(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-02
(45)【発行日】2024-09-10
(54)【発明の名称】電子部品及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H03H 7/01 20060101AFI20240903BHJP
H01G 4/40 20060101ALI20240903BHJP
H01G 4/33 20060101ALI20240903BHJP
H01G 4/00 20060101ALI20240903BHJP
H01F 27/00 20060101ALI20240903BHJP
【ＦＩ】
H03H7/01 Z
H01G4/40 321A
H01G4/33 102
H01G4/00 A
H01F27/00 S
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2022509921
(86)(22)【出願日】2021-03-12
(86)【国際出願番号】 JP2021009985
(87)【国際公開番号】W WO2021193132
(87)【国際公開日】2021-09-30
【審査請求日】2023-10-31
(31)【優先権主張番号】P 2020053614
(32)【優先日】2020-03-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2020053615
(32)【優先日】2020-03-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100115738
【弁理士】
【氏名又は名称】鷲頭 光宏
(74)【代理人】
【識別番号】100121681
【弁理士】
【氏名又は名称】緒方 和文
(72)【発明者】
【氏名】吉川 和弘
(72)【発明者】
【氏名】大橋 武
(72)【発明者】
【氏名】冨川 満広
(72)【発明者】
【氏名】我喜屋 風太
(72)【発明者】
【氏名】飯岡 晃靖
(72)【発明者】
【氏名】角田 晃一
(72)【発明者】
【氏名】吉田 健一
【審査官】福田 正悟
(56)【参考文献】
【文献】特開２００８－２７９８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－９２１２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１５２４８９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０３Ｈ ７／０１
Ｈ０１Ｇ ４／４０
Ｈ０１Ｇ ４／３３
Ｈ０１Ｇ ４／００
Ｈ０１Ｆ ２７／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板上に交互に積層された複数の導体層及び複数の絶縁樹脂層と、を備え、
前記複数の絶縁樹脂層は、最下層に位置する第１の絶縁樹脂層と、前記第１の絶縁樹脂層上に位置する複数の第２の絶縁樹脂層とを含み、
前記複数の導体層は、前記第１の絶縁樹脂層に埋め込まれた第１の導体層と、前記複数の第２の絶縁樹脂層にそれぞれ埋め込まれた複数の第２の導体層とを含み、
前記第１の導体層は、下部電極と、無機絶縁材料からなる誘電体膜を介して前記下部電極上に積層された上部電極からなるキャパシタを含み、
前記複数の第２の導体層は、コイルパターンを含み、
前記第１の絶縁樹脂層は、前記第２の絶縁樹脂層よりも厚さが薄く、
前記第２の絶縁樹脂層は、前記第１の絶縁樹脂層よりも熱膨張係数が小さいことを特徴とする電子部品。
【請求項2】
前記第１の絶縁樹脂層は、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。【請求項3】
前記第２の絶縁樹脂層は、エポキシ系樹脂にフィラーが添加された材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。【請求項4】
前記複数の第２の導体層のそれぞれは、前記下部電極と前記上部電極の合計厚みよりも厚いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品。【請求項5】
前記第１の絶縁樹脂層を貫通して設けられ、前記第１の導体層と前記第２の導体層を接続する第１のビア導体の平面形状は矩形であり、前記第２の絶縁樹脂層を貫通して設けられ、異なる前記第２の導体層同士を接続する第２のビア導体の平面形状は円形であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項6】
前記第１の絶縁樹脂層は部分的に除去されており、前記複数の第２の絶縁樹脂層のうち、前記第１の絶縁樹脂層と接する絶縁樹脂層は、前記第１の絶縁樹脂層が除去された部分に埋め込まれていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項7】
前記第２の導体層は、前記第１の絶縁樹脂層を貫通して設けられ、前記複数の第２の導体層のうち最下層に位置する導体層と前記第１の導体層を接続する第１のビア導体と、前記第２の絶縁樹脂層を貫通して設けられ、前記複数の第２の導体層同士を接続する第２のビア導体とを有し、前記第１のビア導体の底部は平坦であり、
前記複数の第２の導体層の表面は、前記第２のビア導体に接続される部分において凹部を有し、
前記第２のビア導体の底部は、前記凹部に食い込むよう凸部形状を有していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項8】
前記第１のビア導体の平面形状は矩形であり、前記第２のビア導体の平面形状は円形であることを特徴とする請求項７に記載の電子部品。【請求項9】
前記複数の第２の導体層は、前記下部電極と前記上部電極の合計厚みよりも厚いことを特徴とする請求項７又は８に記載の電子部品。【請求項10】
基板上に、下部電極と、無機絶縁材料からなる誘電体膜を介して前記下部電極上に積層された上部電極からなるキャパシタを含む第１の導体層を形成する第１の工程と、前記第１の導体層を覆う第１の絶縁樹脂層を形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁樹脂層上に、コイルパターンを含む第２の導体層と、前記第１の絶縁樹脂層よりも厚さが厚く、且つ、前記第１の絶縁樹脂層よりも熱膨張係数の小さい第２の絶縁樹脂層を交互に形成する第３の工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項11】
前記第２の工程においては、前記第１の絶縁樹脂層をコート法により形成し、前記第３の工程においては、前記第２の絶縁樹脂層をラミネート法により形成することを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【請求項12】
前記第１の絶縁樹脂層に開口部を形成することによって前記第１の導体層を露出させる第４の工程と、前記第２の絶縁樹脂層に開口部を形成することによって前記第２の導体層を露出させる第５の工程と、をさらに備え、
前記第４の工程は、フォトリソグラフィー法により行い、
前記第５の工程は、レーザー加工により行うことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は電子部品及びその製造方法に関し、特に、基板上に複数の導体層と複数の絶縁層が交互に積層された構造を有する電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、基板上にキャパシタとインダクタを形成した構成を有するＬＣフィルタが開示されている。特許文献１に記載されたＬＣフィルタにおいては、キャパシタの下部電極とインダクタを構成するコイルパターンを同じ導体層に配置している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００８－３４６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、キャパシタの下部電極とコイルパターンを同じ導体層に配置した場合、コイルのＱ値を高めるためにコイルパターンの導体厚を厚くすると、必然的にキャパシタの下部電極の導体厚も厚くなる。このため、下部電極上に上部電極を高精度に形成することが困難となり、キャパシタンスのばらつきが大きくなるという問題があった。
【0005】
したがって、本発明は、キャパシタのように高い加工精度が求められる素子と、インダクタのように十分な導体厚が求められる素子を集積した電子部品において、両素子に要求される特性を満たすことを目的とする。また、本発明は、このような電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一側面による電子部品は、基板と、基板上に交互に積層された複数の導体層及び複数の絶縁樹脂層とを備え、複数の絶縁樹脂層は、最下層に位置する第１の絶縁樹脂層と、第１の絶縁樹脂層上に位置する複数の第２の絶縁樹脂層とを含み、複数の導体層は、第１の絶縁樹脂層に埋め込まれた第１の導体層と、複数の第２の絶縁樹脂層にそれぞれ埋め込まれた複数の第２の導体層とを含み、第１の導体層は、下部電極と、無機絶縁材料からなる誘電体膜を介して下部電極上に積層された上部電極からなるキャパシタを含み、複数の第２の導体層はコイルパターンを含み、第１の絶縁樹脂層は第２の絶縁樹脂層よりも厚さが薄く、第２の絶縁樹脂層は第１の絶縁樹脂層よりも熱膨張係数が小さいことを特徴とする。
【0007】
本発明によれば、高い加工精度が求められるキャパシタを最下層に位置する薄い第１の絶縁樹脂層に埋め込み、十分な導体厚が求められるインダクタを厚い第２の絶縁樹脂層に埋め込でいることから、両素子に要求される特性を満たすことができる。しかも、第２の絶縁樹脂層は熱膨張係数が低いことから、反りや剥離の発生を抑えることもできる。ここで、第１の絶縁樹脂層はポリイミド系樹脂からなるものであっても構わない。また、第２の絶縁樹脂層は、エポキシ系樹脂にフィラーが添加された材料からなるものであっても構わない。
【0008】
本発明において、複数の第２の導体層のそれぞれは、下部電極と上部電極の合計厚みよりも厚くても構わない。これによれば、コイルのＱ値を高めることが可能となる。
【0009】
本発明において、第１の絶縁樹脂層を貫通して設けられ、第１の導体層と第２の導体層を接続する第１のビア導体の平面形状は矩形であり、第２の絶縁樹脂層を貫通して設けられ、異なる第２の導体層同士を接続する第２のビア導体の平面形状は円形であっても構わない。これによれば、第１のビア導体の面積を十分に確保することができるとともに、第２のビア導体の近傍における剥離の発生を防止することが可能となる。
【0010】
本発明において、第１の絶縁樹脂層は部分的に除去されており、複数の第２の絶縁樹脂層のうち第１の絶縁樹脂層と接する絶縁樹脂層は、第１の絶縁樹脂層が除去された部分に埋め込まれていても構わない。これによれば、熱膨張係数の小さい第２の絶縁樹脂層のボリュームがより増大することから、電子部品全体の反りがより生じにくくなる。
【0011】
本発明による電子部品の製造方法は、基板上に、下部電極と、無機絶縁材料からなる誘電体膜を介して下部電極上に積層された上部電極からなるキャパシタを含む第１の導体層を形成する第１の工程と、第１の導体層を覆う第１の絶縁樹脂層を形成する第２の工程と、第１の絶縁樹脂層上に、コイルパターンを含む第２の導体層と、第１の絶縁樹脂層よりも厚さが厚く、且つ、第１の絶縁樹脂層よりも熱膨張係数の小さい第２の絶縁樹脂層を交互に形成する第３の工程とを備えることを特徴とする。
【0012】
本発明によれば、高い加工精度が求められるキャパシタを第１の導体層に形成し、十分な導体厚が求められるインダクタを第２の導体層に形成することができる。しかも、第２の絶縁樹脂層は熱膨張係数が低いことから、反りや剥離の発生を抑えることもできる。
【0013】
本発明において、第２の工程においては第１の絶縁樹脂層をコート法により形成し、第３の工程においては第２の絶縁樹脂層をラミネート法により形成しても構わない。これによれば、厚さの異なる第１及び第２の絶縁樹脂層を容易に形成することができる。
【0014】
本発明において、第２の導体層は、第１の絶縁樹脂層を貫通して設けられ、複数の第２の導体層のうち最下層に位置する導体層と第１の導体層を接続する第１のビア導体と、第２の絶縁樹脂層を貫通して設けられ、複数の第２の導体層同士を接続する第２のビア導体とを有し、第１のビア導体の底部は平坦であり、複数の第２の導体層の表面は第２のビア導体に接続される部分において凹部を有し、第２のビア導体の底部は凹部に食い込むよう凸部形状を有していても構わない。これによれば、第１のビア導体の底部が平坦であることから、下部電極や上部電極の凹凸に起因するキャパシタンスのばらつきが抑えられる。一方、第２のビア導体の底部は、凹部に食い込むよう凸部形状を有していることから、第２の導体層と第３の導体層の接触面積が増大し、両者の密着性を高めることが可能となる。
【0015】
本発明において、第１のビア導体の平面形状は矩形であり、第２のビア導体の平面形状は円形であっても構わない。これによれば、第１のビア導体の面積を十分に確保することができるとともに、第２のビア導体の近傍における剥離の発生を防止することが可能となる。
【0016】
本発明において、複数の第２の導体層は、下部電極と上部電極の合計厚みよりも厚くても構わない。これによれば、コイルのＱ値を高めることが可能となる。
【0017】
本発明の一側面による電子部品の製造方法は、第１の絶縁樹脂層に開口部を形成することによって第１の導体層を露出させる第４の工程と、第２の絶縁樹脂層に開口部を形成することによって第２の導体層を露出させる第５の工程とをさらに備え、第４の工程はフォトリソグラフィー法により行い、第５の工程はレーザー加工により行っても構わない。これによれば、第４の工程において高い加工精度を得ることができるとともに、第１の絶縁樹脂層の開口部を任意の平面形状に加工することが可能となる。また、第５の工程を安価に実施することができるとともに、第２の絶縁樹脂層の材料として非感光性材料を用いることができる。
【0018】
本発明の他の側面による電子部品は、基板と、基板上に形成され、下部電極と、無機絶縁材料からなる誘電体膜を介して下部電極上に積層された上部電極からなるキャパシタを含む第１の導体層と、第１の導体層を覆う第１の絶縁樹脂層と、第１の絶縁樹脂層上に形成された第２の導体層と、第２の導体層を覆う第２の絶縁樹脂層と、第２の絶縁樹脂層上に形成された第３の導体層とを備え、第２及び第３の導体層はコイルパターンを含み、第１の絶縁樹脂層は第１の導体層を露出させる第１の開口部を有し、第２の絶縁樹脂層は第２の導体層を露出させる第２の開口部を有し、第２の導体層は第１の開口部を介して第１の導体層に接続する第１のビア導体を有し、第３の導体層は第２の開口部を介して第２の導体層に接続する第２のビア導体を有し、第１のビア導体の底部は平坦であり、第２の導体層の表面は第２のビア導体に接続される部分において凹部を有し、第２のビア導体の底部は凹部に食い込むよう凸部形状を有していることを特徴とする。
【0019】
本発明によれば、キャパシタのように高い加工精度が求められる素子を最下層に位置する第１の絶縁樹脂層に埋め込み、インダクタのように十分な導体厚が求められる素子を第２及び第３の絶縁樹脂層に埋め込んでいることから、両素子に要求される特性を満たすことができる。しかも、第１のビア導体の底部が平坦であることから、下部電極や上部電極の凹凸に起因するキャパシタンスのばらつきが抑えられる。一方、第２のビア導体の底部は、凹部に食い込むよう凸部形状を有していることから、第２の導体層と第３の導体層の接触面積が増大し、両者の密着性を高めることが可能となる。
【0020】
本発明の他の側面による電子部品の製造方法は、基板上に、下部電極と、無機絶縁材料からなる誘電体膜を介して下部電極上に積層された上部電極からなるキャパシタを含む第１の導体層を形成する第１の工程と、第１の導体層を覆う第１の絶縁樹脂層を形成する第２の工程と、フォトリソグラフィー法により第１の絶縁樹脂層に第１の導体層を露出させる第１の開口部を形成する第３の工程と、第１の開口部を介して第１の導体層に接続されるよう、第１の絶縁樹脂層上にコイルパターンを含む第２の導体層を形成する第４の工程と、第２の導体層を覆う第２の絶縁樹脂層を形成する第５の工程と、レーザー加工により第２の絶縁樹脂層に第２の導体層を露出させる第２の開口部を形成する第６の工程と、第２の開口部から露出する第２の導体層の表面に凹部を形成する第７の工程と、第２の開口部を介して第２の導体層に接続されるよう、第２の絶縁樹脂層上にコイルパターンを含む第３の導体層を形成する第８の工程とを備えることを特徴とする。
【0021】
本発明によれば、高い加工精度が求められるキャパシタを第１の導体層に形成し、十分な導体厚が求められるインダクタを第２の導体層に形成することができる。しかも、レーザー加工により第２の絶縁樹脂層に第２の開口部を形成した後、第２の開口部から露出する第２の導体層の表面に凹部を形成していることから、第２の導体層と第３の導体層の接触面積が増大し、両者の密着性を高めることが可能となる。また、第２の開口部を安価に形成することができるとともに、第２の絶縁樹脂層の材料として非感光性材料を用いることができる。これに対し、第１の開口部についてはフォトリソグラフィー法によって形成していることから、高い加工精度を得ることができるとともに、第１の開口部を任意の平面形状に加工することが可能となる。
【0022】
本発明において、第２の工程においては第１の絶縁樹脂層をコート法により形成し、第５の工程においては第２の絶縁樹脂層をラミネート法により形成しても構わない。これによれば、厚さの異なる第１及び第２の絶縁樹脂層を容易に形成することができる。
【発明の効果】
【0023】
このように、本発明によれば、キャパシタのように高い加工精度が求められる素子と、インダクタのように十分な導体厚が求められる素子を集積した電子部品において、両素子に要求される特性を満たすことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【0026】
図１は、本発明の一実施形態による電子部品１の構造を説明するための断面図である。
【0027】
本実施形態による電子部品１はＬＣフィルタであり、図１に示すように、基板２と、基板２の上面に交互に積層された導体層Ｍ１～Ｍ４と絶縁樹脂層１１～１４を備えている。基板２の材料としては、化学的・熱的に安定で応力発生が少なく、表面の平滑性を保つことができる材料であればよく、特に限定されるものではないが、シリコン単結晶、アルミナ、サファイア、窒化アルミ、ＭｇＯ単結晶、ＳｒＴｉＯ3単結晶、表面酸化シリコン、ガラス、石英、フェライトなどを用いることができる。基板２の表面は平坦化層３で覆われている。平坦化層３としては、アルミナや酸化シリコンなどを用いることができる。
【0028】
導体層Ｍ１は最下層に位置する導体層であり、導体パターン２１，２２を含んでいる。導体パターン２１，２２はいずれも平坦化層３と接する薄いシード層Ｓと、シード層Ｓ上に設けられ、シード層Ｓよりも膜厚の大きいメッキ層Ｐによって構成されている。他の導体層に位置する導体パターンについても同様であり、シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体によって構成されている。ここで、導体パターン２１はキャパシタの下部電極を構成し、その上面及び側面は誘電体膜（容量絶縁膜）４で覆われている。電子部品１の外周部では誘電体膜４が除去されており、これによって応力が緩和されている。
【0029】
導体パターン２１の上面には、誘電体膜４を介して導体パターン２３が形成されている。導体パターン２３は、導体層Ｍ１と導体層Ｍ２の間に位置する導体層ＭＭに属し、キャパシタの上部電極を構成する。これにより、導体パターン２１を下部電極とし、導体パターン２３を上部電極とするキャパシタが形成される。導体層Ｍ１及び導体層ＭＭは、パッシベーション膜５を介して絶縁樹脂層１１で覆われる。本実施形態においては、誘電体膜４とパッシベーション膜５がいずれも無機絶縁材料からなる。誘電体膜４を構成する無機絶縁材料とパッシベーション膜５を構成する無機絶縁材料は、同じ材料であっても構わないし、異なる材料であっても構わない。電子部品１の外周部ではパッシベーション膜５が除去されており、これによって応力が緩和されている。
【0030】
導体層Ｍ２は、絶縁樹脂層１１の表面に設けられた２層目の導体層であり、導体パターン２４，２５を含んでいる。導体パターン２４は、それぞれビア導体２４ａ，２４ｂを介して導体パターン２３，２２に接続されている。導体パターン２５は、ビア導体２５ａを介して導体パターン２１に接続されている。導体層Ｍ２は、絶縁樹脂層１２によって覆われる。
【0031】
導体層Ｍ３は、絶縁樹脂層１２の表面に設けられた３層目の導体層であり、導体パターン２６，２７を含んでいる。導体パターン２６は、ビア導体２６ａを介して導体パターン２４に接続されている。導体層Ｍ３は、絶縁樹脂層１３によって覆われる。
【0032】
導体層Ｍ４は、絶縁樹脂層１３の表面に設けられた４層目の導体層であり、導体パターン２８，２９を含んでいる。導体パターン２８は、ビア導体２８ａを介して導体パターン２６に接続されている。導体層Ｍ４は、絶縁樹脂層１４によって覆われる。
【0033】
絶縁樹脂層１４の上面には、端子電極Ｅ１，Ｅ２が設けられている。端子電極Ｅ１，Ｅ２は、それぞれビア導体Ｅ１ａ，Ｅ２ａを介して導体パターン２８，２９に接続されている。導体パターン２２，２４～２９は例えばコイルパターンの一部であり、これにより、基板２上にキャパシタとインダクタが集積される。
【0034】
本実施形態においては、絶縁樹脂層１１を構成する材料と絶縁樹脂層１２～１４を構成する材料が互いに異なっている。具体的には、絶縁樹脂層１１の材料としては、ポリイミド系樹脂のようにコート法（例えばスピンコート法）による成膜が容易な感光性材料が用いられる。これに対し、絶縁樹脂層１２～１４の材料としては、エポキシ系樹脂にフィラーが添加された材料のように、熱膨張係数の調整が容易であり、ラミネート法により形成可能な材料が用いられる。
【0035】
図１に示すように、絶縁樹脂層１１～１４の厚さをそれぞれＨ１１～Ｈ１４とした場合、本実施形態においてはＨ１１＜Ｈ１２，Ｈ１３，Ｈ１４を満たしている。つまり、絶縁樹脂層１１は、絶縁樹脂層１２～１４のいずれよりも厚さが薄い。このことは、絶縁樹脂層１２～１４にそれぞれ埋め込まれる導体層Ｍ２～Ｍ４の厚みよりも、絶縁樹脂層１１に埋め込まれる導体層Ｍ１，ＭＭの合計厚みの方が薄いことを意味する。一例として、導体層Ｍ２～Ｍ４の厚みをそれぞれ２０μｍとし、導体層Ｍ１，ＭＭの厚みをそれぞれ５μｍとすることができる。このように、導体層Ｍ１，ＭＭに形成される導体パターン２１～２３の導体厚が薄いことから、キャパシタを構成する下部電極及び上部電極を高精度に形成することができる。一方、導体層Ｍ２～Ｍ４に形成される導体パターン２４～２９については、導体厚を十分に確保することができるため、コイルのＱ値を高めることが可能となる。
【0036】
さらに、本実施形態においては、絶縁樹脂層１２～１４の熱膨張係数が絶縁樹脂層１１の熱膨張係数よりも小さい。これにより、厚さの大きい絶縁樹脂層１２～１４と導体パターン２４～２９の界面における剥離を防止することができるとともに、電子部品１全体の反りが生じにくくなる。絶縁樹脂層１２～１４の熱膨張係数は、絶縁樹脂層１２～１４に添加するフィラーの量や材料によって調整することが可能である。フィラーの材料としては、熱膨張係数の低い材料、例えばシリカを用いることができる。絶縁樹脂層１１は、絶縁樹脂層１２～１４よりも熱膨張係数が大きいものの、絶縁樹脂層１２～１４よりも厚さが薄いことから強い応力が発生せず、剥離などは生じにくい。基板２の熱膨張係数については、絶縁樹脂層１２～１４の熱膨張係数よりも小さいことが好ましい。このように、熱膨張係数の大きい絶縁樹脂層１１を熱膨張係数の小さい基板２及び絶縁樹脂層１２～１４で挟み込むことにより、電子部品１全体の反りを抑えることが可能となる。
【0037】
また、導体層Ｍ１，ＭＭの表面は平坦であり、導体層Ｍ２と導体層Ｍ１，ＭＭを接続するビア導体２４ａ，２４ｂ，２５ａについては、底部が平坦である。これにより、下部電極や上部電極の凹凸に起因するキャパシタンスのばらつきが抑えられる。これに対し、導体層Ｍ２～Ｍ４の表面は凹部を有し、ビア導体２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａの底部は、導体層Ｍ２～Ｍ４の凹部に食い込むよう凸部形状を有している。これにより、ビア導体２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａとこれらに接続される導体パターン２４，２６，２８，２９の接触面積が増大することから、両者の密着性が高められる。
【0038】
本実施形態においては、底部が平坦なビア導体２４ａ，２４ｂ，２５ａの平面形状を矩形とし、底部が凸部形状を有するビア導体２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａの平面形状を円形としても構わない。これによれば、ビア導体２４ａ，２４ｂ，２５ａの接続面積を拡大することができるとともに、ビア導体２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａの周囲における剥離の発生を防止することが可能となる。
【0039】
また、ビア導体２４ａ，２４ｂ，２５ａのうち、上部電極である導体パターン２３に接続されるビア導体２４ａについては、絶縁樹脂層１１及びパッシベーション膜５を貫通して設けられているのに対し、下部電極又はコイルパターンである導体パターン２１，２２に接続されるビア導体２４ｂ，２５ａについては、絶縁樹脂層１１、パッシベーション膜５及び誘電体膜４を貫通して設けられている。つまり、ビア導体２４ａは１層の無機絶縁膜を貫通するのに対し、ビア導体２４ｂ，２５ａは２層の無機絶縁膜を貫通する。これは、上部電極である導体パターン２３が形成されている領域を除き、導体パターン２１，２２の上面が誘電体膜４及びパッシベーション膜５からなる２層の無機絶縁膜によって覆われているためである。このように、導体パターン２１，２２の上面を誘電体膜４及びパッシベーション膜５からなる２層の無機絶縁膜で覆うことにより、導体パターン２１，２２をより効果的に保護することが可能となる。
【0040】
次に、本実施形態による電子部品１の製造方法について説明する。
【0041】
図２～図２４は、本実施形態による電子部品１の製造方法を説明するための工程図である。電子部品１の製造プロセスにおいては、集合基板を用いて複数の電子部品１が多数個取りされるが、以下に説明する製造プロセスは、１個の電子部品１の製造プロセスに着目して説明する。
【0042】
まず、図２に示すように、基板（集合基板）２上にスパッタリング法などを用いて平坦化層３を形成し、その表面を研削或いはＣＭＰなどの鏡面化処理を行なって平滑化する。その後、平坦化層３の表面にスパッタリング法などを用いてシード層Ｓを形成する。次に、図３に示すように、シード層Ｓ上にレジスト層Ｒ１をスピンコートした後、導体層Ｍ１を形成すべき領域のシード層Ｓが露出するよう、レジスト層Ｒ１をパターニングする。この状態で、シード層Ｓを給電体とする電解メッキを行うことにより、図４に示すように、シード層Ｓ上にメッキ層Ｐを形成する。シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体は、導体層Ｍ１を構成する。図４に示す断面においては、導体層Ｍ１に導体パターン２１，２２及び犠牲パターン３１，３２が含まれている。そして、図５に示すようにレジスト層Ｒ１を除去し、図６に示すように表面に露出するシード層Ｓを除去すれば、導体層Ｍ１が完成する。シード層Ｓの除去は、エッチング又はイオンミリングによって行うことができる。
【0043】
次に、図７に示すように、導体層Ｍ１の上面及び側面を含む全面に誘電体膜４を成膜する。誘電体膜４としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの常誘電体材料の他、公知の強誘電体材料などからなる無機絶縁材料を利用することができる。誘電体膜４の成膜方法としては、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、ゾルゲル法、電子ビーム蒸着法などを用いることができる。
【0044】
次に、図８に示すように、導体層Ｍ１の形成方法と同様の方法を用いることによって、導体パターン２１の上面に誘電体膜４を介して導体パターン２３を形成する。導体パターン２３も、シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体からなる。これにより、導体層ＭＭが完成し、導体パターン２１を下部電極とし、導体パターン２３を上部電極とするキャパシタが形成される。次に、図９に示すように、導体層Ｍ１，ＭＭの上面及び側面を含む全面にパッシベーション膜５を成膜する。パッシベーション膜５としては、誘電体膜４と同じ無機絶縁材料を用いることができる。
【0045】
次に、図１０に示すように、犠牲パターン３１，３２を覆うことなく、導体パターン２１，２２を覆うレジスト層Ｒ２を形成する。レジスト層Ｒ２のエッジは、最終的に電子部品１となる部分よりもやや内側に設定する。この状態でパッシベーション膜５及び誘電体膜４をエッチングすることにより、図１１に示すように、最終的に電子部品１の外周部となる部分のパッシベーション膜５及び誘電体膜４を除去する。パッシベーション膜５及び誘電体膜４のエッチングは、イオンミリングなどの異方性の高いエッチング方法を用いることが好ましい。これにより、基板２に対して平行な部分、つまり、平坦化層３の表面や、犠牲パターン３１，３２の上面を覆うパッシベーション膜５及び誘電体膜４が除去される一方、基板２に対して垂直な部分、つまり、犠牲パターン３１，３２の側面を覆うパッシベーション膜５及び誘電体膜４は除去されることなく残存する。
【0046】
次に、図１２に示すように導体層Ｍ１，ＭＭを覆う絶縁樹脂層１１を形成する。絶縁樹脂層１１の成膜は、コート法（例えばスピンコート法）によって行うことができる。これは、導体層Ｍ１，ＭＭの合計膜厚が例えば約１０μｍと薄いため、ラミネート法によって絶縁樹脂層１１を形成するよりも、低コストだからである。絶縁樹脂層１１の材料としては、感光性のポリイミド系樹脂を用いることができる。次に、図１３に示すように、絶縁樹脂層１１をパターニングすることによって、絶縁樹脂層１１に開口部４１～４５を形成する。開口部４１～４５の形成は、図示しないフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によって行うことができる。これにより、導体パターン２１～２３の上面を覆うパッシベーション膜５はそれぞれ開口部４１～４３を介して露出し、犠牲パターン３１，３２はそれぞれ開口部４４，４５を介して露出する。
【0047】
次に、図１４に示すように、絶縁樹脂層１１上にレジスト層Ｒ３を形成した後、レジスト層Ｒ３に開口部５１～５３を形成する。開口部５１～５３は、それぞれ開口部４１～４３と重なる位置に設けられる。これにより、導体パターン２１～２３の上面を覆うパッシベーション膜５は、それぞれ開口部５１～５３を介して露出する。この状態で、イオンミリングなどを行うことにより、開口部５１，５２に露出するパッシベーション膜５及び誘電体膜４を除去するとともに、開口部５３に露出するパッシベーション膜５を除去する。これにより、開口部５１～５３と重なる位置において導体パターン２１～２３の上面が露出する。
【0048】
そして、レジスト層Ｒ３を除去した後、図１５に示すように、導体層Ｍ１の形成方法と同様の方法によって、絶縁樹脂層１１上に導体層Ｍ２を構成する。図１５に示す断面においては、導体層Ｍ２に導体パターン２４，２５及び犠牲パターン３３，３４が含まれている。導体層Ｍ２を構成する各導体パターン及び犠牲パターンも、シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体からなる。ここで、導体パターン２４は、絶縁樹脂層１１に設けられた開口部を介して導体パターン２２，２３に共通に接続され、導体パターン２５は、絶縁樹脂層１１に設けられた開口部を介して導体パターン２１に接続される。導体パターン２４，２５のうち絶縁樹脂層１１の開口部内に位置する部分は、ビア導体２４ａ，２４ｂ，２５ａを構成する。また、犠牲パターン３３，３４は、絶縁樹脂層１１に設けられた開口部を介して犠牲パターン３１，３２にそれぞれ接続される。
【0049】
次に、図１６に示すように導体層Ｍ２を覆う絶縁樹脂層１２を形成する。絶縁樹脂層１２の成膜は、ラミネート法によって行うことができる。これは、導体層Ｍ２の厚さが例えば約２０μｍと厚いため、コート法によって絶縁樹脂層１２を形成するよりも、低コストで形成できるからである。絶縁樹脂層１２の材料としては、非感光性のエポキシ系樹脂を用いることができる。絶縁樹脂層１２には、熱膨張係数を調整するフィラーが添加されており、これにより絶縁樹脂層１１よりも低い熱膨張係数を有している。
【0050】
次に、図１７に示すように、絶縁樹脂層１２に開口部５４～５６を形成する。開口部５４～５６の形成は、レーザー加工によって行うことができる。これにより、導体パターン２４は開口部５４を介して露出し、犠牲パターン３３，３４はそれぞれ開口部５５，５６を介して露出する。その後、過マンガン酸塩などを用いたデスミア処理を行うことによって、開口部５４～５６内の残渣を除去する。この時、開口部５４に露出する導体パターン２４の表面もエッチングされ、凹部２４Ｒが形成される。犠牲パターン３３，３４の表面にも同様の凹部が形成される。凹部２４Ｒの形状は、デスミア処理の時間や、使用する溶液の種類などによって調整することができる。また、デスミア処理に加えて、導体パターン２４に凹部２４Ｒを形成するためのエッチングプロセスを追加しても構わない。
【0051】
次に、図１８に示すように、導体層Ｍ１の形成方法と同様の方法によって、絶縁樹脂層１２上に導体層Ｍ３を構成する。図１８に示す断面においては、導体層Ｍ３に導体パターン２６，２７及び犠牲パターン３５，３６が含まれている。導体層Ｍ３を構成する各導体パターン及び犠牲パターンも、シード層Ｓとメッキ層Ｐの積層体からなる。ここで、導体パターン２６は、絶縁樹脂層１２に設けられた開口部を介して導体パターン２４に接続される。導体パターン２６のうち絶縁樹脂層１２の開口部内に位置する部分は、ビア導体２６ａを構成し、その底部は凹部２４Ｒに食い込むよう凸部形状を有している。また、犠牲パターン３５，３６は、絶縁樹脂層１２に設けられた開口部を介して犠牲パターン３３，３４にそれぞれ接続される。
【0052】
その後、同様の工程を繰り返すことにより、図１９に示すように絶縁樹脂層１３、導体層Ｍ４及び絶縁樹脂層１４をこの順に形成する。絶縁樹脂層１３，１４についても、ラミネート法によって形成することができる。図１９に示す断面においては、導体層Ｍ４に導体パターン２８，２９及び犠牲パターン３７，３８が含まれている。ここで、導体パターン２８は、絶縁樹脂層１３に設けられた開口部を介して導体パターン２６に接続され、犠牲パターン３７，３８は、絶縁樹脂層１３に設けられた開口部を介してそれぞれ犠牲パターン３５，３６に接続される。導体パターン２８のうち絶縁樹脂層１３の開口部内に位置する部分は、ビア導体２８ａを構成し、その底部は導体パターン２６に設けられた凹部に食い込むよう凸部形状を有している。
【0053】
次に、図２０に示すように、絶縁樹脂層１４をレーザー加工することによって、開口部６１，６２を形成する。これにより、導体パターン２８，２９の上面はそれぞれ開口部６１，６２を介して露出する。その後、デスミア処理を行うことによって、開口部６１，６２内の残渣を除去するとともに、導体パターン２８，２９の表面に凹部２８Ｒ，２９Ｒを形成する。そして、図２１に示すように、絶縁樹脂層１４上に端子電極Ｅ１，Ｅ２を形成する。端子電極Ｅ１は絶縁樹脂層１４に設けられた開口部を介して導体パターン２８に接続され、端子電極Ｅ２は絶縁樹脂層１４に設けられた開口部を介して導体パターン２９に接続される。端子電極Ｅ１，Ｅ２のうち絶縁樹脂層１４の開口部内に位置する部分は、それぞれビア導体Ｅ１ａ，Ｅ２ａを構成し、その底部は凹部２８Ｒ，２９Ｒに食い込むよう凸部形状を有している。
【0054】
次に、図２２に示すように、絶縁樹脂層１４をパターニングすることによって、開口部６３，６４を形成する。これにより、犠牲パターン３７，３８の上面はそれぞれ開口部６３，６４を介して露出する。そして、図２３に示すように、端子電極Ｅ１，Ｅ２を含む絶縁樹脂層１４の全面にレジスト層Ｒ４を形成した後、犠牲パターン３７，３８を露出させる開口部７３，７４をレジスト層Ｒ４に形成する。この状態で、酸などを用いたエッチングを行うことにより、図２４に示すように犠牲パターン３１～３８を除去する。これにより、犠牲パターン３１～３８が除去された領域に空間Ａが形成される。
【0055】
そして、レジスト層Ｒ４を除去した後、空間Ａに沿って基板２を切断することによって電子部品１を個片化する。これにより、本実施形態による電子部品１が完成する。
【0056】
以上説明したように、本実施形態による電子部品１においては、最下層に位置する絶縁樹脂層１１の材料及び厚さと、絶縁樹脂層１１上に位置する絶縁樹脂層１２～１４の材料及び厚さが異なっている。具体的には、絶縁樹脂層１１は絶縁樹脂層１２～１４よりも厚さが薄く、絶縁樹脂層１２～１４は絶縁樹脂層１１よりも熱膨張係数が小さい。これにより、高い加工精度が求められるキャパシタを薄い絶縁樹脂層１１に埋め込み、十分な導体厚が求められるインダクタを厚い絶縁樹脂層１２～１４に埋め込むことができる。しかも、絶縁樹脂層１２～１４は熱膨張係数が低いことから、反りや剥離の発生を抑えることもできる。
【0057】
しかも、本実施形態による電子部品１においては、導体層Ｍ１，ＭＭの表面が平坦であることから、下部電極や上部電極の凹凸に起因するキャパシタンスのばらつきを抑えることができる。一方、導体層Ｍ２～Ｍ４の表面は凹部を有しており、ビア導体２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａの底部は、導体層Ｍ２～Ｍ４の凹部に食い込むよう凸部形状を有している。これにより、ビア導体２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａとこれらに接続される導体パターン２４，２６，２８，２９の接触面積が増大することから、両者の密着性が高められる。
【0058】
さらに、ビア導体２４ａ，２４ｂ，２５ａのうち、上部電極である導体パターン２３に接続されるビア導体２４ａについては、絶縁樹脂層１１及びパッシベーション膜５を貫通して設けられているのに対し、下部電極又はコイルパターンである導体パターン２１，２２に接続されるビア導体２５ａ，２４ｂについては、絶縁樹脂層１１、パッシベーション膜５及び誘電体膜４を貫通して設けられている。これにより、導体パターン２１，２２をより効果的に保護することが可能となる。
【0059】
図２５は、第１の変形例による電子部品１Ａの構造を説明するための断面図である。
【0060】
第１の変形例による電子部品１Ａは、コイルパターンと重ならない領域において絶縁樹脂層１１が部分的に除去されており、絶縁樹脂層１１が除去された部分に絶縁樹脂層１２が埋め込まれている点において、上記実施形態による電子部品１と相違している。埋め込まれた絶縁樹脂層１２は、平坦化層３又はパッシベーション膜５と接しており、この部分において厚みが局所的に厚くなっている。その他の基本的な構成は、上記実施形態による電子部品１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。第１の変形例による電子部品１Ａによれば、熱膨張係数の小さい絶縁樹脂層１２のボリュームがより増大することから、電子部品１全体の反りがより生じにくくなる。
【0061】
図２６は、第２の変形例による電子部品１Ｂの構造を説明するための断面図である。
【0062】
第２の変形例による電子部品１Ｂは、絶縁樹脂層１１の除去部分において誘電体膜４及びパッシベーション膜５が除去されている点において、第１の変形例による電子部品１Ａと相違している。埋め込まれた絶縁樹脂層１２は、平坦化層３又は導体パターン２１と接している。その他の基本的な構成は、第１の変形例による電子部品１Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。第２の変形例による電子部品１Ｂによれば、熱膨張係数の小さい絶縁樹脂層１２のボリュームがよりいっそう増大することから、電子部品１全体の反りがよりいっそう生じにくくなる。また、誘電体膜４及びパッシベーション膜５が部分的に除去されることにより、誘電体膜４及びパッシベーション膜５による応力も緩和される。
【0063】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【0064】
例えば、上記実施形態においては、本発明をＬＣフィルタに応用した場合を例に説明したが、本発明の対象となる電子部品がＬＣフィルタに限定されるものではなく、他の種類の電子部品に応用しても構わない。
【符号の説明】
【0065】
１，１Ａ，１Ｂ 電子部品
２ 基板
３ 平坦化層
４ 誘電体膜
５ パッシベーション膜
１１～１４ 絶縁樹脂層
２１～２９ 導体パターン
２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａ ビア導体
２４Ｒ，２８Ｒ，２９Ｒ 凹部
３１～３８ 犠牲パターン
４１～４５，５１～５６，６１～６４，７３，７４ 開口部
Ａ 空間
Ｅ１，Ｅ２ 端子電極
Ｍ１～Ｍ４，ＭＭ 導体層
Ｐ メッキ層
Ｒ１～Ｒ４ レジスト層
Ｓ シード層
２ 基板
３ 平坦化層
４ 誘電体膜
５ パッシベーション膜
１１～１４ 絶縁樹脂層
２１～２９ 導体パターン
２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２６ａ，２８ａ，Ｅ１ａ，Ｅ２ａ ビア導体
２４Ｒ，２８Ｒ，２９Ｒ 凹部
３１～３８ 犠牲パターン
４１～４５，５１～５６，６１～６４，７３，７４ 開口部
Ａ 空間
Ｅ１，Ｅ２ 端子電極
Ｍ１～Ｍ４，ＭＭ 導体層
Ｐ メッキ層
Ｒ１～Ｒ４ レジスト層
Ｓ シード層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】