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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-02
(45)【発行日】2024-09-10
(54)【発明の名称】絶縁電線およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01B 7/02 20060101AFI20240903BHJP
C08G 18/32 20060101ALI20240903BHJP
C08G 18/79 20060101ALI20240903BHJP
C08G 18/80 20060101ALI20240903BHJP
C09D 5/25 20060101ALI20240903BHJP
C09D 175/04 20060101ALI20240903BHJP
C09D 179/08 20060101ALI20240903BHJP
H01B 3/18 20060101ALI20240903BHJP
H01B 13/06 20060101ALI20240903BHJP
【ＦＩ】
H01B7/02 Z
C08G18/32 046
C08G18/79 010
C08G18/79 050
C08G18/80 064
C09D5/25
C09D175/04
C09D179/08 B
H01B3/18
H01B13/06
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2023501959
(86)(22)【出願日】2021-02-26
(86)【国際出願番号】 JP2021007374
(87)【国際公開番号】W WO2022180794
(87)【国際公開日】2022-09-01
【審査請求日】2023-09-21
(73)【特許権者】
【識別番号】309019534
【氏名又は名称】住友電工ウインテック株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】松井 克文
(72)【発明者】
【氏名】菅原 潤
(72)【発明者】
【氏名】松浦 裕紀
【審査官】小林 秀和
(56)【参考文献】
【文献】特開２００１－００６４４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－３５３４２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭４７－０２１６７７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０３８９５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－０４９８５８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｂ ７／０２
Ｃ０８Ｇ １８／３２
Ｃ０８Ｇ １８／７９
Ｃ０８Ｇ １８／８０
Ｃ０９Ｄ ５／２５
Ｃ０９Ｄ １７５／０４
Ｃ０９Ｄ １７９／０８
Ｈ０１Ｂ ３／１８
Ｈ０１Ｂ １３／０６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
線状の導体と、前記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含む絶縁電線であって、前記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含み、
前記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含み、
前記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、前記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
前記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、前記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、前記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および前記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
前記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、前記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
前記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
前記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、前記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み、
前記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である、絶縁電線。
【化1】
前記化学式１中、Ｒは、不活性基である。
【請求項2】
前記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、前記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、前記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および前記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、５質量％以上３０質量％以下である、請求項１に記載の絶縁電線。【請求項3】
前記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の含有割合は、前記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、前記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および前記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、２０質量％以上４５質量％以下である、請求項１または請求項２に記載の絶縁電線。【請求項4】
前記絶縁層の２０％熱重量減少温度は、３４０℃以上である、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の絶縁電線。【請求項5】
前記絶縁層の厚みは、３μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の絶縁電線。【請求項6】
線状の導体と、前記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含む絶縁電線の製造方法であって、前記外周面にワニスを塗布する工程と、
前記ワニスを前記導体に焼き付ける工程と、を含み、
前記ワニスは、第一イソシアネート化合物と、第二イソシアネート化合物と、ポリアミドイミドアミン化合物と、を含み、
前記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、前記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
前記第一イソシアネート化合物の含有割合は、前記第一イソシアネート化合物、前記第二イソシアネート化合物および前記ポリアミドイミドアミン化合物の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
前記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、前記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
前記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
前記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、前記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み、
前記ブロックイソシアネート基は、化学式１で表される官能基である、絶縁電線の製造方法。
【化2】
前記化学式１中、Ｒは、不活性基である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、絶縁電線およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、線状の導体と、導体の外周面を被覆する絶縁層とを備える絶縁電線が知られている。絶縁層には、優れた絶縁性、導体に対する密着性、耐熱性、機械的強度、可撓性等が求められている。この絶縁層の形成に用いる合成樹脂としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド等が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】国際公開第２０１２／０４３８３９号
【文献】特開２０１６－０５８２３０号公報
【文献】特開２０１６－１２６８６７号公報
【文献】国際公開第２０１５／０９８６３９号
【文献】国際公開第２０１７／０９４７８９号
【発明の概要】
【0004】
本開示に係る絶縁電線は、
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含む絶縁電線であって、
上記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含み、
上記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含む絶縁電線であって、
上記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含み、
上記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
【0005】
【化1】
【0006】
上記化学式１中、Ｒは、不活性基である。
本開示の絶縁電線の製造方法は、
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含み、
上記外周面にワニスを塗布する工程と、
上記ワニスを上記導体に焼き付ける工程と、を含み、
上記ワニスは、第一イソシアネート化合物と、第二イソシアネート化合物と、ポリアミドイミドアミン化合物と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物、上記第二イソシアネート化合物および上記ポリアミドイミドアミン化合物の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み、
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
本開示の絶縁電線の製造方法は、
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含み、
上記外周面にワニスを塗布する工程と、
上記ワニスを上記導体に焼き付ける工程と、を含み、
上記ワニスは、第一イソシアネート化合物と、第二イソシアネート化合物と、ポリアミドイミドアミン化合物と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物、上記第二イソシアネート化合物および上記ポリアミドイミドアミン化合物の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み、
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
【0007】
【化2】
【0008】
上記化学式１中、Ｒは、不活性基である。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
［本開示が解決しようとする課題］
従来から、ポリウレタン構造を有する絶縁性塗料を用いて形成された絶縁層は、耐熱性に優れることが知られている。例えば、国際公開第２０１２／０４３８３９号（特許文献１）、特開２０１６－０５８２３０号公報（特許文献２）、特開２０１６－１２６８６７号公報（特許文献３）、国際公開第２０１５／０９８６３９号（特許文献４）および国際公開第２０１７／０９４７８９号（特許文献５）には、ポリアミドイミド構造とポリウレタン構造とを有する重合体を含む絶縁性塗料を用いて形成された絶縁層により形成された絶縁電線が開示される。その絶縁層は、優れた耐熱性を備えることも開示されているが、耐熱性は必ずしも十分とは言えなかった。
従来から、ポリウレタン構造を有する絶縁性塗料を用いて形成された絶縁層は、耐熱性に優れることが知られている。例えば、国際公開第２０１２／０４３８３９号（特許文献１）、特開２０１６－０５８２３０号公報（特許文献２）、特開２０１６－１２６８６７号公報（特許文献３）、国際公開第２０１５／０９８６３９号（特許文献４）および国際公開第２０１７／０９４７８９号（特許文献５）には、ポリアミドイミド構造とポリウレタン構造とを有する重合体を含む絶縁性塗料を用いて形成された絶縁層により形成された絶縁電線が開示される。その絶縁層は、優れた耐熱性を備えることも開示されているが、耐熱性は必ずしも十分とは言えなかった。
【0011】
また、近年、絶縁電線の接続にはマイクロアーク溶接が用いられてきており、さらなる耐熱性が求められている。
【0012】
そこで、本開示は、絶縁層の耐熱性を向上させることのできる絶縁電線を提供することを目的とする。
【0013】
［本開示の効果］
本開示によれば、絶縁層の耐熱性を向上させることのできる絶縁電線を提供できる。
本開示によれば、絶縁層の耐熱性を向上させることのできる絶縁電線を提供できる。
【0014】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の一態様の内容を列記して説明する。
最初に本開示の一態様の内容を列記して説明する。
【0015】
［１］本開示の一態様に係る絶縁電線は、
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含む絶縁電線であって、
上記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含み、
上記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含む絶縁電線であって、
上記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含み、
上記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
【0016】
【化3】
【0017】
上記化学式１中、Ｒは、不活性基である。
上記絶縁電線は、上述のように第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、第二イソシアネートに由来する構造単位およびポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位を備えることによって、優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
上記絶縁電線は、上述のように第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、第二イソシアネートに由来する構造単位およびポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位を備えることによって、優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
【0018】
［２］上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、５質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。このように規定することで、より確実に耐熱性を有する絶縁電線となる。
【0019】
［３］上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、２０質量％以上４５質量％以下であることが好ましい。このように規定することで、より確実に優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
【0020】
［４］上記絶縁層の２０％熱重量減少温度は、３４０℃以上であることが好ましい。このように規定することで、より確実に優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
【0021】
［５］上記絶縁層の厚みは、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。このように規定することで、より確実に優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
【0022】
［６］本開示の一態様に係る絶縁電線の製造方法は、
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含み、
上記外周面にワニスを塗布する工程と、
上記ワニスを上記導体に焼き付ける工程と、を含み、
上記ワニスは、第一イソシアネート化合物と、第二イソシアネート化合物と、ポリアミドイミドアミン化合物と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物、上記第二イソシアネート化合物および上記ポリアミドイミドアミン化合物の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み、
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含み、
上記外周面にワニスを塗布する工程と、
上記ワニスを上記導体に焼き付ける工程と、を含み、
上記ワニスは、第一イソシアネート化合物と、第二イソシアネート化合物と、ポリアミドイミドアミン化合物と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物、上記第二イソシアネート化合物および上記ポリアミドイミドアミン化合物の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み、
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
【0023】
【化4】
【0024】
上記化学式１中、Ｒは、不活性基である。
上記製造方法により製造された絶縁電線は、優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
上記製造方法により製造された絶縁電線は、優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
【0025】
［本開示の実施形態の詳細］
以下、本開示の一実施形態（以下「本実施形態」と記す。）について説明する。ただし、本実施形態はこれに限定されるものではない。本明細書において、元素記号または元素名が記載されている場合は、その元素のみからなる物質を意味している場合もあるし、化合物中の構成元素を意味している場合もある。
以下、本開示の一実施形態（以下「本実施形態」と記す。）について説明する。ただし、本実施形態はこれに限定されるものではない。本明細書において、元素記号または元素名が記載されている場合は、その元素のみからなる物質を意味している場合もあるし、化合物中の構成元素を意味している場合もある。
【0026】
≪第１の実施形態：絶縁電線≫
本実施形態の絶縁電線は、
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含む絶縁電線であって、
上記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含み、
上記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
本実施形態の絶縁電線は、
線状の導体と、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層と、を含む絶縁電線であって、
上記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含み、
上記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含み、
上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対して、４０質量％以上８０質量％以下であり、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に前記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、
上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まず、
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含み
上記ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
【0027】
【化5】
【0028】
上記化学式１中、Ｒは、不活性基である。
＜導体＞
上記絶縁電線の導体は、導電体である。上記導体の材料としては、導電率が高くかつ機械的強度の高い金属が好ましい。具体的には、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、銀、軟鉄、鋼、ステンレス鋼などが挙げられる。上記導体は、これらの金属を線状に形成した素線であってもよく、素線の表面を他の金属で被覆した被覆線であってもよく、複数の素線を撚り合わせた撚線であってもよい。上記被覆線としては、ニッケル被覆銅線、銀被覆銅線、銀被覆アルミニウム線、銅被覆鋼線などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
＜導体＞
上記絶縁電線の導体は、導電体である。上記導体の材料としては、導電率が高くかつ機械的強度の高い金属が好ましい。具体的には、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、銀、軟鉄、鋼、ステンレス鋼などが挙げられる。上記導体は、これらの金属を線状に形成した素線であってもよく、素線の表面を他の金属で被覆した被覆線であってもよく、複数の素線を撚り合わせた撚線であってもよい。上記被覆線としては、ニッケル被覆銅線、銀被覆銅線、銀被覆アルミニウム線、銅被覆鋼線などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0029】
上記導体は、線状である。上記導体の断面形状は特に限定されず、断面が円形状の丸線でもよく、断面が方形状の角線でもよく、複数の素線を撚り合わせた撚り線であってもよいが、断面が円形状の丸線であることが好ましい。上記導体の外径は特に制限されず、上記絶縁電線の使用用途、電気特性等に応じて、適宜変更される。
【0030】
上記導体の断面積の下限値は０．０１ｍｍ2が好ましく、０．１ｍｍ2がより好ましく、上限値は２０ｍｍ2が好ましく、１０ｍｍ2がより好ましい。上記導体の断面積が０．０１ｍｍ2を満たさない場合、導体に対する絶縁層の体積の割合が大きくなり、例えば、上記絶縁電線を用いて形成されるコイルの体積効率が低下するおそれがある。上記導体の断面積が２０ｍｍ2を超える場合、上記絶縁電線の絶縁性を十分に高めるために、上記絶縁層を厚くする必要が生じ、結果的に、上記絶縁電線が大径化するおそれがある。
【0031】
＜絶縁層＞
上記絶縁電線の絶縁層は、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層を含む。上記絶縁層は、上記導体の外周面に直接接しており、上記導体の外周面の全部または少なくとも一部に積層されてもよい。上記絶縁電線が複数の絶縁層を備える場合、各絶縁層は上記導体の外周面に断面視で同心円状に順次積層される。この場合、各絶縁層の平均厚さとしては、例えば、１μｍ以上１５μｍ以下とすることができ、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、上記複数の絶縁層の平均合計厚さとしては、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。また、複数の絶縁層の合計層数としては、例えば２層以上２００層以下とすることができる。なお、複数の絶縁層の厚さとは、絶縁層の任意の８点の厚さの平均値である。
上記絶縁電線の絶縁層は、上記導体の外周面に積層される少なくとも１層の絶縁層を含む。上記絶縁層は、上記導体の外周面に直接接しており、上記導体の外周面の全部または少なくとも一部に積層されてもよい。上記絶縁電線が複数の絶縁層を備える場合、各絶縁層は上記導体の外周面に断面視で同心円状に順次積層される。この場合、各絶縁層の平均厚さとしては、例えば、１μｍ以上１５μｍ以下とすることができ、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、上記複数の絶縁層の平均合計厚さとしては、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。また、複数の絶縁層の合計層数としては、例えば２層以上２００層以下とすることができる。なお、複数の絶縁層の厚さとは、絶縁層の任意の８点の厚さの平均値である。
【0032】
（樹脂マトリックス）
上記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含む。上記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含む。
上記絶縁層のうち少なくとも１層は、樹脂マトリックスを含む。上記樹脂マトリックスは、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位と、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位と、ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位と、を含む。
【0033】
上記樹脂マトリックス中における上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記樹脂マトリックス中の上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対し、４０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましい。上記樹脂マトリックス中における上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合が４０質量％以上である場合、架橋密度が上がることで耐熱性およびガラス転移温度（Ｔｇ）値を上げることができる。一方、上記樹脂マトリックス中における上記第一イソシアネート化合物の含有割合が８０質量％以下である場合、溶接性に優れるとともに、上記絶縁層の耐熱性を維持することができる。
【0034】
上記樹脂マトリックス中における上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記樹脂マトリックス中の上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対し、５質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上２０質量％以下であることがより好ましい。
【0035】
上記樹脂マトリックス中における上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の含有割合は、上記樹脂マトリックス中の上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の合計に対し、２０質量％以上４５質量％以下であることが好ましく、２５質量％以上４０質量％以下であることがより好ましい。
【0036】
（第一イソシアネート化合物）
第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含む化合物である。上記第一イソシアネート化合物としては、例えば、下記化学式２で表される化合物が挙げられる。
第一イソシアネート化合物は、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合した末端にブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含む化合物である。上記第一イソシアネート化合物としては、例えば、下記化学式２で表される化合物が挙げられる。
【0037】
【化6】
【0038】
上記化学式２で表される第一イソシアネート化合物において、３つの各々独立のＲは、後述する不活性基である。上記３つのＲは同一でもよく、異なっていてもよい。
【0039】
また、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、各々独立の二価の官能基であり、イソシアネート基をさらに含んでいてもよい。Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、好ましくは、炭素数が１～２０の鎖状炭化水素基（直鎖状または分枝状を含んでいてもよい）、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数が６～１０の芳香族炭化水素基である。Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は同一でもよく、異なっていてもよい。
【0040】
上記第一イソシアネート化合物は、三価以上の多価イソシアネートであり、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造を有する。そして、ブロックイソシアネート基を末端に有する少なくとも３つの側鎖が上記トリアジントリオン環構造の３つの窒素の各々に結合している。
【0041】
第一イソシアネート化合物は、例えば、イソシアネートおよびマスキング剤との反応によって得ることができる３つのイソシアネート化合物が重合してなるポリイソシアネート（３量体）である。
【0042】
［イソシアネート］
上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートとしては、少なくとも２つのイソシアネート基を含むイソシアネートであり、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）、２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝８０／２０混合物（Ｔ－８０）、２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝６５／３５混合物（Ｔ－６５）、ＨＭＤＩの誘導体、ジメリールジイソシアネート（ＤＤＩ）、水素添加ＭＤＩ（ＨＭＤＩ）、水素添加ＴＤＩ（ＨＴＤＩ）等が挙げられる。上記２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝８０／２０混合物は、２，４－トリレンジイソシアネートと２，６－トリレンジイソシアネートの異性体比（モル比）が８０：２０であることを、上記２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝６５／３５混合物は、２，４－トリレンジイソシアネートと２，６－トリレンジイソシアネートの異性体比（モル比）が６５：３５であることをそれぞれ意味する。これらのイソシアネートは、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。これらのうち、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）、２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝８０／２０混合物（Ｔ－８０）、２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝６５／３５混合物（Ｔ－６５）を使用することが好ましい。より確実に優れた耐熱性を有する絶縁電線が提供できるからである。
上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートとしては、少なくとも２つのイソシアネート基を含むイソシアネートであり、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）、２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝８０／２０混合物（Ｔ－８０）、２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝６５／３５混合物（Ｔ－６５）、ＨＭＤＩの誘導体、ジメリールジイソシアネート（ＤＤＩ）、水素添加ＭＤＩ（ＨＭＤＩ）、水素添加ＴＤＩ（ＨＴＤＩ）等が挙げられる。上記２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝８０／２０混合物は、２，４－トリレンジイソシアネートと２，６－トリレンジイソシアネートの異性体比（モル比）が８０：２０であることを、上記２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝６５／３５混合物は、２，４－トリレンジイソシアネートと２，６－トリレンジイソシアネートの異性体比（モル比）が６５：３５であることをそれぞれ意味する。これらのイソシアネートは、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。これらのうち、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）、２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝８０／２０混合物（Ｔ－８０）、２，４－トリレンジイソシアネート／２，６－トリレンジイソシアネート＝６５／３５混合物（Ｔ－６５）を使用することが好ましい。より確実に優れた耐熱性を有する絶縁電線が提供できるからである。
【0043】
上記イソシアネートを単独でまたは２種以上を混合して３量化反応させることで、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造を有するイソシアネートの３量体が生成される。
【0044】
［ブロックイソシアネート基］
ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
ブロックイソシアネート基は、下記化学式１で表される官能基である。
【0045】
【化7】
【0046】
上記化学式１中のＲは、不活性基である。不活性基とは、生理的条件下で安定であり不活性な有機基を意味する。不活性基としては、好ましくは、炭素数が１～２０の鎖状炭化水素基（直鎖状または分枝状を含んでいてもよい）、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数が６～１５の芳香族炭化水素基である。
【0047】
［マスキング剤］
本開示におけるマスキング剤は、反応性の高いイソシアネート基に付加することにより、上記不活性基を有する第一イソシアネート化合物を得るために使用される。上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤としては、活性水素を保持したものが使用され、キシレノール酸、クレゾール、フェノール、アルコール、芳香族第二級アミン等が挙げられ、キシレノール酸、クレゾールを用いることが好ましい。これらのマスキング剤は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
本開示におけるマスキング剤は、反応性の高いイソシアネート基に付加することにより、上記不活性基を有する第一イソシアネート化合物を得るために使用される。上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤としては、活性水素を保持したものが使用され、キシレノール酸、クレゾール、フェノール、アルコール、芳香族第二級アミン等が挙げられ、キシレノール酸、クレゾールを用いることが好ましい。これらのマスキング剤は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【0048】
上記イソシアネートの３量体および上記マスキング剤を反応させることで、分子中に、少なくとも１つのトリアジントリオン環構造と、上記トリアジントリオン環構造の３つの各々の窒素に結合した末端に上記ブロックイソシアネート基を有する側鎖と、を含む第一イソシアネート化合物が生成される。
【0049】
［第一イソシアネート化合物に由来する構造単位］
上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位は、下記化学式３で表される化合物が挙げられる。
上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位は、下記化学式３で表される化合物が挙げられる。
【0050】
【化8】
【0051】
上記化学式３中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、上記と同じ意味を表す。
（第二イソシアネート化合物）
第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に上記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含む化合物である。また、上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まない。
（第二イソシアネート化合物）
第二イソシアネート化合物は、分子中に、末端に上記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含む化合物である。また、上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まない。
【0052】
上記第二イソシアネート化合物は、イソシアネート、二価アルコールおよびマスキング剤を加熱し反応させることにより得ることができる。上記第二イソシアネート化合物としては、例えば、下記化学式４で表される化合物が挙げられる。
【0053】
【化9】
【0054】
上記化学式４で表される第二イソシアネート化合物において、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立の二価の官能基である。Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、好ましくは、炭素数が１～２０の鎖状炭化水素基（直鎖状または分枝状を含んでいてもよい）、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数が６～１５の芳香族炭化水素基である。Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は同一でもよく、異なっていてもよい。また、Ｒは上記と同じ意味を表す。
【0055】
上記第二イソシアネート化合物は、二価イソシアネートであり、分子中に、末端に上記ブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含む。そして、上記第二イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まない。
【0056】
［イソシアネート］
上記第二イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートとしては、上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートと同様のものが挙げられる。
上記第二イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートとしては、上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートと同様のものが挙げられる。
【0057】
［二価アルコール］
上記第二イソシアネート化合物の原料として用いる二価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、１，３－プロパンジオール、各種のブタン－、ペンタン－、またはヘキサンジオール、例えば、１，３－または１，４－ブタンジオール１，５－ペンタンジオール１，６－ヘキサンジオール、１，４－ブテン－２－ジオール、２，２－ジメチルプロパンジオール－１，３、２－エチル－２－ブチル－プロパンジオール－１，３、１，４－ジメチロールシクロヘキサン、１，４－ブテンジオール、水添加ビスフェノール類（例えば、水添加Ｐ，Ｐ′－ジヒドロキシジフェニールプロパンまたはその同族体）、２，２－ビス（４－ポリオキシエチレンオキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－ポリオキシプロピレンオキシフェニル）プロパン、環状グリコール、例えば、２，２，４，４－テトラメチル－１，３－シクロブタンジオール、ヒドロキノン－ジ－β－ヒドロキシエチル－エーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノール、１，４－シクロヘキサンジエタノール、トリメチレングリコール、ヘキシレングリコール、オクチレングリコール等が挙げられる。これらの二価アルコールは、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。これらのうち、２，２－ビス（４－ポリオキシプロピレンオキシフェニル）プロパンを使用することが好ましい。
上記第二イソシアネート化合物の原料として用いる二価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２－プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、１，３－プロパンジオール、各種のブタン－、ペンタン－、またはヘキサンジオール、例えば、１，３－または１，４－ブタンジオール１，５－ペンタンジオール１，６－ヘキサンジオール、１，４－ブテン－２－ジオール、２，２－ジメチルプロパンジオール－１，３、２－エチル－２－ブチル－プロパンジオール－１，３、１，４－ジメチロールシクロヘキサン、１，４－ブテンジオール、水添加ビスフェノール類（例えば、水添加Ｐ，Ｐ′－ジヒドロキシジフェニールプロパンまたはその同族体）、２，２－ビス（４－ポリオキシエチレンオキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－ポリオキシプロピレンオキシフェニル）プロパン、環状グリコール、例えば、２，２，４，４－テトラメチル－１，３－シクロブタンジオール、ヒドロキノン－ジ－β－ヒドロキシエチル－エーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノール、１，４－シクロヘキサンジエタノール、トリメチレングリコール、ヘキシレングリコール、オクチレングリコール等が挙げられる。これらの二価アルコールは、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。これらのうち、２，２－ビス（４－ポリオキシプロピレンオキシフェニル）プロパンを使用することが好ましい。
【0058】
上記イソシアネートおよび上記二価アルコールを混合してエステル化反応させることで、分子中に、少なくとも２つのウレタン構造を含むイソシアネート化合物が生成される。
【0059】
［ブロックイソシアネート基］
ブロックイソシアネート基は、上記と同様の官能基である。また、Ｒも上記と同じ意味を表す。
ブロックイソシアネート基は、上記と同様の官能基である。また、Ｒも上記と同じ意味を表す。
【0060】
［マスキング剤］
上記第二イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤としては、上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤と同様のものが挙げられる。
上記第二イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤としては、上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤と同様のものが挙げられる。
【0061】
上記イソシアネート化合物および上記マスキング剤を反応させることで、分子中に、末端にブロックイソシアネート基を有する少なくとも２つの末端鎖と、上記ブロックイソシアネート基中のウレタン構造以外の少なくとも２つのウレタン構造と、を含み、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まない、第二イソシアネート化合物が生成される。
【0062】
［第二イソシアネート化合物に由来する構造単位］
上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位は、下記化学式５で表される化合物が挙げられる。
上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位は、下記化学式５で表される化合物が挙げられる。
【0063】
【化10】
【0064】
上記化学式５中、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、上記と同じ意味を表す。
（ポリアミドイミドアミン化合物）
ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含む化合物である。
（ポリアミドイミドアミン化合物）
ポリアミドイミドアミン化合物は、分子中に、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造と、を含む化合物である。
【0065】
上記ポリアミドイミドアミン化合物は、三価カルボン酸またはその誘導体および第一級アミノ基を有する化合物を有機溶剤の存在下で加熱し反応させることにより得ることができる。
【0066】
ここで、「ポリアミドイミドアミン化合物」とは、少なくとも１つのアミドイミド構造と、上記アミドイミド構造の窒素に結合した少なくとも１つのアミノ基を末端に有する構造を含む重合体をいう。上記ポリアミドイミドアミン化合物は、下記化学式６で示されるアミドイミドを構造単位として有する重合体であり、下記化学式７で示される化合物であることが好ましい。
【0067】
【化11】
【0068】
【化12】
【0069】
上記化学式７で表されるポリアミドイミドアミン化合物において、Ｒ７は、独立の二価の官能基である。Ｒ７は、好ましくは、炭素数が１～２０の鎖状炭化水素基（直鎖状または分枝状を含んでいてもよい）、脂環式炭化水素基および芳香族炭化水素基であり、より好ましくは、炭素数が６～１５の芳香族炭化水素基である。上記２つのＲ７は同一でもよく、異なっていてもよい。
【0070】
また、上記化学式７で表されるポリアミドイミドアミン化合物において、ｎは、整数であり、好ましくは、１～２０の整数であり、より好ましくは、１～１０の整数である。
【0071】
［三価カルボン酸またはその誘導体］
上記ポリアミドイミドアミン化合物の原料として用いる三価カルボン酸またはその誘導体としては、トリメリット酸、トリメシン酸、トリメリット酸無水物、ヘミメリット酸無水物、１，２，５－ナフタリントリカルボン酸無水物、２，３，６－ナフタリントリカルボン酸無水物、１，８，４－ナフタリントリカルボン酸無水物、３，４，４′－ジフェニールトリカルボン酸無水物、３，４，４′－ジフェニールメタントリカルボン酸無水物、３，４，４′－ジフェニールエーテルトリカルボン酸無水物、３，４，４′－ベンゾフェノントリカルボン酸無水物等が挙げられる。これらの三価カルボン酸またはその誘導体は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。これらのうち、トリメリット酸無水物を使用することが好ましい。
上記ポリアミドイミドアミン化合物の原料として用いる三価カルボン酸またはその誘導体としては、トリメリット酸、トリメシン酸、トリメリット酸無水物、ヘミメリット酸無水物、１，２，５－ナフタリントリカルボン酸無水物、２，３，６－ナフタリントリカルボン酸無水物、１，８，４－ナフタリントリカルボン酸無水物、３，４，４′－ジフェニールトリカルボン酸無水物、３，４，４′－ジフェニールメタントリカルボン酸無水物、３，４，４′－ジフェニールエーテルトリカルボン酸無水物、３，４，４′－ベンゾフェノントリカルボン酸無水物等が挙げられる。これらの三価カルボン酸またはその誘導体は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。これらのうち、トリメリット酸無水物を使用することが好ましい。
【0072】
［第一級アミノ基を有する化合物］
上記ポリアミドイミドアミン化合物の原料として用いる第一級アミノ基を有する化合物としては、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン、４，４′－ジアミノジフェニルメタン、４，４′－ジアミノジフェニルプロパン、４，４′－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′－ジアミノジフェニルスルホン、４，４′－ジアミノジフェニルエーテル、３，３′－ジアミノジフェニル、３，３′－ジアミノジフェニルスルホン、３，３′－ジメチル－４，４′－ビスフェニルジアミン、１，４－ジアミノナフタレン、１，５－ジアミノナフタレン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミン、１－イソプロピル－２，４－メタフェニレンジアミン等の芳香族第１級ジアミン、３－（ｐ－アミノシクロヘキシル）メタンジアミノプロピル、３－メチル－ヘプタンメチンジアミン、４，４′－ジメチルヘプタメチンジアミン、２，５－ジメチルヘキサメチレンジアミン、２，５－ジメチルヘプタメチンジアミンの如き分枝状脂肪族ジアミン、１，４－ジアミノシクロヘキサン、１，１０－ジアミノ－１，１０－ジメチルデカン等の脂環族ジアミン等が挙げられる。これらの第一級アミノを有する化合物は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。これらのうち、芳香族ジアミンを使用することが好ましい。
上記ポリアミドイミドアミン化合物の原料として用いる第一級アミノ基を有する化合物としては、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン、４，４′－ジアミノジフェニルメタン、４，４′－ジアミノジフェニルプロパン、４，４′－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′－ジアミノジフェニルスルホン、４，４′－ジアミノジフェニルエーテル、３，３′－ジアミノジフェニル、３，３′－ジアミノジフェニルスルホン、３，３′－ジメチル－４，４′－ビスフェニルジアミン、１，４－ジアミノナフタレン、１，５－ジアミノナフタレン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、ｐ－キシリレンジアミン、１－イソプロピル－２，４－メタフェニレンジアミン等の芳香族第１級ジアミン、３－（ｐ－アミノシクロヘキシル）メタンジアミノプロピル、３－メチル－ヘプタンメチンジアミン、４，４′－ジメチルヘプタメチンジアミン、２，５－ジメチルヘキサメチレンジアミン、２，５－ジメチルヘプタメチンジアミンの如き分枝状脂肪族ジアミン、１，４－ジアミノシクロヘキサン、１，１０－ジアミノ－１，１０－ジメチルデカン等の脂環族ジアミン等が挙げられる。これらの第一級アミノを有する化合物は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。これらのうち、芳香族ジアミンを使用することが好ましい。
【0073】
［有機溶媒］
上記三価カルボン酸またはその誘導体と、上記第一級アミノ基を有する化合物の反応に用いる有機溶媒としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、クレゾール酸、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル類、ケトン類並びにエステル類も用いることができ、これらの例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、石油ナフサ、コールタールナフサ、ソルベントナフサ、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸メチル、酢酸エチル等が挙げられる。これらの有機溶媒は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
上記三価カルボン酸またはその誘導体と、上記第一級アミノ基を有する化合物の反応に用いる有機溶媒としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド、クレゾール酸、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル類、ケトン類並びにエステル類も用いることができ、これらの例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、石油ナフサ、コールタールナフサ、ソルベントナフサ、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸メチル、酢酸エチル等が挙げられる。これらの有機溶媒は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【0074】
［ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位］
上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位は、下記化学式８で表される化合物が挙げられる。
上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位は、下記化学式８で表される化合物が挙げられる。
【0075】
【化13】
【0076】
上記化学式８中、Ｒ７およびｎは、上記と同じ意味を表す。
（多価イソシアネート化合物）
上記樹脂マトリックスは、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位以外の二価以上の多価イソシアネート化合物に由来する構造単位を含有してもよい。上記樹脂マトリックスが上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位を含有すると、皮膜の架橋密度が上がり上記絶縁層の耐熱性は向上するが、強直となることから、上記多価イソシアネート化合物に由来する構造単位を含有することで、架橋密度を維持しつつ耐熱性と柔軟性のバランスを保つことができる。
（多価イソシアネート化合物）
上記樹脂マトリックスは、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位以外の二価以上の多価イソシアネート化合物に由来する構造単位を含有してもよい。上記樹脂マトリックスが上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位を含有すると、皮膜の架橋密度が上がり上記絶縁層の耐熱性は向上するが、強直となることから、上記多価イソシアネート化合物に由来する構造単位を含有することで、架橋密度を維持しつつ耐熱性と柔軟性のバランスを保つことができる。
【0077】
上記多価イソシアネート化合物は、イソシアネート、三価アルコールおよびマスキング剤との反応により得ることができる。上記多価イソシアネート化合物としては、例えば、下記化学式９で表される化合物が挙げられる。
【0078】
【化14】
【0079】
上記化学式９中、Ｒは上記と同じ意味を表す。上記多価イソシアネート化合物は、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まない。
【0080】
［イソシアネート］
上記多価イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートとしては、上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートと同様のものが挙げられる。
上記多価イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートとしては、上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるイソシアネートと同様のものが挙げられる。
【0081】
［三価アルコール］
上記多価イソシアネート化合物の原料として用いる三価アルコールとしては、１，１，１－トリメチロールエタン、１，１，１－トリメチロールプロパン、グリセリン等が挙げられる。これらの三価アルコールは、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
上記多価イソシアネート化合物の原料として用いる三価アルコールとしては、１，１，１－トリメチロールエタン、１，１，１－トリメチロールプロパン、グリセリン等が挙げられる。これらの三価アルコールは、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いられる。
【0082】
上記イソシアネートおよび上記三価アルコールを反応させることで、ウレタンが生成される。
【0083】
［ブロックイソシアネート基］
ブロックイソシアネート基は、上記と同様の官能基である。また、Ｒも上記と同じ意味を表す。
ブロックイソシアネート基は、上記と同様の官能基である。また、Ｒも上記と同じ意味を表す。
【0084】
［マスキング剤］
上記多価イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤としては、上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤と同様のものが挙げられる。
上記多価イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤としては、上記第一イソシアネート化合物の原料として用いるマスキング剤と同様のものが挙げられる。
【0085】
上記ウレタンおよび上記マスキング剤を反応させることで、分子中に、トリアジントリオン環構造を含まない多価イソシアネート化合物が生成される。
【0086】
（絶縁層中の存在状態）
上記絶縁層は、上記第一イソシアネート化合物、上記第二イソシアネート化合物および上記ポリアミドイミドアミン化合物を含むワニスを導体の外周面に塗布した後、上記ワニスを加熱することで導体の外周面に焼き付けられる。上記絶縁層中では、上記化学式３中の少なくとも１つの末端の炭素原子の結合手および上記化学式５中の少なくとも１つの末端の炭素原子の結合手が、上記化学式８中の少なくとも１つの末端の窒素原子の結合手と結合した状態で存在している。
上記絶縁層は、上記第一イソシアネート化合物、上記第二イソシアネート化合物および上記ポリアミドイミドアミン化合物を含むワニスを導体の外周面に塗布した後、上記ワニスを加熱することで導体の外周面に焼き付けられる。上記絶縁層中では、上記化学式３中の少なくとも１つの末端の炭素原子の結合手および上記化学式５中の少なくとも１つの末端の炭素原子の結合手が、上記化学式８中の少なくとも１つの末端の窒素原子の結合手と結合した状態で存在している。
【0087】
（絶縁層中の含有割合）
上記絶縁層の総量に対する、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の総量の含有割合は、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上がさらに好ましい。上記割合が８０質量％以上の場合、優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
上記絶縁層の総量に対する、上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の総量の含有割合は、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上がさらに好ましい。上記割合が８０質量％以上の場合、優れた耐熱性を有する絶縁電線となる。
【0088】
上記絶縁層中における上記第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、上記第二イソシアネート化合物に由来する構造単位および上記ポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の含有割合は、ガスクロマトグラフィー－質量分析法（ＧＣＭＳ）によって測定することができる。
【0089】
（２０％熱重量減少温度）
上記絶縁層の２０％熱重量減少温度は、３４０℃以上であることが好ましく、３７０℃以上であることがより好ましい。上記温度が３４０℃以上の場合、耐熱性に優れる絶縁電線となる。
上記絶縁層の２０％熱重量減少温度は、３４０℃以上であることが好ましく、３７０℃以上であることがより好ましい。上記温度が３４０℃以上の場合、耐熱性に優れる絶縁電線となる。
【0090】
上記絶縁電線の２０％熱重量減少温度は、熱重量測定（ＴＧ）を用いて、１０℃／ｍｉｎで昇温したときの上記絶縁電線の重量減少を測定することによって得ることができる。２０％熱重量減少温度は、例えば、熱重量測定装置（セイコーインスツル社製）を用いて、仕込み重量に対して、重量減少が２０％となる温度として求めることができる。
【0091】
（その他）
なお、上記複数の絶縁層は、全ての絶縁層が上記樹脂マトリックスを含むことが好ましいが、一部の絶縁層が上記樹脂マトリックス以外の樹脂により形成される層であってもよい。上記樹脂マトリックス以外の樹脂としては、ポリビニルホルマール、ポリアミド、フェノキシ、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレタンポリオール、ポリエーテル、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂、フェノール、メラミン、ポリエステル、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルアミドイミド、ポリイミド、ポリヒダントイン等の熱硬化性樹脂を使用することができる。
なお、上記複数の絶縁層は、全ての絶縁層が上記樹脂マトリックスを含むことが好ましいが、一部の絶縁層が上記樹脂マトリックス以外の樹脂により形成される層であってもよい。上記樹脂マトリックス以外の樹脂としては、ポリビニルホルマール、ポリアミド、フェノキシ、ポリエステル、ポリウレタン、ポリウレタンポリオール、ポリエーテル、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂、フェノール、メラミン、ポリエステル、ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルアミドイミド、ポリイミド、ポリヒダントイン等の熱硬化性樹脂を使用することができる。
【0092】
≪第２の実施形態：絶縁電線の製造方法≫
上記絶縁電線は、例えば、導体の外周面にワニスを塗布する工程（塗布工程）と、焼き付け処理により、絶縁層を形成する工程（焼き付け工程）と、を経て製造することができる。以下、上記塗布工程で用いたワニスについて説明した後、各工程について説明する。
上記絶縁電線は、例えば、導体の外周面にワニスを塗布する工程（塗布工程）と、焼き付け処理により、絶縁層を形成する工程（焼き付け工程）と、を経て製造することができる。以下、上記塗布工程で用いたワニスについて説明した後、各工程について説明する。
【0093】
＜ワニス＞
上記ワニスは、上述の第一イソシアネート化合物、第二イソシアネート化合物およびポリアミドイミドアミン化合物を含む。また、上記ワニスは、通常有機溶剤をさらに含む。上記ワニスが含有する第一イソシアネート化合物、第二イソシアネート化合物およびポリアミドイミドアミン化合物としては、上述の第一イソシアネート化合物、第二イソシアネート化合物およびポリアミドイミドアミン化合物を用いることができるため、説明を省略する。
上記ワニスは、上述の第一イソシアネート化合物、第二イソシアネート化合物およびポリアミドイミドアミン化合物を含む。また、上記ワニスは、通常有機溶剤をさらに含む。上記ワニスが含有する第一イソシアネート化合物、第二イソシアネート化合物およびポリアミドイミドアミン化合物としては、上述の第一イソシアネート化合物、第二イソシアネート化合物およびポリアミドイミドアミン化合物を用いることができるため、説明を省略する。
【0094】
（有機溶剤）
上記ワニスの調製に用いる有機溶剤としては、例えば、キシレノール酸、クレゾール、フェノール等のフェノール類、グリコールエーテル類、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭ２Ｐ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の有機溶媒を使用することができる。また、希釈剤としてキシレン、ソルベントナフサ、セロソルブ類、グリコールエステル類、γ-ブチルラクトン、アノン、アルコール類等を用いることができる。上記有機溶剤を用いることで、上記ワニスの塗布性を向上させることができる。
上記ワニスの調製に用いる有機溶剤としては、例えば、キシレノール酸、クレゾール、フェノール等のフェノール類、グリコールエーテル類、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭ２Ｐ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の有機溶媒を使用することができる。また、希釈剤としてキシレン、ソルベントナフサ、セロソルブ類、グリコールエステル類、γ-ブチルラクトン、アノン、アルコール類等を用いることができる。上記有機溶剤を用いることで、上記ワニスの塗布性を向上させることができる。
【0095】
（その他の成分）
上記ワニスは、さらに必要に応じて、顔料、染料、無機または有機のフィラー、潤滑剤、硬化促進剤、酸化防止剤、レベリング剤等の各種添加を含有してもよい。
上記ワニスは、さらに必要に応じて、顔料、染料、無機または有機のフィラー、潤滑剤、硬化促進剤、酸化防止剤、レベリング剤等の各種添加を含有してもよい。
【0096】
（ワニスの製造方法）
上記ワニスは、例えば、上記第一イソシアネート化合物、上記第二イソシアネート化合物および上記ポリアミドイミドアミン化合物を上記有機溶媒に溶解し、触媒等の各種添加剤を混合することで得られる。上記触媒としては、ジアザビシクロノネン（ＤＢＮ）、オクチル酸金属塩、ナフテン酸金属塩、各種アミン系化合物等を使用することができる。
上記ワニスは、例えば、上記第一イソシアネート化合物、上記第二イソシアネート化合物および上記ポリアミドイミドアミン化合物を上記有機溶媒に溶解し、触媒等の各種添加剤を混合することで得られる。上記触媒としては、ジアザビシクロノネン（ＤＢＮ）、オクチル酸金属塩、ナフテン酸金属塩、各種アミン系化合物等を使用することができる。
【0097】
＜塗布工程＞
塗布工程は、ワニスを導体の外周面に塗布する工程である。塗布方法は特に限定されず、従来公知の塗布方法を用いることができる。例えば、塗装フェルトを用いた場合、ワニスを均一な厚さで塗布することができるとともに、塗布されたワニスの表面を平滑にすることができる。
塗布工程は、ワニスを導体の外周面に塗布する工程である。塗布方法は特に限定されず、従来公知の塗布方法を用いることができる。例えば、塗装フェルトを用いた場合、ワニスを均一な厚さで塗布することができるとともに、塗布されたワニスの表面を平滑にすることができる。
【0098】
＜焼き付け工程＞
焼き付け工程は、焼き付け処理により絶縁層を形成する工程である。焼き付け方法は特に限定されず、従来公知の焼き付け方法を用いることができる。例えば、ワニスが塗布された導体を焼き付け炉内に配置してワニスを焼き付けることができる。加熱温度としては、例えば、３５０℃以上５００℃以下とすることができる。加熱時間としては、例えば、５秒以上１００秒以下とすることができる。なお、上記ワニスを塗布した導体を焼き付け炉内で走行させる場合、焼き付け炉内の設定温度を上記加熱温度とみなし、焼き付け炉の入口から出口までの距離を導体の線速で除した値を上記加熱時間とみなす。
焼き付け工程は、焼き付け処理により絶縁層を形成する工程である。焼き付け方法は特に限定されず、従来公知の焼き付け方法を用いることができる。例えば、ワニスが塗布された導体を焼き付け炉内に配置してワニスを焼き付けることができる。加熱温度としては、例えば、３５０℃以上５００℃以下とすることができる。加熱時間としては、例えば、５秒以上１００秒以下とすることができる。なお、上記ワニスを塗布した導体を焼き付け炉内で走行させる場合、焼き付け炉内の設定温度を上記加熱温度とみなし、焼き付け炉の入口から出口までの距離を導体の線速で除した値を上記加熱時間とみなす。
【0099】
以上により、導体および絶縁層を備える絶縁電線が製造される。なお、導体の表面に積層される絶縁層が所定の厚さとなるまで、塗布工程および焼き付け工程を繰り返してもよい。
【0100】
≪用途≫
本開示における絶縁電線は、例えば、電子部品、半導体等に使用することができる。また、上記絶縁電線は、例えば、コイルまたはリレー回路等に使用することができる。
本開示における絶縁電線は、例えば、電子部品、半導体等に使用することができる。また、上記絶縁電線は、例えば、コイルまたはリレー回路等に使用することができる。
【実施例】
【0101】
以下、実施例を挙げて本開示を詳細に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。本実施例において「Ａ／Ｂ＝Ｃ／Ｄ」という形式の表記は、ＡとＢの体積比がＣ：Ｄ（すなわち、（Ａの体積）：（Ｂの体積）＝Ｃ：Ｄ）であることを意味する。
【0102】
≪ワニスの作製≫
＜原料溶液の作製＞
（第一イソシアネート化合物の溶液）
ポリイソシアネート樹脂（商品名：ＣＴ－ステーブル、ＢＡＹＥＲ社製）をクレゾール／キシレン＝８０／２０に溶解し、５０質量％の第一イソシアネート化合物の溶液（以下、「溶液Ａ－１」という場合がある。）を得た。本実施例で用いられた第一イソシアネート化合物は、上記化学式２で示される化合物であり、上記化学式２中のＲは全てフェニル基（－Ｃ６Ｈ６）であり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はトリル基（－Ｃ７Ｈ８）である。
＜原料溶液の作製＞
（第一イソシアネート化合物の溶液）
ポリイソシアネート樹脂（商品名：ＣＴ－ステーブル、ＢＡＹＥＲ社製）をクレゾール／キシレン＝８０／２０に溶解し、５０質量％の第一イソシアネート化合物の溶液（以下、「溶液Ａ－１」という場合がある。）を得た。本実施例で用いられた第一イソシアネート化合物は、上記化学式２で示される化合物であり、上記化学式２中のＲは全てフェニル基（－Ｃ６Ｈ６）であり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はトリル基（－Ｃ７Ｈ８）である。
【0103】
（第二イソシアネート化合物の溶液）
ＭＤＩ２８５ｇ、２，２－ビス（４－ポリオキシエチレンオキシフェニル）プロパン１８８ｇおよびキシレノール酸２０６ｇをそれぞれフラスコに加えた。その後、攪拌しながら１５０℃で３時間反応させた。得られた反応溶液に希釈用のクレゾール／高沸点ナフサ＝５／５（４２５ｇ）を投入し均一になるように撹拌して、５５質量％の第二イソシアネート化合物の溶液（以下、「溶液Ａ－２」という場合がある。）を得た。本実施例で用いられた第二イソシアネート化合物は、上記化学式４で示される化合物であり、上記化学式４中のＲは全てジメチルフェニル基（－Ｃ８Ｈ９）であり、Ｒ４は炭素数が２４の芳香族炭化水素基（－Ｃ２４Ｈ３２Ｏ３）であり、Ｒ５およびＲ６は炭素数が１３のジフェニルメチル基（－Ｃ１３Ｈ１４）である。
ＭＤＩ２８５ｇ、２，２－ビス（４－ポリオキシエチレンオキシフェニル）プロパン１８８ｇおよびキシレノール酸２０６ｇをそれぞれフラスコに加えた。その後、攪拌しながら１５０℃で３時間反応させた。得られた反応溶液に希釈用のクレゾール／高沸点ナフサ＝５／５（４２５ｇ）を投入し均一になるように撹拌して、５５質量％の第二イソシアネート化合物の溶液（以下、「溶液Ａ－２」という場合がある。）を得た。本実施例で用いられた第二イソシアネート化合物は、上記化学式４で示される化合物であり、上記化学式４中のＲは全てジメチルフェニル基（－Ｃ８Ｈ９）であり、Ｒ４は炭素数が２４の芳香族炭化水素基（－Ｃ２４Ｈ３２Ｏ３）であり、Ｒ５およびＲ６は炭素数が１３のジフェニルメチル基（－Ｃ１３Ｈ１４）である。
【0104】
（ポリアミドイミドアミン化合物の溶液）
無水トリメリット酸３８４ｇ、４，４’－ジアミノジフェニルメタン５９４ｇおよびクレゾール１０００ｇをそれぞれフラスコに加えた。その後、２００℃で５時間反応させた。得られた反応溶液に希釈用のクレゾール／高沸点ナフサ＝８／２（１０００ｇ）を投入し均一になるように撹拌して、３７質量％のポリアミドイミドアミン化合物の溶液（以下、「溶液Ａ－３」という場合がある。）を得た。本実施例で用いられたポリアミドイミドアミン化合物は、上記化学式７で示される化合物であり、上記化学式７中のＲ７は全て炭素数が１３のジフェニルメチル基（－Ｃ１３Ｈ１４）であり、ｎは２である。
無水トリメリット酸３８４ｇ、４，４’－ジアミノジフェニルメタン５９４ｇおよびクレゾール１０００ｇをそれぞれフラスコに加えた。その後、２００℃で５時間反応させた。得られた反応溶液に希釈用のクレゾール／高沸点ナフサ＝８／２（１０００ｇ）を投入し均一になるように撹拌して、３７質量％のポリアミドイミドアミン化合物の溶液（以下、「溶液Ａ－３」という場合がある。）を得た。本実施例で用いられたポリアミドイミドアミン化合物は、上記化学式７で示される化合物であり、上記化学式７中のＲ７は全て炭素数が１３のジフェニルメチル基（－Ｃ１３Ｈ１４）であり、ｎは２である。
【0105】
＜ワニスの作製＞
上記溶液Ａ－１、上記溶液Ａ－２および上記溶液Ａ－３を用いて、表１の配合比にて試料１～１３のワニス（２７質量％）（絶縁塗料）を作製した。ここで、上記２７質量％とは、上記絶縁塗料の質量を１００％とした場合の、上記溶液Ａ－１、上記溶液Ａ－２および上記溶液Ａ－３の質量％を意味する。
上記溶液Ａ－１、上記溶液Ａ－２および上記溶液Ａ－３を用いて、表１の配合比にて試料１～１３のワニス（２７質量％）（絶縁塗料）を作製した。ここで、上記２７質量％とは、上記絶縁塗料の質量を１００％とした場合の、上記溶液Ａ－１、上記溶液Ａ－２および上記溶液Ａ－３の質量％を意味する。
【0106】
【表1】
【0107】
≪絶縁電線の作製≫
以下のようにして、試料１～１３に対応する絶縁電線を作製した。まず、上記ワニスを、直径５０μｍの丸銅線からなる線状の導体の外周面に塗装フェルトを用いて塗布した。次に、上記ワニスが塗布された線状の導体に対して、熱風循環式横炉（炉長５ｍ）を用いて焼き付け処理を行った。このときの条件は、入口温度３５０℃、出口温度３８０℃、塗装フェルト引き２０回、線速３８５ｍ／ｍｉｎとした。これにより、線状の導体の外周面に絶縁層が設けられた絶縁電線を製造した。なお、各絶縁層の厚みは、７．５μｍとなるように上記ワニスの塗布量を調製した。
以下のようにして、試料１～１３に対応する絶縁電線を作製した。まず、上記ワニスを、直径５０μｍの丸銅線からなる線状の導体の外周面に塗装フェルトを用いて塗布した。次に、上記ワニスが塗布された線状の導体に対して、熱風循環式横炉（炉長５ｍ）を用いて焼き付け処理を行った。このときの条件は、入口温度３５０℃、出口温度３８０℃、塗装フェルト引き２０回、線速３８５ｍ／ｍｉｎとした。これにより、線状の導体の外周面に絶縁層が設けられた絶縁電線を製造した。なお、各絶縁層の厚みは、７．５μｍとなるように上記ワニスの塗布量を調製した。
【0108】
絶縁層中における、第一イソシアネート化合物に由来する構造単位、第二イソシアネート化合物に由来する構造単位およびポリアミドイミドアミン化合物に由来する構造単位の含有割合（質量％）のそれぞれを表２に示す。
【0109】
【表2】
【0110】
また、後述する各試験には、上記各試料の２個撚り試料の試験片を使用した。２個撚り試料は、ＪＩＳ Ｃ３２１６－６：２０１９の「ＪＡ．１．２ ｂ）２個より法」に準拠して作製された。上記の方法により作製された２個撚り試料を液状エポキシ樹脂（住友ベークライト（株）製のスミマック ＥＣＲ－２２２２ＫおよびＥＣＨ－２２２Ｇをそれぞれ１００重量部ずつ混合）中に浸漬し、１００℃で２時間モールド、さらに１４０℃で２時間モールドすることで、上記各試料の２個撚り試料の試験片が作製された。なお、比較例として、住友電工ウインテック社製の絶縁電線ＳＭＰＥＷ（直径５０μｍ、絶縁層の皮膜厚７．５μｍ）（試料Ａ）を用いた。
【0111】
≪評価≫
（耐電圧試験）
試料１～１３および試料Ａの試験片の絶縁破壊する寿命時間を耐電圧試験機（フェイス社製）を用いて、以下の試験条件により測定した。上記寿命時間は、上記各試料に一定の電圧を印加した際の絶縁するまでの時間を意味する。結果を表３の「寿命時間（ｈｒ）」欄に示す。寿命時間が長い程、耐熱性に優れる絶縁電線として評価できる。
[耐電圧試験の条件]
周波数 ：１ｋＨｚ
絶縁耐圧：３．１ｋＶｒｍｓ
試験温度：１５０℃
（ガラス転移温度測定試験）
試料１～１３および試料Ａのガラス転移温度を熱機械分析法（ＴＭＡ）により測定した。ガラス転移温度は、絶縁電線の電気特性が変化する温度を意味する。また、熱機械分析法とは、標準試料と測定試料を一定速度で昇温したときの熱膨張量の差から、試料の熱膨張量を測定する方法を意味する。当該試験は、熱機械分析装置（セイコーインスツル社製）を用いて、各試料を８本束ねて、以下の試験条件により測定した。結果を表３の「ガラス転移温度（℃）」欄に示す。ガラス転移温度が高い程、耐熱性に優れる絶縁電線として評価できる。
[ガラス転移温度測定試験の条件]
標準試料：石英ガラス
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
荷重 ：９８ｍＮ
（２０％重量減少温度測定試験）
試料１～１３および試料Ａの２０％重量減少温度をＴＧにより測定した。当該試験は、熱重量測定装置（セイコーインスツル社製）を用いて、１３０ｍｇの各試料をアルミ製サンプルパンに乗せ、以下の試験条件により測定した。結果を図１～図４および表３の「２０％重量減少温度（℃）」欄に示す。
[２０％重量減少温度測定試験の条件]
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
（耐電圧試験）
試料１～１３および試料Ａの試験片の絶縁破壊する寿命時間を耐電圧試験機（フェイス社製）を用いて、以下の試験条件により測定した。上記寿命時間は、上記各試料に一定の電圧を印加した際の絶縁するまでの時間を意味する。結果を表３の「寿命時間（ｈｒ）」欄に示す。寿命時間が長い程、耐熱性に優れる絶縁電線として評価できる。
[耐電圧試験の条件]
周波数 ：１ｋＨｚ
絶縁耐圧：３．１ｋＶｒｍｓ
試験温度：１５０℃
（ガラス転移温度測定試験）
試料１～１３および試料Ａのガラス転移温度を熱機械分析法（ＴＭＡ）により測定した。ガラス転移温度は、絶縁電線の電気特性が変化する温度を意味する。また、熱機械分析法とは、標準試料と測定試料を一定速度で昇温したときの熱膨張量の差から、試料の熱膨張量を測定する方法を意味する。当該試験は、熱機械分析装置（セイコーインスツル社製）を用いて、各試料を８本束ねて、以下の試験条件により測定した。結果を表３の「ガラス転移温度（℃）」欄に示す。ガラス転移温度が高い程、耐熱性に優れる絶縁電線として評価できる。
[ガラス転移温度測定試験の条件]
標準試料：石英ガラス
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
荷重 ：９８ｍＮ
（２０％重量減少温度測定試験）
試料１～１３および試料Ａの２０％重量減少温度をＴＧにより測定した。当該試験は、熱重量測定装置（セイコーインスツル社製）を用いて、１３０ｍｇの各試料をアルミ製サンプルパンに乗せ、以下の試験条件により測定した。結果を図１～図４および表３の「２０％重量減少温度（℃）」欄に示す。
[２０％重量減少温度測定試験の条件]
昇温速度：１０℃／ｍｉｎ
【0112】
【表3】
【0113】
≪考察≫
試料１～１３は、試料Ａと比較して、寿命時間が長く、ガラス転移温度が高くなった。このことは、上記各試料の絶縁電線は、寿命が長く、耐熱性が良好であることを示している。
試料１～１３は、試料Ａと比較して、寿命時間が長く、ガラス転移温度が高くなった。このことは、上記各試料の絶縁電線は、寿命が長く、耐熱性が良好であることを示している。
【0114】
また、試料１～１３は、試料Ａと比較して、２０％重量減少温度が高くなった。このことは、実施例に係る絶縁電線は、従来品である比較例に係る絶縁電線よりも、耐熱性が良好であることを示している。
【0115】
以上のように本開示の実施形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施形態および実施例の構成を適宜組み合わせたり、様々に変形することも当初から予定している。
【0116】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】