特許 7544965 フレキシブルプリント回路基板及びフレキシブルプリント回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-26

(45)【発行日】2024-09-03

(54)【発明の名称】フレキシブルプリント回路基板及びフレキシブルプリント回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/42 20060101AFI20240827BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20240827BHJP

【ＦＩ】

H05K3/42 630Z

H05K3/18 G

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2023516454

(86)(22)【出願日】2022-04-12

(86)【国際出願番号】 JP2022017552

(87)【国際公開番号】W WO2022224866

(87)【国際公開日】2022-10-27

【審査請求日】2023-04-10

(31)【優先権主張番号】P 2021072660

(32)【優先日】2021-04-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】500400216

【氏名又は名称】住友電工プリントサーキット株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】永田 真悟

(72)【発明者】

【氏名】酒井 将一郎

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 大介

(72)【発明者】

【氏名】本村 隼一

【審査官】齊藤 健一

(56)【参考文献】

【文献】韓国特許第１０－１５５５０１４（ＫＲ，Ｂ１）

【文献】中国特許出願公開第１０２６８６０５２（ＣＮ，Ａ）

【文献】特表２０１８－５２６７７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１４９８７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５６－８６９６４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ １／００―３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と、前記第１面の反対面である第２面とを有する絶縁層と、
前記第１面上に配置されている第１配線と、
前記第２面上に配置されている第２配線と、
導電層とを備え、
前記第１配線は、第１ランドを有し、
前記第２配線は、第２ランドを有し、
前記第１配線は、前記第１面上に配置されている第１層と、前記第１層上に配置されている第２層とを有し、
前記第２配線は、前記第２面上に配置されている第３層と、前記第３層上に配置されている第４層とを有し、
前記第１ランド及び前記第２ランドは、平面視において重なっており、
前記絶縁層には、前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、かつ平面視において少なくとも部分的に前記第１ランド及び前記第２ランドに重なっている貫通穴が形成されており、
前記導電層は、前記第１ランド及び前記第２ランドに接続されるように前記貫通穴の内壁面上に直接配置されており、
前記第２層、前記第４層及び前記導電層は、同一材料で形成されている電解めっき層であり、
前記第１ランド及び前記第２ランドの厚さは、前記絶縁層の厚さの０．５倍以上である、フレキシブルプリント回路基板。

【請求項2】

前記第１ランド及び前記第２ランドの厚さは、前記絶縁層の厚さの０．７５倍以上である、請求項１に記載のフレキシブルプリント回路基板。

【請求項3】

第１面と、前記第１面の反対面である第２面とを有する絶縁層と、
前記第１面上に配置されている第１配線と、
前記第２面上に配置されている第２配線と、
パラジウム粒子と、
導電層とを備え、
前記第１配線は、第１ランドを有し、
前記第２配線は、第２ランドを有し、
前記第１配線は、前記第１面上に配置されている第１層と、前記第１層上に配置されている第２層とを有し、
前記第２配線は、前記第２面上に配置されている第３層と、前記第３層上に配置されている第４層とを有し、
前記第１ランド及び前記第２ランドは、平面視において重なっており、
前記絶縁層には、前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、かつ平面視において少なくとも部分的に前記第１ランド及び前記第２ランドに重なっている貫通穴が形成されており、
前記パラジウム粒子は、前記貫通穴の内壁面上に直接配置されており、
前記導電層は、前記第１ランド及び前記第２ランドに接続されるように前記パラジウム粒子上に直接配置されており、
前記第２層、前記第４層及び前記導電層は、同一材料で形成されている電解めっき層であり、
前記第１ランド及び前記第２ランドの厚さは、前記絶縁層の厚さの０．５倍以上である、フレキシブルプリント回路基板。

【請求項4】

前記貫通穴の内径は、前記絶縁層の厚さ以上である、請求項１に記載のフレキシブルプリント回路基板。

【請求項5】

前記第１層は、スパッタ層である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のフレキシブルプリント回路基板。

【請求項6】

絶縁層を準備する工程と、
第１ランドを有する第１配線及び第２ランドを有する第２配線を形成する工程とを備え、
前記絶縁層は、第１面と、前記第１面の反対面である第２面とを有し、
前記絶縁層には、前記絶縁層を厚さ方向に貫通し、かつ平面視において少なくとも部分的に前記第１ランド及び前記第２ランドに重なっている貫通穴が形成され、
前記第１配線及び前記第２配線を形成する工程は、前記第１面上に第１層を形成する工程と、前記第１層上に第１レジスト層を形成する工程と、前記第１レジスト層から露出している前記第１層上に第２層を形成する工程と、前記第２面上に第３層を形成する工程と、前記第３層上に第２レジスト層を形成する工程と、前記第２レジスト層から露出している前記第３層上に第４層を形成する工程とを有し、
前記第２層を形成する工程及び前記第４層を形成する工程は、電解めっきにより行われ、
前記第２層を形成する工程及び前記第４層を形成する工程では、前記貫通穴の内壁面に沿って前記第２層及び前記第４層が成長することにより、前記貫通穴の前記内壁面の直上に導電層が形成され、
前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層は、前記第２層及び前記第４層が形成された後に除去され、
除去された前記第１レジスト層の下にある前記第１層及び除去された前記第２レジスト層の下にある前記第３層は、前記第２層及び前記第４層が形成された後に、エッチングにより除去され、
前記第１ランド及び前記第２ランドの厚さは、前記絶縁層の厚さの０．５倍以上である、フレキシブルプリント回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、フレキシブルプリント回路基板及びフレキシブルプリント回路基板の製造方法に関する。本出願は、２０２１年４月２２日に出願した日本特許出願である特願２０２１－０７２６６０号に基づく優先権を主張する。当該日本特許出願に記載された全ての記載内容は、参照によって本明細書に援用される。

【背景技術】

【0002】

例えば特開２０１６－３５９９２号公報（特許文献１）には、セミアディティブ工法によりフレキシブルプリント回路基板を製造する方法が記載されている。セミアディティブ工法では、第１に、ベースフィルム上に下地金属層が形成される。第２に、下地金属層上にパターンニングされたレジスト層が形成される。第３に、レジスト層から露出している下地金属層上に導電パターンが電解めっきされる。第４に、レジスト層を除去するとともにレジスト層の下にあった下地金属層がエッチングにより除去される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１６－３５９９２号公報

【発明の概要】

【0004】

本開示のフレキシブルプリント回路基板は、第１面と、第１面の反対面である第２面とを有する絶縁層と、第１面上に配置されている第１配線と、第２面上に配置されている第２配線と、導電層とを備えている。第１配線は、第１ランドを有する。第２配線は、第２ランドを有する。第１配線は、第１面上に配置されている第１層と、第１層上に配置されている第２層とを有する。第２配線は、第２面上に配置されている第３層と、第３層上に配置されている第４層とを有する。第１ランド及び第２ランドは、平面視において重なっている。絶縁層には、絶縁層を厚さ方向に貫通し、かつ平面視において少なくとも部分的に第１ランド及び第２ランドに重なっている貫通穴が形成されている。導電層は、第１ランド及び第２ランドに接続されるように貫通穴の内壁面上に配置されている。第２層、第４層及び導電層は、同一材料で形成されている電解めっき層である。第１ランド及び第２ランドの厚さは、絶縁層の厚さの０．５倍以上である。

【図面の簡単な説明】

【0005】

【図1】図１は、フレキシブルプリント回路基板１００の平面図である。

【図2】図２は、図１のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。

【図3】図３は、フレキシブルプリント回路基板１００の製造方法の工程図である。

【図4】図４は、スパッタリング工程Ｓ２１が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。

【図5】図５は、貫通穴形成工程Ｓ２２が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。

【図6】図６は、レジスト層形成工程Ｓ２３が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。

【図7】図７は、電解めっき工程Ｓ２４が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。

【図8】図８は、電解めっき工程Ｓ２４が行われている途中におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。

【図9】図９は、レジスト除去工程Ｓ２５が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。

【図10】図１０は、フレキシブルプリント回路基板１００Ａの断面図である。

【図11】図１１は、無電解めっき層６０近傍におけるフレキシブルプリント回路基板１００Ａの断面図である。

【図12】図１２は、内径Ｄが厚さＴ１よりも小さい場合における電解めっき工程Ｓ２４が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。

【図13】図１３は、フレキシブルプリント回路基板１００Ｂの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0006】

［本開示が解決しようとする課題］
ベースフィルムの表面上に配置されている配線とベースフィルムの裏面上に配置されている配線とを接続するためには、ベースフィルムに貫通穴を形成するとともに、貫通穴の内壁面上にベースフィルムの表面上に配置されている配線とベースフィルムの裏面上に配置されている配線とを接続する導電層を形成することになる。貫通穴の内壁面上に導電層を導電パターンとともに電解めっきで形成するために、レジスト層を形成する前に、貫通穴の内壁面上に導電化処理が行われる。導電化処理は、貫通穴の内壁面上に無電解めっき層を形成することにより行われる。

【0007】

上記のような工程が行われる結果、レジスト層の下には、下地金属層のみならず、無電解めっき層が存在することになる。そのため、レジスト層を除去した後のエッチングにより長い時間が必要になり、配線のアンダーカットが大きくなるおそれがある。

【0008】

本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、配線のアンダーカットを抑制可能なフレキシブルプリント回路基板を提供するものである。

【0009】

［本開示の効果］
本開示のフレキシブルプリント回路基板によると、配線のアンダーカットを抑制可能である。

【0010】

［本開示の実施形態の説明］
まず、本開示の実施形態を列記して説明する。

【0011】

（１）一実施形態に係るフレキシブルプリント回路基板は、第１面と、第１面の反対面である第２面とを有する絶縁層と、第１面上に配置されている第１配線と、第２面上に配置されている第２配線と、導電層とを備えている。第１配線は、第１ランドを有する。第２配線は、第２ランドを有する。第１配線は、第１面上に配置されている第１層と、第１層上に配置されている第２層とを有する。第２配線は、第２面上に配置されている第３層と、第３層上に配置されている第４層とを有する。第１ランド及び第２ランドは、平面視において重なっている。絶縁層には、絶縁層を厚さ方向に貫通し、かつ平面視において少なくとも部分的に第１ランド及び第２ランドに重なっている貫通穴が形成されている。導電層は、第１ランド及び第２ランドに接続されるように貫通穴の内壁面上に配置されている。第２層、第４層及び導電層は、同一材料で形成されている電解めっき層である。第１ランド及び第２ランドの厚さは、絶縁層の厚さの０．５倍以上である。

【0012】

上記（１）のフレキシブルプリント回路基板によると、配線のアンダーカットを抑制可能である。

【0013】

（２）上記（１）のフレキシブルプリント回路基板では、第１ランド及び第２ランドの厚さが、絶縁層の厚さの０．７５倍以上であってもよい。

【0014】

上記（２）のフレキシブルプリント回路基板によると、導電層の信頼性を高めることができる。

【0015】

（３）上記（１）又は（２）のフレキシブルプリント回路基板では、貫通穴の内壁面と導電層との間にパラジウム粒子が分散していてもよい。

【0016】

上記（３）によると、導電層中にボイドが発生することを抑制できる。
（４）上記（１）から（３）のフレキシブルプリント回路基板では、貫通穴の内径が絶縁層の厚さ以上であってもよい。

【0017】

（５）上記（１）から（４）のフレキシブルプリント回路基板では、第１層がスパッタ層であってもよい。

【0018】

（６）一実施形態に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法は、絶縁層を準備する工程と、第１ランドを有する第１配線及び第２ランドを有する第２配線を形成する工程とを備えている。絶縁層は、第１面と、第１面の反対面である第２面とを有する。絶縁層には、絶縁層を厚さ方向に貫通し、かつ平面視において少なくとも部分的に第１ランド及び第２ランドに重なっている貫通穴が形成される。第１配線及び第２配線を形成する工程は、第１面上に第１層を形成する工程と、第１層上に第１レジスト層を形成する工程と、第１レジスト層から露出している第１層上に第２層を形成する工程と、第２面上に第３層を形成する工程と、第３層上に第２レジスト層を形成する工程と、第２レジスト層から露出している第３層上に第４層を形成する工程とを有する。第２層を形成する工程及び第４層を形成する工程は、電解めっきにより行われる。第２層を形成する工程及び第４層を形成する工程では、貫通穴の内壁面に沿って第２層及び第４層が成長することにより貫通穴の内壁面上に導電層が形成される。第１レジスト層及び第２レジスト層は、第２層及び第４層が形成された後に除去される。除去された第１レジスト層の下にある第１層及び除去された第２レジスト層の下にある第３層は、第２層及び第４層が形成された後に、エッチングにより除去される。第１ランド及び第２ランドの厚さは、絶縁層の厚さの０．５倍以上である。

【0019】

上記（６）のフレキシブルプリント回路基板の製造方法によると、配線のアンダーカットを抑制することができる。

【0020】

［本開示の実施形態の詳細］
次に、本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。

【0021】

（実施形態に係るフレキシブルプリント回路基板の構成）
以下に、実施形態に係るフレキシブルプリント回路基板（「フレキシブルプリント回路基板１００」とする）の構成を説明する。

【0022】

図１は、フレキシブルプリント回路基板１００の平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩにおける断面図である。図１及び図２に示されるように、フレキシブルプリント回路基板１００は、絶縁層１０と、第１配線２０と、第２配線３０と、導電層４０とを有している。

【0023】

絶縁層１０は、電気絶縁性及び可撓性を有する材料により形成されている。絶縁層１０を構成している材料の具体例としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート及びフッ素樹脂が挙げられる。絶縁層１０は、第１面１０ａと、第２面１０ｂとを有している。第１面１０ａ及び第２面１０ｂは、絶縁層１０の厚さ方向における端面である。第２面１０ｂは、第１面１０ａの反対面である。絶縁層１０の厚さを、厚さＴ１とする。厚さＴ１は、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下である。

【0024】

第１配線２０は、第１面１０ａ上に配置されている。第１配線２０は、第１ランド２０ａを有している。第１ランド２０ａは、例えば、第１配線２０の端部にある。第１ランド２０ａは、例えば、平面視において矩形形状である。第１ランド２０ａの厚さを、厚さＴ２とする。厚さＴ２は、厚さＴ１の０．５倍以上である。厚さＴ２は、厚さＴ１の０．７５倍以上であってもよい。厚さＴ２は、厚さＴ１の１．０倍以上であってもよい。厚さＴ２は、厚さＴ１の２．０倍以下であってもよい。厚さＴ２は、厚さＴ１の４．０倍以下であってもよく、厚さＴ１の６．０倍以下であってもよい。厚さＴ２は、後述する内径Ｄの０．５倍未満であってもよい。

【0025】

第１配線２０は、第１層２１と、第２層２２とを有している。第１層２１は、例えば、銅（Ｃｕ）により形成されている。第１層２１は、例えば、スパッタ層（スパッタリングにより形成された層）である。第２層２２は、例えば、銅により形成されている。第２層２２は、電解めっき層（電解めっきにより形成された層）である。第２層２２は、第１層２１上に配置されている。第１層２１の厚さは、第２層２２の厚さよりも小さい。

【0026】

第２配線３０は、第２面１０ｂ上に配置されている。第２配線３０は、第２ランド３０ａを有している。第２ランド３０ａは、例えば、第２配線３０の端部にある。第２ランド３０ａは、例えば、平面視において矩形形状である。第２ランド３０ａは、平面視において、第１ランド２０ａと重なっている。第１ランド２０ａ及び第２ランド３０ａは、平面視において、互いに同一の形状及び同一の大きさであってもよい。第１ランド２０ａ及び第２ランド３０ａは、平面視において、互いに異なる形状又は異なる大きさであってもよい。第２ランド３０ａの厚さを、厚さＴ３とする。厚さＴ３は、厚さＴ１の０．５倍以上である。厚さＴ３は、厚さＴ１の０．７５倍以上である。厚さＴ３は、厚さＴ１の１．０倍以上であってもよい。厚さＴ３は、厚さＴ１の２．０倍以下であってもよい。厚さＴ３は、厚さＴ１の４．０倍以下であってもよく、厚さＴ１の６．０倍以下であってもよい。厚さＴ３は、後述する内径Ｄの０．５倍未満であってもよい。

【0027】

第２配線３０は、第３層３１と、第４層３２とを有している。第３層３１は、例えば、銅により形成されている。第３層３１は、例えば、スパッタ層である。第４層３２は、例えば銅により形成されている。第４層３２は、電解めっき層である。すなわち、第４層３２は、第２層２２と同一材料により形成されている電解めっき層である。第４層３２は、第３層３１上に配置されている。第３層３１の厚さは、第４層３２の厚さよりも小さい。

【0028】

絶縁層１０には、貫通穴１０ｃが形成されている。貫通穴１０ｃは、厚さ方向に沿って絶縁層１０を貫通している。貫通穴１０ｃは、平面視において、第１ランド２０ａ及び第２ランド３０ａに重なっている。貫通穴１０ｃは、平面視において、第１ランド２０ａ及び第２ランド３０ａに部分的に重なっていてもよい。貫通穴１０ｃの内径を、内径Ｄとする。内径Ｄは、厚さＴ１以上である。

【0029】

導電層４０は、貫通穴１０ｃの内壁面上に配置されている。導電層４０は、第１ランド２０ａ及び第２ランド３０ａに接続されている。これにより、第１ランド２０ａ及び第２ランド３０ａが、互いに導通している。導電層４０は、例えば銅により形成されている。導電層４０は、電解めっき層である。すなわち、導電層４０は、第２層２２及び第４層３２と同一材料により形成されている電解めっき層である。貫通穴１０ｃの内壁面上に配置されている導電層４０は、１層構造であってもよい。

【0030】

（実施形態に係るフレキシブルプリント回路基板の製造方法）
以下に、フレキシブルプリント回路基板１００の製造方法を説明する。

【0031】

図３は、フレキシブルプリント回路基板１００の製造方法の工程図である。図３に示されるように、フレキシブルプリント回路基板１００の製造方法は、準備工程Ｓ１と、配線形成工程Ｓ２とを有している。配線形成工程Ｓ２は、準備工程Ｓ１の後に行われる。

【0032】

準備工程Ｓ１では、絶縁層１０が準備される。準備工程Ｓ１で準備される絶縁層１０には、貫通穴１０ｃが形成されていない。配線形成工程Ｓ２は、スパッタリング工程Ｓ２１と、貫通穴形成工程Ｓ２２と、レジスト層形成工程Ｓ２３と、電解めっき工程Ｓ２４と、レジスト除去工程Ｓ２５と、エッチング工程Ｓ２６とを有している。

【0033】

貫通穴形成工程Ｓ２２は、スパッタリング工程Ｓ２１の後に行われる。レジスト層形成工程Ｓ２３は、貫通穴形成工程Ｓ２２の後に行われる。電解めっき工程Ｓ２４は、レジスト層形成工程Ｓ２３の後に行われる。レジスト除去工程Ｓ２５は、電解めっき工程Ｓ２４の後に行われる。エッチング工程Ｓ２６は、レジスト除去工程Ｓ２５の後に行われる。

【0034】

図４は、スパッタリング工程Ｓ２１が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。図４に示されるように、スパッタリング工程Ｓ２１では、スパッタリングが行われることにより、第１面１０ａ上に第１層２１が形成されるとともに、第２面１０ｂ上に第３層３１が形成される。

【0035】

図５は、貫通穴形成工程Ｓ２２が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。図５に示されるように、貫通穴形成工程Ｓ２２では、貫通穴１０ｃの形成が行われる。貫通穴１０ｃは、例えば、レーザ加工又はドリル等を用いた機械加工により形成される。

【0036】

図６は、レジスト層形成工程Ｓ２３が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。図６に示されるように、レジスト層形成工程Ｓ２３では、第１層２１上及び第３層３１上に、レジスト層５０が形成される。レジスト層５０の形成においては、第１に、レジスト層５０を構成する感光性の有機材料が成膜される。第２に、成膜されたレジスト層５０を構成する感光性の有機材料に対して露光及び現像が行われる。これにより、パターンニングがされたレジスト層５０が、第１層２１上及び第３層３１上に形成される。

【0037】

図７は、電解めっき工程Ｓ２４が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。図７に示されるように、電解めっき工程Ｓ２４では、フレキシブルプリント回路基板１００がめっき液中に浸漬されるとともに、第１層２１及び第３層３１が通電される。これにより、レジスト層５０から露出している第１層２１上に第２層２２が電解めっきされ、レジスト層５０から露出している第３層３１上に第４層３２が電解めっきされる。

【0038】

図８は、電解めっき工程Ｓ２４が行われている途中におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。図８に示されるように、厚さＴ２及び厚さＴ３が厚さＴ１の０．５倍以上である場合、電解めっき工程Ｓ２４が行われている際に、第２層２２は、貫通穴１０ｃの内壁面に沿って第１面１０ａから第２面１０ｂに向かう方向にも成長する。また、この場合、電解めっき工程Ｓ２４が行われている際に、第４層３２は、貫通穴１０ｃの内壁面に沿って第２面１０ｂから第１面１０ａに向かう方向にも成長する。貫通穴１０ｃの内壁面に沿って成長した第２層２２及び第４層３２が一体化されることにより、導電層４０となる。

【0039】

図９は、レジスト除去工程Ｓ２５が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。図９に示されるように、レジスト除去工程Ｓ２５では、レジスト層５０の除去が行われる。エッチング工程Ｓ２６では、除去されたレジスト層５０の下にあった第１層２１及び第３層３１が、エッチングにより除去される。このエッチングは、ウェットエッチング又はドライエッチングにより行われる。以上により、図１及び図２に示される構造のフレキシブルプリント回路基板１００が製造される。

【0040】

（実施形態に係るフレキシブルプリント回路基板の効果）
以下に、フレキシブルプリント回路基板１００の効果を、比較例に係るフレキシブルプリント回路基板（「フレキシブルプリント回路基板１００Ａ」とする）と比較しながら説明する。

【0041】

図１０は、フレキシブルプリント回路基板１００Ａの断面図である。図１０に示されるように、フレキシブルプリント回路基板１００Ａは、さらに、無電解めっき層６０を有している。無電解めっき層６０は、第１層２１と第２層２２との間、第３層３１と第４層３２との間及び貫通穴１０ｃの内壁面と導電層４０との間に配置されている。

【0042】

その他の点に関して、フレキシブルプリント回路基板１００Ａは、フレキシブルプリント回路基板１００と共通している。なお、無電解めっき層６０は、貫通穴形成工程Ｓ２２が行われた後であってレジスト層形成工程Ｓ２３が行われる前に形成される。

【0043】

図１１は、無電解めっき層６０近傍におけるフレキシブルプリント回路基板１００Ａの断面図である。エッチング工程Ｓ２６において第１層２１（第３層３１）に加えて無電解めっき層６０も除去する必要があるため、フレキシブルプリント回路基板１００Ａでは、エッチング工程Ｓ２６に要する時間が長くなる。また、フレキシブルプリント回路基板１００Ａでは、第１層２１（第３層３１）と無電解めっき層６０との界面において、エッチングが進行しやすい。そのため、フレキシブルプリント回路基板１００Ａでは、図１１に示されるように、第２層２２（第４層３２）の下にアンダーカットが生じやすい。第１配線２０のアンダーカットとは、第１配線２０の底部にある第１層２１、第２層２２及び無電解めっき層６０の少なくともいずれか又はこれらの層の間の界面の少なくともいずれかが第１配線２０の上部と比較して過剰にエッチングされることより第１配線２０の底部が凹状になる現象をいう。同様に、第２配線３０のアンダーカットとは、第２配線３０の底部にある第３層３１、第４層３２及び無電解めっき層６０の少なくともいずれか又はこれらの層の間の界面の少なくともいずれかが第２配線３０の上部と比較して過剰にエッチングされることより第２配線３０の底部が凹状になる現象をいう。

【0044】

他方で、フレキシブルプリント回路基板１００では、無電解めっき層６０が形成されていないため、エッチング工程Ｓ２６に要する時間が短くなるとともに、第１層２１と無電解めっき層６０との界面が存在しない。そのため、フレキシブルプリント回路基板１００によると、第２層２２及び第４層３２の下にアンダーカットが生じることが抑制される。

【0045】

図１２は、内径Ｄが厚さＴ１よりも小さい場合における電解めっき工程Ｓ２４が行われた後におけるフレキシブルプリント回路基板１００の断面図である。図１２に示されるように、内径Ｄが厚さＴ１より小さい場合には、電解めっき工程Ｓ２４において、第２層２２及び第４層３２が貫通穴１０ｃの内壁面に沿って成長せず、貫通穴１０ｃを跨いでしまうことがある。内径Ｄが厚さＴ１以上である場合には、第２層２２及び第４層３２が貫通穴１０ｃの内壁面に沿って成長しやすくなり、導電層４０により第１ランド２０ａと第２ランド３０ａとの間の電気的接続を確保しやすくなる。

【0046】

厚さＴ２及び厚さＴ３が厚さＴ１の１倍以上である場合、貫通穴１０ｃの内壁面上における導電層４０のピール強度を高めることができる。厚さＴ２及び厚さＴ３が厚さＴ１の２．０倍以下、４．０倍以下又は６．０倍以下の場合、貫通穴１０ｃの内壁面上における導電層４０のピール強度を高めることができる。厚さＴ２及び厚さＴ３が内径Ｄの０．５倍未満である場合、貫通穴１０ｃ内の一部が導電層４０で埋まり、ボイドが発生することが抑制される。

【0047】

（実施例）
導電層４０の信頼性を評価するために、フレキシブルプリント回路基板１００に対してヒートショック試験を行った。ヒートショック試験では、厚さＴ１、厚さＴ２及び厚さＴ３を変化させた。内径Ｄは、１００μｍで一定とされた。ヒートショック試験は、３０分間で温度を－４０℃から１３０℃の範囲内で変化させることを１サイクルとし、これを１０００サイクル繰り返した。

【0048】

ヒートショック試験では、上記の熱サイクルが加わる前及び上記の熱サイクルが１０００サイクル加わった後に、第１ランド２０ａと第２ランド３０ａとの間の電気抵抗値（すなわち、導電層４０の電気抵抗値）が測定された。ヒートショック試験では、サンプル毎に１００００００か所の導電層４０について電気抵抗値が測定された。

【0049】

ヒートショック試験では、上記の熱サイクルが１０００サイクル加わった後に第１ランド２０ａと第２ランド３０ａとの間の電気抵抗値が初期値の±５パーセントの範囲内にある場合に「Ａ」と評価された。また、上記の熱サイクルが加わる前から第１ランド２０ａと第２ランド３０ａとの間で電気的接続がなされていない場合に「Ｃ」と評価された。

【0050】

さらに、上記の熱サイクルが加わる前では第１ランド２０ａと第２ランド３０ａとの間で電気的接続がなされているが、上記の熱サイクルが１０００サイクル加わった後に第１ランド２０ａと第２ランド３０ａとの間の電気抵抗値が初期値の±５パーセントの範囲外となった場合に、「Ｂ」と評価された。

【0051】

【表1】

【0052】

表１に示されるように、厚さＴ２及び厚さＴ３が厚さＴ１の０．５倍未満である場合には、ヒートショック試験の結果は、全てＣであった。他方で、厚さＴ２及び厚さＴ３が厚さＴ１の０．５倍以上である場合には、ヒートショック試験の結果は、全てＢ以上であった。このことから、厚さＴ２及び厚さＴ３が厚さＴ１の０．５倍以上であるとの条件が満たされることにより、導電層４０が貫通穴１０ｃの内壁面上に適正に形成され、第１ランド２０ａと第２ランド３０ａとの間の電気的接続がなされることが、明らかになった。

【0053】

また、厚さＴ２及び厚さＴ３が厚さＴ１の０．７５倍以上である場合、ヒートショック試験の結果は、全てＡであった。このことから、厚さＴ２及び厚さＴ３が厚さＴ１の０．７５倍以上とすることにより導電層４０のヒートショックに対する信頼性が改善されることが、明らかになった。

【0054】

（変形例）
以下に、変形例に係るフレキシブルプリント回路基板１００（「フレキシブルプリント回路基板１００Ｂ」とする）を説明する。ここでは、フレキシブルプリント回路基板１００と異なる点を主に説明し、重複する説明は繰り返さないものとする。

【0055】

図１３は、フレキシブルプリント回路基板１００Ｂの断面図である。図１３に示されるように、フレキシブルプリント回路基板１００Ｂは、パラジウム粒子７０をさらに有している。パラジウム粒子７０は、貫通穴１０ｃの内壁面と導電層４０との間に分散されている。その他の点に関して、フレキシブルプリント回路基板１００Ａは、フレキシブルプリント回路基板１００と共通している。なお、パラジウム粒子７０は、貫通穴形成工程Ｓ２２が行われた後であってレジスト層形成工程Ｓ２３が行われる前に貫通穴１０ｃの内壁面上に配置される。

【0056】

フレキシブルプリント回路基板１００では、第２層２２が貫通穴１０ｃの内壁面に沿って第１面１０ａから第２面１０ｂ側に向かって成長するとともに、第４層３２が貫通穴１０ｃの内壁面に沿って第２面１０ｂから第１面１０ａ側に向かって成長することにより導電層４０が形成されるため、第１面１０ａから第２面１０ｂ側に向かって成長してきた第２層２２と第２面１０ｂから第１面１０ａ側に向かって成長してきた第４層３２とが接触する部分の近傍に、ボイドが発生することがある。

【0057】

他方で、フレキシブルプリント回路基板１００Ｂでは、第１面１０ａから第２面１０ｂ側に向かう第２層２２の成長及び第２面１０ｂから第１面１０ａ側に向かう第４層３２の成長に加え、パラジウム粒子７０を核とする貫通穴１０ｃの内壁面上での電解めっき層の成長も、導電層４０の形成に寄与する。そのため、フレキシブルプリント回路基板１００Ｂによると、上記のようなボイドが導電層４０中に発生することが抑制される。

【0058】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は上記した実施形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0059】

１０ 絶縁層、１０ａ 第１面、１０ｂ 第２面、１０ｃ 貫通穴、２０ 第１配線、２０ａ 第１ランド、２１ 第１層、２２ 第２層、３０ 第２配線、３０ａ 第２ランド、３１ 第３層、３２ 第４層、４０ 導電層、５０ レジスト層、６０ 無電解めっき層、７０ パラジウム粒子、１００，１００Ａ，１００Ｂ フレキシブルプリント回路基板、Ｄ 内径、Ｓ１ 準備工程、Ｓ２ 配線形成工程、Ｓ２１ スパッタリング工程、Ｓ２２ 貫通穴形成工程、Ｓ２３ レジスト層形成工程、Ｓ２４ 電解めっき工程、Ｓ２５ レジスト除去工程、Ｓ２６ エッチング工程、Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３ 厚さ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】