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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-30
(45)【発行日】2024-09-09
(54)【発明の名称】表示パネル及びその製造方法、表示装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240902BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240902BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240902BHJP
H10K 50/84 20230101ALI20240902BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240902BHJP
H10K 59/123 20230101ALI20240902BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240902BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240902BHJP
H10K 71/00 20230101ALI20240902BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 338
G09F9/00 338
G09F9/30 308Z
G09F9/30 309
G09F9/30 365
H10K50/10
H10K50/84
H10K59/122
H10K59/123
H10K59/124
H10K59/131
H10K71/00
【請求項の数】
23
(21)【出願番号】P 2021564336
(86)(22)【出願日】2020-05-29
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-08-23
(86)【国際出願番号】 CN2020093514
(87)【国際公開番号】W WO2021237734
(87)【国際公開日】2021-12-02
【審査請求日】2023-05-24
(73)【特許権者】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(73)【特許権者】
【識別番号】511121702
【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】黄 ▲ウェイ▼▲ユン▼
(72)【発明者】
【氏名】程 羽雕
(72)【発明者】
【氏名】▲顧▼ 品超
【審査官】新井 重雄
(56)【参考文献】
【文献】中国特許出願公開第１１０１６４９４５（ＣＮ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１１０６４９１７７（ＣＮ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１４８８５６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１１０２６５５８３（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２０２０－０６１３５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１０２５０２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１９－００２３８５５（ＫＲ，Ａ）
【文献】中国実用新案第２１０５３５６９６（ＣＮ，Ｕ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／００
Ｈ１０Ｋ ５０／１０
Ｈ１０Ｋ ５０／８４
Ｈ１０Ｋ ５９／１２２
Ｈ１０Ｋ ５９／１２３
Ｈ１０Ｋ ５９／１２４
Ｈ１０Ｋ ５９／１３１
Ｈ１０Ｋ ７１／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域と、開口領域と、前記表示領域と前記開口領域との間に位置し、少なくとも一部が前記開口領域を囲むように設けられる隔離領域と、を含む表示パネルであって、前記表示パネルは、
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成され且つ前記表示領域に位置する薄膜トランジスタ及び蓄積キャパシタを含む駆動回路層と、
前記ベース基板上に形成され且つ前記隔離領域に位置する第１隔離柱と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ベース基板から離れる前記ゲート電極の一側に形成される第１ゲート絶縁層と、
前記ベース基板から離れる前記第１ゲート絶縁層の一側に形成される層間誘電体層と、
前記ベース基板から離れる前記層間誘電体層の一側に形成されるソース・ドレイン電極と、を含み、
前記蓄積キャパシタは、
前記ゲート電極と同一の層に設けられる第１電極板と、
前記第１ゲート絶縁層と前記層間誘電体層との間に位置する第２電極板と、を含み、
前記第１隔離柱は、前記開口領域を囲んで設けられ、
前記第１隔離柱は、
第１金属層と、
前記ベース基板から離れる前記第１金属層の一側に形成される第１絶縁層と、
前記ベース基板から離れる前記第１絶縁層の一側に形成される第２絶縁層と、
前記ベース基板から離れる前記第２絶縁層の一側に形成される第２金属層と、を含み、
前記第１金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、
前記第１絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられ、
前記第２絶縁層は、前記層間誘電体層と同一の層に設けられ、
前記第２絶縁層は、第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を接続させる第１傾斜部分と、を含み、
前記第１傾斜部分の傾斜角は、９０°未満であり、
前記第２金属層は、前記ソース・ドレイン電極と同一の層に設けられ、前記ベース基板から離れる前記第２部分の一側に位置し、
前記表示領域に対向する前記第２金属層の一側及び／又は前記開口領域に対向する前記第２金属層の一側には、前記開口領域を囲む切欠きが設けられる
表示パネル。
【請求項2】
前記ベース基板上の前記第２金属層の正投影は、前記ベース基板上の前記第１金属層の正投影内に位置する請求項１に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記第１金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、前記第１隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第３金属層をさらに含む
請求項２に記載の表示パネル。
【請求項4】
前記ベース基板上の前記第２金属層の正投影は、前記ベース基板上の前記第３金属層の正投影内に位置し、前記ベース基板上の前記第３金属層の正投影は、前記ベース基板上の前記第１金属層の正投影内に位置する
請求項３に記載の表示パネル。
【請求項5】
同一の断面において、前記第２金属層の断面幅と前記第１金属層との断面幅の比は、０．４以上０．７以下であり、同一の断面において、前記第２金属層の断面幅と前記第３金属層との断面幅の比は、０．５以上０．９以下であり、
同一の断面において、前記第３金属層の断面幅と前記第１金属層との断面幅の比は、０．５８以上１未満であり、
前記断面は、前記第１隔離柱の径方向に延びる平面である
請求項４に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記第１金属層の断面幅は、６．５μｍ～８．５μｍであり、前記第２金属層の断面幅は、３．５μｍ～４．５μｍであり、
前記第３金属層の断面幅は、５μｍ～７μｍである
請求項５に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記第１金属層及び前記第３金属層の厚さは、２０００Å～３０００Åであり、前記第２金属層の厚さは、６０００Å～８０００Åである
請求項５に記載の表示パネル。
【請求項8】
前記第１傾斜部分の傾斜角は、１０°～４５°である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項9】
前記ベース基板と前記駆動回路層との間には、バッファ層がさらに設けられ、前記薄膜トランジスタは、前記バッファ層上に順次に形成される半導体層及び第２ゲート絶縁層をさらに含み、
前記第２ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置する
請求項８に記載の表示パネル。
【請求項10】
前記第１隔離柱は、前記第２ゲート絶縁層と同一の層に設けられる第３絶縁層と、
前記バッファ層と同一の層に設けられる第４絶縁層と、をさらに含む
請求項９に記載の表示パネル。
【請求項11】
前記表示パネルは、前記表示領域に位置し、前記薄膜トランジスタを覆う平坦化層と、
前記表示領域に位置し、前記平坦化層上に形成され、複数のピクセルユニットを定義するためのピクセル定義層と、
前記隔離領域に位置し、前記開口領域を囲むように設けられ、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられる第１バリアダムと、
前記隔離領域に位置し、前記開口領域を囲むように設けられる第２バリアダムと、をさらに含み、
前記第２バリアダムは、前記開口領域に近づく前記第１バリアダムの一側に位置し、
前記第２バリアダムは、前記平坦化層と同一の層に設けられる第１隔離部と、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられる第２隔離部と、を含み、
前記第２バリアダムの高さは、前記第１バリアダムの高さより大きい
請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項12】
前記表示パネルは、前記ベース基板上に形成され且つ前記隔離領域に位置する第２隔離柱をさらに含み、前記第２隔離柱は、前記開口領域を囲むように設けられ、
前記第２隔離柱は、少なくとも第４金属層を含み、
前記第４金属層は、前記第２金属層と同一の構造を有し、前記第２金属層と同一の層に設けられ、
前記第１バリアダム及び前記第２バリアダムは、前記第１隔離柱と前記第２隔離柱との間に位置する
請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項13】
前記第２隔離柱は、前記第１電極板と同一の層に設けられる第５金属層と、
前記第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられる第５絶縁層と、
前記層間誘電体層と同一の層に設けられる第６絶縁層と、をさらに含み、
前記第６絶縁層は、第３部分と、第４部分と、前記第３部分と前記第４部分を接続させる第２傾斜部分と、を含み、
前記第２傾斜部分の傾斜角は、前記第１傾斜部分の傾斜角と同じであり、
前記第４金属層は、前記ベース基板から離れる前記第４部分の一側に位置する
請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項14】
前記第５金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、前記第２隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第６金属層をさらに含む
請求項１３に記載の表示パネル。
【請求項15】
前記第２隔離柱は、前記第２ゲート絶縁層と同一の層に設けられる第７絶縁層と、
前記バッファ層と同一の層に設けられる第８絶縁層と、をさらに含む
請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項16】
前記第２隔離柱は、前記ベース基板に近づく前記第４金属層の一側に位置する絶縁積層をさらに含み、前記絶縁積層は、
前記バッファ層、前記第２ゲート絶縁層、前記第１ゲート絶縁層及び前記層間誘電体層と同一の層に設けられるとともに、前記バッファ層、前記第２ゲート絶縁層、前記第１ゲート絶縁層及び前記層間誘電体層と互いに分離し、
前記絶縁積層は、傾斜角が５０°～７０°である傾斜面を有する
請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項17】
前記第１隔離柱及び前記第２隔離柱のうちの一方は、前記表示領域に近づく前記第１バリアダムの一側に位置し、他方は、前記開口領域に近づく前記第２バリアダムの一側に位置し、前記第１隔離柱は、複数が設けられ、及び／又は、
前記第２隔離柱は、複数が設けられる
請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項18】
前記表示パネルは、封止フィルムをさらに含み、前記封止フィルムは、少なくとも第１無機封止層を含み、
前記第１無機封止層は、前記表示領域及び前記隔離領域に位置し、前記駆動回路層及び前記第１隔離柱を覆う
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項19】
請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の表示パネルを含む表示装置。
【請求項20】
表示パネルの製造方法であって、前記表示パネルは、表示領域と、開口領域と、前記表示領域と前記開口領域との間に位置し、少なくとも一部が前記開口領域を囲むように設けられる隔離領域と、を含み、
前記表示パネルの製造方法は、
ベース基板を用意するステップと、
前記ベース基板上に駆動回路層及び第１隔離柱を形成するステップと、を含み、
前記駆動回路層は、前記表示領域に位置する薄膜トランジスタ及び蓄積キャパシタを含み、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ベース基板から離れる前記ゲート電極の一側に形成される第１ゲート絶縁層と、
前記ベース基板から離れる前記第１ゲート絶縁層の一側に形成される層間誘電体層と、
前記ベース基板から離れる前記層間誘電体層の一側に形成されるソース・ドレイン電極と、を含み、
前記蓄積キャパシタは、
前記ゲート電極と同一の層に設けられる第１電極板と、
前記第１ゲート絶縁層と前記層間誘電体層との間に位置する第２電極板と、を含み、
前記第１隔離柱は、前記開口領域を囲んで設けられ、
前記第１隔離柱は、
第１金属層と、
前記ベース基板から離れる前記第１金属層の一側に形成される第１絶縁層と、
前記ベース基板から離れる前記第１絶縁層の一側に形成される第２絶縁層と、
前記ベース基板から離れる前記第２絶縁層の一側に形成される第２金属層と、を含み、
前記第１金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、
前記第１絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられ、
前記第２絶縁層は、前記層間誘電体層と同一の層に設けられ、
前記第２絶縁層は、第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を接続させる第１傾斜部分と、を含み、
前記第１傾斜部分の傾斜角は、９０°未満であり、
前記第２金属層は、前記ソース・ドレイン電極と同一の層に設けられ、前記ベース基板から離れる前記第２部分の一側に位置し、
前記表示領域に対向する前記第２金属層の一側及び／又は前記開口領域に対向する前記第２金属層の一側には、前記開口領域を囲む切欠きが設けられる
表示パネルの製造方法。
【請求項21】
前記第１金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、前記第１隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第３金属層をさらに含む
請求項２０に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項22】
前記ベース基板上に、前記隔離領域に位置し、前記開口領域を囲むように設けられる第２隔離柱を形成するステップと、前記表示領域に、前記薄膜トランジスタを覆う平坦化層を形成するステップと、
前記表示領域に、前記平坦化層上に位置し、複数のピクセルユニットを定義するためのピクセル定義層を形成するステップと、
前記隔離領域に、第１バリアダム及び第２バリアダムを形成するステップと、をさらに含み、
前記第２隔離柱は、少なくとも第４金属層を含み、
前記第４金属層は、前記第２金属層と同一の構造を有し、前記第２金属層と同一の層に設けられ、
前記第１バリアダムは、前記開口領域を囲むように設けられ、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられ、
前記第２バリアダムは、前記開口領域を囲むように設けられ、前記開口領域に近づく前記第１バリアダムの一側に位置し、前記平坦化層と同一の層に設けられる第１隔離部と、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられる第２隔離部と、を含み、
前記第２バリアダムの高さは、前記第１バリアダムの高さよりも大きく、
前記第１バリアダム及び前記第２バリアダムは、前記第１隔離柱と前記第２隔離柱との間に位置する
請求項２０に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項23】
前記第２隔離柱の構造は、前記第１隔離柱の構造と同じである請求項２２に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示技術の分野に関し、特に、表示パネル及びその製造方法、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、モバイル表示技術は、急速に発展しており、フレキシブルＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、アクティブマトリクス有機発光ダイオード）を代表とする新世代の表示技術がますます広く使用されている。ＡＭＯＬＥＤは、より薄くて軽く、アクティブ発光（バックライト光源が不要となる。）、視野角の問題なし、高解像度、高輝度、応答速度が速く、低エネルギー消費、使用温度の範囲が広く、耐震性が高く、柔軟に表示可能であるなどの特徴を有する。
【0003】
同時に、高画面占有率の表示パネルに対する市場の需要も緊急に求められており、従来の「ノッチ画面」や、「ドロップ画面」などの設計は、ユーザのニーズを満足できなくなってきている。この場合、スクリーン穴あけ技術が新たな設計として提案された。
【0004】
フレキシブルＡＭＯＬＥＤ技術に使用される発光材料は、水及び酸素に非常に敏感な有機発光材料であり、水及び酸素が存在する環境に露出されてはいけない。そうでない場合、腐食が発生しやすく、有機発光材料を失効させ、表示に異常が生じるので、水及び酸素から隔絶されることが不可欠である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明に係る実施例は、水蒸気及び酸素ガスが開口領域の開口部から表示領域へ侵入することを回避することにより、製品の使用寿命を延長するとともに表示効果を向上させることができる表示パネル及びその製造方法、表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係る第１態様によれば、表示領域と、開口領域と、前記表示領域と開口領域との間に位置する隔離領域と、を含む表示パネルを提供し、前記隔離領域は、少なくとも一部が前記開口領域を囲むように設けられ、ここで、前記表示パネルは、
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成され且つ前記表示領域に位置する薄膜トランジスタ及び蓄積キャパシタを含む駆動回路層と、
前記ベース基板上に形成され且つ前記隔離領域に位置する第１隔離柱と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ベース基板から離れる前記ゲート電極の一側に形成される第１ゲート絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第１ゲート絶縁層の一側に形成される層間誘電体層と、前記ベース基板から離れる前記層間誘電体層の一側に形成されるソース・ドレイン電極と、を含み、前記蓄積キャパシタは、前記ゲート電極と同一の層に設けられる第１電極板と、前記第１ゲート絶縁層と前記層間誘電体層との間に位置する第２電極板と、を含み、
前記第１隔離柱は、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、第１金属層と、前記ベース基板から離れる前記第１金属層の一側に形成される第１絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第１絶縁層の一側に形成される第２絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第２絶縁層の一側に形成される第２金属層と、を含み、前記第１金属層は、前記第１電極板又は前記第２電極板と同一の層に設けられ、前記第１絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられ、前記第２絶縁層は、前記層間誘電体層と同一の層に設けられ、且つ、第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を接続させる第１傾斜部分と、を含み、前記第１傾斜部分の傾斜角は、９０°未満であり、前記第２金属層は、前記ソース・ドレイン電極と同一の層に設けられるとともに、前記ベース基板から離れる前記第２部分の一側に位置し、且つ、前記表示領域に対向する前記第２金属層の一側及び／又は前記開口領域に対向する前記第２金属層の一側には、前記開口領域を囲む切欠きが設けられる。
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成され且つ前記表示領域に位置する薄膜トランジスタ及び蓄積キャパシタを含む駆動回路層と、
前記ベース基板上に形成され且つ前記隔離領域に位置する第１隔離柱と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ベース基板から離れる前記ゲート電極の一側に形成される第１ゲート絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第１ゲート絶縁層の一側に形成される層間誘電体層と、前記ベース基板から離れる前記層間誘電体層の一側に形成されるソース・ドレイン電極と、を含み、前記蓄積キャパシタは、前記ゲート電極と同一の層に設けられる第１電極板と、前記第１ゲート絶縁層と前記層間誘電体層との間に位置する第２電極板と、を含み、
前記第１隔離柱は、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、第１金属層と、前記ベース基板から離れる前記第１金属層の一側に形成される第１絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第１絶縁層の一側に形成される第２絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第２絶縁層の一側に形成される第２金属層と、を含み、前記第１金属層は、前記第１電極板又は前記第２電極板と同一の層に設けられ、前記第１絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられ、前記第２絶縁層は、前記層間誘電体層と同一の層に設けられ、且つ、第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を接続させる第１傾斜部分と、を含み、前記第１傾斜部分の傾斜角は、９０°未満であり、前記第２金属層は、前記ソース・ドレイン電極と同一の層に設けられるとともに、前記ベース基板から離れる前記第２部分の一側に位置し、且つ、前記表示領域に対向する前記第２金属層の一側及び／又は前記開口領域に対向する前記第２金属層の一側には、前記開口領域を囲む切欠きが設けられる。
【0007】
本発明の一例示的な実施例において、前記ベース基板上の前記第２金属層の正投影は、前記ベース基板上の前記第１金属層の正投影内に位置する。
【0008】
本発明の一例示的な実施例において、前記第１金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、
前記第１隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第３金属層をさらに含む。
前記第１隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第３金属層をさらに含む。
【0009】
本発明の一例示的な実施例において、前記ベース基板上の前記第２金属層の正投影は、前記ベース基板上の前記第３金属層の正投影内に位置し、
前記ベース基板上の前記第３金属層の正投影は、前記ベース基板上の前記第１金属層の正投影内に位置する。
前記ベース基板上の前記第３金属層の正投影は、前記ベース基板上の前記第１金属層の正投影内に位置する。
【0010】
本発明の一例示的な実施例において、同一の断面において、前記第２金属層と前記第１金属層との断面幅の比は、０．４以上０．７以下であり、
同一の断面において、前記第２金属層と前記第３金属層との断面幅の比は、０．５以上０．９以下であり、
同一の断面において、前記第３金属層と前記第１金属層との断面幅の比は、０．５８以上１未満であり、
ここで、前記断面は、前記第１隔離柱の径方向に延びる平面である。
同一の断面において、前記第２金属層と前記第３金属層との断面幅の比は、０．５以上０．９以下であり、
同一の断面において、前記第３金属層と前記第１金属層との断面幅の比は、０．５８以上１未満であり、
ここで、前記断面は、前記第１隔離柱の径方向に延びる平面である。
【0011】
本発明の一例示的な実施例において、前記第１金属層の断面幅は、６．５μｍ～８．５μｍであり、
前記第２金属層の断面幅は、３．５μｍ～４．５μｍであり、
前記第３金属層の断面幅は、５μｍ～７μｍである。
前記第２金属層の断面幅は、３．５μｍ～４．５μｍであり、
前記第３金属層の断面幅は、５μｍ～７μｍである。
【0012】
本発明の一例示的な実施例において、前記第１金属層及び前記第３金属層の厚さは、２０００Å～３０００Åであり、前記第２金属層の厚さは、６０００Å～８０００Åである。
【0013】
本発明の一例示的な実施例において、前記第１傾斜部分の傾斜角は、１０°～４５°である。
【0014】
本発明の一例示的な実施例において、前記ベース基板と前記駆動回路層との間には、バッファ層がさらに設けられ、
前記薄膜トランジスタは、前記バッファ層上に順次に形成される半導体層及び第２ゲート絶縁層をさらに含み、前記第２ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置する。
前記薄膜トランジスタは、前記バッファ層上に順次に形成される半導体層及び第２ゲート絶縁層をさらに含み、前記第２ゲート絶縁層は、前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置する。
【0015】
本発明の一例示的な実施例において、前記第１隔離柱は、前記第２ゲート絶縁層と同一の層に設けられる第３絶縁層と、前記バッファ層と同一の層に設けられる第４絶縁層と、をさらに含む。
【0016】
本発明の一例示的な実施例において、前記表示パネルは、
前記表示領域に位置し、且つ、前記薄膜トランジスタを覆う平坦化層と、
複数のピクセルユニットを定義するように、前記表示領域に位置し、且つ、前記平坦化層上に形成されるピクセル定義層と、
前記隔離領域に位置し、且つ、前記開口領域を囲むように設けられ、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられる第１バリアダムと、
前記隔離領域に位置し、且つ、前記開口領域を囲むように設けられる第２バリアダムと、をさらに含み、
前記第２バリアダムは、前記開口領域に近づく前記第１バリアダムの一側に位置し、且つ、前記平坦化層と同一の層に設けられる第１隔離部と、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられる第２隔離部と、を含み、前記第２バリアダムの高さは、前記第１バリアダムの高さより大きい。
前記表示領域に位置し、且つ、前記薄膜トランジスタを覆う平坦化層と、
複数のピクセルユニットを定義するように、前記表示領域に位置し、且つ、前記平坦化層上に形成されるピクセル定義層と、
前記隔離領域に位置し、且つ、前記開口領域を囲むように設けられ、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられる第１バリアダムと、
前記隔離領域に位置し、且つ、前記開口領域を囲むように設けられる第２バリアダムと、をさらに含み、
前記第２バリアダムは、前記開口領域に近づく前記第１バリアダムの一側に位置し、且つ、前記平坦化層と同一の層に設けられる第１隔離部と、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられる第２隔離部と、を含み、前記第２バリアダムの高さは、前記第１バリアダムの高さより大きい。
【0017】
本発明の一例示的な実施例において、前記表示パネルは、前記ベース基板上に形成され且つ前記隔離領域に位置する第２隔離柱をさらに含み、前記第２隔離柱は、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、少なくとも前記第２金属層と同一の構造を有し且つ同一の層に設けられる第４金属層を含み、
ここで、前記第１バリアダム及び前記第２バリアダムは、前記第１隔離柱と前記第２隔離柱との間に位置する。
ここで、前記第１バリアダム及び前記第２バリアダムは、前記第１隔離柱と前記第２隔離柱との間に位置する。
【0018】
本発明の一例示的な実施例において、前記第２隔離柱は、前記第１電極板又は前記第２電極板と同一の層に設けられる第５金属層と、前記第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられる第５絶縁層と、前記層間誘電体層と同一の層に設けられる第６絶縁層と、をさらに含み、
ここで、前記第６絶縁層は、第３部分と、第４部分と、前記第３部分と前記第４部分を接続させる第２傾斜部分と、を含み、前記第２傾斜部分の傾斜角は、前記第１傾斜部分の傾斜角と同じであり、且つ、前記第４金属層は、前記ベース基板から離れる前記第４部分の一側に位置する。
ここで、前記第６絶縁層は、第３部分と、第４部分と、前記第３部分と前記第４部分を接続させる第２傾斜部分と、を含み、前記第２傾斜部分の傾斜角は、前記第１傾斜部分の傾斜角と同じであり、且つ、前記第４金属層は、前記ベース基板から離れる前記第４部分の一側に位置する。
【0019】
本発明の一例示的な実施例において、前記第５金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、
前記第２隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第６金属層をさらに含む。
前記第２隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第６金属層をさらに含む。
【0020】
本発明の一例示的な実施例において、前記第２隔離柱は、前記第２ゲート絶縁層と同一の層に設けられる第７絶縁層と、前記バッファ層と同一の層に設けられる第８絶縁層と、をさらに含む。
【0021】
本発明の一例示的な実施例において、前記第２隔離柱は、前記ベース基板に近づく前記第４金属層の一側に位置する絶縁積層をさらに含み、前記絶縁積層は、前記バッファ層、前記第２ゲート絶縁層、前記第１ゲート絶縁層及び前記層間誘電体層と同一の層に設けられ、且つ、前記バッファ層、前記第２ゲート絶縁層、前記第１ゲート絶縁層及び前記層間誘電体層と互いに分離し、ここで、前記絶縁積層は、傾斜角が５０°～７０°である傾斜面を有する。
【0022】
本発明の一例示的な実施例において、前記第１隔離柱及び前記第２隔離柱のうちの一方は、前記表示領域に近づく前記第１バリアダムの一側に位置し、他方は、前記開口領域に近づく前記第２バリアダムの一側に位置し、
ここで、前記第１隔離柱は、複数が設けられ、及び／又は、前記第２隔離柱は、複数が設けられる。
ここで、前記第１隔離柱は、複数が設けられ、及び／又は、前記第２隔離柱は、複数が設けられる。
【0023】
本発明の一例示的な実施例において、前記表示パネルは、少なくとも第１無機封止層を含む封止フィルムをさらに含み、前記第１無機封止層は、前記表示領域及び前記隔離領域に位置し、且つ、前記駆動回路層及び前記第１隔離柱を覆う。
【0024】
本発明に係る第２態様によれば、上記のいずれか実施例に記載の表示パネルを含むことを特徴とする表示装置を提供する。
【0025】
本発明に係る第２態様によれば、表示領域と、開口領域と、前記表示領域と前記開口領域との間に位置する隔離領域と、を含む表示パネルの製造方法を提供し、前記隔離領域は、少なくとも一部が前記開口領域を囲むように設けられ、ここで、前記製造方法は、
ベース基板を用意するステップと、
前記ベース基板上に駆動回路層及び第１隔離柱を形成するステップと、を含み、
前記駆動回路層は、前記表示領域に位置する薄膜トランジスタ及び蓄積キャパシタを含み、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ベース基板から離れる前記ゲート電極の一側に形成される第１ゲート絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第１ゲート絶縁層の一側に形成される層間誘電体層と、前記ベース基板から離れる前記層間誘電体層の一側に形成されるソース・ドレイン電極と、を含み、前記蓄積キャパシタは、前記ゲート電極と同一の層に設けられる第１電極板と、前記第１ゲート絶縁層と前記層間誘電体層との間に位置する第２電極板と、を含み、
前記第１隔離柱は、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、第１金属層と、前記ベース基板から離れる前記第１金属層の一側に形成される第１絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第１絶縁層の一側に形成される第２絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第２絶縁層の一側に形成される第２金属層と、を含み、前記第１金属層は、前記第１電極板又は前記第２電極板と同一の層に設けられ、前記第１絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられ、前記第２絶縁層は、前記層間誘電体層と同一の層に設けられ、且つ、第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を接続させる第１傾斜部分と、を含み、前記第１傾斜部分の傾斜角は、９０°未満であり、前記第２金属層は、前記ソース・ドレイン電極と同一の層に設けられるとともに、前記ベース基板から離れる前記第２部分の一側に位置し、且つ、前記表示領域に対向する前記第２金属層の一側及び／又は前記開口領域に対向する前記第２金属層の一側には、前記開口領域を囲む切欠きが設けられる。
ベース基板を用意するステップと、
前記ベース基板上に駆動回路層及び第１隔離柱を形成するステップと、を含み、
前記駆動回路層は、前記表示領域に位置する薄膜トランジスタ及び蓄積キャパシタを含み、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ベース基板から離れる前記ゲート電極の一側に形成される第１ゲート絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第１ゲート絶縁層の一側に形成される層間誘電体層と、前記ベース基板から離れる前記層間誘電体層の一側に形成されるソース・ドレイン電極と、を含み、前記蓄積キャパシタは、前記ゲート電極と同一の層に設けられる第１電極板と、前記第１ゲート絶縁層と前記層間誘電体層との間に位置する第２電極板と、を含み、
前記第１隔離柱は、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、第１金属層と、前記ベース基板から離れる前記第１金属層の一側に形成される第１絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第１絶縁層の一側に形成される第２絶縁層と、前記ベース基板から離れる前記第２絶縁層の一側に形成される第２金属層と、を含み、前記第１金属層は、前記第１電極板又は前記第２電極板と同一の層に設けられ、前記第１絶縁層は、前記第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられ、前記第２絶縁層は、前記層間誘電体層と同一の層に設けられ、且つ、第１部分と、第２部分と、前記第１部分と前記第２部分を接続させる第１傾斜部分と、を含み、前記第１傾斜部分の傾斜角は、９０°未満であり、前記第２金属層は、前記ソース・ドレイン電極と同一の層に設けられるとともに、前記ベース基板から離れる前記第２部分の一側に位置し、且つ、前記表示領域に対向する前記第２金属層の一側及び／又は前記開口領域に対向する前記第２金属層の一側には、前記開口領域を囲む切欠きが設けられる。
【0026】
本発明の一例示的な実施例において、
前記第１金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、
前記第１隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第３金属層をさらに含む。
前記第１金属層は、前記第１電極板と同一の層に設けられ、
前記第１隔離柱は、前記第２電極板と同一の層に設けられる第３金属層をさらに含む。
【0027】
本発明の一例示的な実施例において、
前記ベース基板上に前記隔離領域に位置する第２隔離柱を形成し、前記第２隔離柱は、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、少なくとも、前記第２金属層と同一の構造を有し且つそれと同一の層に設けられる第４金属層を含むステップと、
前記表示領域に前記薄膜トランジスタを覆う平坦化層を形成するステップと、
複数のピクセルユニットを定義するように、前記表示領域に、前記平坦化層上に位置するピクセル定義層を形成するステップと、
前記隔離領域に第１バリアダム及び第２バリアダムを形成するステップと、をさらに含み、
前記第１バリアダムは、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられ、前記第２バリアダムは、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、前記前記開口領域に近づく前記第１バリアダムの一側に位置し、前記第２バリアダムは、前記平坦化層及び前記ピクセル定義層と同一の層に設けられ、且つ、前記第２バリアダムの高さは、前記第１バリアダムの高さより大きく、
ここで、前記第１バリアダム及び前記第２バリアダムは、前記第１隔離柱と前記第２隔離柱との間に位置する。
前記ベース基板上に前記隔離領域に位置する第２隔離柱を形成し、前記第２隔離柱は、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、少なくとも、前記第２金属層と同一の構造を有し且つそれと同一の層に設けられる第４金属層を含むステップと、
前記表示領域に前記薄膜トランジスタを覆う平坦化層を形成するステップと、
複数のピクセルユニットを定義するように、前記表示領域に、前記平坦化層上に位置するピクセル定義層を形成するステップと、
前記隔離領域に第１バリアダム及び第２バリアダムを形成するステップと、をさらに含み、
前記第１バリアダムは、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、前記ピクセル定義層と同一の層に設けられ、前記第２バリアダムは、前記開口領域を囲むように設けられ、且つ、前記前記開口領域に近づく前記第１バリアダムの一側に位置し、前記第２バリアダムは、前記平坦化層及び前記ピクセル定義層と同一の層に設けられ、且つ、前記第２バリアダムの高さは、前記第１バリアダムの高さより大きく、
ここで、前記第１バリアダム及び前記第２バリアダムは、前記第１隔離柱と前記第２隔離柱との間に位置する。
【0028】
本発明の一例示的な実施例において、前記第２隔離柱の構造は、前記第１隔離柱の構造と同じである。
【図面の簡単な説明】
【0029】
図面は、本発明に係る実施例に対するさらなる理解を提供するためのものであり、本明細書の一部を構成する。本発明の実施例とともに本発明を解釈するためのものであり、本発明に対する限定として構成されない。上記及び他の特徴及び利点は、添付の図面を参照して詳細に説明する例示的な実施例により、当業者にとってより明らかになる。
【0030】
【0031】
図面符号の説明
１０、表示領域；１１、開口領域；１２、隔離柱；１２０、ＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層；１２１、ＳＤ金属層；１３、隔離溝；１４、ベース；１５、有機発光材料；１６、陰極層；１７、無機封止層；２、表示パネル；２０ａ、表示領域；２０ｂ、開口領域；２０ｃ、隔離領域；２１、ベース基板；２２、バッファ層；２３、第１隔離柱；２３０、第１金属層；２３１、第１絶縁層；２３２、第２絶縁層；２３２ａ、第１部分；２３２ｂ、第２部分；２３２ｃ、第１傾斜部分；２３３、第２金属層；２３３ａ、切欠き；２３４、第３絶縁層；２３５、第４絶縁層；２３６、第３金属層；２４、薄膜トランジスタ；２４０、半導体層；２４１、第２ゲート絶縁層；２４２、ゲート電極；２４３、第１ゲート絶縁層；２４４、層間誘電体層；２４５、ソース電極；２４６、ドレイン電極；２５、蓄積キャパシタ；２５０、第１電極板；２５１、第２電極板；２６、平坦化層；２７、ピクセル定義層；２８、第１バリアダム；２９、第２バリアダム；２９０、第１隔離部；２９１、第２隔離部；３０、ピクセルユニット；３００、陽極；３０１、有機発光材料；３０２、陰極；３１、第２隔離柱；３１０、第４金属層；３１１、第５金属層；３１２、第５絶縁層；３１３、第６絶縁層；３１３ａ、第３部分；３１３ｂ、第４部分；３１３ｃ、第２傾斜部分；３１４、第７絶縁層；３１５、第８絶縁層；３１６、第６金属層；３２、封止フィルム；３２０、第１無機封止層；３２１、有機封止層；３２２、第２無機封止層。
１０、表示領域；１１、開口領域；１２、隔離柱；１２０、ＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層；１２１、ＳＤ金属層；１３、隔離溝；１４、ベース；１５、有機発光材料；１６、陰極層；１７、無機封止層；２、表示パネル；２０ａ、表示領域；２０ｂ、開口領域；２０ｃ、隔離領域；２１、ベース基板；２２、バッファ層；２３、第１隔離柱；２３０、第１金属層；２３１、第１絶縁層；２３２、第２絶縁層；２３２ａ、第１部分；２３２ｂ、第２部分；２３２ｃ、第１傾斜部分；２３３、第２金属層；２３３ａ、切欠き；２３４、第３絶縁層；２３５、第４絶縁層；２３６、第３金属層；２４、薄膜トランジスタ；２４０、半導体層；２４１、第２ゲート絶縁層；２４２、ゲート電極；２４３、第１ゲート絶縁層；２４４、層間誘電体層；２４５、ソース電極；２４６、ドレイン電極；２５、蓄積キャパシタ；２５０、第１電極板；２５１、第２電極板；２６、平坦化層；２７、ピクセル定義層；２８、第１バリアダム；２９、第２バリアダム；２９０、第１隔離部；２９１、第２隔離部；３０、ピクセルユニット；３００、陽極；３０１、有機発光材料；３０２、陰極；３１、第２隔離柱；３１０、第４金属層；３１１、第５金属層；３１２、第５絶縁層；３１３、第６絶縁層；３１３ａ、第３部分；３１３ｂ、第４部分；３１３ｃ、第２傾斜部分；３１４、第７絶縁層；３１５、第８絶縁層；３１６、第６金属層；３２、封止フィルム；３２０、第１無機封止層；３２１、有機封止層；３２２、第２無機封止層。
【発明を実施するための形態】
【0032】
以下、添付の図面を参照しながら、実施例により本発明の技術案をさらに具体的に説明する。本明細書において、図中の同じ又は類似する符号は、同じ又は類似する構造を示している。以下に、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明するが、本発明の全体的な発明構想を解釈することを目的とするものであり、本発明を限定するものではない。
【0033】
また、以下の詳細な記述において、解釈を容易にするために、本発明の実施例に対する完全な理解を提供するために多くの具体的な詳細を説明する。しかし、１つ又は複数の実施例は、これら具体的な詳細なしで実現され得ることが明らかである。
【0034】
なお、本明細書における前記した「…の上に」、「…の上に…を形成する」及び「…の上に設けられる」とは、一つの層が他の層に「直接的」に形成又は設置され、又は、一つの層が他の層に「間接的」に形成又は設置され、即ち、２つの層の間に他の層がさらに存在することを示すことができる。
【0035】
「１つ」、「一」、「当該」、「前記」及び「少なくとも一つ」という用語は、１つ又は複数の要素／構成要素／などが存在していることを示すために使用されるものである。「含む」及び「備える」という用語は、開放式に含まれることを意味し、且つ、列挙された要素／構成要素／など以外の要素／構成要素／などをさらに含むことを意味する。
【0036】
なお、「第１」、「第２」などという用語は、ここでは各部品、部材、素子、領域、層及び／又は部分を説明するためのものであり、これらの部品、部材、素子、領域、層及び／又は部分は、これらの用語によって限定されるべきではない。これらの用語は、一つの部品、部材、素子、領域、層及び／又は部分と他のものとを区別するためのものである。
【0037】
本発明において、特別な説明がない限り、使用される用語「同一の層に設けられる」とは、２つの層、部品、部材、素子又は部分が同一のパターニングプロセスにより形成されてもよく、且つ、当該２つの層、部品、部材、素子又は部分が一般的に同一の材料により形成され、同一のフィルム層に位置し、且つ当該フィルム層に直接に接触することを意味する。
【0038】
本発明において、特別な説明がない限り、「パターニングプロセス」という表現は、一般的に、フォトレジストの塗布、露光、現像、エッチング、フォトレジストの剥離などのステップを含む。「１回のパターニングプロセス」という表現は、一つのマスクによりパターン化された層、部品、部材などを形成するプロセスを意味する。
【0039】
本発明の一実施例において、図１に示すように、有機発光材料１５が遮断されるように、表示領域１０と開口領域１１との間に隔離柱１２や隔離溝１３などの構造を設けることにより、水及び酸素の経路から隔絶される役割を果たし、陰極層１６を遮断する役割を果たすこともできる。ここで、隔離柱１２の製造方法は、以下の通りである。ベース１４上にバッファ層（ｂｕｆｆｅｒ）、ゲート電極絶縁層（Ｇａｔｅ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、ＧＩと略称される。）及び層間誘電体層（Ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、ＩＬＤと略称される。）をそれぞれ積層し、その後ＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層１２０に対して露光、現像、ＥＢＡ（Ｅｔｃｈ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ａ）／ＥＢＢ（Ｅｔｃｈ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ｂ）エッチングを行うことにより、所定のパターンを得る。その後、所定のパターンにＳＤ（ソース・ドレイン）金属層１２１を形成するとともに、ＳＤ金属層１２１をエッチングしてアンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）構造を形成することで、有機発光材料１５を遮断することができる。具体的に、図２～図３に示すように、このようにＥＢＡ／ＥＢＢエッチングにより製造される隔離柱１２をＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱と呼ばれ、当該ＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱は、折り曲げ（ｂｅｎｄｉｎｇ）プロセスとマスク（ｍａｓｋ）を共用することができる。
【0040】
なお、図３に示すように、ＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱は、以下の２つの特徴を有する。１つは、形成された傾斜角α１が大きく、もう１つは、形成された段差ｈ１が大きい。このように、化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤと略称される。）技術により形成される無機封止層１７は、ＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層１２０の傾斜部において非常に急峻に積層されるので、外部からの応力を解放することに不利である。外部からの応力を受ける場合、クラックが発生しやすく、封止の失効を起こすので、水及び酸素ガスが侵入して、素子の表示に異常が生じる。
【0041】
上記の問題を改善するために、図４に示すように、本発明の実施例は、表示パネル２をさらに提供する。当該表示パネル２は、ＯＬＥＤ表示パネルであってもよい。また、表示パネル２は、表示領域２０ａと、開口領域２０ｂと、表示領域２０ａと開口領域２０ｂとの間に位置する隔離領域２０ｃとを含むことができる。前記隔離領域２０ｃは、少なくとも部分的に開口領域２０ｂを囲むように設けられる。
【0042】
以下、図面を参照して本発明の実施例に係る表示パネル２を詳細に説明する。
【0043】
【0044】
ここで、表示パネル２がフレキシブルパネルである場合、提供されるベース基板２１は、ポリイミド（ＰＩ）などのフレキシブル基板であってもよい。表示パネル２が剛性基板である場合、ベース基板２１は、ガラスや石英などの剛性基板であってもよい。
【0045】
なお、後で表示パネル２の各領域において必要となる部材を加工することが容易になるために、まず、ベース基板２１において各領域を定義する。例えば、まず、ベース基板２１は、表示領域２０ａ、隔離領域２０ｃ及び開口領域２０ｂに分割されることができる。
【0046】
図５に示すように、駆動回路層は、ベース基板２１上に形成される。また、前記駆動回路層は、ベース基板２１上に形成されるとともに、表示領域２０ａに位置する薄膜トランジスタ２４及び蓄積キャパシタ２５を含むことができる。
【0047】
具体的に、図５に示すように、薄膜トランジスタ２４は、順次に形成されるゲート電極２４２、第１ゲート絶縁層２４３、層間誘電体層２４４及びソース・ドレイン電極を含むことができる。即ち、まず、ベース基板２１上にゲート電極２４２を形成し、その後、ベース基板２１から離れるゲート電極２４２の一側に第１ゲート絶縁層２４３を形成し、ベース基板２１から離れる第１ゲート絶縁層２４３の一側に層間誘電体層２４４を形成し、ベース基板２１から離れる層間誘電体層２４４の一側にソース・ドレイン電極を形成する。また、薄膜トランジスタ２４は、半導体層２４０をさらに含むことができる。前記半導体層２４０は、前記薄膜トランジスタ２４をトップゲート型になるように、ベース基板２１に近づくゲート電極２４２の一側に位置することができる。薄膜トランジスタ２４がトップゲート型である場合、前記薄膜トランジスタ２４は、ゲート電極２４２と半導体層２４０との間に位置する第２ゲート絶縁層２４１をさらに含むことができることを理解すべきである。
【0048】
しかしながら、本発明は、これに限定されないが、半導体層２４０は、薄膜トランジスタ２４をボトムゲート型になるように、ベース基板２１から離れるゲート電極２４２の一側に位置し、且つ、第１ゲート絶縁層２４３と層間誘電体層２４４との間に位置することができる。本発明の実施例に係る薄膜トランジスタ２４は、図に示すトップゲート型に限定されないが、ボトムゲート型であってもよいことを理解すべきである。
【0049】
なお、図５に示すように、上述したソース・ドレイン電極は、同一の層に設けられるソース電極２４５及びドレイン電極２４６を含む。前記ソース電極２４５及びドレイン電極２４６は、層間誘電体層２４４及び第１ゲート絶縁層２４３上におけるビアホールを介して、半導体層２４０の両端にそれぞれ接続されることができる。
【0050】
図５に示すように、蓄積キャパシタ２５は、ゲート電極２４２と同一の層に設けられる第１電極板２５０と、第１ゲート絶縁層２４３と層間誘電体層２４４との間に位置する第２電極板２５１と、を含む。
【0051】
例えば、本発明の実施例に係る第１ゲート絶縁層２４３、第２ゲート絶縁層２４１及び層間誘電体層２４４は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンなどのような無機絶縁材料により製造されることができる。半導体層２４０は、多結晶シリコンや金属酸化物などの材料により製造されることができる。ゲート電極２４２、第１電極板２５０及び第２電極板２５１は、アルミニウム、チタン、コバルトなどの金属又は合金材料により製造されることができる。ソース電極２４５及びドレイン電極２４６は、金属材料又は合金材料により製造されてもよく、例えば、モリブデン、アルミニウム及びチタンなどにより形成された単層又は多層金属構造であってもよい。ここで、ソース電極２４５及びドレイン電極２４６が多層構造である場合、前記多層構造は、多層金属積層、例えばチタン、アルミニウム及びチタンの３層金属積層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）などであってもよい。
【0052】
図５に示すように、ベース基板２１と駆動回路層との間には、バッファ層２２がさらに設けらることができる。バッファ層２２は、窒化シリコンや酸化シリコンなどの材料により製造されてもよい。水や酸素に対する遮断や塩基性イオンに対する遮断効果を奏するとともに、ベース基板２１上の他の構造に対して保護作用を果たすことができる。なお、具体的な状況に応じて、ベース基板２１と駆動回路層との間には、バッファ層２２だけでなく、他の層がさらに設けられることもできる。ここで、薄膜トランジスタ２４がトップゲート型である場合、当該半導体層２４０は、バッファ層２２の上に位置することができる。
【0053】
図６～図１１に示すように、第１隔離柱２３は、ベース基板２１上に形成されるとともに、隔離領域２０ｃに位置する。第１隔離柱２３は、開口領域２０ｂを囲むように設けられ、且つ、順次に形成される第１金属層２３０、第１絶縁層２３１、第２絶縁層２３２及び第２金属層２３３を含む。即ち、まず、ベース基板２１上に第１金属層２３０を形成し、その後、ベース基板２１から離れる第１金属層２３０の一側に第１絶縁層２３１を形成し、ベース基板２１から離れる第１絶縁層２３１の一側に第２絶縁層２３２を形成し、ベース基板２１から離れる第２絶縁層２３２の一側に第２金属層２３３を形成する。
【0054】
ここで、第１金属層２３０は、第１電極板２５０又は第２電極板２５１と同一の層に設けられる。第１絶縁層２３１は、第１ゲート絶縁層２４３と同一の層に設けられる。第２絶縁層２３２は、層間誘電体層２４４と同一の層に設けられ、且つ、第１部分２３２ａと、第２部分２３２ｂと、第１部分２３２ａと第２部分２３２ｂを接続させる第１傾斜部分２３２ｃを含む。図９～図１１に示すように、前記第１傾斜部分２３２ｃの傾斜角α２は、９０°未満である。第２金属層２３３は、ソース・ドレイン電極と同一の層に設けられるとともに、ベース基板２１から離れる第２部分２３２ｂの一側に位置する。そして、表示領域２０ａに対向する第２金属層２３３の一側及び／又は開口領域２０ｂに対向する第２金属層２３３の一側には、開口領域２０ｂを囲む切欠き２３３ａが設けられる。ここで、第１傾斜部分２３２ｃ及び第２金属層２３３により有機発光材料３０１を遮断することで、水及び酸素の経路を隔絶する役割を果たすことができる。図６～図８に示すように、前記第１隔離柱２３は、有機発光材料３０１だけでなく、例えば、陰極３０２などの他の材料を隔離することができることを理解すべきである。
【0055】
本発明の実施例において、第１隔離柱２３の底部に第１電極板２５０又は第２電極板２５１と同一の層に設けられる第１金属層２３０を追加することにより、第２絶縁層２３２を積層する過程において、第１金属層２３０に対向する第２絶縁層２３２の領域が第２絶縁層２３２の他の領域に比べて高くなり、これにより、自然に９０°未満の傾斜角α２を形成する。本発明の実施例は、傾斜角α２を有する第１傾斜部分２３２ｃが自然に第２絶縁層２３２に形成されるので、第１隔離柱２３を製造する過程において、図１～図３に示すＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱１２を製造する過程に比べて、「ＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層１２０に対して露光、現像、ＥＢＡ（Ｅｔｃｈ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ａ）／ＥＢＢ（Ｅｔｃｈ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ｂ）エッチングを行うことにより所定のパターンを得る。」というステップを省略することができる。即ち、有機発光材料３０１に対する遮断を実現するとともに、マスキングプロセスを省略できるので、コストを低減させることができる。
【0056】
また、本発明の実施例は、第１金属層２３０を追加することにより第１金属層２３０に対向する第２絶縁層２３２の部位を高くすることで、傾斜角α２を有する第１傾斜部分２３２ｃを形成する。このため、図１～図３に示すＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層１２０に対する露光、現像、ＥＢＡ（Ｅｔｃｈ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ａ）／ＥＢＢ（Ｅｔｃｈ Ｂｅｎｄｉｎｇ Ｂ）エッチングにより形成される傾斜角α１に比べて、本発明の実施例における傾斜角α２は、より小さく、且つ、傾斜角α２の箇所に形成される段差ｈ２もより小さい。具体的に、図９～図１１を参照すると、本発明の実施例における傾斜角α２及び段差ｈ２は、それぞれ図３に示すＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱１２の傾斜角α１及び段差ｈ１よりも小さい。
【0057】
例えば、本発明の実施例における第１隔離柱２３の第１傾斜部分２３２ｃの傾斜角α２は、１０°～４５°であり、例えば、１０°、２０°、３０°、４５°などであってもよい。図３に示すＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱１２のＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層１２０での傾斜面の傾斜角α１は、５０°～７０°であり、例えば５０°、６０°、７０°などであってもよい。
【0058】
ここで、本発明の実施例における第１隔離柱２３の第１傾斜部分２３２ｃの傾斜角α２は、ＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱１２の傾斜部の傾斜角α１よりも小さいので、後で無機封止層を積層する場合、本発明の実施例に係る無機封止層（図６～図８に示す第１無機封止層３２０）は、図１及び図２に示す無機封止層１７がＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱１２の傾斜部に積層される場合に比べて、第１隔離柱２３の第１傾斜部分２３２ｃにおいてよりスムーズに積層されることによって、外部からの応力を解放することに寄与することができる。これにより、第１無機封止層３２０は、外部からの応力を受ける場合にクラックが発生しにくくなり、さらに水及び酸素ガスの侵入を遮断し、表示効果を確保することができる。
【0059】
なお、本発明の実施例に係る第１絶縁層２３１及び第２絶縁層２３２は、第１傾斜部分２３２ｃを形成できれば、一体構造であってもよい。
【0060】
いくつかの実施例において、図９～図１１に示すように、第１隔離柱２３は、第２ゲート絶縁層２４１と同一の層に設けられることができる第３絶縁層２３４と、バッファ層２２と同一の層に設けられることができる第４絶縁層２３５と、をさらに含む。
【0061】
いくつかの実施例において、図６及び図９に示すように、第１隔離柱２３の第１金属層２３０は、第１電極板２５０と同一の層に設けられることができる。選択的に、第１隔離柱２３において、ベース基板２１上の第２金属層２３３の正投影がベース基板２１上の第１金属層２３０の正投影内に位置することにより、第１隔離柱２３に位置する無機封止層が外部からの応力をより解放することに寄与し、外部からの応力を受ける場合に無機封止層にクラックが発生することを回避することができる。なお、第１金属層２３０は、製造する過程において所定の角度を有する傾斜面を形成することもできる。
【0062】
さらに、同一の断面において、第２金属層２３３と第１金属層２３０との断面幅の比は、０．４以上０．７以下である。例えば、第１金属層２３０の断面幅は、６．５μｍ～８．５μｍであり、例えば、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍなどであってもよい。第２金属層２３３の断面幅は、３．５μｍ～４．５μｍであり、例えば、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍなどであってもよい。
【0063】
なお、本発明の実施例に係る段差ｈ２は、第１金属層２３０の厚さであってもよい。また、本発明の実施例に係る断面は、第１隔離柱２３の径方向に延びる平面である。断面幅は、断面の最大幅であるが、これに限定されなく、断面の他の位置の幅は、上記の値の範囲内であってもよい。
【0064】
いくつかの実施例において、図７及び図１０に示すように、第１隔離柱２３の第１金属層２３０は、第２電極板２５１と同一の層に設けらることができる。選択的に、第１隔離柱２３において、ベース基板２１上の第２金属層２３３の正投影をベース基板２１上の第１金属層２３０の正投影内に位置させることにより、第１隔離柱２３に位置する無機封止層は、外部からの応力をさらに解放することに寄与するので、外部からの応力を受ける場合、無機封止層にクラックが発生することを回避することができる。なお、第１金属層２３０は、製造する過程において所定の角度を有する傾斜面を形成することもできる。
【0065】
さらに、同一の断面において、第２金属層２３３と第１金属層２３０との断面幅の比は、０．４以上０．７以下である。例えば、第１金属層２３０の断面幅は、６．５μｍ～８．５μｍであり、例えば、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍなどであってもよい。第２金属層２３３の断面幅は、３．５μｍ～４．５μｍであり、例えば、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍなどであってもよい。
【0066】
なお、本発明の実施例に係る段差ｈ２は、第１金属層２３０の厚さであってもよい。また、本発明の実施例に係る断面は、第１隔離柱２３の径方向に延びる平面である。断面幅は、断面の最大幅であってもよいが、これに限定されなく、断面の他の位置の幅は、上記の値の範囲内であってもよい。
【0067】
いくつかの実施例において、図８及び図１１に示すように、第１隔離柱２３の第１金属層２３０は、第１電極板２５０と同一の層に設けられることができる。また、第１隔離柱２３は、第２電極板２５１と同一の層に設けられる第３金属層２３６をさらに含むことができる。選択的に、ベース基板２１上の第２金属層２３３の正投影は、ベース基板２１上の第３金属層２３６の正投影内に位置する。ベース基板２１上の第３金属層２３６の正投影をベース基板２１上の第１金属層２３０の正投影内に位置させることにより、第１隔離柱２３に位置する無機封止層が外部からの応力をさらに解放することに寄与するので、外部からの応力を受ける場合に無機封止層にクラックが発生することを回避することができる。なお、第１金属層２３０及び第２金属層２３３は、製造する過程において所定の角度を有する傾斜面を形成することもできる。
【0068】
さらに、同一の断面において、第２金属層２３３と第１金属層２３０との断面幅の比は、０．４以上０．７以下である。第２金属層２３３と第３金属層２３６との断面幅の比は、０．５以上０．９以下である。第３金属層２３６と第１金属層２３０との断面幅の比は、０．５８以上１未満である。例えば、第１金属層２３０の断面幅は、６．５μｍ～８．５μｍであり、例えば、６．５μｍ、７μｍ、７．５μｍ、８μｍ、８．５μｍなどであってもよい。第２金属層２３３の断面幅は、３．５μｍ～４．５μｍであり、例えば、３．５μｍ、４μｍ、４．５μｍなどであってもよい。第３金属層２３６の最大幅は、５μｍ～７μｍであり、例えば、５μｍ、５．５μｍ、６μｍ、６．５μｍ、７μｍであってもよい。
【0069】
なお、本発明の実施例に係る段差ｈ２は、第１金属層２３０と第３金属層２３６の厚さの合計であってもよい。また、本発明の実施例に係る断面は、第１隔離柱２３の径方向に延びる平面である。断面幅は、断面の最大幅であってもよいが、これに限定されなく、断面の他の位置の幅は、上記の値の範囲内であってもよい。
【0070】
上記の実施例に係る第１隔離柱２３における第１金属層２３０、第２金属層２３３及び第３金属層２３６は、一般的にエッチングプロセスにより製造される。このように製造された第１金属層２３０、第２金属層２３３及び第３金属層２３６は、通常、所定の傾斜角を有することを理解すべきである。具体的に、ベース基板２１から離れる第１金属層２３０、第２金属層２３３及び第３金属層２３６の表面は、ベース基板２１上の正投影がそれらのベース基板２１に近づく表面のベース基板２１上における正投影内に位置する。これに基づいて、無機封止層が外部からの応力をさらに解放できることを確保するために、本発明の実施例において、第１隔離柱２３における第２金属層２３３の最大断面幅は、第１金属層２３０の最小断面幅よりも小さくてもよい。第２金属層２３３の最大断面幅は、第３金属層２３６の最小断面幅よりも小さくてもよい。第３金属層２３６の最大幅は、第１金属層２３０の最小断面幅よりも小さくてもよい。
【0071】
また、本発明の実施例に係る第１隔離柱２３における第１絶縁層２３１、第２絶縁層２３２、第３絶縁層２３４及び第４絶縁層２３５を、従来技術のＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱におけるＧＩ１層、ＩＬＤ層、ＧＩ２層、バッファ層の厚さと同じになるように設計し、また、第１隔離柱２３における傾斜角α２を有する第２絶縁層２３２の最大断面幅及び最小断面幅を、ＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱におけるＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層１２０の最大断面幅及び最小断面幅と同じになるように設計する場合、本発明の実施例に係る第１隔離柱２３の傾斜角α２に主に影響する要因は、第１金属層２３０及び第２金属層２３３の厚さである。ここで、本発明の実施例に係る図９～図１１に示す第１隔離柱２３の傾斜角α２を図３に示すＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱１２の傾斜角α１よりも小さくするために、本発明の実施例に係る第１金属層２３０及び第３金属層２３６の厚さは、２０００Å～３０００Åであり、例えば、２２００Å、２４００Å、２６００Å、２８００Å、３０００Åなどであってもよい。前記第１金属層２３０の厚さと第３金属層２３６の厚さは、同じであってもよく、又は、異なってもよいが、具体的な状況に応じて決定されることを理解すべきである。
【0072】
ここで、第１隔離柱２３における第２金属層２３３の厚さは、６０００Å～８０００Åであり、例えば、６０００Å、６５００Å、７０００Å、７５００Å、８０００Åなどであってもよい。第２金属層２３３が有機発光材料をより良好に遮断できるようにするために、第２金属層２３３における切欠き２３３ａと第２金属層２３３との厚さの比は、０．５～０．８であり、例えば、０．５、０．６、０．７、０．８などであってもよい。
【0073】
なお、第２金属層２３３がＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造である場合、切欠き２３３ａを製造するために、所定のエッチング液を利用してＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造をエッチングすることができる。前記エッチング液は、Ａｌ層だけに対してエッチング効果を有し、又は、Ａｌ層に対するエッチング速度は、Ｔｉ層に対するエッチング速度よりも大きくすることにより、第２金属層２３３上に切欠き２３３ａを形成することができる。これにより、第２金属層２３３は、蒸着方式により形成されるフィルム層（例えば、有機発光材料３０１や陰極３０２など）を遮断する役割を持つことができる。第２金属層２３３の構造及び材料は、上記のようなものに限定されるものではないが、具体的な状況に応じて決定されることを理解すべきである。
【0074】
一実施例において、第２金属層２３３の断面は、「工字状」をなす。即ち、表示領域２０ａに対向する第２金属層２３３の一側及び開口領域２０ｂに対向する第２金属層２３３の一側には、いずれも開口領域２０ｂを囲む切欠き２３３ａが設けられる。これにより、さらに有機発光材料３０１や陰極３０２などを遮断することができる。
【0075】
また、第１絶縁層２３１の厚さは、１０００Å～１５００Åであり、例えば、１０００Å、１３００Å、１５００Åなどであってもよい。第２絶縁層２３２の厚さは、４０００Å～６０００Åであり、例えば、４０００Å、５０００Å、６０００Åなどであってもよい。第３絶縁層２３４の厚さは、１０００Å～１５００Åであり、例えば、１０００Å、１３００Å、１５００Åなどであってもよい。第４絶縁層２３５の厚さは、３０００Å～５０００Åであり、例えば、３０００Å、４０００Å、５０００Åなどであってもよい。
【0076】
なお、本発明の実施例に係る同一の層に設けられる各構造の厚さは、同じであってもよく、又は、異なってもよい。
【0077】
【0078】
以上まで説明した内容によると、第１電極板２５０と同一の層に設けられる金属層を追加することだけにより傾斜角を形成する隔離柱を、Ｇａｔｅ１隔離柱として定義することができる。第２電極板２５１と同一の層に設けられる金属層を追加することだけにより傾斜角を形成する隔離柱を、Ｇａｔｅ２隔離柱として定義することができる。第１電極板２５０及び第２電極板２５１と同一の層に設けられる金属層を追加することだけにより傾斜角を形成する隔離柱を、Ｇａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱として定義することができる。即ち、本発明の実施例に係る第１隔離柱２３は、Ｇａｔｅ１隔離柱、Ｇａｔｅ２隔離柱又はＧａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱であってもよい。
【0079】
いくつかの実施例において、図５～図８に示すように、表示パネル２は、表示領域２０ａに位置する平坦化層２６及びピクセル定義層２７と、隔離領域２０ｃに位置する第１バリアダム２８及び第２バリアダム２９と、をさらに含むことができる。ここで、平坦化層２６は、薄膜トランジスタ２４を覆い、ピクセル定義層２７は、平坦化層２６上に形成される。即ち、薄膜トランジスタ２４及び蓄積キャパシタ２５の各フィルム層が形成された後、平坦化層２６及びピクセル定義層２７が順次に形成される。前記ピクセル定義層２７は、複数のピクセルユニット３０を定義するためのものである。第１バリアダム２８及び第２バリアダム２９は、いずれも開口領域２０ｂを囲むように設けられる。また、第２バリアダム２９は、開口領域２０ｂに近づく第１バリアダム２８の一側に位置する。ここで、第１バリアダム２８は、ピクセル定義層２７と同一の層に設けられる。第２バリアダム２９は、平坦化層２６と同一の層に設けられる第１隔離部２９０と、ピクセル定義層２７と同一の層に設けられる第２隔離部２９１と、を含む。また、第２バリアダム２９の高さは、第１バリアダム２８の高さよりも大きい。前記第１バリアダム２８及び第２バリアダム２９は、封止フィルムにおける有機封止層３２１の材料の流れを制限することにより、有機封止層３２１の材料が開口領域２０ｂまで流れて封止失効の問題を引き起こすことを回避することができる。
【0080】
本発明の実施例において、第１バリアダム２８又は第２バリアダム２９を単独に設けることができ、そして、第１バリアダム２８及び第２バリアダム２９の数は、１つに限らず、より多く設けてもよいことを理解すべきである。また、第１バリアダム２８及び第２バリアダム２９の構造は、図６～図８に示す構造に限定されるものではないが、具体的な状況に応じて決定される。
【0081】
ここで、平坦化層２６及びピクセル定義層２７は、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂などの有機絶縁材料により製造されることができる。また、表示領域は、図示しない無機保護層（ＰＶＸ）をさらに含むことができる。前記無機保護層は、ベース基板２１から離れるソース・ドレイン電極の一側に形成されるとともに、ベース基板２１に近づく平坦化層２６の一側に位置することができる。即ち、無機保護層は、ソース・ドレイン電極と平坦化層との間に位置することができる。無機保護層は、ソース・ドレイン電極を覆うことにより、ソース・ドレイン電極に対する保護作用を奏する。例えば、無機保護層は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの無機絶縁材料により製造されることができる。隔離領域２０ｃの箇所には、隔離柱を保護するための無機保護層が設けられていないことを理解すべきである。
【0082】
いくつかの実施例において、図５に示すように、表示パネル２は、表示領域２０ａに位置するピクセルユニット３０をさらに含むことができる。前記ピクセルユニット３０は、陽極３００、有機発光材料３０１及び陰極３０２を含むことができる。前記陽極３００は、ピクセル定義層２７よりも先に平坦化層２６上に形成され、且つ、平坦化層２６におけるビアホールを介して薄膜トランジスタ２４のドレイン電極２４６に接続されることができる。陽極３００に対応するピクセル定義層２７における部位には、ピクセル開口が形成されている。前記ピクセル開口により少なくとも一部の陽極３００を露出させる。ピクセル定義層２７が形成された後、全面的に有機発光材料３０１を蒸着することができる。前記有機発光材料３０１は、図６～図８に示すように、第１隔離柱２３の箇所で遮断されることができる。ここで、有機発光材料３０１は、ピクセル開口に位置し、且つ陽極３００に接触する。全面的に有機発光材料３０１を蒸着した後、全面的に陰極３０２の材料を蒸着することもできる。前記陰極３０２の材料は、図６～図８に示すように、第１隔離柱２３の箇所で遮断されることができる。
【0083】
なお、ピクセルユニット３０は、図示しない電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層などの機能層をさらに含むことができる。蒸着方式を利用してこれらの層を表示パネル２に形成する場合、いずれも第１隔離柱２３で遮断されることができる。
【0084】
例えば、陽極３００は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの材料により製造されてもよい。有機発光材料３０１は、低分子有機材料又はポリマー分子有機材料を含むことができ、蛍光発光材料又は燐光発光材料であってもよく、赤色光、緑色光、青色光又は白色光などを発光することができる。陰極３０２は、リチウム（Ｌｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）などの金属材料により製造されることができる。
【0085】
いくつかの実施例において、図６～図８に示すように、表示パネル２は、ベース基板２１上に形成されるとともに、隔離領域２０ｃに位置する第２隔離柱３１をさらに含むことができる。前記第２隔離柱３１は、開口領域２０ｂを囲むように設けられる。図９～図１１に示すように、第２隔離柱３１は、少なくとも、第２金属層２３３と同一の構造を有するとともに、第２金属層２３３と同一の層に設けられる第４金属層３１０を含む。ここで、第１バリアダム２８及び第２バリアダム２９は、第１隔離柱２３と第２隔離柱３１との間に位置する。即ち、第１隔離柱２３及び第２隔離柱３１のうちの一方は、表示領域２０ａに近づく第１バリアダム２８の一側に位置し、他方は、開口領域２０ｂに近づく第２バリアダム２９の一側に位置する。
【0086】
ここで、表示領域２０ａに近づく第１バリアダム２８の一側に位置する隔離柱を、内隔離柱として定義し、開口領域２０ｂに近づく第２バリアダム２９の一側に位置する隔離柱を、外隔離柱として定義することができる。即ち、第１隔離柱２３及び第２隔離柱３１のうちの一方を内隔離柱として定義し、他方を外隔離柱として定義することができる。
【0087】
ここで、図６～図８において、第１隔離柱２３が内隔離柱であり、第２隔離柱３１が外隔離柱である場合のみを示したが、本発明の実施例は、これに限定されなく、第１隔離柱２３が外隔離柱であり、第２隔離柱３１が内隔離柱であってもよい。
【0088】
また、本発明の実施例に係る第１隔離柱２３は、複数が設けられてもよく、及び／又は、第２隔離柱３１は、複数が設けられてもよい。即ち、内隔離柱及び外隔離柱は、いずれも複数が設けられてもよい。なお、図６～図８に示すように、複数の内隔離柱の構造は、同じであってもよいが、これに限定されなく、異なってもよい。図６～図８に示すように、複数の外隔離柱の構造は、同じであってもよいが、これに限定されなく、異なってもよい。
【0089】
本発明の実施例において、内隔離柱及び外隔離柱を設けることにより有機発光材料３０１をさらに遮断することができる。これにより、水及び酸素ガスの侵入をさらに隔離し、表示効果を確保することができる。
【0090】
いくつかの実施例において、第２隔離柱３１は、Ｇａｔｅ１隔離柱、Ｇａｔｅ２隔離柱、Ｇａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱又はＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱のなかのいずれか１つであってもよい。
【0091】
具体的に、図６及び図９に示すように、第２隔離柱３１は、Ｇａｔｅ１隔離柱であってもよい。前記第２隔離柱３１は、第４金属層３１０以外に、第１電極板２５０と同一の層に設けられる第５金属層３１１と、第１ゲート絶縁層２４３と同一の層に設けられる第５絶縁層３１２と、層間誘電体層２４４と同一の層に設けられる第６絶縁層３１３と、をさらに含むことができる。ここで、第６絶縁層３１３は、第３部分３１３ａと、第４部分３１３ｂと、第３部分３１３ａと第４部分３１３ｂを接続させる第２傾斜部分３１３ｃと、を含む。第２傾斜部分３１３ｃの傾斜角は、第１傾斜部分２３２ｃの傾斜角と同じである。また、第４金属層３１０は、ベース基板２１から離れる第４部分３１３ｂの一側に位置する。選択的に、第２隔離柱３１は、第２ゲート絶縁層２４１と同一の層に設けられる第７絶縁層３１４と、バッファ層２２と同一の層に設けられる第８絶縁層３１５と、をさらに含むことができる。
【0092】
図７及び図１０に示すように、第２隔離柱３１は、Ｇａｔｅ２隔離柱であってもよい。前記第２隔離柱３１は、第４金属層３１０以外に、第２電極板２５１と同一の層に設けられる第５金属層３１１と、第１ゲート絶縁層２４３と同一の層に設けられる第５絶縁層３１２と、層間誘電体層２４４と同一の層に設けられる第６絶縁層３１３と、をさらに含むことができる。ここで、第６絶縁層３１３は、第３部分３１３ａと、第４部分３１３ｂと、第３部分３１３ａと第４部分３１３ｂを接続させる第２傾斜部分３１３ｃと、を含む。第２傾斜部分３１３ｃの傾斜角は、第１傾斜部分２３２ｃの傾斜角と同じである。また、第４金属層３１０は、ベース基板２１から離れる第４部分３１３ｂの一側に位置する。選択的に、第２隔離柱３１は、第２ゲート絶縁層２４１と同一の層に設けられる第７絶縁層３１４と、バッファ層２２と同一の層に設けられる第８絶縁層３１５と、をさらに含むことができる。
【0093】
図８及び図１１に示すように、第２隔離柱３１は、Ｇａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱であってもよい。前記第２隔離柱３１は、第４金属層３１０以外に、第１電極板２５０と同一の層に設けられる第５金属層３１１と、第１ゲート絶縁層２４３と同一の層に設けられる第５絶縁層３１２と、第２電極板２５１と同一の層に設けられる第６金属層３１６と、層間誘電体層２４４と同一の層に設けられる第６絶縁層３１３と、をさらに含むことができる。ここで、第６絶縁層３１３は、第３部分３１３ａと、第４部分３１３ｂと、第３部分３１３ａと第４部分３１３ｂを接続させる第２傾斜部分３１３ｃと、を含む。第２傾斜部分３１３ｃの傾斜角は、第１傾斜部分２３２ｃの傾斜角と同じである。また、第４金属層３１０は、ベース基板２１から離れる第４部分３１３ｂの一側に位置する。選択的に、第２隔離柱３１は、第２ゲート絶縁層２４１と同一の層に設けられる第７絶縁層３１４と、バッファ層２２と同一の層に設けられる第８絶縁層３１５と、をさらに含むことができる。
【0094】
第２隔離柱３１は、ベース基板２１に近づく第４金属層３１０の一側に位置する絶縁積層をさらに含む。前記絶縁積層は、バッファ層２２、第２ゲート絶縁層２４１、第１ゲート絶縁層２４３及び層間誘電体層２４４と同一の層に設けられる。また、前記絶縁積層は、バッファ層２２、第２ゲート絶縁層２４１、第１ゲート絶縁層２４３及び層間誘電体層２４４と互いに分離する。ここで、絶縁積層は、傾斜角が５０°～７０°である傾斜面を有する。前記第２隔離柱３１は、図２及び図３に示すＥＢＡ／ＥＢＢ隔離柱であってもよい。
【0095】
いくつかの実施例において、第１隔離柱２３がＧａｔｅ１隔離柱、Ｇａｔｅ２隔離柱、Ｇａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱のうちの少なくとも１つに設計され、第２隔離柱３１がＧａｔｅ１隔離柱、Ｇａｔｅ２隔離柱、Ｇａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱のうちの少なくとも１つに設計されることにより、隔離柱の傾斜部でクラックが発生することを防止するとともに、開口領域２０ｂのエッジでクラックが表示領域２０ａ内に延びることを防止することができるので、さらに封止効果を確保することができる。
【0096】
前述した内容によると、第２隔離柱３１及び第１隔離柱２３の構造は、同じであってもよく、又は、異なってもよいが、具体的な状況に応じて決定される。ここで、図６～図８において第１隔離柱２３及び第２隔離柱３１の構造が同じである場合のみを示したが、本発明の実施例は、これに限定されない。
【0097】
また、第１隔離柱２３がＧａｔｅ１隔離柱、Ｇａｔｅ２隔離柱、Ｇａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱のうちの少なくとも１つであり、第２隔離柱３１がＧａｔｅ１隔離柱、Ｇａｔｅ２隔離柱、Ｇａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱のうちの少なくとも１つである場合、第１絶縁層２３１及び第５絶縁層３１２は、第１ゲート絶縁層２４３に接続されることができ、第２絶縁層２３２及び第６絶縁層３１３は、層間誘電体層２４４に接続されることができ、第３絶縁層２３４及び第７絶縁層３１４は、第２ゲート絶縁層２４１に接続されることができ、第４絶縁層２３５及び第８絶縁層３１５は、バッファ層２２に接続されることができる。
【0098】
具体的に、本発明の実施例に係る表示パネル２における内隔離柱と外隔離柱の組み合わせ方式は、以下の表１を参照することができる。
【表1】
【0099】
なお、本発明の実施例に係る内隔離柱及び外隔離柱は、上記の組み合わせに限定されない。例えば、複数の内隔離柱が設けられてもよく、且つ、それぞれの構造が異なってもよい。表示パネル２における隔離領域２０ｃに少なくとも１つのＧａｔｅ１隔離柱、Ｇａｔｅ２隔離柱又はＧａｔｅ１＋Ｇａｔｅ２隔離柱が存在することを確保できればよい。
【0100】
いくつかの実施例において、図６～図８に示すように、表示パネル２は、封止フィルム３２をさらに含むことができる。前記封止フィルム３２は、少なくとも第１無機封止層３２０を含む。前記第１無機封止層３２０は、表示領域２０ａ及び隔離領域２０ｃに位置するとともに、駆動回路層及び第１隔離柱２３を覆う。前記第１無機封止層３２０は、第１隔離柱２３の傾斜部で平坦であるが、急峻ではないので、傾斜部でクラックが発生することを防止することに寄与することができる。第１無機封止層３２０は、表示領域２０ａ及び隔離領域２０ｃ全体の構造を覆うことにより、表示パネル２の封止効果を向上させることができることを理解すべきである。
【0101】
選択的に、図６～図８に示すように、封止フィルム３２は、第２無機封止層３２２と、第１無機封止層３２０と第２無機封止層３２２との間に位置する有機封止層３２１と、をさらに含むことができる。ここで、有機封止層３２１は、表示領域２０ａ及び隔離領域２０ｃに位置するとともに、表示領域２０ａに近づく第１バリアダム２８の一側で遮断されることができる。第２無機封止層３２２は、表示領域２０ａ及び隔離領域２０ｃの全体を覆うことができる。
【0102】
ここで、第１無機封止層３２０及び第２無機封止層３２２は、水や酸素が表示側及び開口領域２０ｂから表示領域２０ａに侵入することを防止するためのものである。第１無機封止層３２０及び第２無機封止層３２２は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの無機絶縁材料により製造されることができる。有機封止層３２１は、平坦化の役割を果たすためのものであり、第２無機封止層３２２の製造に寄与することができる。前記有機封止層３２１は、アクリル系ポリマー、シリコン系ポリマーなどの材料により製造されることができる。
【0103】
また、第１無機封止層３２０及び第２無機封止層３２２は、化学気相成長プロセスにより製造されることができるが、これに限定されない。有機封止層３２１は、インクジェット印刷プロセスにより製造されることができるが、これに限定されなく、スプレーコーティングプロセスなどを使用することもできる。有機封止層３２１を製造する過程において、有機封止材料は、一定の流動性を有するので、第１バリアダム２８及び第２バリアダム２９を設けることにより有機封止材料の流れを制限する。これにより、有機封止材料が開口領域２０ｂまで流れて封止失効の問題を引き起こすことを回避することができる。
【0104】
なお、本発明の実施例に係る表示パネル２における開口領域２０ｂは、開口処理を行う後、カメラ、センサ、ＨＯＭＥキー、受話器又はスピーカなどの素子を組み立てるためのものである。なお、本発明の実施例に係る表示パネル２は、その開口領域２０ｂが開口処理されていなくてもよく、カメラなどの素子を組み立てる前に開口処理を行えばよい。また、本発明の実施例に係る表示パネル２は、図４に示すように、開口領域２０ｂが既に開口処理されたという構成としてもよい。この場合、後で前記表示パネル２をそのまま組み立てることができる。
【0105】
本発明の一実施例は、上記の実施例に記載された表示パネル２を含むことができる表示装置をさらに提供する。表示パネル２の開口領域２０ｂに対して開口処理を行う。また、表示装置は、開口領域２０ｂに取り付けられるカメラ、センサ、ＨＯＭＥキー、受話器又はスピーカなどの機能素子をさらに含むことができる。
【0106】
本発明の実施例によれば、前記表示装置の具体的な種類は特に限定されない。本発明が属する技術分野において通常に利用する表示装置の種類であってもよい。具体的に、例えば、ＡＭＯＬＥＤ表示スクリーン、携帯電話、ノートパソコンなどの移動装置、腕時計などのウェアラブルデバイス、ＶＲ装置、デジタルカメラ、ナビゲータなどの表示機能を有する任意の製品又は部品である。当業者は、当該表示装置の具体的な用途に応じて適宜選択することができるが、ここでは、それに対する詳細な説明を省略する。
【0107】
なお、前記表示装置は、表示パネル２及びカメラ、センサ、ＨＯＭＥキー、受話器又はスピーカなどの素子以外に、他の必要な部品及び構成をさらに含む。ディスプレイを一例とすると、具体的に、例えばハウジング、電源ライン、駆動チップなどが挙げられる。当業者は、当該表示装置の具体的な使用要求に応じて適宜補充することができるが、ここでは、それに対する詳細な説明を省略する。
【0108】
本発明の実施例は、表示パネルの製造方法を提供し、前記製造方法により上記の実施例に記載される表示パネル２を製造することができる。ここで、前記表示パネルの製造方法は、ベース基板を用意するステップと、前記ベース基板上に駆動回路層及び第１隔離柱を形成するステップと、を含む。ここで、前記駆動回路層は、表示領域に位置する薄膜トランジスタ及び蓄積キャパシタを含む。前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ベース基板から離れるゲート電極の一側に形成される第１ゲート絶縁層と、ベース基板から離れる第１ゲート絶縁層の一側に形成される層間誘電体層と、ベース基板から離れる層間誘電体層の一側に形成されるソース・ドレイン電極と、を含む。前記蓄積キャパシタは、ゲート電極と同一の層に設けられる第１電極板と、第１ゲート絶縁層と層間誘電体層との間に位置する第２電極板と、を含む。前記第１隔離柱は、開口領域を囲むように設けられる。また、前記第１隔離柱は、第１金属層と、ベース基板から離れる第１金属層の一側に形成される第１絶縁層と、ベース基板から離れる第１絶縁層の一側に形成される第２絶縁層と、ベース基板から離れる第２絶縁層の一側に形成される第２金属層と、を含む。第１金属層は、第１電極板又は第２電極板と同一の層に設けられる。前記第１絶縁層は、第１ゲート絶縁層と同一の層に設けられる。前記第２絶縁層は、層間誘電体層と同一の層に設けられ、且つ、第１部分と、第２部分と、第１部分と前記第２部分を接続させる第１傾斜部分と、を含む。第１傾斜部分の傾斜角は、９０°未満である。第２金属層は、ソース・ドレイン電極と同一の層に設けられるとともに、ベース基板から離れる第２部分の一側に位置する。また、表示領域に対向する第２金属層の一側及び／又は開口領域に対向する第２金属層の一側には、開口領域を囲む切欠きが設けられる。
【0109】
本発明の実施例に係る上記の製造方法は、本発明の実施例に係る表示パネル２と同様の特徴及び利点を有すべきであるので、本発明の実施例に係る上記の製造方法の特徴及び利点は、上記で説明した表示パネル２の特徴及び利点を参照することができるが、ここでは、それに対する詳細な説明を省略することを理解すべきである。
【0110】
【0111】
例えば、積層などの方法を利用して、ベース基板２１上に第１無機絶縁材料層を形成する。前記第１無機絶縁材料層は、全面的にベース基板２１形成される。また、当該第１無機絶縁材料層は、表示領域２０ａに位置するバッファ層２２と、隔離領域２０ｃに位置する第１隔離柱２３の第４絶縁層２３５及び第２隔離柱３１の第８絶縁層３１５と、を分割することができる。
【0112】
第１無機絶縁材料層が形成された後、パターニングプロセスにより表示領域２０ａに薄膜トランジスタ２４の半導体層２４０を形成する。その後、積層などの方法により第２無機絶縁材料層を形成する。前記第２無機絶縁材料層は、全面的にベース基板２１形成される。また、表示領域２０ａに位置する第２ゲート絶縁層２４１と、隔離領域２０ｃに位置する第１隔離柱２３の第３絶縁層２３４及び第２隔離柱３１の第７絶縁層３１４と、を分割することができる。
【0113】
第２無機絶縁材料層が形成された後、第２無機絶縁材料層に一層の金属フィルムを積層する。その後、パターニングプロセスにより当該金属フィルムを処理することにより、表示領域２０ａに薄膜トランジスタ２４のゲート電極２４２及び蓄積キャパシタ２５の第１電極板２５０を形成するとともに、隔離領域２０ｃに第１隔離柱２３の第１金属層２３０及び第２隔離柱３１の第５金属層３１１を形成する。例えば、前記パターニングプロセスは、露光、現像及びドライエッチングを含む。その後、積層などの方法により第３無機絶縁材料層を形成することができる。前記第３無機絶縁材料層は、全面的にベース基板２１形成され、また、表示領域２０ａに位置する第１ゲート絶縁層２４３と、隔離領域２０ｃに位置する第１隔離柱２３の第１絶縁層２３１及び第２隔離柱３１の第５絶縁層３１２と、を分割することができる。
【0114】
第３無機絶縁材料層が形成された後、第３無機絶縁材料層に一層の金属フィルムを積層する。その後、パターニングプロセスにより当該金属フィルムを処理することにより、表示領域２０ａに蓄積キャパシタ２５の第２電極板２５１を形成するとともに、隔離領域２０ｃに第１隔離柱２３の第３金属層２３６及び第２隔離柱３１の第６金属層３１６を形成する。例えば、前記パターニングプロセスは、露光、現像及びドライエッチングを含む。その後、積層などの方法により第４無機絶縁材料層を形成することができる。前記第４無機絶縁材料層は、全面的にベース基板２１形成され、また、表示領域２０ａに位置する層間誘電体層２４４と、隔離領域２０ｃに位置する第１隔離柱２３の第２絶縁層２３２及び第２隔離柱３１の第６絶縁層３１３と、を分割することができる。
【0115】
第４無機絶縁材料層が形成された後、パターニングプロセスにより層間誘電体層２４４及び第１ゲート絶縁層２４３を処理することにより、半導体層２４０のビアホールを露出させる。その後、パターニングプロセスによって、表示領域２０ａに薄膜トランジスタ２４のソース電極２４５及びドレイン電極２４６を形成するとともに、隔離領域２０ｃに第１隔離柱２３の第２金属層２３３及び第２隔離柱３１の第４金属層３１０を形成する。前記ソース電極２４５及びドレイン電極２４６は、層間誘電体層２４４及び第１ゲート絶縁層２４３におけるビアホールを介して半導体層２４０の両端にそれぞれ接続される。例えば、一実施例において、積層、スパッタ又は蒸着などを利用して、チタン材料層、アルミニウム材料層及びチタン材料層を順次に形成し、その後同一回のパターニングプロセスにより３つの材料層をパターニングすることで、ソース電極２４５及びドレイン電極２４６を構成するチタン／アルミニウム／チタンの３層金属構造を形成するとともに、側面が面一となる初期の第２金属層２３３及び初期の第４金属層３１０を形成する。その後、１回のエッチングプロセスにより側面が面一となる初期の第２金属層２３３及び初期の第４金属層３１０をエッチングすることにより、側面に切欠き２３３ａを有する第２金属層２３３及び第４金属層３１０を形成する。
【0116】
表示領域２０ａに位置する薄膜トランジスタ２４、蓄積キャパシタ２５及び隔離領域２０ｃに位置する第１隔離柱２３、第２隔離柱３１の各フィルム層構造が形成された後、パターニングプロセスにより表示領域２０ａに位置する平坦化層２６及び隔離領域２０ｃに位置する第２バリアダム２９の第１隔離部を同時に形成することができる。その後、パターニングプロセスにより平坦化層２６を処理することにより、薄膜トランジスタ２４のドレイン電極２４６を露出させるためのビアホールを形成する。その後、パターニングプロセスによりピクセルユニット３０の陽極３００を形成し、前記陽極３００は、平坦化層２６におけるビアホールを介して薄膜トランジスタ２４のドレイン電極２４６に接続される。
【0117】
陽極３００が形成された後、パターニングプロセスにより表示領域２０ａに位置するピクセル定義層２７及び隔離領域２０ｃに位置する第１バリアダム２８及び第２バリアダム２９の第２隔離部を同時に形成する。前記ピクセル定義層２７は、陽極３００を露出させるためのピクセル開口を有する。その後、有機発光材料３０１を全面的に蒸着することにより、ピクセル開口に位置し且つ陽極３００に接触される有機発光材料３０１を形成する。前記有機発光材料３０１が第１隔離柱２３及び第２隔離柱３１において遮断されることを理解すべきである。
【0118】
有機発光材料３０１が全面的に蒸着された後、陰極３０２の材料を全面的に蒸着することにより、表示領域２０ａに位置する陰極３０２を形成することができる。前記陰極３０２は、有機発光材料３０１に接触する。前記陰極３０２の材料が第１隔離柱２３及び第２隔離柱３１において遮断されることを理解すべきである。
【0119】
陰極３０２の材料が全面的に蒸着された後、化学気相成長方式を利用して、表示領域２０ａ及び隔離領域２０ｃに位置する封止フィルム３２の第１無機封止層３２０を積層する。その後、インクジェット印刷方式を利用して、表示領域２０ａ及び隔離領域２０ｃに位置する封止フィルム３２の有機封止層３２１を形成する。前記有機封止層３２１は、第１バリアダム２８において遮断される。その後、化学気相成長方式を利用して、表示領域２０ａ及び隔離領域２０ｃに位置する封止フィルム３２の第２無機封止層３２２を積層する。前記第１無機封止層３２０及び第２無機封止層３２２は、表示領域２０ａ及び隔離領域２０ｃにおける各構造を覆う。
【0120】
なお、本発明の実施例に係る表示パネル２の製造方法は、上記の形態に限定されない。具体的に、必要な表示パネル２の構造に応じて、上記の製造方法を調整することができる。
【0121】
また、前記製造方法により製造された表示パネル２の具体的な構造は、上記の実施例に記載される表示パネル２を参照することができるが、ここでは、表示パネル２の具体的な構造を詳細に説明しない。
【0122】
なお、表示領域２０ａが形成された後、レーザ切断又は機械式プレスによりベース基板２１を貫通する開口領域２０ｂを形成することができる。前記開口領域２０ｂには、カメラ、センサ、ＨＯＭＥキー、受話器又はスピーカなどの素子が組み立てられることができる。
【0123】
当業者は、明細書に対する理解、及び明細書に記載された発明に対する実施を介して、本発明の他の実施例を容易に取得することができる。本願は、本発明に対する任意の変形、用途、又は適応的な変更を含み、このような変形、用途、又は適応的な変更は、本発明の一般的な原理に従い、本発明では開示していない本技術分野の公知知識、又は通常の技術手段を含む。明細書及び実施例は、単に例示的なものであって、本発明の本当の範囲と主旨は、特許請求の範囲によって示される。
【符号の説明】
【0124】
１０ 表示領域
１１ 開口領域
１２ 隔離柱
１２０ ＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層
１２１ ＳＤ金属層
１３ 隔離溝
１４ ベース
１５ 有機発光材料
１６ 陰極層
１７ 無機封止層
２ 表示パネル
２０ａ 表示領域
２０ｂ 開口領域
２０ｃ 隔離領域
２１ ベース基板
２２ バッファ層
２３ 第１隔離柱
２３０ 第１金属層
２３１ 第１絶縁層
２３２ 第２絶縁層
２３２ａ 第１部分
２３２ｂ 第２部分
２３２ｃ 第１傾斜部分
２３３ 第２金属層
２３３ａ 切欠き
２３４ 第３絶縁層
２３５ 第４絶縁層
２３６ 第３金属層
２４ 薄膜トランジスタ
２４０ 半導体層
２４１ 第２ゲート絶縁層
２４２ ゲート電極
２４３ 第１ゲート絶縁層
２４４ 層間誘電体層
２４５ ソース電極
２４６ ドレイン電極
２５ 蓄積キャパシタ
２５０ 第１電極板
２５１ 第２電極板
２６ 平坦化層
２７ ピクセル定義層
２８ 第１バリアダム
２９ 第２バリアダム
２９０ 第１隔離部
２９１ 第２隔離部
３０ ピクセルユニット
３００ 陽極
３０１ 有機発光材料
３０２ 陰極
３１ 第２隔離柱
３１０ 第４金属層
３１１ 第５金属層
３１２ 第５絶縁層
３１３ 第６絶縁層
３１３ａ 第３部分
３１３ｂ 第４部分
３１３ｃ 第２傾斜部分
３１４ 第７絶縁層
３１５ 第８絶縁層
３１６ 第６金属層
３２ 封止フィルム
３２０ 第１無機封止層
３２１ 有機封止層
３２２ 第２無機封止層
１１ 開口領域
１２ 隔離柱
１２０ ＩＬＤ＋ＧＩ＋バッファ層
１２１ ＳＤ金属層
１３ 隔離溝
１４ ベース
１５ 有機発光材料
１６ 陰極層
１７ 無機封止層
２ 表示パネル
２０ａ 表示領域
２０ｂ 開口領域
２０ｃ 隔離領域
２１ ベース基板
２２ バッファ層
２３ 第１隔離柱
２３０ 第１金属層
２３１ 第１絶縁層
２３２ 第２絶縁層
２３２ａ 第１部分
２３２ｂ 第２部分
２３２ｃ 第１傾斜部分
２３３ 第２金属層
２３３ａ 切欠き
２３４ 第３絶縁層
２３５ 第４絶縁層
２３６ 第３金属層
２４ 薄膜トランジスタ
２４０ 半導体層
２４１ 第２ゲート絶縁層
２４２ ゲート電極
２４３ 第１ゲート絶縁層
２４４ 層間誘電体層
２４５ ソース電極
２４６ ドレイン電極
２５ 蓄積キャパシタ
２５０ 第１電極板
２５１ 第２電極板
２６ 平坦化層
２７ ピクセル定義層
２８ 第１バリアダム
２９ 第２バリアダム
２９０ 第１隔離部
２９１ 第２隔離部
３０ ピクセルユニット
３００ 陽極
３０１ 有機発光材料
３０２ 陰極
３１ 第２隔離柱
３１０ 第４金属層
３１１ 第５金属層
３１２ 第５絶縁層
３１３ 第６絶縁層
３１３ａ 第３部分
３１３ｂ 第４部分
３１３ｃ 第２傾斜部分
３１４ 第７絶縁層
３１５ 第８絶縁層
３１６ 第６金属層
３２ 封止フィルム
３２０ 第１無機封止層
３２１ 有機封止層
３２２ 第２無機封止層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】