定して得られた表面積率をあらわしている。具体的には、測定対象とな
る面を株式会社日立ハイテクサイエンス製、ＶｅｒｔＳｃａｎを用いて複数の画素に分割
して測定し、得られた表面積を観察面積で除して算出する。
【0361】
粗面は、後述する金属基板３１の外面を、例えばマイクロエッチング液で粗面化処理す
ることによって形成されても良い。このようなマイクロエッチング液としては、硫酸又は
塩酸を主成分とするもの（例えば後述する第１のマイクロエッチング液）が挙げられる。
あるいは、マイクロエッチング液としては、過酸化水素と硫酸を主成分とするもの（例え
ば後述する第２のマイクロエッチング液）を用いても良い。平滑面は、後述する金属基板
３１に対してこのような粗面化処理を施さない、未加工の面であっても良い。なお、図５
１において、相対的に粗さが滑らかな粗面（例えば後述する第１の粗面Ｒ１）を細い破線
で示す。また、図５１において、相対的に粗さの粗い粗面（例えば後述する第２の粗面Ｒ
２、第３の粗面Ｒ３、第４の粗面Ｒ４及び第５の粗面Ｒ５）を太い破線で示している（他
の断面図についても同様）。
ることによって形成されても良い。このようなマイクロエッチング液としては、硫酸又は
塩酸を主成分とするもの（例えば後述する第１のマイクロエッチング液）が挙げられる。
あるいは、マイクロエッチング液としては、過酸化水素と硫酸を主成分とするもの（例え
ば後述する第２のマイクロエッチング液）を用いても良い。平滑面は、後述する金属基板
３１に対してこのような粗面化処理を施さない、未加工の面であっても良い。なお、図５
１において、相対的に粗さが滑らかな粗面（例えば後述する第１の粗面Ｒ１）を細い破線
で示す。また、図５１において、相対的に粗さの粗い粗面（例えば後述する第２の粗面Ｒ
２、第３の粗面Ｒ３、第４の粗面Ｒ４及び第５の粗面Ｒ５）を太い破線で示している（他
の断面図についても同様）。
【0362】
ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａは、後述するようにダイアタッチペースト等の
接着剤２４を介して半導体素子２１に接合される領域（内部端子）である。ダイパッド表
面１１ａは、ハーフエッチング等により薄肉化されていない領域であっても良い。また、
ダイパッド表面１１ａには、第１の粗面Ｒ１が形成されている。ここで第１の粗面Ｒ１の
粗さは、後述するリード部１２の第２の粗面Ｒ２の粗さよりも滑らかである（粗くない）
。具体的には、第１の粗面Ｒ１のＳ－ｒａｔｉｏは、１．１０以上１．３０未満となって
も良い。
接着剤２４を介して半導体素子２１に接合される領域（内部端子）である。ダイパッド表
面１１ａは、ハーフエッチング等により薄肉化されていない領域であっても良い。また、
ダイパッド表面１１ａには、第１の粗面Ｒ１が形成されている。ここで第１の粗面Ｒ１の
粗さは、後述するリード部１２の第２の粗面Ｒ２の粗さよりも滑らかである（粗くない）
。具体的には、第１の粗面Ｒ１のＳ－ｒａｔｉｏは、１．１０以上１．３０未満となって
も良い。
【0363】
本実施形態において、第１の粗面Ｒ１は、ダイパッド表面１１ａの全域にわたって形成
されている。しかしながら、これに限らず、第１の粗面Ｒ１は、ダイパッド表面１１ａの
一部に形成されていても良い。とりわけ、第１の粗面Ｒ１は、ダイパッド表面１１ａのう
ち、半導体素子２１の搭載領域の外側周縁に形成されていることが好ましい。これにより
、後述するように、接着剤２４中のエポキシ樹脂等の成分が、ダイパッド表面１１ａの毛
細管現象により滲み出す現象（ブリードアウト）を抑制できる。また第１の粗面Ｒ１は、
ダイパッド１１の周縁の全域に沿って形成されても良い。第１の粗面Ｒ１が、ダイパッド
表面１１ａの一部に形成されている場合、第１の粗面Ｒ１以外の部分は平滑面になってい
ても良い。あるいは、ダイパッド表面１１ａの第１の粗面Ｒ１以外の部分は、第１の粗面
Ｒ１の粗さよりも粗い粗面であっても良い。例えば、ダイパッド表面１１ａの第１の粗面
Ｒ１以外の部分のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下となっても良い。
されている。しかしながら、これに限らず、第１の粗面Ｒ１は、ダイパッド表面１１ａの
一部に形成されていても良い。とりわけ、第１の粗面Ｒ１は、ダイパッド表面１１ａのう
ち、半導体素子２１の搭載領域の外側周縁に形成されていることが好ましい。これにより
、後述するように、接着剤２４中のエポキシ樹脂等の成分が、ダイパッド表面１１ａの毛
細管現象により滲み出す現象（ブリードアウト）を抑制できる。また第１の粗面Ｒ１は、
ダイパッド１１の周縁の全域に沿って形成されても良い。第１の粗面Ｒ１が、ダイパッド
表面１１ａの一部に形成されている場合、第１の粗面Ｒ１以外の部分は平滑面になってい
ても良い。あるいは、ダイパッド表面１１ａの第１の粗面Ｒ１以外の部分は、第１の粗面
Ｒ１の粗さよりも粗い粗面であっても良い。例えば、ダイパッド表面１１ａの第１の粗面
Ｒ１以外の部分のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下となっても良い。
【0364】
図５１を参照すると、ダイパッド裏面１１ｂは、例えばハーフエッチングにより薄肉化
されることなく、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同様の平滑面となってい
る。ダイパッド裏面１１ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、半導体装置２０から
外方に露出する。
されることなく、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同様の平滑面となってい
る。ダイパッド裏面１１ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、半導体装置２０から
外方に露出する。
【0365】
各リード部１２は、それぞれ後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素
子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。
複数のリード部１２は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って互いに間隔を空けて
配置されている。各リード部１２は、それぞれコネクティングバー１３から延び出してい
る。
子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。
複数のリード部１２は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って互いに間隔を空けて
配置されている。各リード部１２は、それぞれコネクティングバー１３から延び出してい
る。
【0366】
図５１に示すように、リード部１２は、インナーリード５１と端子部５３とを有してい
る。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側
（コネクティングバー１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイ
パッド１１側に延びている。インナーリード５１の表面側には内部端子が形成される。こ
の内部端子は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的
に接続される領域である。内部端子上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上さ
せる金属層２５が設けられている。
る。インナーリード５１は、内側（ダイパッド１１側）に位置する。端子部５３は、外側
（コネクティングバー１３側）に位置する。インナーリード５１は、端子部５３からダイ
パッド１１側に延びている。インナーリード５１の表面側には内部端子が形成される。こ
の内部端子は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的
に接続される領域である。内部端子上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上さ
せる金属層２５が設けられている。
【0367】
本実施形態において、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されている部分は粗面となっ
ている。具体的には、リード部１２のインナーリード５１が裏面側から薄肉化されている
。インナーリード５１の裏面側に位置するインナーリード裏面５１ｂは、その全域が粗面
となっている。すなわちインナーリード裏面５１ｂには、第４の粗面Ｒ４が形成されてい
る。一方、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されていない部分は平滑面となっている。
具体的には、リード部１２の端子部５３は裏面側から薄肉化されていない。端子部５３の
裏面側に位置する外部端子１７は、その全域が平滑面となっている。
ている。具体的には、リード部１２のインナーリード５１が裏面側から薄肉化されている
。インナーリード５１の裏面側に位置するインナーリード裏面５１ｂは、その全域が粗面
となっている。すなわちインナーリード裏面５１ｂには、第４の粗面Ｒ４が形成されてい
る。一方、リード部１２の裏面のうち、薄肉化されていない部分は平滑面となっている。
具体的には、リード部１２の端子部５３は裏面側から薄肉化されていない。端子部５３の
裏面側に位置する外部端子１７は、その全域が平滑面となっている。
【0368】
さらにリード部１２のインナーリード先端面５１ｃは、その全域が粗面となっている。
すなわちインナーリード先端面５１ｃには、第５の粗面Ｒ５が形成されている。また、図
示していないが、リード部１２の長手方向に沿う両側面も粗面となっていても良い。一方
、リード部１２のインナーリード５１は表面側から薄肉化されていない。またリード部１
２の端子部５３は表面側から薄肉化されていない。
すなわちインナーリード先端面５１ｃには、第５の粗面Ｒ５が形成されている。また、図
示していないが、リード部１２の長手方向に沿う両側面も粗面となっていても良い。一方
、リード部１２のインナーリード５１は表面側から薄肉化されていない。またリード部１
２の端子部５３は表面側から薄肉化されていない。
【0369】
インナーリード５１のインナーリード表面５１ａと、端子部５３の端子部表面５３ａと
により、リード表面１２ａが構成されている。リード表面１２ａは、ハーフエッチング等
により表面側から薄肉化されていない領域である。リード表面１２ａには、平滑面の領域
である平滑面領域Ｓと、粗面の領域である第２の粗面Ｒ２とが形成されている。
により、リード表面１２ａが構成されている。リード表面１２ａは、ハーフエッチング等
により表面側から薄肉化されていない領域である。リード表面１２ａには、平滑面の領域
である平滑面領域Ｓと、粗面の領域である第２の粗面Ｒ２とが形成されている。
【0370】
平滑面領域Ｓは、リード部１２の内側（ダイパッド１１側）端部に位置する。平滑面領
域Ｓ上には、金属層２５が形成されている。この場合、金属層２５は、平面視で平滑面領
域Ｓの全体を覆う。金属層２５は、例えば電解めっき法により形成されためっき層であっ
ても良い。金属層２５の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下としても良い。このようなめっ
き層を構成する金属としては、銀、銀合金、金、金合金、白金族、銅、銅合金、パラジウ
ムなどを用いてもよい。金属層２５を構成する金属によって、下地めっきが必要な場合は
、ニッケルや、銅などの公知のものを適用すればよい。
域Ｓ上には、金属層２５が形成されている。この場合、金属層２５は、平面視で平滑面領
域Ｓの全体を覆う。金属層２５は、例えば電解めっき法により形成されためっき層であっ
ても良い。金属層２５の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下としても良い。このようなめっ
き層を構成する金属としては、銀、銀合金、金、金合金、白金族、銅、銅合金、パラジウ
ムなどを用いてもよい。金属層２５を構成する金属によって、下地めっきが必要な場合は
、ニッケルや、銅などの公知のものを適用すればよい。
【0371】
この場合、各リード部１２のリード表面１２ａには、それぞれ１つの平滑面領域Ｓが形
成されている。しかしながらこれに限らず、各リード部１２のリード表面１２ａには、そ
れぞれ複数の平滑面領域Ｓが形成されていても良い。また、各リード部１２のリード表面
１２ａには、平滑面領域Ｓが形成されていなくても良い。すなわち、各リード部１２のリ
ード表面１２ａの全体が、第２の粗面Ｒ２となっていても良い。
成されている。しかしながらこれに限らず、各リード部１２のリード表面１２ａには、そ
れぞれ複数の平滑面領域Ｓが形成されていても良い。また、各リード部１２のリード表面
１２ａには、平滑面領域Ｓが形成されていなくても良い。すなわち、各リード部１２のリ
ード表面１２ａの全体が、第２の粗面Ｒ２となっていても良い。
【0372】
平滑面領域Ｓ及び金属層２５の外側（コネクティングバー１３側）には、第２の粗面Ｒ
２が位置する。この場合、第２の粗面Ｒ２は、平滑面領域Ｓよりも外側（コネクティング
バー１３側）のみに設けられている。しかしながら、これに限らず、第２の粗面Ｒ２は、
平面視で平滑面領域Ｓを取り囲むように設けられても良い。リード表面１２ａは、平滑面
領域Ｓ及び第２の粗面Ｒ２のみから構成されていても良い。
２が位置する。この場合、第２の粗面Ｒ２は、平滑面領域Ｓよりも外側（コネクティング
バー１３側）のみに設けられている。しかしながら、これに限らず、第２の粗面Ｒ２は、
平面視で平滑面領域Ｓを取り囲むように設けられても良い。リード表面１２ａは、平滑面
領域Ｓ及び第２の粗面Ｒ２のみから構成されていても良い。
【0373】
本実施形態において、第２の粗面Ｒ２の粗さは、上述したダイパッド１１の第１の粗面
Ｒ１の粗さよりも粗い。具体的には、第２の粗面Ｒ２のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上
２．３０以下となっても良い。一方、上述したように、第１の粗面Ｒ１のＳ－ｒａｔｉｏ
は、１．１０以上１．３０未満となっても良い。
Ｒ１の粗さよりも粗い。具体的には、第２の粗面Ｒ２のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上
２．３０以下となっても良い。一方、上述したように、第１の粗面Ｒ１のＳ－ｒａｔｉｏ
は、１．１０以上１．３０未満となっても良い。
【0374】
上述したダイパッド１１の第３の粗面Ｒ３の粗さは、第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗く
ても良い。第３の粗面Ｒ３のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下となっても良
い。また、リード部１２の第４の粗面Ｒ４の粗さは、上述した第１の粗面Ｒ１の粗さより
も粗くても良い。第４の粗面Ｒ４のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下となっ
ても良い。また、リード部１２の第５の粗面Ｒ５の粗さは、上述した第１の粗面Ｒ１の粗
さよりも粗くても良い。第５の粗面Ｒ５のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下
となっても良い。
ても良い。第３の粗面Ｒ３のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下となっても良
い。また、リード部１２の第４の粗面Ｒ４の粗さは、上述した第１の粗面Ｒ１の粗さより
も粗くても良い。第４の粗面Ｒ４のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下となっ
ても良い。また、リード部１２の第５の粗面Ｒ５の粗さは、上述した第１の粗面Ｒ１の粗
さよりも粗くても良い。第５の粗面Ｒ５のＳ－ｒａｔｉｏは、１．３０以上２．３０以下
となっても良い。
【0375】
なお、第２の粗面Ｒ２、第３の粗面Ｒ３、第４の粗面Ｒ４及び第５の粗面Ｒ５の粗さの
大小関係は問わない。第２の粗面Ｒ２、第３の粗面Ｒ３、第４の粗面Ｒ４及び第５の粗面
Ｒ５の粗さは、互いに異なっていても良く、互いに同一であっても良い。
大小関係は問わない。第２の粗面Ｒ２、第３の粗面Ｒ３、第４の粗面Ｒ４及び第５の粗面
Ｒ５の粗さは、互いに異なっていても良く、互いに同一であっても良い。
【0376】
このほか、本実施形態によるリードフレーム１０の構成は、第２の実施形態によるリー
ドフレーム１０の構成と同様としても良い。
ドフレーム１０の構成と同様としても良い。
【0377】
【0378】
【0379】
このうち半導体素子２１は、ダイパッド１１上に搭載されている。複数のボンディング
ワイヤ２２は、それぞれ半導体素子２１と、リード部１２の金属層２５とを電気的に接続
する。この場合、ボンディングワイヤ２２は接続部材を構成する。封止樹脂２３は、ダイ
パッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を樹脂封止する
。
ワイヤ２２は、それぞれ半導体素子２１と、リード部１２の金属層２５とを電気的に接続
する。この場合、ボンディングワイヤ２２は接続部材を構成する。封止樹脂２３は、ダイ
パッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を樹脂封止する
。
【0380】
ダイパッド１１及びリード部１２は、上述したリードフレーム１０から作製されたもの
である。この場合、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａに、第１の粗面Ｒ１が形成さ
れている。またリード部１２のリード表面１２ａのうち、金属層２５よりも外側（ダイパ
ッド１１から遠い側）の位置に第２の粗面Ｒ２が形成されている。リード部１２の第２の
粗面Ｒ２の粗さは、ダイパッド１１の第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。
である。この場合、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａに、第１の粗面Ｒ１が形成さ
れている。またリード部１２のリード表面１２ａのうち、金属層２５よりも外側（ダイパ
ッド１１から遠い側）の位置に第２の粗面Ｒ２が形成されている。リード部１２の第２の
粗面Ｒ２の粗さは、ダイパッド１１の第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。
【0381】
また、ダイパッド１１のダイパッド側面１１ｈには、第３の粗面Ｒ３が形成されている
。第３の粗面Ｒ３の粗さは、第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。ダイパッド側面１１ｈに
は、封止樹脂２３が密着している。リード部１２のインナーリード５１は、裏面側から薄
肉化されている。インナーリード５１のインナーリード裏面５１ｂは第４の粗面Ｒ４とな
っている。第４の粗面Ｒ４の粗さは、第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。インナーリード
裏面５１ｂには、封止樹脂２３が密着している。またインナーリード５１のインナーリー
ド先端面５１ｃには、第５の粗面Ｒ５が形成されている。第５の粗面Ｒ５の粗さは、第１
の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。インナーリード先端面５１ｃには、封止樹脂２３が密着し
ている。リード部１２の端子部５３は、裏面側から薄肉化されていない。端子部５３の裏
面に位置する外部端子１７は平滑面となっている。外部端子１７は、封止樹脂２３から外
方に露出している。
。第３の粗面Ｒ３の粗さは、第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。ダイパッド側面１１ｈに
は、封止樹脂２３が密着している。リード部１２のインナーリード５１は、裏面側から薄
肉化されている。インナーリード５１のインナーリード裏面５１ｂは第４の粗面Ｒ４とな
っている。第４の粗面Ｒ４の粗さは、第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。インナーリード
裏面５１ｂには、封止樹脂２３が密着している。またインナーリード５１のインナーリー
ド先端面５１ｃには、第５の粗面Ｒ５が形成されている。第５の粗面Ｒ５の粗さは、第１
の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。インナーリード先端面５１ｃには、封止樹脂２３が密着し
ている。リード部１２の端子部５３は、裏面側から薄肉化されていない。端子部５３の裏
面に位置する外部端子１７は平滑面となっている。外部端子１７は、封止樹脂２３から外
方に露出している。
【0382】
半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが
可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サ
イリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディン
グワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は
、例えばダイアタッチペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定され
ている。接着剤２４は、銀ペースト及びエポキシ樹脂等の成分を含むエポキシ樹脂系の接
着剤であっても良い。
可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サ
イリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディン
グワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は
、例えばダイアタッチペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定され
ている。接着剤２４は、銀ペースト及びエポキシ樹脂等の成分を含むエポキシ樹脂系の接
着剤であっても良い。
【0383】
各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各
ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続され
るとともに、その他端が各リード部１２上に位置する金属層２５にそれぞれ接続されてい
る。接続部材としては、ボンディングワイヤ２２に代えてバンプ等の導電体を用いても良
い。この場合、フリップチップボンディングにより半導体素子２１をリード部１２に接続
できる。
ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続され
るとともに、その他端が各リード部１２上に位置する金属層２５にそれぞれ接続されてい
る。接続部材としては、ボンディングワイヤ２２に代えてバンプ等の導電体を用いても良
い。この場合、フリップチップボンディングにより半導体素子２１をリード部１２に接続
できる。
【0384】
封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰ
ＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μ
ｍ以上１５００μｍ以下程度としても良い。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０
の一辺）は、例えば０．２ｍｍ以上２０ｍｍ以下としても良い。なお、図５２において、
封止樹脂２３のうち、リード部１２及び半導体素子２１よりも表面側に位置する部分の表
示を省略している。
ＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μ
ｍ以上１５００μｍ以下程度としても良い。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０
の一辺）は、例えば０．２ｍｍ以上２０ｍｍ以下としても良い。なお、図５２において、
封止樹脂２３のうち、リード部１２及び半導体素子２１よりも表面側に位置する部分の表
示を省略している。
【0385】
【0386】
（リードフレームの製造方法）
次に、図５０及び図５１に示すリードフレーム１０の製造方法について、図５４（ａ）
－（ｅ）及び図５５（ａ）－（ｈ）を用いて説明する。図５４（ａ）－（ｅ）及び図５５
（ａ）－（ｈ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図５１に対応する図）
である。
次に、図５０及び図５１に示すリードフレーム１０の製造方法について、図５４（ａ）
－（ｅ）及び図５５（ａ）－（ｈ）を用いて説明する。図５４（ａ）－（ｅ）及び図５５
（ａ）－（ｈ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図５１に対応する図）
である。
【0387】
【0388】
次に、金属基板３１の周囲にめっき層（被覆層）３６を形成する（図５５（ａ））。こ
のとき、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３のうち、外方に露出
する部分の全体にめっき層３６が形成されても良い。めっき層３６の厚みは、０μｍ超２
μｍ以下としても良い。めっき層３６を構成する金属としては、例えば銀を用いてもよい
。めっき層３６が銀めっきからなる場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀及
びシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。
のとき、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３のうち、外方に露出
する部分の全体にめっき層３６が形成されても良い。めっき層３６の厚みは、０μｍ超２
μｍ以下としても良い。めっき層３６を構成する金属としては、例えば銀を用いてもよい
。めっき層３６が銀めっきからなる場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀及
びシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。
【0389】
続いて、金属基板３１のうち、第１の粗面Ｒ１を形成する領域に存在するめっき層３６
を除去する。具体的には、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａの全域に位置するめっ
き層３６を除去する（図５５（ｂ））。この場合、例えば金属基板３１のうち、ダイパッ
ド表面１１ａ以外の表面及び裏面を、それぞれ弾性部材を介して冶具によって挟む。次い
で、弾性部材及び冶具に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去しても良い。これ
により、ダイパッド表面１１ａ上のめっき層３６が除去される。
を除去する。具体的には、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａの全域に位置するめっ
き層３６を除去する（図５５（ｂ））。この場合、例えば金属基板３１のうち、ダイパッ
ド表面１１ａ以外の表面及び裏面を、それぞれ弾性部材を介して冶具によって挟む。次い
で、弾性部材及び冶具に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去しても良い。これ
により、ダイパッド表面１１ａ上のめっき層３６が除去される。
【0390】
次に、金属基板３１のうちめっき層３６に覆われていない部分を粗化することにより、
当該部分に第１の粗面Ｒ１を形成する（図５５（ｃ））。具体的には、金属基板３１に対
して第１のマイクロエッチング液を供給することにより、めっき層３６で覆われていない
ダイパッド表面１１ａの全体に第１の粗面Ｒ１を形成する。ここで第１のマイクロエッチ
ング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の第１の粗面Ｒ１を形成する表面処理
剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１に粗面化する場合、第１のマイクロ
エッチング液としては、硫酸又は塩酸を主成分とするマイクロエッチング液を用いても良
い。
当該部分に第１の粗面Ｒ１を形成する（図５５（ｃ））。具体的には、金属基板３１に対
して第１のマイクロエッチング液を供給することにより、めっき層３６で覆われていない
ダイパッド表面１１ａの全体に第１の粗面Ｒ１を形成する。ここで第１のマイクロエッチ
ング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹凸の第１の粗面Ｒ１を形成する表面処理
剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１に粗面化する場合、第１のマイクロ
エッチング液としては、硫酸又は塩酸を主成分とするマイクロエッチング液を用いても良
い。
【0391】
次いで、金属基板３１のうち、リード表面１２ａの平滑面領域Ｓ（金属層２５を形成す
る領域）以外に存在するめっき層３６を除去する。この場合、例えば金属基板３１のうち
、平滑面領域Ｓ以外の表面及び裏面を、それぞれ弾性部材を介して冶具によって挟む。次
いで、弾性部材及び冶具に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去しても良い。こ
れにより、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂ及びダイパッド側面１１ｈに位置する
めっき層３６が除去される。また、リード部１２において、リード表面１２ａの平滑面領
域Ｓ以外の部分、インナーリード裏面５１ｂ、インナーリード先端面５１ｃ及び外部端子
１７に位置するめっき層３６が除去される。
る領域）以外に存在するめっき層３６を除去する。この場合、例えば金属基板３１のうち
、平滑面領域Ｓ以外の表面及び裏面を、それぞれ弾性部材を介して冶具によって挟む。次
いで、弾性部材及び冶具に覆われていない部分のめっき層３６を剥離除去しても良い。こ
れにより、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂ及びダイパッド側面１１ｈに位置する
めっき層３６が除去される。また、リード部１２において、リード表面１２ａの平滑面領
域Ｓ以外の部分、インナーリード裏面５１ｂ、インナーリード先端面５１ｃ及び外部端子
１７に位置するめっき層３６が除去される。
【0392】
次に、金属基板３１の表面及び裏面に、保護層３７Ａをそれぞれ設ける（図５５（ｅ）
）。保護層３７Ａは、例えばレジスト層であっても良い。表面側の保護層３７Ａは、ダイ
パッド１１のダイパッド表面１１ａと、リード部１２の平滑面領域Ｓ上のめっき層３６と
を覆う。このとき、表面側の保護層３７Ａは、ダイパッド１１の第１の粗面Ｒ１の全域を
覆う。また表面側の保護層３７Ａは、平滑面領域Ｓ上のめっき層３６の一部又は全域を覆
っても良い。裏面側の保護層３７Ａは、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂと、リー
ド部１２の外部端子１７とを覆う。
）。保護層３７Ａは、例えばレジスト層であっても良い。表面側の保護層３７Ａは、ダイ
パッド１１のダイパッド表面１１ａと、リード部１２の平滑面領域Ｓ上のめっき層３６と
を覆う。このとき、表面側の保護層３７Ａは、ダイパッド１１の第１の粗面Ｒ１の全域を
覆う。また表面側の保護層３７Ａは、平滑面領域Ｓ上のめっき層３６の一部又は全域を覆
っても良い。裏面側の保護層３７Ａは、ダイパッド１１のダイパッド裏面１１ｂと、リー
ド部１２の外部端子１７とを覆う。
【0393】
続いて、金属基板３１のうちめっき層３６及び保護層３７Ａに覆われていない部分を粗
化することにより、めっき層３６及び保護層３７Ａに覆われていない部分に粗面を形成す
る（図５５（ｆ））。具体的には、リード部１２のリード表面１２ａの一部に第２の粗面
Ｒ２が形成される。またダイパッド１１のダイパッド側面１１ｈには、第３の粗面Ｒ３が
形成される。またリード部１２のインナーリード裏面５１ｂには、第４の粗面Ｒ４が形成
される。さらにリード部１２のインナーリード先端面５１ｃには、第５の粗面Ｒ５が形成
される。
化することにより、めっき層３６及び保護層３７Ａに覆われていない部分に粗面を形成す
る（図５５（ｆ））。具体的には、リード部１２のリード表面１２ａの一部に第２の粗面
Ｒ２が形成される。またダイパッド１１のダイパッド側面１１ｈには、第３の粗面Ｒ３が
形成される。またリード部１２のインナーリード裏面５１ｂには、第４の粗面Ｒ４が形成
される。さらにリード部１２のインナーリード先端面５１ｃには、第５の粗面Ｒ５が形成
される。
【0394】
この間、金属基板３１に対して第２のマイクロエッチング液を供給する。これにより、
めっき層３６及び保護層３７Ａで覆われている部分を除き、金属基板３１の全体に粗面を
形成する。ここで第２のマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹
凸の粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１を粗面
化する場合、第２のマイクロエッチング液としては、過酸化水素水と硫酸を主成分とする
マイクロエッチング液を用いても良い。第２のマイクロエッチング液は、上述した第１の
マイクロエッチング液とは異なる成分を含んでも良い。第２のマイクロエッチング液は、
第１のマイクロエッチング液よりも金属をより粗くする。このため、第２の粗面Ｒ２、第
３の粗面Ｒ３、第４の粗面Ｒ４及び第５の粗面Ｒ５は、それぞれ第１の粗面Ｒ１よりも粗
くなる。
めっき層３６及び保護層３７Ａで覆われている部分を除き、金属基板３１の全体に粗面を
形成する。ここで第２のマイクロエッチング液とは、金属表面を僅かに溶かし、微細な凹
凸の粗面を形成する表面処理剤である。例えば銅又は銅合金からなる金属基板３１を粗面
化する場合、第２のマイクロエッチング液としては、過酸化水素水と硫酸を主成分とする
マイクロエッチング液を用いても良い。第２のマイクロエッチング液は、上述した第１の
マイクロエッチング液とは異なる成分を含んでも良い。第２のマイクロエッチング液は、
第１のマイクロエッチング液よりも金属をより粗くする。このため、第２の粗面Ｒ２、第
３の粗面Ｒ３、第４の粗面Ｒ４及び第５の粗面Ｒ５は、それぞれ第１の粗面Ｒ１よりも粗
くなる。
【0395】
次いで、金属基板３１のうち表面側の保護層３７Ａと、めっき層３６とをそれぞれ剥離
除去する（図５５（ｇ））。このとき、リード表面１２ａを覆うめっき層３６が除去され
、平滑面領域Ｓが露出する。なお、裏面側の保護層３７Ａは金属基板３１に残存する。
除去する（図５５（ｇ））。このとき、リード表面１２ａを覆うめっき層３６が除去され
、平滑面領域Ｓが露出する。なお、裏面側の保護層３７Ａは金属基板３１に残存する。
【0396】
その後、リード部１２の平滑面領域Ｓ上に金属層２５を形成する（図５５（ｈ））。こ
の場合、まず平滑面領域Ｓを除く、ダイパッド１１及びリード部１２上に、例えばフォト
リソグラフィ法により図示しない所定パターンのめっき用レジスト層を形成する。次にめ
っき用レジスト層に覆われていない平滑面領域Ｓに、例えば電解めっき法によりめっき層
からなる金属層２５を形成する。その後、めっき用レジスト層を除去することにより、図
５０及び図５１に示すリードフレーム１０が得られる。
の場合、まず平滑面領域Ｓを除く、ダイパッド１１及びリード部１２上に、例えばフォト
リソグラフィ法により図示しない所定パターンのめっき用レジスト層を形成する。次にめ
っき用レジスト層に覆われていない平滑面領域Ｓに、例えば電解めっき法によりめっき層
からなる金属層２５を形成する。その後、めっき用レジスト層を除去することにより、図
５０及び図５１に示すリードフレーム１０が得られる。
【0397】
（半導体装置の製造方法）
次に、図５２及び図５３に示す半導体装置２０の製造方法について、図５６（ａ）－（
ｅ）を用いて説明する。図５６（ａ）－（ｅ）は、半導体装置２０の製造方法を示す断面
図（図５３に対応する図）である。
次に、図５２及び図５３に示す半導体装置２０の製造方法について、図５６（ａ）－（
ｅ）を用いて説明する。図５６（ａ）－（ｅ）は、半導体装置２０の製造方法を示す断面
図（図５３に対応する図）である。
【0398】
【0399】
次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場
合、例えばダイアタッチペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド
１１上に載置して固定する（図５６（ｂ））。接着剤２４は、銀ペースト及びエポキシ樹
脂等の成分を含むエポキシ樹脂系の接着剤であっても良い。このとき、半導体素子２１は
、接着剤２４を介して、ダイパッド表面１１ａの第１の粗面Ｒ１上に配置される。また半
導体素子２１及び接着剤２４の外周に沿って、第１の粗面Ｒ１が位置する。
合、例えばダイアタッチペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド
１１上に載置して固定する（図５６（ｂ））。接着剤２４は、銀ペースト及びエポキシ樹
脂等の成分を含むエポキシ樹脂系の接着剤であっても良い。このとき、半導体素子２１は
、接着剤２４を介して、ダイパッド表面１１ａの第１の粗面Ｒ１上に配置される。また半
導体素子２１及び接着剤２４の外周に沿って、第１の粗面Ｒ１が位置する。
【0400】
続いて、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２に形成された金属層２５と
を、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（図
５６（ｃ））。
を、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（図
５６（ｃ））。
【0401】
次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を射出成形又はトラ
ンスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図５６（ｄ））。これにより、
ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を樹脂封止
する。
ンスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図５６（ｄ））。これにより、
ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を樹脂封止
する。
【0402】
その後、パッケージ領域１０ａ毎に、リードフレーム１０及び封止樹脂２３を切断する
。これにより、リードフレーム１０が半導体装置２０毎に分離され、図５２及び図５３に
示す半導体装置２０が得られる（図５６（ｅ））。
。これにより、リードフレーム１０が半導体装置２０毎に分離され、図５２及び図５３に
示す半導体装置２０が得られる（図５６（ｅ））。
【0403】
ところで、このようにして半導体装置２０を作製する間、接着剤２４を加熱硬化する工
程が行われる（図５６（ｂ））。具体的には、ダイアタッチペースト等の接着剤２４をダ
イパッド１１に塗布し、半導体素子２１をダイパッド１１に搭載した後、接着剤２４を加
熱硬化する。このとき、塗布した接着剤２４中のエポキシ樹脂等の成分が、ダイパッド表
面１１ａの毛細管現象により滲み出すおそれがある。このような現象をブリードアウト又
はエポキシブリードアウトともいう。
程が行われる（図５６（ｂ））。具体的には、ダイアタッチペースト等の接着剤２４をダ
イパッド１１に塗布し、半導体素子２１をダイパッド１１に搭載した後、接着剤２４を加
熱硬化する。このとき、塗布した接着剤２４中のエポキシ樹脂等の成分が、ダイパッド表
面１１ａの毛細管現象により滲み出すおそれがある。このような現象をブリードアウト又
はエポキシブリードアウトともいう。
【0404】
これに対して本実施形態によれば、ダイパッド１１のダイパッド表面１１ａに第１の粗
面Ｒ１が形成されている。第１の粗面Ｒ１の粗さは、第２の粗面Ｒ２の粗さよりも抑えら
れている。これにより、ダイパッド表面１１ａの凹凸による毛細管現象によって、接着剤
２４中のエポキシ樹脂等が滲み出す現象（ブリードアウト）を抑制できる（図５７の矢印
Ｅ参照）。一方、接着剤２４の周囲のダイパッド表面１１ａを平滑面とすることも考えら
れる。しかしながら、接着剤２４中のエポキシ樹脂の粘度が低いと、むしろエポキシ樹脂
が、平滑面であるダイパッド表面１１ａに沿って流れやすくなる。このため、本実施形態
において、ダイパッド表面１１ａの粗さを毛細管現象が生じない程度に適度に粗くしてい
る（第１の粗面Ｒ１とする）。これにより、接着剤２４中のエポキシ樹脂の粘度に関わら
ず、エポキシ樹脂がダイパッド表面１１ａに沿って流れることを抑制できる。
面Ｒ１が形成されている。第１の粗面Ｒ１の粗さは、第２の粗面Ｒ２の粗さよりも抑えら
れている。これにより、ダイパッド表面１１ａの凹凸による毛細管現象によって、接着剤
２４中のエポキシ樹脂等が滲み出す現象（ブリードアウト）を抑制できる（図５７の矢印
Ｅ参照）。一方、接着剤２４の周囲のダイパッド表面１１ａを平滑面とすることも考えら
れる。しかしながら、接着剤２４中のエポキシ樹脂の粘度が低いと、むしろエポキシ樹脂
が、平滑面であるダイパッド表面１１ａに沿って流れやすくなる。このため、本実施形態
において、ダイパッド表面１１ａの粗さを毛細管現象が生じない程度に適度に粗くしてい
る（第１の粗面Ｒ１とする）。これにより、接着剤２４中のエポキシ樹脂の粘度に関わら
ず、エポキシ樹脂がダイパッド表面１１ａに沿って流れることを抑制できる。
【0405】
また、このような半導体装置２０を長期間使用していると、空気中の水分等が、半導体
装置２０の側面側又は裏面側から侵入するおそれがある。例えば、水分等が、封止樹脂２
３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面を介して侵入することが考えられる。
装置２０の側面側又は裏面側から侵入するおそれがある。例えば、水分等が、封止樹脂２
３と、ダイパッド１１又はリード部１２との界面を介して侵入することが考えられる。
【0406】
これに対して本実施形態によれば、リード部１２のリード表面１２ａに第２の粗面Ｒ２
が形成されている。このため、リード表面１２ａと封止樹脂２３との界面における水分の
侵入経路の距離が長くなっている。これにより、リード表面１２ａと封止樹脂２３との界
面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えられる（図５７の矢印ＦＡ参照）
。この結果、長期間の使用後における半導体装置２０の信頼性を向上させることができる
。
が形成されている。このため、リード表面１２ａと封止樹脂２３との界面における水分の
侵入経路の距離が長くなっている。これにより、リード表面１２ａと封止樹脂２３との界
面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えられる（図５７の矢印ＦＡ参照）
。この結果、長期間の使用後における半導体装置２０の信頼性を向上させることができる
。
【0407】
また本実施形態によれば、ダイパッド１１のダイパッド側面１１ｈが第３の粗面Ｒ３と
なっている。第３の粗面Ｒ３の粗さは、第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。このため、半
導体装置２０の裏面側において、封止樹脂２３とダイパッド１１との界面における水分の
侵入経路の距離が長くなっている。これにより、封止樹脂２３とダイパッド１１との界面
から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図５７の矢印ＦＢ
参照）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２０の信頼性を向上させること
ができる。さらに、ダイパッド１１と封止樹脂２３との密着強度を高め、ダイパッド１１
と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
なっている。第３の粗面Ｒ３の粗さは、第１の粗面Ｒ１の粗さよりも粗い。このため、半
導体装置２０の裏面側において、封止樹脂２３とダイパッド１１との界面における水分の
侵入経路の距離が長くなっている。これにより、封止樹脂２３とダイパッド１１との界面
から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えることができる（図５７の矢印ＦＢ
参照）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２０の信頼性を向上させること
ができる。さらに、ダイパッド１１と封止樹脂２３との密着強度を高め、ダイパッド１１
と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
【0408】
また本実施形態によれば、リード部１２のインナーリード裏面５１ｂが第４の粗面Ｒ４
となっている。さらにリード部１２のインナーリード先端面５１ｃが第５の粗面Ｒ５とな
っている。第４の粗面Ｒ４の粗さ及び第５の粗面Ｒ５の粗さは、それぞれ第１の粗面Ｒ１
の粗さよりも粗い。このため、半導体装置２０の裏面側において、封止樹脂２３とリード
部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。これにより、封止樹脂
２３とリード部１２との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えること
ができる（図５７の矢印Ｆｃ参照）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２
０の信頼性を向上させることができる。さらに、リード部１２と封止樹脂２３との密着強
度を高め、リード部１２と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
となっている。さらにリード部１２のインナーリード先端面５１ｃが第５の粗面Ｒ５とな
っている。第４の粗面Ｒ４の粗さ及び第５の粗面Ｒ５の粗さは、それぞれ第１の粗面Ｒ１
の粗さよりも粗い。このため、半導体装置２０の裏面側において、封止樹脂２３とリード
部１２との界面における水分の侵入経路の距離が長くなっている。これにより、封止樹脂
２３とリード部１２との界面から、半導体素子２１側に水分が侵入することを抑えること
ができる（図５７の矢印Ｆｃ参照）。この結果、長期間使用した後における半導体装置２
０の信頼性を向上させることができる。さらに、リード部１２と封止樹脂２３との密着強
度を高め、リード部１２と封止樹脂２３とが互いに剥離することを抑制できる。
【0409】
（変形例）
次に、図５８により、本実施形態によるリードフレーム１０の変形例について説明する
。図５８は、変形例によるリードフレーム１０を示す断面図である。図５８において、図
５０乃至図５７に示す形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図５８により、本実施形態によるリードフレーム１０の変形例について説明する
。図５８は、変形例によるリードフレーム１０を示す断面図である。図５８において、図
５０乃至図５７に示す形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【0410】
図５８において、リード部１２のリード表面１２ａには、平滑面領域Ｓと、第２の粗面
Ｒ２とが形成されている。この場合、平滑面領域Ｓには、金属層２５が設けられていない
。このため平滑面領域Ｓは、リードフレーム１０の外方に露出している。
Ｒ２とが形成されている。この場合、平滑面領域Ｓには、金属層２５が設けられていない
。このため平滑面領域Ｓは、リードフレーム１０の外方に露出している。
【0411】
図５８に示すリードフレーム１０を作製する場合、上述した図５４（ａ）－（ｅ）及び
図５５（ａ）－（ｇ）に示す工程を行った後、金属層２５を形成する工程（図５５（ｈ）
）を行わない。これにより、図５８に示すリードフレーム１０が得られる。
図５５（ａ）－（ｇ）に示す工程を行った後、金属層２５を形成する工程（図５５（ｈ）
）を行わない。これにより、図５８に示すリードフレーム１０が得られる。
【0412】
このように、平滑面領域Ｓに金属層２５を設けないことにより、リードフレーム１０の
製造工程を削減できる。また、銀、銀合金、金、金合金、白金族、銅、銅合金、パラジウ
ム等のめっき層からなる金属層２５を設けないことにより、リードフレーム１０の製造コ
ストを削減できる。また、ワイヤボンディングにより半導体素子２１をリード部１２に接
続する形態ではなく、フリップチップボンディングにより半導体素子２１をリード部１２
に接続する形態とした場合により有効である。
製造工程を削減できる。また、銀、銀合金、金、金合金、白金族、銅、銅合金、パラジウ
ム等のめっき層からなる金属層２５を設けないことにより、リードフレーム１０の製造コ
ストを削減できる。また、ワイヤボンディングにより半導体素子２１をリード部１２に接
続する形態ではなく、フリップチップボンディングにより半導体素子２１をリード部１２
に接続する形態とした場合により有効である。
【0413】
上記各実施形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せ
ることも可能である。あるいは、上記各実施形態及び変形例に示される全構成要素から幾
つかの構成要素を削除してもよい。
ることも可能である。あるいは、上記各実施形態及び変形例に示される全構成要素から幾
つかの構成要素を削除してもよい。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図6F】
【図6G】
【図6H】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
