特許 7552197 電気光学装置および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-09

(45)【発行日】2024-09-18

(54)【発明の名称】電気光学装置および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1339 20060101AFI20240910BHJP

   G02F 1/1335 20060101ALI20240910BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240910BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20240910BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1339 500

G02F1/1335

G09F9/30 349Z

G09F9/30 349C

G02F1/13 505

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2020160935

(22)【出願日】2020-09-25

(65)【公開番号】P2022053996

(43)【公開日】2022-04-06

【審査請求日】2023-09-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003177

【氏名又は名称】弁理士法人旺知国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】春山 明秀

【審査官】磯崎 忠昭

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－１７９１４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１０／０５８６２９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００１－２１５５１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－１４２６１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－０８６４１０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／１３３９

Ｇ０２Ｆ １／１３３５

Ｇ０２Ｆ １／１３

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の画素電極を含んだ第１基板と、
透光性を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電気光学層と、
隣り合う画素電極間に配置され、前記電気光学層の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率部と、当該高屈折率部と接する光吸収部と、を含み、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を規定するスペーサーと、を備え、
前記光吸収部は、隣り合う画素電極の端部とそれぞれ接するように配置されていることを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

前記スペーサーは、前記第１基板または前記第２基板の一方から他方に向かって幅が小さくなる形状である請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

前記スペーサーは、平面視で、互いに離間する前記複数の画素電極の間の領域に位置する部分を有する請求項２に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記第１基板または前記第２基板は、前記複数の画素電極に対応する複数のレンズ部を有するレンズ層を、さらに備える請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。

【請求項5】

請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。

【0003】

特許文献１に記載の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置された液晶層とを備える。第１基板上には画素電極が設けられており、画素電極上には配向膜が設けられている。第２基板上には対向電極が設けられており、対向電極上には他の配向膜が設けられている。

【0004】

また、特許文献１に記載の液晶表示装置では、第１基板と第２基板との間にスペーサーが配置される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１６－９０６９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

スペーサーを形成した後に配向膜を形成する場合、スペーサーの周囲がスペーサーの影となり、配向膜が形成できない領域ができるため、複数蒸着により配向膜を形成する方法がとられている。ただし、スペーサー側面領域の蒸着膜の付き周りが、スペーサー部がない領域と異なることで、スペーサー側面領域の液晶分子の配向規制が十分でない。このため、スペーサーの周囲において液晶の配向が乱れやすい。この結果、配向が乱れた箇所で光漏れが生じてしまうおそれがある。また、スペーサーの構成によっては、配向が乱れた箇所に入射した光が、スペーサーと液晶との界面で反射してしまうおそれがある。この結果、光漏れを助長させてしまうおそれがある。よって、スペーサー等の影響により画像品質が低下してしまうという課題がある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の電気光学装置の一態様は、複数の画素電極を含んだ第１基板と、透光性を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記複数の画素電極による電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記電気光学層の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率部を含み、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を規定するスペーサーと、を備える。

【0008】

本発明の電子機器の一態様は、前述の電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。

【図2】図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線における断面図である。

【図3】図１の素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。

【図4】図２の電気光学装置の一部を拡大した図である。

【図5】図４の素子基板の一部を示す平面図である。

【図6】図４のレンズ部およびスペーサーの配置を示す平面図である。

【図7】図４のスペーサーを示す断面図ある。

【図8】第２実施形態におけるスペーサーを示す断面図である。

【図9】第３実施形態におけるスペーサーを示す断面図である。

【図10】第４実施形態におけるスペーサーを示す断面図である。

【図11】第５実施形態に係る電気光学装置を示す断面図である。

【図12】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

【図13】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。

【図14】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

【0011】

１．電気光学装置
１Ａ．第１実施形態
１Ａａ．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線における断面図である。なお、図１では、対向基板３の図示を省略する。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、＋Ｚ方向または－Ｚ方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向からを見ることを「断面視」とする。

【0012】

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の液晶装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。素子基板２、液晶層５および対向基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。また、図１および図２では図示しないが、電気光学装置１００は、液晶層５の厚みを規定する複数のスペーサーを有する。また、図１に示す電気光学装置１００の平面視での形状は四角形であるが、例えば円形であってもよい。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

【0013】

図２に示す素子基板２は、後述の複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する基板である。素子基板２は、透光性を有する第１基板２０と、透光性を有する複数の画素電極２３と、透光性を有する第１配向膜２５とを有する。また、図示はしないが、素子基板２は、複数の画素電極２３を平面視で囲む複数のダミー画素電極を有する。

【0014】

対向基板３は、素子基板２に対向して配置される基板である。対向基板３は、透光性を有する第２基板３０と、透光性を有する共通電極３５と、透光性を有する第２配向膜３６とを有する。共通電極３５は、複数の画素電極２３に対して液晶層５を介して配置される対向電極である。また、図示はしないが、対向基板３は、平面視で複数の画素電極２３を囲む遮光性の見切りを有する。「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。

【0015】

画素電極２３および共通電極３５のそれぞれは、液晶層５に電界を印加するための電極である。なお、素子基板２および対向基板３の詳細な構成については、後で説明する。

【0016】

シール部材４は、素子基板２と対向基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。ギャップ材が第１基板２０と第２基板３０との間の距離を制御することも可能であるが、後述するスペーサー６を表示領域Ａ１０に配置することにより、第１基板２０と第２基板３０との間の距離を制御することができる。スペーサー６は、図１、図２では不図示であるが、図４以降に示される。

【0017】

液晶層５は、素子基板２、対向基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、第１基板２０と第２基板３０との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

【0018】

図１に示すように、素子基板２には、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、共通電位が印加させる端子を含む。当該端子は、図示しない配線および導通材を介して、対向基板３の共通電極３５に電極的に接続される。

【0019】

かかる電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置する周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２３が１対１で配置される。前述の共通電極３５は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。また、周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が配置される。また、図示はしないが、周辺領域Ａ２０は、複数のダミー画素電極が配置されるダミー画素領域を含む。

【0020】

本実施形態では、電気光学装置１００は透過型である。本実施形態では、対向基板３に入射した光が素子基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、素子基板２に入射した光が対向基板３ら出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、電気光学装置１００は、反射型であってもよい。この場合、例えば、共通電極３５が透光性を有し、かつ画素電極２３が反射性を有する。反射型の場合、対向基板３に入射した光が画素電極２３で反射し、再び対向基板３から出射される間で変調されることにより、画像が表示される。さらに、反射型の場合、素子基板２は透光性を有しなくてよく、例えば、素子等を作り込めることが可能なシリコン基板であってもよい。

【0021】

また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

【0022】

１Ａｂ．素子基板２の電気的な構成
図３は、図１の素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２は、複数のトランジスター２４とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の容量線２４３とを有する。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２４が配置される。各トランジスター２４は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２４は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

【0023】

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ２方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

【0024】

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ２方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

【0025】

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。各画素電極２３は、対応するトランジスター２４のドレインに電気的に接続される。

【0026】

ｎ本の容量線２４３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の容量線２４３はＹ２方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２４３は、ｍ本の信号線２４２およびｎ本の走査線２４１に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各容量線２４３には、グランド電位等の固定電位が印加される。ｎ本の容量線２４３のそれぞれは、対応する複数の蓄積容量２４４に電気的に接続される。各蓄積容量２４４は、画素電極２３の電位を保持するための容量素子である。なお、複数の蓄積容量２４４は、複数の画素電極２３に１対１で電気的に接続される。複数の蓄積容量２４４は、複数のトランジスター２４のドレインに１対１で電気的に接続される。

【0027】

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２４がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２３に印加される。これにより、画素電極２３と図２に共通電極３５との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２４４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

【0028】

１Ａｃ．電気光学装置１００の具体的な構成
図４は、図２の電気光学装置１００の一部を拡大した図である。図４に示すように、電気光学装置１００は、素子基板２、対向基板３および液晶層５に加え、複数のスペーサー６を有する。以下、素子基板２、対向基板３および液晶層５について説明する。

【0029】

１Ａｃ－１．素子基板２
図４に示すように、素子基板２は、前述のように、第１基板２０、複数の画素電極２３および第１配向膜２５を有する。第１基板２０は、第１基体２１、積層体２２、遮光部２４０および前述のトランジスター２４を有する。遮光部２４０は、前述の図３に示す各種配線等を含む。第１基体２１、積層体２２、複数の画素電極２３および第１配向膜２５は、この順にＺ１方向に積層される。以下、素子基板２について説明する。

【0030】

第１基板２０は、透光性を有する。また、第１基板２０が有する第１基体２１は、透光性および絶縁性を有する平板である。第１基体２１は、例えば、ガラス板または石英板である。積層体２２は、透光性および絶縁性を有する。積層体２２は、複数の層間絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４および２２５を有する。層間絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４および２２５は、第１基体２１から複数の画素電極２３に向けてこの順に積層される。積層体２２の各層の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

【0031】

複数のトランジスター２４および遮光部２４０は、積層体２２の層間に配置される。なお、図４ではトランジスター２４および遮光部２４０は模式的に図示される。前述のとおり、対向基板３には、表示領域Ａ１０を囲む遮光性の見切りを有するが、表示領域Ａ１０においては、遮光部材はなく、素子基板２のトランジスター２４および遮光部２４０により、図５に示すように画素Ｐの開口部が規定される。

【0032】

複数のトランジスター２４は、断面視で遮光部２４０が有する配線等の間に配置される。トランジスター２４は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する半導体層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを有する。

【0033】

遮光部２４０は、図３に示す各種配線等を含む遮光性の膜の集合体である。遮光部２４０は、各種配線またはトランジスター２４に接続される各種電極を含む。図４では、信号線２４２が代表して図示される。また、図４では、当該各種電極の例として、トランジスター２４のドレインに電気的に接続される中継電極２４５が図示される。また、遮光部２４０は、トランジスター２４への光の入射を防ぐため、複数の遮光膜２４７を有する。

【0034】

遮光部２４０が有する配線等は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属シリサイド、または金属化合物を用いて形成される。

【0035】

また、図示はしないが、第１基板２０は、例えば、積層体２２の画素電極２３側の面に配置され、ＢＳＧ（borosilicate glass）等のガラスを含む層を有してもよい。

【0036】

複数の画素電極２３は、第１基板２０と液晶層５との間に配置される。本実施形態では、画素電極２３は、透光性および導電性を有する。画素電極２３は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。

【0037】

第１配向膜２５は、透光性および絶縁性を有する。第１配向膜２５は、液晶層５の液晶分子を配向させる。第１配向膜２５は、複数の画素電極２３を覆うように配置される。第１配向膜２５の材料としては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。また、第１配向膜２５は、斜方蒸着により成膜された斜方蒸着膜である。なお、斜方蒸着は、第１基板２０等の被蒸着物の表面に対して蒸着物質を斜めに入射させる方法である。第１配向膜２５は、斜方蒸着膜であるため、液晶層５の厚さ方向であるＺ１方向に対して傾斜する複数のカラムを有する。各カラムは、蒸着物質の分子間の相互作用による分子の凝集により形成される柱状の結晶である。

【0038】

図５は、図４の素子基板２の一部を示す平面図である。図５は、図４中のＢ－Ｂ線に対応する液晶層５側から素子基板２を平面視した図である。図５では、第１配向膜２５の図示が省略される。画素電極２３の外縁を実線で示し、他の外縁を破線で示す。複数の画素電極２３は、互いに離間し、Ｘ１方向およびＹ２方向に行列状に配置される。複数のトランジスター２４および遮光部２４０は、平面視で複数の画素電極２３の周囲に配置される。遮光部２４０は、平面視で格子状に配置される。図５では、スペーサー６、あるいは、それに対応する部分の図示は省略される。

【0039】

１Ａｃ－２．対向基板３
図４に示すように、対向基板３は、前述のように、第２基板３０、共通電極３５および第２配向膜３６を有する。第２基板３０は、第２基体３１、透光層３２、レンズ層３３および絶縁層３４を有する。第２基体３１、透光層３２、レンズ層３３、絶縁層３４、共通電極３５および第２配向膜３６は、この順にＺ２方向に積層される。

【0040】

第２基体３１は、透光性および絶縁性を有する平板である。第２基体３１は、例えば、ガラス板または石英板である。

【0041】

透光層３２は、透光性および絶縁性を有する。透光層３２は、複数の凹部３２１を有する。透光層３２の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

【0042】

レンズ層３３は、透光性および絶縁性を有する。レンズ層３３は、複数のレンズ部３３１を有する。複数のレンズ部３３１は、複数の凹部３２１に１対１で配置される。レンズ部３３１は、絶縁層３４からＺ１方向の突出する凸部である。レンズ部３３１は、レンズ面として機能する湾曲面を有する。当該湾曲面は、凹部３２１が有する凹面に接触する。レンズ層３３の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

【0043】

透光層３２の屈折率とレンズ層３３の屈折率とは、互いに異なる。本実施形態では、透光層３２の屈折率はレンズ層３３の屈折率よりも小さい。このため、レンズ部３３１は、第２基体３１から入射した光を集光させる。

【0044】

また、複数のレンズ部３３１は、複数の画素電極２３に１対１で対応して配置される。かかるレンズ部３３１を有することで、レンズ部３３１を有さない場合に比べ、光の利用効率を高めることができる。よって、明るく、かつ表示品質に優れる電気光学装置１００を実現することができる。

【0045】

絶縁層３４は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層３４の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。なお、絶縁層３４は省略してもよい。

【0046】

共通電極３５は、透光性および導電性を有する。共通電極３５は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。

【0047】

第２配向膜３６は、透光性および絶縁性を有する。第２配向膜３６は、第１配向膜２５とともに液晶層５の液晶分子を配向させる。第２配向膜３６は、共通電極３５を覆うように配置される。第２配向膜３６の材料としては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。また、第２配向膜３６は、第１配向膜２５と同様に、斜方蒸着により成膜された斜方蒸着膜である。

【0048】

図６は、図４のレンズ部３３１およびスペーサー６の配置を示す平面図である。図６は、図４中のＣ－Ｃ線に対応する対向基板３から素子基板２に向かって平面視した図であり、図５に対応する。レンズ部３３１の外縁を実線で示し、他の外縁を破線示す。図６は、レンズ部３３１が、平面視で、対応する画素電極２３に重なることを示す。レンズ部３３１は、画素ピッチごとに配置される。また、図６では、平面視で、複数のレンズ部３３１の間には、スペーサー６が配置され、便宜上、スペーサー６をドットパターンで示している。また、図６では、レンズ部３３１の外縁を円で示しているが、レンズ部３３１の外縁を画素電極２３の形状に近づけ、図４の断面形状とすることも可能である。

【0049】

１Ａｃ－３．スペーサー６
図７は、図４のスペーサー６を拡大した断面図ある。図７に示すように、複数のスペーサー６は、第１基板２０と第２基板３０との間に配置される。また、複数のスペーサー６は、液晶層５内に配置される。図７に示す例では、スペーサー６は、第１基板２０および画素電極２３に接触する。本実施形態では、スペーサー６は、第１基板２０上に配置される。また、図７に示す例では、スペーサー６は、第１配向膜２５で覆われるが、スペーサー６上には、第１配向膜２５が配置されていなくてもよい。さらに、第１配向膜２５が配置されていない領域の配向不良を低減するために、複数蒸着によりスペーサー６上に第１配向膜２５を形成してもよい。例えば、スペーサー６を素子基板２に形成する場合、画素電極２３まで形成した素子基板２に無機材料を図４～図７に示されるようにパターニングすることにスペーサー６を形成配置し、その後、無機材料を垂直および斜方蒸着することにより、画素電極２３及びスペーサー６の液晶層５側の面に第１配向膜を形成することができる。

【0050】

各スペーサー６は、柱状の部材である。スペーサー６は、第１基板２０と第２基板３０との間の距離を規定する。すなわち、スペーサー６は、液晶層５の厚さを規定している。スペーサー６を有することで、有さない場合に比べ、第１基板２０と第２基板３０との間の距離の経時的な変化を抑制することができる。

【0051】

各スペーサー６の断面視での形状は、四角形状である。スペーサー６は、柱上であり、底面に対応する第１面６０１と、上面に対応する第２面６０２と、側面６０３とを有する。第１面６０１は、スペーサー６のうち最も第１基板２０の近くに位置する面である。第２面６０２は、スペーサー６のうち最も第２基板３０の近くに位置する面である。側面６０３は、第１面６０１と第２面６０２とを接続する。本実施形態では、側面６０３は、Ｚ１方向に平行である。第１面６０１の幅と第２面６０２の幅は、ほぼ等しい。当該幅は、Ｘ－Ｙ平面における長さである。

【0052】

なお、図６に示す例では、各スペーサー６の平面視での形状は、ほぼ四角形であるが、当該形状は四角形に限定されない。例えば、当該形状は、例えば、ひし形および六角形等の多角形、あるいは円形であってもよい。また、図６に示す例では、各スペーサー６の全体形状は、柱状であるが、当該全体形状は、例えば壁状であってもよい。この場合、スペーサー６の平面視での形状は、遮光部２４０が有する配線に沿ったライン状でもよいし、遮光部２４０に対応する枠状でもよい。

【0053】

また、図６に示すように、複数のスペーサー６は、平面視で島状に配置される。各スペーサー６は、主に、平面視で画素電極２３と重ならない。具体的には、各スペーサー６は、平面視で複数の画素電極２３の間の領域に位置する部分を有する。かかる位置にスペーサー６を配置することで、平面視でスペーサー６と画素電極２３とが重なる領域を少なくすることができる。よって、スペーサー６が存在することによる開口率の低下を抑制することができる。また、スペーサー６の画素電極２３と重なる部分の割合は、開口率の低下を防ぐため、スペーサー６の画素電極２３と重ならない部分の割合よりも小さい。

【0054】

なお、図４～７に示す例では、各スペーサー６は、画素電極２３に重なる部分を有するが、当該部分を有していなくてもよい。

【0055】

また、本実施形態では、複数のスペーサー６は、複数の画素Ｐに対して１対１で配置される。ただし、スペーサー６は、画素Ｐごとに配置されなくてもよい。ただし、画素Ｐごとに配置されることで、画素Ｐごとに第１基板２０と第２基板３０との間の距離のバラつきを抑制することができる。

【0056】

図７に示すように、スペーサー６は、高屈折率部６１と光吸収部６２とを有する。高屈折率部６１と光吸収部６２とは接続される。本実施形態では、高屈折率部６１は、スペーサー６の大部分を占める。

【0057】

高屈折率部６１は、透光性および絶縁性を有する。高屈折率部６１の屈折率は、液晶層５の屈折率よりも高い。つまり、スペーサー６は、液晶層５の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率部６１を備える。

【0058】

ここで、第１配向膜２５が蒸着膜で形成される場合は、形成方法によっては、スペーサー６が存在すると、スペーサー６の側面部の領域と、画素電極２３の領域、特に画素電極２３の中心部の領域とでは第１配向膜２５の成膜状態が異なる場合がある。この結果、スペーサー６の側面部と画素電極２３の中心部とで同じ液晶配向にすることが難しく、スペーサー６の側面部において液晶の配向が乱れやすい。この結果、配向が乱れた箇所で光漏れが生じてしまうおそれがある。また、スペーサー６の側面部での反射光によって当該光漏れが増大するおそれがある。

【0059】

本実施形態では、前述のように高屈折率部６１を有する。このため、図７のように、光ＬＬは、高屈折率部６１の側面６０３で全反射されずに、高屈折率部６１内に入射する。このため、全反射した光が液晶層５の配向が乱れた箇所に入射することによって光漏れが増大することを抑制することができる。したがって、従来よりも、光漏れを低減することができる。よって、いわゆる電気光学装置における黒浮きを抑制することができる。このため、表示品質の向上を図ることができる。

【0060】

スペーサー６のうちの高屈折率部６１の割合は、特に限定されないが、好ましくは８割以上である。かかる範囲以上であることで、光ＬＬの高屈折率部６１での光の反射をより効果的に抑制することができる。

【0061】

また、高屈折率部６１は、光吸収部６２に対して光ＬＬの入射側に位置する。このため、高屈折率部６１が光吸収部６２に対して光ＬＬに出射側に位置する場合に比べ、光ＬＬを高屈折率部６１に効率良く導くことができる。この結果、液晶層５の配向が乱れた箇所に入射する光ＬＬの割合を減らすことができる。よって、光漏れの発生をより効果的に抑制することができる。

【0062】

液晶層５の屈折率と高屈折率部６１の屈折率との差は、特に限定されないが、例えば０．０５以上０．４以下である。かかる範囲であると、範囲外である場合に比べ、光ＬＬを高屈折率部６１に効率良く導くことができ、かつ高屈折率部６１の材料の選択肢が過度に少なくなることが抑制される。また、液晶層５の屈折率は、具体的には例えば、１．４以上１．６５以下である。この場合、高屈折率部６１の屈折率は、液晶層５の屈折率よりも大きければ特に限定されないが、例えば、１．７以上１．９以下である。

【0063】

かかる高屈折率部６１の材料としては、例えば、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料が挙げられる。高屈折率部６１の材料が無機材料であることで、高屈折率部６１が有機材料を含む場合に比べ、高屈折率部６１の寸法精度を特に高めることができ、かつ経時的な寸法変化を特に生じ難くすることができる。よって、長期にわたって、素子基板２と対向基板３との間の距離の安定化を図ることができる。また、高屈折率部６１の材料が無機材料であることで、有機材料または金属材料の成分が液晶層５に侵入することによる液晶層５の劣化が抑制される。このため、有機成分または金属成分が液晶層５に混入することによって不具合が発生するおそれを抑制することができる。それゆえ、電気光学装置１００の長寿命化を図ることができる。

【0064】

なお、高屈折率部６１は、有機材料または金属材料を含んでもよい。また、高屈折率部６１は、１層で構成されもよいし、複数層で構成されてもよい。ただし、１層で構成されることで、複数層で構成される場合に比べ、高屈折率部６１の製造が容易である。

【0065】

図７に示すように、光吸収部６２は、高屈折率部６１に対してＺ２方向に位置する。光吸収部６２は、第１基板２０および画素電極２３に接触する。なお、光吸収部６２と、第１基板２０および画素電極２３にとの間には、任意の膜が介在してもよい。

【0066】

光吸収部６２は、光を吸収する機能を有する。このため、高屈折率部６１内に入射した光ＬＬを吸収することができる。よって、当該光ＬＬが液晶層５の配向が乱れた箇所に出射されることが抑制される。また、高屈折率部６１が平面視でトランジスター２４と重なるため、高屈折率部６１内に入射した光ＬＬが、トランジスター２４に入射するおそれが抑制される。なお、光吸収部６２が存在しない場合には、例えば、高屈折率部６１内に入射した光ＬＬは、遮光部２４０によって吸収される。

【0067】

かかる光吸収部６２の材料としては、例えば、色材を含む樹脂材料、金属材料、および窒化ケイ素等の無機材料が挙げられる。また、光吸収部６２は、１層で構成されもよいし、複数層で構成されてもよい。ただし、１層で構成されることで、複数層で構成される場合に比べ、光吸収部６２の製造が容易である。

【0068】

光吸収部６２の屈折率は、液晶層５の屈折率と同じでも異なっていてもよいが、好ましくは、液晶層５の屈折率よりも高い。これにより、液晶層５から光吸収部６２に向かう光が光吸収部６２で反射するおそれが抑制される。したがって、スペーサー６の全体の屈折率は、好ましくは液晶層５の屈折率よりも高い。これにより、光漏れを特に効果的に抑制することができる。

【0069】

以上のスペーサー６を用いることで、液晶層５の厚さを維持するとともに光漏れを従来よりも抑制することができ、電気光学装置１００の表示品位の低下を抑制することができる。

【0070】

また、第１配向膜２５の屈折率は、好ましくは、液晶層５の屈折率と高屈折率部６１の屈折率との間の屈折率である。さらに、第１配向膜２５の屈折率は、好ましくは、液晶層５の屈折率よりも高屈折率部６１の屈折率に近い。これにより、光ＬＬが第１配向膜２５とスペーサー６の界面で全反射するのを抑え、光ＬＬを高屈折率部６１に効率良く導くことができる。

【0071】

また、前述のように、レンズ部３３１は、画素ピッチごとに設けられる。レンズ部３３１は、光を液晶層５において光を集光させる。このため、レンズ部３３１を有さない場合に比べ、液晶層５の配向が乱れた箇所に入射する光ＬＬの割合を減らすことができる。よって、レンズ部３３１を有さない場合に比べ、光漏れを抑制することができる。

【0072】

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0073】

図８は、第２実施形態におけるスペーサー６Ａを示す断面図である。本実施形態のスペーサー６Ａは、第１実施形態の高屈折率部６１および光吸収部６２を分離して有していない。図８に示すスペーサー６Ａは、ほぼ全体が高屈折率部６１および光吸収部６２の両方の機能を有する。以下では、スペーサー６Ａについて、第１実施形態のスペーサー６と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は適宜省略する。

【0074】

図８に示すスペーサー６Ａは、液晶層５の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率部で構成される。そして、当該高屈折率部は、光を吸収する機能を有する。スペーサー６Ａが第１実施形態の高屈折率部６１および光吸収部６２の両方の機能を有することで、スペーサー６Ａに入射する光ＬＬは、スペーサー６Ａ内に入射し、かつ吸収される。なお、スペーサー６Ａの吸収性能によっては、光ＬＬは、スペーサー６Ａ内を進行しつつ徐々に吸収される。

【0075】

かかるスペーサー６Ａを有することで、スペーサー６Ａで反射した光が液晶層５の配向が乱れた箇所に入射することによって光漏れが助長されることを抑制することができる。また、スペーサー６Ａに入射した光がスペーサー６Ａ外に出射するおそれが抑制される。特に、スペーサー６Ａの全体が吸収性能を有することで、光ＬＬをより吸収できるので、光漏れ量をより低減することができる。

【0076】

スペーサー６Ａの材料としては、例えば、色材を含む樹脂材料、金属材料、および窒化ケイ素等の無機材料が挙げられる。なお、スペーサー６Ａは、１層で構成されもよいし、複数層で構成されてもよい。スペーサー６Ａが複数層で構成される場合、液晶層５と接触する部分は、好ましくは無機材料で構成される。これにより、有機成分または金属成分が液晶層５に混入することによって不具合が発生するおそれが抑制される。

【0077】

また、第１配向膜２５の屈折率は、好ましくは、液晶層５の屈折率とスペーサー６Ａの屈折率との間の屈折率である。さらに、第１配向膜２５の屈折率は、好ましくは、液晶層５の屈折率よりもスペーサー６Ａの屈折率に近い。これにより、光ＬＬが第１配向膜２５とスペーサー６Ａの界面で全反射するのを抑え、スペーサー６Ａに効率良く導くことができる。

【0078】

以上の第２実施形態によっても、第１実施形態と同様に、従来よりも、光漏れを低減することができる。

【0079】

１Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0080】

図９は、第３実施形態におけるスペーサー６Ｂを示す断面図である。本実施形態のスペーサー６Ｂは、第１実施形態の高屈折率部６１および光吸収部６２の代わりに、高屈折率部６１Ｂおよび光吸収部６２Ｂを有する。以下では、スペーサー６Ｂについて、第１実施形態のスペーサー６と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は適宜省略する。

【0081】

図９に示すように、スペーサー６Ｂは、第１基板２０または第２基板３０の一方から他方に向かって幅が小さくなる形状である。本実施形態では、スペーサー６は、第１基板２０から第２基板３０に向かって幅が小さいなる形状である。スペーサー６Ｂの断面視での形状は、台形である。高屈折率部６１Ｂおよび光吸収部６２Ｂの各断面視での形状は、台形である。本実施形態では、第２面６０２の幅は、第１面６０１の幅よりも小さい。また、本実施形態では、光ＬＬが第２基板３０から入射する。このため、スペーサー６Ｂの幅は、光ＬＬの出射側から入射側からに向かって小さくなる。

【0082】

スペーサー６Ｂが第１基板２０から第２基板３０に向かって幅が小さいなる形状であることで、本実施形態のように光ＬＬが第２基板３０から入射する場合、スペーサー６Ｂ内において側面６０３に対する光ＬＬの入射角を大きくすることができる。この結果、図９に示すように、スペーサー６Ｂ内で光は伝搬され易くなる。よって、スペーサー６Ｂ内の光がスペーサー６Ｂ外に出射されるおそれが抑制される。したがって、第１実施形態に比べて、光漏れを低減することができる。

【0083】

また、光吸収部６２Ｂは、高屈折率部６１Ｂで覆われる。すなわち、光吸収部６２Ｂは、高屈折率部６１Ｂ内に配置される。よって、光吸収部６２Ｂが、有機材料または金属材料で構成されていても、当該材料の成分が液晶層５に侵入することによる液晶層５の劣化が抑制される。

【0084】

以上の第３実施形態によっても、第１実施形態と同様に、従来よりも、光漏れを低減することができる。

【0085】

１Ｄ．第４実施形態
第４実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0086】

図１０は、第４実施形態におけるスペーサー６Ｃを示す断面図である。本実施形態のスペーサー６Ｃは、第１実施形態の高屈折率部６１および光吸収部６２を分離して有していない。また、スペーサー６Ｃの形状は第１実施形態のスペーサー６の形状と異なる。以下では、スペーサー６Ｃについて、第１実施形態のスペーサー６と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は適宜省略する。

【0087】

図１０に示すスペーサー６Ｃは、第２実施形態のスペーサー６Ａと同様に、液晶層５の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率部で構成される。そして、当該高屈折率部は、光を吸収する機能を有する。このため、スペーサー６Ｃに入射する光ＬＬは、スペーサー６Ｃ内に入射し、かつ吸収される。

【0088】

かかるスペーサー６Ｃを有することで、スペーサー６Ｃで反射した光ＬＬが液晶層５の配向が乱れた箇所に入射することによって光漏れが助長されることを抑制することができる。また、スペーサー６Ｃに入射した光がスペーサー６Ｃ外に出射するおそれが抑制される。特に、スペーサー６Ａの全体が吸収性能を有することで、光ＬＬをより吸収できるので、光漏れ量をより低減することができる。

【0089】

スペーサー６Ｃの材料としては、第２実施形態のスペーサー６Ａと同様に、例えば、色材を含む樹脂材料、金属材料、および窒化ケイ素等の無機材料が挙げられる。

【0090】

図１０に示すように、スペーサー６Ｃは、第３実施形態のスペーサー６Ｂと同様に、第１基板２０または第２基板３０の一方から他方に向かって幅が小さくなる形状である。本実施形態では、スペーサー６Ｃは、第１基板２０から第２基板３０に向かって幅が小さいなる形状である。スペーサー６Ｃの断面視での形状は、台形である。第２面６０２の幅は、第１面６０１の幅よりも短い。また、スペーサー６Ｃの幅は、光ＬＬの出射側から入射側に向かって小さくなる。

【0091】

スペーサー６Ｃが第１基板２０から第２基板３０に向かって幅が小さいなる形状であることで、光ＬＬが第２基板３０から入射する場合、スペーサー６Ｃ内において側面６０３に対する光ＬＬの入射角を大きくすることができる。この結果、図１０に示すように、スペーサー６Ｃ内で光ＬＬは伝搬され易くなる。よって、スペーサー６Ｃ内の光ＬＬがスペーサー６Ｃ外に出射されるおそれが抑制される。したがって、第１実施形態に比べて、光漏れを低減することができる。

【0092】

以上の第４実施形態によっても、第１実施形態と同様に、従来よりも、光漏れを低減することができる。

【0093】

１Ｅ．第５実施形態
第５実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

【0094】

図１１は、第５実施形態に係る電気光学装置１００Ｄを示す断面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ｄは、第１実施形態の素子基板２、対向基板３および複数のスペーサー６の代わりに、素子基板２Ｄ、対向基板３Ｄおよび複数のスペーサー６Ｄを有する。以下では、素子基板２Ｄ、対向基板３Ｄおよび複数のスペーサー６Ｄについて、第１実施形態の素子基板２、対向基板３および複数のスペーサー６と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は適宜省略する。

【0095】

図１１に示す電気光学装置１００Ｄは、素子基板２Ｄから光が入射し、対向基板３Ｄから光が出射される。

【0096】

図１１に示すように、素子基板２Ｄが有する第１基板２０Ｄは、透光層２６およびレンズ層２７をさらに有する。第１基板２０、透光層２６、レンズ層２７および積層体２２は、この順にＺ１方向に積層される。

【0097】

透光層２６は、透光性および絶縁性を有する。透光層２６は、複数の凹部２６１を有する。透光層２６の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

【0098】

レンズ層２７は、透光性および絶縁性を有する。レンズ層２７は、複数のレンズ部２７１を有する。複数のレンズ部２７１は、複数の凹部２６１に１対１で配置される。レンズ部２７１は、積層体２２からＺ２方向の突出する凸部である。レンズ部２７１は、レンズ面として機能する湾曲面を有する。当該湾曲面は、凹部２６１が有する凹面に接触する。レンズ層２７の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

【0099】

透光層２６の屈折率とレンズ層２７の屈折率とは、互いに異なる。本実施形態では、透光層２６の屈折率はレンズ層２７に屈折率よりも大きい。このため、レンズ部２７１は、第１基体２１から入射した光を集光させる。

【0100】

また、複数のレンズ部２７１は、複数の画素電極２３に１対１で対応する。かかるレンズ部２７１を有することで、レンズ部２７１を有さない場合に比べ光の利用効率を高めることができる。よって、明るく、かつ表示品質の優れる電気光学装置１００を実現することができる。また、レンズ部２７１を有することで、有さない場合に比べ、液晶層５の配向が乱れた箇所に入射する光ＬＬの割合を減らすことができる。よって、光漏れを抑制することができる。

【0101】

図１１に示すように、対向基板３Ｄでは、第１実施形態の透光層３２およびレンズ層３３が省略される。よって、対向基板３Ｄが有する第２基板３０Ｄは、第２基体３１および絶縁層３４を有する。本実施形態のように、第１基板２０Ｄがレンズ層２７を有し、第２基板３０Ｄがレンズ層を有さないことで、第２基板３０Ｄの簡素化を図ることができる。

【0102】

図１１に示す例では、スペーサー６Ｄは、第２基板３０上に共通電極３５を介して配置されること以外、第３実施形態のスペーサー６Ｂと同様である。また、スペーサー６Ｄの一部は、第２配向膜３６で覆われるが、スペーサー６Ｄ上には、第２配向膜３６が配置されていなくてもよい。

【0103】

図１１に示すように、スペーサー６Ｄは、第２基板３０Ｄから第１基板２０Ｄに向かって幅が小さいなる形状である。高屈折率部６１Ｄおよび光吸収部６２Ｄの各断面視での形状は、台形である。本実施形態では、第１面６０１の幅は、第２面６０２の幅よりも小さい。また、スペーサー６Ｄの幅は、光ＬＬの出射側から入射側に向かって小さくなる。

【0104】

スペーサー６Ｄが第２基板３０Ｄから第１基板２０Ｄに向かって幅が小さいなる形状であることで、光が第１基板２０Ｄから入射する場合、スペーサー６Ｄ内において側面６０３に対する光の入射角を大きくすることができる。この結果、スペーサー６Ｄ内の光がスペーサー６Ｄ外に出射されるおそれが抑制される。したがって、光漏れを低減することができる。

【0105】

以上の第５実施形態によっても、第１実施形態と同様に、従来よりも、光漏れを低減することができる。

【0106】

なお、スペーサー６Ｄの断面視での形状は、台形ではなく、第１実施形態のスペーサー６と同様の四角形状でもよい。また、スペーサー６Ｄは、第２実施形態および第４実施形態と同様に、液晶層５の屈折率よりも屈折率が小さい低屈折部で構成されており、かつ、光を吸収する機能を有してもよい。

【0107】

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。以下の第１実施形態に関する変形例は、矛盾しない範囲で他の実施形態に適合され得る。

【0108】

前述の各実施形態では、トランジスター２４は、ＴＦＴであったが、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）であってもよい。

【0109】

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

【0110】

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。第１実施形態では、素子基板２に画素電極２３が設けられ、対向基板３に共通電極３５が設けられているが、素子基板２または対向基板３のいずれか一方のみに、液晶層５に電界を印加するための電極が設けられてもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

【0111】

３．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

【0112】

図１２は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0113】

図１３は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0114】

図１４は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0115】

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

【0116】

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。電気光学装置１００は光漏れが抑制されるため、いわゆる黒浮きが低減されている。したがって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品質を高めることができる。なお、電気光学装置１００の代わりに電気光学装置１００Ｄを用いてもよい。電気光学装置１００Ｄを用いた場合も、電気光学装置１００を用いた場合と同様の効果が発揮される。

【0117】

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

【0118】

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

【0119】

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

【符号の説明】

【0120】

２…素子基板、３…対向基板、４…シール部材、５…液晶層、６…スペーサー、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…第１基板、２１…第１基体、２２…積層体、２３…画素電極、２４…トランジスター、２５…第１配向膜、２６…透光層、２７…レンズ層、３０…第２基板、３１…第２基体、３２…透光層、３３…レンズ層、３４…絶縁層、３５…共通電極、３６…第２配向膜、６１…高屈折率部、６２…光吸収部、１００…電気光学装置、２２１…層間絶縁膜、２２２…層間絶縁膜、２２３…層間絶縁膜、２２４…層間絶縁膜、２４０…遮光部、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…容量線、２４４…蓄積容量、２４５…中継電極、２４７…遮光膜、２６１…凹部、２７１…レンズ部、３２１…凹部、３３１…レンズ部、６０１…第１面、６０２…第２面、６０３…側面、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、ＬＬ…光、Ｐ…画素。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】