特許7541324IP Force 特許公報全文掲載

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周波数温度特性に優れ、低背化が可能な弾性波デバイスパッケージ

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

図７に示されている弾性波デバイスパッケージは、圧電基板５５と支持基板５６とからなる接合基板は、モールド樹脂５２で覆った構造である。一般的には、モールド樹脂５２は、圧電基板５５より熱膨張率が大きい。そのため、パッケージ全体では、モールド樹脂５２の熱による反りが発生すると、圧電基板５５もその反りの影響を受け、圧電基板５５の温度変化による周波数特性が変動してしまうという問題点があった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の弾性波デバイスパッケージの一つの態様は、 第1主面に弾性表面波の励振電極及びパッド電極とを有する圧電基板と、前記圧電基板より熱膨張率が低く、かつ前記第1主面が対面して前記圧電基板が実装される実装基板と、前記圧電基板の周囲を囲み、かつ前記圧電基板の周囲に密着して、前記実装基板上に設けられる樹脂層とを備え、前記圧電基板の第1主面の反対側の面である第2主面は、前記樹脂層における実装基板・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、周波数温度特性が向上するのみならず、製造コストを低減でき、薄型化も可能となる弾性波デバイスパッケージを提供することが可能となる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の弾性波デバイスパッケージの第１の実施の形態を示す断面図である。
【図2】 図１の弾性波デバイスパッケージの製造工程の一例の第１段階を示す図である。
【図3】 図１の弾性波デバイスパッケージの製造工程の一例の第２段階を示す図である。
【図4】 図１の弾性波デバイスパッケージの製造工程の一例の第３段階を示す図である。
【図5】 本発明の弾性波デバイスパッケージの第２の実施の形態を示す断面図である。
【図6】 第２の実施の形態の弾性波デバイスパッケージの一例の製造段階の一部を示す図である。
【図7】 従来の弾性波デバイスパッケージの一例を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１、１Ｘ 弾性波デバイスパッケージ ２ 実装基板 ２Ａ 分断前の実装基板 ３ 圧電基板 ３ａ 第１主面 ３ｂ 第２主面 ４ 樹脂層 ４Ａ 樹脂層 ５ 接着剤 ６ 支持基板 ６Ａ 分断前の支持基板 １４ 櫛型電極 １５ パッド電極 ２５ 絶縁膜 ２５Ａ 分断前の絶縁膜

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