特許7550836装備フロントエンドモジュールおよびその駆動方法、それを含む基板処理装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-05
(45)【発行日】2024-09-13
(54)【発明の名称】装備フロントエンドモジュールおよびその駆動方法、それを含む基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/677 20060101AFI20240906BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 A
【請求項の数】
19
(21)【出願番号】P 2022197721
(22)【出願日】2022-12-12
(65)【公開番号】P2023183361
(43)【公開日】2023-12-27
【審査請求日】2022-12-12
(31)【優先権主張番号】10-2022-0072749
(32)【優先日】2022-06-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】598123150
【氏名又は名称】セメス株式会社
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】７７，４ｓａｎｄａｎ ５－ｇｉｌ，Ｊｉｋｓａｎ－ｅｕｐ，Ｓｅｏｂｕｋ－ｇｕ，Ｃｈｅｏｎａｎ－ｓｉ，Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ－ｄｏ，３３１－８１４ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000671
【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ソン，ドク ヒュン
【審査官】宮久保 博幸
(56)【参考文献】
【文献】特表２０２２－５０５３９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０２２－５０５３９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０２０－５１０３１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１１９３９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０３８８８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０２２－５０５４７３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－３５９１８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２１ー１４１１３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２００６－０１２７２９４（ＫＲ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０２１－０００６６７９（ＫＲ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／６７７
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
モジュールチャンバと、前記モジュールチャンバの第１面および当該第１面と反対面に各々設けられ、内部に多数の基板を貯蔵できる一対のサイドストレージと、
前記モジュールチャンバの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と、
前記一対のサイドストレージと排気装置を各々連結する一対の第１排気ラインと、
前記一対の第１排気ラインに各々設けられる一対の流速制御器と、
前記第１面および前記反対面と異なる第２面を含む前記モジュールチャンバの前記第２面と前記排気装置を連結する一対の第２排気ラインと、含み、
前記一対の第１排気ラインは各々前記一対の第２排気ラインと連結され、
前記不活性ガスは前記モジュールチャンバから前記一対のサイドストレージを通過して前記一対の第１排気ラインに沿って流動し、前記一対の流速制御器は前記一対のサイドストレージを通過する前記不活性ガスの流速を制御し、
前記不活性ガスは前記モジュールチャンバから前記サイドストレージを通過して前記一対の第１排気ラインおよび前記一対の第２排気ラインに沿って流動して前記排気装置に排気される、装備フロントエンドモジュール。
【請求項2】
前記不活性ガスを循環させるための一対の循環ラインをさらに含み、前記一対の循環ラインは前記一対の第１排気ラインと前記一対の第２排気ラインのうちの少なくとも一つと連結される、請求項１に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項3】
前記モジュールチャンバの上面に設けられたファンフィルタユニットをさらに含み、前記一対の循環ラインは前記一対の第１排気ラインと前記一対の第２排気ラインを、前記ファンフィルタユニットに連結させて、
前記一対の第１排気ラインに沿って流動する前記不活性ガスの少なくとも一部と、前記一対の第２排気ラインに沿って流動する前記不活性ガスの少なくとも一部は、前記一対の循環ラインに沿って流動して前記ファンフィルタユニットに提供される、請求項２に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項4】
前記一対の第２排気ラインには一対のスロットル弁が設けられ、前記一対のスロットル弁の開口率を調節して、排気する不活性ガスの量を調節する、請求項２に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項5】
前記一対のスロットル弁の開口率が第１比率である状態で、前記不活性ガス供給器は不活性ガスを前記モジュールチャンバに供給し、前記不活性ガスは前記モジュールチャンバから、前記一対の第１排気ラインと前記一対の第２排気ラインのうちの少なくとも一つに沿って流動して前記一対の循環ラインに提供され、前記不活性ガスは前記一対の循環ラインに沿って流動して前記モジュールチャンバに再供給され、
前記モジュールチャンバの湿度がターゲット値以下になると、前記一対のスロットル弁の開口率を前記第１比率より大きい第２比率に変更する、請求項４に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項6】
前記一対の第１排気ラインと前記一対の循環ラインを各々連結する一対の連結ラインをさらに含み、第１ノードで前記一対の第１排気ラインと前記一対の連結ラインが連結され、前記第１ノードに３方弁が設けられる、請求項２に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項7】
第２ノードで前記一対の第１排気ラインと前記一対の第２排気ラインが各々連結され、前記第２ノードの後端に一対のスロットル弁が設けられ、前記一対のスロットル弁の開口率を調節して、前記一対の第１排気ラインおよび前記一対の第２排気ラインに沿って流動して前記排気装置に排気する不活性ガスの量を調節する、請求項２に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項8】
第３ノードで前記一対の循環ラインと前記一対の第２排気ラインが各々連結され、前記第３ノードと前記第２ノードの間にオンオフ弁が設けられる、請求項７に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項9】
前記不活性ガス供給器は、前記モジュールチャンバの側壁を介して供給する、請求項１に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項10】
前記モジュールチャンバには差圧センサが設けられ、前記差圧センサのセンシング値に基づいて、前記不活性ガス供給器は前記モジュールチャンバの内部に供給する不活性ガスの供給量を調節する、請求項９に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項11】
前記一対の流速制御器は少なくとも一つのファンを各々含む、請求項１に記載の装備フロントエンドモジュール。
【請求項12】
装備フロントエンドモジュールと、前記装備フロントエンドモジュールの第１面に配置され、基板キャリアを収容するように構成されたロードポートと、
前記装備フロントエンドモジュールの第２面に配置されたロードロック装置とを含み、
前記装備フロントエンドモジュールは、
モジュールチャンバと、
前記モジュールチャンバの上面に設けられたファンフィルタユニットと、
前記モジュールチャンバの一側面および当該一側面と反対側の側面に各々設けられ、内部に多数の基板を貯蔵できる一対のサイドストレージと、
前記モジュールチャンバの側面を介して、前記モジュールチャンバの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と、
前記一対のサイドストレージと排気装置を各々連結する一対の第１排気ラインと、
前記一対の第１排気ラインに各々設けられ、前記一対の第１排気ラインに沿って流動する不活性ガスの速度を制御する一対の流速制御器と、
前記モジュールチャンバの底面と前記排気装置を各々連結する一対の第２排気ラインと、
前記一対の第１排気ラインおよび前記一対の第２排気ラインと各々連結され、前記一対の第１排気ラインおよび前記一対の第２排気ラインを介して伝達された不活性ガスを前記ファンフィルタユニットに再供給する一対の循環ラインとを含み、
前記一対の第１排気ラインは前記一対の第２排気ラインと各々連結され、
前記不活性ガスは、前記モジュールチャンバから前記一対のサイドストレージを通過して前記一対の第１排気ラインおよび前記一対の第２排気ラインに沿って流動して前記排気装置に排気される、基板処理装置。
【請求項13】
前記一対の第１排気ラインと前記一対の循環ラインを各々連結する一対の連結ラインをさらに含み、第１ノードで前記一対の第１排気ラインと前記一対の連結ラインが各々連結され、前記第１ノードに３方弁が設けられる、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
第２ノードで前記一対の第１排気ラインと前記一対の第２排気ラインが連結され、前記第２ノードの後端に一対のスロットル弁が設けられ、前記一対のスロットル弁の開口率を調節して、前記一対の第１排気ラインおよび前記一対の第２排気ラインに沿って流動して前記排気装置に排気する不活性ガスの量を調節する、請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記３方弁の動作によって循環モードと排気モードが決定され、前記循環モードで、前記一対の第１排気ラインに沿って流動した不活性ガスのうちの少なくとも一部は前記一対の循環ラインを通過して前記ファンフィルタユニットに提供され、
前記排気モードで、前記一対の第１排気ラインに沿って流動した不活性ガスは前記一対の第２排気ラインを通過して前記排気装置に排気する、請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
第３ノードで前記一対の循環ラインと前記一対の第２排気ラインが連結され、前記第３ノードと前記第２ノードの間にオンオフ弁が設けられる、請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項17】
モジュールチャンバと、前記モジュールチャンバの第１面および当該第１面と反対面に各々設けられ、内部に多数の基板を貯蔵できる一対のサイドストレージと、前記モジュールチャンバの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と、前記一対のサイドストレージと排気装置を各々連結する一対の第１排気ラインと、前記一対の第１排気ラインと一対の循環ラインを各々連結する一対の連結ラインと、前記一対の第１排気ラインに各々設けられる一対の流速制御器と、前記第１面と異なる第２面を含む前記モジュールチャンバの前記第２面と前記排気装置を連結する一対の第２排気ラインと、前記第１排気ラインと前記連結ラインが連結されるノードに設けられた３方弁を含む装備フロントエンドモジュールが提供され、前記一対の第１排気ラインは各々前記一対の第２排気ラインと連結され、
前記不活性ガスは前記モジュールチャンバから前記サイドストレージを通過して前記第１排気ラインに沿って流動し、前記流速制御器は前記サイドストレージを通過する前記不活性ガスの流速を制御し、
前記不活性ガスは前記モジュールチャンバから前記サイドストレージを通過して前記一対の第１排気ラインおよび前記一対の第２排気ラインに沿って流動して前記排気装置に排気され、
前記３方弁が第１ポジションであるとき、前記第１排気ラインに沿って流動した不活性ガスのうちの少なくとも一部は前記連結ラインおよび循環ラインを通過して前記モジュールチャンバに再び提供され、
前記３方弁が第２ポジションであるとき、前記第１排気ラインに沿って流動した不活性ガスは前記排気装置に排気する、装備フロントエンドモジュールの駆動方法。
【請求項18】
前記第２排気ラインにはスロットル弁が設けられ、前記スロットル弁の開口率を調節して、前記第１排気ラインに沿って流動して前記排気装置に排気する不活性ガスの量を調節する、請求項１７に記載の装備フロントエンドモジュールの駆動方法。
【請求項19】
モジュールチャンバと、前記モジュールチャンバの第１面に設けられ、内部に多数の基板を貯蔵できるサイドストレージと、
前記モジュールチャンバの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と、
前記サイドストレージと排気装置を連結する第１排気ラインと、
前記第１排気ラインに設けられる流速制御器とを含み、
前記モジュールチャンバは前記第１面と異なる第２面を含み、
前記モジュールチャンバの第２面と前記排気装置を連結する第２排気ラインをさらに含み、
前記第１排気ラインは前記第２排気ラインと連結され、
前記不活性ガスを循環させるための循環ラインをさらに含み、前記循環ラインは第１排気ラインと第２排気ラインのうちの少なくとも一つと連結され、
前記第２排気ラインにはスロットル弁が設けられ、前記スロットル弁の開口率を調節して、排気する不活性ガスの量を調節し、
前記スロットル弁の開口率が第１比率である状態で、前記不活性ガス供給器は不活性ガスを前記モジュールチャンバに供給し、
前記不活性ガスは前記モジュールチャンバから、前記第１排気ラインと前記第２排気ラインのうちの少なくとも一つに沿って流動して前記循環ラインに提供され、前記不活性ガスは前記循環ラインに沿って流動して前記モジュールチャンバに再供給され、
前記モジュールチャンバの湿度がターゲット値以下になると、前記スロットル弁の開口率を前記第１比率より大きい第２比率に変更し、
前記不活性ガスは前記モジュールチャンバから前記サイドストレージを通過して前記第１排気ラインに沿って流動し、前記流速制御器は前記サイドストレージを通過する前記不活性ガスの流速を制御し、
前記不活性ガスは、前記モジュールチャンバから前記サイドストレージを通過して前記第１排気ラインおよび前記第２排気ラインに沿って流動して前記排気装置に排気される、装備フロントエンドモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は装備フロントエンドモジュールおよびその駆動方法、それを含む基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置を製造する際には、多数のプロセスモジュール内で写真、エッチング、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、洗浄等多様な工程が行われる。基板はキャリア（例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）等）に載せられて多数のプロセスモジュールの間を移動する。基板を処理するプロセスモジュールと、キャリアの間での基板伝達を行うために装備フロントエンドモジュール（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ）が使用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
装備フロントエンドモジュールの一側には、インターフェースの役割をするロードポート（ｌｏａｄ ｐｏｒｔ）が設けられ、装備フロントエンドモジュールの他側にはロードロック装置が設けられる。装備フロントエンドモジュールは、基板を移送するためのロード／アンロードロボットと、基板を一時的に貯蔵するサイドストレージ（ｓｉｄｅ ｓｔｏｒａｇｅ）等を含む。
【0004】
一方、基板が相対的に高い湿度、または相対的に高い酸素（Ｏ２）レベル、化学汚染物レベル等に露出するとき、基板に多様な問題が発生し得る。したがって、装備フロントエンドモジュール内の湿度を効率的に制御する必要がある。
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、不活性ガスを効率的に循環させて内部湿度が効果的に制御される、装備フロントエンドモジュールを提供することにある。
【0006】
本発明が解決しようとする他の課題は、不活性ガスを効率的に循環させて内部湿度が効果的に制御される装備フロントエンドモジュールを含む基板処理装置を提供することにある。
【0007】
本発明が解決しようとするまた他の課題は、前記装備フロントエンドモジュールの駆動方法を提供することにある。
【0008】
本発明の課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記課題を達成するための本発明の装備フロントエンドモジュールの一態様（ａｓｐｅｃｔ）は、モジュールチャンバ；前記モジュールチャンバの第１面に設けられ、内部に多数の基板を貯蔵できるサイドストレージ；前記モジュールチャンバの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器；前記サイドストレージと排気装置を連結する第１排気ライン；および前記第１排気ラインに設けられる流速制御器を含み、前記不活性ガスは前記モジュールチャンバから前記サイドストレージを通過して前記第１排気ラインに沿って流動し、前記流速制御器は前記サイドストレージを通過する前記不活性ガスの流速を制御する。
【0010】
前記他の課題を達成するための本発明の基板処理装置の一態様は、装備フロントエンドモジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ）；前記装備フロントエンドモジュールの第１面に配置され、基板キャリアを収容するように構成されたロードポート；および前記装備フロントエンドモジュールの第２面に配置されたロードロック装置を含み、前記装備フロントエンドモジュールはモジュールチャンバと、前記モジュールチャンバの上面に設けられたファンフィルタユニットと、前記モジュールチャンバの側面に設けられ、内部に多数の基板を貯蔵できるサイドストレージと、前記モジュールチャンバの側面を介して、前記モジュールチャンバの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と、前記サイドストレージと排気装置を連結する第１排気ラインと、前記第１排気ラインに設けられ、前記第１排気ラインに沿って流動する不活性ガスの速度を制御する流速制御器と、前記モジュールチャンバの底面と前記排気装置を連結する第２排気ラインと、前記第１排気ラインおよび前記第２排気ラインと連結され、前記第１排気ラインおよび前記第２排気ラインを介して伝達された不活性ガスを前記ファンフィルタユニットに再供給する循環ラインを含む。
【0011】
前記また他の課題を達成するための本発明の装備フロントエンドモジュールの駆動方法の一態様は、モジュールチャンバと、前記モジュールチャンバの第１面に設けられ、内部に多数の基板を貯蔵できるサイドストレージと、前記モジュールチャンバの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器と、前記サイドストレージと排気装置を連結する第１排気ラインと、前記第１排気ラインと循環ラインを連結する連結ラインと、前記第１排気ラインと前記連結ラインが連結されるノードに設けられた３方弁（３ｗａｙ ｖａｌｖｅ）を含む装備フロントエンドモジュールが提供され、前記３方弁が第１ポジションであるとき、前記第１排気ラインに沿って流動した不活性ガスのうちの少なくとも一部は前記連結ラインおよび循環ラインを通過して前記モジュールチャンバに再び提供され、前記３方弁が第２ポジションであるとき、前記第１排気ラインに沿って流動した不活性ガスは前記排気装置に排気する。
【0012】
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を説明するためのブロック図である。
【図2】本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールを説明するためのブロック図である。
【図4】本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールの第１動作を説明するための図である。
【図5】本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールの第２動作を説明するための図である。
【図6】本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールの第３動作を説明するためのフローチャートである。
【図7】本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールの第４動作を説明するためのフローチャートである。
【図8】本発明の第２実施形態による装備フロントエンドモジュールを説明するためのブロック図である。
【図9】本発明の第３実施形態による装備フロントエンドモジュールを説明するためのブロック図である。
【図10】本発明の第４実施形態による装備フロントエンドモジュールを説明するためのブロック図である。
【図11】本発明の第５実施形態による装備フロントエンドモジュールを説明するためのブロック図である。
【図12】本発明のいくつかの実施形態による装備フロントエンドモジュールの効果を説明するための図である。
【図13】本発明のいくつかの実施形態による装備フロントエンドモジュールの効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現することができ、本実施形態は単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。
【0015】
空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」等は図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用される。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗ）」または「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に置かれ得る。したがって、例示的な用語の「下」は下と上の方向をすべて含むことができる。素子は他の方向に配向されてもよく、そのため空間的に相対的な用語は配向によって解釈されることができる。
【0016】
第１、第２等が多様な素子、構成要素および／またはセクションを叙述するために使われるが、これらの素子、構成要素および／またはセクションはこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及される第１素子、第１構成要素または第１セクションは本発明の技術的思想内で第２素子、第２構成要素または第２セクションであり得るのはもちろんである。
【0017】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたり図面符号に関係なく同一であるかまたは対応する構成要素は同じ参照番号を付与し、これに係る重複する説明は省略する。
【0018】
図１は本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を説明するためのブロック図である。図２は本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールを説明するためのブロック図である。図３は図２に示すサイドストレージを説明するためのブロック図である。
【0019】
まず図１を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置は、装備フロントエンドモジュール１１４、ロードポート１１５、ロードロック装置１１２、多数のプロセスモジュール１０８、コントローラ１０６等を含む。Ｘ方向とＹ方向は互いに垂直であり、Ｚ方向はＸ方向およびＹ方向に垂直であり得る。Ｚ方向は上下方向であり得る。
【0020】
ロードポート１１５は装備フロントエンドモジュール１１４の一面（例えば、前方表面）に提供されることができる。ロードポート１１５は少なくとも一つのキャリア（例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ），１１６）を収容するように構成されることができる。キャリア１１６は装備フロントエンドモジュール１１４にドッキングされることができる。図面ではロードポート１１５が３個のキャリア１１６を収容できるように図示したが、これに限定されない。
【0021】
ロードロック装置１１２は装備フロントエンドモジュール１１４の他面（例えば、後方表面）に提供されることができる。
【0022】
装備フロントエンドモジュール１１４のモジュールチャンバ１１４ｃ内には、ロード／アンロードロボット１１７が配置される。ロード／アンロードロボット１１７は、ロードポート１１５に位置して装備フロントエンドモジュール１１４にドッキングされたキャリア１１６内の基板Ｗを収容し、前記基板Ｗをロードロック装置１１２に伝達する。または、ロード／アンロードロボット１１７はロードロック装置１１２および／またはサイドストレージ１２０，１２０１にある基板Ｗを装備フロントエンドモジュール１１４にドッキングされたキャリア１１６内に伝達する。コントローラ１０６はロード／アンロードロボット１１７と通信し、ロード／アンロードロボット１１７にコマンドを提供してロード／アンロードロボット１１７の多様な動作を制御することができる。すなわち、コントローラ１０６からの多様なコマンドはロード／アンロードロボット１１７の多様なコンポーネントの運動を発生させることができる。
【0023】
装備フロントエンドモジュール１１４の環境パラメータ（例えば、湿度、温度、酸素量、不活性気体の量、化学汚染物の量等）は、コントローラ１０６によりモニタリングされて制御される。このような環境パラメータが既に設定された条件により制御されない場合、装備フロントエンドモジュール１１４にドッキングされたキャリアのうちいずれも開放されない。
【0024】
装備フロントエンドモジュール１１４には、モジュールチャンバ１１４ｃの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器１１８が設けられる。不活性ガスは例えば、窒素、アルゴン、ヘリウムのうちの少なくとも一つを含み得るが、これに限定されない。
【0025】
また、装備フロントエンドモジュール１１４は、多数の基板Ｗを貯蔵できるサイドストレージ１２０，１２０１を含むことができる。
【0026】
排気ラインＥＬ１は第１サイドストレージ１２０と排気装置１５０を連結し、排気ラインＥＬ１１は第２サイドストレージ１２０１と排気装置１５０１を連結する。第１排気装置１５０と第２排気装置１５０１は互いに物理的に分離された排気装置であってもよく、一つの排気装置であってもよい。排気ラインＥＬ１には第１流速制御器１５９が設けられ、排気ラインＥＬ１１には第２流速制御器１５９１が設けられる。第１流速制御器１５９および第２流速制御器１５９１それぞれはファン（ｆａｎ）を含むことができる。ファンの回転速度に従って、排気ラインＥＬ１および排気ラインＥＬ１１に沿って流動する不活性気体の速度が決定される。
【0027】
装備フロントエンドモジュール１１４にはセンサ１３０が設けられる。センサ１３０は例えば、差圧センサであり得る。コントローラ１０６はセンサ１３０と通信してセンサ１３０のセンシング値の提供を受け、不活性ガス供給器１１８の不活性ガス供給量、第１流速制御器１５９の回転速度、第２流速制御器１５９１の回転速度、ファンフィルタユニットのうちの少なくとも一つを制御することができる。制御方式は例えば、ＰＩＤ（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ－Ｉｎｔｅｇｒａｌ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ）方式であり得るが、これに限定されない。また、装備フロントエンドモジュール１１４には、多様な種類のセンサが追加的に設けられることができる。例えば、湿度レベル、酸素レベル、化学汚染物レベルのうちの少なくとも一つを測定できるセンサが設けられることができる。
【0028】
【0029】
ロードロック装置１１２は移送チャンバ１０２と連結される。移送チャンバ１０２は、多数のプロセスモジュール１０８が設けられ得る多数の面を有する。移送チャンバ１０２は図示するように、四角形形状であり得るが、これに限定されない。
【0030】
また、移送チャンバ１０２内には移送ロボット１０３が位置する。移送ロボット１０３はアーム（ａｒｍ）の動作によって多数のプロセスモジュール１０８のいずれか一つに基板Ｗを配置させて、多数のプロセスモジュール１０８のいずれか一つから基板Ｗを取り出すことができる。基板Ｗは例えば、半導体ウエハ、シリコン含有ウエハ、パターンされたウエハ、ガラス基板等を含む。コントローラ１０６はコマンドを提供して移送ロボット１０３の動作を制御することができる。すなわち、コントローラ１０６からの多様なコマンドは移送ロボット１０３の多様なコンポーネントの運動を発生させることができる。多様なセンサ、例えばポジションエンコーダ等によってコンポーネントのうちの一つ以上に対して適したフィードバックメカニズムが提供されることができる。
【0031】
多数のプロセスモジュール１０８それぞれは、移送チャンバ１０２の各面にカップリングされることができる。プロセスモジュール１０８は例えば、プラズマ気相蒸着（ＰＶＤ）または化学気相蒸着（ＣＶＤ）、エッチング、アニーリング、事前－洗浄、金属または金属酸化物除去等であり得る。
【0032】
ここで図２を参照して、装備フロントエンドモジュール１１４およびこれと関連した構成について説明する。
【0033】
装備フロントエンドモジュール１１４はモジュールチャンバ１１４ｃ、サイドストレージ１２０，１２０１、不活性ガス供給器１１８、排気ラインＥＬ１，ＥＬ２，ＥＬ１１，ＥＬ２１、循環ラインＣＬ１，ＣＬ２、第１流速制御器１５９、第２流速制御器１５９１、ファンフィルタユニット２６９，２６９１等を含む。
【0034】
不活性ガス供給器１１８はモジュールチャンバ１１４ｃ内に不活性ガスを供給する。モジュールチャンバ１１４ｃ内に不活性ガスを供給し、これを排気または循環させることによって、モジュールチャンバ１１４ｃ内の環境パラメータ（例えば、湿度、温度、酸素量、不活性気体の量、化学汚染物の量等）を効果的に調節することができる。
【0035】
一方、不活性ガス供給器１１８はモジュールチャンバ１１４ｃの側壁を介して供給することができる。
【0036】
モジュールチャンバ１１４ｃの側壁には、不活性ガス供給器１１８が供給する不活性ガスが拡散するための別途の空間（例えば、プレナム（ｐｌｅｎｕｍ））を設けなくてもよい。不活性ガス供給器１１８により供給される不活性ガスは、排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１，ＥＬ２，ＥＬ２１および循環ラインＣＬ１，ＣＬ２を介してファンフィルタユニット２６９，２６９１に提供され、ファンフィルタユニット２６９，２６９１内で十分に拡散してモジュールチャンバ１１４ｃ全体に供給されることができる。
【0037】
不活性ガスが拡散するための別途の空間が不必要であるので、不活性ガス供給器１１８が不活性ガスを供給する位置１１８ａは自由に設計することができる。例えば、不活性ガスが供給される位置１１８ａは、図示するように、サイドストレージ１２０，１２０１が設けられる位置より低くてもよい。
【0038】
サイドストレージ１２０，１２０１はモジュールチャンバ１１４ｃの両側面それぞれに設けられる。サイドストレージ１２０，１２０１は、モジュールチャンバ１１４ｃと互いに対して開放および／または互いに連通される貯蔵チャンバ１２１，１２１１を含む。貯蔵チャンバ１２１，１２１１内には多数の基板Ｗを貯蔵できる多数の棚が設けられる。
【0039】
本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールにおいて、モジュールチャンバ１１４ｃに連結された排気ラインＥＬ２，ＥＬ２１とは別に、サイドストレージ１２０，１２０１に連結された排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１が設けられる。また、サイドストレージ１２０，１２０１に連結された別途の排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１には流速制御器１５９，１５９１が設けられおり、サイドストレージ１２０，１２０１を通過して流れる不活性ガスの流速を制御することができる。
【0040】
図３に示すように、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性ガスは第１サイドストレージ１２０に積載された多数の基板Ｗの間を通過し（図面符号Ｆ０を参照）、第１サイドストレージ１２０に連結された第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する（図面符号Ｆ１を参照）。
【0041】
第１流速制御器１５９によって、第１サイドストレージ１２０を通過する不活性ガスの流速を別に制御される。したがって、第１サイドストレージ１２０に積載された多数の基板Ｗのヒューム（ｆｕｍｅ）およびポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）等を効果的に除去することができる。また、第１流速制御器１５９によって、第１サイドストレージ１２０に積載された多数の基板Ｗの間を通過する不活性ガスの速度を一定に維持することができる。したがって、多数の基板Ｗが全体的に均質なように管理されることができる。
【0042】
再び図２を参照すると、排気ラインＥＬ２，ＥＬ２１および／または排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１は循環ラインＣＬ１，ＣＬ２に連結される。すなわち、排気ラインＥＬ２，ＥＬ２１に沿って流動した不活性ガス、排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１に沿って流動した不活性ガスは循環ラインＣＬ１，ＣＬ２に沿って再びモジュールチャンバ１１４ｃ内に供給されることができる。このようにすることで、不活性ガス流量使用を最適化しながらもモジュールチャンバ１１４ｃ内の湿度を効果的に制御することができる。
【0043】
前述した効果を実現するために、例示的に排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１，ＥＬ２，ＥＬ２１および循環ラインＣＬ１，ＣＬ２を次のように実現することができる。
【0044】
第１排気ラインＥＬ１はモジュールチャンバ１１４ｃの一側面（すなわち、第１面）に設けられた第１サイドストレージ１２０と、第１排気装置１５０を連結する。第１排気ラインＥＬ１には第１流速制御器１５９が設けられ、第１流速制御器１５９は第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスの流速を制御する。
【0045】
第２排気ラインＥＬ２はモジュールチャンバ１１４ｃの底面（すなわち、第２面）に設けられ、第２排気ラインＥＬ２はモジュールチャンバ１１４ｃの底面と第１排気装置１５０を連結する。
【0046】
第１循環ラインＣＬ１は不活性ガスを循環させるための配管である。第１循環ラインＣＬ１は第１排気ラインＥＬ１と第２排気ラインＥＬ２のうちの少なくとも一つと連結され得る。
【0047】
第１連結ラインＢＬ１は第１排気ラインＥＬ１と第１循環ラインＣＬ１を連結する。第１ノードＮ１は第１連結ラインＢＬ１と第１排気ラインＥＬ１が連結される部分であり、第３ノードＮ３は第１連結ラインＢＬ１と第１循環ラインＣＬ１が連結される部分である。
【0048】
第２排気ラインＥＬ２には第１排気ラインＥＬ１と第１循環ラインＣＬ１が連結される。第２ノードＮ２で、第１排気ラインＥＬ１と第２排気ラインＥＬ２が連結される。第４ノードＮ４で、第１循環ラインＣＬ１と第２排気ラインＥＬ２が連結される。
【0049】
第１ノードＮ１に３方弁（３ｗａｙ ｖａｌｖｅ，１５８）が設けられる。３方弁１５８のポジション（ｐｏｓｉｔｉｏｎ）に従って、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスの移動方向を制御することができる。
【0050】
例えば、３方弁１５８が第１ポジションであるとき、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動した不活性ガスは第１連結ラインＢＬ１および第１循環ラインＣＬ１を通過して（すなわち、第３ノードＮ３を通過して）、第１ファンフィルタユニット２６９およびモジュールチャンバ１１４ｃに再び提供されることができる（すなわち、循環する）。
【0051】
または、３方弁１５８が第２ポジションであるとき、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動した不活性ガスは第２排気ラインＥＬ２を通過して（すなわち、第２ノードＮ２を通過して）、第１排気装置１５０に排気することができる。
【0052】
または、３方弁１５８が第３ポジションであるとき、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動した不活性ガスのうちの一部は第３ノードＮ３を通過してモジュールチャンバ１１４ｃに再び提供され、残りの一部は第２ノードＮ２を通過して第１排気装置１５０に排気することができる。
【0053】
また、第２排気ラインＥＬ２で、第２ノードＮ２と第４ノードＮ４の間には第１オンオフ弁１５２が設けられる。第１オンオフ弁１５２がオン状態の場合、不活性ガスが第２排気ラインＥＬ２に沿って第１排気装置１５０に流動し得、第１オンオフ弁１５２がオフ状態の場合、不活性ガスが第２排気ラインＥＬ２に沿って流動しない。
【0054】
第２排気ラインＥＬ２で第２ノードＮ２の下流には第１スロットル弁（ｔｈｒｏｔｔｌｅ ｖａｌｖｅ，Ｔ／Ｖ，１５１）が設けられる。第１スロットル弁１５１の開口率を調整することによって、第１排気装置１５０に抜け出る、不活性ガスの量が制御されることができる。したがって、モジュールチャンバ１１４ｃ内の湿度を調節するために使用される不活性ガスの量を調節することができる。
【0055】
例えば、第１スロットル弁１５１の開口率が第１比率の場合、不活性ガスは第１流量だけ第１排気装置１５０に排気する。第１スロットル弁１５１の開口率が第１比率より大きい第２比率の場合、不活性ガスは第１流量より大きい第２流量だけ第１排気装置１５０に排気する。
【0056】
同様に、第３排気ラインＥＬ１１はモジュールチャンバ１１４ｃの他側面に設けられた第２サイドストレージ１２０１と、第２排気装置１５０１を連結する。第３排気ラインＥＬ１１には第２流速制御器１５９１が設けられる。
【0057】
第４排気ラインＥＬ２１はモジュールチャンバ１１４ｃの底面に設けられ、第４排気ラインＥＬ２１はモジュールチャンバ１１４ｃの底面と第２排気装置１５０１を連結する。
【0058】
第２循環ラインＣＬ２は第３排気ラインＥＬ１１と第４排気ラインＥＬ２１のうちの少なくとも一つと連結されることができる。
【0059】
第２連結ラインＢＬ２は第３排気ラインＥＬ１１と第２循環ラインＣＬ２を連結する。第５ノードＮ１１は第２連結ラインＢＬ２と第３排気ラインＥＬ１１が連結される部分であり、第７ノードＮ１３は第２連結ラインＢＬ２と第２循環ラインＣＬ２が連結される部分である。
【0060】
第４排気ラインＥＬ２１には第３排気ラインＥＬ１１と第２循環ラインＣＬ２が連結される。第６ノードＮ１２で、第３排気ラインＥＬ１１と第４排気ラインＥＬ２１が連結される。第８ノードＮ１４で、第２循環ラインＣＬ２と第４排気ラインＥＬ２１が連結される。
【0061】
第５ノードＮ１１に３方弁１５８１が設けられる。３方弁１５８１のポジションに従って、第３排気ラインＥＬ１１に沿って流動する不活性ガスの移動方向を制御することができる。
【0062】
また、第４排気ラインＥＬ２１で、第６ノードＮ１２と第８ノードＮ１４の間には第２オンオフ弁１５２１が設けられる。
【0063】
第４排気ラインＥＬ２１で第６ノードＮ１２の下流には第２スロットル弁（Ｔ／Ｖ，１５１１）が設けられる。第２スロットル弁１５１１の開口率を調整することによって、第２排気装置１５０１に抜け出る、不活性ガスの量が制御されることができる。
【0064】
一方、モジュールチャンバ１１４ｃの上面にはファンフィルタユニット（Ｆａｎ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｎｉｔ，２６９，２６９１）が設けられる。ファンフィルタユニット２６９，２６９１内にはファン２６４，２６４１が設けられる。コントローラ（図１の１０６を参照）はファン２６４，２６４１の回転速度を調節することによって、モジュールチャンバ１１４ｃ内で不活性気体の拡散速度を調節することができる。また、モジュールチャンバ１１４ｃ内の湿度を効率的に調節することができる。
【0065】
第１循環ラインＣＬ１は第１ファンフィルタユニット２６９に連結される。第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスの少なくとも一部と、第２排気ラインＥＬ２に沿って流動する不活性ガスの少なくとも一部は第１循環ラインＣＬ１に沿って第１ファンフィルタユニット２６９に供給されることができる。
【0066】
第２循環ラインＣＬ２は第２ファンフィルタユニット２６９１に連結される。第３排気ラインＥＬ１１に沿って流動する不活性ガスの少なくとも一部と、第４排気ラインＥＬ２１に沿って流動する不活性ガスの少なくとも一部は第２循環ラインＣＬ２に沿って第２ファンフィルタユニット２６９１に供給されることができる。
【0067】
一方、図面では、モジュールチャンバ１１４ｃの両側面に設けられた２個のサイドストレージ１２０，１２０１を図示したが、これに限定されない。例えば、２個のサイドストレージ１２０，１２０１のいずれか一つ（例えば、１２０）のみ設けることもできる。このような場合、サイドストレージ１２０と関連する構成要素（例えば、ＥＬ１，１５９，１５１，１５０）のみ設けられ、他のサイドストレージ１２０１およびこれと関連する構成要素（例えば、ＥＬ１１，１５９１，１５１１，１５０１）等は設けない。
【0068】
図４は本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールの第１動作を説明するための図である。
【0069】
図４を参照して、装備フロントエンドモジュールが排気モードの場合を説明する。
【0070】
第１オンオフ弁１５２および第２オンオフ弁１５２１はオン状態であり、３方弁１５８，１５８１は第２ポジションである。
【0071】
モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は第１サイドストレージ１２０を経て第１排気ラインＥＬ１に沿って流動して、３方弁１５８を経て第２排気ラインＥＬ２に提供される（図面符号Ｆ１を参照）。
【0072】
また、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は、モジュールチャンバ１１４ｃの底面から第２排気ラインＥＬ２に沿って流動する。第２ノードＮ２で、第１排気ラインＥＬ１の不活性気体が第２排気ラインＥＬ２に合流する。不活性気体は第１スロットル弁１５１を経て第１排気装置１５０に排気する（図面符号Ｆ２を参照）。
【0073】
同様に、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は第２サイドストレージ１２０１を経て第３排気ラインＥＬ１１に沿って流動して、３方弁１５８１を経て第４排気ラインＥＬ２１に提供される（図面符号Ｆ１１を参照）。
【0074】
また、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は、モジュールチャンバ１１４ｃの底面から第４排気ラインＥＬ２１に沿って流動する。第６ノードＮ１２で、第３排気ラインＥＬ１１の不活性気体が第４排気ラインＥＬ２１に合流する。不活性気体は第２スロットル弁１５１１を経て第２排気装置１５０１に排気する（図面符号Ｆ２１を参照）。
【0075】
図５は本発明の第１実施形態による装備フロントエンドモジュールの第２動作を説明するための図である。
【0076】
図５を参照して、装備フロントエンドモジュールが循環モードの場合を説明する。
【0077】
第１オンオフ弁１５２および第２オンオフ弁１５２１はオフ状態であり、３方弁１５８，１５８１は第１ポジションである。
【0078】
モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は第１サイドストレージ１２０を経て第１排気ラインＥＬ１に沿って流動して、３方弁１５８を経て第３ノードＮ３で第１循環ラインＣＬ１に提供される（図面符号Ｆ３を参照）。
【0079】
また、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は、モジュールチャンバ１１４ｃの底面から第２排気ラインＥＬ２に沿って流動する。第４ノードＮ４で、第２排気ラインＥＬ２の不活性気体は第１循環ラインＣＬ１に合流する。不活性気体は第１循環ラインＣＬ１に沿って流動して第１ファンフィルタユニット２６９に供給される（図面符号Ｆ４を参照）。第１ファンフィルタユニット２６９内で不活性気体は十分に拡散して、モジュールチャンバ１１４ｃ内に供給される。
【0080】
同様に、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は第２サイドストレージ１２０１を経て第３排気ラインＥＬ１１に沿って流動して、３方弁１５８１を経て第７ノードＮ１３で第２循環ラインＣＬ２に提供される（図面符号Ｆ３１を参照）。
【0081】
また、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は、モジュールチャンバ１１４ｃの底面から第４排気ラインＥＬ２１に沿って流動する。第８ノードＮ１４で、第４排気ラインＥＬ２１の不活性気体は第２循環ラインＣＬ２に合流する。不活性気体は第２循環ラインＣＬ２に沿って流動して第２ファンフィルタユニット２６９１に供給される（図面符号Ｆ４１を参照）。第２ファンフィルタユニット２６９１内で不活性気体は十分に拡散して、モジュールチャンバ１１４ｃ内に供給される。
【0082】
別に図示していないが、循環モードは、排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１に沿って流動した不活性気体のうちの一部は循環ラインＣＬ１，ＣＬ２を介して循環し、残りの一部は排気装置１５０，１５０１によって排気することも含む。
【0083】
【0084】
図２および図６を参照すると、スロットル弁１５１，１５１１の開口率が第１比率である状態で、不活性ガス供給器１１８は不活性ガスをモジュールチャンバ１１４ｃに供給する（Ｓ１０）。ここで、オンオフ弁１５２，１５２１はオン状態であり、３方弁１５８，１５８１は第３ポジションであり得る。
【0085】
次に、不活性ガスは循環ラインＣＬ１，ＣＬ２に沿って流動してモジュールチャンバ１１４ｃに再供給される（Ｓ２０）。
【0086】
具体的には、不活性ガスが第１循環ラインＣＬ１に沿ってモジュールチャンバ１１４ｃに循環する過程は次のとおりである。
【0087】
第１排気ラインＥＬ１に沿って流動した不活性ガスのうちの一部は第３ノードＮ３を通過して第１循環ラインＣＬ１に沿ってモジュールチャンバ１１４ｃに再び提供され、残りの一部は第２ノードＮ２を通過して第１排気装置１５０に排気することができる。また、モジュールチャンバ１１４ｃの底面で第２排気ラインＥＬ２に排出された不活性気体のうちの一部は、第４ノードＮ４で第１循環ラインＣＬ１に供給され、残りの一部は第２ノードＮ２を通過して第１排気装置１５０に排気することができる。
【0088】
不活性ガスが第２循環ラインＣＬ２に沿ってモジュールチャンバ１１４ｃに循環する過程は前述した内容と実質的に同一である。
【0089】
次に、モジュールチャンバ１１４ｃの湿度がターゲット値以下であるかを確認する（Ｓ３０）。
【0090】
具体的には、モジュールチャンバ１１４ｃ内の湿度センサで測定された値に基づいて、モジュールチャンバ１１４ｃの湿度をチェックすることができる。ターゲット値は既定値であり得るが、設計によって変わり得る。ターゲット値は例えば、湿度１％であり得る。
【0091】
湿度がターゲット値より大きいと（Ｓ３０でＮｏ）、Ｓ１０段階に戻って、Ｓ１０、Ｓ２０段階を再度行う。
【0092】
湿度がターゲット値より以下の場合（Ｓ３０でＹｅｓ）、Ｓ４０段階を行う。
【0093】
スロットル弁１５１，１５１１の開口率を第１比率より大きい第２比率に変更する（Ｓ４０）。
【0094】
具体的には、湿度が過度に低いと、基板Ｗの表面が過度に乾燥するので、基板Ｗに欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）が発生しやすいからである。不活性ガス供給器１１８が不活性ガスをモジュールチャンバ１１４ｃに供給する状況で、スロットル弁１５１，１５１１の開口率を高めると湿度は上昇する。
【0095】
図面では別に示していないが、スロットル弁１５１，１５１１の開口率が第２比率である状態で、不活性ガス供給器１１８は不活性ガスをモジュールチャンバ１１４ｃに供給し続ける。モジュールチャンバ１１４ｃの湿度が限界値（ｌｉｍｉｔ）まで上昇すると、スロットル弁１５１，１５１１の開口率を再び第１比率に下げる。
【0096】
このような方式で、モジュールチャンバ１１４ｃの湿度がターゲット値と限界値の間に位置するように制御することもできる。
【0097】
【0098】
【0099】
具体的には、装備フロントエンドモジュール１１４はモジュールチャンバ１１４ｃと、モジュールチャンバ１１４ｃの一面に設けられ、内部に多数の基板を貯蔵できるサイドストレージ１２０，１２０１と、モジュールチャンバ１１４ｃの内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給器１１８と、サイドストレージ１２０，１２０１と排気装置１５０，１５０１を連結する排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１と、排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１と循環ラインＣＬ１，ＣＬ２を連結する連結ラインＢＬ１，ＢＬ２と、排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１と連結ラインＢＬ１，ＢＬ２が連結されるノードＮ１，Ｎ１１に設けられた３方弁１５８，１５８１を含む。また、装備フロントエンドモジュール１１４は循環ラインＣＬ１，ＣＬ２と連結される他の排気ラインＥＬ２，ＥＬ２１をさらに含むことができる。
【0100】
次に、循環モードであるかを確認する（Ｓ６０）。
【0101】
循環モードの場合（Ｓ６０のＹｅｓ）、不活性ガスはモジュールチャンバ１１４ｃに再び提供される（Ｓ７１）。
【0102】
具体的には、図５に図示するように、排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１に沿って流動した不活性ガスは連結ラインＢＬ１，ＢＬ２および循環ラインＣＬ１，ＣＬ２を通過してモジュールチャンバ１１４ｃに再び提供される（図５のＦ３，Ｆ３１を参照）。また、不活性ガスは排気ラインＥＬ２，ＥＬ２１および循環ラインＣＬ１，ＣＬ２を通過してモジュールチャンバ１１４ｃに再び提供される（図５のＦ４，Ｆ４１を参照）。
【0103】
排気モードの場合（Ｓ６０のＮｏ）、不活性ガスは排気装置１５０，１５０１に排気する（Ｓ７２）。
【0104】
具体的には、図４に図示するように、排気ラインＥＬ１，ＥＬ１１に沿って流動した不活性ガスは３方弁１５８，１５８１、スロットル弁１５１，１５１１を経て排気装置１５０，１５０１に排気する（図４のＦ１，Ｆ１１を参照）。また、不活性ガスは排気ラインＥＬ２，ＥＬ２１およびスロットル弁１５１，１５１１を経て排気装置１５０，１５０１に排気する（図４のＦ２，Ｆ２１を参照）。
【0105】
【0106】
図２に示す装備フロントエンドモジュールで、第１サイドストレージ１２０を経て第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスは、第１ノードＮ１に設けられた３方弁１５８で第１循環ラインＣＬ１に循環することができる。また、モジュールチャンバ１１４ｃの底面から第２排気ラインＥＬ２に沿って流動する不活性ガスも、第４ノードＮ４で第１循環ラインＣＬ１に循環することができる。
【0107】
反面、図８に示す装備フロントエンドモジュールは、モジュールチャンバ１１４ｃの底面から第２排気ラインＥＬ２に沿って流動する不活性ガスは循環しない。すなわち、第１オンオフ弁１５２、第１スロットル弁１５１を経て排気装置１５０に排気する。
【0108】
【0109】
図２に示す装備フロントエンドモジュールで、第１ノードＮ１に設けられた３方弁１５８一つで、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスを循環させたり排気したりすることができる。
【0110】
反面、図９に示す装備フロントエンドモジュールは、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に設けられた弁１５８ｂと、第１ノードＮ１と第３ノードＮ３の間に設けられた弁１５８ａの動作によって、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスを循環させたり排気したりすることができる。
【0111】
弁１５８ｂがオフ状態であり、弁１５８ａがオン状態である場合、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスをモジュールチャンバ１１４ｃに循環させることができる。
【0112】
弁１５８ｂがオン状態であり、弁１５８ａがオフ状態である場合、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスを排気装置１５０に排気させることができる。
【0113】
【0114】
図１０に示す装備フロントエンドモジュールは、第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の間に設けられた弁１５８ｂが設けられるが、第１ノードＮ１と第３ノードＮ３の間には弁は設けられない。
【0115】
弁１５８ｂがオフ状態である場合、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスをモジュールチャンバ１１４ｃに循環させることができる。
【0116】
弁１５８ｂがオン状態である場合、第１排気ラインＥＬ１に沿って流動する不活性ガスの一部はモジュールチャンバ１１４ｃに循環し、残りの一部は排気装置１５０に排気する。
【0117】
【0118】
図１１を参照すると、本発明の第５実施形態による装備フロントエンドモジュールで、第１排気ラインＥＬ１と連結された排気装置１５０ａと第２排気ラインＥＬ２と連結された排気装置１５０がそれぞれ異なるものであり得る。
【0119】
【0120】
図１２を参照して、循環モードを用いてモジュールチャンバ１１４ｃの湿度を効率的に制御できることについて説明する。
【0121】
ｘ軸は時間を示し、ｙ軸は湿度を示す。
【0122】
ＣＭ１は装備フロントエンドモジュールが循環モードで動作する場合に、時間に応じた湿度の変化を示す。
【0123】
循環モードで、３方弁（図５の１５８，１５８１を参照）が第１ポジションである。したがって、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は第１サイドストレージ１２０を経て第１排気ラインＥＬ１に沿って流動して、３方弁１５８を経て第３ノードＮ３で第１循環ラインＣＬ１に提供される（図５のＦ３を参照）。
【0124】
ＥＭ１は装備フロントエンドモジュールが排気モードで動作する場合に、時間に応じた湿度の変化を示す。
【0125】
排気モードで、３方弁１５８，１５８１は第２ポジションである。したがって、モジュールチャンバ１１４ｃ内の不活性気体は第１サイドストレージ１２０を経て第１排気ラインＥＬ１に沿って流動して、３方弁１５８を経て第１排気ラインＥＬ１に提供される（図４のＦ１を参照）。
【0126】
時間の経過とともにＣＭ１がＥＭ１に比べてより早く湿度が低くなることがわかる。したがって、循環モードを用いて不活性気体を効率的に循環させて、モジュールチャンバ１１４ｃ内の湿度を迅速にターゲット値以下に下げることができる。
【0127】
【0128】
ｘ軸は時間を示し、ｙ軸は湿度を示す。
【0129】
他の条件はすべて同一であると仮定するとき、ＥＭ１１のファンフィルタユニット２６９，２６９１のファン２６４，２６４１が第１速度（例えば、１０００ＲＰＭ）で回転する場合であり、ＥＭ１２はファンフィルタユニット２６９，２６９１のファン２６４，２６４１が第１速度より遅い第２速度（例えば、６００ＲＰＭ）で回転する場合である。
【0130】
時間の経過とともにＥＭ１１がＥＭ１２に比べてより早く湿度が低くなることがわかる。したがって、ファンフィルタユニット２６９，２６９１のファン２６４，２６４１を速く回転させることによって、モジュールチャンバ１１４ｃ内の湿度を早くターゲット値以下に下げることができる。
【0131】
以上と添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
