特許 7552619 高周波増幅器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-09

(45)【発行日】2024-09-18

(54)【発明の名称】高周波増幅器

(51)【国際特許分類】

   H03F 1/02 20060101AFI20240910BHJP

   H03F 3/24 20060101ALI20240910BHJP

   H01L 25/00 20060101ALI20240910BHJP

【ＦＩ】

H03F1/02 188

H03F3/24

H01L25/00 Z

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2021570030

(86)(22)【出願日】2020-12-25

(86)【国際出願番号】 JP2020048985

(87)【国際公開番号】W WO2021140975

(87)【国際公開日】2021-07-15

【審査請求日】2023-06-21

(31)【優先権主張番号】P 2020002865

(32)【優先日】2020-01-10

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2020022128

(32)【優先日】2020-02-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】橋長 達也

(72)【発明者】

【氏名】森山 豊

【審査官】間宮 嘉誉

(56)【参考文献】

【文献】特開２００６－４９６６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１２１１４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－７６２４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－８７９９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－７４２４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－６５１１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００８－５４４６１２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２５／００－２５／０７

Ｈ０１Ｌ ２５／１０－２５／１１

Ｈ０１Ｌ ２５／１６－２５／１８

Ｈ０３Ｆ １／００－ ３／４５

Ｈ０３Ｆ ３／５０－ ３／５２

Ｈ０３Ｆ ３／６２－ ３／６４

Ｈ０３Ｆ ３／６８－ ３／７２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

入力された高周波信号を増幅するドライバアンプと、
キャリアアンプ、ピークアンプを含み、前記ドライバアンプが出力する信号をさらに増幅するドハティアンプと、
を含む高周波増幅器であって、
第１の多層基板と、
前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、
前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、
を有し、
前記ドライバアンプが前記第２の多層基板に搭載され、
前記キャリアアンプ、前記ピークアンプが前記第１の多層基板に搭載され、
前記ドライバアンプ、前記キャリアアンプ、および前記ピークアンプは、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、
前記ドライバアンプの前記表面は前記第１の多層基板に対向し、前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、
前記キャリアアンプおよび前記ピークアンプの裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、
前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第２の多層基板表面に配置された配線層に接続され、前記配線層は、前記第２の多層基板と前記第１の多層基板とを貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は、前記ベース部材に接続される、
高周波増幅器。

【請求項2】

前記ベース部材は、前記高周波信号が外部から入力される入力端子と、前記ドハティアンプにより増幅された信号が外部へと出力される出力端子と、をさらに備え、
前記入力端子は、前記ベース部材と、前記第１の多層基板と、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、を貫通する第２のビアの一端に接続され、前記第２のビアの他端は、前記ドライバアンプの入力に接続され、
前記出力端子は、前記第１の多層基板の一部の層でありかつ前記ベース部材に接する層と、前記ベース部材とを貫通する第３のビアの一端に接続され、前記第３のビアの他端は、前記ドハティアンプの出力に接続される、
請求項１に記載の高周波増幅器。

【請求項3】

前記ドライバアンプの出力は、前記第１の多層基板の一部の層でありかつ前記第２の多層基板に接する層と、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層とを貫通する第４のビアの一端に接続され、前記第４のビアの他端は、前記キャリアアンプの入力と前記ピークアンプの入力とに接続される、
請求項２に記載の高周波増幅器。

【請求項4】

前記ドハティアンプは、分岐回路、位相調整回路、およびドハティネットワークをさらに含み、
前記分岐回路と、前記位相調整回路とは、前記第２の多層基板に設けられて、
前記ドハティネットワークは、前記第１の多層基板に設けられる、
請求項３に記載の高周波増幅器。

【請求項5】

前記ピークアンプは、前記キャリアアンプよりも大きな飽和出力を有するように構成され、
前記位相調整回路は、前記分岐回路と前記ピークアンプとの間であって前記第２の多層基板に設けられ、前記ピークアンプの入力信号の位相を遅延させる、
請求項４に記載の高周波増幅器。

【請求項6】

入力された高周波信号を増幅する第１の増幅器と、
前記第１の増幅器が出力する信号をさらに増幅する第２の増幅器と第３の増幅器と、
を含む高周波増幅器であって、
第１の多層基板と、
前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、
前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、
を有し、
前記第１の増幅器が前記第２の多層基板に搭載され、
前記第２の増幅器、前記第３の増幅器が前記第１の多層基板に搭載され、
前記第１の増幅器、前記第２の増幅器、および前記第３の増幅器は、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、
前記第１の増幅器の前記表面は前記第１の多層基板に対向し、前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、
前記第２の増幅器および前記第３の増幅器の裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、
前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第２の多層基板表面に配置された配線層に接続され、前記配線層は、前記第２の多層基板と前記第１の多層基板とを貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は前記ベース部材に接続され、
前記第１の増幅器の消費電力は、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器のそれぞれの消費電力より小さい、
高周波増幅器。

【請求項7】

前記ベース部材は、前記高周波信号が外部から入力される入力端子と、前記第２の増幅器ならびに前記第３の増幅器により増幅された信号が外部へと出力される出力端子と、をさらに備え、
前記入力端子は、前記ベース部材と、前記第１の多層基板と、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、を貫通する第２のビアの一端に接続され、前記第２のビアの他端は、前記第１の増幅器の入力に接続され、
前記出力端子は、前記第１の多層基板の一部の層でありかつ前記ベース部材に接する層と、前記ベース部材と、を貫通する第３のビアの一端に接続され、前記第３のビアの他端は、前記第２の増幅器ならびに前記第３の増幅器の出力に接続される、
請求項６に記載の高周波増幅器。

【請求項8】

前記第１の増幅器の出力は、前記第１の多層基板の一部の層でありかつ前記第２の多層基板に接する層と、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、を貫通する第４のビアの一端に接続され、前記第４のビアの他端は、前記第２の増幅器ならびに前記第３の増幅器の入力に接続される、
請求項７に記載の高周波増幅器。

【請求項9】

入力された高周波信号を増幅するドライバアンプと、
キャリアアンプ、ピークアンプを含み、前記ドライバアンプが出力する信号をさらに増幅するドハティアンプと、
を含む高周波増幅器であって、
第１の多層基板と、
前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、
前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、
を有し、
前記ドライバアンプが前記第２の多層基板に搭載され、
前記キャリアアンプ、前記ピークアンプが前記第１の多層基板に搭載され、
前記ドライバアンプ、前記キャリアアンプ、および前記ピークアンプは、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、
前記ドライバアンプの前記裏面は前記第１の多層基板に対向し、前記ドライバアンプの前記表面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、
前記キャリアアンプおよび前記ピークアンプの裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、
前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、前記第１の多層基板と、を貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は、前記ベース部材に接続される、
高周波増幅器。

【請求項10】

入力された高周波信号を増幅する第１の増幅器と、
前記第１の増幅器が出力する信号をさらに増幅する第２の増幅器と第３の増幅器と、
を含む高周波増幅器であって、
第１の多層基板と、
前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、
前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、
を有し、
前記第１の増幅器が前記第２の多層基板に搭載され、
前記第２の増幅器、前記第３の増幅器が前記第１の多層基板に搭載され、
前記第１の増幅器、前記第２の増幅器、および前記第３の増幅器は、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、
前記第１の増幅器の前記裏面は前記第１の多層基板に対向し、前記第１の増幅器の前記表面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、
前記第２の増幅器および前記第３の増幅器の裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、
前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、前記第１の多層基板と、を貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は前記ベース部材に接続され、
前記第１の増幅器の消費電力は、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器のそれぞれの消費電力より小さい、
高周波増幅器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、高周波増幅器に関する。

【0002】

本出願は、２０２０年１月１０日出願の日本出願第２０２０－００２８６５号及び２０２０年２月１３日出願の日本出願第２０２０－０２２１２８号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。

【背景技術】

【0003】

近年、携帯電話等の移動体通信システムでは、広帯域化が進められている。このため、システムの基地局装置などで用いられる電力増幅器には、広周波数帯域における電力効率の高効率化などが望まれる。この電力効率の高効率化を実現するための電力増幅器として、キャリアアンプ（メインアンプともいう）およびピークアンプを有したドハティアンプが知られている。例えば、特許文献１には、ドハティアンプ（ドハティ型増幅器）の構造が開示されている。なお、ドハティアンプは、通常、ドライバアンプの後段に接続されて用いられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】国際公開第２００５／０９３９４８号

【文献】特開２００８－３０５９３７号公報

【発明の概要】

【0005】

本開示の一態様に係る高周波増幅器は、入力された高周波信号を増幅するドライバアンプと、キャリアアンプ、ピークアンプを含み、前記ドライバアンプが出力する信号をさらに増幅するドハティアンプと、を含む高周波増幅器であって、第１の多層基板と、前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、を有し、前記ドライバアンプが前記第２の多層基板に搭載され、前記キャリアアンプ、前記ピークアンプが前記第１の多層基板に搭載され、前記ドライバアンプ、前記キャリアアンプ、および前記ピークアンプは、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、前記ドライバアンプの前記表面は前記第１の多層基板に対向し、前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、前記キャリアアンプおよび前記ピークアンプの裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第２の多層基板表面に配置された配線層に接続され、前記配線層は、前記第２の多層基板と前記第１の多層基板とを貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は、前記ベース部材に接続される。

【0006】

本開示の一態様に係る高周波増幅器は、入力された高周波信号を増幅する第１の増幅器と、前記第１の増幅器が出力する信号をさらに増幅する第２の増幅器と第３の増幅器と、を含む高周波増幅器であって、第１の多層基板と、前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、を有し、前記第１の増幅器が前記第２の多層基板に搭載され、前記第２の増幅器、前記第３の増幅器が前記第１の多層基板に搭載され、前記第１の増幅器、前記第２の増幅器、および前記第３の増幅器は、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、前記第１の増幅器の前記表面は前記第１の多層基板に対向し、前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器の裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第２の多層基板表面に配置された配線層に接続され、前記配線層は、前記第２の多層基板と前記第１の多層基板とを貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は前記ベース部材に接続され、前記第１の増幅器の消費電力は、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器のそれぞれの消費電力より小さい。

【0007】

本開示の一態様に係る高周波増幅器は、入力された高周波信号を増幅するドライバアンプと、キャリアアンプ、ピークアンプを含み、前記ドライバアンプが出力する信号をさらに増幅するドハティアンプと、を含む高周波増幅器であって、第１の多層基板と、前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、を有し、前記ドライバアンプが前記第２の多層基板に搭載され、前記キャリアアンプ、前記ピークアンプが前記第１の多層基板に搭載され、前記ドライバアンプ、前記キャリアアンプ、および前記ピークアンプは、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、前記ドライバアンプの前記裏面は前記第１の多層基板に対向し、前記ドライバアンプの前記表面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、前記キャリアアンプおよび前記ピークアンプの裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、前記第１の多層基板と、を貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は、前記ベース部材に接続される。

【0008】

本開示の一態様に係る高周波増幅器は、入力された高周波信号を増幅する第１の増幅器と、前記第１の増幅器が出力する信号をさらに増幅する第２の増幅器と第３の増幅器と、を含む高周波増幅器であって、第１の多層基板と、前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、を有し、前記第１の増幅器が前記第２の多層基板に搭載され、前記第２の増幅器、前記第３の増幅器が前記第１の多層基板に搭載され、前記第１の増幅器、前記第２の増幅器、および前記第３の増幅器は、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、前記第１の増幅器の前記裏面は前記第１の多層基板に対向し、前記第１の増幅器の前記表面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器の裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、前記第１の多層基板と、を貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は前記ベース部材に接続され、前記第１の増幅器の消費電力は、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器のそれぞれの消費電力より小さい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示の一態様に係る高周波増幅器を模式化して示した断面図である。

【図2】図１の高周波増幅器を説明するブロック図である。

【図3】図１の上段の平面図である。

【図4】図１の下段の平面図である。

【図5】図１のドライバアンプ回路図である。

【図6】図５の回路図に対応させた上段を説明する図である。

【図7】図１のドハティアンプ回路図である。

【図8】図７の回路図に対応させた下段を説明する図である。

【図9】本開示の他の一態様に係る高周波増幅器を模式化して示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【本開示が解決しようとする課題】

【0010】

プリント基板にドライバアンプおよびドハティアンプを搭載する場合、ドライバアンプ、キャリアアンプ、ピークアンプを同じ平面上に実装すると、大きなサイズのプリント基板が必要になるので、増幅器の小型化が難しいという問題がある。一方、一般的な省面積実装のための手段として、３次元実装にて対応する方法がある（特許文献２）。

【0011】

本開示が対象としている高周波増幅器（高周波パワーアンプ）は、入力された高周波信号を必要な出力まで増幅するため、扱う電力が大きく消費電流、あるいは消費電力が大きい。その結果、発熱が大きい。そのため、それら複数の高周波増幅器が同じ平面上に実装される２次元実装の場合に比べ、小型化を目的とし立体的に積層される３次元実装がなされる場合に、放熱性が損なわれるおそれがある。

【0012】

本開示は、上述のような実情に鑑みてなされたもので、小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供することを目的とする。

【本開示の効果】

【0013】

本開示によれば、小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供できる。
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。

【0014】

本開示に係る高周波増幅器は、（１）入力された高周波信号を増幅するドライバアンプと、キャリアアンプ、ピークアンプを含み、前記ドライバアンプが出力する信号をさらに増幅するドハティアンプと、を含む高周波増幅器であって、第１の多層基板と、前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、を有し、前記ドライバアンプが前記第２の多層基板に搭載され、前記キャリアアンプ、前記ピークアンプが前記第１の多層基板に搭載され、前記ドライバアンプ、前記キャリアアンプ、および前記ピークアンプは、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、前記ドライバアンプの前記表面は前記第１の多層基板に対向し、前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、前記キャリアアンプおよび前記ピークアンプの裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第２の多層基板表面に配置された配線層に接続され、前記配線層は、前記第２の多層基板と前記第１の多層基板とを貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は、前記ベース部材に接続される。

【0015】

ドライバアンプとドハティアンプを、第１の多層基板と第２の多層基板による２階建て構造で構成にした。これにより、高周波増幅器の小型化を達成できる。また、ドライバアンプと、キャリアアンプおよびピークアンプとを対向して配置するので、実装密度を高くできる。そして、キャリアアンプおよびピークアンプの各裏面がベース部材に接するので、キャリアアンプおよびピークアンプの放熱を達成できる。さらに、ドライバアンプを第１のビアによる放熱パスにて対応することから、小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。
（２）本開示の高周波増幅器の一態様では、前記ベース部材は、前記高周波信号が外部から入力される入力端子と、前記ドハティアンプにより増幅された信号が外部へと出力される出力端子と、をさらに備え、前記入力端子は、前記ベース部材と、前記第１の多層基板と、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、を貫通する第２のビアの一端に接続され、前記第２のビアの他端は、前記ドライバアンプの入力に接続され、前記出力端子は、前記第１の多層基板の一部の層でありかつ前記ベース部材に接する層と、前記ベース部材とを貫通する第３のビアの一端に接続され、前記第３のビアの他端は、前記ドハティアンプの出力に接続される。

【0016】

入力端子に入力された信号は、第２のビアを通り、第１の多層基板の何処にも接続されず、第２の多層基板に入力され、第３のビアを通って出力端子に向かうことにより、より小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。
（３）本開示の高周波増幅器の一態様では、前記ドライバアンプの出力は、前記第１の多層基板の一部の層でありかつ前記第２の多層基板に接する層と、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層とを貫通する第４のビアの一端に接続され、前記第４のビアの他端は、前記キャリアアンプの入力と前記ピークアンプの入力とに接続される。

【0017】

ドライバアンプからの信号は、第４のビアを通って出力端子に向かうことにより、さらに小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。
（４）本開示の高周波増幅器の一態様では、前記ドハティアンプは、分岐回路、位相調整回路、およびドハティネットワークをさらに含み、前記分岐回路と、前記位相調整回路とは、前記第２の多層基板に設けられて、前記ドハティネットワークは、前記第１の多層基板に設けられる。

【0018】

分岐回路を第２の多層基板に設けているので、ドライバアンプからピークアンプやキャリアアンプに向かう高周波信号の位相の調整が容易になる。
（５）本開示の高周波増幅器の一態様では、前記ピークアンプは、前記キャリアアンプよりも大きな飽和出力を有するように構成され、前記位相調整回路は、前記分岐回路と前記ピークアンプとの間であって前記第２の多層基板に設けられ、前記ピークアンプの入力信号の位相を遅延させる。

【0019】

位相調整回路を第２の多層基板に設けているので、分岐回路からピークアンプに向かう高周波信号の位相の調整が容易になる。

【0020】

本開示に係る高周波増幅器は、（６）入力された高周波信号を増幅する第１の増幅器と、前記第１の増幅器が出力する信号をさらに増幅する第２の増幅器と第３の増幅器と、を含む高周波増幅器であって、第１の多層基板と、前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、を有し、前記第１の増幅器が前記第２の多層基板に搭載され、前記第２の増幅器、前記第３の増幅器が前記第１の多層基板に搭載され、前記第１の増幅器、前記第２の増幅器、および前記第３の増幅器は、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、前記第１の増幅器の前記表面は前記第１の多層基板に対向し、前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器の裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第２の多層基板表面に配置された配線層に接続され、前記配線層は、前記第２の多層基板と前記第１の多層基板とを貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は前記ベース部材に接続され、前記第１の増幅器の消費電力は、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器のそれぞれの消費電力より小さい。

【0021】

第１の多層基板と第２の多層基板による２階建て構造で構成にしたので、高周波増幅器の小型化を達成できる。また、第１の増幅器と、第２の増幅器および第３の増幅器とを対向して配置するので、実装密度を高くできる。そして、より発熱の大きな第２の増幅器、第３の増幅器の各裏面がベース部材に接するので、第２の増幅器および第３の増幅器の放熱を達成できる。さらに、それらより発熱が小さい第１の増幅器を第１のビアによる放熱パスにて対応することから、小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。
（７）本開示の高周波増幅器の一態様では、前記ベース部材は、前記高周波信号が外部から入力される入力端子と、前記第２の増幅器ならびに前記第３の増幅器により増幅された信号が外部へと出力される出力端子と、をさらに備え、前記入力端子は、前記ベース部材と、前記第１の多層基板と、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、を貫通する第２のビアの一端に接続され、前記第２のビアの他端は、前記第１の増幅器の入力に接続され、前記出力端子は、前記第１の多層基板の一部の層でありかつ前記ベース部材に接する層と、前記ベース部材と、を貫通する第３のビアの一端に接続され、前記第３のビアの他端は、前記第２の増幅器ならびに前記第３の増幅器の出力に接続される。

【0022】

入力端子に入力された信号は、第２のビアを通り、第１の多層基板の何処にも接続されず、第２の多層基板に入力され、第３のビアを通って出力端子に向かうことにより、より小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。
（８）本開示の高周波増幅器の一態様では、前記第１の増幅器の出力は、前記第１の多層基板の一部の層でありかつ前記第２の多層基板に接する層と、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、を貫通する第４のビアの一端に接続され、前記第４のビアの他端は、前記第２の増幅器ならびに前記第３の増幅器の入力に接続される。

【0023】

第１の増幅器からの信号は、第４のビアを通って出力端子に向かうことにより、さらに小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。

【0024】

本開示に係る高周波増幅器は、（９）入力された高周波信号を増幅するドライバアンプと、キャリアアンプ、ピークアンプを含み、前記ドライバアンプが出力する信号をさらに増幅するドハティアンプと、を含む高周波増幅器であって、第１の多層基板と、前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、を有し、前記ドライバアンプが前記第２の多層基板に搭載され、前記キャリアアンプ、前記ピークアンプが前記第１の多層基板に搭載され、前記ドライバアンプ、前記キャリアアンプ、および前記ピークアンプは、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、前記ドライバアンプの前記裏面は前記第１の多層基板に対向し、前記ドライバアンプの前記表面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、前記キャリアアンプおよび前記ピークアンプの裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、前記ドライバアンプの前記裏面は、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、前記第１の多層基板と、を貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は、前記ベース部材に接続される。

【0025】

ドライバアンプとドハティアンプを、第１の多層基板と第２の多層基板による２階建て構造で構成にした。これにより、高周波増幅器の小型化を達成できる。また、ドライバアンプと、キャリアアンプおよびピークアンプとを対向して配置するので、実装密度を高くできる。そして、キャリアアンプおよびピークアンプの各裏面がベース部材に接するので、キャリアアンプおよびピークアンプの放熱を達成できる。さらに、ドライバアンプを第１のビアによる放熱パスにて対応することから、小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。

【0026】

本開示に係る高周波増幅器は、（１０）入力された高周波信号を増幅する第１の増幅器と、前記第１の増幅器が出力する信号をさらに増幅する第２の増幅器と第３の増幅器と、を含む高周波増幅器であって、第１の多層基板と、前記第１の多層基板に重ね合わせて積層された第２の多層基板と、前記第１の多層基板および前記第２の多層基板を搭載するベース部材と、を有し、前記第１の増幅器が前記第２の多層基板に搭載され、前記第２の増幅器、前記第３の増幅器が前記第１の多層基板に搭載され、前記第１の増幅器、前記第２の増幅器、および前記第３の増幅器は、所定の回路を形成した表面と、前記表面の反対側に位置する裏面とをそれぞれ有しており、前記第１の増幅器の前記裏面は前記第１の多層基板に対向し、前記第１の増幅器の前記表面は、前記第１の多層基板から離間するように配置され、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器の裏面は、いずれも前記ベース部材に接しており、前記第１の増幅器の前記裏面は、前記第２の多層基板の一部の層でありかつ前記第１の多層基板に接する層と、前記第１の多層基板と、を貫通する第１のビアの一端に接続され、前記第１のビアの他端は前記ベース部材に接続され、前記第１の増幅器の消費電力は、前記第２の増幅器および前記第３の増幅器のそれぞれの消費電力より小さい。

【0027】

第１の多層基板と第２の多層基板による２階建て構造で構成にしたので、高周波増幅器の小型化を達成できる。また、第１の増幅器と、第２の増幅器および第３の増幅器とを対向して配置するので、実装密度を高くできる。そして、より発熱の大きな第２の増幅器、第３の増幅器の各裏面がベース部材に接するので、第２の増幅器および第３の増幅器の放熱を達成できる。さらに、それらより発熱が小さい第１の増幅器を第１のビアによる放熱パスにて対応することから、小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。
［本開示の実施形態の詳細］
以下、添付図面を参照しながら、本開示に係る高周波増幅器の具体例について説明する。図１は、本開示の一態様に係る高周波増幅器を模式化して示した断面図である。

【0028】

高周波増幅器１は、移動体通信システムの基地局装置などの通信装置に搭載され、例えば送信信号を増幅するために用いられる。高周波増幅器１はベース部材Ｌａ４を有する。ベース部材Ｌａ４は、放熱と外部端子を兼ねた金属（例えば銅）製の板であり、通信装置のプリント基板１００上に配置される。

【0029】

ベース部材Ｌａ４上には、下段１０、上段２０、蓋材２５が搭載される。下段１０が本開示の第１の多層基板に、上段２０が本開示の第２の多層基板にそれぞれ相当する。

【0030】

下段１０は、ベース部材Ｌａ４と上段２０との間に挟まれて配置されている。下段１０は、第１誘電体層１１（例えば厚さ０．２５～０．３５ｍｍ）、第３配線層Ｌａ３（例えば厚さ１８～３５μｍ）、第２誘電体層１２（例えば厚さ０．８～１．０ｍｍ）からなる。第１誘電体層１１はベース部材Ｌａ４（例えば厚さ０．２５ｍｍ）上に設けられ、第３配線層Ｌａ３には、ＧＮＤ面をなすベース部材Ｌａ４を基準電圧とした高周波線路パターンが形成されており、キャリアアンプ５４およびピークアンプ６４などの能動部品、並びにインダクタＬやキャパシタＣが実装される。

【0031】

キャリアアンプ５４およびピークアンプ６４は、所定の回路を形成した表面５４ａ，６４ａと、表面５４ａ，６４ａの反対側に位置して例えば回路を形成しない裏面５４ｂ，６４ｂと、をそれぞれ有する。キャリアアンプ５４およびピークアンプ６４は第１誘電体層１１に埋め込まれており、表面５４ａ，６４ａがいずれも上方を向いて第３配線層Ｌａ３に実装される。裏面５４ｂ，６４ｂは、いずれもベース部材Ｌａ４に接するように下方に向けて配置され、焼結系銀ペースト、もしくは焼結系銅ペーストを塗布したベース部材Ｌａ４に固着される。

【0032】

上段２０は、下段１０に重ね合わせて積層される。上段２０は、第３誘電体層２３（例えば厚さ０．２５～０．３５ｍｍ）、第１配線層Ｌａ１（例えば厚さ１８～３５μｍ）、第４誘電体層２４（例えば厚さ０．２５～０．３５ｍｍ）からなる。第３誘電体層２３と下段１０（第２誘電体層１２）との間には、第２配線層Ｌａ２が配置される。第２配線層Ｌａ２（例えば厚さ３５μｍ）は、例えば銅製のベタ面であり、第１配線層Ｌａ１に対するＧＮＤ面と、上段２０と下段１０との間で生ずる電磁波を遮蔽する役割を担う。

【0033】

第１配線層Ｌａ１には高周波線路パターンが形成され、ドライバアンプ４０などの能動部品、並びにインダクタＬやキャパシタＣが実装される。

【0034】

ドライバアンプ４０は、所定の回路を形成した表面４０ａと、表面４０ａの反対側に位置して例えば回路を形成しない裏面４０ｂを有する。ドライバアンプ４０は、第４誘電体層２４に埋め込まれており、表面４０ａが下段１０に対向して第１配線層Ｌａ１に実装される。裏面４０ｂは、下段１０から離間するように上方に向けて配置される。

【0035】

上段２０は、金属製の蓋材２５で覆われている。ドライバアンプ４０はフリップチップ（Face down）で実装されるため、サーマルマネジメントの観点から、ドライバアンプ４０の裏面４０ｂは、蓋材２５の放熱部（第０配線層Ｌａ０）に接するように上方に向けて配置される。放熱部（第０配線層Ｌａ０）は、他の配線層同様に、信号配線用の薄い金属薄膜層で形成される。そして、放熱部（第０配線層Ｌａ０）は、近接するＧＮＤビア（例えばφ３００μｍ）（放熱ビア１５ｄ、１５ｃ、１５ｂ、１５ａ：本開示の第１のビアに相当する）に接触している。具体的には、放熱ビア１５ａ～１５ｄは、上段２０、および下段１０を貫通しており、この放熱ビアの一端が第０配線層Ｌａ０に接続され、この放熱ビアの他端がベース部材Ｌａ４に接続されている。このため、ドライバアンプ４０からベース部材Ｌａ４までの放熱パス（以降では、これを第１の放熱パスと称する）が形成されている。

【0036】

なお、上段２０の第１配線層Ｌａ１と下段１０の第３配線層Ｌａ３との間における電気的なパスは、信号ビア１４ｂ、１４ａ（本開示の第４のビアに相当する）を用いて確保している。詳しくは、信号ビア１４ｂ、１４ａは、上段２０の第３誘電体層２３、および下段１０の第２誘電体層１２を貫通しており、この信号ビアの一端が第１配線層Ｌａ１（ドライバアンプ４０の出力）に接続され、この信号ビアの他端が第３配線層Ｌａ３（キャリアアンプ５４の入力とピークアンプ６４の入力）に接続されている。

【0037】

また、第１配線層Ｌａ１と第２配線層Ｌａ２との間における電気的なパスは、第３誘電体層２３を貫通する信号ビア１７ａを用いる。

【0038】

さらに、第１配線層Ｌａ１とベース部材Ｌａ４との間における電気的なパスは、信号ビア１３ｃ、１３ｂ、１３ａ（本開示の第２のビアに相当する）を用いて、それぞれパスを確保している。詳しくは、信号ビア１３ａ～１３ｃは、ベース部材Ｌａ４、下段１０、および上段２０の第３誘電体層２３を貫通しており、この信号ビアの一端が入力端子ＲＦｉｎに接続され、この信号ビアの他端が第１配線層Ｌａ１（ドライバアンプ４０の入力）に接続されている。一方、第３配線層Ｌａ３とベース部材Ｌａ４との間における電気的なパスは、信号ビア１６ａ（本開示の第３のビアに相当する）を用いて確保している。具体的には、信号ビア１６ａは、下段１０の第１誘電体層１１、およびベース部材Ｌａ４を貫通しており、この信号ビアの一端が出力端子ＲＦｏｕｔに接続され、信号ビアの他端が第３配線層Ｌａ３（ドハティアンプ５０の出力）に接続されている。

【0039】

このように、上段２０を下段１０に重ね合わせて積層しており、ドライバアンプ４０、キャリアアンプ５４およびピークアンプ６４を３次元的に実装するので、モジュールサイズが最外形６ｍｍ角で、厚さ２．２ｍｍのような、高周波増幅器１の小型化を達成できる。

【0040】

また、この高周波増幅器１では、ワイヤボンド接続が不要である。よって、例えば５００ｍｍ角程度の大きなパネルを製造工程に流すことが可能であり、このパネルからは６ｍｍ角のものが例えば６千枚取れるので、加工費と材料費低減によるコストの大幅低減を達成できる。

【0041】

ここで、図３で説明した上段２０を図４で説明した下段１０に重ね合わせた場合、ドライバアンプ４０の入力端子とキャリアアンプ５４の入力端子とが上下方向で対向して、ドライバアンプ４０の入力端子とキャリアアンプ５４の入力端子との距離が、上下方向で例えば１ｍｍ以下になり、ドライバアンプ４０とキャリアアンプ５４を同じ平面上に配置していた場合に比べて格段に縮まることがある。このような物理的な配置において、２つの入力信号の間の位相差が±π／２の範囲になると、２つの入力信号の間で干渉が生じるため、ドライバアンプ４０の動作が不安定になる。詳しくは、ドライバアンプ４０の出力信号が入力に帰還され、ドライバアンプ４０が発振する可能性がある。

【0042】

そこで、高周波増幅器１では、ドライバアンプ４０の入力端子とキャリアアンプ５４の出力端子までの電気長、つまり配線長にチップ部品分を加味した電気的な長さを、もしくは、ドライバアンプ４０の入力端子から、途中のチップ部品を含め、キャリアアンプ５４の出力端子まで波長λの入力信号が伝搬する遅延時間を、波長λの入力信号の位相に換算し、端子間で（２ｎ＋１）×πの位相になるように設定している。ｎは０以上の整数である。

【0043】

これを達成するために、ドライバアンプ４０のドレイン出力から分岐回路５１に至るまでの経路では、例えば、図３に曲線パターン４９で示すような、上段２０の中央から右半分にまで大きく迂回させたり、図３に曲線パターン５２で示すような、分岐回路５１の出力からビア５２ａまでの経路では、直線ではなく、敢えて曲線で形成したりしている。

【0044】

このように、ドライバアンプ４０の入力端子からキャリアアンプ５４の出力端子までの電気長を（２ｎ＋１）×πの位相になるように設定する。このため、信号帰還、つまり出力信号の一部をキャリアアンプ５４の出力からドライバアンプ４０の入力に向けて戻す帰還がかかった場合でも、ドライバアンプ４０が不安定性を生じない範囲、要するに負帰還領域となり、２ｎπ、つまり不安定性を生じる正帰還領域にならない。よって、２階建て構造を採用しても増幅器１を安定させることができる。

【0045】

さらに、一般的なドハティアンプでは、キャリアアンプとピークアンプとの位相差をπ／２に設定するが、高周波増幅器１では、この位相差を敢えてπに設定している。つまり、キャリアアンプ５４の出力端子におけるＲＦ信号とピークアンプ６４の出力端子におけるＲＦ信号との位相差をπ／２から３π／２までの範囲としている。

【0046】

これにより、キャリアアンプ５４から放出される電磁波およびピークアンプ６４から放出される電磁波が近隣で打ち消し合うので、高周波増幅器１の外部に放出される電磁波を小さく抑えることができる。

【0047】

なお、このキャリアアンプ５４の位相とピークアンプ６４の位相は、図３で説明する位相調整回路６１、図７,８で説明する入力マッチング回路５３，６３、出力マッチング回路５５，６５、伝送線ＴＲＬ１（図４で説明する９０°伝送線路５６ａ）により出力端子ＲＦｏｕｔで同期させる。

【0048】

図２は、図１の高周波増幅器を説明するブロック図である。また、図３は、図１の上段の平面図であり、図４は、図１の下段の平面図である。

【0049】

高周波増幅器１は、ドライバアンプ４０と、ドライバアンプ４０の後段に設けられたドハティアンプ５０と、を有し、例えば５ＧＨｚ～６ＧＨｚの周波数帯域の信号を増幅可能に構成されている。

【0050】

ドライバアンプ４０は、入力端子ＲＦｉｎに入力された波長λで規定されるＲＦ（Radio Frequency）信号を、ドハティアンプ５０が所定の送信電力にまで増幅できる程度に増幅する。

【0051】

ドハティアンプ５０は、分岐回路５１、位相調整回路６１、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４、およびドハティネットワーク５６，６６を含み、ドライバアンプ４０が増幅したＲＦ信号をさらに増幅して出力端子ＲＦｏｕｔから出力する。

【0052】

ドライバアンプ４０、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４は、増幅素子として例えばＧａＮ－ＨＥＭＴ(High Electron Mobility Transistor)を用いた増幅器である。ドライバアンプ４０、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４は、いずれもゲートパッドが矩形状の一辺に設けられ、ドレインパッドがゲートパッドに対向する辺に設けられている。

【0053】

なお、ドライバアンプ４０、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４は、ゲートパッドの両側にソースパッドが設けられている。しかし、ドライバアンプ４０については、２つのソースパッドが上段２０に形成されたＧＮＤに接続されている。一方、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４については、ソースパッドが、図１で説明した裏面５４ｂ，６４ｂを介してベース部材Ｌａ４に接続されている。これにより、ＧＮＤを確保すると共に、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４からベース部材Ｌａ４までの放熱パス（以降では、これを第２の放熱パスと称する）が形成される。

【0054】

第２の放熱パスは、第１の放熱パスと比べると、放熱性に優れると思われる。第２の放熱パスにおいては、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４のそれぞれのソースパッドが裏面５４ｂ，６４ｂを介してベース部材Ｌａ４に接続されている。ベース部材Ｌａ４は、金属（例えば銅）製の板であり放熱性に優れる。一方、第１の放熱パスにおいては、ドライバアンプ４０のソースパッドは裏面４０ｂを介し、放熱部（第０配線層Ｌａ０）に接続され、近接するＧＮＤビアを経由しベース部材Ｌａ４に接続されている。第０配線層Ｌａ０は、信号配線用の金属薄膜であるため、放熱効率の観点からは金属（例えば銅）製の板であるベース部材Ｌａ４におよばない。結果として、この放熱部（第０配線層Ｌａ０）が熱の伝導を律速するため、第２の放熱パスの方が、第１の放熱パスと比べ放熱性が優れると思われる。

【0055】

第１の放熱パスに関しては、放熱ビア１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄの径をより広げることや、放熱部（第０配線層Ｌａ０）とベース部材Ｌａ４を接続する放熱パスにおいて、現状の放熱パス（第１の放熱パス）にさらに並列に放熱ビアを備えることにより、第１の放熱パスの放熱効率は改善できるものと考えられる。

【0056】

図３に示す上段２０と図４に示す下段１０は、略相似形の平面を有しており、いずれも例えば６ｍｍ角で形成されている。

【0057】

図１に示すように通信装置のプリント基板１００上に備えられた信号配線１０１ａを経由して入力端子ＲＦｉｎ（信号ビア１３ａ）に入力されたＲＦ信号は、図１で説明したベース部材Ｌａ４から下段１０を貫通し、図１に示す信号ビア１３ａ、１３ｂ、１３ｃを通り、下段１０の何処にも接続されずに図３で見て上段２０の左下の隅部分に入力される。ドライバアンプ４０は、上段２０の左下付近に実装されており、ドライバアンプ４０で増幅されたＲＦ信号は、図３に曲線パターン４９で示すように大きく転回する。詳しくは、この図３で見て上段２０の上辺に向かった後、右折してこの上辺に沿って左に進み、さらに右折して上段２０の下辺に向かい、ドライバアンプ４０と同じ上段２０に設けられた分岐回路５１に達する。

【0058】

分岐回路５１は、例えばウィルキンソン型分配器であり、ドライバアンプ４０により増幅されたＲＦ信号をピークアンプ側の入力経路とキャリアアンプ側の入力経路に等分している。

【0059】

分岐回路５１で分配されたＲＦ信号の一方（キャリアアンプ側の入力経路）は、所定の曲線パターン５２を経て、図３で見て上段２０の下辺近傍に形成されたビア５２ａから下段１０に向かう。これは例えば、図１に示す信号ビア１４ａ、１４ｂを通る信号経路と同様なパスを通る。これに対し、分岐回路５１で分配されたＲＦ信号の他方（ピークアンプ側の入力経路）は、ドライバアンプ４０と同じ上段２０に設けられた位相調整回路６１に至る。

【0060】

位相調整回路６１は、ピークアンプ６４の入力信号の位相を、所定の分布定数分だけ遅延させる。例えば、９０°遅延させる。位相調整回路６１を経たＲＦ信号は、図３で見て上段２０の下辺近傍に形成されたビア６１ａから下段１０に向かう。これも、図１に示す信号ビア１４ａ、１４ｂを通る信号経路と同様なパスを通る。

【0061】

なお、本実施形態では、位相調整回路６１を、分岐回路５１とキャリアアンプ５４との間に配置せず、分岐回路５１とピークアンプ６４との間に配置した例を挙げて説明した。しかし、本開示はこの例に限定されない。例えば、位相調整回路を、分岐回路５１とピークアンプ６４との間に配置せず、分岐回路５１とキャリアアンプ５４との間に配置して、キャリアアンプ５４の入力信号の位相を遅延させることも可能である。

【0062】

本実施形態のドハティアンプ５０は、非対称ドハティアンプであり、ピークアンプ６４とキャリアアンプ５４は、入力されたＲＦ信号に対してそれぞれ異なる最大出力強度を示す。例えば、ピークアンプ６４は、キャリアアンプ５４よりも２倍程度大きな飽和出力（サイズ）を有しており、ピークアンプ６４は、キャリアアンプ５４の出力が飽和領域に至った場合に増幅動作を開始する。具体的には、キャリアアンプ５４はＡＢ級またはＢ級で動作する。ピークアンプ６４はＣ級で動作する。瞬時電力が小さいときには、キャリアアンプ５４が動作し、ピークアンプ６４を動作させないので、電力効率が高まる。瞬時電力が大きいときには、キャリアアンプ５４およびピークアンプ６４の双方が動作するので、高い電力効率を維持しつつ飽和電力を大きくすることができる。

【0063】

一例として、ドライバアンプ４０、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４、の出力例を記す。それぞれ、ドライバアンプ４０は出力１０Ｗ、キャリアアンプ５４は出力１５Ｗ、ピークアンプ６４は出力３０Ｗ、のアンプが用いられる。ここで、１０Ｗ出力とは専らＦＥＴのサイズを表し、常に１０Ｗを出力しているわけではなく、１０Ｗ出力に足るサイズを有しているという意味で用いている。

【0064】

キャリアアンプ５４で増幅されたＲＦ信号は、下段１０に設けたキャリアアンプ側のドハティネットワーク５６に至る。このドハティネットワーク５６には、９０°伝送線路（λ／４線路ともいう）５６ａが設けられている。このため、キャリアアンプ５４で増幅されたＲＦ信号は、９０°伝送線路５６ａを介して、図４で見て下段１０の右上の隅部分に設けられた出力端子ＲＦｏｕｔから、後述のピークアンプ６４の出力信号と合成されて、出力される。

【0065】

一方、ピークアンプ６４で増幅されたＲＦ信号は、下段１０に設けたピークアンプ側のドハティネットワーク６６に至り、キャリアアンプ５４の出力信号と合成されて、図１に示す信号ビア１６ａ通る信号経路を通り、出力端子ＲＦｏｕｔから出力される。出力端子ＲＦｏｕｔから出力された信号は、図１に示すように通信装置のプリント基板１００上に備えられた信号配線１０１ｂを経由し、高周波増幅器１から外部へ伝搬していく。なお、キャリアアンプ側のドハティネットワーク５６、ピークアンプ側のドハティネットワーク６６が本開示のドハティネットワークに相当する。

【0066】

図５は、図１のドライバアンプ回路図であり、図６は、図５の回路図に対応させた上段を説明する図である。また、図７は、図１のドハティアンプ回路図であり、図８は、図７の回路図に対応させた下段を説明するである。

【0067】

図５に示す入力端子ＲＦｉｎから入力したＲＦ信号は、ドライバアンプ４０のゲートに、入力マッチング回路３０（インダクタＬ１、キャパシタＣ１～Ｃ４の計５個）を介して入力する。ゲートバイアスは、電源ＶｇからインダクタＬ２を介して供給される。キャパシタＣ５は電源Ｖｇのバイパスキャパシタであり、抵抗Ｒ１は調整用の抵抗である。

【0068】

ドライバアンプ４０のドレイン出力は、出力マッチング回路４１（インダクタＬ４，Ｌ５、キャパシタＣ７～Ｃ９）を介して分岐回路５１に与えられる。ドレインバイアスは、電源ＶｄからインダクタＬ３を介して供給される。キャパシタＣ６は電源Ｖｄのバイパスキャパシタである。

【0069】

次に、図７に示すように、分岐回路５１では、ドライバアンプ４０からのＲＦ信号が、Ｌ１１、Ｃ２４によるマッチング回路と、Ｃ２３、Ｌ１２、Ｃ２９によるマッチング回路と、に等分される。

【0070】

Ｌ１１、Ｃ２４によるマッチング回路で位相が調整されたＲＦ信号は、図３で説明した曲線パターン５２、ビア５２ａを介して下段１０に達し、キャリアアンプ５４に向かう。 この下段１０に達したＲＦ信号は、キャリアアンプ５４のゲートに、入力マッチング回路５３（キャパシタＣ３１、Ｃ１１～１４）を介して入力する。ゲートバイアスは、電源ＶｇからインダクタＬ６を介して供給される。キャパシタＣ１５は電源Ｖｇのバイパスキャパシタであり、抵抗Ｒ４は調整用の抵抗である。

【0071】

キャリアアンプ５４のドレイン出力は、ＤＣ遮断用のキャパシタＣ２６を介してキャリアアンプ側のドハティネットワーク５６に提供される。ドレインバイアスは、電源ＶｄからインダクタＬ９を介して供給される。キャパシタＣ２１は電源Ｖｄのバイパスキャパシタである。

【0072】

キャリアアンプ側のドハティネットワーク５６は、伝送線ＴＲＬ２、キャパシタＣ２５により構成される出力マッチング回路５５と、キャリアアンプ５４の出力とピークアンプ６４の出力を合成するための伝送線ＴＲＬ１（図４で説明した９０°伝送線路５６ａを含む）により構成される。

【0073】

一方、分岐回路５１で等分され、Ｃ２３、Ｌ１２、Ｃ２９によるマッチング回路で位相が調整されたＲＦ信号は、位相調整回路６１（インダクタＬ１５、Ｌ１６、キャパシタＣ３２）でさらに位相が調整され、ビア６１ａを介して下段１０に達し、ピークアンプ６４に向かう。

【0074】

この下段１０に達したＲＦ信号は、ピークアンプ６４のゲートに、入力マッチング回路６３（インダクタＬ７、キャパシタＣ１６～１９）を介して入力する。ゲートバイアスは、電源ＶｇからインダクタＬ８を介して供給される。キャパシタＣ２０は電源Ｖｇのバイパスキャパシタであり、抵抗Ｒ５は調整用の抵抗である。

【0075】

ピークアンプ６４のドレイン出力は、ＤＣ遮断用のキャパシタＣ２８を介してピークアンプ側のドハティネットワーク６６に提供される。ドレインバイアスは、電源ＶｄからインダクタＬ１０を介して供給される。キャパシタＣ２２は電源Ｖｄのバイパスキャパシタである。

【0076】

ピークアンプ側のドハティネットワーク６６は、キャパシタＣ２７とキャパシタＣ１０の２段構成、伝送線ＴＲＬ３により構成される出力マッチング回路６５と、伝送線ＴＲＬ４により構成される。

【0077】

前述のアンプ出力を比較すると、それぞれの消費電流、あるいは消費電力、そしてその結果発生する発熱の大きさは、ドライバアンプ４０、キャリアアンプ５４、ピークアンプ６４、の順に大きくなるものと思われる。本実施形態の高周波増幅器１においては、より発熱の大きな、ピークアンプ６４、キャリアアンプ５４をより放熱効率のよい第２の放熱パスにて対応させ、それらより発熱が小さいドライバアンプ４０を第１の放熱パスにて対応させる構成としている。このような構成とすることにより、高周波増幅器１は、小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。

【0078】

高周波増幅器１は、ピークアンプ６４、キャリアアンプ５４を第２の放熱パスにて対応し、ドライバアンプ４０を第１の放熱パスにて対応させるため、図１に示すように、入力端子ＲＦｉｎ（信号ビア１３ａ）に入力されたＲＦ信号は、ベース部材Ｌａ４から下段１０を貫通し、図１に示す信号ビア１３ａ、１３ｂ、１３ｃを通り、下段１０の何処にも接続されずに図３で見て上段２０の左下の隅部分に入力される。また、分岐回路５１で分配されたＲＦ信号は、下段１０に備えられたピークアンプ６４、キャリアアンプ５４に入力されるため、図１に示す信号ビア１４ａ、１４ｂを通る信号経路と同様なパスを通る。これらの信号パスを通ることにより、高周波増幅器１は、小型でかつ放熱性の良い高周波増幅器を提供可能となる。

【0079】

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した意味ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【0080】

また、上記図１で説明した高周波増幅器１を製造する場合、例えば、下段１０の第２誘電体層１２を基準にして表側と裏側の両方向に成長可能である。詳しくは、図１で説明した下段１０の第２誘電体層１２の片面（表面）には、第２配線層Ｌａ２、上段２０の第３誘電体層２３、第１配線層Ｌａ１、第４誘電体層２４の順に設ける。これに対し、下段１０の第２誘電体層１２の別の片面（裏面）には、下段１０の第３配線層Ｌａ３、第１誘電体層１１の順に設けることができる。しかし、本開示はこの例に限定されるものではなく、例えば、表側あるいは裏側のいずれか一方向に成長してもよい。

【0081】

図９は、本開示の他の一態様に係る高周波増幅器を模式化した断面図である。なお、図１の高周波増幅器１と同じ機能を有する構成には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

【0082】

この図９に示した高周波増幅器１もベース部材Ｌａ４を有し、ベース部材Ｌａ４上には、下段１０、上段２０が搭載される。なお、この高周波増幅器１には、蓋材は搭載されていない。

【0083】

上段２０は、第４誘電体層２４（例えば厚さ０．４ｍｍ）、第１配線層Ｌａ１（例えば厚さ１０～３５μｍ）、第３誘電体層２３（例えば厚さ０．１ｍｍ）からなる。第３誘電体層２３が、図１で説明した第３誘電体層２３に比べて薄くなっている。この高周波増幅器１を製造する場合、まず、第３誘電体層２３の片面に第１配線層Ｌａ１を設ける。次に、第１配線層Ｌａ１の片面に、ドライバアンプ４０などの能動部品、並びにインダクタＬやキャパシタＣを実装した後、第４誘電体層２４を配置する。

【0084】

ドライバアンプ４０は、第４誘電体層２４に設けられており、ドライバアンプ４０の表面４０ａが下段１０から離間するように配置して第１配線層Ｌａ１の片面に実装される。ドライバアンプ４０の裏面４０ｂは下段１０に対向するように配置される。

【0085】

第４誘電体層２４と下段１０（第２誘電体層１２）との間には、第２配線層Ｌａ２（例えば厚さ１０～３５μｍ）が配置される。第２配線層Ｌａ２は、第１配線層Ｌａ１に対するＧＮＤ面をなす。

【0086】

下段１０は、第１誘電体層１１（例えば厚さ０．２８ｍｍ）、第３配線層Ｌａ３（例えば厚さ１０～３５μｍ）、第２誘電体層１２（例えば厚さ０．２ｍｍ）からなる。第２誘電体層１２が、図１で説明した第２誘電体層１２に比べて薄くなっている。高周波増幅器１の製造時には、上記第２配線層Ｌａ２の片面に第２誘電体層１２を配置し、この第２誘電体層１２の片面に第３配線層Ｌａ３を設ける。続いて、第３配線層Ｌａ３の片面に、キャリアアンプ５４およびピークアンプ６４などの能動部品、並びにインダクタＬやキャパシタＣを実装してから、第１誘電体層１１を配置する。

【0087】

キャリアアンプ５４およびピークアンプ６４は第１誘電体層１１に設けられており、表面５４ａ，６４ａがいずれも上方を向いて第３配線層Ｌａ３の片面に実装される。裏面５４ｂ，６４ｂは、いずれもベース部材Ｌａ４に接するように下方に向けて配置され、焼結系銀ペースト、もしくは焼結系銅ペーストを塗布したベース部材Ｌａ４に固着される。

【0088】

第１誘電体層１１の片面には、ＧＮＤ面をなすベース部材Ｌａ４（例えば厚さ０．１５～０．２５ｍｍ）が配置される。

【0089】

そして、図９に示すように、ドライバアンプ４０の裏面４０ｂは、放熱ビア１５ａ（本開示の第１のビアに相当する）に接触している。具体的には、放熱ビア１５ａは、上段２０の一部の層でありかつ下段１０に接する層、より詳しくは第４誘電体層２４、および下段１０を貫通しており、この放熱ビアの一端がドライバアンプ４０の裏面４０ｂに接続され、この放熱ビアの他端がベース部材Ｌａ４に接続されている。このため、図１と同様に機能する第３の放熱パスが、ドライバアンプ４０からベース部材Ｌａ４まで形成される。しかし、図１で示した第１の放熱パスが放熱部（第０配線層Ｌａ０）に接続され、近接するＧＮＤビアを経由しベース部材Ｌａ４に接続されていたのに比べ、図９に示す第３の放熱パスは、図１での放熱部に相当する配線層を経由せずに、直接ドライバアンプ４０の裏面４０ｂが放熱ビアの一端に接続されている。このため、図９における第３の放熱パスは、図１における第１の放熱パスよりも放熱性に優れていると思われる。

【0090】

なお、図１と同様に、上段２０の第１配線層Ｌａ１と下段１０の第３配線層Ｌａ３との間における電気的なパスは、信号ビア１４ａを用いて確保している。

【0091】

また、第１配線層Ｌａ１とベース部材Ｌａ４との間における電気的なパスは、信号ビア１３ａ～１３ｃを用いて、それぞれパスを確保している。一方、第３配線層Ｌａ３とベース部材Ｌａ４との間における電気的なパスは、信号ビア１６ａを用いて確保している。

【符号の説明】

【0092】

１…高周波増幅器、１０…下段、１１…第１誘電体層、１２…第２誘電体層、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１７ａ…信号ビア、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ…放熱ビア、２０…上段、２３…第３誘電体層、２４…第４誘電体層、２５…蓋材、３０…入力マッチング回路、４０…ドライバアンプ、４０ａ…表面、４０ｂ…裏面、４１…出力マッチング回路、４９…曲線パターン、５０…ドハティアンプ、５１…分岐回路、５２…曲線パターン、５２ａ…ビア、５３…入力マッチング回路、５４…キャリアアンプ、５４ａ…表面、５４ｂ…裏面、５５…出力マッチング回路、５６，６６…ドハティネットワーク、５６ａ…９０°伝送線路、６１…位相調整回路、６１ａ…ビア、６３…入力マッチング回路、６４…ピークアンプ、６４ａ…表面、６４ｂ…裏面、６５…出力マッチング回路、１００…プリント基板、１０１ａ，１０１ｂ…プリント基板上の配線、Ｌａ０…第０配線層（放熱部）、Ｌａ１…第１配線層、Ｌａ２…第２配線層、Ｌａ３…第３配線層、Ｌａ４…ベース部材、ＲＦｉｎ…入力端子、ＲＦｏｕｔ…出力端子、Ｌ，Ｌ１～Ｌ１２，Ｌ１５，Ｌ１６…インダクタ、Ｃ，Ｃ１～Ｃ２９、Ｃ３１，Ｃ３２…キャパシタ、Ｒ１，Ｒ３～Ｒ５…抵抗、ＴＲＬ１～ＴＲＬ４…伝送線、Ｖｄ，Ｖｇ…電源。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】