(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-26
(45)【発行日】2024-09-03
(54)【発明の名称】磁性材料、磁性部材、コイル及びインダクタ配線板
(51)【国際特許分類】
H01F 1/26 20060101AFI20240827BHJP
C08K 3/08 20060101ALI20240827BHJP
C08K 3/22 20060101ALI20240827BHJP
C08L 71/10 20060101ALI20240827BHJP
C08L 101/00 20060101ALI20240827BHJP
C08G 65/40 20060101ALI20240827BHJP
【ＦＩ】
H01F1/26
C08K3/08
C08K3/22
C08L71/10
C08L101/00
C08G65/40
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2021015119
(22)【出願日】2021-02-02
(65)【公開番号】P2022118537
(43)【公開日】2022-08-15
【審査請求日】2023-06-13
(73)【特許権者】
【識別番号】000004178
【氏名又は名称】ＪＳＲ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001070
【氏名又は名称】弁理士法人エスエス国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】西村 功
(72)【発明者】
【氏名】飯塚 俊介
(72)【発明者】
【氏名】田畑 有基
【審査官】井上 健一
(56)【参考文献】
【文献】再公表特許第２０１８／１９４０９９（ＪＰ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１７／１８３４６１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１８－０４１９５５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－３０２５３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／００５５３５７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００２－１５８４８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１９９８６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】再公表特許第２００７／０５２５２８（ＪＰ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １／２６
Ｃ０８Ｋ ３／０８
Ｃ０８Ｋ ３／２２
Ｃ０８Ｌ ７１／１０
Ｃ０８Ｌ １０１／００
Ｃ０８Ｇ ６５／４０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁性粉末（Ａ）と、下記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種の繰り返し単位を有する重合体（Ｂ）とを含有する、磁性材料であって、
前記磁性材料が、前記磁性粉末（Ａ）と、該磁性粉末（Ａ）を被覆する、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層とを有する磁性フィラーであり、
前記重合体（Ｂ）の含有割合が、前記磁性材料を構成する固形分１００質量％に対して、０．１～４０質量％である、
磁性材料。
【化1】
【請求項2】
前記式（１－１）～（１－３）におけるＸが、下記式（２－１）で表される基を含有する、請求項１に記載の磁性材料。【化2】
【請求項3】
前記磁性粉末（Ａ）が鉄元素を含む、請求項１または２に記載の磁性材料。
【請求項4】
前記被覆層が、更に硬化性化合物（Ｃ）及び硬化助剤（Ｄ）を含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の磁性材料。
【請求項5】
前記硬化性化合物（Ｃ）が、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物及びプロパルギル化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項４に記載の磁性材料。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか一項に記載の磁性材料から形成された磁性部材。
【請求項7】
請求項６に記載の磁性部材を含むコイル。
【請求項8】
請求項６に記載の磁性部材又は請求項７に記載のコイルを含むインダクタ配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁性材料、磁性部材、コイル及びインダクタ配線板に関する。
【背景技術】
【0002】
パワーインダクタ、高周波帯域用インダクタ、コモンモードチョークコイルと呼ばれるインダクタ素子が携帯電話機、スマートフォンなどの情報端末に数多く搭載されている。現在、動作信号の周波数が１ＭＨｚ以上、特に１０ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲にある高周波帯域用インダクタ素子の構造としては、例えば、コア部材にコイルを巻き付けた巻線構造、コア部材にコイル導体を積層した積層構造、複数の層状の絶縁層それぞれにコイルの一部を構成する配線層を形成し、配線層が形成された絶縁層同士を各配線層同士が電気的に接続されるように積層して絶縁部の厚さ内にコイルが作り込まれたフィルム構造が知られている。
【0003】
高周波帯域用インダクタ素子においては、特性として高いＱ値が求められることから空芯コイル、すなわち芯部が中空、あるいは非磁性体が充填された構造が一般的に採用されている。しかしながら、このような構造の高周波帯域用インダクタ素子は芯部が非磁性であり芯部の透磁率（比透磁率）を上げることが不可能であるため、インダクタ素子をより小型化しようとすると、高周波帯域で動作させた場合にインダクタンス（Ｌ値）が低下してしまうという欠点がある。
【0004】
特許文献１には、（Ａ）カルボキシ基を有する脂環式オレフィン重合体、（Ｂ）熱硬化剤、（Ｃ）磁性体、及び（Ｄ）溶剤を含有する熱硬化性磁性スラリーを用いれば、（Ｃ）磁性体の分散性に優れ、各成分を高濃度で含有することができ、電気絶縁性、高周波特性、透磁率などの特性に優れた電気絶縁層を形成できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】国際公開第２００４／２９１５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
近年の情報端末のさらなる薄型化、小型化の要求により、高周波帯域用インダクタ素子にも薄型化、小型化が求められている。
【0007】
高周波帯域用インダクタ素子のさらなる薄型化、小型化のためには、コイルの巻き数を減らし、コイルを構成する配線の断面積を小さくする必要がある。コイルの巻き数を減らし、コイルを構成する配線の断面積を小さくするためには、前記フィルム構造の高周波帯域用インダクタ素子が有利である。ところが、フィルム構造の高周波帯域用インダクタ素子では、単純にコイルの巻き数を減らし、コイルを構成する配線の断面積を小さくするとインダクタンスが低下してしまう。一方、フィルム構造の高周波帯域用インダクタ素子では、絶縁層の透磁率（μ’）を高めることができれば、高周波帯域用インダクタ素子のＬ値及びＱ値を向上させることができる。よって、絶縁層の透磁率をより高くすることができ、かつ損失係数を低減させることができる材料が求められている。
【0008】
しかしながら、前記特許文献１に係る熱硬化性磁性スラリーを用いてフィルム構造のインダクタ素子を形成した場合には、特に周波数が１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲では損失係数（μ’’／μ’）が大きくなってしまうおそれがある。よって、特許文献１が開示する材料は、高周波帯域用インダクタ素子の絶縁層（絶縁部）の材料として有用とは言い難い。
【0009】
本発明は、以上のことに鑑みてなされたものであり、周波数１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲における透磁率が高く、損失係数が小さく、かつ絶縁性の信頼性に優れる絶縁層を形成することができる磁性材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明者が、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、下記構成例によれば、前記課題を解決できることを見出した。
本発明の構成例は以下の通りである。
本発明の構成例は以下の通りである。
【0011】
［１］ 磁性粉末（Ａ）と、下記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種の繰り返し単位を有する重合体（Ｂ）とを含有する、磁性材料。
【0012】
【化1】
【0013】
［２］ 前記磁性材料が、
前記磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）とを含有する磁性組成物である、又は、
前記磁性粉末（Ａ）と、該磁性粉末（Ａ）を被覆する、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層とを有する磁性フィラーである、
［１］に記載の磁性材料。
前記磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）とを含有する磁性組成物である、又は、
前記磁性粉末（Ａ）と、該磁性粉末（Ａ）を被覆する、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層とを有する磁性フィラーである、
［１］に記載の磁性材料。
【0014】
［３］ 前記式（１－１）～（１－３）におけるＸが、下記式（２－１）で表される基を含有する、［１］又は［２］に記載の磁性材料。
【0015】
【化2】
【0016】
［４］ 前記磁性粉末（Ａ）が鉄元素を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の磁性材料。
【0017】
［５］ 前記磁性組成物又は前記被覆層が、更に硬化性化合物（Ｃ）及び硬化助剤（Ｄ）を含有する、［２］に記載の磁性材料。
［６］ 前記硬化性化合物（Ｃ）が、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物及びプロパルギル化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種である、［５］に記載の磁性材料。
［６］ 前記硬化性化合物（Ｃ）が、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物及びプロパルギル化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種である、［５］に記載の磁性材料。
【0018】
［７］ 前記磁性組成物が更に溶媒（Ｅ）を含有する、［２］に記載の磁性材料。
【0019】
［８］ ［１］～［７］のいずれかに記載の磁性材料から形成された磁性部材。
［９］ ［８］に記載の磁性部材を含むコイル。
［１０］ ［８］に記載の磁性部材又は［９］に記載のコイルを含むインダクタ配線板。
［９］ ［８］に記載の磁性部材を含むコイル。
［１０］ ［８］に記載の磁性部材又は［９］に記載のコイルを含むインダクタ配線板。
【発明の効果】
【0020】
本発明によれば、特に周波数１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲における透磁率が高く、損失係数が小さく、かつ絶縁性の信頼性に優れる絶縁層を提供することができ、ひいては、該絶縁層を含む高性能な高周波帯域用インダクタ素子を有する配線板を、簡便な工程により提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に記載された実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含むものとして理解されるべきである。
本明細書において、「～」を用いて記載された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味である。
本明細書において、「～」を用いて記載された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味である。
【0022】
１．磁性材料
本発明の一実施形態に係る磁性材料（以下「本材料」ともいう。）は、磁性粉末（Ａ）と、下記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種の繰り返し単位を有する重合体（Ｂ）とを含有する。
本発明の一実施形態に係る磁性材料（以下「本材料」ともいう。）は、磁性粉末（Ａ）と、下記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種の繰り返し単位を有する重合体（Ｂ）とを含有する。
【0023】
【化3】
【0024】
本材料の形態としては特に制限されないが、その好適例としては、
前記磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）とを含有する磁性組成物（以下「本組成物」ともいう。）、
前記磁性粉末（Ａ）と、該磁性粉末（Ａ）を被覆する、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層とを有する磁性フィラー（以下「本フィラー」ともいう。）
が挙げられる。
本組成物又は前記被覆層は、更に硬化性化合物（Ｃ）及び硬化助剤（Ｄ）を含有していてもよい。
前記磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）とを含有する磁性組成物（以下「本組成物」ともいう。）、
前記磁性粉末（Ａ）と、該磁性粉末（Ａ）を被覆する、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層とを有する磁性フィラー（以下「本フィラー」ともいう。）
が挙げられる。
本組成物又は前記被覆層は、更に硬化性化合物（Ｃ）及び硬化助剤（Ｄ）を含有していてもよい。
【0025】
＜磁性粉末（Ａ）＞
磁性粉末（Ａ）としては、Ｆｅ元素を含むことが好ましい。該磁性粉末（Ａ）としては、例えば、純鉄粉末、Ｆｅ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金粉末などのＦｅ合金類、Ｆｅ基アモルファス、Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類、Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ－Ｍｎ－Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライトなどのスピネル型フェライト類、Ｂａ－Ｚｎ系フェライト、Ｂａ－Ｍｇ系フェライト、Ｂａ－Ｎｉ系フェライト、Ｂａ－Ｃｏ系フェライト、Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライトなどの六方晶型フェライト類、Ｙ系フェライトなどのガーネット型フェライト類が挙げられる。これらの中でも、磁性粉末（Ａ）としては、Ｆｅ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金粉末等の、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類が好ましく、Ｓｉ及びＣｒを含むＦｅ合金類がより好ましい。
磁性粉末（Ａ）としては、Ｆｅ元素を含むことが好ましい。該磁性粉末（Ａ）としては、例えば、純鉄粉末、Ｆｅ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ－Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ－Ｎｉ－Ｃｏ系合金粉末などのＦｅ合金類、Ｆｅ基アモルファス、Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類、Ｍｇ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ－Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ－Ｍｎ－Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライトなどのスピネル型フェライト類、Ｂａ－Ｚｎ系フェライト、Ｂａ－Ｍｇ系フェライト、Ｂａ－Ｎｉ系フェライト、Ｂａ－Ｃｏ系フェライト、Ｂａ－Ｎｉ－Ｃｏ系フェライトなどの六方晶型フェライト類、Ｙ系フェライトなどのガーネット型フェライト類が挙げられる。これらの中でも、磁性粉末（Ａ）としては、Ｆｅ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ系合金粉末等の、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類が好ましく、Ｓｉ及びＣｒを含むＦｅ合金類がより好ましい。
【0026】
磁性粉末（Ａ）としては、市販の磁性粉末を用いることができる。該市販の磁性粉末の具体例としては、山陽特殊製鋼（株）製「ＰＳＴ－Ｓ」、エプソンアトミックス（株）製「ＡＷ２－０８」、「ＡＷ２－０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ８Ｆ」、「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ－３．５Ｓｉ－４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ－５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ－８０Ｎｉ－４ＭｏＰＦ２０Ｆ」、ＪＦＥケミカル（株）製「ＬＤ－Ｍ」、「ＬＤ－ＭＨ」、「ＫＮＩ－１０６」、「ＫＮＩ－１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ－１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ－１０９」、「ＫＮＩ－１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ－１０９ＧＳ」、戸田工業（株）製「ＫＮＳ－４１５」、「ＢＳＦ－５４７」、「ＢＳＦ－０２９」、「ＢＳＮ－１２５」、「ＢＳＮ－７１４」、「ＢＳＮ－８２８」、「Ｓ－１２８１」、「Ｓ－１６４１」、「Ｓ－１６５１」、「Ｓ－１４７０」、「Ｓ－１５１１」、「Ｓ－２４３０」、日本重化学工業（株）製「ＪＲ０９Ｐ２」、ＣＩＫナノテック（株）製「Ｎａｎｏｔｅｋ」、キンセイマテック（株）製「ＪＥＭＫ－Ｓ」、「ＪＥＭＫ－Ｈ」、ＳＩＧＭＡ－ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍｉｒｏｎｏｘｉｄｅ」が挙げられる。
【0027】
磁性粉末（Ａ）は、１種単独で用いてもよく、平均粒径や種類が異なる２種以上の粒子を用いてもよい。異なる粒径のフィラーを適切に用いることで本組成物の流動性が高まり、本フィラーにおける磁性粉末（Ａ）の充填性を高めることができる。
【0028】
磁性粉末（Ａ）の平均粒径は、０．１μｍ超であることが好ましく、より好ましくは０．１μｍを超え１００μｍ以下、更に好ましくは０．２～７０μｍ、特に好ましくは０．５～５０μｍである。
平均粒径が前記範囲にあることで、本組成物の流動性をより高めることで、凹凸部などでの形状制御や、成形体の透磁率を高く維持しながら損失係数を低減することができる。
本明細書における平均粒径は、（株）島津製作所製のＳＡＬＤ２３００を用い、分散溶媒としてトルエンを用いて回分セルで超音波分散処理を２分間行った後測定したＤ５０のことをいう。
平均粒径が前記範囲にあることで、本組成物の流動性をより高めることで、凹凸部などでの形状制御や、成形体の透磁率を高く維持しながら損失係数を低減することができる。
本明細書における平均粒径は、（株）島津製作所製のＳＡＬＤ２３００を用い、分散溶媒としてトルエンを用いて回分セルで超音波分散処理を２分間行った後測定したＤ５０のことをいう。
【0029】
磁性粉末（Ａ）は、表面処理が施された粉末であってもよい。該表面処理とは、粉末表面を改質するための操作をいう。この操作としては、例えば、粉末表面をカップリング剤で処理したり、粉末をプラズマ処理したりすることが挙げられる。このような表面処理により、表面の一部又は全面に官能基を有する磁性粉末（Ａ）を得ることができる。
【0030】
前記官能基は、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤等の公知のカップリング剤による表面処理によって形成された残基が挙げられるが、シラン系カップリング剤及びチタン系カップリング剤からなる群より選択されるカップリング剤の残基であることが好ましい。
表面の一部又は全面に官能基を有する磁性粉末（Ａ）を用いることで、該磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）との結合を強固にすることができ、本組成物の流動性をより高めることができる。
表面の一部又は全面に官能基を有する磁性粉末（Ａ）を用いることで、該磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）との結合を強固にすることができ、本組成物の流動性をより高めることができる。
【0031】
前述したような表面の一部又は全面に官能基を有する磁性粉末（Ａ）を得る際には、表面処理の一環として、予めプラズマ処理を施し、その後官能基を形成してもよい。例えば、酸素プラズマ処理を施すことにより、粉末の表面にＯＨ基が生じ、これにより、酸素原子を介して、該粉末とカップリング剤の残基との結合が容易になり、より強固に官能基を結合させることができる。
なお、磁性粉末（Ａ）において、粉末とカップリング剤の残基とが酸素原子を介して結合していることは、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計によって確認することができる。
なお、磁性粉末（Ａ）において、粉末とカップリング剤の残基とが酸素原子を介して結合していることは、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計によって確認することができる。
【0032】
また、前述した表面処理の下地には、別のコート処理が施されてもよい。かかるコート処理としては、シリコーン樹脂のような樹脂コートの他、シリカコート等が挙げられる。このようなコート処理が施されることにより、磁性粉末（Ａ）の絶縁性をより高めることができる。このようなコート処理は、必要に応じて施せばよい。このコート処理は、前述した表面処理の下地としてではなく、該コート処理を単独で施してもよい。
【0033】
磁性粉末（Ａ）の体積分率は、本材料を構成する固形分１００体積％（例：本組成物中の固形分１００体積％；本フィラーにおける磁性粉末（Ａ）と被覆層の合計の固形分１００体積％）に対して、好ましくは３５～９９体積％、より好ましくは４０～９５体積％である。
磁性粉末（Ａ）の体積分率が前記範囲にあると、磁性粉末（Ａ）の含有率が十分に高くなるため、良好な磁気特性を有する本材料が得られる。
前記磁性粉末（Ａ）の体積分率が前記下限値以上であると、磁性粉末（Ａ）の磁気特性によって、本材料の磁気特性が低下し得ることを抑制できる。一方で、磁性粉末（Ａ）の体積分率が前記上限値以下であると、相対的に重合体（Ｂ）の体積分率が低下して、本組成物の流動性が低下したり、本材料を硬化後の機械的特性が低下し得ることを抑制できる。
磁性粉末（Ａ）の体積分率が前記範囲にあると、磁性粉末（Ａ）の含有率が十分に高くなるため、良好な磁気特性を有する本材料が得られる。
前記磁性粉末（Ａ）の体積分率が前記下限値以上であると、磁性粉末（Ａ）の磁気特性によって、本材料の磁気特性が低下し得ることを抑制できる。一方で、磁性粉末（Ａ）の体積分率が前記上限値以下であると、相対的に重合体（Ｂ）の体積分率が低下して、本組成物の流動性が低下したり、本材料を硬化後の機械的特性が低下し得ることを抑制できる。
【0034】
＜重合体（Ｂ）＞
重合体（Ｂ）は、下記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種の繰り返し単位を有する。
本材料に含まれる重合体（Ｂ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。
重合体（Ｂ）は、下記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種の繰り返し単位を有する。
本材料に含まれる重合体（Ｂ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。
【0035】
【化4】
【0036】
Ｒ1におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0037】
Ｒ1における炭素数１～２０の１価の炭化水素基としては、例えば、１価の鎖状炭化水素基、１価の脂環式炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基が挙げられる。
【0038】
前記１価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等のアルキル基；エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等のアルキニル基が挙げられる。
【0039】
前記１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基；ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基；シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基；ノルボルネニル基等の多環のシクロアルケニル基が挙げられる。
【0040】
前記１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基が挙げられる。
【0041】
Ｒ1における炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基としては、例えば、前記炭素数１～２０の１価の炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子で置換した基が挙げられる。
【0042】
また、Ｒ1は、炭素数１～２０の１価の炭化水素基又は炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基における一部が酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１つで置換された基であってもよく、具体的には、該炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基の一部が－Ｏ－、－Ｓ－、エステル基やスルホニル基で置換されている基が挙げられる。
【0043】
Ｒ1におけるアミノ基としては特に制限されず、１級アミノ基（－ＮＨ2）でもよく、２級アミノ基（－ＮＨＲ）でもよく、３級アミノ基（－ＮＲ2）でもよい。
Ｒ1における２級アミノ基及び３級アミノ基における置換基（Ｒ）は特に限定されないが、例えば、前記炭素数１～２０の１価の炭化水素基が挙げられる。
前記アミノ基の塩におけるアニオン部位を構成するアニオンは特に限定されず、Ｃｌ-等の公知のアニオンが挙げられる。
Ｒ1における２級アミノ基及び３級アミノ基における置換基（Ｒ）は特に限定されないが、例えば、前記炭素数１～２０の１価の炭化水素基が挙げられる。
前記アミノ基の塩におけるアニオン部位を構成するアニオンは特に限定されず、Ｃｌ-等の公知のアニオンが挙げられる。
【0044】
Ｒ1としては、重合反応性よく重合体（Ｂ）を合成することができ、重合体（Ｂ）の原料となる単量体の溶解性を向上させる観点から、ハロゲン原子、炭素数１～６の１価の炭化水素基、炭素数１～６の１価のハロゲン化炭化水素基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、又はアミノ基の塩が好ましく、フッ素原子、塩素原子、メチル基、ニトロ基、シアノ基、ｔｅｒｔ－ブチル基、フェニル基、１級アミノ基がより好ましい。同様の観点から、ｎとしては、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
【0045】
前記式（１－１）におけるピリダジン環、前記式（１－２）におけるピリミジン環、前記式（１－３）におけるピラジン環に結合する２つの結合手（Ａ1に結合する結合手及びＡ2に結合する結合手）の位置は特に限定されないが、重合反応性よく重合体（Ｂ）を合成することができる観点からはメタ位が好ましい。
【0046】
前記式（１－１）～（１－３）で表される繰り返し単位の中では、重合反応性よく重合体（Ｂ）を合成することができ、各種有機溶媒への溶解性に優れる重合体（Ｂ）を容易に得ることができる等の観点から、ピリミジン骨格を有する前記式（１－２）で表される繰り返し単位が好ましい。
【0047】
前記式（１－１）～（１－３）で表される繰り返し単位の原料となる単量体（ピリダジン環、ピリミジン環又はピラジン環を含む部分の原料となる単量体）としては、例えば、４，６－ジクロロピリミジン、４，６－ジブロモピリミジン、２，４－ジクロロピリミジン、２，５－ジクロロピリミジン、２，５－ジブロモピリミジン、５－ブロモ－２－クロロピリミジン、５－ブロモ－２－フルオロピリミジン、５－ブロモ－２－ヨードピリミジン、２－クロロ－５－フルオロピリミジン、２－クロロ－５－ヨードピリミジン、２，４－ジクロロ－５－フルオロピリミジン、２，４－ジクロロ－５－ヨードピリミジン、５－クロロ－２，４，６－トリフルオロピリミジン、２，４，６－トリクロロピリミジン、４，５，６－トリクロロピリミジン、２，４，５－トリクロロピリミジン、２，４，５，６－テトラクロロピリミジン、２－フェニル－４，６－ジクロロピリミジン、２－メチルチオ－４，６－ジクロロピリミジン、２－メチルスルホニル－４，６－ジクロロピリミジン、５－メチル－４，６－ジクロロピリミジン、２－アミノ－４，６－ジクロロピリミジン、５－アミノ－４，６－ジクロロピリミジン、２，５－ジアミノ－４，６－ジクロロピリミジン、４－アミノ－２，６－ジクロロピリミジン、５－メトキシ－４，６－ジクロロピリミジン、５－メトキシ－２，４－ジクロロピリミジン、５－フルオロ－２，４－ジクロロピリミジン、５－ブロモ－２，４－ジクロロピリミジン、５－ヨード－２，４－ジクロロピリミジン、２－メチル－４，６－ジクロロピリミジン、６－メチル－２，４－ジクロロピリミジン、５－メチル－２，４－ジクロロピリミジン、５－ニトロ－２，４－ジクロロピリミジン、４－アミノ－２－クロロ－５－フルオロピリミジン、２－メチル－５－アミノ－４，６－ジクロロピリミジン、５－ブロモ－４－クロロ－２－メチルチオピリミジン；３，６－ジクロロピリダジン、３，５－ジクロロピリダジン、４－メチル－３，６－ジクロロピリダジン；２，３－ジクロロピラジン、２，６－ジクロロピラジン、２，５－ジブロモピラジン、２，６－ジブロモピラジン、２－アミノ－３，５－ジブロモピラジン、５，６－ジシアノ－２，３－ジクロロピラジンが挙げられる。なお、これらの単量体は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
【0048】
前記式（１－１）、（１－２）、（１－３）中のＡ1及びＡ2はそれぞれ独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、又は－Ｎ（Ｒ2）－である。Ａ1及びＡ2が－Ｏ－である場合、柔軟性や溶解性、耐熱性の点で好ましい。Ａ1及びＡ2が－Ｎ（Ｒ2）－である場合、密着性等の点で好ましい。
【0049】
Ｒ2は、水素原子、炭素数１～２０の１価の炭化水素基、炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基又はこれら炭化水素基若しくはハロゲン化炭化水素基における一部が酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１つで置換された基である。
Ｒ2における炭素数１～２０の１価の炭化水素基及び炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基としてはそれぞれ、例えば、前記Ｒ1で例示した炭素数１～２０の１価の炭化水素基及び炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基が挙げられる。また、Ｒ2は、炭素数１～２０の１価の炭化水素基又は炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基における一部が酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１つで置換された基であってもよく、具体的には、該炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基の水素原子の一部又は全部がエステル基やスルホニル基で置換されている基が挙げられる。
Ｒ2における炭素数１～２０の１価の炭化水素基及び炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基としてはそれぞれ、例えば、前記Ｒ1で例示した炭素数１～２０の１価の炭化水素基及び炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基が挙げられる。また、Ｒ2は、炭素数１～２０の１価の炭化水素基又は炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基における一部が酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１つで置換された基であってもよく、具体的には、該炭化水素基又はハロゲン化炭化水素基の水素原子の一部又は全部がエステル基やスルホニル基で置換されている基が挙げられる。
【0050】
Ｒ2としては、重合反応性よく重合体（Ｂ）を合成することができる観点から、水素原子又は炭素数１～１０の１価の炭化水素基が好ましい。
なお、Ａ1及びＡ2が共に、－Ｎ（Ｒ2）－である場合、２つのＲ2は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
なお、Ａ1及びＡ2が共に、－Ｎ（Ｒ2）－である場合、２つのＲ2は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【0051】
前記Ｘで表される２価の有機基としては、下記式（２－１）で表される基を含有することが好ましい。
【0052】
【化5】
【0053】
Ａｒ1及びＡｒ2で表される芳香族炭化水素基としては、それぞれ独立して、炭素数６～３０の芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基のいずれか１種であることがより好ましく、フェニル基又はナフチル基であることが特に好ましい。
【0054】
また、Ａｒ1及びＡｒ2で表される芳香族炭化水素基は、各々１～８個の置換基を有してもよい。Ａｒ1及びＡｒ2で表される芳香族炭化水素基が有する置換基数は、重合反応性よく重合体（Ｂ）を合成することができる観点から、それぞれ、好ましくは０～８個より好ましくは０～４個、更に好ましくは０～２個である。
【0055】
置換基としては特に制限されないが、例えば、ハロゲン原子、炭素数１～２０の１価の炭化水素基、炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～２０のアルキルチオ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、スルホン酸基、ホスホン酸基、リン酸基、ヒドロキシ基、１～３級アミノ基、カルボキシ基の塩、スルホン酸基の塩、ホスホン酸基の塩、リン酸基の塩、ヒドロキシ基の塩、又は１～３級アミノ基の塩が挙げられる。
【0056】
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【0057】
炭素数１～２０の１価の炭化水素基としては、例えば、前記Ｒ1で表される基として例示した炭素数１～２０の１価の炭化水素基が挙げられる。
【0058】
炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基としては、例えば、前記Ｒ1で表される基として例示した炭素数１～２０の１価のハロゲン化炭化水素基が挙げられる。
【0059】
炭素数１～２０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基が挙げられる。
【0060】
炭素数１～２０のアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基が挙げられる。
【0061】
２級アミノ基（－ＮＨＲ）及び３級アミノ基（－ＮＲ2）における置換基（Ｒ）は特に限定されないが、例えば、前記Ｒ1で表される基として例示した炭素数１～２０の１価の炭化水素基が挙げられる。
【0062】
カルボキシ基の塩、スルホン酸基の塩、ホスホン酸基の塩、リン酸基の塩、ヒドロキシ基の塩、及び１～３級アミノ基の塩におけるカチオン部位を構成するカチオンは特に限定されず、Ｎａ+等の公知のカチオンが挙げられる。
【0063】
Ａｒ1及びＡｒ2における芳香族炭化水素基の置換基としては、重合反応性よく重合体（Ｂ）を合成することができる観点から、ハロゲン原子、炭素数１～３の１価の炭化水素基、炭素数１～３の１価のハロゲン化炭化水素基、炭素数１～３のアルコキシ基、炭素数１～３のアルキルチオ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、スルホン酸基、ホスホン酸基、リン酸基、ヒドロキシ基、１～３級アミノ基、カルボキシ基の塩、スルホン酸基の塩、ホスホン酸基の塩、リン酸基の塩、ヒドロキシ基の塩、又は１～３級アミノ基の塩が好ましく、フッ素原子、塩素原子、メチル基、エチル基、フルオロメチル基、メトキシ基、メチルチオ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、スルホン酸基、ホスホン酸基、リン酸基、ヒドロキシ基、１～３級アミノ基、カルボキシ基の塩、スルホン酸基の塩、ホスホン酸基の塩、リン酸基の塩、ヒドロキシ基の塩、又は１～３級アミノ基の塩がより好ましい。
【0064】
Ｌにおける２価の有機基としては、炭素数１～２０の２価の有機基が好ましく、例えば、メチレン基、炭素数２～２０のアルキレン基、ハロゲン化メチレン基、炭素数２～２０のハロゲン化アルキレン基、２価のカルド構造が挙げられる。
【0065】
Ｌにおける炭素数２～２０のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ－ブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ネオペンチレン基、４－メチル－ペンタン－２，２－ジイル基、ノナン－１，９－ジイル基、デカン－１，１－ジイル基が挙げられる。
【0066】
Ｌにおけるハロゲン化メチレン基としては、例えば、メチレン基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子で置換した基が挙げられる。
【0067】
Ｌにおける炭素数２～２０のハロゲン化アルキレン基としては、例えば、前記炭素数２～２０のアルキレン基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子で置換した基が挙げられる。
【0068】
Ｌにおける２価のカルド構造としては、例えば、フルオレンに由来する２価の基（即ち、フルオレンにおける２つの水素原子を除いた基）、フェノールフタレインに由来する２価の基（即ち、フェノールフタレインにおける２つの水素原子を除いた基）、下記式（Ｌ１）で表される基が挙げられる。なお、フルオレンに由来する２価の基、及びフェノールフタレインに由来する２価の基においては、水素原子の一部又は全部が炭素数１～２０の１価の鎖状炭化水素基で置換されていてもよく、更には、該置換基を含めた水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい。
【0069】
【化6】
【0070】
Ｒcで表される環員数５～３０の２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、環員数５～１５の単環の脂環式炭化水素基、環員数５～１５の単環のフッ素化脂環式炭化水素基、環員数７～３０の多環の脂環式炭化水素基、環員数７～３０の多環のフッ素化脂環式炭化水素基が挙げられる。
【0071】
前記環員数５～１５の単環の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンタン－１，１－ジイル基、シクロヘキサン－１，１－ジイル基、３，３，５－トリメチルシクロヘキサン－１，１－ジイル基、シクロペンテン－３，３－ジイル基、シクロヘキセン－３，３－ジイル基、シクロオクタン－１，１－ジイル基、シクロデカン－１，１－ジイル基、シクロドデカン－１，１－ジイル基、これらの基の水素原子の一部又は全部が炭素数１～２０の１価の鎖状炭化水素基で置換された基が挙げられる。
【0072】
前記環員数５～１５の単環のフッ素化脂環式炭化水素基としては、例えば、前記環員数５～１５の単環の脂環式炭化水素基として例示した基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
【0073】
前記環員数７～３０の多環の脂環式炭化水素基としては、例えば、ノルボルナン、ノルボルネン、アダマンタン、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン、トリシクロ［５．２．１．０2,6］ヘプタン、ピナン、カンファン、デカリン、ノルトリシクラン、ペルヒドロアントラセン、ペルヒドロアズレン、シクロペンタノヒドロフェナントレン、ビシクロ［２．２．２］－２－オクテン等の多環の脂環式炭化水素の１つの炭素原子に結合している２つの水素原子を除いた基、これらの基の水素原子の一部又は全部が炭素数１～２０の１価の鎖状炭化水素基で置換された基が挙げられる。
【0074】
前記環員数７～３０の多環のフッ素化脂環式炭化水素基としては、例えば、前記環員数７～３０の多環の脂環式炭化水素基として例示した基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
【0075】
Ｌとしては、重合体（Ｂ）の構造安定性の観点から、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（Ｏ）－、－Ｓ（Ｏ）－、－Ｓ（Ｏ）2－、－Ｃ（Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（Ｏ）－Ｏ－、メチレン基、炭素数２～５のアルキレン基、ハロゲン化メチレン基、炭素数２～１０のハロゲン化アルキレン基、又は２価のカルド構造が好ましい。同様の観点から、ｙは、０～４が好ましく、０～３がより好ましい。
【0076】
Ｒ6及びＲ7における炭素数２～４のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ－ブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基が挙げられる。Ｒ6及びＲ7としてはそれぞれ独立して、重合反応性よく重合体（Ｂ）を合成することができる観点から、単結合、メチレン基、又はエチレン基が好ましい。
【0077】
前記式（１－１）～（１－３）で表される繰り返し単位の原料となる単量体（Ｘを含む部分の原料となる単量体）としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール、フェニルヒドロキノン等のジヒドロキシフェニル化合物；９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）フルオレン、９，９－ビス（４－ヒドロキシ－３－フェニルフェニル）フルオレン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１－フェニルエタン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－３－フェニルフェニル）プロパン、４，４’－（１，３－ジメチルブチリデン）ビスフェノール、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－ノナン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－デカン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，４－ビス［２－（４－ヒドロキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン、１，３－ビス［２－（４－ヒドロキシフェニル）－２－プロピル］ベンゼン等のビスフェノール化合物が挙げられる。なお、これらの単量体は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
【0078】
重合体（Ｂ）は、通常、前記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種の繰り返し単位以外に、必要に応じてその他の構造単位や、末端構造を有していてもよい。従って、前記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種の繰り返し単位は、該繰り返し単位同士が結合するか、前記その他の構造単位や末端構造と結合する。
【0079】
前記他の構造単位を誘導する単量体としては、例えば、ジフェニルカーボネート、ジフェニルチオカーボネート、ジフェニルセレノカーボネート、ホスゲン、チオホスゲン、セレノホスゲン等のカーボネート結合、チオカーボネート結合又はセレノカーボネート結合を含む構造単位を誘導する化合物；ベンゼンジメタノール、シクロヘキサンジメタノール等のジヒドロキシ化合物；ビス（フルオロフェニル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（フルオロフェニル）ナフチルホスフィンオキシド、ビス（フルオロフェニル）アントリルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド化合物；フタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジクロリド、テレフタル酸ジクロリド等のジカルボン酸のジハロゲン化物が挙げられる。なお、これらの単量体は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
【0080】
前記末端構造としては、前記式（１－１）～（１－３）で表される繰り返し単位の原料となる単量体由来の構造、前記他の構造単位を誘導する単量体由来の構造、又は、所望の末端封止剤由来の構造が挙げられる。
【0081】
重合体（Ｂ）中の前記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位の含有割合は、重合体（Ｂ）中の全繰り返し単位の合計１００モル％に対し、好ましくは１～９５モル％、より好ましくは５～８０モル％である。
【0082】
重合体（Ｂ）の合成方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、前記式（１－１）、（１－２）及び（１－３）で表される繰り返し単位の原料となる単量体と、必要に応じて、前記他の構造単位を誘導する単量体や末端封止剤とを、有機溶媒中、アルカリ金属やアルカリ金属化合物等と共に加熱することで合成することができる。
【0083】
重合体（Ｂ）の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、好ましくは５００、より好ましくは１，０００、更に好ましくは２，０００、特に好ましくは３，０００である。該Ｍｗの上限は、好ましくは６００，０００、より好ましくは３００，０００、更に好ましくは２００，０００である。
【0084】
重合体（Ｂ）のガラス転移温度（Ｔｇ）の下限は、好ましくは７０℃、より好ましくは８０℃であり、上限は、加工性の点から、好ましくは３２０℃、より好ましくは３００℃である。
【0085】
これら重合体（Ｂ）としては、例えば、特開２０１５－２０９５１１号公報、国際公開第２０１６／１４３４４７号、特開２０１７－１９７７２５号公報、特開２０１８－０２４８２７号公報等に記載の重合体を例示できる。
【0086】
重合体（Ｂ）の含有割合は、本材料を構成する固形分１００質量％（例：本組成物中の固形分１００質量％；本フィラーにおける磁性粉末（Ａ）と被覆層の合計の固形分１００質量％）に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上であり、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。
重合体（Ｂ）の含有割合が前記範囲にあると、特に周波数１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲における透磁率が高く、損失係数が小さく、かつ絶縁性の信頼性に優れる絶縁層を容易に形成することができる。
重合体（Ｂ）の含有割合が前記範囲にあると、特に周波数１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲における透磁率が高く、損失係数が小さく、かつ絶縁性の信頼性に優れる絶縁層を容易に形成することができる。
【0087】
＜硬化性化合物（Ｃ）＞
硬化性化合物（Ｃ）（以下「化合物（Ｃ）」ともいう。）は、熱や光（例えば、可視光、紫外線、近赤外線、遠赤外線、電子線）の照射により硬化する化合物であり、後述する硬化助剤（Ｄ）を必要とするものであってもよい。このような化合物（Ｃ）としては、例えば、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、アクリル化合物、メタクリル化合物、ウレタン化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物、及びプロパルギル化合物が挙げられる。これらの中でも、重合体（Ｂ）との相容性、耐熱性等の特性上の点から、特に、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物、及びプロパルギル化合物のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
化合物（Ｃ）は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
硬化性化合物（Ｃ）（以下「化合物（Ｃ）」ともいう。）は、熱や光（例えば、可視光、紫外線、近赤外線、遠赤外線、電子線）の照射により硬化する化合物であり、後述する硬化助剤（Ｄ）を必要とするものであってもよい。このような化合物（Ｃ）としては、例えば、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、アクリル化合物、メタクリル化合物、ウレタン化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物、及びプロパルギル化合物が挙げられる。これらの中でも、重合体（Ｂ）との相容性、耐熱性等の特性上の点から、特に、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、オキセタン化合物、メチロール化合物、及びプロパルギル化合物のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
化合物（Ｃ）は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
【0088】
前記エポキシ化合物としては、例えば、下記式（ｃ１－１）～（ｃ１－６）で表される化合物が挙げられる。なお、下記式（ｃ１－６）で表される化合物は、ＪＳＲ（株）製のエポキシ基含有ＮＢＲ粒子「ＸＥＲ－８１」である。
前記エポキシ化合物としては更に、ジシクロペンタジエン・フェノール重合物のポリグリシジルエーテル、フェノールノボラック型液状エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、スチレン－ブタジエンブロック共重合体のエポキシ化物、３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等も挙げられる。
前記エポキシ化合物としては更に、ジシクロペンタジエン・フェノール重合物のポリグリシジルエーテル、フェノールノボラック型液状エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、スチレン－ブタジエンブロック共重合体のエポキシ化物、３’，４’－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等も挙げられる。
【0089】
【化7】
【0090】
前記シアネートエステル化合物としては、例えば、下記式（ｃ２－１）～（ｃ２－７）で表される化合物が挙げられる。
【0091】
【化8】
【0092】
前記ビニル化合物としては、例えば、下記式（ｃ３－１）～（ｃ３－５）で表される化合物が挙げられる。
【0093】
【化9】
【0094】
前記シリコーン化合物としては、例えば、下記式（ｃ４－１）～（ｃ４－１６）で表される化合物が挙げられる。なお、式（ｃ４－１）におけるＲとしては、下記のいずれかが選択され、アクリロイル基を有する基が選択される場合には、前記アクリル化合物として取り扱うこともでき、メタクリロイル基を有する基が選択される場合には、前記メタクリル化合物として取り扱うこともでき、オキセタン基を有する基が選択される場合には、前記オキセタン化合物として取り扱うこともできる。また、式（ｃ４－２）～（ｃ４－１６）において、Ｒはそれぞれ独立して、アルキル基、脂環式飽和炭化水素基、アリール基、及びアルケニル基から選ばれる有機基であり、ｎは０～１０００の整数（好ましくは０～１００の整数）である。前記アルキル基、前記脂環式飽和炭化水素基、前記アリール基、及び前記アルケニル基としては、それぞれ、前記式（１）のＲ1の説明において例示した基と同様の基等を挙げることができる。
【0095】
【化10】
【0096】
前記オキサジン化合物としては、例えば、下記式（ｃ５－１）～（ｃ５－５）で表される化合物が挙げられる。
【0097】
【化11】
【0098】
前記マレイミド化合物としては、例えば、下記式（ｃ６－１）～（ｃ６－５）で表される化合物が挙げられる。
【0099】
【化12】
【0100】
前記アリル化合物としては、例えば、下記式（ｃ７－１）～（ｃ７－６）で表される化合物が挙げられる。特に、このアリル化合物としては、２つ以上（特に２～６、更には２～３）のアリル基を有する化合物が好ましい。
【0101】
【化13】
【0102】
前記オキセタン化合物としては、例えば、下記式（ｃ８－１）～（ｃ８－３）で表される化合物が挙げられる。
【0103】
【化14】
【0104】
前記メチロール化合物としては、例えば、特開２００６－１７８０５９号公報及び特開２０１２－２２６２９７号公報に記載のメチロール化合物が挙げられる。具体的には、例えば、ポリメチロール化メラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサプロポキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン等のメラミン系メチロール化合物；ポリメチロール化グリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリル等のグリコールウリル系メチロール化合物；３，９－ビス［２－（３，５－ジアミノ－２，４，６－トリアザフェニル）エチル］－２，４，８，１０－テトラオキソスピロ［５．５］ウンデカン、３，９－ビス［２－（３，５－ジアミノ－２，４，６－トリアザフェニル）プロピル］－２，４，８，１０－テトラオキソスピロ［５．５］ウンデカン等のグアナミンをメチロール化した化合物、及び当該化合物中の活性メチロール基の全部又は一部をアルキルエーテル化した化合物等のグアナミン系メチロール化合物が挙げられる。
【0105】
前記プロパギル化合物としては、例えば、下記式（ｃ９－１）～（ｃ９－２）で表される化合物が挙げられる。
【0106】
【化15】
【0107】
化合物（Ｃ）の含有割合は、本材料を構成する固形分１００質量％（例：本組成物中の固形分１００質量％；本フィラーにおける磁性粉末（Ａ）と被覆層の合計の固形分１００質量％）に対して、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、更に好ましくは０．５質量％以上であり、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、更に好ましくは２０質量％以下である。
化合物（Ｃ）の含有割合が前記範囲にあると、本材料の硬化物の靱性、耐熱性、耐薬品性をより向上させることができる等の点から好ましい。
化合物（Ｃ）の含有割合が前記範囲にあると、本材料の硬化物の靱性、耐熱性、耐薬品性をより向上させることができる等の点から好ましい。
【0108】
また、化合物（Ｃ）及び重合体（Ｂ）の合計を１００質量％とした場合に、化合物（Ｃ）の含有割合は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上、更に好ましくは１０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９５質量％以下、更に好ましくは９０質量％以下である。
化合物（Ｃ）の含有割合が前記範囲にあると、本材料の硬化物の靱性、耐熱性、耐薬品性をより向上させることができる等の点から好ましい。
化合物（Ｃ）の含有割合が前記範囲にあると、本材料の硬化物の靱性、耐熱性、耐薬品性をより向上させることができる等の点から好ましい。
【0109】
＜硬化助剤（Ｄ）＞
硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、硬化剤、熱反応開始剤(熱ラジカル発生剤、熱酸発生剤、熱塩基発生剤)、光反応開始剤（光ラジカル発生剤、光酸発生剤、光塩基発生剤）等の重合開始剤が挙げられる。
硬化助剤（Ｄ）は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、硬化剤、熱反応開始剤(熱ラジカル発生剤、熱酸発生剤、熱塩基発生剤)、光反応開始剤（光ラジカル発生剤、光酸発生剤、光塩基発生剤）等の重合開始剤が挙げられる。
硬化助剤（Ｄ）は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
【0110】
化合物（Ｃ）としてエポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、アミン系硬化剤、酸系又は酸無水物系硬化剤、塩基性活性水素化合物、イミダゾール類、ポリメルカプタン系硬化剤、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート系硬化剤、ルイス酸等の硬化剤が挙げられる。
【0111】
前記アミン系硬化剤としては、例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンジアミン、イミノビスプロピルアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン、１，３，６－トリスアミノメチルヘキサン等のポリアミン；メンセンジアミン（ＭＤＡ）、イソホロンジアミン（ＩＰＤＡ）、ビス（４－アミノ－３－メチルシクロヘキシル）メタン、ジアミノジシクロヘキシルメタン、ビスアミノメチルシクロヘキサン、３，９－ビス（３－アミノプロピル）－２，４，８，１０－テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、三井化学（株）製のＮＢＤＡに代表されるノルボルナン骨格のジアミン等の環状脂肪族ポリアミン；メタキシリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の芳香環を含む脂肪族ポリアミン；メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジエチルジフェニルメタン等の芳香族ポリアミン、及びこれらの誘導体が挙げられる。
【0112】
更に、他のアミン系硬化剤として、例えば、ポリアミンにアルデヒド及び／又はフェノール類を反応させることにより得られるマンニッヒ変性アミン；アミンアダクト（ポリアミンエポキシ樹脂アダクト）、ポリアミン－エチレンオキシドアダクト、ポリアミン－プロピレンオキシドアダクト、シアノエチル化ポリアミン、脂肪族ポリアミンとケトンとの反応物であるケチミン；テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、ピペリジン、ピリジン、ベンジルジメチルアミン、ピコリン、２－（ジメチルアミノメチル）フェノール、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルベンジルアミン、ジメチルヘキシルアミン、ジメチルアミノフェノール、ジメチルアミノ－ｐ－クレゾール、Ｎ，Ｎ’－ジメチルピペラジン、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、２，４，６－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン等の第二級アミン類又は第三級アミン類；ダイマー酸と、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等のポリアミンとを反応させてなる液体ポリアミドが挙げられる。
【0113】
前記酸系又は酸無水物系硬化剤としては、例えば、アジピン酸、アゼライン酸、デカンジカルボン酸等のポリカルボン酸；無水フタル酸、無水トリメリット酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）、無水ピロメリット酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物等の芳香族酸無水物；無水マレイン酸、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、アルケニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、無水メチルハイミック酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ポリ（フェニルヘキサデカン二酸）無水物等の環状脂肪族酸無水物；ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物、ドデセニル無水コハク酸、ポリ（エチルオクタデカン二酸）無水物等の脂肪族酸無水物；クロレンド酸無水物、テトラブロモ無水フタル酸等のハロゲン化酸無水物等が挙げられる。
【0114】
前記塩基性活性水素化合物としては、例えば、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジドが挙げられる。
【0115】
前記イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾリウムイソシアヌレート、２，４－ジアミノ－６－［２－メチルイミダゾリン－（１）］－エチル－Ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２－エチル－４－メチルイミダゾリン－（１）］－エチル－Ｓ－トリアジンが挙げられる。
【0116】
前記ポリメルカプタン系硬化剤としては、例えば、２，２’－ビスメルカプトエチルエーテルの部分エポキシ付加物；ペンタエリスリトールテトラチオグリコレート、ジペンタエリスリトールヘキサチオグリコレート、トリメチロールプロパントリスチオグリコレート等のチオグリコール酸のエステル；末端にメルカプト基を有するポリスルフィドゴム等のメルカプト基を含む化合物が挙げられる。
【0117】
前記イソシアネート系硬化剤としては、例えば、トルエンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート等のイソシアネート化合物；イソシアネート基を、フェノール、アルコール、カプロラクタム等のブロック化剤と反応させてマスクしてなるブロックイソシアネート化合物が挙げられる。
【0118】
前記ルイス酸としては、例えば、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩が挙げられる。
【0119】
また、化合物（Ｃ）としてエポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物、トリアジン化合物、ニトロベンジル化合物のほか、有機ハロゲン化物類、ジスルホン等の光酸発生剤を用いることもできる。
【0120】
更に、化合物（Ｃ）としてエポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、（Ｚ）－｛［ビス（ジメチルアミノ）メチリデン］アミノ｝－Ｎ－シクロヘキシル（シクロヘキシルアミノ）メタンイミニウム＝テトラキス（３－フルオロフェニル）ボレート、１，２－ジシクロヘキシル－４，４，５，５－テトラメチルビグアニジウム＝ｎ－ブチルトリフェニルボレート、９－アントリルメチル＝Ｎ，Ｎ－ジエチルカルバメート、（Ｅ）－１－［３－（２－ヒドロキシフェニル）－２－プロペノイル］ピペリジン、１－（アントラキノン－２－イル）エチル＝イミダゾールカルボキシレート、２－ニトロフェニルメチル－４－メタクリロイルオキシピペリジン－１－カルボキシレート、１，２－ジイソプロピル－３－〔ビス（ジメチルアミノ）メチレン〕グアニジウム＝２－（３－ベンゾイルフェニル）プロピオナート等の光塩基発生剤等を用いることもできる。
【0121】
化合物（Ｃ）としてシアネートエステル化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、オクチル酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸銅、アセチルアセトン鉄、オクチル酸ニッケル、オクチル酸マンガン等の有機金属塩類、フェノール、キシレノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、オクチルフェノール、ノニルフェノール等のフェノール化合物、１－ブタノール、２－エチルヘキサノール等のアルコール類、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらのイミダゾール類のカルボン酸若しくは酸無水物類の付加体等の誘導体、ベンジルジメチルアミン、４－メチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルベンジルアミン等のアミン類、ホスフィン系化合物、ホスフィンオキサイド系化合物等のリン化合物を用いることができる。
更には、前記エポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）として説明した、光酸発生剤や光塩基発生剤を用いることもできる。
更には、前記エポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）として説明した、光酸発生剤や光塩基発生剤を用いることもできる。
【0122】
化合物（Ｃ）としてビニル化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、カチオン又はラジカル活性種を、熱又は光により発生する化合物（重合剤）等が挙げられる。カチオン重合剤としては、例えば、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩が挙げられる。ラジカル重合剤としては、例えば、ベンゾインアセトフェノン等のベンゾイン系化合物、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン系化合物、２，４－ジエチルチオキサントン等の硫黄系化合物、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジクミルパーオキサイド等の有機過酸化物が挙げられる。
【0123】
また、化合物（Ｃ）としてビニル化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、アセトフェノン、プロピオフェノン、ベンゾフェノン、キサントール、ベンズアルデヒド、アンスラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、３－メチルアセトフェノン、４－メチルアセトフェノン、３－ペンチルアセトフェノン、４－メトキシアセトフェン、３－ブロモアセトフェノン、４－アリルアセトフェノン、ｐ－ジアセチルベンゼン、３－メトキシベンゾフェノン、４－メチルベンゾフェノン、４－クロロベンゾフェノン、４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、４－クロロ－４’－ベンジルベンゾフェノン、３－クロロキサントン、３，９－ジクロロキサントン、３－クロロ－８－ノニルキサントン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、ビス（４－ジメチルアミノフェニル）ケトン、ベンジルメトキシケタール、２－クロロチオキサントン等の光ラジカル発生剤を用いることもできる。
【0124】
化合物（Ｃ）としてシリコーン化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒；パラジウム系触媒；ロジウム系触媒；などの白金族金属触媒、安息香酸亜鉛、オクチル酸亜鉛を用いることができる。
【0125】
また、化合物（Ｃ）としてシリコーン化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、アセトフェノン、プロピオフェノン、ベンゾフェノン、キサントール、ベンズアルデヒド、アンスラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、３－メチルアセトフェノン、４－メチルアセトフェノン、３－ペンチルアセトフェノン、４－メトキシアセトフェノン、３－ブロモアセトフェノン、４－アリルアセトフェノン、ｐ－ジアセチルベンゼン、３－メトキシベンゾフェノン、４－メチルベンゾフェノン、４－クロロベンゾフェノン、４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、２，２’－ジエトキシアセトフェノン、４－クロロ－４’－ベンジルベンゾフェノン、３－クロロキサントン、３，９－ジクロロキサントン、３－クロロ－８－ノニルキサントン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、ビス（４－ジメチルアミノフェニル）ケトン、ベンジルメトキシケタール、２－クロロチオキサントン、ジエチルアセトフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－メチル－１－｛４－（メチルチオ）フェニル｝－２－モルホリノ－１－オン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－ブタノン－１－オン、１－｛４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル｝－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、シクロヘキシルフェニルケトン等の光反応開始剤を用いることもできる。
【0126】
化合物（Ｃ）としてオキサジン化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、フェノール及びその誘導体、シアン酸エステル、ｐ－トルエンスルホン酸等のブレンステッド酸、アジピン酸、ｐ－トルエンスルホン酸エステル、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、メラミン等の芳香族アミン化合物、２－エチル－４－メチルイミダゾール等の塩基、三フッ化ホウ素、ルイス酸等の硬化剤を用いることができる。
更には、前記エポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）として説明した、光酸発生剤や光塩基発生剤を用いることもできる。
更には、前記エポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）として説明した、光酸発生剤や光塩基発生剤を用いることもできる。
【0127】
化合物（Ｃ）としてマレイミド化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾリン、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン、１，４－ジメチルピペラジン、キノリン、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ＤＢＵ等の塩基、トリフェニルホスフィン等のリン化合物、アゾビスイソブチロニトリル等の硬化剤を用いることができる。
更には、前記エポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）として説明した、光酸発生剤や光塩基発生剤を用いることもできる。
更には、前記エポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）として説明した、光酸発生剤や光塩基発生剤を用いることもできる。
【0128】
化合物（Ｃ）としてアリル化合物やプロパルギル化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル等のアゾ開始剤、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステル等の過酸化物、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルホリノプロパン－１，１’－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン系、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル等のベンゾイン系、ベンゾフェノン等のベンゾフェノン系、アシルホスフィンオキサイド等のリン系、チオキサントン等の硫黄系、ベンジル、９，１０－フェナンスレンキノン等のベンジル系、パーオキシカーボネート系等の硬化剤を用いることができる。
更には、前記エポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）として説明した、光酸発生剤や光塩基発生剤を用いることもできる。
更には、前記エポキシ化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）として説明した、光酸発生剤や光塩基発生剤を用いることもできる。
【0129】
化合物（Ｃ）としてオキセタン化合物やメチロール化合物を用いる場合における硬化助剤（Ｄ）としては、例えば、光又は熱カチオン発生剤を用いることができる。
【0130】
光カチオン発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物が挙げられる。
前記オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物及びジアゾメタン化合物の具体例としては、例えば、特開２０１４－１８６３００号公報の段落［００７４］～［００７９］に記載された化合物が挙げられる。
前記オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物及びジアゾメタン化合物の具体例としては、例えば、特開２０１４－１８６３００号公報の段落［００７４］～［００７９］に記載された化合物が挙げられる。
【0131】
ハロゲン含有化合物について具体例を挙げると、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物が挙げられる。好ましいハロゲン含有化合物の具体例としては、１，１０－ジブロモ－ｎ－デカン、１，１－ビス（４－クロロフェニル）－２，２，２－トリクロロエタン；フェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、４－メトキシフェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、スチリル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、ナフチル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン、２－［２－（５－メチルフラン－２－イル）エテニル］－４，６－ビス－（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン等のｓ－トリアジン誘導体が挙げられる。
【0132】
前記熱カチオン発生剤としては、例えば、ベンジル（４－ヒドロキシフェニル）（メチル）スルホニウム＝テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、（４－ヒドロキシフェニル）（ジメチル）スルホニウム＝テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４－アセトキシフェニル（ジメチル）スルホニウム＝テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、（４－ヒドロキシフェニル）メチル（４－メチルベンジル）スルホニウム＝テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ベンジル（４－ヒドロキシフェニル）（メチル）スルホニウム＝ヘキサフルオロホスファートが挙げられる。
【0133】
硬化助剤（Ｄ）を含有する場合、該硬化助剤（Ｄ）の含有割合は、本材料、具体的には本組成物又は被覆層が良好に硬化して、硬化物が得られる範囲であることが好ましい。硬化助剤（Ｄ）の含有割合は、具体的には、重合体（Ｂ）及び化合物（Ｃ）の合計１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上、より好ましくは１質量部以上であり、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは１０質量部以下である。
【0134】
＜他の成分＞
本材料、具体的には、本組成物又は被覆層は、更に、本発明の効果を損なわない範囲で他の成分を含有していてもよい。
該他の成分としては、例えば、酸化防止剤、強化剤、滑剤、難燃剤、抗菌剤、着色剤、離型剤、発泡剤、重合体（Ｂ）以外の他の重合体（例：エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアリーレン等の低誘電率かつ低誘電正接の特性を有する公知の重合体）が挙げられる。
これらの他の成分はそれぞれ、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
本材料、具体的には、本組成物又は被覆層は、更に、本発明の効果を損なわない範囲で他の成分を含有していてもよい。
該他の成分としては、例えば、酸化防止剤、強化剤、滑剤、難燃剤、抗菌剤、着色剤、離型剤、発泡剤、重合体（Ｂ）以外の他の重合体（例：エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアリーレン等の低誘電率かつ低誘電正接の特性を有する公知の重合体）が挙げられる。
これらの他の成分はそれぞれ、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
【0135】
なお、本材料は、前記重合体（Ｂ）を有するため、難燃性に優れる。このため、環境負荷の低い本材料を得るためには、前記難燃剤を含まないことが好ましい。
【0136】
前記酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、リン系化合物、硫黄系化合物、金属系化合物、ヒンダードアミン系化合物が挙げられる。これらの中でも、ヒンダードフェノール系化合物が好ましい。
【0137】
ヒンダードフェノール系化合物としては、分子量５００以上の化合物が好ましい。分子量５００以上のヒンダードフェノール系化合物としては、例えば、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，４－ビス－（ｎ－オクチルチオ）－６－（４－ヒドロキシ－３，５－ジ－ｔ－ブチルアニリノ）－３，５－トリアジン、ペンタエリスリトールテトラキス［３－（３，５－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，１，３－トリス［２－メチル－４－〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕－５－ｔ－ブチルフェニル］ブタン、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレート、３，９－ビス［２－〔３－（３－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕－１，１－ジメチルエチル］－２，４，８，１０－テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカンが挙げられる。
【0138】
本材料、具体的には、本組成物又は被覆層が酸化防止剤を含有する場合、該酸化防止剤の含有割合は、例えば、重合体（Ｂ）及び化合物（Ｃ）の合計１００質量部に対して、好ましくは０．０１質量部以上１０質量部以下である。
【0139】
１－１．本フィラー
前述の通り、本材料の好適な一実施形態は、前記磁性粉末（Ａ）と、該磁性粉末（Ａ）を被覆する、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層とを有する磁性フィラー（本フィラー）である。
該被覆層は、前記重合体（Ｂ）の他に、前記化合物（Ｃ）、硬化助剤（Ｄ）及び他の成分を含有していてもよい。
前述の通り、本材料の好適な一実施形態は、前記磁性粉末（Ａ）と、該磁性粉末（Ａ）を被覆する、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層とを有する磁性フィラー（本フィラー）である。
該被覆層は、前記重合体（Ｂ）の他に、前記化合物（Ｃ）、硬化助剤（Ｄ）及び他の成分を含有していてもよい。
【0140】
本フィラーにおける磁性粉末（Ａ）と被覆層との質量比（磁性粉末（Ａ）の質量／被覆層の質量）は、好ましくは１以上、より好ましくは１．５以上、更に好ましくは２以上であり、好ましくは１００以下、より好ましくは７５以下、更に好ましくは５０以下である。
磁性粉末（Ａ）と被覆層との質量比が前記範囲にあることで、被覆層と磁性粉末（Ａ）とが剥離しにくいフィラーを容易に得ることができる。
なお、前記質量比における磁性粉末（Ａ）の質量は、磁性フィラーを製造する際の磁性粉末（Ａ）の仕込み量を表し、被覆層の質量は、磁性フィラーを製造する際の、被覆層を形成する重合体（Ｂ）、化合物（Ｃ）及び硬化助剤（Ｄ）の合計仕込み量を表す。
磁性粉末（Ａ）と被覆層との質量比が前記範囲にあることで、被覆層と磁性粉末（Ａ）とが剥離しにくいフィラーを容易に得ることができる。
なお、前記質量比における磁性粉末（Ａ）の質量は、磁性フィラーを製造する際の磁性粉末（Ａ）の仕込み量を表し、被覆層の質量は、磁性フィラーを製造する際の、被覆層を形成する重合体（Ｂ）、化合物（Ｃ）及び硬化助剤（Ｄ）の合計仕込み量を表す。
【0141】
本フィラーの被覆層は、Ｂステージ樹脂層の状態であることが好ましい。Ｂステージ樹脂層の状態であることで、本フィラー同士の接着性が優れ（加工成形時に加熱プレス等により接着性を発現する）、該本フィラーから磁性部材（例：磁性シート）などの成形体を形成する際に靭性のある部材（例：シート）を容易に形成することができる。
なお、本明細書において、「Ｂステージ樹脂層」とは、樹脂が半硬化した状態の層のことをいう。樹脂層が、Ｂステージ樹脂層であるか否かは、ＤＳＣ（示差走査熱熱量計）を用い、樹脂層（本フィラー）の発熱量を測定することで確認することができる。具体的には、該発熱量が５Ｊ／ｇ以上である場合、樹脂層（被覆層）は、Ｂステージ樹脂層の状態であるといえる。
なお、本明細書において、「Ｂステージ樹脂層」とは、樹脂が半硬化した状態の層のことをいう。樹脂層が、Ｂステージ樹脂層であるか否かは、ＤＳＣ（示差走査熱熱量計）を用い、樹脂層（本フィラー）の発熱量を測定することで確認することができる。具体的には、該発熱量が５Ｊ／ｇ以上である場合、樹脂層（被覆層）は、Ｂステージ樹脂層の状態であるといえる。
【0142】
前記被覆層（Ｂステージ樹脂層の状態の被覆層）の厚さとしては、被覆層と磁性粉末（Ａ）とが剥離しにくいフィラーを容易に得ることができる観点から、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、更に好ましくは０．０１５μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは４μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以下である。
被覆層の厚さが前記範囲にあると、絶縁性を確保しつつ、膜厚の均一性を保つことができる。
該被覆層の厚さは、例えば、ＳＥＭにて本フィラーの断面を観察することにより測定することができる。また、ＴＧＡ測定による熱重量減少率を用いて被覆層形成用材料の使用量を測定して、平均膜厚を算出することもできる。
被覆層の厚さが前記範囲にあると、絶縁性を確保しつつ、膜厚の均一性を保つことができる。
該被覆層の厚さは、例えば、ＳＥＭにて本フィラーの断面を観察することにより測定することができる。また、ＴＧＡ測定による熱重量減少率を用いて被覆層形成用材料の使用量を測定して、平均膜厚を算出することもできる。
【0143】
本フィラーの、周波数１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲における比透磁率（μ’）は、好ましくは２以上、より好ましくは３以上である。
比透磁率が前記範囲にあると、インダクタンス値を上げやすく、薄膜や小型のインダクタを製造しやすい。
また、本フィラーの、周波数１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲における損失係数ｔａｎδ（比透磁率μ’に対する透磁損失μ’’の比（μ’’／μ’））は、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１以下である。
損失係数が前記範囲にあると、鉄損が生じることを抑制でき、発熱を抑制しやすい。
比透磁率（μ’）及び透磁損失（μ’’）は、具体的には、実施例に記載の方法で測定することができる。
なお、前記比透磁率及び損失係数は、被覆層が完全硬化した状態（Ｃステージ樹脂層の状態）である場合の特性である。
比透磁率が前記範囲にあると、インダクタンス値を上げやすく、薄膜や小型のインダクタを製造しやすい。
また、本フィラーの、周波数１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲における損失係数ｔａｎδ（比透磁率μ’に対する透磁損失μ’’の比（μ’’／μ’））は、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１以下である。
損失係数が前記範囲にあると、鉄損が生じることを抑制でき、発熱を抑制しやすい。
比透磁率（μ’）及び透磁損失（μ’’）は、具体的には、実施例に記載の方法で測定することができる。
なお、前記比透磁率及び損失係数は、被覆層が完全硬化した状態（Ｃステージ樹脂層の状態）である場合の特性である。
【0144】
本フィラーは、磁性粉末（Ａ）表面に、重合体（Ｂ）を含む被膜層を形成することができれば特に制限されない。
このような被覆層を構成する方法としては、例えば、容器内で磁性粉末（Ａ）を攪拌しながら被覆層形成用材料をスプレーで吹付けてコーティングし、必要により乾燥する方法、磁性粉末（Ａ）と被覆層形成用材料とを含む混合液をスプレーで噴霧して乾燥させる方法、磁性粉末（Ａ）と被覆層形成用材料とを含む混合液を濾過して粉体を回収し、必要により乾燥する方法、磁性粉末（Ａ）と被覆層形成用材料とを含む混合液を超臨界流体存在下で攪拌し、必要により乾燥する方法が挙げられる。
これらの方法により得られる本フィラーは、溶剤を乾燥させた状態で凝集なく回収することが好ましい。
このような被覆層を構成する方法としては、例えば、容器内で磁性粉末（Ａ）を攪拌しながら被覆層形成用材料をスプレーで吹付けてコーティングし、必要により乾燥する方法、磁性粉末（Ａ）と被覆層形成用材料とを含む混合液をスプレーで噴霧して乾燥させる方法、磁性粉末（Ａ）と被覆層形成用材料とを含む混合液を濾過して粉体を回収し、必要により乾燥する方法、磁性粉末（Ａ）と被覆層形成用材料とを含む混合液を超臨界流体存在下で攪拌し、必要により乾燥する方法が挙げられる。
これらの方法により得られる本フィラーは、溶剤を乾燥させた状態で凝集なく回収することが好ましい。
【0145】
前記被覆層形成用材料は、前記重合体（Ｂ）を含めば特に制限されないが、前記化合物（Ｃ）、硬化助剤（Ｄ）及び他の成分を含有していてもよく、更に分散媒や溶剤を含有していてもよい。該溶剤としては、例えば、下記本組成物の欄に記載の溶剤（Ｅ）が挙げられる。
【0146】
１－２．本組成物
前述の通り、本材料の好適な一実施形態は、前記磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）とを含有する磁性組成物（本組成物）である。
本組成物は、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層で被覆されていない磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）とを含む組成物であってもよいが、本フィラーを含む組成物であることが好ましい。
本組成物の形態は特に制限されず、例えば、液状、ペースト状が挙げられる。
前述の通り、本材料の好適な一実施形態は、前記磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）とを含有する磁性組成物（本組成物）である。
本組成物は、前記重合体（Ｂ）を含む被覆層で被覆されていない磁性粉末（Ａ）と重合体（Ｂ）とを含む組成物であってもよいが、本フィラーを含む組成物であることが好ましい。
本組成物の形態は特に制限されず、例えば、液状、ペースト状が挙げられる。
【0147】
本組成物は、前記磁性粉末（Ａ）及び重合体（Ｂ）の他に、前記化合物（Ｃ）、硬化助剤（Ｄ）及び他の成分を含有していてもよい。更に、本組成物は、溶剤（Ｅ）を含有していてもよい。
また、前記重合体（Ｂ）は溶解性に優れるため、液状の化合物（Ｃ）に重合体（Ｂ）を溶解させることで、無溶剤系の組成物とすることもできる。
また、前記重合体（Ｂ）は溶解性に優れるため、液状の化合物（Ｃ）に重合体（Ｂ）を溶解させることで、無溶剤系の組成物とすることもできる。
【0148】
・溶剤（Ｅ）
本組成物は、必要に応じて溶剤を含有していてもよい。前記溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等のアミド系溶剤；γ－ブチロラクトン、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；アセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ベンゾフェノン等のケトン系溶剤、１，２－メトキシエタン、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤、１－メトキシ－２－プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の多官能性溶剤；スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン等のスルホン系溶剤；塩化メチレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数；１～４）、トリアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数；１～４）が挙げられる。
これらの溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
本組成物は、必要に応じて溶剤を含有していてもよい。前記溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等のアミド系溶剤；γ－ブチロラクトン、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；アセトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ベンゾフェノン等のケトン系溶剤、１，２－メトキシエタン、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤、１－メトキシ－２－プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の多官能性溶剤；スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン等のスルホン系溶剤；塩化メチレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数；１～４）、トリアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数；１～４）が挙げられる。
これらの溶剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
【0149】
本組成物中の前記溶剤（Ｅ）の含有割合は特に限定されないが、例えば、重合体（Ｂ）及び化合物（Ｃ）の合計１００質量部に対して、好ましくは０質量部以上２０００質量部以下、より好ましくは０質量部以上２００質量部以下である。また、溶剤（Ｅ）に対し、重合体（Ｂ）や化合物（Ｃ）の溶解性が高い場合には、本組成物中の前記溶剤（Ｅ）の含有割合は、５０質量部以上１００，０００質量部以下としてもよい。
【0150】
本組成物の調製方法は特に限定されないが、例えば、磁性粉体（Ａ）、重合体（Ｂ）、及び、必要に応じて他の添加剤（例えば、化合物（Ｃ）、硬化助剤（Ｄ）、溶剤（Ｅ）、前記他の成分）を均一に混合することによって調製することができる。
【0151】
２．磁性部材
本発明の一実施形態に係る磁性部材は、本材料から形成される。
該磁性部材としては、磁性シート、コア、トロイダルコア、巻き線コイルを内部に有する（巻き線コイルを内部に埋め込んだ）部材（磁性層）、空芯コイルの内部に充填される部材（磁性コア）、コイルを封止する外装材などを例示することができる。コア形状は、求められる用途や特性により適宜選択すればよい。また、磁性部材は、基板や素子を構成する絶縁層としても用いることができる。
本発明の一実施形態に係る磁性部材は、本材料から形成される。
該磁性部材としては、磁性シート、コア、トロイダルコア、巻き線コイルを内部に有する（巻き線コイルを内部に埋め込んだ）部材（磁性層）、空芯コイルの内部に充填される部材（磁性コア）、コイルを封止する外装材などを例示することができる。コア形状は、求められる用途や特性により適宜選択すればよい。また、磁性部材は、基板や素子を構成する絶縁層としても用いることができる。
【0152】
＜磁性シート＞
磁性シートは、例えば、離型処理をした金型に、本フィラー、好ましくはＢステージ樹脂層を有する本フィラーを充填し、金型プレスをすることで作製することができる。
また、磁性シートは、本組成物を、溶融成形法、溶剤キャスト法等の公知の成形方法により、成形することで作製することもできる。
磁性シートは、支持体上に形成することで、支持体と磁性シートとの積層体（支持体付き磁性シート）として得ることもできる。
なお、本明細書において、シート、フィルム、膜等に特に区別はない。
磁性シートは、例えば、離型処理をした金型に、本フィラー、好ましくはＢステージ樹脂層を有する本フィラーを充填し、金型プレスをすることで作製することができる。
また、磁性シートは、本組成物を、溶融成形法、溶剤キャスト法等の公知の成形方法により、成形することで作製することもできる。
磁性シートは、支持体上に形成することで、支持体と磁性シートとの積層体（支持体付き磁性シート）として得ることもできる。
なお、本明細書において、シート、フィルム、膜等に特に区別はない。
【0153】
磁性シートの厚さは、該シートを用いる対象の薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、更に好ましくは１５０μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、特に好ましくは４０μｍ以下である。磁性シートの厚さの下限は特に限定されないが、通常、５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上である。
【0154】
前記支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【0155】
前記プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の（メタ）アクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドが挙げられる。中でも、ＰＥＴ、ＰＥＮが好ましく、安価なＰＥＴが特に好ましい。
【0156】
前記金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例：スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン）との合金からなる箔を用いてもよい。
【0157】
支持体は、磁性シートと接合する面にマット処理、コロナ処理等の表面処理を施した支持体であってもよい。
【0158】
支持体の厚みとしては特に限定されないが、好ましくは５～７５μｍ、より好ましくは１０～６０μｍである。
なお、前記支持体としては、離型層付き支持体であってもよく、該離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが前記範囲にあることが好ましい。
なお、前記支持体としては、離型層付き支持体であってもよく、該離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが前記範囲にあることが好ましい。
【0159】
支持体付き磁性シートにおいて、磁性シートの支持体と接合していない面（即ち、磁性シートの支持体とは反対側の面）には、磁性シートのゴミ等の付着やキズを抑制することができる等の点から、支持体に準じた保護フィルムを更に積層してもよい。支持体付き樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって所望の用途に使用することができる。
該保護フィルムの厚さは特に限定されないが、例えば、１～４０μｍである。
磁性シート、支持体付き磁性シート、及び、保護フィルムを有する支持体付き磁性シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。
該保護フィルムの厚さは特に限定されないが、例えば、１～４０μｍである。
磁性シート、支持体付き磁性シート、及び、保護フィルムを有する支持体付き磁性シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。
【0160】
３．コイル
本発明の一実施形態に係るコイルは、前記磁性部材を含む。
前記磁性部材を含むコイルの態様としては、例えば、コイルのコアとして、前記磁性部材からなるコアを用いる態様、空芯コイルの内部に充填される部材として前記磁性部材を用いる態様、コイル全体を前記磁性部材（磁性層）中に埋め込んだ態様が挙げられる。また、該コイルを封止する外装材として、前記磁性部材を用いてもよい。
コイルの形状としては特に制限されず、インダクタに用いられる公知の構造が好適に挙げられる。例えば、特開２０１９－２１２６６４号公報に記載のコイルが挙げられる。
本発明の一実施形態に係るコイルは、前記磁性部材を含む。
前記磁性部材を含むコイルの態様としては、例えば、コイルのコアとして、前記磁性部材からなるコアを用いる態様、空芯コイルの内部に充填される部材として前記磁性部材を用いる態様、コイル全体を前記磁性部材（磁性層）中に埋め込んだ態様が挙げられる。また、該コイルを封止する外装材として、前記磁性部材を用いてもよい。
コイルの形状としては特に制限されず、インダクタに用いられる公知の構造が好適に挙げられる。例えば、特開２０１９－２１２６６４号公報に記載のコイルが挙げられる。
【0161】
４．インダクタ配線板
本発明の一実施形態に係るインダクタ配線板は、インダクタ素子を含み、前記磁性部材又はコイルを含めば特に制限されず、公知の構造とすることができる。
インダクタ配線板に含まれる前記磁性部材としては、例えば、（配線を有する）磁性層が挙げられる。
本発明の一実施形態に係るインダクタ配線板は、インダクタ素子を含み、前記磁性部材又はコイルを含めば特に制限されず、公知の構造とすることができる。
インダクタ配線板に含まれる前記磁性部材としては、例えば、（配線を有する）磁性層が挙げられる。
【0162】
前記インダクタ配線板は、公知の方法によって製造することができる。該方法の好適例としては、例えば、国際公開第２０１８／１９４０９９号に記載の方法が挙げられる。
【0163】
前記インダクタ配線板が備えるインダクタ素子が機能し得る周波数は、例えば、１ＭＨｚ～１ＧＨｚが挙げられる。また、前記インダクタ配線板が備えるインダクタ素子は電源系が想定される。
【0164】
前記インダクタ配線板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、該配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、該配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。
【0165】
また、プリント配線板がキャビティを有する場合、キャビティ内に前記インダクタ配線板を内蔵させた、インダクタ配線板内蔵プリント配線板としてもよい。該配線板の詳細は、特開２０１２－１８６４４０号公報の記載を参酌することができる。
【0166】
また、前記インダクタ配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。該半導体装置としては、電気製品（例：コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ、テレビ）及び乗物（例：自動二輪車、自動車、電車、船舶、航空機）等に好適に用いることができる。
【実施例】
【0167】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例、比較例中の「部」は、特に断らない限り質量基準である。
【0168】
＜合成例１＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１８．６ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、４，６－ジクロロピリミジン（Ｐｙｍ）（８．９ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．１ｇ、８１．０ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（６４ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６８ｇ）を加えて、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、真空乾燥機を用いて減圧下１２０℃で１２時間乾燥し、下記式（Ｐ－１）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－１を得た（収量；２０．５ｇ、収率；９０％、重量平均分子量（Ｍｗ）；３２，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２０６℃）。
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１８．６ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、４，６－ジクロロピリミジン（Ｐｙｍ）（８．９ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．１ｇ、８１．０ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（６４ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６８ｇ）を加えて、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、真空乾燥機を用いて減圧下１２０℃で１２時間乾燥し、下記式（Ｐ－１）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－１を得た（収量；２０．５ｇ、収率；９０％、重量平均分子量（Ｍｗ）；３２，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２０６℃）。
【0169】
【化16】
【0170】
なお、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツル（株）製、「ＤＭＳ７１００」）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分で測定し、損失正接が極大となる温度とした。損失正接は、損失弾性率を貯蔵弾性率で割った値とした。
【0171】
また、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ装置（東ソー（株）製の「ＨＬＣ－８３２０型」）を使用し、下記条件で測定した。
カラム：東ソー（株）製の「ＴＳＫｇｅｌ α－Ｍ」と、東ソー（株）製の「ＴＳＫｇｅｌ ｇｕａｒｄｃоｌｕｍｎ α」とを連結したもの
展開溶媒：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：０．７５質量％
試料注入量：５０μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン
カラム：東ソー（株）製の「ＴＳＫｇｅｌ α－Ｍ」と、東ソー（株）製の「ＴＳＫｇｅｌ ｇｕａｒｄｃоｌｕｍｎ α」とを連結したもの
展開溶媒：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：０．７５質量％
試料注入量：５０μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン
【0172】
＜合成例２＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１０．７ｇ、３４．５ｍｍｏｌ）、３，６－ジクロロピリダジン（Ｐｙｄ）（５．１ｇ、３４．２ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（６．５ｇ、４７．０ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１４５℃で９時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（１５０ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（３ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ－２）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－２を得た（収量７．６ｇ、収率４８％、重量平均分子量（Ｍｗ）；３０，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２３２℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１０．７ｇ、３４．５ｍｍｏｌ）、３，６－ジクロロピリダジン（Ｐｙｄ）（５．１ｇ、３４．２ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（６．５ｇ、４７．０ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１４５℃で９時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（１５０ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（３ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ－２）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－２を得た（収量７．６ｇ、収率４８％、重量平均分子量（Ｍｗ）；３０，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２３２℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
【0173】
【化17】
【0174】
＜合成例３＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１８．６ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、４，６－ジクロロ－２－フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ－３）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－３を得た（収量２０．５ｇ、収率９０％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１８７，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２２３℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１８．６ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、４，６－ジクロロ－２－フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ－３）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－３を得た（収量２０．５ｇ、収率９０％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１８７，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２２３℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
【0175】
【化18】
【0176】
＜合成例４＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１２．４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－プロパン（ＢｉｓＡ）（２．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－デカン（ＢｉｓＰ－ＤＥＤ）（３．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、４，６－ジクロロ－２－フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ－４）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－４を得た（収量２３．５ｇ、収率８７％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１６５，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；１９６℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１２．４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－プロパン（ＢｉｓＡ）（２．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－デカン（ＢｉｓＰ－ＤＥＤ）（３．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、４，６－ジクロロ－２－フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ－４）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－４を得た（収量２３．５ｇ、収率８７％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１６５，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；１９６℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
【0177】
【化19】
【0178】
＜合成例５＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１２．４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、４，４’－（１，３－ジメチルブチリデン）ビスフェノール（ＢｉｓＰ－ＭＩＢＫ）（２．７ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－デカン（ＢｉｓＰ－ＤＥＤ）（３．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、４，６－ジクロロ－２－フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ－５）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－５を得た（収量２３．８ｇ、収率８８％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１５７，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；１９０℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１２．４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、４，４’－（１，３－ジメチルブチリデン）ビスフェノール（ＢｉｓＰ－ＭＩＢＫ）（２．７ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－デカン（ＢｉｓＰ－ＤＥＤ）（３．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、４，６－ジクロロ－２－フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ－５）で表される構造単位を有する重合体Ｐ－５を得た（収量２３．８ｇ、収率８８％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１５７，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；１９０℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
【0179】
【化20】
【0180】
［実施例１］
コア粒子として磁性粉末（エプソンアトミックス（株）製、製品名「ＡＷ２－０８ＰＦ８Ｆ」、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；５μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）９４５部、重合体Ｐ－１ ５０部、硬化性化合物として２，２’－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（東京化成工業（株）製）５０部、硬化助剤として１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（三菱化学（株）製、製品名「ＢＭＩ １２」）５部、及び、シクロペンタノン（東京化成工業（株）製）１６０部を、ペイントシェーカーで混合してスラリー液を得た。アドバンテック東洋（株）製のＮｏ５Ｃ濾紙を用いた吸引濾過により、得られたスラリー液から溶剤を除去した後、回収した粒子を４０℃の真空乾燥機で１２時間乾燥することで、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
コア粒子として磁性粉末（エプソンアトミックス（株）製、製品名「ＡＷ２－０８ＰＦ８Ｆ」、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；５μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）９４５部、重合体Ｐ－１ ５０部、硬化性化合物として２，２’－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（東京化成工業（株）製）５０部、硬化助剤として１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（三菱化学（株）製、製品名「ＢＭＩ １２」）５部、及び、シクロペンタノン（東京化成工業（株）製）１６０部を、ペイントシェーカーで混合してスラリー液を得た。アドバンテック東洋（株）製のＮｏ５Ｃ濾紙を用いた吸引濾過により、得られたスラリー液から溶剤を除去した後、回収した粒子を４０℃の真空乾燥機で１２時間乾燥することで、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
【0181】
［実施例２］
重合体Ｐ－１ ３５部、硬化性化合物としてＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製、エポキシ当量；１６０ｇ／ｅｑ）６５部、硬化助剤として１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）２．５部、及び、メチルエチルケトン（東京化成工業（株）製）９２２．５部を混合してスプレー吹付け液を得た。
磁性粉末（エプソンアトミックス（株）製、製品名「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；３μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）１９４７．５部を、スリーワンモーターを用いてスパイラル型攪拌羽根で攪拌しながら、そこに、得られたスプレー吹付け液を高粘度液体微粒化スプレーノズル（噴霧液量：１ｍＬ／ｍｉｎ、エア量：１０Ｌ／ｍｉｎ）を用いてスプレー吹付けを行いながら６０℃で送風乾燥することで、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
重合体Ｐ－１ ３５部、硬化性化合物としてＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製、エポキシ当量；１６０ｇ／ｅｑ）６５部、硬化助剤として１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）２．５部、及び、メチルエチルケトン（東京化成工業（株）製）９２２．５部を混合してスプレー吹付け液を得た。
磁性粉末（エプソンアトミックス（株）製、製品名「ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；３μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）１９４７．５部を、スリーワンモーターを用いてスパイラル型攪拌羽根で攪拌しながら、そこに、得られたスプレー吹付け液を高粘度液体微粒化スプレーノズル（噴霧液量：１ｍＬ／ｍｉｎ、エア量：１０Ｌ／ｍｉｎ）を用いてスプレー吹付けを行いながら６０℃で送風乾燥することで、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
【0182】
［実施例３］
コア粒子として磁性粉末（ＡＷ２－０８ＰＦ８Ｆ）５９５部、重合体Ｐ－１ ８０部、硬化性化合物としてＨＰ－４０３２Ｄ（ＤＩＣ（株）製、エポキシ当量；１４１ｍｅｑ／ｇ）２０部、硬化助剤として１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）５部、及び、メチルエチルケトン（東京化成工業（株）製）４２０部を、高圧釜を用い、ＣＯ2を流入させ、圧力３０ＭＰａ、４０℃で２時間攪拌した。攪拌後、４０℃のまま脱ＣＯ2を行い、更に乾燥のために脱圧後もＣＯ2をフローして内容物を乾燥させた後、４０℃で１２時間真空乾燥を行うことで、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
コア粒子として磁性粉末（ＡＷ２－０８ＰＦ８Ｆ）５９５部、重合体Ｐ－１ ８０部、硬化性化合物としてＨＰ－４０３２Ｄ（ＤＩＣ（株）製、エポキシ当量；１４１ｍｅｑ／ｇ）２０部、硬化助剤として１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）５部、及び、メチルエチルケトン（東京化成工業（株）製）４２０部を、高圧釜を用い、ＣＯ2を流入させ、圧力３０ＭＰａ、４０℃で２時間攪拌した。攪拌後、４０℃のまま脱ＣＯ2を行い、更に乾燥のために脱圧後もＣＯ2をフローして内容物を乾燥させた後、４０℃で１２時間真空乾燥を行うことで、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
【0183】
［実施例４～８］
実施例１において、スラリー液の原料を表１に記載の原料に変更した以外は実施例１と同様にして、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
実施例１において、スラリー液の原料を表１に記載の原料に変更した以外は実施例１と同様にして、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
【0184】
［比較例１］
コア粒子として磁性粉末（ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ）１９４７．５部、ノボラック樹脂（群栄化学工業（株）製、製品名「レジトップＰＳＭ－４２６１」）６５部、硬化性化合物としてｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本製鉄（株）製、製品名「ＹＤＣＮ－７０４」）３４部、硬化助剤としてトリフェニルホスフィン（東京化成工業（株）製）１部を、溶媒を加えずに二本ロールで８０℃に加温しながら混錬することで、磁性フィラーを得た。
コア粒子として磁性粉末（ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ）１９４７．５部、ノボラック樹脂（群栄化学工業（株）製、製品名「レジトップＰＳＭ－４２６１」）６５部、硬化性化合物としてｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本製鉄（株）製、製品名「ＹＤＣＮ－７０４」）３４部、硬化助剤としてトリフェニルホスフィン（東京化成工業（株）製）１部を、溶媒を加えずに二本ロールで８０℃に加温しながら混錬することで、磁性フィラーを得た。
【0185】
［比較例２］
実施例１において、スラリー液の原料を表１に記載の原料に変更し、４０℃で１２時間乾燥しなかった以外は実施例１と同様にして、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
実施例１において、スラリー液の原料を表１に記載の原料に変更し、４０℃で１２時間乾燥しなかった以外は実施例１と同様にして、絶縁膜被覆磁性フィラーを得た。
【0186】
＜Ｂステージ特性＞
実施例及び比較例で得られた磁性フィラーのＢステージ特性として、平均粒径、算出膜厚及び発熱量を測定した。結果を表１に示す。なお、Ｂステージ特性とは、磁性フィラーにおける絶縁膜が半硬化した状態のことをいう。
実施例及び比較例で得られた磁性フィラーのＢステージ特性として、平均粒径、算出膜厚及び発熱量を測定した。結果を表１に示す。なお、Ｂステージ特性とは、磁性フィラーにおける絶縁膜が半硬化した状態のことをいう。
【0187】
〔平均粒径〕
表１に記載の平均粒径は、用いた磁性粉末の平均粒径である。該平均粒径は、前述の方法で測定した値である。
表１に記載の平均粒径は、用いた磁性粉末の平均粒径である。該平均粒径は、前述の方法で測定した値である。
【0188】
〔算出膜厚〕
実施例及び比較例で得られた磁性フィラーにおける被覆層の膜厚の理論値を、用いた磁性粉末の平均粒径、用いた磁性粉末の比重、及び、用いた重合体の比重から算出した（算出膜厚）。この際、磁性粉末の比重を７．０ｇ／ｃｍ3、重合体の比重を１．２ｇ／ｃｍ3として計算した。
実施例及び比較例で得られた磁性フィラーにおける被覆層の膜厚の理論値を、用いた磁性粉末の平均粒径、用いた磁性粉末の比重、及び、用いた重合体の比重から算出した（算出膜厚）。この際、磁性粉末の比重を７．０ｇ／ｃｍ3、重合体の比重を１．２ｇ／ｃｍ3として計算した。
【0189】
〔発熱量〕
実施例及び比較例で得られた磁性フィラーを、ＤＳＣ（示差走査熱熱量計）を用いて、１５０℃から３００℃まで、１０℃／分の昇温速度で昇温し、磁性フィラーの発熱量を測定した。
この発熱量が５Ｊ／ｇ以下の磁性フィラーは、該フィラーを用いて下記Ｃステージ特性のようにプレスにより成形体を形成した場合、プレス後のフィラー同士の接着性が劣る結果となる。このため、この発熱量が５Ｊ／ｇ以下の磁性フィラーは、不良であると判断した。
実施例及び比較例で得られた磁性フィラーを、ＤＳＣ（示差走査熱熱量計）を用いて、１５０℃から３００℃まで、１０℃／分の昇温速度で昇温し、磁性フィラーの発熱量を測定した。
この発熱量が５Ｊ／ｇ以下の磁性フィラーは、該フィラーを用いて下記Ｃステージ特性のようにプレスにより成形体を形成した場合、プレス後のフィラー同士の接着性が劣る結果となる。このため、この発熱量が５Ｊ／ｇ以下の磁性フィラーは、不良であると判断した。
【0190】
＜Ｃステージ特性＞
実施例及び比較例で得られた磁性フィラーのＣステージ特性として、分散性、比透磁率、損失係数、抵抗値、埋込外観及び信頼性を測定した。結果を表１に示す。なお、ここで、Ｃステージ特性とは、磁性フィラーにおける絶縁膜が完全硬化した状態のことをいう。
実施例及び比較例で得られた磁性フィラーのＣステージ特性として、分散性、比透磁率、損失係数、抵抗値、埋込外観及び信頼性を測定した。結果を表１に示す。なお、ここで、Ｃステージ特性とは、磁性フィラーにおける絶縁膜が完全硬化した状態のことをいう。
【0191】
・トロイダルコアの作製
離型処理したＳＫＳ３の合金工具鋼製の金型を用いて、外径１８ｍｍ、内径１１ｍｍ、高さ（厚み）７ｍｍ程度のトロイダルコアが得られるように、実施例及び比較例で得られた磁性フィラーを金型に充填した。充填後に、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、金型を１８０℃に加熱しながら３５ＭＰａで９０分間プレス処理を行うことで、トロイダルコアを作製した。
離型処理したＳＫＳ３の合金工具鋼製の金型を用いて、外径１８ｍｍ、内径１１ｍｍ、高さ（厚み）７ｍｍ程度のトロイダルコアが得られるように、実施例及び比較例で得られた磁性フィラーを金型に充填した。充填後に、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、金型を１８０℃に加熱しながら３５ＭＰａで９０分間プレス処理を行うことで、トロイダルコアを作製した。
【0192】
〔平均遮蔽距離（分散性）〕
作製したトロイダルコアのＳＥＭ観察を行った。得られたＳＥＭ画像１枚につき、任意の箇所における、粒子間に存在する樹脂層の長さ（遮蔽距離）を１００点測定し、同様に測定した１００枚のＳＥＭ画像における遮蔽距離を算術平均することにより、平均遮蔽距離を算出した。
この平均遮蔽距離が、絶縁膜被覆磁性フィラーを構成する絶縁膜の膜厚より長く、該絶縁膜の膜厚の２倍よりも短い場合、磁性粒子の分散性が良好であるといえる。平均遮蔽距離が前記下限以上であると、絶縁性を担保しやすい。また、平均遮蔽距離が前記上限以下であると良好な透磁率や損失係数を確保しやすい。一方、磁性フィラー同士が連続的に繋がってしまい、個々が絶縁されていない場合、測定できないため表中には不良と記載した。
作製したトロイダルコアのＳＥＭ観察を行った。得られたＳＥＭ画像１枚につき、任意の箇所における、粒子間に存在する樹脂層の長さ（遮蔽距離）を１００点測定し、同様に測定した１００枚のＳＥＭ画像における遮蔽距離を算術平均することにより、平均遮蔽距離を算出した。
この平均遮蔽距離が、絶縁膜被覆磁性フィラーを構成する絶縁膜の膜厚より長く、該絶縁膜の膜厚の２倍よりも短い場合、磁性粒子の分散性が良好であるといえる。平均遮蔽距離が前記下限以上であると、絶縁性を担保しやすい。また、平均遮蔽距離が前記上限以下であると良好な透磁率や損失係数を確保しやすい。一方、磁性フィラー同士が連続的に繋がってしまい、個々が絶縁されていない場合、測定できないため表中には不良と記載した。
【0193】
〔比透磁率及び損失係数〕
作製したトロイダルコアを用いて、キーサイト・テクノロジーズ・インク製のインピーダンスアナライザ「Ｅ４９９１Ｂ」、及び、キーサイト・テクノロジーズ・インク製の磁性材料テストフィクスチャ「１６４５４Ａ」を用いて、測定周波数を１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲とし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）及び透磁損失（μ’’）を測定し、損失係数（ｔａｎδ）を下記式より算出した。
ｔａｎδ＝μ’’／μ’
測定周波数が、１ＭＨｚ、２０ＭＨｚ又は１００ＭＨｚである場合の比透磁率及び損失係数を表１に示す。比透磁率が２以上である場合を良好と判断でき、損失係数が０．１以下である場合を良好であると判断できる。
作製したトロイダルコアを用いて、キーサイト・テクノロジーズ・インク製のインピーダンスアナライザ「Ｅ４９９１Ｂ」、及び、キーサイト・テクノロジーズ・インク製の磁性材料テストフィクスチャ「１６４５４Ａ」を用いて、測定周波数を１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲とし、室温２３℃にて比透磁率（μ’）及び透磁損失（μ’’）を測定し、損失係数（ｔａｎδ）を下記式より算出した。
ｔａｎδ＝μ’’／μ’
測定周波数が、１ＭＨｚ、２０ＭＨｚ又は１００ＭＨｚである場合の比透磁率及び損失係数を表１に示す。比透磁率が２以上である場合を良好と判断でき、損失係数が０．１以下である場合を良好であると判断できる。
【0194】
〔抵抗値及び埋込外観（配線板の評価）〕
ラインの幅が２５μｍ、スペースの幅が２５μｍ、厚さが１２μｍである、回路（配線パターン）を有するくし型配線パターンが形成されたポリイミドフィルム（厚さ５０μｍ）の配線パターン側に、実施例及び比較例で得られた磁性フィラーを、得られる絶縁層の厚みが５０μｍとなるように配置し、その上にＰＥＴフィルムを配置した後、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、３５ＭＰａで加圧した。この加圧により形成された積層体からＰＥＴフィルムを剥離した後、１８５℃、６０分間の加熱処理により磁性フィラー層を熱硬化することで絶縁層を有する配線板を得た。
得られた配線板に５Ｖの電圧を印加し、該配線板における絶縁層上の７箇所において抵抗値を測定した。得られた７箇所分の抵抗値の平均値を算出した。
また、この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
ラインの幅が２５μｍ、スペースの幅が２５μｍ、厚さが１２μｍである、回路（配線パターン）を有するくし型配線パターンが形成されたポリイミドフィルム（厚さ５０μｍ）の配線パターン側に、実施例及び比較例で得られた磁性フィラーを、得られる絶縁層の厚みが５０μｍとなるように配置し、その上にＰＥＴフィルムを配置した後、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、３５ＭＰａで加圧した。この加圧により形成された積層体からＰＥＴフィルムを剥離した後、１８５℃、６０分間の加熱処理により磁性フィラー層を熱硬化することで絶縁層を有する配線板を得た。
得られた配線板に５Ｖの電圧を印加し、該配線板における絶縁層上の７箇所において抵抗値を測定した。得られた７箇所分の抵抗値の平均値を算出した。
また、この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
【0195】
〔信頼性（ＴＣＴ）〕
冷熱サイクル試験機を用い、前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板を、－４０℃の室で３０分間冷却し、そこから１２５℃の室に移動し、１２５℃の室で３０分間加熱し、その後、－４０℃の室に移動する工程を１サイクルとし、該サイクルを５００回繰り返した後の絶縁層の外観変化をＳＥＭ画像にて確認した。絶縁層に発泡やクラックが発生した場合を信頼性不良とし、５００サイクル前後において、絶縁層に変化がない場合を信頼性良好とした。
また、５００サイクル前後の７箇所の絶縁層の平均抵抗値の変化の確認を行った。５００サイクル前の平均抵抗値に対する５００サイクル後の平均抵抗値の比（５００サイクル後の平均抵抗値／５００サイクル前の平均抵抗値）が、０．１未満である場合を信頼性良好とし、該比が０．１以上である場合を信頼性不良と判断した。
冷熱サイクル試験機を用い、前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板を、－４０℃の室で３０分間冷却し、そこから１２５℃の室に移動し、１２５℃の室で３０分間加熱し、その後、－４０℃の室に移動する工程を１サイクルとし、該サイクルを５００回繰り返した後の絶縁層の外観変化をＳＥＭ画像にて確認した。絶縁層に発泡やクラックが発生した場合を信頼性不良とし、５００サイクル前後において、絶縁層に変化がない場合を信頼性良好とした。
また、５００サイクル前後の７箇所の絶縁層の平均抵抗値の変化の確認を行った。５００サイクル前の平均抵抗値に対する５００サイクル後の平均抵抗値の比（５００サイクル後の平均抵抗値／５００サイクル前の平均抵抗値）が、０．１未満である場合を信頼性良好とし、該比が０．１以上である場合を信頼性不良と判断した。
【0196】
【表1】
【0197】
［実施例９］
実施例４で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
実施例４で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
【0198】
［実施例１０］
実施例４で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製）２．４ｇと、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）０．１ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
実施例４で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製）２．４ｇと、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）０．１ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
【0199】
［実施例１１］
実施例５で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
実施例５で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
【0200】
［実施例１２］
実施例５で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製）２．４ｇと、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）０．１ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
実施例５で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製）２．４ｇと、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）０．１ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
【0201】
［比較例３］
比較例１で作製した磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
比較例１で作製した磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
【0202】
［比較例４］
比較例１で作成した磁性フィラー１００ｇと、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ－７０４）１．２ｇと、トリフェニルホスフィン（東京化成工業（株）製）０．２ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
比較例１で作成した磁性フィラー１００ｇと、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ－７０４）１．２ｇと、トリフェニルホスフィン（東京化成工業（株）製）０．２ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを、ペイントシェーカーで３０分間混合して、ペーストを得た。
【0203】
＜配線板の作製＞
ラインの幅が２５μｍ、スペースの幅が２５μｍ、厚さが１２μｍである、回路（配線パターン）を有するくし型配線パターンが形成されたポリイミドフィルム（厚さ５０μｍ）の配線パターン側に、実施例及び比較例で得られたペーストを、得られる絶縁層の厚みが５０μｍとなるようにスクリーン印刷し、７０℃で１０分間乾燥させた後、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、金型を１８０℃に加熱しながら３５ＭＰａで９０分間プレス処理することで絶縁層を有する配線板を得た。
この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
ラインの幅が２５μｍ、スペースの幅が２５μｍ、厚さが１２μｍである、回路（配線パターン）を有するくし型配線パターンが形成されたポリイミドフィルム（厚さ５０μｍ）の配線パターン側に、実施例及び比較例で得られたペーストを、得られる絶縁層の厚みが５０μｍとなるようにスクリーン印刷し、７０℃で１０分間乾燥させた後、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、金型を１８０℃に加熱しながら３５ＭＰａで９０分間プレス処理することで絶縁層を有する配線板を得た。
この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
【0204】
＜Ｃステージ特性＞
実施例及び比較例で得られたペーストのＣステージ特性として、分散性、比透磁率、損失係数、抵抗値及び信頼性を測定した。結果を表２に示す。なお、ここで、Ｃステージ特性とは、ペーストを構成する成分が完全硬化した状態のことをいう。
実施例及び比較例で得られたペーストのＣステージ特性として、分散性、比透磁率、損失係数、抵抗値及び信頼性を測定した。結果を表２に示す。なお、ここで、Ｃステージ特性とは、ペーストを構成する成分が完全硬化した状態のことをいう。
【0205】
・トロイダルコアの作製
離型処理したＳＫＳ３の合金工具鋼製の金型を用いて、外径１８ｍｍ、内径１１ｍｍ、高さ（厚み）７ｍｍ程度のトロイダルコアが得られるように、実施例及び比較例で得られたペーストを金型に充填した。充填後、６０℃で３時間真空乾燥し、次いで、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、金型を１８０℃に加熱しながら３５ＭＰａで９０分間プレス処理を行うことで、トロイダルコアを作製した。
離型処理したＳＫＳ３の合金工具鋼製の金型を用いて、外径１８ｍｍ、内径１１ｍｍ、高さ（厚み）７ｍｍ程度のトロイダルコアが得られるように、実施例及び比較例で得られたペーストを金型に充填した。充填後、６０℃で３時間真空乾燥し、次いで、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、金型を１８０℃に加熱しながら３５ＭＰａで９０分間プレス処理を行うことで、トロイダルコアを作製した。
【0206】
作製したトロイダルコアを用い、実施例１と同様にして、平均遮蔽距離（分散性）、比透磁率及び損失係数を測定した。
【0207】
〔抵抗値及び埋込外観（配線板の評価）〕
前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板に５Ｖの電圧を印加し、該配線板における絶縁層上の７箇所において抵抗値を測定した。得られた７箇所分の抵抗値の平均値を算出した。
また、この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板に５Ｖの電圧を印加し、該配線板における絶縁層上の７箇所において抵抗値を測定した。得られた７箇所分の抵抗値の平均値を算出した。
また、この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
【0208】
〔信頼性（ＴＣＴ）〕
冷熱サイクル試験機を用い、前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板を、－４０℃の室で３０分間冷却し、そこから１２５℃の室に移動し、１２５℃の室で３０分間加熱し、その後、－４０℃の室に移動する工程を１サイクルとし、該サイクルを５００回繰り返した後の絶縁層の外観変化をＳＥＭ画像にて確認した。絶縁層に発泡やクラックが発生した場合を信頼性不良とし、５００サイクル前後において、絶縁層に変化がない場合を信頼性良好とした。
また、５００サイクル前後の７箇所の絶縁層の平均抵抗値の変化の確認を行った５００サイクル前の平均抵抗値に対する５００サイクル後の平均抵抗値の比（５００サイクル後の平均抵抗値／５００サイクル前の平均抵抗値）が、０．１未満である場合を信頼性良好とし、該比が０．１以上である場合を信頼性不良と判断した。
冷熱サイクル試験機を用い、前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板を、－４０℃の室で３０分間冷却し、そこから１２５℃の室に移動し、１２５℃の室で３０分間加熱し、その後、－４０℃の室に移動する工程を１サイクルとし、該サイクルを５００回繰り返した後の絶縁層の外観変化をＳＥＭ画像にて確認した。絶縁層に発泡やクラックが発生した場合を信頼性不良とし、５００サイクル前後において、絶縁層に変化がない場合を信頼性良好とした。
また、５００サイクル前後の７箇所の絶縁層の平均抵抗値の変化の確認を行った５００サイクル前の平均抵抗値に対する５００サイクル後の平均抵抗値の比（５００サイクル後の平均抵抗値／５００サイクル前の平均抵抗値）が、０．１未満である場合を信頼性良好とし、該比が０．１以上である場合を信頼性不良と判断した。
【0209】
【表2】
【0210】
［実施例１３］
実施例６で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
この分散液をＰＥＴフィルム上にギャップを１５０μｍとした塗工幅１２ｃｍのアプリケータを用いて塗工し、７０℃で１０分間、次いで、１２０℃で１０分間オーブン中で乾燥して１００μｍ厚の磁性シートを作製した。
実施例６で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
この分散液をＰＥＴフィルム上にギャップを１５０μｍとした塗工幅１２ｃｍのアプリケータを用いて塗工し、７０℃で１０分間、次いで、１２０℃で１０分間オーブン中で乾燥して１００μｍ厚の磁性シートを作製した。
【0211】
［実施例１４］
実施例６で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製）２．４ｇと、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）０．１ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
実施例６で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製）２．４ｇと、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）０．１ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
【0212】
［実施例１５］
実施例７で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
実施例７で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
【0213】
［実施例１６］
実施例７で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製）２．４ｇと、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）０．１ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
実施例７で作製した絶縁膜被覆磁性フィラー１００ｇと、ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製）２．４ｇと、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（ＢＭＩ １２）０．１ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
【0214】
［比較例５］
比較例１で作製した磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
比較例１で作製した磁性フィラー１００ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）５０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
【0215】
［比較例６］
比較例１で作成した磁性フィラー１００ｇと、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ－７０４）１．２ｇと、トリフェニルホスフィン（東京化成工業（株）製）０．２ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
比較例１で作成した磁性フィラー１００ｇと、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ－７０４）１．２ｇと、トリフェニルホスフィン（東京化成工業（株）製）０．２ｇと、アセトン（東京化成工業（株）製）１０ｇとを撹拌して、磁性フィラー分散液を作製した。
得られた分散液を用いた以外は実施例１３と同様にして、磁性シートを作製した。
【0216】
＜配線板の作製＞
ラインの幅が２５μｍ、スペースの幅が２５μｍ、厚さが１２μｍである、回路（配線パターン）を有するくし型配線パターンが形成されたポリイミドフィルム（厚さ５０μｍ）の配線パターン側に、実施例及び比較例で得られた磁性シート（ＰＥＴフィルムを剥離したもの）を配置した後、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、１８０℃、３５ＭＰａで９０分間加圧することで絶縁層を有する配線板を得た。
この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
ラインの幅が２５μｍ、スペースの幅が２５μｍ、厚さが１２μｍである、回路（配線パターン）を有するくし型配線パターンが形成されたポリイミドフィルム（厚さ５０μｍ）の配線パターン側に、実施例及び比較例で得られた磁性シート（ＰＥＴフィルムを剥離したもの）を配置した後、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、１８０℃、３５ＭＰａで９０分間加圧することで絶縁層を有する配線板を得た。
この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
【0217】
＜Ｃステージ特性＞
実施例及び比較例で得られた磁性シートのＣステージ特性として、分散性、比透磁率、損失係数、抵抗値及び信頼性を測定した。結果を表３に示す。なお、ここで、Ｃステージ特性とは、磁性シートが完全硬化した状態のことをいう。
実施例及び比較例で得られた磁性シートのＣステージ特性として、分散性、比透磁率、損失係数、抵抗値及び信頼性を測定した。結果を表３に示す。なお、ここで、Ｃステージ特性とは、磁性シートが完全硬化した状態のことをいう。
【0218】
・トロイダルコアの作製
離型処理したＳＫＳ３の合金工具鋼製の金型を用いて、外径１８ｍｍ、内径１１ｍｍ、高さ（厚み）７ｍｍ程度のトロイダルコアが得られるように、実施例及び比較例で得られた磁性シート（ＰＥＴフィルムを剥離したもの）を金型に充填した。充填後、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、金型を１８０℃に加熱しながら３５ＭＰａで９０分間プレス処理を行うことで、トロイダルコアを作製した。
離型処理したＳＫＳ３の合金工具鋼製の金型を用いて、外径１８ｍｍ、内径１１ｍｍ、高さ（厚み）７ｍｍ程度のトロイダルコアが得られるように、実施例及び比較例で得られた磁性シート（ＰＥＴフィルムを剥離したもの）を金型に充填した。充填後、２６トン油圧式成形機（（有）東邦プレス工業所製）を用い、金型を１８０℃に加熱しながら３５ＭＰａで９０分間プレス処理を行うことで、トロイダルコアを作製した。
【0219】
作製したトロイダルコアを用い、実施例１と同様にして、平均遮蔽距離（分散性）、比透磁率及び損失係数を測定した。
【0220】
〔抵抗値及び埋込外観（配線板の評価）〕
前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板に５Ｖの電圧を印加し、該配線板における絶縁層上の７箇所において抵抗値を測定した。得られた７箇所分の抵抗値の平均値を算出した。
また、この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板に５Ｖの電圧を印加し、該配線板における絶縁層上の７箇所において抵抗値を測定した。得られた７箇所分の抵抗値の平均値を算出した。
また、この際、配線パターンの観察を行い、配線パターンにボイドや剥離などが見られない場合、埋込外観は良好、これらのいずれかが見られた場合、埋込外観は不良と判断した。
【0221】
〔信頼性（ＴＣＴ）〕
冷熱サイクル試験機を用い、前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板を、－４０℃の室で３０分間冷却し、そこから１２５℃の室に移動し、１２５℃の室で３０分間加熱し、その後、－４０℃の室に移動する工程を１サイクルとし、該サイクルを５００回繰り返した後の絶縁層の外観変化をＳＥＭ画像にて確認した。絶縁層に発泡やクラックが発生した場合を信頼性不良とし、５００サイクル前後において、絶縁層に変化がない場合を信頼性良好とした。
また、５００サイクル前後の７箇所の絶縁層の平均抵抗値の変化の確認を行った。５００サイクル前の平均抵抗値に対する５００サイクル後の平均抵抗値の比（５００サイクル後の平均抵抗値／５００サイクル前の平均抵抗値）が、０．１未満である場合を信頼性良好とし、該比が０．１以上である場合を信頼性不良と判断した。
冷熱サイクル試験機を用い、前記と同様に作製した絶縁層を有する配線板を、－４０℃の室で３０分間冷却し、そこから１２５℃の室に移動し、１２５℃の室で３０分間加熱し、その後、－４０℃の室に移動する工程を１サイクルとし、該サイクルを５００回繰り返した後の絶縁層の外観変化をＳＥＭ画像にて確認した。絶縁層に発泡やクラックが発生した場合を信頼性不良とし、５００サイクル前後において、絶縁層に変化がない場合を信頼性良好とした。
また、５００サイクル前後の７箇所の絶縁層の平均抵抗値の変化の確認を行った。５００サイクル前の平均抵抗値に対する５００サイクル後の平均抵抗値の比（５００サイクル後の平均抵抗値／５００サイクル前の平均抵抗値）が、０．１未満である場合を信頼性良好とし、該比が０．１以上である場合を信頼性不良と判断した。
【0222】
【表3】
【0223】
なお、前記表１～３の中の略称は以下の通りである。
【0224】
＜重合体＞
・重合体Ａ：マレイン酸変性スチレン－エチレンブチレン－スチレンブロック共重合体（旭化成（株）製、製品名「タフテックＭ１９１３」）
・重合体Ｂ：ノボラック樹脂（群栄化学工業（株）製、製品名「レジトップＰＳＭ－４２６１」）
・重合体Ａ：マレイン酸変性スチレン－エチレンブチレン－スチレンブロック共重合体（旭化成（株）製、製品名「タフテックＭ１９１３」）
・重合体Ｂ：ノボラック樹脂（群栄化学工業（株）製、製品名「レジトップＰＳＭ－４２６１」）
【0225】
＜硬化性化合物＞
・化合物Ａ：２，２’－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（東京化成工業（株）製）
・化合物Ｂ：ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製、エポキシ当量；１６０ｇ／ｅｑ）
・化合物Ｃ：ＨＰ－４０３２Ｄ（ＤＩＣ（株）製、エポキシ当量；１４１ｍｅｑ／ｇ）
・化合物Ｄ：ＳＲ－４ＰＧ（坂本薬品工業（株）製、エポキシ当量；３０５ｇ／ｅｑ）
・化合物Ｅ：ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本製鉄（株）製、製品名「ＹＤＣＮ－７０４」）
・化合物Ａ：２，２’－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン（東京化成工業（株）製）
・化合物Ｂ：ＳＲ－１６Ｈ（阪本薬品工業（株）製、エポキシ当量；１６０ｇ／ｅｑ）
・化合物Ｃ：ＨＰ－４０３２Ｄ（ＤＩＣ（株）製、エポキシ当量；１４１ｍｅｑ／ｇ）
・化合物Ｄ：ＳＲ－４ＰＧ（坂本薬品工業（株）製、エポキシ当量；３０５ｇ／ｅｑ）
・化合物Ｅ：ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本製鉄（株）製、製品名「ＹＤＣＮ－７０４」）
【0226】
＜硬化助剤＞
・硬化助剤Ａ：１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（三菱化学（株）製、製品名「ＢＭＩ １２」）
・硬化助剤Ｂ：２－エチルオクチル酸亜鉛（富士フィルム和光純薬（株）製）
・硬化助剤Ｃ：トリフェニルホスフィン（東京化成工業（株）製）
・硬化助剤Ａ：１－ベンジル－２－メチルイミダゾール（三菱化学（株）製、製品名「ＢＭＩ １２」）
・硬化助剤Ｂ：２－エチルオクチル酸亜鉛（富士フィルム和光純薬（株）製）
・硬化助剤Ｃ：トリフェニルホスフィン（東京化成工業（株）製）
【0227】
＜溶媒＞
・溶媒Ａ：シクロペンタノン（東京化成工業（株）製）
・溶媒Ｂ：メチルエチルケトン（東京化成工業（株）製）
・溶媒Ｃ：アセトン（東京化成工業（株）製）
・溶媒Ａ：シクロペンタノン（東京化成工業（株）製）
・溶媒Ｂ：メチルエチルケトン（東京化成工業（株）製）
・溶媒Ｃ：アセトン（東京化成工業（株）製）
【0228】
＜磁性粉末＞
・磁性粉末Ａ：ＡＷ２－０８ＰＦ８Ｆ（エプソンアトミックス（株）製、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；５μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）
・磁性粉末Ｂ：ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス（株）製、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；３μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）
・磁性粉末Ｃ：ＡＷ２－０８ＰＦ２０Ｆ（エプソンアトミックス（株）製、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；１１μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）
・磁性粉末Ａ：ＡＷ２－０８ＰＦ８Ｆ（エプソンアトミックス（株）製、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；５μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）
・磁性粉末Ｂ：ＡＷ２－０８ＰＦ３Ｆ（エプソンアトミックス（株）製、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；３μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）
・磁性粉末Ｃ：ＡＷ２－０８ＰＦ２０Ｆ（エプソンアトミックス（株）製、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径；１１μｍ、比重；７．０ｇ／ｃｍ3）
【0229】
表１～表３の結果から、実施例１～１６で得られた本材料によれば、高透磁率及び低損失係数にできるだけでなく、埋め込み性も良好であり信頼性が高く、基材等との密着性にも優れるインダクタ配線板を作製できることが確認された。これに対し、比較例１～４の重合体（Ｂ）を含有しない磁性材料を用いた場合では、埋め込み外観に不良が見られ、信頼性も劣っていることが確認された。
【0230】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を包含する。また本発明は、上記の実施形態で説明した構成の本質的でない部分を他の構成に置き換えた構成を包含する。さらに本発明は、上記の実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成をも包含する。さらに本発明は、上記の実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成をも包含する。