特許 7541608 蒸着用電子銃装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-20

(45)【発行日】2024-08-28

(54)【発明の名称】蒸着用電子銃装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/30 20060101AFI20240821BHJP

   C23C 14/24 20060101ALI20240821BHJP

【ＦＩ】

C23C14/30 B

C23C14/24 A

C23C14/30 A

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2023193835

(22)【出願日】2023-11-14

【審査請求日】2023-12-21

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000103976

【氏名又は名称】株式会社オリジン

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】北嶋 凌

(72)【発明者】

【氏名】尾木 真

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 隆之

【審査官】吉森 晃

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－０６３６３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－００７２６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１８５３５６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２３Ｃ １４／３０

Ｃ２３Ｃ １４／２４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

上部が開口し内部に被膜部材に蒸着される蒸発材料が収容された坩堝の側方に設置される、電子ビーム源を備えた装置本体と、
前記装置本体から照射された電子ビームを前記坩堝に設定されたターゲット領域に案内するものであって、基端部が前記装置本体に設置され、先端部が前記坩堝の上方であって且つ前記装置本体から見た前記ターゲット領域の後方に配設され、且つ前記先端部に隣接する部分が前記装置本体と前記ターゲット領域とをつなぐ直線と交差する方向に延びる連結部を備える、一対のポールピースと、
前記ターゲット領域から反射した反射電子を所定の方向に偏向するために、前記一対のポールピースのそれぞれの前記先端部から、又はそれぞれの前記連結部の前記先端部に隣接する部分から、前記装置本体から離れる方向に突出した一対の反射電子偏向部材と、を備える、
蒸着用電子銃装置。

【請求項2】

前記一対の反射電子偏向部材の対向する面のそれぞれに、互いに近づく方向に延びる１乃至複数本の磁場調整片が設けられている、
請求項１に記載の蒸着用電子銃装置。

【請求項3】

前記一対の反射電子偏向部材は、前記一対のポールピースのそれぞれの前記先端部又は前記先端部に隣接する位置から前記装置本体から離れる方向であって且つ前記坩堝から離れるあるいは近づく方向に延びる、
請求項１に記載の蒸着用電子銃装置。

【請求項4】

上部が開口し内部に被膜部材に蒸着される蒸発材料が収容された坩堝の側方に設置される、電子ビーム源を備えた装置本体と、
前記装置本体から照射された電子ビームを前記坩堝に設定されたターゲット領域に案内するものであって、基端部が前記装置本体に設置され、先端部が前記坩堝の上方であって且つ前記装置本体から見た前記ターゲット領域の後方に配設された、一対のポールピースと、
前記ターゲット領域から反射した反射電子を所定の方向に偏向するために、前記一対のポールピースのそれぞれの前記先端部又は前記先端部に近接する位置から前記装置本体から離れる方向に延びる一対の反射電子偏向部材と、を備え、
前記一対のポールピースは、前記基端部から前記坩堝の上方に到達する位置までの間の少なくとも一部に、前記ターゲット領域から離れる方向に延びる迂回部を備える、
蒸着用電子銃装置。

【請求項5】

前記迂回部は、前記装置本体と前記ターゲット領域とをつなぐ直線と交差する方向に延びる、
請求項４に記載の蒸着用電子銃装置。

【請求項6】

前記基端部は、前記坩堝の前記開口よりも下方に位置し、前記迂回部は、前記坩堝の前記開口よりも下方に延在している、
請求項４に記載の蒸着用電子銃装置。

【請求項7】

上部が開口し内部に被膜部材に蒸着される蒸発材料が収容された坩堝の側方に設置される、電子ビーム源を備えた装置本体と、
前記装置本体から照射された電子ビームを前記坩堝に設定されたターゲット領域に案内するものであって、基端部が前記装置本体に設置され、先端部が前記坩堝の上方であって且つ前記装置本体から見た前記ターゲット領域の後方に配設され、且つ前記基端部から前記坩堝の上方に到達する位置までの間の少なくとも一部に、前記ターゲット領域から離れる方向に延びる迂回部を備える、一対のポールピースと、を備える、
蒸着用電子銃装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、蒸着用電子銃装置に関する。

【背景技術】

【0002】

真空チャンバ内に置かれた蒸発材料を加熱蒸発させて得られた蒸発粒子を、基板やレンズといった光学デバイスを構成する部品等の被膜部材に付着させることで、被膜部材の成膜を行う真空蒸着装置が知られている（例えば、下記特許文献１参照）。

【0003】

下記特許文献１には、真空蒸着装置に含まれるものであって、電子ビーム発生手段から発生した電子ビームを、ポールピースを含む偏向磁場発生手段で偏向させて坩堝内の蒸発材料に入射させる電子銃装置が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１５－００７２６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上述した真空蒸着装置は、光学デバイスの分野における薄膜形成に利用されることが多い。近年の光学デバイスの高性能化に伴い、光学デバイスに生成される光学薄膜の光損失（例えば、散乱や吸収）を抑制することが求められている。これに関連して、真空蒸着装置では、薄膜の成膜精度の向上が求められている。しかしながら、既存の真空蒸着装置、特に真空蒸着装置に利用される蒸着用電子銃装置には、成膜品質の低下を抑制する観点において、未だ改善の余地がある。

【0006】

上述の点を踏まえ、本開示は、成膜品質の低下を抑制した蒸着用電子銃装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、本開示の第１の態様に係る蒸着用電子銃装置は、上部が開口し内部に被膜部材に蒸着される蒸発材料が収容された坩堝の側方に設置される、電子ビーム源を備えた装置本体と、前記装置本体から照射された電子ビームを前記坩堝に設定されたターゲット領域に案内するものであって、基端部が前記装置本体に設置され、先端部が前記坩堝の上方であって且つ前記装置本体から見た前記ターゲット領域の後方に配設された、一対のポールピースと、前記ターゲット領域から反射した反射電子を所定の方向に偏向するために、前記一対のポールピースのそれぞれの前記先端部又は前記先端部に近接する位置から前記装置本体から離れる方向に延びる一対の反射電子偏向部材と、を含む。

【0008】

このような蒸着用電子銃装置においては、反射電子偏向部材を設けたことで、反射電子のエネルギーを低減させることができ、反射電子が被膜部材に照射されることに起因する成膜品質の低下を抑制することができる。

【0009】

本開示の第２の態様に係る蒸着用電子銃装置は、上記本開示の第１の態様に係る蒸着用電子銃装置において、前記一対の反射電子偏向部材は、前記反射電子が前記坩堝の上部において２回目に反射する位置よりも前記装置本体から見た後方に至る位置まで延びている。

【0010】

このような蒸着用電子銃装置においては、反射電子偏向部材により生成される磁場を反射電子に効率的に作用させることができ、反射電子が被膜部材に照射されることを効果的に抑制できる。

【0011】

本開示の第３の態様に係る蒸着用電子銃装置は、上記本開示の第１又は第２の態様に係る蒸着用電子銃装置において、前記一対の反射電子偏向部材の対向する面のそれぞれに、互いに近づく方向に延びる１乃至複数本の磁場調整片が設けられている。

【0012】

このような蒸着用電子銃装置においては、反射電子偏向部材により発生させる磁場を局所的に強くすることができ、反射電子偏向部材の周囲の磁場の調整が容易になる。

【0013】

本開示の第４の態様に係る蒸着用電子銃装置は、上記本開示の第１乃至第３の態様のいずれかに係る蒸着用電子銃装置において、前記一対の反射電子偏向部材は、前記一対のポールピースのそれぞれの前記先端部又は前記先端部に隣接する位置から前記装置本体から離れる方向であって且つ前記坩堝から離れるあるいは近づく方向に延びる。

【0014】

このような蒸着用電子銃装置においては、反射電子の進行方向に沿って反射電子偏向部材を延在させることができ、反射電子偏向部材により生成される磁場を反射電子に効率的に作用させることができる。これにより、反射電子のエネルギーを効果的に抑制できる。

【0015】

本開示の第５の態様に係る蒸着用電子銃装置は、上記本開示の第１乃至第４の態様のいずれかに係る蒸着用電子銃装置において、前記一対のポールピースは、前記基端部から前記坩堝の上方に到達する位置までの間の少なくとも一部に、前記ターゲット領域から離れる方向に延びる迂回部を含む。

【0016】

このような蒸着用電子銃装置においては、ポールピースをターゲット領域から離れた位置に引き回すことができるため、ポールピース表面に蒸発材料が付着することを抑制できる。これにより、ポールピースに付着した蒸発材料の再蒸発に関連した生じる成膜品質の低下を抑制することができる。

【0017】

本開示の第６の態様に係る蒸着用電子銃装置は、上記本開示の第５の態様に係る蒸着用電子銃装置において、前記迂回部は、前記装置本体と前記ターゲット領域とをつなぐ直線と交差する方向に延びる。

【0018】

このような蒸着用電子銃装置においては、ポールピースへの蒸発材料の付着をより効果的に抑制できる。

【0019】

本開示の第７の態様に係る蒸着用電子銃装置は、上記本開示の第５又は第６の態様に係る蒸着用電子銃装置において、前記基端部は、前記坩堝の前記開口よりも下方に位置し、前記迂回部は、前記坩堝の前記開口よりも下方に延在している。

【0020】

このような蒸着用電子銃装置においては、ポールピースへの蒸発材料の付着をより効果的に抑制できる。

【0021】

本開示の第８の態様に係る蒸着用電子銃装置は、上部が開口し内部に被膜部材に蒸着される蒸発材料が収容された坩堝の側方に設置される、電子ビーム源を備えた装置本体と、前記装置本体から照射された電子ビームを前記坩堝に設定されたターゲット領域に案内するものであって、基端部が前記装置本体に設置され、先端部が前記坩堝の上方であって且つ前記装置本体から見た前記ターゲット領域の後方に配設され、且つ前記基端部から前記坩堝の上方に到達する位置までの間の少なくとも一部に、前記ターゲット領域から離れる方向に延びる迂回部を備える、一対のポールピースと、を含む。

【0022】

このような蒸着用電子銃装置においては、ポールピースをターゲット領域から離れた位置に引き回すことができるため、ポールピース表面に蒸発材料が付着することを抑制できる。これにより、ポールピースに付着した蒸発材料の再蒸発に関連した生じる成膜品質の低下を抑制することができる。

【発明の効果】

【0023】

本開示の蒸着用電子銃装置によれば、成膜品質の低下を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】本開示の第１の実施の形態に係る蒸着用電子銃装置の一例を示した概略斜視図である。

【図2】図１に示す蒸着用電子銃装置の平面図である。

【図3】図１に示す蒸着用電子銃装置の側面図である。

【図4】図１に示す蒸着用電子銃装置の反射電子偏向部材の変形例を示した図である。

【図5】図１に示す蒸着用電子銃装置の反射電子偏向部材の変形例を示した図である。

【図6】図１に示す蒸着用電子銃装置のポールピースの変形例を示した図である。

【図7】本開示の第２の実施の形態に係る蒸着用電子銃装置の一例を示した概略斜視図である。

【図8】図７に示す蒸着用電子銃装置の平面図である。

【図9】図７に示す蒸着用電子銃装置のポールピースの変形例を示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下、図面を参照して本開示を実施するための各実施の形態について説明する。なお、以下では本開示の目的を達成するための説明に必要な範囲を模式的に示し、本開示の該当部分の説明に必要な範囲を主に説明することとし、説明を省略する箇所については公知技術によるものとする。また、図中の互いに同一又は相当する部材には同一あるいは類似の符号を付し、重複した説明は省略する。さらに、図中の互いに同一又は相当する部材が複数個含まれている場合には、図を見易くするために、そのうちのいくつかにのみ符号を付している場合がある。

【0026】

＜第１の実施の形態＞
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る蒸着用電子銃装置の一例を示した概略斜視図である。また、図２は、図１に示す蒸着用電子銃装置の平面図である。また、図３は、図１に示す蒸着用電子銃装置の側面図である。なお、以下の説明においては、図１乃至図３中に示した矢印Ａで示す方向を左右方向、矢印Ｂで示す方向を前後方向、矢印Ｃで示す方向を高さ方向（あるいは上下方向）と仮に規定する。

【0027】

本開示の第１の実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１は、真空蒸着装置の一部として採用され得る。この真空蒸着装置は、例えば、内部を実質的に真空状態にすることが可能な真空チャンバ（図示省略）と、当該真空チャンバ内の上方に支持された被膜部材の一例としての基板（図示省略）と、内部に上述した基板に蒸着される蒸発材料２が収容された坩堝（「ハース」あるいは「ハースライナー」と呼ばれることもある）３と、蒸着用電子銃装置１と、を少なくとも含むものであってよい。なお、本開示の蒸着用電子銃装置１は、上述した構成の真空蒸着装置以外の蒸着装置にも適用可能である。

【0028】

本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１は、図１乃至図３に示すように、坩堝３に隣接するように配設され、坩堝３内に収容された蒸発材料２に電子ビームＥＢを照射するための装置であってよい。なお、ここでいう隣接とは、坩堝３と隣り合っていればよく、図１に示すもののように坩堝３の側方に配置していてもよいし、坩堝３の下方にその少なくとも一部が配設されたようなものも含み得る。

【0029】

本実施の形態で例示する坩堝３は、図２に示すように、上部が開口した円環状の収容部３Ａを有している。当該収容部３Ａには、収容部３Ａと同様に円環状であって、且つ収容部３Ａよりも僅かに小さな蒸発材料２が収容されていてよい。この坩堝３は、ターゲット領域ＴＡに位置する蒸発材料２を変更するために、図示しない回転機構に接続され、水平方向に回転可能となっていてよい。坩堝３の回転速度は、蒸発材料２の容量や蒸発速度等を考慮して調整するとよい。

【0030】

なお、本実施の形態では、坩堝３として円環状の収容部３Ａを備えるものを例示したが、坩堝３の形状はこれに限定されない。例えば、ターゲット領域ＴＡと実質的に同じ大きさの開口を有する一のカップ型の坩堝を採用する、あるいは、複数のカップ型の坩堝を円盤状の回転台の上に所定の間隔を空けて複数個円形に配設し、回転台を回転させることで電子ビームが照射される坩堝を変更可能なものを採用するといったこともできる。また、坩堝３のうち、ターゲット領域ＴＡを除く開口部分は、反射電子ＲＥの衝突等に伴う意図しない加熱や、外部からの汚染を抑制するために、図示しないカバー部材によって覆われていてもよい。

【0031】

蒸発材料２には、基板に蒸着させたい材料を適宜採用すればよい。具体的に例示すれば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）や酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）といった材料が採用され得る。円環状の蒸発材料２のうちターゲット領域ＴＡに位置する部分に電子ビームＥＢが照射されることで、当該部分の蒸発材料２は加熱され溶融されて蒸発し、ターゲット領域ＴＡの上方に設置された基板の表面に蒸着される。

【0032】

上記蒸着用電子銃装置１は、少なくとも、坩堝３の側方にその少なくとも一部が設置される装置本体１０と、装置本体１０から照射された電子ビームＥＢを坩堝３に設定されたターゲット領域ＴＡに案内する電子ビーム偏向手段２０と、ターゲット領域ＴＡから反射した反射電子ＲＥを所定の方向に偏向するための一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒと、を含む。

【0033】

装置本体１０は、坩堝３の側方に設置されて、電子ビームＥＢを照射することが可能な部材である。この装置本体１０は、筐体１１と、筐体１１内部に設けられた電子ビーム源１２と、筐体１１の上部に形成された窓部１３と、を含むものであってよい。

【0034】

電子ビーム源１２は、例えば、熱電子を放出するフィラメントと、熱電子を加速して電子ビームＥＢとする加速部と、を含むものであってよい。また、筐体１１は、電子ビーム源１２を内部に収容し、その上面が平坦に形成され且つ当該上面の一部に貫通孔で構成される窓部１３が形成されたものであってよい。さらに、筐体１１内における窓部１３の周囲には、電子ビームＥＢをターゲット領域ＴＡ内で走査するためのスキャンコイル（図示省略）が配設されていてもよい。前述の構成を含む電子ビーム源１２で生成された電子ビームＥＢは、窓部１３を介して筐体１１外に放射される。

【0035】

電子ビーム偏向手段２０は、装置本体１０において生成され筐体１１外に放射された電子ビームＥＢを偏向して、坩堝３に設定されたターゲット領域ＴＡに案内する手段である。電子ビーム偏向手段２０は、電場あるいは磁場を用いて電子ビームＥＢを所定の方向に偏向する。本実施の形態の電子ビーム偏向手段２０は、周囲に磁場（磁界）を発生させることで電子ビームＥＢをターゲット領域ＴＡに案内する一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒと、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの周囲に磁場を発生させるための磁力源２２と、を少なくとも含む。

【0036】

一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒは、強磁性体で構成された、所定の肉厚を有する帯状の部材で構成することができる。この一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒは、装置本体１０、より詳しくは窓部１３とターゲット領域ＴＡとをつなぐ直線Ｌを間に挟むように配設されていてよい。より好ましくは、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒは、当該直線Ｌを基準に対称な形状となるように、互いに間隔を空けて配設されていてよい。また、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒは、少なくとも、その基端部４１Ｌ、４１Ｒが装置本体１０に設置され、先端部４２Ｌ、４２Ｒが坩堝３の上方であって且つ装置本体１０から見たターゲット領域ＴＡの後方に配設される。なお、直線Ｌは、電子ビームＥＢの水平方向における進行方向に実質的に一致し得る。また、本実施の形態では、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒとして直線Ｌを基準に対称な形状のものを例示したが、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの形状は対称である必要はなく、それぞれが異なる形状を備えていてよい。

【0037】

基端部４１Ｌ、４１Ｒは、筐体１１上の窓部１３を挟む位置に設定されていてよい。また、この基端部４１Ｌ、４１Ｒには、磁力源２２が連結されていてよい。さらに、基端部４１Ｌ、４１Ｒは、坩堝３の収容部３Ａの開口よりも下方に位置していると蒸発した蒸発材料２に晒されることが実質的になく好ましい。

【0038】

先端部４２Ｌ、４２Ｒは、ターゲット領域ＴＡの前後方向における後方に所定の間隔を空けて対向するように配設されていてよい。この先端部４２Ｌ、４２Ｒの形状は、先端部４２Ｌ、４２Ｒで形成される磁場の向きがターゲット領域ＴＡに向かうよう、図１及び図２に示すように、対向する端面の少なくとも一部が平面視で前方から後方に向かうにしたがって近づくような形状となっていると好ましい。

【0039】

また、本実施の形態に係る一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの基端部４１Ｌ、４１Ｒと先端部４２Ｌ、４２Ｒとの間は、ターゲット領域ＴＡから離れる方向に延びる迂回部４３Ｌ、４３Ｒと、迂回部４３Ｌ、４３Ｒと先端部４２Ｌ、４２Ｒとの間をつなぐ連結部４４Ｌ、４４Ｒとで構成することができる。

【0040】

迂回部４３Ｌ、４３Ｒは、基端部４１Ｌ、４１Ｒから坩堝３の上方に到達する位置、換言すると、平面視で坩堝３に重なる位置までの間に設けられていてよい。本実施の形態の迂回部４３Ｌ、４３Ｒは、図１及び図２に示すように、その一端部が基端部４１Ｌ、４１Ｒに連結し、且つ当該一端部から、上述した直線Ｌと交差する方向、具体的には左右方向に沿って互いに離れるように延びている。また、迂回部４３Ｌ、４３Ｒは、その少なくとも一部が坩堝３の収容部３Ａの開口よりも下方に延在していると好ましい。ポールピース２１Ｌ、２２Ｒが上述した迂回部４３Ｌ、４３Ｒを含むことにより、ポールピース２１Ｌ、２２Ｒをターゲット領域ＴＡの上方から離れた位置に引き回すことができる。当該迂回部４３Ｌ、４３Ｒを設けたことによる作用及び効果等については後に詳細に説明する。

【0041】

連結部４４Ｌ、４４Ｒは、迂回部４３Ｌ、４３Ｒの他端と先端部４２Ｌ、４２Ｒとの間をつなぐものである。本実施の形態では、連結部４４Ｌ、４４Ｒは、ターゲット領域ＴＡから比較的離れた位置を通過するよう、平面視で略Ｌ字状に形成されている。

【0042】

磁力源２２は、永久磁石あるいは励磁コイル（電磁石）で構成することができる。この磁力源２２は、ポールピース２１Ｌ、２１Ｒや筐体１１内の他の部材に接続されることでポールピース２１Ｌ、２１Ｒ等を磁化（励磁）することができる。

【0043】

本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１は、上述した構成を含む電子ビーム偏向手段２０の作用により、装置本体１０から照射された電子ビームＥＢが、図３に示すように、その進行方向が１８０～２７０°偏向され、ターゲット領域ＴＡに照射される。この電子ビームＥＢが照射されたターゲット領域ＴＡの蒸発材料２は、電子ビームＥＢによって加熱されて溶融され、蒸発して、ターゲット領域ＴＡの上方に事前に設置された被膜部材としての基板の表面に蒸着されて薄膜を形成する。

【0044】

ところで、既存の蒸着用電子銃装置を含む真空蒸着装置において、被膜部材の成膜品質を低下させる要因の一つに、蒸発材料に反射した反射電子が被膜部材上の薄膜（蒸着膜）へ衝突することが挙げられる。詳しくは、蒸発材料に照射された電子ビームの一部が蒸発材料に吸収されずに飛び出た反射電子が、蒸発材料の上方に設置された被膜部材としての基板の表面に衝突することで、当該衝突した部分の薄膜が破壊あるいは変形されることがある。当該破壊あるいは変形は、反射電子が薄膜に衝突した際の衝撃により、あるいは反射電子が衝突した際に発生する熱に起因して引き起こされる。本実施の形態では、上述した反射電子による成膜品質の低下を抑制するために、上述した一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒを採用している。

【0045】

一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒは、ターゲット領域から反射した反射電子を所定の方向に偏向するための部材である。この一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒは、図１乃至図３に示すように、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒのそれぞれの先端部４２Ｌ、４２Ｒ、又は先端部４２Ｌ、４２Ｒに近接する位置から、装置本体１０から離れる方向に延びている。一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒは、ポールピース２１Ｌ、２１Ｒと同様に強磁性体で構成された所定の肉厚を有する帯状の部材で構成することができる。本実施の形態では、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒは、ポールピース２１Ｌ、２１Ｒと一体に形成されているものを例示しているが、これに限定されない。例えば、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒとポールピース２１Ｌ、２１Ｒとは、別部材で構成した上で連結されていてもよい。

【0046】

上述した一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒが一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒと一体に形成される、あるいは、別部材で構成された後、両者が連結されることにより、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒは、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒと同様に磁力源２２によって磁化される。したがって、本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１では、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒを磁化させるための磁力源を別途準備する必要がない。

【0047】

また、本実施の形態の一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒは、所定の間隔を空けて実質的に平行に延在している。前述の所定の間隔は、例えばターゲット領域ＴＡの左右方向の幅等を考慮して適宜調整され得る。また、本実施の形態では、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒが所定の間隔を空けて実質的に平行に延びているものを例示するが、基端部から先端部に向かって上記間隔が狭くなったり、広くなったりしていてもよい。

【0048】

一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒで発生した磁場は、ターゲット領域ＴＡに照射された電子ビームＥＢが反射して上方に向かって飛び出た反射電子ＲＥを下方に偏向させるように主に作用する。一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒで発生した磁場により偏向された反射電子ＲＥは、図３に示すように、ターゲット領域ＴＡ内の電子ビームＥＢが照射された任意の位置Ｐ１から上方に飛び出た後、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒの隙間に沿って進みつつ坩堝３の上面に近づくように下方に向かって進み、坩堝３上の任意の位置Ｐ２に衝突する。位置Ｐ２で坩堝３の上面に衝突した反射電子ＲＥは、一部が当該坩堝３の上面に吸収され、他の一部が再び反射電子ＲＥとして上方に飛び出る。再び反射した反射電子ＲＥは、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒの隙間に沿ってさらに進みつつ坩堝３の上面に近づくように下方に向かって進み、坩堝３の上面の他の任意の位置Ｐ３に衝突する。以降、同様の動作が繰り返され得る。なお、図３においては、反射電子ＲＥの軌跡を理解しやすくするために、特定のタイミングにおける電子ビームＥＢの照射位置（１回目に反射する位置ともいう）Ｐ１と、それに関連する反射電子ＲＥの反射位置（２回目及び３回目に反射する位置ともいう）Ｐ２、Ｐ３をそれぞれ任意の一点で図示したものを例示したが、各位置Ｐ１～Ｐ３は、電子ビームＥＢの照射位置やエネルギーによって変位し得るものである。したがって、各位置Ｐ１～Ｐ３は諸条件によって特に前後方向に変位し得る。

【0049】

本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１によれば、上述した反射の回数に応じて基板表面に衝突する電子線のエネルギーが減少し、以て成膜品質の低下を抑制することができる。なお、本実施の形態では、反射電子ＲＥを一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒの周囲に発生した磁場の作用により、坩堝３の上面に衝突させる場合を例示したが、坩堝３の上面に予め図示しないカバー部材を設けておき、当該カバー部材の表面に反射電子ＲＥを衝突させるようにしてもよい。当該カバー部材としては、ターゲット領域ＴＡ及びターゲット領域ＴＡの周囲の高温領域ＨＡの上部を除く坩堝３の上面を覆うことが可能な板状の部材を採用することができる。また、カバー部材の材料には反射電子のエネルギー等を吸収可能な材料を採用するとよい。このようなカバー部材を採用すれば、反射電子ＲＥがターゲット領域ＴＡに位置していない部分の蒸発材料２に衝突することをも抑制できる。

【0050】

一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒの長手方向の長さは、少なくとも、反射電子ＲＥが坩堝３の上部において２回目に反射する位置（図３における位置Ｐ２）よりも装置本体１０から見た後方に至る位置まで延びていると好ましい。より好ましくは、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒの長手方向の長さは、図３に示すように、反射電子ＲＥが坩堝３の上部において３回目に反射する位置（図３における位置Ｐ３）よりも装置本体１０から見た後方に至る位置まで延びているとよい。一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒを上述した長さに調整することで、反射電子ＲＥに一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒによる磁場を効率的に作用させることができる。したがって、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒの間の領域を通過した後の反射電子ＲＥのエネルギーを大幅に低減させることができる。なお、反射電子ＲＥが２回目に反射する位置は、電子ビームＥＢの照射位置やエネルギー、及び反射電子ＲＥ自体のエネルギー等によって特に前後方向に変位し得る。したがって、上述した「２回目に反射する位置」とは、種々の環境で飛び出る反射電子ＲＥが２回目に坩堝３の上面に反射する位置の前後方向における平均の位置を指すものとする。

【0051】

上述した一実施の形態では、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒとして、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒから前後方向に沿って実質的に並行に延びる帯状の強磁性体を用いた場合を例示したが、本開示はこれに限定されない。そこで以下には、一対の反射電子偏向部材のいくつかの変形例を例示的に説明する。なお、以下に示す変形例は、一対の反射電子偏向部材に関する構造を除き、上述した第１の実施の形態のものと同様である。したがって、上述した実施の形態と同様の構造には同一の符号を付してその説明を省略し、異なる部分を中心に説明を行う。

【0052】

図４及び図５は、図１に示す蒸着用電子銃装置の反射電子偏向部材の変形例を示した図である。なお、図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図５（Ａ）は平面図であり、図５（Ｂ）は側面図である。上述した蒸着用電子銃装置１においては、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒが、上述した一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒから延びている。これに対し、本変形例に係る蒸着用電子銃装置１Ａは、図４（Ａ）に示すように、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒに近接する位置から延びる一対の反射電子偏向部材３１Ｌ、３１Ｒを有している。

【0053】

本変形例の蒸着用電子銃装置１Ａの一対の反射電子偏向部材３１Ｌ、３１Ｒは、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒからでなく、連結部４４Ｌ、４４Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒに相対的に近い位置から延在するように形成されている。この一対の反射電子偏向部材３１Ｌ、３１Ｒでは、図４（Ａ）に示すように、一対の反射電子偏向部材３１Ｌ、３１Ｒ間の隙間が上述した一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒ間の隙間に比べて大きくなり得る。そのため、一対の反射電子偏向部材３１Ｌ、３１Ｒにより生成される磁場は、反射電子ＲＥの偏向に支障のない程度にその大きさが調整されるとよい。なお、一対の反射電子偏向部材３１Ｌ、３１Ｒの基端部と連結部４４Ｌ、４４Ｒとが連結された位置は、一対の反射電子偏向部材３１Ｌ、３１Ｒの周囲に生成される磁場の向き及び大きさを考慮して調整するとよい。

【0054】

また、上述した蒸着用電子銃装置１では、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒとして、実質的に平行に延びるものを採用している。これに対し、本変形例に係る蒸着用電子銃装置１Ｂは、図４（Ｂ）に示すように、基端部から先端部に向かって互いに離れる方向に延びる一対の反射電子偏向部材３２Ｌ、３２Ｒを採用している。

【0055】

本変形例の蒸着用電子銃装置１Ｂの一対の反射電子偏向部材３２Ｌ、３２Ｒは、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒから、装置本体１０から離れる方向であって且つ直線Ｌに対して傾斜した方向に延びている。これにより、一対の反射電子偏向部材３２Ｌ、３２Ｒは、図４（Ｂ）に示すように、基端部同士の間の隙間に比べて先端部同士の間の隙間の方が大きくなっている。一対の反射電子偏向部材３２Ｌ、３２Ｒ同士のなす角は、例えば－６０°～９０°、より好ましくは－３０°～６０°に調整されていてよい。なお、一対の反射電子偏向部材３２Ｌ、３２Ｒのなす角が負になる場合（例えば－３０°）には、図４（Ｂ）に示す形状とは異なり、基端部同士の間の隙間に比べて先端部同士の隙間が小さくなる。このような構成を備える一対の反射電子偏向部材３２Ｌ、３２Ｒにおいても、上述した一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒにおいて説示したのと同様の効果を奏することができる。上述した一対の反射電子偏向部材３２Ｌ、３２Ｒは、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒから延びているが、これに代えて、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒに近接する位置から延びるようにしてもよい。

【0056】

さらに、上述した蒸着用電子銃装置１では、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒとして、帯状の強磁性体を採用している。これに対し、本変形例に係る蒸着用電子銃装置１Ｃは、互いに対向する面に１乃至複数個の突起（磁場調整片３４Ｌ、３４Ｒ）を設けた一対の反射電子偏向部材３３Ｌ、３３Ｒを含む。

【0057】

本変形例の蒸着用電子銃装置１Ｃの一対の反射電子偏向部材３３Ｌ、３３Ｒは、上述した一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒと同様に、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの連結部４４Ｌ、４４Ｒの先端部４２Ｌ、４２Ｒに相対的に近い位置から、実質的に平行に延在している。そして、この一対の反射電子偏向部材３３Ｌ、３３Ｒのそれぞれの対向する面には、図５（Ａ）に示すように、互いに近づく方向に延びる１乃至複数本（図５（Ａ）では各２本）の磁場調整片３４Ｌ、３４Ｒが設けられている。当該磁場調整片３４Ｌ、３４Ｒは、一対の反射電子偏向部材３３Ｌ、３３Ｒの周囲に生成される磁場の向き及び大きさを調整するために設けられた突起であってよい。磁場調整片３４Ｌ、３４Ｒが設けられる位置は特に限定されないが、反射電子ＲＥを偏向する作用を考慮して配設するとよい。例えば、磁場調整片３４Ｌ、３４Ｒは、反射電子ＲＥが坩堝３の上面に反射する位置、あるいは当該位置の後方に位置するように配設されていてよい。

【0058】

磁場調整片３４Ｌ、３４Ｒは、周囲に生成される磁場の大きさや向きを変位させることができるため、磁場調整片３４Ｌ、３４Ｒがないものに比べて、生成される磁場の調整をより容易に実現できる。また、このような構成を備える一対の反射電子偏向部材３３Ｌ、３３Ｒにおいても、上述した一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒにおいて説示したのと同様の効果を奏することができる。

【0059】

さらにまた、上述した蒸着用電子銃装置１では、一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒが水平方向に延在しているものを例示している。これに対し、本変形例に係る蒸着用電子銃装置１Ｄは、基端部から先端部に向かって装置本体１０から離れる方向であって、且つ坩堝３からも離れる、あるいは坩堝３に近づく方向に延びた一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒを含んでいる。

【0060】

本変形例の蒸着用電子銃装置１Ｄの一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒは、水平面に対して斜め上方に直線状に延在している。この一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒの水平面に対する傾斜角度は、図５（Ｂ）に示すように、例えば－３０°～６０°、より好ましくは０°～４５°に調整されていてよい。このような構成を備える一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒにおいても、上述した一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒにおいて説示したのと同様の効果を奏することができる。なお、上記一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒとしては、直線状に延びるものを例示したが、直線状である必要は必ずしもなく、例えばその一部が湾曲していてもよい。また、一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒが坩堝３に近づく方向に延びる場合には、坩堝３と一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒとが接触しない範囲の角度が選定されるとよい。また、一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒの高さ位置と坩堝３の上端の高さ位置とが近く、所望の角度で一対の反射電子偏向部材３５Ｌ、３５Ｒを傾斜させることが困難な場合には、迂回部４３Ｌ、４３Ｒの高さを調整して一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの先端の高さを高くするとよい。

【0061】

以上説明した通り、本実施の形態及び各変形例に係る蒸着用電子銃装置によれば、一対のポールピースから一対の反射電子偏向部材を延在させるという比較的簡単な構成で、ターゲット領域から反射して飛び出た反射電子のエネルギーを低減させることができる。これにより、反射電子が被膜部材の表面に衝突することに伴う被膜部材の成膜品質の低下を抑制することができる。

【0062】

他方、既存の蒸着用電子銃装置を含む真空蒸着装置における、被膜部材の成膜品質を低下させる要因は、上述した反射電子の薄膜への衝突以外にも存在する。具体的には、例えばターゲット領域から蒸発した蒸発材料が被膜部材以外の部材に蒸着することに起因する薄膜の汚染（コンタミネーション）を挙げることができる。このような薄膜の汚染は、特にターゲット領域の上方にポールピースが配設されている場合に発生しやすい。これは、坩堝から蒸発した蒸発材料がポールピースに付着・堆積し、堆積した蒸発材料が坩堝内又は坩堝付近に落下して再蒸発する、あるいは堆積した蒸発材料がポールピース表面で加熱されて再蒸発することに起因するものと推測される。再蒸発した材料は坩堝内の蒸発材料とは異なる材料であり得るだけでなく、再蒸発した材料自体が変質していたり、蒸発速度を制御できなかったりするため、成膜品質に影響を与えることが分かっている。

【0063】

加えて、蒸発材料の蒸発は、ターゲット領域だけでなく、ターゲット領域の周囲に位置し、ターゲット領域の加熱に伴って加熱され高温となる領域（以下、「高温領域」と呼ぶ）でも生じ得る。したがって、上述した要因に起因する成膜品質の低下は、ターゲット領域及び高温領域の上方にポールピースが配置していなければ実質的に回避することができる。しかしながら、ターゲット領域及び高温領域の上方にポールピースを配置することなく電子ビームを所望の方向に偏向するためには、電子ビームの周囲の磁場を正確に制御する必要があり、容易ではない。そこで、本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１は、上述した成膜品質の低下の要因をも考慮して、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒに上述した迂回部４３Ｌ、４３Ｒを設けることで、ポールピース２１Ｌ、２１Ｒに蒸発材料が付着・堆積することを抑制している。

【0064】

本実施の形態における一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒでは、電子ビームＥＢをターゲット領域ＴＡへ安定して照射させるために最も有効な磁場を周囲に発生させるために、その先端部４２Ｌ、４２Ｒをターゲット領域ＴＡに比較的近い位置に配置している。他方で、ポールピース２１Ｌ、２１Ｒの、先端部４２Ｌ、４２Ｒと基端部４１Ｌ、４１Ｒとの間をつなぐ部分がターゲット領域ＴＡ及び高温領域ＨＡの上方にできるだけ位置しないようにするために、迂回部４３Ｌ、４３Ｒを採用している。

【0065】

本実施の形態の一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒに設けられた迂回部４３Ｌ、４３Ｒは、上述したように、基端部４１Ｌ、４１Ｒから坩堝３の上方に到達する位置までの間に設けられている。また、この迂回部４３Ｌ、４３Ｒは、坩堝３の収容部３Ａの開口よりも下方を延在している。したがって、迂回部４３Ｌ、４３Ｒは、ターゲット領域ＴＡ及び高温領域ＨＡの上方に位置していないため、蒸発材料２が付着することが実質的にない。また、迂回部４３Ｌ、４３Ｒの先端はターゲット領域ＴＡから離れて配置される。

【0066】

連結部４４Ｌ、４４Ｒは、上述の迂回部４３Ｌ、４３Ｒと先端部４２Ｌ、４２Ｒとをつなぐものであるが、迂回部４３Ｌ、４３Ｒの先端がターゲット領域ＴＡから離れた位置に配置しているため、図２に示すように、ターゲット領域ＴＡ及び高温領域ＨＡから離れた位置を引き回すことができる。これにより、蒸発した蒸発材料２が連結部４４Ｌ、４４Ｒに付着することを抑制できる。

【0067】

以上説明した通り、本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１によれば、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの一部に迂回部４３Ｌ、４３Ｒを形成することで、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒをターゲット領域ＴＡに対して離れた位置に配設できる。これにより、従来のようにポールピースを基端部から坩堝３の上部へ直線的に延在させた場合に比して、蒸発材料のポールピースへの付着を大幅に低減でき、薄膜の汚染を抑制できるようになる。

【0068】

本開示の一対のポールピースは、上述した一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒのような形状のものに限定されない。そこで、以下には本開示に含まれるポールピースの変形例をいくつか説明する。なお、以下に示す変形例は、一対のポールピースに関する構造を除き、上述した第１の実施の形態のものと同様である。したがって、上述した実施の形態と同様の構造には同一の符号を付してその説明を省略し、以下では異なる部分を中心に説明を行う。

【0069】

図６は、図１に示す蒸着用電子銃装置のポールピースの変形例を示した図である。例えば、本変形例に係る蒸着用電子銃装置１Ｅでは、上述した一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒに代えて、図６（Ａ）に示すような、一部が円弧状に湾曲した一対のポールピース５０Ｌ、５０Ｒを採用することができる。

【0070】

本変形例の蒸着用電子銃装置１Ｅの一対のポールピース５０Ｌ、５０Ｒは、上述したポールピース２１Ｌ、２１Ｒと同様に、強磁性体で構成された、所定の肉厚を有する帯状の部材で構成することができる。この一対のポールピース５０Ｌ、５０Ｒは、図６（Ａ）に示すように、直線Ｌを基準に対称な形状となるように、互いに間隔を空けて配設されている。また、一対のポールピース５０Ｌ、５０Ｒは、基端部５１Ｌ、５１Ｒが装置本体１０に設置され、先端部５２Ｌ、５２Ｒが坩堝３の上方であって且つ装置本体１０から見たターゲット領域ＴＡの後方に配設されている。加えて、基端部５１Ｌ、５１Ｒと先端部５２Ｌ、５２Ｒとの間に迂回部５３Ｌ、５３Ｒ及び連結部５４Ｌ、５４Ｒが配設されている。

【0071】

基端部５１Ｌ、５１Ｒは、上述した基端部４１Ｌ、４１Ｒと同様に、筐体１１上の窓部１３を挟む位置に配設され、磁力源２２に連結されていてよい。また、先端部５２Ｌ、５２Ｒは、上述した先端部４２Ｌ、４２Ｒと同様に、ターゲット領域ＴＡの前後方向における後方に所定の間隔を空けて配設されていてよい。

【0072】

迂回部５３Ｌ、５３Ｒは、図６（Ａ）に示すように、一端が基端部５１Ｌ、５１Ｒに連結し、先端がターゲット領域ＴＡよりも後方、例えば先端部５２Ｌ、５２Ｒと同様の前後方向位置に到達する円弧状の部材であってよい。この迂回部５３Ｌ、５３Ｒは、坩堝３の外側を、坩堝３の外縁に沿って円弧状に延在しており、ターゲット領域ＴＡに対して主に左右方向に離れるように延びている。また、迂回部５３Ｌ、５３Ｒの上下方向の位置は、その少なくとも一部が坩堝３の収容部３Ａの開口よりも下方に延在していると好ましい。そして、連結部５４Ｌ、５４Ｒは、迂回部５３Ｌ、５３Ｒの先端と先端部５２Ｌ、５２Ｒとをつなぐように、左右方向に沿って直線状に延びている。

【0073】

上記変形例の蒸着用電子銃装置１Ｅにおいても、一対のポールピース５０Ｌ、５０Ｒに迂回部５３Ｌ、５３Ｒを設けたことで、ターゲット領域ＴＡ及び高温領域ＨＡの上方に一対のポールピース５０Ｌ、５０Ｒの大部分が配設されない構造とすることができる。これにより、従来のようにポールピースを基端部から先端部へ直線的に延在させた場合に比して、蒸発材料のポールピースへの付着を大幅に低減でき、薄膜の汚染を抑制できるようになる。

【0074】

上述した蒸着用電子銃装置１では、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの連結部４４Ｌ、４４Ｒを平面視Ｌ字状としたものが例示されている。これに対し、本変形例に係る蒸着用電子銃装置１Ｆは、図６（Ｂ）に示すように、複数箇所で屈曲した連結部を含む一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒを採用している。

【0075】

本変形例の蒸着用電子銃装置１Ｆの一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒは、連結部６４Ｌ、６４Ｒの構造を除き、上述した一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒと同様である。すなわち、一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒは、強磁性体で構成された、所定の肉厚を有する帯状の部材で構成でき、直線Ｌを基準に対称な形状となるように互いに間隔を空けて配設される。また、一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒは、その基端部６１Ｌ、６１Ｒが装置本体１０に設置され、先端部６２Ｌ、６２Ｒが坩堝３の上方であって且つ装置本体１０から見たターゲット領域ＴＡの後方に配設され、迂回部６３Ｌ、６３Ｒが基端部６１Ｌ、６１Ｒから、ターゲット領域ＴＡから離れる方向に、具体的には左右方向に沿って延びている。

【0076】

一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒの連結部６４Ｌ、６４Ｒは、図６（Ｂ）に示すように、一端側が前後方向に沿って延びると共に迂回部６３Ｌ、６３Ｒに連結し、他端側が左右方向に沿って延びると共に先端部６２Ｌ、６２Ｒに連結し、且つ、一端側と他端側の間が円環状の蒸発材料２を横断するように斜め方向に延びている。これにより、一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒは、上述した一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒに比べてコンパクトな形状となる。

【0077】

本変形例の蒸着用電子銃装置１Ｆにおいても、一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒに迂回部６３Ｌ、６３Ｒを設けたことで、ターゲット領域ＴＡ及び高温領域ＨＡの上方に一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒの大部分が配設されない構造とすることができる。これにより、従来のようにポールピースを基端部から直線的に延在させた場合に比して、蒸発材料のポールピースへの付着を大幅に低減でき、薄膜の汚染を抑制できるようになる。

【0078】

＜第２の実施の形態＞
上述した第１の実施の形態では、反射電子ＲＥが被膜部材に衝突することによる成膜品質の低下を抑制することに加えて、一対のポールピースに蒸発した蒸発材料が付着することに起因する成膜品質の低下をも抑制したものを例示したが、本開示は上述した２つの成膜品質の低下を共に抑制できるものに限定されない。そこで以下には、上述した成膜品質の低下の要因のうち、一対のポールピースに蒸発した蒸発材料が付着することに起因するものを解決することが可能な蒸着用電子銃装置５について説明する。

【0079】

図７は、本開示の第２の実施の形態に係る蒸着用電子銃装置の一例を示した概略斜視図である。また、図８は、図７に示す蒸着用電子銃装置の平面図である。本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置５は、図７及び図８に示すように、反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒを有しない点を除き、上述した第１の実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１と同様の構成を備えていてよい。したがって、蒸着用電子銃装置５の各部の具体的な構造は、蒸着用電子銃装置１の各部の構造の説明を適宜参照されたい。

【0080】

本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置５は、上述した真空蒸着装置の一部として採用され得る。また、この蒸着用電子銃装置５は、図７及び図８に示すように、坩堝３に隣接するように配設され、坩堝３内に収容された蒸発材料２に電子ビームＥＢを照射する。

【0081】

上記蒸着用電子銃装置５は、少なくとも、坩堝３の側方にその少なくとも一部が設置される装置本体１０と、装置本体１０から照射された電子ビームＥＢを坩堝３に設定されたターゲット領域ＴＡに案内する電子ビーム偏向手段２０と、を含む。このうち、電子ビーム偏向手段２０は、周囲に磁場を発生させる一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒと、磁力源２２と、を少なくとも含む。

【0082】

そして、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒは、基端部４１Ｌ、４１Ｒが装置本体１０に設置され、先端部４２Ｌ、４２Ｒが坩堝３の上方であって且つ装置本体１０から見たターゲット領域ＴＡの後方に配設され、且つ基端部４１Ｌ、４１Ｒから坩堝３の上方に到達する位置までの間の少なくとも一部に、ターゲット領域ＴＡから離れる方向に延びる迂回部４３Ｌ、４３Ｒを含む。

【0083】

本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置５においても、第１の実施の形態に係る蒸着用電子銃装置１と同様に、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒが迂回部４３Ｌ、４３Ｒを含むことで、一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒをターゲット領域ＴＡ及び高温領域ＨＡに対して離れた位置に配設できる。これにより、従来のようにポールピースを基端部から直線的に延在させた場合に比して、蒸発材料のポールピースへの付着を大幅に低減でき、薄膜の汚染を抑制できるようになる。

【0084】

また、本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置５の一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒの具体的な形状は、例えば上述した一変形例に係る一対のポールピース５０Ｌ、５０Ｒや他の変形例に係る一対のポールピース６０Ｌ、６０Ｒと同様の形状に変更することができるが、本実施の形態に係る蒸着用電子銃装置５の一対のポールピースの形状は、これらにも限定されない。

【0085】

図９は、図７に示す蒸着用電子銃装置のポールピースの変形例を示した図である。例えば、本変形例に係る蒸着用電子銃装置５Ａは、図９に示すように、上述した一対のポールピース２１Ｌ、２１Ｒに代えて、一部が坩堝３の外周囲に引き回された一対のポールピース７０Ｌ、７０Ｒを採用している。

【0086】

本変形例の蒸着用電子銃装置５Ａの一対のポールピース７０Ｌ、７０Ｒは、上述したポールピース２１Ｌ、２１Ｒと同様に、強磁性体で構成された、所定の肉厚を有する帯状の部材で構成することができる。この一対のポールピース７０Ｌ、７０Ｒは、図９に示すように、直線Ｌを基準に対称な形状となるように、互いに間隔を空けて配設されている。また、一対のポールピース７０Ｌ、７０Ｒは、基端部７１Ｌ、７１Ｒが装置本体１０に設置され、先端部７２Ｌ、７２Ｒが坩堝３の上方であって且つ装置本体１０から見たターゲット領域ＴＡの後方に配設されている。加えて、基端部７１Ｌ、７１Ｒと先端部７２Ｌ、７２Ｒとの間に迂回部７３Ｌ、７３Ｒ及び連結部７４Ｌ、７４Ｒが配設されている。

【0087】

基端部７１Ｌ、７１Ｒは、上述した基端部４１Ｌ、４１Ｒと同様に、筐体１１上の窓部１３を挟む位置に配設され、磁力源２２に連結されていてよい。また、先端部７２Ｌ、７２Ｒは、上述した先端部４２Ｌ、４２Ｒと同様に、ターゲット領域ＴＡの前後方向における後方に所定の間隔を空けて配設されていてよい。

【0088】

迂回部７３Ｌ、７３Ｒは、図９に示すように、一端が基端部７１Ｌ、７１Ｒに連結し、先端が坩堝３の後方まで引き回されている。この迂回部７３Ｌ、７３Ｒは、坩堝３の外側を部分的に囲むように、平面視で略Ｕ字状に延びている。また、迂回部７３Ｌ、７３Ｒの上下方向の位置は、その少なくとも一部が坩堝３の収容部３Ａの開口よりも下方に延在していると好ましい。

【0089】

連結部７４Ｌ、７４Ｒは、迂回部７３Ｌ、７３Ｒの先端と先端部５２Ｌ、５２Ｒとをつなぐように、前後方向に沿って直線状に延びている。なお、図９から分かるように、本変形例に係る連結部７４Ｌ、７４Ｒは、第１の実施の形態において説示した一対の反射電子偏向部材３０Ｌ、３０Ｒと同様の機能を奏し得る。

【0090】

上記変形例の蒸着用電子銃装置５Ａにおいても、一対のポールピース７０Ｌ、７０Ｒに迂回部７３Ｌ、７３Ｒを設けたことで、ターゲット領域ＴＡ及び高温領域ＨＡの上方に一対のポールピース７０Ｌ、７０Ｒの大部分が配設されない構造とすることができる。これにより、従来のようにポールピースを基端部から直線的に延在させた場合に比して、蒸発材料のポールピースへの付着を大幅に低減でき、薄膜の汚染を抑制できるようになる。

【0091】

なお、上述した各実施の形態においては、ポールピースや反射電子偏向部材の形状についていくつかの変形例を例示しているが、当該変形例はあくまで一例であって、ポールピースや反射電子偏向部の形状が変形例に示したものに限定されることを意図しない。したがって、ポールピース及び反射電子偏向部材の形状は、各部材の機能を維持し得る範囲内において、変形例として示した形状以外の形状にも変更することができる。

【0092】

本開示は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。そして、それらはすべて、本開示の技術思想に含まれるものである。

【符号の説明】

【0093】

１、１Ａ～１Ｆ、５、５Ａ 蒸着用電子銃装置
２ 蒸発材料
３ 坩堝
１０ 装置本体
１１ 筐体
１２ 電子ビーム源
１３ 窓部
２０ 電子ビーム偏向手段
２１Ｌ、２１Ｒ ポールピース
２２ 磁力源
３０Ｌ、３０Ｒ 反射電子偏向部材
４１Ｌ、４１Ｒ 基端部
４２Ｌ、４２Ｒ 先端部
４３Ｌ、４３Ｒ 迂回部
４４Ｌ、４４Ｒ 連結部
ＥＢ 電子ビーム
ＲＥ 反射電子
ＴＡ ターゲット領域
Ｌ 直線

【要約】

【課題】成膜品質の低下を抑制した蒸着用電子銃装置を提供すること。
【解決手段】本開示の蒸着用電子銃装置は、上部が開口し内部に被膜部材に蒸着される蒸発材料が収容された坩堝の側方に設置される、電子ビーム源を備えた装置本体と、前記装置本体から照射された電子ビームを前記坩堝に設定されたターゲット領域に案内するものであって、基端部が前記装置本体に設置され、先端部が前記坩堝の上方であって且つ前記装置本体から見た前記ターゲット領域の後方に配設された、一対のポールピースと、前記ターゲット領域から反射した反射電子を所定の方向に偏向するために、前記一対のポールピースのそれぞれの前記先端部又は前記先端部に近接する位置から前記装置本体から離れる方向に延びる一対の反射電子偏向部材と、を含む。
【選択図】図１

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】