特許 7542505 半導体製造装置及びその使用方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-22

(45)【発行日】2024-08-30

(54)【発明の名称】半導体製造装置及びその使用方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20240823BHJP

   H01L 21/67 20060101ALI20240823BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20240823BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 N

H01L21/78 Y

H01L21/68 E

H01L21/68 N

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2021154480

(22)【出願日】2021-09-22

(65)【公開番号】P2023045873

(43)【公開日】2023-04-03

【審査請求日】2023-09-07

(73)【特許権者】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(73)【特許権者】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100119035

【弁理士】

【氏名又は名称】池上 徹真

(74)【代理人】

【識別番号】100141036

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 章

(74)【代理人】

【識別番号】100178984

【弁理士】

【氏名又は名称】高下 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】中川 啓治

【審査官】宮久保 博幸

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１０－２７２６２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０９６１７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２７７８３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第０４５７５２２９（ＵＳ，Ａ）

【文献】特開平１１－０５４５９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２２８４７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０５６１５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－１３６２５７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

Ｈ０１Ｌ ２１／６７

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

粘着部材により基板が固定された第１開口部を有する環状フレームが載置される上面を有する台であって、
前記台を上下方向に貫通し、前記上面に平行な第１方向に並んで設けられた複数の第１貫通孔と、
前記複数の第１貫通孔のそれぞれの間に設けられ、前記台を前記上下方向に貫通した複数の第２貫通孔と、
を有する前記台と、
前記台の上に設けられた容器であって、
前記容器の下部に設けられ、前記第１開口部の第１内径より大きな第２内径を有し、前記環状フレームと密着可能な第２開口部と、
前記容器の外部と前記容器の内部を連通可能な継手と、
を有する前記容器と、
を備える半導体製造装置。

【請求項2】

前記粘着部材により前記基板が前記第１開口部に固定された前記環状フレームが前記上面に載置された状態で、前記複数の第１貫通孔及び前記複数の第２貫通孔は減圧され、
前記粘着部材により前記基板が固定された前記環状フレームに、前記第２開口部が密着された状態で、前記継手を用いて前記容器の内部は加圧される、
請求項１記載の半導体製造装置。

【請求項3】

前記複数の第２貫通孔のそれぞれは、前記第１方向に交差し前記上面に平行な第２方向に延伸する溝である、
請求項１又は請求項２記載の半導体製造装置。

【請求項4】

前記複数の第２貫通孔のそれぞれは、
第１部分と、
前記第１部分の上に設けられ、前記第１方向の幅が前記第１部分より大きい第２部分と、
を有する請求項１乃至請求項３いずれか一項記載の半導体製造装置。

【請求項5】

粘着部材により基板が固定された第１開口部を有する環状フレームが載置される上面を有する台であって、
前記台を上下方向に貫通し、前記上面に平行な第１方向に並んで設けられた複数の第１貫通孔と、
前記複数の第１貫通孔の内２つの前記第１貫通孔間に設けられ、前記台を前記上下方向に貫通した第２貫通孔と、
を有する前記台と、
前記台の上に設けられた容器であって、
前記容器の下部に設けられ、前記第１開口部の第１内径より大きな第２内径を有し、前記環状フレームと密着可能な第２開口部と、
前記容器の外部と前記容器の内部を連通可能な継手と、
を有する前記容器と、
を備える半導体製造装置。

【請求項6】

前記第２貫通孔は、前記第１方向に交差し前記上面に平行な第２方向に延伸する溝である、
請求項５記載の半導体製造装置。

【請求項7】

前記第１方向における前記第１貫通孔の第１幅は、前記第１方向における前記第２貫通孔の第２幅より大きい、
請求項１乃至請求項６いずれか一項記載の半導体製造装置。

【請求項8】

前記第２貫通孔は、
第１部分と、
前記第１部分の上に設けられ、前記第１方向の幅が前記第１部分より大きい第２部分と、
を有する請求項７記載の半導体製造装置。

【請求項9】

バリが形成されたダイシング溝を有する基板が、粘着部材により第１開口部に固定された環状フレームを、台を上下方向に貫通し、前記台の上面に平行な第１方向に並んで設けられた複数の第１貫通孔と、前記複数の第１貫通孔のそれぞれの間に設けられ、前記台を前記上下方向に貫通した複数の第２貫通孔と、を有する前記台の上に、前記ダイシング溝が前記第２貫通孔の上に配置されるように載置し、
容器であって、前記容器の下部に設けられ、前記第１開口部の第１内径より大きな第２内径を有し、前記環状フレームと密着可能な第２開口部と、前記容器の外部と前記容器の内部を連通可能な継手と、を有する前記容器を、前記環状フレームの上に、前記環状フレームに前記第２開口部が密着されるように載置し、
前記複数の第１貫通孔を減圧し、
前記複数の第２貫通孔を減圧し、
前記継手を用いて前記容器の内部を加圧する、
半導体製造装置の使用方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体製造装置及びその使用方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造においては、半導体ウェハ等の基板について、所定の半導体装置の形成工程を行った後に、かかる基板を、粘着部材を用いて、基板の径よりも大きな径の開口部を有する環状フレーム（ダイシングフレーム）の開口部に固定する。環状フレームに固定された基板は、所定のダイシング工程により、個片化される。その後、かかる個片化された基板は、粘着部材から剥離される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特許第３４８４９３６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明が解決しようとする課題は、ダイシング条件の最適化及びピックアップ条件の最適化を容易にする半導体製造装置及びその使用方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態の半導体製造装置は、粘着部材により基板が固定された第１開口部を有する環状フレームが載置される上面を有する台であって、台を上下方向に貫通し、上面に平行な第１方向に並んで設けられた複数の第１貫通孔と、複数の第１貫通孔のそれぞれの間に設けられ、台を上下方向に貫通した複数の第２貫通孔と、を有する台と、台の上に設けられた容器であって、容器の下部に設けられ、第１開口部の第１内径より大きな第２内径を有し、環状フレームと密着可能な第２開口部と、容器の外部と容器の内部を連通可能な継手と、を有する容器と、を備える。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態の半導体製造装置の模式断面図である。

【図2】実施形態の台の模式斜視図である。

【図3】実施形態の、ダイシング前の基板及び環状フレームの模式上面図である。

【図4】実施形態の半導体製造装置の使用方法のフローチャートである。

【図5】実施形態の半導体製造装置及びその使用方法の作用効果を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。

【0008】

本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。

【0009】

（実施形態）
実施形態の半導体製造装置は、粘着部材により基板が固定された第１開口部を有する環状フレームが載置される上面を有する台であって、台を上下方向に貫通し、上面に平行な第１方向に並んで設けられた複数の第１貫通孔と、複数の第１貫通孔のそれぞれの間に設けられ、台を上下方向に貫通した複数の第２貫通孔と、を有する台と、台の上に設けられた容器であって、容器の下部に設けられ、第１開口部の第１内径より大きな第２内径を有し、環状フレームと密着可能な第２開口部と、容器の外部と容器の内部を連通可能な継手と、を有する容器と、を備える。

【0010】

実施形態の半導体装置の製造方法は、バリが形成されたダイシング溝を有する基板が、粘着部材により第１開口部に固定された環状フレームを、台を上下方向に貫通し、台の上面に平行な第１方向に並んで設けられた複数の第１貫通孔と、複数の第１貫通孔のそれぞれの間に設けられ、台を上下方向に貫通した複数の第２貫通孔と、を有する台の上に、ダイシング溝が第２貫通孔の上に配置されるように載置し、容器であって、容器の下部に設けられ、第１開口部の第１内径より大きな第２内径を有し、環状フレームと密着可能な第２開口部と、容器の外部と容器の内部を連通可能な継手と、を有する容器を、環状フレームの上に、環状フレームに第２開口部が密着されるように載置し、複数の第１貫通孔を減圧し、複数の第２貫通孔を減圧し、継手を用いて容器の内部を加圧する。

【0011】

図１は、実施形態の半導体製造装置１００の模式図である。図２は、実施形態の、ダイシング前の基板Ｗ及び環状フレーム７０の模式上面図である。図２（ａ）は、実施形態の、ダイシング前の基板Ｗの模式上面図である。図２（ｂ）は、実施形態の環状フレーム７０の模式上面図である。図３は、実施形態の台の模式斜視図である。

【0012】

図１、図２及び図３を用いて、実施形態の半導体製造装置１００について説明をする。

【0013】

基板Ｗは、例えば、Ｓｉ（シリコン）ウェハ、ＳｉＣ（炭化珪素）ウェハ、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）ウェハ、又はＧａＮ（窒化ガリウム）ウェハ等である。基板Ｗには、結晶方位を示すオリエンテーションフラットＯが設けられていてもかまわない。

【0014】

図１には、ダイシング後の基板Ｗが図示されている。ダイシング後の、個片化された基板Ｗの端部には、バリＺを有するダイシング溝Ｙが形成されている。ダイシング溝Ｙの幅はＬ６である。図３（ａ）及び図３（ｂ）には、ダイシング前の基板Ｗが図示されている。

【0015】

実施形態の半導体製造装置及びその使用方法は、基板Ｗの厚みｔが７５μｍ以下の場合に、好ましく適用される。

【0016】

環状フレーム７０は、第１開口部７２を有する。第１開口部７２の内部には、粘着部材６０を用いて、基板Ｗが固定されている。そして、この状態で、基板Ｗのダイシングが行われる。

【0017】

粘着部材６０は、基板Ｗの固定、及びダイシングにより個片化された後の基板Ｗの固定のために用いられる。粘着部材６０は、例えば、ダイシングテープである。

【0018】

本実施形態の半導体製造装置１００は、例えば、ダイシング装置（ダイサー）によりダイシングされ、個片化された後の基板Ｗを、ピックアップ装置にて粘着部材６０から剥離する前に用いられる。なお、半導体製造装置１００は、例えば、ダイシング装置（ダイサー）と組み合わせて用いられてもかまわない。また、半導体製造装置１００は、例えば、ピックアップ装置と組み合わせて用いられてもかまわない。また、半導体製造装置１００は例えば、ダイシング装置（ダイサー）やピックアップ装置とは別に設けられていてもかまわない。

【0019】

ここで、Ｘ方向と、Ｘ方向に対して垂直に交差するＹ方向と、Ｘ方向及びＹ方向に垂直に交差するＺ方向を定義する。図３（ａ）及び図３（ｂ）においては、基板Ｗの基板面がＸＹ平面に平行に、また、オリエンテーションフラットＯがＸ方向に平行に配置されているものとして、基板Ｗの図示を行っている。また、図３（ｂ）においては、環状フレームＦの平面がＸＹ平面に平行に配置されているものとして、環状フレーム７０及び基板Ｗの図示を行っている。なお、例えば、Ｘ方向は第１方向の一例であり、Ｙ方向は第２方向の一例である。

【0020】

半導体製造装置１００は、台１０と、容器８０と、を備える。

【0021】

台１０、複数の第１貫通孔２と、複数の第２貫通孔４と、上面６と、を有する。

【0022】

上面６の上に、基板Ｗが固定された環状フレーム７０が載置される。上面６は、例えば、ＸＹ平面に平行に配置されている。図２において、ＸＹ平面に平行な面内における上面６の形状は、正方形である。しかし、ＸＹ平面に平行な面内における上面６の形状は、勿論正方形に限定されるものではない。

【0023】

複数の第１貫通孔２は、それぞれ、台１０をＺ方向（上下方向）に貫通している。また、複数の第１貫通孔２は、上面６に平行なＸ方向及びＹ方向に並んで設けられている。複数の第１貫通孔２は、粘着部材６０を介して、個片化された基板Ｗを吸着するために設けられている。複数の第１貫通孔２の個数は、少なくとも２個以上である。

【0024】

複数の第２貫通孔４は、複数の第１貫通孔２のそれぞれの間に設けられている。複数の第２貫通孔４は、複数の第１貫通孔の内２つの第１貫通孔２間に設けられている。そして、複数の第２貫通孔４は、台１０をＺ方向（上下方向）に貫通している。複数の第２貫通孔４は、減圧により粘着部材６０をバリＺから剥離するために設けられている。

【0025】

なお、図１においては、断面図による図示を容易にするため、複数の第１貫通孔２の個数及び複数の第２貫通孔４の個数を、図２に示した複数の第１貫通孔２の個数及び複数の第２貫通孔４の個数よりも、それぞれ減らして図示している。複数の第１貫通孔２の個数及び複数の第２貫通孔４の個数は、図１及び図２に図示したものに限定されるものではない。図１には、複数の第１貫通孔２としての、第１貫通孔２ａ、第１貫通孔２ｂ及び第１貫通孔２ｃが図示されている。また、図１には、複数の第２貫通孔４としての、第２貫通孔４ａ、第２貫通孔４ｂ、第２貫通孔４ｃ及び第２貫通孔４ｄが図示されている。

【0026】

ＸＹ平面に平行な面内における複数の第１貫通孔２の形状は、例えば、円である。しかし、ＸＹ平面に平行な面内における複数の第１貫通孔２の形状は、円に限定されるものではない。

【0027】

複数の第２貫通孔４の形状は、Ｙ方向に延伸する溝であることが好ましい。なお、図２に示されるように、Ｘ方向に延伸する複数の第２貫通孔４が設けられていてもかまわない。

【0028】

Ｘ方向における第１貫通孔２の第１幅Ｌ１は、Ｘ方向における第２貫通孔４の第２幅Ｌ２より大きいことが好ましい。また、第２貫通孔４ａは、第１部分４ａ１と、第１部分４ａ１の上に設けられ、Ｘ方向における幅が第１部分４ａ１の幅より大きい第２部分４ａ２と、を有することが好ましい。例えば、第１部分４ａ１の幅は第２幅Ｌ２であり、第２部分４ａ２の幅はＬ３である。なお同様に、第２貫通孔４ｂは、第１部分４ｂ１と、第２部分４ｂ２と、を有することが好ましい。第２貫通孔４ｃは、第１部分４ｃ１と、第２部分４ｃ２と、を有することが好ましい。第２貫通孔４ｄは、第１部分４ｄ１と、第２部分４ｄ２と、を有することが好ましい。

【0029】

Ｘ方向における第２貫通孔４の第２幅Ｌ２は、ダイシング溝Ｙの幅Ｌ６より大きいことが好ましい。

【0030】

なお、台１０には、粘着部材６０を軟化させて、基板Ｗから粘着部材６０を剥離しやすくするために、図示しないヒーターが設けられていても良い。

【0031】

容器８０は、台１０の上に設けられている。容器８０は、第２開口部８２と、継手８８と、を有する。

【0032】

第２開口部８２は、容器８０の下部に設けられている。第２開口部８２は、第１開口部７２の第１内径ｄ１より大きな第２内径ｄ２を有する。そして、環状フレーム７０と、密着可能となっている。密着可能とするために、例えば、容器８０の下面９０には、ガスケット用溝８４が設けられている。そして、ガスケット用溝８４に、ガスケット８６が配置されている。そして、かかるガスケット８６が環状フレーム７０と密着することにより、容器８０は、環状フレーム７０と密着可能となっている。ここでガスケット８６としては、特に限定されるものではないが、例えばゴム製のガスケット、ポリテトラフルオロエチレン製のガスケット、又は金属製のガスケット等を好ましく用いることができる。

【0033】

なお、容器８０が環状フレーム７０に密着可能となる構成は、上記のものに限定されない。

【0034】

継手８８は、容器８０に設けられている。継手８８は、容器８０の外部と容器８０の内部を連通可能とする。図１においては、継手８８は、容器８０の上部に設けられている。しかし、継手８８は、容器８０の上部に設けられていなくても良い。

【0035】

例えば、容器８０は、環状フレーム７０と密着可能であり、環状フレーム７０の上にかぶせられる蓋のようなものである。そして、例えば、かかる蓋の上部に、継手８８が設けられている。

【0036】

容器８０は、例えば、アルミニウムやＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ Ｕｓｅ Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ：ステンレス鋼）等の金属で形成されている。

【0037】

粘着部材６０により基板Ｗが第１開口部７２に固定された環状フレーム７０が、上面６に載置された状態で、複数の第１貫通孔２は、例えば図示しないドライポンプを用いて、減圧される（Ａ１）。同様に、複数の第２貫通孔４は、例えば図示しないドライポンプを用いて、減圧される（Ａ２）。

【0038】

また、粘着部材６０により基板Ｗが固定された環状フレーム７０に、容器８０の第２開口部８２が密着された状態で、例えば、継手８８に接続された図示しないガス配管及び図示しないレギュレーターを用いて、容器８０の内部に不活性ガス等のガスを供給する。これにより、容器８０の内部は加圧される（Ａ３）。このため、個片化された基板Ｗのそれぞれが、例えば、下方に加圧されることになる。

【0039】

次に、実施形態の半導体製造装置１００の使用方法について記載する。

【0040】

図４は、実施形態の半導体製造装置１００の使用方法を示すフローチャートである。

【0041】

まず、ダイシングされる前の基板Ｗを、粘着部材６０により、環状フレーム７０の第１開口部７２に固定する（Ｓ２）。次に、基板Ｗをダイシングする（Ｓ４）。

【0042】

次に、環状フレーム７０を、台１０の上に載置する。ここで、ダイシングにより形成されたダイシング溝Ｙが、第２貫通孔４の上に配置されるように、環状フレーム７０を載置する（Ｓ６）。なお、さらに、ダイシングにより個片化された基板Ｗが、第１貫通孔２の上に配置されるように、環状フレーム７０を載置する。

【0043】

次に、容器８０を、環状フレーム７０の上に載置する。ここで、容器８０は、環状フレーム７０の上に、環状フレーム７０に第２開口部８２が密着されるように載置する（Ｓ８）。

【0044】

次に、例えば台１０に設けられたヒーターにより、粘着部材６０を加熱する（Ｓ１０）。なお、例えば、環状フレーム７０を台１０の上に載置する前からヒーターの電源が入っていて、粘着部材６０を加熱する準備がされていてもかまわない。

【0045】

次に、複数の第１貫通孔２を減圧する（Ｓ１２）。

【0046】

次に、複数の第２貫通孔４を減圧する（Ｓ１４）。

【0047】

なお、複数の第１貫通孔２の減圧に用いるドライポンプと、複数の第２貫通孔４の減圧に用いるドライポンプは、それぞれ別に準備してもかまわない。また、図示しない配管とバルブを、適宜複数の第１貫通孔２及び複数の第２貫通孔４と１台のドライポンプの間に接続し、かかるバルブの開閉を制御することにより、１台のドライポンプで複数の第１貫通孔２と複数の第２貫通孔４を減圧することが可能である。

【0048】

次に、容器８０の内部を加圧する（Ｓ１６）。ここで、これにより、粘着部材６０をバリＺから剥離する（Ｓ１８）。

【0049】

次に、実施形態の半導体製造装置１００及びその使用方法の作用効果を記載する。

【0050】

ダイシング装置を用いて、基板Ｗをダイシングする際には、チッピングと呼ばれる基板Ｗの端部が欠ける現象、ダイシングにより基板Ｗに亀裂（クラック）が入る現象、基板Ｗの端部にバリが発生する現象、及び粘着部材６０の屑が発生する現象等が発生し得る。

【0051】

また、ピックアップ装置を用いて、ダイシングにより個片化された基板Ｗをピックアップする際には、ピックアップに失敗する現象（収得率又はピックアップ率が低下する現象）、ピックアップにより基板Ｗに亀裂（クラック）が入る現象、及び基板Ｗの端部が欠ける現象等が発生し得る。

【0052】

さらに、ダイシングにより発生する現象と、ピックアップにより発生する現象は、いずれも粘着部材６０の選定により変化し得る。

【0053】

そのため、ダイシングにより発生し得る上記の現象と、ピックアップにより発生し得る上記の現象のすべてをバランス良く抑制しながら、ダイシングするための条件及びピックアップするための条件を探すことが求められていた。しかし、ダイシングの際に発生する現象が抑制される条件が見つかっても、かかる条件がピックアップの際に発生する現象を抑制できるとは限らない。また、ピックアップの際に発生する現象が抑制される条件が見つかっても、かかる条件がダイシングの際に発生する現象を抑制できるとは限らない。そのため、ダイシング条件の最適化とピックアップ条件の最適化が困難であるという問題があった。

【0054】

図５は、実施形態の半導体製造装置１００及びその使用方法の作用効果を説明するための模式図である。図５（ａ）は、基板Ｗの厚みがより薄い場合の模式図であり、図５（ｂ）は基板Ｗの厚みがより厚い場合の模式図である。

【0055】

ダイシングは基板Ｗの上側から下側へとおこなわれる。従って、バリＺは、特に、基板Ｗの下面に形成される。従って、バリＺが粘着部材６０に食い込みやすいため、粘着部材６０から基板Ｗを剥離するのは困難であるという問題があった。

【0056】

特に、半導体装置として縦型のＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）が基板Ｗに形成されている場合には、基板Ｗの下面に金属電極が形成されている場合が多い。すると、ダイシングの際に、バリＺが金属電極に含まれる金属を含むことになる。かかる場合に、金属を含むバリＺが粘着部材６０により食い込みやすくなるため、粘着部材６０から基板Ｗを剥離するのは困難であるという問題があった。

【0057】

また、図５（ａ）に図示したように、基板Ｗの厚みがより薄い場合には、コレットＣを用いて基板Ｗをピックアップしようとしても、弾性変形率がより高いため、粘着部材６０が上に凸に変形すると共に、基板Ｗも粘着部材６０の変形にあわせて変形してしまう。一方、図５（ｂ）に図示したように、基板Ｗの厚みがより厚い場合には、弾性変形率がより低いため、粘着部材６０が上に凸に変形しても、基板Ｗは粘着部材６０の変形にあわせて変形しづらい。そのため、粘着部材６０の剥離はより容易である。

【0058】

そのため、基板Ｗの厚みがより薄い場合には、粘着部材６０から基板Ｗを剥離するのがより困難になるという問題があった。特に、半導体装置として縦型のＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）が基板Ｗに形成されている場合には、オン抵抗低減のために基板Ｗが薄膜化されることが好ましい。そのため、さらに粘着部材６０から基板Ｗを剥離するのは困難であるという問題があった。

【0059】

そこで、実施形態の半導体製造装置１００は、粘着部材６０により基板Ｗが固定された第１開口部７２を有する環状フレーム７０が載置される上面６を有する台１０であって、台１０を上下方向に貫通し、上面６に平行な第１方向に並んで設けられた複数の第１貫通孔２と、複数の第１貫通孔２のそれぞれの間に設けられ、台を上下方向に貫通した複数の第２貫通孔４と、を有する台１０と、台１０の上に設けられた容器８０であって、容器８０の下部に設けられ、第１開口部７２の第１内径ｄ１より大きな第２内径ｄ２を有し、環状フレーム７０と密着可能な第２開口部８２と、容器８０の外部と容器８０の内部を連通可能な継手８８と、を有する容器と、を備える。

【0060】

また、粘着部材６０により基板Ｗが第１開口部７２に固定された環状フレーム７０が上面６に載置された状態で、複数の第１貫通孔２及び複数の第２貫通孔４は減圧され、粘着部材６０により基板Ｗが固定された環状フレームに、第２開口部８２が密着された状態で、継手８８を用いて容器８０の内部は加圧される。

【0061】

複数の第１貫通孔２を減圧することにより、複数の第１貫通孔２の上の粘着部材６０を吸着する。これにより、複数の第１貫通孔２の上の、個片化された基板Ｗを吸着する。そのため、個片化された基板Ｗが上面６の上でひっくり返ってピックアップ出来なくなるような問題が発生しづらくなる。また、複数の第２貫通孔４を減圧することにより、第２貫通孔４の上に配置された粘着部材６０が下方に引っ張られる。そのため、個片化された基板Ｗの、特にバリＺから、粘着部材６０が剥離されやすくなる。さらに、容器８０の内部を加圧することにより、ダイシング溝Ｙを経由して、粘着部材６０が下方に押される。そのため、個片化された基板Ｗの、特にバリＺから、粘着部材６０がさらに剥離されやすくなる。このようにして、粘着部材６０の剥離が促進される。そのため、ピックアップ条件を考慮せずにダイシング条件を最適化すること、及びダイシング条件を考慮せずにピックアップ条件を最適化することが、より容易になる。よって、ダイシング条件の最適化及びピックアップ条件の最適化を容易にする半導体製造装置の提供が可能となる。

【0062】

複数の第２貫通孔４のそれぞれは、Ｙ方向に延伸する溝であることが好ましい。バリＺはダイシング溝Ｙに沿って形成されている。そのため、複数の第２貫通孔４の形状も、ダイシング溝Ｙ及びバリＺの形状に沿うように、Ｙ方向に延伸する溝であったほうが、複数の第２貫通孔４の減圧による粘着部材６０の剥離がより促進されるためである。

【0063】

Ｘ方向における第１貫通孔２の第１幅Ｌ１は、Ｘ方向における第２貫通孔４の第２幅Ｌ２より大きいことが好ましい。これは、個片化された基板Ｗをよりしっかり吸着した上で、粘着部材６０の剥離を行うために、第１貫通孔２の第１幅Ｌ１が大きい方が、好ましいからである。言い換えると、例えば第１貫通孔２の第１幅Ｌ１が小さく個片化された基板Ｗがしっかり吸着されていない状態で、第２貫通孔４を用いて粘着部材６０の剥離を行おうとすると、粘着部材６０の剥離に伴い個片化された基板Ｗが台１０の上でひっくり返り、ピックアップ装置によるピックアップがうまく行われなくなることが起こりえるためである。

【0064】

第２貫通孔４ａは、第１部分４ａ１と、第１部分４ａ１の上に設けられ、Ｘ方向の幅が第１部分４ａ１より大きい第２部分４ａ２と、を有することが好ましい。より幅の小さい第１部分４ａ１を設けることにより、第２貫通孔４ａを速く減圧し、粘着部材６０の剥離を速く行うことが出来るためである。また、剥離した粘着部材６０が第２部分４ａ２の内部におさまりやすくなるためである。言い換えると、第１部分４ａ１が設けられていない場合、減圧により、剥離した粘着部材６０が台１０の下方にまで引っ張られてしまうことがある。この場合、個片化された基板Ｗが共に引っ張られ、個片化された基板Ｗが上面６の上でひっくり返ってしまうことがある。第１部分４ａ１と第２部分４ａ２を設けることにより、これを抑制できる。なお。他の第２貫通孔４ｂ、第２貫通孔４ｃ及び第２貫通孔４ｄについても同様である。

【0065】

Ｘ方向における第２貫通孔４の第２幅Ｌ２は、ダイシング溝Ｙの幅Ｌ６より大きいことが好ましい。第２幅Ｌ２がＬ６以下である場合、減圧するための体積が小さすぎて、うまく粘着部材６０を剥離することが困難であるためである。

【0066】

実施形態の半導体製造装置及びその使用方法は、基板Ｗの厚みｔが７５μｍ以下の場合に、さらに好ましく適用される。基板Ｗの厚みがより薄い場合、弾性変形率がより大きいため、粘着部材６０の剥離がより困難になるためである。

【0067】

実施形態の半導体製造装置及びその使用方法によれば、ダイシング条件の最適化及びピックアップ条件の最適化を容易にする半導体製造装置及びその使用方法の提供が可能となる。

【0068】

本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態及び実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0069】

２ ：第１貫通孔
４ ：第２貫通孔
４ａ１ ：第１部分
４ａ２ ：第２部分
６ ：上面
１０ ：台
６０ ：粘着部材
７０ ：環状フレーム
７２ ：第１開口部
８０ ：容器
８２ ：第２開口部
８４ ：ガスケット用溝
８６ ：ガスケット
８８ ：継手
１００ ：半導体製造装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】