特許 7549998 表示装置のための光源装置及び液晶表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-04

(45)【発行日】2024-09-12

(54)【発明の名称】表示装置のための光源装置及び液晶表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1343 20060101AFI20240905BHJP

   G02F 1/1347 20060101ALI20240905BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20240905BHJP

   G02F 1/13357 20060101ALI20240905BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1343

G02F1/1347

G02F1/1368

G02F1/13357

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2020150871

(22)【出願日】2020-09-08

(65)【公開番号】P2021071714

(43)【公開日】2021-05-06

【審査請求日】2023-09-01

(31)【優先権主張番号】P 2019194977

(32)【優先日】2019-10-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】518078142

【氏名又は名称】上海天馬微電子有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110001678

【氏名又は名称】藤央弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】池野 英徳

【審査官】磯崎 忠昭

(56)【参考文献】

【文献】特表２００８－５２１０４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１３／１６８６３８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－１１３２６９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／１３４３

Ｇ０２Ｆ １／１３４７

Ｇ０２Ｆ １／１３６８

Ｇ０２Ｆ １／１３３５７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示装置のための光源装置であって、
面状光源と、
モノクロ液晶パネルと、
を含み、
前記モノクロ液晶パネルは、複数の画素電極を含み、
前記複数の画素電極において、隣接する画素電極が１画素の中で部分的にオーバラップしており、
前記モノクロ液晶パネルは、前記複数の画素電極における一つの画素電極の部分を含み他の画素電極を含まない単一領域と、隣接する画素電極それぞれの部分を含むオーバラップ領域と、を含み、
前記隣接する画素電極は、第１画素電極と第２画素電極とで構成され、
前記第１画素電極と前記第２画素電極は、それぞれ、稜線部と、前記稜線部の両側の歯列と、を含み、
前記第１画素電極の歯列と前記第２画素電極の歯列とが部分的にオーバラップし、
前記稜線部は、平面視において隣接ゲート線の間かつ隣接データ線の間に配置されている、
光源装置。

【請求項2】

表示装置のための光源装置であって、
面状光源と、
モノクロ液晶パネルと、
を含み、
前記モノクロ液晶パネルは、複数の画素電極を含み、
前記複数の画素電極において、隣接する画素電極が１画素の中で部分的にオーバラップしており、
前記モノクロ液晶パネルは、前記複数の画素電極における一つの画素電極の部分を含み他の画素電極を含まない単一領域と、隣接する画素電極それぞれの部分を含むオーバラップ領域と、を含み、
前記隣接する画素電極は、第１画素電極と第２画素電極とで構成され、
前記第１画素電極と前記第２画素電極は、それぞれ、稜線部と、前記稜線部の両側の歯列と、を含み、
前記第１画素電極の歯列と前記第２画素電極の歯列とが部分的にオーバラップし、
前記稜線部は、平面視において、ゲート線及びデータ線の一方と同一方向に延びかつ重なっている、
光源装置。

【請求項3】

請求項１又は２に記載の光源装置であって、
前記モノクロ液晶パネルは、それぞれが第１軸に沿って配列された画素電極からなる複数の画素電極ラインを含み、
前記複数の画素電極ラインは前記第１軸に垂直な第２軸に沿った方向に配列され、
前記複数の画素電極ラインの各画素電極ラインにおいて、前記単一領域と前記オーバラップ領域とが交互に配列される、
光源装置。

【請求項4】

請求項１に記載の光源装置であって、
前記モノクロ液晶パネルは、それぞれが第１軸に沿って配列された画素電極からなる複数の画素電極ラインを含み、
前記複数の画素電極ラインは前記第１軸に垂直な第２軸に沿った方向に配列され、
前記複数の画素電極ラインの各画素電極ラインにおいて、前記単一領域と前記オーバラップ領域とが交互に配列され、
前記ゲート線及び前記データ線の一方は、前記第１軸に沿って延び、前記第２軸に沿って配列され、
前記ゲート線及び前記データ線の他方は、前記第２軸に沿って延び、前記第１軸に沿って配列されている、
光源装置。

【請求項5】

請求項２に記載の光源装置であって、
前記モノクロ液晶パネルは、それぞれが第１軸に沿って配列された画素電極からなる複数の画素電極ラインを含み、
前記複数の画素電極ラインは前記第１軸に垂直な第２軸に沿った方向に配列され、
前記複数の画素電極ラインの各画素電極ラインにおいて、前記単一領域と前記オーバラップ領域とが交互に配列され、
前記ゲート線及びデータ線の前記一方は、前記第２軸に沿って延び、前記第１軸に沿って配列されている、
光源装置。

【請求項6】

請求項１又は２に記載の光源装置であって、
前記オーバラップ領域において、前記第１画素電極の歯と前記第２画素電極の歯とが交互に配列されている、
光源装置。

【請求項7】

請求項１又は２に記載の光源装置であって、
前記オーバラップ領域において、前記第１画素電極の連続する複数の歯からなる第１グループと、前記第２画素電極の連続する複数の歯からなる第２グループとが、交互に配列されている、
光源装置。

【請求項8】

請求項１又は２に記載の光源装置であって、
前記複数の画素電極の各画素電極は、一方側で隣接する二つの画素電極と部分的にオーバラップし、他方側で隣接する二つの画素電極と部分的にオーバラップしている、
光源装置。

【請求項9】

請求項８に記載の光源装置であって、
前記単一領域において、前記画素電極と、前記画素電極と同一基板上の異なる層に形成された共通電極とが、液晶に与える電界を形成し、
前記オーバラップ領域において、前記隣接する画素電極が前記液晶に与える電界を形成する、
光源装置。

【請求項10】

カラー液晶パネルと、
モノクロ液晶パネルと、
面状光源と、を含み、
前記カラー液晶パネル、前記モノクロ液晶パネル、及び前記面状光源は、スタックされており、
前記モノクロ液晶パネルは、複数の画素電極を含み、
前記複数の画素電極において、隣接する画素電極が１画素の中で部分的にオーバラップしており、
前記モノクロ液晶パネルは、前記複数の画素電極における一つの画素電極の部分を含み他の画素電極を含まない単一領域と、隣接する画素電極それぞれの部分を含むオーバラップ領域と、を含み、
前記隣接する画素電極は、第１画素電極と第２画素電極とで構成され、
前記第１画素電極と前記第２画素電極は、それぞれ、稜線部と、前記稜線部の両側の歯列と、を含み、
前記第１画素電極の歯列と前記第２画素電極の歯列とが部分的にオーバラップし、
前記稜線部は、平面視において隣接ゲート線の間かつ隣接データ線の間に配置されている、
液晶表示装置。

【請求項11】

カラー液晶パネルと、
モノクロ液晶パネルと、
面状光源と、を含み、
前記カラー液晶パネル、前記モノクロ液晶パネル、及び前記面状光源は、スタックされており、
前記モノクロ液晶パネルは、複数の画素電極を含み、
前記複数の画素電極において、隣接する画素電極が１画素の中で部分的にオーバラップしており、
前記モノクロ液晶パネルは、前記複数の画素電極における一つの画素電極の部分を含み他の画素電極を含まない単一領域と、隣接する画素電極それぞれの部分を含むオーバラップ領域と、を含み、
前記隣接する画素電極は、第１画素電極と第２画素電極とで構成され、
前記第１画素電極と前記第２画素電極は、それぞれ、稜線部と、前記稜線部の両側の歯列と、を含み、
前記第１画素電極の歯列と前記第２画素電極の歯列とが部分的にオーバラップし、
前記稜線部は、平面視において、ゲート線及びデータ線の一方と同一方向に延びかつ重なっている、
液晶表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置のための光源装置及び液晶表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置は、低消費電力及び高精細化が可能という特徴を生かして、小型の携帯電話から大型のテレビモニタまで広い分野に適用されている。しかしながら、単独での液晶装置の暗所におけるコントラスト値は、高々１０００～２０００前後であり、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示装置の数百万：１に比較して、低いことが指摘されている。近年のＨＤＲ映像のように、黒部分の表現力が豊かな映像ソースを用いて表示を実施した場合、臨場感が不足すると言う問題点が指摘されている。

【0003】

この問題に対応するには、液晶表示装置のコントラスト比を大幅に引き上げる必要がある。しかし、上述のように、従来の液晶表示装置のコントラスト比は高々２０００：１程度であり、ＨＤＲ画像に要求される数万：１以上というコントラスト比を得ることはできない。

【0004】

液晶表示装置においてこのような問題に対処するために、複数枚の液晶パネルを重ねること（以下スタック）で、黒輝度を低下させ、コントラスト比を向上させることが提案されている。複数枚の液晶パネルを重ねることで、１枚の液晶パネルのコントラストを超えるコントラストを得ることが可能である。

【0005】

複数枚のスタックされた液晶パネルを含む液晶表示装置において、カラー表示を行う好ましい構成が、例えば、米国特許出願公開第２００７／０２４２１８６号に開示されている。最も観察者に近い液晶パネルがカラーフィルタを含み、その背面側にカラーフィルタを含まないモノクロ型の液晶パネルが配置される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】米国特許出願公開第２００７／０２４２１８６号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

スタックされた複数の液晶パネルを含む液晶表示装置の透過率は、複数の液晶パネルそれぞれの透過率の積となる。そのため、各液晶パネル透過率が低い場合、液晶表示装置全体の透過率が非常に小さくなる。したがって、スタックされた複数の液晶パネルを含む液晶表示装置の透過率を向上する技術が望まれる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示の一態様は、表示装置の光源装置であって、面状光源と、モノクロ液晶パネルと、を含む。前記モノクロ液晶パネルは、複数の画素電極を含む。前記複数の画素電極において、隣接する画素電極が１画素の中で部分的にオーバラップしている。前記モノクロ液晶パネルは、前記複数の画素電極における一つの画素電極の部分を含み他の画素電極を含まない単一領域と、隣接する画素電極それぞれの部分を含むオーバラップ領域と、を含む。

【発明の効果】

【0009】

本開示の一態様によれば、光源装置において使用されるモノクロ液晶パネルの透過率を向上する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施形態の液晶表示装置を模式的に示している。

【図2】カラー液晶パネルの表示領域における断面構造の例を示す。

【図3】モノクロ液晶パネルのＴＦＴ基板の比較構成例を模式的に示す平面図である。

【図4A】実施形態１のモノクロ液晶パネルのＴＦＴ基板の構成例を模式的に示す平面図である。

【図4B】図４ＡにおけるＩＶＢ－ＩＶＢ´切断線における断面図を示す。

【図5】画素電極の構造並びに隣接する画素電極との位置関係を示す。

【図6】他の画素電極の構造並びに隣接する画素電極との位置関係を示す。

【図7】三つの画素電極に与えられた信号電位及び複数の領域の表示階調との関係の例を示す。

【図8】三つの画素電極に与えられた信号電位及び複数の領域の表示階調との関係の他の例を示す。

【図9】一つの画素電極行内の二つの隣接する画素電極並びにそれらの周辺要素の構成例を模式的に示す平面図である。

【図10】図９におけるＡ－Ａ´切断線における断面図を示す。

【図11】画素電極のレイアウトの他の例を示す。

【図12】画素電極形状の他の例を示す。

【図13】画素電極レイアウトの他の例を示す。

【図14】図１３に示す画素電極レイアウトにおいて、ＩＰＳ型とＦＦＳ型の双方の駆動型を使用する例を示す。

【図15】画素電極形状の他の例を示す。

【図16】画素電極形状の他の例を示す。

【図17】画素電極形状の他の例を示す。

【図18】画素電極形状の他の例を示す。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、添付図面を参照して本開示の実施形態を説明する。本実施形態は本開示を実現するための一例に過ぎず、本開示の技術的範囲を限定するものではないことに注意すべきである。

【0012】

＜実施形態１＞
［液晶表示装置の構成］
図１は、本実施形態の液晶表示装置を模式的に示している。液晶表示装置１０は、制御装置１１０、及び、液晶表示モジュール１３０を含む。液晶表示モジュール１３０は、積層された複数の液晶パネルを含み、図１の構成例は、２つの液晶パネル１３１、１３２を含む。

【0013】

制御装置１１０は、外部から受信した画像信号の信号変換を行い、液晶表示モジュール１３０に画像を表示させるための信号を生成する。制御装置１１０は、生成した信号を、液晶表示モジュール１３０の液晶パネル１３１、１３２の駆動回路１３７、１３８それぞれに送信する。

【0014】

液晶表示モジュール１３０は、駆動回路１３７、１３８と、液晶パネル１３１と、液晶パネル１３２と、面状光源１３３とを含む。液晶パネル１３１は、カラー表示を行うカラー液晶パネルである。液晶パネル１３２は、モノクロ表示を行うモノクロ液晶パネルである。モノクロ液晶パネル１３２及び面状光源１３３は、光源装置を構成する。

【0015】

図１の構成例において、カラー液晶パネル１３１と面状光源１３３との間にモノクロ液晶パネル１３２が配置されている。他の構成例において、カラー液晶パネル１３１とモノクロ液晶パネル１３２の並び順は逆であってもよい。つまり、モノクロ液晶パネル１３２が観察者に近い位置に配置され、カラー液晶パネル１３１が、面状光源１３３に近い位置に配置される。

【0016】

駆動回路１３７及び１３８は、それぞれ、制御装置１１０から受信した信号に基づいて、カラー液晶パネル１３１及びモノクロ液晶パネル１３２を駆動する。面状光源１３３は、モノクロ液晶パネル１３２に、その背面側から光を照射する。モノクロ液晶パネル１３２は、入力される駆動信号に基づいて、面状光源１３３からの光の透過光量を制御する。モノクロ液晶パネル１３２を透過した光は、カラー液晶パネル１３１に入射する。カラー液晶パネル１３１は、入力される駆動信号に基づいて、画像を表示する。観察者は、面状光源１３３から液晶パネル１３２、１３１を透過した光により形成される表示画像を観察する。

【0017】

カラー液晶パネル１３１において、画素１４１は、隣接する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の副画素で構成される。モノクロ液晶パネル１３２における画素１４２は、副画素に分割されていない（一つの画素が一つの副画素で構成されている）。図１の例において、カラー液晶パネル１３１の画素サイズとモノクロ液晶パネル１３２の画素サイズは同一であり、カラー液晶パネル１３１の各画素１４１が、モノクロ液晶パネル１３２の各画素１４２に対応している。

【0018】

他の例において、カラー液晶パネル１３１の画素サイズとモノクロ液晶パネル１３２の画素サイズは異なり、カラー液晶パネル１３１の画素数とモノクロ液晶パネル１３２の画素数は異なっていてよい。例えば、カラー液晶パネル１３１の画素数は、モノクロ液晶パネル１３２の画素数より多くてよい。一例において、カラー液晶パネル１３１の所定数（例えば４又は１６）の画素が、モノクロ液晶パネル１３２の各画素と平面視において重なるように、配置される。

【0019】

一実装形態において、モノクロ液晶パネル１３２の画素境界は、平面視において、カラー液晶パネル１３１の画素境界と重なる。他の例において、モノクロ液晶パネル１３２の画素境界は、平面視において、カラー液晶パネル１３１の画素境界と重なっていなくてもよい。モノクロ液晶パネル１３２の一つの画素と平面視において重なるカラー液晶パネル１３１の画素の数は、モノクロ液晶パネル１３２の画素間で異なっていてもよい。

【0020】

上記構成例は、複数の液晶パネルのうちの一つにのみ、カラーフィルタ層を形成している。これにより、複数のカラーフィルタ層の位置関係のズレに起因する、見る角度に依存する表示輝度の大な変化を防止できる。なお、本実施形態において、液晶表示装置は３以上の液晶パネルを含むことができ、複数のカラー液晶パネルを含むことができる。

【0021】

［カラー液晶パネルの構成］
図２は、カラー液晶パネル１３１の表示領域における断面構造の例を示す。カラー液晶パネル１３１は、ＴＦＴ基板２００と、ＴＦＴ基板２００に対向する対向基板２５０と、を含む。ＴＦＴ基板２００と対向基板２５０との間には、液晶層２１１が挟まれている。ＴＦＴ基板２００は、絶縁基板２０２を含む。絶縁基板２０２は、ガラス又は樹脂からなる絶縁性の透明基板である。絶縁基板２０２は、例えば矩形であり、その一つの主面が対向基板２５０の一つの主面と対向している。絶縁基板２０２の液晶層２１１と反対側の主面上に、偏光板２０１が取り付けられている。

【0022】

絶縁基板２０２の液晶層２１１に対する主面上には、液晶層２１１に電界を与えるための画素電極２０３と共通電極（対向電極とも呼ばれる）２０４とが配列されている。画素電極２０３と共通電極２０４との各ペアが、一つの副画素の液晶に電界を与える。与えられえる電界によって、副画素の透過光量が変化する。絶縁基板２０２上には、制御する副画素を選択するための不図示の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイが形成されている。

【0023】

図２に示す構成例は、横電界制御型液晶パネルである。横電界制御型液晶パネルは、例えば、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型又はＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ－Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型液晶パネルである。図２においては、複数の副画素のうちの一つ副画素の画素電極及び共通電極のみが、それぞれ符号２０３及び２０４で指示されている。

【0024】

画素電極２０３と共通電極２０４を含む電極層を覆うように、配向膜２０５が積層されている。配向膜２０５は液晶層２１１と接触して、無電界時の液晶分子の配列状態（初期配向）を規定する。

【0025】

図２の構成例において、対向基板２５０は、カラーフィルタ（ＣＦ）を含むＣＦ基板である。対向基板２５０は、ガラス又は樹脂からなる絶縁基板２４１を含む。絶縁基板２４１は、例えば矩形である。絶縁基板２４１の液晶層２１１と反対側の主面上に、偏光板２４２が取り付けられている。

【0026】

絶縁基板２４１の液晶層２１１の側の主面上に、画素を画定する格子状のブラックマトリックス２２４が積層されている。赤、緑、青のいずれかのカラーフィルタ２２３が、ブラックマトリックス２２４で囲まれている各副画素の領域に形成されている。

【0027】

カラーフィルタ２２３上に、絶縁性のオーバコート層２２２が積層されている。オーバコート層２２２は省略されてもよい。オーバコート層２２２上に、配向膜２２１が積層されている。配向膜２２１は、液晶層２１１に接触し、無電界時の液晶分子の配列状態（初期配向）を規定する。

【0028】

ＴＦＴ基板２００又は対向基板２５０の一方が、観察者が存在する前側であり、他方が後側である。つまり、面状光源１３３は、図２が示す液晶パネルのＴＦＴ基板２００側又は対向基板２５０側に配置される。

【0029】

液晶層２１１は、各副画素における透過光量を、画素電極２０３と共通電極２０４との間の電界に応じて制御する。駆動回路１３７は、各副画素を対応するＴＦＴによって選択し、その画素電極２０３と共通電極２０４それぞれの電位を制御する。駆動回路１３７は、画像データに応じて、各副画素の画素電極２０３と共通電極２０４それぞれの電位を制御して、副画素の透過光量を制御する。

【0030】

モノクロ液晶パネル１３２の構成において、図２に示すカラー液晶パネル１３１の構成例から、カラーフィルタ２２３、及びブラックマトリックス２２４が省略される。ブラックマトリックスが形成されていないため、モノクロ液晶パネル１３２の開口率が向上でする。さらに、後述するように、モノクロ液晶パネル１３２のＴＦＴ基板は、カラー液晶パネル１３１のＴＦＴ基板２００と異なる構成を有している。

【0031】

カラー液晶パネル１３１及びモノクロ液晶パネル１３２は、図２に示すような又は以下に説明するような横電界制御型液晶パネル、とは異なる縦電界制御液晶パネル、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）又はＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）液晶パネルを使用することができる。また、モノクロ液晶パネル１３２は、画素を囲む（画素境界に沿った）ブラックマトリックスを含んでもよい。

【0032】

［モノクロ液晶パネルの比較例］
図３は、モノクロ液晶パネルのＴＦＴ基板の比較構成例を模式的に示す平面図である。図３は、比較構成例のモノクロ液晶パネル３００の４本の連続するデータ線３０２Ａ～３０２Ｄ、２本の連続するゲート線３０４Ａ及び３０４Ｂ、並びに、三つの連続する画素電極３０６Ａ、３０６Ｂ及び３０６Ｃを示す。

【0033】

画素電極３０６Ａは、ゲート線３０４Ａ及び３０４Ｂ並びにデータ線３０２Ａ及び３０２Ｂに囲まれている。データ線３０２Ａは、ゲート線３０４Ｂに制御されるＴＦＴを介して、データ信号を画素電極３０６Ａに供給する。画素電極３０６Ｂは、ゲート線３０４Ａ及び３０４Ｂ並びにデータ線３０２Ｂ及び３０２Ｃに囲まれている。データ線３０２Ｂは、ゲート線３０４Ｂに制御されるＴＦＴを介して、データ信号を画素電極３０６Ｂに供給する。画素電極３０６Ｃは、ゲート線３０４Ａ及び３０４Ｂ並びにデータ線３０２Ｃ及び３０２Ｄに囲まれている。データ線３０２Ｃは、ゲート線３０４Ｂに制御されるＴＦＴを介して、データ信号を画素電極３０６Ｃに供給する。

【0034】

画素電極３０６Ａ、３０６Ｂ及び３０６Ｃは、それぞれ、不図示の共通電極との間で電界を生成して、対応する画素領域の透過光量（輝度）を制御する。図３の例において、例えば、隣接するデータ線と隣接するゲート線とに囲まれた領域（データ線及びゲート線の一部を含む）が画素領域である。図３の例において、画素電極３０６Ａ、３０６Ｂ及び３０６Ｃは、横格子状であって、矩形の枠と枠内で離間して配列された複数のストリップとを含む。ストリップは、ゲート線に沿って延び、データ線に沿って配列されている。各ストリップの両端は枠と繋がっている。

【0035】

図３に示す比較構成例は、画素電極３０６Ａ、３０６Ｂ及び３０６Ｃをそれぞれ独立に制御して、対応する画素それぞれの透過光量（輝度）を制御する。画素電極３０６Ａ、３０６Ｂ及び３０６Ｃは互いに離間しており、各画素の透過光量は、対応する画素電極の信号電位のみによって決まる。図３に示すように、例えば、画素電極３０６Ａの画素は白、画素電極３０６Ｂの画素は黒、画素電極３０６Ｃの画素は白、をそれぞれ独立に表示する。

【0036】

上述のように、隣接する画素電極による輝度が独立に制御される構成は、隣接する画素間での高コントラスト比による表示を可能とする。しかし、スタックされた複数枚の液晶パネルにより表示を行う場合、この例のように隣接画素間で高コントラスト比（高い空間周波数）を実現する構成は、観察者の目の焦点をモノクロ液晶パネルに合わせ、２重像を視認させ得る。

【0037】

そのため、モノクロ液晶パネルの画像は、拡散処理によりぼかすことが重要である。拡散処理を行うためには、モノクロ液晶パネルの解像度を上げる必要があるが、それによりデータ線が増加し、透過率（開口率）が減少する。スタックされた複数の液晶パネルを含む液晶表示装置の透過率は、複数の液晶パネルそれぞれの透過率の積となる。そのため、各液晶パネル透過率が低い場合、液晶表示装置全体の透過率が非常に小さくなる。

【0038】

［モノクロ液晶パネルの画素電極レイアウト］
図４Ａは、本実施形態のモノクロ液晶パネル１３２のＴＦＴ基板の構成例を模式的に示す平面図である。以下に説明する構成例は、ＦＦＳ型液晶パネルである。図４Ａは、表示領域における部分領域の構成を示す。具体的には、図４Ａは、モノクロ液晶パネル１３２の４本の連続するデータ線４０２Ａ～４０２Ｄ、２本の連続するゲート線４０４Ａ及び４０４Ｂ、五つの連続する画素電極４０６Ａ～４０６Ｅ、並びに画素電極４０６Ａ、４０６Ｂ、及び４０６Ｃそれぞれに対応するＴＦＴ４０８Ａ、４０８Ｂ及び４０８Ｃを示す。モノクロ液晶パネル１３２は、さらに、画素電極４０６Ａ、４０６Ｂ及び４０６Ｃそれぞれとの間で電界を生成する不図示の共通電極を含む。

【0039】

モノクロ液晶パネル１３２は、データ線４０２Ａ～４０２Ｄを含む複数のデータ線を含み、データ線それぞれは図４ＡにけるＹ軸（第１軸又は第２軸の例）に沿って延び、Ｙ軸に垂直なＸ軸（第２軸又は第１軸の例）に沿って配列されている。モノクロ液晶パネル１３２は、ゲート線４０４Ａ、４０４Ｂを含む複数のゲート線を含み、ゲート線それぞれはＸ軸に沿って延び、Ｙ軸に沿って配列されている。

【0040】

画素電極４０６Ａ～４０６Ｅは、Ｘ軸に沿って配列された複数の画素電極からなる一つの画素電極行に含まれる、連続する画素電極である。モノクロ液晶パネル１３２は、Ｙ軸に沿って配列された複数の画素電極行を含む。画素電極４０６Ａ～４０６Ｅは、それぞれ、両歯櫛形状を有している。画素電極４０６Ａ及び４０６Ｃは同一形状を有する。

【0041】

画素電極４０６Ｂ、４０６Ｄ、４０６Ｅは、同一形状を有する。画素電極４０６Ａ及び４０６Ｃは、画素電極４０６Ｂ、４０６Ｄ、４０６Ｅと異なる形状を有している。異なる形状を有する２種類の画素電極が、Ｘ軸に沿って、交互に配列されている。画素電極の形状の詳細は後述する。

【0042】

図４Ａの構成例において、画素電極４０６Ａは、ゲート線４０４Ａ及び４０４Ｂの間に配置されている。画素電極４０６Ａの中央部を含む一部は、データ線４０２Ａ及び４０２Ｂの間に配置されている。画素電極４０６Ａの他の一部は、データ線４０２Ａ及びデータ線４０２Ｂの反対側でデータ線４０２Ａに隣接するデータ線の間に配置されている。画素電極４０６Ａの他の一部は、データ線４０２Ｂ及びデータ線４０２Ｃの間に配置されている。

【0043】

画素電極４０６Ｂは、ゲート線４０４Ａ及び４０４Ｂの間に配置されている。画素電極４０６Ｂの中央部を含む一部は、データ線４０２Ｂ及び４０２Ｃの間に配置されている。画素電極４０６Ｂの他の一部は、データ線４０２Ａ及びデータ線４０２Ｂの間に配置されている。画素電極４０６Ｂの他の一部は、データ線４０２Ｃ及びデータ線４０２Ｄの間に配置されている。

【0044】

画素電極４０６Ｃは、ゲート線４０４Ａ及び４０４Ｂの間に配置されている。画素電極４０６Ｃの中央部を含む一部は、データ線４０２Ｃ及び４０２Ｄの間に配置されている。画素電極４０６Ｃの他の一部は、データ線４０２Ｂ及びデータ線４０２Ｃの間に配置されている。画素電極４０６Ｃの他の一部は、データ線４０２Ｄ及びデータ線４０２Ｃの反対側でデータ線４０２Ｄに隣接するデータ線の間に配置されている。

【0045】

データ線４０２Ａは、ゲート線４０４Ｂに制御されるＴＦＴ４０８Ａを介して、データ信号を画素電極４０６Ａに供給する。データ線４０２Ｂは、ゲート線４０４Ｂに制御されるＴＦＴ４０８Ｂを介して、データ信号を画素電極４０６Ｂに供給する。データ線４０２Ｃは、ゲート線４０４Ｂに制御されるＴＦＴ４０８Ｃを介して、データ信号を画素電極４０６Ｃに供給する。

【0046】

図４Ａにおいて、図示されたＴＦＴは、各画素電極に対して１個である。しかし、１個のＴＦＴでは、所定の期間内に画素電極へ信号電圧を十分に供給できない場合がある。その場合、ＴＦＴの数を増やし（たとえば２個）、信号電圧の供給経路を増やすことで解決できる。これは、以後の実施形態でも同様である。

【0047】

図４Ａにおいて、画素領域４００Ａ、４００Ｂ及び４００Ｃは、それぞれ破線で囲まれている。画素電極４０６Ａに対応する画素領域４００Ａは、ゲート線４０４Ａ及び４０４Ｂ並びにデータ線４０２Ａ及び４０２Ｂで囲まれた領域を含む。画素領域４００Ａは、さらに、それらゲート線及びデータ線の一部を含む。画素領域４００Ａは、画素電極４０６Ａの中央を含む一部に加え、画素電極４０６Ａの両側の隣接する画素電極４０６Ｅ及び４０６Ｂの一部を含む。

【0048】

画素電極４０６Ｂに対応する画素領域４００Ｂは、ゲート線４０４Ａ及び４０４Ｂ並びにデータ線４０２Ｂ及び４０２Ｃで囲まれた領域を含む。画素領域４００Ｂは、さらに、それらゲート線及びデータ線の一部を含む。画素領域４００Ｂは、画素電極４０６Ｂの中央を含む一部に加え、画素電極４０６Ｂの両側の隣接する画素電極４０６Ａ及び４０６Ｃの一部を含む。

【0049】

画素電極４０６Ｃに対応する画素領域４００Ｃは、ゲート線４０４Ａ及び４０４Ｂ並びにデータ線４０２Ｃ及び４０２Ｄで囲まれた領域を含む。画素領域４００Ｃは、さらに、それらゲート線及びデータ線の一部を含む。画素領域４００Ｃは、画素電極４０６Ｃの中央を含む一部に加え、画素電極４０６Ｃの両側の隣接する画素電極４０６Ｂ及び４０６Ｄの一部を含む。

【0050】

図４Ａに示すように、各画素電極は、Ｘ軸において隣接する画素電極と部分的に重なっている。例えば、画素電極４０６Ｂは、両側の隣接画素電極４０６Ａ及び４０６Ｃと、それぞれ部分的に重なっており、画素電極４０６Ｃは、両側の隣接画素電極４０６Ｂ及び４０６Ｄと、それぞれ部分的に重なっている。

【0051】

画素領域は、対応する画素電極の中央の一部を含むと共に、対応する画素電極に隣接する画素電極の一部を含む。つまり、隣接する画素電極の一部が、画素領域内に入り込んでいる。例えば、画素領域４００Ｂは、電極４０６Ｂの一部、並びに、その両側の隣接画素電極４０６Ａ及び４０６Ｃそれぞれの一部を含む。画素領域４００Ｃは、電極４０６Ｃの一部、並びに、その両側の隣接画素電極４０６Ｂ及び４０６Ｄそれぞれの一部を含む。

【0052】

図４Ｂは、図４ＡにおけるＩＶＢ－ＩＶＢ´切断線における断面図を示す。本構成例の液晶パネルは、ＦＦＳ型である。モノクロ液晶パネル１３２のＴＦＴ基板は、絶縁基板４６１を含む。絶縁基板４６１は、ガラス又は樹脂からなる絶縁性の透明基板である。図４Ｂにおいて、偏光板は省略されている。絶縁基板４６１の液晶層（図４Ｂにおいて不図示）に対する主面上には、ゲート線４０４Ｂが形成されている。ゲート線４０４Ｂは、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒなどを使用した金属又は合金の単層又は多層構造を有する。

【0053】

第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）４６２が、ゲート線４０４Ｂを覆うように形成されている。第１絶縁膜は、例えば、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜である。ＴＦＴ４０８Ａに含まれる半導体膜４６３が、第１絶縁膜４６２上に、平面視においてゲート線４０４Ｂと重なるように形成されている。さらに、データ線４０２Ｂが、第１絶縁膜４６２上に半導体膜４６３と接触して形成されている。データ線４０２Ｂと同一金属層に含まれる相互接続部４６４が、データ線４０２Ｂから離間し、半導体膜４６３上に接触して形成されている。

【0054】

第２絶縁膜４６５及び層間絶縁膜４６６が、データ線４０２Ｂを覆うように形成されている。第２絶縁膜４６５は、例えば、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜であり、層間絶縁膜４６６は、例えば、ポリイミドのような有機膜である。層間絶縁膜４６６は省略してもよい。

【0055】

共通電極４６７が、層間絶縁膜４６６上に形成されている。共通電極４６７は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で形成されている。第３絶縁膜４６８が、共通電極４６７を覆うように形成されている。第３絶縁膜４６８は、例えば、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜である。

【0056】

相互接続部４６４が露出するように、ビアホールが、第３絶縁膜４６８、第２絶縁膜４６５及び層間絶縁膜４６６に形成されている。ビアホールにおいて、画素電極４０６Ａと連続するビア４６９が、相互接続部４６４と接触している。ビア４６９及び画素電極４０６Ｂは、画素電極４０６Ａと同一金属層に含まれる。当該金属層は、例えば、ＩＴＯで形成されている。

【0057】

図４Ａ、４Ｂにおいて、画素電極４０６Ａと４０６Ｂは、同一金属層で形成されている。しかし、画素電極４０６Ａと画素電極４０６Ｂがオーバーラッブする部分において、製造工程などで電極間に異物が付着すると、電極が短絡し、表示欠点が発生する可能性がある。そこで、画素電極４０６Ａと画素電極４０６Ｂの短絡を防ぐため、これらを異なる層で形成してもよい。

【0058】

図５は、画素電極４０６Ｂの構造並びに隣接する画素電極４０６Ａ及び４０６Ｃとの位置関係を示す。画素電極４０６Ｂは、両歯櫛形状を有しており、Ｙ軸に沿って延びる中央の稜線部５０１と、稜線部５０１からＸ軸に沿って、両側それぞれに延びる複数の歯とを含む。画素電極４０６Ｂは、稜線部５０１の両側に歯列を含み、各歯列は、Ｙ軸に沿って所定の間隔を置いて配列されている複数の歯で構成されている。各歯列は、交互に配列された長さが異なる２種類の歯で構成されている。

【0059】

図５は、例として、稜線部５０１から右側に延びる二つの歯を符号５０３Ａ及び５０５Ａで指示し、稜線部５０１から左側に延びる二つの歯を符号５０３Ｂ及び５０５Ｂで指示する。歯５０３Ａ及び５０３Ｂは長い歯であり、歯５０５Ａ及び５０５Ｂは短い歯である。例えば、短い歯の長さは長い歯の略半分である。

【0060】

歯５０３Ａ及び５０３Ｂは、Ｙ軸において同一の位置にあり、同一の長さを有している。歯５０５Ａ及び５０５Ｂは、Ｙ軸において同一の位置にあり、同一の長さを有している。歯５０３Ａ及び５０３Ｂは、歯列の端に位置する。歯５０５Ａ及び５０５Ｂは、それぞれ、歯５０３Ａ及び５０３Ｂに隣接している。各歯列において、長い歯が両端に存在する。

【0061】

図５に示す構造例は、稜線部５０１の両側の長い歯がＹ軸において同一の位置にあるが、これらの位置が異なっていてもよい。同様に、短い歯がＹ軸において同一の位置にあるが、これらの位置が異なっていてもよい。稜線部５０１の両側の歯の数は同一でも異なっていてもよい。歯列は１種類又は２種類をより多い長さの歯を含んでく、両側の歯列を構成する歯の長さの種類が異なっていてもよい。図５の例において歯の幅（Ｙ軸に沿った長さ）は共通であるが、幅が歯間で異なっていてもよい。

【0062】

図５に示すように、画素領域４００Ｂは、二つのオーバラップ領域４５１及び４５３それぞれの一部と、オーバラップ領域４５１及び４５３に挟まれた単一領域４５２と、を含む。オーバラップ領域４５１、単一領域４５２及びオーバラップ領域４５３は、Ｘ軸に沿って並んでいる。

【0063】

単一領域４５２は、画素電極４０６Ｂ（の部分）のみを含み、他の画素電極は単一領域４５２内に存在しない。具体的には、画素電極４０６Ｂの稜線部５０１及びその両側の歯の一部が、単一領域４５２に含まれている。具体的には、単一領域４５２内に、全ての短い歯の全体及び全ての長い歯の稜線部５０１に近い部分が存在している。

【0064】

隣接する画素電極４０６Ａ及び４０６Ｂは、オーバラップ領域４５１において、オーバラップする。オーバラップ領域４５１の一部は画素領域４００Ｂに含まれ、オーバラップ領域４５１の他の一部は画素領域４００Ａに含まれる。オーバラップ領域４５１において、画素電極４０６Ａの長い歯の列と画素電極４０６Ｂの長い歯の列とが、オーバラップしている。図５において、画素電極４０６Ａの一つの長い歯が、例として符号５２１で指示されている。

【0065】

オーバラップ領域４５１において、画素電極４０６Ａの長い歯の歯列と画素電極４０６Ｂの長い歯の歯列がかみ合うように配置されている。画素電極４０６Ａの各長い歯は、画素電極４０６Ｂの隣接する長い歯の間に入り込んでいる。画素電極４０６Ｂの両端以外の各長い歯は、画素電極４０６Ａの隣接する長い歯の間に入り込んでいる。オーバラップ領域４５１において、画素電極４０６Ｂの長い歯と画素電極４０６Ａの長い歯とが、Ｙ軸に沿って、交互に配列される。

【0066】

画素電極４０６Ａの各長い歯の先端部を含む一部が、画素電極４０６Ｂの隣接する長い歯の間に存在している。画素電極４０６Ｂの隣接する長い歯の間には、画素電極４０６Ｂの短い歯が存在している。図５の例において、画素電極４０６Ｂの短い歯と画素電極４０６Ａの長い歯とはＹ軸における同一の位置にあり、それらの先端が対向している。画素電極４０６Ｂの短い歯と画素電極４０６Ａの長い歯のＹ軸における位置は異なっていてもよい。

【0067】

隣接する画素電極４０６Ｂ及び４０６Ｃは、オーバラップ領域４５３において、オーバラップする。オーバラップ領域４５３の一部は画素領域４００Ｂに含まれ、オーバラップ領域４５３の他の一部は画素領域４００Ｃに含まれる。オーバラップ領域４５３において、画素電極４０６Ｂの長い歯の列と画素電極４０６Ｃの長い歯の列とが、オーバラップしている。図５において、画素電極４０６Ｃの一つの長い歯が、例として符号５５５Ｂで指示されている。

【0068】

オーバラップ領域４５３において、画素電極４０６Ｂの長い歯の歯列と画素電極４０６Ｃの長い歯の歯列がかみ合うように配置されている。画素電極４０６Ｃの各長い歯は、画素電極４０６Ｂの隣接する長い歯の間に入り込んでいる。画素電極４０６Ｂの両端以外の各長い歯は、画素電極４０６Ｃの隣接する長い歯の間に入り込んでいる。オーバラップ領域４５３において、画素電極４０６Ｂの長い歯と画素電極４０６Ｃの長い歯とが、Ｙ軸に沿って、交互に配列される。

【0069】

画素電極４０６Ｃの各長い歯の先端部を含む一部が、画素電極４０６Ｂの隣接する長い歯の間に存在している。画素電極４０６Ｂの隣接する長い歯の間には、画素電極４０６Ｂの短い歯が存在している。図５の例において、画素電極４０６Ｂの短い歯と画素電極４０６Ｃの長い歯とはＹ軸における同一の位置にあり、それらの先端が対向している。画素電極４０６Ｂの短い歯と画素電極４０６Ｃの長い歯のＹ軸における位置は異なっていてもよい。

【0070】

図５の構成例において、オーバラップ領域４５１及び４５３並びに単一領域４５２における歯状の電極のトータル面積は略同一である。図５の構成例において、単一領域４５２内の画素電極４０６ＢのＹ軸における同一位置の短い歯のペアの数及びＹ軸における同一位置の長い歯のペアの数の和は、オーバラップ領域４５１における画素電極４０６Ａの長い歯の数及び画素電極４０６Ｂの長い歯の数の和、と一致する。同様に、単一領域４５２内の短い歯のペアの数及び長い歯のペアの数の和は、オーバラップ領域４５３における画素電極４０６Ｂの長い歯の数及び画素電極４０６Ｃの長い歯の数の和、と一致する。

【0071】

図５の構成例のオーバラップ領域４５１及び４５３において、二つの画素電極の面積は異なっている。具体的には、オーバラップ領域４５１において、画素電極４０６Ｂの面積（歯のトータル面積）が画素電極４０６Ａの面積（歯のトータル面積）よりも大きく、オーバラップ領域４５３において、画素電極４０６Ｂの面積が画素電極４０６Ｃの面積よりも大きい。他の例において、オーバラップ領域における二つの画素電極の面積は同一であってもよい。

【0072】

図６は、画素電極４０６Ｃの構造並びに隣接する画素電極４０６Ｂ及び４０６Ｄとの位置関係を示す。画素電極４０６Ｃは、両歯櫛形状を有しており、Ｙ軸に沿って延びる中央の稜線部５５１と、稜線部５５１からＸ軸に沿って、両側それぞれに延びる複数の歯とを含む。画素電極４０６Ｃは、稜線部５５１の両側に歯列を含み、各歯列は、Ｙ軸に沿って所定の間隔を置いて配列されている複数の歯で構成されている。各歯列は、交互に配列された長さが異なる２種類の歯で構成されている。

【0073】

図６は、例として、稜線部５５１から右側に延びる二つの歯を符号５５３Ａ及び５５５Ａで指示し、稜線部５５１から左側に延びる二つの歯を符号５５３Ｂ及び５５５Ｂで指示する。歯５５３Ａ及び５５３Ｂは短い歯であり、歯５５５Ａ及び５５５Ｂは長い歯である。例えば、短い歯の長さは長い歯の略半分である。

【0074】

歯５５３Ａ及び５５３Ｂは、Ｙ軸において同一の位置にあり、同一の長さを有している。歯５５５Ａ及び５５５Ｂは、Ｙ軸において同一の位置にあり、同一の長さを有している。歯５５３Ａ及び５５３Ｂは、歯列の端に位置する。歯５５５Ａ及び５５５Ｂは、それぞれ、歯５５３Ａ及び５５３Ｂに隣接している。各歯列において、短い歯が両端に存在する。

【0075】

図６に示す構造例は、稜線部５５１の両側の短い歯がＹ軸において同一の位置にあるが、これらの位置が異なっていてもよい。同様に、長い歯がＹ軸において同一の位置にあるが、これらの位置が異なっていてもよい。稜線部５５１の両側の歯の数は同一でも異なっていてもよい。歯列は１種類又は２種類をより多い長さの歯を含んでく、両側の歯列を構成する歯の長さの種類が異なっていてもよい。図６の例において歯の幅（Ｙ軸に沿った長さ）は共通であるが、幅が歯間で異なっていてもよい。

【0076】

図６に示すように、画素領域４００Ｃは、二つのオーバラップ領域４５３及び４５５それぞれの一部と、オーバラップ領域４５３及び４５５に挟まれた単一領域４５４と、を含む。オーバラップ領域４５３、単一領域４５４及びオーバラップ領域４５５は、Ｘ軸に沿って並んでいる。

【0077】

単一領域４５４は、画素電極４０６Ｃ（の部分）のみを含み、他の画素電極は単一領域４５４内に存在しない。具体的には、画素電極４０６Ｃの稜線部５５１及びその両側の歯の一部が、単一領域４５４に含まれている。具体的には、単一領域４５４内に、全ての短い歯の全体及び全ての長い歯の稜線部５５１に近い部分が存在している。

【0078】

上述のように、隣接する画素電極４０６Ｃ及び４０６Ｂは、オーバラップ領域４５３において、オーバラップする。画素電極４０６Ｂの各長い歯の先端部を含む一部が、画素電極４０６Ｃの隣接する長い歯の間に存在している。画素電極４０６Ｃの隣接する長い歯の間には、画素電極４０６Ｃの短い歯が存在している。図６の例において、画素電極４０６Ｃの短い歯と画素電極４０６Ｂの長い歯とはＹ軸における同一の位置にあり、それらの先端が対向している。画素電極４０６Ｃの短い歯と画素電極４０６Ｂの長い歯のＹ軸における位置は異なっていてもよい。

【0079】

隣接する画素電極４０６Ｃ及び４０６Ｄは、オーバラップ領域４５５において、オーバラップする。オーバラップ領域４５５の一部は画素領域４００Ｃに含まれ、オーバラップ領域４５５の他の一部は画素領域４００Ｄに含まれる。オーバラップ領域４５５において、画素電極４０６Ｃの長い歯の列と画素電極４０６Ｄの長い歯の列とが、オーバラップしている。図６において、画素電極４０６Ｄの一つの長い歯が、例として符号５７１で指示されている。

【0080】

オーバラップ領域４５５において、画素電極４０６Ｃの長い歯の歯列と画素電極４０６Ｄの長い歯の歯列がかみ合うように配置されている。画素電極４０６Ｃの各長い歯は、画素電極４０６Ｄの隣接する長い歯の間に入り込んでいる。画素電極４０６Ｄの両端以外の各長い歯は、画素電極４０６Ｃの隣接する長い歯の間に入り込んでいる。オーバラップ領域４５５において、画素電極４０６Ｃの長い歯と画素電極４０６Ｄの長い歯とが、Ｙ軸に沿って、交互に配列される。

【0081】

画素電極４０６Ｄの長い歯の先端部を含む一部が、画素電極４０６Ｃの隣接する長い歯の間に存在している。画素電極４０６Ｃの隣接する長い歯の間には、画素電極４０６Ｃの短い歯が存在している。図６の例において、画素電極４０６Ｃの短い歯と画素電極４０６Ｄの長い歯とはＹ軸における同一の位置にあり、それらの先端が対向している。画素電極４０６Ｃの短い歯と画素電極４０６Ｄの長い歯のＹ軸における位置は異なっていてもよい。

【0082】

図６の構成例において、オーバラップ領域４５３及び４５５並びに単一領域４５４における歯状の電極のトータル面積は略同一である。図６の構成例において、単一領域４５４内の画素電極４０６ＣのＹ軸における同一位置の短い歯のペアの数及びＹ軸における同一位置の長い歯のペアの数の和は、オーバラップ領域４５３における画素電極４０６Ｂの長い歯の数及び画素電極４０６Ｃの長い歯の数の和、と一致する。同様に、単一領域４５４内の短い歯のペアの数及び長い歯のペアの数の和は、オーバラップ領域４５５における画素電極４０６Ｃの長い歯の数及び画素電極４０６Ｄの長い歯の数の和、と一致する。

【0083】

図６の構成例のオーバラップ領域４５５において、二つの画素電極のトータル面積は異なっている。具体的には、オーバラップ領域４５５において、画素電極４０６Ｃの面積（歯のトータル面積）が画素電極４０６Ｄの面積（歯のトータル面積）よりも小さい。他の例において、オーバラップ領域における二つの画素電極の面積は同一である。

【0084】

上述のように、ゲート線に沿って配列された各画素電極行において、隣接する画素電極が部分的にオーバラップしている。画素電極行において、オーバラップ領域と単一領域とが、交互に配列されている。オーバラップ領域の一部は、隣接する二つの画素領域の一方に含まれ、他の一部は隣接する画素領域の他方に含まれる。単一領域は、一つの画素領域に包含されている。

【0085】

上述するように、隣接する二つの画素電極それぞれ（の一部）が、オーバラップ領域に存在している。駆動回路１３８は、Ｘ軸に沿って配列された画素電極行に、共通電位について同一極性の信号電位を与え、隣接する画素電極行に対して、共通電位について同一又は反対極性の信号電位を与える。オーバラップ領域内の二つの画素電極は同一極性の信号電位が与えられるため、二つの画素電極の単一領域の信号電位の間の信号電位がオーバラップ領域の液晶に与えられる。つまり、単一領域の間のオーバラップ領域の階調レベルは、二つの単一領域の階調レベルの間にある。なお、駆動回路１３８は、フレーム毎に各電極に与える信号電位の極性を反転させる。

【0086】

図７は、三つの画素電極４０６Ａ、４０６Ｂ及び４０６Ｃに与えられた信号電位及び複数の領域の表示階調との関係の例を示す。図７の例において、画素電極４０６Ａ及び４０６Ｃは、白を表示する信号電位（例えば共通電位との差が最大の電位）が与えられ、画素電極４０６Ｂは黒を表示する信号電位（例えば共通電位）が与えられている。

【0087】

画素電極４０６Ａ及び４０６Ｃの単一領域４５０及び４５４は白を表示する。画素電極４０６Ｂの単一領域４５２は黒を表示する。単一領域４５０と単一領域４５２との間のオーバラップ領域４５１、及び、単一領域４５２と単一領域４５４との間のオーバラップ領域４５３は、それぞれ、灰を表示する。

【0088】

図５において、単一領域４５２とオーバラップ領域４５１、４５３の間にある画素電極の歯５２１と歯５０５Ｂが対向している部分、及び、歯５０５Ａと歯５５５Ｂが対向している部分では、画素電極に与えられた信号電位による電界が不連続である。そのため、液晶の配向も不連続となってディスクリネーションが生じやすい。これに対して、画素電極の歯の先端部に、液晶の配向方向を制御するための不図示の液晶配向制御構造を形成してもよい。図６の構成例及び後述の実施例においても同様である。この液晶配向制御構造により、図７のように信号電位に応じたディスクリネーションがない表示が可能になる。

【0089】

図８は、三つの画素電極４０６Ａ、４０６Ｂ及び４０６Ｃに与えられた信号電位及び複数の領域の表示階調との関係の他の例を示す。図８の例において、画素電極４０６Ａ、４０６Ｂ及び４０６Ｃは、白を表示する信号電位が与えられている。単一領域４５０、４２、４５４及びオーバラップ領域４５１、４５３は、それぞれ、白を表示する。黒の表示についても同様の説明が適用できる。

【0090】

上述のように、隣接する二つの画素電極が異なる階調レベルの信号電位を与えられる場合、オーバラップ領域は、両側の単一領域の階調レベルの間の階調レベルを表示する。隣接する二つの画素電極が同一階調レベルの信号電位を与えられる場合、オーバラップ領域は、両側の単一領域の階調レベルと同一の階調レベルを表示し、対応する二つの画素全体が正しい階調レベルを表示できる。

【0091】

上述のように、モノクロ液晶パネルの解像度を上げるためにデータ線を増加させることなくぼかし処理を行うことができ、モノクロ液晶パネルの透過率の低下を避けることができる。また、制御装置１１０によるモノクロ液晶パネル１３２の画像の拡散処理の負荷を低減することができる。また、本構成により、隣接画素間での光漏れを防止するために設けられるブラックマトリックスが不要となるため、開口率（透過率）を高くすることができる。

【0092】

＜その他の実施形態＞
図９は、一つの画素電極行内の二つの隣接する画素電極６０１Ａ及び６０１Ｂ並びにそれらの周辺要素の構成例を模式的に示す平面図である。画素電極６０１Ａ及び６０１Ｂは、隣接するゲート線６０４Ａ及び６０４Ｂの間に配置されている。画素電極６０１Ａ及び６０１Ｂは、両歯櫛形状を有しており、Ｙ軸に沿って延びる中央の稜線部の両側に、長さの異なる２種類の歯が交互に配列された歯列を含む。画素電極６０１Ａおいて、短い歯が上端に位置し、長い歯が下端に位置する。画素電極６０１Ｂおいて、長い歯が上端に位置し、短い歯が下端に位置する。互いの長い歯の先端と短い歯の先端が、Ｘ軸に沿って対向している。

【0093】

図９は、図４Ａの変形例であり、画素電極６０１Ａの稜線部はデータ線６０２Ａと平面視において重なり、画素電極６０１Ｂの稜線部はデータ線６０２Ｂと平面視において重なっている。データ線６０２Ａは、ゲート線６０４Ｂに制御されるＴＦＴ６０３Ａを介して、信号電位を画素電極６０１Ａに与える。データ線６０２Ｂは、ゲート線６０４Ｂに制御されるＴＦＴ６０３Ｂを介して、信号電位を画素電極６０１Ｂに与える。

【0094】

画素電極６０１Ａと６０１Ｂは、Ｙ軸方向に上下反転した同一形状である。図５及び６を参照して説明した構成例と同様に、画素電極６０１Ａ及び６０１Ｂの長い歯の列は、オーバラップ領域６０５において、噛み合うようにオーバラップしている。オーバラップ領域６０５において、画素電極６０１Ａ及び６０１Ｂのそれぞれの各歯の先端を含む部分は、他方の画素電極の隣接する長い歯の間又は長い歯とゲート線との間に位置する。

【0095】

図１０は、図９におけるＡ－Ａ´切断線における断面図を示す。本構成例の液晶パネルは、ＦＦＳ型である。モノクロ液晶パネル１３２のＴＦＴ基板は、絶縁基板６５１を含む。絶縁基板６５１は、ガラス又は樹脂からなる絶縁性の透明基板である。図１０において、偏光板は省略されている。絶縁基板６５１の液晶層（図１０において不図示）に対する主面上には、ゲート線６０４Ｂが形成されている。ゲート線６０４Ｂは、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒなどを使用した金属又は合金の単層又は多層構造を有する。

【0096】

第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）６５２が、ゲート線６０４Ｂを覆うように形成されている。第１絶縁膜は、例えば、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜である。ＴＦＴ６０３Ａに含まれる半導体膜６５３が、第１絶縁膜６５２上に、平面視においてゲート線６０４Ｂと重なるように形成されている。さらに、データ線６０２Ａが、第１絶縁膜６５２上に半導体膜６５３と接触して形成されている。データ線６０２Ａと同一金属層に含まれる相互接続部６５４が、データ線６０２Ａから離間し、半導体膜６５３上に接触して形成されている。

【0097】

第２絶縁膜６５５及び層間絶縁膜６５６が、データ線６０２Ａを覆うように形成されている。第２絶縁膜６５５は、例えば、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜であり、層間絶縁膜６５６は、例えば、ポリイミドのような有機膜である。層間絶縁膜６５６は省略してもよい。

【0098】

共通電極６５７が、層間絶縁膜６５６上に形成されている。共通電極６５７は、例えばＩＴＯで形成されている。第３絶縁膜６５８が、共通電極６５７を覆うように形成されている。第３絶縁膜６５８は、例えば、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜である。

【0099】

相互接続部６５４が露出するように、ビアホールが、第３絶縁膜６５８、第２絶縁膜６５５及び層間絶縁膜６５６に形成されている。ビアホールにおいて、画素電極６０１Ａと連続するビア６５９が、相互接続部６５４と接触している。ビア６５９及び画素電極６０１Ｂは、画素電極６０１Ａと同一金属層に含まれる。当該金属層は、例えば、ＩＴＯで形成されている。

【0100】

図１１は、画素電極のレイアウトの他の例を示す。以下において、主に図４Ａに示す構成例との差異を説明する。図４Ａに示す構成例と異なり、データ線に沿って配列された画素電極列において、隣接する画素電極が部分的にオーバラップしている。

【0101】

図１１は、データ線（Ｙ軸）に沿って連続する三つの画素電極７０１Ａ、７０１Ｂ及び７０１Ｃを示す。画素電極７０１Ａ及び７０１Ｃの形状は、図４Ａを参照して説明した画素電極４０１Ａ及び４０１Ｃの形状と同様である。画素電極７０１Ｂの形状は、図４Ａを参照して説明した画素電極４０１Ｂの形状と同様である。

【0102】

データ線及びゲート線に対する画素電極７０１Ａ、７０１Ｂ及び７０１Ｃの向きが、図４Ａを参照して説明した画素電極に対して、９０°回転している。画素電極７０１Ａ、７０１Ｂ及び７０１Ｃの稜線部は、ゲート線（Ｘ軸）に沿って延びており、歯は、データ線（Ｙ軸）に沿って延びている。画素電極７０１Ａ、７０１Ｂ及び７０１Ｃは、隣接するデータ線７０２Ａ及び７０２Ｃの間に配置されている。画素電極７０１Ａ、７０１Ｂ及び７０１Ｃの稜線部は、それぞれ、平面視において、ゲート線７０４Ａ、７０４Ｂ及び７０４Ｃに重なっている。

【0103】

画素電極７０１Ａの歯列及び７０１Ｂの歯列は、オーバラップ領域７１１においてオーバラップしている。歯列のオーバラップの状態は、図５又６を参照して説明した通りである。図１１の例において、画素電極７０１Ｂの歯及び７０１Ａの歯が、ゲート線に沿って、交互に配列されている。

【0104】

単一領域７１２は、画素電極７０１Ｂの部分を含み、他の画素電極を含まない。具体的には、単一領域７１２は、画素電極７０１Ｂの稜線部、短い歯部の全部分及び長い歯の稜線部に近い部分を含む。

【0105】

画素電極７０１Ｂの歯列及び７０１Ｃの歯列は、オーバラップ領域７１３においてオーバラップしている。歯列のオーバラップの状態は、図５又６を参照して説明した通りである。図１１の例において、画素電極７０１Ｂの歯及び７０１Ｃの歯が、ゲート線に沿って、交互に配列されている。

【0106】

図１１の構成例において、各画素電極列において、オーバラップ領域と単一領域とが交互に配列される。各単一領域は、対応する画素電極の一部を含み、当該画素電極の他の部分及び他の画素電極を含まない。各オーバラップ領域は、データ線に沿って隣接する二つの画素電極の歯を含み、それらの歯がゲート線に沿って交互に配列されている。オーバラップ領域及び単一領域における歯状の電極のトータル面積は略同一である。

【0107】

上述するように、Ｙ軸（データ線）に沿って配列された画素電極列において、隣接する二つの画素電極それぞれ（の一部）が、オーバラップ領域に存在している。駆動回路１３８は、Ｙ軸に沿って配列された画素電極列に、共通電位について同一極性の信号電位を与え、隣接する画素電極列に対して、共通電位について同一又は反対極性の信号電位を与える。なお、駆動回路１３８は、フレーム毎に各電極に与える信号電位の極性を反転させる。

【0108】

オーバラップ領域内の二つの画素電極は同一極性の信号電位が与えられるため、二つの画素電極の単一領域の信号電位の間の信号電位がオーバラップ領域の液晶に与えられる。つまり、単一領域の間のオーバラップ領域の階調レベルは、二つの単一領域の階調レベルの間にある。また、隣接する二つの画素電極が同一階調レベルの信号電位を与えられる場合、オーバラップ領域は、両側の単一領域の階調レベルと同一の階調レベルを表示し、対応する二つの画素全体が正しい階調レベルを表示できる。

【0109】

図４Ａ及び図１１に示すにように、データ線に沿って配列された画素電極からなる画素電極ライン（画素電極行）及びゲート線に沿って配列された画素電極からなる画素電極ライン（画素電極列）のいずれにおいても、隣接する画素電極が部分的にオーバラップするように、画素電極を配列することができる。

【0110】

図１２は、画素電極形状の他の例を示す。以下において、主に図１１に示す構成例との相違点を説明する。画素電極７５１Ａの歯の配列は、画素電極７０１Ａの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極７５１Ｂの歯の配列は、画素電極７０１Ｂの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極７５１Ｃの歯の配列は、画素電極７０１Ｃの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。

【0111】

図１２において、画素電極７５１Ａの短い歯の一つが例として符号７５３Ａで指示され、長い歯の一つが例として符号７５５Ａで指示されている。画素電極７５１Ｂの短い歯の一つが例として符号７５３Ｂで指示され、長い歯の一つが例として符号７５５Ｂで指示されている。画素電極７５１Ｃの短い歯の一つが例として符号７５３Ｃで指示され、長い歯の一つが例として符号７５５Ｃで指示されている。画素電極７５１Ａ及び７５１Ｃは同一の形状を有している。

【0112】

画素電極７５１Ａの歯列は、連続する３本の短い歯からなるグループと連続する３本の長い歯からなるグループとが交互に配列されている。画素電極７５１Ｂの歯列は、連続する３本の長い歯からなるグループと連続する３本の短い歯からなるグループとが交互に配列されている。画素電極７５１Ｃの歯列は、連続する３本の短い歯からなるグループと連続する３本の長い歯からなるグループとが交互に配列されている。

【0113】

オーバラップ領域７６１において、画素電極７５１Ｂの３本の長い歯それぞれの部分からなる第１グループと、画素電極７５１Ａの３本の長い歯それぞれの部分からなる第２グループと、が交互に配列されている。オーバラップ領域７６３において、画素電極７５１Ｂの３本の長い歯それぞれの部分からなる第１グループと、画素電極７５１Ｃの３本の長い歯それぞれの部分からなる第２グループと、が交互に配列されている。単一領域７６２における画素電極の配置は、図１１に示す構成例と同様である。

【0114】

上述にように、図１２の構成例のオーバラップ領域７６１及び７６３において、隣接する二つの画素電極の歯が、複数本ずつ交互に配列されている。図１２に示す構成例において、オーバラップ領域７６１及び７６３における二つの画素電極の面積は同一である。具体的には、オーバラップ領域７６１において、画素電極７５１Ａの歯の数及び各歯の面積は、画素電極７５１Ｂの歯の数及び各歯の面積と同一である。同様に、オーバラップ領域７６３において、画素電極７５１Ｃの歯の数及び各歯の面積は、画素電極７５１Ｂの歯の数及び各歯の面積と同一である。

【0115】

図１２に示す画素電極形状の例は、３本の歯が一つのグループを構成するが、グループを構成する歯の数は３と異なる数でもよく、一つの歯列において、異なる歯数のグループが存在してもよい。図１２に示す形状の画素電極を図４Ａに示す画素電極レイアウトに適用することができる。

【0116】

図１３は、画素電極レイアウトの他の例を示す。上記のレイアウト例において、一つの画素電極は、両側の二つの画素電極と部分的にオーバラップしている。図１３に示すレイアウト例において、一つの画素電極は、両側それぞれにおいて、二つの画素電極と部分的にオーバラップしている。液晶パネルの型は、ＦＦＳ型である。

【0117】

図１３は、画素電極８０１Ａから８０１Ｈのレイアウトを示す。画素電極８０１Ａから８０１Ｈは、それぞれ、両歯櫛形状を有している。画素電極８０１Ａ、８０１Ｂ及び８０１Ｃは、Ｘ軸に沿って延びる一つの画素電極行に含まれる。画素電極８０１Ｄ及び８０１Ｅは、Ｘ軸に沿って延びる一つの画素電極行に含まれる。画素電極８０１Ｆ、８０１Ｇ及び８０１Ｈは、Ｘ軸に沿って延びる一つの画素電極行に含まれる。画素電極８０１Ａ～８０１Ｈは千鳥配置されている。隣接する画素電極行の間において、画素電極の位置が、Ｘ軸に沿って、半画素分（半ピッチ）ずれている。

【0118】

図１３に示す構成例において、Ｙ軸に沿って配列された画素電極列は、交互に配列された二つの異なるＸ座標の画素電極で構成されている。例えば、画素電極８０１Ａ、８０１Ｄ及び８０１Ｆは一つの画素電極列において連続している画素電極であり、画素電極８０１Ｂ、８０１Ｅ及び８０１Ｇは他の一つの画素電極列において連続している画素電極である。

【0119】

画素領域の境界が太実線で示されており、画素領域８１１Ａから８１１Ｈは、それぞれ、画素電極８０１Ａから８０１Ｈが対応する画素領域である。各画素領域は、五つの画素電極（の部分）を含む。例えば、画素領域８１１Ｄは、画素電極８０１Ａ、８０１Ｂ、８０１Ｄ、８０１Ｆ及び８０１Ｇそれぞれの部分を含み、画素領域８１１Ｅは、画素電極８０１Ｂ、８０１Ｃ、８０１Ｅ、８０１Ｇ及び８０１Ｈそれぞれの部分を含む。図１３において省略されているが、ゲート線はＸ軸に沿って延び、データ線はＹ軸に沿って延びる。

【0120】

図１３のレイアウトにおいて、画素電極は、Ｙ軸に沿って隣接する四つの画素電極と部分的にオーバラップしている。隣接する四つの画素電極の二つは、隣接する一方の画素電極行に含まれ、他の二つは隣接する他方の画素電極行に含まれる。画素電極の重心位置のＸ座標及びＹ座標は、これら隣接する四つの画素電極それぞれの重心位置のＸ座標及びＹ座標と異なる。

【0121】

例えば、画素電極８０１Ｄは、画素電極８０１Ａ、８０１Ｂ、８０１Ｆ及び８０１Ｇと部分的にオーバラップしている。画素電極８０１Ｄの重心のＸ座標及びＹ座標は、画素電極８０１Ａ、８０１Ｂ、８０１Ｆ及び８０１Ｇの重心のＸ座標及びＹ座標と異なる。画素電極８０１Ａ及び８０１Ｂの重心のＹ座標は同一であり、Ｘ座標は異なる。画素電極８０１Ａ及び８０１Ｆの重心のＸ座標は同一であり、Ｙ座標は異なる。画素電極８０１Ｂ及び８０１Ｇの重心のＸ座標は同一であり、Ｙ座標は異なる。画素電極８０１Ｆ及び８０１Ｇの重心のＹ座標は同一であり、Ｘ座標は異なる。

【0122】

例えば、画素電極８０１Ｅは、画素電極８０１Ｂ、８０１Ｃ、８０１Ｇ及び８０１Ｈと部分的にオーバラップしている。画素電極８０１Ｅの重心のＸ座標及びＹ座標は、画素電極８０１Ｂ、８０１Ｃ、８０１Ｇ及び８０１Ｈの重心のＸ座標及びＹ座標と異なる。画素電極８０１Ｂ及び８０１Ｃの重心のＹ座標は同一であり、Ｘ座標は異なる。画素電極８０１Ｃ及び８０１Ｈの重心のＸ座標は同一であり、Ｙ座標は異なる。画素電極８０１Ｇ及び８０１Ｈの重心のＹ座標は同一であり、Ｘ座標は異なる。

【0123】

駆動回路１３８は、例えば、全ての画素電極に対して、共通電位に対して同一極性の信号電位を与える。駆動回路１３８は、フレーム毎に各電極に与える信号電位の極性を反転させる。図１３に示すレイアウトにより、部分的にオーバラップするＸ座標及びＹ座標が異なる画素電極のペアを構成することができ、Ｘ軸に沿った方向及びＹ軸に沿った方向の双方において、隣接画素間での中間調を画像処理なく得ることができる。

【0124】

図１４は、図１３に示す画素電極レイアウトにおいて、ＩＰＳ型とＦＦＳ型の双方の駆動型使用する例を示す。図１４に示す画素電極の形状及びレイアウトは、図１３に示す例と同様である。不図示の共通電極のレイアウトが、図１３及び１４の構成例の間で異なる。

【0125】

図１４に示すように、画素の中央の単一領域は、ＦＦＳ型で動作する。具体的には、画素電極と、画素電極と異なる層（例えばより下層）に配置されている不図示の共通電極との間において、液晶に与える電界が生成される。ＦＦＳ型液晶パネルにおいて、液晶に電界を与える電極ペアを構成する二つの電極が、が異なる層（異なる絶縁膜上）に形成されている。

【0126】

一方、オーバラップ領域は、ＩＰＳ型で動作する。具体的には、オーバラップ領域に共通電極は存在せず、オーバラップ領域に含まれる異なる画素電極の間において、液晶に与える電界が生成される。ＩＰＳ型液晶パネルにおいて、液晶に電界を与える電極ペアを構成する二つの電極が、同一層（同一絶縁膜上）に形成されている。

【0127】

隣接する画素電極の信号電位の極性が異なる場合、画素中央の単一領域はＦＦＳ型で動作するため、画素電極と共通電極との間の低電圧で駆動される。一方、オーバラップ領域はＩＰＳ型で動作し、隣接画素電極における信号電位差により駆動される。隣接画素電極間の電位差は、画素電極と共通電極との間の電位差よりも大きい。

【0128】

同一Δεの液晶を用いた場合、ＩＰＳ型の駆動電圧が、ＦＦＳ型の駆動電圧より高くなる傾向がある。したがって、ＩＰＳ型のオーバラップ領域において、ＦＦＳ型の単一領域よりも高い駆動電圧が必要とされるが、部分的にオーバラップする隣接画素電極に逆極性の信号電位を与えることで、ＩＰＳ型のオーバラップ領域を最大電圧で駆動できる。

【0129】

図１３及び図１４が示す千鳥配置の例において、隣接する画素電極行の間において、画素電極の位置が、Ｘ軸（ゲート線）に沿って、半画素分（半ピッチ）ずれている。他の千鳥配置の例において、隣接する画素電極列の間において、画素電極の位置が、Ｙ軸（データ線）に沿って、半画素分（半ピッチ）ずれていてもよい。この例において、画素電極は、データ線に沿って隣接する両側の画素電極からは離間しており、ゲート線に沿って隣接する四つの画素電極と部分的に重複している。

【0130】

上記構成例は、モノクロ液晶パネルの解像度を上げるためにデータ線を増加させることなくぼかし処理を行うことができ、モノクロ液晶パネルの透過率の低下を避けることができる。また、制御装置１１０によるモノクロ液晶パネルの画像の拡散処理の負荷を低減することができる。また、本構成により、隣接画素間での光漏れを防止するために設けられるブラックマトリックスが不要となるため、開口率（透過率）を高くすることができる。

【0131】

図１５は、画素電極形状の他の例を示す。以下において、主に図１１に示す構成例との相違点を説明する。画素電極８２１Ａの歯の配列は、画素電極７０１Ａの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極８２１Ｂの歯の配列は、画素電極７０１Ｂの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極８２１Ｃの歯の配列は、画素電極７０１Ｃの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。

【0132】

図１５において、画素電極８２１Ａの短い歯の一つが例として符号８２２Ａで指示され、長い歯の一つが例として符号８２３Ａで指示されている。画素電極８２１Ｂの短い歯の一つが例として符号８２２Ｂで指示され、長い歯の一つが例として符号８２３Ｂで指示されている。画素電極８２１Ｃの短い歯の一つが例として符号８２２Ｃで指示され、長い歯の一つが例として符号８２３Ｃで指示されている。画素電極８２１Ａ及び８２１Ｃは同一の形状を有している。

【0133】

画素電極８２１Ａの歯列は、連続する４本の短い歯８２２Ａからなる二つグループと、それらに挟まれた連続する８本の長い歯８２３Ａからなるグループとで構成されている。画素電極８２１Ｂの歯列は、連続する４本の長い歯８２３Ｂからなる二つグループと、それらに挟まれた連続する８本の短い歯８２２Ｂからなるグループとで構成されている。画素電極８２１Ｃの歯列は、連続する４本の短い歯８２２Ｃからなる二つグループと、それらに挟まれた連続する８本の長い歯８２３Ｃからなるグループとで構成されている。

【0134】

オーバラップ領域７６１において、画素電極８２１Ｂの４本の長い歯８２３Ｂそれぞれの部分からなる二つのグループと、それら二つのグループに挟まれた、画素電極８２１Ａの８本の短い歯８２３Ａそれぞれの部分からなるグループと、が配列されている。オーバラップ領域７６３において、画素電極８２１Ｂの４本の長い歯８２３Ｂそれぞれの部分からなる二つのグループと、それら二つのグループに挟まれた、画素電極８２１Ｃの８本の短い歯８２３Ｃそれぞれの部分からなるグループと、が配列されている。

【0135】

図１５の構成例のオーバラップ領域７６１及び７６３において、隣接する二つの画素電極の一方の複数本の歯が、他方の画素電極の複数の歯からなるグループに挟まれている。図１５に示す構成例において、オーバラップ領域７６１及び７６３における二つの画素電極の面積は同一である。具体的には、オーバラップ領域７６１において、画素電極８２１Ａの歯の数及び各歯の面積は、画素電極８２１Ｂの歯の数及び各歯の面積と同一である。同様に、オーバラップ領域７６３において、画素電極８２１Ｃの歯の数及び各歯の面積は、画素電極８２１Ｂの歯の数及び各歯の面積と同一である。

【0136】

図１５に示す画素電極形状の例は、４本又は８本の歯が一つのグループを構成するが、グループを構成する歯の数は４又は８本と異なる数でもよく、一つの歯列において、異なる歯数のグループが存在してもよい。図１５に示す形状の画素電極を図４Ａに示す画素電極レイアウトに適用することができる。

【0137】

図１６は、画素電極形状の他の例を示す。以下において、主に図１１に示す構成例との相違点を説明する。画素電極８３１Ａの歯の配列は、画素電極７０１Ａの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極８３１Ｂの歯の配列は、画素電極７０１Ｂの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極８２１Ｃの歯の配列は、画素電極７０１Ｃの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極７０１Ａ～７０１Ｃは、稜線部について対称形状を有するが、画素電極８３１Ａ～８３１Ｃは、稜線部について非対称形状を有する。

【0138】

図１６において、画素電極８３１Ａの短い歯の一つが例として符号８３２Ａで指示され、長い歯の一つが例として符号８３３Ａで指示されている。画素電極８２１Ｂの短い歯の一つが例として符号８３２Ｂで指示され、長い歯の一つが例として符号８３３Ｂで指示されている。画素電極８３１Ｃの短い歯の一つが例として符号８３２Ｃで指示され、長い歯の一つが例として符号８３３Ｃで指示されている。画素電極８３１Ａ、８３１Ｂ及び８３１Ｃは、同一の形状を有している。

【0139】

画素電極８３１Ａの一方の側の歯列は、連続する４本の長い歯８３３Ａからなる二つグループと、それらに挟まれた連続する８本の短い歯８３２Ａからなるグループとで構成されている。画素電極８３１Ａの他方の側の歯列は、連続する４本の短い歯８３２Ａからなる二つグループと、それらに挟まれた連続する８本の長い歯８３３Ａからなるグループとで構成されている。図１６に示す例において、短い歯８３２Ａと長い歯８３３Ａとが、稜線部の同じ位置において、一方の側と他方の側に配置されている。画素電極８３１Ｂ及び８３１Ｃの歯列も、画素電極８３１Ａの歯列と同様の構造を有している。

【0140】

オーバラップ領域７６１において、画素電極８３１Ｂの４本の長い歯８３３Ｂそれぞれの部分からなる二つのグループと、それら二つのグループに挟まれた、画素電極８３１Ａの４本の短い歯８３２Ａそれぞれの部分からなるグループと、が配列されている。オーバラップ領域７６３において、画素電極８３１Ｃの４本の長い歯８３３Ｃそれぞれの部分からなる二つのグループと、それら二つのグループに挟まれた、画素電極８３１Ｂの４本の短い歯８３２Ｂそれぞれの部分からなるグループと、が配列されている。

【0141】

図１６の構成例のオーバラップ領域７６１及び７６３において、隣接する二つの画素電極の一方の複数本の歯が、他方の画素電極の複数の歯からなるグループに挟まれている。図１６に示す構成例において、オーバラップ領域７６１及び７６３における二つの画素電極の面積は同一である。具体的には、オーバラップ領域７６１において、画素電極８３１Ａの歯の数及び各歯の面積は、画素電極８３１Ｂの歯の数及び各歯の面積と同一である。同様に、オーバラップ領域７６３において、画素電極８３１Ｃの歯の数及び各歯の面積は、画素電極８３１Ｂの歯の数及び各歯の面積と同一である。

【0142】

図１６に示す画素電極形状の例は、４本又は８本の歯が一つのグループを構成するが、グループを構成する歯の数はこれらと異なる数でもよく、一つの歯列において、異なる歯数のグループが存在してもよい。図１６に示す形状の画素電極を図４Ａに示す画素電極レイアウトに適用することができる。

【0143】

図１７は、画素電極形状の他の例を示す。以下において、主に図１１に示す構成例との相違点を説明する。画素電極８５１Ａの歯の配列は、画素電極７０１Ａの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極８５１Ｂの歯の配列は、画素電極７０１Ｂの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極８５１Ｃの歯の配列は、画素電極７０１Ｃの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。

【0144】

図１７において、画素電極８５１Ａ、８５１Ｂ、８５１Ｃそれぞれの歯の一つが例として符号８５２Ａ、８５２Ｂ、８５２Ｃで指示されている。

【0145】

画素電極８５１Ａは、二回対称な形状を有している。具体的には、画素電極８５１Ａの歯群は菱形形状を有しており、稜線部の中央から端に向かって、歯８５２Ａの長さが徐々に短くなっている。図１７に示す例において、画素電極８５１Ａは、両側それぞれに１６本の歯８５２Ａを有している。画素電極８５１Ｃは、画素電極８５１Ａと同様の形状を有する。

【0146】

画素電極８５１Ｂは、二回対称な形状を有している。具体的には、画素電極８５１Ｂの歯群は、中央がくびれた砂時計形状を有している。歯８５２Ｂの長さは、稜線部の中央から端に向かって、徐々に長くなっている。図１７に示す例において、画素電極８５１Ｂは、両側それぞれに１６本の歯８５２Ｂを有している。

【0147】

図１７に示す構成例は、図１１に示す構成例と比較して、広いオーバラップ領域７６１、７６３と狭い単一領域７６２を有している。このため、輝度の平滑化処理を行うことで、より自然な表示を行うことができる。オーバラップ領域７６１及び７６３において、二つの画素電極の面積は同一である。具体的には、オーバラップ領域７６１において、画素電極８５１Ａの歯の総面積は、画素電極８５１Ｂの歯の総面積と同一である。同様に、オーバラップ領域７６３において、画素電極８５１Ｃの歯の総面積は、画素電極８５１Ｂの歯の総面積と同一である。図１７に示す形状の画素電極を図４Ａに示す画素電極レイアウトに適用することができる。

【0148】

図１８は、画素電極形状の他の例を示す。以下において、主に図１１に示す構成例との相違点を説明する。画素電極８６１Ａの歯の配列は、画素電極７０１Ａの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極８６１Ｂの歯の配列は、画素電極７０１Ｂの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。画素電極８６１Ｃの歯の配列は、画素電極７０１Ｃの歯の配列と異なり、他の部分は同様である。

【0149】

図１８において、画素電極８６１Ａ、８６１Ｂ、８６１Ｃそれぞれの歯の一つが例として符号８６２Ａ、８６２Ｂ、８６２Ｃで指示されている。

【0150】

画素電極８６１Ａは、稜線部の中央を通過する稜線部と垂直な仮想線について、線対称な形状を有している。具体的には、画素電極８６１Ａの一方の側の歯群は、中央がくびれたＭ字形状を有しており、稜線部の中央から端に向かって、歯８６２Ａの長さが徐々に長くなっている。画素電極８６１Ａの他方の側の歯群は楔形状を有しており、稜線部の中央から端に向かって、歯８６２Ａの長さが徐々に短くなっている。一方側の歯群の形状と他方側の歯群の形状は嵌合するように相補的である。図１８に示す例において、画素電極８６１Ａは、両側それぞれに１６本の歯８５２Ａを有している。画素電極８６１Ｂ及び８６１Ｃは、画素電極８６１Ａと同様の形状を有する。

【0151】

図１８に示す構成例は、図１７に示す構成例と同様に、広いオーバラップ領域７６１、７６３と狭い単一領域７６２を有している。このため、輝度の平滑化処理を行うことで、より自然な表示を行うことができる。オーバラップ領域７６１及び７６３において、二つの画素電極の面積は同一である。具体的には、オーバラップ領域７６１において、画素電極８６１Ａの歯の総面積は、画素電極８６１Ｂの歯の総面積と同一である。同様に、オーバラップ領域７６３において、画素電極８６１Ｃの歯の総面積は、画素電極８６１Ｂの歯の総面積と同一である。図１８に示す形状の画素電極を図４Ａに示す画素電極レイアウトに適用することができる。

【0152】

上記構成例は、横電界制御型液晶パネルであるが、本開示の特徴は、ＴＮ型やＶＡ型の液晶パネルにも適用することができる。上記例のように、隣接する画素電極が部分的にオーバラップするように、画素電極が形成され、配置される。ゲート線及びデータ線は、図を参照して説明したように直線であってもよく、屈曲していてもよい。

【0153】

以上、本開示の実施形態を説明したが、本開示が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本開示の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。

【符号の説明】

【0154】

１３１ カラー液晶パネル、１３２ モノクロ液晶パネル、１３３ 面状光源、１３７、１３８ 駆動回路、１４１、１４２ 画素、３０２Ａ－３０２Ｄ データ線、４００Ａ－４００Ｄ 画素領域、４０１Ａ、４０１Ｂ 画素電極、４０２Ａ－４０２Ｄ データ線、４０４Ａ、４０４Ｂ ゲート線、４０６Ａ－４０６Ｅ 画素電極、４５０、４５２、４５４ 単一領域、４５１、４５３、４５５ オーバラップ領域、５０１、５５１ 稜線部、５０３Ａ、５０３Ｂ、５２１、５５３Ａ、５５５Ａ、５５５Ｂ、５７１ 歯、６０１Ａ、６０１Ｂ 画素電極、６０２Ａ、６０２Ｂ、６０４Ａ、６０４Ｂ データ線、６０５ オーバラップ領域、６５１ 絶縁基板、６５２ 絶縁膜、６５３ 半導体膜、６５４ 相互接続部、６５５ 絶縁膜、６５６ 層間絶縁膜、６５７ 共通電極、６５８ 絶縁膜、６５９ ビア、７０１Ａ－７０１Ｃ 画素電極、７０２Ａ データ線、７０４Ａ ゲート線、７１１、７１３ オーバラップ領域、７１２ 単一領域、７５１Ａ－７５１Ｃ 画素電極、７６１、７６３ オーバラップ領域、８０１Ａ－８０１Ｈ 画素電極、８１１Ａ－８１１Ｈ 画素領域、８２１Ａ－８２１Ｃ 画素電極、８２２Ａ－８２２Ｃ 歯、８２３Ａ－８２３Ｃ 歯、８３１Ａ－８３１Ｃ 画素電極、８３２Ａ－８３２Ｃ 歯、８３３Ａ－８３３Ｃ 歯、８５１Ａ－８５１Ｃ 画素電極、８５２Ａ－８５２Ｃ 歯、８６１Ａ－８６１Ｃ 画素電極、８６２Ａ－８６２Ｃ 歯

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】