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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-03
(45)【発行日】2024-09-11
(54)【発明の名称】近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240904BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20240904BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 541M
G03F7/20 504
G03F7/20 521
H01L21/30 502D
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2021010415
(22)【出願日】2021-01-26
(65)【公開番号】P2022114213
(43)【公開日】2022-08-05
【審査請求日】2023-09-08
(73)【特許権者】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100091487
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 行孝
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100107582
【弁理士】
【氏名又は名称】関根 毅
(74)【代理人】
【識別番号】100118843
【弁理士】
【氏名又は名称】赤岡 明
(74)【代理人】
【識別番号】100120385
【弁理士】
【氏名又は名称】鈴木 健之
(72)【発明者】
【氏名】香川 譲徳
(72)【発明者】
【氏名】馬越 俊幸
【審査官】中尾 太郎
(56)【参考文献】
【文献】特開平０７－０９４３７９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－２４３６８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２９４７４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－０４７１５５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－０９５８３５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－０２２６１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－０１９０６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１３００７７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１７６０４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／００１８３２５（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／０２７
Ｇ０３Ｆ ７／２０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子ビームの照射によって基板上にパターンを描画するための描画情報を取得し、前記基板の表面形状に関する表面形状情報を取得し、
前記描画情報を複数のメッシュに分割し、
前記メッシュ毎に前記表面形状情報に含まれる情報からスロープまたは段差が存在するか否かを判定し、
前記スロープまたは前記段差が存在する前記メッシュに対して前記取得された描画情報および表面形状情報に基づいて、前記電子ビームが前記基板中で後方散乱することで生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を算出し、
前記算出されたエネルギー分布に基づいて前記電子ビームの必要エネルギー量を算出する、
ことを含む近接効果補正方法。
【請求項2】
前記表面形状情報は、段差によって異なる高さを有するように前記基板の表面上に配置された複数のフラット部の配置状態を示す第１配置情報と、前記複数のフラット部の高さを示す高さ情報とを含む請求項１に記載の近接効果補正方法。
【請求項3】
前記エネルギー分布の算出は、前記描画情報と、前記第１配置情報と、前記高さ情報と、前記基板の表面上に配置されたスロープ部の傾斜角度と、前記スロープ部の傾斜向きとに基づく請求項２に記載の近接効果補正方法。
【請求項4】
前記描画情報を前記基板の表面の複数の領域にそれぞれ対応する複数の分割情報に分割することをさらに含み、前記エネルギー分布の算出は、前記分割情報毎に行われ、
前記必要エネルギー量の算出は、前記算出された分割情報毎のエネルギー分布を積算した積算エネルギー分布に基づいて行われる請求項１乃至３のいずれか１項に記載の近接効果補正方法。
【請求項5】
前記算出されたエネルギー分布は異方性をもった分布である請求項１に記載の近接効果補正方法。
【請求項6】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の近接効果補正方法を用いて算出された必要エネルギー量に基づいて電子ビームの照射量を制御し、前記制御された照射量の電子ビームを基板上に照射して前記基板上にパターンを描画する、
ことを含む原版製造方法。
【請求項7】
前記算出されたエネルギー分布は異方性をもった分布である請求項６に記載の原版製造方法。
【請求項8】
算出された電子ビームの必要エネルギー量に基づいて、パターンを描画するために基板上に照射される電子ビームの照射量を制御する制御部を備え、前記必要エネルギー量は、前記電子ビームが前記基板中で後方散乱することで生じる後方散乱ビームのエネルギー分布に基づくエネルギー量であり、
前記後方散乱ビームのエネルギー分布は、前記パターンを描画するための描画情報と、前記基板の表面形状に関する表面形状情報とを取得し、前記描画情報を複数のメッシュに分割し、前記メッシュ毎に前記表面形状情報に含まれる情報からスロープまたは段差が存在するか否かを判定し、前記スロープまたは前記段差が存在する前記メッシュに対して前記取得された描画情報および表面形状情報を用いることにより算出されたエネルギー分布である、
描画装置。
【請求項9】
前記算出されたエネルギー分布は異方性をもった分布である請求項８に記載の描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電子ビーム描画装置を用いて半導体プロセス用の原版を作製する場合がある。この場合、原版用の基板の表面形状によっては、基板中での電子ビームの後方散乱による近接効果を適切に補正することが困難となるおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開平１０－６４７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
基板の表面形状にかかわらず近接効果を適切に補正することが可能な近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一の実施形態によれば、近接効果補正方法は、電子ビームの照射によって基板上にパターンを描画するための描画情報を取得することを含む。前記方法はさらに、前記基板の表面形状に関する表面形状情報を取得することを含む。前記方法はさらに、前記取得された描画情報および表面形状情報に基づいて、前記電子ビームが前記基板中で後方散乱することで生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を算出することを含む。前記方法はさらに、前記算出されたエネルギー分布に基づいて前記電子ビームの必要エネルギー量を算出することを含む。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1A】実施形態による描画装置の一例を示す図である。
【図1B】実施形態による描画装置の他の一例を示す図である。
【図2A】実施形態による描画装置を適用可能なマスクブランクの一例を示す断面図である。
【図2B】実施形態による描画装置を適用可能なテンプレートブランクの一例を示す断面図である。
【図2C】実施形態による描画装置を適用可能なマスクブランクの他の一例を示す断面図である。
【図3】実施形態による近接効果補正方法の一例を示すフローチャートである。
【図16A】実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。
【図17A】実施形態によるテンプレートの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
【0008】
（描画装置）
図１Ａは、実施形態による描画装置１の一例を示す図である。図１Ｂは、実施形態による描画装置１の他の一例を示す図である。図１Ａおよび図１Ｂに示される描画装置１は、例えば、半導体プロセスに用いられる原版を製造する際に、電子ビームＥＢの照射によって後述する基板６上（すなわち、基板６上のレジスト膜９）にパターンを描画するために用いることができる。基板６は、電子ビームＥＢの照射による原版の製造に適用できるものであれば具体的な態様は特に限定されない。例えば、図２Ａ～図２Ｃにおいて後述するように、基板６は、マスクブランク６Ａ，６Ｃまたはテンプレートブランク６Ｂであってもよい。より詳しくは、図１Ａおよび図１Ｂに示される描画装置１は、基板６の表面形状の違いによって後方散乱ビームによるレジスト膜９中の蓄積エネルギー分布（以下、後方散乱ビームのエネルギー分布と呼ぶ）が異なることを考慮して、後方散乱による近接効果を適切に補正するために用いることができる。
図１Ａは、実施形態による描画装置１の一例を示す図である。図１Ｂは、実施形態による描画装置１の他の一例を示す図である。図１Ａおよび図１Ｂに示される描画装置１は、例えば、半導体プロセスに用いられる原版を製造する際に、電子ビームＥＢの照射によって後述する基板６上（すなわち、基板６上のレジスト膜９）にパターンを描画するために用いることができる。基板６は、電子ビームＥＢの照射による原版の製造に適用できるものであれば具体的な態様は特に限定されない。例えば、図２Ａ～図２Ｃにおいて後述するように、基板６は、マスクブランク６Ａ，６Ｃまたはテンプレートブランク６Ｂであってもよい。より詳しくは、図１Ａおよび図１Ｂに示される描画装置１は、基板６の表面形状の違いによって後方散乱ビームによるレジスト膜９中の蓄積エネルギー分布（以下、後方散乱ビームのエネルギー分布と呼ぶ）が異なることを考慮して、後方散乱による近接効果を適切に補正するために用いることができる。
【0009】
図１Ａに示される描画装置１は、計算機２と、制御装置３と、電子照射ユニット４と、ステージ５とを備える。計算機２は、近接効果補正における各種の計算処理（例えば、後述する後方散乱ビームのエネルギー分布の算出および必要エネルギー量の算出）を行う。図１Ａにおいて、計算機２は、更に、近接効果補正以外の描画のための計算処理を行ってもよい。
【0010】
図１Ｂに示される描画装置１では、計算機２が描画装置１の外部に配置されている。図１Ｂでは、描画装置１の外部の計算機２が近接効果補正における各種の計算処理を行い、また、描画装置１が、近接効果補正以外の描画のための計算処理を行う計算機（図示せず）を別途備えていてもよい。
【0011】
以降の描画装置１の説明は、特に明記しない限り図１Ａおよび図１Ｂの描画装置１に共通の説明である。電子照射ユニット４は、電子光学鏡筒（図示せず）内に配置されている。基板６は、電子光学鏡筒に連通する真空チャンバ内においてステージ５上に載置されている。ステージ５は、モータ等の駆動装置によって例えば水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）および鉛直方向（Ｚ方向）に移動可能である。ステージ５が移動されることで、ステージ５上の基板６に対する電子ビームＥＢの照射位置が変更可能となっている。
【0012】
ここで、描画装置１の構成部についてさらに詳述する前に、描画装置１を適用可能な基板６の例について説明する。図２Ａは、実施形態による描画装置１を適用可能なマスクブランク６Ａの一例を示す断面図である。図２Ｂは、実施形態による描画装置１を適用可能なテンプレートブランク６Ｂの一例を示す断面図である。図２Ｃは、実施形態による描画装置１を適用可能なマスクブランク６Ｃの他の一例を示す断面図である。マスクブランク６Ａ，６Ｃは、フォトリソグラフィ用の原版であるフォトマスクの製造に用いられる基板６の例である。テンプレートブランク６Ｂは、ナノインプリントリソグラフィ用の原版であるテンプレートの製造に用いられる基板６の例である。
【0013】
図２Ａおよび図２Ｃに示すように、基板６としてのマスクブランク６Ａ，６Ｃは、透光性基板６１と、透光性基板６１上に形成された遮光膜６２とを有する。透光性基板６１は、例えば、主成分として石英を含有していてもよい。遮光膜６２は、例えば、主成分としてクロム（Ｃｒ）などの金属を含有していてもよい。一方、図２Ｂに示すように、基板６としてのテンプレートブランク６Ｂは、例えば主成分として石英を含有することで、全体として透光性を有している。
【0014】
半導体装置用のデバイス基板（ウエハ）に形成された被加工膜の表面に段差またはスロープが存在する場合、一様にフラットな表面を有するフォトマスクまたはテンプレートを用いた場合は被加工膜を精度良く加工することが困難となる。具体的には、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィの場合、被加工膜上のレジスト膜に露光光の焦点を合わせることが困難となることで、被加工膜上のレジスト膜を適切に露光することが困難となる。テンプレートを用いたナノインプリントリソグラフィの場合、被加工膜であるデバイス基板上のレジストにテンプレートを適切に押し付けてパターンを転写することが困難となる。この結果、被加工膜に所望の精度で回路パターンを形成することが困難となる。そこで、段差やスロープが存在する被加工膜を精度良く加工する観点から、フォトマスクまたはテンプレート用の基板６Ａ～６Ｃの表面は、被加工膜の表面形状に合わせた表面形状を有する。具体的には、図２Ａに示されるマスクブランク６Ａの表面は、面内方向ｄ１に平行なフラット部６ａと、段差ｚｄによってフラット部６ａよりも高く形成されたフラット部６ｃと、両フラット部６ａ，６ｃを接続するスロープ部６ｂとを有する。なお、マスクブランク６Ａをステージ５上に載置したときに、面内方向ｄ１は水平方向に一致する。図２Ａに示されるスロープ部６ｂは直線状の傾斜平面であるが、図２Ａの符号６ｂ’に示すように、スロープ部６ｂ’は傾斜曲面であってもよい。図２Ｂに示されるテンプレートブランク６Ｂおよび図２Ｃに示されるマスクブランク６Ｃの表面は、段差ｚｄによって異なる高さを有するように形成された互いに隣り合うフラット部６ａ，６ｃを有する。なお、テンプレートブランク６Ｂは、スロープ部を有していてもよい。
【0015】
ここで、原版（フォトマスク、テンプレート）を製造するために基板６上にパターンを描画する際には、基板６上にレジスト膜９を形成する。なお、図１６Ａでは、基板６の一例としてのマスクブランク６Ａ上にレジスト膜９を形成している。図１７Ａでは、基板６の一例としてのテンプレートブランク６Ｂ上にレジスト膜９を形成している。そして、レジスト膜９が形成された基板６に電子ビームＥＢを照射することで、レジスト膜９にパターンを描画する。基板６に照射された電子ビームＥＢは、基板６中で後方散乱する。後方散乱によって生じた後方散乱ビームは、基板６上のレジスト膜９を再露光する。レジスト膜９の再露光によって、パターンの寸法が設計値から変動する近接効果が生じる。具体的には、パターン密度が高い箇所では、周辺からの後方散乱によるレジスト膜９の再露光量が大きくなるため、パターンの寸法が設計値よりも大きくなる。一方、パターン密度が低い箇所では、再露光量が少ないためパターンの寸法が設計値よりも小さくなる。パターンの寸法精度を確保するためには、近接効果を補正することが求められる。近接効果の補正においては、後方散乱ビームのエネルギー分布に基づいて、電子ビームＥＢの照射量を制御する。後方散乱ビームのエネルギー分布としては、ガウシアン分布が用いられることが多い。しかるに、図２Ａ～図２Ｃに示される基板６Ａ～６Ｃのように、表面に段差やスロープが存在する基板６上にパターンを描画する場合、後方散乱ビームのエネルギー分布が一様でなくなる。すなわち、フラット部と、スロープ部と、隣り合うフラット部同士の境界部との間で、後方散乱ビームのエネルギー分布は異なる。この場合、後方散乱ビームのエネルギー分布として常にガウシアン分布を用いると、近接効果を適切に補正することができない。これに対して、実施形態による描画装置１は、基板６の表面形状にかかわらず近接効果を適切に補正するように構成されている。
【0016】
具体的には、図１Ａ、図１Ｂに示すように、計算機２には、描画データ７が入力される。描画データ７は、電子ビームＥＢの照射によって基板６上にパターンを描画するためのデータである。描画データ７は、例えば、原版の設計データに基づいて計算機２と異なる計算機で作成されたデータである。また、図１Ａ、図１Ｂに示すように、計算機２には、表面形状データ８が入力される。表面形状データ８は、基板６の表面形状に関するデータである。表面形状データ８は、例えば、原版の設計データに基づいて計算機２と異なる計算機で作成されたデータである。計算機２に描画データ７および表面形状データ８を入力する方法は特に限定されず、例えば、データ通信による入力および記憶媒体を介した入力のいずれであってもよい。描画データ７および表面形状データ８の更なる詳細については、後述する近接効果方法の実施形態で説明する。
【0017】
計算機２は、入力によって取得された描画データ７および表面形状データ８に基づいて、電子ビームＥＢが基板６中で後方散乱することで生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する。計算機２は、算出されたエネルギー分布に基づいて、基板６上に照射される電子ビームＥＢの必要エネルギー量を算出する。必要エネルギー量は、基板６の表面形状にかかわらず近接効果を適切に補正するために必要とされる電子ビームＥＢのエネルギー量である。計算機２は、算出された必要エネルギー量を示すデータを制御装置３に出力する。計算機２による必要エネルギー量の算出例については、後述する近接効果方法の実施形態で説明する。
【0018】
制御装置３は、計算機２から入力された必要エネルギー量を示すデータ（すなわち、算出された必要エネルギー量）に基づいて、基板６上に照射される電子ビームＥＢの照射量を制御する。すなわち、制御装置３は、必要エネルギー量の電子ビームＥＢのエネルギーが基板６上のレジスト膜９に供給されるように電子ビームＥＢの照射量を調節する。
【0019】
電子照射ユニット４は、制御装置３で制御された照射量の電子ビームＥＢを基板６上に照射して基板６上のレジスト膜９にパターンを描画する。電子照射ユニット４は、例えば、電子ビームＥＢを放出する電子銃と、放出された電子ビームＥＢの軌道を制御する電子光学系（偏向器、電磁レンズ等）とを備える。
【0020】
もし、描画データ７のみに基づいて算出された後方散乱ビームのエネルギー分布および当該エネルギー分布に基づく必要エネルギー量を用いる場合、基板６の表面に段差やスロープが存在する場合に近接効果を適切に補正することができない場合がある。何故ならば、描画データ７は、段差やスロープなどの基板６の表面形状の情報を含まないため、描画データ７のみに基づく後方散乱ビームのエネルギー分布は、基板６の表面形状を考慮できないからである。これに対して、実施形態による描画装置１によれば、描画データ７および表面形状データ８の双方を考慮して算出された後方散乱ビームのエネルギー分布および当該エネルギーに基づく必要エネルギー量を用いることで、基板６の表面形状にかかわらず近接効果を適切に補正することができる。
【0021】
（近接効果補正方法）
以下、実施形態による描画装置１を適用した近接効果補正方法の実施形態について説明する。図３は、実施形態による近接効果補正方法の一例を示すフローチャートである。
以下、実施形態による描画装置１を適用した近接効果補正方法の実施形態について説明する。図３は、実施形態による近接効果補正方法の一例を示すフローチャートである。
【0022】
図３に示すように、先ず、計算機２は、描画データ７を取得する（ステップＳ１）。図４は、図３のフローチャートに示される描画データ７の取得工程の一例を説明するための説明図である。図４に示すように、描画データ７は、基板６の表面に対応する二次元の領域を示し、領域内に定義されたパターンＰを有する。描画データ７上のパターンＰは、基板６の表面の対応する位置（すなわち座標）に描画される。描画データ７は、二次元のデータであるため、基板６の表面上の段差やスロープなどの高さ方向の情報をもたない。
【0023】
また、図３に示すように、計算機２は表面形状データ８を取得する（ステップＳ２）。表面形状データ８の取得は、描画データ７の取得と前後が入れ替わってもよく、または同時であってもよい。図５は、図３のフローチャートに示される表面形状データ８の取得工程の一例を説明するための説明図である。図５に示すように、表面形状データ８は、少なくとも、フラット部配置情報と、高さ情報とを含む。フラット部配置情報は、段差によって異なる高さを有するように基板６の表面上に配置された複数のフラット部の配置状態（例えば、位置）を示す情報である。より具体的には、フラット部配置情報は、描画データに対応した二次元の領域を示し、領域内に定義されたフラット部を有する。高さ情報は、フラット部の高さを示す情報である。高さ情報は、複数のフラット部のうちの１つのフラット部の高さを基準とした相対的な高さを示す情報である。図５に示すように、表面形状データ８は、後述するスロープ部配置情報をさらに含んでもよい。表面形状データ８は、テーブル形式のデータであってもよい。
【0024】
描画データ７および表面形状データ８を取得した後、図３に示すように、計算機２は、描画データ７を複数のメッシュに分割する（ステップＳ３）。メッシュは、基板６の表面の複数の領域にそれぞれ対応するように描画データ７を分割したデータである。図６は、図３のフローチャートに示される描画データのメッシュへの分割工程の一例を説明するための説明図である。より具体的には、図６に示すように、メッシュＭは、描画データ７を網目状に分割したデータである。各メッシュＭは、基板６の表面上の対応する領域への描画に用いられる。
【0025】
描画データ７をメッシュＭに分割した後、図３に示すように、計算機２は、メッシュＭ毎に、表面形状データ８としてメッシュＭに対応するスロープ部配置情報が存在するか否かを判定する（ステップＳ４）。スロープ部配置情報は、図５に示すように、スロープ部の配置状態（例えば、位置）を示す情報である。
【0026】
メッシュＭに対応するスロープ部配置情報が存在する場合（ステップＳ４：Ｙｅｓ）、図３に示すように、計算機２は、表面形状データ８としてメッシュＭに対応する傾斜角度情報および傾斜向き情報が存在するか否かを判定する（ステップＳ５）。図７は、図３のフローチャートに示される傾斜角度情報および傾斜向き情報の一例を説明するための説明図である。傾斜角度情報は、図７に示すように、スロープ部の傾斜角度θを示す情報である。傾斜向き情報は、スロープ部の向きを示す情報である。より具体的には、図７に示される例において、傾斜向き情報は、スロープ部の高さが減少する二次元上の方向を、二次元上の基準方向ｄ２とのなす角度で表現した情報である。例えば、図７に示されるスロープ部ａは、スロープ部ａの高さが減少する二次元上の方向が基準方向ｄ２と一致すため、傾斜向きが０［度］である。一方、図７に示されるスロープ部ｄは、スロープ部ｄの高さが減少する二次元上の方向が基準方向ｄ２と反対であるため、傾斜向きが１８０［度］である。
【0027】
メッシュＭに対応する傾斜角度情報および傾斜向き情報が存在する場合（ステップＳ５：Ｙｅｓ）、計算機２は、傾斜角度情報から傾斜角度を取得し、また、傾斜向き情報から傾斜向きを取得する。そして、図３に示すように、計算機２は、傾斜角度、傾斜向きに応じた関数に基づいて、スロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する（ステップＳ６）。
【0028】
図８は、図３のフローチャートに示されるスロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。図８には、スロープ部に照射された１ショットの電子ビームＥＢが基板６中で後方散乱する領域Ｂと、後方散乱で生じた後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄとが、断面図および平面図として示されている。また、図８には、スロープ部との比較として、フラット部に照射された１ショットの電子ビームＥＢが基板６中で後方散乱する領域Ａと、後方散乱で生じた後方散乱ビームのエネルギー分布Ｃとが示されている。図８に示される例において、フラット部にける後方散乱ビームのエネルギー分布Ｃはガウシアン分布である。これに対して、図８に示すように、スロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄは、ガウシアン分布Ｃとは異なる分布として算出される。より具体的には、図８に示される例において、スロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄは、ガウシアン分布Ｃに対してエネルギー量のピークがスロープ部の傾斜向きｄ３側にずれた分布として算出される。
【0029】
図９は、図８よりもさらに詳細にスロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。図９に示される描画データ７は、図４および図６に示される描画データ７のうちのスロープ部に対応する一部のデータである。エネルギー分布の算出工程（ステップＳ６）において、計算機２は、先ず、図９に示すように、スロープ部に対応する各メッシュＭにおけるパターン面積率を算出する（ステップＳ６１）。パターン面積率は、個々のメッシュＭ毎にメッシュＭの面積に対するパターンＰの面積の比を示した０以上１以下の数値である。図９に示すように、パターンＰが占める領域が大きいメッシュＭほど、パターン面積率は大きい。
【0030】
図１０は、図９に続く、スロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。パターン面積率を算出した後、図１０に示すように、計算機２は、スロープ部に対応する各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する（ステップＳ６２）。言い換えれば、計算機２は、各メッシュＭのそれぞれに対応するスロープ部上の領域に各メッシュＭのそれぞれに含まれるパターンＰに応じた電子ビームＥＢを照射した場合に生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する。各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、例えば、スロープ部を対象とした後方散乱ビームのエネルギー分布のモンテカルロシミュレーションに基づいて得られた関数または当該関数を近似（すなわち単純化）した関数にしたがう。各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、実験結果に基づいて得られたメッシュＭ毎のエネルギー量を示すテーブルに基づいて行ってもよい。
【0031】
図１０は、着目されるメッシュＭ１～Ｍ３のそれぞれに含まれるパターンＰにしたがって各メッシュＭ１～Ｍ３のそれぞれに対応するスロープ部上の領域に照射される電子ビームＥＢによって生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を示している。図１０において各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍに記述された数値は、各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍに対応する後方散乱ビームのエネルギー量を示している。より具体的には、図１０において各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍに記述されたエネルギー量は、最大値を１に換算した値である。なお、図１０においては、着目されるメッシュＭ１～Ｍ３のエネルギー量が各メッシュＭ１～Ｍ３のそれぞれに対応するパターン面積率（図９参照）と一致している。図１０において、各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍは、後方散乱ビームのエネルギー量の大きさに概ねしたがった密度のドットで塗りつぶされている。また、図１０には、各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍのそれぞれに対応するスロープ部上の領域の高さを表すために、スロープ部が模式的に示されている。図１０に示すように、パターンＰが含まれない、すなわちパターン面積率が０のメッシュＭ１であって、パターンＰが含まれるメッシュＭ２，Ｍ３から離れたメッシュＭ１においては、エネルギー量が０となる。何故ならば、メッシュＭ１は、自らのパターンＰにしたがって照射される電子ビームＥＢによる後方散乱を生じさせないだけでなく、他のメッシュ内のパターンＰにしたがって照射される電子ビームＥＢによる後方散乱の影響も受けないからである。一方、パターン面積率が０．３のメッシュＭ２においては、メッシュＭ２に含まれるパターンＰにしたがって照射される電子ビームＥＢによって生じる後方散乱ビームにより、メッシュＭ２およびその周囲のメッシュＭにわたるエネルギー分布が算出される。これは、メッシュＭ２のパターンＰにしたがった電子ビームＥＢの後方散乱が、メッシュＭ２だけでなく周囲のメッシュＭにも影響を及ぼすことによる。パターン面積率が最大値１のメッシュＭ３においては、メッシュＭ３に含まれるパターンＰにしたがって照射される電子ビームＥＢによって生じる後方散乱ビームにより、さらに広範囲のメッシュＭ３，Ｍにわたるエネルギー分布が算出される。図１０に示すように、スロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布は、着目されるメッシュＭ２，Ｍ３を中心とした等方的な分布ではなく、スロープ部の傾斜向きｄ３側に偏在する異方性をもった分布である。
【0032】
スロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布を算出した後、図３に示すように、計算機２は、積算エネルギー分布を算出する（ステップＳ７）。積算エネルギー分布は、算出されたメッシュ毎のエネルギー分布を積算した分布である。図１１は、図３のフローチャートに示されるスロープ部における積算エネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。図９および図１０に示される描画データ７からは、図１１に示される積算エネルギー分布が算出される。ただし、図１１において各メッシュに記述されている積算エネルギー量は、最大値を１として換算した値である。
【0033】
積算エネルギー分布を算出した後、図３に示すように、計算機２は、算出された積算エネルギー分布に基づいて必要エネルギー量を算出する（ステップＳ８）。図１２は、図３のフローチャートに示される必要エネルギー量の算出工程の一例を説明するための説明図である。図１２においては、ショット毎にスロープ部における必要エネルギー量（μＣ）を算出している。なお、図１２には、説明の便宜上、ショット毎の必要エネルギー量に対応するパターンＰ１が示されている。パターンＰ１が描画される基板６上のレジスト膜９は、電子ビームＥＢだけでなく、後方散乱ビームによっても露光される。すなわち、レジスト膜９には、電子ビームＥＢの照射エネルギーだけでなく後方散乱ビームのエネルギーも付与される。このため、必要エネルギー量は、後方散乱ビームのエネルギー量を加味して算出することが求められる。そこで、図１２に示すように、計算機２は、先ず、積算エネルギー分布にしたがった積算エネルギー量が加算されたショット毎の電子ビームＥＢの照射エネルギー量を定義する。定義された照射エネルギー量は、近接効果補正のための調整が未だなされていない調整前の照射エネルギー量である。
【0034】
次いで、計算機２は、調整前の照射エネルギー量の最大値に対して所定の割合（例えば５０％）のエネルギー量を閾値として設定する。そして、計算機２は、閾値においてショット毎の照射エネルギー量の分布幅（図１２における横幅）が揃うように、ショット毎の照射エネルギー量を調整する。調整後の照射エネルギー量が、必要エネルギー量として算出される。算出された必要エネルギー量は、制御装置３において電子ビームＥＢの照射量の調整に用いられる。このようにして、近接効果が補正される。近接効果を補正しない場合、図１２に破線部で示されるパターンＰ２のように、設計データ上で幅が等しい隣り合う複数のパターンＰ２が、異なる幅のパターンとして描画されてしまう。一方、実施形態にしたがって近接効果を補正する場合、図１２に実線部で示されるパターンＰ１のように、設計データ上で幅が等しい隣り合う複数のパターンＰ１を、同じ幅のパターンＰ１として適切に描画することができる。
【0035】
なお、計算機２は、必要エネルギー量に基づいて調整された電子ビームＥＢの照射量を用いて、後方散乱ビームのエネルギー分布を再算出してもよい。この場合、計算機２は、再算出された後方散乱ビームのエネルギー分布に基づいて積算エネルギー分布を再算出し、再算出された積算エネルギー分布に基づいてショット毎の必要エネルギー量を再算出してもよい。このような必要エネルギー量の再算出は、必要に応じて繰り返してもよい。
【0036】
メッシュＭに対応する傾斜角度情報および傾斜向き情報が存在しない場合（ステップＳ５：Ｎｏ）、図３に示すように、計算機２は、スロープ部の傾斜角度および傾斜向きを算出する（ステップＳ９）。図１３は、図３のフローチャートに示されるスロープ部の傾斜角度および傾斜向きの算出工程の一例を説明するための説明図である。スロープ部の傾斜角度および傾斜向きは、例えば、スロープ部配置情報および高さ情報に基づく一次関数または多項式を用いて算出してもよい。例えば、図１３に示すように、スロープ部配置情報および高さ情報に示されるスロープ部の下端のＸ座標（ｘ１）およびＺ座標（ｚ１）と、スロープ部の上端のＸ座標（ｘ２）およびＺ座標（ｚ２）とに基づいて、傾斜角度θおよび傾斜向きｄ３を算出してもよい。図１３に示される例において、傾斜角度θは、スロープ部の下端（ｘ１，ｚ１）と上端（ｘ２，ｚ２）との２点の座標を結ぶ一次関数の傾き（ｚ２－ｚ１）／（ｘ２－ｘ１）の逆正接（ｔａｎ－１）である。また、図１３に示される例において、傾斜向きｄ３は、一次関数のＺ値が減少するｘ２からｘ１に向かう方向である。ステップＳ９の後は、ステップＳ６に移行する。
【0037】
メッシュＭに対応するスロープ部配置情報が存在しない場合（ステップＳ４：Ｎｏ）、図３に示すように、計算機２は、メッシュがスロープ部を介さずに隣り合うフラット部間の境界に対応するか否かを判定する（ステップＳ１０）。メッシュがフラット部間の境界に対応する場合（ステップＳ１０：Ｙｅｓ）、計算機２は、境界に位置する段差の大きさおよび境界からの距離に応じた関数に基づいて、フラット部間の境界部における後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する（ステップＳ１１）。
【0038】
図１４は、図３のフローチャートに示されるフラット部の境界部における後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。図１４には、フラット部６Ｌ，６Ｈ間の境界部に照射された１ショットの電子ビームＥＢが基板６中で後方散乱する領域Ｂと、後方散乱で生じた後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄとが、断面図および平面図として示されている。また、図１４には、フラット部６Ｌ，６Ｈ間の境界部との比較として、段差の無い完全なフラット部に照射された１ショットの電子ビームＥＢが基板６中で後方散乱する領域Ａと、後方散乱で生じた後方散乱ビームのエネルギー分布Ｃとが示されている。図１４に示される例において、完全なフラット部にける後方散乱ビームのエネルギー分布Ｃはガウシアン分布である。これに対して、図１４に示すように、フラット部６Ｌ，６Ｈ間の境界部における後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄは、ガウシアン分布Ｃとは異なる分布として算出される。より具体的には、図１４に示される例において、フラット部６Ｌ，６Ｈ間の境界部における後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄは、ガウシアン分布Ｃに対して高さが高いフラット部６Ｈ側にエネルギー量が集中した分布として算出される。ただし、図１４は、高さが高いフラット部６Ｈ上にビーム中心が位置するように電子ビームＥＢを照射した場合の例である。高さが低いフラット部６Ｌ上にビーム中心が位置するように電子ビームＥＢを照射した場合は、図１４とは異なり、高さが低いフラット部６Ｌ側にエネルギー量が集中したエネルギー分布が算出される。
【0039】
フラット部６Ｌ，６Ｈ間の境界部における後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、図９および図１０に示される例と同様に、メッシュＭ毎に行う。各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、例えば、フラット部６Ｌ，６Ｈ間の境界に位置する段差ｚｄの大きさおよび境界からの二次元方向の距離に応じた関数に基づく。より具体的には、各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、フラット部６Ｌ，６Ｈ間の境界部を対象としたモンテカルロシミュレーションに基づいて得られた関数または当該関数を近似（すなわち単純化）した関数にしたがってもよい。あるいは、各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、実験結果に基づいて得られたメッシュＭ毎のエネルギー量を示すテーブルに基づいて行ってもよい。ステップＳ１１の後は、ステップＳ６に移行する。
【0040】
メッシュがフラット部間の境界に対応しない場合（ステップＳ１０：Ｎｏ）、計算機２は、メッシュが段差のない完全なフラット部に対応すると判断する。この場合、計算機２は、ガウス分布に基づいて、フラット部における後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する（ステップＳ１２）。ガウス分布にしたがったエネルギー分布は、例えば次式で表される。
ｇ（ｘ）＝η×Ｄ（ｘ’）×（１／πσ２）×ｅｘｐ｛－（ｘ－ｘ’）２／σ２｝
ただし、ｇ（ｘ）は、座標ｘにおける後方散乱ビームのエネルギー量すなわちエネルギー分布である。ηは、後方散乱係数である。Ｄ（ｘ’）は、電子ビームＥＢの照射座標ｘ’における電子ビームＥＢの照射量である。σは、後方散乱ビームの後方散乱半径である。
ｇ（ｘ）＝η×Ｄ（ｘ’）×（１／πσ２）×ｅｘｐ｛－（ｘ－ｘ’）２／σ２｝
ただし、ｇ（ｘ）は、座標ｘにおける後方散乱ビームのエネルギー量すなわちエネルギー分布である。ηは、後方散乱係数である。Ｄ（ｘ’）は、電子ビームＥＢの照射座標ｘ’における電子ビームＥＢの照射量である。σは、後方散乱ビームの後方散乱半径である。
【0041】
ガウス分布にしたがったフラット部における後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、図９および図１０に示される例と同様に、メッシュＭ毎に行う。ステップＳ１２の後は、ステップＳ６に移行する。図１５は、図３のフローチャートに示されるフラット部における積算エネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。図１５は、ガウス分布にしたがった後方散乱ビームのエネルギー分布に基づいてステップＳ６で算出される積算エネルギー分布の例を示している。
【0042】
なお、後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、図３に示される態様に限定されない。例えば、フラット部とスロープ部との境界部において、上述したモンテカルロシミュレーションに基づく関数や実験結果にしたがってエネルギー分布を算出してもよい。
【0043】
実施形態による近接効果補正方法によれば、描画データ７および表面形状データ８に基づいて後方散乱ビームのエネルギー分布を算出し、算出されたエネルギー分布に基づいて電子ビームの必要エネルギー量を算出することができる。これにより、基板６の表面形状にかかわらず近接効果を適切に補正することができる。
【0044】
また、実施形態による近接効果補正方法によれば、描画データ７と、表面形状データ８としてのフラット部配置情報、高さ情報およびスロープ部配置情報と、スロープ部の傾斜角度と、スロープ部の傾斜向きとに基づいて、スロープ部における後方散乱ビームのエネルギー分布を適切に算出することができる。
【0045】
また、実施形態による近接効果補正方法によれば、メッシュ毎の後方散乱ビームのエネルギー分布を積算した積算エネルギー分布に基づいて、必要エネルギー量を適切に算出することができる。
【0046】
また、実施形態による近接効果補正方法によれば、スロープ部、フラット部の境界部および完全なフラット部の別に応じた適切な算出方法で後方散乱ビームのエネルギー分布を算出することで、基板６の表面形状に応じた適切な近接効果の補正を行うことができる。
【0047】
（原版製造方法）
図３～図１５で説明した実施形態による近接効果補正方法は、原版の製造に用いることができる。以下、実施形態による近接効果補正方法を適用した原版製造方法として、フォトマスクの製造方法の実施形態およびテンプレートの製造方法の実施形態を順に説明する。
図３～図１５で説明した実施形態による近接効果補正方法は、原版の製造に用いることができる。以下、実施形態による近接効果補正方法を適用した原版製造方法として、フォトマスクの製造方法の実施形態およびテンプレートの製造方法の実施形態を順に説明する。
【0048】
図１６Ａは、実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。フォトマスクの製造においては、先ず、図１６Ａに示すように、図２Ａで説明したマスクブランク６Ａ上にレジスト膜９を形成する。レジスト膜９の形成は、レジスト膜９のコーティングおよびコーティング後のプリベーキングを含む。なお、図１６Ａに示される例において、レジスト膜９は、ポジ型である。レジスト膜９は、ネガ型であってもよい。
【0049】
図１６Ｂは、図１６Ａに続く、実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。レジスト膜９を形成した後、図１６Ｂに示すように、描画装置１によって、実施形態による近接効果補正方法を用いて調整された照射量の電子ビームＥＢを照射する。これにより、電子ビームＥＢが照射された部分のレジスト膜９が露光される。
【0050】
図１６Ｃは、図１６Ｂに続く、実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。レジスト膜９を露光し、露光されたレジスト膜９をポストベーキングした後、図１６Ｃに示すように、レジスト膜９を現像する。レジスト膜９をの現像は、薬液を用いたウェットプロセスで行う。現像によって、露光された部分のレジスト膜９が除去され、レジスト膜９が除去された位置において部分的に遮光膜６２が露出する。
【0051】
図１６Ｄは、図１６Ｃに続く、実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。レジスト膜９を現像した後、現像されたレジスト膜９をマスクとして用いて遮光膜６２をエッチング（すなわち、加工）する。エッチングはドライプロセスで行う。
【0052】
図１６Ｅは、図１６Ｄに続く、実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。遮光膜６２をエッチングした後、図１６Ｅに示すように、レジスト膜９を除去する。これにより、フォトマスク６０Ａが得られる。
【0053】
図１７Ａ～図１７Ｅは、実施形態によるテンプレート６０Ｂの製造方法を示す断面図である。図１７Ａ～図１７Ｅに示すように、テンプレート６０Ｂの製造方法は、フォトマスク６０Ａの製造方法と基本的に同じである。テンプレート６０Ｂの製造方法は、エッチングで加工される対象が遮光膜６２ではなくテンプレートブランク６Ｂである点が、フォトマスク６０Ａの製造方法と異なる。
【0054】
実施形態によるフォトマスク６０Ａ、テンプレート６０Ｂの製造方法によれば、実施形態による近接効果補正方法を用いて調整された照射量の電子ビームＥＢを用いてマスクブランク６Ａ、テンプレートブランク６Ｂを露光することができる。これにより、表面形状にかかわらず近接効果が適切に補正された高い寸法精度のパターンを有するフォトマスク６０Ａ、テンプレート６０Ｂを得ることができる。このようなフォトマスク６０Ａ、テンプレート６０Ｂを半導体プロセスに適用することで、表面に段差やスロープを有するデバイス基板に正確な寸法のパターンを形成することができ、半導体装置を適切に製造することができる。
【0055】
図１Ａおよび図１Ｂに示される計算機２の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、計算機２の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ－ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。また、計算機２の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。
【0056】
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
【0057】
（付記）
（１）電子ビームの照射によって基板上にパターンを描画するための描画情報を取得し、
前記基板の表面形状に関する表面形状情報を取得し、
前記取得された描画情報および表面形状情報に基づいて、前記電子ビームが前記基板中で後方散乱することで生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を算出し、
前記算出されたエネルギー分布に基づいて前記電子ビームの必要エネルギー量を算出する、
ことを含む近接効果補正方法。
（２）前記表面形状情報は、段差によって異なる高さを有するように前記基板の表面上に配置された複数のフラット部の配置状態を示す第１配置情報と、前記複数のフラット部の高さを示す高さ情報とを含む（１）に記載の近接効果補正方法。
（３）前記エネルギー分布の算出は、前記描画情報と、前記第１配置情報と、前記高さ情報と、前記基板の表面上に配置されたスロープ部の傾斜角度と、前記スロープ部の傾斜向きとに基づく（２）に記載の近接効果補正方法。
（４）前記表面形状情報はさらに、前記スロープ部の配置状態を示す第２配置情報を含み、
前記エネルギー分布の算出はさらに、前記第２配置情報および前記高さ情報に基づいて前記傾斜角度および前記傾斜向きを算出することを含む（３）に記載の近接効果補正方法。
（５）前記表面形状情報はさらに、前記傾斜角度を示す傾斜角度情報と、前記傾斜向きを示す傾斜向き情報とを含む（３）に記載の近接効果補正方法。
（６）前記スロープ部は傾斜平面を有する（３）から（５）のいずれかに記載の近接効果補正方法。
（７）前記スロープ部は傾斜曲面を有する（３）から（５）のいずれかに記載の近接効果補正方法。
（８）前記描画情報を前記基板の表面の複数の領域にそれぞれ対応する複数の分割情報に分割することをさらに含み、
前記エネルギー分布の算出は、前記分割情報毎に行われ、
前記必要エネルギー量の算出は、前記算出された分割情報毎のエネルギー分布を積算した積算エネルギー分布に基づいて行われる（１）乃至（７）のいずれかに記載の近接効果補正方法。
（９）前記エネルギー分布の算出は、前記基板の表面上のフラット部に対応する分割情報において、ガウシアン分布に基づく（８）に記載の近接効果補正方法。
（１０）前記エネルギー分布の算出は、前記基板の表面上のスロープ部に対応する分割情報において、前記スロープ部の傾斜角度に応じた関数に基づく（８）または（９）に記載の近接効果補正方法。
（１１）前記エネルギー分布の算出は、スロープ部を介さずに隣り合う前記基板の表面上の複数のフラット部間の境界に対応する分割情報において、前記境界に位置する段差の大きさおよび前記境界からの距離に応じた関数に基づく（８）から（１０）のいずれかに記載の近接効果補正方法。
（１２）
（１）乃至（１１）のいずれかに記載の近接効果補正方法を用いて算出された必要エネルギー量に基づいて電子ビームの照射量を制御し、
前記制御された照射量の電子ビームを基板上に照射して前記基板上にパターンを描画する、
ことを含む原版製造方法。
（１３）前記基板上にレジスト膜を形成することをさらに含み、
前記パターンの描画は、前記レジスト膜に行われる（１２）に記載の原版製造方法。
（１４）前記パターンが描画された前記レジスト膜を現像し、
前記現像されたレジスト膜をマスクとして用いて前記基板を加工し、
前記加工された基板から前記レジスト膜を除去する、
ことをさらに含む（１３）に記載の原版製造方法。
（１５）前記原版は、フォトマスクである（１２）から（１４）のいずれかに記載の原版製造方法。
（１６）前記原版は、ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートである、（１２）から（１４）のいずれかに記載の原版製造方法。
（１７）算出された電子ビームの必要エネルギー量に基づいて、パターンを描画するために基板上に照射される電子ビームの照射量を制御する制御部を備え、
前記必要エネルギー量は、前記電子ビームが前記基板中で後方散乱することで生じる後方散乱ビームのエネルギー分布に基づくエネルギー量であり、
前記後方散乱ビームのエネルギー分布は、前記パターンを描画するための描画情報と、前記基板の表面形状に関する表面形状情報とに基づくエネルギー分布である、
描画装置。
（１８）前記描画情報と前記表面形状情報とに基づいて前記エネルギー分布を算出する第１算出部と、
前記算出されたエネルギー分布に基づいて前記必要エネルギー量を算出する第２算出部と、
をさらに備える（１７）に記載の描画装置。
（１９）前記制御部は、前記必要エネルギー量を算出する前記描画装置の外部の計算機から前記算出された必要エネルギー量を示す情報を取得する（１７）に記載の描画装置。
（１）電子ビームの照射によって基板上にパターンを描画するための描画情報を取得し、
前記基板の表面形状に関する表面形状情報を取得し、
前記取得された描画情報および表面形状情報に基づいて、前記電子ビームが前記基板中で後方散乱することで生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を算出し、
前記算出されたエネルギー分布に基づいて前記電子ビームの必要エネルギー量を算出する、
ことを含む近接効果補正方法。
（２）前記表面形状情報は、段差によって異なる高さを有するように前記基板の表面上に配置された複数のフラット部の配置状態を示す第１配置情報と、前記複数のフラット部の高さを示す高さ情報とを含む（１）に記載の近接効果補正方法。
（３）前記エネルギー分布の算出は、前記描画情報と、前記第１配置情報と、前記高さ情報と、前記基板の表面上に配置されたスロープ部の傾斜角度と、前記スロープ部の傾斜向きとに基づく（２）に記載の近接効果補正方法。
（４）前記表面形状情報はさらに、前記スロープ部の配置状態を示す第２配置情報を含み、
前記エネルギー分布の算出はさらに、前記第２配置情報および前記高さ情報に基づいて前記傾斜角度および前記傾斜向きを算出することを含む（３）に記載の近接効果補正方法。
（５）前記表面形状情報はさらに、前記傾斜角度を示す傾斜角度情報と、前記傾斜向きを示す傾斜向き情報とを含む（３）に記載の近接効果補正方法。
（６）前記スロープ部は傾斜平面を有する（３）から（５）のいずれかに記載の近接効果補正方法。
（７）前記スロープ部は傾斜曲面を有する（３）から（５）のいずれかに記載の近接効果補正方法。
（８）前記描画情報を前記基板の表面の複数の領域にそれぞれ対応する複数の分割情報に分割することをさらに含み、
前記エネルギー分布の算出は、前記分割情報毎に行われ、
前記必要エネルギー量の算出は、前記算出された分割情報毎のエネルギー分布を積算した積算エネルギー分布に基づいて行われる（１）乃至（７）のいずれかに記載の近接効果補正方法。
（９）前記エネルギー分布の算出は、前記基板の表面上のフラット部に対応する分割情報において、ガウシアン分布に基づく（８）に記載の近接効果補正方法。
（１０）前記エネルギー分布の算出は、前記基板の表面上のスロープ部に対応する分割情報において、前記スロープ部の傾斜角度に応じた関数に基づく（８）または（９）に記載の近接効果補正方法。
（１１）前記エネルギー分布の算出は、スロープ部を介さずに隣り合う前記基板の表面上の複数のフラット部間の境界に対応する分割情報において、前記境界に位置する段差の大きさおよび前記境界からの距離に応じた関数に基づく（８）から（１０）のいずれかに記載の近接効果補正方法。
（１２）
（１）乃至（１１）のいずれかに記載の近接効果補正方法を用いて算出された必要エネルギー量に基づいて電子ビームの照射量を制御し、
前記制御された照射量の電子ビームを基板上に照射して前記基板上にパターンを描画する、
ことを含む原版製造方法。
（１３）前記基板上にレジスト膜を形成することをさらに含み、
前記パターンの描画は、前記レジスト膜に行われる（１２）に記載の原版製造方法。
（１４）前記パターンが描画された前記レジスト膜を現像し、
前記現像されたレジスト膜をマスクとして用いて前記基板を加工し、
前記加工された基板から前記レジスト膜を除去する、
ことをさらに含む（１３）に記載の原版製造方法。
（１５）前記原版は、フォトマスクである（１２）から（１４）のいずれかに記載の原版製造方法。
（１６）前記原版は、ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートである、（１２）から（１４）のいずれかに記載の原版製造方法。
（１７）算出された電子ビームの必要エネルギー量に基づいて、パターンを描画するために基板上に照射される電子ビームの照射量を制御する制御部を備え、
前記必要エネルギー量は、前記電子ビームが前記基板中で後方散乱することで生じる後方散乱ビームのエネルギー分布に基づくエネルギー量であり、
前記後方散乱ビームのエネルギー分布は、前記パターンを描画するための描画情報と、前記基板の表面形状に関する表面形状情報とに基づくエネルギー分布である、
描画装置。
（１８）前記描画情報と前記表面形状情報とに基づいて前記エネルギー分布を算出する第１算出部と、
前記算出されたエネルギー分布に基づいて前記必要エネルギー量を算出する第２算出部と、
をさらに備える（１７）に記載の描画装置。
（１９）前記制御部は、前記必要エネルギー量を算出する前記描画装置の外部の計算機から前記算出された必要エネルギー量を示す情報を取得する（１７）に記載の描画装置。
【符号の説明】
【0058】
１：描画装置、２：計算機、３：制御装置、６ 基板、７ 描画データ、８ 表面形状データ
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図16E】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【図17D】
【図17E】
