特許 7545298 電力変換装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-27

(45)【発行日】2024-09-04

(54)【発明の名称】電力変換装置

(51)【国際特許分類】

   H02M 7/48 20070101AFI20240828BHJP

【ＦＩ】

H02M7/48 Z

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2020189578

(22)【出願日】2020-11-13

(65)【公開番号】P2022078707

(43)【公開日】2022-05-25

【審査請求日】2023-07-04

(73)【特許権者】

【識別番号】000005108

【氏名又は名称】株式会社日立製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110002365

【氏名又は名称】弁理士法人サンネクスト国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】浅井 亨太

(72)【発明者】

【氏名】徳山 健

【審査官】安食 泰秀

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１６－１９５２１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１６／１７０９１０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００８－１９８７５０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０２Ｍ ７／４８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子を間に挟んで前記パワー半導体素子のエミッタとコレクタにそれぞれ接続される複数の導体部と、をそれぞれ有する第１及び第２パワー回路部と、
前記第１及び第２パワー回路部を収納し、かつ冷媒を流す流路形成体と、を備え、
前記第１及び第２パワー回路部は、前記冷媒を通すための貫通孔をそれぞれ有し、かつ互いに積層方向に重ねて配置され、
前記第１パワー回路部の前記エミッタ側の前記導体部は、前記第２パワー回路部の前記コレクタ側の前記導体部と対向して配置され、
前記第１パワー回路部の前記エミッタ側の前記導体部と前記第２パワー回路部の前記コレクタ側の前記導体部とは、前記冷媒と接触している複数の導電性フィンにより電気的に接続され、
前記複数の導電性フィンは、前記第１パワー回路部の前記貫通孔から前記第２パワー回路部の前記貫通孔に向かって流通する前記冷媒に接触する
電力変換装置。

【請求項2】

請求項１に記載の電力変換装置であって、
前記パワー半導体素子は、ＩＧＢＴとダイオードで構成され、前記第１パワー回路部のＩＧＢＴが前記第２パワー回路部のダイオードに対向し、前記第１パワー回路部のダイオードが前記第２パワー回路部のＩＧＢＴに対向する配置である
電力変換装置。

【請求項3】

請求項１に記載の電力変換装置であって、
前記流路形成体は、前記第１パワー回路部の上面に流路を形成する上面流路形成体と、前記第２パワー回路部の下面に流路を形成する下面流路形成体と、前記第１及び第２パワー回路部の間に流路を形成する中間流路形成体と、で構成され、
前記第１パワー回路部の前記エミッタ側の前記導体部と前記第２パワー回路部の前記コレクタ側の前記導体部とは、前記中間流路形成体により形成された前記流路の途中に配置された前記複数の導電性フィンにより接続されている
電力変換装置。

【請求項4】

請求項１に記載の電力変換装置であって、
前記第１及び第２パワー回路部は、前記導体部に電気的に接続される導体層を備えた第１基板と第２基板にそれぞれ搭載される
電力変換装置。

【請求項5】

請求項４に記載の電力変換装置であって、
前記第１基板及び前記第２基板は、同一の形状で構成される
電力変換装置。

【請求項6】

請求項５に記載の電力変換装置であって、
前記第１基板及び前記第２基板の導体層は、互いに対向して配置され、前記流路形成体の外部に配置されるコンデンサの正極端子及び負極端子とそれぞれ接続される
電力変換装置。

【請求項7】

請求項３に記載の電力変換装置であって、
前記上面流路形成体と前記下面流路形成体とのそれぞれの内部の流路は、前記中間流路形成体の内部の流路を介して、互いに導通している
電力変換装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電力変換装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電力変換装置が変換する電力量の増大傾向に対して、自動車全体では小型化や軽量化の需要があるため、電力変換装置の大型化や重量の増加を抑えつつ、装置の出力向上のための技術改善が日々成されている。また、車載用の電力変換装置は、産業用のものなどと比較すると温度変化の大きい環境で使用されるため、高温の環境下でも高い信頼性を維持できる装置が要求されている。

【0003】

さて、電力変換装置は、電力変換を行う際に、インバータ回路の上下アームを構成する半導体モジュールが遮断状態と導通状態を繰り返す、スイッチング動作が必要になる。この時、上下アームを通して流れる過渡電流が、配線の寄生インダクタンスの影響を受けてサージ電圧の原因となる。これによって、半導体モジュールの損失が増大し、内部に搭載されているチップの温度が上昇する。この温度上昇の原因となるインダクタンスの低減と温度上昇を抑える冷却性能の向上とを両立させることが、高い信頼性の電力変換装置にとって重要な課題となる。

【0004】

本願発明の背景技術として、下記の特許文献１が知られている。特許文献１の半導体装置の冷却構造では、出力電極を挟んで互いに対向して配置される２つの半導体素子と、半導体素子に対して出力電極の反対側に配置される放熱器と、が備えられている。この出力電極は、素子実装部と熱輸送部とを含み、素子実装部は、２つの半導体素子に電気的に接続され、導電性材料から形成される。熱輸送部は、素子実装部から放熱器に向けて延設される。このように構成することで、温度上昇の原因となるインダクタンスを低減し、かつ冷却効率の優れた技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】国際公開第２０１１／０６４８４１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に記載の方法では、複数の入力電極が平行に配置されており、入力電極間で寄生インダクタンスが打ち消されることでスイッチング損失を低減できる。しかし、熱輸送部が絶縁部材を介して放熱器に接続されるため、放熱経路上の絶縁部材の冷却効率を低下させる恐れがある。これを鑑みて、本発明の課題は、放熱経路上の絶縁部材を排除した両面冷却による冷却性能の向上と、スイッチング損失を抑制するインダクタンスの低減と、を両立し、出力増大を図った電力変換装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

電力変換装置は、パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子を間に挟んで前記パワー半導体素子のエミッタとコレクタにそれぞれ接続される複数の導体部と、をそれぞれ有する第１及び第２パワー回路部と、前記第１及び第２パワー回路部を収納し、かつ冷媒を流す流路形成体と、を備え、前記第１パワー回路部の前記エミッタ側の前記導体部は、前記第２パワー回路部の前記コレクタ側の前記導体部と対向して配置され、前記第１パワー回路部の前記エミッタ側の前記導体部と前記第２パワー回路部の前記コレクタ側の前記導体部とは、前記冷媒と接触している複数の導電性フィンにより接続される。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、冷却性能の向上とインダクタンスの低減とを両立し、出力増大を図った電力変換装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施形態に係る、電力変換装置の断面図。

【図2】本発明の一実施形態に係る、第１パワー回路部の基板（下層）の平面図。

【図3】図２からモールド樹脂を除いた平面図。

【図4】パワーモジュールの平面図。

【図5】パワーモジュールの斜視図。

【図6】パワーモジュールの正面図。

【図7】本発明の一実施形態に係る、第２パワー回路部の基板（上層）の平面図。

【図8】図７からモールド樹脂を除いた平面図。

【図9】本発明の一実施形態に係る、電力変換装置の上視図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

（本発明の一実施形態）
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。ただし、本発明は下記の実施形態に限定解釈されるものではなく、公知の他の構成要素を組み合わせて本発明の技術思想を実現してもよい。なお、各図において同一要素については同一の符号を記し、重複する説明は省略する。

【0011】

また、図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。

【0012】

図１は、本発明の一実施形態に係る、電力変換装置の断面図である。

【0013】

電力変換装置１００は、バッテリなどからの直流電力を交流電力に変換して電動機に供給する電力変換装置で、図１では１相分の上アーム回路及び下アーム回路の構成を表している。

【0014】

電力変換装置１００は、第１パワー回路部２０１を備える第１基板３００１と、第２パワー回路部２０２を備える第２基板３００２と、電力変換装置１００に印加される電圧を平滑化するコンデンサ４０と、電力変換装置１００全体を冷却する冷媒を流す流路形成体２５と、によって構成される。

【0015】

第１パワー回路部２０１は、パワー半導体素子であるＩＧＢＴ１０を、第１パワー回路側エミッタ導体板２２１および第１パワー回路側コレクタ導体板２１１と、はんだ付け等により接続している。同様に、第２パワー回路部２０２は、パワー半導体素子であるＩＧＢＴ１０を、第２パワー回路側エミッタ導体板２２２および第２パワー回路側コレクタ導体板２１２と、はんだ付け等により接続している。

【0016】

第１パワー回路部２０１および第２パワー回路部２０２は、ＩＧＢＴ１０とエミッタ導体板２２１（２２２）とコレクタ導体板２１１（２１２）によって構成されている。また、第１パワー回路部２０１および第２パワー回路部２０２は、プリント回路基板などの基板３０（３００１、３００２）に設置するために形成されたパワーモジュール組込孔３０３に設置される。基板３０（３００１、３００２）に設置された第１パワー回路部２０１および第２パワー回路部２０２は、モールド樹脂２３で密閉固定されている。これにより、複雑な形状のバスバーが不要となり、生産性が向上する。

【0017】

基板３０（３００１、３００２）は、銅材などにより構成される複数の導体層を備え、導体層以外の箇所はガラスエポキシ樹脂などの絶縁部材で構成され、導体がビア３０２を介して各層に形成される。これにより、導体の断面積が拡大され、インダクタンスを低減できる。

【0018】

図１に示すように、電力変換装置１００は、第１パワー回路部２０１が下層、第２パワー回路部２０２が上層、の上下２層に構成されており、流路形成体２５が、２つのパワー回路部を覆うように形成されている。また、流路形成体２５は、上面流路形成体２５１、下面流路形成体２５２、中間流路形成体２５３、の３つの流路形成体によって構成されている。

【0019】

上面流路形成体２５１は、第２パワー回路部２０２と第２基板３００２と共に、流路を形成している。上面流路形成体２５１に流れる冷媒は、流路入口２６から内部に流入し、貫通孔３０１ａより、中間流路形成体２５３に連絡して流れている。これにより、第２パワー回路部２０２と第２基板３００２の上面が冷却されている。

【0020】

中間流路形成体２５３は、第２パワー回路部２０２および第２基板３００２と、第１パワー回路部２０１および第１基板３００１と共に、流路を形成している。中間流路形成体２５３に流れる冷媒は、上面流路形成体２５１から貫通孔３０１ａを通って、中間流路形成体２５３に流入し、貫通孔３０１ｂを通って、下面流路形成体２５２に連絡して流れている。これにより、第２パワー回路部２０２および第２基板３００２の下面と、第１パワー回路部２０１および第１基板３００１の上面とが冷却されている。

【0021】

下面流路形成体２５２は、第１パワー回路部２０１と第１基板３００１と共に、流路を形成している。下面流路形成体２５２に流れる冷媒は、中間流路形成体２５３から貫通孔３０１ｂを通って、下面流路形成体２５２に流入し、流路出口２７を通って、流路形成体２５の外部に排出される。これにより、第１パワー回路部２０１および第１基板３００１の下面が冷却されている。

【0022】

図１で説明した構成により、冷媒経路２５４が形成され、冷媒は冷媒経路２５４の矢印に沿って流路形成体２５の内部を流れていく。この冷媒経路２５４の途中には、冷却フィン２４が設けられており、第１パワー回路部２０１および第２パワー回路部２０２の放熱効果を促進させている。

【0023】

冷却フィン２４は、導電性を有しており、第１パワー回路側エミッタ導体板２２１と第２パワー回路側コレクタ導体板２１２とを電気的に接続している。これにより、最短距離でパワー回路部間を接続することができるようになり、インダクタンスの低減に貢献している。また、第１パワー回路部２０１および第２パワー回路部２０２を平面方向に並列に並べて配置する必要がないため、電力変換装置１００の小型化にも貢献している。

【0024】

コンデンサ４０は流路形成体２５の外部に設置され、第１基板３００１に正極端子４０１、第２基板３００２に負極端子４０２が接続されている。これにより、冷媒の接触による電子部品の腐食が防止されている。

【0025】

図２は、本発明の一実施形態に係る、第１パワー回路部の基板（下層）の平面図である。なおＸ－Ｘ’は図１の断面位置を示すためのものである。

【0026】

第１基板３００１は、第１パワー回路部２０１と、正極電源端子３１１を備える正極電源端子導体３１と、交流出力端子３３１を備える交流出力端子導体３３と、制御信号を生成する制御回路５０と、によって構成されている。

【0027】

第１基板３００１には、第１パワー回路部２０１と正極電源端子３１１との間にコンデンサ４０が搭載されている。コンデンサ４０は、セラミックコンデンサなどで構成され、複数個搭載される。コンデンサ４０は、正極端子４０１及び負極端子４０２（図１）を有し、第１基板３００１には正極端子４０１が接続されている。コンデンサ４０は、第１パワー回路部２０１と並列に搭載されることで、コンデンサ４０から第１パワー回路部２０１への電流経路が拡大されるため、インダクタンスを低減できる。

【0028】

第１パワー回路部２０１は、モールド樹脂２３によってモールドされているが、第１パワー回路側エミッタ導体板２２１の一部の面はモールドされておらず、冷媒の流路に露出するようになっている。さらに、この一部の露出面には冷却フィン２４が複数形成されている。これにより、第１パワー回路部２０１の放熱効果を向上させている。

【0029】

図３は、図２からモールド樹脂を除いた平面図である。

【0030】

制御回路５０は、第１パワー回路部２０１に隣接して配置され、流路内基板配線５２からワイヤボンディングなどの制御信号配線５１を介して、第１パワー回路部２０１に接続される。これにより、制御信号配線５１のインダクタンスを低減し、素子駆動性能の低下を防ぐことで損失増加を防止している。

【0031】

第１基板３００１において、第１パワー回路部２０１と交流出力端子３３１との間に、冷媒を通すための貫通孔３０１ｂが設けられる。貫通孔３０１ｂは円形などの形状で形成され、第１パワー回路部２０１に対して並列に複数設けられる。貫通孔３０１ｂにより、基板３００１の両面に設けられた全ての導体層に冷媒が連通し、第１パワー回路部２０１の両面冷却が可能となる。

【0032】

図４は、パワーモジュールの平面図、図５はその斜視図、図６はその正面図である。

【0033】

パワーモジュール２０は、直流電力を交流電力に変換する電力変換装置における１相分の上アーム回路または下アーム回路を構成している。また、パワーモジュール２０は、ＩＧＢＴ１０と、ダイオード１１と、コレクタ導体板２１と、エミッタ導体板２２と、によって構成される。

【0034】

ＩＧＢＴ１０は、板形状で主電極１０１と当該主電極１０１に流れる主電流を制御する制御電極１０２とを有する。コレクタ導体板２１とエミッタ導体板２２は銅材で構成されており、ＩＧＢＴ１０とダイオード１１は、コレクタ導体板２１とエミッタ導体板２２により両面からそれぞれ挟まれている。ＩＧＢＴ１０及びダイオード１１は、はんだなどの金属接合材１２を介してコレクタ導体板２１及びエミッタ導体板２２に接続される。

【0035】

本実施形態の電力変換装置１００では、上記のような構造のパワーモジュール２０により、第１パワー回路部２０１と第２パワー回路部２０２がそれぞれ構成される。第１パワー回路部２０１において、コレクタ導体板２１とエミッタ導体板２２は、第１パワー回路側コレクタ導体板２１１と第１パワー回路側エミッタ導体板２２１にそれぞれ相当する。第２パワー回路部２０２において、コレクタ導体板２１とエミッタ導体板２２は、第２パワー回路側コレクタ導体板２１２と第２パワー回路側エミッタ導体板２２２にそれぞれ相当する。なお、図１においてダイオード１１は図示を省略している。

【0036】

図７は、本発明の一実施形態に係る、第２パワー回路部の基板（上層）の平面図である。なおＸ－Ｘ’は図１の断面位置を示すためのものである。

【0037】

第２基板３００２は、第２パワー回路部２０２と、負極電源端子３２１を備える負極電源端子導体３２と、交流出力端子３３１を備える交流出力端子導体３３と、制御信号を生成する制御回路５０と、によって構成される。第２パワー回路部２０２と負極電源端子３２１との間には、冷媒を通すための貫通孔３０１ａが、第２パワー回路部２０２に対して並列に複数設けられる。

【0038】

第２基板３００２は、第１基板３００１と同一構造で形成されているが、第１基板３００１と第２基板３００２の配置および構造について、図２と図７を用いて比較して説明する。図２に示す第１基板３００１と、図７に示す第２基板３００２とは、コンデンサ４０の配置を除いて、互いに点対称な形状を有している。すなわち、第１基板３００１の正極電源端子導体３１は第２基板３００２の交流出力端子導体３３に該当し、第１基板３００１の交流出力端子導体３３は第２基板３００２の負極電源端子導体３２に該当する。このように、電力変換装置１００を構成する上下アームを同一の形状および構造で製造しているため、生産性が向上する。

【0039】

さらに、図１に示したように、第１基板３００１と第２基板３００２を重ねて上下層の形態に配置することで、配線経路を短くすることと、流路形成体２５の中に流入する冷媒による冷却と、を同時に実現できる。そのため、冷却性能の向上とインダクタンスの低減とを両立することによる出力増大の効果だけでなく、装置全体の小型化にも貢献している。

【0040】

第２基板３００２において、第２パワー回路側コレクタ導体板２１２が第１パワー回路側エミッタ導体板２２１に対向するように配置され、第１パワー回路側エミッタ導体板２２１と第２パワー回路側コレクタ導体板２１２は複数の導電性冷却フィン２４で接続される（図１）。これにより、第１パワー回路部２０１のＩＧＢＴ１０が第２パワー回路部２０２のダイオード１１に対向し、第１パワー回路部２０１のダイオード１１が第２パワー回路部２０２のＩＧＢＴ１０に対向する配置となる。このようにしたので、電力変換装置１００のスイッチング時における過渡電流経路を短縮し、第１パワー回路部２０１と第２パワー回路部２０２に対向電流が流れることで、インダクタンスが低減する。

【0041】

コンデンサ４０は、第２基板３００２において、第２パワー回路部２０２と負極電源端子３２１との間に位置している。第２基板３００２には、コンデンサ４０の負極端子４０２が接続され、正極端子４０１に対して負極端子４０２は対向して配置される（図１）。これにより、コンデンサ４０から第１パワー回路部２０１に流出する電流経路と、第２パワー回路部２０２からコンデンサ４０に流入する電流経路が対向し、インダクタンスを低減できる。

【0042】

また、以上説明した構成において、電力変換装置１００では、バッテリからの電動機の駆動に必要な電気エネルギーが第１パワー回路部２０１及び第２パワー回路部２０２に供給され、交流出力端子導体３３に設けられた交流出力端子３３１から出力される交流電力を制御する。電力変換装置１００のスイッチング時には、コンデンサ４０の正極端子４０１から流出した電流は、第１パワー回路部２０１から導電性冷却フィン２４を介して第２パワー回路部２０２に流れ、負極端子４０２に流入する。これにより、スイッチング時の過渡電流経路を短縮化し、インダクタンスを低減している。

【0043】

さらに、第１パワー回路部２０１及び第２パワー回路部２０２の半導体素子（ＩＧＢＴ１０，ダイオード１１）から導電性冷却フィン２４まで、絶縁部材を介さずに放熱経路を形成しており、油などの冷媒により直接冷却されることで、熱抵抗の増加を抑制し電力変換装置１００の出力増大を図ることができる。また、貫通孔３０１ａ，３０１ｂをモールド樹脂２３に近接して設けることで冷媒経路２５４を短縮でき、圧力損失の低減と冷却効率の向上とを両立できる。

【0044】

図９は、本発明の一実施形態に係る、電力変換装置の上視図である。なおＸ－Ｘ’は図１の断面位置を示すためのものである。

【0045】

流路形成体２５は、モールド樹脂２３と貫通孔３０１ａ，３０１ｂを囲うように設けられ、コンデンサ４０及び制御回路５０は、流路形成体２５の外側に形成される。これにより、冷媒の接触による電子部品の腐食を防止できる。一方で、第１パワー回路部２０１及び第２パワー回路部２０２と、制御信号配線５１と、は流路形成エリア内に構成されるが、モールド樹脂２３により冷媒の接触による電気的影響を受けない。

【0046】

以上説明した本発明の一実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。

【0047】

（１）電力変換装置１００は、パワー半導体素子であるＩＧＢＴ１０と、ＩＧＢＴ１０を間に挟んでＩＧＢＴ１０のエミッタとコレクタにそれぞれ接続される複数の導体部（第１パワー回路側エミッタ導体板２２１、第１パワー回路側コレクタ導体板２１１、第２パワー回路側エミッタ導体板２２２、第２パワー回路側コレクタ導体板２１２）と、をそれぞれ有する第１及び第２パワー回路部２０１，２０２と、第１及び第２パワー回路部２０１，２０２を収納し、かつ冷媒を流す流路形成体２５と、を備え、第１パワー回路部２０１のエミッタ側の導体部２２１は、第２パワー回路部２０２のコレクタ側の導体部２１２と対向して配置され、第１パワー回路部２０１のエミッタ側の導体部２２１と第２パワー回路部２０２のコレクタ側の導体部２１２とは、冷媒と接触している複数の導電性冷却フィン２４により接続される。このようにしたので、冷却性能の向上とインダクタンスの低減とを両立し、出力増大を図った電力変換装置を提供できる。

【0048】

（２）パワー半導体素子は、ＩＧＢＴ１０とダイオード１１で構成され、第１パワー回路部２０１のＩＧＢＴ１０が第２パワー回路部２０２のダイオード１１に対向し、第１パワー回路部２０１のダイオード１１が第２パワー回路部２０２のＩＧＢＴ１０に対向する配置である。このようにしたので、インダクタンスを低減できる。

【0049】

（３）流路形成体２５は、第１パワー回路部２０１の上面に流路を形成する上面流路形成体２５１と、第２パワー回路部２０２の下面に流路を形成する下面流路形成体２５２と、第１及び第２パワー回路部２０１，２０２の間に流路を形成する中間流路形成体２５３と、で構成される。このようにしたので、冷媒を連通させつつ上下層のパワー回路部２０１，２０２を同時に冷却することができる。

【0050】

（４）第１及び第２パワー回路部２０１，２０２は、導体部に電気的に接続される導体層を備えた第１基板３００１と第２基板３００２にそれぞれ搭載される。このようにしたので、上下層に配置した第１及び第２パワー回路部２０１，２０２による高さ方向の大きさを抑えている。

【0051】

（５）第１基板３００１及び第２基板３００２は、同一の形状で構成される。このようにしたので、生産性が向上する。

【0052】

（６）第１基板３００１及び第２基板３００２の導体層は、互いに対向して配置され、流路形成体２５の外部に配置されるコンデンサ４０の正極端子４０１及び負極端子４０２とそれぞれ接続される。このようにしたので、スイッチング時の過渡電流経路を短縮化し、インダクタンスを低減している。

【0053】

（７）上面流路形成体２５１と下面流路形成体２５２とのそれぞれの内部の流路は、中間流路形成体２５３の内部の流路を介して、互いに導通している。このようにしたので、上下層のパワー回路部２０１，２０２を同時に冷却することができる。

【0054】

以上、本発明を説明したが、ＩＧＢＴ１０には、ＲＣ－ＩＧＢＴを適用してもよく、これにより、ＨＥＶやＥＶの燃費向上のための半導体素子の低損失化、および電力変換装置１００の小型化にさらに貢献できる。

【0055】

また、発明の技術的思想を逸脱しない範囲で、削除・他の構成に置換・他の構成の追加をすることが可能であり、その態様も本発明の範囲内に含まれる。

【符号の説明】

【0056】

１０・・・ＩＧＢＴ
１０１・・・主電極
１０２・・・制御電極
１１・・・ダイオード
１２・・・金属接合材
２０・・・パワーモジュール
２０１・・・第１パワー回路部
２０２・・・第２パワー回路部
２１・・・コレクタ導体板
２１１・・・第１パワー回路側コレクタ導体板
２１２・・・第２パワー回路側コレクタ導体板
２２・・・エミッタ導体板
２２１・・・第１パワー回路側エミッタ導体板
２２２・・・第２パワー回路側エミッタ導体板
２３・・・モールド樹脂
２４・・・導電性フィン
２５・・・流路形成体
２５１・・・上面流路形成体
２５２・・・下面流路形成体
２５３・・・中間流路形成体
２５４・・・冷媒経路
２６・・・流路入口
２７・・・流路出口
３０・・・基板
３０１ａ、３０１ｂ・・・貫通孔
３０２・・・ビア
３０３・・・パワーモジュール組込孔
３００１・・・第１基板
３００２・・・第２基板
３１・・・正極電源端子導体
３１１・・・正極電源端子
３２・・・負極電源端子導体
３２１・・・負極電源端子
３３・・・交流出力端子導体
３３１・・・交流出力端子
４０・・・コンデンサ
４０１・・・正極端子
４０２・・・負極端子
５０・・・制御回路
５１・・・制御信号配線
５２・・・流路内基板配線
１００・・・電力変換装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】