特許 7551401 遮光層積層型基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-06

(45)【発行日】2024-09-17

(54)【発明の名称】遮光層積層型基板

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240909BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240909BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240909BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240909BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240909BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30

G09F9/00

H01L33/62

H10K50/10

H10K59/10

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2020142957

(22)【出願日】2020-08-26

(65)【公開番号】P2022038445

(43)【公開日】2022-03-10

【審査請求日】2023-04-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000006633

【氏名又は名称】京セラ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100075557

【弁理士】

【氏名又は名称】西教 圭一郎

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 弘晃

(72)【発明者】

【氏名】西出 雅彦

【審査官】新井 重雄

(56)【参考文献】

【文献】特開２００１－３３０８５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／１６７９６６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００８－００３３８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２６２８５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２２５１４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００５１９６６（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０９Ｆ ９／００

Ｈ０１Ｌ ３３／６２

Ｈ１０Ｋ ５０／１０

Ｈ１０Ｋ ５９／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する基板と、
前記第１面上における一辺側の端縁部に積層される第１金属遮光層と、
前記第１金属遮光層上、および前記第１面上における前記第１金属遮光層から露出する部位に、積層される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に積層され、前記第１金属遮光層に重ならない非重畳部位を含む、第２金属遮光層と、
前記第２金属遮光層上、および前記第１絶縁層上における前記第１金属遮光層に重なる部位に、積層される第２絶縁層と、を備え、
前記第１金属遮光層および前記第２金属遮光層は、電気的にフローティングとされている遮光層積層型基板。

【請求項2】

前記第１金属遮光層は複数あり、それぞれの前記第１金属遮光層は、前記端縁部に前記一辺に平行な方向において互いに間隔をあけて積層されており、
前記第２金属遮光層は、前記第１絶縁層上における隣接する前記第１金属遮光層間の部位に積層されている請求項１に記載の遮光層積層型基板。

【請求項3】

前記第１金属遮光層および前記第２金属遮光層は、平面視で一連となっている請求項１または２に記載の遮光層積層型基板。

【請求項4】

前記第２金属遮光層は、前記第１金属遮光層に重なる重畳部位を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の遮光層積層型基板。

【請求項5】

前記重畳部位は、前記第２面の側から入射した光が前記第１金属遮光層の端で回折した回折光が、前記第２絶縁層に到達しない長さを有している請求項４に記載の遮光層積層型基板。

【請求項6】

前記第１金属遮光層および前記第２金属遮光層は、光反射性を有している請求項１～５のいずれか１項に記載の遮光層積層型基板。

【請求項7】

前記第１金属遮光層および前記第２金属遮光層は、光散乱性を有している請求項１～５のいずれか１項に記載の遮光層積層型基板。

【請求項8】

前記第１絶縁層は、光散乱性粒子を含む請求項１～７のいずれか１項に記載の遮光層積層型基板。

【請求項9】

前記第１絶縁層は、無機材料から成る請求項１～８のいずれか１項に記載の遮光層積層型基板。

【請求項10】

前記第２絶縁層は、有機材料から成る請求項１～９のいずれか１項に記載の遮光層積層型基板。

【請求項11】

前記第１面の前記端縁部から前記基板の側面を経て前記第２面の側かけて位置する側面配線を備え、
前記側面配線は、前記第１金属遮光層および／または前記第２金属遮光層に重なる位置にある請求項１～１０のいずれか１項に記載の遮光層積層型基板。

【請求項12】

前記第１面上に、発光素子と、前記発光素子を駆動制御する薄膜トランジスタと、前記発光素子と前記薄膜トランジスタとを接続する配線層と、を備え、
前記第１金属遮光層および前記第２金属遮光層の少なくとも一方は、前記配線層と同じ材料から成る請求項１～１１のいずれか１項に記載の遮光層積層型基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板の側面同士を結合（タイリング）して複合型表示装置を作製するのに好適に用いられる遮光層積層型基板に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、表示パネルを複数枚、横に並べてタイリングし、マルチディスプレイまたはタイリングパネルとも呼ばれる一つの大型の複合型表示装置を製造する方法が知られている。複合型表示装置を構成する複数の表示パネルは、有効表示領域の外側の非表示領域となる額縁部を、極力小さくするか、なくす必要がある。また、個々の表示パネルは、発光素子を表面側に搭載するための基板と、基板の裏面側に設置される駆動部と、発光素子と駆動部を電気的に接続し、基板の側面に配置される側面配線と、を備える場合がある。この場合、基板の表面上の端縁部に、側面配線に接続される表面側の側面配線パッドが位置し、基板の裏面上の端縁部に、側面配線に接続される裏面側の側面配線パッドが位置している。

【0003】

また、各表示パネルは、大面積の母基板にレーザ光を照射して個々の基板に分割する、いわゆるレーザカット法によって形成された基板を用いて作製される。レーザ光を母基板に照射すると、レーザ光の照射部、即ち切断部である基板の端縁部において発生した熱によって、基板上であって基板の端縁部付近にある絶縁層、特に有機樹脂等から成る有機質の絶縁層が昇華し、基板上に付着していた。この付着を防止することができる技術が求められている。

【0004】

このような付着を防止するための従来技術は、例えば特許文献１に記載されている。この従来技術では、発光素子が素子基板と対向基板とに挟まれた構成であり、対向基板側に遮光層が設けられる。遮光層において、画素領域に設けられる遮光層と、画素領域の外周の周辺領域に設けられる遮光層とは、熱抵抗が異なるので、周辺領域の遮光層をフレキシブル基板に接続し、フレキシブル基板から熱を外部に放熱する構成が提案されている。

【0005】

また、有機層を備えた基板をレーザ光によって切断する基板の製造方法が、例えば特許文献２に記載されている。この従来技術は、一方の主面側に配置された有機層と、他方の主面側に設けられる仮想切断線とを有する基板を、レーザ光によって切断する基板の製造方法であって、有機層は仮想切断線位置から離間して配置されており、他方の主面側、あるいは有機層と他方の主面との間にレーザ遮光層を設け、他方の主面側からレーザ光を仮想切断線に向けて照射させ、レーザ遮光層によって有機層への熱ダメージを緩和させる構成である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２００８－２３４８４１号公報

【文献】特開２０１９－１７９１７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

上記特許文献１，２に記載される従来技術では、タイリングパネル作製時のレーザ光照射によって基板を切断する際の切断位置、即ち予め設定された切断線に対する切断位置のばらつきによって、正常状態では絶縁層に覆われているはずの、Ｍｏ等の金属から成る金属遮光層の端面が、露出する可能性がある。その場合、上記の側面配線を、基板の表面上の端縁部にある側面配線パッドから基板の側面を経て基板の裏面上の端縁部にある側面配線パッドにかけて形成すると、側面配線が金属遮光層の露出部に接触し、その露出部を介して異なる信号を伝送する側面配線パッド同士が電気的に短絡するおそれがある。また、金属遮光層が絶縁性の基板の全周に繋がってパターン形成されているため、治具等の外部の導電性部材等が近づいたときに、導電性部材等との間で大容量のコンデンサを形成しやすくなる。そして、金属遮光層に発生した静電気（電荷）が導電性部材等に放電される場合があり、その場合、表示装置の誤動作の原因となる静電気放電（Electro Static Discharge：ＥＳＤ）が発生する。

【0008】

したがって、従来から、タイリングパネル作製時のレーザ光照射による母基板の分割時に、レーザ光の照射部に発生する熱の影響を抑えて、レーザ光照射による昇華物質の周囲の配線等への付着を抑えることができる技術が求められている。また、レーザ光による切断位置のばらつきによって、側面配線が金属遮光層の露出部を介して異なる信号を伝送する側面配線パッド同士が短絡することを抑えることができる技術が求められている。また、静電気放電が発生しにくい構成の金属遮光層が求められている。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示の遮光層積層型基板は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有する基板と、前記第１面上における一辺側の端縁部に積層される第１金属遮光層と、
前記第１金属遮光層上、および前記第１面上における前記第１金属遮光層から露出する部位に、積層される第１絶縁層と、前記第１絶縁層上における前記第１金属遮光層に重ならない部位に積層される第２金属遮光層と、前記第２金属遮光層上、および前記第１絶縁層上における前記第１金属遮光層に重なる部位に、積層される第２絶縁層と、を備え、前記第１金属遮光層および前記第２金属遮光層は、電気的にフローティングとされている。

【発明の効果】

【0010】

本開示の遮光層積層型基板によれば、第１金属遮光層と、その上方に第１金属遮光層に重ならない部位に位置する第２金属遮光層と、を備えることから、タイリングパネル作製時のレーザ光照射による母基板の分割時に、レーザ光の照射部に発生する熱の絶縁層への影響を効果的に抑えることができる。その結果、レーザ光照射による絶縁層の昇華物質が周囲の配線等に付着することを抑えることができる。また、レーザ光の照射部に発生する熱の影響によって、側面配線が第１金属遮光層の露出部を介して異なる側面配線パッド同士が短絡することを抑えることができる。また、金属遮光層が第１金属遮光層と第２金属遮光層とに分割されていることから、静電気放電が発生しにくい構成の金属遮光層となる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本開示の実施形態の遮光層積層型基板の構成を模式的に示す一部の平面図である。

【図2】図１の遮光層積層型基板を切断面線ＩＩ－ＩＩから見た拡大断面図である。

【図3】図１の遮光層積層型基板を切断面線ＩＩＩ－ＩＩＩから見た拡大断面図である。

【図4】図１に示す遮光層積層型基板の第１面側の回路構成を模式的に示すブロック回路図である。

【図5】遮光層積層型基板の第２面側の回路構成を模式的に示すブロック回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、添付図面を参照して、本開示の遮光層積層型基板の実施形態について説明する。

【0013】

図１は本開示の実施形態の遮光層積層型基板１の構成を模式的に示す一部の平面図であり、図２は図１の遮光層積層型基板１を切断面線ＩＩ－ＩＩから見た拡大断面図であり、図３は図１の遮光層積層型基板１を切断面線ＩＩＩ－ＩＩＩから見た拡大断面図である。なお、図２および図３において、図解を容易にするため、基板２の第２面２ｂ側の回路構成は省略している。本実施形態の遮光層積層型基板１は、母基板をレーザ光照射によって裏面側から切断し、複数層の金属遮光層を具備した、タイリング用の狭額縁の複数の表示装置用基板として実現される。母基板の切断用のレーザ光としては、高出力のＣＯ₂レーザまたはＹＡＧレーザ等を採用することができる。レーザ光Ｌ（図３に示す）のビーム径は、５μｍ～５ｍｍ程度である。なお、符号「～」は、「乃至」を意味する。

【0014】

遮光層積層型基板１は、第１面２ａと、第１面２ａとは反対側の第２面２ｂとを有する基板２と、第１面２ａ上における一辺側の端縁部Ｗに積層される第１金属遮光層３１と、第１金属遮光層３１上、および第１面２ａ上における第１金属遮光層３１から露出する部位２ａ１に、積層される第１絶縁層３１ｉと、第１絶縁層３１ｉ上における第１金属遮光層３１に重ならない部位２ａ１に積層される第２金属遮光層３２と、第２金属遮光層３２上、および第１絶縁層３１ｉ上における第１金属遮光層３１に重なる部位２３ａに、積層される第２絶縁層３２ｉと、を備えている構成である。この構成により、以下の効果を奏する。第１金属遮光層３１と、その上方に第１金属遮光層３１に重ならない部位２ａ１に位置する第２金属遮光層３２と、を備えることから、タイリングパネル作製時の母基板の裏面側からのレーザ光照射による母基板の分割時に、レーザ光の照射部に発生する熱の絶縁層（特に第２絶縁層３２ｉ）への影響を効果的に抑えることができる。その結果、レーザ光照射による絶縁層の昇華物質が周囲の配線等に付着することを抑えることができる。また、レーザ光による切断位置のばらつきによって、側面配線１０が第１金属遮光層３１の露出部を介して異なる信号を伝送する側面配線パッド同士が短絡することを抑えることができる。また、金属遮光層が第１金属遮光層３１と第２金属遮光層３２とに分割されていることから、静電気放電が発生しにくい構成の金属遮光層となる。

【0015】

また遮光層積層型基板１は、基板２の第１面２ａ上にマトリックス状に配列された画素部３と、基板２の第２面２ｂ上に位置する電源供給回路７と、基板２の第１面２ａ上の端縁部Ｗ付近に位置し、側面配線１０に電気的に接続される複数の第１配線パッド（第１側面配線パッド）８と、基板２の第２面２ｂ上の端縁部Ｗ付近に位置し、側面配線１０に電気的に接続される複数の第２配線パッド（第２側面配線パッド）９と、複数の側面配線１０と、を備えていてもよい。第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２の幅は、例えば５０μｍ～２００μｍ程度である。

【0016】

レーザ光Ｌの遮光層としての第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２の材料は、アルミニウム、クロム、モリブデン、あるいはこれら金属の合金であってもよい。また第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、それぞれ単層であってもよいが、複数層を積層した積層構造であってもよい。第１および第２金属遮光層３１，３２の材料が、反射率の高いアルミニウムである場合、第１および第２金属遮光層３１，３２のレーザ光Ｌの照射側に、透明な絶縁層を設けてもよい。この場合、第１および第２金属遮光層３１，３２によって反射率が低下することなくレーザ光Ｌが反射されるとともに、透明な絶縁層によって熱吸収が低減される。その結果、レーザ光Ｌは、基板２の第２面２ｂ側の外部へ、熱吸収を抑えて効率的に反射される。従って、第２絶縁層３２ｉおよび有機絶縁層２４，２６等への熱的ダメージを低減する効果が大きくなる。

【0017】

また、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２の材料は、より好適にはモリブデンなどであってもよい。モリブデンは、レーザ光を効率的に吸収し伝熱するため、反射光の強度を抑えることができるとともに、遮光層積層型基板１の温度上昇を抑えることができる。即ち、第１および第２金属遮光層３１，３２で反射された反射光の２次反射および吸収による熱的ダメージの低減効果を大きくすることができる。

【0018】

また、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、「Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ」、「ＭｏＮｄ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｄ」等から成る構成であってもよい。ここで、「Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ」は、Ｍｏ層上にＡｌ層が積層され、Ａｌ層上にＭｏ層が積層された積層構造を示す。

【0019】

また、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２の材料は、黒色を呈する酸化クロムであってもよい。即ち、レーザ光Ｌを吸収して減衰する層であってもよい。

【0020】

また遮光層積層型基板１は、図１に示すように、第１金属遮光層３１は複数あり、それぞれの第１金属遮光層３１は、端縁部Ｗに一辺（例えば、第２辺２ａｂ）に平行な方向において互いに間隔をあけて積層されており、第２金属遮光層３２は、第１絶縁層３１ｉ上における隣接する第１金属遮光層３１間の部位２ａ１に積層されている構成であってもよい。なお、部位２ａ１は、上記の第１金属遮光層３１に重ならない部位でもある。この場合、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２が、より細かく分割されて、それぞれより小面積とされていることから、静電気放電がより発生しにくい構成の金属遮光層となる。

【0021】

第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、平面視で一連となっていてもよい。この場合、基板２の第２面２ｂの側から入射した光（レーザ光）が第２絶縁層３２ｉに到達することをより抑えることができる。その結果、第２絶縁層３２ｉがレーザ光の照射による熱の影響を受けることを、より効果的に抑えることができる。

【0022】

第２金属遮光層３２は、平面視において第１金属遮光層３１に重なる重畳部位（オーバーラップ部位）ＬＷを有していてもよい。この場合、基板２の第２面２ｂの側から入射した光（レーザ光）が第２絶縁層３２ｉに到達することをさらに抑えることができる。その結果、第２絶縁層３２ｉがレーザ光の熱の影響を受けることをさらに効果的に抑えることができる。重畳部位ＬＷの長さは５μｍ～５００μｍ程度であってもよい。

【0023】

また重畳部位ＬＷは、基板２の第２面２ｂの側から入射した光（レーザ光）が第１金属遮光層３１の端で回折した回折光が、第２絶縁層３２ｉに到達しない長さを有していてもよい。この場合も上記と同様の効果を奏する。この場合の重畳部位ＬＷの長さは２０μｍ～７００μｍ程度である。

【0024】

第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、光反射性を有している構成であってもよい。この場合、基板２の第２面２ｂの側から入射した光（レーザ光）が第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２で反射されることから、第２絶縁層３２ｉがレーザ光の熱の影響を受けることを、さらに効果的に抑えることができる。第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、例えば可視光の光反射率が高い、金属材料、合金材料等から成っていてもよい。金属材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）等がある。また、合金材料としては、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金であるジュラルミン（Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｌ－Ｃｕ－Ｍｇ合金、Ａｌ－Ｚｎ－Ｍｇ－Ｃｕ合金）等がある。これらの材料の光反射率は、アルミニウムが９０％～９５％程度、銀が９３％程度、金が６０％～７０％程度、クロムが６０％～７０％程度、ニッケルが６０％～７０％程度、白金が６０％～７０％程度、錫が６０％～７０％程度、アルミニウム合金が８０％～８５％程度である。従って、光反射性を有する、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２の好適な材料として、アルミニウム、銀、金、アルミニウム合金等が挙げられる。

【0025】

第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、光散乱性を有している構成であってもよい。この場合、一般に、薄膜の表面、基板の表面が光学的な鏡面となる表面粗さは、算術平均粗さで使用波長の１０分の１程度である。従って、人の目の感度が最も高い５５０ｎｍの波長の光であれば、算術平均粗さが５５ｎｍ以下の表面は光学的な鏡面となりやすい。そこで、算術平均粗さが５５ｎｍ以上の表面は光散乱面となりやすいことから、光散乱性を有している、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２の各表面は、５５ｎｍ～１０μｍ程度の算術平均粗さであってもよい。好適には１μｍ～１０μｍ程度、より好適には２μｍ～７μｍ程度であってよい。

【0026】

第１絶縁層３１ｉは、光散乱性粒子を含む構成であってもよい。この場合、基板２の第２面２ｂの側から入射した光（レーザ光）が第１絶縁層３１ｉに含まれる光散乱性粒子によって散乱され、第２絶縁層３２ｉがレーザ光の照射による熱の影響を受けることを効果的に抑えることができる。光散乱性粒子は、例えば、金属材料、合金材料、ガラス材料、セラミック材料、金属酸化物材料等から成る。金属材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）等がある。また、合金材料としては、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金であるジュラルミン（Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｌ－Ｃｕ－Ｍｇ合金、Ａｌ－Ｚｎ－Ｍｇ－Ｃｕ合金）等がある。ガラス材料としては、ホウケイ酸ガラス、結晶化ガラス、石英、ソーダガラス等が挙げられる。セラミック材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素等が挙げられる。金属酸化物材料としては、酸化チタン等が挙げられる。光散乱性粒子は、ガラス材料、金属酸化物材料等の透明材料から成る場合、基板２の第２面２ｂの側から入射したレーザ光を散乱および屈折させて、第２絶縁層３２ｉの側へ到達しにくくすることができる。また光散乱性粒子は、金属材料、合金材料等の金属光沢色等の光反射性を有する場合、基板２の第２面２ｂの側から入射したレーザ光を反射および散乱させて、第２絶縁層３２ｉの側へ到達しにくくすることができる。

【0027】

光散乱性粒子の平均粒径は、５５ｎｍ～１０μｍ程度であってもよい。好適には１μｍ～１０μｍ程度、より好適には２μｍ～７μｍ程度であってよい。

【0028】

第１絶縁層３１ｉは、酸化珪素（ＳｉＯ₂）、窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）等の無機材料から成る構成であってもよい。この場合、基板２の第２面２ｂの側から入射したレーザ光が、第２絶縁層３２ｉよりも先に入射する第１絶縁層３１ｉの耐レーザ性が向上する。

【0029】

第２絶縁層３２ｉは、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機材料から成る構成であってもよい。この場合、基板２の第２面２ｂの側から入射したレーザ光の熱の影響を受けにくい第２絶縁層３２ｉが、厚みの厚い平坦化層等を構成することができる。

【0030】

また第２絶縁層３２ｉは、黒色化樹脂いわゆるブラックマトリックス等から成る遮光層であってもよい。この場合、遮光層積層型基板１を用いて表示装置を作製した際に、遮光層が黒色の背景色となり、表示画像のコントラストを向上させる。

【0031】

基板２の第１面２ａの端縁部Ｗから基板２の側面を経て第２面２ｂの側にかけて位置する側面配線１０を備え、側面配線１０は、第１金属遮光層３１および／または第２金属遮光層３２に重なる位置にある構成であってもよい。この場合、隣接する側面配線１０同士が第１金属遮光層３１の露出部および／または第２金属遮光層３２の露出部を介して短絡することを抑えることができる。側面配線１０は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ステンレススチール等の導電性粒子、未硬化の樹脂成分、アルコール溶媒および水等を含む導電性ペーストを、基板２の第１面２ａから側面および第２面２ｂにかけての所望の部位に塗布した後、加熱法、紫外線等の光照射によって硬化させる光硬化法、光硬化加熱法等の方法によって形成することができる。側面配線１０は、メッキ法、蒸着法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法によっても形成することができる。また、基板２の第１面２ａと側面と第２面２ｂとにおける側面配線１０を形成する部位に、溝を予め形成しておいてもよい。これにより、側面配線１０と成る導電性ペーストが、基板における所望の部位に配置されやすくなる。

【0032】

第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、電気的にフローティング（浮遊状態）とされている構成であってもよい。即ち、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、アノード電位部、カソード電位部等の特定の電位部に非接続の状態であってもよい。この場合、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２における、特定の電位部との接続部からその反対側の端部に発生する電位勾配によって、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２に電蝕による劣化が発生することを防ぐことができる。

【0033】

また第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、基板２の全周にわたって配置されていてもよい。例えば、基板２が矩形状である場合、全ての辺（４辺）がレーザ切断される辺であれば、全ての辺に第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２が配置されていてもよい。なお、基板２がレーザ切断される辺とレーザ切断されない辺とを有する場合、少なくともレーザ切断される辺に第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２が配置されていてもよい。

【0034】

基板２の第１面２ａ上に、発光素子６１と、発光素子６１を駆動制御するＴＦＴと、発光素子６１とＴＦＴとを接続する後述のゲート信号線４およびソース信号線５等の配線層と、を備え、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２の少なくとも一方は、配線層と同じ材料から成る構成であってもよい。この場合、工程数を削減することができる。

【0035】

図４は図１に示す遮光層積層型基板の第１面２ａ側の回路構成を模式的に示すブロック回路図であり、図５は遮光層積層型基板の第２面２ｂ側の回路構成を模式的に示すブロック回路図である。基板２は、例えば、透明または不透明なガラス基板、プラスチック基板、セラミック基板等である。基板２は、第１面２ａ、第１面２ａとは反対側の第２面２ｂ、および第１面２ａと第２面２ｂとを接続する第３面（以下、側面ともいう）２ｃを有している。基板２は、その形状が、三角形板状、矩形板状、台形板状、円形板状、楕円形板状、六角形板状等であってもよく、その他の形状であってもよい。基板２の形状が、三角形板状、矩形板状、六角形板状等の形状である場合には、複数の遮光層積層型基板１をタイリングして、複合型かつ大型の表示装置（以下、マルチディスプレイともいう）を作製することが容易になる。本実施形態では、例えば図１，２に示すように、基板２は、矩形板状の形状を有しており、第１面２ａは、第１辺２ａａ、および第１辺２ａａに連なる第２辺２ａｂを有している。

【0036】

画素部３は、基板２の第１面２ａ上に、複数のものが所定のピッチでマトリックス状に配置されている。複数の画素部３は、複数のゲート信号線４と複数のソース信号線５との交差部に対応して配置され、各画素部３は発光素子６を有している。複数のゲート信号線４は、所定方向（図１における左右方向であり、例えば行方向）に沿って配置されている。複数のソース信号線５は、所定方向と交差する方向（例えば列方向）に複数のゲート信号線４と交差して配置されている。

【0037】

複数の画素部３の各々は、発光素子６および電極パッド６２を有している。発光素子６は、例えば、発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体レーザ素子等の自発光型の素子である。本実施形態では、発光素子６として、ＬＥＤ素子を用いる。発光素子６は、マイクロＬＥＤ素子であってもよい。発光素子６がマイクロＬＥＤ素子である場合、発光素子６は、第１面２ａ上に配置された状態で、一辺の長さが１μｍ程度以上１００μｍ程度以下あるいは３μｍ程度以上１０μｍ程度以下である矩形状の平面視形状を有していてもよい。

【0038】

発光素子６は、アノード端子およびカソード端子を有し、電極パッド６２は、アノードパッド６２ａおよびカソードパッド６２ｂを有している。発光素子６のアノード端子およびカソード端子は、例えば、導電性接着剤、はんだ等の導電性接合材を介して、アノードパッド６２ａおよびカソードパッド６２ｂにそれぞれ電気的に接続されている。

【0039】

各画素部３は、複数の発光素子６、複数のアノードパッド６２ａ、およびカソードパッド６２ｂを有していてもよい。複数のアノードパッド６２ａには、複数の発光素子６の複数のアノード端子がそれぞれ電気的に接続され、複数のカソードパッド６２ｂには、複数の発光素子６の複数のカソード端子が電気的に接続される。複数の発光素子６は、赤色光を発光する発光素子６１Ｒ、緑色光を発光する発光素子６１Ｇ、および青色光を発光する発光素子６１Ｂであってもよい。この場合、各画素部３は、カラーの階調表示が可能になる。各画素部３は、赤色光を発光する発光素子６１Ｒの代わりに、橙色光、赤橙色光、赤紫色光、または紫色光を発光する発光素子を有していてもよい。また、各画素部３は、緑色光を発光する発光素子６１Ｇの代わりに、黄緑色光を発光する発光素子を有していてもよい。

【0040】

電源供給部としての電源供給回路７は、例えば図５に示すように、第２面２ｂ上に配置されている。電源供給回路７は、複数の画素部３に供給される第１電源電圧ＶＤＤおよび第２電源電圧ＶＳＳを生成する。電源供給回路７は、第１電源電圧ＶＤＤを出力するＶＤＤ端子と、第２電源電圧ＶＳＳを出力するＶＳＳ端子とを有している。第１電源電圧ＶＤＤは、例えば１０Ｖ～１５Ｖ程度のアノード電圧である。第２電源電圧ＶＳＳは、第１電源電圧ＶＤＤよりも低電圧であり、例えば０Ｖ～３Ｖ程度のカソード電圧である。電源供給回路７は、例えば、フレキシブル回路基板（Flexible Circuit Board：ＦＰＣ）によって構成されていてもよい。電源供給部は、電源電圧制御用のＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子を備えた回路モジュールであってもよい。さらに電源供給部は、電源供給回路７と、発光素子６の発光、非発光、発光強度等を制御する制御信号を生成するための、ＩＣチップによって構成された発光制御素子と、を有していてもよい。

【0041】

また、駆動回路部１３が第２面２ｂ上に配置されている。駆動回路部１３は、第２面２ｂ上に配置された第２ソース信号線１７（図３、図５に示す）を介して第１面２ａ上に配置されたソース信号線５に電気的に接続されている。駆動回路部１３と電源供給回路７は、それらの動作の同期をとるために電気的に接続されていてもよい。

【0042】

複数の第１配線パッド８は、例えば図４に示すように、第１面２ａ上における第１辺２ａａ側の端縁部Ｗに配置されている。端縁部Ｗは、第１辺２ａａに沿った辺縁部であり、第１面２ａ上における第１辺２ａａから第１面２ａの中央側に向かって１０μｍ～５００μｍ程度の幅を有する部位であるが、この幅の値に限らない。複数の第１配線パッド８は、複数の第１パッド８１と複数の第２パッド８２とを有している。第１パッド８１は、複数の画素部３に第１電源電圧ＶＤＤを供給するための配線パッドであり、第２パッド８２は、複数の画素部３に第２電源電圧ＶＳＳを供給するための配線パッドである。第１配線パッド８は、１辺の長さが５０μｍ～５００μｍ程度、好適には７０μｍ～３００μｍ程度の矩形状であるが、１辺の長さはこれらの値に限らず、形状も５角形状等の多角形状、台形状、円形状、楕円形状等の種々の形状であってもよい。以下、配線パッドについて同様の構成を採り得る。

【0043】

遮光層積層型基板１は、例えば図４に示すように、第１引き回し配線１１ａおよび第２引き回し配線１１ｂを有している。第１引き回し配線１１ａおよび第２引き回し配線１１ｂは、第１面２ａ上に位置している。第１引き回し配線１１ａおよび第２引き回し配線１１ｂは、例えば、「Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ」、「ＭｏＮｄ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｄ」等から成る。ここで、「Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ」は、Ｍｏ層上にＡｌ層が積層され、Ａｌ層上にＭｏ層が積層された積層構造を示す。その他についても同様である。第１引き回し配線１１ａは、発光素子６のアノード端子と複数の第１パッド８１とを接続している。第２引き回し配線１１ｂは、発光素子６のカソード端子と複数の第２パッド８２とを接続している。

【0044】

複数の第２配線パッド９は、第２面２ｂ上に位置している。複数の第２配線パッド９は、例えば図５に示すように、第１辺２ａａ側の端縁部に配置されていてもよい。この端縁部は、上述した端縁部Ｗと同様の構成を有していてもよい。複数の第２配線パッド９は、複数の第３パッド９１と複数の第４パッド９２とを有している。第３パッド９１は、複数の画素部３に第１電源電圧ＶＤＤを供給するための配線パッドであり、第４パッド９２は、複数の画素部３に第２電源電圧ＶＳＳを供給するための配線パッドである。

【0045】

遮光層積層型基板１は、複数の第１パッド８１の個数と複数の第３パッド９１の個数とが等しく、複数の第２パッド８２の個数と複数の第４パッド９２の個数とが等しい構成である。複数の第１パッド８１と複数の第３パッド９１とは、平面視において、すなわち、第１面２ａに直交する方向から見たときに、それぞれ重なっていてもよい。複数の第２パッド８２と複数の第４パッド９２とは、平面視において、それぞれ重なっていてもよい。

【0046】

遮光層積層型基板１は、第３引き回し配線１２を有している。第３引き回し配線１２は、第２面２ｂ上に位置している。第３引き回し配線１２は、例えば、「Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ」、「ＭｏＮｄ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｄ」、Ａｇ等から成る。例えば図５に示すように、第３引き回し配線１２は、電源供給回路７のＶＤＤ端子と複数の第３パッド９１とを接続し、電源供給回路７のＶＳＳ端子と複数の第４パッド９２とを接続している。

【0047】

複数の側面配線１０は、基板２の側面である第３面２ｃを介して、第１面２ａ上から第２面２ｂ上にかけて配置されている。本実施形態では、例えば図４，５に示すように、複数の側面配線１０は、第１面２ａ上から、第３面２ｃおよび第２面２ｂ上にかけて配置されている。複数の側面配線１０は、複数の第１配線パッド８と複数の第２配線パッド９とをそれぞれ接続している。複数の側面配線１０は、複数の第１パッド８１と複数の第３パッド９１とをそれぞれ接続し、複数の第２パッド８２と複数の第４パッド９２とをそれぞれ接続している。

【0048】

遮光層積層型基板１は、複数の側面配線１０の代わりに、第１面２ａから第２面２ｂにかけて貫通し、複数の第１配線パッドと複数の第２配線パッドとをそれぞれ接続する複数の貫通導体を有する構成であってもよい。また、複数の側面配線１０を有するとともに複数の貫通導体を有する構成であってもよい。本実施形態の遮光層積層型基板１は、好適には少なくとも複数の側面配線１０を有する構成であってよい。

【0049】

遮光層積層型基板１は、第１面２ａ上から第２面２ｂ上にかけて配置され、複数のゲート信号線４と電源供給回路７の制御素子とを接続するゲート配線を有している。ゲート配線は、例えば図４，５に示すように、第５配線パッド１８、第６配線パッド１９、第１ゲート配線２０、第２ゲート配線２１、および第３ゲート配線２２を有している。

【0050】

第５配線パッド１８は、例えば図４に示すように、第１面２ａ上における第１辺２ａａ側の端縁部に配置されている。第６配線パッド１９は、例えば図５に示すように、第２面２ｂ上における第１辺２ａａ側の端縁部に配置されている。第５配線パッド１８と第６配線パッド１９とは、平面視において、重なっていてもよい。第１ゲート配線２０は、例えば図４に示すように、第１面２ａ上に配置され、複数のゲート信号線４と第５配線パッド１８とを接続している。第２ゲート配線２１は、例えば図５に示すように、第２面２ｂ上に配置され、電源供給回路７の制御素子と第６配線パッド１９とを接続している。第３ゲート配線２２は、例えば図４，５に示すように、第１面２ａ上から、第３面２ｃ上および第２面２ｂ上にかけて配置され、第５配線パッド１８と第６配線パッド１９とを接続している。

【0051】

第１配線パッド８および第２配線パッド９は、導電性材料から成っている。第１配線パッド８および第２配線パッド９は、単一の金属層から成っていてもよく、複数の金属層が積層されて成っていてもよい。第１配線パッド８および第２配線パッド９は、例えば、Ａｌ、「Ａｌ／Ｔｉ」、「Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ」、Ｍｏ、「Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ」、「ＭｏＮｄ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｄ」、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ等から成っていてもよい。

【0052】

図３に示すように、第１配線パッド８は２層の導体層８ａ，８ｂを積層して成る。導体層８ａはＡｌ、「Ａｌ／Ｔｉ」、「Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ」、Ｍｏ、「Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ」、「ＭｏＮｄ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｄ」、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ等から構成されていてもよく、導体層８ａ上の導体層８ｂはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等から成る透明導電層から構成されていてもよい。また、第１配線パッド８における第１面２ａの内方側の端部に絶縁層２５，２６が配置されていてもよい。これにより、第１配線パッド８が第１面２ａの内方側に配置された配線導体等と短絡することを抑制できる。絶縁層２５，２６は、例えばＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、アクリル樹脂等のポリマー材料等から成る。第２配線パッド９の表面は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等から成る透明導電層によって被覆されていてもよい。

【0053】

各画素部３は、基板２上に、発光素子６のそれぞれに発光信号を入力するためのスイッチ素子としての第１の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）と、発光制御信号のレベル（電圧）に応じた、正電圧（アノード電圧：１０Ｖ～１５Ｖ程度）と負電圧（カソード電圧：０Ｖ～３Ｖ程度）の電位差（発光信号）によって発光素子６を電流駆動するための駆動素子としての第２の薄膜トランジスタと、を含む。

【0054】

第１および第２のＴＦＴは、例えば、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）、低温多結晶シリコン（Low-Temperature Poly Silicon：ＬＴＰＳ）等から成る半導体膜を有し、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の３端子を有する構成である。また第１および第２のＴＦＴは、双方ともｎチャネル型ＴＦＴである構成、双方ともｐチャネル型ＴＦＴである構成、一方がｎチャネル型ＴＦＴで他方がｐチャネル型ＴＦＴである構成を採用できる。そして、ゲート電極に所定電位の電圧（２．５Ｖ～３．５Ｖ程度）を印加することにより、ソース電極とドレイン電極の間の半導体膜（チャンネル）に電流を流す、スイッチング素子(ゲートトランスファ素子)として機能する。基板２がガラス基板から成り、駆動素子は、ＬＴＰＳから成る半導体膜を有するＴＦＴを用いて構成された駆動回路である場合、基板２上にＴＦＴをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法によって直接的に形成することができる。

【0055】

本実施形態によれば、複数の遮光層積層型基板１をタイリングして複合型表示装置を作製する場合、それぞれの遮光層積層型基板１の表面側と裏面側を、Ａｇ等から成る側面配線１０によって電気的に接続する。従来のように、基板２の側面配線１０の形成部位に、レーザ光を遮光する単層の金属遮光層を配置した場合、隣接する側面配線１０同士が金属遮光層を介して短絡するおそれがあったが、本実施形態では、金属遮光層が、積層方向において異なる位置にある、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２に分離されていることから、隣接する側面配線１０同士が第１金属遮光層３１を介して短絡することを防ぐことができる。また本実施形態では、平面視において、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２が一連となるように、重畳部位ＬＷを有している場合、基板２の第２面２ｂの側からレーザ光を照射しても、第２絶縁層３２ｉ等がレーザ光の熱の影響を受けることを効果的に抑えることができる。また、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２が電気的にフローティング（浮遊状態）とされている場合、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２に電蝕による劣化が生じることを防ぐことができる。また、金属遮光層が第１金属遮光層３１と第２金属遮光層３２とに分割されていることから、静電気放電が発生しにくい構成の金属遮光層となる。

【0056】

また、図２に示すように、第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２は、第２絶縁層３２ｉのみならず厚みが厚い平坦化層等としての有機層である絶縁層（有機絶縁層）２４，２６よりもレーザ光Ｌに近い側に位置するので、第２絶縁層３２ｉのみならず有機絶縁層２４，２６に対するレーザ光Ｌの熱の影響も抑えることができる。即ち、有機絶縁層２４，２６がレーザ光Ｌの熱によって昇華し、その後固化して第１面２ａ上の配線等に異物として付着することを抑えることができる。

【0057】

第１金属遮光層３１および第２金属遮光層３２のそれぞれの厚みは、５０ｎｍ～１μｍ程度であるが、第１金属遮光層３１の厚みを第２金属遮光層３２の厚みよりも厚くしてもよい。この場合、レーザ光Ｌに近い側の第１金属遮光層３１がレーザ光の熱を効率的に吸収し、第２金属遮光層３２がレーザ光の熱の影響を受けにくくすることができる。第１金属遮光層３１の厚みが、第２金属遮光層３２の厚みの１倍を超え５倍以下程度としてもよいが、この値に限らない。５倍を超えると、遮光層積層型基板１の薄型化を阻害する傾向がある。

【0058】

以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

【産業上の利用可能性】

【0059】

本開示の遮光層積層型基板は、ＬＥＤ表示装置、有機ＥＬ表示装置等の発光表示装置および液晶表示の表示装置として構成し得る。また本開示の遮光層積層型基板は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、複合型かつ大型の表示装置（マルチディスプレイ）、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。

【符号の説明】

【0060】

１ 遮光層積層型基板
２ 基板
２ａ 第１面
２ｂ 第２面
２ｃ 第３面（側面）
２ａａ 第１辺
２ａｂ 第２辺
３ 画素部
４ ゲート信号線
５ ソース信号線
６ 発光素子
６１Ｒ 赤色発光素子
６１Ｇ 緑色発光素子
６１Ｂ 青色発光素子
６２ 電極パッド
７ 電源供給回路
８ 第１配線パッド
８１ 第１パッド
８２ 第２パッド
９ 第２配線パッド
９１ 第３パッド
９２ 第４パッド
１０ 側面配線
１１ａ 第１引き回し配線
１１ｂ 第２引き回し配線
１２ 第３引き回し配線
１８ 第５配線パッド
１９ 第６配線パッド
２０ 第１ゲート配線
２１ 第２ゲート配線
２２ 第３ゲート配線
２４，２５，２６ 絶縁層
３１ 第１金属遮光層
３１ｉ 第１絶縁層
３２ 第２金属遮光層
３２ｉ 第２絶縁層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】