特許 7546621 真空ポンプ及び真空排気システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-29

(45)【発行日】2024-09-06

(54)【発明の名称】真空ポンプ及び真空排気システム

(51)【国際特許分類】

   F04D 19/04 20060101AFI20240830BHJP

【ＦＩ】

F04D19/04 Z

F04D19/04 G

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2022086185

(22)【出願日】2022-05-26

(65)【公開番号】P2023173733

(43)【公開日】2023-12-07

【審査請求日】2023-06-05

(73)【特許権者】

【識別番号】508275939

【氏名又は名称】エドワーズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100169960

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 貴光

(72)【発明者】

【氏名】樺澤 剛志

【審査官】森 秀太

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２２－０１７８６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２４８８２５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｆ０４Ｄ １９／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

吸気口と排気口を有するハウジングと前記ハウジングの内側に配設された排気機構とを備えた真空ポンプであって、
前記排気機構の排気側出口近傍に配設され、前記ハウジング内に貫通して設けられたラジカル供給口と、
前記ラジカル供給口から前記ハウジング内にラジカルを供給し、前記供給したラジカルを前記ラジカル供給口より吸気口側に流して前記排気機構内の反応生成物が堆積する箇所に流すラジカル供給手段と、
を備える、ことを特徴とする真空ポンプ。

【請求項2】

前記吸気口と前記ラジカル供給口との間に、前記ラジカルを前記ハウジング外に排出する中間ポートを備える、ことを特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。

【請求項3】

前記ハウジング内に供給された前記ラジカルを前記排気口又は前記中間ポートを通して吸引して前記ハウジング外に排出可能な吸引・排気手段と、
前記ラジカルの排出経路を前記排気口又は前記中間ポートの何れかに切換可能な排気切換弁と、
を備える、ことを特徴とする請求項２に記載の真空ポンプ。

【請求項4】

前記排気機構の少なくとも一部が、軸方向に多段状に配列された複数の回転翼を有する回転体と、前記複数の回転翼間に配設された複数の固定翼と、を有するターボ分子ポンプ機構である、ことを特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。

【請求項5】

前記排気機構の少なくとも一部が、回転円板と、固定円板と、前記回転円板と前記固定円板の対向面の少なくとも一部に設けられた渦状溝とを有するシグバーン型ポンプ機構である、ことを特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。

【請求項6】

前記排気機構の少なくとも一部が、回転円筒と、固定円筒と、前記回転円筒と前記固定円筒の対向面の少なくとも一部に設けられたネジ溝と、を備えるホルベック型ポンプ機構である、ことを特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。

【請求項7】

前記排気機構は、軸方向に多段状に配列された複数の回転翼を有する回転体と前記複数の回転翼間に配設された複数の固定翼とを有するターボ分子ポンプ機構、回転円板と固定円板と前記回転円板と前記固定円板の対向面の少なくとも一部に設けられた渦状溝とを有するシグバーン型ポンプ機構、又は回転円筒と固定円筒と前記回転円筒と前記固定円筒の対向面の少なくとも一部に設けられたネジ溝とを備えるホルベック型ポンプ機構のうち少なくとも２つ以上で構成され、
前記中間ポートは、隣り合う前記ターボ分子ポンプ機構、前記シグバーン型ポンプ機構又は前記ホルベック型ポンプ機構の境界付近に配設されている、ことを特徴とする請求項２に記載の真空ポンプ。

【請求項8】

吸気口と排気口を有するハウジングと、前記ハウジングの内側に配設された排気機構と、前記排気機構の排気側出口近傍に配設され、前記ハウジング内に貫通して設けられたラジカル供給口と、を備えた真空ポンプと、
前記ラジカル供給口から前記ハウジング内にラジカルを供給し、前記供給したラジカルを前記ラジカル供給口より吸気口側に流して前記排気機構内の反応生成物が堆積する箇所に供給するラジカル供給手段と、
を備える、
ことを特徴とする真空排気システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は真空ポンプ及び真空排気システムに関するものであり、特に、低真空から超高真空に亘る圧力範囲で利用可能な真空ポンプ及び真空排気システムに関するものである。

【背景技術】

【0002】

メモリや集積回路灯の半導体装置を製造する際、空気中の塵等による影響を避けるために、高真空状態のチャンバ内で高純度の半導体基板（ウエハ）にドーピングやエッチングを行う必要があり、チャンバ内の排気には、例えば、ターボ分子等の真空ポンプが使用されている。

【0003】

このような真空ポンプとして、円筒状のケーシングと、ケーシング内に入れ子で固定されると共にネジ溝が配設された円筒状のステータと、ステータ内で高速回転可能に支持されたロータと、を備えているもの等が知られている。

【0004】

真空ポンプでは、ケーシングの吸気口から吸引したガスによっては、ポンプ内部（ケーシングの内部）で圧縮される過程で気体から固体に相変化を起こし、ポンプ内部で固化する場合がある。その結果、ポンプ内部に固化物（以下、これを「反応生成物」という）が堆積し、ガス流路が閉塞するという不具合が生じる場合がある。

【0005】

その不具合を解決する方法として、真空ポンプの内部にラジカルを供給し、反応生成物を洗浄する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
ラジカルは、三フッ化窒素（ＮＦ３）等の原料ガスに高電圧を印加してポンプ内部に堆積した固化物を強制的に引き剥がし、活性化して除去するものである。しかし、ラジカルはポンプ内に導入化する導入管や、ポンプの構成部品の表面に触れると活性を失う問題点がある。そのため、特許文献１に記載される真空ポンプのように、真空ポンプの吸気口付近にラジカル発生装置を設置した場合には、吸気口付近の洗浄効果は高いが、排気口付近に堆積する反応生成物はほとんど洗浄できない場合が多い。

【0006】

一方、反応生成物は、真空ポンプの排気口付近に堆積する場合が多く、排気口付近を効果的に洗浄する必要がある。そこで、吸気口付近だけでなく、真空ポンプの排気機構の中間付近にもラジカル発生装置を設置し、ラジカルが活性を失う前に、洗浄したい部分までラジカルを届ける技術を採用した真空ポンプも提案されている（例えば、特許文献２参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開２００８－２４８８２５号公報

【文献】特開２０２２－１７８６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

しかしながら、特許文献２に記載の真空ポンプは、吸気口付近と排気口付近の両方を効果的に洗浄できるようになったが、ラジカル発生装置を複数の箇所に設置する必要があり、コストが高くなるという問題点があった。
また、特許文献2に記載の真空ポンプは、供給されたラジカルは、吸気口側から排気口側へ向かって1方向に流れるため、例えば、反応生成物が堆積する箇所の中央付近にラジカル供給口を設置した場合には、ラジカル供給口より下流側は洗浄できるが、ラジカル供給口より上流側は洗浄できない。そのため、ラジカル供給口より上流側を洗浄するためには、上流側を洗浄するためのラジカル供給口が別途必要となる。

【0009】

そこで、ラジカル発生装置による洗浄効率を向上させて、少ないラジカル発生装置で真空ポンプ内に堆積する反応生成物を効果的に洗浄できるようにすると同時に、運用コストの低減を可能にすることができる真空ポンプ及び真空排気システムを提供するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１に記載の発明は、吸気口と排気口を有するハウジングと前記ハウジングの内側に配設された排気機構とを備えた真空ポンプであって、前記排気機構の排気側出口近傍に配設され、前記ハウジング内に貫通して設けられたラジカル供給口と、前記ラジカル供給口から前記ハウジング内にラジカルを供給し、前記供給したラジカルを前記ラジカル供給口より吸気口側に流して前記排気機構内の反応生成物が堆積する箇所に流すラジカル供給手段と、を備える、真空ポンプを提供する。

【0011】

この構成によれば、吸気口と排気口との間に設けられているラジカル供給口からハウジング内にラジカルを供給し、ラジカル供給口より下流側へラジカルを流す経路と、ラジカル供給口より上流側へラジカル経路を切り替えることで、供給したラジカルがハウジング内のクリーニングを必要とする箇所全体に行き渡る。そして、ハウジング内における排気機構等に堆積している反応生成物を活性化し、効果的に除去することができる。これにより、少ない数のラジカル発生装置であっても反応生成物を効果的に除去することができるので、真空ポンプ内部の洗浄システムにおける洗浄部品コストの低減と運用コストの低減を両立させることが可能になる。

【0012】

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の構成において、前記吸気口と前記ラジカル供給口との間に、前記ラジカルを前記ハウジング外に排出する中間ポートを備える、真空ポンプを提供する。

【0013】

この構成によれば、ラジカル供給口から供給したラジカルを、排気口だけでなく、中間ポートを通してもハウジングの外側に排出することができる。すなわち、ハウジング内における排気機構に堆積している反応生成物を活性化して効果的に除去できる位置に中間ポートを設け、必要に応じて中間ポートを通してラジカルをハウジングの外側に排出することにより、洗浄効果を最大限に発揮させることができる。また、除去した反応生成物が上流側を流れないため、上流側が汚染されるのを防ぐことができる。

【0014】

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の構成において、前記ハウジング内に供給された前記ラジカルを前記排気口又は前記中間ポートを通して吸引して前記ハウジング外に排出可能な吸引・排気手段と、前記ラジカルの排出経路を前記排気口又は前記中間ポートの何れかに切換可能な排気切換弁と、を備える、真空ポンプを提供する。

【0015】

この構成によれば、ラジカル供給口からハウジング内に供給されたラジカルを、排気切換弁による排出系路の切り換え操作により、排気口又は中間ポートの何れかよりハウジング外に排出することができる。したがって、ハウジング内における排気機構に堆積している反応生成物を活性化して効果的に除去できる排気口又は中間ポートの位置を選択して、排気切換弁によりラジカルの排出経路を切り換えることにより、洗浄効果を最大限に発揮させることができる。

【0016】

請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の構成において、前記排気機構の少なくとも一部が、軸方向に多段状に配列された複数の回転翼を有する回転体と、前記複数の回転翼間に配設された複数の固定翼と、を有するターボ分子ポンプ機構である、真空ポンプを提供する。

【0017】

この構成によれば、排気機構の少なくとも一部が、軸方向に多段状に配列された複数の回転翼を有する回転体と、複数の回転翼間に配設された複数の固定翼と、を有するターボ分子ポンプ機構において、ハウジング内における排気機構に堆積している反応生成物を活性化し、効果的に除去することができる。

【0018】

請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の構成において、前記排気機構の少なくとも一部が、回転円板と、固定円板と、前記回転円板と前記固定円板の対向面の少なくとも一部に設けられた渦状溝とを有するシグバーン型ポンプ機構である、真空ポンプを提供する。

【0019】

この構成によれば、排気機構の少なくとも一部が、回転円板と、固定円板と、回転円板と固定円板の対向面の少なくとも一部に設けられた渦状溝とを有するシグバーン型ポンプ機構において、ハウジング内における排気機構に堆積している反応生成物を活性化し、効果的に除去することができる。

【0020】

請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の構成において、前記排気機構の少なくとも一部が、回転円筒と、固定円筒と、前記回転円筒と前記固定円筒の対向面の少なくとも一部に設けられたネジ溝と、を備えるホルベック型ポンプ機構である、真空ポンプを提供する。

【0021】

この構成によれば、排気機構の少なくとも一部が、回転円筒と、固定円筒と、回転円筒と固定円筒の対向面の少なくとも一部に設けられたネジ溝と、を備えるホルベック型ポンプ機構において、ハウジング内における排気機構に堆積している反応生成物を活性化し、効果的に除去することができる。

【0022】

請求項７に記載の発明は、請求項２に記載の構成において、前記排気機構は、軸方向に多段状に配列された複数の回転翼を有する回転体と前記複数の回転翼間に配設された複数の固定翼とを有するターボ分子ポンプ機構、回転円板と固定円板と前記回転円板と前記固定円板の対向面の少なくとも一部に設けられた渦状溝とを有するシグバーン型ポンプ機構、又は回転円筒と固定円筒と前記回転円筒と前記固定円筒の対向面の少なくとも一部に設けられたネジ溝とを備えるホルベック型ポンプ機構のうち少なくとも２つ以上で構成され、前記中間ポートは、隣り合う前記ターボ分子ポンプ機構、前記シグバーン型ポンプ機構又は前記ホルベック型ポンプ機構の境界付近に配設されている、真空ポンプを提供する。

【0023】

この構成によれば、排気機構の少なくとも一部が、回転円板と、固定円板と、回転円板と固定円板の対向面の少なくとも一部に設けられた渦状溝とを有するシグバーン型ポンプ機構、又は回転円筒と固定円筒と回転円筒と固定円筒の対向面の少なくとも一部に設けられたネジ溝とを備えるホルベック型ポンプ機構のうち少なくとも２つ以上で構成された真空ポンプにおいて、ハウジング内における排気機構に堆積している反応生成物を活性化し、効果的に除去することができる。

【0024】

請求項８に記載の発明は、吸気口と排気口を有するハウジングと、前記ハウジングの内側に配設された排気機構と、前記排気機構の排気側出口近傍に配設され、前記ハウジング内に貫通して設けられたラジカル供給口と、を備えた真空ポンプと、前記ラジカル供給口から前記ハウジング内にラジカルを供給し、前記供給したラジカルを前記ラジカル供給口より吸気口側に流して前記排気機構内の反応生成物が堆積する箇所に供給するラジカル供給手段と、を備える、真空排気システムを提供する。

【0025】

この構成によれば、吸気口と排気口との間に設けられているラジカル供給口からハウジング内にラジカルを供給し、ラジカル供給口より下流側へラジカルを流す経路と、ラジカル供給口より上流側へラジカル経路を切り替えることで、供給したラジカルがハウジング内のクリーニングを必要とする箇所全体に行き渡る。そして、ハウジング内における排気機構等に堆積している反応生成物を活性化し、効果的に除去することができる。これにより、少ない数のラジカル発生装置であっても反応生成物を効果的に除去することができるので、真空ポンプ内部の洗浄システムにおける洗浄部品コストの低減と運用コストの低減を両立させることが可能な真空排気システムの実現が図れる。

【発明の効果】

【0026】

本発明によれば、吸気口と排気口との間に設けられているラジカル供給口からハウジング内にラジカルを供給すると、供給したラジカルがハウジング内のクリーニングを必要とする箇所全体に行き渡り、ハウジング内の排気機構等に堆積している反応生成物を活性化し、効果的に除去することができる。これにより、少ない数のラジカル発生装置で反応生成物を効果的に除去できるので、真空ポンプ内部の洗浄システムにおける洗浄部品コストの低減と運用コストの低減を両立できる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の実施の形態に係る真空ポンプの第１実施例として示すターボ分子ポンプの縦断面図であり、ラジカルを中間ポートから排出する時の状態に切り換えている場合の排出経路を説明する図である。

【図2】本発明の実施の形態に係る真空ポンプの第１実施例として示すターボ分子ポンプの縦断面図であり、ラジカルを排出口から排出する時の状態に切り換えている場合の排出経路を説明する図である。

【図3】同上第１実施例のターボ分子ポンプにおけるアンプ回路の一例を示す図である。

【図4】同上第１実施例のターボ分子ポンプにおけるアンプ回路で検出した電流指令値が検出値より大きい場合の一制御例を示すタイムチャートである。

【図5】同上第１実施例のターボ分子ポンプにおけるアンプ回路で検出した電流指令値が検出値より小さい場合の一制御例を示すタイムチャートである。

【図6】本発明の実施の形態に係る真空ポンプの第２実施例として示すターボ分子ポンプの縦断面図である。

【図7】本発明の実施の形態に係る真空ポンプの第３実施例として示すターボ分子ポンプの縦断面図である。

【図8】本発明の実施の形態に係る真空ポンプの第４実施例として示すターボ分子ポンプの縦断面図である。

【図9】本発明の実施の形態に係る真空ポンプの第５実施例として示すターボ分子ポンプの縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

本発明は、ラジカル発生装置による洗浄効率を向上させて、少ないラジカル発生装置で真空ポンプ内に堆積する反応生成物を効果的に洗浄できるようにすると同時に、運用コストの低減を可能にする真空ポンプ及び真空排気システムを提供するという目的を達成するために、吸気口と排気口を有するハウジングと前記ハウジングの内側に配設された排気機構とを備えた真空ポンプであって、前記排気機構の排気側出口近傍に配設され、前記ハウジング内に貫通して設けられたラジカル供給口と、前記ラジカル供給口から前記ハウジング内にラジカルを供給し、前記供給したラジカルを前記排気機構内の反応生成物が堆積する箇所に流すラジカル供給手段と、を備える、構成としたことにより実現した。

【実施例】

【0029】

以下、本発明の実施形態に係る一実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施例において、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。

【0030】

また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。

【0031】

また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。

【0032】

また、以下の説明において、上下や左右等の方向を示す表現は、絶対的なものではなく、本発明の真空ポンプの各部が描かれている姿勢である場合に適切であるが、その姿勢が変化した場合には姿勢の変化に応じて変更して解釈されるべきものである。また、実施例の説明の全体を通じて同じ要素には同じ符号を付している。

【0033】

このターボ分子ポンプ１００Ａの縦断面図を図１及び図２に示す。図１及び図２において、ターボ分子ポンプ１００Ａは、ハウジングである円筒状の外筒１２７の上端に吸気口１０１が形成されている。そして、外筒１２７の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードである複数の回転翼１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）を周部に放射状かつ多段に形成した回転体１０３が備えられている。この回転体１０３の中心にはロータ軸１１３が取り付けられており、このロータ軸１１３は、例えば５軸制御の磁気軸受により空中に浮上支持かつ位置制御されている。

【0034】

上側径方向電磁石１０４は、４個の電磁石がＸ軸とＹ軸とに対をなして配置されている。この上側径方向電磁石１０４の近接に、かつ上側径方向電磁石１０４のそれぞれに対応されて４個の上側径方向センサ１０７が備えられている。上側径方向センサ１０７は、例えば伝導巻線を有するインダクタンスセンサや渦電流センサなどが用いられ、ロータ軸１１３の位置に応じて変化するこの伝導巻線のインダクタンスの変化に基づいてロータ軸１１３の位置を検出する。この上側径方向センサ１０７はロータ軸１１３、すなわちそれに固定された回転体１０３の径方向変位を検出し、制御装置２００に送るように構成されている。

【0035】

この制御装置２００においては、例えばＰＩＤ調節機能を有する補償回路が、上側径方向センサ１０７によって検出された位置信号に基づいて、上側径方向電磁石１０４の励磁制御指令信号を生成し、図３に示すアンプ回路１５０（後述する）が、この励磁制御指令信号に基づいて、上側径方向電磁石１０４を励磁制御することで、ロータ軸１１３の上側の径方向位置が調整される。

【0036】

そして、このロータ軸１１３は、高透磁率材（鉄、ステンレスなど）などにより形成され、上側径方向電磁石１０４の磁力により吸引されるようになっている。かかる調整は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにそれぞれ独立して行われる。また、下側径方向電磁石１０５及び下側径方向センサ１０８が、上側径方向電磁石１０４及び上側径方向センサ１０７と同様に配置され、ロータ軸１１３の下側の径方向位置を上側の径方向位置と同様に調整している。

【0037】

さらに、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂが、ロータ軸１１３の下部に備えた円板状の金属ディスク１１１を上下に挟んで配置されている。金属ディスク１１１は、鉄などの高透磁率材で構成されている。ロータ軸１１３の軸方向変位を検出するために軸方向センサ１０９が備えられ、その軸方向位置信号が制御装置２００に送られるように構成されている。

【0038】

そして、制御装置２００において、例えばＰＩＤ調節機能を有する補償回路が、軸方向センサ１０９によって検出された軸方向位置信号に基づいて、軸方向電磁石１０６Ａと軸方向電磁石１０６Ｂのそれぞれの励磁制御指令信号を生成し、アンプ回路１５０が、これらの励磁制御指令信号に基づいて、軸方向電磁石１０６Ａと軸方向電磁石１０６Ｂをそれぞれ励磁制御することで、軸方向電磁石１０６Ａが磁力により金属ディスク１１１を上方に吸引し、軸方向電磁石１０６Ｂが金属ディスク１１１を下方に吸引し、ロータ軸１１３の軸方向位置が調整される。

【0039】

このように、制御装置２００は、この軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂが金属ディスク１１１に及ぼす磁力を適当に調節し、ロータ軸１１３を軸方向に磁気浮上させ、空間に非接触で保持するようになっている。なお、これら上側径方向電磁石１０４、下側径方向電磁石１０５及び軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂを励磁制御するアンプ回路１５０については、後述する。

【0040】

一方、モータ１２１は、ロータ軸１１３を取り囲むように周状に配置された複数の磁極を備えている。各磁極は、ロータ軸１１３との間に作用する電磁力を介してロータ軸１１３を回転駆動するように、制御装置２００によって制御されている。また、モータ１２１には図示しない例えばホール素子、レゾルバ、エンコーダなどの回転速度センサが組み込まれており、この回転速度センサの検出信号によりロータ軸１１３の回転速度が検出されるようになっている。

【0041】

さらに、例えば下側径方向センサ１０８近傍に、図示しない位相センサが取り付けてあり、ロータ軸１１３の回転の位相を検出するようになっている。制御装置２００では、この位相センサと回転速度センサの検出信号を共に用いて磁極の位置を検出するようになっている。

【0042】

回転翼１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）とわずかの空隙を隔てて複数枚の固定翼１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ・・・が配設されている。回転翼１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、ロータ軸１１３の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。

【0043】

また、固定翼１２３も、同様にロータ軸１１３の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒１２７の内方に向けて回転翼１０２の段と互い違いに配設されている。そして、固定翼１２３の外周端は、複数の段積みされた固定翼スペーサ１２５（１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ・・・）の間に嵌挿された状態で支持されている。

【0044】

固定翼スペーサ１２５はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。固定翼スペーサ１２５の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒１２７が固定されている。外筒１２７の底部にはベース部１２９が配設されている。ベース部１２９には排気口１３３が形成され、外部に連通されている。チャンバ側から吸気口１０１に入ってベース部１２９に移送されてきた排気ガスは、排気口１３３へと送られる。

【0045】

さらに、ターボ分子ポンプ１００Ａの用途によって、固定翼スペーサ１２５の下部とベース部１２９の間には、ネジ付スペーサ１３１が配設される。ネジ付スペーサ１３１は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝１３１ａが複数条刻設されている。ネジ溝１３１ａの螺旋の方向は、回転体１０３の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口１３３の方へ移送される方向である。回転体１０３の回転翼１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）に続く最下部には円筒部１０２ｍが垂下されている。この円筒部１０２ｍの外周面は、円筒状で、かつネジ付スペーサ１３１の内周面に向かって張り出されており、このネジ付スペーサ１３１の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。回転翼１０２および固定翼１２３によってネジ溝１３１ａに移送されてきた排気ガスは、ネジ溝１３１ａに案内されつつベース部１２９へと送られる。

【0046】

ベース部１２９は、ターボ分子ポンプ１００Ａの基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。ベース部１２９はターボ分子ポンプ１００Ａを物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。

【0047】

かかる構成において、回転翼１０２がロータ軸１１３と共にモータ１２１により回転駆動されると、回転翼１０２と固定翼１２３の作用により、吸気口１０１を通じてチャンバから排気ガスが吸気される。吸気口１０１から吸気された排気ガスは、回転翼１０２と固定翼１２３の間を通り、ベース部１２９へ移送される。このとき、排気ガスが回転翼１０２に接触する際に生ずる摩擦熱や、モータ１２１で発生した熱の伝導などにより、回転翼１０２の温度は上昇するが、この熱は、輻射又は排気ガスの気体分子などによる伝導により固定翼１２３側に伝達される。

【0048】

固定翼スペーサ１２５は、外周部で互いに接合しており、固定翼１２３が回転翼１０２から受け取った熱や排気ガスが固定翼１２３に接触する際に生ずる摩擦熱などを外部へと伝達する。

【0049】

なお、上記では、ネジ付スペーサ１３１は回転体１０３の円筒部１０２ｍの外周に配設し、ネジ付スペーサ１３１の内周面にネジ溝１３１ａが刻設されているとして説明した。しかしながら、これとは逆に円筒部１０２ｍの外周面にネジ溝が刻設され、その周囲に円筒状の内周面を有するスペーサが配置される場合もある。
また、ターボ分子ポンプ１００Ａの用途によっては、吸気口１０１から吸引されたガスが上側径方向電磁石１０４、上側径方向センサ１０７、モータ１２１、下側径方向電磁石１０５、下側径方向センサ１０８、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂ、軸方向センサ１０９などで構成される電装部に侵入することのないよう、電装部は周囲をステータコラム１２２で覆われ、このステータコラム１２２内はパージガスにて所定圧に保たれる場合もある。

【0050】

この場合には、ベース部１２９には図示しない配管が配設され、この配管を通じてパージガスが導入される。導入されたパージガスは、保護ベアリング１２０とロータ軸１１３間、モータ１２１のロータとステータ間、ステータコラム１２２と回転翼１０２の内周側円筒部の間の隙間を通じて排気口１３３へ送出される。

【0051】

ここに、ターボ分子ポンプ１００Ａは、機種の特定と、個々に調整された固有のパラメータ（例えば、機種に対応する諸特性）に基づいた制御を要する。この制御パラメータを格納するために、上記ターボ分子ポンプ１００Ａは、その本体内に電子回路部１４１を備えている。電子回路部１４１は、ＥＥＰ－ＲＯＭ等の半導体メモリ及びそのアクセスのための半導体素子等の電子部品、それらの実装用の基板１４３等から構成される。この電子回路部１４１は、ターボ分子ポンプ１００Ａの下部を構成するベース部１２９の例えば中央付近の図示しない回転速度センサの下部に収容され、気密性の底蓋１４５によって閉じられている。

【0052】

ところで、半導体の製造工程では、チャンバに導入されるプロセスガスの中には、その圧力が所定値よりも高くなり、或いは、その温度が所定値よりも低くなると、固体となる性質を有するものがある。ターボ分子ポンプ１００内部では、排気ガスの圧力は、吸気口１０１で最も低く排気口１３３で最も高い。プロセスガスが吸気口１０１から排気口１３３へ移送される途中で、その圧力が所定値よりも高くなったり、その温度が所定値よりも低くなったりすると、プロセスガスは、固体状となり、ターボ分子ポンプ１００Ａの内部に付着して堆積する。

【0053】

例えば、Ａｌエッチング装置にプロセスガスとしてＳｉＣｌ４が使用された場合、低真空（７６０［ｔｏｒｒ］～１０－２［ｔｏｒｒ］）かつ、低温（約２０［℃］）のとき、固体生成物（例えばＡｌＣｌ３）が析出し、ターボ分子ポンプ１００Ａの内部に付着堆積することが蒸気圧曲線からわかる。これにより、ターボ分子ポンプ１００Ａの内部にプロセスガスの析出物が堆積すると、この堆積物がポンプ流路を狭め、ターボ分子ポンプ１００Ａの性能を低下させる原因となる。そして、前述した生成物は、排気口付近やネジ付スペーサ１３１付近の圧力が高い部分で凝固、付着し易い状況にあった。

【0054】

そのため、この問題を解決するために、従来はベース部１２９等の外周に図示しないヒータや環状の水冷管１４９を巻着させ、かつ例えばベース部１２９に図示しない温度センサ（例えばサーミスタ）を埋め込み、この温度センサの信号に基づいてベース部１２９の温度を一定の高い温度（設定温度）に保つようにヒータの加熱や水冷管１４９による冷却の制御（以下ＴＭＳという。ＴＭＳ；Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ）が行われている。

【0055】

次に、このように構成されるターボ分子ポンプ１００Ａに関して、その上側径方向電磁石１０４、下側径方向電磁石１０５及び軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂを励磁制御するアンプ回路１５０について説明する。このアンプ回路１５０の回路図を図３に示す。

【0056】

図３において、上側径方向電磁石１０４等を構成する電磁石巻線１５１は、その一端がトランジスタ１６１を介して電源１７１の正極１７１ａに接続されており、また、その他端が電流検出回路１８１及びトランジスタ１６２を介して電源１７１の負極１７１ｂに接続されている。そして、トランジスタ１６１、１６２は、いわゆるパワーＭＯＳＦＥＴとなっており、そのソース－ドレイン間にダイオードが接続された構造を有している。

【0057】

このとき、トランジスタ１６１は、そのダイオードのカソード端子１６１ａが正極１７１ａに接続されるとともに、アノード端子１６１ｂが電磁石巻線１５１の一端と接続されるようになっている。また、トランジスタ１６２は、そのダイオードのカソード端子１６２ａが電流検出回路１８１に接続されるとともに、アノード端子１６２ｂが負極１７１ｂと接続されるようになっている。

【0058】

一方、電流回生用のダイオード１６５は、そのカソード端子１６５ａが電磁石巻線１５１の一端に接続されるとともに、そのアノード端子１６５ｂが負極１７１ｂに接続されるようになっている。また、これと同様に、電流回生用のダイオード１６６は、そのカソード端子１６６ａが正極１７１ａに接続されるとともに、そのアノード端子１６６ｂが電流検出回路１８１を介して電磁石巻線１５１の他端に接続されるようになっている。そして、電流検出回路１８１は、例えばホールセンサ式電流センサや電気抵抗素子で構成されている。

【0059】

以上のように構成されるアンプ回路１５０は、一つの電磁石に対応されるものである。そのため、磁気軸受が５軸制御で、電磁石１０４、１０５、１０６Ａ、１０６Ｂが合計１０個ある場合には、電磁石のそれぞれについて同様のアンプ回路１５０が構成され、電源１７１に対して１０個のアンプ回路１５０が並列に接続されるようになっている。

【0060】

さらに、アンプ制御回路１９１は、例えば、制御装置２００の図示しないディジタル・シグナル・プロセッサ部（以下、ＤＳＰ部という）によって構成され、このアンプ制御回路１９１は、トランジスタ１６１、１６２のｏｎ／ｏｆｆを切り替えるようになっている。

【0061】

アンプ制御回路１９１は、電流検出回路１８１が検出した電流値（この電流値を反映した信号を電流検出信号１９１ｃという）と所定の電流指令値とを比較するようになっている。そして、この比較結果に基づき、ＰＷＭ制御による１周期である制御サイクルＴｓ内に発生させるパルス幅の大きさ（パルス幅時間Ｔｐ１、Ｔｐ２）を決めるようになっている。その結果、このパルス幅を有するゲート駆動信号１９１ａ、１９１ｂを、アンプ制御回路１９１からトランジスタ１６１、１６２のゲート端子に出力するようになっている。

【0062】

なお、回転体１０３の回転速度の加速運転中に共振点を通過する際や定速運転中に外乱が発生した際等に、高速かつ強い力での回転体１０３の位置制御をする必要がある。そのため、電磁石巻線１５１に流れる電流の急激な増加（あるいは減少）ができるように、電源１７１としては、例えば５０Ｖ程度の高電圧が使用されるようになっている。また、電源１７１の正極１７１ａと負極１７１ｂとの間には、電源１７１の安定化のために、通常コンデンサが接続されている（図示略）。

【0063】

かかる構成において、トランジスタ１６１、１６２の両方をｏｎにすると、電磁石巻線１５１に流れる電流（以下、電磁石電流ｉＬという）が増加し、両方をｏｆｆにすると、電磁石電流ｉＬが減少する。

【0064】

また、トランジスタ１６１、１６２の一方をｏｎにし他方をｏｆｆにすると、いわゆるフライホイール電流が保持される。そして、このようにアンプ回路１５０にフライホイール電流を流すことで、アンプ回路１５０におけるヒステリシス損を減少させ、回路全体としての消費電力を低く抑えることができる。また、このようにトランジスタ１６１、１６２を制御することにより、ターボ分子ポンプ１００Ａに生じる高調波等の高周波ノイズを低減することができる。さらに、このフライホイール電流を電流検出回路１８１で測定することで電磁石巻線１５１を流れる電磁石電流ｉＬが検出可能となる。

【0065】

すなわち、検出した電流値が電流指令値より小さい場合には、図４に示すように制御サイクルＴｓ（例えば１００μｓ）中で１回だけ、パルス幅時間Ｔｐ１に相当する時間分だけトランジスタ１６１、１６２の両方をｏｎにする。そのため、この期間中の電磁石電流ｉＬは、正極１７１ａから負極１７１ｂへ、トランジスタ１６１、１６２を介して流し得る電流値ｉＬｍａｘ（図示せず）に向かって増加する。

【0066】

一方、検出した電流値が電流指令値より大きい場合には、図５に示すように制御サイクルＴｓ中で１回だけパルス幅時間Ｔｐ２に相当する時間分だけトランジスタ１６１、１６２の両方をｏｆｆにする。そのため、この期間中の電磁石電流ｉＬは、負極１７１ｂから正極１７１ａへ、ダイオード１６５、１６６を介して回生し得る電流値ｉＬｍｉｎ（図示せず）に向かって減少する。

【0067】

そして、いずれの場合にも、パルス幅時間Ｔｐ１、Ｔｐ２の経過後は、トランジスタ１６１、１６２のどちらか１個をｏｎにする。そのため、この期間中は、アンプ回路１５０にフライホイール電流が保持される。

【0068】

ところで、上述したターボ分子ポンプ１００Ａにあっては、外筒１２７とベース部１２９とを有して概略円筒状に形成されているハウジング１１０Ａの吸気口１０１から吸引したガスによっては、ハウジング１１０Ａの内部で圧縮する過程で気体から固体に相変化を起こし、ハウジング１１０Ａの内部で固化する場合がある。その結果、ハウジング１１０Ａの内部に固化物（以下、これを「反応生成物」という）が堆積し、ガス流路が閉塞するという不具合が生じる場合がある。

【0069】

また、この第１の実施例のターボ分子ポンプ１００Ａでは、ハウジング１１０Ａの上流側にターボ分子ポンプ機構部３０１を構成し、下流側にネジ溝ポンプ機構部３０２を構成している排気機構１３２を有している。そして、ターボ分子ポンプ機構部３０１には、軸方向に多段状に配列された複数の回転翼１０２を有する回転体１０３と複数の回転翼１０２間に配設された複数の固定翼１２３を設けている。一方、ネジ溝ポンプ機構部３０２には、回転体１０３と一体に回転する回転円筒としての円筒部１０２ｍと、固定円筒としてのネジ付スペーサ１３１と、回転する円筒部１０２ｍの外周面と対向する対向面であるネジ付スペーサ１３１の内周面にネジ溝１３１ａを設けて、いわゆるホルベック型ポンプ機構として構成している。また、ハウジング１１０Ａの上流側と下流側との略中間部分、すなわちターボ分子ポンプ機構部３０１とホルベック型ポンプ機構として構成しているネジ溝ポンプ機構部３０２の境界付近にハウジング１１０Ａ内に貫通している中間ポート１１２を設けているとともに、排気機構１３２の排気側出口近傍である排気口１３３の近傍に、ハウジング１１０Ａ内に貫通してラジカル供給口１３４Ａを設けている。そして、ラジカル供給口１３４Ａにラジカル供給手段１３５を接続し、そのラジカル供給手段１３５からラジカル供給口１３４Ａを通してハウジング１１０Ａ内にラジカル１３６を供給し、その供給したラジカル１３６を排気機構１３２の反応生成物が堆積している箇所に流すし、そのラジカル１３６で排気機構１３２等に堆積している反応生成物を活性化して除去するようにしている。ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給は、制御装置２００により制御されて適正量供給される。また、ラジカル供給手段１３５とラジカル供給口１３４Ａとの間には、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給をオン・オフ制御する開閉弁１４０Ａが設けられている。開閉弁１４０Ａの開閉は、制御装置２００により制御される。

【0070】

また、ハウジング１１０Ａにおける吸気口１０１と排気口１３３との間には、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８をハウジング１１０Ａ内に供給するパージガス供給口１３９を設けている。パージガス供給口１３９は、中間ポート１１２よりも上流側（ターボ分子ポンプ機構部３０１側）で、かつ吸気口１０１よりも下流側に設けられている。パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給は、制御装置２００により制御されて適正量供給される。

【0071】

なお、ラジカル１３６は、ハウジング１１０Ａの内部に堆積している固化物を除去可能な、例えば三フッ化窒素（ＮＦ３）等の原料ガスに高電圧を印加して生成したフッ素ラジカルなどである。一方、パージガス１３８は、ラジカル供給口１３４Ａからハウジング１１０Ａ内に供給されたラジカル１３６が、ハウジング１１０Ａ内で吸気口１０１側に向かって所定の位置まで流れたら、それ以上は吸気口１０１側に向かって流れないように、ラジカル１３６を下流側に向かって押し流す役割をする不活性ガスであり、例えば窒素ガス（Ｎ２）である。

【0072】

また、中間ポート１１２と排気口１３３は、それぞれ排気切換弁２０２Ａ又は排気切換弁２０２Ｂを介して、吸引・排気手段２０１と接続されている。吸引・排気手段２０１は、中間ポート１１２及び排気口１３３を通して、ハウジング１１０Ａ内のラジカル１３６及びパージガス１３８を、ハウジング１１０Ａの外側へ強制的に吸引・排出する吸引ポンプを有している。中間ポート１１２と吸引・排気手段２０１との間に介装されている排気切換弁２０２Ａと、排気口１３３と吸引・排気手段２０１との間に介装されている排気切換弁２０２Ｂは、それぞれ制御装置２００により開閉制御される開閉弁である。ここでの排気切換弁２０２Ａと排気切換弁２０２Ｂは、ラジカル１３６及びパージガス１３８を用いてハウジング１１０Ａの内部に堆積している反応生成物を除去するためのクリーニングを行うときには、制御装置２００により択一的に開閉制御され、その切り換え操作により、後述するようにしてラジカル１３６及びパージガス１３８の排出経路を切り換えて、ハウジング１１０Ａ内の排気機構１３２のクリーニングと、排気機構１３２の出口から排気口１３３までの排気経路のクリーニングを効果的に行うことができる。

【0073】

次に、ハウジング１１０Ａの内部に堆積している反応生成物を除去するためのクリーニング動作を説明する。ハウジング１１０Ａの内部に堆積している反応生成物を除去するクリーニングを行う場合は、吸気口１０１からの送り込まれるプロセスガスは停止される。そして、このクリーニングでは、ハウジング１１０Ａ内の反応生成物をより効果的に除去するために、ハウジング１１０Ａ内における排気機構１３２のクリーニングと、排気機構１３２の出口から排気口１３３までの排気経路のクリーニングの、２回のクリーニングに分けて行う。

【0074】

まず、ハウジング１１０Ａ内の排気機構１３２の上流側におけるクリーニングを行う場合は、制御装置２００の制御により、排気切換弁２０２Ａが開、排気切換弁２０２Ｂが閉に切り換えられ、中間ポート１１２が開、排気口１３３が閉となる。図１は、この状態を示している。その後、開閉弁１４０Ａが開かれ、ラジカル供給手段１３５からラジカル１３６がハウジング１１０Ａ内にラジカル供給口１３４Ａを通して供給されるとともに、パージガス供給手段１３７からパージガス１３８がハウジング１１０Ａ内にパージガス供給口１３９を通して供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ａ内に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が中間ポート１１２を通してハウジング１１０Ａの外側に吸引されて排出される。

【0075】

そして、ハウジング１１０Ａ内に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ａの内部を流れるとき、ハウジング１１０Ａの内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ａの外に排出されて処理される。なお、ハウジング１１０Ａ内の上流側（吸気口１０１側）のパージガス供給口１３９から供給されて中間ポート１１２からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ａの外に排出されて流されるパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ａ内を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて中間ポート１１２に誘導し、ラジカル１３６が、反応生成物と共にハウジング１１０Ａ内の規定の高さ箇所を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。すなわち、ラジカル１３６が分解した反応生成物がターボ分子ポンプ機構部３０１に流れ、ターボ分子ポンプ機構部３０１の上流側に堆積するのを阻止する。

【0076】

これにより、排気機構１３２に堆積している反応生成物をラジカル１３６で効果的に分解して、その分解したガスを中間ポート１１２からハウジング１１０Ａの外側に排出することができる。

【0077】

なお、この排気機構１３２のクリーニング操作時に、パージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ａ内に流されるパージガス１３８の量は約１，０００ｓｃｃｍ、ラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ａ内に流されるラジカル１３６の量は約５０ｓｃｃｍであり、ラジカル供給手段１３５での供給電力は約３００ワット（Ｗ）である。

【0078】

次に、ハウジング１１０Ａ内の排気機構１３２の出口から排気口１３３までの排気経路のクリーニングを行う場合は、制御装置２００の制御により、排気切換弁２０２Ａが閉、排気切換弁２０２Ｂが開に切り換えられ、中間ポート１１２が閉、排気口１３３が開となる。図２は、この状態を示している。その後、開閉弁１４０Ａが開かれ、ラジカル供給手段１３５から、ラジカル１３６がハウジング１１０Ａ内にラジカル供給口１３４Ａを通して供給されるとともに、パージガス供給手段１３７から、パージガス１３８がハウジング１１０Ａ内にパージガス供給口１３９を通して供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ａ内に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が排気口１３３を通してハウジング１１０Ａの外側に吸引されて排出される。なお、この下流側における排気機構１３２のクリーニング操作時に、パージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ａ内に流されるパージガス１３８の量は約５０ｓｃｃｍ、ラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ａ内に流されるラジカル１３６の量は約５０ｓｃｃｍで、供給電力は約３００ワット（Ｗ）である。

【0079】

そして、ハウジング１１０Ａ内に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ａの内部を流れるとき、ハウジング１１０Ａの内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ａの外側に排出されて処理される。また、排気機構１３２の下流側（ネジ溝ポンプ機構部３０２側）におけるクリーニングを行う場合も、ハウジング１１０Ａ内の上流側のパージガス供給口１３９からパージガス１３８が供給されて、排気口１３３からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ａの外側に流されて排出される。そのパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ａ内を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて排気口１３３に誘導し、ラジカル１３６が反応生成物や塵と共にハウジング１１０Ａ内の規定の高さ箇所を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。

【0080】

したがって、このように構成された第１実施例におけるターボ分子ポンプ１００Ａでは、ハウジング１１０Ａの内部に堆積している反応生成物を除去する際、吸気口１０１と排気口１３３との間に設けられているラジカル供給口１３４Ａからハウジング１１０Ａ内にラジカル１３６を供給するようにしているので、供給したラジカル１３６がハウジング１１０Ａ内のクリーニングを必要とする箇所全体に行き渡り、堆積している反応生成物を活性化させて効果的に除去することができる。特に、排気機構１３２におけるクリーニングと、排気機構１３２の出口から排気口１３３までの排気経路におけるクリーニングとに分けて、クリーニングを行うことにより、クリーニングを必要としない他の構成部品の表面にラジカル１３６ができるだけ触れずに、そしてラジカル１３６の活性を失わせることなく、短い経路で効果的にクリーニングを行うことができる。これにより、少ない数のラジカル発生装置（ラジカル供給手段１３５）であっても反応生成物を効果的に除去することができるので、ターボ分子ポンプ１００Ａの内部の洗浄システムにおける洗浄部品コストの低減と運用コストの低減を両立させることが可能になる。

【0081】

なお、第１実施例のターボ分子ポンプ１００Ａにおけるハウジング１１０Ａの内部のクリーニングにおいて、中間ポート１１２からパージガス１３８及びラジカル１３６を排出する場合、分解されたガスがハウジング１１０Ａの吸気口１０１まで確実に流れないようにするには、吸気口１０１の上部に開閉弁を設置し、洗浄中は開閉弁を閉じるとよい。

【0082】

また、クリーニング操作中、排気機構１３２を、例えば定格回転数の約半分である１３，５００ｒｐｍ程度の低速で回転をさせてもよい。排気機構１３２を低速回転させると、未反応のラジカル１３６を中間ポート１１２から排出されることが少なくなり、生成したラジカル１３６を有効に利用できる。また、排気機構１３２の回転数を徐々に下げながらクリーニングすると、排気口１３３付近から吸気口１０１まで効果的に洗浄することが可能になる。一方、排気機構１３２の回転数が高すぎると、未反応のラジカル１３６が上流側まで到達しにくくなる。したがって、ハウジング１１０Ａ内における上流側のクリーニング効果が低い場合は、排気機構の一部を構成している回転体１０３の回転数を少し下げるとよい。また、上流側のクリーニング効果を更にあげるためには、排気機構の一部を構成している回転体１０３を逆回転させてもよい。

【0083】

図６は、図１及び図２に示したターボ分子ポンプ１００Ａの一部を変形した第２実施例としてのターボ分子ポンプ１００Ｂを示すものである。図６に示す第２実施例のターボ分子ポンプ１００Ｂは、図１及び図２に示したターボ分子ポンプ１００Ａが、ハウジング１１０Ａの外側に、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給を開閉制御する開閉弁１４０Ａを設けていたのに対して、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給を受けるラジカル供給口１３４Ｂと、ラジカル供給口１３４Ｂの開閉を制御する開閉弁１４０Ｂを、それぞれハウジング１１０Ｂの内部に設けたものであり、他の構成及び作用効果は第１実施例のターボ分子ポンプ１００Ａと同じである。したがって、以下の説明では、図１及び図２に示した第１の実施例のターボ分子ポンプ１００Ａと同じ構成部材には同じ符号を付して説明を省略し、異なる構造の部分についてのみ説明する。なお、図６中に示すハウジング１１０Ｂは、図１及び図２中に示すハウジング１１０Ａに対応するものであり、またラジカル供給口１３４Ｂは、同じく図１及び図２中に示すラジカル供給口１３４Ａに対応するものである。

【0084】

図６に示す第２実施例のターボ分子ポンプ１００Ｂでは、ラジカル供給口１３４Ｂを、ハウジング１１０Ｂにおけるベース部１２９の内部に設けているとともに、ラジカル供給口１３４Ｂを開閉操作する開閉弁１４０Ｂもベース部１２９内に、開閉弁１４０Ｂの一部（弁体１４２）を突出させて設けている。開閉弁１４０Ｂは、例えば電磁操作弁である。そして、電磁操作により弁体１４２が開閉弁１４０Ｂから突き出されると、弁体１４２がラジカル供給口１３４Ｂを塞いで閉じ、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６がラジカル供給口１３４Ｂを通してハウジング１１０Ｂの内部に流れるのを阻止する。また、ハウジング１１０Ｂの内部を流れるプロセスガスが、ラジカル供給手段１３５の内部に流れるのも阻止する。反対に、電磁操作により弁体１４２がラジカル供給口１３４Ｂから離れる方向（開閉弁１４０Ｂの本体側）に引かれると、ラジカル供給口１３４Ｂが開き、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６がラジカル供給口１３４Ｂを通してハウジング１１０Ｂの内部に流れる設定になっている。

【0085】

次に、第２実施例のターボ分子ポンプ１００Ｂにおける、ハウジング１１０Ｂの内部に堆積している反応生成物を除去してクリーニングを行う場合の動作について説明する。この場合も、ハウジング１１０Ｂの内部に堆積している反応生成物を除去するクリーニングを行う場合は、吸気口１０１からの送り込まれるプロセスガスは停止される。そして、このクリーニングでも、ハウジング１１０Ｂ内の反応生成物をより効果的に除去するために、ハウジング１１０Ｂ内における排気機構１３２のクリーニングと、排気機構１３２の出口から排気口１３３までの排気経路のクリーニングの、２回のクリーニングに分けて行う。

【0086】

まず、ハウジング１１０Ｂ内の排気機構１３２におけるクリーニングを行う場合は、制御装置２００の制御により、排気切換弁２０２Ａが開、排気切換弁２０２Ｂが閉に切り換えられ、中間ポート１１２が開、排気口１３３が閉となる。その後、開閉弁１４０Ｂの弁体１４２が開かれ、ラジカル供給手段１３５から、ラジカル１３６がラジカル供給口１３４Ｂを通してハウジング１１０Ｂの内部に供給されるとともに、パージガス供給手段１３７からパージガス１３８がパージガス供給口１３９を通してハウジング１１０Ｂの内部に供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ｂの内部に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が、中間ポート１１２を通してハウジング１１０Ｂの外側に吸引されて排出される。

【0087】

そして、ハウジング１１０Ｂ内に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ｂの内部を流れるとき、ハウジング１１０Ｂの内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ｂの外側に排出されて処理される。なお、ハウジング１１０Ｂ内の上流側（吸気口１０１側）のパージガス供給口１３９から供給されて中間ポート１１２からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ｂの外に流されるパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ｂの内部を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて中間ポート１１２に誘導し、ラジカル１３６が反応生成物と共にハウジング１１０Ｂ内の規定の高さ位置を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。

【0088】

これにより、排気機構１３２に堆積している反応生成物をラジカル１３６で効果的に分解し、分解したガスを中間ポート１１２からハウジング１１０Ｂの外側に排出できる。

【0089】

なお、この排気機構１３２のクリーニングで、パージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ｂの内部に流されるパージガス１３８の量は約１，０００ｓｃｃｍ、ラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ｂの内部に流されるラジカル１３６の量は約５０ｓｃｃｍであり、ラジカル供給手段１３５での供給電力は約３００ワット（Ｗ）である。

【0090】

次に、ハウジング１１０Ｂ内の排気機構１３２の出口から排気口１３３までの排気経路のクリーニングを行う場合を説明する。下流側のクリーニングを行う場合は、制御装置２００の制御により、排気切換弁２０２Ａが閉、排気切換弁２０２Ｂが開に切り換えられ、中間ポート１１２が閉、排気口１３３が開となる。その後、開閉弁１４０Ｂが開かれ、ラジカル供給手段１３５から、ラジカル１３６がラジカル供給口１３４Ｂを通してハウジング１１０Ｂの内部に供給されるとともに、パージガス供給手段１３７から、パージガス１３８がパージガス供給口１３９を通してハウジング１１０Ｂの内部に供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ｂの内部に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が、排気口１３３を通してハウジング１１０Ｂの外側に吸引されて排出される。なお、排気機構１３２の出口から排気口１３３までの排気経路のクリーニング操作時に、パージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ｂ内に流されるパージガス１３８の量は約５０ｓｃｃｍ、ラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ｂ内に流されるラジカル１３６の量は約５０ｓｃｃｍで、供給電力は約３００ワット（Ｗ）である。

【0091】

そして、ハウジング１１０Ｂ内に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ｂの内部を流れるとき、ハウジング１１０Ｂの内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ｂの外側に排出されて処理される。また、排気機構１３２の下流側におけるクリーニングを行う場合も、ハウジング１１０Ｂ内の上流側のパージガス供給口１３９から供給されて排気口１３３からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ｂの外に流されるパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ｂの内部を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて排気口１３３に誘導し、ラジカル１３６が反応生成物と共にハウジング１１０Ｂ内の規定の高さ位置を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。

【0092】

したがって、このように構成された第２実施例のターボ分子ポンプ１００Ｂでは、ハウジング１１０Ｂの内部に堆積している反応生成物を除去する際、吸気口１０１と排気口１３３との間に設けられているラジカル供給口１３４Ｂからハウジング１１０Ｂの内部にラジカル１３６を供給するようにしているので、供給したラジカル１３６がハウジング１１０Ｂ内のクリーニングを必要する箇所全体に行き渡り、堆積している反応生成物を活性化させて効果的に除去できる。特に、排気機構１３２におけるクリーニングと、排気機構１３２の出口から排気口１３３までの排気経路におけるクリーニングとに分けてクリーニングを行うことにより、クリーニングを必要としない他の構成部品の表面にラジカル１３６ができるだけ触れずに、そしてラジカル１３６の活性を失わせることなく短い経路で効果的にクリーニングを行うことができる。これにより、少ない数のラジカル発生装置（ラジカル供給手段１３５）であっても反応生成物を効果的に除去することができ、ターボ分子ポンプ１００Ｂの内部の洗浄システムにおける洗浄部品コストの低減と運用コストの低減を両立させることが可能になる。

【0093】

図７は、図１及び図２に示したターボ分子ポンプ１００Ａの一部を変形した第３実施例としてのターボ分子ポンプ１００Ｃを示すものである。図７に示す第３実施例のターボ分子ポンプ１００Ｃは、図１及び図２に示したターボ分子ポンプ１００Ａが、吸気口１０１と排気口１３３との間にラジカル供給口１３４を設けていたのに対して、排気口１３３からラジカル１３６を供給するようにしたものであり、他の構成及び作用効果は第１実施例のターボ分子ポンプ１００Ａと同じである。したがって、以下の説明では、図１及び図２に示した第１の実施例のターボ分子ポンプ１００Ａと同じ構成部材には同じ符号付して説明を省略し、異なる構造の部分についてのみ説明する。なお、図７中に示すハウジング１１０Ｃは、図１及び図２中に示すハウジング１１０Ａに対応するものであり、またラジカル供給口１３４Ｃは、同じく図１及び図２中に示すラジカル供給口１３４Ａに対応するものである。

【0094】

図７に示す第３実施例のターボ分子ポンプ１００Ｃでは、中間ポート１１２を、排気機構１３２の軸方向における略中間部分に対応して設けている。より具体的に説明すると、図７に示すように、中間ポート１１２を、排気機構１３２における軸方向に多段状に配列された複数の回転翼１０２と複数の回転翼１０２間に配設された複数の固定翼１２３とを有する上流部分（ターボ分子ポンプ機構部３０１）と、円筒部１０２ｍと円筒部１０２ｍの外周面と対向するネジ付スペーサ１３１の内周面にネジ溝１３１ａ有する下流部分（ネジ溝ポンプ機構部３０２）と、の間にほぼ対応させて設けている。

【0095】

また、ターボ分子ポンプ１００Ｂの中間ポート１１２には、開閉弁２０２Ｃを介して吸引・排気手段２０１が接続されている。吸引・排気手段２０１は、クリーニングを行う際、中間ポート１１２を通して、ハウジング１１０Ｃ内のラジカル１３６及びパージガス１３８をハウジング１１０Ｃの外側へ強制的に吸引・排出する吸引ポンプを有している。ここでの開閉弁２０２Ｃは、制御装置２００により開閉制御される弁である。そして、開閉弁２０２Ｃは、ラジカル１３６及びパージガス１３８を用いてハウジング１１０Ｃ内に堆積している反応生成物を除去するクリーニングを行う際には、制御装置２００により開に制御され、中間ポート１１２を吸引・排気手段２０１に接続し、ハウジング１１０Ｃ内のガスをハウジング１１０Ｃの外に吸引・排出して、ハウジング１１０Ｃの内部における排気機構１３２等のクリーニングが効果的に行えるようにしている。

【0096】

次に、ハウジング１１０Ｃの内部に堆積している反応生成物を除去するクリーニングを行う場合の動作を説明する。ハウジング１１０Ｃ内の排気機構１３２等のクリーニングを行う場合は、制御装置２００の制御により、開閉弁２０２Ｃが閉から開に切り換えられる。その後、三方弁１４０Cが切り換えられ、ラジカル供給手段１３５からラジカル１３６が、排気口１３３を通してハウジング１１０Ｃ内に供給されるとともに、パージガス供給手段１３７からパージガス１３８が、パージガス供給口１３９を通してハウジング１１０Ｃ内に供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ｃ内に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が、中間ポート１１２を通してハウジング１１０Ｃの外側に排出される。

【0097】

そして、ハウジング１１０Ｃ内に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ｃの内部を流れるとき、ハウジング１１０Ｃの内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ｃの外側に排出されて処理される。なお、ハウジング１１０Ｃ内の上流側（吸気口１０１側）のパージガス供給口１３９から供給されて中間ポート１１２からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ｃの外に流されるパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ｃの内部を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて中間ポート１１２に誘導し、ラジカル１３６が反応生成物と共にハウジング１１０Ａ内の規定の高さ位置を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。したがって、第３実施例の構造では、パージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ｃ内に流されるパージガス１３８の量とラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ｃ内に流されるラジカル１３６の量とのバランスを取りながら調整して、ラジカル１３６が反応生成物と共にハウジング１１０Ｃの上流側に向かう流れを制御する。そして、このパージガス１３８とラジカル１３６との高さ位置の調整でハウジング１１０Ｃ内のクリーニング範囲を設定し、その設定範囲以内でのクリーニングを行う。

【0098】

図８は、図１及び図２に示したターボ分子ポンプ１００Ａの一部を変形した第４実施例としてのターボ分子ポンプ１００Ｄを示すものである。図８示す第４実施例のターボ分子ポンプ１００Ｄは、図１及び図２に示したターボ分子ポンプ１００Ａが、ラジカル供給口１３４Ａの位置を、排気機構１３２の軸方向において排気口１３３と略同じ高さ位置に設けていたのに対して、ラジカル供給口１３４Ｄの位置を、排気口１３３よりも上方で、かつ、排気機構１３２における円筒部１０２ｍと円筒部１０２ｍの外周面と対向するネジ付スペーサ１３１の内周面にネジ溝１３１ａを有する下流部分（ネジ溝ポンプ機構部３０２）とほぼ対応している位置に設けたもので、他の構成及び作用効果は第１実施例のターボ分子ポンプ１００Ａと同じである。したがって、以下の説明では、図１及び図２に示した第１の実施例のターボ分子ポンプ１００Ａと同じ構成部材には同じ符号付して説明を省略し、異なる構造の部分についてのみ説明する。なお、図８中に示すハウジング１１０Ｄは、図１及び図２中に示すハウジング１１０Ａに対応するものであり、またラジカル供給口１３４Ｄは、同じく図１及び図２中に示すラジカル供給口１３４Ａに対応するものである。

【0099】

図８に示す第４実施例のターボ分子ポンプ１００Ｄにおけるラジカル供給口１３４Ｄは、排気口１３３よりも上方で、かつ排気機構１３２における円筒部１０２ｍと円筒部１０２ｍの外周面と対向するネジ付スペーサ１３１の内周面にネジ溝１３１ａを有する下流部分（ネジ溝ポンプ機構部３０２）とほぼ対応する位置で、かつネジ付スペーサ１３１の外周面に、ハウジング１１０Ｄ及びネジ付スペーサ１３１を貫通した状態にして設けている。

【0100】

この第４実施例のターボ分子ポンプ１００Ｄにおける、ハウジング１１０Ｄの内部に堆積している反応生成物を除去してクリーニングを行う場合の動作について次に説明する。この場合も、ハウジング１１０Ｄの内部に堆積している反応生成物を除去するクリーニングを行う場合は、吸気口１０１からの送り込まれるプロセスガスは停止される。

【0101】

そして、第４実施例のターボ分子ポンプ１００Ｄにおいて、ラジカル供給口１３４Ｄより上流側をクリーニングする場合は、制御装置２００の制御により、排気切換弁２０２Ａが開、排気切換弁２０２Ｂが閉に切り換えられ、中間ポート１１２が開、排気口１３３が閉となる。その後、開閉弁１４０Ａが開かれ、ラジカル供給手段１３５からラジカル１３６が、ラジカル供給口１３４Ｄを通してハウジング１１０Ｄ内に供給されるとともに、パージガス供給手段１３７からパージガス１３８が、パージガス供給口１３９を通してハウジング１１０Ｄ内に供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ｄ内に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が中間ポート１１２を通してハウジング１１０Ｄの外側に吸引されて排出される。

【0102】

そして、ハウジング１１０Ｄ内に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ｄの内部を流れるとき、排気機構１３２の内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ｄ外に排出されて処理される。なお、ハウジング１１０Ｄ内の上流側（吸気口１０１側）のパージガス供給口１３９から供給されて中間ポート１１２からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ｄの外に流されるパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ｄ内を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて中間ポート１１２に誘導し、ラジカル１３６が反応生成物と共にハウジング１１０Ｄ内の規定の高さ位置を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。

【0103】

これにより、ハウジング１１０Ｄの下流側（排気口１３３）から中間ポート１１２を超えた上流側の所定の高さ位置まで、広い範囲に渡って堆積している反応生成物をラジカル１３６で効果的に分解して、分解したガスを中間ポート１１２からハウジング１１０Ｄの外側に排出することができる。

【0104】

なお、この上流側における排気機構１３２のクリーニングでパージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ｄの内部に流されるパージガス１３８の量は約１，０００ｓｃｃｍ、ラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ａ内に流されるラジカル１３６の量は約５０ｓｃｃｍであり、ラジカル供給手段１３５での供給電力は約３００ワット（Ｗ）である。

【0105】

次に、ラジカル供給口１３４Ｄより下流側の範囲を、集中的にクリーニングを行う場合は、制御装置２００の制御により、排気切換弁２０２Ａが閉、排気切換弁２０２Ｂが開に切り換えられ、中間ポート１１２が閉、排気口１３３が開となる。その後、開閉弁１４０Ａが開かれ、ラジカル供給手段１３５からラジカル１３６が、ラジカル供給口１３４Ｄを通してハウジング１１０Ｄの内部に供給されるとともに、パージガス供給手段１３７からパージガス１３８が、パージガス供給口１３９を通してハウジング１１０Ｄ内に供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ｄの内部に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が排気口１３３を通してハウジング１１０Ｄの外側に吸引されて排出される。なお、この下流側における排気機構１３２のクリーニングでパージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ｄの内部に流されるパージガス１３８の量は約５０ｓｃｃｍ、ラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ｂ内に流されるラジカル１３６の量は約５０ｓｃｃｍで、供給電力は約３００ワット（Ｗ）である。

【0106】

そして、ハウジング１１０Ｄの内部に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ｄの内部を流れるとき、ハウジング１１０Ｄの内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ｄの外側に排出されて処理される。また、排気機構１３２の下流側（ネジ溝ポンプ機構部３０２）におけるクリーニングを行う場合も、ハウジング１１０Ｄ内の上流側のパージガス供給口１３９から供給されて排気口１３３からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ｄの外側に流されるパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ｄ内を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて排気口１３３に誘導し、ラジカル１３６が反応生成物と共にハウジング１１０Ｂ内の規定の高さ位置を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。

【0107】

したがって、このように構成された第４実施例におけるターボ分子ポンプ１００Ｄでは、ハウジング１１０Ｄ内に堆積している反応生成物を除去する際、吸気口１０１と排気口１３３との間に設けられているラジカル供給口１３４Ｄからハウジング１１０Ｄ内にラジカル１３６を供給するようにしているので、供給したラジカル１３６がハウジング１１０Ｄ内のクリーニングを必要とする箇所全体に行き渡り、堆積している反応生成物を活性化させて効果的に除去することができる。特に、ラジカル供給口１３４Ｄより上流側におけるクリーニングと、ラジカル供給口１３４Ｄより下流側におけるクリーニングとに分けて行うことにより、短い経路でクリーニングを必要としない他の構成部品の表面にラジカル１３６ができるだけ触れずに、ラジカル１３６の活性を失わせることなくクリーニングを行うことができる。これにより、少ない数のラジカル発生装置（ラジカル供給手段１３５）であっても反応生成物を効果的に除去することができので、ターボ分子ポンプ１００Ｄの内部の洗浄システムにおける洗浄部品コストの低減と運用コストの低減の両方を抑えることが可能になる。

【0108】

図９は、図１及び図２に示したターボ分子ポンプ１００Ａの一部を変形した第５実施例としてのターボ分子ポンプ１００Ｅを示すものである。図９に示す第５実施例のターボ分子ポンプ１００Ｅは、図１及び図２、図６、図７、図８にそれぞれ示したターボ分子ポンプ１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄのネジ溝ポンプ機構部３０２の構成がいずれもホルベック型ポンプ機構であったのに対して、シグバーン型ポンプ機構とした場合であり、他の構成及び作用効果は第１実施例のターボ分子ポンプ１００Ａと同じである。したがって、以下の説明では、図１及び図２に示した第１の実施例のターボ分子ポンプ１００Ａと同じ構成部材には同じ符号付して説明を省略し、異なる構造の部分についてのみ説明する。なお、図９中に示すハウジング１１０Ｅは、図１及び図２中に示すハウジング１１０Ａに対応するものであり、またラジカル供給口１３４Ｅは、同じく図１及び図２中に示すラジカル供給口１３４Ａに対応するものである。

【0109】

ネジ溝ポンプ機構部３０２をシグバーン型ポンプ機構として構成している図９に示すターボ分子ポンプ１００Ｅにおけるネジ溝ポンプ機構部３０２は、軸方向で互いに対向する回転円板３０２Ａと固定円板３０２Ｂとを有している。そして、回転円板３０２Ａと対向する固定円板３０２Ｂの両面に、それぞれ渦巻き状山部３０２Ｄと渦巻き状谷部３０２Ｅを設けてなる渦状溝としての、ネジ溝３０２Ｆが形成されている構造になっている。

【0110】

また、図９に示すターボ分子ポンプ１００Ｅでの中間ポート１１２は、ターボ分子ポンプ機構部３０１とジグバーン型ポンプ機構として構成しているネジ溝ポンプ機構部３０２の境界付近に、ハウジング１１０Ａ内に貫通した状態にして設けている。一方、ターボ分子ポンプ１００Ｅでのラジカル供給口１３４Ｅは、排気口１３３よりも上方で、かつ、排気機構１３２における下流部分の下側（回転円板３０２Ａの下面）とほぼ対応する位置であり、ハウジング１１０Ｅを貫通した状態にして設けている。

【0111】

この第５実施例のターボ分子ポンプ１００Ｅにおける、ハウジング１１０Ｅの内部に堆積している反応生成物を除去してクリーニングを行う場合の動作について次に説明する。この場合も、ハウジング１１０Ｅの内部に堆積している反応生成物を除去するクリーニング作業を行う場合は、吸気口１０１から送り込まれるプロセスガスは停止される。

【0112】

そして、第５実施例のターボ分子ポンプ１００Ｅにおいて、ハウジング１１０Ｅ内の下流側から上流側の範囲に渡ってクリーニングをする場合は、制御装置２００の制御により、排気切換弁２０２Ａが開、排気切換弁２０２Ｂが閉に切り換えられ、中間ポート１１２が開、排気口１３３が閉となる。その後、開閉弁１４０Ａが開かれ、ラジカル供給手段１３５からラジカル１３６が、ラジカル供給口１３４Ｅを通してハウジング１１０Ｅ内に供給されるとともに、パージガス供給手段１３７からパージガス１３８が、パージガス供給口１３９を通してハウジング１１０Ｅ内に供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ｅ内に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が、中間ポート１１２を通してハウジング１１０Ｅの外側に吸引されて排出される。

【0113】

そして、ハウジング１１０Ｅ内に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ｅの内部を流れるとき、ハウジング１１０Ｅの内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ｅ外に排出されて処理される。なお、ハウジング１１０Ｅ内の上流側（吸気口１０１側）のパージガス供給口１３９から供給されて中間ポート１１２からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ｅの外側に流されるパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ｂ内を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて中間ポート１１２に誘導し、ラジカル１３６が反応生成物と共にハウジング１１０Ｅ内の規定の高さ位置を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。

【0114】

これにより、ハウジング１１０Ｅの下流側（排気口１３３）から中間ポート１１２を超えた上流側の所定の高さ位置まで、広い範囲に渡って堆積している反応生成物をラジカル１３６で効果的に分解して、分解したガスを中間ポート１１２からハウジング１１０Ｅの外に排出することができる。

【0115】

なお、この上流側における排気機構１３２のクリーニングでパージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ｅの内部に流されるパージガス１３８の量は約１，０００ｓｃｃｍ、ラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ｅ内に流される、ラジカル１３６の量は約５０ｓｃｃｍであり、ラジカル供給手段１３５での供給電力は約３００ワット（Ｗ）である。

【0116】

次に、ハウジング１１０Ｅ内の排気機構１３２の下流側の範囲（本例では、シグバーン型ポンプ機構の部分）だけを集中的にクリーニングを行う場合は、制御装置２００の制御により、排気切換弁２０２Ａが閉、排気切換弁２０２Ｂが開に切り換えられ、中間ポート１１２が閉、排気口１３３が開となる。その後、開閉弁１４０Ａが開かれ、ラジカル供給手段１３５からラジカル１３６が、ラジカル供給口１３４Ｅを通してハウジング１１０Ｅ内に供給されるとともに、パージガス供給手段１３７からパージガス１３８が、パージガス供給口１３９を通してハウジング１１０Ｄ内に供給される。また、ラジカル供給手段１３５からのラジカル１３６の供給と、パージガス供給手段１３７からのパージガス１３８の供給に合わせて吸引・排気手段２０１が駆動され、ハウジング１１０Ｅ内に供給されたラジカル１３６及びパージガス１３８が排気口１３３を通してハウジング１１０Ｅの外側に吸引されて排出される。なお、この下流側における排気機構１３２のクリーニングでパージガス供給手段１３７からハウジング１１０Ｅ内に流されるパージガス１３８の量は約５０ｓｃｃｍ、ラジカル供給手段１３５からハウジング１１０Ｅ内に流されるラジカル１３６の量は約５０ｓｃｃｍで、供給電力は約３００ワット（Ｗ）である。

【0117】

そして、ハウジング１１０Ｅ内に供給されたラジカル１３６は、ハウジング１１０Ｅの内部を流れるとき、ハウジング１１０Ｅの内部に堆積している反応生成物を活性化して分解・除去し、反応生成物及びパージガス１３８と共にハウジング１１０Ｅの外側に排出されて処理される。また、排気機構１３２の下流側（本例では、シグバーン型ポンプ機構の部分）におけるクリーニングを行う場合も、ハウジング１１０Ｅの上流側のパージガス供給口１３９から供給されて排気口１３３からラジカル１３６と共にハウジング１１０Ｅの外側に流されて排出されるパージガス１３８は、ラジカル１３６がハウジング１１０Ｅの内部を流れるとき、ラジカル１３６をパージガス１３８の流れに乗せて排気口１３３に誘導し、ラジカル１３６が反応生成物と共にハウジング１１０Ｅ内の規定の高さ位置を超えて吸気口１０１側に流れるのを阻止する。

【0118】

したがって、このように構成された第５実施例によるターボ分子ポンプ１００Ｅでは、ハウジング１１０Ｅ内に堆積している反応生成物を除去する際、吸気口１０１と排気口１３３との間に設けられているラジカル供給口１３４Ｅからハウジング１１０Ｅ内にラジカル１３６を供給するようにしているので、供給したラジカル１３６がハウジング１１０Ｅ内のクリーニングを必要とする箇所全体に行き渡り、堆積している反応生成物を活性化させて効果的に除去することができる。特に、排気機構１３２の上流側におけるクリーニングと下流側におけるクリーニングとに分けて行うことにより、短い経路でクリーニングを必要としない他の構成部品の表面にラジカル１３６ができるだけ触れずに、ラジカル１３６の活性を失わせることなくクリーニングを行うことができる。これにより、少ない数のラジカル発生装置（ラジカル供給手段１３５）であっても反応生成物を効果的に除去することができ、ターボ分子ポンプ１００Ｅの内部を洗浄するシステムにおける洗浄部品コストの低減と運用コストの低減の両方を抑えることが可能になる。

【0119】

なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変や組み合わせを成すことができ、そして、本発明が該改変や該組み合わせされたものに及ぶことは当然である。
また、各実施例では、ラジカル供給手段１３５をターボ分子ポンプ１００A～１００Ｅの外側に設置する構造を用いて説明したが、ラジカル発生装置をハウジング１１０A～１００Ｅに内蔵するように設置してもよい。

【符号の説明】

【0120】

１００Ａ ：ターボ分子ポンプ
１００Ｂ ：ターボ分子ポンプ
１００Ｃ ：ターボ分子ポンプ
１００Ｄ ：ターボ分子ポンプ
１００Ｅ ：ターボ分子ポンプ
１０１ ：吸気口
１０２ ：回転翼
１０２ｍ ：円筒部
１０３ ：回転体（排気機構）
１１０Ａ ：ハウジング
１１０Ｂ ：ハウジング
１１０Ｃ ：ハウジング
１１０Ｄ ：ハウジング
１１０Ｅ ：ハウジング
１１２ ：中間ポート
１１３ ：ロータ軸
１２３ ：固定翼
１２３ａ ：固定翼
１２３ｂ ：固定翼
１２３ｃ ：固定翼
１２５ ：固定翼スペーサ
１２７ ：外筒
１２９ ：ベース部
１３１ ：ネジ付スペーサ
１３１ａ ：ネジ溝
１３２ ：排気機構
１３３ ：排気口
１３４Ａ ：ラジカル供給口
１３４Ｂ ：ラジカル供給口
１３４Ｃ ：ラジカル供給口
１３４Ｄ ：ラジカル供給口
１３４Ｅ ：ラジカル供給口
１３５ ：ラジカル供給手段
１３６ ：ラジカル
１３７ ：パージガス供給手段
１３８ ：パージガス
１３９ ：パージガス供給口
１４０Ａ ：開閉弁
１４０Ｂ ：開閉弁
１４０Ｃ ：三方弁
２００ ：制御装置
２０１ ：吸引・排気手段
２０２Ａ ：排気切換弁
２０２Ｂ ：排気切換弁
２０２Ｃ ：開閉弁
３０１ ：ターボ分子ポンプ機構部
３０２ ：ネジ溝ポンプ機構部
３０２Ａ ：回転円板
３０２Ｂ ：固定円板
３０２Ｄ ：渦巻き状山部
３０２Ｅ ：渦巻き状谷部
３０２Ｆ ：ネジ溝

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】