特許 7548200 インダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-02

(45)【発行日】2024-09-10

(54)【発明の名称】インダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/04 20060101AFI20240903BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20240903BHJP

   H01F 41/04 20060101ALI20240903BHJP

【ＦＩ】

H01F17/04 A

H01F17/00 B

H01F17/00 D

H01F17/04 F

H01F41/04 C

【請求項の数】 14

(21)【出願番号】P 2021202738

(22)【出願日】2021-12-14

(65)【公開番号】P2023088090

(43)【公開日】2023-06-26

【審査請求日】2023-07-19

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100145403

【弁理士】

【氏名又は名称】山尾 憲人

(74)【代理人】

【識別番号】100132252

【弁理士】

【氏名又は名称】吉田 環

(74)【代理人】

【識別番号】100189555

【弁理士】

【氏名又は名称】徳山 英浩

(72)【発明者】

【氏名】吉岡 由雅

(72)【発明者】

【氏名】堀 百花

(72)【発明者】

【氏名】東山 知未

【審査官】久保田 昌晴

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２１－０６８８０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２４２８００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０１１１８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０１７１０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０５３６３６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０５３６５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１７８７８９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０２２－１５２０４３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ １７／００－１９／０８、２７／３２、４１／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

素体と、前記素体内に配置されたコイルと、前記コイルの少なくとも一部を覆う非磁性体の絶縁層とを備え、
前記素体は、第１方向に沿って順に積層された第１磁性層および第２磁性層を有し、
前記コイルは、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間で前記第１方向に直交する平面に沿って延在するインダクタ配線を有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する第１断面において、
前記インダクタ配線は、前記第１方向を向く天面と、前記第１方向と逆方向の第２方向を向く底面と、前記第１方向に直交する第３方向を向く第１側面と、前記第３方向と逆方向の第４方向を向く第２側面とを有し、
前記絶縁層は、
前記天面よりも前記第１方向に位置する天面部と、
前記底面よりも前記第２方向に位置する底面部と、
前記第１側面に接触する第１側面部と、
前記第２側面に接触する第２側面部と、
前記天面部から、前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する位置と、前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた少なくとも一つの天面突出部と、
前記底面部から、前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する位置と、前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた底面突出部と、を有し、
前記底面突出部は、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間に位置し、
前記第１磁性層と前記第２磁性層とが、前記底面突出部の先端で接触し、
前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の前記底面突出部の突出長さは、全ての前記天面突出部の前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の突出長さに比べて１．８倍以上長い、インダクタ部品。

【請求項2】

前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記コイルは、前記複数のインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成し、
前記第３方向は、前記コイルの内面方向である、請求項１に記載のインダクタ部品。

【請求項3】

前記天面突出部および前記底面突出部は、前記第１断面において３つ以上存在し、
前記第１断面において、前記天面突出部および前記底面突出部のうちの少なくとも３つは、前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の突出長さが互いに異なる、請求項１または２に記載のインダクタ部品。

【請求項4】

前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記第１断面において、前記第１方向に位置する前記インダクタ配線ほど、前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の前記天面突出部の突出長さは短い、請求項１から３の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項5】

前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記第１断面において、前記天面突出部は、前記第２方向に傾いている、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項6】

前記第１断面において、前記底面突出部は、突出方向が前記第３方向または前記第４方向と平行である、請求項１から５の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項7】

前記第１断面において、前記底面突出部は、前記第１方向に傾いている、請求項１から６の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項8】

前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記コイルは、前記複数のインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成し、
前記第１断面において、全ての前記天面突出部および前記底面突出部は、前記コイルの内磁路および外磁路の何れかに位置する、請求項１から７の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項9】

前記天面突出部は、前記第３方向に突出する突出部および前記第４方向に突出する突出部を含み、
前記底面突出部は、前記第３方向に突出する突出部および前記第４方向に突出する突出部を含む、請求項１から８の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項10】

前記天面突出部は、前記第３方向に突出する突出部および前記第４方向に突出する突出部を含み、
前記第１断面において、前記第３方向に突出する突出部の前記第３方向に平行な方向の突出長さは、前記第４方向に突出する突出部の前記第４方向に平行な方向の突出長さと異なる、請求項１から９の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項11】

前記底面突出部は、前記第３方向に突出する突出部および前記第４方向に突出する突出部を含み、
前記第１断面において、前記第３方向に突出する突出部の前記第３方向に平行な方向の突出長さは、前記第４方向に突出する突出部の前記第４方向に平行な方向の突出長さと異なる、請求項１から１０の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項12】

前記第１断面において、前記天面突出部は、前記第１方向または前記第２方向に傾いている、請求項１から１１の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項13】

前記絶縁層の前記底面部の厚みは、前記天面部の厚みよりも薄い、請求項１から１２の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項14】

前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿ってｎ（ｎ：自然数、ｎ≧２）層存在し、
第１層の前記インダクタ配線を覆う前記絶縁層の材料は、第ｍ（ｍ：自然数、２≦ｍ≦ｎ）層の前記インダクタ配線を覆う前記絶縁層の材料と異なる、請求項１から１３の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、インダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、インダクタ部品としては、国際公開第２０１９／０４４４５９号（特許文献１）に記載されたものがある。インダクタ部品は、磁性層を有する素体と、素体内に配置され、軸方向に沿って螺旋状に巻回されたコイルと、素体内に配置され、コイルを覆う非磁性体の絶縁層と、を備える。絶縁層は、コイルを覆う円筒状の第１部分と、第１部分の下端側に接続し、コイルの内磁路および外磁路の全領域を覆う第２部分と、を有する。コイルの軸を含む断面において、第１部分の内周面および外周面は直線状である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】国際公開第２０１９／０４４４５９号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、従来のインダクタ部品では、コイルの軸を含む断面において、絶縁層の第１部分の内周面および外周面は直線状であるため、絶縁層と素体との密着性が良好ではなかった。また、従来のインダクタ部品では、絶縁層の第２部分がコイルの内磁路および外磁路の全領域を覆うため、インダクタンスの取得効率が低下する虞があった。

【0005】

そこで、本開示は、絶縁層と素体との密着性を向上させると共に、インダクタ特性も向上させることができるインダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
素体と、前記素体内に配置されたコイルと、前記コイルの少なくとも一部を覆う非磁性体の絶縁層とを備え、
前記素体は、第１方向に沿って順に積層された第１磁性層および第２磁性層を有し、
前記コイルは、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間で前記第１方向に直交する平面に沿って延在するインダクタ配線を有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する第１断面において、
前記インダクタ配線は、前記第１方向を向く天面と、前記第１方向と逆方向の第２方向を向く底面と、前記第１方向に直交する第３方向を向く第１側面と、前記第３方向と逆方向の第４方向を向く第２側面とを有し、
前記絶縁層は、
前記天面よりも前記第１方向に位置する天面部と、
前記底面よりも前記第２方向に位置する底面部と、
前記第１側面に接触する第１側面部と、
前記第２側面に接触する第２側面部と、
前記天面部から、前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する位置と、前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた天面突出部と、
前記底面部から、前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する位置と、前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた底面突出部と、を有し、
前記底面突出部は、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間に位置し、
前記第１磁性層と前記第２磁性層とが、前記底面突出部の先端で接触し、
前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の前記底面突出部の突出長さは、前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の前記天面突出部の突出長さよりも長い。

【0007】

前記態様によれば、底面突出部が、第１磁性層と第２磁性層の間に位置し、かつ、第３方向または前記第４方向に平行な方向の底面突出部の突出長さが、第３方向または前記第４方向に平行な方向の天面突出部の突出長さよりも長いため、底面突出部を介して、第１磁性層と第２磁性層との密着性を確保できる。また、天面突出部により、絶縁層と素体との接触面積が増加し、さらに、天面突出部が素体内に食い込むことにより、絶縁層と素体との密着性が向上する。以上により、絶縁層と素体との密着性を向上させることができる。また、第１磁性層と第２磁性層とが、底面突出部の先端で接触しているため、インダクタンスの取得効率を向上させることができる。このように、前記実施形態によれば、絶縁層と素体との密着性を向上させると共に、インダクタ特性も向上させることができる。

【0008】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記コイルは、複数のインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成し、
前記第３方向は、前記コイルの内面方向である。

【0009】

本実施形態によれば、第１磁性層と第２磁性層との接触面積が比較的大きい内磁路内に底面突出部が突出するため、絶縁層と素体との密着性を向上させることができる。

【0010】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記天面突出部および前記底面突出部は、前記第１断面において３つ以上存在し、
前記第１断面において、前記天面突出部および前記底面突出部のうちの少なくとも３つは、前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の突出長さが互いに異なる。

【0011】

前記実施形態によれば、一部の突出部の突出長さを長くすることで、絶縁層と素体との密着性をより向上させることができる。また、一部の突出部の突出長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上させることができる。

【0012】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記第１断面において、前記第１方向に位置する前記インダクタ配線ほど、前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の前記天面突出部の突出長さは短い。

【0013】

前記実施形態によれば、天面突出部の突出長さは、第１方向に位置するインダクタ配線ほど短いので、第１方向に向かうほどコイルの磁路の面積が広がる。これにより、製造時にコイルの第１方向側から第２磁性層を第２方向に充填する際、コイルへの第２磁性層の充填が容易となり、充填率が向上してインダクタンスを向上させることができる。

【0014】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記第１断面において、前記天面突出部は、前記第２方向に傾いている。

【0015】

前記実施形態によれば、天面突出部が第２方向に傾いているので、製造時にコイルの第１方向側から第２磁性層を第２方向に充填する際、コイルへの第２磁性層の充填が円滑となる。また、天面突出部の第２方向への傾きにより、第２磁性層の充填後、第２磁性層の第１方向への抜けに対抗でき、絶縁層と素体との密着性をより向上させることができる。

【0016】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１断面において、底面突出部は、突出方向が前記第３方向または前記第４方向と平行である。

【0017】

前記実施形態によれば、製造時にコイルの第１方向側から第２磁性層を第２方向に充填する際、第１磁性層側が安定した状態で充填されているため、より確実に磁路に磁性層を充填できる。そのため、インダクタンスを高めることができる。

【0018】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１断面において、底面突出部は、前記第１方向に傾いている。

【0019】

前記実施形態によれば、絶縁層と素体との密着性をより向上させることができる。

【0020】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿って複数層存在し、
前記コイルは、前記複数のインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成し、
前記第１断面において、全ての前記天面突出部および前記底面突出部は、前記コイルの内磁路および外磁路の何れかに位置する。

【0021】

前記実施形態によれば、絶縁層と素体との密着性をより向上させることができる。

【0022】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記天面突出部は、前記第３方向に突出する突出部および前記第４方向に突出する突出部を含み、
前記底面突出部は、前記第３方向に突出する突出部および前記第４方向に突出する突出部を含む。

【0023】

前記実施形態によれば、絶縁層と素体との密着性をより向上させることができる。

【0024】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記天面突出部は、前記第３方向に突出する突出部および前記第４方向に突出する突出部を含み、
前記第１断面において、前記第３方向に突出する突出部の前記第３方向に平行な方向の突出長さは、前記第４方向に突出する突出部の前記第４方向に平行な方向の突出長さと異なる。

【0025】

前記実施形態によれば、突出部の一方の長さを長くすることで、絶縁層と素体との密着性をより向上させることができる。また、突出部の他方の長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上させることができる。

【0026】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記底面突出部は、前記第３方向に突出する突出部および前記第４方向に突出する突出部を含み、
前記第１断面において、前記第３方向に突出する突出部の前記第３方向に平行な方向の突出長さは、前記第４方向に突出する突出部の前記第４方向に平行な方向の突出長さと異なる。

【0027】

前記実施形態によれば、突出部の一方の長さを長くすることで、絶縁層と素体との密着性をより向上させることができる。また、突出部の他方の長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上させることができる。

【0028】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第１断面において、前記天面突出部は、前記第１方向または前記第２方向に傾いている。

【0029】

前記実施形態によれば、絶縁層と素体との密着性をより向上させることができる。

【0030】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記絶縁層の前記底面部の厚みは、前記天面部の厚みよりも薄い。

【0031】

前記実施形態によれば、インダクタンスを向上させることができる。

【0032】

好ましくは、インダクタ部品の一実施形態では、
前記インダクタ配線は、前記第１方向に沿ってｎ（ｎ：自然数、ｎ≧２）層存在し、
第１層の前記インダクタ配線を覆う前記絶縁層の材料は、第ｍ（ｍ：自然数、２≦ｍ≦ｎ）層の前記インダクタ配線を覆う前記絶縁層の材料と異なる。

【0033】

前記実施形態によれば、設計自由度を高くすることができる。例えば、第１層のインダクタ配線を覆う絶縁層の材料は、ベース基板との剥離や応力を重視して、選択されることが好ましい。一方、第ｍ層のインダクタ配線を覆う絶縁層の材料は、レーザやフォトリソ解像性、段差への被覆性などで選択されることが好ましい。

【0034】

好ましくは、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、
延在方向に直交する第１断面において、第１方向を向く天面と、前記第１方向と逆方向の第２方向を向く底面と、前記第１方向に直交する第３方向を向く第１側面と、前記第３方向と逆方向の第４方向を向く第２側面とを有するインダクタ配線を形成する工程と、
前記第１断面において、前記天面よりも前記第１方向に位置する天面部と、前記底面よりも前記第２方向に位置する底面部と、前記第１側面に接触する第１側面部と、前記第２側面に接触する第２側面部と、前記天面部から、前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する位置と、前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた天面突出部と、前記底面部から、前記第１側面部よりも前記第３方向に突出する位置と、前記第２側面部よりも前記第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた底面突出部と、を有するように絶縁層を形成する工程と、
前記インダクタ配線および前記絶縁層を挟むように、第１磁性層および第２磁性層を前記第１方向に沿って積層して素体を形成する工程と、を備え、
前記絶縁層を形成する工程において、前記底面突出部は、前記第１磁性層と前記第２磁性層の間に位置し、前記第１磁性層と前記第２磁性層とが、前記底面突出部の先端で接触し、前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の前記底面突出部の突出長さが、前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の前記天面突出部の突出長さよりも長くなるようにする。

【0035】

前記実施形態によれば、絶縁層と素体との密着性を向上させると共に、インダクタ特性も向上させることができる。

【0036】

好ましくは、インダクタ部品の製造方法の一実施形態では、
前記インダクタ配線を形成する工程は、さらに、前記第１方向からみて前記天面突出部と重複可能な位置にダミー配線を形成し、
前記インダクタ配線を形成する工程の後に、さらに、前記ダミー配線を除去する工程を備え、
前記素体を形成する工程は、さらに、前記ダミー配線を除去した位置に前記第１磁性層または前記第２磁性層を充填する。

【0037】

前記実施形態によれば、天面突出部に密着する磁性層を低コストで製造することができる。

【発明の効果】

【0038】

本開示の一態様であるインダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法によれば、絶縁層と素体との密着性を向上させると共に、インダクタ特性も向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0039】

【図1】インダクタ部品の第１実施形態を示す平面図である。

【図2】図１のＡ－Ａ断面図である。

【図3】図２のＡ部の拡大図である。

【図4A】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4B】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4C】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4D】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4E】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4F】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4G】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4H】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4I】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4J】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4K】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4L】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4M】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4N】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図5】インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。

【図6】インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。

【図7】インダクタ部品の第４実施形態を示す断面図である。

【図8】インダクタ部品の第５実施形態を示す断面図である。

【図9】インダクタ部品の第６実施形態を示す平面図である。

【図10】インダクタ部品の第６実施形態を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0040】

以下、本開示の一態様であるインダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

【0041】

＜第１実施形態＞
（構成）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。図３は、図２のＡ部の拡大図である。

【0042】

インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。

【0043】

図１および図２に示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、素体１０内に配置されたコイル１５と、コイル１５の少なくとも一部を覆う非磁性体の絶縁層６０と、素体１０の第１主面１０ａから端面が露出するように素体１０内に設けられた第１垂直配線５１および第２垂直配線５２と、素体１０の第１主面１０ａにおいて露出する第１外部端子４１および第２外部端子４２と、素体１０の第１主面１０ａに設けられた被覆膜５０と、を備える。

【0044】

図中、インダクタ部品１の厚み方向をＺ方向とし、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。インダクタ部品１のＺ方向に直交する平面において、インダクタ部品１の長手方向であり、第１外部端子４１および第２外部端子４２が並ぶ方向である長さ方向をＸ方向とし、長さ方向に直交する方向であるインダクタ部品１の幅方向をＹ方向とする。

【0045】

素体１０は、第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと、第１主面１０ａと第２主面１０ｂの間に位置し第１主面１０ａと第２主面１０ｂを接続する第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆとを有する。

【0046】

第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂは、Ｚ方向に互いに反対側に配置され、第１主面１０ａは、順Ｚ方向に配置され、第２主面１０ｂは、逆Ｚ方向に配置される。第１側面１０ｃおよび第２側面１０ｄは、Ｘ方向に互いに反対側に配置され、第１側面１０ｃは、逆Ｘ方向に配置され、第２側面１０ｄは、順Ｘ方向に配置される。第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆは、Ｙ方向に互いに反対側に配置され、第３側面１０ｅは、逆Ｙ方向に配置され、第４側面１０ｆは、順Ｙ方向に配置される。

【0047】

素体１０は、順Ｚ方向に沿って順に積層された第１磁性層１１および第２磁性層１２を有する。この「順に」とは、単に第１磁性層１１および第２磁性層１２の位置関係を示すだけであり、第１磁性層１１および第２磁性層１２の形成順とは関係ない。

【0048】

第１磁性層１１および第２磁性層１２は、それぞれ、磁性粉と当該磁性粉を含有する樹脂とを含む。樹脂は、例えば、エポキシ系、フェノール系、液晶ポリマー系、ポリイミド系、アクリル系もしくはそれらを含む混合物からなる有機絶縁材料である。磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。したがって、フェライトからなる磁性層と比較して、磁性粉により直流重畳特性を向上でき、樹脂により磁性粉間が絶縁されるので、高周波でのロス（鉄損）が低減される。なお、磁性層は、フェライトや磁性粉の焼結体など、有機樹脂を含まない場合であってもよい。

【0049】

コイル１５は、第１インダクタ配線２１と第２インダクタ配線２２とを有する。第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の各々は、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間でＺ方向に直交する平面に沿って延在する。具体的に述べると、第１磁性層１１は、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の逆Ｚ方向に存在し、第２磁性層１２は、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の順Ｚ方向および順Ｚ方向に直交する方向に存在する。

【0050】

第１インダクタ配線２１は、第２インダクタ配線２２よりも逆Ｚ方向側に設けられ、素体１０の第１主面１０ａに沿ってスパイラル形状に延びる配線である。第１インダクタ配線２１のターン数は、１周を超えることが好ましい。これにより、インダクタンスを向上させることができる。第１インダクタ配線２１は、例えば、Ｚ方向からみて、内周端２１ａから外周端２１ｂに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。

【0051】

第２インダクタ配線２２は、素体１０の第１主面１０ａに沿ってスパイラル形状に延びる配線である。第２インダクタ配線２２のターン数は、１周を超えることが好ましい。これにより、インダクタンスを向上させることができる。第２インダクタ配線２２は、Ｚ方向からみて、外周端２２ｂから内周端２２ａに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第２インダクタ配線２２は、第１インダクタ配線２１と第２磁性層１２との間に配置されている。これにより、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の各々は、Ｚ方向に沿って配置されている。

【0052】

第１インダクタ配線２１の外周端２１ｂは、その外周端２１ｂの上面に接する第２垂直配線５２を介して、第２外部端子４２に接続される。第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂは、その外周端２２ｂの上面に接する第１垂直配線５１を介して、第１外部端子４１に接続される。第２インダクタ配線２２の内周端２２ａは、その内周端２２ａの下面に接するビア配線（図示省略）を介して、第１インダクタ配線２１の内周端２１ａに接続される。以上の構成により、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２は、直列に接続されて、第１外部端子４１および第２外部端子４２と電気的に接続される。

【0053】

なお、本実施形態では、第１接続配線８１が、第１インダクタ配線２１と同一層に設けられている。第１接続配線８１は、第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂの下側（逆Ｚ方向側）に配置され、ビア配線２５を介して、第２インダクタ配線２２の下面のみに接続している。第１接続配線８１は、第１インダクタ配線２１には接続しておらず、電気的に独立している。第１接続配線８１を設けることにより、第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂを、第２インダクタ配線２２の巻回部分と同一層に設けることができ、断線などを抑制することができる。

【0054】

第１、第２インダクタ配線２１，２２の厚みは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。第１、第２インダクタ配線２１，２２の実施例として、厚みが３０μｍ、配線幅が４５μｍである。

【0055】

第１、第２インダクタ配線２１，２２は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどの低電気抵抗な金属材料からなる。なお、インダクタ配線は、シード層と電解めっき層との２層構成であってもよく、シード層として、ＴｉやＮｉを含んでいてもよい。

【0056】

第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂおよび第１接続配線８１のそれぞれに、第１引出配線２０１が接続され、第１引出配線２０１は、第１側面１０ｃから露出する。第１インダクタ配線２１の外周端２１ｂおよび第２垂直配線５２（具体的には、後述する第２接続配線８２）のそれぞれに、第２引出配線２０２が接続され、第２引出配線２０２は、第２側面１０ｄから露出する。

【0057】

第１引出配線２０１および第２引出配線２０２は、インダクタ部品１の製造過程において、第１、第２インダクタ配線２１，２２の形状を形成後、追加で電解めっきを行う際の給電配線と接続される配線である。この給電配線によりインダクタ部品１を個片化する前のインダクタ基板状態において、追加で電解めっきを容易に行うことができ、配線間距離を狭くすることができる。また、追加で電解めっきを行うことで、第１、第２インダクタ配線２１，２２の配線間距離を狭くすることにより、第１、第２インダクタ配線２１，２２の磁気結合を高めることができる。また、第１引出配線２０１および第２引出配線２０２を設けることで、インダクタ部品１の個片化の際の素体１０の切断時に、強度を確保することができ、製造時の歩留まりを向上することができる。

【0058】

第１垂直配線５１は、導電性材料からなり、第２インダクタ配線２２の上面からＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第１垂直配線５１は、第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂの上面に設けられ、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の上面から順Ｚ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通し、端面が素体１０の第１主面１０ａに露出する第１柱状配線３１と、を含む。ビア配線２５は、第１柱状配線３１よりも線幅（径、断面積）が小さい導体である。

【0059】

第２垂直配線５２は、導電性材料からなり、第１インダクタ配線２１の上面からＺ方向に延在し、絶縁層６０および第２磁性層１２の内部を貫通している。第２垂直配線５２は、第１インダクタ配線２１の外周端２１ｂの上面に設けられ、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の上面から順Ｚ方向に延在し、絶縁層６０の内部を貫通する第２接続配線８２と、該第２接続配線８２の上面に設けられ、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の上面から順Ｚ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通し、端面が素体１０の第１主面１０ａに露出する第２柱状配線３２と、を含む。第１，第２垂直配線５１，５２は、第１インダクタ配線２１と同様の材料からなることが好ましい。

【0060】

第１，第２外部端子４１，４２は、素体１０の第１主面１０ａに設けられている。第１，第２外部端子４１，４２は、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの各層の厚みは、例えば、５／５／０．０１μｍである。

【0061】

第１外部端子４１は、第１垂直配線５１の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第１垂直配線５１と電気的に接続されている。これにより、第１外部端子４１は、第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂに電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２垂直配線５２の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第２垂直配線５２と電気的に接続されている。これにより、第２外部端子４２は、第１インダクタ配線２１の外周端２１ｂに電気的に接続される。

【0062】

絶縁層６０は、磁性体を含まない絶縁性材料からなる。絶縁層６０は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマーやこれらの組み合わせなどの有機樹脂や、ガラスやアルミナなどの焼結体、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの薄膜などである。

【0063】

図３に示すように、第１インダクタ配線２１の延在方向に直交する第１断面において、第１インダクタ配線２１は、それぞれ、順Ｚ方向を向く天面２１１と、逆Ｚ方向を向く底面２１２と、順Ｘ方向を向く第１側面２１３と、逆Ｘ方向を向く第２側面２１４とを有する。第１断面において、第２インダクタ配線２２は、それぞれ、順Ｚ方向を向く天面２２１と、逆Ｚ方向を向く底面２２２と、順Ｘ方向を向く第１側面２２３と、逆Ｘ方向を向く第２側面２２４とを有する。

【0064】

図３において、順Ｚ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向」に相当し、逆Ｚ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向と逆方向の第２方向」に相当し、順Ｘ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向に直交する第３方向」に相当し、逆Ｘ方向は、特許請求の範囲に記載の「第３方向と逆方向の第４方向」に相当する。本実施形態では、第３方向はコイル１５の径方向内側であり、第４方向はコイル１５の径方向外側である。以下、第１～第４方向と記載することがある。

【0065】

本実施形態のようにインダクタ配線が１ターンを超える場合、第１断面において、各ターンに対応するインダクタ配線の部分が複数現れる場合がある。この場合、「天面」とは、複数の当該部分における各々の天面から構成される全ての天面を指す。「底面」とは、複数の当該部分における各々の底面から構成される全ての底面を指す。「第１側面」とは、複数の当該部分のうちの最も第３方向側に位置する当該部分における第３方向を向く側面を指す。「第２側面」とは、複数の当該部分のうちの最も第４方向側に位置する当該部分における第４方向を向く側面を指す。

【0066】

絶縁層６０は、第１インダクタ配線２１の天面２１１よりも第１方向に位置する第１天面部６１１と、底面２１２よりも第２方向に位置する底面部６２と、第１側面２１３に接触する第１側面部６３と、第２側面２１４に接触する第２側面部６４と、第１天面部６１１から、第１側面部６３よりも第３方向に突出する位置と、第２側面部６４よりも第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた１番目の天面突出部６５ａと、底面部６２から、第１側面部６３よりも第３方向に突出する位置と、第２側面部６４よりも第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた底面突出部６６と、を有する。

【0067】

また、絶縁層６０は、第２インダクタ配線２２の天面２２１よりも第１方向に位置する第２天面部６１２と、第１側面２２３に接触する第１側面部６３と、第２側面２２４に接触する第２側面部６４と、第２天面部６１２から、第１側面部６３よりも第３方向に突出する位置と、第２側面部６４よりも第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられた２番目の天面突出部６５ｂと、を有する。なお、本実施形態のように複数のインダクタ配線が積層されている場合、天面突出部もＺ方向に沿って複数存在する場合がある。この場合、上記のように、各天面突出部は、底面突出部を基準にして、順Ｚ方向に向かうに従って順番に「１番目の天面突出部」、「２番目の天面突出部」・・・「Ｐ番目の天面突出部（Ｐ：２以上の自然数）」と呼ぶ。

【0068】

本実施形態では、１番目の天面突出部６５ａ、２番目の天面突出部６５ｂおよび底面突出部６６の各々は、第１側面部６３よりも第３方向に突出する位置に設けられている。１番目の天面突出部６５ａ、２番目の天面突出部６５ｂおよび底面突出部６６の各々の突出方向は、第３方向と平行である。第１天面部６１１は、天面２１１、第１側面部６３、第２側面部６４に接触する。第２天面部６１２は、天面２２１、第１側面部６３、第２側面部６４に接触する。底面部６２は、底面２１２、第１側面部６３、第２側面部６４に接触する。具体的に述べると、１番目の天面突出部６５ａは、第１天面部６１１の第３方向側の端面から、第３方向と平行な方向に突出している。２番目の天面突出部６５ｂは、第２天面部６１２の第３方向側の端面から、第３方向と平行な方向に突出している。底面突出部６６は、底面部６２の第３方向側の端面から、第３方向と平行な方向に突出している。

【0069】

ここで、本実施形態のように複数のインダクタ配線が積層されている場合、底面部とは、第１層のインダクタ配線の底面よりも第２方向に位置する絶縁層の部分を指す。本明細書では、第２層以降のインダクタ配線の底面よりも第２方向に位置する絶縁層の部分は、底面部とは言わず、１層下に存在するインダクタ配線に対応する天面部とする。そのため、本実施形態では、第２インダクタ配線２２の底面２２２よりも第２方向に位置する絶縁層６０の部分は、第２インダクタ配線２２に対応する底面部とは言わず、第１インダクタ配線２１に対応する第１天面部６１１である。

【0070】

底面突出部６６は、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間に位置する。第１磁性層１１と第２磁性層１２とは、底面突出部６６の先端で接触する。言い換えると、底面突出部６６は、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間に位置し、かつ、第２方向側の下面が、第１磁性層１１における第２磁性層１２との接触面に接触し、かつ、先端が第２磁性層１２に接触する。第３方向に平行な方向の底面突出部６６の突出長さＬ１は、第３方向に平行な方向の１番目の天面突出部６５ａの突出長さＬ２、および第３方向に平行な方向の２番目の天面突出部６５ｂの突出長さＬ３よりも長い。突出長さＬ１は、好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下であり、一例として４５μｍである。突出長さＬ２およびＬ３は、好ましくは５μｍ以上４０μｍ以下であり、一例として２５μｍである。

【0071】

インダクタ部品１によれば、底面突出部６６が、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間に位置し、かつ、第３方向に平行な方向の底面突出部６６の突出長さＬ１が、第３方向に平行な方向の１番目の天面突出部６５ａの突出長さＬ２、および第３方向に平行な方向の２番目の天面突出部６５ｂの突出長さＬ３よりも長い。このため、底面突出部６６を介して、第１磁性層１１と第２磁性層１２との密着性を確保できる。また、１番目の天面突出部６５ａおよび２番目の天面突出部６５ｂにより、絶縁層６０と素体１０との接触面積が増加し、さらに、１番目の天面突出部６５ａおよび２番目の天面突出部６５ｂが素体１０内に食い込むことにより、絶縁層６０と素体１０との密着性が向上する。以上により、絶縁層６０と素体１０との密着性を向上させることができる。

【0072】

さらに、インダクタ部品１によれば、第１磁性層１１と第２磁性層１２とが、底面突出部６６の先端で接触している。これにより、底面突出部６６がコイル１５の中心に向かって延びて、コイル１５の内磁路の全領域を覆っている場合と比較して、第２磁性層１２の体積を増大させることができる。その結果、インダクタンスの取得効率を向上させることができる。このように、インダクタ部品１によれば、絶縁層６０と素体１０との密着性を向上させることができると共に、インダクタ特性も向上させることができる。

【0073】

好ましくは、インダクタ配線は、第１方向に沿って複数層存在し、コイル１５は、複数のインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成し、第３方向は、コイル１５の内面方向である。

【0074】

上記構成によれば、第１磁性層１１と第２磁性層１２との接触面積が比較的大きい内磁路内に底面突出部６６が突出するため、絶縁層６０と素体１０との密着性を向上させることができる。

【0075】

好ましくは、天面突出部６５および底面突出部６６は、第１断面において３つ以上存在し、第１断面において、天面突出部６５および底面突出部６６のうちの少なくとも３つは、前記第３方向または前記第４方向に平行な方向の突出長さが互いに異なる。例えば、図２に示した第１断面では、天面突出部６５および底面突出部６６は、逆Ｘ方向側に位置する１番目の天面突出部６５ａ、逆Ｘ方向側に位置する２番目の天面突出部６５ｂ、逆Ｘ方向側に位置する底面突出部６６、順Ｘ方向側に位置する１番目の天面突出部６５ａ、順Ｘ方向側に位置する２番目の天面突出部６５ｂおよび順Ｘ方向側に位置する底面突出部６６の６つが存在する。

【0076】

上記構成によれば、天面突出部６５および底面突出部６６のうちの一部の突出部の突出長さを長くすることで、絶縁層６０と素体１０との密着性をより向上させることができる。また、天面突出部６５および底面突出部６６のうちの一部の突出部の突出長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上させることができる。

【0077】

好ましくは、第１断面において、底面突出部６６は、突出方向が第３方向または第４方向と平行である。

【0078】

上記構成によれば、製造時にコイル１５の第１方向側から第２磁性層１２を第２方向に充填する際、第１磁性層１１側が安定した状態で充填されているため、より確実に磁路に磁性層を充填できる。そのため、インダクタンスを高めることができる。

【0079】

好ましくは、インダクタ配線は、第１方向に沿って複数層存在し、コイル１５は、複数のインダクタ配線が直列に接続されて１ターン以上を構成し、第１断面において、全ての天面突出部６５および底面突出部６６は、コイル１５の内磁路および外磁路の何れかに位置する。

【0080】

上記構成によれば、絶縁層６０と素体１０との密着性をより向上させることができる。

【0081】

好ましくは、図３に示すように、絶縁層６０の底面部６２の厚みｔ１は、第１天面部６１１の厚みｔ２および第２天面部６１２の厚みｔ３よりも薄い。

【0082】

上記構成によれば、インダクタンスを向上させることができる。なお、層間絶縁層は、下層のインダクタ配線の凹凸などの影響を受けるため、厚みを相対的に厚くする必要がある。一方、絶縁層６０の最下層となる底面部６２は、研磨などにより厚みを相対的に薄くすることが容易である。また、インダクタ部品１の製造時において、平坦なベース基板上に絶縁層６０を形成すれば、絶縁層６０の最下層となる底面部６２の厚みを薄くすることはさらに容易となる。

【0083】

インダクタ配線は、第１方向に沿ってｎ（ｎ：自然数、ｎ≧２）層存在し、第１層のインダクタ配線を覆う絶縁層の材料は、第ｍ（ｍ：自然数、２≦ｍ≦ｎ）層のインダクタ配線を覆う絶縁層の材料と異なる。

【0084】

ここで、「第１層のインダクタ配線を覆う絶縁層」とは、第１層のインダクタ配線の天面側、第１側面側および第２側面側に位置する絶縁層のみならず、底面側に位置する絶縁層も含む。上記構成によれば、設計自由度を高くすることができる。例えば、第１層のインダクタ配線を覆う絶縁層の材料は、ベース基板との剥離や応力を重視して、選択されることが好ましい。一方、第ｍ層のインダクタ配線を覆う絶縁層の材料は、レーザやフォトリソ解像性、段差への被覆性などで選択されることが好ましい。具体的に述べると、例えば、第１層のインダクタ配線の下部にある絶縁層（底面部）の材料は非感光性ポリイミドを使用し、第ｍ層のインダクタ配線の絶縁層の材料は感光性ポリイミドを使用してもよい。このように樹脂種が同じであっても添加物や重合材が異なっていれば異なるとしている。また、第１層のインダクタ配線を覆う絶縁層の材料がポリイミドで、第ｍ層のインダクタ配線の絶縁層の材料がレーザ加工性と絶縁性に優れたフィラー入りエポキシ樹脂との組み合わせであってもよい。

【0085】

第１実施形態では、インダクタ配線は２層であるが、３層以上であってもよい。３層以上あればインダクタ配線の巻数を増やすことができるので、インダクタンスを高くすることができる。

【0086】

ここで、例えばインダクタ配線を増やすとき、インダクタ配線は、１層、２層と順にｍ層（ｍは３以上の自然数）まで積層すればよい。このとき、第１方向（積層方向）は配線形状などによって決定できる。例えば、インダクタ配線はその製造プロセス上、底面は平面、天面は曲面となることが一般的である。そのため、インダクタ配線の曲面側に対して次の層が順に積層されるため、第１方向はインダクタ配線の平面側から曲面側に向かう方向と言える。例えば、インダクタ配線同士を接続するビア配線の径は、その製造プロセス上、天面側の径が底面側の径よりも大きい。そのため、ビア配線の径が大きい方へ積層されるため、第１方向はビア配線の径が小さい側の接続面から径が大きい側の接続面へ向かう方向と言える。例えば、インダクタ配線がシード層を用いて形成される場合は、第１方向はシード層が存在する側からシード層が存在しない側に向かう方向と言える。なお、上記の第１方向の決定方法は１層の場合でも適用することができる。

【0087】

第１実施形態では、図２に示したように、天面突出部６５および底面突出部６６がコイル１５の内磁路内に突出していたが、コイル１５の外磁路内にも突出していることが好ましい。具体的に述べると、第１断面を例えばコイル１５の軸を含むＹＺ平面としたときに、絶縁層６０は、第１断面において、第１天面部から、第２側面部よりも第４方向に突出する位置に設けられた１番目の天面突出部と、第２天面部から、第２側面部よりも第４方向に突出する位置に設けられた２番目の天面突出部と、底面部から、第２側面部よりも第４方向に突出する位置に設けられた底面突出部と、をさらに有することが好ましい。上記構成によれば、天面突出部６５および底面突出部６６が、外磁路内にも突出しているため、絶縁層６０と素体１０との密着性がさらに向上する。

【0088】

（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。図４Ａから図４Ｎは、図１のＡ－Ａ断面（図２）に対応する。

【0089】

図４Ａに示すように、ベース基板７０を準備する。ベース基板７０は、例えば、セラミックやガラス、シリコンなどの無機材料からなる。ベース基板７０の主面上に銅箔８０を設け、さらに、銅箔８０上に第１絶縁層７１を塗布して、第１絶縁層７１を硬化する。

【0090】

図４Ｂに示すように、第１絶縁層７１上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層（Ｔｉ／Ｃｕ）を形成する。その後、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）７５を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲ７５に所定パターンを形成する。

【0091】

図４Ｃに示すように、シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて第１絶縁層７１上に第１インダクタ配線２１と第１接続配線８１と第１ダミー配線９１とを形成する。その後、ＤＦＲ７５を剥離し、シード層をエッチングする。これにより、第１インダクタ配線２１、第１接続配線８１および第１ダミー配線９１の間に隙間を設ける。

【0092】

図４Ｄに示すように、第１インダクタ配線２１、第１接続配線８１および第１ダミー配線９１の上に第２絶縁層７２を塗布して硬化する。このとき、第２絶縁層７２は、上記隙間にも充填される。その後、第１ダミー配線９１と、第１接続配線８１の上面のうちのビア配線２５が接続される部分と、第１インダクタ配線２１の上面のうちのビア配線２５が接続される部分と、が露出するように、第２絶縁層７２をレーザ照射して開口部７２ａを形成する。このとき、第２絶縁層７２の一部が第１ダミー配線９１に重複するようにする。この第２絶縁層７２の重複部分が、１番目の天面突出部に相当する。ここで、第１ダミー配線９１上の第２絶縁層７２の中央部は除去しなくてもよく、例えば、第１ダミー配線９１の外周に沿ってレーザ照射して環状の開口部を形成してもよい。これによりレーザ照射の時間を短縮できる。なお、第１ダミー配線９１上の第２絶縁層７２の中央部は、第１ダミー配線９１を除去する際にリフトオフされることで除去できる。

【0093】

図４Ｅに示すように、第２絶縁層７２上に、スパッタ法もしくは蒸着法などの公知の方法により、図示しないシード層（Ｔｉ／Ｃｕ）を形成する。その後、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）７５を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲ７５に所定パターンを形成する。シード層に給電しつつ、電解めっき法を用いて、開口部７２ａ内および第２絶縁層７２上にビア配線２５と第２インダクタ配線２２と第２接続配線８２と第２ダミー配線９２とを形成する。その後、ＤＦＲ７５を剥離し、シード層をエッチングする。これにより、第２インダクタ配線２２、第２接続配線８２および第２ダミー配線９２の間に隙間を設ける。

【0094】

図４Ｆに示すように、第２インダクタ配線２２、第２接続配線８２および第２ダミー配線９２の上に第３絶縁層７３を塗布して硬化する。このとき、第３絶縁層７３は、上記隙間にも充填される。その後、第２ダミー配線９２と、第２接続配線８２の上面のうちのビア配線２５が接続される部分と、第２インダクタ配線２２の上面のうちのビア配線２５が接続される部分と、が露出するように、第３絶縁層７３をレーザ照射して開口部７３ａを形成する。このとき、第３絶縁層７３の一部が第２ダミー配線９２に重複するようにする。この第３絶縁層７３の重複部分が、２番目の天面突出部に相当する。その後、第３絶縁層７３上にシード層を形成する。再度、ＤＦＲを貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてＤＦＲに所定パターンを形成する。所定パターンは、第２インダクタ配線２２および第２接続配線８２上の第１柱状配線３１および第２柱状配線３２を設ける位置に対応した貫通孔である。電解めっきを用いて第２インダクタ配線２２および第２接続配線８２上に、ビア配線２５、第１柱状配線３１および第２柱状配線３２を形成する。その後、ＤＦＲを剥離し、シード層をエッチングする。

【0095】

図４Ｇに示すように、第１柱状配線３１および第２柱状配線３２を保護するようにＤＦＲ７５を設ける。

【0096】

図４Ｈに示すように、第１ダミー配線９１および第２ダミー配線９２をエッチングする。これにより、絶縁層６０の１番目の天面突出部６５ａ、２番目の天面突出部６５ｂおよび第１側面部６３を形成する。

【0097】

図４Ｉに示すように、ＤＦＲ７５を剥離し、第１絶縁層７１の一部をレーザ照射して開口部７１ａを形成する。これにより、絶縁層６０の底面突出部６６を形成する。このとき、銅箔８０をレーザのストップ層として用いている。なお、銅箔８０を設けないで、ベース基板の一部分ごとにレーザで第１絶縁層７１を開口してもよく、または、初めからレーザやフォトリソなどのパターン加工によって第１絶縁層７１をパターニングしていてもよい。

【0098】

図４Ｊに示すように、第２磁性層１２となる磁性シートを、ベース基板７０の主面の上方から第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２に向けて圧着して、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２と第１柱状配線３１および第２柱状配線３２を第２磁性層１２により覆う。その後、第２磁性層１２の上面を研削し、第１柱状配線３１および第２柱状配線３２の端面を第２磁性層１２の上面から露出させる。その後、第２磁性層１２の上面に被覆膜５０となる絶縁層を塗布する。そして、フォトリソグラフィ工法を用いて当該絶縁層を所定パターンに形成して硬化する。所定パターンは、被覆膜５０が、第２磁性層１２の上面のうち、第１，第２外部端子４１，４２が形成される領域を除いた領域を覆うことができるパターンである。

【0099】

図４Ｋに示すように、ベース基板７０および銅箔８０を研磨により除去する。このとき、第１絶縁層７１の一部も除去してもよい。

【0100】

図４Ｌに示すように、第１インダクタ配線２１の下方から第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２に向けて第１磁性層１１となる他の磁性シートを圧着して、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を第１磁性層１１により覆う。その後、第１磁性層１１を所定の厚みに研削する。

【0101】

図４Ｍに示すように、第１主面１０ａから露出する第１，第２柱状配線３１，３２の端面を覆うように、第１，第２外部端子４１，４２を無電解めっきにより形成する。第１，第２外部端子４１，４２は、例えば、第１主面１０ａ側から順に積層されたＣｕ／Ｎｉ／Ａｕである。なお、第１，第２外部端子４１，４２を形成する前に、第１，第２外部端子４１，４２と、素体１０の上面および第１，第２柱状配線３１，３２の端面と、が接触する部分に、図示しないＰｄなどの触媒を適用してもよい。

【0102】

図４Ｎに示すように、切断線Ｄにてインダクタ部品１を個片化する。以上のようにして、インダクタ部品１を製造する。

【0103】

以上、インダクタ部品の製造方法は、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を形成する工程と、絶縁層６０を形成する工程と、素体１０を形成する工程とを備える。

【0104】

第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を形成する工程では、延在方向に直交する第１断面において、天面と底面と第１側面と第２側面とを有する第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を形成する。

【0105】

絶縁層６０を形成する工程では、第１断面において、第１天面部６１１と第２天面部６１２と底面部６２と第１側面部６３と第２側面部６４と１番目の天面突出部６５ａと２番目の天面突出部６５ｂと底面突出部６６とを有するように、絶縁層６０を形成する。

【0106】

素体１０を形成する工程では、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を挟むように、第１磁性層１１および第２磁性層１２を第１方向に沿って積層して素体１０を形成する。

【0107】

さらに、絶縁層６０を形成する工程では、底面突出部６６が、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間に位置し、第１磁性層１１と第２磁性層１２とが、底面突出部６６の先端で接触し、第３方向または第４方向に平行な方向の底面突出部６６の突出長さが、第３方向または第４方向に平行な方向の１番目の天面突出部６５ａの突出長さ、および第３方向または第４方向に平行な方向の２番目の天面突出部６５ｂの突出長さよりも長くなるようにする。

【0108】

上記構成によれば、絶縁層６０と素体１０との密着性を向上させることができると共に、インダクタ特性も向上させることができる。

【0109】

好ましくは、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を形成する工程は、さらに、第１方向からみて、１番目の天面突出部６５ａと重複可能な位置に第１ダミー配線９１を形成し、２番目の天面突出部６５ｂと重複可能な位置に第２ダミー配線９２を形成する。第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２を形成する工程の後に、さらに、第１ダミー配線９１および第２ダミー配線９２を除去する工程を備える。素体１０を形成する工程は、さらに、第１ダミー配線９１および第２ダミー配線９２を除去した位置に第２磁性層１２を充填する。なお、第２磁性層１２でなく、第１磁性層１１を充填してもよい。

【0110】

上記構成によれば、１番目の天面突出部６５ａおよび２番目の天面突出部６５ｂに密着する磁性層を低コストで製造することができる。

【0111】

＜第２実施形態＞
図５は、インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。図５は、図２に対応する断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、天面突出部の突出長さが相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

【0112】

図５に示すように、第１断面において、第１方向（順Ｚ方向）に位置するインダクタ配線ほど、第３方向に平行な方向の天面突出部６５Ａの突出長さは短い。具体的に述べると、第２インダクタ配線２２は、第１インダクタ配線２１よりも第１方向側に位置する。そして、第２インダクタ配線２２に対応する２番目の天面突出部６５ｂＡにおける第３方向に平行な方向の突出長さは、第１インダクタ配線２１に対応する１番目の天面突出部６５ａＡにおける第３方向に平行な方向の突出長さよりも短い。

【0113】

本実施形態によれば、天面突出部６５Ａの突出長さが、第１方向に位置するインダクタ配線ほど短いので、第１方向に向かうほどコイル１５の磁路の面積が広がる。これにより、製造時にコイル１５の第１方向側から第２磁性層１２を第２方向に充填する際、コイル１５への第２磁性層１２の充填が容易となり、充填率が向上してインダクタンスを向上させることができる。

【0114】

＜第３実施形態＞
図６は、インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。図６は、図２に対応する断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、天面突出部の傾きが相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

【0115】

図６に示すように、第１断面において、天面突出部６５Ｂは、第２方向（逆Ｚ方向）に傾いている。具体的に述べると、１番目の天面突出部６５ａＢおよび２番目の天面突出部６５ｂＢの各々は、第２方向に傾いている。１番目の天面突出部６５ａＢは、第１インダクタ配線２１の天面２１１よりも第２方向に位置している。２番目の天面突出部６５ｂＢは、第２インダクタ配線２２の天面２２１よりも第２方向に位置している。なお、第１断面において、１番目の天面突出部６５ａＢおよび２番目の天面突出部６５ｂＢの各々は、第１方向に傾いていてもよい。これにより、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の径方向外側への素体１０からの抜けを抑制できる。

【0116】

本実施形態によれば、天面突出部６５Ｂが第２方向に傾いているので、製造時にコイル１５の第１方向側から第２磁性層１２を第２方向に充填する際、コイル１５への第２磁性層の充填が円滑となる。また、天面突出部６５Ｂの第２方向への傾きにより、第２磁性層１２の充填後、第２磁性層１２の第１方向への抜けに対抗でき、絶縁層６０Ｂと素体１０との密着性をより向上できる。

【0117】

＜第４実施形態＞
図７は、インダクタ部品の第４実施形態を示す断面図である。図７は、図２に対応する断面図である。第４実施形態は、第３実施形態とは、底面突出部の傾きが相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第３実施形態と同じ構成であり、第３実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

【0118】

図７に示すように、第１断面において、底面突出部６６Ｃは、第１方向（順Ｚ方向）に傾いている。底面突出部６６Ｃは、第１インダクタ配線２１の底面２１２よりも第１方向に位置している。なお、第１実施形態と同様に、第３方向に平行な方向の底面突出部６６Ｃの突出長さＬ１は、第３方向に平行な方向の１番目の天面突出部６５ａＢの突出長さＬ２、および第３方向に平行な方向の２番目の天面突出部６５ｂＢの突出長さＬ３よりも長い。これにより、底面突出部６６Ｃを介して、第１磁性層１１と第２磁性層１２との密着性を確保できる。

【0119】

本実施形態によれば、底面突出部６６Ｃが第１方向に傾いているので、製造時にコイル１５の第２方向側から第１磁性層１１を第１方向に充填する際、コイル１５への第１磁性層１１の充填が円滑となる。また、底面突出部６６Ｃの第１方向への傾きにより、第１磁性層１１の充填後、第１磁性層１１の第２方向への抜けに対抗でき、絶縁層６０Ｃと素体１０との密着性をより向上させることができる。

【0120】

＜第５実施形態＞
図８は、インダクタ部品の第５実施形態を示す断面図である。図８は、図２に対応する断面図である。第６実施形態は、第１実施形態とは、絶縁層および垂直配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

【0121】

図８に示すように、本実施形態に係るインダクタ部品１Ｄは、第１実施形態に係るインダクタ部品１から、第２天面部、第２インダクタ配線２２の第１側面２２３に接触する第１側面部および２番目の天面突出部を主に除いた構成である。具体的に述べると、第２インダクタ配線２２の天面２２１および第１側面２２３は、絶縁層６０Ｄに覆われずに、第２磁性層１２に接触している。言い換えると、絶縁層６０Ｄは、第２インダクタ配線２２の天面２２１および第１側面２２３と、第２接続配線８２の上面の一部に設けられていない。さらに、第２接続配線８２の上面のうち、第２垂直配線５２Ｄが設けられる領域を除いた領域は、絶縁層６０Ｄに覆われずに、第２磁性層１２に接触している。言い換えると、絶縁層６０Ｄは、第２接続配線８２の上面のうち、第２垂直配線５２Ｄが設けられる領域を除いた領域に設けられていない。第１垂直配線５１Ｄは、第１柱状配線３１のみから構成されている。第１柱状配線３１は、第２インダクタ配線２２の上面に直接接続している。第２垂直配線５２Ｄは、第２柱状配線３２と第２接続配線８２とビア配線２５とから構成されている。第２柱状配線３２は、第２接続配線８２の上面に直接接続している。

【0122】

本実施形態によれば、第２インダクタ配線２２の天面２２１および第１側面２２３に絶縁層を設ける必要がないため、製造工程を簡略化できる。また、天面２２１および第１側面２２３に絶縁層を設ける場合と比較して、磁性層の体積を増大させることができるため、Ｌ値を向上させることができる。

【0123】

＜第６実施形態＞
図９は、インダクタ部品の第６実施形態を示す平面図である。図１０は、図９のＡ－Ａ断面図である。第６実施形態は、第１実施形態とは、主に、コイルおよび絶縁層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

【0124】

図９と図１０に示すように、インダクタ部品１Ｅは、素体１０と、素体１０内に配置されたコイル１５Ｅと、コイル１５Ｅの少なくとも一部を覆う非磁性体の絶縁層６０Ｅと、素体１０の第１主面１０ａから端面が露出するように素体１０内に設けられた第１垂直配線５１、第２垂直配線５２および第３垂直配線５３と、素体１０の第１主面１０ａにおいて露出する第１外部端子４１、第２外部端子４２および第３外部端子４３とを備える。図１では、便宜上、第１から第３外部端子４１～４３を二点鎖線で示す。

【0125】

コイル１５Ｅは、第１インダクタ配線２１Ｅと第２インダクタ配線２２Ｅとを有する。第１インダクタ配線２１Ｅおよび第２インダクタ配線２２Ｅは、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間で順Ｚ方向に直交する平面に沿って延在する。具体的に述べると、第１磁性層１１は、第１インダクタ配線２１Ｅおよび第２インダクタ配線２２Ｅの逆Ｚ方向に存在し、第２磁性層１２は、第１インダクタ配線２１Ｅおよび第２インダクタ配線２２Ｅの順Ｚ方向および順Ｚ方向に直交する方向に存在する。

【0126】

第１インダクタ配線２１Ｅは、Ｚ方向から見たときに、Ｘ方向に沿って直線状に延在している。第２インダクタ配線２２Ｅは、Ｚ方向から見たときに、一部分がＸ方向に沿って直線状に延在し、その他の部分がＹ方向に沿って直線状に延在し、つまり、Ｌ字状に延在している。

【0127】

第１インダクタ配線２１Ｅの第１端部２１ａは、第１垂直配線５１に電気的に接続され、第１インダクタ配線２１Ｅの第２端部２１ｂは、第２垂直配線５２に電気的に接続される。つまり、第１インダクタ配線２１Ｅは、第１、第２端部２１ａ，２１ｂに線幅の大きいパッド部を有し、パッド部において、第１、第２垂直配線５１，５２と直接接続されている。

【0128】

第２インダクタ配線２２Ｅの第１端部２２ａは、第３垂直配線５３に電気的に接続され、第２インダクタ配線２２Ｅの第２端部２２ｂは、第２垂直配線５２に電気的に接続される。つまり、第２インダクタ配線２２Ｅは、第１端部２２ａにパッド部を有し、パッド部において、第３垂直配線５３と直接接続されている。第２インダクタ配線２２Ｅの第２端部２２ｂは、第１インダクタ配線２１Ｅの第２端部２１ｂと共通である。

【0129】

第１インダクタ配線２１Ｅの第１端部２１ａと第２インダクタ配線２２Ｅの第１端部２２ａとは、Ｚ方向から見たときに、素体１０の第１側面１０ｃ側に位置する。第１インダクタ配線２１Ｅの第２端部２１ｂと第２インダクタ配線２２Ｅの第２端部２２ｂとは、Ｚ方向から見たときに、素体１０の第２側面１０ｄ側に位置する。

【0130】

第１から第３垂直配線５１～５３は、各インダクタ配線２１Ｅ，２２ＥからＺ方向に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第１垂直配線５１は、第１インダクタ配線２１Ｅの第１端部２１ａの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第１垂直配線５１の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第２垂直配線５２は、第１インダクタ配線２１Ａの第２端部２１ｂの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第２垂直配線５２の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。第３垂直配線５３は、第２インダクタ配線２２Ｅの第１端部２２ａの上面から素体１０の第１主面１０ａまで延在し、第３垂直配線５３の端面は、素体１０の第１主面１０ａから露出する。

【0131】

したがって、第１垂直配線５１、第２垂直配線５２、第３垂直配線５３は、第１インダクタ配線２１Ｅ、第２インダクタ配線２２Ｅから上記第１主面１０ａから露出する端面まで、第１主面１０ａに直交する方向に直線状に伸びる。これにより、第１外部端子４１、第２外部端子４２、第３外部端子４３と、第１インダクタ配線２１Ｅ、第２インダクタ配線２２Ｅとをより短い距離で接続することができ、インダクタ部品１Ｅの低抵抗化や高インダクタンス化を実現できる。

【0132】

第１垂直配線５１は、絶縁層６０の内部を貫通する図示しないビア配線と、該ビア配線から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第１柱状配線３１とを有する。第２垂直配線５２は、絶縁層６０の内部を貫通する図示しないビア配線と、該ビア配線から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第２柱状配線３２とを有する。第３垂直配線５３は、絶縁層６０の内部を貫通する図示しないビア配線と、該ビア配線から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第３柱状配線３３とを有する。

【0133】

第１から第３外部端子４１～４３は、素体１０の第１主面１０ａに設けられている。第１外部端子４１は、第１垂直配線５１の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第１垂直配線５１と電気的に接続されている。これにより、第１外部端子４１は、第１インダクタ配線２１Ｅの第１端部２１ａに電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２垂直配線５２の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第２垂直配線５２と電気的に接続されている。これにより、第２外部端子４２は、第１インダクタ配線２１Ｅの第２端部２１ｂおよび第２インダクタ配線２２Ｅの第２端部２２ｂに電気的に接続される。第３外部端子４３は、第３垂直配線５３の端面に接触し、第３垂直配線５３と電気的に接続されて、第２インダクタ配線２２Ｅの第１端部２２ａに電気的に接続される。

【0134】

図１０に示すように、第１インダクタ配線２１Ｅおよび第２インダクタ配線２２Ｅの延在方向に直交する第１断面において、第１インダクタ配線２１Ｅおよび第２インダクタ配線２２Ｅは、それぞれ、順Ｚ方向を向く天面２１１と、逆Ｚ方向を向く底面２１２と、逆Ｙ方向を向く第１側面２１３と、順Ｙ方向を向く第２側面２１４とを有する。

【0135】

図１０において、順Ｚ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向」に相当し、逆Ｚ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向と逆方向の第２方向」に相当し、逆Ｙ方向は、特許請求の範囲に記載の「第１方向に直交する第３方向」に相当し、順Ｙ方向は、特許請求の範囲に記載の「第３方向と逆方向の第４方向」に相当する。以下、第１～第４方向と記載することがある。

【0136】

絶縁層６０Ｅは、天面２１１よりも第１方向に位置する天面部６１と、底面２１２よりも第２方向に位置する底面部６２と、第１側面２１３に接触する第１側面部６３と、第２側面２１４に接触する第２側面部６４と、天面部６１から、第１側面部６３よりも第３方向に突出する位置に設けられた第１天面突出部６５１と、天面部６１から、第２側面部６４よりも第４方向に突出する位置に設けられた第２天面突出部６５２と、底面部６２から、第１側面部６３よりも第３方向に突出する位置に設けられた第１底面突出部６６１と、底面部６２から、第２側面部６４よりも第４方向に突出する位置に設けられた第２底面突出部６６２と、を有する。天面部６１は、天面２１１、第１側面部６３、第２側面部６４に接触し、底面部６２は、底面２１２、第１側面部６３、第２側面部６４に接触する。

【0137】

第１底面突出部６６１および第２底面突出部６６２は、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間に位置する。第１磁性層１１と第２磁性層１２とは、第１底面突出部６６１の先端および第２底面突出部６６２の先端で接触する。言い換えると、第１底面突出部６６１および第２底面突出部６６２の各々は、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間に位置し、かつ、第２方向側の下面が、第１磁性層１１における第２磁性層１２との接触面に接触し、かつ、先端が第２磁性層１２に接触する。第３方向に平行な方向の第１底面突出部６６１の突出長さは、第１天面突出部６５１の第３方向に平行な方向の突出長さ、および第２天面突出部６５２の第４方向に平行な方向の突出長さよりも長い。第３方向に平行な方向の第２底面突出部６６２の突出長さは、第１天面突出部６５１の第３方向に平行な方向の突出長さ、および第２天面突出部６５２の第４方向に平行な方向の突出長さよりも長い。

【0138】

本実施形態によれば、相対的に突出長さが長い第１底面突出部６６１および第２底面突出部６６２により、第１磁性層１１と第２磁性層１２との密着性を確保できる。また、第１天面突出部６５１および第２天面突出部６５２により、絶縁層６０Ｅと素体１０との接触面積が増加し、さらに、第１天面突出部６５１および第２天面突出部６５２が素体１０内に食い込むことにより、絶縁層６０Ｅと素体１０との密着性が向上する。以上により、絶縁層６０Ｅと素体１０との密着性を向上させることができる。さらに、本実施形態によれば、第１磁性層１１と第２磁性層１２とが、第１底面突出部６６１の先端および第２底面突出部６６２の先端で接触している。これにより、第１底面突出部６６１の先端と第２底面突出部６６２の先端とが接触して、第１底面突出部６６１と第２底面突出部６６２とが繋がっている場合と比較して、第２磁性層１２の体積を増大させることができる。その結果、インダクタンスの取得効率を向上させることができる。このように、インダクタ部品１Ｅによれば、絶縁層６０Ｅと素体１０との密着性を向上させることができると共に、インダクタ特性も向上させることができる。

【0139】

また、第１，第２天面突出部６５１，６５２および第１，第２底面突出部６６１，６６２を有するので、絶縁層６０Ｅと素体１０との接触面積をより効果的に増加でき、また、第１，第２天面突出部６５１，６５２および第１，第２底面突出部６６１，６６２を素体１０内により食い込ませることができる。これにより、絶縁層６０Ｅと素体１０との密着性をより向上させることができる。

【0140】

好ましくは、第１断面において、第１天面突出部６５１の第３方向に平行な方向の突出長さは、第２天面突出部６５２の第４方向に平行な方向の突出長さと異なる。

【0141】

上構成によれば、第１天面突出部６５１および第２天面突出部６５２の一方の長さを長くすることで、絶縁層６０Ｅと素体１０との密着性をより向上させることができる。また、第１天面突出部６５１および第２天面突出部６５２の他方の長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上させることができる。

【0142】

好ましくは、第１断面において、第１底面突出部６６１の第３方向に平行な方向の突出長さは、第２天面突出部６５２の第４方向に平行な方向の突出長さと異なる。

【0143】

上構成によれば、第１底面突出部６６１および第２底面突出部６６２の一方の長さを長くすることで、絶縁層６０Ｅと素体１０との密着性をより向上させることができる。また、第１底面突出部６６１および第２底面突出部６６２の他方の長さを短くすることで、磁路の磁気抵抗を小さくして、インダクタンスの取得効率を向上することができる。

【0144】

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第６実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。

【0145】

前記実施形態では、「インダクタ配線」とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。特に、実施形態のような平面上を延びる直線や曲線（スパイラル＝二次元曲線）に限られず、ミアンダ配線などの公知の様々な配線形状を用いることができる。

【0146】

第１から第５実施形態では、インダクタ配線は２層であったが、１層であってもよい。第６実施形態では、インダクタ配線は１層であったが、２層以上であってもよい。１層であればインダクタ部品の厚みを薄くできる。２層以上あればインダクタ配線の巻数を増やすことができるので、インダクタンスを高くすることができる。

【0147】

第１から第５実施形態では、天面突出部および底面突出部の各々は、第１側面部よりも第３方向に突出する位置に設けられていたが、第１側面部よりも第３方向に突出する位置と、第２側面部よりも第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられていればよい。言い換えると、第１実施形態では、天面突出部および底面突出部の各々は、コイルの内磁路内に突出するように設けられていたが、コイルの内磁路内および外磁路内の何れか一方に突出するように設けられていればよい。

【0148】

第６実施形態では、天面突出部および底面突出部の各々は、第１側面部よりも第３方向に突出する位置と、第２側面部よりも第４方向に突出する位置と、の両方の位置に設けられていたが、第１側面部よりも第３方向に突出する位置と、第２側面部よりも第４方向に突出する位置と、の少なくとも一方向の位置に設けられていればよい。

【符号の説明】

【0149】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ インダクタ部品
１０ 素体
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１５、１５Ｅ コイル
２１、２１Ｅ 第１インダクタ配線
２１１ 天面
２１２ 底面
２１３ 第１側面
２１４ 第２側面
２２、２２Ｅ 第２インダクタ配線
２２１ 天面
２２２ 底面
２２３ 第１側面
２２４ 第２側面
２５ ビア配線
３１、３２、３３ 第１、第２、第３柱状配線
４１、４２、４３ 第１、第２、第３外部端子
５０ 被覆膜
５１、５２、５３ 第１、第２、第３垂直配線
６０、６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄ、６０Ｅ 絶縁層
６１ 天面部
６１１、６１２ 第１、第２天面部
６２ 底面部
６３、６４ 第１、第２側面部
６５ 天面突出部
６５ａ、６５ａＡ、６５ａＢ １番目の天面突出部
６５ｂ、６５ｂＡ、６５ｂＢ ２番目の天面突出部
６５１、６５２ 第１、第２天面突出部
６６、６６Ｃ 底面突出部
６６１、６６２ 第１、第２底面突出部
８１、８２ 第１、第２接続配線
９１、９２ 第１、第２ダミー配線
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３ 突出部の長さ
ｔ１、ｔ２、ｔ３ 絶縁層の厚み

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図4J】

【図4K】

【図4L】

【図4M】

【図4N】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】