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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-02
(45)【発行日】2024-09-10
(54)【発明の名称】有機発光表示基板およびその製造方法、有機発光表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/822 20230101AFI20240903BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240903BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240903BHJP
H10K 50/813 20230101ALI20240903BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20240903BHJP
H10K 50/86 20230101ALI20240903BHJP
H10K 59/12 20230101ALI20240903BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240903BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240903BHJP
H10K 59/173 20230101ALI20240903BHJP
H10K 59/179 20230101ALI20240903BHJP
H10K 59/95 20230101ALI20240903BHJP
H10K 71/20 20230101ALI20240903BHJP
H10K 71/60 20230101ALI20240903BHJP
H10K 77/10 20230101ALI20240903BHJP
【ＦＩ】
H10K50/822
G09F9/00 338
G09F9/30 309
G09F9/30 338
G09F9/30 349Z
G09F9/30 365
H10K50/813
H10K50/824
H10K50/86
H10K59/12
H10K59/124
H10K59/131
H10K59/173
H10K59/179
H10K59/95
H10K71/20
H10K71/60
H10K77/10
【請求項の数】
20
(21)【出願番号】P 2021569944
(86)(22)【出願日】2020-04-29
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-07-26
(86)【国際出願番号】 CN2020087912
(87)【国際公開番号】W WO2021217526
(87)【国際公開日】2021-11-04
【審査請求日】2023-04-24
(73)【特許権者】
【識別番号】510280589
【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ
(73)【特許権者】
【識別番号】511121702
【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】▲賈▼ 立
(72)【発明者】
【氏名】高 涛
【審査官】高田 亜希
(56)【参考文献】
【文献】特開平１１－３０７２４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１７４８１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－１２６８１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】中国特許出願公開第１１０６９０２６１（ＣＮ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００
Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
パッシブマトリックス有機発光表示領域を含む有機発光表示基板であって、ベースと、
ベースの片側に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の溝を含む有機層と、
有機層のベースから離れた表面に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノードと、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部と、を含み、複数の遮蔽部のベース上への正射影および複数の溝のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各遮蔽部のベース上への正射影は、仕切り溝を形成するために、１つの溝のベース上への正射影と部分的に重なっているアノード層と、
アノード層のベースから離れた側に形成された有機機能層と、
有機機能層のベースから離れた側に形成され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップおよび複数のカソード材料部を含み、各カソードストリップは、アノード層よりもベースから離れ、各カソード材料部は、１つの仕切り溝内に配置され且つ隣接するカソードストリップに接続されていないカソード層と、
を含み、
前記複数の遮蔽部は、前記有機機能層と前記カソード層の材料が前記溝の側壁に膜を形成することを阻止するものであり、
前記アノード層の第１アノードと遮蔽部とが、同じ材料で、同一工程により形成され、
前記カソード層のカソードストリップとカソード材料部が、同じ材料で、同一工程により形成され、
前記ベースは、第１有機フレキシブル層、第２有機フレキシブル層、および第１有機フレキシブル層と第２有機フレキシブル層との間に配置された第１無機バリア層を含む、
有機発光表示基板。
【請求項2】
有機機能層は、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された複数の第１部分および複数の第２部分を含み、各第１部分は、アノード層よりもベースから離れ、各第２部分は、１つの仕切り溝内に配置され且つ隣接する第１部分に接続されていない、請求項１に記載の有機発光表示基板。
【請求項3】
各遮蔽部は、溝の２つの縁に配置され且つ間隔を空けて設けられた２つの遮蔽ストリップを含み、２つの遮蔽ストリップのベース上への正射影は、それぞれ、溝のベース上への正射影と部分的に重なっている、請求項１に記載の有機発光表示基板。
【請求項4】
有機層は、第１有機層および第２有機層を含み、有機発光表示基板は、前記ベースの片側に第１データ金属層、第１無機層、第２データ金属層、画素定義層、およびスペーサー層をさらに含み、第１データ金属層、第１無機層、第１有機層、第２データ金属層、第２有機層、アノード層、画素定義層、スペーサー層、有機機能層、およびカソード層は、ベースから離れた方向に沿って順次に設けられ、
パッシブマトリックス有機発光表示領域において、第２データ金属層は、複数の第１ビアホールを介して第１データ金属層に接続され、複数の第２ビアホールを介してアノード層に接続され、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード間は、第１データ金属層または第２データ金属層によって接続されている、
請求項３に記載の有機発光表示基板。
【請求項5】
各溝は、第２有機層を貫通し且つ第１有機層内まで延在している、請求項４に記載の有機発光表示基板。
【請求項6】
各溝のベース上への正射影の第１方向に沿った幅は、５マイクロメートル～１０マイクロメートルである、請求項４に記載の有機発光表示基板。
【請求項7】
ベースに垂直な方向における各溝の深さは、２マイクロメートル～２．５マイクロメートルである、請求項４に記載の有機発光表示基板。
【請求項8】
各溝の２つの側壁と底壁との間の角度は、それぞれ、１２０°～１４０°である、請求項４に記載の有機発光表示基板。
【請求項9】
各遮蔽ストリップのベース上への正射影と対応する溝のベース上への正射影との重なり部分の第１方向に沿った幅は、０．８マイクロメートル～１マイクロメートルである、請求項４に記載の有機発光表示基板。
【請求項10】
アクティブマトリックス有機発光表示領域をさらに含む有機発光表示基板であって、ベースと第１データ金属層との間に配置され、且つベースから離れた方向に沿って順次に設けられた半導体層、第１絶縁層、第１ゲート金属層、第２絶縁層、第２ゲート金属層、及び第３絶縁層をさらに含み、
アクティブマトリックス有機発光表示領域において、第１データ金属層は、複数の第３ビアホールを介して半導体層に接続され、複数の第４ビアホールを介して第２データ金属層に接続され、アノード層は、複数の第５ビアホールを介して第２データ金属層に接続されている、
請求項４に記載の有機発光表示基板。
【請求項11】
アクティブマトリックス有機発光表示領域は、パッシブマトリックス有機発光表示領域のエッジの一部を囲み、または、アクティブマトリックス有機発光表示領域は、パッシブマトリックス有機発光表示領域を囲む、請求項１０に記載の有機発光表示基板。
【請求項12】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の有機発光表示基板を含む有機発光表示装置。
【請求項13】
有機発光表示基板は、アクティブマトリックス有機発光表示領域をさらに含み、有機発光表示装置は、有機発光表示基板上への正射影がパッシブマトリックス有機発光表示領域にある少なくとも１つの機能デバイスをさらに含む、
請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項14】
パッシブマトリックス有機発光表示領域を含む有機発光表示基板の製造方法であって、ベースの片側に有機層を形成することと、
有機層のベースから離れた表面にアノード層を形成し、アノード層は、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノードと、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部と、を含み、複数の遮蔽部のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布することと、
アノード層のベースから離れた側に画素定義層およびスペーサー層を順次に形成することと、
有機層をエッチングすることにより、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在した複数の溝を形成し、複数の溝のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各溝のベース上への正射影は、仕切り溝を形成するために、１つの遮蔽部のベース上への正射影と部分的に重なっていることと、
スペーサー層のベースから離れた側に有機機能層およびカソード層を順次に形成することであって、カソード層は、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップおよび複数のカソード材料部を含み、各カソードストリップは、アノード層よりもベースから離れ、各カソード材料部は、１つの仕切り溝内に配置され且つ隣接するカソードストリップに接続されていないことと、
を含み、
有機層をエッチングすることは、
スペーサー層のベースから離れた側にハードマスクを形成し、ハードマスクの仕切り溝のノッチに対応する領域は、透かし彫り領域であることと、
ハードマスクを通して有機層をドライエッチングすることにより、溝を形成することと、
ハードマスクを剥離することと、
を含み、
前記複数の遮蔽部は、前記有機機能層と前記カソード層の材料が前記溝の側壁に膜を形成することを阻止するものであり、
前記アノード層の第１アノードと遮蔽部とが、同じ材料で、同一工程により形成され、
前記カソード層のカソードストリップとカソード材料部が、同じ材料で、同一工程により形成される、
有機発光表示基板の製造方法。
【請求項15】
ハードマスクを形成することは、スペーサー層のベースから離れた側にハードマスク被覆層およびフォトレジスト被覆層を順次に形成することと、
フォトレジスト被覆層に対して露光及び現像を順次に行うことにより、フォトレジスト保護マスクを得て、フォトレジスト保護マスクの仕切り溝のノッチに対応する領域は、透かし彫り領域であることと、
フォトレジスト保護マスクを通してハードマスク被覆層をウェットエッチングすることにより、ハードマスクを得ることと、
を含む、
請求項１４に記載の製造方法。
【請求項16】
ハードマスクの材料は、金属酸化物を含む、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項17】
ハードマスクの材料は、インジウムガリウム亜鉛酸化物を含む、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項18】
有機層を形成することは、ベースの片側に第１有機層および第２有機層を順次に形成することを含み、第１有機層を形成する前に、ベースの片側に第１データ金属層および第１無機層を順次に形成することと、
第１有機層を形成した後、第２有機層を形成する前に、第１有機層のベースから離れた側に第２データ金属層を形成することと、
をさらに含み、
パッシブマトリックス有機発光表示領域において、第２データ金属層は、複数の第１ビアホールを介して第１データ金属層に接続され、複数の第２ビアホールを介してアノード層に接続され、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード間は、第１データ金属層または第２データ金属層によって接続されている、
請求項１４から１７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項19】
各溝は、第２有機層を貫通し且つ第１有機層内まで延在している、請求項１８に記載の製造方法。
【請求項20】
アクティブマトリックス有機発光表示領域をさらに含む有機発光表示基板の製造方法であって、第１データ金属層を形成する前に、ベースの片側に半導体層、第１絶縁層、第１ゲート金属層、第２絶縁層、第２ゲート金属層、および第３絶縁層を順次に形成し、アクティブマトリックス有機発光表示領域において、第１データ金属層は、複数の第３ビアホールを介して半導体層に接続され、複数の第４ビアホールを介して第２データ金属層に接続され、アノード層は、複数の第５ビアホールを介して第２データ金属層に接続されていることをさらに含む、
請求項１８に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、表示技術の分野に関し、特に有機発光表示基板およびその製造方法、有機発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
自発光、高コントラスト、広視野角、低消費電力、高速応答、低製造コストなどの優れた特性を持つことから、有機発光デバイスが、次世代表示装置の基盤としてますます注目を集めている。
【0003】
有機発光表示基板の製造歩留まりは、有機発光表示装置の大規模利用を制約する重要な課題である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0004】
本開示の実施例の一側面によると、パッシブマトリックス有機発光表示領域を含む有機発光表示基板を提供し、有機発光表示基板は、
ベースと、
ベースの片側に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の溝を含む有機層と、
有機層のベースから離れた表面に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノードと、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部と、を含み、複数の遮蔽部のベース上への正射影および複数の溝のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各遮蔽部のベース上への正射影は、仕切り溝を形成するために、１つの溝のベース上への正射影と部分的に重なっているアノード層と、
アノード層のベースから離れた側に形成された有機機能層と、
有機機能層のベースから離れた側に形成され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップおよび複数のカソード材料部を含み、各カソードストリップは、アノード層よりもベースから離れ、各カソード材料部は、１つの仕切り溝内に配置され且つ隣接するカソードストリップに接続されていないカソード層と
を含む。
ベースと、
ベースの片側に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の溝を含む有機層と、
有機層のベースから離れた表面に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノードと、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部と、を含み、複数の遮蔽部のベース上への正射影および複数の溝のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各遮蔽部のベース上への正射影は、仕切り溝を形成するために、１つの溝のベース上への正射影と部分的に重なっているアノード層と、
アノード層のベースから離れた側に形成された有機機能層と、
有機機能層のベースから離れた側に形成され、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップおよび複数のカソード材料部を含み、各カソードストリップは、アノード層よりもベースから離れ、各カソード材料部は、１つの仕切り溝内に配置され且つ隣接するカソードストリップに接続されていないカソード層と
を含む。
【0005】
いくつかの実施例において、有機機能層は、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された複数の第１部分および複数の第２部分を含み、各第１部分は、アノード層よりもベースから離れ、各第２部分は、１つの仕切り溝内に配置され且つ隣接する第１部分に接続されていない。
【0006】
いくつかの実施例において、各遮蔽部は、溝の２つの縁に配置され且つ間隔を空けて設けられた２つの遮蔽ストリップを含み、２つの遮蔽ストリップのベース上への正射影は、それぞれ、溝のベース上への正射影と部分的に重なっている。
【0007】
いくつかの実施例において、有機層は、第１有機層および第２有機層を含み、有機発光表示基板は、前記ベースの片側に第１データ金属層、第１無機層、第２データ金属層、画素定義層、およびスペーサー層をさらに含み、
第１データ金属層、第１無機層、第１有機層、第２データ金属層、第２有機層、アノード層、画素定義層、スペーサー層、有機機能層、およびカソード層は、ベースから離れた方向に沿って順次に設けられ、
パッシブマトリックス有機発光表示領域において、第２データ金属層は、複数の第１ビアホールを介して第１データ金属層に接続され、複数の第２ビアホールを介してアノード層に接続され、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード間は、第１データ金属層または第２データ金属層によって接続されている。
第１データ金属層、第１無機層、第１有機層、第２データ金属層、第２有機層、アノード層、画素定義層、スペーサー層、有機機能層、およびカソード層は、ベースから離れた方向に沿って順次に設けられ、
パッシブマトリックス有機発光表示領域において、第２データ金属層は、複数の第１ビアホールを介して第１データ金属層に接続され、複数の第２ビアホールを介してアノード層に接続され、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード間は、第１データ金属層または第２データ金属層によって接続されている。
【0008】
いくつかの実施例において、溝は、第２有機層を貫通し且つ第１有機層内まで延在している。
【0009】
いくつかの実施例において、各溝のベース上への正射影の第１方向に沿った幅は、５マイクロメートル～１０マイクロメートルである。
【0010】
いくつかの実施例において、ベースに垂直な方向における各溝の深さは、２マイクロメートル～２．５マイクロメートルである。
【0011】
いくつかの実施例において、各溝の２つの側壁と底壁との間の角度は、それぞれ、１２０°～１４０°である。
【0012】
いくつかの実施例において、各遮蔽ストリップのベース上への正射影と対応する溝のベース上への正射影との重なり部分の第１方向に沿った幅は、０．８マイクロメートル～１マイクロメートルである。
【0013】
いくつかの実施例において、前記有機発光表示基板は、アクティブマトリックス有機発光表示領域をさらに含み、有機発光表示基板は、ベースと第１データ金属層との間に配置され、且つベースから離れた方向に沿って順次に設けられた半導体層、第１絶縁層、第１ゲート金属層、第２絶縁層、第２ゲート金属層、及び第３絶縁層をさらに含み、
アクティブマトリックス有機発光表示領域において、第１データ金属層は、複数の第３ビアホールを介して半導体層に接続され、複数の第４ビアホールを介して第２データ金属層に接続され、アノード層は、複数の第５ビアホールを介して第２データ金属層に接続されている。
アクティブマトリックス有機発光表示領域において、第１データ金属層は、複数の第３ビアホールを介して半導体層に接続され、複数の第４ビアホールを介して第２データ金属層に接続され、アノード層は、複数の第５ビアホールを介して第２データ金属層に接続されている。
【0014】
いくつかの実施例において、アクティブマトリックス有機発光表示領域は、パッシブマトリックス有機発光表示領域のエッジの一部を囲み、または、アクティブマトリックス有機発光表示領域は、パッシブマトリックス有機発光表示領域を囲む。
【0015】
いくつかの実施例において、ベースは、第１有機フレキシブル層、第２有機フレキシブル層、および第１有機フレキシブル層と第２有機フレキシブル層との間に配置された第１無機バリア層を含む。
【0016】
本開示の実施例の別の側面によると、前述のいずれかの実施例に記載の有機発光表示基板を含む有機発光表示装置を提供する。
【0017】
いくつかの実施例において、有機発光表示基板は、アクティブマトリックス有機発光表示領域をさらに含み、有機発光表示装置は、有機発光表示基板上への正射影がパッシブマトリックス有機発光表示領域にある少なくとも１つの機能デバイスをさらに含む。
【0018】
本開示の実施例のさらに別の側面によると、パッシブマトリックス有機発光表示領域を含む有機発光表示基板の製造方法を提供し、製造方法は、
ベースの片側に有機層を形成することと、
有機層のベースから離れた表面にアノード層を形成し、アノード層は、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノードと、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部と、を含み、複数の遮蔽部のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布することと、
アノード層のベースから離れた側に画素定義層およびスペーサー層を順次に形成することと、
有機層をエッチングすることにより、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在した複数の溝を形成し、複数の溝のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各溝のベース上への正射影は、仕切り溝を形成するために、１つの遮蔽部のベース上への正射影と部分的に重なっていることと、
スペーサー層のベースから離れた側に有機機能層およびカソード層を順次に形成することであって、カソード層は、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップおよび複数のカソード材料部を含み、各カソードストリップは、アノード層よりもベースから離れ、各カソード材料部は、１つの仕切り溝内に配置され且つ隣接するカソードストリップに接続されていないことと、
を含む。
ベースの片側に有機層を形成することと、
有機層のベースから離れた表面にアノード層を形成し、アノード層は、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノードと、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部と、を含み、複数の遮蔽部のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布することと、
アノード層のベースから離れた側に画素定義層およびスペーサー層を順次に形成することと、
有機層をエッチングすることにより、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在した複数の溝を形成し、複数の溝のベース上への正射影は、複数の第１アノードのベース上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各溝のベース上への正射影は、仕切り溝を形成するために、１つの遮蔽部のベース上への正射影と部分的に重なっていることと、
スペーサー層のベースから離れた側に有機機能層およびカソード層を順次に形成することであって、カソード層は、パッシブマトリックス有機発光表示領域に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップおよび複数のカソード材料部を含み、各カソードストリップは、アノード層よりもベースから離れ、各カソード材料部は、１つの仕切り溝内に配置され且つ隣接するカソードストリップに接続されていないことと、
を含む。
【0019】
いくつかの実施例において、有機層をエッチングすることは、
スペーサー層のベースから離れた側にハードマスクを形成し、ハードマスクの仕切り溝のノッチに対応する領域は、透かし彫り領域であることと、
ハードマスクを通して有機層をドライエッチングすることにより、溝を形成することと、
ハードマスクを剥離することと、
を含む。
スペーサー層のベースから離れた側にハードマスクを形成し、ハードマスクの仕切り溝のノッチに対応する領域は、透かし彫り領域であることと、
ハードマスクを通して有機層をドライエッチングすることにより、溝を形成することと、
ハードマスクを剥離することと、
を含む。
【0020】
いくつかの実施例において、ハードマスクを形成することは、
スペーサー層のベースから離れた側にハードマスク被覆層およびフォトレジスト被覆層を順次に形成することと、
フォトレジスト被覆層に対して露光及び現像を順次に行うことにより、フォトレジスト保護マスクを得て、フォトレジスト保護マスクの仕切り溝のノッチに対応する領域は、透かし彫り領域であることと、
フォトレジスト保護マスクを通してハードマスク被覆層をウェットエッチングすることにより、ハードマスクを得ることと、
を含む。
スペーサー層のベースから離れた側にハードマスク被覆層およびフォトレジスト被覆層を順次に形成することと、
フォトレジスト被覆層に対して露光及び現像を順次に行うことにより、フォトレジスト保護マスクを得て、フォトレジスト保護マスクの仕切り溝のノッチに対応する領域は、透かし彫り領域であることと、
フォトレジスト保護マスクを通してハードマスク被覆層をウェットエッチングすることにより、ハードマスクを得ることと、
を含む。
【0021】
いくつかの実施例において、ハードマスクの材料は、金属酸化物を含む。
【0022】
いくつかの実施例において、ハードマスクの材料は、インジウムガリウム亜鉛酸化物を含む。
【0023】
いくつかの実施例において、有機層を形成することは、ベースの片側に第１有機層および第２有機層を順次に形成することを含み、製造方法は、
第１有機層を形成する前に、ベースの片側に第１データ金属層および第１無機層を順次に形成することと、
第１有機層を形成した後、第２有機層を形成する前に、第１有機層のベースから離れた側に第２データ金属層を形成することと、
をさらに含み、
パッシブマトリックス有機発光表示領域において、第２データ金属層は、複数の第１ビアホールを介して第１データ金属層に接続され、複数の第２ビアホールを介してアノード層に接続され、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード間は、第１データ金属層または第２データ金属層によって接続されている。
第１有機層を形成する前に、ベースの片側に第１データ金属層および第１無機層を順次に形成することと、
第１有機層を形成した後、第２有機層を形成する前に、第１有機層のベースから離れた側に第２データ金属層を形成することと、
をさらに含み、
パッシブマトリックス有機発光表示領域において、第２データ金属層は、複数の第１ビアホールを介して第１データ金属層に接続され、複数の第２ビアホールを介してアノード層に接続され、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード間は、第１データ金属層または第２データ金属層によって接続されている。
【0024】
いくつかの実施例において、各溝は、第２有機層を貫通し且つ第１有機層内まで延在している。
【0025】
いくつかの実施例において、有機発光表示基板は、アクティブマトリックス有機発光表示領域をさらに含み、製造方法は、
第１データ金属層を形成する前に、ベースの片側に半導体層、第１絶縁層、第１ゲート金属層、第２絶縁層、第２ゲート金属層、および第３絶縁層を順次に形成し、アクティブマトリックス有機発光表示領域において、第１データ金属層は、複数の第３ビアホールを介して半導体層に接続され、複数の第４ビアホールを介して第２データ金属層に接続され、アノード層は、複数の第５ビアホールを介して第２データ金属層に接続されていることをさらに含む。
第１データ金属層を形成する前に、ベースの片側に半導体層、第１絶縁層、第１ゲート金属層、第２絶縁層、第２ゲート金属層、および第３絶縁層を順次に形成し、アクティブマトリックス有機発光表示領域において、第１データ金属層は、複数の第３ビアホールを介して半導体層に接続され、複数の第４ビアホールを介して第２データ金属層に接続され、アノード層は、複数の第５ビアホールを介して第２データ金属層に接続されていることをさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【0026】
明細書の一部を構成する図面は、本開示の実施例を説明し、明細書とともに本開示の原理を説明するためのものである。
【0027】
図面を参照して、以下の詳細な説明により、本開示をより明確に理解することができる。
【0028】
【図1a】本開示の一実施例に係る有機発光表示基板の正面図である。
【図1d】本開示の一実施例における仕切り溝の概略断面拡大図である。
【図2】本開示の別の実施例に係る有機発光表示基板の正面図である。
【図3a】関連技術においてパッシブマトリックス有機発光表示領域における有機発光表示基板の概略断面図である。
【図3b】関連技術において製造プロセスにおける有機発光表示基板のいくつかの概略断面図である。
【図4a】本開示の一実施例に係る有機発光表示基板の製造方法のフローチャートである。
【図4b】製造プロセスにおける本開示の一実施例に係る有機発光表示基板のいくつかの概略断面図である。
【図5a】本開示の一実施例において仕切り溝を製造するフローチャートである。
【図5b】製造プロセスにおける本開示の一実施例に係る有機発光表示基板のいくつかの概略断面図である。
【図6】本開示の一実施例に係る有機発光表示装置の正面図である。図面に示した各部の寸法は、実際の比例関係に基づいて描かれていないことを理解すべきである。また、同一又は類似の符号は、同一又は類似の構成要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【0029】
図面を参照して、本開示の様々な例示的な実施例を詳細に説明する。例示的な実施例に対する説明は、単に例示的なものであり、本開示およびその適用または使用を限定するものではない。本開示は、本明細書に記載の実施例に限定されず、多くの異なる形態で実施することができる。これらの実施例は、本開示を徹底的かつ完全にし、本開示の範囲を当業者に十分に表現するために提供される。特に明記しない限り、これらの実施例に記載された部品およびステップの相対的な配置、材料成分、数式、および数値は、限定的なものではなく、単なる例示的なものとして解釈されるべきであることに留意されたい。
【0030】
本開示で使用される「第１」、「第２」および類似語は、順序、数、または重要度を表すものではなく、単に異なる部分を区別するために使用される。「含む」または「含有する」などの類似語は、この用語の前の要素がこの用語の後に列挙された要素をカバーすることを意味し、他の要素もカバーする可能性を排除するものではない。「上」、「下」等は、相対的な位置関係のみを表すものであり、説明されたオブジェクトの絶対位置が変更されると、相対的な位置関係もそれに応じて変更される可能性がある。
【0031】
本開示において、特定の部品が第１部品と第２部品との間に配置されることが記載された場合、当該特定の部品と第１部品または第２部品との間には、中間部品が存在してもよいし、存在しなくてもよい。特定の部品が他の部品に接続されることが記載された場合、当該特定の部品は、中間部品なしで前記他の部品に直接接続されてもよいし、中間部品ありで前記他の部品に直接接続されなくてもよい。
【0032】
本開示で使用されるすべての用語（技術用語または科学用語を含む）は、特に定義されない限り、本開示の属する分野の当業者が理解するものと同じ意味である。汎用辞書で定義された用語は、本明細書で明示的に定義されない限り、関連技術の文脈における意味と一致する意味を有するものとして解釈されるべきであり、理想化または極端に形式化された意味で解釈されるべきではないことも理解されたい。
【0033】
関連分野の当業者に知られた技術、方法、および装置については詳細に説明しない場合があるが、適切な場合には、前記技術、方法、および装置が明細書の一部と見なされるべきである。
【0034】
有機発光表示基板が、軽薄で屈曲性などの特徴から、フレキシブル表示装置に広く使われている。有機発光表示基板の製造歩留まりを向上させるために、本開示の実施例では、有機発光表示基板およびその製造方法、有機発光表示装置を提供する。
【0035】
図１ａに示されたように、本開示の一実施例による有機発光表示基板１は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０を含む。図１ｂは、図１ａのＡにおける本開示の一実施例に係る有機発光表示基板の概略拡大図であり、図面では、遮光マトリクスの構成については省略して図示しない。図１ｃは、図１ｂのＢ－Ｂにおける本開示の一実施例に係る有機発光表示基板の概略断面図である。
【0036】
図１ｂと図１ｃに示されたように、本開示の実施例による有機発光表示基板１は、
ベース１０１と、
ベース１０１の片側に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の溝１０２０を含む有機層１０２と、
有機層１０２のベース１０１から離れた表面に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノード１０４１と、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部１０４２と、を含み、複数の遮蔽部１０４２のベース１０１上への正射影および複数の溝１０２０のベース１０１上への正射影は、複数の第１アノード１０４１のベース１０１上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各遮蔽部１０４２のベース１０１上への正射影は、仕切り溝１０３を形成するために、１つの溝１０２０のベース１０１上への正射影と部分的に重なっているアノード層１０４と、
アノード層１０４のベース１０１から離れた側に形成された有機機能層１０５と、
有機機能層１０５のベース１０１から離れた側に形成され、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップ１０６１および複数のカソード材料部１０６２を含み、各カソードストリップ１０６１は、アノード層１０４よりもベース１０１から離れ、各カソード材料部１０６２は、１つの仕切り溝１０３内に配置され且つ隣接するカソードストリップ１０６１に接続されていないカソード層１０６と、
を含む。
ベース１０１と、
ベース１０１の片側に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の溝１０２０を含む有機層１０２と、
有機層１０２のベース１０１から離れた表面に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノード１０４１と、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部１０４２と、を含み、複数の遮蔽部１０４２のベース１０１上への正射影および複数の溝１０２０のベース１０１上への正射影は、複数の第１アノード１０４１のベース１０１上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各遮蔽部１０４２のベース１０１上への正射影は、仕切り溝１０３を形成するために、１つの溝１０２０のベース１０１上への正射影と部分的に重なっているアノード層１０４と、
アノード層１０４のベース１０１から離れた側に形成された有機機能層１０５と、
有機機能層１０５のベース１０１から離れた側に形成され、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップ１０６１および複数のカソード材料部１０６２を含み、各カソードストリップ１０６１は、アノード層１０４よりもベース１０１から離れ、各カソード材料部１０６２は、１つの仕切り溝１０３内に配置され且つ隣接するカソードストリップ１０６１に接続されていないカソード層１０６と、
を含む。
【0037】
本開示の実施例において、有機機能層１０５がアノード層１０４のベース１０１から離れた側に形成されたことについて、局所構造の絶対的な位置関係として理解すべきではなく、有機機能層１０５のパターン層全体がアノード層１０４のパターン層全体のベース１０１から離れた側に配置されたものとして理解すべきである。他のパターン層の間の位置関係は、同様であり、ここでは説明を省略する。
【0038】
図１ｃに示されたように、本開示のいくつかの実施例において、有機機能層１０５は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された複数の第１部分１０５１および複数の第２部分１０５２を含み、各第１部分１０５１は、アノード層１０４よりもベース１０１から離れ、各第２部分１０５２は、１つの仕切り溝１０３内に配置され且つ隣接する第１部分１０５１に接続されていない。
【0039】
本開示の実施例において、第１方向と第２方向を具体的に限定しない。例えば、いくつかの実施例において、第１方向は、行方向であり、第２方向は、列方向である。別のいくつかの実施例において、第１方向は、列方向であり、第２方向は、行方向である。
【0040】
有機発光表示基板１のパッシブマトリックス有機発光表示領域２０は、アレイ状に配列された複数のパッシブマトリックス型の有機発光デバイス５ａ（Ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＰＭＯＬＥＤ）を含み、これらの有機発光デバイス５ａは、スキャンにより点灯され、各有機発光デバイス５ａは、短パルスで瞬時発光する。図１ａに示された実施例において、有機発光表示基板１は、アクティブマトリックス有機発光表示領域５０をさらに含む。図１ｃに示されたように、アクティブマトリックス有機発光表示領域５０は、アレイ状に配列された複数のアクティブマトリックス型の有機発光デバイス５ｂ（Ａｃｔｉｖｅ－ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＡＭＯＬＥＤ）を含み、各有機発光デバイス５ｂは、薄膜トランジスタデバイス３によって制御されるので、独立した連続的な発光を実現することができる。
【0041】
パッシブマトリックス有機発光表示領域２０の形状は、限定されず、例えば、円形、楕円形、矩形又は多角形などであってもよい。パッシブマトリックス有機発光表示領域２０について、薄膜トランジスタデバイスを設ける必要がないので、透過率が高い。有機発光表示装置において、例えば、カメラや距離センサなどの機能デバイスが有機発光表示基板１の背面側に配置され、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に対向し、このようにすると、光がパッシブマトリックス有機発光表示領域２０を透過して機能デバイスに入射することができる。このような設計は、有機発光表示装置の画面比率を高め、狭額縁、超狭額縁に適した設計となる。図１ａに示された実施例において、アクティブマトリックス有機発光表示領域５０は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０のエッジの一部を囲むように設けられる。図２に示された実施例において、アクティブマトリックス有機発光表示領域５０は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０を囲んでもよい。
【0042】
本開示のいくつかの実施例において、有機発光表示基板は、パッシブマトリックス有機発光表示基板であってもよく、その表示領域は、パッシブマトリックス有機発光表示領域のみを含む。
【0043】
図１ｃに示されたように、当該実施例において、有機層１０２は、それぞれ平坦層として機能する第１有機層１０２１および第２有機層１０２２を含み、溝１０２０は、第２有機層１０２２を貫通し且つ第１有機層１０２１内まで延在している。有機発光表示基板１の構造は、ベース１０１の片側に配置され且つベース１０１から離れた方向に沿って順次に設けられた第２無機バリア層１３１、バッファ層１３２、半導体層１０９、第１絶縁層１１０、第１ゲート金属層１１１、第２絶縁層１１２、第２ゲート金属層１１３、第３絶縁層１１４、第１データ金属層１１５、第１無機層１１６、第２データ金属層１１７、画素定義層１０７、およびスペーサー層１０８をさらに含む。第１有機層１０２１は、第１無機層１１６と第２データ金属層１１７との間に配置され、第２有機層１０２２は、第２データ金属層１１７とアノード層１０４との間に配置される。有機機能層１０５は、スペーサー層１０８のベース１０１から離れた側に配置される。パッシブマトリックス有機発光表示領域２０において、第２データ金属層１１７は、複数の第１ビアホール６ａを介して第１データ金属層１１５に接続され、複数の第２ビアホール６ｂを介してアノード層１０４に接続される。
【0044】
パッシブマトリックス有機発光表示領域２０において、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード１０４１間は、第１データ金属層１１５によって接続され、即ち、第１方向に沿って配列された複数の第１アノード１０４１は、第１データ金属層１１５によって電気的に接続され、この結果、アレイ状に配列された有機発光デバイス５ａは、スキャンにより点灯される。本開示の別の実施例において、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード間も第２データ金属層によって接続される。
【0045】
アクティブマトリックス有機発光表示領域５０において、第１データ金属層１１５は、複数の第３ビアホール６ｃを介して半導体層１０９に接続され、複数の第４ビアホール６ｄを介して第２データ金属層１１７に接続される。基板の内部構造に対するパッケージ保護を実現するために、有機発光表示基板１が薄膜パッケージ層７をさらに含む。
【0046】
半導体層１０９は、薄膜トランジスタデバイス３のアクティブ層を含み、第１ゲート金属層１１１は、薄膜トランジスタデバイス３のゲートおよびキャパシタデバイス４の第１極板を含み、第２ゲート金属層１１３は、キャパシタデバイス４の第２極板を含み、第１データ金属層１１５は、第１層の配線と、薄膜トランジスタデバイス３のソースおよびドレインと、を含み、第２データ金属層１１７は、第２層の配線を含む。二層配線の設計は、抵抗を並列に接続することに相当し、配線の抵抗を低減し、ひいては基板の電力消費を低減する効果がある。
【0047】
アクティブマトリックス有機発光表示領域５０において、アノード層１０４は、アレイ状に配列された複数の第２アノード１０４３を含み、第２アノード１０４３は、複数の第５ビアホール６ｅを介して第２データ金属層１１７に接続される。パッシブマトリックス有機発光表示領域２０において、第１アノード１０４１、有機発光層１０５と第１アノード１０４１との真向かいの部分、カソードストリップ１０６１と第１アノード１０４１との真向かいの部分は、１つの有機発光デバイス５ａを構成する。アクティブマトリックス有機発光表示領域５０において、第２アノード１０４３、有機発光層１０５と第２アノード１０４３との真向かいの部分、カソード層１０６と第２アノード１０４３との真向かいの部分は、１つの有機発光デバイス５ｂを構成する。
【0048】
有機発光表示基板１の有機機能層１０５およびカソード層１０６は、通常に蒸着プロセスで成膜される。蒸着プロセスにおいて、蒸着材料ガスは、基本的にベース１０１の法線方向に沿って膜を形成し、したがって、仕切り溝１０３のアンダーカット構造は、蒸着材料ガスが溝１０２０の側壁に膜を形成するのを阻止でき、この結果、膜層の仕切り溝１０３内にある部分は、膜層の仕切り溝１０３外にある部分に接続されず、つまり、膜層は、仕切り溝１０３の両側で連続できない。本開示の実施例において、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０において、仕切り溝１０３の仕切り作用により、カソード層１０６的複数のカソードストリップ１０６１が、第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って間隔を空けて配列され、アクティブマトリックス有機発光表示領域５０において、カソード層１０６は、連続的に延在することができる。有機機能層１０５は、大面積にわたる蒸着が可能であり、マスクを用いたパターン蒸着が可能である。
【0049】
本開示のいくつかの実施例において、図１ｂと図１ｃに示されたように、遮蔽部１０４２は、溝１０２０の２つの縁に配置され且つ間隔を空けて設けられた２つの遮蔽ストリップ１０４２ａ、１０４２ｂを含み、２つの遮蔽ストリップ１０４２ａ、１０４２ｂのベース１０１上への正射影は、それぞれ、溝１０２０のベース１０１上への正射影と部分的に重なっている。このようにすると、２つの遮蔽ストリップ１０４２ａ、１０４２ｂは、いずれもカソード材料が溝１０２０の２つの側壁に膜を形成するのを阻止でき、この結果、隣接するカソードストリップ１０６１の間が仕切り溝１０３によって仕切りされることがさらに保証される。
【0050】
アノード層１０４の具体的な材料は、限定されない。いくつかの実施例において、アノード層１０４は、第１酸化インジウムスズ層、第２酸化インジウムスズ層、および第１酸化インジウムスズ層と第２酸化インジウムスズ層との間に挟まれた銀層を含み、第１酸化インジウムスズ層の厚さおよび第２酸化インジウムスズ層の厚さは、６０オングストローム～８０オングストロームであり、例えば７０オングストロームであり、銀層の厚さは、８００オングストローム～１２００オングストロームであり、例えば１０００オングストロームである。アノード層１０４を製造する場合、まずスパッタリングプロセスを使用して膜を形成し、次にマスクパターニングプロセスを使用してウェットエッチングによってパターンを形成する。
【0051】
有機層１０２のパターンは、一般に、マスクパターニングプロセスを使用して、ドライエッチングによって形成される。アノード層１０４が無機材料であり、有機層１０２の材料とは大きく異なるので、適切な選択比を選択して有機層１０２をドライエッチングすることにより、２つの遮蔽ストリップ１０４２ａ、１０４２ｂのベース１０１に近い側にアンダーカット構造を形成することができ、即ち、２つの遮蔽ストリップ１０４２ａ、１０４２ｂのベース１０１上への正射影は、それぞれ、溝１０２０のベース１０１上への正射影と部分的に重なっている。図１ｃに示されたように、２つの遮蔽ストリップ１０４２ａ、１０４２ｂのベース１０１上への正射影と画素定義層１０７のベース１０１上への正射影との間に間隔はない。本開示の他の実施例において、２つの遮蔽ストリップのベース上への正射影と画素定義層のベース上への正射影との間に、特定の距離だけ離れているか、または部分的に重なっている。
【0052】
図１ｄに示されたように、本開示のいくつかの実施例において、溝１０２０のベース１０１上への正射影の第１方向に沿った幅ｃは、５マイクロメートル～１０マイクロメートルである。ベース１０１に垂直な方向における溝１０２０の深さｄは、２マイクロメートル～２．５マイクロメートルである。溝１０２０の２つの側壁１０２０ａと底壁１０２０ｂとの間の角度αは、それぞれ、１２０°～１４０°である。遮蔽ストリップ１０４２ａ、１０４２ｂのベース１０１上への正射影と対応する溝１０２０のベース１０１上への正射影との重なり部分の第１方向に沿った幅ｓは、０．８マイクロメートル～１マイクロメートルであり、当該重なり幅Ｓの存在により、仕切り溝１０３がアンダーカット構造を有する。
【0053】
関連技術において、図３ａに示されたように、パッシブマトリックス有機発光表示領域における有機発光表示基板の構造は、ベースから離れた方向に沿って順次に設けられたデータ金属層００１、有機層００２、無機層００３、アノード層００４、画素定義層００５、スペーサー層００６、有機機能層００７、およびカソード層００８を含み、アノード層００４は、ビアホールを介してデータ金属層００１に接続され、複数の仕切り溝００９の構造は、有機層００２と無機層００３とによって共同に形成され、複数の仕切り溝００９がカソード層００８を仕切りするために使用されることにより、行方向に沿って間隔を空けて配列され且つ列方向に沿って延在した複数のカソードストリップを得る。当該有機発光表示基板を製造する場合、まず仕切り溝００９を形成し、次にアノード層００４を形成し、この後、画素定義層００５、スペーサー層００６、有機機能層００７、およびカソード層００８を順次に形成する。当該関連技術には以下の技術的欠陥がある。
【0054】
１．有機層００２が高温プロセスの環境において気体を放出し、無機層００３が有機層００２を大面積にわたって覆うため、有機層００２と無機層００３との間に気泡が発生するおそれがある。
【0055】
２．無機層００３が有機層００２の表面に形成され、無機層００３をエッチングすると、有機層００２に損傷しやすい。
【0056】
３．有機層００２が一般に平坦層として機能し、無機層００３が有機層００２の表面に作製され且つアノード層００４を作製する基底面として用いられ、その表面の平坦性には劣る。
【0057】
４．図３ｂに示されたように、仕切り溝００９の作製プロセスが完了した後に画素定義層００５及びスペーサー層００６の作製プロセスが行われるので、仕切り溝００９内に画素定義層および／またはスペーサー層の作製材料０１０が残留しやすく、この結果、仕切り溝００９の仕切り作用が無効となり、カソードストリップ間の仕切りが効果的に行われなくなる。
【0058】
５．仕切り溝００９の作製プロセスの後にアノード層００４の作製プロセスが行われ、マスクパターニングプロセスを使用してアノード層００４を形成する過程において、フォトレジスト層と仕切り溝００９内壁との間に気泡が発生するおそれがあり、気泡が破裂すると、後続の工程に不具合が生じてしまう。
【0059】
上記技術的欠陥は、有機発光表示基板の製造歩留まりに深刻な影響を与えている。
【0060】
本開示の実施例において、図１ｃに示されたように、一方で、アノード層１０４が有機層１０２のベース１０１から離れた表面に形成され、仕切り溝１０３の構造がアノード層１０４と有機層１０２とによって共同に形成され、アノード層１０４と有機層１０２との間に無機層を設けないので、前述の関連技術と比較して、本開示の実施例を採用すると、関連技術における無機層による一連の不良問題を克服することができる。他方で、本開示の実施例を採用すると、アノード層１０４、画素定義層１０７、およびスペーサー層１０８を形成した後に、仕切り溝１０３の構造を形成することができ、このようにすると、仕切り溝内に画素定義層および／またはスペーサー層の作製材料が残留することによる仕切り溝の無効、及び気泡の残留による後続の工程の不具合の発生を回避することができる。したがって、本開示の実施例の有機発光表示基板の構造設計は、製造の歩留まりの向上に有利である。
【0061】
図１ｃに示されたように、当該実施例において、ベース１０１は、フレキシブルベースであり、第１有機フレキシブル層１０１ａ、第２有機フレキシブル層１０１ｃ、および第１有機フレキシブル層１０１ａと第２有機フレキシブル層１０１ｃとの間に配置された第１無機バリア層１０１ｂを含み、第１有機フレキシブル層１０１ａおよび第２有機フレキシブル層１０１ｃの材料は、ポリアミドを含み、第１無機バリア層１０１ｂの材料は、窒化ケイ素を含む。このように設計すると、ベースの靭性を高めるだけでなく、有機発光表示基板のパッケージ性能の向上にも有利である。本開示の別のいくつかの実施例において、ベースは、硬質ベースであってもよい。
【0062】
本開示の実施例では、有機発光表示基板の製造方法をさらに提供し、当該製造方法は、前述したパッシブマトリックス有機発光表示領域２０を含む有機発光表示基板１を製造するために使用されてもよい。図４ａと図４ｂに示されたように、製造方法は、以下のステップＳ１０１～ステップＳ１０５を含む。
【0063】
ステップＳ１において、ベース１０１の片側に有機層１０２を形成する。
【0064】
ステップＳ２において、有機層１０２のベース１０１から離れた表面にアノード層１０４を形成し、アノード層１０４は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置されたアレイ状に配列された複数の第１アノード１０４１と、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第１方向に沿って間隔を空けて配列され且つ第２方向に沿って延在した複数の遮蔽部１０４２と、を含み、複数の遮蔽部１０４２のベース１０１上への正射影は、複数の第１アノード１０４１のベース１０１上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布する。
【0065】
ステップＳ３において、アノード層１０４のベース１０１から離れた側に画素定義層１０７およびスペーサー層１０８を順次に形成する。
【0066】
ステップＳ４において、有機層１０２をエッチングすることにより、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第２方向に沿って延在した複数の溝１０２０を形成し、複数の溝１０２０のベース１０１上への正射影は、複数の第１アノード１０４１のベース１０１上への正射影の第２方向に沿って延在した各隙間に分布し、各溝１０２０のベース１０１上への正射影は、仕切り溝１０３を形成するために、１つの遮蔽部１０４２のベース１０１上への正射影と部分的に重なっている。
【0067】
ステップＳ５において、スペーサー層１０８のベース１０１から離れた側に有機機能層１０５およびカソード層１０６を順次に形成することであって、カソード層１０６は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された第２方向に沿って延在し且つ第１方向に沿って交互に配列された複数のカソードストリップ１０６１および複数のカソード材料部１０６２を含み、各カソードストリップ１０６１は、アノード層１０４よりもベース１０１から離れ、各カソード材料部１０６２は、１つの仕切り溝１０３内に配置され且つ隣接するカソードストリップ１０６１に接続されていない。
【0068】
本開示のいくつかの実施例において、ステップＳ５において有機機能層１０５を形成した後、有機機能層１０５も仕切り溝によって仕切りされて不連続である。図４ｂに示されたように、有機機能層１０５は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に配置された複数の第１部分１０５１および複数の第２部分１０５２を含み、各第１部分１０５１は、アノード層１０４よりもベース１０１から離れ、各第２部分１０５２は、１つの仕切り溝１０３内に配置され且つ隣接する第１部分１０５１に接続されていない。
【0069】
本開示の一実施例において、ベース１０１は、フレキシブルベースであり、ガラス基板（図示せず）に予め形成されている。例えば、ガラス基板の片側に第１有機フレキシブル層、第１無機バリア層、および第２有機フレキシブル層を順次に形成し、第１有機フレキシブル層、第１無機バリア層、および第２有機フレキシブル層は、全体が有機発光表示基板のベースとして機能する。ガラス基板は、有機発光表示基板の製造プロセスにおいて支持する役割を果し、有機発光表示基板のフレキシブルな特性をサポートするために、有機発光表示基板の構造の製造が完了した後、ガラス基板をベースから剥離する必要がある。
【0070】
図４ｂに示されたように、上記有機層１０２を形成することは、ベース１０１の片側に第１有機層１０２１および第２有機層１０２２を順次に形成することを含む。いくつかの実施例において、溝１０２０は、第２有機層１０２２を貫通し且つ第１有機層１０２１内まで延在している。別のいくつかの実施例において、溝１０２０は、第２有機層１０２２を貫通しなくてもよく、つまり、第２有機層１０２２内で止まられる。これに加えて、有機発光表示基板の製造方法は、
第１有機層１０２１を形成する前に、ベース１０１の片側に第１データ金属層１１５および第１無機層１１６を順次に形成することと、
第１有機層１０２１を形成した後、第２有機層１０２２を形成する前に、第１有機層１０２１のベース１０１から離れた側に第２データ金属層１１７を形成し、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０において、第２データ金属層１１７は、複数の第１ビアホール６ａを介して第１データ金属層１１５に接続され、複数の第２ビアホール６ｂを介してアノード層１０４に接続され、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード１０４１との間は、第１データ金属層１１５または第２データ金属層１１７によって接続されていることと、
をさらに含む。
第１有機層１０２１を形成する前に、ベース１０１の片側に第１データ金属層１１５および第１無機層１１６を順次に形成することと、
第１有機層１０２１を形成した後、第２有機層１０２２を形成する前に、第１有機層１０２１のベース１０１から離れた側に第２データ金属層１１７を形成し、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０において、第２データ金属層１１７は、複数の第１ビアホール６ａを介して第１データ金属層１１５に接続され、複数の第２ビアホール６ｂを介してアノード層１０４に接続され、第１方向に沿って隣接する任意の２つの第１アノード１０４１との間は、第１データ金属層１１５または第２データ金属層１１７によって接続されていることと、
をさらに含む。
【0071】
図４ｂに示されたように、製造された有機発光表示基板は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０に加えて、アクティブマトリックス有機発光表示領域５０をさらに含み、当該有機発光表示基板の製造方法は、
第１データ金属層１１５を形成する前に、ベース１０１の片側に半導体層、半導体層１０９、第１絶縁層１１０、第１ゲート金属層１１１、第２絶縁層１１２、第２ゲート金属層１１３、および第３絶縁層１１４を順次に形成し、アクティブマトリックス有機発光表示領域５０において、第１データ金属層１１５は、複数の第３ビアホール６ｃを介して半導体層１０９に接続され、第２データ金属層１１７は、複数の第４ビアホール６ｄを介して第１データ金属層１１５に接続され、アノード層１０４は、複数の第５ビアホール６ｅを介して第２データ金属層１１７に接続されることをさらに含む。
第１データ金属層１１５を形成する前に、ベース１０１の片側に半導体層、半導体層１０９、第１絶縁層１１０、第１ゲート金属層１１１、第２絶縁層１１２、第２ゲート金属層１１３、および第３絶縁層１１４を順次に形成し、アクティブマトリックス有機発光表示領域５０において、第１データ金属層１１５は、複数の第３ビアホール６ｃを介して半導体層１０９に接続され、第２データ金属層１１７は、複数の第４ビアホール６ｄを介して第１データ金属層１１５に接続され、アノード層１０４は、複数の第５ビアホール６ｅを介して第２データ金属層１１７に接続されることをさらに含む。
【0072】
【0073】
ステップＳ４１において、スペーサー層のベースから離れた側にハードマスクを形成し、ハードマスクの仕切り溝のノッチに対応する領域は、透かし彫り領域である。ハードマスクの材料のタイプは、限定されず、いくつかの実施例において、ハードマスクの材料は、例えばインジウムガリウム亜鉛酸化物などの金属酸化物を含む。
【0074】
図５ｂに示されたように、一実施例において、当該ステップＳ４１は、具体的に、以下のサブステップを含む。
【0075】
サブステップ１：スペーサー層１０８のベース１０１から離れた側にハードマスク被覆層３０１０およびフォトレジスト被覆層３０２を順次に形成する。
【0076】
サブステップ２：フォトレジスト被覆層３０２に対して露光及び現像を順次に行うことにより、フォトレジスト保護マスクを得て、フォトレジスト保護マスクの仕切り溝のノッチに対応する領域は、透かし彫り領域である。
【0077】
サブステップ３：フォトレジスト保護マスクを通してハードマスク被覆層３０１０をウェットエッチングすることにより、ハードマスクを得る。
【0078】
ステップＳ４２において、ハードマスクを通して有機層１０２をドライエッチングすることにより、溝１０２０を形成する。
【0079】
ステップＳ４３において、ハードマスクを剥離する。
【0080】
前述したように、アノード層が有機層のベースから離れた表面に形成され、仕切り溝の構造がアノード層と有機層とによって共同に形成され、アノード層と有機層との間に無機層を設けないので、前述の関連技術と比較して、本開示の実施例の有機発光表示基板の製造方法を採用すると、関連技術における無機層による一連の製造不良問題を克服することができる。また、アノード層、画素定義層、およびスペーサー層を形成した後に仕切り溝を形成するためのエッチングが行われ、前述の関連技術と比較して、仕切り溝内に画素定義層および／またはスペーサー層の作製材料が残留することによる仕切り溝の無効、及び気泡の残留による後続の工程の不具合の発生を回避することができる。したがって、本開示の実施例の有機発光表示基板の製造方法を採用すると、製造の歩留まりの向上に有利である。
【0081】
図６に示されたように、本開示の実施例では、前述のいずれかの実施例に記載の有機発光表示基板１を含む有機発光表示装置１００をさらに提供する。
【0082】
いくつかの実施例において、有機発光表示基板１は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０とアクティブマトリックス有機発光表示領域５０とを含み、有機発光表示装置１００は、少なくとも１つの機能デバイス３０をさらに含み、当該少なくとも１つの機能デバイス３０の有機発光表示基板１上への正射影は、パッシブマトリックス有機発光表示領域２０にある。機能デバイス３０の具体的なタイプは、限定されず、例えばカメラまたは距離センサなどである。
【0083】
上記有機発光表示装置の具体的な製品タイプは、携帯電話、タブレットコンピュータ、ノートパソコン、ウェアラブルデバイス、電子ペーパー、またはディスプレイなどを含むが、これらに限定されない。
【0084】
有機発光表示基板が上記の有益な効果を有するので、有機発光表示装置も上記の有益な効果を有し、その製造歩留まりが比較的高い。
【0085】
これまで、本開示の各実施例を詳細に説明した。本開示の構想を隠すことを避けるために、当該技術分野で知られているいくつかの詳細を記載しない。本明細書で開示される技術案がどのように実現されるかは、上記の説明から当業者には十分に理解できる。
【0086】
本開示のいくつかの特定の実施例は、例によって詳細に説明されたが、上記の例が単に説明のためのものであり、本開示の範囲を限定するためのものではないことを当業者は理解すべきである。上記の実施例が本開示の範囲および精神から逸脱することなく修正され、または技術的特徴の一部が等効に置換され得ることを当業者は理解すべきである。本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によって限定される。
【符号の説明】
【0087】
１ 有機発光表示基板
３ 薄膜トランジスタデバイス
５ａ 有機発光デバイス
５ｂ 有機発光デバイス
６ａ 第１ビアホール
６ｂ 第２ビアホール
６ｃ 第３ビアホール
６ｄ 第４ビアホール
６ｅ 第５ビアホール
７ 薄膜パッケージ層
２０ パッシブマトリックス有機発光表示領域
３０ 機能デバイス
５０ アクティブマトリックス有機発光表示領域
１００ 有機発光表示装置
１０１ ベース
１０１ａ 第１有機フレキシブル層
１０１ｂ 第１無機バリア層
１０１ｃ 第２有機フレキシブル層
１０２ 有機層
１０３ 仕切り溝
１０４ アノード層
１０５ 有機機能層
１０７ 画素定義層
１０９ 半導体層
１１０ 第１絶縁層
１１１ 第１ゲート金属層
１１２ 第２絶縁層
１１３ 第２ゲート金属層
１１４ 第３絶縁層
１１５ 第１データ金属層
１１６ 第１無機層
１１７ 第２データ金属層
１３１ 第２無機バリア層
１３２ バッファ層
３０２ フォトレジスト被覆層
１０２０ 溝
１０２１ 第１有機層
１０２２ 第２有機層
１０４１ 第１アノード
１０４２ 遮蔽部
１０４２ａ 遮蔽ストリップ
１０４２ｂ 遮蔽ストリップ
１０４３ 第２アノード
１０５１ 第１部分
１０５２ 第２部分
１０６１ カソードストリップ
１０６２ カソード材料部
３０１０ ハードマスク被覆層
００１ データ金属層
００２ 有機層
００３ 無機層
００４ アノード層
００５ 画素定義層
００６ スペーサー層
００７ 有機機能層
００８ カソード層
００９ 仕切り溝
０１０ スペーサー層の作製材料
３ 薄膜トランジスタデバイス
５ａ 有機発光デバイス
５ｂ 有機発光デバイス
６ａ 第１ビアホール
６ｂ 第２ビアホール
６ｃ 第３ビアホール
６ｄ 第４ビアホール
６ｅ 第５ビアホール
７ 薄膜パッケージ層
２０ パッシブマトリックス有機発光表示領域
３０ 機能デバイス
５０ アクティブマトリックス有機発光表示領域
１００ 有機発光表示装置
１０１ ベース
１０１ａ 第１有機フレキシブル層
１０１ｂ 第１無機バリア層
１０１ｃ 第２有機フレキシブル層
１０２ 有機層
１０３ 仕切り溝
１０４ アノード層
１０５ 有機機能層
１０７ 画素定義層
１０９ 半導体層
１１０ 第１絶縁層
１１１ 第１ゲート金属層
１１２ 第２絶縁層
１１３ 第２ゲート金属層
１１４ 第３絶縁層
１１５ 第１データ金属層
１１６ 第１無機層
１１７ 第２データ金属層
１３１ 第２無機バリア層
１３２ バッファ層
３０２ フォトレジスト被覆層
１０２０ 溝
１０２１ 第１有機層
１０２２ 第２有機層
１０４１ 第１アノード
１０４２ 遮蔽部
１０４２ａ 遮蔽ストリップ
１０４２ｂ 遮蔽ストリップ
１０４３ 第２アノード
１０５１ 第１部分
１０５２ 第２部分
１０６１ カソードストリップ
１０６２ カソード材料部
３０１０ ハードマスク被覆層
００１ データ金属層
００２ 有機層
００３ 無機層
００４ アノード層
００５ 画素定義層
００６ スペーサー層
００７ 有機機能層
００８ カソード層
００９ 仕切り溝
０１０ スペーサー層の作製材料
【図1a】
【図1b】
【図1c】
【図1d】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図4a】
【図4b】
【図5a】
【図5b】
【図6】