特許 7542466 光モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-22

(45)【発行日】2024-08-30

(54)【発明の名称】光モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/02212 20210101AFI20240823BHJP

【ＦＩ】

H01S5/02212

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2021044439

(22)【出願日】2021-03-18

(65)【公開番号】P2022143753

(43)【公開日】2022-10-03

【審査請求日】2023-12-21

(73)【特許権者】

【識別番号】519283819

【氏名又は名称】ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】野口 大輔

(72)【発明者】

【氏名】山本 寛

【審査官】佐藤 美紗子

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０３２８５９５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１１－０４９５２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－１４２７６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－２１７４９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００９－５３５８２４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ５／００－５／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面および第２面を有し、前記第１面及び前記第２面の間で貫通する複数の貫通孔を有する導電性ステムと、
信号リードピンを含み、前記複数の貫通孔の内側にそれぞれ位置し、前記導電性ステムとは誘電体で絶縁されてそれぞれ固定されている複数のリードピンと、
上面及び下面を有し、前記上面及び前記下面の間で熱を移動させるようになっており、前記下面が前記第１面に固定されている熱電冷却器と、
前記熱電冷却器の前記上面に固定され、前記熱電冷却器とは反対の面に配線パターンを有するサブマウント基板と、
前記サブマウント基板に搭載され、前記配線パターンに電気的に接続され、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている光電素子と、
前記信号リードピンの先端面と前記サブマウント基板の前記配線パターンを電気的に接続する信号ワイヤと、
を有し、
前記導電性ステムの前記第１面は、前記複数のリードピンが配列されている基準領域と、前記基準領域よりも低くなって前記熱電冷却器が搭載されている実装領域と、を含む光モジュール。

【請求項2】

請求項１に記載された光モジュールであって、
前記サブマウント基板は、前記熱電冷却器から前記信号リードピンへの方向にオーバーハングし、前記基準領域の上方に端部を有する光モジュール。

【請求項3】

請求項２に記載された光モジュールであって、
前記サブマウント基板の前記端部は、前記導電性ステムから間隔があいている光モジュール。

【請求項4】

請求項１から３のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記基準領域と前記実装領域の高さの差は、前記熱電冷却器の厚みの半分以上である光モジュール。

【請求項5】

請求項１から４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記熱電冷却器および前記実装領域の間に介在する非導電性接着剤をさらに有する光モジュール。

【請求項6】

請求項１から５のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記サブマウント基板の前記配線パターンは、前記信号ワイヤがボンディングされる信号パターンと、グラウンドパターンと、を含み、
前記導電性ステムの前記第１面と前記グラウンドパターンを電気的に接続するグラウンドワイヤをさらに有する光モジュール。

【請求項7】

請求項６に記載された光モジュールであって、
表面にメタライズパターンを有し、前記導電性ステムの前記第１面に搭載され、前記メタライズパターンが前記導電性ステムに電気的に導通する誘電体ブロックをさらに有し、
前記グラウンドワイヤの一端は、前記メタライズパターンにボンディングされている光モジュール。

【請求項8】

請求項７に記載された光モジュールであって、
前記熱電冷却器は、前記上面に導電膜を有し、
前記サブマウント基板は、前記導電膜の上に搭載されて、前記グラウンドパターンが前記導電膜に電気的に導通し、
前記第１面と前記導電膜を電気的に接続する他のワイヤをさらに有する光モジュール。

【請求項9】

請求項１から８のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記導電性ステムの前記第１面は、前記実装領域の周囲に凸部を有し、前記凸部の上面が前記基準領域であり、前記凸部の周囲に前記基準領域よりも低い外周領域を含み、
前記凸部をガイドとして前記導電性ステムに取り付けられたレンズキャップをさらに有する光モジュール。

【請求項10】

請求項１から９のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記光電素子は、前記第１面に平行に光を出射する端面発光レーザであり、
前記第１面に交差する方向に前記光を反射するミラーをさらに有する光モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

小型の光モジュールには、高周波特性の向上が求められている。ＴＯ－ＣＡＮ（Transistor Outline Can）パッケージ（特許文献１）は、リードピンを用いて電気信号を端面発光レーザへ伝送するようになっている。リードピンは導電性ステムを貫通する。導電性ステムには冷却素子が搭載され、冷却素子の上にサブキャリア基板が載置され、サブキャリア基板に端面発光レーザが実装されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１１－１０８９３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

リードピンと端面発光レーザは、中継線路基板を介して電気的に接続されている。リードピンと中継線路基板は、金系はんだによって接合される。端面発光レーザと中継基板はボンディングワイヤによって接続される。中継線路基板を使用することで、ボンディングワイヤを短くして、高周波特性を向上させることができるが、金系はんだを使用することは高コストになる。

【0005】

本発明は、高周波特性の向上を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

光モジュールは、第１面および第２面を有し、前記第１面及び前記第２面の間で貫通する複数の貫通孔を有する導電性ステムと、信号リードピンを含み、前記複数の貫通孔の内側にそれぞれ位置し、前記導電性ステムとは誘電体で絶縁されてそれぞれ固定されている複数のリードピンと、上面及び下面を有し、前記上面及び前記下面の間で熱を移動させるようになっており、前記下面が前記第１面に固定されている熱電冷却器と、前記熱電冷却器の前記上面に固定され、前記熱電冷却器とは反対の面に配線パターンを有するサブマウント基板と、前記サブマウント基板に搭載され、前記配線パターンに電気的に接続され、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている光電素子と、前記信号リードピンの先端面と前記サブマウント基板の前記配線パターンを電気的に接続する信号ワイヤと、を有し、前記導電性ステムの前記第１面は、前記複数のリードピンが配列されている基準領域と、前記基準領域よりも低くなって前記熱電冷却器が搭載されている実装領域と、を含む。

【0007】

実装領域が基準領域よりも低いので、配線パターンの位置を低くすることができる。これにより、信号リードピンの先端面と配線パターンの高さの差が小さくなるので、信号ワイヤを短くして高周波特性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施形態に係る光モジュールの側面図である。

【図2】導電性ステム及びこれに搭載される電子部品の斜視図である。

【図3】導電性ステム及びこれに搭載される電子部品の平面図である。

【図4】図３に示す構造のIV－IV線断面図である。

【図5】光モジュールの分解斜視図である。

【図6】第２の実施形態に係る導電性ステム及びこれに搭載される電子部品の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。

【0010】

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る光モジュールの側面図である。光モジュール１００は、ＴＯ－ＣＡＮ（Transistor Outline-Can）型光モジュールであり、発光素子を備える光送信サブアセンブリ（TOSA: Transmitter Optical Sub-Assembly）、受光素子を備える光受信サブアセンブリ（ROSA: Receiver Optical Sub-Assembly）、発光素子及び受光素子の両方を備える双方向モジュール（BOSA；Bidirectional Optical Sub-Assembly）のいずれであってもよい。光モジュール１００は、フレキシブル基板（ＦＰＣ）１０２を有し、プリント基板（ＰＣＢ）１０４に接続されるようになっている。光モジュール１００は、導電性ステム１０を有する。

【0011】

図２は、導電性ステム１０及びこれに搭載される電子部品の斜視図である。図３は、導電性ステム１０及びこれに搭載される電子部品の平面図である。図４は、図３に示す構造のIV－IV線断面図である。

【0012】

［導電性ステム］
導電性ステム１０は、金属などの導電材料からなる。導電性ステム１０は、基準電位（例えばグラウンド）に接続される。導電性ステム１０は、アイレットを含む。

【0013】

導電性ステム１０は、第１面１２を有する。導電性ステム１０の第１面１２は、基準領域１４を含む。第１面１２は、基準領域１４よりも低い実装領域１６を含む。第１面１２は、実装領域１６の周囲に凸部１８を有する。凸部１８の上面が基準領域１４である。第１面１２は、凸部１８の周囲に、基準領域１４よりも低い外周領域２０を含む。外周領域２０の内側に凸部１８がある。

【0014】

導電性ステム１０は、第２面２２を有する。第２面２２は平坦になっている。導電性ステム１０は、第１面１２および第２面２２の間で貫通する複数の貫通孔２４を有する。複数の貫通孔２４は、基準領域１４に形成されている。

【0015】

［リードピン］
光モジュール１００は、複数のリードピン２６を有する。複数のリードピン２６は、基準領域１４に配列されている。複数のリードピン２６は、複数の貫通孔２４の内側にそれぞれ位置する。複数のリードピン２６は、導電性ステム１０とは誘電体２８（例えばガラス）で絶縁されてそれぞれ固定されており、これにより同軸線路が構成される。

【0016】

図４に示すように、複数のリードピン２６のそれぞれは、複数の貫通孔２４の内側にある軸部３０を含む。複数のリードピン２６のそれぞれは、第１面１２から突出する第１端部３２を含む。複数のリードピン２６のそれぞれは、第２面２２から突出する第２端部３４を含む。第２端部３４がフレキシブル基板１０２（図１）に接続される。

【0017】

複数のリードピン２６は、信号リードピン３６を含む。信号リードピン３６は、複数のリードピン２６の他のいずれよりも軸部３０が細い。信号リードピン３６は、第１端部３２が軸部３０よりも大径になっている。第１端部３２の先端面は平坦になっている。

【0018】

［熱電冷却器］
光モジュール１００は、熱電冷却器３８を有する。熱電冷却器３８は、上面４０及び下面４２を有する。上面４０及び下面４２は、セラミックなどの絶縁体からなる。熱電冷却器３８は、上面４０及び下面４２の間で熱を移動させるようになっている。熱電冷却器３８は、上面４０及び下面４２の間で熱を移動させるためのペルチェ素子４１を内部に有する。例えば、上面４０が吸熱面になり、下面４２が放熱面になるが、その逆に切り替えられるようになっている。熱電冷却器３８の電極は、ワイヤＷ１によって、リードピン２６に接続されている。

【0019】

熱電冷却器３８は、上面４０に導電膜４４を有する。導電膜４４は、基準電位プレーン（例えばグラウンドプレーン）となる。サーミスタ４６が導電膜４４に載って、電気的に接続し、温度を測定できるようになっている。サーミスタ４６は、ワイヤＷ２によってリードピン２６に接続されており、電圧が印加されるようになっている。

【0020】

熱電冷却器３８は、下面４２が第１面１２に固定されている。図４に示すように、非導電性接着剤４８が、熱電冷却器３８および第１面１２の間に介在する。熱電冷却器３８は、実装領域１６に搭載されている。非導電性接着剤４８が熱電冷却器３８および実装領域１６の間に介在して、両者を接着している。基準領域１４と実装領域１６の高さの差は、熱電冷却器３８の厚みの半分以上である。

【0021】

［サブマウント基板］
光モジュール１００は、サブマウント基板５０を有する。サブマウント基板５０は、第１面１２に少なくとも間接的に固定されている。熱電冷却器３８が、サブマウント基板５０と第１面１２との間に介在する。サブマウント基板５０は、熱電冷却器３８の上面４０に固定されている。サブマウント基板５０は、導電膜４４の上に搭載されている。

【0022】

図３に示すように、サブマウント基板５０は、熱電冷却器３８から信号リードピン３６への方向にオーバーハングしている。サブマウント基板５０は、基準領域１４の上方に端部を有する。サブマウント基板５０の端部は、導電性ステム１０から間隔があいている（図４）。

【0023】

サブマウント基板５０は、配線パターン５２を有する。配線パターン５２は、サブマウント基板５０の、熱電冷却器３８とは反対の面にある。配線パターン５２は、信号パターン５４を含む。信号パターン５４は、ワイヤＷ３によって光電素子５６（光変調器）に電気的に接続されて、高周波信号を入力するようになっている。

【0024】

配線パターン５２は、グラウンドパターン５８を含む。グラウンドパターン５８は、スルーホール６０を介して、搭載面とは反対側の裏面電極（図示せず）に接続されている。これにより、グラウンドパターン５８は、導電膜４４に電気的に導通する。

【0025】

サブマウント基板５０は、光電素子５６が搭載される搭載面を有する。搭載面に平行な方向に光軸を向けるように、光電素子５６は配置されている。なお、図示しない終端抵抗をサブマウント基板５０に設けて、高周波成分を有する変調電気信号の反射波が、駆動ＩＣ（図示せず）に折り返すことを抑制してもよい。

【0026】

［光電素子］
光モジュール１００は、光電素子５６を有する。光電素子５６は、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている。光電素子５６には、半導体レーザ及び光変調器が集積されている。半導体レーザには、ワイヤＷ４がボンディングされて、直流電圧を印加するようになっている。光変調器は、シングルエンド駆動されるようになっている。

【0027】

光電素子５６は、サブマウント基板５０に搭載されている。光電素子５６（裏面電極）は、配線パターン５２（グラウンドパターン５８）に電気的に接続されている。光電素子５６は、第１面１２に平行に光を出射する端面発光レーザである。出射された光は、ミラー６２で、第１面１２に交差する方向に反射される。

【0028】

導電性ステム１０には、バイパスコンデンサ６４が搭載されている。バイパスコンデンサ６４の裏面（一方の電極）が第１面１２に導通し、基準電位（例えばグラウンド）に接続される。バイパスコンデンサ６４の上面（他方の電極）は、ワイヤＷ５を介して、リードピン２６に接続され、電圧が印加されるようになっている。電圧は、ワイヤＷ４を介して、光電素子５６（半導体レーザ）にも接続されて直流電圧が供給される。バイパスコンデンサ６４によって、直流信号に重畳される高周波信号を分離している。

【0029】

［誘電体ブロック］
光モジュール１００は、誘電体ブロック６６を有する。誘電体ブロック６６は、表面にメタライズパターン６８を有する。誘電体ブロック６６は、導電性ステム１０の第１面１２に搭載されている。メタライズパターン６８が導電性ステム１０に電気的に導通する。メタライズパターン６８は、誘電体ブロック６６の下面から上面に至るように連続的に形成されている。

【0030】

［ワイヤ］
グラウンドワイヤ７０が、導電性ステム１０の第１面１２とグラウンドパターン５８を電気的に接続する。グラウンドワイヤ７０の一端は、誘電体ブロック６６のメタライズパターン６８にボンディングされている。

【0031】

信号ワイヤ７２が、信号リードピン３６の先端面とサブマウント基板５０の配線パターン５２を電気的に接続する。信号ワイヤ７２は、信号パターン５４にボンディングされる。

【0032】

実装領域１６が基準領域１４よりも低いので、配線パターン５２の位置を低くすることができる。これにより、信号リードピン３６の先端面と配線パターン５２の高さの差が小さくなるので、信号ワイヤ７２を短くして高周波特性を向上させることができる。

【0033】

［レンズキャップ］
図５は、光モジュール１００の分解斜視図である。レンズキャップ７４は、レンズ７６を有する。レンズ７６は、光電素子５６から出射してミラー６２で反射された光を集光するようになっている。そのため、レンズ７６は、導電性ステム１０の第１面１２の中心に対向する。これに対応して、ミラー６２も、導電性ステム１０の第１面１２の中心に位置している。レンズキャップ７４は、凸部１８をガイドとして、導電性ステム１０に取り付けられる。

【0034】

［第２の実施形態］
図６は、第２の実施形態に係る導電性ステム及びこれに搭載される電子部品の平面図である。１つ又は複数のワイヤ２７８が、第１面１２と導電膜４４を電気的に接続する。ワイヤ２７８の一端は、導電膜４４にボンディングされている。ワイヤ２７８の他端は、第１面１２の基準面にボンディングされている。ワイヤ２７８によって、導電膜４４をグラウンド電位に接続することができる。その他の内容には、第１の実施形態で説明したことが適用可能である。

【0035】

［実施形態の概要］
（１） 第１面１２および第２面２２を有し、第１面１２及び第２面２２の間で貫通する複数の貫通孔２４を有する導電性ステム１０と、信号リードピン３６を含み、複数の貫通孔２４の内側にそれぞれ位置し、導電性ステム１０とは誘電体２８で絶縁されてそれぞれ固定されている複数のリードピン２６と、上面４０及び下面４２を有し、上面４０及び下面４２の間で熱を移動させるようになっており、下面４２が第１面１２に固定されている熱電冷却器３８と、熱電冷却器３８の上面４０に固定され、熱電冷却器３８とは反対の面に配線パターン５２を有するサブマウント基板５０と、サブマウント基板５０に搭載され、配線パターン５２に電気的に接続され、光信号及び電気信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている光電素子５６と、信号リードピン３６の先端面とサブマウント基板５０の配線パターン５２を電気的に接続する信号ワイヤ７２と、を有し、導電性ステム１０の第１面１２は、複数のリードピン２６が配列されている基準領域１４と、基準領域１４よりも低くなって熱電冷却器３８が搭載されている実装領域１６と、を含む光モジュール１００。

【0036】

（２） （１）に記載された光モジュール１００であって、サブマウント基板５０は、熱電冷却器３８から信号リードピン３６への方向にオーバーハングし、基準領域１４の上方に端部を有する光モジュール１００。

【0037】

（３） （２）に記載された光モジュール１００であって、サブマウント基板５０の端部は、導電性ステム１０から間隔があいている光モジュール１００。

【0038】

（４） （１）から（３）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、基準領域１４と実装領域１６の高さの差は、熱電冷却器３８の厚みの半分以上である光モジュール１００。

【0039】

（５） （１）から（４）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、熱電冷却器３８および実装領域１６の間に介在する非導電性接着剤４８をさらに有する光モジュール１００。

【0040】

（６） （１）から（５）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、サブマウント基板５０の配線パターン５２は、信号ワイヤ７２がボンディングされる信号パターン５４と、グラウンドパターン５８と、を含み、導電性ステム１０の第１面１２とグラウンドパターン５８を電気的に接続するグラウンドワイヤ７０をさらに有する光モジュール１００。

【0041】

（７） （６）に記載された光モジュール１００であって、表面にメタライズパターン６８を有し、導電性ステム１０の第１面１２に搭載され、メタライズパターン６８が導電性ステム１０に電気的に導通する誘電体ブロック６６をさらに有し、グラウンドワイヤ７０の一端は、メタライズパターン６８にボンディングされている光モジュール１００。

【0042】

（８） （７）に記載された光モジュールであって、熱電冷却器３８は、上面４０に導電膜４４を有し、サブマウント基板５０は、導電膜４４の上に搭載されて、グラウンドパターン５８が導電膜４４に電気的に導通し、第１面１２と導電膜４４を電気的に接続する他のワイヤ２７８をさらに有する光モジュール。

【0043】

（９） （１）から（８）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、導電性ステム１０の第１面１２は、実装領域１６の周囲に凸部１８を有し、凸部１８の上面が基準領域１４であり、凸部１８の周囲に基準領域１４よりも低い外周領域２０を含み、凸部１８をガイドとして導電性ステム１０に取り付けられたレンズキャップ７４をさらに有する光モジュール１００。

【0044】

（１０） （１）から（９）のいずれか１つに記載された光モジュール１００であって、光電素子５６は、第１面１２に平行に光を出射する端面発光レーザであり、第１面１２に交差する方向に光を反射するミラー６２をさらに有する光モジュール１００。

【0045】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

【符号の説明】

【0046】

１０ 導電性ステム、１２ 第１面、１４ 基準領域、１６ 実装領域、１８ 凸部、２０ 外周領域、２２ 第２面、２４ 貫通孔、２６ リードピン、２８ 誘電体、３０ 軸部、３２ 第１端部、３４ 第２端部、３６ 信号リードピン、３８ 熱電冷却器、４０ 上面、４１ ペルチェ素子、４２ 下面、４４ 導電膜、４６ サーミスタ、４８ 非導電性接着剤、５０ サブマウント基板、５２ 配線パターン、５４ 信号パターン、５６ 光電素子、５８ グラウンドパターン、６０ スルーホール、６２ ミラー、６４ バイパスコンデンサ、６６ 誘電体ブロック、６８ メタライズパターン、７０ グラウンドワイヤ、７２ 信号ワイヤ、７４ レンズキャップ、７６ レンズ、１００ 光モジュール、１０２ フレキシブル基板、１０４ プリント基板、２７８ ワイヤ、Ｗ１ ワイヤ、Ｗ２ ワイヤ、Ｗ３ ワイヤ、Ｗ４ ワイヤ、Ｗ５ ワイヤ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】