(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-02
(45)【発行日】2024-09-10
(54)【発明の名称】ミスト発生装置及びそれを備える水回り機器
(51)【国際特許分類】
A61H 33/06 20060101AFI20240903BHJP
A47K 3/00 20060101ALI20240903BHJP
A47K 1/00 20060101ALI20240903BHJP
E03C 1/044 20060101ALI20240903BHJP
E03C 1/20 20060101ALI20240903BHJP
E03C 1/18 20060101ALI20240903BHJP
A47K 4/00 20060101ALI20240903BHJP
B05B 17/06 20060101ALI20240903BHJP
F24F 6/00 20060101ALI20240903BHJP
A47L 15/00 20060101ALI20240903BHJP
【ＦＩ】
A61H33/06 Q
A61H33/06 N
A47K3/00 Z
A47K1/00 J
E03C1/044
E03C1/20 Z
E03C1/18
A47K4/00
B05B17/06
F24F6/00 Z
A47L15/00 D
【請求項の数】
11
(21)【出願番号】P 2020062113
(22)【出願日】2020-03-31
(65)【公開番号】P2021162194
(43)【公開日】2021-10-11
【審査請求日】2023-01-20
(73)【特許権者】
【識別番号】000010087
【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100088694
【弁理士】
【氏名又は名称】弟子丸 健
(74)【代理人】
【氏名又は名称】松下 満
(74)【代理人】
【識別番号】100098475
【弁理士】
【氏名又は名称】倉澤 伊知郎
(74)【代理人】
【識別番号】100130937
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100159846
【弁理士】
【氏名又は名称】藤木 尚
(72)【発明者】
【氏名】川瀬 元太
(72)【発明者】
【氏名】戸崎 正道
(72)【発明者】
【氏名】碇 洋平
(72)【発明者】
【氏名】八板 遼平
(72)【発明者】
【氏名】奥野 祐一
(72)【発明者】
【氏名】三尾 俊平
(72)【発明者】
【氏名】牧 愛子
【審査官】松江 雅人
(56)【参考文献】
【文献】特開２００７－０６８５８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２００５３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０６７８３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－０１８０６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－３３４２２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１７６４２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１７３５４０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ａ６１Ｈ ３３／００－３７／００
Ｆ２４Ｆ ６／００－６／１８
Ａ４７Ｋ １／００－４／００
Ｅ０３Ｃ １／００－１／３３
Ｂ０５Ｂ １７／００－１７／０８
Ａ４７Ｌ １５／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
水回り機器に用いられるミスト発生装置であって、加熱され水温を制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを加熱することで温度制御されたミストを生成するミスト生成部と、
上記水回り機器が使用される室内に向けて上方が開放された滞留空間を形成する滞留部内に、上記ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部と、を備え、
上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記ミスト供給部から上記滞留空間に供給されたミストの温度が、ミストの供給開始前の上記水回り機器が使用される室内の温度と同じ温度、又は室内の温度よりも高い温度になるように構成され、
上記滞留空間は、上記ミスト供給部よりも下方に位置する空間を含み、
上記ミスト供給部から供給されたミストは、上記ミスト供給部から供給されたミストの自重により落下しながら上記滞留空間内に滞留されるように構成され、
上記ミスト生成部は、６０℃以上に加熱された水を温度制御すると共に温度制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱すると共に加熱されたミストを温度制御する、ミスト発生装置。
【請求項2】
上記滞留空間は、浴槽本体の内側の空間、浴室の洗い場床上の空間、シャワールームの下部の空間、洗面室の洗面本体の内側の空間、又はキッチンシンク本体の内側の空間である、請求項１に記載のミスト発生装置。
【請求項3】
上記ミスト供給部から供給されたミストは、上記滞留空間の下部におけるミストの密度が、上記滞留空間の上部におけるミストの密度よりも高くなるように滞留される、請求項１又は２に記載のミスト発生装置。
【請求項4】
上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記温度差によって生じる上昇気流のミストを上昇させようとする力が上記ミスト供給部から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないような、上記温度差を生じるように構成される、請求項１乃至３の何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項5】
上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記温度差が、１００℃以下且つ上記ミスト供給部から供給されたミストの温度が１００℃以下とされるように構成される、請求項１乃至４の何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項6】
上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記温度差が、６０℃以下且つ上記ミスト供給部から供給されたミストの温度が１００℃以下とされるように構成される、請求項１乃至５の何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項7】
上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記温度差が、４５℃以下且つ上記ミスト供給部から供給されたミストの温度が１００℃以下とされるように構成される、請求項１乃至６何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項8】
上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、３．１μｍ以上であると共に、上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、４０μｍ以下である、請求項１乃至７何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項9】
上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、３．６μｍ以上であると共に、上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、２０μｍ以下とされる、請求項１乃至８何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項10】
上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、４．１μｍ以上であり且つ１０μｍ以下とされる、請求項１乃至９何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項11】
水回り機器であって、請求項１乃至１０何れか１項に記載のミスト発生装置と、
上記ミスト発生装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記滞留部と、
を備える水回り機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ミスト発生装置に係り、特に、水回り機器に用いられるミスト発生装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、特許文献１に示すように、汚れを除去するためにミストを発生させるキッチンシンクが知られている。このようなキッチンシンクにおいては、シンク槽や食器等を洗浄するため、シンク槽の上面をスライド天板により封鎖し、ミストを内部の封鎖空間に閉じ込めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００７－１４６４２０号公報
【文献】特開２０１４－０５７９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に示すようなキッチンシンクにおいては、ミストを内部の封鎖空間に充満させるためにスライド天板が設けられることが必要であり、利便性に欠けるという問題があった。
【0005】
これに対し、特許文献２に示すように、超音波霧化ユニットが提案され、上昇気流によって霧が拡散しやすくならないように、霧化槽の水温を上昇させないように制御することが提案されている。
【0006】
しかしながら、このような超音波霧化ユニットを採用しようとすれば、ミストの温度を高めると霧が拡散してしまう問題が生じてしまい、結局、ミストの拡散を防ごうとすれば特許文献１に示すようなスライド天板を設ける必要が生じてしまうという問題がある。
【0007】
そこで、本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、加熱された状態のミストが、上方が開放された滞留空間内に滞留できるミスト発生装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態は、水回り機器に用いられるミスト発生装置であって、加熱され水温を制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを加熱することで温度制御されたミストを生成するミスト生成部と、上記水回り機器が使用される室内に向けて上方が開放された滞留空間を形成する滞留部内に、上記ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部と、を備え、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記ミスト供給部から上記滞留空間に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の上記水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留されるように構成されることを特徴としている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記ミスト供給部から上記滞留空間に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の上記水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留されるように構成される。よって、加熱された状態のミストが、上方が開放された滞留空間内に滞留できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記ミスト供給部から上記滞留空間に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の上記水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記滞留空間内に滞留されるように構成される。よって、加熱された状態のミストが、上方が開放された滞留空間内に滞留できる。
【0009】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記温度差によって生じる上昇気流のミストを上昇させようとする力が上記ミスト供給部から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないような、上記温度差を生じるように構成される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記温度差によって生じる上昇気流のミストを上昇させようとする力が上記ミスト供給部から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないようにでき、ミストが上昇気流により滞留空間から拡散することを抑制することができる。よって、加熱された状態のミストが滞留空間内により確実に滞留できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記温度差によって生じる上昇気流のミストを上昇させようとする力が上記ミスト供給部から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないようにでき、ミストが上昇気流により滞留空間から拡散することを抑制することができる。よって、加熱された状態のミストが滞留空間内により確実に滞留できる。
【0010】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記温度差が、１００℃以下且つ上記ミスト供給部から供給されたミストの温度が１００℃以下とされるように構成される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、温度差が１００℃以下且つミストの温度が１００℃以下とされる。これにより、滞留部の洗浄にミストを使用する時に、ミストの洗浄性を向上できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、温度差が１００℃以下且つミストの温度が１００℃以下とされる。これにより、滞留部の洗浄にミストを使用する時に、ミストの洗浄性を向上できる。
【0011】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記温度差が、６０℃以下且つ上記ミスト供給部から供給されたミストの温度が１００℃以下 とされるように構成される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、温度差が、６０℃以下とされることにより、水回り機器の使用者がミストにより火傷する可能性を低減することができる。さらに、例えば、水回り機器の滞留部の洗浄にミストを使用する時に、火傷する可能性を低減しつつもミストの洗浄性を向上できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、温度差が、６０℃以下とされることにより、水回り機器の使用者がミストにより火傷する可能性を低減することができる。さらに、例えば、水回り機器の滞留部の洗浄にミストを使用する時に、火傷する可能性を低減しつつもミストの洗浄性を向上できる。
【0012】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記温度差が、４５℃以下且つ上記ミスト供給部から供給されたミストの温度が１００℃以下 とされるように構成される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、水回り機器の使用者がミストにより火傷する可能性をより低減することができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、水回り機器の使用者がミストにより火傷する可能性をより低減することができる。
【0013】
本発明において、好ましくは、上記ミスト生成部は、６０℃以上に加熱された水を温度制御すると共に温度制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱すると共に加熱されたミストを温度制御する。
このように構成された本発明の一実施形態においては、水又はミストを６０℃以上に加熱することにより、仮に菌が水中に含まれていた場合でも、少なくとも一部の菌(例えばレジオネラ菌)の影響を抑制できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、水又はミストを６０℃以上に加熱することにより、仮に菌が水中に含まれていた場合でも、少なくとも一部の菌(例えばレジオネラ菌)の影響を抑制できる。
【0014】
本発明において、好ましくは、上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター粒径が、３．１μｍ以上であると共に、上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、４０μｍ以下である。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が３．１μｍ以上とされることにより、ミスト供給部から供給されたミストの内、滞留空間内に滞留されずに滞留空間外へ浮遊するミストの割合を減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が４０μｍ以下とされることにより、滞留空間内に滞留されずに滞留空間の底へ比較的早期に落下するミストの割合を減少できる。従って、ミストが滞留空間内に滞留される割合を増加させ、ミストが滞留空間内に効率的に滞留されるようにできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が３．１μｍ以上とされることにより、ミスト供給部から供給されたミストの内、滞留空間内に滞留されずに滞留空間外へ浮遊するミストの割合を減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が４０μｍ以下とされることにより、滞留空間内に滞留されずに滞留空間の底へ比較的早期に落下するミストの割合を減少できる。従って、ミストが滞留空間内に滞留される割合を増加させ、ミストが滞留空間内に効率的に滞留されるようにできる。
【0015】
本発明において、好ましくは、上記ミスト供給部から供給されるミストの２０％タイル値粒径とザウター平均粒径との平均値が、３．６μｍ以上であると共に、上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、２０μｍ以下とされる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が３．６μｍ以上とされることにより、ミスト供給部から供給されたミストの内、滞留空間内に滞留されずに滞留空間外へ浮遊するミストの割合をより減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が２０μｍ以下とされることにより、滞留空間内に滞留されずに滞留空間の底へ比較的早期に落下するミストの割合をより減少できる。従って、ミストが滞留空間内に滞留される割合をより増加させ、ミストが滞留空間内により効率的に滞留されるようにできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が３．６μｍ以上とされることにより、ミスト供給部から供給されたミストの内、滞留空間内に滞留されずに滞留空間外へ浮遊するミストの割合をより減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が２０μｍ以下とされることにより、滞留空間内に滞留されずに滞留空間の底へ比較的早期に落下するミストの割合をより減少できる。従って、ミストが滞留空間内に滞留される割合をより増加させ、ミストが滞留空間内により効率的に滞留されるようにできる。
【0016】
本発明において、好ましくは、上記ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、４．１μｍ以上であり且つ１０μｍ以下とされる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が４．１μｍ以上とされることにより、ミスト供給部から供給されたミストの内、滞留空間内に滞留されずに滞留空間外へ浮遊するミストの割合をさらに減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が１０μｍ以下とされることにより、滞留空間内に滞留されずに滞留空間の底へ比較的早期に落下するミストの割合をさらに減少できる。従って、ミストが滞留空間内に滞留される割合をさらに増加させ、ミストが滞留空間内にさらに効率的に滞留されるようにできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が４．１μｍ以上とされることにより、ミスト供給部から供給されたミストの内、滞留空間内に滞留されずに滞留空間外へ浮遊するミストの割合をさらに減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が１０μｍ以下とされることにより、滞留空間内に滞留されずに滞留空間の底へ比較的早期に落下するミストの割合をさらに減少できる。従って、ミストが滞留空間内に滞留される割合をさらに増加させ、ミストが滞留空間内にさらに効率的に滞留されるようにできる。
【0017】
本発明において、好ましくは、水回り機器であって、上記ミスト発生装置と、上記ミスト発生装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記滞留部と、を備える。
また、本発明の一実施形態は、浴槽装置、洗い場床装置、シャワールーム装置、洗面装置、キッチンシンク装置等の水回り機器であって、本発明の一実施形態のミスト発生装置と、ミスト発生装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記滞留部とを備えることを特徴としている。
また、本発明の一実施形態は、浴槽装置、洗い場床装置、シャワールーム装置、洗面装置、キッチンシンク装置等の水回り機器であって、本発明の一実施形態のミスト発生装置と、ミスト発生装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記滞留部とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【0018】
本発明のミスト発生装置によれば、加熱された状態のミストが、上方が開放された滞留空間内に滞留できる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図である。
【図2】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の構造を説明する断面図である。
【図3】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図4】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図5】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図6】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図7】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図8】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図9】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から滞留空間に供給されたミストの温度を仮想滞留空間において測定する測定装置の上面図である。
【図10】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から滞留空間に供給されたミストの温度を仮想滞留空間において測定する測定装置の正面図である。
【図11】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から滞留空間に供給されたミストの温度を仮想滞留空間において測定する測定装置の側面図である。
【図12】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置から供給されたミストによるミスト雰囲気温度の変化の様子を示す図である。
【図13】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から滞留空間に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差の範囲を示す図である。
【図14】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストの粒径の計測装置の斜視図である。
【図15】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストの粒径の計測装置の上面図である。
【図16】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストの粒径を、粒子径分布測定装置により測定した粒子径分布データの一例を示す図である。
【図17】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストに関し、ミストの温度と室内の温度との温度差と、ミストの粒径との関係を示す図である。
【図18】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストが仮想滞留空間に供給された状態を観察する観察装置の斜視図である。
【図19】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストが仮想滞留空間に供給された状態を、温度差と、ミストの粒径とに応じて比較する図である。
【図20】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストが滞留しているかの判定に関し、透過率の測定装置を示す図である。
【図21】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストによるミスト入浴と、通常の湯船浴との違いを、熱流束と時間経過により示す図である。
【図22】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストによるミスト入浴と、通常の湯船浴とのそれぞれにおいて、１０分入浴後に使用者の皮膚温を測定した結果を示す図である。
【図23】本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた洗い場床装置の斜視図である。
【図24】本発明の第３実施形態によるミスト発生装置を備えたシャワールーム装置の斜視図である。
【図25】本発明の第４実施形態によるミスト発生装置を備えた洗面装置の斜視図である。
【図26】本発明の第５実施形態によるミスト発生装置を備えたキッチンシンク装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
以下では、本明細書に開示する本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。以下の説明から、当業者にとって、本発明の多くの改良や他の実施の形態が明らかである。従って、以下の説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び／又は機能の詳細を実質的に変更することができる。
【0021】
以下、添付図面を参照して本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた水回り機器である浴槽装置について説明する。
図１は本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図であり、図２は本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置を側面から見た側面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の第１実施形態によるミスト発生装置１を備えた水回り機器である浴槽装置２は、浴室３に設けられる。水回り機器は、浴室、浴室の洗い場床、トイレ、洗面所、キッチン等の水を使うための吐水装置が設けられている機器である。ミスト発生装置１は、水回り機器の浴槽、浴室の洗い場床、シャワールーム、手洗いボウル、洗面台ボウル、キッチンシンクに用いられるミスト発生装置である。浴室３は、箱型の空間であり、内部で水を使用するため一定程度密閉された室内空間５を形成している。水には、外気温（常温）より温度の高い水、加熱された水(いわゆる湯)も含む。浴室３内には、ミスト発生装置１を操作する操作部２８が設けられている。操作部２８は、浴槽装置２への水の貯水操作、温度設定等も行うことができる。操作部２８は、供給されるミストの温度を設定できる操作機能、供給されるミストの粒径を設定できる操作機能等を有していてもよい。操作部２８は、浴室３外に設けられてもよく、又は、リモコン等の遠隔操作部でもよい。浴槽装置２には、水の供給を行う供給装置７が設けられている。浴槽装置２は、さらに、ミスト発生装置１の後述するミスト供給部から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６を備えている。
図１は本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図であり、図２は本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置を側面から見た側面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の第１実施形態によるミスト発生装置１を備えた水回り機器である浴槽装置２は、浴室３に設けられる。水回り機器は、浴室、浴室の洗い場床、トイレ、洗面所、キッチン等の水を使うための吐水装置が設けられている機器である。ミスト発生装置１は、水回り機器の浴槽、浴室の洗い場床、シャワールーム、手洗いボウル、洗面台ボウル、キッチンシンクに用いられるミスト発生装置である。浴室３は、箱型の空間であり、内部で水を使用するため一定程度密閉された室内空間５を形成している。水には、外気温（常温）より温度の高い水、加熱された水(いわゆる湯)も含む。浴室３内には、ミスト発生装置１を操作する操作部２８が設けられている。操作部２８は、浴槽装置２への水の貯水操作、温度設定等も行うことができる。操作部２８は、供給されるミストの温度を設定できる操作機能、供給されるミストの粒径を設定できる操作機能等を有していてもよい。操作部２８は、浴室３外に設けられてもよく、又は、リモコン等の遠隔操作部でもよい。浴槽装置２には、水の供給を行う供給装置７が設けられている。浴槽装置２は、さらに、ミスト発生装置１の後述するミスト供給部から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６を備えている。
【0022】
浴槽本体６は、浴槽装置２が使用される室内空間５に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する。浴槽本体６は、浴槽（湯船）であり、内側の滞留空間４内に水が貯水できるようになっている。浴槽本体６は、上面視で長方形に形成され、長方形の長辺側に長辺側部分６ｄが形成され、短辺側に短辺側部分６ｅが形成されている。短辺側部分６ｅは、長辺側部分６ｄに比べて浴槽の幅が短くなっている。
滞留空間４は、浴槽本体６の内側において概ね直方体形状に形成される空間である。図２に示すように使用者Ａが入浴する際には、滞留空間４の下部側に３４℃乃至４５℃の水Ｂが貯水され、使用者Ａが座った状態で入浴することができる。なお、後述するように、図２においては、滞留空間４内の水Ｂの上方にはミストが滞留した状態（ミストの滞留層Ｃが形成されている状態）となっている。滞留空間４は、浴槽本体６の上端部６ａまで形成され、天面側が開口されている。浴槽本体６は、滞留空間４の天面を覆うような蓋を省略した状態で、後述するようにミストが滞留空間４内に滞留されるようになっている。なお、滞留空間４内に水Ｂが貯水されずにミストが滞留されていてもよい。浴槽本体６の形状は実施形態のような箱状に限定されず、滞留空間を形成できる形状であればよい。例えば、浴槽本体６が上面視で円形や楕円形に形成され、内側にボウル状の滞留空間が形成されていてもよい。浴槽本体６の底面は使用者が寝浴姿勢や座り姿勢に近い姿勢をとれるように斜めに形成されていてもよく、底面に段部が形成されていてもよく又は形成されていなくてもよい。浴槽本体６の壁部の頂辺部が、一定の高さで水平に形成されている必要はなく高さが変化するように形成されていてもよい。例えば、浴槽本体６の壁部の頂辺部が、側面視で、斜め上方又は下方に延びる形状、一部が下方に凹む弓状に延びる形状や、略直角を形成するような形状とされてもよい。
滞留空間４は、浴槽本体６の内側において概ね直方体形状に形成される空間である。図２に示すように使用者Ａが入浴する際には、滞留空間４の下部側に３４℃乃至４５℃の水Ｂが貯水され、使用者Ａが座った状態で入浴することができる。なお、後述するように、図２においては、滞留空間４内の水Ｂの上方にはミストが滞留した状態（ミストの滞留層Ｃが形成されている状態）となっている。滞留空間４は、浴槽本体６の上端部６ａまで形成され、天面側が開口されている。浴槽本体６は、滞留空間４の天面を覆うような蓋を省略した状態で、後述するようにミストが滞留空間４内に滞留されるようになっている。なお、滞留空間４内に水Ｂが貯水されずにミストが滞留されていてもよい。浴槽本体６の形状は実施形態のような箱状に限定されず、滞留空間を形成できる形状であればよい。例えば、浴槽本体６が上面視で円形や楕円形に形成され、内側にボウル状の滞留空間が形成されていてもよい。浴槽本体６の底面は使用者が寝浴姿勢や座り姿勢に近い姿勢をとれるように斜めに形成されていてもよく、底面に段部が形成されていてもよく又は形成されていなくてもよい。浴槽本体６の壁部の頂辺部が、一定の高さで水平に形成されている必要はなく高さが変化するように形成されていてもよい。例えば、浴槽本体６の壁部の頂辺部が、側面視で、斜め上方又は下方に延びる形状、一部が下方に凹む弓状に延びる形状や、略直角を形成するような形状とされてもよい。
【0023】
ミスト発生装置１は、水回り機器である浴槽装置２に用いられる。ミスト発生装置１は、ミストを生成するミスト生成部８と、ミストを浴槽本体６内に供給するミスト供給部１０とを備えている。
【0024】
ミスト生成部８は、加熱され水温を制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを加熱することで温度制御されたミストを生成する。ミスト生成部８は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅに配置されている。短辺側部分６ｅの上部には、ミスト生成部８を配置する台状の部分が形成されている。
【0025】
ミスト生成部８は、内部に水を貯溜するタンク１２と、水を給水源からタンク１２に給水する給水路１４と、水をタンク１２から排水管に排水する排水路１６と、タンク１２の内側の底部に設けられた超音波振動子１８と、タンク１２の内側の底部に設けられたヒーター２０と、タンク１２の内側に設けられた水温検知手段である水温計測器２２と、タンク１２の外側に設けられた気温検知手段である室内温度計測器２４と、超音波振動子１８及びヒーター２０を制御する制御部２６と、を備えている。
【0026】
タンク１２は、直方体形状に形成されている。タンク１２の下部の側壁に給水路１４と排水路１６とが接続されている。タンク１２の中央近傍の側壁にミスト供給部１０が接続されている。給水路１４には、給水路１４を開閉する給水路開閉弁３０が設けられている。排水路１６には、排水路１６を開閉する排水路開閉弁３２が設けられている。
【0027】
超音波振動子１８は、タンク１２内の水に超音波を発振して、液面の水を振動させ、液面から水を微粒子状にさせ、所定の粒径のミスト（霧）を生じさせることができる。超音波振動子１８は、制御部２６と電気的に接続され、超音波振動子１８の超音波の発振出力、周波数等を調整することにより、発生させるミストの粒径を変更できるようになっている。超音波振動子１８は、所定の粒径のミストを生じさせる他の装置、例えばスチームによるミスト発生装置、圧力噴霧によるミスト発生装置、アーク放電によるミスト発生装置等に変更されてもよい。また、本実施形態においては、超音波振動子１８は、タンク１２内に１つ設けられているが、タンク１２内に複数設けられていてもよい。
【0028】
制御部２６は、ヒーター２０により、タンク１２内の水を加熱する機能を有すると共にタンク１２内の水の温度を制御する機能を有する。例えば、ヒーター２０は、給水温（例えば２０℃程度の室温）の水温の水を室温以上の６０℃以上まで加熱することができる。また例えば、制御部２６は、ヒーター２０により、一旦６０℃以上に加熱された水を以後、後述する所定の温度差が０℃以上とされるように上昇又は低下させるように温度制御することができる。よって、ミスト生成部８は、６０℃以上に加熱された水を温度制御すると共に温度制御された水からミストを生成する。なお、ミスト生成部８は、給湯器において６０℃以上に加熱された上でミスト生成部８に供給された水からミストを生成してもよい。ミスト生成部８は、タンク１２内の水を室温以上の温度に加熱し、室温以上の温度で上昇気流を生じさせるようなミストを、ミストの粒径等の状態に応じて、ミストの温度を調整しながら滞留しやすいように設定によりコントロールする機能を有する。なお、水を６０℃以上に加熱するので、少なくとも一部の菌（例えばレジオネラ菌）の繁殖を抑制する対策も可能となる。なお、ヒーター２０が水（又はミスト）を一旦６０℃以上に加熱する工程を省略し、この工程の代わりに他の菌抑制手段、例えば、ＵＶ光による除菌手段、除菌剤を添加する菌抑制手段等が設けられてもよい。このとき、ヒーター２０は水（又はミスト）を６０℃未満の温度まで加熱できる。
なお、ヒーター２０は、タンク１２内の水の水位よりも高い位置に設けられ、水から生成されたミストを加熱してもよい。このとき、ヒーター２０は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱することができる。また例えば、制御部２６は、ヒーター２０により、６０℃以上に加熱されたミストを以後後述する所定の温度差が０℃以上とされるようにタンク１２内のミストの温度を上昇又は低下させるように温度制御することができる。このとき、ミスト生成部８は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱すると共に加熱されたミストを温度制御する。
なお、ヒーター２０は、ヒーター２０がタンク１２内の水の水位よりも低い位置に設けられた状態で、水から生成されたミストを加熱してもよい。このとき、タンク１２からタンク１２内の水の水位よりも低い位置に設けられたヒーター２０までミストを通すダクトが設けられ、このダクトを通ってヒーター２０に供給されるミストをヒーター２０が加熱させる。このダクトの下流側はミスト供給部１０又はタンク１２に接続され、ヒーター２０が加熱したミストが再びミスト供給部１０又はタンク１２に戻される。
なお、ヒーター２０は、タンク１２内の水の水位よりも高い位置に設けられ、水から生成されたミストを加熱してもよい。このとき、ヒーター２０は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱することができる。また例えば、制御部２６は、ヒーター２０により、６０℃以上に加熱されたミストを以後後述する所定の温度差が０℃以上とされるようにタンク１２内のミストの温度を上昇又は低下させるように温度制御することができる。このとき、ミスト生成部８は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱すると共に加熱されたミストを温度制御する。
なお、ヒーター２０は、ヒーター２０がタンク１２内の水の水位よりも低い位置に設けられた状態で、水から生成されたミストを加熱してもよい。このとき、タンク１２からタンク１２内の水の水位よりも低い位置に設けられたヒーター２０までミストを通すダクトが設けられ、このダクトを通ってヒーター２０に供給されるミストをヒーター２０が加熱させる。このダクトの下流側はミスト供給部１０又はタンク１２に接続され、ヒーター２０が加熱したミストが再びミスト供給部１０又はタンク１２に戻される。
【0029】
水温計測器２２は、タンク１２内の水の水温を検知する。制御部２６は、水温計測器２２と電気的に接続され、制御部２６がタンク１２内の水の水温を認識できる。
室内温度計測器２４は、浴槽本体６が配置される室内空間５のタンク１２の外側の空気の温度を検知する。制御部２６は、室内温度計測器２４と電気的に接続され、制御部２６が室内空間５の空気の温度を認識できる。なお、ミストの供給開始前（ミスト生成部８が駆動される前）の状態においては、室内空間５の空気の温度と、滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい又は比較的近い温度であると仮定されるので、制御部２６は、室内温度計測器２４が測定した室内空間５の空気の温度を、滞留空間４内の空気の温度と推定できる。
室内温度計測器２４は、浴槽本体６が配置される室内空間５のタンク１２の外側の空気の温度を検知する。制御部２６は、室内温度計測器２４と電気的に接続され、制御部２６が室内空間５の空気の温度を認識できる。なお、ミストの供給開始前（ミスト生成部８が駆動される前）の状態においては、室内空間５の空気の温度と、滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい又は比較的近い温度であると仮定されるので、制御部２６は、室内温度計測器２４が測定した室内空間５の空気の温度を、滞留空間４内の空気の温度と推定できる。
【0030】
制御部２６は、ＣＰＵ及びメモリ等を内蔵し、メモリ等に記録された所定の制御プログラムに基づいてミストの発生を実行するように接続された機器を制御する。制御部２６は、超音波振動子１８、ヒーター２０、水温計測器２２、室内温度計測器２４、操作部２８等と電気的に接続されている。制御部２６は、さらに、給水路１４に設けられた給水路開閉弁３０と、排水路に設けられた排水路開閉弁３２とも電気的に接続され、これらを制御できる。
【0031】
ミスト供給部１０は、ミスト生成部８により生成されたミストを、浴槽が使用される室内に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する滞留部である浴槽本体６内に供給する。ミスト供給部１０は、図２に示す流路の断面により示されるように、ミスト生成部８から滞留空間４の一端の上部まで直線的に延びる流路を形成している。ミスト供給部１０の開口部は、正面から（滞留空間４側から）見て、浴槽本体６の短辺側部分６ｅに沿って横長の長方形に形成されている。開口部は、短辺側部分６ｅのほぼ全体にわたる幅を有するように形成されている。ミスト供給部１０は浴槽本体６内の水の溢れ部６ｃより上方に配置される。本実施形態においては、この溢れ部６ｃは、浴槽本体６の溢れ面６ｂである。変形例として溢れ部６ｃは、浴槽本体６内に設けられたオーバーフロー口でもよい。また、ミスト供給部１０は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅに配置されている。短辺側部分６ｅの上部には、ミスト供給部１０を配置する台状の部分が形成されている。ミスト供給部１０は、体積あたりの供給量を、例えば０．０３ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌ～１．５ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌの範囲にしている。ミスト供給部１０は、例えば、浴槽本体６の体積３３０Ｌの滞留空間４に１１ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。また、例えば、ミスト供給部１０は、温度差や粒径の測定の仮想滞留空間や、他の水回り機器等の体積４．３２Ｌの滞留空間４に６ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。超音波振動子１８の個数、出力、超音波を照射する向き、ミスト生成部８内の水位、又は、ミスト生成部８内やミスト供給部１０内の流路形状等によりミストの供給量が制御できる。
【0032】
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、加温された状態のミストを生成すると共に、ミストの温度を制御し、このミストを滞留空間４内に滞留させやすくする。この内容について説明する。
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが浴槽本体６の滞留空間４内に滞留されるように構成される。また、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミスト供給部１０から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないような、温度差を生じるように構成される。想定される室内空間５の空気の温度範囲に応じてミスト生成部８に供給される水の温度、ヒーター２０による加熱温度、又は超音波振動子１８の周波数を予め設定することで、室内温度計測器２４を用いず（室内温度計測器２４の計測結果に依ることなく）、このようなミスト供給が達成されてもよい。また、供給時の設定の調整によりこのようなミスト供給が達成されてもよい。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差が、好ましくは１００℃以下、より好ましくは６０℃以下、さらに好ましくは４５℃以下とされるように構成される。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、加温された状態のミストを生成すると共に、ミストの粒径を制御し、このミストを滞留空間４内に滞留させやすくする。
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが浴槽本体６の滞留空間４内に滞留されるように構成される。また、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミスト供給部１０から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないような、温度差を生じるように構成される。想定される室内空間５の空気の温度範囲に応じてミスト生成部８に供給される水の温度、ヒーター２０による加熱温度、又は超音波振動子１８の周波数を予め設定することで、室内温度計測器２４を用いず（室内温度計測器２４の計測結果に依ることなく）、このようなミスト供給が達成されてもよい。また、供給時の設定の調整によりこのようなミスト供給が達成されてもよい。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差が、好ましくは１００℃以下、より好ましくは６０℃以下、さらに好ましくは４５℃以下とされるように構成される。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、加温された状態のミストを生成すると共に、ミストの粒径を制御し、このミストを滞留空間４内に滞留させやすくする。
【0033】
次に、図２、図３乃至図８により、上述した本発明の第１実施形態によるミスト発生装置の動作を説明する。
図３乃至図８においては、ミスト発生装置１は、浴槽装置２の浴槽本体６とほぼ一体に見えるように浴槽本体６の上部に組み込まれている。図３乃至図８に示すミスト発生装置１の基本構造は、図２に示すミスト発生装置１の基本構造とほぼ同じであるので、図３乃至図８においても図２と同様の符号を付して説明する。
図３乃至図８においては、ミスト発生装置１は、浴槽装置２の浴槽本体６とほぼ一体に見えるように浴槽本体６の上部に組み込まれている。図３乃至図８に示すミスト発生装置１の基本構造は、図２に示すミスト発生装置１の基本構造とほぼ同じであるので、図３乃至図８においても図２と同様の符号を付して説明する。
【0034】
図２に示すように、ミスト発生装置１の動作の開始前の待機状態において、浴槽本体６の滞留空間４の下半分には約３８℃の水が貯溜された状態となっている。浴室３内の室内空間５の空気の温度と滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい温度となっている。給水路開閉弁３０及び排水路開閉弁３２は閉弁されている。タンク１２内には水が無い状態となっている。超音波振動子１８及びヒーター２０は停止された状態である。
【0035】
使用者が操作部２８を操作しミスト発生装置１のミストの供給制御を開始させる。ミストの供給開始前に、室内温度計測器２４は、室内空間５の空気の温度を測定し、制御部２６は、室内空間５の空気の温度を認識する。制御部２６は、給水路開閉弁３０を開弁し、水を給水路１４からタンク１２内に供給する。排水路開閉弁３２は閉弁されたままである。タンク１２内に予め決められた水量の水が貯溜されると、給水路開閉弁３０は開弁される。次に、制御部２６は、ヒーター２０を作動させ、水を給水された水の水温から６０℃以上まで加熱する。制御部２６は、水が６０℃以上まで加熱された後、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の浴槽装置２が使用される浴室３内の温度との温度差が、０℃以上とされるように、タンク１２内の水の温度をヒーター２０の起動及び停止により調整する。次いで、制御部２６は、超音波振動子１８を作動させ、タンク１２内にミストを生じさせる。
【0036】
図３においては、ミスト供給部１０から滞留空間４内へのミストの供給が開始された直後の状態が示される。
タンク１２内に生じたミストは、ミスト供給部１０から浴槽本体６内の滞留空間４に供給される。ミストは、ミスト供給部１０から自然に溢れ出し、矢印Ｆ１に示すように、ミストの自重により自由落下しながら滞留空間４内に供給される。このように、ミストが下方への移動速度以外の他の方向への移動速度を持つことが抑制されている。従って、ミストが滞留空間４内において、撹拌、拡散、上昇等の移動をしにくくされている。
タンク１２内に生じたミストは、ミスト供給部１０から浴槽本体６内の滞留空間４に供給される。ミストは、ミスト供給部１０から自然に溢れ出し、矢印Ｆ１に示すように、ミストの自重により自由落下しながら滞留空間４内に供給される。このように、ミストが下方への移動速度以外の他の方向への移動速度を持つことが抑制されている。従って、ミストが滞留空間４内において、撹拌、拡散、上昇等の移動をしにくくされている。
【0037】
図４においては、ミストの供給開始から約１０秒経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。供給されたミストは、水Ｂの水面の上方且つ滞留空間４内の低い部分に滞留を開始している。ミストは、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の浴槽装置２が使用される室内空間５の温度との温度差が、０℃以上とされているので、自身の自重に打ち勝つほどの上昇気流をミストの温度により生じさせにくくなっている。よって、ミストは、滞留空間４内の比較的低い部分に滞留する。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。供給されたミストは、水Ｂの水面の上方且つ滞留空間４内の低い部分に滞留を開始している。ミストは、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の浴槽装置２が使用される室内空間５の温度との温度差が、０℃以上とされているので、自身の自重に打ち勝つほどの上昇気流をミストの温度により生じさせにくくなっている。よって、ミストは、滞留空間４内の比較的低い部分に滞留する。
【0038】
図５においては、ミストの供給開始から約３０秒経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、徐々に増加し、ミストが滞留空間４内の徐々に高い部分まで滞留されるようになってきている。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、徐々に増加し、ミストが滞留空間４内の徐々に高い部分まで滞留されるようになってきている。
【0039】
図６においては、ミストの供給開始から約１分経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、徐々に増加し、ミストが滞留空間４内のさらに高い部分まで滞留されるようになってきている。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、徐々に増加し、ミストが滞留空間４内のさらに高い部分まで滞留されるようになってきている。
【0040】
図７においては、ミストの供給開始から約１分３０秒経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、さらに増加し、ミストが滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、さらに増加し、ミストが滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。
【0041】
図８においては、ミストの供給開始から約２分経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。ミストは、主に滞留空間４内において水Ｂの水面より上方且つ滞留空間４内の頂部より下方の領域に滞留している。ミストのうち一部は、水Ｂに落下して吸収され、又は浴槽本体６の壁面に水滴となって付着され、又は浴槽本体６の上端部６ａの縁を超えて流出する。このようにミストのうち一部は消失又は拡散されるものの、主なミストは、滞留空間４内に滞留する。すなわち、ミストは滞留空間４内において緩やかに流動しつつも滞留空間４から拡散するには至らず安定的な滞留層Ｃを形成する。滞留層Ｃは、水Ｂの水面より上方において、一定以上の密度のミストが単位空間内に存在することにより形成される。滞留層は、白い雲状に認識される。滞留層は下部側においてミストの密度が比較的高く、上部側においてミストの密度が比較的低くなるように形成されている。滞留層の存在により、滞留空間４の頂部までミストが満たされているように視認される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。ミストは、主に滞留空間４内において水Ｂの水面より上方且つ滞留空間４内の頂部より下方の領域に滞留している。ミストのうち一部は、水Ｂに落下して吸収され、又は浴槽本体６の壁面に水滴となって付着され、又は浴槽本体６の上端部６ａの縁を超えて流出する。このようにミストのうち一部は消失又は拡散されるものの、主なミストは、滞留空間４内に滞留する。すなわち、ミストは滞留空間４内において緩やかに流動しつつも滞留空間４から拡散するには至らず安定的な滞留層Ｃを形成する。滞留層Ｃは、水Ｂの水面より上方において、一定以上の密度のミストが単位空間内に存在することにより形成される。滞留層は、白い雲状に認識される。滞留層は下部側においてミストの密度が比較的高く、上部側においてミストの密度が比較的低くなるように形成されている。滞留層の存在により、滞留空間４の頂部までミストが満たされているように視認される。
【0042】
滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０）に、上記浴槽本体６の深さＬ１に相当する高さを加えた高さ位置Ｍ１よりも下方に形成される。滞留境界面６６はミストが空気中に一定以上の濃度となっている滞留層Ｃと、ミストが空気中に一定未満の濃度となっている空気層Ｊとの間の境界領域を示している。滞留境界面６６は、ミストが滞留しながらある程度動いているため、上下方向にやや高さを持った領域で規定されると共に、水平方向に広がる領域として規定される。なお、浴槽本体６の溢れ面６ｂは、浴槽本体６の側壁のうち最も高さが低い部分、すなわち水が浴槽本体６の上限まで溜まると最初に溢れ出す部分である。
【0043】
また、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ位置Ｍ０よりも上方に形成されている。さらに、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０）に、１００ｍｍ～２００ｍｍの間の数値を加えた高さ位置（高さ位置Ｍ２～高さ位置Ｍ３）よりも下方に形成されている。滞留境界面６６が浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さよりも高い位置となる場合には、使用者は浴槽を越える位置までのミスト入浴効果、すなわち湯船より高い高さまでの温浴効果を得ることができる。ミスト生成部８を駆動（使用）している間は、ミストが浴槽本体６内に供給されミストの滞留が継続されている。
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、滞留境界面６６の高さ位置が、上述のような所定の高さ位置になるような、ミストの温度と室内の温度との温度差、ミストの粒径、ミストの供給量等を規定するように構成されている。
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、滞留境界面６６の高さ位置が、上述のような所定の高さ位置になるような、ミストの温度と室内の温度との温度差、ミストの粒径、ミストの供給量等を規定するように構成されている。
【0044】
次に、図９乃至図１１を参照して、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度、及びミストの供給開始前の浴槽装置２が使用される室内の温度のそれぞれの計測方法について説明する。
ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度は、想定される水回り機器の形状に対応する箱状装置３５により測定できる。箱状装置３５は、想定される水回り機器の滞留空間の形状を模擬した仮想滞留空間３４と、仮想滞留空間３４の中央に配置され且つ温度を測定するＫ熱電対３６とを備えている。
仮想滞留空間３４は実際の滞留空間４の形状を模擬しつつもサイズを小さくして形成されている。仮想滞留空間の大きさ及び形状は、想定される水回り機器により決定され、浴槽装置２の場合の浴槽、浴室の洗い場床、シャワールーム、洗面台の場合の洗面シンク、キッチンの場合のキッチンシンク等の大きさ及び形状に対応するように決定される。仮想滞留空間３４は、例えば、上面視で、短辺が１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍの長方形を形成し、正面視で、高さが１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍの直方体を形成する。箱状装置３５の仮想滞留空間３４は、天井面が省略されて開口されている。このような仮想滞留空間３４の中心位置に、Ｋ熱電対３６の感温部が配置され、仮想滞留空間３４内の空気の温度を測定している。Ｋ熱電対３６は、上面視で、短辺に沿う方向において側壁から内側に６０ｍｍの位置、且つ長辺に沿う方向において側壁から内側に１５０ｍｍの位置、且つ高さ方向において底部から上方に６０ｍｍの位置に位置する。例えば、Ｋ熱電対の感温部サイズは、φ４．５ｍｍ×５０ｍｍとされている。Ｋ熱電対３６は、温度ロガー（図示せず）に電気的に接続される。例えば、Ｋ熱電対３６（アズワン社製型番L-TN-4-K）の測定データを温度ロガー（キーエンス社製NR-500シリーズNR-TH08）で測定、記録し、温度ロガーの情報をパソコンに記録する。なお、ミストを生じさせるもととなる水は水道水であり、ミストを生じさせるもととなる水の水質は水道水の水質に基づく。さらに、各計測方法（測定方法）が実施される室内においては、室内に空気の流れを生じさせるような空調等の風は供給されない状態である。
ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度は、想定される水回り機器の形状に対応する箱状装置３５により測定できる。箱状装置３５は、想定される水回り機器の滞留空間の形状を模擬した仮想滞留空間３４と、仮想滞留空間３４の中央に配置され且つ温度を測定するＫ熱電対３６とを備えている。
仮想滞留空間３４は実際の滞留空間４の形状を模擬しつつもサイズを小さくして形成されている。仮想滞留空間の大きさ及び形状は、想定される水回り機器により決定され、浴槽装置２の場合の浴槽、浴室の洗い場床、シャワールーム、洗面台の場合の洗面シンク、キッチンの場合のキッチンシンク等の大きさ及び形状に対応するように決定される。仮想滞留空間３４は、例えば、上面視で、短辺が１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍの長方形を形成し、正面視で、高さが１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍの直方体を形成する。箱状装置３５の仮想滞留空間３４は、天井面が省略されて開口されている。このような仮想滞留空間３４の中心位置に、Ｋ熱電対３６の感温部が配置され、仮想滞留空間３４内の空気の温度を測定している。Ｋ熱電対３６は、上面視で、短辺に沿う方向において側壁から内側に６０ｍｍの位置、且つ長辺に沿う方向において側壁から内側に１５０ｍｍの位置、且つ高さ方向において底部から上方に６０ｍｍの位置に位置する。例えば、Ｋ熱電対の感温部サイズは、φ４．５ｍｍ×５０ｍｍとされている。Ｋ熱電対３６は、温度ロガー（図示せず）に電気的に接続される。例えば、Ｋ熱電対３６（アズワン社製型番L-TN-4-K）の測定データを温度ロガー（キーエンス社製NR-500シリーズNR-TH08）で測定、記録し、温度ロガーの情報をパソコンに記録する。なお、ミストを生じさせるもととなる水は水道水であり、ミストを生じさせるもととなる水の水質は水道水の水質に基づく。さらに、各計測方法（測定方法）が実施される室内においては、室内に空気の流れを生じさせるような空調等の風は供給されない状態である。
【0045】
図１２に示すように、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度は、本実施形態のミスト供給部１０から箱状装置３５内の仮想滞留空間３４に対し、ミスト供給を開始した後、十分に時間が経過（例えば２５００[ｓ]経過）し、温度上昇がほぼ止まった際の最高温度であるミスト雰囲気温度Ｔ１（例えば４３℃）により規定されている。
図１２においては、縦軸は仮想滞留空間３４内のＫ熱電対３６が計測した温度（ミスト雰囲気温度）[℃]であり、横軸は計測開始からの経過時間[ｓ]である。図１２において、ミスト雰囲気温度の計測例が示されている。この計測例においては、開始時の室内の温度Ｔ０＝－５℃、ミスト生成部８において生成された当初のミスト温度が６０℃である。ミスト供給部１０から滞留空間に供給されたミストの温度はやや低下された温度となっており、この温度をミスト雰囲気温度により測定する。ミスト供給が開始された後、時間経過とともに、仮想滞留空間３４内の温度が上昇し、温度上昇がほぼ一定の値Ｔ１に収束される。ミスト供給部１０からのミストの供給が継続している場合、仮想滞留空間３４内のミストの温度が収束する値は、ミスト供給部１０から仮想滞留空間３４に供給されたミストの温度となる。よって、実際にミスト供給部１０から滞留空間４に供給されるミストの温度は仮想滞留空間３４において得られたミストの温度（ミスト雰囲気温度）となると想定される。
図１２においては、縦軸は仮想滞留空間３４内のＫ熱電対３６が計測した温度（ミスト雰囲気温度）[℃]であり、横軸は計測開始からの経過時間[ｓ]である。図１２において、ミスト雰囲気温度の計測例が示されている。この計測例においては、開始時の室内の温度Ｔ０＝－５℃、ミスト生成部８において生成された当初のミスト温度が６０℃である。ミスト供給部１０から滞留空間に供給されたミストの温度はやや低下された温度となっており、この温度をミスト雰囲気温度により測定する。ミスト供給が開始された後、時間経過とともに、仮想滞留空間３４内の温度が上昇し、温度上昇がほぼ一定の値Ｔ１に収束される。ミスト供給部１０からのミストの供給が継続している場合、仮想滞留空間３４内のミストの温度が収束する値は、ミスト供給部１０から仮想滞留空間３４に供給されたミストの温度となる。よって、実際にミスト供給部１０から滞留空間４に供給されるミストの温度は仮想滞留空間３４において得られたミストの温度（ミスト雰囲気温度）となると想定される。
【0046】
次に、ミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度の計測方法について説明する。ミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度は、水回り機器が使用される室内のうち仮想滞留空間３４の外側に配置された室温用Ｋ熱電対５０により測定される。仮想滞留空間３４の外側の室温用Ｋ熱電対５０は、箱状装置３５と同じ室内空間内に配置され、室内温度計測器２４を模擬している。よって、室温用Ｋ熱電対５０により測定された温度が、室内温度計測器２４が測定した室内の温度に対応する。仮想滞留空間等を用いたシミュレーション等においてはこの室温用Ｋ熱電対５０により測定された温度を室内の温度として使用する。室温用Ｋ熱電対５０は、仮想滞留空間３４の頂部の高さに配置され、上面視で、短辺に沿う方向において側壁から外側に６０ｍｍ離れた位置、且つ長辺に沿う方向において仮想滞留空間３４の一端の側壁から内側方向に１５０ｍｍの位置に位置する。室温用Ｋ熱電対５０は、仮想滞留空間３４の外側に延びる支持部３８により仮想滞留空間３４の外部で固定されている。水回り機器が使用される室内の温度は、ミスト供給が仮想滞留空間３４に開始される前に、室温用Ｋ熱電対５０により測定される。室温用Ｋ熱電対は、仮想滞留空間内のＫ熱電対３６と同じＫ熱電対を使用している。室温用Ｋ熱電対５０は、このような場所に限られず、ミスト生成部８の外側且つ近傍の位置に配置できる。また、室温用Ｋ熱電対５０は、ミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度を測定できればよいので、仮想滞留空間３４内に配置されたＫ熱電対３６によりミストの供給開始前の仮想滞留空間３４内の空気の温度を計測してもよい。
【0047】
次に、図１３を参照して、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差の範囲（図１３中の点が付された領域により示す）について説明する。
上述のようにしてミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度とが規定できる。よって、これらのミストの温度と室内の温度との温度差が規定できる。この温度差が０℃以上とされることにより、加熱後に調整されるミストの温度がミストの供給開始前の室温と同じ温度かより高い温度に設定される。
図１３においては、縦軸においてミストの温度[℃]を示し、横軸において室内の温度[℃]を示している。さらに、ミストの温度と室内の温度との温度差が０℃となる線Ｃ１が示される。よって、温度差が０℃以上とされる範囲が線Ｃ１より上方に示される。また、図１３には、ミストの温度と室内の温度との温度差が１００℃となる線Ｃ２が示される。ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差が、０℃以上且つ１００℃以下とされるように構成される。温度差が１００℃までとなる比較的高温のミストの温度を設定できることにより、水回り機器の浴槽本体６の洗浄にミストを使用する時に、ミストの洗浄性や汚れを落としやすくする能力を向上させることができる。例えば、水が沸騰する温度に近い高温のミストを利用して比較的高い洗浄性能を奏することができる。なお、ミストは沸騰温度（例えば１００℃）になると、水蒸気の態様に変化してミストの霧の粒が消失するので、ミスト供給部１０から供給されたミスト温度は１００℃以下とされる（線Ｃ５以下の領域により示す）。
上述のようにしてミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度とが規定できる。よって、これらのミストの温度と室内の温度との温度差が規定できる。この温度差が０℃以上とされることにより、加熱後に調整されるミストの温度がミストの供給開始前の室温と同じ温度かより高い温度に設定される。
図１３においては、縦軸においてミストの温度[℃]を示し、横軸において室内の温度[℃]を示している。さらに、ミストの温度と室内の温度との温度差が０℃となる線Ｃ１が示される。よって、温度差が０℃以上とされる範囲が線Ｃ１より上方に示される。また、図１３には、ミストの温度と室内の温度との温度差が１００℃となる線Ｃ２が示される。ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差が、０℃以上且つ１００℃以下とされるように構成される。温度差が１００℃までとなる比較的高温のミストの温度を設定できることにより、水回り機器の浴槽本体６の洗浄にミストを使用する時に、ミストの洗浄性や汚れを落としやすくする能力を向上させることができる。例えば、水が沸騰する温度に近い高温のミストを利用して比較的高い洗浄性能を奏することができる。なお、ミストは沸騰温度（例えば１００℃）になると、水蒸気の態様に変化してミストの霧の粒が消失するので、ミスト供給部１０から供給されたミスト温度は１００℃以下とされる（線Ｃ５以下の領域により示す）。
【0048】
また、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、上記温度差が、０℃以上且つ６０℃以下とされるように構成される。ミストの温度と室内の温度との温度差が６０℃となる線Ｃ３が示される。温度差が６０℃までとなるような比較的高温のミストの使用を抑制することにより、水回り機器の浴槽本体６の洗浄にミストを使用する時に、火傷する可能性をより低減しつつもミストの洗浄性を向上させることができる。
【0049】
また、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、上記温度差が、０℃以上且つ４５℃以下とされるように構成される。ミストの温度と室内の温度との温度差が４５℃となる線Ｃ４が示される。温度差が４５℃までに比較的低温のミストを使用することにより、水回り機器の使用者がミストにより火傷する可能性をほぼなくすことができる。
【0050】
また、図１３において、ミストの温度が、３５度以上（線Ｄ１により示す）且つ４５度以下（線Ｄ２により示す）に設定されれば、使用者の体温程度又は体温より温かい温度に設定しつつ、使用者がミストにより火傷する可能性をほぼなくすことができる。
【0051】
次に、図１４を参照して、ミスト供給部１０から供給されるミストの粒径の計測装置及び計測方法について説明する。
ミストの粒径の計測装置３７は、前述と同じ大きさ及び形状の仮想滞留空間３４を設定する箱状装置３９と、粒子径分布測定装置５３とを備えている。この箱状装置３９の側壁、すなわち仮想滞留空間３４の側方の壁の中央近傍に、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の開口５２を形成し、この開口５２に蓋５５が取り付けられている。
ミストの粒径の計測装置３７は、前述と同じ大きさ及び形状の仮想滞留空間３４を設定する箱状装置３９と、粒子径分布測定装置５３とを備えている。この箱状装置３９の側壁、すなわち仮想滞留空間３４の側方の壁の中央近傍に、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の開口５２を形成し、この開口５２に蓋５５が取り付けられている。
【0052】
図１５に示すように、粒子径分布測定装置５３は、開口５２の近傍且つ正面に粒径計測レーザーの計測領域Ｅが位置するように配置された粒径計測レーザー５４を備えている。上面視で、粒径計測レーザー５４のレーザー光が仮想滞留空間３４の長辺と平行になるように粒径計測レーザー５４が配置されている。粒径計測レーザー５４から発信されるレーザー光が通過する計測領域Ｅが開口５２の正面に位置している。計測領域Ｅは、開口５２から１５０ｍｍの距離に位置する。粒子径分布測定装置５３は、さらに、このレーザー光の回折・散乱光を検出するように計測レンズ５６を備えている。
【0053】
この開口に蓋５５を取付けた状態で、仮想滞留空間３４内にミストの供給を開始する。ミスト供給部１０からのミストの供給口は図示を省略している。ミストの供給開始から１分後に蓋５５を開放し、ミストを粒径計測レーザー５４の計測領域Ｅに向けて漏出させる。粒径計測レーザー５４の透過率６０％～９０％の状態で計測レンズ５６により散乱光分布を計測する。例えば、粒径計測レーザー５４及び計測レンズ５６は、マイクロトラック・ベル株式会社製のスプレー粒子径分布測定装置のエアロトラック LDSA-SPRシリーズのLDSA-SPR1500Aを使用する。粒子径分布データを１０回測定し、この粒子径分布データをＰＣに記録する。ＰＣにおいて１０回の粒子径分布データを平均化する。図１６には、粒子径分布測定装置５３により測定された粒子径分布データの一例を示す。図１６においては、左側縦軸において頻度[％]を示し、右側縦軸において累積[％]を示し、横軸において粒径[μｍ]を示している。例えば、ＰＣは、このように得られた粒子径分布データを分析し、この粒子径分布データの２０％タイル値粒径Ｇ、ザウター平均粒径Ｈを粒径データとして取得する。ザウター平均粒径は、全粒子の全表面積に対する全粒子の全体積と同じ表面積対体積率を有する粒径を示す。ザウター平均粒径により平均粒径をもとめることにより少ない数の大粒径を有する粒子による測定値への影響を抑制できる。
【0054】
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、３．１μｍ以上且つ４０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の測定に与える影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径が、４０μｍ以下であると共に、ミストのザウター平均粒径が、３．１μｍ以上とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、３．６μｍ以上且つ２０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の測定に与える影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径とザウター平均粒径との平均値が、３．６μｍ以上であると共に、ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、２０μｍ以下とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、４．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径が、４．１μｍ以上であり且つ１０μｍ以下とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、３．６μｍ以上且つ２０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の測定に与える影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径とザウター平均粒径との平均値が、３．６μｍ以上であると共に、ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、２０μｍ以下とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、４．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径が、４．１μｍ以上であり且つ１０μｍ以下とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
【0055】
次に、図１７を参照して、温度差と粒径との関係を説明する。
図１７においては、縦軸において粒径[μｍ]を示し、横軸において温度差ΔＴ[℃]を示している。これらの粒径と温度差ΔＴとの好ましい範囲を図１７において点状の領域により示している。ミスト生成部８及びミスト供給部１０により、ミストの温度と室内の温度との温度差が０℃以上且つ１００℃以下となる範囲において所定の温度差が設定できる。上述同様に、温度差は０℃以上且つ６０℃以下、０℃以上且つ４５℃以下等に変更可能である。
図１７においては、縦軸において粒径[μｍ]を示し、横軸において温度差ΔＴ[℃]を示している。これらの粒径と温度差ΔＴとの好ましい範囲を図１７において点状の領域により示している。ミスト生成部８及びミスト供給部１０により、ミストの温度と室内の温度との温度差が０℃以上且つ１００℃以下となる範囲において所定の温度差が設定できる。上述同様に、温度差は０℃以上且つ６０℃以下、０℃以上且つ４５℃以下等に変更可能である。
【0056】
ミストのザウター平均粒径が、４０μｍ以下となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されている。よってミストの大部分の粒径が４０μｍ以下となっている。
なお、仮にミストの粒径が４０μｍである場合には、終端速度ｖは４５．３ｍｍ／ｓと求められる。水滴の終端速度ｖの算定方法については、次のように表すことができる。空気の分子粘性係数をμ、水滴の半径（ミストの粒径の半分）をｒとすると、ρ＝103kg/m-3、ｇ＝9.8m/s2、μ＝1.8X10-5N・sec/m2(15℃)より、
となり、終端速度v(∞)は水滴の半径の２乗に比例する。なお、この式が適用できる範囲は、Ｒｅ＜１、すなわちｒ＜０．１ｍｍの範囲である。
ミストの粒径が４０μｍであることによりミストの終端速度が４５．３ｍｍ／ｓとなる場合、供給されたミストはおよそ１０秒で滞留空間の底部に到達（例えばミスト供給部１０から滞留空間４の底部まで４５ｃｍとする）し、ミストが消失すると仮定される。すなわちミストの供給から消失まで少なくとも１０秒前後ミストが滞留することになる。このように１０秒前後ミストが滞留すれば、この間にさらに新しくミストが供給でき、ミストの滞留層Ｃが維持しやすくなる。図１７において、ザウター平均粒径が４０μｍよりも大きくなる場合には、ミストの消失までの平均時間がより短くなるため、ミストの消失によりミストの滞留層が形成されにくくなる。
なお、仮にミストの粒径が４０μｍである場合には、終端速度ｖは４５．３ｍｍ／ｓと求められる。水滴の終端速度ｖの算定方法については、次のように表すことができる。空気の分子粘性係数をμ、水滴の半径（ミストの粒径の半分）をｒとすると、ρ＝103kg/m-3、ｇ＝9.8m/s2、μ＝1.8X10-5N・sec/m2(15℃)より、
ミストの粒径が４０μｍであることによりミストの終端速度が４５．３ｍｍ／ｓとなる場合、供給されたミストはおよそ１０秒で滞留空間の底部に到達（例えばミスト供給部１０から滞留空間４の底部まで４５ｃｍとする）し、ミストが消失すると仮定される。すなわちミストの供給から消失まで少なくとも１０秒前後ミストが滞留することになる。このように１０秒前後ミストが滞留すれば、この間にさらに新しくミストが供給でき、ミストの滞留層Ｃが維持しやすくなる。図１７において、ザウター平均粒径が４０μｍよりも大きくなる場合には、ミストの消失までの平均時間がより短くなるため、ミストの消失によりミストの滞留層が形成されにくくなる。
【0057】
ミストのザウター平均粒径が、２０μｍ以下となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が２０μｍ以下となっている。仮にミストの粒径が２０μｍである場合には、終端速度ｖは１１．３ｍｍ／ｓと求められ、供給されたミストが滞留空間の底部に到達するまでに少なくともおよそ４０秒を要することになり、滞留空間４の底へ比較的早期に落下するミストの割合をより減少できる。
【0058】
ミストのザウター平均粒径が、１０μｍ以下となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が１０μｍ以下となっている。仮にミストの粒径が１０μｍである場合には、終端速度ｖは２．８ｍｍ／ｓと求められ、供給されたミストが滞留空間４の底部に到達するまでに少なくともおよそ１６０秒を要することになり、滞留空間４内に滞留されるミストの継続時間をより長くでき、滞留空間４の底へ比較的早期に落下するミストの割合をさらに減少できる。
【0059】
ミストのザウター平均粒径が、３．１μｍ以上となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が３．１μｍ以上となっている。ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ拡散するミストの割合を減少できるとともにミストが滞留空間４内に滞留される割合を増加させ、ミストが滞留空間４内に効率的に滞留される。
【0060】
ミストのザウター平均粒径が、３．６μｍ以上となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が３．６μｍ以上となっている。ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ拡散するミストの割合をより減少できるとともにミストが滞留空間４内に滞留される割合をより増加させ、ミストが滞留空間４内により効率的に滞留される。
【0061】
ミストのザウター平均粒径が、４．１μｍ以上となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が４．１μｍ以上となっている。ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ拡散するミストの割合をさらに減少できるとともにミストが滞留空間４内に滞留される割合をさらに増加させ、ミストが滞留空間４内にさらに効率的に滞留される。
【0062】
次に、図１８及び図１９を参照して、温度差と、粒径と、仮想滞留空間５８内のミストの状態との関係を、さらに説明する。図１８は、仮想滞留空間内の状態を観察する箱状観察装置を示している。図１９においては、温度差と、ザウター平均粒径との９通りの組み合わせについて、仮想滞留空間５８内のミストの状態を、比較して示している。
【0063】
図１９に示すように、仮想滞留空間５８内のミストの状態は、想定される水回り機器の形状に対応する箱状観察装置５５により測定できる。箱状観察装置５５は、想定される水回り機器の滞留空間の形状を模擬した仮想滞留空間５８と、仮想滞留空間５８内のミストの様子を観察、記録するカメラ６２とを備えている。図１８に示すように、箱状観察装置５５の仮想滞留空間５８は、斜視図で、短辺が１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍ、高さが２４０ｍｍの直方体を形成する。仮想滞留空間５８は、天井面が省略されて上方に開口されている。箱状観察装置５５の仮想滞留空間５８の１つの側壁は透明板６０により形成され、箱状観察装置５５の斜め上方に配置されたカメラ６２により仮想滞留空間５８の内部を観察、記録できるようになっている。箱状観察装置５５の仮想滞留空間５８の短辺側の側壁の高さ１２０ｍｍの位置に横幅７０ｍｍ、高さ４０ｍｍの供給口６４が形成されている。この供給口６４がミスト供給部１０に接続されている。
【0064】
図１９においては、ミスト供給部１０から所定の粒径及び温度差を生じるミストを供給し、滞留状態をカメラ６２により撮影した写真を９つのパターンで比較して示している。各パターンの写真図において、参考として滞留境界面が生じると想定される位置を、点線により示している。
図１９においては、縦軸にミスト供給部１０から供給されるミストのザウター平均粒径を示し、横軸に、ミストの温度と室内の温度との温度差ΔＴを示している。
図１９のパターン例Ａにおいては、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差５℃（ミストの温度２０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。この写真の撮影のタイミングはミストの供給開始後２分を経過した時刻である。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９においては、縦軸にミスト供給部１０から供給されるミストのザウター平均粒径を示し、横軸に、ミストの温度と室内の温度との温度差ΔＴを示している。
図１９のパターン例Ａにおいては、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差５℃（ミストの温度２０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。この写真の撮影のタイミングはミストの供給開始後２分を経過した時刻である。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
【0065】
図１９のパターン例Ｂにおいては、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差２５℃（ミストの温度４０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。
図１９のパターン例Ｃにおいても、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。
図１９のパターン例Ｃにおいても、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。
【0066】
図１９のパターン例Ｄにおいては、ミストのザウター平均粒径が４μｍ～８μｍ、且つ温度差５℃（ミストの温度２０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において濃度はやや薄いながらも滞留層Ｃを形成している状態となっている。ミストの粒径が比較的小さいため、終端速度も比較的小さく、落下速度は遅くなっている。一方で、温度差により生じる上昇気流も小さい。これにより、ミストが滞留しながら、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層が形成されている。
【0067】
図１９のパターン例Ｅにおいては、ミストのザウター平均粒径が４μｍ～８μｍ、且つ温度差２５℃（ミストの温度４０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において濃度の高い滞留層Ｃを形成している状態となっている。ミストの粒径が比較的小さいため、終端速度も比較的小さく、落下速度は遅くなっている。温度差により生じる上昇気流も若干生じている。ここで、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミストの重さを超えないようにしつつも、ミストの落下を抑制してミストの滞留が比較的長く生じている。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃが形成されている。
【0068】
図１９のパターン例Ｆにおいては、ミストのザウター平均粒径が４μｍ～８μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において濃度の高い滞留層Ｃを形成している状態となっている。ミストの粒径が比較的小さいため、終端速度も比較的小さく、落下速度は遅くなっている。さらに、温度差により生じる上昇気流が温度差２５℃の場合と比べてやや強まっている。しかしながら、依然として、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミストの重さを超えないようになっており、ミストの落下を抑制してミストの滞留が比較的長く生じている。上昇気流がやや強くなっているため、局所的にミストが滞留層Ｃから浮き上がるような状態となっている部分があるが、全体としてはミストの滞留層Ｃが引き続き維持されている。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層が形成されている。局所的にミストが上昇している部分があったとしても仮想滞留空間５８の半分以上の領域において滞留境界面６６が維持されている場合には、滞留境界面６６が形成されているとする。
【0069】
図１９のパターン例Ｇにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差５℃（ミストの温度２０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。温度差により生じる上昇気流は比較的小さい。しかしながら、ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度がさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。よって、ミストの重さが軽く、わずかな上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９のパターン例Ｈにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差２５℃（ミストの温度４０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度もさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。その上、温度差により生じる上昇気流がさらに強くなっている。よって、ミストの重さが軽く、より強い上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９のパターン例Ｉにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度もさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。その上、温度差により生じる上昇気流がさらに強くなっている。よって、ミストの重さが軽く、さらに強い上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９のパターン例Ｈにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差２５℃（ミストの温度４０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度もさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。その上、温度差により生じる上昇気流がさらに強くなっている。よって、ミストの重さが軽く、より強い上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９のパターン例Ｉにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度もさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。その上、温度差により生じる上昇気流がさらに強くなっている。よって、ミストの重さが軽く、さらに強い上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
【0070】
次に、図２０を参照して、浴槽本体６内の滞留空間４（又は仮想滞留空間等）において、ミストが滞留状態となっているか（上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを形成しているか）否かの判定装置及びその判定方法について説明する。
図２０に示すように、透過率の測定装置６８を用いて浴槽本体６内の滞留空間４内部において測定された内部透過率と、滞留空間４外部において測定された外部透過率と、を比較し、外部透過率よりも内部透過率が低い場合に、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定できる。より具体的には、内部透過率／外部透過率＜１となることにより滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
図２０に示すように、透過率の測定装置６８を用いて浴槽本体６内の滞留空間４内部において測定された内部透過率と、滞留空間４外部において測定された外部透過率と、を比較し、外部透過率よりも内部透過率が低い場合に、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定できる。より具体的には、内部透過率／外部透過率＜１となることにより滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
【0071】
例えば、図１９のパターン例Ｅに示すように、滞留空間４内部にミストが滞留している状態では、内部透過率が低下する。一方で、ミストは主に滞留空間４内部に留まっており、滞留境界面６６より上方において測定される外部透過率は、比較的高い値となっている。よって、内部透過率／外部透過率＜１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
図１９のパターン例Ａに示すように、滞留空間４内部にミストが滞留せず、ミストが主に落下して消失している状態では、内部透過率及び外部透過率は、いずれも比較的高い値のままである。よって、内部透過率／外部透過率＝１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定されない。
図１９のパターン例Ｉに示すように、滞留空間４内部から外部にミストが拡散していく状態では、内部透過率及び外部透過率は、いずれも透過率がやや低い同様の値となると考えられる。よって、内部透過率／外部透過率＝１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定されない。
図１９のパターン例Ａに示すように、滞留空間４内部にミストが滞留せず、ミストが主に落下して消失している状態では、内部透過率及び外部透過率は、いずれも比較的高い値のままである。よって、内部透過率／外部透過率＝１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定されない。
図１９のパターン例Ｉに示すように、滞留空間４内部から外部にミストが拡散していく状態では、内部透過率及び外部透過率は、いずれも透過率がやや低い同様の値となると考えられる。よって、内部透過率／外部透過率＝１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定されない。
【0072】
次に、図２０を参照して、透過率の測定装置６８について説明する。
透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に配置された第１レーザー装置７０と、レーザーを受ける第１透過率計測装置７２とを備えている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、滞留空間４の上端より下方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の深さに対して３割程度の深さ位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第１レーザー装置７０から発振されるレーザー光の強度に対し、第１透過率計測装置７２で測定したレーザー光の強度を測定し、透過率を測定する。
透過率の測定装置６８は、さらに、滞留空間４外部に配置された第２レーザー装置７４と、レーザーを受ける第２透過率計測装置７６とを備えている。第２レーザー装置７４と、第２透過率計測装置７６とは、滞留空間４の上端より上方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の上端に対して。第１レーザー装置７０及び第１透過率計測装置７２と対称の位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第２レーザー装置７４から発振されるレーザー光の強度に対し、第２透過率計測装置７６で測定したレーザー光の強度を測定し、透過率を測定する。なお、透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とを配置しているが、滞留空間４に代えて上述のような仮想滞留空間内にこれらの装置を配置して仮想的に透過率の予想測定を行ってもよい。このときには、仮想滞留空間の外部に第２レーザー装置７４と第２透過率計測装置７６とが配置される。
より具体的な装置構成としては、キーエンス社製デジタルファイバアンプFS-N11MNから発せられたレーザー光を同社製FU-77TZ（第１レーザー装置７０又は第２レーザー装置７４）を通して発振し、同社製FU-77TZ（第１透過率計測装置７２又は第２透過率計測装置７６）にて受光する。受光した光はファイバアンプFS-N11MNへと返され、光量に応じて例えば1-5Vの電圧出力を行う。出力された電圧は、同社製NR-500シリーズNR-HA08にて計測し、PC上で0~100%の値にスケーリングする。透過率のデータは例えばサンプリング周期100msにて計測される。例えば、ミストをほぼ定量で供給開始してから15分以内において、最初に定常状態と判断できる30秒間の透過率のデータを平均して算出する。
透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に配置された第１レーザー装置７０と、レーザーを受ける第１透過率計測装置７２とを備えている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、滞留空間４の上端より下方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の深さに対して３割程度の深さ位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第１レーザー装置７０から発振されるレーザー光の強度に対し、第１透過率計測装置７２で測定したレーザー光の強度を測定し、透過率を測定する。
透過率の測定装置６８は、さらに、滞留空間４外部に配置された第２レーザー装置７４と、レーザーを受ける第２透過率計測装置７６とを備えている。第２レーザー装置７４と、第２透過率計測装置７６とは、滞留空間４の上端より上方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の上端に対して。第１レーザー装置７０及び第１透過率計測装置７２と対称の位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第２レーザー装置７４から発振されるレーザー光の強度に対し、第２透過率計測装置７６で測定したレーザー光の強度を測定し、透過率を測定する。なお、透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とを配置しているが、滞留空間４に代えて上述のような仮想滞留空間内にこれらの装置を配置して仮想的に透過率の予想測定を行ってもよい。このときには、仮想滞留空間の外部に第２レーザー装置７４と第２透過率計測装置７６とが配置される。
より具体的な装置構成としては、キーエンス社製デジタルファイバアンプFS-N11MNから発せられたレーザー光を同社製FU-77TZ（第１レーザー装置７０又は第２レーザー装置７４）を通して発振し、同社製FU-77TZ（第１透過率計測装置７２又は第２透過率計測装置７６）にて受光する。受光した光はファイバアンプFS-N11MNへと返され、光量に応じて例えば1-5Vの電圧出力を行う。出力された電圧は、同社製NR-500シリーズNR-HA08にて計測し、PC上で0~100%の値にスケーリングする。透過率のデータは例えばサンプリング周期100msにて計測される。例えば、ミストをほぼ定量で供給開始してから15分以内において、最初に定常状態と判断できる30秒間の透過率のデータを平均して算出する。
【0073】
次に、図２１及び図２２を参照して、ミスト入浴と通常の湯船浴との使用者への熱の伝わり方の違いについて説明する。
図２１においては、浴槽装置２の浴槽本体６内に使用者が座って入浴している状態において、４０℃の水を通常の入浴水位（入浴した際に使用者の脇の上かつ肩の下になる水位で、例えば、入浴した際に４５０ｍｍとなる）まではって湯船浴の入浴をした場合の水から使用者に伝わる熱流束と、４０℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、４３℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、４５℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、の時間経過を示している。縦軸は、熱流束[Ｗ／ｍ2]を示し、横軸は入浴開始からの時間[ｓ]を示している。熱流束[Ｗ／ｍ2]は、平均的な体形の使用者の背中の中央部に計測部を配置し、使用者に伝わる熱流束を計測する。ミスト雰囲気状態は、浴槽本体６内に十分にミストが満たされている状態を示している。
時間０[Ｓ]から４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合には、熱流束が初期に急激に上昇する。よって、入浴開始時に使用者に与える熱の刺激が大きいことが分かる。一方で、ミスト入浴をした場合には、熱流束の初期の上昇は比較的抑えられ、緩やかに上昇する。よって、入浴開始時に使用者に与える熱の刺激が湯船浴に比べて小さいことが分かる。
また、４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合と、４０℃のミストで使用者がミスト入浴をした場合とでは、４０℃のミストの方が熱流束が低く、使用者の温度の体感が低くなる。４０℃のミストのミスト入浴によれば、低い刺激でゆるやかに使用者の体を温めることができる。
図２１においては、浴槽装置２の浴槽本体６内に使用者が座って入浴している状態において、４０℃の水を通常の入浴水位（入浴した際に使用者の脇の上かつ肩の下になる水位で、例えば、入浴した際に４５０ｍｍとなる）まではって湯船浴の入浴をした場合の水から使用者に伝わる熱流束と、４０℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、４３℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、４５℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、の時間経過を示している。縦軸は、熱流束[Ｗ／ｍ2]を示し、横軸は入浴開始からの時間[ｓ]を示している。熱流束[Ｗ／ｍ2]は、平均的な体形の使用者の背中の中央部に計測部を配置し、使用者に伝わる熱流束を計測する。ミスト雰囲気状態は、浴槽本体６内に十分にミストが満たされている状態を示している。
時間０[Ｓ]から４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合には、熱流束が初期に急激に上昇する。よって、入浴開始時に使用者に与える熱の刺激が大きいことが分かる。一方で、ミスト入浴をした場合には、熱流束の初期の上昇は比較的抑えられ、緩やかに上昇する。よって、入浴開始時に使用者に与える熱の刺激が湯船浴に比べて小さいことが分かる。
また、４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合と、４０℃のミストで使用者がミスト入浴をした場合とでは、４０℃のミストの方が熱流束が低く、使用者の温度の体感が低くなる。４０℃のミストのミスト入浴によれば、低い刺激でゆるやかに使用者の体を温めることができる。
【0074】
また、図２１に示すように、４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合と、４３℃のミストで使用者がミスト入浴をした場合とでは、使用者に作用する熱流束が同程度となる。図２２においては、１０分間湯船入浴又はミスト入浴をした後に使用者の皮膚温を測定した結果が示されている。４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合と、４３℃のミストで使用者がミスト入浴をした場合とでは、使用者にほぼ同等の温まりを生じていることが分かる。このようにミスト入浴によれば、入浴開始時の加温された水による刺激を抑制し、体に優しい入浴を可能にする。例えば、使用者が４３℃の水の中に入浴する場合は非常に熱く感じるため短時間しか入浴できないが、使用者が４３℃のミストの中に入ってミスト入浴する場合には、やや低い温度に感じるため同じ温度の水と比べて長時間浸かることが可能になる。また、水と比べてミストは、やや低い温度の体感を使用者に与えるので、ゆるやかに使用者の体をやや遅い速度で温めることができ、温めによる使用者への体の負担も少ない。また、ミスト入浴によれば、使用者への水圧の負担が少なく、水によるような体への水圧の圧迫がないため、長時間のミスト入浴を可能にする。さらに、ミスト入浴によれば、水の表面がミストで覆われるような露天風呂のような視覚効果を使用者に与えることができ、贅沢さや癒し効果を使用者に与えることもできる。
【0075】
次に、本実施形態の構成による効果を説明する。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが滞留空間４内に滞留されるように構成される。よって、加熱された状態のミストが、上方が開放された滞留空間４内に滞留できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが滞留空間４内に滞留されるように構成される。よって、加熱された状態のミストが、上方が開放された滞留空間４内に滞留できる。
【0076】
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記温度差によって生じる上昇気流のミストを上昇させようとする力がミスト供給部１０から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないようにでき、ミストが上昇気流により滞留空間４から拡散することを抑制することができる。よって、加熱された状態のミストが滞留空間４内により確実に滞留できる。
【0077】
このように構成された本発明の一実施形態においては、温度差が１００℃以下且つミストの温度が１００℃以下とされる。これにより、浴槽本体６の洗浄にミストを使用する時に、ミストの洗浄性を向上できる。
【0078】
このように構成された本発明の一実施形態においては、温度差が、６０℃以下とされることにより、水回り機器の使用者がミストにより火傷する可能性を低減することができる。さらに、例えば、水回り機器の浴槽本体６の洗浄にミストを使用する時に、火傷する可能性を低減しつつもミストの洗浄性を向上できる。
【0079】
このように構成された本発明の一実施形態においては、水回り機器の使用者がミストにより火傷する可能性をより低減することができる。
【0080】
このように構成された本発明の一実施形態においては、水又はミストを６０℃以上に加熱することにより、仮に菌が水中に含まれていた場合でも、少なくとも一部の菌(例えばレジオネラ菌)の影響を抑制できる。
【0081】
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が３．１μｍ以上とされることにより、ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ浮遊するミストの割合を減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が４０μｍ以下とされることにより、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４の底へ比較的早期に落下するミストの割合を減少できる。従って、ミストが滞留空間４内に滞留される割合を増加させ、ミストが滞留空間４内に効率的に滞留されるようにできる。
【0082】
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が３．６μｍ以上とされることにより、ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ浮遊するミストの割合をより減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が２０μｍ以下とされることにより、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４の底へ比較的早期に落下するミストの割合をより減少できる。従って、ミストが滞留空間４内に滞留される割合をより増加させ、ミストが滞留空間４内により効率的に滞留されるようにできる。
【0083】
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミストのザウター平均粒径が４．１μｍ以上とされることにより、ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ浮遊するミストの割合をさらに減少できるとともに、ミストのザウター平均粒径が１０μｍ以下とされることにより、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４の底へ比較的早期に落下するミストの割合をさらに減少できる。従って、ミストが滞留空間４内に滞留される割合をさらに増加させ、ミストが滞留空間４内にさらに効率的に滞留されるようにできる。
【0084】
次に、図２３により、本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた水回り機器である洗い場床装置を説明する。第２実施形態は、本発明によるミスト発生装置を浴室の洗い場床に適用した例である。図２３は本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた洗い場床装置の斜視図である。
【0085】
第２実施形態によるミスト発生装置は、上述した第１実施形態によるミスト発生装置と基本構造が類似しているため、本発明の第２実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付する又は図示を省略して説明を省略する。本発明の第２実施形態による洗い場床装置の動作（作用）や各測定方法等については、第１実施形態による浴槽装置の動作（作用）や各測定方法等と同様であるので説明を省略する。
【0086】
図２３に示すように、本発明の第２実施形態によるミスト発生装置１を備えた水回り機器である洗い場床装置１０２は、浴室３に設けられる。洗い場床装置１０２には、水の供給を行う供給装置１０７が設けられている。洗い場床装置１０２は、さらに、ミスト発生装置１の後述するミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間１０４を形成する洗い場床本体１０６を備えている。
【0087】
洗い場床本体１０６は、洗い場床装置１０２が使用される室内空間５に向けて上方が開放された滞留空間１０４を形成する。洗い場床本体１０６は、浴室の壁面、浴槽本体の外壁、浴室のドア等により形成され、内側の滞留空間１０４内に水が流れることができるようになっている。このような構造により、洗い場床本体１０６は、ミストが滞留空間１０４内に滞留されるようになっている。
【0088】
ミスト発生装置１は、洗い場床装置１０２に用いられる。ミスト発生装置１は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０とを備えている。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間１０４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の洗い場床装置１０２が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが洗い場床本体１０６の滞留空間１０４内に滞留されるように構成される。図２３において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを例示している。
【0089】
このように構成された第２実施形態の構造によれば、加熱されたミストが洗い場床本体１０６の滞留空間１０４内に滞留される。例えば、加熱されたミストにより洗い場床本体１０６を温めて洗い場床や滞留空間１０４を暖房できる。また、加熱されたミストにより、使用者が滞留空間１０４においてミスト浴をすることもできる。また例えば、加熱されたミストにより、洗い場床本体１０６を温めるとともに洗い場床本体１０６に付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄又は汚れを落としやすくすることができる。
【0090】
次に、図２４により、本発明の第３実施形態によるミスト発生装置を備えた水回り機器であるシャワールーム装置を説明する。第３実施形態は、本発明によるミスト発生装置をシャワールームに適用した例である。図２４は本発明の第３実施形態によるミスト発生装置を備えたシャワールーム装置の斜視図である。
【0091】
第３実施形態によるミスト発生装置は、上述した第１実施形態によるミスト発生装置と基本構造が類似しているため、本発明の第３実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付する又は図示を省略して説明を省略する。本発明の第３実施形態によるシャワールーム装置の動作（作用）や各測定方法等については、第１実施形態による浴槽装置の動作（作用）や各測定方法等と同様であるので説明を省略する。
【0092】
図２４に示すように、本発明の第３実施形態によるミスト発生装置１を備えた水回り機器であるシャワールーム装置２０２は、シャワールーム２０３に設けられる。シャワールーム２０３は、上面視で一辺が０．８ｍ～２ｍ程度の長方形の領域に、半円径の領域が追加された形状に形成され、比較的狭いスペースの室内を形成する。シャワールーム装置２０２には、水の供給を行う供給装置２０７が設けられている。シャワールーム装置２０２は、さらに、ミスト発生装置１の後述するミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間２０４を形成するシャワールーム本体２０６を備えている。
【0093】
シャワールーム本体２０６は、シャワールーム装置２０２が使用される室内空間２０５に向けて上方が開放された滞留空間２０４を形成する。シャワールーム本体２０６は、シャワールームの壁面、シャワールームのドア等により形成され、内側の滞留空間２０４内に水が流れることができるようになっている。このような構造により、シャワールーム本体２０６は、ミストが滞留空間２０４内に滞留されるようになっている。なお、本実施形態によれば、シャワールーム２０３の室内空間２０５と滞留空間２０４との境が構造により明確に区画されていなくても、滞留空間２０４が規定できることを示している。室内空間２０５と滞留空間２０４との境は、ミスト発生装置１のミスト供給能力を考慮して異なる位置に設定される。滞留空間２０４は、ミスト発生装置１のミスト供給能力を考慮してミストを溜めようとする空間として任意に設定できる。このような滞留空間２０４は、室内空間２０５に向けて上方が開放された滞留空間である。なお、本実施形態に限られず、室内空間２０５と滞留空間２０４との境が構造により明確に区画されていなくても、滞留空間２０４は、同様の趣旨により設定可能である。
【0094】
ミスト発生装置１は、シャワールーム装置２０２に用いられる。ミスト発生装置１は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０とを備えている。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間２０４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストがシャワールーム本体２０６の滞留空間２０４内に滞留されるように構成される。図２４において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを例示している。
【0095】
このように構成された第３実施形態の構造によれば、加熱されたミストがシャワールーム本体２０６の滞留空間２０４内に滞留される。例えば、加熱されたミストによりシャワールーム本体２０６を温めてシャワールームの床や滞留空間２０４を暖房できる。また、加熱されたミストにより、使用者が滞留空間２０４においてミスト浴をすることもできる。また、加熱されたミストが比較的高い位置まで滞留されることにより、使用者が滞留空間２０４内において内部の椅子２０８に座った状態や立った状態でもミスト浴をできる。また例えば、加熱されたミストにより、シャワールーム本体２０６を温めるとともにシャワールーム本体２０６に付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄又は汚れを落としやすくできる。
【0096】
次に、図２５により、本発明の第４実施形態によるミスト発生装置を備えた水回り機器である洗面装置を説明する。第４実施形態は、本発明によるミスト発生装置を洗面装置に適用した例である。図２５は本発明の第４実施形態によるミスト発生装置を備えた洗面装置の斜視図である。
【0097】
第４実施形態によるミスト発生装置は、上述した第１実施形態によるミスト発生装置と基本構造が類似しているため、本発明の第４実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付する又は図示を省略して説明を省略する。本発明の第４実施形態による洗面装置の動作（作用）や各測定方法等については、第１実施形態による浴槽装置の動作（作用）や各測定方法等と同様であるので説明を省略する。
【0098】
図２５に示すように、本発明の第４実施形態によるミスト発生装置１を備えた水回り機器である洗面装置３０２は、洗面室３０３のカウンター等に設けられる。洗面装置３０２には、水の供給を行う供給装置３０７が設けられている。洗面装置３０２は、さらに、ミスト発生装置１の後述するミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間３０４を形成する洗面本体３０６を備えている。
【0099】
洗面本体３０６は、洗面装置３０２が使用される室内空間３０５に向けて上方が開放された滞留空間３０４を形成する。洗面本体３０６は、内側の滞留空間３０４内に水が貯水できるようになっている。このような構造により、洗面本体３０６は、ミストが滞留空間３０４内に滞留されるようになっている。
【0100】
ミスト発生装置１は、洗面装置３０２に用いられる。ミスト発生装置１は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０とを備えている。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間３０４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが洗面本体３０６の滞留空間３０４内に滞留されるように構成される。図２５において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを例示している。
【0101】
このように構成された第４実施形態の構造によれば、加熱されたミストが洗面本体３０６の滞留空間３０４内に滞留される。例えば、加熱されたミストを洗面本体３０６の滞留空間３０４内に滞留させ、使用者が顔又は手、足等の体の一部をミストに当てることにより、保湿、洗浄性能の向上、温浴、美容効果等を得られる。また、加熱されたミストにより、使用者が滞留空間３０４において体の一部のミスト浴をすることもできる。また例えば、加熱されたミストにより、洗面本体３０６を温めるとともに洗面本体３０６内の滞留空間３０４内に付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄又は汚れを落としやすくできる。
【0102】
次に、図２６により、本発明の第５実施形態によるミスト発生装置を備えた水回り機器であるキッチンシンク装置を説明する。第５実施形態は、本発明によるミスト発生装置をキッチンシンク装置に適用した例である。図２６は本発明の第５実施形態によるミスト発生装置を備えたキッチンシンク装置の斜視図である。
【0103】
第５実施形態によるミスト発生装置は、上述した第１実施形態によるミスト発生装置と基本構造が類似しているため、本発明の第５実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付する又は図示を省略して説明を省略する。本発明の第５実施形態によるキッチンシンク装置の動作（作用）や各測定方法等については、第１実施形態による浴槽装置の動作（作用）や各測定方法等と同様であるので説明を省略する。
【0104】
図２６に示すように、本発明の第５実施形態によるミスト発生装置１を備えた水回り機器であるキッチンシンク装置４０２は、洗面室４０３に設けられる。キッチンシンク装置４０２には、水の供給を行う供給装置４０７が設けられている。キッチンシンク装置４０２は、さらに、ミスト発生装置１の後述するミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間４０４を形成するキッチンシンク本体４０６を備えている。
【0105】
キッチンシンク本体４０６は、キッチンシンク装置４０２が使用される室内空間４０５に向けて上方が開放された滞留空間４０４を形成する。キッチンシンク本体４０６は、内側の滞留空間４０４内に水が貯水できるようになっている。このような構造により、キッチンシンク本体４０６は、ミストが滞留空間４０４内に滞留されるようになっている。
【0106】
ミスト発生装置１は、キッチンシンク装置４０２に用いられる。ミスト発生装置１は、ミスト生成部８と、ミスト供給部１０とを備えている。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間４０４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストがキッチンシンク本体４０６の滞留空間４０４内に滞留されるように構成される。図２６において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを例示している。
【0107】
このように構成された第５実施形態の構造によれば、加熱されたミストがキッチンシンク本体４０６の滞留空間４０４内に滞留される。例えば、加熱されたミストをキッチンシンク本体４０６の滞留空間４０４内に滞留させ、食器類、洗いたい機器等をミストに当てることにより、洗いたい対象物を温め、付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄することができる。また、加熱されたミストを洗いたい対象物に当てることで、洗浄に至らないまでも、汚れを落ちやすくできる。また、加熱されたミストをキッチンシンク本体４０６の滞留空間４０４内に滞留させ、キッチンシンク本体４０６内の使用者の手指を温めながら、使用者が作業できる。また例えば、加熱されたミストにより、キッチンシンク本体４０６を温めるとともにキッチンシンク本体４０６内の滞留空間４０４内に付着した汚れを比較的高い洗浄性能で洗浄又は汚れを落としやすくできる。
【符号の説明】
【0108】
１ ミスト発生装置
２ 浴槽装置
４ 滞留空間
６ 浴槽本体
６ｂ 溢れ面
６ｃ 溢れ部
８ ミスト生成部
１０ ミスト供給部
２４ 室内温度計測器
１０２ 洗い場床装置
１０４ 滞留空間
２０２ シャワールーム装置
２０３ シャワールーム
２０４ 滞留空間
３０２ 洗面装置
３０４ 滞留空間
４０２ キッチンシンク装置
４０４ 滞留空間
Ａ 使用者
Ｂ 水
Ｃ 滞留層
２ 浴槽装置
４ 滞留空間
６ 浴槽本体
６ｂ 溢れ面
６ｃ 溢れ部
８ ミスト生成部
１０ ミスト供給部
２４ 室内温度計測器
１０２ 洗い場床装置
１０４ 滞留空間
２０２ シャワールーム装置
２０３ シャワールーム
２０４ 滞留空間
３０２ 洗面装置
３０４ 滞留空間
４０２ キッチンシンク装置
４０４ 滞留空間
Ａ 使用者
Ｂ 水
Ｃ 滞留層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】