特許 7552612 半導体レーザ、及び半導体レーザの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-09

(45)【発行日】2024-09-18

(54)【発明の名称】半導体レーザ、及び半導体レーザの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/22 20060101AFI20240910BHJP

   H01S 5/10 20210101ALI20240910BHJP

   H01S 5/343 20060101ALI20240910BHJP

   H01L 21/301 20060101ALI20240910BHJP

【ＦＩ】

H01S5/22

H01S5/10

H01S5/343 610

H01L21/78 B

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2021558337

(86)(22)【出願日】2020-11-12

(86)【国際出願番号】 JP2020042260

(87)【国際公開番号】W WO2021100604

(87)【国際公開日】2021-05-27

【審査請求日】2023-10-05

(31)【優先権主張番号】P 2019210558

(32)【優先日】2019-11-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002185

【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001357

【氏名又は名称】弁理士法人つばさ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】門脇 康弘

(72)【発明者】

【氏名】渡邊 秀輝

【審査官】右田 昌士

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１４８９１１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開平０５－１０２６０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／０３７７４７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－２２７１８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－１１９３６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／０２０７９３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／０１６７６４９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開昭６２－２１３１８８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ５／００ － ５／５０

Ｈ０１Ｌ ２１／３０１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、
前記積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、
を備え、
前記積層体は、前記上面から前記積層体を平面視した際に、前記リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、
前記上面から平面視した際の前記積層体の平面形状は、前記延在方向に延伸する長手形状であり、
前記両端面は、前記積層体に対して凸又は凹となるように設けられると共に、前記リッジ部に対応する領域で略平面となるように設けられる、半導体レーザ。

【請求項2】

前記両端面は、前記リッジ部に対応する領域では、少なくとも前記発光層が設けられる深さまで略平面となるように設けられる、請求項１に記載の半導体レーザ。

【請求項3】

前記両端面のうち、前記略平面となる領域における凹凸の大きさは、０．０２μｍ以上０．１μｍ以下である、請求項１に記載の半導体レーザ。

【請求項4】

前記積層体の前記長手形状の角部には、前記積層体の前記上面から深さ方向に向かって湾曲する溝断面部が設けられる、請求項１に記載の半導体レーザ。

【請求項5】

前記溝断面部は、前記延在方向に向かって湾曲する、請求項４に記載の半導体レーザ。

【請求項6】

前記溝断面部は、前記リッジ部と離隔して設けられる、請求項４に記載の半導体レーザ。

【請求項7】

前記溝断面部は、前記積層体を貫通して設けられる、請求項４に記載の半導体レーザ。

【請求項8】

前記積層体には、前記上面と対向する下面に裏面溝断面部がさらに設けられる、請求項１に記載の半導体レーザ。

【請求項9】

前記第１クラッド層、前記第２クラッド層、及び前記発光層は、前記半導体基板の半極性主面の上に積層される、請求項１に記載の半導体レーザ。

【請求項10】

前記半導体基板は、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体で設けられる、請求項１に記載の半導体レーザ。

【請求項11】

第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、
前記積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、
を備え、
前記積層体は、前記上面から前記積層体を平面視した際に、前記リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、
前記上面から平面視した際の前記積層体の平面形状は、前記延在方向に延伸する長手形状であり、
前記積層体の前記長手形状の角部には、前記積層体の前記上面から深さ方向に向かって湾曲する溝断面部が設けられる、半導体レーザ。

【請求項12】

第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、
前記積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、
を備え、
前記積層体は、前記上面から前記積層体を平面視した際に、前記リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、
前記上面から平面視した際の前記積層体の平面形状は、前記延在方向に延伸する長手形状であり、
前記両端面は、前記積層体に対して凸又は凹となるように設けられると共に、前記リッジ部に対応する領域で略平面となるように設けられる、半導体レーザであって、
前記第１導電型の前記第１クラッド層と、前記第２導電型の前記第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた前記発光層とを前記半導体基板の上に積層し、前記積層体を形成する工程と、
前記上面にて一方向に延在する凸構造の前記リッジ部を形成する工程と、
前記上面から深さ方向に向かって湾曲する割断溝部を形成する工程と、
前記上面から前記積層体を平面視した際に前記延在方向の両端部が円弧を含む形状となるように前記積層体を個片化する工程と
を含む、半導体レーザの製造方法。

【請求項13】

前記割断溝部は、レーザアブレーションによって形成される、請求項１２に記載の半導体レーザの製造方法。

【請求項14】

前記レーザアブレーションは、円偏光レーザによって行われる、請求項１３に記載の半導体レーザの製造方法。

【請求項15】

前記割断溝部の湾曲角度は、０°超７５°未満である、請求項１２に記載の半導体レーザの製造方法。

【請求項16】

前記積層体の個片化は、前記積層体を劈開することで行われる、請求項１２に記載の半導体レーザの製造方法。

【請求項17】

第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、
前記積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、
を備え、
前記積層体は、前記上面から前記積層体を平面視した際に、前記リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、
前記上面から平面視した際の前記積層体の平面形状は、前記延在方向に延伸する長手形状であり、
前記積層体の前記長手形状の角部には、前記積層体の前記上面から深さ方向に向かって湾曲する溝断面部が設けられる、半導体レーザであって、
前記第１導電型の前記第１クラッド層と、前記第２導電型の前記第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた前記発光層とを前記半導体基板の上に積層し、前記積層体を形成する工程と、
前記上面にて一方向に延在する凸構造の前記リッジ部を形成する工程と、
前記上面から深さ方向に向かって湾曲する割断溝部を形成する工程と、
前記上面から前記積層体を平面視した際に前記延在方向の両端部が円弧を含む形状となるように前記積層体を個片化する工程と
を含む、半導体レーザの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体レーザ、及び半導体レーザの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体レーザが様々な分野で利用されている。半導体レーザは、レーザ光の伝搬方向と直交する半導体レーザの端面を共振器の反射面として用いることで、レーザ光を増幅している。

【0003】

このような半導体レーザは、例えば、半導体基板の上に複数のレーザ構造体を形成した後、レーザ構造体ごとに半導体基板を割断することで製造される。半導体基板の割断は、例えば、結晶構造由来の結晶面に沿って半導体基板を劈開することで行われる（例えば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１１－１３５０１６号公報

【発明の概要】

【0005】

ここで、半導体レーザでは、共振器によるレーザ光の増幅をより適切に行うことで、出射されるレーザ光の特性を向上させることが望まれている。

【0006】

よって、より優れた特性を有するレーザ光を出射することが可能な半導体レーザを提供することが望ましい。

【0007】

本開示の一実施形態に係る第１の半導体レーザは、第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、第１クラッド層及び第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、を備え、積層体は、上面から積層体を平面視した際に、リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、上面から平面視した際の積層体の平面形状は、延在方向に延伸する長手形状であり、両端面は、積層体に対して凸又は凹となるように設けられると共に、リッジ部に対応する領域で略平面となるように設けられる。本開示の一実施形態に係る第２の半導体レーザは、第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、第１クラッド層及び第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、を備え、積層体は、上面から積層体を平面視した際に、リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、上面から平面視した際の積層体の平面形状は、延在方向に延伸する長手形状であり、積層体の長手形状の角部には、積層体の上面から深さ方向に向かって湾曲する溝断面部が設けられる。

【0008】

また、本開示の一実施形態に係る第１の半導体レーザの製造方法は、上記第１の半導体レーザであって、第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、第１クラッド層及び第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層し、積層体を形成する工程と、積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造のリッジ部を形成する工程と、上面から深さ方向に向かって湾曲する割断溝部を形成する工程と、上面から積層体を平面視した際に延在方向の両端部が円弧を含む形状となるように積層体を個片化する工程とを含む。本開示の一実施形態に係る第２の半導体レーザの製造方法は、上記第２の半導体レーザであって、第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、第１クラッド層及び第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層し、積層体を形成する工程と、上面にて一方向に延在する凸構造のリッジ部を形成する工程と、上面から深さ方向に向かって湾曲する割断溝部を形成する工程と、上面から積層体を平面視した際に延在方向の両端部が円弧を含む形状となるように積層体を個片化する工程とを含む。

【0009】

本開示の一実施形態に係る第１の半導体レーザ、及び第１の半導体レーザの製造方法ならびに本開示の一実施形態に係る第２の半導体レーザ、及び第２の半導体レーザの製造方法によれば、第１導電型の第１クラッド層、発光層、及び第２導電型の第２クラッド層を半導体基板の上に積層した積層体において、積層体の積層方向の上面にてリッジ部が延在する方向の端面を、上面から積層体を平面視した際に円弧を含む形状となるように設けることができる。これにより、半導体レーザは、例えば、リッジ部に対応する領域に設けられた導波路領域に対して、リッジ部の延在方向の積層体の端面を略垂直に設けることができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本開示の一実施形態に係る半導体レーザの積層構造を示す模式的な断面図である。

【図2】ＧａＮの結晶構造を示す説明図である。

【図3】同実施形態に係る半導体レーザの平面構造を説明する平面図である。

【図4A】同実施形態の変形例に係る半導体レーザの平面構造の一例を示す平面図である。

【図4B】同実施形態の変形例に係る半導体レーザの平面構造の他の例を示す平面図である。

【図5】同実施形態に係る半導体レーザの製造方法の流れを示すフローチャート図である。

【図6】割断溝部の断面形状の一例を模式的に示す説明図である。

【図7】割断溝部を用いて積層体を割断する方法を模式的に示す説明図である。

【図8】割断溝部の具体例を示す積層体の断面図である。

【図9】割断溝部の具体例を示す積層体の積層方向の上面の平面図である。

【図10】割断溝部の具体例を示す積層体の上面と反対側の裏面の平面図である。

【図11】割断溝部の変形例を示す積層体の積層方向の上面の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本開示における実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下で説明する実施形態は本開示の一具体例であって、本開示にかかる技術が以下の態様に限定されるわけではない。また、本開示の各構成要素の配置、寸法、及び寸法比等についても、各図に示す様態に限定されるわけではない。

【0012】

なお、説明は以下の順序で行う。
１．半導体レーザの構成
１．１．積層構造
１．２．平面構造
２．半導体レーザの製造方法
２．１．製造方法の概要
２．２．割断溝部の具体例
３．まとめ

【0013】

＜１．半導体レーザの構成＞
（１．１．積層構造）
まず、図１を参照して、本開示の一実施形態に係る半導体レーザの積層構造について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体レーザ１００の積層構造を示す模式的な断面図である。図１では、半導体レーザ１００の積層方向をＺ方向とし、半導体レーザ１００の面内方向のうち紙面手前側から紙面奥側に向かう方向をＹ方向とし、Ｙ方向と直交する半導体レーザ１００の面内方向をＸ方向とする。

【0014】

なお、以下の明細書では、第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型として説明を行う。

【0015】

図１に示すように、半導体レーザ１００は、例えば、半導体基板１の一方の面１ａ（上面１ａとも称する）にエピタキシャル層２を積層した積層体１０と、エピタキシャル層２の上に設けられた絶縁層３及び第１電極４と、半導体基板１の上面１ａと反対側の他方の面１ｂ（裏面１ｂとも称する）に設けられた第２電極５とを備える。

【0016】

半導体基板１は、例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、又はＩｎＡｌＧａＮなどの六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体にて形成される。具体的には、半導体基板１は、キャリアがｎ型のＧａＮ基板であってもよい。本実施形態に係る半導体レーザ１００では、エピタキシャル層２、絶縁層３、及び第１電極４が積層される半導体基板１の上面１ａは、半極性面である。半極性面については、図２を参照して後述する。

【0017】

エピタキシャル層２は、例えば、半導体基板１の上面１ａに、バッファ層１１と、第１クラッド層１２と、第１光ガイド層１３と、発光層１４と、第２光ガイド層１５と、キャリアブロック層１６と、第２クラッド層１７と、コンタクト層１８とを順にエピタキシャル成長させることで設けられる。

【0018】

バッファ層１１は、例えば、ｎ型ＧａＮ層などの窒化ガリウム系半導体層として設けられる。第１クラッド層１２は、例えば、ｎ型ＡｌＧａＮ層、又はｎ型ＩｎＡｌＧａＮ層などの窒化ガリウム系半導体層として設けられる。第１光ガイド層１３は、例えば、ｎ型ＧａＮ層、又はｎ型ＩｎＧａＮ層などの窒化ガリウム系半導体層として設けられる。

【0019】

発光層１４は、例えば、ＩｎＧａＮ、又はＩｎＡｌＧａＮなどの窒化ガリウム系半導体で形成された井戸層（図示せず）と、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮなどの窒化ガリウム系半導体で形成された障壁層（図示せず）とにて設けられる。具体的には、発光層１４は、井戸層と障壁層とを交互に複数積層した多重量子井戸構造にて設けられてもよい。発光層１４は、エピタキシャル層２における発光領域であり、例えば、４８０ｎｍ～５５０ｎｍの波長帯域の光を発することができる。

【0020】

第２光ガイド層１５は、ｐ型ＧａＮ層、又はｐ型ＩｎＧａＮ層などの窒化ガリウム系半導体層として設けられる。キャリアブロック層１６は、電子ブロック層であり、例えば、ｐ型ＡｌＧａＮ層などの窒化ガリウム系半導体層として設けられる。

【0021】

第２クラッド層１７は、例えば、ｐ型ＡｌＧａＮ層、又はｐ型ＩｎＡｌＧａＮ層などの窒化ガリウム系半導体層として設けられる。第２クラッド層１７の第１電極４側には、リッジ部１７ａが設けられる。リッジ部１７ａは、図１の紙面手前側から紙面奥側に向かうＹ方向に延在する凸構造であり、第２クラッド層１７の第１電極４側の表面のうち、リッジ部１７ａに対応する領域以外の領域をエッチング等により掘り込むことで設けられる。

【0022】

リッジ部１７ａは、半導体レーザ１００の個片の一方の端面から反対側の他方の端面まで延在するように設けられる。リッジ部１７ａの延在方向の互いに対向する両端面は、レーザ共振器の反射面として機能する。すなわち、リッジ部１７ａの延在方向に設けられた両端面と、リッジ部１７ａが設けられた平面領域に対応するエピタキシャル層２内の光導波路領域とによってレーザ共振器が構成される。半導体レーザ１００は、発光層１４から発せられた光を該レーザ共振器によって増幅することで、外部にレーザ光を出射することができる。

【0023】

コンタクト層１８は、例えば、ｐ型ＧａＮ層などの窒化ガリウム系半導体層として設けられる。コンタクト層１８は、第２クラッド層１７のリッジ部１７ａの上に設けられる。

【0024】

絶縁層３は、例えば、ＳｉＯ₂膜などの絶縁膜にて設けられる。絶縁層３は、第２クラッド層１７のリッジ部１７ａ以外の領域上、並びにリッジ部１７ａ及びコンタクト層１８の側面上に設けられる。

【0025】

第１電極４は、例えば、Ｐｄ膜などの導電性膜にて設けられる。第１電極４は、コンタクト層１８上、及び絶縁層３のコンタクト層１８側の端面上に設けられる。なお、半導体レーザ１００では、第１電極４に電気的に接続するパッド電極用の導電性膜がさらに設けられてもよい。パッド電極用の導電性膜は、例えば、絶縁層３、及び第１電極４を覆うように設けられてもよい。

【0026】

第２電極５は、例えば、Ａｌ膜などの導電性膜にて設けられる。第２電極５は、半導体基板１の裏面１ｂに設けられる。

【0027】

ここで、図２を参照して、ＧａＮなどの六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶構造、及び半導体基板１の半極性面について説明する。図２は、ＧａＮの結晶構造を示す説明図である。

【0028】

ＧａＮは、図２に示すような六方晶と呼ばれる結晶構造を有する。六方晶の結晶構造の中で、成長軸であるｃ軸に垂直な第１面２０１は、極性面と称され、ｃ軸と平行な第２面２０２は、無極性面と称される。また、ｃ軸をｍ軸方向に所定角度傾けた軸方向を法線方向とする第３面２０３は、第１面２０１と第２面２０２との中間的な性質の面となるため、半極性面と称される。

【0029】

半導体レーザ１００では、エピタキシャル層２は、半導体基板１の半極性面上にエピタキシャル成長される。例えば、エピタキシャル層２は、半導体基板１の｛２，０，－２，１｝面、｛１，０，－１，１｝面、｛２，０，－２，－１｝面、又は｛１，０，－１，－１｝面などの半極性面上にエピタキシャル成長されてもよい。半極性面では、極性面に近い結晶成長性を維持しつつ、かつｃ軸方向に生じるピエゾ電界を低減することができる。これによれば、半導体レーザ１００は、エピタキシャル層２を良好に結晶成長させると共に、発光層１４での発光効率を低下させるピエゾ電界を低減することができるため、発光特性を向上させることができる。

【0030】

一方で、半導体レーザ１００は、複数の半導体レーザ１００を２次元状に配列して形成した生産基板から各々の半導体レーザ１００を切り出すことで製造される。生産基板からの半導体レーザ１００の切り出しは、例えば、半導体基板１及びエピタキシャル層２の結晶構造の結晶面に沿った劈開によって行われる。劈開によって形成される面（劈開面とも称する）は、比較的平坦かつ平滑であるため、半導体レーザ１００におけるレーザ共振器の反射面として好適に用いることができる。

【0031】

しかしながら、半導体基板１の半極性面の上にエピタキシャル層２を積層した場合、半導体レーザ１００の切り出しの際の劈開面は、第１面２０１の結晶面（すなわち、｛０，０，０，１｝面）の影響を受けてしまう。そのため、半導体レーザ１００の切り出しの際の劈開面は、第１面２０１となり、図２に示すように発光層１４（すなわち、第３面２０３）に対して垂直な面とならないことがある。このような場合、発光層１４の端面の劈開面は、レーザ共振器の反射面としての機能が低下するため、実質的な反射率の低下、又はレーザ光の導波損失の増加を招いてしまう。これにより、半導体レーザ１００では、レーザ光の発光特性の低下、又は素子ごとの特性ばらつきの増加が発生してしまう。

【0032】

本開示に係る技術は、上記事情を鑑みることで想到された。本開示に係る技術は、半導体レーザ１００におけるレーザ共振器の反射面として機能する端面を円弧が含まれる形状として設けるものである。本開示に係る技術によれば、劈開面と光導波路領域の延在方向との垂直性を向上させることができる。

【0033】

（１．２．平面構造）
以下では、図３を参照して、本開示に係る技術の詳細について説明する。図３は、本実施形態に係る半導体レーザ１００の平面構造を説明する平面図である。図３では、図に正対して左右方向がＸ方向に対応し、図に正対して上下方向がＹ方向に対応する。また、図３では、紙面奥側から紙面手前側に向かう方向がＺ方向に対応する。

【0034】

図３に示すように、半導体レーザ１００では、積層体１０は、半導体基板１にエピタキシャル層２を積層した積層方向（以下、単に積層方向とも称する）から平面視した際にリッジ部１７ａが延在する方向（図３では、Ｙ方向）に延伸する長手形状にて設けられる。より具体的には、積層体１０は、リッジ部１７ａの延在方向に延伸する略矩形形状にて設けられる。

【0035】

また、リッジ部１７ａは、積層方向から平面視した際に積層体１０の短手方向（図３では、Ｘ方向）の略中央に積層体１０の一方の端面６から他方の端面６まで延在するように設けられる。なお、リッジ部１７ａの上には、図示しない第１電極４が設けられる。

【0036】

リッジ部１７ａが延在する方向の積層体１０の端面６は、積層方向から平面視した際に円弧を含む形状となるようにそれぞれ設けられる。具体的には、端面６は、積層方向から平面視した際に積層体１０の略矩形形状の各角部から積層体１０に対して凹となる円弧を描くようにそれぞれ設けられてもよい。これによれば、積層体１０の短手方向の略中央に設けられたリッジ部１７ａでは、端面６が描く円弧の曲率が低くなり、端面６が略平面となる。したがって、リッジ部１７ａが延在する方向の積層体１０の端面６は、レーザ共振器の反射面としての機能を備えることができる。

【0037】

例えば、端面６は、積層方向から平面視した際に、積層体１０に対して凹となる曲率半径５ｍｍ以上の円弧を描くように設けられてもよい。このような場合、積層体１０の短手方向の略中央に設けられたリッジ部１７ａでは、端面６は、導波路領域に対してほぼ垂直となるため、レーザ共振器の反射面としてより良好な形状を有することができる。

【0038】

上記の積層体１０の端面６は、複数の半導体レーザ１００を２次元状に配列して形成した生産基板から半導体レーザ１００を切り出す際に設けられるガイド用の割断溝部をリッジ部１７ａの延在方向に湾曲するように設けることで形成される。具体的には、半導体レーザ１００を生産基板から割断する際に積層体１０に設けられるガイド用の割断溝部を積層体１０に向かって湾曲するように設けて割断を行うことで、図２の第１面２０１の結晶面に沿わない端面６を形成することができる。これにより、半導体レーザ１００では、図２の第１面２０１の結晶面に沿わない端面６を割断によって形成することができるため、発光層１４の面内方向に対する端面６の垂直性を向上させることができる。

【0039】

このような割断によれば、端面６は、凹凸の大きさが０．１μｍ以下となるような平滑な割断面として形成され得る。また、半導体レーザ１００におけるレーザ共振器の反射面として端面６を用いる場合、０．０２μｍ以上の凹凸は許容されるため、端面６における凹凸の大きさは、０．０２μｍ以上０．１μｍ以下であってもよい。このような凹凸を含む端面６は、半導体レーザ１００におけるレーザ共振器の反射面として好適に用いることができる。

【0040】

なお、端面６は、リッジ部１７ａが設けられた上面から少なくとも発光層１４が設けられる深さまでの領域が上記の円弧を含む形状として設けられてもよい。例えば、端面６は、リッジ部１７ａが設けられた上面から少なくとも２μｍの深さまでの領域が上記の円弧を含む形状として設けられてもよい。レーザ共振器の反射面として機能するのは、発光層１４の面内方向に存在する積層体１０の端面６である。そのため、端面６は、リッジ部１７ａが設けられた上面から少なくとも発光層１４が設けられる深さまでの領域が上記の円弧を含む形状となっていることが好ましい。一方、積層体１０の発光層１４よりも下方の第１光ガイド層１３、第１クラッド層１２、バッファ層１１、及び半導体基板１の端面６は、図２の第１面２０１の結晶面に沿って割断された端面となっていてもよい。

【0041】

さらに、図３に示すように、積層方向から平面視した際の積層体１０の略矩形形状の各角部には、溝断面部７がそれぞれ設けられる。

【0042】

溝断面部７は、複数の半導体レーザ１００を２次元状に配列して形成した生産基板から半導体レーザ１００の各々を割断する際に設けられるガイド用の割断溝部の残存部である。具体的には、溝断面部７は、リッジ部１７ａが設けられた積層体１０の上面から深さ方向に向かって湾曲するように設けられた溝部の側壁面の残存部である。例えば、溝断面部７は、積層体１０の上面からリッジ部１７ａの延在方向に向かって湾曲する側壁面であってもよい。

【0043】

溝断面部７は、リッジ部１７ａと離隔して設けられてもよい。例えば、溝断面部７は、リッジ部１７ａから１０μｍ以上離隔して設けられてもよい。これは、溝断面部７を含むガイド用の割断溝部は、ガイド用の割断溝部を形成するプロセスにて周囲の積層体１０にダメージを与える可能性があるためである。溝断面部７をリッジ部１７ａと離隔して設けることによって、リッジ部１７ａに対応する領域に設けられた発光に寄与する領域がダメージを受けることを抑制することができる。

【0044】

なお、生産基板から半導体レーザ１００の各々を割断する際に設けられるガイド用の割断溝部の詳細については、半導体レーザ１００の製造方法の項にて後述する。

【0045】

続いて、図４Ａ及び図４Ｂを参照して、本実施形態に係る半導体レーザ１００の変形例について説明する。図４Ａは、変形例に係る半導体レーザ１００の平面構造の一例を示す平面図である。図４Ｂは、変形例に係る半導体レーザ１００の平面構造の他の例を示す平面図である。図４Ａ及び図４Ｂでは、リッジ部１７ａの延在方向の一方の積層体１０の構成を抜き出して示す。

【0046】

図４Ａに示すように、半導体レーザ１００Ａでは、リッジ部１７ａが延在する方向の積層体１０の端面６Ａは、積層方向から平面視した際に複数の円弧を含む形状となるように設けられる。具体的には、端面６Ａは、積層方向から平面視した際に、積層体１０の略矩形形状に対して角を丸めたより小さい矩形形状を凹に掘り込んだ形状となっていてもよい。本変形例によれば、リッジ部１７ａが設けられた領域の端面６Ａが略平面となるのであれば、端面６Ａの積層方向から平面視した際の形状は、円弧のみで構成されてもよく、複数の円弧で構成されてもよく、円弧及び直線で構成されてもよい。

【0047】

図４Ｂに示すように、半導体レーザ１００Ｂでは、リッジ部１７ａが延在する方向の積層体１０の端面６Ｂは、積層方向から平面視した際に積層体１０に対して凸となるように設けられる。具体的には、端面６Ｂは、積層方向から平面視した際に積層体１０の略矩形形状の各角部から積層体１０に対して凸となる円弧を描くように設けられてもよい。このような端面６Ｂは、半導体レーザ１００を生産基板から割断する際に積層体１０に設けられるガイド用の割断溝部を積層体１０から離れるように湾曲して設けることで形成することができる。本変形例によれば、リッジ部１７ａが設けられた領域の端面６Ｂが略平面となるのであれば、端面６Ｂを積層方向から平面視した際の形状は、積層体１０に対して凹となる形状であってもよく、凸となる形状であってもよい。

【0048】

＜２．半導体レーザの製造方法＞
（２．１．製造方法の概要）
次に、図５～図７を参照して、本開示の一実施形態に係る半導体レーザ１００の製造方法について説明する。図５は、本実施形態に係る半導体レーザ１００の製造方法の流れを示すフローチャート図である。

【0049】

図５に示すように、まず、複数の半導体レーザ１００を２次元状に配置して形成するための半導体基板１を用意する（Ｓ１００）。半導体基板１は、例えば、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体で形成され、上面１ａが半極性面となる基板である。用意された半導体基板１の半極性面は、例えば、サーマルクリーニング等によって清浄化される。

【0050】

次に、半導体基板１の半極性面上に、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、各種半導体層を順にエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル層２を形成する（Ｓ１１０）。具体的には、半導体基板１の上面１ａ上に、バッファ層１１、第１クラッド層１２、第１光ガイド層１３、発光層１４、第２光ガイド層１５、キャリアブロック層１６、第２クラッド層１７、及びコンタクト層１８を順にエピタキシャル成長させる。

【0051】

続いて、コンタクト層１８の表面領域のうち、リッジ部１７ａが形成される領域にマスクを設け、マスクを設けた領域以外の領域のコンタクト層１８、及び第２クラッド層１７をエッチングすることで、半導体レーザ１００の各々にリッジ部１７ａを形成する（Ｓ１２０）。その後、マスクを除去し、コンタクト層１８、及び第２クラッド層１７の表面に、蒸着法又はスパッタ法を用いて絶縁層３を形成する。

【0052】

次に、フォトリソグラフィグ技術を用いて、リッジ部１７ａの上の絶縁層３を除去してコンタクト層１８を露出させた後、露出したコンタクト層１８の上に蒸着法又はスパッタ法を用いて第１電極４を形成する（Ｓ１３０）。続いて、半導体基板１の裏面１ｂを半導体基板１が所望の厚さ（例えば、７０μｍ～８０μｍ程度）になるまで研磨した後、半導体基板１の裏面１ｂに蒸着法又はスパッタ法を用いて第２電極５を形成する。

【0053】

続いて、半導体基板１及びエピタキシャル層２が積層された積層体１０の積層方向の上面において、リッジ部１７ａの延在方向に隣接する半導体レーザ１００の形成領域の各角部に割断溝部（ケガキとも称される）を形成する（Ｓ１４０）。具体的には、割断溝部は、半導体レーザ１００の形成領域の各角部にて、積層体１０の積層方向の上面から深さ方向に湾曲するように設けられる。

【0054】

ここで、図６を参照して、割断溝部の断面形状について説明する。図６は、割断溝部３００の断面形状の一例を模式的に示す説明図である。

【0055】

図６に示すように、割断溝部３００は、積層体１０の積層方向の上面から深さ方向に向かって先端が湾曲するように設けられる。具体的には、割断溝部３００は、湾曲方向に割断溝部３００を切断した断面において、割断溝部３００の中心を通る直線の角度θが０°＜θ＜７５°となるように設けられてもよく、好ましくは１０°＜θ＜４５°となるように設けられてもよい。また、割断溝部３００の湾曲方向は、例えば、リッジ部１７ａの延在方向であるＹ方向（すなわち、図２の第１面２０１の結晶面に向かう方向）としてもよい。

【0056】

このような割断溝部３００は、例えば、レーザアブレーションによって形成することができる。レーザアブレーションは、照射したレーザ光を対象物が吸収した際の熱によってレーザ光照射位置の対象物を蒸発させることで、対象物の加工を行う手法である。例えば、積層体１０に対しては、ＩＩＩ族窒化物半導体が吸収可能な波長３５５ｎｍのレーザを用いることで、レーザアブレーションを行うことができる。

【0057】

具体的には、発振器から出射されたレーザ光を１／４波長板の主面に偏光面を４５°傾けて入射させることにより、円偏光のレーザ光を生成する。生成した円偏光のレーザ光をレンズ等で集光し、積層体１０に照射することで、先端が湾曲した形状となる割断溝部３００を形成することができる。割断溝部３００の湾曲角度は、例えば、レーザアブレーションに用いたレーザ光に含まれる円偏光及び直線偏光の割合で変化させることができる。

【0058】

なお、湾曲形状の割断溝部３００を形成することができれば、レーザアブレーションに替えて、ドライエッチング等を用いて割断溝部３００を形成することも可能である。

【0059】

さらに、後段における積層体１０の割断がより円滑に行われるようにするためには、他の形状の割断溝部がさらに設けられてもよい。例えば、積層体１０を貫通する割断溝部、又は積層体１０の積層方向の上面と反対側の裏面から掘り込まれた裏面割断溝部がさらに設けられてもよい。積層体１０に設けられる割断溝部の具体例については、図８～図１０を参照して後述する。

【0060】

次に、割断溝部を用いて、複数の半導体レーザ１００が２次元状に配置された積層体１０を割断（劈開）し、リッジ部１７ａの延在方向に隣接する半導体レーザ１００を互いに切り離すことで、積層体１０をバー状に加工する（Ｓ１５０）。具体的には、積層体１０の裏面にブレードを当てて、積層方向の上面から積層体１０を開くように割断することで、積層体１０をバー状に加工することができる。

【0061】

ここで、図７を参照して、割断溝部を用いた積層体１０の割断方法について説明する。図７は、割断溝部を用いて積層体１０を割断する方法を模式的に示す説明図である。

【0062】

図７に示すように、ブレイキング装置を用いて、裏面が上を向くように積層体１０を２つの受け刃４０１、４０２で支持し、割断予定位置に裏面からブレード４０３を当てることで、積層体１０の割断を行うことができる。割断予定位置は、例えば、割断溝部が設けられた各角部を含む半導体レーザ１００の形成領域の境界である。これにより、積層体１０の積層方向の上面（すなわち、ブレード４０３を当てた裏面の反対側の面）が開くように割断（劈開）するため、積層体１０がバー状に割断される。

【0063】

これにより、リッジ部１７ａの延在方向の積層体１０の端面６は、平滑かつ平坦に形成されるため、レーザ共振器の反射面として用いることが可能となる。また、本実施形態に係る半導体レーザ１００の製造方法では、割断溝部を積層体１０の深さ方向に第１面２０１の結晶面に向かって湾曲させることによって、第１面２０１の結晶面に沿わないように積層体１０を割断することができる。よって、割断された積層体１０の端面６は、円弧を含む形状となるため、リッジ部１７ａが設けられた領域では、端面６は、リッジ部１７ａの延在方向と直交する略平面となる。したがって、本実施形態に係る半導体レーザ１００の製造方法によれば、レーザ共振器の導波路領域に対して傾斜していない端面を得ることが可能である。

【0064】

続いて、バー状に加工した積層体１０を切断し、半導体レーザ１００の各々を分離することで、半導体レーザ１００を１つのチップ単位に個片化する（Ｓ１６０）。その後、個片化された半導体レーザ１００は、制御回路、及び電源回路等と共に組み立てられることで、製品として製造される（Ｓ１７０）。

【0065】

（２．２．割断溝部の具体例）
続いて、図８～図１０を参照して、本実施形態に係る半導体レーザ１００の製造方法にて設けられる割断溝部の具体例について説明する。

【0066】

図８～図１０は、割断溝部の具体例を示す積層体１０の断面図、又は平面図である。図８は、隣接する半導体レーザ１００の形成領域の境界にて積層体１０をＺ方向に切断した断面図を示す。図９は、積層体１０の積層方向の上面を平面視した平面図を示し、図１０は、積層体１０の積層方向の上面と反対側の裏面を平面視した平面図を示す。例えば、図８に示す断面図は、図９及び図１０に示す平面図のＡ－ＡＡ線で切断した断面図に対応する。図８～図１０では、積層体１０の積層方向をＺ方向とし、リッジ部１７ａの延在方向をＹ方向とし、Ｚ方向及びＹ方向と互いに直交する方向をＸ方向とする。

【0067】

図８～図１０に示すように、Ｙ方向に隣接する半導体レーザ１００の形成領域の境界には、半導体レーザ１００におけるレーザ共振器の反射面を割断（劈開）するために、レーザアブレーション等によって割断溝部３００が形成される。具体的には、割断溝部３００は、湾曲割断溝部３０１、貫通割断溝部３０２、及び裏面割断溝部３０３を含む。

【0068】

湾曲割断溝部３０１は、積層体１０の上面の隣接する半導体レーザ１００の間に、先端がリッジ部１７ａの延在方向に湾曲するように設けられる。例えば、湾曲割断溝部３０１は、リッジ部１７ａからＸ方向に１０μｍ以上離れた位置の半導体レーザ１００の形成領域の境界に、深さが５μｍ以上４０μｍ以下となるように設けられてもよい。湾曲割断溝部３０１の深さが上記の範囲である場合、積層体１０の割断を容易に行うことができ、かつ積層体１０へのダメージが過度になることを抑制することができる。湾曲割断溝部３０１のＹ方向の幅は、積層体１０へのダメージを抑制するためには、狭いほどよいが、例えば、５μｍ以下であることが好ましい。湾曲割断溝部３０１の湾曲角度は、例えば、０°超７５°未満、好ましくは１０°超４５°未満としてもよい。湾曲割断溝部３０１が設けられることによって、積層体１０は、割断された半導体レーザ１００が所望の円弧を含む端面を有するように割断される。

【0069】

貫通割断溝部３０２は、積層体１０の上面から裏面にかけて積層体１０を貫通して設けられる。例えば、貫通割断溝部３０２は、半導体レーザ１００の形成領域の境界の交点に、Ｘ方向の幅が３μｍ以上３０μｍ以下、かつＹ方向の幅が１０μｍ以下となるように設けられてもよい。貫通割断溝部３０２は、積層体１０の端面６を積層方向から平面視した際に円弧を含む形状とするために、より効果的な割断溝部である。貫通割断溝部３０２が設けられることによって、積層体１０は、より容易に、端面６が円弧を含む形状となるように割断される。

【0070】

裏面割断溝部３０３は、積層体１０の裏面の隣接する半導体レーザ１００の間に、短い間隔を空けて複数設けられる。例えば、裏面割断溝部３０３は、Ｙ方向に隣接する半導体レーザ１００の形成領域の境界に、Ｘ方向の幅が８μｍ程度、かつ深さが３５μｍの溝を互いに２μ程度の間隔を空けて破線状に形成することで設けられてもよい。裏面割断溝部３０３が設けられることによって、積層体１０は、より容易に割断されるようになる。

【0071】

なお、これらの割断溝部３００は、レーザアブレーションに替えて、ドライエッチングによって形成することも可能である。図１１を参照して、ドライエッチングにて割断溝部３００を形成する変形例について説明する。図１１は、割断溝部３００の変形例を示す積層体１０の平面図である。図１１では、ドライエッチングを用いる場合の積層体１０の積層方向の上面を平面視した平面図を示す。図１１では、積層体１０の積層方向をＺ方向とし、リッジ部１７ａの延在方向をＹ方向とし、Ｚ方向及びＹ方向と互いに直交する方向をＸ方向とする。

【0072】

図１１に示すように、ドライエッチングを用いて割断溝部３００を形成する場合、割断溝部３００は、湾曲割断溝部３０１に替えて、ガイド割断溝部３０４を含む。

【0073】

ガイド割断溝部３０４は、Ｙ方向に隣接する半導体レーザ１００の端面６を円弧が含まれる形状に割断（劈開）することを促す平面形状を有する溝である。具体的には、ガイド割断溝部３０４は、リッジ部１７ａからＸ方向に離れた位置の半導体レーザ１００の形成領域の境界に設けられ、端部がリッジ部１７ａに対して斜交するように曲がった形状にて設けられる。例えば、ガイド割断溝部３０４は、両端部がリッジ部１７ａに対して二股に分かれた直線形状にて設けられてもよい。ガイド割断溝部３０４が設けられることによって、半導体レーザ１００のＹ方向の端面の割断は、半導体レーザ１００の形成領域の各角部からリッジ部１７ａに向かって斜めに行われるようになる。これにより、半導体レーザ１００のＹ方向の端面は、半導体レーザ１００の形成領域の各角部を円弧で結んだ形状に形成されやすくなる。したがって、このような製造方法を用いた場合でも、本実施形態に係る半導体レーザ１００を製造することが可能である。

【0074】

＜３．まとめ＞
以上にて説明したように、本実施形態に係る半導体レーザ１００では、リッジ部１７ａの延在方向の端面６の各々を円弧が含まれる形状とすることで、光導波路領域に対して傾斜していないレーザ共振器の反射面を得ることができる。これによれば、半導体レーザ１００は、レーザ光の発光特性を向上させることができると共に、特性ばらつきを抑制することができる。具体的には、半導体レーザ１００は、しきい電流値、スロープ効率、及びこれらの特性のばらつきを抑制することができる。また、半導体レーザ１００は、ＦＦＰ（Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）スペクトルの光軸ずれ、及び該特性のばらつきを抑制することができる。

【0075】

また、本実施形態に係る半導体レーザ１００では、レーザ共振器の反射面の凹凸を抑制することができる。これによれば、半導体レーザ１００は、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：ＥＳＤ）に対する耐性、光学損傷（Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ：ＣＯＤ）に対する耐性、及び長期信頼性を向上させることができる。

【0076】

以上、実施形態、及び変形例を挙げて、本開示にかかる技術を説明した。ただし、本開示にかかる技術は、上記実施の形態等に限定されるわけではなく、種々の変形が可能である。例えば、本開示に係る技術は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系材料を用いた半導体レーザに対して適用することも可能である。

【0077】

さらに、各実施形態で説明した構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。たとえば、各実施形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素は、任意の構成要素として理解されるべきである。

【0078】

本明細書および添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるとして記載された様態に限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するとして記載された様態に限定されない」と解釈されるべきである。

【0079】

本明細書で使用した用語には、単に説明の便宜のために用いており、構成及び動作を限定する目的で使用したわけではない用語が含まれる。たとえば、「右」、「左」、「上」、「下」などの用語は、参照している図面上での方向を示しているにすぎない。また、「内側」、「外側」という用語は、それぞれ、注目要素の中心に向かう方向、注目要素の中心から離れる方向を示しているにすぎない。これらに類似する用語や同様の趣旨の用語についても同様である。

【0080】

なお、本開示にかかる技術は、以下のような構成を取ることも可能である。以下の構成を備える本開示にかかる技術によれば、リッジ部の延在方向の積層体の端面を光導波路領域に対して傾斜していない略垂直な端面とすることができるため、半導体レーザにおけるレーザ共振器の特性をより良好にすることができる。このような半導体レーザによれば、出射されるレーザ光の特性を向上させると共に、特性ばらつきを低減することができる。本開示にかかる技術が奏する効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されるわけではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
（１）
第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、
前記積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、
を備え、
前記積層体は、前記上面から前記積層体を平面視した際に、前記リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、
前記上面から平面視した際の前記積層体の平面形状は、前記延在方向に延伸する長手形状であり、
前記両端面は、前記積層体に対して凸又は凹となるように設けられると共に、前記リッジ部に対応する領域で略平面となるように設けられる、半導体レーザ。
（２）
前記両端面は、前記リッジ部に対応する領域では、少なくとも前記発光層が設けられる深さまで略平面となるように設けられる、上記（１）に記載の半導体レーザ。
（３）
前記両端面のうち、前記略平面となる領域における凹凸の大きさは、０．０２μｍ以上０．１μｍ以下である、上記（１）又は（２）に記載の半導体レーザ。
（４）
前記積層体の前記長手形状の角部には、前記積層体の前記上面から深さ方向に向かって湾曲する溝断面部が設けられる、上記（１）～（３）のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
（５）
前記溝断面部は、前記延在方向に向かって湾曲する、上記（４）に記載の半導体レーザ。
（６）
前記溝断面部は、前記リッジ部と離隔して設けられる、上記（４）又は（５）に記載の半導体レーザ。
（７）
前記溝断面部は、前記積層体を貫通して設けられる、上記（４）～（６）のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
（８）
前記積層体には、前記上面と対向する下面に裏面溝断面部がさらに設けられる、上記（１）～（７）のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
（９）
前記第１クラッド層、前記第２クラッド層、及び前記発光層は、前記半導体基板の半極性主面の上に積層される、上記（１）～（８）のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
（１０）
前記半導体基板は、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体で設けられる、上記（１）～（９）のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
（１１）
第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、
前記積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、
を備え、
前記積層体は、前記上面から前記積層体を平面視した際に、前記リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、
前記上面から平面視した際の前記積層体の平面形状は、前記延在方向に延伸する長手形状であり、
前記積層体の前記長手形状の角部には、前記積層体の前記上面から深さ方向に向かって湾曲する溝断面部が設けられる、半導体レーザ。
（１２）
第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、
前記積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、
を備え、
前記積層体は、前記上面から前記積層体を平面視した際に、前記リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、
前記上面から平面視した際の前記積層体の平面形状は、前記延在方向に延伸する長手形状であり、
前記両端面は、前記積層体に対して凸又は凹となるように設けられると共に、前記リッジ部に対応する領域で略平面となるように設けられる、半導体レーザであって、
前記第１導電型の前記第１クラッド層と、前記第２導電型の前記第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた前記発光層とを前記半導体基板の上に積層し、前記積層体を形成する工程と、
前記上面にて一方向に延在する凸構造の前記リッジ部を形成する工程と、
前記上面から深さ方向に向かって湾曲する割断溝部を形成する工程と、
前記上面から前記積層体を平面視した際に前記延在方向の両端部が円弧を含む形状となるように前記積層体を個片化する工程と
を含む、半導体レーザの製造方法。
（１３）
前記割断溝部は、レーザアブレーションによって形成される、上記（１２）に記載の半導体レーザの製造方法。
（１４）
前記レーザアブレーションは、円偏光レーザによって行われる、上記（１３）に記載の半導体レーザの製造方法。
（１５）
前記割断溝部の湾曲角度は、０°超７５°未満である、上記（１２）～（１４）のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
（１６）
前記積層体の個片化は、前記積層体を劈開することで行われる、上記（１２）～（１５）のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
（１７）
第１導電型の第１クラッド層と、第２導電型の第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた発光層とを半導体基板の上に積層した積層体と、
前記積層体の積層方向の上面にて一方向に延在する凸構造として設けられるリッジ部と、
を備え、
前記積層体は、前記上面から前記積層体を平面視した際に、前記リッジ部の延在方向の両端面が円弧を含む形状となるように設けられ、
前記上面から平面視した際の前記積層体の平面形状は、前記延在方向に延伸する長手形状であり、
前記積層体の前記長手形状の角部には、前記積層体の前記上面から深さ方向に向かって湾曲する溝断面部が設けられる、半導体レーザであって、
前記第１導電型の前記第１クラッド層と、前記第２導電型の前記第２クラッド層と、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層の間に設けられた前記発光層とを前記半導体基板の上に積層し、前記積層体を形成する工程と、
前記上面にて一方向に延在する凸構造の前記リッジ部を形成する工程と、
前記上面から深さ方向に向かって湾曲する割断溝部を形成する工程と、
前記上面から前記積層体を平面視した際に前記延在方向の両端部が円弧を含む形状となるように前記積層体を個片化する工程と
を含む、半導体レーザの製造方法。

【0081】

本出願は、日本国特許庁において２０１９年１１月２１日に出願された日本特許出願番号第２０１９－２１０５５８号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。

【0082】

当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】