特許 7541637 半導体受光素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-21

(45)【発行日】2024-08-29

(54)【発明の名称】半導体受光素子

(51)【国際特許分類】

   H01L 31/10 20060101AFI20240822BHJP

【ＦＩ】

H01L31/10 H

H01L31/10 A

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2021118892

(22)【出願日】2021-07-19

(62)【分割の表示】P 2021504480の分割

【原出願日】2021-01-08

(65)【公開番号】P2022107496

(43)【公開日】2022-07-21

【審査請求日】2023-11-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000108410

【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100089004

【弁理士】

【氏名又は名称】岡村 俊雄

(72)【発明者】

【氏名】磯村 尚友

(72)【発明者】

【氏名】大村 悦司

【審査官】吉岡 一也

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１５／０７９７６３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１１７２０３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開平７－２０３０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１２２４１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－９６８０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－２５２３６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２４９６７５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３１／０８－３１／１１９

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

光通信用の赤外光領域の光を受光部で受光して光電流に変換する半導体受光素子であって、光電流を取り出すために半導体基板の光の入射面側に形成された第１電極と、前記半導体基板の裏面側に形成された第２電極を有する半導体受光素子において、
前記第２電極は、前記半導体基板に接続された複素屈折率の実部及び虚部が夫々３以上且つ５以下である第１金属膜と、この第１金属膜を覆う金を主成分とする第２金属膜を有すると共に、前記半導体基板を透過した光がこの第２電極に到達する照射領域に、前記第１金属膜と前記第２金属膜の間に形成された屈折率が２以下の誘電体膜を有する反射防止部を備えたことを特徴とする半導体受光素子。

【請求項2】

前記第２電極は、前記第２金属膜と前記誘電体膜との間に、複素屈折率の実部及び虚部が夫々３以上且つ５以下であると共に前記第１金属膜よりも薄い第３金属膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体受光素子。

【請求項3】

前記第１金属膜はチタン、クロム、タングステンのうちの１種の元素を主成分とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体受光素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は光計測、光通信に用いられる赤外光を受光する半導体受光素子に関し、特に光パルスを受光し終えた後の立下り応答特性を向上させた半導体受光素子に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、光通信に用いられる光ファイバケーブルの損失状態、欠陥位置を測定する光パルス試験器（Optical Time Domain Reflectometer：OTDR）が広く利用されている。この光パルス試験器は、敷設されている光ファイバケーブルの一端からパルス光を入射し、このパルス光が光ファイバケーブル内を伝搬するときに生じるレイリー散乱光のうちの入射側に戻る後方散乱光を受光する。そして、後方散乱光の量（強度）に基づいて損失を測定し、パルス光を入射してから後方散乱光を受光するまでの時間に基づいて光パルス試験器からの距離を測定する。

【0003】

光パルス試験器と測定対象の光ファイバケーブルの一端を接続した接続点では、光ファイバケーブルにパルス光が入射する際に、フレネル反射が生じることが避けられない。そのため、光パルス試験器からパルス光を出射したときに、この接続点でのフレネル反射光が最初に光パルス試験器に受光され、その後で後方散乱光が受光される。

【0004】

この後方散乱光は、フレネル反射光と比べて光強度が極めて小さい。それ故、パルス光のパルス幅に相当するフレネル反射光の受光時間と、光パルス試験器の受光素子が、フレネル反射光の受光が終わってから後方散乱光を検知可能になるまでの応答時間（立下り時間）が経過するまでは、後方散乱光を検知することができない。従って、後方散乱光を検知することができない時間に相当する光パルス試験器からの光の往復距離内に欠陥が存在していても、この欠陥を検出することができないデッドゾーンが生じる。

【0005】

デッドゾーンを小さくするために、受光素子の立下り時間を短縮することが要求されている。例えば特許文献１のように、受光素子の立下り時間を短縮するために、受光部の第１光吸収層を透過した光を第２光吸収層で吸収することにより、第１光吸収層に再入射する光を減少させる半導体受光素子が知られている。反射して第１光吸収層に再入射する光が少ないので、第１光吸収層を光が透過し終わると光電流が急激に減少し、立下り時間が短縮される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開平８－８４５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

上記特許文献１の半導体受光素子は、入射した光を電気信号に変換するための第１光吸収層と、第１光吸収層を透過した光を吸収することにより第１光吸収層に再入射しないようにするための第２光吸収層を有する。そのため、構造が複雑になると共に、結晶成長させるため形成することが容易ではない２つの光吸収層を別々に形成する必要があるので、製造コストが上昇してしまう課題がある。

【0008】

本発明の目的は、簡単な構造で光吸収層を透過した光が再入射しないように構成した半導体受光素子を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

請求項１の発明の半導体受光素子は、光通信用の赤外光領域の光を受光部で受光して光電流に変換する半導体受光素子であって、光電流を取り出すために半導体基板の光の入射面側に形成された第１電極と、前記半導体基板の裏面側に形成された第２電極を有する半導体受光素子において、前記第２電極は、前記半導体基板に接続された複素屈折率の実部及び虚部が夫々３以上且つ５以下である第１金属膜と、この第１金属膜を覆う金を主成分とする第２金属膜を有すると共に、前記半導体基板を透過した光がこの第２電極に到達する照射領域に、前記第１金属膜と前記第２金属膜の間に形成された屈折率が２以下の誘電体膜を有する反射防止部を備えたことを特徴としている。

【0010】

上記構成によれば、半導体受光素子は、光通信に使用される赤外光領域の光を受光部で受光して光電流に変換し、この光電流を取り出すために、半導体基板の入射面側の第１電極と、裏面側の第２電極を有する。第２電極は、半導体基板に接続された上記範囲内の複素屈折率を有する第１金属膜と、第１金属膜を覆う金を主成分とする第２金属膜によって形成されている。この第２電極は、受光部が受光した光が半導体基板を透過して第２電極に到達する照射領域において、第１金属膜と第２金属膜の間に形成された屈折率が２以下の誘電体膜を有する反射防止部を備えている。従って、反射防止部によって、半導体基板を透過した光の反射を防止することができるので、簡単な構造で反射した光の受光部へ再入射を防ぐことができる。それ故、半導体受光素子の立下り時間が短縮される。

【0011】

請求項２の発明の半導体受光素子は、請求項１の発明において、前記第２電極は、前記第２金属膜と前記誘電体膜との間に、複素屈折率の実部及び虚部が夫々３以上且つ５以下であると共に前記第１金属膜よりも薄い第３金属膜を有することを特徴としている。
上記構成によれば、簡単な構造で反射した光の受光部へ再入射を防ぐことができると共に、第３金属膜によって誘電体膜と第２金属膜の間の密着性を向上させることができる。それ故、誘電体膜と第２金属膜の剥離によって空隙が形成されて反射防止部の反射機能が低下することを防止することができる。

【0012】

請求項３の発明の半導体受光素子は、請求項１又は２の発明において、前記第１金属膜はチタン、クロム、タングステンのうちの１種の元素を主成分とすることを特徴としている。
上記構成によれば、光通信用の赤外光領域において入射光の反射率が低い反射防止部を形成することができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明の半導体受光素子によれば、受光部に入射して入射面側から半導体基板を透過し、裏面側の第２電極に到達した光の反射を反射防止部が防止するので、簡単な構造で光吸収層を透過した光が再入射しないように反射を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の実施例１に係る半導体受光素子の構造を示す断面図である。

【図2】実施例１の反射防止部の第１金属膜がＴｉ膜の場合の反射率を示す図である。

【図3】反射防止部の第１金属膜の複素屈折率下限値における反射率を示す図である。

【図4】反射防止部の第１金属膜の複素屈折率上限値における反射率を示す図である。

【図5】光通信用の赤外光領域の光に対する金属材料の複素屈折率を示す図である。

【図6】実施例１の反射防止部の第１金属膜がＷ膜の場合の反射率を示す図である。

【図7】実施例１の反射防止部の第１金属膜がＡｕ膜の場合の反射率を示す図である。

【図8】実施例１の反射防止部の第１金属膜がＡｌ膜の場合の反射率を示す図である。

【図9】実施例１の反射防止部の第１金属膜がＰｔ膜の場合の反射率を示す図である。

【図10】実施例１の反射防止部の誘電体膜がＳｉＮ膜の場合の反射率を示す図である。

【図11】本発明の実施例２に係る半導体受光素子の構造を示す断面図である。

【図12】実施例２の反射防止部の第１、３金属膜がＴｉ膜の場合の反射率を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明を実施するための形態について実施例に基づいて説明する。

【実施例1】

【0016】

半導体受光素子１Ａは、光通信用の赤外光領域（波長λが１１００～１６００ｎｍの領域）の入射光を受光する例えばＰＩＮフォトダイオード又はアバランシェフォトダイオードを備えている。ここでは、図１のようにＰＩＮフォトダイオードを備えた半導体受光素子１Ａの例を説明する。

【0017】

半導体受光素子１Ａは、光通信用の赤外光領域の入射光に対して透明な半導体基板２として例えばｎ－ＩｎＰ基板の第１面２ａ側に、第１半導体層３としてｎ－ＩｎＰ層、入射光を吸収する光吸収層４としてＩｎＧａＡｓ層、第２半導体層５としてｎ－ＩｎＰ層を有する。第２半導体層５には、例えばＺｎが選択的にドープされたｐ型拡散領域５ａを有する。光吸収層４のｐ型拡散領域５ａに接する領域が光吸収領域４ａに相当し、ｐ型拡散領域５ａと光吸収領域４ａと第１半導体層３によりフォトダイオード（受光部６）が形成されている。第１、第２半導体層３，５、光吸収層４の厚さは夫々適宜設定され、例えば０．５～５μｍの厚さに形成されている。

【0018】

第２半導体層５の表面は、ｐ型拡散領域５ａに連通する開口部７ａを有する保護膜７（例えばＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜等）に覆われている。この開口部７ａからｐ型拡散領域５ａに接続するアノード電極８（第１電極）が形成されている。ｐ型拡散領域５ａの大きさ、形状は夫々適宜設定され、例えば直径が１０～２００μｍの円形に形成されている。

【0019】

半導体基板２の第１面２ａに対向する第２面２ｂ側（裏面側）には、半導体基板２に対して第１面２ａ側（入射面側）から入射するように受光部６に入射して光吸収層４（光吸収領域４ａ）を透過した入射光が到達する照射領域１０に、反射防止部１１を備えている。この反射防止部１１は、光吸収層４（光吸収領域４ａ）を透過した入射光が反射して再び受光部６に入射することを防ぐためのものである。

【0020】

反射防止部１１は、半導体基板２の第２面２ｂ側に第１金属膜１２と誘電体膜１３と第２金属膜１４が積層されて形成されている。第１金属膜１２は、例えば蒸着により形成された厚さが３０ｎｍのチタン膜（Ｔｉ膜）である。誘電体膜１３は、例えば化学気相成長法によって形成された厚さが３００ｎｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）であり、照射領域１０を覆うように選択的に形成されている。第２金属膜１４は、例えば蒸着により形成された厚さが６００ｎｍの金膜（Ａｕ膜）である。

【0021】

第１金属膜１２は半導体基板２に接続されると共に、反射防止部１１の外側で第２金属膜１４に接続され、第１金属膜１２と第２金属膜１４によってカソード電極９（第２電極）が形成されている。カソード電極９は、マウント基板１８に形成された配線１８ａに例えば図示外の導電性ペーストによって接続、固定される。また、アノード電極８は、マウント基板１８に形成された図示外の別の配線に例えばボンディングワイヤによって接続される。そして、これらの配線の端子部分Ｔ１，Ｔ２から受光部６で生成された光電流が外部に取り出される。

【0022】

半導体受光素子１Ａの立下り時間短縮のためには、光吸収領域４ａを透過した入射光が、反射して光吸収領域４ａに再入射することを防ぐ必要がある。そのため、照射領域１０に形成された反射防止部１１の反射率は低い程好ましく、例えば１％以下であることが要求されている。

【0023】

図２は、半導体受光素子１Ａの第１金属膜１２としてＴｉ膜の膜厚と、誘電体膜１３としてＳｉＯ２膜の膜厚を夫々パラメータとして、波長λが１５５０ｎｍの赤外光に対する反射防止部１１の反射率についてシミュレーションした結果を等高線プロットした図である。Ｔｉ膜の膜厚が３０ｎｍ程度、且つＳｉＯ２膜の膜厚が３００ｎｍ程度のときに反射率が０．１％程度になるので、低反射率の反射防止部１１が形成される。また、Ｔｉ膜の膜厚が２６～３５ｎｍ且つＳｉＯ２膜の膜厚が２２０～３４０ｎｍの場合に、反射率が概ね１％以下になるので、許容できる膜厚の範囲が広く、低反射率の反射防止部１１を安定して形成することができる。

【0024】

光通信用の波長λが１１００～１６００ｎｍの領域の赤外光に対して、Ｔｉ膜は、複素屈折率ｎの実部（Ｒｅ［ｎ］）が３．４～３．６、複素屈折率ｎの虚部（Ｉｍ［ｎ］）が３．４～３．６である。ＳｉＯ２膜はこの領域の赤外光に対し屈折率が１．４５～１．４４である。

【0025】

第１金属膜１２としてＴｉ膜以外の金属材料が好ましい場合もある。そのため、本発明者は、低反射率の反射防止部１１を形成することが可能な第１金属膜１２を特定するために、第１金属膜１２の複素屈折率ｎのＲｅ［ｎ］と、Ｉｍ［ｎ］をパラメータとして、図２と同様の反射率のシミュレーションを行った。その結果、許容できる膜厚の範囲が広く、低反射率の反射防止部１１を安定して形成することができる第１金属膜１２の複素屈折率ｎのＲｅ［ｎ］とＩｍ［ｎ］の範囲を特定することができた。

【0026】

図３は、第１金属膜１２の複素屈折率ｎのＲｅ［ｎ］を３、Ｉｍ［ｎ］を３とした場合に、反射防止部１１の反射率を等高線プロットしたものである。また、図４は、第１金属膜１２の複素屈折率ｎのＲｅ［ｎ］を５、Ｉｍ［ｎ］を５とした場合に、反射防止部１１の反射率を等高線プロットしたものである。

【0027】

反射率が低くなる第１金属膜１２の膜厚範囲及び誘電体膜１３としてＳｉＯ２膜の膜厚範囲は図２と異なるが、図３、図４の何れの場合も反射率が概ね１％以下になる許容できる膜厚の範囲が広く、低反射率の反射防止部１１を安定して形成することができる。図示を省略するが、第１金属膜１２の複素屈折率ｎのＲｅ［ｎ］が３～５且つＩｍ［ｎ］が３～５であれば、反射率を１％以下にすることが可能な膜厚の範囲が広く、低反射率の反射防止部１１を安定して形成することができる。

【0028】

以上の検討から、複素屈折率ｎのＲｅ［ｎ］及びＩｍ［ｎ］が夫々下限値として３以上且つ上限値として５以下の金属材料を用いた金属膜を反射防止部１１の第１金属膜１２にすることによって、低反射率の反射防止部１１が得られることが判明した。次に、複素屈折率ｎのＲｅ［ｎ］及びＩｍ［ｎ］が夫々３以上且つ５以下の金属材料について、光通信に用いられる波長λが１１００～１６００ｎｍの領域の赤外光に対して検討した結果を図５に示す。

【0029】

図５は、波長λが１１００～１６００ｎｍの赤外光に対する種々の金属材料の複素屈折率をプロットしたものである。複素屈折率ｎのＲｅ［ｎ］及びＩｍ［ｎ］が夫々３以上且つ５以下の領域が、ターゲット領域ＴＡとして示されている。Ｔｉの場合は、波長λが１１００～１６００ｎｍの赤外光に対してターゲット領域ＴＡ内に入る。クロム（Ｃｒ）の場合は、波長λが１１００～１５８０ｎｍの赤外光に対してターゲット領域ＴＡ内に入る。タングステン（Ｗ）の場合は、波長λが１１００～１４５０ｎｍの赤外光に対してターゲット領域ＴＡ内に入る。

【0030】

図６は波長λが１３０５ｎｍの赤外光に対して第１金属膜１２がＷ膜の場合の反射率を示している。Ｗ膜の膜厚が２２＋／－４ｎｍ程度、誘電体膜１３としてＳｉＯ２膜の膜厚が３１０＋／－３０ｎｍ程度のときに、低反射率の反射防止部１１を形成することができる。尚、図示を省略するが、第１金属膜１２がＣｒ膜の場合も同様に、低反射率の反射防止部１１を形成することができる。

【0031】

図５のターゲット領域ＴＡ外には、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ以外の他の金属材料の複素屈折率がプロットされている。波長λが１５５０ｎｍの赤外光に対して、図７のように第１金属膜１２を金膜（Ａｕ膜）とした場合、図８のように第１金属膜１２をアルミニウム膜（Ａｌ膜）とした場合には、低反射率となるＳｉＯ２膜の膜厚の範囲が、ターゲット領域ＴＡ内の金属材料と比べて狭い。また、ＳｉＯ２膜の膜厚とＡｕ膜の膜厚との組み合わせが反射率に大きく影響する。

【0032】

そのため、ターゲット領域ＴＡ外の金属材料の第１金属膜１２と誘電体膜１３の精密な膜厚制御が要求され、ターゲット領域ＴＡ内の金属材料と比べて、低反射率の反射防止部１１を安定して形成することが困難である。また、第１金属膜１２がＡｌ膜の場合には、この膜厚が１０ｎｍ程度で低反射率になるが、ターゲット領域ＴＡ内の金属材料と比べて膜厚が薄いことも、低反射率の反射防止部を安定して形成することが困難な要因の１つである。

【0033】

図９のように第１金属膜１２を白金膜（Ｐｔ膜）とした場合には、Ｐｔ膜の膜厚が１０ｎｍ程度のときに低反射率になる。しかし、ターゲット領域ＴＡ内の金属材料と比べて膜厚が薄く且つ許容される膜厚範囲も＋／－２ｎｍ程度と狭いので、ターゲット領域ＴＡ内の金属材料と比べて、低反射率の反射防止部１１を安定して形成することが困難である。

【0034】

反射防止部１１の誘電体膜１３は、ＳｉＯ２膜だけでなくＳｉＮ膜を用いることもできる。ＳｉＮ膜の屈折率は１．９９程度であり、ＳｉＯ２膜の屈折率１．４４よりも大きい。この場合でも、例えば図１０に示すように、Ｔｉ膜の膜厚が３０＋／－５ｎｍの範囲内且つＳｉＮの膜厚が１９５＋／－３０ｎｍの範囲内で１％以下の反射率の反射防止部１１が形成される。反射率が概ね１％以下になる許容できる膜厚の範囲が広いので、低反射率の反射防止部１１を安定して形成することができる。

【実施例2】

【0035】

上記実施例１を部分的に変更した半導体受光素子１Ｂについて説明する。実施例１と同等の部分には実施例１と同じ符号を付して説明を省略する。

【0036】

図１１に示すように、半導体受光素子１Ｂは、光通信用の赤外光領域の入射光に対して透明な半導体基板２の第１面２ａ側に、第１半導体層３と、光吸収層４と、第２半導体層５を有する。第２半導体層５はｐ型拡散領域５ａを有する。光吸収層４のｐ型拡散領域５ａに接する領域が光吸収領域４ａに相当し、ｐ型拡散領域５ａと光吸収領域４ａと第１半導体層３によりフォトダイオード（受光部６）が形成されている。

【0037】

半導体基板２の第２面２ｂ側（裏面側）には、第１面２ａ側（入射面側）から受光部６に入射して光吸収層４（光吸収領域４ａ）を透過した入射光が到達する照射領域１０に反射防止部２１を備えている。この反射防止部２１は、光吸収層４（光吸収領域４ａ）を透過した入射光が反射して再び受光部６に入射することを防ぐためのものである。

【0038】

反射防止部２１は、第１金属膜１２、誘電体膜１３、第２金属膜１４、第３金属膜２２を有する。第１金属膜１２は、例えば厚さが２７ｎｍのＴｉ膜である。誘電体膜１３は、例えば厚さが２７０ｎｍのＳｉＯ２膜であり、照射領域１０に選択的に形成されている。第２金属膜１４は、例えば厚さが６００ｎｍのＡｕ膜である。第３金属膜２２は、例えば厚さが３ｎｍのＴｉ膜であり、誘電体膜１３と第２金属膜１４との間の密着性を向上させるために、誘電体膜１３の形成後且つ第２金属膜１４の形成前に形成される。この第３金属膜２２は、誘電体膜１３と同じ領域に選択的に形成されてもよい。

【0039】

第１金属膜１２は半導体基板２に接続されると共に、反射防止部２１の外側で第３金属膜２２を介して第２金属膜１４に接続され、第１金属膜１２と第３金属膜２２と第２金属膜１４によってカソード電極１９（第２電極）が形成されている。カソード電極１９は、マウント基板１８に形成された配線１８ａに例えば図示外の導電性ペーストによって接続、固定される。また、アノード電極８（第１電極）は、マウント基板１８に形成された図示外の別の配線に例えばボンディングワイヤによって接続される。そして、これらの配線の端子部分Ｔ１，Ｔ２から、受光部６で生成された光電流が外部に取り出される。

【0040】

図１２は、半導体受光素子１Ｂの第１金属膜１２としてＴｉ膜の膜厚と、誘電体膜１３としてＳｉＯ２膜の膜厚を夫々パラメータとして、波長λが１５５０ｎｍの赤外光に対する反射防止部２１の反射率についてシミュレーションした結果を等高線プロットした図である。Ｔｉ膜の膜厚が２７ｎｍ程度、且つＳｉＯ２膜の膜厚が２７０ｎｍ程度のときに反射率が０．１％程度になって、非常に反射率が低い反射防止部２１が形成される。また、Ｔｉ膜の膜厚が２２～３４ｎｍ且つＳｉＯ２膜の膜厚が２００～３３０ｎｍの場合に、反射率が概ね１％以下になるので、許容できる膜厚の範囲が広く、低反射率の反射防止部２１を安定して形成することができる。

【0041】

上記半導体受光素子１Ａ，１Ｂの作用、効果について説明する。
半導体受光素子１Ａ，１Ｂの受光部６は、光通信に使用される赤外光領域（波長λ＝１１００～１６００ｎｍ）の光を受光して光電流に変換する。そして、この光電流を出力するために、第１電極として半導体基板２の入射面側のアノード電極８と、第２電極として半導体基板２の裏面側を覆うように形成されたカソード電極９，１９を有する。カソード電極９，１９は、半導体基板２に接続された複素屈折率ｎの実部（Ｒｅ［ｎ］）及び虚部（Ｉｍ［ｎ］）が夫々３以上且つ５以下の複素屈折率を有する第１金属膜１２と、第１金属膜１２を覆う金を主成分とする第２金属膜１４によって形成されている。受光部６が受光した光が半導体基板２を透過してカソード電極９，１９に到達する照射領域１０において、カソード電極９，１９は、第１金属膜１２と第２金属膜１４の間に屈折率が２以下の誘電体膜１３を有する。これにより、半導体基板２を透過した光の反射を防止する反射防止部１１，２１が、カソード電極９，１９に形成される。

【0042】

従って、簡単な構造で反射した光の受光部６への再入射を防ぐことができ、カソード電極９，１９で反射された光が光電流に変換されることを防止することができる。それ故、半導体受光素子１Ａ，１Ｂの立下り時間が短縮される。

【0043】

また、カソード電極１９は、誘電体膜１３と第２金属膜１４の間に、複素屈折率ｎの実部（Ｒｅ［ｎ］）及び虚部（Ｉｍ［ｎ］）が夫々３以上且つ５以下であると共に第１金属膜１２よりも薄い第３金属膜２２を有する。従って、第３金属膜２２によって誘電体膜１３と第２金属膜１４の間の密着性を向上させることができる。それ故、誘電体膜１３と第２金属膜１４の剥離によってこれらの間に空隙が形成されて、カソード電極１９の反射防止部２１の反射機能が低下することを防止することができる。

【0044】

第１金属膜１２はチタン、クロム、タングステンのうちの１種の元素を主成分としている。チタン、クロム、タングステンは、光通信に使用される波長域の光に対して、複素屈折率ｎの実部（Ｒｅ［ｎ］）及び虚部（Ｉｍ［ｎ］）が夫々３以上且つ５以下の金属材料なので、光通信用の波長域の入射光に対して反射率が低い反射防止部１１，２１を形成することができる。

【0045】

その他、当業者であれば、本発明の趣旨を逸脱することなく、上記実施形態に種々の変更を付加した形態で実施可能であり、本発明はその種の変更形態も包含するものである。

【符号の説明】

【0046】

１Ａ，１Ｂ ：半導体受光素子
２ ：半導体基板
２ａ ：第１面
２ｂ ：第２面
３ ：第１半導体層
４ ：光吸収層
４ａ ：光吸収領域
５ ：第２半導体層
５ａ ：ｐ型拡散領域
６ ：受光部
７ ：保護膜
７ａ ：開口部
８ ：アノード電極（第１電極）
９，１９ ：カソード電極（第２電極）
１０ ：照射領域
１１，２１ ：反射防止部
１２ ：第１金属膜
１３ ：誘電体膜
１４ ：第２金属膜
１８ ：マウント基板
１８ａ：配線
２２ ：第３金属膜
Ｔ１，Ｔ２ ：端子部分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】