特許 7548195 積層セラミックコンデンサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-02

(45)【発行日】2024-09-10

(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサ

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240903BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201K

H01G4/30 201F

H01G4/30 512

H01G4/30 513

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2021188967

(22)【出願日】2021-11-19

(65)【公開番号】P2023075821

(43)【公開日】2023-05-31

【審査請求日】2023-06-22

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100145713

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 竜太

(74)【代理人】

【識別番号】100165157

【弁理士】

【氏名又は名称】芝 哲央

(72)【発明者】

【氏名】幸川 進一

(72)【発明者】

【氏名】前埜 聡

【審査官】田中 晃洋

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１９０９５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１５７９０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－０６９４０１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ４／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層方向に交互に積層される複数の誘電体セラミック層及び複数の内部電極層を含むとともに、前記積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面と、前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、を有する略直方体形状の積層体と、
前記積層体の前記長さ方向の両端部に、少なくとも前記第１の端面及び前記第２の端面のそれぞれを覆うように配置され、前記内部電極層に接続される一対の外部電極と、を備え、
略長方形状である前記第１の主面側及び前記第２の主面側のうちの少なくとも一方の主面側の表面における４つの隅部のそれぞれに、第１の凸部が形成され、
前記複数の内部電極層は、前記積層方向に互いに隣り合う第１の内部電極層及び第２の内部電極層を含み、
前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層のそれぞれは、前記誘電体セラミック層を介して前記積層方向に互いに対向する対向部を有し、
前記第１の内部電極層は、前記対向部の前記第１の端面側の端部から前記第１の端面に引き出される第１の引き出し部を有し、
前記第２の内部電極層は、前記対向部の前記第２の端面側の端部から前記第２の端面に引き出される第２の引き出し部を有し、
前記外部電極は、前記第１の端面側に配置されて前記第１の引き出し部と接続される第１の外部電極と、前記第２の端面側に配置されて前記第２の引き出し部と接続される第２の外部電極と、を含み、
前記誘電体セラミック層は、前記第１の内部電極層と前記第２の内部電極層との間に配置された複数の第１の誘電体セラミック層と、前記内部電極層を介して対向する前記第１の誘電体セラミック層間の前記内部電極層が配置されていない領域に配置され、前記第１の誘電体セラミック層と前記積層方向において重畳するように配置された第２の誘電体セラミック層と、前記積層体の前記第１の側面及び前記第２の側面のそれぞれに配置される第３の誘電体セラミック層と、を含み、
前記積層体は、前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層が前記誘電体セラミック層を介して交互に積層される内層部と、前記内層部を前記積層方向で挟むように配置されたセラミック材料で構成される一対の外層部と、を有し、
前記内部電極層は、前記幅方向両端部において前記長さ方向に延びる一対の第１の縁部と、前記対向部の前記長さ方向両端部において前記幅方向に延びる一対の第２の縁部と、を含み、
前記誘電体セラミック層は、前記積層方向に互いに対向する一対の前記第１の縁部の間の第１の周囲部と、前記積層方向に互いに対向する一対の前記第２の縁部の間の第２の周囲部と、前記第１の周囲部と前記第２の周囲部とにより囲まれる中央領域と、を有し、前記第１の周囲部及び前記第２の周囲部は、前記中央領域の厚みよりも厚く、
前記誘電体セラミック層は、前記第１の周囲部と前記第２の周囲部とが交差する交差部を含み、
前記交差部における前記誘電体セラミック層の厚みは、前記第１の周囲部及び前記第２の周囲部の厚みよりも厚く、
前記第１の主面及び前記第２の主面のうちの少なくとも一方の主面における前記交差部の積層方向に対応する部分に、第２の凸部が形成されている、積層セラミックコンデンサ。

【請求項2】

前記積層体は、前記第１の主面及び前記第２の主面における前記長さ方向の両端部のそれぞれに、前記積層方向に盛り上がり、かつ前記幅方向に延びる盛り上がり部を有し、
前記外部電極は、前記盛り上がり部を覆っている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、誘電体セラミック層と内部電極層とが積層方向に交互に積層されることにより多層化された積層体と、この積層体の長さ方向両端部に配置されて内部電極層に接続された一対の外部電極とを備えた略直方体形状の積層セラミックコンデンサが知られている。特許文献１には、内部電極層の積層構造に起因して、全ての内部電極層が積層されている中央部よりも外周部の積層方向の厚みが薄くなっている積層セラミックコンデンサが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－９４６３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記特許文献１に開示されるような積層セラミックコンデンサでは、基板に実装する際に基板に載置した姿勢が不安定になりやすい。このため、はんだ付け等の実装の作業を行いにくい事態が生じることが懸念される。

【0005】

そこで本発明は、実装時に安定した姿勢を保持することができる積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る積層セラミックコンデンサは、積層方向に交互に積層される複数の誘電体セラミック層及び複数の内部電極層を含むとともに、前記積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面と、前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、を有する略直方体形状の積層体と、前記積層体の前記長さ方向の両端部に、少なくとも前記第１の端面及び前記第２の端面のそれぞれを覆うように配置され、前記内部電極層に接続される一対の外部電極と、を備え、略長方形状である前記第１の主面側及び前記第２の主面側のうちの少なくとも一方の主面側の表面における４つの隅部のそれぞれに、第１の凸部が形成されている。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、実装時に安定した姿勢を保持することができる積層セラミックコンデンサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。

【図2】図１のII－II断面図である。

【図3】図１のIII－III断面図である。

【図4】図２のIV－IV断面図である。

【図5】第１実施形態に係る第１の凸部が形成され得る製造方法の第１段階を概略的に示す図であって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＡ－Ａ断面図である。

【図6】上記製造方法の第２段階を概略的に示す図であって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＢ－Ｂ断面図である。

【図7】上記製造方法の第３段階を概略的に示す図であって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＣ－Ｃ断面図である。

【図8】上記製造方法の第４段階を概略的に示す図であって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＤ－Ｄ断面図である。

【図9】上記製造方法の第５段階を示す断面図である。

【図10】上記製造方法で得られた第１実施形態に係る積層体モデルであって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＥ－Ｅ断面図である。

【図11】第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。

【図12】図１１のXII－XII断面図である。

【図13】図１１のXIII－XIII断面図である。

【図14】図１２のXIV－XIV断面図である。

【図15】第２実施形態に係る第２の凸部が形成され得る製造方法の第１段階を概略的に示す図であって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＦ－Ｆ断面図である。

【図16】上記製造方法の第２段階を概略的に示す図であって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＧ－Ｇ断面図、Ｈ－Ｈ断面図である。

【図17】上記製造方法の第３段階を概略的に示す図であって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＩ－Ｉ断面図である。

【図18】上記製造方法の第４段階を概略的に示す図であって、上側は平面図、下側は上側の平面図のＪ－Ｊ断面図である。

【図19】上記製造方法の第５段階を示す断面図である。

【図20】上記製造方法で得られた第２実施形態に係る積層体モデルであって、上側は平面図である。

【図21】第１実施形態の変形例に係る積層体モデルの側断面図である。

【図22】図２１のXXII－XXII断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照しながら実施形態について説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の概略斜視図である。図２は、図１に示すII－II線に沿った断面図である。図３は、図１に示すIII－III線に沿った断面図である。図４は、図２に示すIV－IV線に沿った断面図である。

【0010】

図１に示すように、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、全体として略直方体形状を有している。この積層セラミックコンデンサ１０は、略直方体形状を有する積層体１１と、一対の外部電極２０と、を備えている。

【0011】

図１～図３において、矢印Ｔは、積層セラミックコンデンサ１０及び積層体１１の積層方向を示している。図１、図２及び図４において、矢印Ｌは、積層セラミックコンデンサ１０及び積層体１１の、積層方向Ｔに直交する長さ方向を示している。図１、図３及び図４において、矢印Ｗは、積層セラミックコンデンサ１０及び積層体１１の、積層方向Ｔ及び長さ方向Ｌに直交する幅方向を示している。
図２は、ＬＴ断面を示している。図３は、ＷＴ断面を示し、図４は、ＬＷ断面を示している。

【0012】

積層体１１は、積層方向Ｔにおいて相対する第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂと、幅方向Ｗにおいて相対する第１の側面１３ａ及び第２の側面１３ｂと、長さ方向Ｌにおいて相対する第１の端面１４ａ及び第２の端面１４ｂと、を有する。

【0013】

図２～図４に示すように、積層体１１は、積層方向Ｔに積層された複数の内部電極層１５及び複数の誘電体セラミック層１６を備えている。

【0014】

複数の内部電極層１５は、積層方向Ｔに互いに隣り合う第１の内部電極層１５Ａ１及び第２の内部電極層１５Ａ２を含む。第１の内部電極層１５Ａ１及び第２の内部電極層１５Ａ２は、ほぼ同じ寸法の矩形形状を有する。第１の内部電極層１５Ａ１及び第２の内部電極層１５Ａ２のそれぞれは、誘電体セラミック層１６を介して積層方向Ｔに互いに隣接する矩形状の対向部１５ｂを有する。

【0015】

第１の内部電極層１５Ａ１は、対向部１５ｂにおける第１の端面１４ａ側の端部から第１の端面１４ａに引き出される第１の引き出し部１５ｃ１を有する。第１の引き出し部１５ｃ１の先端は、第１の端面１４ａに露出している。第２の内部電極層１５Ａ２は、対向部１５ｂの第２の端面１４ｂ側の端部から第２の端面１４ｂに引き出される第２の引き出し部１５ｃ２を有する。第２の引き出し部１５ｃ２の先端は、第２の端面１４ｂに露出している。
なお、第１の内部電極層１５Ａ１及び第２の内部電極層１５Ａ２の基本構造は同じなため、特に区別する必要のない場合は両者をまとめて内部電極層１５という場合がある。

【0016】

図４に示すように、内部電極層１５は、幅方向Ｗ両端部において長さ方向Ｌに延びる一対の第１の縁部１５ｄ１と、対向部１５ｂの長さ方向Ｌ両端部において幅方向Ｗに延びる一対の第２の縁部１５ｄ２と、を含む。

【0017】

内部電極層１５は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＡｇとＰｄの合金、及びＡｕ等の金属を含有する導電薄膜である。内部電極層１５は、これらの金属材料に限られず、他の導電材料で形成されてもよい。内部電極層１５は、さらに、誘電体セラミック層１６に含まれるセラミックと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。

【0018】

誘電体セラミック層１６は、複数の第１の誘電体セラミック層１６Ａと、複数の第２の誘電体セラミック層１６Ｂと、一対の第３の誘電体セラミック層１６Ｃと、を含む。
複数の第１の誘電体セラミック層１６Ａのそれぞれは、積層方向Ｔにおいて第１の内部電極層１５Ａ１と第２の内部電極層１５Ａ２との間に配置されている。複数の第２の誘電体セラミック層１６Ｂのそれぞれは、内部電極層１５を介して対向する第１の誘電体セラミック層１６Ａ間において内部電極層１５が配置されない領域を埋めるようにして配置されている。複数の第２の誘電体セラミック層１６Ｂのそれぞれは、積層方向Ｔの両側の各第１の誘電体セラミック層１６Ａと積層方向Ｔにおいて重畳している。一対の第３の誘電体セラミック層１６Ｃは、後述する内層部１１Ａ及び主面側の外層部１１Ｂを幅方向Ｗに挟むように配置され、側面側の外層部を構成しており、それぞれの表面が第１の側面１３ａ及び第２の側面１３ｂを形成している。
なお、第１の誘電体セラミック層１６Ａ、第２の誘電体セラミック層１６Ｂ、第３の誘電体セラミック層１６Ｃは、特性が共通する材料で形成される点から、特に区別する必要のない場合はまとめて誘電体セラミック層１６という場合がある。

【0019】

誘電体セラミック層１６は、例えば、チタン酸バリウムを主成分とするセラミックス材料が焼成されて形成される。誘電体セラミック層１６は、他の高誘電率のセラミックス材料（例えば、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３等を主成分とするもの）により形成されてもよい。誘電体セラミック層１６を形成するセラミック材料には、例えば、組成を調整することを目的として、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、希土類、Ｎｉ及びＡｌ等の添加剤が含まれる。

【0020】

積層体１１は、さらに、内層部１１Ａ及び外層部１１Ｂを備える。
内層部１１Ａは、複数の第１の内部電極層１５Ａ１及び複数の第２の内部電極層１５Ａ２が第１の誘電体セラミック層１６Ａを介して交互に積層されている。内層部１１Ａは、静電容量を発生させ、実質的にコンデンサとして機能する部分である。一対の外層部１１Ｂのそれぞれは、内層部１１Ａを積層方向で挟むように配置されており、それぞれの表面が第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂを形成している。外層部１１Ｂは、誘電体セラミック層１６と同様の誘電体セラミック材料で形成される。

【0021】

図１及び図３に示すように、一対の外部電極２０は、積層体１１における長さ方向Ｌの両端部の表面を覆うように互いに離間して設けられている。一対の外部電極２０のそれぞれは、導電膜により形成されている。一対の外部電極２０は、第１の端面１４ａ側に配置される第１の外部電極２０Ａと、第２の端面１４ｂ側に配置される第２の外部電極２０Ｂと、を含む。

【0022】

第１の外部電極２０Ａには、各第１の内部電極層１５Ａ１における第１の引き出し部１５ｃ１の先端が接触している。これにより、第１の内部電極層１５Ａ１は第１の外部電極２０Ａに電気的に接続されている。第２の外部電極２０Ｂには、各第２の内部電極層１５Ａ２における第２の引き出し部１５ｃ２の先端が接触している。これにより、第２の内部電極層１５Ａ２は第２の外部電極２０Ｂに電気的に接続されている。すなわち内層部１１Ａにおいては、第１の外部電極２０Ａに接続される各第１の内部電極層１５Ａ１の対向部１５ｂと、第２の外部電極２０Ｂに接続される各第２の内部電極層１５Ａ２の対向部１５ｂとが、第１の誘電体セラミック層１６Ａを介して積層方向Ｔに交互に積層されている。これにより、第１の外部電極２０Ａと第２の外部電極２０Ｂとの間は、コンデンサ要素が電気的に並列に接続された構造となっている。
なお、第１の外部電極２０Ａ及び第２の外部電極２０Ｂの基本構造は同じなため、特に区別する必要のない場合は両者をまとめて外部電極２０という場合がある。

【0023】

外部電極２０は、例えば、焼結金属層とめっき層との積層膜により構成される。焼結金属層は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等のペーストを焼き付けることで形成される。めっき層は、例えば、Ｎｉめっき層とこれを覆うＳｎめっき層とにより構成される。めっき層は、これに代えてＣｕめっき層やＡｕめっき層であってもよい。また、外部電極２０は、めっき層のみによって形成されていてもよく、さらには、導電性樹脂ペーストを利用してもよい。

【0024】

第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１０は、例えば、誘電体セラミック層１６及び一対の外層部１１Ｂとなるセラミックグリーンシート等のセラミック材料、並びに内部電極層１５となる導電ペースト等の導電材料が積層されて積層体１１が形成される。そして、積層体１１が焼成され、この後、外部電極２０が焼き付けやめっき等により形成されて、積層セラミックコンデンサ１０が製造される。なお、外部電極２０の形成は、めっきを除いて、その一部あるいは全てが積層体１１の焼成と同時に焼き付けされて形成されてもよい。

【0025】

第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１０においては、図１に示すように、積層体１１における第１の主面１２ａ側の表面における４つの隅部のそれぞれに、表面高さが他の部分よりも高い第１の凸部３０が形成されている。第１の凸部３０は、第２の主面１２ｂ側の表面の四隅にも同様に形成されている。実施形態の各第１の凸部３０は、外部電極２０の平坦な表面から突出するように形成されている。４つの第１の凸部３０は、概ね同じ高さである。

【0026】

図２及び図３に示すように、第１の凸部３０のそれぞれは、積層体１１に形成された第１の突出部３１を外部電極２０が覆うことにより形成されている。積層体１１の第１の突出部３１は、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂのそれぞれの四隅に形成されている。

【0027】

積層体１１の第１の突出部３１は、例えば、図５～図１０に示す製造工程の結果、形成され得る。
以下に、当該製造工程によって第１の突出部３１が形成される原理を説明する。なお、図５～図１０は、理解容易のために１つの積層体１１の製造工程をモデル化して示している。実際には、複数の積層体１１が一括して製造される。図５～図８、図１０で上側の図面が平面図であり、この平面図の下側の図面は、上側の平面図において示す矢視断面線に対応する断面図である。
なお、以下の説明では、内部電極層１５及び誘電体セラミック層１６のそれぞれの１層の厚みを「１」とし、積層数に応じた厚みを示す。例えば、積層数が２層であれば「厚み１」、積層数が３層であれば「厚み２」である。図５～図８、図１０の平面図においては、線で仕切られる各部分の厚みを丸数字で表している。

【0028】

図５に示すように、第１の誘電体セラミック層１６Ａを含むベースとなる１層の誘電体セラミック層１６を形成し（厚み１）、その上に、第１の内部電極層１５Ａ１を形成する（厚み２）。第１の内部電極層１５Ａ１の第１の引き出し部１５ｃ１は、第１の端面１４ａ側に露出する。次いで、図６に示すように、第１の内部電極層１５Ａ１が形成されていない第２の端面１４ｂ側の誘電体セラミック層１６の上面に、第２の誘電体セラミック層１６Ｂを幅方向Ｗ全長にわたり形成する（厚み２）。なお、先に誘電体セラミック層１６を形成しておき、その後に、第1の内部電極１５Ａ１を形成してもよい。
なお、誘電体セラミック層１６や内部電極層１５は、スクリーン印刷で形成する。なお、グラビア印刷などでもよい。特にスクリーン印刷においては、電鋳加工による高精度スクリーン版を用いたり、スクリーン版のテンションを変化させたりすることで印刷パターンを形成する。

【0029】

次いで、図７に示すように、第１の内部電極層１５Ａ１の幅方向Ｗ両側の誘電体セラミック層１６の上面に、第３の誘電体セラミック層１６Ｃとなる誘電体セラミック層１６を長さ方向Ｌ全長にわたり積層して第１の素材シート１Ａを得る。第３の誘電体セラミック層１６Ｃを長さ方向Ｌ全長にわたり積層するため、第２の端面１４ｂ側の幅方向Ｗの両端の隅部においては、第２の誘電体セラミック層１６Ｂの上に第３の誘電体セラミック層１６Ｃが重なり、そこだけ３層、すなわち「厚み３」となる。

【0030】

次いで、図５～図７と同様の工程を経て、図８に示す第２の内部電極層１５Ａ２を備えた第２の素材シート１Ｂを得る。第２の素材シート１Ｂの第２の内部電極層１５Ａ２は、第２の引き出し部１５ｃ２が第２の端面１４ｂ側に露出する。第２の素材シート１Ｂは、第１の端面１４ａ側の幅方向Ｗの両端の隅部において、第２の誘電体セラミック層１６Ｂの上に第３の誘電体セラミック層１６Ｃが重なり、そこだけ３層、すなわち「厚み３」となる。

【0031】

次いで、図９に示すように、第１の素材シート１Ａの上に第２の素材シート１Ｂを重ね合わせ、積層方向Ｔの両側からプレスして図１０に示す積層体モデル１１Ｍ１を得る。上述した第１実施形態の積層体１１は多数の第１の素材シート１Ａ及び第２の１７Ｂを重ね合わせることにより製造されるが、ここでは、２枚の素材シート１７Ａ、１７Ｂを重ね合わせたものを積層体１１に近似する構造を備えた第１実施形態の積層体モデル１１Ｍ１とする。この積層体モデル１１Ｍ１においては、第１の素材シート１Ａの「厚み３」の隅部が、第２の素材シート１Ｂの「厚み２」の部分に重なり、第２の素材シート１Ｂの「厚み３」の隅部が第１の素材シート１Ａの「厚み２」の部分に重なる。これにより、４つの隅部においては「厚み５」となり、それ以外の部分は「厚み４」となる。
図１０には、第１実施形態の積層体１１における第１の突出部３１に対応する部分に、同一の符号を付している。

【0032】

このようにして上述した積層体１１を製造した場合、その積層体１１の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂのそれぞれの四隅には、第１の突出部３１が同様に形成される。そして、そのような積層体１１に一対の外部電極２０が形成されると、第１の凸部３０が形成されることになる。

【0033】

ところで、積層セラミックコンデンサ１０は、所定の機器の基板に実装されて使用されるが、その際には、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂのうちの一方を基板の表面に対向した状態で基板上に載置した後、はんだ付け等の実装の作業を行うとよい。第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂのうちの一方を基板の表面に対向させると、四隅の各第１の凸部３０が基板に立脚したような状態となり、基板上に安定した姿勢で載置することができる。その結果、実装作業を円滑に行うことができる。

【0034】

第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、積層方向Ｔに交互に積層される複数の誘電体セラミック層１６及び複数の内部電極層１５を含むとともに、積層方向Ｔにおいて相対する第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂと、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗにおいて相対する第１の側面１３ａ及び第２の側面１３ｂと、積層方向Ｔ及び幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌにおいて相対する第１の端面１４ａ及び第２の端面１４ｂと、を有する略直方体形状の積層体１１と、積層体１１の長さ方向Ｌの両端部に、少なくとも第１の端面１４ａ及び第２の端面１４ｂのそれぞれを覆うように配置され、内部電極層１５に接続される一対の外部電極２０と、を備え、略長方形状である第１の主面１２ａ側及び第２の主面１２ｂ側のうちの少なくとも一方の主面側の表面における４つの隅部のそれぞれに、第１の凸部３０が形成されている。

【0035】

これにより、積層セラミックコンデンサ１０を基板に実装する際に、第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂの四隅の第１の凸部３０を基板に載置することで、実装時に安定した姿勢を保持することができる。例えば、長さ方向Ｌの中央部における積層方向Ｔの厚さが最も大きいと、積層セラミックコンデンサを基板上に載置した時に積層セラミックコンデンサが揺動しやすく、姿勢が安定しない。しかし、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１０によれば、四隅の第１の凸部３０を利用して基板上に載置すれば、姿勢が安定する。

【0036】

（第２実施形態）
続いて、図１１～図２０を参照して第２実施形態を説明する。この第２実施形態は、上記第１実施形態と基本構成は同じであるが、特定の構成要素の形状が部分的に異なっている。したがって、第１実施形態と共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略または簡略化し、第１実施形態との相違点ならびにその相違点に関連する部分を中心に説明する。

【0037】

図１１は、第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０の概略斜視図である。図１２は、図１１に示すXII－XII線に沿った断面図である。図１３は、図１１に示すXIII－XIII線に沿った断面図である。図１４は、図１２に示すXIV－XIV線に沿った断面図である。

【0038】

第２実施形態の積層セラミックコンデンサ１０において、誘電体セラミック層１６は、図１２～図１４に示すように、一対の第１の周囲部１８ａと、一対の第２の周囲部１８ｂと、を有する。

【0039】

第１の周囲部１８ａは、積層方向Ｔに隣接して互いに対向する第１の内部電極層１５Ａ１における第１の縁部１５ｄ１と、第２の内部電極層１５Ａ２における第１の縁部１５ｄ１と、の間の部分である。第１の周囲部１８ａは、長さ方向Ｌに延在している。
第２の周囲部１８ｂは、積層方向Ｔに隣接して互いに対向する第１の内部電極層１５Ａ１における第２の縁部１５ｄ２と、第２の内部電極層１５Ａ２における第２の縁部１５ｄ２と、の間の部分である。第２の周囲部１８ｂは、幅方向Ｗに延在している。誘電体セラミック層１６は、第１の周囲部１８ａと第２の周囲部１８ｂとにより囲まれる矩形状の中央領域１８ｃを有する。
さらに、誘電体セラミック層１６は、第１の周囲部１８ａと第２の周囲部１８ｂとが交差する４つの交差部１８ｄを含む。

【0040】

誘電体セラミック層１６の中央領域１８ｃは、概ね第１の誘電体セラミック層１６Ａの領域である。第１の周囲部１８ａ及び第２の周囲部１８ｂの厚みは、中央領域１８ｃの厚みよりも厚い。第１の周囲部１８ａの厚みと第２の周囲部１８ｂの厚みは、略同じである。また、各交差部１８ｄにおける誘電体セラミック層１６の厚みは、第１の周囲部１８ａ及び第２の周囲部１８ｂの厚みよりもさらに厚い。

【0041】

例えば、積層体１１を最終的にプレス成形する場合、内部電極層１５の特に第１の縁部１５ｄ１及び第２の縁部１５ｄ２は変形しやすく、その部分において積層方向Ｔに隣接する内部電極層１５同士が接触してショートするおそれがある。そこで、第２実施形態のように、誘電体セラミック層１６における第１の周囲部１８ａ及び第２の周囲部１８ｂを中央領域１８ｃよりも厚くすることにより、積層方向Ｔに隣接する第１の内部電極層１５Ａ１と第２の内部電極層１５Ａ２同士が接触しにくくなり、ショートが抑制される。

【0042】

また、内部電極層１５の四隅の角部は、プレス成形時に第１の縁部１５ｄ１や第２の縁部１５ｄ２よりも変形しやすく、ショートが生じやすい。しかし、第２実施形態のように、内部電極層１５の角部に対応する誘電体セラミック層１６の各交差部１８ｄの厚みを第１の周囲部１８ａ及び第２の周囲部１８ｂの厚みよりもさらに厚くすることにより、積層方向Ｔに隣接する内部電極層１５の接触がさらに抑えられ、ショートをさらに抑制することができる。

【0043】

図１１～図１３に示すように、積層体１１の第１の主面１２ａは、長さ方向Ｌに延在する一対の第１の線状突出部１９ａを有し、第２の主面１２ｂは、幅方向Ｗに延在する一対の第２の線状突出部１９ｂを有する。一対の第１の線状突出部１９ａは、複数の第１の周囲部１８ａが積層して誘電体セラミック層１６が第１の主面１２ａに膨出することにより形成される。一対の第２の線状突出部１９ｂは、複数の第２の周囲部１８ｂが積層して誘電体セラミック層１６が第２の主面１２ｂに膨出することにより形成される。

【0044】

さらに、積層体１１の第１の主面１２ａ及び第２の主面のそれぞれは、４つの第２の突出部３５を有する。４つの第２の突出部３５は、誘電体セラミック層１６の交差部１８ｄが積層して第１の主面１２ａ及び第２の主面のそれぞれに膨出することにより形成される。交差部１８ｄは第１の周囲部１８ａ及び第２の周囲部１８ｂよりも厚いため、第２の突出部３５の高さは、第１の線状突出部１９ａ及び第２の線状突出部１９ｂの高さよりも高い。

【0045】

第２実施形態の積層セラミックコンデンサ１０においては、外部電極２０の第１の主面１２ａ側の表面及び第２の主面１２ｂ側の表面のそれぞれに、第１実施形態の４つの第１の凸部３０に加えて、４つの第２の凸部３６が形成されている。第２実施形態で追加された第２の凸部のそれぞれは、四隅に形成された第１の凸部３０に近接しており、この第１の凸部３０の内側、すなわち第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂの中心寄りの位置に形成されている。したがって各第２の凸部３６も、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂの４つの隅部に配置されている。

【0046】

第２実施形態の第２の凸部３６のそれぞれは、積層方向Ｔで４つの第２の突出部３５に対応する部分に形成されている。これら４つの第２の凸部３６は、各第２の突出部３５を外部電極２０が覆うことにより形成されている。４つの第２の凸部３６の高さは概ね同じであって、第１の凸部３０の高さよりも高い。したがって第２の凸部３６の高さは、第１の主面１２ａ側の表面及び第２の主面１２ｂ側の表面のそれぞれにおいて最も高い。

【0047】

積層体１１の第２の突出部３５は、例えば、図１５～図２０に示す製造工程の結果、形成され得る。
以下に、当該製造工程によって第２の突出部３５が形成される原理を説明する。なお、図１５～図２０は、理解容易のために１つの積層体１１の製造工程をモデル化して示している。実際には、複数の積層体１１が一括して製造される。図１５～図１８、図２０で上側の図面が平面図であり、この平面図の下側の図面は、上側の平面図において示す矢視断面線に対応する断面図である。
なお、以下の説明では、内部電極層１５及び誘電体セラミック層１６のそれぞれの１層の厚みを「１」とし、積層数に応じた厚みを示す。例えば、積層数が２層であれば「厚み１」、積層数が３層であれば「厚み２」である。図１５～図１８、図２０の平面図においては、線で仕切られる各部分の厚みを丸数字で表している。

【0048】

図１５に示すように、第１の誘電体セラミック層１６Ａを含むベースとなる１層の誘電体セラミック層１６を形成し（厚み１）、その上に、第１の内部電極層１５Ａ１を積層する（厚み２）。第１の内部電極層１５Ａ１の第１の引き出し部１５ｃ１は、第１の端面１４ａ側に露出する。次いで、図１６に示すように、第１の内部電極層１５Ａ１が形成されていない第２の端面１４ｂ側の誘電体セラミック層１６の上面に、第２の誘電体セラミック層１６Ｂを幅方向Ｗ全長にわたり積層する（厚み２）。このとき、第２の誘電体セラミック層１６Ｂを形成するセラミックペースト等の材料を、第１の内部電極層１５Ａ１の第２の縁部１５ｄ２の上に所定幅でオーバーラップさせる。第２の縁部１５ｄ２へのオーバーラップ部１６ｆは、上述した第２の周囲部１８ｂとなる。第２の縁部１５ｄ２の上に材料がオーバーラップして塗布されるため、オーバーラップ部１６ｆの部分は「厚み３」となる。

【0049】

次いで、図１７に示すように、第１の内部電極層１５Ａ１の幅方向Ｗ両側の誘電体セラミック層１６の上面に、第３の誘電体セラミック層１６Ｃを長さ方向Ｌ全長にわたり積層して第２実施形態に係る第１の素材シート２Ａを得る。このとき、第３の誘電体セラミック層１６Ｃを形成するセラミックペースト等の材料を、第１の内部電極層１５Ａ１の第１の縁部１５ｄ１の上に所定幅でオーバーラップさせる。第１の縁部１５ｄ１へのオーバーラップ部１６ｇは、上述した第１の周囲部１８ａとなる。第１の縁部１５ｄ１の上に材料がオーバーラップして塗布されるため、オーバーラップ部１６ｇの部分は「厚み３」となる。さらに、「厚み３」となっていたオーバーラップ部１６ｆの幅方向Ｗ両端部においては、第２の誘電体セラミック層１６Ｂの上に第３の誘電体セラミック層１６Ｃが被るため、「厚み４」の２重オーバーラップ部１６ｈが形成される。

【0050】

次いで、図１５～図１７と同様の工程を経て、図１８に示す第２の内部電極層１５Ａ２を備えた第２実施形態に係る第２の素材シート２Ｂを得る。第２の素材シート２Ｂの第２の内部電極層１５Ａ２は、第２の引き出し部１５ｃ２が第２の端面１４ｂ側に露出する。第２の素材シート２Ｂにおいては、第１の端面１４ａ側のオーバーラップ部１６ｆの幅方向Ｗ両端部に、第２の誘電体セラミック層１６Ｂの上に第３の誘電体セラミック層１６Ｃが被る「厚み４」の２重オーバーラップ部１６ｈが形成される。
これで、「厚み４」の２重オーバーラップ部１６ｈが４か所に形成され、これら２重オーバーラップ部１６ｈは、上述した交差部１８ｄとなる。

【0051】

図１７に示す第１の素材シート２Ａ及び図１８に示す第２の素材シート２Ｂのそれぞれは、厚み数の表示のとおり、「厚み２」、「厚み３」、「厚み４」の３種類の厚み部分を有する。

【0052】

次いで、図１９に示すように、第１の素材シート２Ａの上に第２の素材シート２Ｂを重ね合わせ、厚み方向の両側からプレスして、図２０に示す第２実施形態の積層体モデル１１Ｍ２を得る。

【0053】

図２０に示すように、第２実施形態の積層体モデルＭ２においては、「厚み４」、「厚み５」、「厚み６」、「厚み７」の４種類の厚み部分を有する。図２０には、第２実施形態の積層体１１における第１の周囲部１８ａ及びこの第１の周囲部１８ａの積層で形成される第１の線状突出部１９ａと、第２の周囲部１８ｂ及びこの第２の周囲部１８ｂの積層で形成される第２の線状突出部１９ｂと、交差部１８ｄ及びこの交差部１８ｄの積層で形成される第２の突出部３５と、のそれぞれに対応する部分に、同一の符号を付している。

【0054】

第１の周囲部１８ａ及びこの第１の周囲部１８ａの積層で形成される第１の線状突出部１９ａに対応する部分は「厚み６」である。これは、第１の素材シート２Ａ及び第２の素材シート２Ｂの、ベースの誘電体セラミック層１６と、内部電極層１５と、第３の誘電体セラミック層１６Ｃのオーバーラップ部１６ｆとの３層が２重に重なって６層になっていることによる。

【0055】

第２の周囲部１８ｂ及びこの第２の周囲部１８ｂの積層で形成される第２の線状突出部１９ｂに対応する部分は「厚み５」である。これは、第１の素材シート２Ａのベースの誘電体セラミック層１６と、内部電極層１５と、第３の誘電体セラミック層１６Ｃのオーバーラップ部１６ｆとの３層に、第２の素材シート２Ｂのベースの誘電体セラミック層１６と内部電極層１５の２層が積層して５層となっていることによる。

【0056】

交差部１８ｄ及びこの交差部１８ｄの積層で形成される第２の突出部３５に対応する部分は「厚み７」である。これは、第１の素材シート２Ａのベースの誘電体セラミック層１６、内部電極層１５、第１の縁部１５ｄ１への第３の誘電体セラミック層１６Ｃのオーバーラップ部１６ｆ、第２の縁部１５ｄ２への第２の誘電体セラミック層１６Ｂのオーバーラップ部１６ｆの４層に、第２の素材シート２Ｂのベースの誘電体セラミック層１６、内部電極層１５、第２の縁部１５ｄ２への第２の誘電体セラミック層１６Ｂのオーバーラップ部１６ｆの３層が積層して７層となっていることによる。

【0057】

このようにして上述した第２実施形態の積層体１１を製造した場合、その積層体１１の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂのそれぞれの四隅には、第２の突出部３５が同様に形成される。そして、そのような積層体１１に一対の外部電極２０を形成すると、第２の凸部３６が形成されることになる。

【0058】

第２実施形態の積層セラミックコンデンサ１０によれば、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂのうちの一方の主面側の４隅の第２の凸部３６を利用して基板に載置することにより、基板上で揺動しにくく、安定した姿勢で実装することができる。

【0059】

第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０においては、複数の内部電極層１５は、積層方向Ｔに互いに隣り合う第１の内部電極層１５Ａ１及び第２の内部電極層１５Ａ２を含み、第１の内部電極層１５Ａ１及び第２の内部電極層１５Ａ２のそれぞれは、誘電体セラミック層１６を介して積層方向Ｔに互いに対向する対向部１５ｂをそれぞれ有し、第１の内部電極層１５Ａ１は、対向部１５ｂの第１の端面１４ａ側の端部から第１の端面１４ａに引き出される第１の引き出し部１５ｃ１を有し、第２の内部電極層１５Ａ２は、対向部１５ｂの第２の端面１４ｂ側の端部から第２の端面１４ｂに引き出される第２の引き出し部１５ｃ２を有し、外部電極２０は、第１の端面１４ａ側に配置されて第１の引き出し部１５ｃ１と接続される第１の外部電極２０Ａと、第２の端面１４ｂ側に配置されて第２の引き出し部１５ｃ２と接続される第２の外部電極２０Ｂと、を含み、誘電体セラミック層１６は、第１の内部電極層１５Ａ１と第２の内部電極層１５Ａ２との間に配置された複数の第１の誘電体セラミック層１６Ａと、内部電極層１５を介して対向する第１の誘電体セラミック層１６Ａ間の内部電極層１５が配置されていない領域に配置され、第１の誘電体セラミック層１６Ａと積層方向Ｔにおいて重畳するように配置された第２の誘電体セラミック層１６Ｂと、積層体１１の第１の側面１３ａ及び第２の側面１３ｂのそれぞれに配置される第３の誘電体セラミック層１６Ｃと、を含み、積層体１１は、第１の内部電極層１５Ａ１及び第２の内部電極層１５Ａ２が誘電体セラミック層１６を介して交互に積層される内層部１１Ａと、内層部１１Ａを積層方向Ｔで挟むように配置されたセラミック材料で構成される一対の外層部１１Ｂと、を有し、内部電極層１５は、幅方向Ｗ両端部において長さ方向Ｌに延びる一対の第１の縁部１５ｄ１と、対向部１５ｂの長さ方向Ｌ両端部において幅方向Ｗに延びる一対の第２の縁部１５ｄ２と、を含み、誘電体セラミック層１６は、積層方向Ｔに互いに対向する一対の第１の縁部１５ｄ１の間の第１の周囲部１８ａと、積層方向Ｔに互いに対向する一対の第２の縁部１５ｄ２の間の第２の周囲部１８ｂと、第１の周囲部１８ａと第２の周囲部１８ｂとにより囲まれる中央領域１８ｃと、を有し、第１の周囲部１８ａ及び第２の周囲部１８ｂは、中央領域１８ｃの厚みよりも厚い。

【0060】

これにより、第１の縁部１５ｄ１及び第２の縁部１５ｄ２における内部電極層１５同士の接触を抑制してショートを効果的に抑制することができる。

【0061】

第２実施形態の積層セラミックコンデンサ１０においては、誘電体セラミック層１６は、第１の周囲部１８ａと第２の周囲部１８ｂとが交差する交差部１８ｄを含み、交差部１８ｄにおける誘電体セラミック層１６の厚みは、第１の周囲部１８ａ及び第２の周囲部１８ｂの厚みよりも厚く、記第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂのうちの少なくとも一方の主面における交差部１８ｄの積層方向Ｔに対応する部分に、第２の凸部３６が形成されている。

【0062】

これにより、内部電極層１５のショートをさらに抑制することができる。

【0063】

（変形例）
図２１及び図２２は、上記第１実施形態の変形例を示している。図２１はこの変形例の積層セラミックコンデンサ１０の概略斜視図であり、図２２は図２１のXXII－XXII断面図である。

【0064】

この変形例では、図２２に示すように、積層体１１は、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂにおける長さ方向Ｌの両端部のそれぞれに、積層方向Ｔに盛り上がり、かつ幅方向Ｗに延びる盛り上がり部３９を有している。盛り上がり部３９が形成された長さ方向Ｌ両端部の第１の端面１４ａ及び第２の端面１４ｂのそれぞれを覆う第１の外部電極２０Ａ及び第２の外部電極２０Ｂは、盛り上がり部３９を覆っている。これにより、第１の外部電極２０Ａの第１の主面１２ａ側、及び第２の外部電極２０Ｂの第２の主面１２ｂ側にも幅方向Ｗに延在する膨出部３８がそれぞれ形成されている。

【0065】

これにより、積層体１１と外部電極２０との境界部に水分が浸入しても、その水分は盛り上がり部３９でせき止められ、第１の端面１４ａ及び第２の端面１４ｂに露出する内部電極層１５に接触することが抑えられる。また、盛り上がり部３９があることにより、積層体１１と外部電極２０との境界部と第１の端面１４ａ及び第２の端面１４ｂとの間の界面の距離が長くなり、これによっても水分の侵入が抑えられる。

【0066】

本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
例えば、第１の凸部３０や第２の凸部３６は、第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂの双方に形成されてもよいが、これら主面のうちの一方側のみに形成されてよい。その場合、第１の凸部３０や第２の凸部３６が形成された側の主面を基板に対向させ、第１の凸部３０または第２の凸部３６を基板に接触させて実装する。
第１の凸部３０及び第２の凸部３６は、実施形態に記載の製造方法で形成されることに限定されず、任意の方法で形成してよい。

【符号の説明】

【0067】

１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ 積層体
１１Ａ 内層部
１１Ｂ 外層部
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１３ａ 第１の側面
１３ｂ 第２の側面
１４ａ 第１の端面
１４ｂ 第２の端面
１５ 内部電極層
１５Ａ１ 第１の内部電極層
１５Ａ２ 第２の内部電極層
１５ｂ 対向部
１５ｃ１ 第１の引き出し部
１５ｃ２ 第２の引き出し部
１５ｄ１ 第１の縁部
１５ｄ２ 第２の縁部
１６ 誘電体セラミック層
１６Ａ 第１の誘電体セラミック層
１６Ｂ 第２の誘電体セラミック層
１６Ｃ 第３の誘電体セラミック層
１８ａ 第１の周囲部
１８ｂ 第２の周囲部
１８ｃ 中央領域
１８ｄ 交差部
２０ 外部電極
３０ 第１の凸部
３６ 第２の凸部
３９ 盛り上がり部
Ｌ 長さ方向
Ｔ 積層方向
Ｗ 幅方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】