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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-28
(45)【発行日】2024-09-05
(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10K 71/20 20230101AFI20240829BHJP
H10K 50/15 20230101ALI20240829BHJP
H10K 50/16 20230101ALI20240829BHJP
H10K 50/17 20230101ALI20240829BHJP
H10K 50/18 20230101ALI20240829BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240829BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20240829BHJP
H10K 50/115 20230101ALI20240829BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240829BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240829BHJP
H05B 33/10 20060101ALI20240829BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240829BHJP
H05B 33/14 20060101ALI20240829BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20240829BHJP
【ＦＩ】
H10K71/20
H10K50/15
H10K50/16
H10K50/17
H10K50/18
H10K59/122
H10K59/35
H10K50/115
G09F9/30 365
G09F9/30 338
G09F9/00 338
H05B33/10
H05B33/12 B
H05B33/14 Z
H05B33/22 A
H05B33/22 C
H05B33/22 Z
【請求項の数】
26
(21)【出願番号】P 2023531270
(86)(22)【出願日】2021-06-30
(86)【国際出願番号】 JP2021024871
(87)【国際公開番号】W WO2023276085
(87)【国際公開日】2023-01-05
【審査請求日】2023-10-18
(73)【特許権者】
【識別番号】520487808
【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002848
【氏名又は名称】弁理士法人ＮＩＰ＆ＳＢＰＪ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】浅岡 康
(72)【発明者】
【氏名】喜田 扇太郎
(72)【発明者】
【氏名】安達 考洋
【審査官】辻本 寛司
(56)【参考文献】
【文献】中国特許出願公開第１１２８６４２０７（ＣＮ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／１３８５７９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１３－１８７０９５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ７１／２０
Ｈ１０Ｋ ５０／１５
Ｈ１０Ｋ ５０／１６
Ｈ１０Ｋ ５０／１７
Ｈ１０Ｋ ５０／１８
Ｈ１０Ｋ ５９／１２２
Ｈ１０Ｋ ５９／３５
Ｈ１０Ｋ ５０／１１５
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｈ０５Ｂ ３３／１０
Ｈ０５Ｂ ３３／１２
Ｈ０５Ｂ ３３／１４
Ｈ０５Ｂ ３３／２２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に発光層及び電荷移動層とを備えた発光素子とを備え、
前記発光素子の発光領域と、前記発光領域の周辺部である非発光領域とを含み、
前記非発光領域の一部には、前記電荷移動層よりも下層に凸部が設けられており、
前記電荷移動層は、前記発光領域及び前記非発光領域を含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成され、かつ、前記凸部上に、前記発光領域の部分及び前記非発光領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する、表示装置。
【請求項2】
前記第１電極の端部を覆うエッジカバー層をさらに備え、前記凸部は、前記エッジカバー層上に設けられている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第１電極の一部を露出する開口を形成する前記エッジカバー層の側面と前記第１電極上に設けられた前記エッジカバー層の下面とが成す角度よりも前記凸部の端部と前記凸部の下面とが成す角度が大きい、請求項２に記載の表示装置。【請求項4】
前記発光層は、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の一部である、請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項5】
前記発光層は、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の端部である、請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記発光素子は、複数個備えられており、前記複数個の発光素子は、前記発光層として第１発光層を備えた第１発光素子と、前記発光層として第２発光層を備えた第２発光素子と、前記発光層として第３発光層を備えた第３発光素子と、を含み、
前記基板の第１方向において、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とが互いに隣接するように配置され、
前記第１発光層は、前記第１発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記第２発光層は、前記第２発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記第３発光層は、前記第３発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記非発光領域に設けられた前記凸部は、前記第１発光層と前記第２発光層と前記第３発光層との少なくとも２層が積層されて形成されている、請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項7】
前記凸部は、前記発光領域を取り囲むように設けられている、請求項３から６の何れか１項に記載の表示装置。【請求項8】
前記発光素子は、複数個備えられており、前記複数個の発光素子は、前記発光層として第１発光層を備えた第１発光素子と、前記発光層として第２発光層を備えた第２発光素子と、前記発光層として第３発光層を備えた第３発光素子と、を含み、
前記基板の第１方向において、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とが互いに隣接するように配置され、
前記第１方向と直交する前記基板の第２方向において、前記第１発光素子同士、前記第２発光素子同士及び前記第３発光素子同士が隣接するように配置され、
前記第１発光層は、前記第１発光素子の発光領域及び前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第２発光層は、前記第２発光素子の発光領域及び前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第３発光層は、前記第３発光素子の発光領域及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第２方向に沿って前記非発光領域に設けられた前記凸部は、前記第１発光層の前記第１方向の端部、前記第２発光層の前記第１方向の端部及び前記第３発光層の前記第１方向の端部の何れか一つと、前記第１発光層の前記第１方向の端部、前記第２発光層の前記第１方向の端部及び前記第３発光層の前記第１方向の端部の他の一つとが積層された部分を含む、請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項9】
前記凸部は、前記エッジカバー層の一部である、請求項２または３に記載の表示装置。【請求項10】
前記発光層は、量子ドットを含む、請求項１から９の何れか１項に記載の表示装置。【請求項11】
前記発光層は、量子ドットを含み、かつ、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の端部と、前記量子ドットを含む樹脂層とで形成されている、請求項１から３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項12】
前記電荷移動層は、微粒子を含む、請求項１から１１の何れか１項に記載の表示装置。【請求項13】
前記電荷移動層は、無機膜である、請求項１から１２の何れか１項に記載の表示装置。【請求項14】
前記電荷移動層の前記薄膜部の少なくとも一部に亀裂が形成されている、請求項１から１３の何れか１項に記載の表示装置。【請求項15】
前記電荷移動層の前記薄膜部の膜厚は、前記亀裂の前記電荷移動層の膜厚と直交する方向の幅よりも大きい、請求項１４に記載の表示装置。【請求項16】
前記電荷移動層は、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層、電子注入及び輸送層、正孔注入及び輸送層、電子注入及び輸送兼正孔ブロッキング層、正孔注入及び輸送兼電子ブロッキング層、電子輸送兼正孔ブロッキング層、及び、正孔輸送兼電子ブロッキング層の何れかである、請求項１から１５の何れか１項に記載の表示装置。【請求項17】
基板上に複数の第１電極を形成する工程と、前記複数の第１電極のうちの一部の第１電極上に第１発光層を形成する第１発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの他の一部の第１電極上に第２発光層を形成する第２発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの残りの第１電極上に第３発光層を形成する第３発光層形成工程とを含む発光層形成工程と、
前記複数の第１電極の間の領域に凸部を設ける工程と、
前記凸部を設ける工程の後に、前記凸部上に、前記複数の第１電極上の部分及び前記複数の第１電極の間の領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する電荷移動層を、前記複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間の領域とを含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成する電荷移動層形成工程と、
第２電極を形成する工程と、を含む、表示装置の製造方法。
【請求項18】
前記第１電極を形成する工程と、前記発光層形成工程との間に、前記複数の第１電極のそれぞれの端部を覆うエッジカバー層を形成する工程をさらに含み、前記凸部を設ける工程においては、前記凸部を前記エッジカバー層上に設ける、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項19】
前記第１発光層形成工程と前記第１発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、前記第２発光層形成工程と前記第２発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第３発光層形成工程と前記第３発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれを、前記複数の第１電極の間の領域にまで形成するとともに、前記複数の第１電極の間の領域に形成された前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれの一部に前記凸部を設ける、請求項１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項20】
前記複数の第１電極の間の領域に形成された前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれの端部に前記凸部を設ける、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。【請求項21】
前記第１発光層形成工程と前記第１発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、前記第２発光層形成工程と前記第２発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第３発光層形成工程と前記第３発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第１発光層の前記凸部、前記第２発光層の前記凸部及び前記第３発光層の前記凸部のうちの少なくとも２つを、前記複数の第１電極の間の領域において積層する、請求項１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項22】
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、それぞれ、感光性樹脂を含み、前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれは、露光及び現像することで、パターンニングされる、請求項１７から２１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項23】
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれは、感光性レジストを用いたリフトオフ法によって、パターンニングされる、請求項１７、１８、２０、２１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。【請求項24】
前記発光層形成工程よりも前記凸部を設ける工程を先に行う、請求項１７または１８に記載の表示装置の製造方法。【請求項25】
前記電荷移動層形成工程の後に行われる、前記凸部上の前記電荷移動層の少なくとも一部に亀裂を生じさせる亀裂導入工程をさらに含む、請求項１７から２４の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。【請求項26】
前記亀裂導入工程は、前記電荷移動層の真空乾燥工程と、前記電荷移動層の熱処理工程と、前記基板の変形工程との少なくとも一つを含む、請求項２５に記載の表示装置の製造方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、発光素子を備えた様々な表示装置が開発されており、特に、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）または、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた表示装置は、低消費電力化、薄型化及び高画質化などを実現できる点から、高い注目を浴びている。
【0003】
特許文献１には、有機発光表示パネルにおいて、表示領域全体に共通層として非発光領域における膜厚が発光領域における膜厚より厚い部分を有する電荷移動層である第１共通層を設けた構成や表示領域全体に共通層として均一な膜厚を有する電荷移動層である第２共通層を設けた構成について記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】日本国特開２０１４－６３７１９公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献１に記載されている、非発光領域における膜厚が発光領域における膜厚よりも厚い部分を有する電荷移動層である第１共通層を設けた構成や均一な膜厚を有する電荷移動層である第２共通層を設けた構成の場合、連続した一つの膜である電荷移動層を形成する工程中の電荷移動層の収縮により、電荷移動層内に応力が内在されることとなり、意図しないきっかけを基に制御されていない亀裂、すなわち、好ましくない位置に亀裂が生じる恐れがある。特に、前記第１共通層は、発光領域における膜厚が非発光領域の一部の膜厚よりも薄いため、発光領域において亀裂が生じる可能性が高く、前記第２共通層は、発光領域及び非発光領域において均一な膜厚で形成されているので、発光領域において亀裂が生じるのを避けられない。このように、発光素子の発光領域において亀裂が生じると、表示品質の低下を招いてしまうという問題がある。
【0006】
本開示の一態様は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、発光素子の発光領域において電荷移動層に亀裂が生じるのを抑制し、表示品質の低下を抑制することができる表示装置と表示装置の製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の表示装置は、前記の課題を解決するために、
基板と、
前記基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に発光層及び電荷移動層とを備えた発光素子とを備え、
前記発光素子の発光領域と、前記発光領域の周辺部である非発光領域とを含み、
前記非発光領域の一部には、前記電荷移動層よりも下層に凸部が設けられており、
前記電荷移動層は、前記発光領域及び前記非発光領域を含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成され、かつ、前記凸部上に、前記発光領域の部分及び前記非発光領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する。
基板と、
前記基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に発光層及び電荷移動層とを備えた発光素子とを備え、
前記発光素子の発光領域と、前記発光領域の周辺部である非発光領域とを含み、
前記非発光領域の一部には、前記電荷移動層よりも下層に凸部が設けられており、
前記電荷移動層は、前記発光領域及び前記非発光領域を含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成され、かつ、前記凸部上に、前記発光領域の部分及び前記非発光領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する。
【0008】
本開示の表示装置の製造方法は、前記の課題を解決するために、
基板上に複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極のうちの一部の第１電極上に第１発光層を形成する第１発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの他の一部の第１電極上に第２発光層を形成する第２発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの残りの第１電極上に第３発光層を形成する第３発光層形成工程とを含む発光層形成工程と、
前記複数の第１電極の間の領域に凸部を設ける工程と、
前記凸部を設ける工程の後に、前記凸部上に、前記複数の第１電極上の部分及び前記複数の第１電極の間の領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する電荷移動層を、前記複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間の領域とを含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成する電荷移動層形成工程と、
第２電極を形成する工程と、を含む。
基板上に複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極のうちの一部の第１電極上に第１発光層を形成する第１発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの他の一部の第１電極上に第２発光層を形成する第２発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの残りの第１電極上に第３発光層を形成する第３発光層形成工程とを含む発光層形成工程と、
前記複数の第１電極の間の領域に凸部を設ける工程と、
前記凸部を設ける工程の後に、前記凸部上に、前記複数の第１電極上の部分及び前記複数の第１電極の間の領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する電荷移動層を、前記複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間の領域とを含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成する電荷移動層形成工程と、
第２電極を形成する工程と、を含む。
【発明の効果】
【0009】
本開示の一態様は、発光素子の発光領域において電荷移動層に亀裂が生じるのを抑制し、表示品質の低下を抑制することができる表示装置と表示装置の製造方法とを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施形態１の表示装置の概略的な構成を示す平面図である。
【図2】実施形態１の表示装置に備えられたトランジスタを含む基板の概略的な構成を示す断面図である。
【図3】実施形態１の表示装置に備えられた赤色サブ画素の概略的な構成を示す断面図である。
【図4】実施形態１の表示装置に備えられた緑色サブ画素の概略的な構成を示す断面図である。
【図5】実施形態１の表示装置に備えられた青色サブ画素の概略的な構成を示す断面図である。
【図6】（ａ）は、亀裂が生じる位置を示す実施形態１の表示装置の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すＡ－Ａ’線の断面図である。
【図7】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）及び（ｈ）は、実施形態１の表示装置の製造工程の一例を示す図である。
【図8】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、実施形態１の変形例である表示装置において、凸部を形成する工程の一例を示す図である。
【図9】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、実施形態１の表示装置の製造工程中において用いられるテンプレートの形状の一例を示す図である。
【図10】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）は、実施形態１の表示装置の他の製造工程の一例を示す図である。
【図11】（ａ）は、実施形態２の表示装置に備えられた赤色サブ画素と、赤色サブ画素と隣接する緑色サブ画素及び青色サブ画素の一部との概略的な構成を示す断面図であり、（ｂ）は、亀裂が生じる位置を示す実施形態２の表示装置の平面図であり、（ｃ）は、（ｂ）に示すＢ－Ｂ’線の断面図である。
【図12】亀裂が生じる位置を示す実施形態３の表示装置の平面図である。
【図13】（ａ）は、実施形態３の表示装置に備えることができる赤色発光層の形状の一例を示す図であり、（ｂ）は、実施形態３の表示装置に備えることができる緑色発光層の形状の一例を示す図であり、（ｃ）は、実施形態３の表示装置に備えることができる青色発光層の形状の一例を示す図である。
【図17】実施形態４の表示装置に備えられた赤色サブ画素の概略的な構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本発明の実施の形態について、図１から図１７に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
【0012】
〔実施形態１〕
図１は、実施形態１の表示装置１の概略的な構成を示す平面図である。
図１は、実施形態１の表示装置１の概略的な構成を示す平面図である。
【0013】
図１に示すように、表示装置１は、額縁領域ＮＤＡと、表示領域ＤＡとを備えている。表示装置１の表示領域ＤＡには、複数の画素ＰＩＸが備えられており、各画素ＰＩＸは、それぞれ、赤色サブ画素ＲＳＰと、緑色サブ画素ＧＳＰと、青色サブ画素ＢＳＰとを含む。本実施形態においては、１画素ＰＩＸが、赤色サブ画素ＲＳＰと、緑色サブ画素ＧＳＰと、青色サブ画素ＢＳＰとで構成される場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。例えば、１画素ＰＩＸは、赤色サブ画素ＲＳＰ、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰの他に、さらに他の色のサブ画素を含んでいてもよい。
【0014】
図２は、実施形態１の表示装置１に備えられたトランジスタＴＲを含む基板２の概略的な構成を示す断面図である。
【0015】
図２に示すように、表示装置１に備えられたトランジスタＴＲを含む基板（基板）２においては、支持基板１２上に、バリア層３と、トランジスタＴＲを含む薄膜トランジスタ層４とが、支持基板１２側からこの順に備えられている。そして、トランジスタＴＲを含む基板２の上面、すなわち、発光素子側の面２Ｓには、第１電極２２が設けられている。
【0016】
支持基板１２は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料からなる樹脂基板であってもよく、ガラス基板であってもよい。本実施形態においては、表示装置１を可撓性表示装置とするため、支持基板１２として、ポリイミドなどの樹脂材料からなる樹脂基板を用いた場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。表示装置１を非可撓性表示装置とする場合には、支持基板１２として、ガラス基板を用いることができる。
【0017】
バリア層３は、水、酸素などの異物がトランジスタＴＲ及び後述する各色の発光素子に侵入することを防ぐ層であり、例えば、化学的蒸着（ＣＶＤ）法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
【0018】
トランジスタＴＲを含む薄膜トランジスタ層４のトランジスタＴＲ部分は、半導体膜ＳＥＭ及びドープされた半導体膜ＳＥＭ’・ＳＥＭ’’と、無機絶縁膜１６と、ゲート電極Ｇと、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜２０と、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、平坦化膜２１とを含み、トランジスタＴＲを含む薄膜トランジスタ層４のトランジスタＴＲ部分以外の部分は、無機絶縁膜１６と、無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜２０と、平坦化膜２１とを含む。
【0019】
半導体膜ＳＥＭ・ＳＥＭ’・ＳＥＭ’’は、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成してもよい。本実施形態においては、トランジスタＴＲがトップゲート構造である場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、トランジスタＴＲは、ボトムゲート構造であってもよい。
【0020】
ゲート電極Ｇと、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄとは、例えば、アルミニウム、タングステン、モリブデン、タンタル、クロム、チタン、銅の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成できる。
【0021】
無機絶縁膜１６、無機絶縁膜１８及び無機絶縁膜２０は、例えば、化学的蒸着（ＣＶＤ）法によって形成された、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜または、これらの積層膜によって構成することができる。
【0022】
平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリルなどの塗布可能な有機材料によって構成することができる。
【0023】
図２に示すように、複数の第１電極２２のそれぞれを制御するトランジスタＴＲを含む制御回路が、トランジスタＴＲを含む薄膜トランジスタ層４に設けられている。
【0024】
図３は、実施形態１の表示装置１に備えられた赤色サブ画素ＲＳＰの概略的な構成を示す断面図であり、図４は、実施形態１の表示装置１に備えられた緑色サブ画素ＧＳＰの概略的な構成を示す断面図であり、図５は、実施形態１の表示装置１に備えられた青色サブ画素ＢＳＰの概略的な構成を示す断面図である。
【0025】
図３に示すように、表示装置１の赤色サブ画素ＲＳＰにおいては、トランジスタＴＲを含む基板２と、トランジスタＴＲを含む基板２上に、第１電極２２と、第２電極２６と、第１電極２２と第２電極２６との間に発光層（赤色発光層）２４Ｒ及び電荷移動層２５とを備えた赤色発光素子（第１発光素子）５Ｒとが備えられている。表示装置１の赤色サブ画素ＲＳＰは、赤色発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡと、発光領域ＲＨＡの周辺部である非発光領域ＲＮＨＡとを含み、非発光領域ＲＮＨＡの一部には、電荷移動層２５よりも下層に凸部２４ＲＤが設けられている。電荷移動層２５は、発光領域ＲＨＡ及び非発光領域ＲＮＨＡを含むトランジスタＴＲを含む基板２上の表示領域ＤＡに連続膜として形成され、かつ、凸部２４ＲＤ上に、発光領域ＲＨＡの部分及び非発光領域ＲＮＨＡの凸部２４ＲＤ上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部２５ＴＰを有する。
【0026】
薄膜部２５ＴＰを非発光領域ＲＮＨＡの一部に有する電荷移動層２５を備えた表示装置１の赤色サブ画素ＲＳＰにおいては、連続した一つの膜である電荷移動層２５を形成する工程中の電荷移動層２５の収縮により、電荷移動層２５内に応力が内在されることとなり、意図しないきっかけを基に亀裂ＣＲが生じる場合があるが、その亀裂ＣＲが生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰに限定させることができる。
【0027】
図４に示すように、表示装置１の緑色サブ画素ＧＳＰにおいては、トランジスタＴＲを含む基板２と、トランジスタＴＲを含む基板２上に、第１電極２２と、第２電極２６と、第１電極２２と第２電極２６との間に発光層（緑色発光層）２４Ｇ及び電荷移動層２５とを備えた緑色発光素子（第２発光素子）５Ｇとが備えられている。表示装置１の緑色サブ画素ＧＳＰは、緑色発光素子５Ｇの発光領域ＧＨＡと、発光領域ＧＨＡの周辺部である非発光領域ＧＮＨＡとを含み、非発光領域ＧＮＨＡの一部には、電荷移動層２５よりも下層に凸部２４ＧＤが設けられている。電荷移動層２５は、発光領域ＧＨＡ及び非発光領域ＧＮＨＡを含むトランジスタＴＲを含む基板２上の表示領域ＤＡに連続膜として形成され、かつ、凸部２４ＧＤ上に、発光領域ＧＨＡの部分及び非発光領域ＧＮＨＡの凸部２４ＧＤ上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部２５ＴＰを有する。
【0028】
薄膜部２５ＴＰを非発光領域ＧＮＨＡの一部に有する電荷移動層２５を備えた表示装置１の緑色サブ画素ＧＳＰにおいては、連続した一つの膜である電荷移動層２５を形成する工程中の電荷移動層２５の収縮により、電荷移動層２５内に応力が内在されることとなり、意図しないきっかけを基に亀裂ＣＲが生じる場合があるが、その亀裂ＣＲが生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰに限定させることができる。
【0029】
図５に示すように、表示装置１の青色サブ画素ＢＳＰにおいては、トランジスタＴＲを含む基板２と、トランジスタＴＲを含む基板２上に、第１電極２２と、第２電極２６と、第１電極２２と第２電極２６との間に発光層（青色発光層）２４Ｂ及び電荷移動層２５とを備えた青色発光素子（第３発光素子）５Ｂとが備えられている。表示装置１の青色サブ画素ＢＳＰは、青色発光素子５Ｂの発光領域ＢＨＡと、発光領域ＢＨＡの周辺部である非発光領域ＢＮＨＡとを含み、非発光領域ＢＮＨＡの一部には、電荷移動層２５よりも下層に凸部２４ＢＤが設けられている。電荷移動層２５は、発光領域ＢＨＡ及び非発光領域ＢＮＨＡを含むトランジスタＴＲを含む基板２上の表示領域ＤＡに連続膜として形成され、かつ、凸部２４ＢＤ上に、発光領域ＢＨＡの部分及び非発光領域ＢＮＨＡの凸部２４ＢＤ上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部２５ＴＰを有する。
【0030】
薄膜部２５ＴＰを非発光領域ＢＮＨＡの一部に有する電荷移動層２５を備えた表示装置１の青色サブ画素ＢＳＰにおいては、連続した一つの膜である電荷移動層２５を形成する工程中の電荷移動層２５の収縮により、電荷移動層２５内に応力が内在されることとなり、意図しないきっかけを基に亀裂ＣＲが生じる場合があるが、その亀裂ＣＲが生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰに限定させることができる。
【0031】
以上のように、表示装置１においては、発光素子の発光領域において電荷移動層２５に亀裂ＣＲが生じるのを抑制し、表示品質の低下を抑制することができる。
【0032】
なお、発光素子の発光領域とは、第１電極２２と第２電極２６との間に、発光層及び電荷移動層２５を含む機能層が配置され、前記機能層が第１電極２２及び第２電極２６の両方と直接接している領域を意味する。一方、発光素子の非発光領域とは、前記機能層が第１電極２２及び第２電極２６の少なくとも一方と直接接していない領域を意味する。
【0033】
本実施形態においては、図３、図４及び図５に示すように、表示装置１が第１電極２２の端部を覆うエッジカバー層２３を備え、凸部２４ＲＤ、凸部２４ＧＤ及び凸部２４ＢＤがエッジカバー層２３上に設けられている場合を一例に挙げて説明する。このように、凸部２４ＲＤ、凸部２４ＧＤ及び凸部２４ＢＤがエッジカバー層２３上に設けられている表示装置１の場合、エッジカバー層２３の高さ分、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰの厚さをさらに薄くすることができるので、亀裂ＣＲが生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰにさらに確実に限定させることができる。
【0034】
これに限定されることはなく、例えば、電荷移動層２５よりも下層に凸部を形成でき、前記凸部上に、発光領域の部分及び非発光領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部２５ＴＰを有する電荷移動層２５を形成できるのであれば、エッジカバー層２３を適宜省くこともできる。
【0035】
本実施形態においては、図３、図４及び図５に示すように、表示装置１が第１電極２２の端部を覆うエッジカバー層２３を備え、第１電極２２の一部を露出する開口２３Ｋを形成するエッジカバー層２３の側面と第１電極２２上に設けられたエッジカバー層２３の下面とが成す角度θ１よりも凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）の端部と凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）の下面とが成す角度θ２が大きい場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。
【0036】
以上のように、エッジカバー層２３の側面と第１電極２２上に設けられたエッジカバー層２３の下面とが成す角度θ１よりも凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）の端部と凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）の下面とが成す角度θ２が大きい場合には、亀裂ＣＲが生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰにさらに確実に限定させることができる。
【0037】
本実施形態においては、図３、図４及び図５に示すように、発光層２４Ｒは、電荷移動層２５よりも下層に設けられているとともに、発光領域ＲＨＡ及び非発光領域ＲＮＨＡに形成され、凸部２４ＲＤは、非発光領域ＲＮＨＡに形成された発光層２４Ｒの端部であり、発光層２４Ｇは、電荷移動層２５よりも下層に設けられているとともに、発光領域ＧＨＡ及び非発光領域ＧＮＨＡに形成され、凸部２４ＧＤは、非発光領域ＧＮＨＡに形成された発光層２４Ｇの端部であり、発光層２４Ｂは、電荷移動層２５よりも下層に設けられているとともに、発光領域ＢＨＡ及び非発光領域ＢＮＨＡに形成され、凸部２４ＢＤは、非発光領域ＢＮＨＡに形成された発光層２４Ｂの端部である場合を一例に挙げて説明するがこれに限定されることはない。後述するように、感光性レジストを用いて、所定形状のテンプレートを形成した後、このテンプレートを利用したリフトオフ法で、発光層をパターンニングする場合、発光層の端部を容易に凸部形状に形成することができる。また、以上のように、凸部を、発光素子を形成するために必要な発光層を用いて形成することで、凸部を形成するための別材料を使用しなくてもよくなる。
【0038】
凸部２４ＲＤは、非発光領域ＲＮＨＡに形成された発光層２４Ｒの端部でなく、非発光領域ＲＮＨＡに形成された発光層２４Ｒの一部であってもよく、凸部２４ＧＤは、非発光領域ＧＮＨＡに形成された発光層２４Ｇの端部でなく、非発光領域ＧＮＨＡに形成された発光層２４Ｇの一部であってもよく、凸部２４ＢＤは、非発光領域ＢＮＨＡに形成された発光層２４Ｂの端部でなく、非発光領域ＢＮＨＡに形成された発光層２４Ｂの一部であってもよい。後述するように、感光性樹脂を含む発光層を用いて、発光層をパターンニングする場合、非発光領域に凸部を設ける位置を比較的自由に選択することができる。
【0039】
凸部の高さや幅は、適宜決定することができるが、亀裂ＣＲが生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰにさらに確実に限定させることを考慮すると、凸部の高さは、例えば、４０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、薄膜部２５ＴＰの厚さは、例えば、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが好ましく、凸部の幅（図３、図４及び図５の凸部の横幅（薄膜部２５ＴＰの横幅））は、例えば、０．０８μｍ以上、２μｍ以下であることが好ましい。
【0040】
【0041】
図３、図４及び図５に示すように、本実施形態の表示装置１においては、凸部２４ＲＤは発光領域ＲＨＡを取り囲むように設けられており、凸部２４ＧＤは発光領域ＧＨＡを取り囲むように設けられており、凸部２４ＢＤは発光領域ＢＨＡを取り囲むように設けられているので、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）に示すように、亀裂ＣＲは、発光領域を取り囲むように設けられるので、亀裂ＣＲによって、隣接する他の色の発光光と混色が生じるのを抑制することができる。
【0042】
本実施形態においては、後述するように、感光性レジストを用いて、所定形状のテンプレートを形成した後、このテンプレートを利用したリフトオフ法で、量子ドット（ＱＤ）を含む発光層をパターンニングした。発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂは、何れも量子ドット（ＱＤ）を含む場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。例えば、後述する実施形態４のように、発光層を用いて凸部を形成しない場合などには、発光層は有機蒸着膜であってもよい。
【0043】
量子ドット（ＱＤ）は、例えば、コア構造、コア／シェル構造、コア／シェル／シェル構造、コア／比率を連続的に変化させたシェル構造を有してもよい。
【0044】
コア部は、一元系の場合、例えば、Ｓｉ、Ｃなどで構成することができ、二元系の場合、例えば、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅなどで構成することができ、三元系の場合、例えば、ＣｄＳｅＴｅ、ＧａＩｎＰ、ＺｎＳｅＴｅなどで構成することができ、四元系の場合、例えば、ＡＩＧＳなどで構成することができる。
【0045】
シェル部は、二元系の場合、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅなどで構成することができ、三元系の場合、例えば、ＣｄＳＳｅ、ＣｄＴｅＳｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＳＴｅ、ＺｎＴｅＳｅ、ＡＩＰなどで構成することができる。
【0046】
電荷移動層２５は、例えば、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層、電子注入及び輸送層、正孔注入及び輸送層、電子注入及び輸送兼正孔ブロッキング層、正孔注入及び輸送兼電子ブロッキング層、電子輸送兼正孔ブロッキング層、及び、正孔輸送兼電子ブロッキング層の何れかであってもよい。
【0047】
電荷移動層２５は、微粒子を含んでいてもよく、無機膜であってもよい。電荷移動層２５が、微粒子を含む場合、特に無機微粒子を含む場合または無機膜である場合には、連続した一つの膜である電荷移動層２５を形成する工程中の電荷移動層２５の収縮により、電荷移動層２５内に応力が内在されやすくなり、亀裂ＣＲが生じやすい。
【0048】
電荷移動層２５が電子輸送層である場合、電子輸送層を構成する電子輸送材料は、無機微粒子として、例えば、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｒＯ、ＬｉＺｎＯ、ＭｇＺｎＯ、ＡｌＺｎＯ、ＴｉＯ２などを含んでいてもよい。
【0049】
電荷移動層２５が正孔輸送層である場合、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料は、無機微粒子として、例えば、ＮｉＯ、ＭｇＮｉＯ、ＭｏＯｘ、ＣｕＩ、ＣｕＳＣＮ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｏＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＣｕＡｌＳ２などを含んでいてもよい。また、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料は、有機材料であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＴＦＢ、ｐ－ＴＰＤ、ＰＶＫ、ＴＡＰＣなどであってもよい。さらに、正孔輸送層を構成する正孔輸送材料は、感光性正孔輸送材料であるＯＴＰＤ、ＱＵＰＤ、Ｘ－Ｆ６－ＴＡＰＣなどであってもよい。
【0050】
表示装置１に備えられた電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰの膜厚は、亀裂ＣＲの電荷移動層２５の膜厚（上下方向）と直交する方向（左右方向）の幅よりも大きいことが好ましい。このような場合、表示装置１の表示領域ＤＡの全面に形成される共通電極である第２電極２６の形成が容易になる。
【0051】
本実施形態においては、表示装置１に備えられた電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰの一部に亀裂ＣＲが生じている場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰ全体に亀裂ＣＲが形成されていてもよい。さらに、表示装置１に備えられた電荷移動層２５は、亀裂ＣＲが発生する場合に、薄膜部２５ＴＰに発生させればよいので、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰに亀裂ＣＲが形成されてなくてもよい。
【0052】
図３に示す表示装置１の赤色サブ画素ＲＳＰに含まれる赤色発光素子５Ｒは、第１電極２２と、発光層（赤色発光層）２４Ｒと、電荷移動層２５と、第２電極２６とを、トランジスタＴＲを含む基板２側からこの順に備えており、図４に示す表示装置１の緑色サブ画素ＧＳＰに含まれる緑色発光素子５Ｇは、第１電極２２と、発光層（緑色発光層）２４Ｇと、電荷移動層２５と、第２電極２６とを、トランジスタＴＲを含む基板２側からこの順に備えており、図５に示す表示装置１の青色サブ画素ＢＳＰに含まれる青色発光素子５Ｂは、第１電極２２と、発光層（青色発光層）２４Ｂと、電荷移動層２５と、第２電極２６とを、トランジスタＴＲを含む基板２側からこの順に備えている。なお、第１電極２２は可視光を反射する電極であり、第２電極２６は可視光を透過する電極である。
【0053】
赤色発光素子５Ｒ、緑色発光素子５Ｇ及び青色発光素子５Ｂは、第１電極２２がアノードであり、第２電極２６がカソードである順積構造であっても、第１電極２２がカソードであり、第２電極２６がアノードである逆積構造であってもよい。前記順積構造の場合、アノードである第１電極２２は可視光を反射する電極材料で形成し、カソードである第２電極２６は可視光を透過する電極材料で形成すればよく、前記逆積構造の場合、カソードである第１電極２２は可視光を反射する電極材料で形成し、アノードである第２電極２６は可視光を透過する電極材料で形成すればよい。
【0054】
可視光を反射する電極材料としては、可視光を反射でき、導電性を有するのであれば、特に限定されないが、例えば、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｇなどの金属材料または、前記金属材料の合金、前記金属材料と透明金属酸化物（例えば、indium tin oxide、indium zinc oxide、indium gallium zinc oxideなど）との積層体または、前記合金と前記透明金属酸化物との積層体などを用いることができる。
【0055】
一方、可視光を透過する電極材料としては、可視光を透過でき、導電性を有するのであれば、特に限定されないが、例えば、透明金属酸化物（例えば、indium tin oxide、indium zinc oxide、indium gallium zinc oxideなど）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｇなどの金属材料からなる薄膜、または銀ナノワイヤーやカーボンナノチューブなどの導電性ナノ材料を用いることができる。
【0056】
表示装置１は、赤色サブ画素ＲＳＰ、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰのそれぞれに備えられた第１電極２２の端部を覆うエッジカバー層２３を備えている。エッジカバー層２３は、例えば、ポリイミドまたはアクリルなどの感光性有機材料を塗布した後にフォトリソグラフィ法によってパターニングすることで形成できる。
【0057】
なお、図示してないが、表示装置１の第２電極上には、封止層がさらに備えられていてもよい。封止層は、例えば、無機膜と、有機膜と、無機膜とを積層して形成することができるが、これに限定されることはない。
【0058】
【0059】
【0060】
図７に基づき、感光性レジスト３０を用いて、所定形状のテンプレート３０Ｒを形成した後、テンプレート３０Ｒを利用したリフトオフ法で、量子ドット（ＱＤ）を含み、感光性樹脂を含まない発光層２４Ｒをパターンニングする場合について説明する。発光層２４Ｒを形成する場合のみを図示しているが、量子ドット（ＱＤ）を含み、感光性樹脂を含まない発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂについても同様に形成することができる。
【0061】
表示装置１の製造工程は、トランジスタＴＲを含む基板２上に複数の第１電極２２を形成する工程（図７の（ａ）に図示）と、複数の第１電極２２のうちの一部の第１電極２２上に発光層２４Ｒを形成する第１発光層形成工程（図７の（ｄ）に図示）と、複数の第１電極２２のうちの他の一部の第１電極２２上に発光層２４Ｇを形成する第２発光層形成工程（図示せず）と、複数の第１電極２２のうちの残りの第１電極２２上に発光層２４Ｂを形成する第３発光層形成工程（図示せず）とを含む発光層形成工程と、複数の第１電極２２の間の領域に凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）を設ける工程（図７の（ｄ）に図示）と、を含む。そして、凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）を設ける工程の後に、凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）上に、複数の第１電極２２上の部分及び複数の第１電極２２の間の領域の凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部２５ＴＰを有する電荷移動層２５を、複数の第１電極２２と、複数の第１電極２２の間の領域とを含むトランジスタＴＲを含む基板２上の表示領域ＤＡに連続膜として形成する電荷移動層形成工程（図７の（ｆ）に図示）と、第２電極２６を形成する工程（図７の（ｈ）に図示）と、を含む。
【0062】
なお、電荷移動層形成工程（図７の（ｆ）に図示）においては、例えば、電荷移動性を有した微粒子と溶媒とを含む溶液を用いて電荷移動層２５を形成することができる。
【0063】
本実施形態の表示装置１は、エッジカバー層２３を備えているので、第１電極２２を形成する工程（図７の（ａ）に図示）と、発光層形成工程（図７の（ｄ）に一部図示）との間に、複数の第１電極２２のそれぞれの端部を覆うエッジカバー層２３を形成する工程（図７の（ａ）に図示）をさらに含む。凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）を設ける工程（図７の（ｄ）に一部図示）においては、凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）をエッジカバー層２３上に設ける。
【0064】
本実施形態の表示装置１の製造方法は、発光層２４Ｒを形成する第１発光層形成工程と発光層２４Ｒで凸部２４ＲＤを設ける工程とは同一工程であり、発光層２４Ｇを形成する第２発光層形成工程と発光層２４Ｇで凸部２４ＧＤを設ける工程とは同一工程であり、発光層２４Ｂを形成する第３発光層形成工程と発光層２４Ｂで凸部２４ＢＤを設ける工程とは同一工程であり、図７の（ｄ）に示すように、発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂのそれぞれを、複数の第１電極２２の間の領域にまで形成するとともに、複数の第１電極２２の間の領域に形成された発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂのそれぞれの一部に凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）を設けてもよい。
【0065】
本実施形態の表示装置１においては、複数の第１電極２２の間の領域に形成された発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂのそれぞれの端部に凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）を設けた。
【0066】
本実施形態の表示装置１においては、発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂのそれぞれの端部に凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）を設けるため、発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂのそれぞれは、感光性レジスト３０を用いたリフトオフ法によって、パターンニングされる。感光性レジスト３０は、例えば、発光層を形成する溶液の濡れ性が良好な感光性レジストを用いることが好ましいが、これに限定されることはない。例えば、図７の（ｂ）に示すように、感光性レジスト３０を、トランジスタＴＲを含む基板２上の全面に形成した後、露光及び現像することで、図７の（ｃ）に示すテンプレート３０Ｒを形成する。テンプレート３０Ｒは、赤色サブ画素ＲＳＰの発光層２４Ｒが形成される位置に開口を有し、緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰの全面を覆う形状である。それから、図７の（ｄ）に示すように、量子ドット（ＱＤ）を含み、感光性樹脂を含まない発光層２４Ｒを形成する溶液を、トランジスタＴＲを含む基板２上の全面に形成する。この際に、テンプレート３０Ｒと、発光層２４Ｒを形成する溶液とが接する部分で、発光層２４Ｒを形成する溶液の液溜りが生じ、この部分が凸部２４ＲＤを形成する。その後、図７の（ｅ）に示すように、テンプレート３０Ｒを剥離することで、赤色サブ画素ＲＳＰの所定位置に、凸部２４ＲＤを有する発光層２４Ｒを残すことができる。
【0067】
なお、図示してないが、凸部２４ＧＤを有する発光層２４Ｇを形成するためのテンプレートは、緑色サブ画素ＧＳＰの発光層２４Ｇが形成される位置に開口を有し、赤色サブ画素ＲＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰの全面を覆う形状であり、凸部２４ＢＤを有する発光層２４Ｂを形成するためのテンプレートは、青色サブ画素ＢＳＰの発光層２４Ｂが形成される位置に開口を有し、赤色サブ画素ＲＳＰ及び緑色サブ画素ＧＳＰの全面を覆う形状である。
【0068】
本実施形態の表示装置１の製造方法は、電荷移動層形成工程（図７の（ｆ）に図示）の後に行われる、凸部（２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ）上の電荷移動層２５の少なくとも一部に亀裂を生じさせる亀裂導入工程（図７の（ｇ）に図示）をさらに含んでいてもよい。
【0069】
亀裂導入工程（図７の（ｇ）に図示）は、電荷移動層２５の真空乾燥工程と、電荷移動層２５の熱処理工程と、基板２の変形工程との少なくとも一つを含む。なお、基板２の変形工程とは、基板２を機械的に一時的に変形する工程を意味する。
【0070】
【0071】
図８の（ａ）に示すように、感光性レジスト３０を露光及び現像する際には、露光及び現像の条件によって、テンプレート３０Ｒの他に、感光性レジスト残留部３０Ｒ’が発生する場合がある。
【0072】
図８の（ｂ）に示すように、テンプレート３０Ｒの他に、感光性レジスト残留部３０Ｒ’がある状態で、量子ドット（ＱＤ）を含み、感光性樹脂を含まない発光層２４Ｒを形成する溶液を、トランジスタＴＲを含む基板２上の全面に形成すると、発光層２４Ｒに含まれる量子ドット（ＱＤ）の一部が感光性レジスト残留部３０Ｒ’に移動し、量子ドット（ＱＤ）を含む樹脂層３１が形成される。
【0073】
図８の（ｃ）に示すように、量子ドット（ＱＤ）を含む樹脂層３１は、量子ドット（ＱＤ）を含むため、テンプレート３０Ｒの剥離時に剥離され難く、発光層２４Ｒの端部である凸部２４ＲＤと、量子ドット（ＱＤ）を含む樹脂層３１とで凸部（バリ）３２が形成される。
【0074】
【0075】
量子ドット（ＱＤ）を含み、感光性樹脂を含まない発光層を形成する溶液と接する部分であるテンプレート３０Ｒの端部は、図９の（ａ）に示すように順テーパー形状になるように形成してもよく、図９の（ｂ）に示すように逆テーパー形状になるように形成してもよく、図９の（ｃ）に示すようにＴ字型形状になるように形成してもよい。テンプレート形状をＴ字型形状に形成する際は、アルカリ可用性樹脂上や水溶性樹脂上に感光性樹脂を積層し、前記感光性樹脂をマスクとしてアルカリ可用性樹脂や水溶性樹脂をエッチングする事により形成してもよい。
【0076】
【0077】
図１０に基づき、量子ドット（ＱＤ）と感光性樹脂とを含む発光層２４Ｒを、露光及び現像してパターンニングする場合について説明する。発光層２４Ｒを形成する場合のみを図示しているが、量子ドット（ＱＤ）と感光性樹脂とを含む発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂについても同様に形成することができる。
【0078】
図１０の（ａ）に示す工程は、上述した図７の（ａ）に示す工程と同一であり、図１０の（ｃ）に示す工程は、上述した図７の（ｆ）に示す工程と同一であり、図１０の（ｄ）に示す工程は、上述した図７の（ｇ）に示す工程と同一であり、図１０の（ｅ）に示す工程は、上述した図７の（ｈ）に示す工程と同一であるので、ここではその説明を省略する。
【0079】
発光層２４Ｒに含まれる感光性樹脂は、ポジ型の感光性樹脂でもネガ型の感光性樹脂でもよい。図１０の（ｂ）に示すように、ハーフトーンマスク（グレイトーンマスク）を用いて、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤ部分と、凸部２４ＲＤ部分以外とに露光量の差をつけて露光し、現像することで、発光層２４Ｒのパターンニングと同時に凸部２４ＲＤを形成することができる。ここでは、発光層２４Ｒの端部に凸部２４ＲＤを設けた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、複数の第１電極２２の間の領域に形成された発光層２４Ｒの一部に凸部２４ＲＤを設ければよい。
【0080】
感光性レジスト３０や感光性樹脂としては、例えば、アクリル系、ノボラック系、ゴム系、スチレン系、エポキシ系などの感光性を有する樹脂を用いることができる。
【0081】
また、感光性レジスト３０や感光性樹脂を現像する工程においては、例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどの無機アルカリ系水系現像液を用いてもよく、ＴＭＡＨなどの有機アルカリ系水系現像液を用いてもよく、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、Ａｃｅｔｏｎｅ、ＮＭＰ、ＤＭＳＯ、ＩＰＡ、ＥｔＯＨ、Ｘｙｌｅｎｅなどの溶媒系現像液を用いてもよい。
【0082】
〔実施形態２〕
次に、図１１に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態の表示装置１ａにおいては、発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂのそれぞれがストライプ状の一つの連続膜として形成され、凸部もストライプ状に形成されている点において、上述した実施形成１とは異なる。その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
次に、図１１に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態の表示装置１ａにおいては、発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂのそれぞれがストライプ状の一つの連続膜として形成され、凸部もストライプ状に形成されている点において、上述した実施形成１とは異なる。その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【0083】
図１１の（ａ）は、実施形態２の表示装置１ａに備えられた赤色サブ画素ＲＳＰと、赤色サブ画素ＲＳＰと隣接する緑色サブ画素ＧＳＰ及び青色サブ画素ＢＳＰの一部との概略的な構成を示す断面図であり、図１１の（ｂ）は、亀裂ＣＲ’が生じる位置を示す実施形態２の表示装置１ａの平面図であり、図１１の（ｃ）は、図１１の（ｂ）に示すＢ－Ｂ’線の断面図である。
【0084】
本実施形態の表示装置１ａは、実施形態１において、図７に基づき既に説明したように、感光性レジスト３０を用いて、所定形状のテンプレート３０Ｒを形成した後、テンプレート３０Ｒを利用したリフトオフ法で、量子ドット（ＱＤ）を含み、感光性樹脂を含まない発光層をパターンニングする場合について説明するが、これに限定されることはない。
【0085】
図１１の（ｂ）に示すように、表示装置１ａにおいては、トランジスタＴＲを含む基板２の第１方向（図１１の（ｂ）の左右方向）において、発光素子５Ｒと第２発光素子５Ｇと第３発光素子５Ｂとが互いに隣接するように配置されており、前記第１方向と直交する第２方向（図１１の（ｂ）の上下方向）において、発光素子５Ｒ同士、発光素子５Ｇ同士及び発光素子５Ｂ同士が隣接するように配置されている。
【0086】
図１１の（ａ）に示すように、発光層２４Ｒは、発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡ及び発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡの周辺部である非発光領域ＲＮＨＡに形成されているとともに、前記第２方向（図１１の（ｂ）の上下方向）において、ストライプ状の一つの連続膜として形成されている。
【0087】
発光層２４Ｇは、発光素子５Ｇの発光領域ＧＨＡ（図示せず）及び発光素子５Ｇの発光領域ＧＨＡの周辺部である非発光領域ＧＮＨＡ（図１１の（ａ）に図示）に形成されているとともに、前記第２方向（図１１の（ｂ）の上下方向）において、ストライプ状の一つの連続膜として形成されている。
【0088】
発光層２４Ｂは、発光素子５Ｂの発光領域ＢＨＡ（図示せず）及び発光素子５Ｂの発光領域ＢＨＡの周辺部である非発光領域ＢＮＨＡ（図１１の（ａ）に図示）に形成されているとともに、前記第２方向（図１１の（ｂ）の上下方向）において、ストライプ状の一つの連続膜として形成されている。
【0089】
図１１の（ａ）に示すように、赤色サブ画素ＲＳＰと緑色サブ画素ＧＳＰとの境界は、発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡの周辺部である非発光領域ＲＮＨＡと発光素子５Ｇの発光領域ＧＨＡの周辺部である非発光領域ＧＮＨＡとの境界であり、赤色サブ画素ＲＳＰと青色サブ画素ＢＳＰとの境界は、発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡの周辺部である非発光領域ＲＮＨＡと発光素子５Ｂの発光領域ＢＨＡの周辺部である非発光領域ＢＮＨＡとの境界である。そして、赤色サブ画素ＲＳＰと緑色サブ画素ＧＳＰとの境界部分と、赤色サブ画素ＲＳＰと青色サブ画素ＢＳＰとの境界部分とには、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰが形成されている。
【0090】
図１１の（ａ）、図１１の（ｂ）及び図１１の（ｃ）に示すように、前記第２方向に沿って非発光領域（ＲＮＨＡ、ＧＮＨＡ、ＢＮＨＡ）に設けられた凸部は、発光層２４Ｒの前記第１方向の端部である凸部２４ＲＤ、発光層２４Ｇの前記第１方向の端部である凸部２４ＧＤ及び発光層２４Ｂの前記第１方向の端部である凸部２４ＢＤの何れか一つと、発光層２４Ｒの前記第１方向の端部である凸部２４ＲＤ、発光層２４Ｇの前記第１方向の端部である凸部２４ＧＤ及び発光層２４Ｂの前記第１方向の端部である凸部２４ＢＤの他の一つとが積層された部分を含む。
【0091】
赤色サブ画素ＲＳＰと緑色サブ画素ＧＳＰとの境界部分には、発光層２４Ｒの前記第１方向の端部である凸部２４ＲＤと発光層２４Ｇの前記第１方向の端部である凸部２４ＧＤとが積層された部分を含む凸部が、前記第２方向に沿ってストライプ状に非発光領域に形成される。
【0092】
緑色サブ画素ＧＳＰと青色サブ画素ＢＳＰとの境界部分には、発光層２４Ｇの前記第１方向の端部である凸部２４ＧＤと発光層２４Ｂの前記第１方向の端部である凸部２４ＢＤとが積層された部分を含む凸部が、前記第２方向に沿ってストライプ状に非発光領域に形成される。
【0093】
青色サブ画素ＢＳＰと赤色サブ画素ＲＳＰとの境界部分には、発光層２４Ｂの前記第１方向の端部である凸部２４ＢＤと発光層２４Ｒの前記第１方向の端部である凸部２４ＲＤとが積層された部分を含む凸部が、前記第２方向に沿ってストライプ状に非発光領域に形成される。
【0094】
以上のように、２種類の発光層を積層して凸部を形成することで、１種類の発光層で凸部を形成する場合よりも、凸部の高さを容易に高くすることができる。したがって、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰの膜厚をさらに薄くすることができるので、亀裂ＣＲ’が生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰにさらに確実に限定させることができる。
【0095】
また、表示装置１ａにおいては、図１１の（ｂ）に示すように、形成された凸部の形状に沿って、亀裂ＣＲ’も前記第２方向に沿ってストライプ状に形成されるので、亀裂ＣＲ’が前記第１方向には形成されない分、抵抗を低くすることができる。
【0096】
表示装置１ａの製造方法としては、発光層２４Ｒを形成する工程と発光層２４Ｒで凸部２４ＲＤを設ける工程とは同一工程であり、発光層２４Ｇを形成する工程と発光層２４Ｇで凸部２４ＧＤを設ける工程とは同一工程であり、発光層２４Ｂを形成する工程と発光層２４Ｂで凸部２４ＢＤを設ける工程とは同一工程であり、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤ、発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤ及び発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤのうちの２つを、複数の第１電極２２の間の領域において積層すればよい。
【0097】
〔実施形態３〕
次に、図１２から図１６に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態の表示装置１ｂにおいては、非発光領域に設けられた凸部が、発光層２４Ｒと発光層２４Ｇと発光層２４Ｂとが積層されて形成されている点において、上述した実施形成１及び２とは異なる。その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
次に、図１２から図１６に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態の表示装置１ｂにおいては、非発光領域に設けられた凸部が、発光層２４Ｒと発光層２４Ｇと発光層２４Ｂとが積層されて形成されている点において、上述した実施形成１及び２とは異なる。その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【0098】
図１２は、亀裂ＣＲ’’が生じる位置を示す実施形態３の表示装置１ｂの平面図である。
【0099】
図１３の（ａ）は、実施形態３の表示装置１ｂに備えることができる発光層（赤色発光層）２４Ｒの形状の一例を示す図であり、図１３の（ｂ）は、実施形態３の表示装置１ｂに備えることができる発光層（緑色発光層）２４Ｇの形状の一例を示す図であり、図１３の（ｃ）は、実施形態３の表示装置１ｂに備えることができる発光層（青色発光層）２４Ｂの形状の一例を示す図である。
【0100】
【0101】
本実施形態の表示装置１ｂは、実施形態１において、図７に基づき既に説明したように、感光性レジスト３０を用いて、所定形状のテンプレート３０Ｒを形成した後、テンプレート３０Ｒを利用したリフトオフ法で、量子ドット（ＱＤ）を含み、感光性樹脂を含まない発光層をパターンニングする場合について説明するが、これに限定されることはない。
【0102】
本実施形態の表示装置１ｂにおいては、凸部は発光領域を取り囲むように設けられているので、図１２に示すように、亀裂ＣＲ’’は、発光領域を取り囲むように設けられるので、亀裂ＣＲ’’によって、隣接する他の色の発光光と混色が生じるのを抑制することができる。
【0103】
図１３の（ａ）に示すように、表示装置１ｂに備えることができる発光層２４Ｒは、少なくとも緑色発光素子５Ｇの発光領域ＧＨＡ及び青色発光素子５Ｂの発光領域ＢＨＡを除く領域に形成される必要があり、図１３の（ｂ）に示すように、表示装置１ｂに備えることができる発光層２４Ｇは、少なくとも赤色発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡ及び青色発光素子５Ｂの発光領域ＢＨＡを除く領域に形成される必要があり、図１３の（ｃ）に示すように、表示装置１ｂに備えることができる発光層２４Ｂは、少なくとも赤色発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡ及び緑色発光素子５Ｇの発光領域ＧＨＡを除く領域に形成される必要がある。本実施形態においては、発光層２４Ｒを、緑色発光素子５Ｇの発光領域ＧＨＡと発光領域ＧＨＡから連続する非発光領域ＧＮＨＡの一部とを除く領域と、青色発光素子５Ｂの発光領域ＢＨＡと発光領域ＢＨＡから連続する非発光領域ＢＮＨＡの一部とを除く領域とに形成し、発光層２４Ｇを、赤色発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡと発光領域ＲＨＡから連続する非発光領域ＲＮＨＡの一部とを除く領域と、青色発光素子５Ｂの発光領域ＢＨＡと発光領域ＢＨＡから連続する非発光領域ＢＮＨＡの一部とを除く領域とに形成し、発光層２４Ｂを、赤色発光素子５Ｒの発光領域ＲＨＡと発光領域ＲＨＡから連続する非発光領域ＲＮＨＡの一部とを除く領域と、緑色発光素子５Ｇの発光領域ＧＨＡと発光領域ＧＨＡから連続する非発光領域ＧＮＨＡの一部とを除く領域とに形成した。したがって、表示装置１ｂにおいては、図１２に示すように、発光層２４Ｒと、発光層２４Ｇと、発光層２４Ｂとが積層された積層体２４Ｈが形成される。
【0104】
【0105】
本実施形態においては、発光層２４Ｒと発光層２４Ｇと発光層２４Ｂとをこの順に形成しているため、発光層２４Ｒと発光層２４Ｇと発光層２４Ｂとがこの順に積層されて凸部が形成されているが、これに限定されることはなく、発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂの形成順番を変えることで、積層順も変えることができる。
【0106】
また、本実施形態においては、上述したように、感光性レジスト３０を用いて、所定形状のテンプレート３０Ｒを形成した後、テンプレート３０Ｒを利用したリフトオフ法で、発光層２４Ｒ、発光層２４Ｇ及び発光層２４Ｂをパターンニングしている。したがって、図１４の（ａ）に示すように、発光層２４Ｒ形成用のテンプレート３０Ｒ（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤが形成される。また、図１４の（ａ）に示すように、発光層２４Ｇ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤが形成される。また、発光層２４Ｇにおいては、凸部２４ＧＤ以外にも、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤを乗り越えた部分が他の部分よりも高い凸部となっている。さらに、図１４の（ａ）に示すように、発光層２４Ｂ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤが形成される。発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤは、所定距離を離れて形成されている発光層２４Ｂ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分が他の部分より高い形状になっている。
【0107】
以上のように、表示装置１ｂの赤色サブ画素ＲＳＰと緑色サブ画素ＧＳＰとの間の非発光領域には、図１４の（ａ）に示すように、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを２か所形成することができる。
【0108】
【0109】
図１４の（ｂ）に示すように、発光層２４Ｒ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤが形成される。発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤは、所定距離を離れて形成されている発光層２４Ｒ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分が他の部分より高い形状になっている。また、図１４の（ｂ）に示すように、発光層２４Ｇ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤが形成される。また、発光層２４Ｇにおいては、凸部２４ＧＤ以外にも、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤを乗り越えた部分が他の部分よりも高い凸部となっている。さらに、図１４の（ｂ）に示すように、発光層２４Ｂ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤが形成される。また、発光層２４Ｂにおいては、凸部２４ＢＤ以外にも、発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤを乗り越えた部分が他の部分よりも高い凸部となっている。
【0110】
以上のように、表示装置１ｂの緑色サブ画素ＧＳＰと青色サブ画素ＢＳＰとの間の非発光領域には、図１４の（ｂ）に示すように、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを２か所形成することができる。
【0111】
【0112】
図１４の（ｃ）に示すように、発光層２４Ｒ形成用のテンプレート３０Ｒ（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤが形成される。また、図１４の（ｃ）に示すように、発光層２４Ｇ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤが形成される。発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤは、所定距離を離れて形成されている発光層２４Ｇ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分が他の部分より高い形状になっている。さらに、図１４の（ｃ）に示すように、発光層２４Ｂ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分に発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤが形成される。発光層２４Ｂにおいては、発光層２４Ｂ形成用のテンプレート（図示せず）と接する部分と、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤと発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤとが積層された部分を乗り越えた部分とが他の部分より高い形状になっている。
【0113】
以上のように、表示装置１ｂの青色サブ画素ＢＳＰと赤色サブ画素ＲＳＰとの間の非発光領域には、図１４の（ｃ）に示すように、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを２か所形成することができる。
【0114】
【0115】
図１５の（ａ）に示すように、発光層２４Ｒと発光層２４Ｇとを積層せずに隙間を開けて形成し、前記隙間を埋めるとともに、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤと発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤとの上に発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤが位置するように、発光層２４Ｂを形成してもよい。このようにしても、表示装置１ｂの赤色サブ画素ＲＳＰと緑色サブ画素ＧＳＰとの間の非発光領域には、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを２か所形成することができる。
【0116】
図１５の（ｂ）に示すように、発光層２４Ｒの一方側の凸部２４ＲＤの上に発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤを形成し、発光層２４Ｒの他方側の凸部２４ＲＤの上に発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤを形成してもよい。このようにしても、表示装置１ｂの緑色サブ画素ＧＳＰと青色サブ画素ＢＳＰとの間の非発光領域には、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを２か所形成することができる。
【0117】
図１５の（ｃ）に示すように、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤの上に発光層２４Ｇの一方側の凸部２４ＧＤを形成し、発光層２４Ｇの他方側の凸部２４ＧＤ上に発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤを形成してもよい。このようにしても、表示装置１ｂの青色サブ画素ＢＳＰと赤色サブ画素ＲＳＰとの間の非発光領域には、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを２か所形成することができる。
【0118】
【0119】
図１６の（ａ）に示すように、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤの上に発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤを形成し、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤと発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤとが積層されている箇所の上に、発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤを形成してもよい。このようにして、表示装置１ｂの赤色サブ画素ＲＳＰと緑色サブ画素ＧＳＰとの間の非発光領域には、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを１か所形成することができる。
【0120】
図１６の（ｂ）に示すように、発光層２４Ｒの一方側の凸部２４ＲＤの上に発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤを形成し、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤと発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤとが積層されている箇所の上に、発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤを形成してもよい。このようにして、表示装置１ｂの緑色サブ画素ＧＳＰと青色サブ画素ＢＳＰとの間の非発光領域には、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを１か所形成することができる。
【0121】
図１６の（ｃ）に示すように、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤの上に発光層２４Ｇの一方側の凸部２４ＧＤを形成し、発光層２４Ｒの凸部２４ＲＤと発光層２４Ｇの凸部２４ＧＤとが積層されている箇所の上に、発光層２４Ｂの凸部２４ＢＤを形成してもよい。このようにして、表示装置１ｂの青色サブ画素ＢＳＰと赤色サブ画素ＲＳＰとの間の非発光領域には、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを１か所形成することができる。
【0122】
表示装置１ｂにおいては、複数種類の発光層の凸部を積層して電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰを形成することで、１種類の発光層で凸部を形成する場合よりも、凸部の高さを容易に高くすることができる。したがって、電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰの膜厚をさらに薄くすることができるので、亀裂ＣＲ’’が生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰにさらに確実に限定させることができる。
【0123】
表示装置１ｂの製造方法としては、発光層２４Ｒを形成する工程と発光層２４Ｒで凸部を設ける工程とは同一工程であり、発光層２４Ｇを形成する工程と発光層２４Ｇで凸部を設ける工程とは同一工程であり、発光層２４Ｂを形成する工程と発光層２４Ｂで凸部を設ける工程とは同一工程であり、発光層２４Ｒの凸部、発光層２４Ｇの凸部及び発光層２４Ｂの凸部２４を、複数の第１電極２２の間の領域において積層すればよい。
【0124】
〔実施形態４〕
次に、図１７に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態の表示装置１ｃは、凸部２３Ｐがエッジカバー層２３の一部であるとともに、電荷移動層２５が発光層２４Ｒより下層である点において、上述した実施形成１から３とは異なる。その他については実施形態１から３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１から３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
次に、図１７に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態の表示装置１ｃは、凸部２３Ｐがエッジカバー層２３の一部であるとともに、電荷移動層２５が発光層２４Ｒより下層である点において、上述した実施形成１から３とは異なる。その他については実施形態１から３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１から３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【0125】
図１５は、実施形態４の表示装置１ｃに備えられた赤色サブ画素ＲＳＰの概略的な構成を示す断面図である。
【0126】
図１５に示すように、表示装置１ｃにおいては、凸部２３Ｐがエッジカバー層２３の一部で形成されており、電荷移動層２５が発光層２４Ｒより下層である。
【0127】
本実施形態の表示装置１ｃの製造方法においては、発光層形成工程よりも凸部２３Ｐを設ける工程を先に行っているとともに、凸部２３Ｐを設ける工程と発光層形成工程との間に、凸部２３Ｐ上に、複数の第１電極２２上の部分及び複数の第１電極２２の間の領域の凸部２３Ｐ上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部２５ＴＰを有する電荷移動層２５を、複数の第１電極２２と、複数の第１電極２２の間の領域とを含む基板２上の表示領域に連続膜として形成する電荷移動層形成工程を含む。
【0128】
薄膜部２５ＴＰを非発光領域の一部に有する電荷移動層２５を備えた表示装置１ｃにおいては、連続した一つの膜である電荷移動層２５を形成する工程中の電荷移動層２５の収縮により、電荷移動層２５内に応力が内在されることとなり、意図しないきっかけを基に亀裂ＣＲが生じる場合があるが、その亀裂ＣＲが生じる位置を電荷移動層２５の薄膜部２５ＴＰに限定させることができる。
【0129】
以上のように、表示装置１ｃにおいては、発光素子の発光領域において電荷移動層２５に亀裂ＣＲが生じるのを抑制し、表示品質の低下を抑制することができる。
【0130】
なお、表示装置１ｃにおいて、電荷移動層２５が、例えば、電子輸送層である場合、第２電荷移動層２５’は、例えば、正孔輸送層である。
【0131】
さらに、凸部２３Ｐを用いて第２電荷移動層２５’に亀裂ＣＲを生じさせても良い。もしくは、電荷移動層２５と第２電荷移動層２５’との両方に亀裂ＣＲを生じさせても良い。
【0132】
〔まとめ〕
〔態様１〕
基板と、
前記基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に発光層及び電荷移動層とを備えた発光素子とを備え、
前記発光素子の発光領域と、前記発光領域の周辺部である非発光領域とを含み、
前記非発光領域の一部には、前記電荷移動層よりも下層に凸部が設けられており、
前記電荷移動層は、前記発光領域及び前記非発光領域を含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成され、かつ、前記凸部上に、前記発光領域の部分及び前記非発光領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する、表示装置。
〔態様１〕
基板と、
前記基板上に、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に発光層及び電荷移動層とを備えた発光素子とを備え、
前記発光素子の発光領域と、前記発光領域の周辺部である非発光領域とを含み、
前記非発光領域の一部には、前記電荷移動層よりも下層に凸部が設けられており、
前記電荷移動層は、前記発光領域及び前記非発光領域を含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成され、かつ、前記凸部上に、前記発光領域の部分及び前記非発光領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する、表示装置。
【0133】
〔態様２〕
前記第１電極の端部を覆うエッジカバー層をさらに備え、
前記凸部は、前記エッジカバー層上に設けられている、態様１に記載の表示装置。
前記第１電極の端部を覆うエッジカバー層をさらに備え、
前記凸部は、前記エッジカバー層上に設けられている、態様１に記載の表示装置。
【0134】
〔態様３〕
前記第１電極の一部を露出する開口を形成する前記エッジカバー層の側面と前記第１電極上に設けられた前記エッジカバー層の下面とが成す角度よりも前記凸部の端部と前記凸部の下面とが成す角度が大きい、態様２に記載の表示装置。
前記第１電極の一部を露出する開口を形成する前記エッジカバー層の側面と前記第１電極上に設けられた前記エッジカバー層の下面とが成す角度よりも前記凸部の端部と前記凸部の下面とが成す角度が大きい、態様２に記載の表示装置。
【0135】
〔態様４〕
前記発光層は、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、
前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の一部である、態様１から３の何れかに記載の表示装置。
前記発光層は、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、
前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の一部である、態様１から３の何れかに記載の表示装置。
【0136】
〔態様５〕
前記発光層は、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、
前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の端部である、態様４に記載の表示装置。
前記発光層は、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、
前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の端部である、態様４に記載の表示装置。
【0137】
〔態様６〕
前記発光素子は、複数個備えられており、
前記複数個の発光素子は、前記発光層として第１発光層を備えた第１発光素子と、前記発光層として第２発光層を備えた第２発光素子と、前記発光層として第３発光層を備えた第３発光素子と、を含み、
前記基板の第１方向において、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とが互いに隣接するように配置され、
前記第１発光層は、前記第１発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記第２発光層は、前記第２発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記第３発光層は、前記第３発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記非発光領域に設けられた前記凸部は、前記第１発光層と前記第２発光層と前記第３発光層との少なくとも２層が積層されて形成されている、態様１から３の何れかに記載の表示装置。
前記発光素子は、複数個備えられており、
前記複数個の発光素子は、前記発光層として第１発光層を備えた第１発光素子と、前記発光層として第２発光層を備えた第２発光素子と、前記発光層として第３発光層を備えた第３発光素子と、を含み、
前記基板の第１方向において、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とが互いに隣接するように配置され、
前記第１発光層は、前記第１発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記第２発光層は、前記第２発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記第３発光層は、前記第３発光素子の発光領域、前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部、前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域の一部に形成され、
前記非発光領域に設けられた前記凸部は、前記第１発光層と前記第２発光層と前記第３発光層との少なくとも２層が積層されて形成されている、態様１から３の何れかに記載の表示装置。
【0138】
〔態様７〕
前記凸部は、前記発光領域を取り囲むように設けられている、態様３から６の何れかに記載の表示装置。
前記凸部は、前記発光領域を取り囲むように設けられている、態様３から６の何れかに記載の表示装置。
【0139】
〔態様８〕
前記発光素子は、複数個備えられており、
前記複数個の発光素子は、前記発光層として第１発光層を備えた第１発光素子と、前記発光層として第２発光層を備えた第２発光素子と、前記発光層として第３発光層を備えた第３発光素子と、を含み、
前記基板の第１方向において、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とが互いに隣接するように配置され、
前記第１方向と直交する前記基板の第２方向において、前記第１発光素子同士、前記第２発光素子同士及び前記第３発光素子同士が隣接するように配置され、
前記第１発光層は、前記第１発光素子の発光領域及び前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第２発光層は、前記第２発光素子の発光領域及び前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第３発光層は、前記第３発光素子の発光領域及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第２方向に沿って前記非発光領域に設けられた前記凸部は、前記第１発光層の前記第１方向の端部、前記第２発光層の前記第１方向の端部及び前記第３発光層の前記第１方向の端部の何れか一つと、前記第１発光層の前記第１方向の端部、前記第２発光層の前記第１方向の端部及び前記第３発光層の前記第１方向の端部の他の一つとが積層された部分を含む、態様１から３の何れかに記載の表示装置。
前記発光素子は、複数個備えられており、
前記複数個の発光素子は、前記発光層として第１発光層を備えた第１発光素子と、前記発光層として第２発光層を備えた第２発光素子と、前記発光層として第３発光層を備えた第３発光素子と、を含み、
前記基板の第１方向において、前記第１発光素子と前記第２発光素子と前記第３発光素子とが互いに隣接するように配置され、
前記第１方向と直交する前記基板の第２方向において、前記第１発光素子同士、前記第２発光素子同士及び前記第３発光素子同士が隣接するように配置され、
前記第１発光層は、前記第１発光素子の発光領域及び前記第１発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第２発光層は、前記第２発光素子の発光領域及び前記第２発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第３発光層は、前記第３発光素子の発光領域及び前記第３発光素子の発光領域の周辺部である非発光領域に形成されているとともに、前記基板の第２方向において、ストライプ状の一つの連続膜として形成され、
前記第２方向に沿って前記非発光領域に設けられた前記凸部は、前記第１発光層の前記第１方向の端部、前記第２発光層の前記第１方向の端部及び前記第３発光層の前記第１方向の端部の何れか一つと、前記第１発光層の前記第１方向の端部、前記第２発光層の前記第１方向の端部及び前記第３発光層の前記第１方向の端部の他の一つとが積層された部分を含む、態様１から３の何れかに記載の表示装置。
【0140】
〔態様９〕
前記凸部は、前記エッジカバー層の一部である、態様２または３に記載の表示装置。
前記凸部は、前記エッジカバー層の一部である、態様２または３に記載の表示装置。
【0141】
〔態様１０〕
前記発光層は、量子ドットを含む、態様１から９の何れかに記載の表示装置。
前記発光層は、量子ドットを含む、態様１から９の何れかに記載の表示装置。
【0142】
〔態様１１〕
前記発光層は、量子ドットを含み、かつ、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、
前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の端部と、前記量子ドットを含む樹脂層とで形成されている、態様１から３の何れかに記載の表示装置。
前記発光層は、量子ドットを含み、かつ、前記発光領域及び前記非発光領域に形成され、
前記凸部は、前記非発光領域に形成された前記発光層の端部と、前記量子ドットを含む樹脂層とで形成されている、態様１から３の何れかに記載の表示装置。
【0143】
〔態様１２〕
前記電荷移動層は、微粒子を含む、態様１から１１の何れかに記載の表示装置。
前記電荷移動層は、微粒子を含む、態様１から１１の何れかに記載の表示装置。
【0144】
〔態様１３〕
前記電荷移動層は、無機膜である、態様１から１２の何れかに記載の表示装置。
前記電荷移動層は、無機膜である、態様１から１２の何れかに記載の表示装置。
【0145】
〔態様１４〕
前記電荷移動層の前記薄膜部の少なくとも一部に亀裂が形成されている、態様１から１３の何れかに記載の表示装置。
前記電荷移動層の前記薄膜部の少なくとも一部に亀裂が形成されている、態様１から１３の何れかに記載の表示装置。
【0146】
〔態様１５〕
前記電荷移動層の前記薄膜部の膜厚は、前記亀裂の前記電荷移動層の膜厚と直交する方向の幅よりも大きい、態様１４に記載の表示装置。
前記電荷移動層の前記薄膜部の膜厚は、前記亀裂の前記電荷移動層の膜厚と直交する方向の幅よりも大きい、態様１４に記載の表示装置。
【0147】
〔態様１６〕
前記電荷移動層は、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層、電子注入及び輸送層、正孔注入及び輸送層、電子注入及び輸送兼正孔ブロッキング層、正孔注入及び輸送兼電子ブロッキング層、電子輸送兼正孔ブロッキング層、及び、正孔輸送兼電子ブロッキング層の何れかである、態様１から１５の何れかに記載の表示装置。
前記電荷移動層は、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層、電子注入及び輸送層、正孔注入及び輸送層、電子注入及び輸送兼正孔ブロッキング層、正孔注入及び輸送兼電子ブロッキング層、電子輸送兼正孔ブロッキング層、及び、正孔輸送兼電子ブロッキング層の何れかである、態様１から１５の何れかに記載の表示装置。
【0148】
〔態様１７〕
基板上に複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極のうちの一部の第１電極上に第１発光層を形成する第１発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの他の一部の第１電極上に第２発光層を形成する第２発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの残りの第１電極上に第３発光層を形成する第３発光層形成工程とを含む発光層形成工程と、
前記複数の第１電極の間の領域に凸部を設ける工程と、
前記凸部を設ける工程の後に、前記凸部上に、前記複数の第１電極上の部分及び前記複数の第１電極の間の領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する電荷移動層を、前記複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間の領域とを含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成する電荷移動層形成工程と、
第２電極を形成する工程と、を含む、表示装置の製造方法。
基板上に複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極のうちの一部の第１電極上に第１発光層を形成する第１発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの他の一部の第１電極上に第２発光層を形成する第２発光層形成工程と、前記複数の第１電極のうちの残りの第１電極上に第３発光層を形成する第３発光層形成工程とを含む発光層形成工程と、
前記複数の第１電極の間の領域に凸部を設ける工程と、
前記凸部を設ける工程の後に、前記凸部上に、前記複数の第１電極上の部分及び前記複数の第１電極の間の領域の前記凸部上以外の部分よりも膜厚が薄い薄膜部を有する電荷移動層を、前記複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間の領域とを含む前記基板上の表示領域に連続膜として形成する電荷移動層形成工程と、
第２電極を形成する工程と、を含む、表示装置の製造方法。
【0149】
〔態様１８〕
前記第１電極を形成する工程と、前記発光層形成工程との間に、前記複数の第１電極のそれぞれの端部を覆うエッジカバー層を形成する工程をさらに含み、
前記凸部を設ける工程においては、前記凸部を前記エッジカバー層上に設ける、態様１７に記載の表示装置の製造方法。
前記第１電極を形成する工程と、前記発光層形成工程との間に、前記複数の第１電極のそれぞれの端部を覆うエッジカバー層を形成する工程をさらに含み、
前記凸部を設ける工程においては、前記凸部を前記エッジカバー層上に設ける、態様１７に記載の表示装置の製造方法。
【0150】
〔態様１９〕
前記第１発光層形成工程と前記第１発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第２発光層形成工程と前記第２発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第３発光層形成工程と前記第３発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれを、前記複数の第１電極の間の領域にまで形成するとともに、前記複数の第１電極の間の領域に形成された前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれの一部に前記凸部を設ける、態様１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
前記第１発光層形成工程と前記第１発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第２発光層形成工程と前記第２発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第３発光層形成工程と前記第３発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれを、前記複数の第１電極の間の領域にまで形成するとともに、前記複数の第１電極の間の領域に形成された前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれの一部に前記凸部を設ける、態様１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
【0151】
〔態様２０〕
前記複数の第１電極の間の領域に形成された前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれの端部に前記凸部を設ける、態様１９に記載の表示装置の製造方法。
前記複数の第１電極の間の領域に形成された前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれの端部に前記凸部を設ける、態様１９に記載の表示装置の製造方法。
【0152】
〔態様２１〕
前記第１発光層形成工程と前記第１発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第２発光層形成工程と前記第２発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第３発光層形成工程と前記第３発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第１発光層の前記凸部、前記第２発光層の前記凸部及び前記第３発光層の前記凸部のうちの少なくとも２つを、前記複数の第１電極の間の領域において積層する、態様１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
前記第１発光層形成工程と前記第１発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第２発光層形成工程と前記第２発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第３発光層形成工程と前記第３発光層で前記凸部を設ける工程とは同一工程であり、
前記第１発光層の前記凸部、前記第２発光層の前記凸部及び前記第３発光層の前記凸部のうちの少なくとも２つを、前記複数の第１電極の間の領域において積層する、態様１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
【0153】
〔態様２２〕
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、それぞれ、感光性樹脂を含み、
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれは、露光及び現像することで、パターンニングされる、態様１７から２１の何れかに記載の表示装置の製造方法。
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層は、それぞれ、感光性樹脂を含み、
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれは、露光及び現像することで、パターンニングされる、態様１７から２１の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【0154】
〔態様２３〕
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれは、感光性レジストを用いたリフトオフ法によって、パターンニングされる、態様１７、１８、２０、２１の何れかに記載の表示装置の製造方法。
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層のそれぞれは、感光性レジストを用いたリフトオフ法によって、パターンニングされる、態様１７、１８、２０、２１の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【0155】
〔態様２４〕
前記発光層形成工程よりも前記凸部を設ける工程を先に行う、態様１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
前記発光層形成工程よりも前記凸部を設ける工程を先に行う、態様１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
【0156】
〔態様２５〕
前記電荷移動層形成工程の後に行われる、前記凸部上の前記電荷移動層の少なくとも一部に亀裂を生じさせる亀裂導入工程をさらに含む、態様１７から２４の何れかに記載の表示装置の製造方法。
前記電荷移動層形成工程の後に行われる、前記凸部上の前記電荷移動層の少なくとも一部に亀裂を生じさせる亀裂導入工程をさらに含む、態様１７から２４の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【0157】
〔態様２６〕
前記亀裂導入工程は、前記電荷移動層の真空乾燥工程と、前記電荷移動層の熱処理工程と、前記基板の変形工程との少なくとも一つを含む、態様２５に記載の表示装置の製造方法。
前記亀裂導入工程は、前記電荷移動層の真空乾燥工程と、前記電荷移動層の熱処理工程と、前記基板の変形工程との少なくとも一つを含む、態様２５に記載の表示装置の製造方法。
【0158】
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【0159】
本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に利用することができる。
【符号の説明】
【0160】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ 表示装置
２ トランジスタを含む基板（基板）
２Ｓ トランジスタを含む基板の発光素子側の面
３ バリア層
４ 薄膜トランジスタ層
５Ｒ 発光素子（第１発光素子）
５Ｇ 発光素子（第２発光素子）
５Ｂ 発光素子（第３発光素子）
１２ 支持基板
１６、１８、２０ 無機絶縁膜
２１ 平坦化膜
２２ 第１電極
２３ エッジカバー層
２３Ｐ 凸部
２３Ｋ 開口
２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ 発光層
２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ 凸部
２４Ｈ 積層体
２５ 電荷移動層
２５’ 第２電荷移動層
２５ＴＰ 薄膜部
２６ 第２電極
３０ 感光性レジスト
３０Ｒ テンプレート
３０Ｒ’ 感光性レジスト残留部
３１ 量子ドットを含む樹脂層
３２ 凸部（バリ）
ＲＨＡ、ＧＨＡ、ＢＨＡ 発光領域
ＲＮＨＡ、ＧＮＨＡ、ＢＮＨＡ 非発光領域
ＣＲ、ＣＲ’、ＣＲ’’ 亀裂
θ１ エッジカバー層の側面と第１電極の上面とが成す角度
θ２ 凸部の端部とエッジカバー層の上面とが成す角度
ＰＩＸ 画素
ＲＳＰ 赤色サブ画素
ＧＳＰ 緑色サブ画素
ＢＳＰ 青色サブ画素
ＴＲ トランジスタ
ＳＥＭ、ＳＥＭ’、ＳＥＭ’’ 半導体膜
Ｇ ゲート電極
Ｄ ドレイン電極
Ｓ ソース電極
ＤＡ 表示領域
ＮＤＡ 額縁領域
２ トランジスタを含む基板（基板）
２Ｓ トランジスタを含む基板の発光素子側の面
３ バリア層
４ 薄膜トランジスタ層
５Ｒ 発光素子（第１発光素子）
５Ｇ 発光素子（第２発光素子）
５Ｂ 発光素子（第３発光素子）
１２ 支持基板
１６、１８、２０ 無機絶縁膜
２１ 平坦化膜
２２ 第１電極
２３ エッジカバー層
２３Ｐ 凸部
２３Ｋ 開口
２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ 発光層
２４ＲＤ、２４ＧＤ、２４ＢＤ 凸部
２４Ｈ 積層体
２５ 電荷移動層
２５’ 第２電荷移動層
２５ＴＰ 薄膜部
２６ 第２電極
３０ 感光性レジスト
３０Ｒ テンプレート
３０Ｒ’ 感光性レジスト残留部
３１ 量子ドットを含む樹脂層
３２ 凸部（バリ）
ＲＨＡ、ＧＨＡ、ＢＨＡ 発光領域
ＲＮＨＡ、ＧＮＨＡ、ＢＮＨＡ 非発光領域
ＣＲ、ＣＲ’、ＣＲ’’ 亀裂
θ１ エッジカバー層の側面と第１電極の上面とが成す角度
θ２ 凸部の端部とエッジカバー層の上面とが成す角度
ＰＩＸ 画素
ＲＳＰ 赤色サブ画素
ＧＳＰ 緑色サブ画素
ＢＳＰ 青色サブ画素
ＴＲ トランジスタ
ＳＥＭ、ＳＥＭ’、ＳＥＭ’’ 半導体膜
Ｇ ゲート電極
Ｄ ドレイン電極
Ｓ ソース電極
ＤＡ 表示領域
ＮＤＡ 額縁領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】