特許 7540912 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-19

(45)【発行日】2024-08-27

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240820BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20240820BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240820BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/306 R

H01L21/304 648

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2020138006

(22)【出願日】2020-08-18

(65)【公開番号】P2022034285

(43)【公開日】2022-03-03

【審査請求日】2023-06-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100168583

【弁理士】

【氏名又は名称】前井 宏之

(72)【発明者】

【氏名】中井 仁司

【審査官】井上 和俊

(56)【参考文献】

【文献】特開２００６－１４０３８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０６９２６４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

気体供給口を有し、回転可能なスピンベースと、
前記スピンベースに配置され、基板と接触することで前記基板を支持する複数の基板支持部と、
前記複数の基板支持部によって支持された前記基板に対して第１処理流体を供給する第１流体供給部と、
前記複数の基板支持部を上昇または下降させる昇降部と、
前記スピンベース、前記複数の基板支持部、前記第１流体供給部、および、前記昇降部を収容するチャンバーと、
第２流体供給部と
を備え、
前記気体供給口は、前記基板の裏面と前記スピンベースとの間に第１気体を供給することで負圧を発生させて、前記複数の基板支持部が前記基板を支持していない状態において前記基板を前記スピンベースに保持させ、
前記第１気体の供給によって前記基板が前記スピンベースに保持される場合、前記昇降部は、前記複数の基板支持部を前記基板の下面よりも下方に退避させ、
前記第２流体供給部は、前記第１気体の供給によって前記スピンベースに保持された前記基板に対して、前記基板の裏面の反対の表面の側から第２処理流体を供給し、
前記第２流体供給部が前記第２処理流体の供給を開始する前に、前記昇降部は、前記複数の基板支持部を前記基板の下面よりも下方に退避させ、
前記第１流体供給部は、前記複数の基板支持部によって支持された前記基板に対して、前記基板の裏面の側から前記第１処理流体を供給する、基板処理装置。

【請求項2】

前記第２流体供給部は、前記第１気体の供給によって前記スピンベースに保持された前記基板の周縁部に対して、前記基板の裏面の反対の表面の側から前記第２処理流体を供給する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記昇降部は、前記複数の基板支持部を退避させる場合、所定位置で前記複数の基板支持部を停止させ、
前記所定位置は、前記基板の裏面と前記スピンベースとの間の空間に対して、前記基板支持部の少なくとも一部が、前記スピンベースの回転軸線に対する径方向に対向する位置を示し、
前記複数の基板支持部が前記所定位置で停止している状態において、前記気体供給口は、前記基板の裏面と前記スピンベースとの間の前記空間に前記第１気体を供給する、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記スピンベースの回転軸線に対する前記基板の偏心量を検出する偏心検出部と、
前記偏心検出部の検出結果に基づいて、前記基板の偏心を矯正する偏心矯正部と
をさらに備え、
前記第１気体の供給によって前記基板を保持する状態から、前記複数の基板支持部によって前記基板を支持する状態へ変更される場合、前記複数の基板支持部によって前記基板を支持する前に、前記偏心矯正部は、前記偏心検出部の検出結果に基づいて前記基板の偏心を矯正し、または、
前記複数の基板支持部によって前記基板を支持する状態から、前記第１気体の供給によって前記基板を保持する状態へ変更される場合、前記第１気体の供給によって前記基板を保持する前に、前記偏心矯正部は、前記偏心検出部の検出結果に基づいて前記基板の偏心を矯正する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記基板に第２気体を供給する気体供給ユニットをさらに備え、
前記気体供給ユニットは、
前記基板の上方から前記基板に対向する対向部材と、
前記対向部材に配置され、前記基板の上方から前記基板に対して前記第２気体を供給する気体供給部と
を含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

スピンベースに配置された複数の基板支持部を基板に接触させることで、前記基板を支持する工程と、
前記複数の基板支持部によって支持された前記基板に対して第１処理流体を供給する工程と、
前記基板の裏面と前記スピンベースとの間に気体を供給することで負圧を発生させて、前記複数の基板支持部が前記基板を支持していない状態において前記基板を前記スピンベースに保持させる工程と、
前記気体の供給によって前記スピンベースに保持された前記基板に対して第２処理流体を供給する工程と、
前記第２処理流体を供給する前記工程よりも前に、前記複数の基板支持部を前記基板の下面よりも下方に下降させる工程と
を含む、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載されている装置は、ウエハを処理するための装置である。装置は、回転チャックと、非回転プレートとを備える。回転チャックは、ウエハを囲む一連の接触要素を有する。非回転プレートは、一連の接触要素の内側に設置される。非回転プレートは、ガス供給部を備える。ガス供給部は、ベルヌーイの定理に従って、非回転プレートに接触せずにウエハを支持するようにガスを供給する。装置で実施される通常のプロセスは、ウエハのベベルエッチングのみ、または、裏面エッチングを伴うベベルエッチングである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－０２６５５７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載されている装置では、ベベルエッチングを実行する際に、基板Ｗから飛散したエッチング液（処理流体）が、接触要素（基板支持部）に当たって、接触要素によって跳ね返される可能性がある。接触要素によって跳ね返されたエッチング液は、例えば、基板のうちベベルエッチングの対象領域以外の領域に付着する可能性があり、ベベルエッチングの精度に影響を及ぼす可能性がある。

【0005】

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に供給された処理流体が基板支持部によって跳ね返されることを抑制できる基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、スピンベースと、複数の基板支持部と、第１流体供給部と、昇降部と、チャンバーと、第２流体供給部とを備える。スピンベースは、気体供給口を有し、回転可能である。複数の基板支持部は、前記スピンベースに配置され、基板と接触することで前記基板を支持する。第１流体供給部は、前記複数の基板支持部によって支持された前記基板に対して第１処理流体を供給する。昇降部は、前記複数の基板支持部を上昇または下降させる。チャンバーは、前記スピンベース、前記複数の基板支持部、前記第１流体供給部、および、前記昇降部を収容する。前記気体供給口は、前記基板の裏面と前記スピンベースとの間に第１気体を供給することで負圧を発生させて、前記複数の基板支持部が前記基板を支持していない状態において前記基板を前記スピンベースに保持させる。前記第１気体の供給によって前記基板が前記スピンベースに保持される場合、前記昇降部は、前記複数の基板支持部を前記基板の下面よりも下方に退避させる。前記第２流体供給部は、前記第１気体の供給によって前記スピンベースに保持された前記基板に対して、前記基板の裏面の反対の表面の側から第２処理流体を供給する。前記第２流体供給部が前記第２処理流体の供給を開始する前に、前記昇降部は、前記複数の基板支持部を前記基板の下面よりも下方に退避させる。前記第１流体供給部は、前記複数の基板支持部によって支持された前記基板に対して、前記基板の裏面の側から前記第１処理流体を供給する。

【0008】

本発明の一態様においては、前記第２流体供給部は、前記第１気体の供給によって前記スピンベースに保持された前記基板の周縁部に対して、前記基板の裏面の反対の表面の側から前記第２処理流体を供給してもよい。

【0009】

本発明の一態様においては、前記昇降部は、前記複数の基板支持部を退避させる場合、所定位置で前記複数の基板支持部を停止させてもよい。前記所定位置は、前記基板の裏面と前記スピンベースとの間の空間に対して、前記基板支持部の少なくとも一部が、前記スピンベースの回転軸線に対する径方向に対向する位置を示してもよい。前記複数の基板支持部が前記所定位置で停止している状態において、前記気体供給口は、前記基板の裏面と前記スピンベースとの間の前記空間に前記第１気体を供給してもよい。

【0010】

本発明の一態様においては、基板処理装置は、偏心検出部と、偏心矯正部とをさらに備えていてもよい。偏心検出部は、前記スピンベースの回転軸線に対する前記基板の偏心量を検出してもよい。偏心矯正部は、前記偏心検出部の検出結果に基づいて、前記基板の偏心を矯正してもよい。前記第１気体の供給によって前記基板を保持する状態から、前記複数の基板支持部によって前記基板を支持する状態へ変更される場合、前記複数の基板支持部によって前記基板を支持する前に、前記偏心矯正部は、前記偏心検出部の検出結果に基づいて前記基板の偏心を矯正してもよい。または、前記複数の基板支持部によって前記基板を支持する状態から、前記第１気体の供給によって前記基板を保持する状態へ変更される場合、前記第１気体の供給によって前記基板を保持する前に、前記偏心矯正部は、前記偏心検出部の検出結果に基づいて前記基板の偏心を矯正してもよい。

【0011】

本発明の一態様においては、基板処理装置は、前記基板に第２気体を供給する気体供給ユニットをさらに備えていてもよい。前記気体供給ユニットは、対向部材と、気体供給部とを含んでいてもよい。対向部材は、前記基板の上方から前記基板に対向してもよい。気体供給部は、前記対向部材に配置され、前記基板の上方から前記基板に対して前記第２気体を供給してもよい。

【0012】

本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、スピンベースに配置された複数の基板支持部を基板に接触させることで、前記基板を支持する工程と、前記複数の基板支持部によって支持された前記基板に対して第１処理流体を供給する工程と、前記基板の裏面と前記スピンベースとの間に気体を供給することで負圧を発生させて、前記複数の基板支持部が前記基板を支持していない状態において前記基板を前記スピンベースに保持させる工程と、前記気体の供給によって前記スピンベースに保持された前記基板に対して第２処理流体を供給する工程と、前記第２処理流体を供給する前記工程よりも前に、前記複数の基板支持部を前記基板の下面よりも下方に下降させる工程とを含む。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、基板に供給された処理流体が基板支持部によって跳ね返されることを抑制できる基板処理装置および基板処理方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の内部を示す側面図である。

【図2】実施形態１に係る基板処理装置のベベル処理を示す断面図である。

【図3】実施形態１に係る基板処理装置における基板支持部の乾燥処理を示す断面図である。

【図4】実施形態１に係る基板処理装置の裏面処理を示す断面図である。

【図5】実施形態１に係る基板処理装置の偏心矯正処理を示す断面図である。

【図6】実施形態１に係る基板処理装置の気体供給ユニットを示す断面図である。

【図7】実施形態１に係る基板処理装置の基板支持部による基板の支持状態の一例を示す断面図である。

【図8】実施形態１に係る基板処理装置が実行する基板処理方法を示すフローチャートである。

【図9】（ａ）は、本発明の実施形態２に係る基板処理装置のスピンチャックを示す平面図である。（ｂ）は、実施形態２に係る基板処理装置の基板支持部を示す平面図である。（ｃ）は、実施形態２に係る基板支持部の基板支持部材を示す側面図である。

【図10】（ａ）（ｂ）は、実施形態２に係る基板処理方法の一部を示す模式図である。

【図11】実施形態２に係る基板処理方法の他の一部を示す模式図である。

【図12】実施形態２に係る基板処理方法のさらに他の一部を示す模式図である。

【図13】実施形態２に係る基板処理方法のさらに他の一部を示す模式図である。

【図14】実施形態２に係る基板処理方法のさらに他の一部を示す模式図である。

【図15】実施形態２に係る基板処理方法のさらに他の一部を示す模式図である。

【図16】実施形態２に係る基板処理方法のさらに他の一部を示す模式図である。

【図17】（ａ）（ｂ）は、実施形態２の変形例に係る基板処理装置を示す模式図である。

【図18】実施形態２に係る基板処理装置のスピンチャックを示す断面図である。

【図19】実施形態２に係る基板処理装置の基板支持部を示す上面図である。

【図20】実施形態２に係る基板処理装置のスピンチャックを示す断面図である。

【図21】実施形態２に係る基板支持部を示す側面図である。

【図22】実施形態２に係る基板処理装置の基板支持部を示す上面図である。

【図23】実施形態２に係る基板処理装置の基板支持部材と基板の周縁との位置関係を示す上面図である。

【図24】実施形態２に係る基板処理装置の磁石支持部材および駆動磁石を部分的に示す上面図である。

【図25】実施形態２に係る基板処理装置のカム板、軸、昇降板、および、従動磁石の位置関係を示す側面図である。

【図26】実施形態２に係る基板処理装置のカム板、軸、昇降板、および、従動磁石の位置関係を示す側面図である。

【図27】実施形態２に係る基板処理装置のスピンチャックを示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、および、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。また、図中、図面を見易くするために、断面を示すハッチングを省略する場合がある。さらに、基板Ｗの回転軸線ＡＸに対する径方向を「径方向ＲＤ」と記載し、回転軸線ＡＸに対する周方向を「周方向ＣＤ」と記載し、回転軸線ＡＸに略平行な方向を「軸方向ＡＤ」と記載する。なお、「平面視」は、対象物を鉛直方向から見ることを示す。

【0016】

（実施形態１）
図１～図８を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、実施形態１に係る基板処理装置１００の内部を示す側面図である。

【0017】

図１に示す基板処理装置１００は、基板Ｗを処理流体によって処理する。処理流体は、例えば、処理ガスまたは処理液である。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。

【0018】

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板である。以下の実施形態１の説明では、基板Ｗは、半導体ウエハである。

【0019】

処理流体は、基板Ｗに接触する流体である限りは、特に限定されない。処理流体としての処理液は、例えば、薬液またはリンス液である。

【0020】

薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ₃）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、腐食防止剤、または、疎水化剤である。

【0021】

リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。

【0022】

また、処理流体としての処理ガスは、例えば、基板Ｗと反応する反応ガス、または、不活性ガスである。反応ガスは、例えば、オゾンガス、フッ素ガス、フッ化水素を含む気体、または、ＩＰＡを含む気体である。不活性ガスは、例えば、窒素、ヘリウム、または、アルゴンである。

【0023】

図１に示すように、基板処理装置１００は、チャンバー１と、スピンチャック３と、モーター筐体５と、昇降部７と、ノズル９と、第２流体供給機構１１と、ノズル移動部１３と、ガード１５と、ガード移動部１７と、制御装置ＣＴとを備える。なお、第１流体供給機構２７０については、図４を参照して後述する。

【0024】

制御装置ＣＴは、昇降部７、第２流体供給機構１１、ノズル移動部１３、ガード移動部１７、および、その他の各要素を制御する。制御装置ＣＴは、例えば、コンピューターである。例えば、制御装置ＣＴは、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーと、記憶装置とを含む。記憶装置は、データおよびコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶装置は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、および／または、ハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶装置は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶装置は、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体の一例に相当する。

【0025】

チャンバー１は略箱形状を有する。チャンバー１は、基板Ｗ、スピンチャック３、モーター筐体５、昇降部７、ノズル９、第２流体供給機構１１の一部、ノズル移動部１３、ガード１５、および、ガード移動部１７を収容する。

【0026】

スピンチャック３は回転可能である。そして、スピンチャック３は、基板Ｗを支持して回転する。具体的には、スピンチャック３は、チャンバー１内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸの回りに基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンチャック３は、後述するモーター２５０（図２）によって駆動されて回転する。スピンチャック３は、スピンベースＳＢと、複数の基板支持部ＭＣとを含む。スピンベースＳＢは回転可能である。複数の基板支持部ＭＣは、スピンベースＳＢに配置され、基板Ｗを支持可能である。複数の基板支持部ＭＣの各々は、ベース部材３１と、基板支持部材３３とを含む。図１では、基板Ｗは、後述するベルヌーイチャックによって保持されており、複数の基板支持部ＭＣは基板Ｗを支持していない。スピンチャック３の詳細は後述する。

【0027】

モーター筐体５は、中空の部材である。モーター筐体５は、後述するモーター２５０および昇降部７を収容する。

【0028】

昇降部７は、複数の基板支持部ＭＣを上昇または下降させる。例えば、昇降部７は、退避位置（以下、説明の便宜のため「退避位置ＰＬ」と記載）に位置する各基板支持部ＭＣを、基板支持位置（以下、説明の便宜のため「基板支持位置ＰＵ」と記載）まで上昇させる。例えば、昇降部７は、基板支持位置ＰＵに位置する各基板支持部ＭＣを、退避位置ＰＬまで下降させる。図１では、各基板支持部ＭＣは退避位置ＰＬに位置する。

【0029】

基板支持位置ＰＵは、各基板支持部ＭＣが基板Ｗを支持する位置を示す（後述の図２）。退避位置ＰＬは、基板支持位置ＰＵの下方の位置であって、基板Ｗと基板支持部ＭＣとが径方向ＲＤに対向しない位置である（後述の図２）。図１の例示において、退避位置ＰＬでは、基板支持部ＭＣは、スピンベースＳＢの上面３７よりも下方に位置する。

【0030】

具体的には、昇降部７は昇降機構である。つまり、昇降部７は、駆動部７１と、磁石支持部材７３と、駆動磁石７５と、従動磁石７７とを含む。磁石支持部材７３は、例えば、略円環形状を有する。駆動磁石７５は、例えば、略円環形状を有する。駆動磁石７５は、磁石支持部材７３に支持される。駆動磁石７５は、磁石支持部材７３に固定される。従動磁石７７は、例えば、略円環形状を有する。従動磁石７７は、複数の基板支持部ＭＣに対して、直接的または間接的に取り付けられる。

【0031】

駆動磁石７５は、従動磁石７７との間で磁力を働かせる。具体的には従動磁石７７と駆動磁石７５との間には斥力が働く。

【0032】

駆動部７１は、磁石支持部材７３を上昇させる。磁石支持部材７３が上昇することにより、駆動磁石７５が上昇する。そして、従動磁石７７は、駆動磁石７５との間に働く磁力に起因する斥力により上昇する。その結果、各基板支持部ＭＣは、上昇する。よって、各基板支持部ＭＣは、例えば、基板支持位置ＰＵに配置される。

【0033】

一方、駆動部７１は、磁石支持部材７３を下降させる。磁石支持部材７３が下降することにより、駆動磁石７５が下降する。そして、従動磁石７７は、駆動磁石７５との間に働く磁力に起因する斥力を受けつつ下降する。その結果、各基板支持部ＭＣは、下降する。よって、各基板支持部ＭＣは、例えば、退避位置ＰＬに配置される。

【0034】

駆動部７１は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。なお、磁石支持部材７３を昇降できる限りにおいては、駆動部７１の構成は、特に限定されない。

【0035】

ノズル９は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けて第２処理流体ＦＬ２を供給する。実施形態１では、第２処理流体ＦＬ２は処理液である。ノズル９は、「第２流体供給部」の一例に相当する。ノズル９の詳細は後述する。また、第１処理流体ＦＬ１については、図４を参照して後述する。

【0036】

第２流体供給機構１１は、ノズル９に第２処理流体ＦＬ２を供給する。第２流体供給機構１１は、配管１１１と、バルブ１１３とを含む。配管１１１はノズル９に第２処理流体ＦＬ２を供給する。バルブ１１３は、ノズル９に対する第２処理流体ＦＬ２の供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ１１３が開かれると、第２処理流体ＦＬ２が配管１１１を通ってノズル９に供給される。その結果、ノズル９は、第２処理流体ＦＬ２を基板Ｗに向けて吐出する。

【0037】

ノズル移動部１３は、略鉛直方向および略水平方向にノズル９を移動する。具体的には、ノズル移動部１３は、アーム１３１と、ノズル移動機構１３３とを含む。アーム１３１は略水平方向に沿って延びる。アーム１３１の先端部にはノズル９が配置される。ノズル移動機構１３３は、アーム１３１を略水平面に沿って回動させる。その結果、ノズル９が略水平面に沿って移動する。ノズル移動機構１３３は、例えば、アーム１３１を略水平面に沿って回動させるための電動モーターを含む。また、ノズル移動機構１３３は、アーム１３１を略鉛直方向に沿って昇降させる。その結果、ノズル９が略鉛直方向に沿って移動する。この場合、ノズル移動機構１３３は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。

【0038】

ガード１５は、基板Ｗから排出された処理流体（後述の第１処理流体ＦＬ１または第２処理流体ＦＬ２）を受け止める。ガード１５は略筒形状を有する。例えば、ガード１５は、略円筒形状の円筒部１５ａと、張り出し部１５ｂとを含む。張り出し部１５ｂは、例えば、円筒部１５ａの上端から、径方向ＲＤ内側に向かって斜め上方に張り出している。

【0039】

ガード移動部１７は、ガード１５を上昇または下降する。その結果、ガード１５が上昇または下降する。ガード移動部１７は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。

【0040】

次に、図２を参照して、基板処理装置１００によるベベル処理を説明する。図２は、基板処理装置１００のベベル処理を示す断面図である。図２に示すように、ノズル９は、回転中の基板Ｗに対して、基板Ｗの裏面Ｆ２の反対の表面Ｆ１の側から第２処理流体ＦＬ２を供給する。実施形態１では、ノズル９は、ベベル処理を実行する。ベベル処理とは、回転中の基板Ｗの表面Ｆ１の側から、基板Ｗの周縁部ＥＧに向けて第２処理流体ＦＬ２を供給して、基板Ｗの周縁部ＥＧを処理することである。実施形態１では、第２処理流体ＦＬ２は、処理液（例えば、エッチング液）である。例えば、ノズル９は、ベベル処理によって、基板Ｗの周縁部ＥＧに存在する膜をエッチングして除去する。

【0041】

本明細書において、基板Ｗの裏面Ｆ２は、基板Ｗの両面のうち、スピンベースＳＢに対して軸方向ＡＤに対向する面を示す。従って、基板Ｗの裏面Ｆ２は、基板Ｗの下面を示す。基板Ｗの表面Ｆ１は、基板Ｗの両面のうち、裏面Ｆ２の反対側の面を示す。基板Ｗの表面Ｆ１は、基板Ｗの上面を示す。

【0042】

ベベル処理の実行期間において、各基板支持部ＭＣは、退避位置ＰＬに位置し、基板Ｗと接触していない。図２では、理解を容易にするために、退避位置ＰＬおよび基板支持位置ＰＵが破線によって示されている。図２の例示において、退避位置ＰＬでは、基板支持部ＭＣは、基板Ｗの裏面Ｆ２（基板Ｗの下面）よりも下方に位置する。

【0043】

ベベル処理の実行期間において、基板Ｗは、ベルヌーイ効果によってスピンベースＳＢに保持される。ベルヌーイ効果とは、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢの上面３７との間に気体が流れることにより負圧が発生して、大気圧によって基板Ｗが下方に押圧される現象のことである。負圧は、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢの上面３７との間に発生する。

【0044】

具体的には、スピンベースＳＢは、少なくとも１つの気体供給口４５を有する。実施形態１では、スピンベースＳＢは複数の気体供給口４５を有する。

【0045】

複数の気体供給口４５は、スピンベースＳＢの上面３７に配置される。具体的には、平面視において、複数の気体供給口４５は、周方向ＣＤに沿って間隔をあけつつ上面３７に配置される。気体供給口４５は、基板支持部ＭＣよりも径方向ＲＤ内側に配置される。

【0046】

複数の気体供給口４５は、スピンベースＳＢの上面３７から径方向ＲＤ外側に向かって第１気体ＧＡを吹き出す。つまり、複数の気体供給口４５は、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＥに第１気体ＧＡを供給することで空間ＳＰＥに負圧を発生させて、複数の基板支持部ＭＣが基板Ｗを支持していない状態において基板ＷをスピンベースＳＢに保持させる。空間ＳＰＥは、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢの上面３７との間の空間ＳＰＬのうち、径方向ＲＤ外側の空間ＳＰＥを示す。実施形態１では、第１気体ＧＡは不活性ガスである。

【0047】

さらに具体的には、スピンベースＳＢは、少なくとも１つの支持体３９と、穴４０と、流路４１と、少なくとも１つの流路４３とをさらに有する。実施形態１では、スピンベースＳＢは、複数の支持体３９および複数の流路４３を有する。また、基板処理装置１００は、第１気体供給機構２１０と、内軸体２２０と、外軸体２３０と、モーター２５０とをさらに備える。第１気体供給機構２１０の一部、内軸体２２０、外軸体２３０、および、モーター２５０は、チャンバー１に収容される。また、第１気体供給機構２１０およびモーター２５０は、制御装置ＣＴによって制御される。

【0048】

複数の支持体３９は、スピンベースＳＢの上面３７から上方に向けて突出している。支持体３９は、例えば、上方に向かって先細りの形状を有する。具体的には、平面視において、複数の支持体３９は、周方向ＣＤに沿って間隔をあけつつ上面３７に配置される。支持体３９は、例えば、気体供給口４５よりも径方向ＲＤ外側に配置され、基板支持部ＭＣよりも径方向ＲＤ内側に配置される。図２では、複数の支持体３９が基板Ｗを支持している。

【0049】

穴４０は、略円柱形状を有する。穴４０は、鉛直方向に沿って外軸体２３０からスピンベースＳＢの内部まで延びている。内軸体２２０および外軸体２３０は、鉛直方向に沿って延びており、略円筒形状を有する。内軸体２２０および外軸体２３０は、スピンベースＳＢに結合される。内軸体２２０は、穴４０の内部に配置される。その結果、外軸体２３０の内部およびスピンベースＳＢの内部に、略円筒形状の流路４１が形成される。つまり、穴４０の壁面と内軸体２２０の外壁面とで流路４１が形成される。流路４１は鉛直方向に沿って延びる。

【0050】

複数の流路４３は、流路４１に連通する。そして、複数の流路４３は、それぞれ、流路４１の上端から複数の気体供給口４５まで延びる。複数の流路４３は、平面視において、回転軸線ＡＸを中心として放射状に延びている。

【0051】

第１気体供給機構２１０は、複数の気体供給口４５に第１気体ＧＡを供給する。具体的には、第１気体供給機構２１０は、配管２１１と、バルブ２１３とを含む。配管２１１は流路４１に第１気体ＧＡを供給する。バルブ２１３は、流路４１に対する第１気体ＧＡの供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ２１３が開かれると、第１気体ＧＡが配管２１１を通って流路４１に供給される。

【0052】

そして、第１気体ＧＡは、流路４１から複数の流路４１を通って、複数の気体供給口４５から吹き出される。この場合、各気体供給口４５は、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢの上面３７との間の空間ＳＰＥに向けて第１気体ＧＡを吹き出す。従って、第１気体ＧＡは、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢの上面３７との間から、径方向ＲＤ外側に向かって流出する。その結果、空間ＳＰＥに負圧が発生し、基板Ｗが下方に押圧される。よって、基板Ｗが複数の支持体３９に保持される。気体供給口４５は、例えば、「ノズル」または「気体供給部」である。

【0053】

以下、説明の便宜のため、複数の気体供給口４５および複数の支持体３９を「ベルヌーイチャック」と記載する場合がある。また、複数の気体供給口４５から空間ＳＰＥへの第１気体ＧＡの供給を開始して基板Ｗを保持することを「ベルヌーイチャックのオン」と記載する場合がある。さらに、複数の気体供給口４５から空間ＳＰＥへの第１気体ＧＡの供給を停止して基板Ｗの保持を解除することを「ベルヌーイチャックのオフ」と記載する場合がある。

【0054】

モーター２５０は、外軸体２３０を回転させることで、スピンチャック３を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。つまり、モーター２５０は、外軸体２３０を回転させることで、スピンベースＳＢを回転軸線ＡＸの回りに回転させる。その結果、第１気体ＧＡの供給によってスピンベースＳＢに保持された基板Ｗは、スピンベースＳＢとともに、回転軸線ＡＸの回りに回転する。

【0055】

ノズル９は、モーター２５０によって回転している基板Ｗであって、第１気体ＧＡの供給によってスピンベースＳＢ（具体的には複数の支持体３９）に保持された基板Ｗに対して、基板Ｗの裏面Ｆ２の反対の表面Ｆ１の側から第２処理流体ＦＬ２を供給する。具体的には、ノズル９は、回転中の基板Ｗであって、第１気体ＧＡの供給によってスピンベースＳＢ（具体的には複数の支持体３９）に保持された基板Ｗの周縁部ＥＧに対して、基板Ｗの裏面Ｆ２の反対の表面Ｆ１の側から第２処理流体ＦＬ２を供給する。この場合、ノズル９は、基板Ｗの上方に位置し、鉛直方向に対して斜め下方に向けて第２処理流体ＦＬ２を吐出する。ノズル９は、例えば、鉛直方向に対して傾斜する流路を有する。なお、第１気体ＧＡの供給によってスピンベースＳＢに保持された基板Ｗは、ベルヌーイチャックによって保持された基板Ｗを示す。

【0056】

以上、図１および図２を参照して説明したように、実施形態１によれば、第１気体ＧＡの供給によってスピンベースＳＢに基板Ｗを保持させることができる。この場合、複数の基板支持部ＭＣは基板Ｗを支持する必要がないので、昇降部７は、複数の基板支持部ＭＣを基板支持位置ＰＵから下降させることができる。従って、実施形態１によれば、複数の基板支持部ＭＣが基板Ｗを支持していない状態において、基板Ｗに供給された第２処理流体ＦＬ２が基板支持部ＭＣによって跳ね返されることを抑制できる。つまり、基板Ｗから飛散した第２処理流体ＦＬ２が、基板支持部ＭＣによって跳ね返されることを抑制できる。従って、例えば、第２処理流体ＦＬ２が、跳ね返されて基板Ｗのうちの処理対象の領域以外の領域に付着することを抑制できる。

【0057】

特に、実施形態１において、第１気体ＧＡの供給によって基板ＷがスピンベースＳＢ（具体的には複数の支持体３９）に保持される場合、昇降部７は、複数の基板支持部ＭＣを基板Ｗの裏面Ｆ２（基板Ｗの下面）よりも下方に退避させる。従って、基板Ｗに供給された第２処理流体ＦＬ２が基板支持部ＭＣによって跳ね返されることを効果的に抑制できる。例えば、昇降部７は、基板支持部ＭＣの上端部３３ｔを基板Ｗの裏面Ｆ２（基板Ｗの下面）よりも下方に退避させる。図２の例示では、昇降部７は、基板支持部ＭＣの上端部３３ｔをスピンベースＳＢの上面３７よりも下方に退避させている。基板支持部ＭＣの上端部３３ｔは、基板支持部材３３の上端部３３ｔのことである。

【0058】

また、実施形態１では、ノズル９が基板Ｗに対して第２処理流体ＦＬ２の供給を開始する前に、昇降部７は、複数の基板支持部ＭＣを基板Ｗの裏面Ｆ２（基板Ｗの下面）よりも下方に退避させることが好ましい。この好ましい例によれば、基板Ｗに供給された第２処理流体ＦＬ２が基板支持部ＭＣによって跳ね返されることをさらに効果的に抑制できる。

【0059】

具体的には、ベベル処理では、第２処理流体ＦＬ２が基板Ｗから飛散し易い。従って、ベベル処理の開始前に、基板支持部ＭＣを基板Ｗの裏面Ｆ２（基板Ｗの下面）よりも下方に退避させることで、ベベル処理によって基板Ｗから飛散した第２処理流体ＦＬ２が基板支持部ＭＣによって跳ね返されることを抑制できる。その結果、例えば、第２処理流体ＦＬ２が、跳ね返されて基板Ｗのうちのベベル処理の対象領域以外の領域に付着することを抑制できる。

【0060】

また、実施形態１において、第１気体供給機構２１０は、ヒーターなどの加熱部（不図示）を含んでいてもよい。この場合、第１気体供給機構２１０は、加熱された第１気体ＧＡを、流路４１、４３および気体供給口４５に供給する。従って、気体供給口４５は、加熱された第１気体ＧＡを吹き出す。その結果、第１気体ＧＡによって基板Ｗの周縁部ＥＧが加熱される。よって、ベベル処理時の処理速度を向上できる。

【0061】

次に、図３を参照して、基板支持部ＭＣの乾燥処理を説明する。図３は、基板支持部ＭＣの乾燥処理を示す断面図である。図３に示すように、昇降部７は、基板支持位置ＰＵから下方に向けて複数の基板支持部ＭＣを退避させる場合、所定位置ＰＭで複数の基板支持部ＭＣを停止させる。所定位置ＰＭは、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＥに対して、基板支持部ＭＣの少なくとも一部が、スピンベースＳＢの回転軸線ＡＸに対する径方向ＲＤに対向する位置を示す。そして、複数の基板支持部ＭＣが所定位置ＰＭで停止している状態において、気体供給口４５は、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＥに第１気体ＧＡを供給する。従って、第１気体ＧＡが基板支持部ＭＣに吹き付けられる。その結果、実施形態１によれば、基板支持部ＭＣの乾燥を促進できる。図３の例示において、所定位置ＰＭでは、基板支持部ＭＣは、基板Ｗの裏面Ｆ２（基板Ｗの下面）よりも下方に位置する。なお、所定位置ＰＭが退避位置ＰＬに設定されてもよい。

【0062】

図３の例では、所定位置ＰＭは、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＥに対して、基板支持部材３３が径方向ＲＤに対向する位置を示す。この場合、基板支持部材３３の乾燥を特に促進できる。なお、基板支持部材３３の鉛直方向の長さによっては、所定位置ＰＭは、空間ＳＰＥに対して、基板支持部材３３およびベース部材３１の上面３１ａが径方向ＲＤに対向する位置を示してもよい。この場合、基板支持部材３３およびベース部材３１の上面３１ａの乾燥を特に促進できる。

【0063】

次に、図４を参照して、基板Ｗの裏面処理を説明する。図４は、基板処理装置１００の裏面処理を示す断面図である。図４に示すように、基板処理装置１００は、ノズル１９をさらに備える。ノズル１９は、回転中の基板Ｗに対して第１処理流体ＦＬ１を供給する。ノズル１９は、スピンベースＳＢに配置され、回転軸線ＡＸ上に位置する。実施形態１では、第１処理流体ＦＬ１は、処理液または処理ガスである。ノズル１９は、「第１流体供給部」の一例に相当する。

【0064】

実施形態１では、ノズル１９は、裏面処理を実行する。裏面処理とは、回転中の基板Ｗの裏面Ｆ２の側から、基板Ｗに向けて第１処理流体ＦＬ１を供給して、基板Ｗの裏面Ｆ２を処理することである。

【0065】

裏面処理の実行期間において、複数の基板支持部ＭＣは、基板支持位置ＰＵに位置する。そして、複数の基板支持部ＭＣは、基板Ｗと接触することで基板Ｗを支持する。換言すれば、複数の基板支持部ＭＣは、第１処理流体ＦＬ１による処理の実行期間において、基板Ｗと接触することで基板Ｗを支持する。さらに換言すれば、複数の基板支持部ＭＣは、第１処理流体ＦＬ１による処理を実行するために基板Ｗを支持する。また、平面視において、複数の基板支持部ＭＣは、周方向ＣＤに沿って間隔をあけつつスピンベースＳＢに配置される。基板支持部ＭＣは、例えば、気体供給口４５および支持体３９よりも径方向ＲＤ外側に配置される。なお、複数の支持体３９は、基板Ｗに対して軸方向ＡＤに離隔している。

【0066】

具体的には、複数の基板支持部ＭＣは、基板Ｗの周縁部ＥＧを支持している。図４の例では、複数の基板支持部材３３が、基板Ｗの側方から基板Ｗの周縁部ＥＧを支持する。加えて、複数のベース部材３１の上面３１ａが、基板Ｗの下方から基板Ｗの周縁部ＥＧを支持する。すなわち、複数の基板支持部ＭＣは、基板支持部材３３とベース部材３１の上面３１ａとで基板Ｗを保持している。図４等では、図面を見易くするために、ベース部材３１の上面３１ａと基板Ｗの裏面Ｆ２との接触面積を誇張して大きく示しているが、ベース部材３１の上面３１ａと基板Ｗの裏面Ｆ２との接触面積は小さい程好ましい。

【0067】

例えば、基板支持部材３３およびベース部材３１の各々は、略円柱形状を有する。基板支持部材３３は、例えば、ピンである。ただし、基板Ｗを支持できる限りにおいては、基板支持部材３３およびベース部材３１の形状は特に限定されない。

【0068】

例えば、基板支持部ＭＣは、鉛直方向に略平行な回転軸線（以下、説明の便宜のため「回転軸線Ｊ」と記載）の回りに回転可能であってもよいし、回転軸線Ｊの回りに回転不能であってもよい。基板支持部ＭＣが回転軸線Ｊの回りに回転可能である場合は、例えば、基板支持部材３３は、時計回りに回転することで基板Ｗに接触して基板Ｗを支持し、反時計回りに回転することで基板Ｗから離隔して基板Ｗを開放する。以下、基板支持部ＭＣが回転軸線Ｊの回りに回転することを、基板支持部ＭＣの「自転」と記載する場合がある。

【0069】

例えば、複数の基板支持部ＭＣは、昇降部７によって退避位置ＰＬから基板支持位置ＰＵまで上昇されることで、基板Ｗを支持する。一方、例えば、複数の基板支持部ＭＣは、昇降部７によって基板支持位置ＰＵから退避位置ＰＬまで下降されることで、基板Ｗの支持を解除する。

【0070】

以下、説明の便宜のため、複数の基板支持部ＭＣを「メカニカルチャック」と記載する場合がある。また、複数の基板支持部ＭＣによって基板Ｗを支持することを「メカニカルチャックのオン」と記載する場合がある。さらに、複数の基板支持部ＭＣが基板Ｗの支持を解除することを「メカニカルチャックのオフ」と記載する場合がある。

【0071】

ノズル１９は、モーター２５０によって回転している基板Ｗであって、複数の基板支持部ＭＣによって支持された基板Ｗに対して第１処理流体ＦＬ１を供給する。具体的には、ノズル１９は、回転中の基板Ｗであって、複数の基板支持部ＭＣによって支持された基板Ｗに対して、基板Ｗの裏面Ｆ２の側から第１処理流体ＦＬ１を供給する。つまり、ノズル１９は、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＬに第１処理流体ＦＬ１を供給する。その結果、基板Ｗの裏面Ｆ２が第１処理流体ＦＬ１によって処理される。この場合、ノズル９は、上方に向かって開口しており、基板Ｗの裏面Ｆ２に向けて第１処理流体ＦＬ１を吐出する。なお、複数の基板支持部ＭＣによって支持された基板Ｗは、メカニカルチャックによって支持された基板Ｗを示す。

【0072】

具体的には、内軸体２２０は流路４７を有する。流路４７は、鉛直方向に沿って延びており、回転軸線ＡＸ上に位置する。ノズル１９は、流路４７に連通しており、流路４７の上端と接続される。また、基板処理装置１００は、第１流体供給機構２７０をさらに備える。第１流体供給機構２７０は制御装置ＣＴによって制御される。

【0073】

第１流体供給機構２７０は、ノズル１９に対して、流路４７を介して第１処理流体ＦＬ１を供給する。その結果、ノズル１９は第１処理流体ＦＬ１を吐出する。

【0074】

図４の例では、第１処理流体ＦＬ１は、薬液ＣＨ、リンス液ＬＮ、または、不活性ガスＧＢである。具体的には、第１流体供給機構２７０は、配管２７１と、バルブ２７３、２７５、２７７とを含む。配管２７１は流路４７に接続される。従って、第１処理流体ＦＬ１は配管２７１から流路４７に供給される。

【0075】

配管２７１には、バルブ２７３、２７５、２７７が配置される。バルブ２７３は、配管２７１に対する薬液ＣＨの供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ２７３が開かれ、バルブ２７５、２７７が閉じられると、薬液ＣＨが配管２７１に供給される。従って、配管２７１および流路４７からノズル１９に薬液ＣＨが供給される。その結果、ノズル１９は、基板Ｗの裏面Ｆ２に薬液ＣＨを供給する。よって、基板Ｗの裏面Ｆ２が薬液ＣＨによって処理される。

【0076】

バルブ２７５は、配管２７１に対するリンス液ＬＮの供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ２７５が開かれ、バルブ２７３、２７７が閉じられると、リンス液ＬＮが配管２７１に供給される。従って、配管２７１および流路４７からノズル１９にリンス液ＬＮが供給される。その結果、ノズル１９は、基板Ｗの裏面Ｆ２にリンス液ＬＮを供給する。よって、基板Ｗの裏面Ｆ２がリンス液ＬＮによって洗浄される。

【0077】

バルブ２７７は、配管２７１に対する不活性ガスＧＢの供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ２７７が開かれ、バルブ２７３、２７５が閉じられると、不活性ガスＧＢが配管２７１に供給される。従って、配管２７１および流路４７からノズル１９に不活性ガスＧＢが供給される。その結果、ノズル１９は、基板Ｗの裏面Ｆ２に不活性ガスＧＢを供給する。よって、基板Ｗの裏面Ｆ２が不活性ガスＧＢによって乾燥される。

【0078】

なお、モーター２５０は、外軸体２３０を回転させることで、スピンベースＳＢを回転軸線ＡＸの回りに回転させる。その結果、複数の基板支持部ＭＣによって支持された基板Ｗは、スピンベースＳＢとともに、回転軸線ＡＸの回りに回転する。

【0079】

以上、図２および図４を参照して説明したように、実施形態１によれば、１つのチャンバー１内でベベル処理と裏面処理との双方を実行できる。従って、ベベル処理と裏面処理とを別々の処理ユニットで実行する場合のような処理ユニット間搬送を実行する必要がない。その結果、タクトタイムを向上できる。また、ベベル処理と裏面処理とを連続して実行できるので、ベベル処理と裏面処理とのつなぎをウエット状態で行うことができ、乾燥時間を省略できる。さらに、基板処理装置１００が複数のチャンバー１を備えている場合において、ベベル処理と裏面処理とのうちの一方の処理だけを実行する場合においても、全てのチャンバー１を利用できる。その結果、基板Ｗの処理のスループットを向上できる。

【0080】

次に、図５を参照して、基板処理装置１００の偏心矯正処理を説明する。図５は、基板処理装置１００の偏心矯正処理を示す断面図である。図５に示すように、基板処理装置１００は、偏心検出部２９と、少なくとも１つの偏心矯正部６０とをさらに備えていてもよい。実施形態１では、基板処理装置１００は、一対の偏心矯正部６０を備える。一対の偏心矯正部６０は、径方向ＲＤに対向する。

【0081】

偏心検出部２９は、スピンベースＳＢの回転軸線ＡＸに対する基板Ｗの偏心量を検出する。偏心検出部２９は、例えば、偏心センサーまたはカメラである。

【0082】

偏心矯正部６０は、基板Ｗの停止中に、偏心検出部２９の検出結果に基づいて、基板Ｗの偏心を矯正する。つまり、偏心矯正部６０は、偏心検出部２９によって検出された基板Ｗの偏心量に基づいて、基板Ｗの偏心を矯正する。具体的には、偏心矯正部６０は、偏心検出部２９によって検出された基板Ｗの偏心量に基づいて基板Ｗを径方向ＲＤに移動することで、基板Ｗの偏心を矯正する。基板Ｗの偏心を矯正することは、基板Ｗの中心を回転軸線ＡＸに一致させることを示す。

【0083】

偏心検出部２９が基板Ｗの偏心量を検出する期間および偏心矯正部６０が基板Ｗの偏心を矯正する期間では、気体供給口４５は第１気体ＧＡを供給せず、複数の基板支持部ＭＣは基板Ｗを支持していない。従って、基板Ｗは、スピンベースＳＢ（具体的には複数の支持体３９）に載置されている。また、偏心検出部２９が基板Ｗの偏心量を検出する期間および偏心矯正部６０が基板Ｗの偏心を矯正する期間では、ノズル１９は第１処理流体ＦＬ１を供給せず、ノズル９は第２処理流体ＦＬ２を供給しない。

【0084】

具体的には、第１気体ＧＡの供給によって基板Ｗを保持する状態から、複数の基板支持部ＭＣによって基板Ｗを支持する状態へ変更する場合、複数の基板支持部ＭＣによって基板Ｗを支持する前に、偏心矯正部６０は、偏心検出部２９の検出結果に基づいて基板Ｗの偏心を矯正する。従って、実施形態１によれば、複数の基板支持部ＭＣを退避位置ＰＬから基板支持位置ＰＵに上昇させる際に、基板Ｗが基板支持部材３３に乗り上げたり、基板支持部材３３が基板Ｗに当接して基板Ｗが回転軸線ＡＸに対してずれたりすることを抑制できる。その結果、メカニカルチャックである複数の基板支持部ＭＣは、基板Ｗの中心と回転軸線ＡＸとが一致した状態で基板Ｗを支持できる。ひいては、第１処理流体ＦＬ１による基板Ｗの処理品質を向上できる。

【0085】

または、複数の基板支持部ＭＣによって基板Ｗを支持する状態から、第１気体ＧＡの供給によって基板Ｗを保持する状態へ変更する場合、第１気体ＧＡの供給によって基板Ｗを保持する前に、偏心矯正部６０は、偏心検出部２９の検出結果に基づいて基板Ｗの偏心を矯正する。従って、実施形態１によれば、第１気体ＧＡの供給に基づくベルヌーイチャックは、基板Ｗの中心と回転軸線ＡＸとが一致した状態で基板Ｗを保持できる。ひいては、第２処理流体ＦＬ２による基板Ｗの処理品質を向上できる。

【0086】

例えば、偏心検出部２９は、受光ユニット２９１と、発光ユニット２９３とを含む。受光ユニット２９１と発光ユニット２９３とは軸方向ＡＤに対向する。受光ユニット２９１は、例えば、イメージセンサー、フォトダイオード、または、フォトトランジスタを含む。発光ユニット２９３は、例えば、発光ダイオードを含む。

【0087】

発光ユニット２９３は、スピンベースＳＢ上の基板Ｗの周縁部ＥＧに向けて光ＬＴを出射する。スピンベースＳＢには、発光ユニット２９３が出射した光ＬＴを透過する透過穴（不図示）が設けられている。受光ユニット２９１は、発光ユニット２９３によって出射された光ＬＴを受光する。制御装置ＣＴ（図１）は、発光ユニット２９３に光ＬＴを出射させながら、基板Ｗを３６０度または３６０度に近い角度で回転させることにより、回転軸線ＡＸに対する基板Ｗの偏心量と回転軸線ＡＸに対する基板Ｗの中心の位置とを、受光ユニット２９１の検出値に基づいて検出する。

【0088】

なお、図５の例では、受光ユニット２９１は、発光ユニット２９３の上方に配置されるが、受光ユニット２９１と発光ユニット２９３との配置が逆でもよい。つまり、発光ユニット２９３が、受光ユニット２９１の上方に配置されてもよい。また、偏心検出部２９がカメラである場合には、制御装置ＣＴは、例えば、カメラが撮影した基板Ｗの画像を解析して、回転軸線ＡＸに対する基板Ｗの偏心量を算出する。

【0089】

偏心矯正部６０は、アクチュエータ６１と、プッシャー６３とを含む。アクチュエータ６１は、プッシャー６３を駆動して、プッシャー６３を径方向ＲＤに進退させる。そして、プッシャー６３は、基板Ｗの径方向ＲＤにおける端面ＥＦに当接して、基板Ｗを径方向ＲＤに移動する。その結果、基板Ｗの偏心が矯正される。アクチュエータ６１は、例えば、リニアモーターまたはエアシリンダーである。例えば、偏心矯正部６０は、ガード１５の張り出し部１５ｂ（図１）に配置される。この場合は、ガード１５の位置は、偏心矯正部６０に適した位置に設定される。

【0090】

次に、図６を参照して、スピンチャック３によって基板Ｗを支持する際の補助機構としての気体供給ユニット８０を説明する。図６は、基板処理装置１００の気体供給ユニット８０を示す断面図である。図６では、基板Ｗに対して裏面処理が実行されている。

【0091】

図６に示すように、基板処理装置１００は、気体供給ユニット８０と、ユニット移動部９１と、第２気体供給機構９３とをさらに備えていてもよい。気体供給ユニット８０、ユニット移動部９１、および、第２気体供給機構９３の一部は、チャンバー１（図１）に収容される。ユニット移動部９１および第２気体供給機構９３は、制御装置ＣＴによって制御される。

【0092】

気体供給ユニット８０は、基板Ｗに第２気体ＧＣを供給する。気体供給ユニット８０は、スピンチャック３の上方に位置する。気体供給ユニット８０は、遮断板８１と、支軸８３と、ノズル９０とを含む。ノズル９０は、「気体供給部」の一例に相当する。遮断板８１は、「対向部材」の一例に相当する。

【0093】

遮断板８１は、例えば、略円板状である。遮断板８１は、遮断板８１の下面が略水平になるように配置されている。遮断板８１は、遮断板８１の中心軸線が回転軸線ＡＸ上に位置するように配置されている。遮断板８１は、軸方向ＡＤにおいて、基板Ｗの上方から基板Ｗに対向する。遮断板８１は、水平な姿勢で支軸８３の下端に連結されている。

【0094】

ユニット移動部９１は、近接位置と退避位置との間で、気体供給ユニット８０を上昇または下降させる。近接位置は、遮断板８１が下降して基板Ｗの表面Ｆ１に所定間隔をあけて近接する位置を示す。近接位置では、遮断板８１は、基板Ｗの表面Ｆ１を覆って、基板Ｗの表面Ｆ１の上方を遮断する。つまり、近接位置では、遮断板８１は、基板Ｗの表面Ｆ１と対向して、基板Ｗの表面Ｆ１の上方を覆う。退避位置は、近接位置よりも上方であって、遮断板８１が上昇して基板Ｗから離隔している位置を示す。図６では、遮断板８１は近接位置に位置する。例えば、ユニット移動部９１は、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える昇降モーターとを備える。

【0095】

また、ユニット移動部９１は、近接位置において、気体供給ユニット８０を回転させる。例えば、ユニット移動部９１は、モーターと、モーターの回転を気体供給ユニット８０に伝達する伝達機構とを備える。伝達機構は、例えば、無端ベルトを含む。

【0096】

気体供給ユニット８０のノズル９０は、遮断板８１および支軸８３の内部に配置される。ノズル９０の先端は遮断板８１の下面から露出している。ノズル９０は、気体供給ユニット８０が近接位置に位置するときに、基板Ｗの上方から、基板Ｗに対して第２気体ＧＣを供給する。実施形態１では、第２気体ＧＣは、不活性ガスである。具体的には、ノズル９０は、気体供給ユニット８０（遮断板８１）が近接位置に位置しつつ回転しているときに、基板Ｗの上方から、基板Ｗの表面Ｆ１に対して第２気体ＧＣを供給する。

【0097】

従って、第２気体ＧＣは、基板Ｗの表面Ｆ１に沿って径方向ＲＤ外側に向かって排出される。つまり、第２気体ＧＣは、遮断板８１と基板Ｗの表面Ｆ１との間の空間ＳＰＵに流入して、基板Ｗの表面Ｆ１に沿って径方向ＲＤ外側に向かって流れる。従って、実施形態１によれば、基板Ｗの裏面処理を実行中において、第１処理流体ＦＬ１によって基板Ｗが浮き上がることを抑制できる。例えば、複数の基板支持部ＭＣが基板Ｗを把持（固定）する構成を有していない場合でも、第１処理流体ＦＬ１による基板Ｗの浮き上がりを抑制できる。また、遮断板８１は、裏面処理時の第１処理流体ＦＬ１のミストが基板Ｗの表面Ｆ１に付着することを抑制する。

【0098】

また、基板Ｗのベベル処理の実行中においても、ノズル９０は、気体供給ユニット８０（遮断板８１）が近接位置に位置しつつ回転しているときに、基板Ｗの上方から、基板Ｗに対して第２気体ＧＣを供給してもよい。この場合にも、第１気体ＧＡの供給による基板Ｗの保持に相俟って、第２気体ＧＣによって基板Ｗの浮き上がりを抑制できる。また、遮断板８１は、ベベル処理時の第２処理流体ＦＬ２のミストが基板Ｗの表面Ｆ１に付着することを抑制する。

【0099】

第２気体供給機構９３は、ノズル９０に第２気体ＧＣを供給する。具体的には、第２気体供給機構９３は、配管９３１と、バルブ９３３とを含む。配管９３１はノズル９０に第２気体ＧＣを供給する。バルブ９３３は、ノズル９０に対する第２気体ＧＣの供給開始と供給停止とを切り替える。バルブ９３３が開かれると、第２気体ＧＣがノズル９０に供給される。その結果、ノズル９０は、第２気体ＧＣを吐出する。

【0100】

なお、気体供給ユニット８０を設けない場合、例えば、チャンバー１の天壁に配置されたＦＦＵ（ファンフィルターユニット）によるダウンフローによって、基板Ｗの浮き上がりを抑制してもよい。

【0101】

次に、図７を参照して、基板支持部ＭＣによる基板Ｗの支持状態の他の例を説明する。図７は、基板支持部ＭＣによる基板Ｗの支持状態の一例を示す断面図である。図７に示すように、基板Ｗの裏面処理を実行する際に、複数の基板支持部材３３が、基板Ｗの側方から基板Ｗの周縁部ＥＧを支持し、複数の支持体３９が、基板Ｗの下方から、基板Ｗの裏面Ｆ２を支持してもよい。すなわち、基板Ｗの裏面処理を実行する際に、複数の基板支持部ＭＣ（具体的には複数の基板支持部材３３）および複数の支持体３９が、基板Ｗを支持してもよい。図７の例では、基板支持部ＭＣのベース部材３１の上面３１ａは、基板Ｗに対して離隔している。

【0102】

次に、図８を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。また、基板処理方法の説明において、図１～図６が適宜参照される。基板処理方法は基板処理装置１００によって実行される。図８は、基板処理方法を示すフローチャートである。図８に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ１３を含む。

【0103】

まず、工程Ｓ１において、制御装置ＣＴは、基板Ｗを基板処理装置１００に搬入するように、搬送ロボット（不図示）を制御する。その結果、搬送ロボットは、基板Ｗを基板処理装置１００に搬入する。

【0104】

次に、工程Ｓ２において、制御装置ＣＴは、偏心矯正処理を実行するように、偏心検出部２９および偏心矯正部６０を制御する。従って、基板Ｗが回転されて、偏心検出部２９は、基板Ｗの回転軸線ＡＸに対する偏心量を検出する。そして、偏心矯正部６０は、基板Ｗの停止中に、偏心検出部２９の検出結果に基づいて、基板Ｗの偏心を矯正する。

【0105】

次に、工程Ｓ３において、制御装置ＣＴは、メカニカルチャックをオンにする。つまり、制御装置ＣＴは、基板Ｗを支持するように、複数の基板支持部ＭＣを制御する。その結果、複数の基板支持部ＭＣは、基板Ｗに接触して基板Ｗを支持する。すなわち、工程Ｓ３では、複数の基板支持部ＭＣを基板Ｗに接触させることで、基板Ｗを支持する。

【0106】

具体的には、制御装置ＣＴは、複数の基板支持部ＭＣが退避位置ＰＬから基板支持位置ＰＵまで上昇するように、昇降部７を制御する。その結果、昇降部７は、複数の基板支持部ＭＣを基板支持位置ＰＵまで上昇させることで、複数の基板支持部ＭＣに基板Ｗを支持させる。すなわち、工程Ｓ３では、複数の基板支持部ＭＣは、基板支持位置ＰＵまで上昇することで基板Ｗを支持する。

【0107】

次に、工程Ｓ４において、制御装置ＣＴは、遮断板８１を含む気体供給ユニット８０が退避位置から近接位置まで下降するように、ユニット移動部９１を制御する。その結果、ユニット移動部９１は、気体供給ユニット８０を退避位置から近接位置まで下降させる。また、制御装置ＣＴは、気体供給ユニット８０が回転するように、ユニット移動部９１を制御する。その結果、ユニット移動部９１は、気体供給ユニット８０を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。さらに、制御装置ＣＴは、ノズル９０が第２気体ＧＣを基板Ｗに供給するように、第２気体供給機構９３を制御する。その結果、ノズル９０は、基板Ｗの表面Ｆ１への第２気体ＧＣの供給を開始する。

【0108】

次に、工程Ｓ５において、制御装置ＣＴは、基板Ｗに対して裏面処理を実行する。具体的には、制御装置ＣＴは、スピンチャック３が回転するように、モーター２５０を制御する。従って、モーター２５０は、スピンチャック３を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。その結果、複数の基板支持部ＭＣによって支持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。加えて、制御装置ＣＴは、ノズル１９が裏面処理を実行するように、第１流体供給機構２７０を制御する。従って、第１流体供給機構２７０は、第１処理流体ＦＬ１をノズル１９に供給する。その結果、ノズル１９は、基板Ｗの回転中において、複数の基板支持部ＭＣによって支持された基板Ｗの裏面Ｆ２に対して第１処理流体ＦＬ１を供給する。よって、基板Ｗの裏面Ｆ２が第１処理流体ＦＬ１によって処理される。基板Ｗに対する裏面処理が完了すると、ノズル１９による第１処理流体ＦＬ１の供給が停止されるとともに、スピンチャック３および基板Ｗの回転が停止される。

【0109】

次に、工程Ｓ６において、制御装置ＣＴは、メカニカルチャックをオフにする。つまり、制御装置ＣＴは、基板Ｗの支持を解除するように、複数の基板支持部ＭＣを制御する。その結果、複数の基板支持部ＭＣは、基板Ｗの支持を解除して、基板Ｗを開放する。すなわち、工程Ｓ６では、複数の基板支持部ＭＣを基板Ｗから離隔させることで、基板Ｗを開放する。

【0110】

具体的には、制御装置ＣＴは、複数の基板支持部ＭＣが基板支持位置ＰＵから退避位置ＰＬまで下降するように、昇降部７を制御する。その結果、昇降部７は、複数の基板支持部ＭＣを退避位置ＰＬまで下降させることで、複数の基板支持部ＭＣに基板Ｗの支持を解除させる。すなわち、工程Ｓ６では、複数の基板支持部ＭＣは、退避位置ＰＬまで下降することで、基板Ｗを開放する。

【0111】

基板処理方法の説明において、一例として、退避位置ＰＬは、所定位置ＰＭ（図３）である。

【0112】

次に、工程Ｓ７において、制御装置ＣＴは、偏心矯正処理を実行するように、偏心検出部２９および偏心矯正部６０を制御する。従って、基板Ｗが回転されて、偏心検出部２９は、基板Ｗの回転軸線ＡＸに対する偏心量を検出する。そして、偏心矯正部６０は、基板Ｗの停止中に、偏心検出部２９の検出結果に基づいて、基板Ｗの偏心を矯正する。

【0113】

次に、工程Ｓ８において、制御装置ＣＴは、ベルヌーイチャックをオンにする。つまり、制御装置ＣＴは、複数の気体供給口４５が第１気体ＧＡを供給するように、第１気体供給機構２１０を制御する。従って、第１気体供給機構２１０は、流路４１、４３を介して、第１気体ＧＡを複数の気体供給口４５に供給する。その結果、複数の気体供給口４５は、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢとの間に第１気体ＧＡを供給することで負圧を発生させて、複数の基板支持部ＭＣが基板Ｗを支持していない状態において基板ＷをスピンベースＳＢに保持させる。つまり、ベルヌーイチャックによって基板Ｗが保持される。第１気体ＧＡは、「気体」の一例に相当する。

【0114】

次に、工程Ｓ９において、制御装置ＣＴは、基板Ｗに対してベベル処理を実行する。具体的には、制御装置ＣＴは、スピンチャック３が回転するように、モーター２５０を制御する。従って、モーター２５０は、スピンチャック３を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。その結果、第１気体ＧＡの供給によってスピンベースＳＢに保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。加えて、制御装置ＣＴは、ノズル９がベベル処理を実行するように、ノズル移動部１３および第２流体供給機構１１を制御する。従って、ノズル移動部１３は、ノズル９を、基板Ｗの周縁部ＥＧの上方に移動させる。加えて、第２流体供給機構１１は、第２処理流体ＦＬ２をノズル９に供給する。その結果、ノズル９は、基板Ｗの回転中において、第１気体ＧＡの供給によってスピンベースＳＢに保持された基板Ｗの周縁部ＥＧに対して第２処理流体ＦＬ２を供給する。よって、基板Ｗの周縁部ＥＧが第２処理流体ＦＬ２によって処理される。基板Ｗに対するベベル処理が完了すると、ノズル９による第２処理流体ＦＬ２の供給が停止される。

【0115】

次に、工程Ｓ１０において、制御装置ＣＴは、メカニカルチャックに対して乾燥処理を実行する。具体的には、制御装置ＣＴは、工程Ｓ９から継続してスピンチャック３が回転するように、モーター２５０を制御する。その結果、工程Ｓ９から継続して、スピンチャック３が回転する。加えて、制御装置ＣＴは、工程Ｓ８から継続して複数の気体供給口４５が第１気体ＧＡを供給するように、第１気体供給機構２１０を制御する。その結果、工程Ｓ８から継続して、複数の気体供給口４５が第１気体ＧＡを供給する。一方、工程Ｓ６から継続して、複数の基板支持部ＭＣは、退避位置ＰＬとしての所定位置ＰＭ（図３）に位置する。従って、複数の基板支持部ＭＣ（例えば、複数の基板支持部材３３）に対して、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＥを通じて第１気体ＧＡが供給される。その結果、複数の基板支持部ＭＣ（例えば、複数の基板支持部材３３）が、第１気体ＧＡによって乾燥される。複数の基板支持部ＭＣに対する乾燥処理が完了すると、スピンチャック３および基板Ｗの回転が停止される。

【0116】

次に、工程Ｓ１１において、制御装置ＣＴは、ベルヌーイチャックをオフにする。つまり、制御装置ＣＴは、複数の気体供給口４５が第１気体ＧＡの供給を停止するように、第１気体供給機構２１０を制御する。従って、第１気体供給機構２１０は、複数の気体供給口４５への第１気体ＧＡの供給を停止する。その結果、複数の気体供給口４５からの第１気体ＧＡの供給が停止される。よって、基板Ｗは、スピンベースＳＢ（具体的には、複数の支持体３９）に載置された状態になる。つまり、ベルヌーイチャックによる基板Ｗの保持が解除されて、基板Ｗが開放される。

【0117】

次に、工程Ｓ１２において、制御装置ＣＴは、遮断板８１を含む気体供給ユニット８０が近接位置から退避位置まで上昇するように、ユニット移動部９１を制御する。その結果、ユニット移動部９１は、気体供給ユニット８０を近接位置から退避位置まで上昇させる。また、制御装置ＣＴは、気体供給ユニット８０の回転が停止するように、ユニット移動部９１を制御する。その結果、ユニット移動部９１は、気体供給ユニット８０の回転を停止させる。さらに、制御装置ＣＴは、ノズル９０が第２気体ＧＣの供給を停止するように、第２気体供給機構９３を制御する。その結果、ノズル９０は、基板Ｗの表面Ｆ１への第２気体ＧＣの供給を停止する。

【0118】

次に、工程Ｓ１３において、制御装置ＣＴは、基板Ｗを基板処理装置１００から搬出するように、搬送ロボット（不図示）を制御する。その結果、搬送ロボットは、基板Ｗを基板処理装置１００から搬出する。そして、基板処理方法は終了する。

【0119】

以上、図８を参照して説明したように、実施形態１によれば、工程Ｓ６では、ノズル９が第２処理流体ＦＬ２を供給する工程Ｓ９よりも前に、複数の基板支持部ＭＣを基板Ｗの裏面Ｆ２（基板Ｗの下面）よりも下方に下降させる。従って、複数の基板支持部ＭＣが基板Ｗを支持していない状態において、工程Ｓ９で基板Ｗに供給された第２処理流体ＦＬ２が基板支持部ＭＣによって跳ね返されることを抑制できる。

【0120】

（実施形態２）
図９～図２７を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００を説明する。実施形態２に係る基板支持部ＭＣの基板支持部材３３Ａが自転する点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。従って、実施形態２に係る基板処理装置１００の全体構成は、図１を参照して説明した実施形態１に係る基板処理装置１００の全体構成と同様である。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。

【0121】

図９（ａ）は、実施形態２に係る基板処理装置１００のスピンチャック３を示す平面図である。図９（ｂ）は、スピンチャック３の基板支持部ＭＣを示す平面図である。図９（ｃ）は、基板支持部ＭＣの基板支持部材３３Ａを示す側面図である。図９（ｃ）では、図９（ｂ）の方向Ｄから基板支持部ＭＣを見ている。

【0122】

図９（ａ）に示すように、複数の基板支持部ＭＣは、周方向ＣＤに沿って間隔をあけて配置される。複数の気体供給口４５は、周方向ＣＤに沿って間隔をあけて配置される。ノズル１９は回転軸線ＡＸ上に配置される。これらの点は、実施形態１と同様である。また、スピンチャック３は、複数のリフターＬＦをさらに含む。複数のリフターＬＦは、周方向ＣＤに沿って間隔をあけて配置される。リフターＬＦは、周方向ＣＤにおいて、基板支持部ＭＣと基板支持部ＭＣとの間に配置される。リフターＬＦは、上昇することで、基板処理装置１００に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に、搬送ロボット（不図示）との間で基板Ｗを受け渡す。一方、基板支持部ＭＣは、処理流体による基板Ｗの処理時に基板Ｗを支持する。

【0123】

図９（ｂ）に示すように、基板支持部ＭＣは、回転軸線Ｊの回りに回転する。実施形態２では、基板支持部ＭＣは一対の基板支持部材３３Ａを含む。一対の基板支持部材３３Ａは、互いに略平行に配置される。なお、基板支持部ＭＣは、１つの基板支持部材３３Ａを含んでいてもよいし、３以上の基板支持部材３３Ａを含んでいてもよい。

【0124】

基板支持部ＭＣは、回転軸線Ｊの回りに回転することで、第１姿勢ＳＴ１または第２姿勢ＳＴ２になる。図９（ｂ）および図９（ｃ）に示すように、第１姿勢ＳＴ１では、基板支持部材３３Ａが、基板Ｗの周縁に接触し、基板Ｗを側方から支持している。特に、実施形態２では、第１姿勢ＳＴ１において、基板支持部材３３Ａは、基板Ｗの周縁に接触し、基板Ｗを側方から把持（固定）している。第１姿勢ＳＴ１では、基板支持部材３３Ａは、「閉状態」である。一方、第２姿勢ＳＴ２では、基板支持部材３３Ａが、基板Ｗの周縁から離隔し、基板Ｗを開放している。第２姿勢ＳＴ２では、基板支持部材３３Ａは、「開状態」である。なお、図９（ｂ）では、理解を容易にするために、一例として、第１姿勢ＳＴ１の基板支持部材３３Ａは、第２姿勢ＳＴ２の基板支持部材３３Ａに対して略９０度だけ回転している。ただし、この場合の回転角は特に限定されない。

【0125】

次に、図１０～図１６を参照して、基板処理方法を説明する。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。図１０～図１６は、基板処理方法を示す模式図である。図１０～図１６に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１～工程Ｓ３８を含む。

【0126】

図１０（ａ）に示すように、工程Ｓ２１において、基板支持部ＭＣは、昇降部７によって基板支持位置ＰＵから下降されて、退避位置ＰＬに位置する。また、図１０（ｂ）に示すように、基板処理装置１００は昇降部８をさらに備える。そして、工程Ｓ２１において、リフターＬＦは、昇降部８によって基板受渡位置ＰＵＡから下降されて、退避位置ＰＬＡに位置する。

【0127】

基板受渡位置ＰＵＡは、各リフターＬＦが基板Ｗを搬送ロボットに受け渡す位置を示す。基板受渡位置ＰＵＡは、例えば、基板支持位置ＰＵよりも上方の位置である。退避位置ＰＬＡは、基板受渡位置ＰＵＡの下方の位置であって、基板ＷとリフターＬＦとが径方向ＲＤに対向しない位置である。例えば、退避位置ＰＬＡでは、リフターＬＦは、スピンベースＳＢの上面３７よりも下方に位置する。

【0128】

具体的には、リフターＬＦは、ベース部材５１と、突起５３とを含む。ベース部材５１は、略円柱形状を有する。突起５３は、ベース部材５１から上方に突出している。

【0129】

ここで、昇降部８の動作を説明する。昇降部８は、複数のリフターＬＦを上昇または下降させる。例えば、昇降部８は、退避位置ＰＬＡに位置する各リフターＬＦを、基板受渡位置ＰＵＡまで上昇させる。例えば、昇降部８は、基板受渡位置ＰＵＡに位置する各リフターＬＦを、退避位置ＰＬＡまで下降させる。なお、昇降部８の構成は、例えば、昇降部７の構成と同様であってもよい。

【0130】

次に、図１１に示すように、工程Ｓ２２において、複数のリフターＬＦは、退避位置ＰＬＡから基板受渡位置ＰＵＡまで上昇する。

【0131】

次に、工程Ｓ２３において、搬送ロボット（不図示）のハンドＨＤは、基板Ｗを複数のリフターＬＦに渡す。その結果、複数のリフターＬＦは基板Ｗを支持する。リフターＬＦの突起５３は、基板Ｗの径方向ＲＤの移動を規制する。また、リフターＬＦのベース部材５１の上面５１ａが、基板Ｗの下方から、基板Ｗの周縁部ＥＧを支持する。

【0132】

次に、工程Ｓ２４において、複数のリフターＬＦは、基板受渡位置ＰＵＡから退避位置ＰＬＡまで下降する。その結果、基板Ｗは、複数の支持体３９によって支持（載置）される。

【0133】

次に、図１２に示すように、工程Ｓ２５において、基板Ｗが回転され、偏心検出部２９は、回転軸線ＡＸに対する基板Ｗの偏心量を検出する。

【0134】

次に、工程Ｓ２６において、基板Ｗが停止され、偏心矯正部６０は、偏心検出部２９の検出結果に基づいて、基板Ｗの偏心を矯正する。その結果、次の工程Ｓ２７において、基板Ｗの中心と回転軸線ＡＸとが一致した状態で基板Ｗを保持できる。

【0135】

次に、工程Ｓ２７において、複数の気体供給口４５は、基板ＷとスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＥに第１気体ＧＡを供給する。その結果、空間ＳＰＥに負圧が発生して、基板Ｗは複数の支持体３９に向けて押圧される。よって、基板Ｗが保持される。つまり、ベルヌーイチャックによって基板Ｗが保持される。

【0136】

次に、図１３に示すように、工程Ｓ２８において、ベルヌーイチャックによる基板Ｗの保持を継続したまま、スピンチャック３を回転させる。その結果、基板Ｗが回転する。そして、ノズル９は、基板Ｗの表面Ｆ１の側から、回転中の基板Ｗの周縁部ＥＧに向けて第２処理流体ＦＬ２を供給する。その結果、ベベル処理が実行される。ベベル処理が完了すると、ノズル９は第２処理流体ＦＬ２の供給を停止する。

【0137】

特に、工程Ｓ２８のベベル処理の実行期間において、工程Ｓ２１から継続して、複数の基板支持部ＭＣは、退避位置ＰＬに位置する（図１０（ａ））。従って、実施形態２によれば、複数の基板支持部ＭＣが基板Ｗを支持していない状態において、基板Ｗに供給された第２処理流体ＦＬ２が基板支持部ＭＣによって跳ね返されることを抑制できる。つまり、基板Ｗから飛散した第２処理流体ＦＬ２が、基板支持部ＭＣによって跳ね返されることを抑制できる。

【0138】

次に、工程Ｓ２９において、ベルヌーイチャックによる基板Ｗの保持および基板Ｗの回転を継続したまま、複数の基板支持部ＭＣは、退避位置ＰＬから基板支持位置ＰＵまで上昇する。

【0139】

次に、工程Ｓ３０において、基板Ｗの回転を継続したまま、複数の気体供給口４５は第１気体ＧＡの供給を停止する。その結果、ベルヌーイチャックによる基板Ｗの保持が解除される。また、基板Ｗの回転を継続したまま、複数の基板支持部ＭＣは、自転して、複数の基板支持部材３３Ａによって、側方から基板Ｗを支持する。つまり、複数の基板支持部ＭＣは、自転して、複数の基板支持部材３３Ａによって、側方から基板Ｗを把持する。

【0140】

次に、図１４に示すように、工程Ｓ３１において、複数の基板支持部ＭＣによる基板Ｗの支持および基板Ｗの回転を継続したまま、ノズル１９は、基板Ｗの裏面Ｆ２に向けて、薬液ＣＨを供給する。その結果、基板Ｗの裏面Ｆ２が薬液ＣＨによって処理される。薬液ＣＨは第１処理流体ＦＬ１の一例である。薬液ＣＨによる基板Ｗの裏面処理（裏面薬液処理）が完了すると、ノズル１９は薬液ＣＨの供給を停止する。

【0141】

次に、工程Ｓ３２において、複数の基板支持部ＭＣによる基板Ｗの支持および基板Ｗの回転を継続したまま、ノズル１９は、基板Ｗの裏面Ｆ２に向けて、リンス液ＬＮを供給する。その結果、基板Ｗの裏面Ｆ２がリンス液ＬＮによって洗浄される。リンス液ＬＮは第１処理流体ＦＬ１の一例である。リンス液ＬＮによる基板Ｗの裏面処理（裏面洗浄処理）が完了すると、ノズル１９はリンス液ＬＮの供給を停止する。

【0142】

次に、工程Ｓ３３において、複数の基板支持部ＭＣによる基板Ｗの支持および基板Ｗの回転を継続したまま、ノズル１９は、基板Ｗの裏面Ｆ２に向けて、不活性ガスＧＢを供給する。その結果、基板Ｗの裏面Ｆ２が不活性ガスＧＢによって乾燥される。不活性ガスＧＢは第１処理流体ＦＬ１の一例である。不活性ガスＧＢによる基板Ｗの裏面処理（裏面乾燥処理）が完了すると、ノズル１９は不活性ガスＧＢの供給を停止する。

【0143】

次に、図１５に示すように、工程Ｓ３４において、基板Ｗの回転を継続したまま、複数の基板支持部ＭＣは、自転することで基板Ｗを開放するとともに、複数の気体供給口４５は、基板ＷとスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＥに第１気体ＧＡを供給する。その結果、空間ＳＰＥに負圧が発生して、基板Ｗは複数の支持体３９に向けて押圧される。よって、基板Ｗが保持される。つまり、ベルヌーイチャックによって基板Ｗが保持される。

【0144】

次に、工程Ｓ３５において、複数の気体供給口４５からの第１気体ＧＡの供給および基板Ｗの回転を継続したまま、複数の基板支持部ＭＣは、基板支持位置ＰＵから所定位置ＰＭまで下降する。その結果、第１気体ＧＡによって、複数の基板支持部ＭＣ（例えば、複数の基板支持部材３３Ａ）の乾燥を促進できる。

【0145】

次に、工程Ｓ３６において、スピンチャック３および基板Ｗの回転が停止され、複数の気体供給口４５からの第１気体ＧＡの供給が停止される。そして、複数の基板支持部ＭＣは、所定位置ＰＭから退避位置ＰＬまで下降する。

【0146】

次に、図１６に示すように、工程Ｓ３７において、複数のリフターＬＦは、基板Ｗを支持しつつ、退避位置ＰＬＡから基板受渡位置ＰＵＡまで上昇する。

【0147】

次に、工程Ｓ３８において、搬送ロボットのハンドＨＤは、複数のリフターＬＦから基板Ｗを受け取って、基板処理装置１００から基板Ｗを搬出する。そして、基板処理方法は終了する。

【0148】

次に、図１７（ａ）および図１７（ｂ）を参照して、リフターＬＦが基板支持部ＭＣの機能を有する変形例を説明する。つまり、リフターＬＦが、処理流体による基板Ｗの処理時に基板Ｗを支持する基板支持部として機能する変形例を説明する。図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、実施形態２の変形例に係る基板処理装置１００を示す模式図である。

【0149】

図１７（ａ）に示すように、基板Ｗに対してベベル処理を実行する場合には、図１３に示す工程Ｓ２８と同様に、複数の気体供給口４５は、基板ＷとスピンベースＳＢとの間の空間ＳＰＥに第１気体ＧＡを供給する。その結果、ベルヌーイチャックによって基板Ｗが保持される。

【0150】

加えて、気体供給ユニット８０の遮断板８１が近接位置において、基板Ｗの表面Ｆ１に対向する。そして、気体供給ユニット８０のノズル９０が、基板Ｗの表面Ｆ１に向けて第２気体ＧＣを供給する。

【0151】

第２気体ＧＣは、遮断板８１と基板Ｗの表面Ｆ１との間の空間ＳＰＵに流入して、基板Ｗの表面Ｆ１に沿って径方向ＲＤ外側に向かって流れる。従って、ベルヌーイチャックによる基板Ｗの保持に相俟って、第２気体ＧＣによって基板Ｗの浮き上がりを抑制できる。

【0152】

基板Ｗに対してベベル処理を実行する場合には、複数のリフターＬＦは退避位置ＰＬＡに位置する。つまり、第１気体ＧＡの供給によって基板ＷがスピンベースＳＢに保持される場合、昇降部８は、複数のリフターＬＦを基板Ｗの裏面Ｆ２（基板Ｗの下面）よりも下方に退避させる。

【0153】

一方、図１７（ｂ）に示すように、基板Ｗに対して裏面処理を実行する場合には、複数のリフターＬＦは、基板Ｗを支持しつつ、退避位置ＰＬＡから基板受渡位置ＰＵＡまで上昇する。リフターＬＦは、「基板支持部」の一例に相当する。また、基板受渡位置ＰＵＡは、「基板支持位置」の一例に相当する。

【0154】

加えて、気体供給ユニット８０の遮断板８１が近接位置において、基板Ｗの表面Ｆ１に対向する。そして、気体供給ユニット８０のノズル９０が、基板Ｗの表面Ｆ１に向けて第２気体ＧＣを供給する。

【0155】

第２気体ＧＣは、遮断板８１と基板Ｗの表面Ｆ１との間の空間ＳＰＵに流入して、基板Ｗの表面Ｆ１に沿って径方向ＲＤ外側に向かって流れる。従って、第２気体ＧＣによって基板Ｗが下方に押圧される。その結果、複数のリフターＬＦによって基板Ｗを支持するとともに、第２気体ＧＣによって基板Ｗの浮き上がりを抑制できる。

【0156】

以上、図１７（ｂ）を参照して説明したように、複数のリフターＬＦは、搬送ロボットのハンドＨＤに対して基板Ｗの受け渡しを行う機能（例えば、図１１の工程Ｓ２３、図１６の工程Ｓ３８）に加えて、基板支持部ＭＣの機能を有する。つまり、複数のリフターＬＦが、ハンドＨＤに対して基板Ｗの受け渡しを行う機能と、処理流体による基板Ｗの処理時に基板Ｗを支持する基板支持部の機能とを有する。この場合は、スピンチャック３は複数の基板支持部ＭＣ（図９（ａ））を有していなくてもよい。従って、基板処理装置１００の部品点数を低減できるため、基板処理装置１００の製造コストを低減できる。

【0157】

次に、図１８～図２７を参照して、昇降部７（図１０（ａ））の詳細を説明する。なお、図１８、図２０、および、図２７では、図面の簡略化のために、スピンベースＳＢの流路４１、４３、４７、ノズル１９、気体供給口４５、内軸体２２０、外軸体２３０、モーター２５０、および、モーター筐体５を省略している。

【0158】

＜基板支持部ＭＣの開閉＞
基板支持部ＭＣの開閉のための詳細な構造が説明される。図１８は、基板処理装置１００のスピンチャック３を示す断面図である。図１８に示すように、基板支持部ＭＣがスピンベースＳＢを貫通する部位には軸受２１２が設けられる。また、昇降部７は、基板支持部ＭＣを開閉する機構として、回転板２０、カム板２１、軸２３、昇降板２４、従動磁石２５、および、回転シャフト２６を含む。回転板２０は基板支持部ＭＣの下方に取り付けられる。回転シャフト２６は回転板２０を介して基板支持部ＭＣと同軸に取り付けられる。回転シャフト２６は軸受２７を介して昇降板７４に取り付けられる。カム板２１は昇降板２４の上面に固定される。従動磁石２５は昇降板２４の下面に固定される。

【0159】

基板支持部ＭＣ、回転板２０、および、回転シャフト２６の自重によって回転シャフト２６は昇降板７４を押し下げる。昇降板７４は後述する磁力によって軸方向ＡＤに沿って押し上げられる。軸方向ＡＤは鉛直方向を示す。よって基板支持部ＭＣは昇降板７４の昇降に伴って昇降する。

【0160】

基板支持部ＭＣのベース部材３１の上面３１ａは、基板Ｗの載置に用いられる。基板支持部ＭＣの基板支持部材３３Ａは基板Ｗの支持に用いられる。具体的には、基板支持部材３３Ａは基板Ｗの把持に用いられる。基板支持部ＭＣは、退避位置ＰＬと基板支持位置ＰＵとの間で移動（昇降）する。図１８では、基板支持部ＭＣが基板支持位置ＰＵに位置する。

【0161】

回転板２０には軸２３が設けられる。軸２３は、径方向ＲＤ外側に向けて突出する。カム板２１の後述される機能によって軸２３は回転軸線Ｊを中心として旋回する。軸２３の旋回に伴って回転板２０が回転軸線Ｊの回りに回転する。その結果、基板支持部ＭＣが回転軸線Ｊの回りに回転する。つまり、基板支持部ＭＣが自転する。

【0162】

次に、基板支持部ＭＣが、第１姿勢ＳＴ１と第２姿勢ＳＴ２との間を遷移することを説明する。図１８では、基板Ｗがベース部材３１の上面３１ａに載置されている状態が示される。この場合、基板支持部ＭＣは第２姿勢ＳＴ２をとっている。

【0163】

図１９は基板支持部ＭＣの上面図である。図１９では基板支持部ＭＣが第２姿勢ＳＴ２をとっている。基板支持部ＭＣが方向Ｄｒ２に自転することにより第２姿勢ＳＴ２から第１姿勢ＳＴ１へと遷移する。基板支持部ＭＣが方向Ｄｒ１に自転することにより第１姿勢ＳＴ１から第２姿勢ＳＴ２へと遷移する。

【0164】

図２０はスピンチャック３を示す断面図である。図２０は基板支持部ＭＣが基板支持位置ＰＵにあって基板Ｗが基板支持部材３３Ａに把持されている状態を示す。この場合、基板支持部ＭＣは第１姿勢ＳＴ１をとっている。

【0165】

図２１は基板Ｗが基板支持部材３３Ａに把持された状態における基板支持部ＭＣおよび基板Ｗを部分的に示す断面図である。基板支持部材３３Ａは凹面３３ｘを有する。基板支持部ＭＣが第１姿勢ＳＴ１をとると、凹面３３ｘに基板Ｗの周縁が嵌まることにより、基板Ｗは凹面３３ｘによって上下から挟まれて、基板支持部材３３Ａに把持される。

【0166】

図２２は基板支持部ＭＣの上面図である。図２２では基板支持部ＭＣが第１姿勢ＳＴ１をとっている状態が例示される。

【0167】

図２３は基板支持部材３３Ａと基板Ｗの周縁との位置関係を示す上面図である。基板支持部材３３Ａは、基板支持部ＭＣが第１姿勢ＳＴ１をとるときの位置が実線で、基板支持部ＭＣが第２姿勢ＳＴ２をとるときの位置が鎖線で、それぞれ示される。

【0168】

＜基板支持部ＭＣの自転をもたらす機構＞
図１８および図２０を参照して、基板処理装置１００は、固定ベース１５０、磁石支持部材７３、および、磁石支持部材５００を備える。固定ベース１５０は、チャンバー１に固定される。固定ベース１５０は、例えば、モーター筐体５に相当する。固定ベース１５０には駆動磁石７５および駆動磁石５０１が収納される。駆動磁石７５および駆動磁石５０１の各々は、略円環形状を有する。駆動磁石７５は、駆動磁石５０１よりも径方向ＲＤ内側に配置される。駆動磁石７５は、略円環状の磁石支持部材７３に固定される。駆動磁石５０１は、略円環状の磁石支持部材５００に固定される。

【0169】

図２４は、磁石支持部材７３、駆動磁石７５、磁石支持部材５００および駆動磁石５０１を部分的に示す上面図である。ここでは駆動磁石７５、５０１が環状であるが、駆動磁石７５、５０１のいずれか一方、もしくはいずれもが、環状に配列された複数の磁石を用いて実現されてもよい。磁石支持部材７３および磁石支持部材５００は、駆動部７１（図１）によって個別に昇降可能である。磁石支持部材７３、５００の昇降は駆動磁石７５、５０１の昇降をもたらす。つまり、駆動磁石７５および駆動磁石５０１は、駆動部７１によって個別に昇降可能である。

【0170】

従動磁石２５と駆動磁石５０１との間に磁力が働く。より具体的には従動磁石２５と駆動磁石５０１との間には斥力が働く。駆動磁石５０１の昇降は従動磁石２５の昇降から影響を受けず、従動磁石２５は駆動磁石５０１の昇降によって昇降する。

【0171】

図２５および図２６は、いずれもカム板２１、軸２３、昇降板２４、および、従動磁石２５の位置関係を示す。図２５および図２６は、いずれもスピンベースＳＢの外周側から回転軸線ＡＸへ向かう方向に沿って見た側面図である。図２５は、基板支持部ＭＣが第２姿勢ＳＴ２（基板支持部材３３Ａが開状態）をとる場合を示す。図２６は、基板支持部ＭＣが第１姿勢ＳＴ１（基板支持部材３３Ａが閉状態）をとる場合を示す。

【0172】

カム板２１には孔２２が開けられている。孔２２には軸２３が嵌まる。図１８、図２０、図２５、図２６では孔２２がカム板２１を貫通する場合が例示される。孔２２は軸２３が嵌まれば、貫通しなくてもよい。

【0173】

図１８および図２０においては軸２３が周囲に伴う軸受２８も図示されるが、図２５および図２６では軸受２８は軸２３に含めて考えられ、図示が省略される。孔２２は軸方向ＡＤおよび方向ＲＤｒのいずれに対しても傾斜する方向に長い。方向ＲＤｒは周方向ＣＤ（図１）に相当する。図１８、図１９、図２０、図２２においては、軸２３の孔２２における位置を見やすくするために、カム板２１は孔２２の長手方向に沿った断面が描かれる。

【0174】

磁石支持部材５００が軸方向ＡＤに沿って上昇することにより、駆動磁石５０１が上昇する。駆動磁石５０１と従動磁石２５との間に働く磁力による斥力により、駆動磁石５０１の上昇が従動磁石２５の上昇をもたらす。従動磁石２５の上昇は、昇降板２４を上昇させる。昇降板２４の上昇はカム板２１を上昇させる。カム板２１の上昇は孔２２を上昇させる。基板支持部ＭＣ、回転板２０、および回転シャフト２６の自重によって軸２３の上昇は抑制される。

【0175】

他方、軸２３は回転軸線Ｊを中心とした回転（旋回）が可能であるので、孔２２の上昇は軸２３および回転板２０の回転、ひいては基板支持部ＭＣの自転をもたらす。具体的には孔２２の上昇によって軸２３は孔２２に対して相対的に下降し、かかる相対的な下降によって孔２２は軸２３を方向Ｄｒ１に向けて案内する。軸２３が方向Ｄｒ１に回転することにより、基板支持部ＭＣは方向Ｄｒ１へ自転する。

【0176】

以上のようにして、駆動磁石５０１が上昇することにより、方向Ｄｒ１への基板支持部ＭＣの自転がもたらされ、ひいては基板支持部ＭＣが第２姿勢ＳＴ２をとる（図２３の鎖線で示された基板支持部材３３Ａも参照）。

【0177】

一方、磁石支持部材５００が軸方向ＡＤに沿って下降することにより、駆動磁石５０１が下降する。駆動磁石５０１の下降により、従動磁石２５は、従動磁石２５と駆動磁石５０１との間に働く磁力による斥力をうけつつ、カム板２１、昇降板２４、従動磁石２５の自重によって下降する。従動磁石２５の下降は、昇降板２４、およびカム板２１を下降させる。カム板２１の下降は孔２２を下降させる。基板支持部ＭＣ、回転板２０、および回転シャフト２６は駆動磁石７５と従動磁石７７との間に働く斥力（後に＜基板支持部ＭＣの昇降をもたらす機構＞において説明される）によって軸２３の下降は抑制される。

【0178】

他方、軸２３は回転軸線Ｊを中心とした回転（旋回）が可能であるので、孔２２の下降は軸２３および回転板２０の回転、ひいては基板支持部ＭＣの自転をもたらす。具体的には孔２２の下降によって軸２３は孔２２に対して相対的に上昇し、かかる相対的な上昇によって孔２２は軸２３を方向Ｄｒ２に向けて案内する。軸２３が方向Ｄｒ２に回転することにより、基板支持部ＭＣは方向Ｄｒ２へ自転する。

【0179】

以上のようにして、駆動磁石５０１が下降することにより、方向Ｄｒ２への基板支持部ＭＣの自転がもたらされ、ひいては基板支持部ＭＣが第１姿勢ＳＴ１をとる（図２３の実線で示された基板支持部材３３Ａも参照）。

【0180】

上述のような駆動磁石５０１および磁石支持部材５００の昇降は、制御装置ＣＴの制御のもと、駆動部７１（図１）によって実現される。

【0181】

＜基板支持部ＭＣの昇降をもたらす機構＞
駆動磁石７５は従動磁石７７との間で磁力を働かせる。より具体的には従動磁石７７と駆動磁石７５との間には斥力が働く。駆動磁石７５の昇降は従動磁石７７の昇降から影響を受けず、従動磁石７７は駆動磁石７５の昇降によって昇降する。

【0182】

従動磁石７７は昇降板７４の下面に固定される。磁石支持部材７３が上昇することにより、駆動磁石７５が上昇する。駆動磁石７５と従動磁石７７との間に働く磁力に由来する斥力により、駆動磁石７５の上昇が従動磁石７７の上昇をもたらす。従動磁石７７の上昇は、昇降板７４を上昇させる。昇降板７４の上昇は基板支持部ＭＣを上昇させる。このような駆動磁石７５の上昇により、基板支持部ＭＣが上昇し、基板支持部ＭＣは基板支持位置ＰＵへ移動する。

【0183】

一方、磁石支持部材７３が下降することにより、駆動磁石７５が下降する。駆動磁石７５の下降により、従動磁石７７は、駆動磁石７５との間に働く磁力に由来する斥力をうけつつ、基板支持部ＭＣ、回転板２０、および回転シャフト２６の自重によって下降する。従動磁石７７の下降は、昇降板７４を下降させる。昇降板７４の下降は基板支持部ＭＣを下降させる。このような駆動磁石７５の下降より、基板支持部ＭＣが下降し、基板支持部ＭＣは退避位置ＰＬへ移動する。

【0184】

上述のような駆動磁石７５および磁石支持部材７３の昇降は、制御装置ＣＴの制御のもと、駆動部７１（図１）によって実現される。

【0185】

図２７は、スピンチャック３を示す断面図である。図２７は、基板支持部ＭＣが退避位置ＰＬにあって第１姿勢ＳＴ１をとる場合を例示する。図２０と比較して図２７においては、駆動磁石７５が下降した状態が示される。一方、図２７の状態から、駆動磁石５０１を上昇させると、基板支持部ＭＣが自転して、基板支持部ＭＣが第２姿勢ＳＴ２をとる。

【0186】

以上、図１８～図２７を参照して説明したように、実施形態２では、駆動磁石７５を上昇させると、基板支持部ＭＣが退避位置ＰＬから基板支持位置ＰＵまで上昇する。一方、駆動磁石７５を下降させると、基板支持部ＭＣが基板支持位置ＰＵから退避位置ＰＬまで下降する。また、駆動磁石５０１を下降させると、基板支持部ＭＣが自転して第１姿勢ＳＴ１をとる。一方、駆動磁石５０１を上昇させると、基板支持部ＭＣが自転して第２姿勢ＳＴ２をとる。なお、図１に示す実施形態１の昇降部７の構成は、例えば、実施形態２の昇降部７の構成と同様である。ただし、実施形態１の昇降部７は、基板支持部ＭＣの自転をもたらす機構を有していなくてもよい。

【0187】

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

【0188】

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

【0189】

（１）図１～図２７を参照して説明した実施形態１および実施形態２では、第１流体供給部としてのノズル１９は、回転軸線ＡＸ上に位置した。ただし、第１流体供給部（例えばノズル）は、回転軸線ＡＸと異なる位置に配置されてもよい。また、複数の第１流体供給部が設けられてもよい。さらに、第１流体供給部は、基板Ｗの上方に配置されて、基板Ｗの表面Ｆの側から、基板Ｗの表面Ｆに向けて第１処理流体ＦＬ１を供給してもよい。

【0190】

（２）また、第２流体供給部としてのノズル９は、ベベル処理のために、第２処理流体ＦＬ２を基板Ｗの周縁部ＥＧに供給した。ただし、第２流体供給部（例えばノズル）は、基板Ｗの表面Ｆ１の全体に第２処理流体ＦＬ２を供給して、基板Ｗの表面Ｆ１の全体を第２処理流体ＦＬ２によって処理してもよい。この場合、例えば、第２流体供給部は、径方向ＲＤに移動しながら、基板Ｗの表面Ｆの全体に第２処理流体ＦＬ２を供給する。すなわち、基板Ｗへの第２処理流体ＦＬ２の供給位置は特に限定されない。また、複数の第２流体供給部が設けられてもよい。

【0191】

（３）さらに、図８に示す基板処理方法おいて、メカニカルチャックに支持された基板Ｗの裏面処理（工程Ｓ３、Ｓ５、Ｓ６）が、ベルヌーイチャックに保持された基板Ｗのベベル処理（工程Ｓ８～Ｓ１１）よりも後に実行されてもよい。また、図１０～図１６に示す基板処理方法において、ベルヌーイチャックに保持された基板Ｗのベベル処理（工程Ｓ２７、Ｓ２８）が、メカニカルチャックに支持された基板Ｗの裏面処理（工程Ｓ３０～Ｓ３３）よりも後に実行されてもよい。また、図１０～図１６に示す基板処理方法は、図８に示す工程Ｓ４、Ｓ１２と同様の工程を含んでいてもよい。

【産業上の利用可能性】

【0192】

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

【符号の説明】

【0193】

１ チャンバー
７ 昇降部
９ ノズル（第２流体供給部）
１９ ノズル（第１流体供給部）
２９ 偏心検出部
４５ 気体供給口
６０ 偏心矯正部
８０ 気体供給ユニット
８１ 遮断板（対向部材）
９０ ノズル（気体供給部）
ＭＣ 基板支持部
ＳＢ スピンベース
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】