特許 7551929 基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置、方法、及びコンピュータで読み出し可能な記録媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-06

(45)【発行日】2024-09-17

(54)【発明の名称】基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置、方法、及びコンピュータで読み出し可能な記録媒体

(51)【国際特許分類】

   G01J 5/70 20220101AFI20240909BHJP

   G01J 5/48 20220101ALN20240909BHJP

【ＦＩ】

G01J5/70 A

G01J5/48 E

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2023534691

(86)(22)【出願日】2020-12-09

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-12-15

(86)【国際出願番号】 KR2020017957

(87)【国際公開番号】W WO2022124442

(87)【国際公開日】2022-06-16

【審査請求日】2023-06-30

(31)【優先権主張番号】10-2020-0170066

(32)【優先日】2020-12-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】520485066

【氏名又は名称】ユー エレクトロニクス シーオー． エルティディ．

(74)【代理人】

【識別番号】100102532

【弁理士】

【氏名又は名称】好宮 幹夫

(74)【代理人】

【識別番号】100194881

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 俊弘

(74)【代理人】

【識別番号】100215142

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 徹

(72)【発明者】

【氏名】リ ジュン ソプ

(72)【発明者】

【氏名】オム テ ファン

(72)【発明者】

【氏名】リ ミン キュ

【審査官】小澤 瞬

(56)【参考文献】

【文献】韓国登録特許第１０－１８３３３６５（ＫＲ，Ｂ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／００８９７６４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００８－１８５４６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００５－５１９２６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－２１３１９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０１４５０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２０２５６９（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｊ ５／００ － Ｇ０１Ｊ ５／９０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

対象体によって輻射された赤外線による出力電圧を提供する赤外線センサモジュールと、
前記赤外線センサモジュールが取り付けられた基板の温度を測定する温度センサモジュールと、
黒体の基準設定温度で求めた基板の温度に対する出力電圧間の第１関数を用いて、前記提供された出力電圧を前記基板の基準設定温度における出力電圧で補償する基板温度補償モジュールと、
前記基板の基準設定温度で求めた出力電圧に対する黒体の温度間の第２関数を用いて、前記補償された出力電圧から前記対象体の温度を求める演算モジュールと、
を含み、
前記基板温度補償モジュールは、
前記第１関数を用いて、前記提供された出力電圧から前記測定された基板の温度と前記基板の基準設定温度との間の差による出力電圧の変動分を減算することにより、前記提供された出力電圧を前記基板の基準設定温度における出力電圧で補償する、基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置。

【請求項2】

前記第１関数は、
前記黒体の温度を基準設定温度に固定させた状態で測定した基板の温度に対する出力電圧をカーブフィッティングによって求めた関数である、請求項１に記載の基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置。

【請求項3】

前記第２関数は、
前記基板の温度を基準設定温度に固定させた状態で測定した基板の温度に対する出力電圧をカーブフィッティングによって求めた関数である、請求項１に記載の基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置。

【請求項4】

前記赤外線センサモジュールは、
第１バイアス電圧を供給する第１バイアス電源と、
前記第１バイアス電圧の大きさより小さいサイズを有する第２バイアス電圧を供給する第２バイアス電源と、
一端が前記第１バイアス電源に直列連結されたリファレンスセルと、
一端が前記リファレンスセルの他端に連結され、他端は接地されたアクティブセルと、
（－）端子は前記リファレンスセル及び前記アクティブセルの連結ノードに、（＋）端子は前記第２バイアス電源に連結され、前記アクティブセルを流れる電流の増加量を積分した出力電圧を提供する積分器と、
を含む、請求項１に記載の基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置。

【請求項5】

前記第１バイアス電圧及び第２バイアス電圧は、
前記基板の基準設定温度及び前記黒体の基準設定温度で前記出力電圧が既に設定された値となるようにする大きさを有する、請求項４に記載の基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置。

【請求項6】

赤外線センサモジュールにおいて、対象体によって輻射された赤外線による出力電圧を提供する第１段階と、
温度センサモジュールにおいて、前記赤外線センサモジュールが取り付けられた基板の温度を測定する第２段階と、
基板温度補償モジュールにおいて、黒体の基準設定温度で求めた基板の温度に対する出力電圧間の第１関数を用いて、前記提供された出力電圧を前記基板の基準設定温度における出力電圧で補償する第３段階と、
演算モジュールにおいて、前記基板の基準設定温度で求めた出力電圧に対する黒体の温度間の第２関数を用いて、前記補償された出力電圧から前記対象体の温度を求める第４段階と、
を含み、
前記第３段階は、前記第１関数を用いて、前記提供された出力電圧から前記測定された基板の温度と前記基板の基準設定温度との間の差による出力電圧の変動分を減算することにより、前記提供された出力電圧を前記基板の基準設定温度における出力電圧で補償する、基板の温度補償を用いた対象体の温度測定方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本出願は、基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置、方法、及びコンピュータで読み出し可能な記録媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

熱画像カメラは、高い空間分解能及び温度分解能、非接触方式などの利点により、物体の表面を熱的にイメージ化し、温度分布を測定する周知の装置である。

【0003】

このような熱画像カメラを用いて対象物の温度を測定するためには、シャッターの温度を基準としてシャッターの開放前後の出力コード差に対する温度差曲線を求める。その後、求めた出力コード差に対する温度差曲線を適切な次数のフィッティング関数に近似させた後、これを用いて対象体の温度を測定する。

【0004】

このような従来技術によれば、対象物の温度を測定するためには、シャッターの温度を測定する必要があるが、シャッターには温度センサを取り付けることが実質的に不可能であるため、基板に取り付けられた温度センサを介して測定された温度をシャッターの温度と仮定する。

【0005】

しかし、基板の温度とシャッターの実際温度とは異なり、特に０．５度以下の高い精度で測定しなければならない体温の場合には精度が低下するという問題点がある。

【0006】

関連技術としては、韓国登録特許第２０６４５８２号（「熱画像カメラを用いた温度測定装置、方法及びコンピュータで読み出し可能な記録媒体」、登録日：２０２０年０１月０３日）がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明の一実施形態によれば、シャッターなしでも高い精度で対象体の温度を求めることができる基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置、方法、及びコンピュータで読み出し可能な記録媒体を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の第１実施形態によれば、対象体によって輻射された赤外線による出力電圧を提供する赤外線センサモジュールと、黒体の基準設定温度で求めた基板の温度に対する出力電圧間の第１関数を用いて、提供された上記出力電圧を上記基板の基準設定温度における出力電圧で補償する基板温度補償モジュールと、上記基板の基準設定温度で求めた出力電圧に対する黒体の温度間の第２関数を用いて、補償された上記出力電圧から上記対象体の温度を求める演算モジュールと、を含む、基板の温度補償を用いた対象体の温度測定装置が提供される。

【0009】

本発明の第２実施形態によれば、赤外線センサモジュールにおいて、対象体によって輻射された赤外線による出力電圧を提供する第１段階と、基板温度補償モジュールにおいて、黒体の基準設定温度で求めた基板の温度に対する出力電圧間の第１関数を用いて、提供された上記出力電圧を上記基板の基準設定温度における出力電圧で補償する第２段階と、演算モジュールにおいて、上記基板の基準設定温度で求めた出力電圧に対する黒体の温度間の第２関数を用いて、補償された上記出力電圧から上記対象体の温度を求める第３段階と、を含む、基板の温度補償を用いた対象体の温度測定方法が提供される。

【0010】

本発明の第３実施形態によれば、上記温度測定方法をコンピュータで実行するためのプログラムを記録した、コンピュータで読み出し可能な記録媒体が提供される。

【発明の効果】

【0011】

本発明の一実施形態によれば、赤外線センサモジュールから提供された出力電圧を基板の基準設定温度における出力電圧で補償し、出力電圧に対する黒体の温度間の関数を用いて、補償された出力電圧から対象体の温度を求めることにより、シャッターなしでも高い精度で対象体の温度を求めることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の一実施形態に係る温度測定装置を含む熱画像カメラを示す図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る赤外線センサモジュールの回路図である。

【図3】本発明の一実施形態に係る黒体の基準設定温度で求めた基板の温度に対する出力電圧のカーブフィッティングによって求めた曲線を示す図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る基板の基準設定温度で求めた出力電圧に対する黒体の温度のカーブフィッティングによって求めた曲線を示す図である。

【図5】本発明の一実施形態に係る基板の温度補償を用いた対象体の温度測定方法を説明するフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態にのみ限定されるものではない。図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されてもよく、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0014】

図１は、本発明の一実施形態に係る温度測定装置を含む熱画像カメラ１００を示す図である。

【0015】

図１に示すように、熱画像カメラ１００は、ハウジング１１１、ハウジング１１１の上部に備えられたＩＲウィンドウ１１２、鏡筒１１３、鏡筒１１３の内部に備えられた複数のレンズ１１４、基板１１５、基板１１５上に備えられた温度測定装置２００を含むことができ、温度測定装置２００は、赤外線センサモジュール２１０、基板温度補償モジュール２２０、演算モジュール２３０及び温度センサモジュール２４０を含むことができる。本発明の一実施形態によれば、熱画像カメラ１００には別途のシャッターが備えられていないことに留意すべきである。

【0016】

具体的に、赤外線センサモジュール２１０は、対象体によって輻射された赤外線による出力電圧を提供するモジュールであって、例えば、赤外線センサを含むことができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。以下、図２を参照して赤外線センサモジュール２１０について説明する。

【0017】

図２は、本発明の一実施形態に係る赤外線センサモジュール２１０の回路図である。

【0018】

図２に示すように、赤外線センサモジュール２１０は、第１バイアス電圧を供給する第１バイアス電源ＶＤＤと、第１バイアス電圧の大きさより小さい大きさを有する第２バイアス電圧を供給する第２バイアス電源Ｖｒｃｔと、一端が第１バイアス電源ＶＤＤに直列連結されたリファレンスセルＲｒ、一端がリファレンスセルＲｒの他端に連結され、他端は接地ＧＮＤに連結されたアクティブセルＲａと、（－）端子はリファレンスセルＲｒとアクティブセルＲａの連結ノードに、（＋）端子は第２バイアス電源Ｖｒｃｔに連結され、アクティブセルＲａを流れる電流の増加量を積分した出力電圧を提供するキャパシタＣを含む積分器２１１を含んで構成されることができる。

【0019】

上述した第１バイアス電圧及び第２バイアス電圧の大きさは、基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆ及び黒体の基準設定温度Ｔｂ＿ｒｅｆで出力電圧Ｖｏｕｔが既に設定された値となるようにする大きさを有することができる。また、上述した第２バイアス電圧の大きさは第１バイアス電源ＶＤＤの大きさの１／２であるか、又は第２バイアス電源Ｖｒｃｔの大きさは第１バイアス電源ＶＤＤの大きさの１／２を基準として一定範囲内の値であることができる。このように固定された大きさのバイアス電源を印加する理由は、センサに安定した電源を供給するためである。

【0020】

上述したリファレンスセルＲｒは一定の抵抗値を有し、アクティブセルＲａは入射する赤外線ＩＲに応じて内部の抵抗値が変化する素子であり得る。

【0021】

上述した積分器２１１は、アクティブセルＲａの抵抗値の減少に応じてアクティブセルＲａを流れる電流の増加量を積分し、出力信号（例えば、電圧）を生成することができる。

【0022】

具体的に、積分器２１１は、リファレンスセルＲｒとアクティブセルＲａとの間の連結ノードに（－）端子が、（＋）端子には第２バイアス電源Ｖｒｃｔが印加され、（－）端子及び出力端子の間にはキャパシタＣが連結された構造を有することができる。

【0023】

図２を参照すると、赤外線ＩＲが照射される場合、アクティブセルＲａの抵抗値が減少し、このような抵抗値の変化を電圧の形で読むためにバイアス電源ＶＤＤ、Ｖｒｃｔが印加されることができる。印加されるバイアス電源ＶＤＤ、Ｖｒｃｔの大きさには、後述するように第１関数を求める際に格納された値が用いられることができる。

【0024】

アクティブセルＲａの抵抗値が減少するにつれて、アクティブセルＲａ１を流れる電流は増加し、アクティブセルＲａ１を流れる電流量は積分器２１１で一定時間の間積分されることにより、出力信号Ｖｏｕｔが生成されることができる。

【0025】

発明の理解を助けるために、図２には、一つのリファレンスセルＲｒ及び一つのアクティブセルＲａのみを例示的に示しているが、アクティブセルＲａは少なくとも２つ以上であってもよく、各アクティブセルＲａは、スイッチ（図示せず）を介してリファレンスセルＲｒに連結されてもよいことは、当業者に明らかである。

【0026】

一方、基板温度補償モジュール２２０は、黒体の基準設定温度Ｔｂ＿ｒｅｆで求めた基板１１５の温度Ｔｐｃｂに対する出力電圧Ｖｏｕｔ間の第１関数（下記の数学式１参照）を用いて、赤外線センサモジュール２１０から提供された出力電圧Ｖｏｕｔを基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆにおける出力電圧で補償することができる。

【0027】

一方、上述した第１関数は、黒体（図示せず）の温度を基準設定温度Ｔｂ＿ｒｅｆに固定させた状態で測定した基板１１５の温度Ｔｐｃｂに対する出力電圧Ｖｏｕｔをカーブフィッティングによって求めた関数であってもよい。

【0028】

以下、基板の温度Ｔｐｃｂに対する出力電圧Ｖｏｕｔ間の第１関数を求める過程について詳細に説明する。

【0029】

まず、基板１１５の温度Ｔｐｃｂを基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆ（例えば２５度）に維持した状態で、基準設定温度Ｔｂ＿ｒｅｆ（例えば４０度）を有する黒体（図示せず）を熱画像カメラ１００の前に位置させた後、バイアス電圧ＶＤＤ、Ｖｒｃｔを可変させながら、出力電圧Ｖｏｕｔが所望の電圧、例えば、０．９Ｖとなるバイアス電圧ＶＤＤ、Ｖｒｃｔを格納する。

【0030】

その後、格納されたバイアス電圧ＶＤＤ、Ｖｒｃｔを印加し、基準設定温度Ｔｂ＿ｒｅｆ（例えば４０度）を有する黒体（図示せず）を熱画像カメラ１００の前に位置させた状態で、基板１１５の温度ＴｐｃｂをＴｐｃｂ１、Ｔｐｃｂ２、Ｔｐｃｂ３に可変させながら、それぞれの出力電圧Ｖｏｕｔ、例えば、Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２、Ｖｏｕｔ３を格納する。

【0031】

その後、基板の温度と出力電圧Ｔｐｃｂ１－Ｖｏｕｔ１、Ｔｐｃｂ２－Ｖｏｕｔ２、Ｔｐｃｂ３－Ｖｏｕｔ３のカーブフィッティング（ｃｕｒｖｅ ｆｉｔｔｉｎｇ）によって基板の温度Ｔｐｃｂに対する出力電圧Ｖｏｕｔ間の第１関数を求めることができる。

【0032】

第１関数は、例えば、下記数学式１に示すような２次関数であってもよいが、必ずしも２次関数に限定されるものではないことに留意すべきである。このようにして求めた第１関数による曲線３０１は、図３のように示すことができる。

【0033】

［数学式１］
Ｖｏｕｔ（Ｔｐｃｂ）＝２．３１２５＋０．０５×Ｔｐｃｂ－０．００２５×Ｔｐｃｂ^２

【0034】

ここで、Ｖｏｕｔ（Ｔｐｃｂ）は基板温度がＴｐｃｂであるときの出力電圧、Ｔｐｃｂは基板の温度であり得る。上述した数学式１は、黒体の温度Ｔｂが基準設定温度Ｔｂ＿ｒｅｆであるときに求めることができる。

【0035】

より具体的に、基板温度補償モジュール２２０は、下記数学式２によって、赤外線センサモジュール２１０から提供された出力電圧Ｖｏｕｔから、基板１１５の温度Ｔｐｃｂと基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆ間の差による出力電圧の変動分を減算することにより、提供された出力電圧Ｖｏｕｔを基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆにおける出力電圧で補償することができる。

【0036】

［数学式２］
Ｖｏｕｔｃ＝Ｖｏｕｔ－（Ｖｏｕｔ（Ｔｐｃｂ）－Ｖｏｕｔ（Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆ））

【0037】

ここで、Ｖｏｕｔｃは補償された出力電圧、Ｖｏｕｔは対象体が位置した状態で赤外線センサモジュールから提供された出力電圧、Ｖｏｕｔ（Ｔｐｃｂ）及びＶｏｕｔ（Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆ）は上述した数学式１にＴｐｃｂ及びＴｐｃｂ＿ｒｅｆを代入して求めた出力電圧を意味する。上述した出力電圧の変動分は（Ｖｏｕｔ（Ｔｐｃｂ）－Ｖｏｕｔ（Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆ））である。

【0038】

一方、演算モジュール２３０は、基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆで求めた出力電圧Ｖｏｕｔに対する黒体の温度Ｔｂ間の第２関数（下記数学式３参照）を用いて、基板温度補償モジュール２２０で補償された出力電圧Ｖｏｕｔｃから対象体の温度を求めることができる。

【0039】

すなわち、演算モジュール２３０は、基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆで求めた出力電圧Ｖｏｕｔに対する黒体の温度Ｔｂ間の第２関数（下記数学式３参照）の変数であるＶｏｕｔに補償された出力電圧Ｖｏｕｔｃを代入することにより、対象体の温度を求めることができる。

【0040】

上述した第２関数は、基板１１５の温度を基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆに固定させた状態で提供された出力電圧Ｖｏｕｔに対する黒体の温度Ｔｐｃｂをカーブフィッティングによって求めた関数であってもよい。

【0041】

以下、出力電圧に対する黒体の温度間の第２関数を求める過程について詳細に説明する。

【0042】

まず、上記で格納されたバイアス電圧ＶＤＤ、Ｖｒｃｔを赤外線センサモジュール２１０に印加し、基板１１５の温度Ｔｐｃｂを基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆ（例えば２５度）に維持させた状態で、熱画像カメラ１００の前に位置した黒体の温度ＴｂをＴｂ１、Ｔｂ２、Ｔｂ３に可変させながら、それぞれの出力電圧Ｖｏｕｔ、例えば、Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２、Ｖｏｕｔ３を格納する。

【0043】

その後、出力電圧Ｖｏｕｔに対する黒体の温度Ｔｂ（Ｖｏｕｔ１－Ｔｂ１、Ｖｏｕｔ２－Ｔｂ２、Ｖｏｕｔ３－Ｔｂ３）をカーブフィッティングによって第２関数を求めることができる。

【0044】

第２関数は、例えば、下記数学式３に示すような２次関数であってもよいが、必ずしも２次関数に限定されるものではないことに留意すべきである。このようにして求めた第２関数による曲線４０１は、図４のように示すことができる。

【0045】

［数学式３］
Ｔｂ（Ｖｏｕｔ）＝－１８０＋１７６．６６７×Ｖｏｕｔ－３３．３３３３×Ｖｏｕｔ^２

【0046】

ここで、Ｔｂ（Ｖｏｕｔ）は黒体の温度、Ｖｏｕｔは出力電圧であり得る。

【0047】

一方、温度センサモジュール２４０は基板１１５上に備えられ、基板１１５の温度を測定することができる。測定された基板１１５の温度は、上述の基板温度補償モジュール２２０及び演算モジュール２３０に伝達されて関数を求めるか、又は対象体の温度測定に用いられることができる。

【0048】

上述したように、本発明の一実施形態によれば、赤外線センサモジュールから提供された出力電圧を基板１１５の基準設定温度における出力電圧で補償し、出力電圧に対する黒体の温度間の関数を用いて、補償された出力電圧から対象体の温度を求めることにより、シャッターなしでも高い精度で対象体の温度を求めることができる利点がある。

【0049】

一方、図５は、本発明の一実施形態に係る基板１１５の温度補償を用いた対象体の温度測定方法を説明するフローチャートである。

【0050】

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態に係る基板１１５の温度補償を用いた対象体の温度測定方法について説明する。ただし、発明の簡明化のために図２～図４で説明した事項と重複する説明は省略する。

【0051】

図１～図５に示すように、まず、赤外線センサモジュール２１０は、対象体によって輻射された赤外線による出力電圧を提供することができる（Ｓ５０１）。提供された出力電圧は基板温度補償モジュール２２０に伝達されることができる。

【0052】

次に、基板温度補償モジュール２２０は、黒体の基準設定温度Ｔｂ＿ｒｅｆで求めた基板１１５の温度Ｔｐｃｂに対する出力電圧Ｖｏｕｔ間の第１関数を用いて、赤外線センサモジュール２１０から提供された出力電圧Ｖｏｕｔを基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆにおける出力電圧で補償することができる（Ｓ５０２）。

【0053】

一方、上述した第１関数は、黒体（図示せず）の温度を基準設定温度Ｔｂ＿ｒｅｆに固定させた状態で測定した基板１１５の温度Ｔｐｃｂに対する出力電圧Ｖｏｕｔをカーブフィッティングによって求めた関数であってもよく、基板の温度Ｔｐｃｂに対する出力電圧Ｖｏｕｔ間の第１関数を求める過程は上述した通りである。

【0054】

最後に、演算モジュール２３０は、基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆで求めた出力電圧Ｖｏｕｔに対する黒体の温度Ｔｂ間の第２関数を用いて、基板温度補償モジュール２２０で補償された出力電圧Ｖｏｕｔｃから対象体の温度を求めることができる（Ｓ５０３）。

【0055】

すなわち、演算モジュール２３０は、基板１１５の基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆで求めた出力電圧Ｖｏｕｔに対する黒体の温度Ｔｂ間の第２関数の変数であるＶｏｕｔに補償された出力電圧Ｖｏｕｔｃを代入することにより、対象体の温度を求めることができる。

【0056】

上述した第２関数は、基板１１５の温度を基準設定温度Ｔｐｃｂ＿ｒｅｆに固定させた状態で提供された出力電圧Ｖｏｕｔに対する黒体の温度Ｔｐｃｂをカーブフィッティングによって求めた関数であってもよく、出力電圧に対する黒体の温度間の第２関数を求める過程は上述した通りである。

【0057】

上述したように、本発明の一実施形態によれば、赤外線センサモジュールから提供された出力電圧を基板の基準設定温度における出力電圧で補償し、出力電圧に対する黒体の温度間の関数を用いて、補償された出力電圧から対象体の温度を求めることにより、シャッターなしでも高い精度で対象体の温度を求めることができる利点がある。

【0058】

上述した本発明の一実施形態に係る基板の温度補償を用いた対象体の温度測定方法は、コンピュータで実行されるためのプログラムで作製され、コンピュータが読むことができる記録媒体に格納されることができる。コンピュータが読むことができる記録媒体の例としては、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＤ－ＲＯＭ、磁気テープ、フロッピーディスク、光データ格納装置などが挙げられる。また、コンピュータが読むことができる記録媒体は、ネットワークで連結されたコンピュータシステムに分散され、分散方式でコンピュータが読むことができるコードが格納され実行されることができる。そして、上記方法を実現するための機能的な（ｆｕｎｃｔｉｏｎ）プログラム、コード及びコードセグメントは、本発明が属する技術分野におけるプログラマによって容易に推論されることができる。

【0059】

さらに、本発明の説明において、「～モジュール」は、様々な方式、例えば、プロセッサ、プロセッサによって行われるプログラム命令、ソフトウェアモジュール、マイクロコード、コンピュータプログラム生成物、ロジック回路、アプリケーション専用集積回路、ファームウェアなどによって実現されることができる。

【0060】

本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されない。添付の特許請求の範囲によって権利範囲を限定するものとし、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更が可能であることは、当技術分野における通常の知識を有する者に自明である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】