特許 7554057 回路部品及び回路部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-10

(45)【発行日】2024-09-19

(54)【発明の名称】回路部品及び回路部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 18/22 20060101AFI20240911BHJP

   C23C 18/20 20060101ALI20240911BHJP

   C25D 7/00 20060101ALI20240911BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20240911BHJP

   H05K 3/38 20060101ALI20240911BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240911BHJP

【ＦＩ】

C23C18/22

C23C18/20 A

C25D7/00 G

H05K3/00 K

H05K3/00 N

H05K3/38 A

H05K1/02 F

H05K1/02 C

H05K1/02 J

H05K1/02 Q

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2020066410

(22)【出願日】2020-04-02

(65)【公開番号】P2021161516

(43)【公開日】2021-10-11

【審査請求日】2022-12-26

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000005810

【氏名又は名称】マクセル株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000175766

【氏名又は名称】三恵技研工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100104444

【弁理士】

【氏名又は名称】上羽 秀敏

(74)【代理人】

【識別番号】100174285

【弁理士】

【氏名又は名称】小宮山 聰

(72)【発明者】

【氏名】鬼頭 朗子

(72)【発明者】

【氏名】遊佐 敦

(72)【発明者】

【氏名】北村 敏幸

【審査官】萩原 周治

(56)【参考文献】

【文献】特開平０７－１８８９３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１２０８４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／１７２４０５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０００９９７４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ２３Ｃ １８／００－２０／０８

Ｃ２５Ｄ ５／００－７／１２

Ｈ０５Ｋ ３／００

Ｈ０５Ｋ ３／１０－３／２６

Ｈ０５Ｋ ３／３８

Ｈ０５Ｋ １／００－１／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

回路部品であって、
金属部材と、
前記金属部材上に形成されている絶縁性樹脂層と、
前記絶縁性樹脂層上に形成されているメッキ膜を含む回路配線と、
前記回路配線上に実装され、前記回路配線と電気的に接続する実装部品とを有し、
前記絶縁性樹脂層の表面において、前記回路配線が形成されている配線領域に、前記メッキ膜で充填されている複数の非貫通孔が形成されており、
前記非貫通孔の幅Ｄに対する前記非貫通孔の深さｄの比率ｄ／Ｄが、０．５～５であり、
前記非貫通孔の幅Ｄに対する前記非貫通孔間の距離Ｐの比率Ｐ／Ｄが、０．３～３であり、
前記非貫通孔の幅Ｄは２０μｍ以上であり、
かつ、前記非貫通孔の深さｄは２４μｍ以上であり、
前記非貫通孔は、前記配線領域における密度が略平均化するように点在して形成されている、回路部品。

【請求項2】

前記非貫通孔以外の前記配線領域の表面粗さ（Ｒａ）が、前記非貫通孔の深さｄの１／５以下である請求項１に記載の回路部品。

【請求項3】

前記回路配線の厚さが、前記非貫通孔の深さｄの１／２より大きいか、又は幅Ｄの１／２より大きい請求項１又は２に記載の回路部品。

【請求項4】

前記非貫通孔の幅Ｄが、２０～２００μｍである請求項１～３のいずれか一項に記載の回路部品。

【請求項5】

前記絶縁性樹脂層の、前記回路配線と前記金属部材に挟まれ且つ前記非貫通孔が形成されていない部分の厚さが、３０～２００μｍである請求項１～４のいずれか一項に記載の回路部品。

【請求項6】

前記非貫通孔の底から前記絶縁性樹脂層の前記金属部材と対向する面までの距離が、５～１００μｍである請求項１～５のいずれか一項に記載の回路部品。

【請求項7】

前記絶縁性樹脂層が、熱硬化性樹脂を含む請求項１～６のいずれか一項に記載の回路部品。

【請求項8】

前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請求項７に記載の回路部品。

【請求項9】

前記絶縁性樹脂層が、絶縁性熱伝導フィラーを含むことを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の回路部品。

【請求項10】

前記金属部材と前記絶縁性樹脂層との間に、無機酸化物層を更に有する請求項１～９のいずれか一項に記載の回路部品。

【請求項11】

前記実装部品は、端子が設けられた面を前記回路配線に対向させて配置され、前記端子と前記回路配線がハンダにより電気的に接続されている請求項１～１０のいずれか一項に記載の回路部品。

【請求項12】

請求項１～１１のいずれか一項に記載の回路部品の製造方法であって、
前記金属部材を用意することと、
前記金属部材上に前記絶縁性樹脂層を形成することと、
前記絶縁性樹脂層の前記配線領域に、レーザー光を照射して前記複数の非貫通孔を形成することと、
前記配線領域に、電解メッキにより前記回路配線を形成することと、
前記回路配線上に前記実装部品を実装することを含む回路部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路部品及び回路部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、ＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）が、スマートフォン等で実用化されており、今後、自動車分野での応用拡大が期待されている。ＭＩＤは、樹脂成形体の表面に金属膜で回路を形成したデバイスであり、製品の軽量化、薄肉化及び部品点数削減に貢献できる。

【0003】

発光ダイオード（ＬＥＤ）が実装されたＭＩＤも提案されている。ＬＥＤは、通電により発熱するため背面からの排熱が必要であり、ＭＩＤの放熱性を高めることが重要となる。特許文献１では、ＭＩＤと金属製の放熱材料とを一体化した複合部品が提案されている。また、特許文献１のＭＩＤでは、メッキ膜により回路配線を形成している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特許第３４４３８７２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

近年、電子機器は高性能化及び小型化し、これに用いられるＭＩＤも高密度、高機能化が進み、より高い放熱性が要求されている。放熱材料である金属部材上に樹脂層を設けたＭＩＤにおいて、樹脂層を薄くすることは、樹脂層上の回路配線から金属部材への熱伝導を向上させるために有効である。しかし、樹脂層は熱伝導を担うフィラーとして、アルミナやシリカ粒子が含有されている場合も多く、樹脂層の厚さを薄くすることのみにより放熱性を向上させることには限界があった。本発明は、これらの課題を解決するものであり、高い放熱性を有する回路部品（ＭＩＤ）を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の第１の態様に従えば、回路部品であって、金属部材と、前記金属部材上に形成されている絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成されているメッキ膜を含む回路配線と、前記回路配線上に実装され、前記回路配線と電気的に接続する実装部品とを有し、前記絶縁性樹脂層の表面において、前記回路配線が形成されている配線領域に、前記メッキ膜で充填されている複数の非貫通孔が形成されており、前記非貫通孔の幅Ｄに対する前記非貫通孔の深さｄの比率ｄ／Ｄが、０．５～５である回路部品が提供される。

【0007】

前記非貫通孔以外の前記配線領域の表面粗さ（Ｒａ）が、前記非貫通孔の深さｄの１／５以下であってもよい。前記非貫通孔の幅Ｄに対する前記非貫通孔間の距離Ｐの比率Ｐ／Ｄが、０．３～３であってもよい。前記回路配線の厚さが、前記非貫通孔の深さｄの１／２より大きいか、又は幅Ｄの１／２より大きくてもよい。前記非貫通孔の幅Ｄが、１０～２００μｍであってもよい。前記絶縁性樹脂層の、前記回路配線と前記金属部材に挟まれ且つ前記非貫通孔が形成されていない部分の厚さが、３０～２００μｍであってもよい。前記非貫通孔の底から前記絶縁性樹脂層の前記金属部材と対向する面までの距離が、５～１００μｍであってもよい。前記非貫通孔は、配線領域における密度が平均化するように点在して形成されていてもよい。

【0008】

前記絶縁性樹脂層が、熱硬化性樹脂を含んでもよい。前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂であってもよい。前記絶縁性樹脂層が、絶縁性熱伝導フィラーを含んでもよい。金属部材と前記絶縁性樹脂層との間に、無機酸化物層を更に有してもよい。前記実装部品は、端子が設けられた面を前記回路配線に対向させて配置され、前記端子と前記回路配線がハンダにより電気的に接続されていてもよい。

【0009】

本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の回路部品の製造方法であって、前記金属部材を用意することと、前記金属部材上に前記絶縁性樹脂層を形成することと、前記絶縁性樹脂層の前記配線領域にレーザー光を照射して前記複数の非貫通孔を形成することと、前記配線領域に、電解メッキにより前記回路配線を形成することと、前記回路配線上に前記実装部品を実装することを含む回路部品の製造方法が提供される。

【発明の効果】

【0010】

本発明の回路部品は、高い放熱性と、回路配線の高い密着性を両立できる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態の回路部品の上面模式図である。

【図2】図２（ａ）は、図１に示すＩＩＡ領域の拡大図であり、図２（ｂ）は、図１のＩＩＢ－ＩＩＢ線断面模式図である。尚、図２（ａ）において、実装部品は省略している。

【図3】図３（ａ）～（ｃ）は、開口部の形状が楕円である非貫通孔が形成されている配線領域の上面模式図であり、図３（ｄ）及び（ｅ）は、種々の形状の開口部を有する非貫通孔が形成されている配線領域の上面模式図である。

【図4】図４（ａ）は、略平均化された密度で非貫通孔が形成されている配線領域の上面模式図であり、図４（ｂ）は、不均一な密度で非貫通孔が形成されている配線領域の上面模式図である。

【図5】図５は、実施形態の回路部品を製造する方法を説明するフローチャートである。

【図6】図６は、レーザー光の照射によって非貫通孔を形成する場合のレーザー描画パターンの一例である。

【図7】図７（ａ）～（ｅ）は、実施形態において基材上にメッキ膜を形成する様子を説明する図である。

【図8】図８（ａ）～（ｅ）は、比率ｄ／Ｄが小さい非貫通孔を有する基材上にメッキ膜を形成する様子を説明する図である。

【図9】図９は、変形例の回路部品の一部の断面模式図である。

【図10】図１０（ａ）は、実施例１３で製造した回路部品の上面模式図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＸＢ－ＸＢ線断面模式図である。

【図11】図１１は、実施例１４で作製した回路部品の断面写真である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

［回路部品］
図１及び図２（ａ）、（ｂ）に示す回路部品１００について説明する。回路部品１００は、金属部材５０及び絶縁性樹脂層１０を含む基材７０と、基材７０の絶縁性樹脂層１０上に形成されているメッキ膜を含む回路配線２０と、絶縁性樹脂層１０上に実装され、回路配線２０と電気的に接続する実装部品３０とを含む。実装部品３０は、回路配線２０上に配置されて実装されている。絶縁性樹脂層１０の表面１０ａにおいて、回路配線２０が形成されている配線領域１０Ａに、回路配線２０のメッキ膜で充填されている複数の非貫通孔１１（凹部）が形成されている。

【0013】

金属部材５０は、絶縁性樹脂層１０に実装される実装部品３０が発する熱を放熱する。したがって、金属部材５０には放熱性のある金属を用いることが好ましく、例えば、鉄、銅、アルミニウム、チタン、マグネシウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等を用いることができる。中でも、軽量化、放熱性及びコストの観点から、マグネシウム、アルミニウムを用いることが好ましい。これらの金属は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。金属部材５０の熱伝導率は、例えば、８０～３００Ｗ／ｍ・Ｋである。

【0014】

金属部材５０の形状及び大きさは特に限定されず、回路部品１００の用途に合わせて任意に設計できる。例えば、金属部材５０の形状は、板状体（金属板）でもよいし、放熱フィンであってもよいし、ダイカストで成形される複雑形状であってもよい。

【0015】

絶縁性樹脂層１０は、回路配線２０と金属部材５０とを絶縁させて短絡を防止するため、絶縁性を有する。絶縁性樹脂層１０の絶縁性の程度は、回路部品１００の用途（アプリケーション）にもよるが、例えば、１６Ｖの電圧を印可したときの回路配線２０と金属部材５０の間の抵抗が、１ＭΩ以上である。回路配線２０と金属部材５０の間の抵抗が１ＭΩ未満であると、回路配線２０から金属部材５０へ微小電流が流れ、回路配線２０が機能できなくなる虞がある。また、絶縁性樹脂層１０は、回路部品１００の放熱性を高めるため、ある程度の熱伝導率を有する。このように、絶縁性樹脂層１０は、絶縁性とある程度の熱伝導率とを併せ持つ、絶縁放熱樹脂層である。絶縁性樹脂層１０の熱伝導率は、例えば、１～５Ｗ／ｍ・Ｋである。

【0016】

絶縁性樹脂層１０は、樹脂を含む。実装部品３０がハンダ付けにより絶縁性樹脂層１０に実装される場合、絶縁性樹脂層１０に用いる樹脂は、ハンダリフロー耐性を有する耐熱性のある高融点の樹脂が好ましい。絶縁性樹脂層１０に用いる樹脂の融点は、２６０℃以上であることが好ましく、２９０℃以上であることがより好ましい。尚、実装部品３０の実装に、低温ハンダを用いる場合はこの限りではない。

【0017】

絶縁性樹脂層１０に用いる樹脂は、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂を用いることができる。中でも、薄く成形することが容易であり、成形精度が高く、更に硬化後は高耐熱性及び高密度を有する熱硬化樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂を用いることができ、中でもエポキシ樹脂が好ましい。光硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、６Ｔナイロン（６ＴＰＡ）、９Ｔナイロン（９ＴＰＡ）、１０Ｔナイロン（１０ＴＰＡ）、１２Ｔナイロン（１２ＴＰＡ）、ＭＸＤ６ナイロン（ＭＸＤＰＡ）等の芳香族ポリアミド及びこれらのアロイ材料、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）等を用いることができる。これらの熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。

【0018】

絶縁性樹脂層１０は、絶縁性熱伝導フィラーを含んでもよい。絶縁性熱伝導フィラーは、絶縁性樹脂層１０の絶縁性を維持しながら熱伝導性を向上させることができる。絶縁性熱伝導フィラーとは、ここでは、熱伝導率１Ｗ／ｍ・Ｋ以上のフィラーであり、カーボン等の導電性の放熱材料は除外される。絶縁性熱伝導フィラーとしては、例えば、高熱伝導率の無機粉末である、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等のセラミックス粉が挙げられる。フィラー同士の接触率を高めて熱伝達性を高めるために、ワラストナイト等の棒状、タルクや窒化ホウ素等の板状のフィラーを混合してもよい。これらの絶縁性熱伝導フィラーは、それぞれ単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。

【0019】

絶縁性熱伝導フィラーの最大直径（最大粒子サイズ）は、例えば、比較的安価なセラミック粒子を用いる場合、３０μｍ～１００μｍが好ましい。また、絶縁性樹脂層１０の厚さを薄くする場合には、絶縁性熱伝導フィラーの最大直径は、１０μｍ～６０μｍが好ましい。

【0020】

絶縁性熱伝導フィラーは、絶縁性樹脂層１０中に例えば、１０重量％～９０重量％含まれ、３０重量％～８０重量％含まれることが好ましい。絶縁性熱伝導フィラーの配合量が上記範囲内であると、回路部品１００は、十分な放熱性を得られる。

【0021】

絶縁性樹脂層１０は、更に、その強度を制御するために、ガラス繊維、チタン酸カルシウム等の棒状又は針状のフィラーを含んでもよい。また、絶縁性樹脂層１０は、必要に応じて、樹脂成形体に添加される汎用の各種添加剤を含んでもよい。尚、これ以降、絶縁性樹脂層１０を構成する樹脂、絶縁性熱伝導フィラー等を全て含む材料を「樹脂材料」と記載する場合がある。

【0022】

図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、絶縁性樹脂層１０の表面１０ａの回路配線２０が形成されている配線領域１０Ａに、回路配線２０のメッキ膜で充填されている複数の非貫通孔（凹部）１１が形成されている。非貫通孔１１の幅Ｄに対する、非貫通孔１１の深さｄの比率ｄ／Ｄは、０．５～５である。比率ｄ／Ｄは、好ましくは、０．８～３．０μｍ、又は１．０～１．６μｍであってもよい。比率ｄ／Ｄが上記範囲内の非貫通孔１１に回路配線２０のメッキ膜が充填されることで、回路配線２０の絶縁性樹脂層１０に対する密着性が向上する。また、比率ｄ／Ｄが上記範囲内の非貫通孔１１においては、回路配線２０のメッキ膜と金属部材５０との距離が短くなるため、回路配線２０及びその上に配置される実装部品３０が発する熱を金属部材５０へ逃がし易くなる。この結果、回路部品１００の放熱性が向上する。このように、比率ｄ／Ｄが上記範囲内の非貫通孔（凹部）１１を設けることにより、回路部品１００の放熱性、及び回路配線２０の密着性が向上る。更に、比率ｄ／Ｄが上記範囲内の非貫通孔１１が形成された配線領域１０Ａ上に形成される回路配線２０は、その表面２０ａの十分な平坦性（平滑性）を得られる。

【0023】

一方、比率ｄ／Ｄが上記範囲外であると、以下に説明するように回路部品１００の放熱性と回路配線２０の密着性を両立できない。また、回路配線２０の十分な平坦性（平滑性）が得られない。比率ｄ／Ｄが上記範囲の下限値未満である場合は、幅Ｄに対して深さｄが小さい（浅い）ため、回路配線２０の密着性が十分に得られず、回路部品１００の放熱性も低下する虞がある。また、深さｄに対して幅Ｄが大きいため、メッキ膜で非貫通孔１１を充填することが難しく、回路配線２０の平坦性が低下する虞がある（後述する図８（ａ）～（ｅ）参照）。反対に、比率ｄ／Ｄが上記範囲の上限値を超える場合は、深さｄを大きく（深く）する必要がある。しかし、絶縁性樹脂層１０の厚さ以上にｄが大きくなると、回路配線２０が金属部材５０に接触してしまい、回路配線２０と金属部材５０とを絶縁できない。深さｄを大きく（深く）するために絶縁樹脂層１０を厚くした場合は回路配線２０と金属部材５０とを絶縁できるが、回路配線２０から金属部材５０への熱伝達が阻害され放熱性が低下する。

【0024】

本願明細書において、非貫通孔１１の幅Ｄとは、表面１０ａ（配線領域１０Ａ）における非貫通孔１１の開口部１１ａの形状が真円である場合はその直径を意味する。非貫通孔１１の開口部１１ａの形状は、回路配線２０を構成するメッキ膜の平滑性及び密着性の向上の観点からは円形が好ましいが、特に限定されない。例えば、図３（ａ）～（ｃ）に示すように楕円であってもよいし、図３（ｄ）及び（ｅ）に示すような形状であってもよい。開口部１１ａの形状が真円でない場合は、開口部１１ａの面積と同じ面積の真円の直径を意味する。また、非貫通孔１１の深さｄとは、非貫通孔１１の最も深い部分（底１１ｂ）の深さ、即ち、表面１０ａから非貫通孔１１の底１１ｂまでの距離（長さ）である。

【0025】

非貫通孔１１の幅Ｄは、比率ｄ／Ｄが上記範囲を満たしていれば特に限定されないが、例えば、１０～２００μｍ、２０～１５０μｍ又は３０～５０μｍとしてよい。幅Ｄが上記範囲の下限値未満であると、回路配線２０の密着性を十分に得られない虞がある。幅Ｄが上記範囲の上限値を超えると、比率ｄ／Ｄを上述の適正な範囲内に収めることが難しくなる虞がある。

【0026】

非貫通孔１１の深さｄは、比率ｄ／Ｄが上記範囲を満たしていれば特に限定されないが、例えば、２０～２００μｍ、３０～１５０μｍ又は５０～１００μｍとしてよい。深さｄが上記範囲の下限値未満であると、回路配線２０の密着性を十分に得られない虞がある。深さｄが上記範囲の上限値を超えると、回路配線２０と金属部材５０との十分に絶縁できない虞、又は絶縁性を得るために絶縁性樹脂層１０を厚くするために放熱性が低下する虞がある。

【0027】

非貫通孔１１の幅Ｄに対する非貫通孔１１間の距離Ｐの比率Ｐ／Ｄは、０．３～３、０．５～２．５又は１．０～１．５であることが好ましい。ここで、非貫通孔１１間の距離Ｐとは、絶縁性樹脂層１０の表面１０ａ（配線領域１０Ａ）において、１つの非貫通孔１１と、それに隣接する別の非貫通孔１１との間の最短距離であり、１つの非貫通孔１１の開口部１１ａの縁からそれに隣接する別の非貫通孔１１の開口部１１ａの縁までの最短距離である。比率Ｐ／Ｄが上記範囲の下限値未満であると、非貫通孔１１間の距離Ｐが近過ぎるため、その上に形成される回路配線２０の平坦性が不十分となる虞がある。比率Ｐ／Ｄが上記範囲の上限値を超えると、非貫通孔１１間の距離Ｐが大きくなるため、配置できる非貫通孔１１の数が少なくなり、回路部品１００の放熱性、及び回路配線２０の密着性が不十分になる虞がある。

【0028】

非貫通孔１１間の距離Ｐは、比率Ｐ／Ｄが上記範囲を満たしていれば特に限定されないが、例えば、２０～３００μｍ、又は５０～１５０μｍとしてよい。

【0029】

非貫通孔１１の深さｄ及び幅Ｄ、並びに非貫通孔１１間の距離Ｐは、例えば、所定範囲（測定範囲）に存在する複数の非貫通孔１１の平均値として求められる。例えば、以下に説明するように、光学的測定法による配線領域１０Ａの高さ測定から求めてもよい。まず、絶縁性樹脂層１０から回路配線２０を剥離して配線領域１０Ａを露出させる。レーザー顕微鏡等の光学測定装置を用いて、配線領域１０Ａの所定範囲（測定範囲）全体の表面粗さ（Ｒａ）を測定する。測定範囲全体の表面粗さ（Ｒａ）の２倍以上の深さを有する部分を非貫通孔（凹部）１１と判定し、個々の非貫通孔１１の幅Ｄ及び非貫通孔１１間の距離Ｐを測定して、平均値を求める。尚、非貫通孔１１の深さｄについては、光学測定におけるノイズを排除するため、深さdのバラつきを考慮し、非貫通孔１１を１０個以上測定し、それらの平均を求めることが好ましい。

【0030】

また、非貫通孔１１の深さｄ及び幅Ｄ、並びに非貫通孔１１間の距離Ｐは、以下に説明するＸ線ＣＴによる形状分析法により求めてもよい。例えば、金属部材５０がアルミニウム、回路配線２０が銅で形成されている場合、回路部品1００の回路配線２０を含む部分を所定のサイズに切り出し、Ｘ線ＣＴで測定する。これにより、アルミニウムよりもＸ線透過性の低い銅を含む回路配線２０のみのＸ線ＣＴ像が得られる。このＸ線ＣＴ像を深さ方向の平面ごとにスライスデータとして抽出し、回路配線２０が見えなくなるスライス深さを非貫通孔１１の深さｄとし、絶縁性樹脂層１０の表面１０ａでスライスした像の形状から、非貫通孔１１の幅Ｄ及び距離Ｐの値を測定する。このようにして得られた個々の非貫通孔１１の深さｄ、幅Ｄ及び距離Ｐから、平均値を求める。尚、Ｘ線ＣＴによる形状分析法は、サンプリングの容易さと検出感度の観点から、面積が３～１５ｍｍ^２の配線部を切り出して測定することが好ましい。

【0031】

また、非貫通孔１１の深さｄ及び幅Ｄは、回路部品１００の回路配線２０の断面観察により求めてもよい。断面観察は、図２（ｂ）に示すように、非貫通孔１１の深さｄ及び幅Ｄが測定可能な断面において行う必要があり、例えば、以下のように行ってもよい。まず、回路部品１００を切断して、非貫通孔１１の断面を観察する。その後、紙やすり等で２～３μｍ断面を研磨して切削し、再度、断面を観察する。これを繰り返し、非貫通孔１１の深さが最も深く観測される位置の断面写真を得て、そこから求められる非貫通孔１１の深さを、深さｄとする。図２（ｂ）に示すように非貫通孔の形状が円錐であれば、深さｄを求められる断面写真から、同時に幅Ｄも求められる。深さd及び幅Ｄのバラつきを考慮し、同様の手法により非貫通孔１１を１０個以上測定し、それらの平均を求めることが好ましい。

【0032】

非貫通孔１１の構造は、特に限定されず、任意の形状としてよい。図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の非貫通孔１１の形状は、底面を表面１０ａ（配線領域１０Ａ）に配置した円錐である。したがって、非貫通孔１１の開口部１１ａの形状は真円である。しかし、非貫通孔１１の形状はこれに限定されず、例えば、三角錐や四角錘等の多角錐であってもよいし、底面が複雑形状の錐体であってもよい。また、円柱、多角柱、又は底面が複雑形状の柱体であってもよいし、半球であってもよい。非貫通孔１１の形成のし易さ（加工容易性）の観点からは、非貫通孔１１の内部は、開口部１１ａよりも広がらない方が好ましい。即ち、非貫通孔１１の内部の表面１０ａと平行な断面の面積は、開口部１１ａの面積以下であることが好ましい。したがって、非貫通孔１１の形状が錐体、柱体、又は半球である場合、その底面を表面１０ａ（配線領域１０Ａ）に配置することが好ましい。

【0033】

非貫通孔１１は、配線領域１０Ａに形成されている。また、非貫通孔１１は、配線領域１０Ａのみに形成され、配線領域１０Ａを除く表面１０ａには形成されていないことが好ましい。これにより、非貫通孔１１を形成するための時間（加工時間）が短縮され、回路部品１００の製造効率が向上する。また、非貫通孔１１は、配線領域１０Ａにおける密度が略平均化するように点在して形成されていることが好ましい。これにより、回路部品１００の放熱性、及び回路配線２０の密着性を均一化できる。例えば、図４（ａ）及び（ｂ）に示す配線領域１０Ａ全体の非貫通孔１１の密度は、同一である。しかし、図４（ａ）に示す非貫通孔１１は、配線領域１０Ａにおける密度が略平均化するように点在して形成されており、一方、図４（ｂ）に示す非貫通孔１１は、その密度に偏りがる。図４（ｂ）において、左上部分は非貫通孔１１の密度が高く、右下部分は非貫通孔１１の密度が低い。図４（ａ）に示す配線領域１０Ａ上には、均一に回路配線２０のメッキ膜が成長する。一方、図４（ｂ）に示す配線領域１０Ａ上の右下部分はメッキ膜が成長し難い。このため、４（ｂ）に示す配線領域１０Ａ上では、メッキ膜が不均一化し、メッキ膜の平滑性が低下する。

【0034】

また、配線領域１０Ａにおける密度が略平均化するように非貫通孔１１を点在して形成するためには、以下の条件を満たすことが好ましい。配線領域１０Ａにおいて、距離Ｐ（１つの非貫通孔１１の開口部１１ａの縁からそれに隣接する別の非貫通孔１１の開口部１１ａの縁までの最短距離）の最大値と最小値との差が、配線領域１０Ａにおける距離Ｐの平均値の５０％未満であることが好ましい。また、配線領域１０Ａにおいて、非貫通孔１１の最も密度の高い領域における密度（個／ｍｍ^２）と、最も密度の低い領域における密度（個／ｍｍ^２）との差が、配線領域１０Ａにおける非貫通孔１１の平均密度（個／ｍｍ^２）の５０％未満であることが好ましい。

【0035】

絶縁性樹脂層１０の厚さは特に限定されず、回路部品１００の用途に合わせて任意に設計できる。絶縁性樹脂層１０の厚さは、略一定であってもよいし、場所によって変動していてもよい。絶縁性樹脂層１０の厚さが薄いほど、回路部品１００の放熱性は向上する傾向があるため、発熱の大きい実装部品３０の近傍の絶縁性樹脂層１０の厚さは小さい方が好ましい。一方、絶縁性樹脂層１０の厚さが小さ過ぎると、絶縁性樹脂層１０の成形において樹脂の流動抵抗が大きくなり、成形不良（充填不良）が発生する虞がある。また、十分な深さを有する非貫通孔１１を形成することが難しくなる。これらの観点から、絶縁性樹脂層１１の、回路配線２０と金属部材５０に挟まれ且つ非貫通孔１１が形成されていない部分の厚さＢ（回路配線２０の下の絶縁性樹脂層１１の膜厚Ｂ）は、３０～２００μｍ、５０～１５０μｍであることが好ましい。厚さＢが場所によって変動している場合は、最も小さい値（最も薄い部分の厚さ）が上記範囲内であることが好ましい。

【0036】

また、絶縁性樹脂層１０の非貫通孔１１が形成されている部分の厚さ、即ち、非貫通孔１１の底１１ｂから絶縁性樹脂層１０の金属部材５０と対向する面１０ｂまでの距離（最短距離）Ｃは、５～１００μｍ、２０～８０μｍ又は、３０～６０μｍであることが好ましい。距離Ｃが上記範囲の下限値より小さいと、回路配線２０と金属部材５０とを十分に絶縁できない虞がある。また、距離Ｃが上記範囲の上限値より大きいと、回路部材１００の放熱性が低下する虞がある。

【0037】

非貫通孔１１以外の配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、非貫通孔１１の深さｄの１／５以下、又は１／１０以下が好ましい。本実施形態では、非貫通孔１１を設けることで回路配線２０の密着性が向上するため、配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）を小さくしても十分な密着性を保持できる。そして、非貫通孔１１以外の配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）を小さくできるため、その上に形成される回路配線２０の平坦性が向上する。一方で、回路配線２０のメッキ膜を配線領域１０Ａのみに選択的に形成し易くする観点からは、配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、配線領域１０Ａ以外の表面１０ａの表面粗さ（Ｒａ）よりも大きい方が好ましい。また、配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、１～３０μｍ、３～２０μｍ又は、５～１０μｍであってもよい。

【0038】

回路配線２０は、絶縁性樹脂層１０の表面１０ａの配線領域１０Ａにメッキ膜により形成されている。回路配線２０は、配線領域１０Ａ上に形成される無電解メッキ膜２１と、無電解メッキ膜２１上に形成される電解メッキ膜２２から構成されることが好ましい（図７（ｅ）参照）。

【0039】

無電解メッキ膜２１としては、例えば、無電解ニッケルリンメッキ膜、無電解銅メッキ膜、無電解ニッケルメッキ膜が挙げられ、中でも、無電解ニッケルリンメッキ膜が好ましい。電解メッキ膜２２としては、電解ニッケルリンメッキ膜、電解銅メッキ膜、電解ニッケルメッキ膜が挙げられる。また、メッキ膜のハンダの濡れ性を向上させるために、金、銀、錫等のメッキ膜を回路配線２０の最表面に形成してもよい。

【0040】

回路配線２０を構成するメッキ膜が非貫通孔１１を充填しているため、回路配線２０は絶縁性樹脂層１０に対して強く密着できる。回路配線２０の厚さＡは、非貫通孔１１の深さｄの１／２及び幅Ｄの１／２の小さい方より大きいことが好ましい。即ち、回路配線２０の厚さＡは、非貫通孔１１の深さｄの１／２、又は幅Ｄの１／２より大きいことが好ましい。回路配線２０の厚さＡが上記範囲内であると、回路配線２０を形成するメッキ膜の平坦性が更に向上する。但し、非貫通孔１１の大きさが比較的小さい場合は、回路配線２０の厚さＡが上記範囲より薄くともメッキ膜で非貫通孔１１を充填でき、回路配線２０の平坦性を担保できる。非貫通孔１１の大きさが比較的小さい場合、放熱性の低下が懸念されるが、例えば、絶縁性樹脂層１０の厚さＢを小さくすることにより非貫通孔１１の底１１ｂと金属部材５０を近づけることで（距離Ｃを小さくすることで）、回路部品１００の放熱性を十分担保できる。

【0041】

回路配線２０の厚さＡとは、非貫通孔１１に充填されている部分を含まない厚さを意味する。即ち、回路配線２０の厚さＡは、絶縁性樹脂層１０の表面１０ａから回路配線２０の実装部品３０に対向する面２０ａまでの距離である。回路配線２０の厚さＡは、例えば、１０～１００μｍ、又は２０～８０μｍであってもよい。

【0042】

図２（ｂ）に示すように、実装部品３０は、端子が設けられた面（底面）３０ｂを回路配線２０に対向させて配置され、端子と回路配線２０がハンダにより電気的に接続されている。ハンダは、特に限定されず、汎用のものを用いることができる。実装部品３０は、通電により熱を発生して発熱源となる。実装部品３０は任意のものを用いることができ、例えば、ＬＥＤ（発光ダイオード）、パワーモジュール、ＩＣ（集積回路）、熱抵抗等が挙げられる。

【0043】

本実施形態では、実装部品３０が実装される回路配線２０の表面２０ａが平坦であるため、実装部品３０の回路配線２０への密着強度が高まり、実装部品３０から回路配線２０への熱伝導性が向上する。これにより、回路部品１００の放熱性が更に向上する。

【0044】

［回路部品の製造方法］
図５に示すフローチャートに従って、回路部品１００の製造方法について説明する。まず、金属部材５０を用意する（図５のステップＳ１）。金属部材５０は、市販品の金属板（板状体）、放熱フィン等であってもよいし、ダイカストにより任意の形状に成形したものであってもよい。

【0045】

金属部材５０の絶縁性樹脂層１０が形成されている表面は、その上に積層される絶縁性樹脂層１０との密着性を高めるために粗化してもよい。金属部材５０の表面の粗化には、化学エッチング、特開２００９－６７２１号公報、特許第５６８１０７６号公報等に開示されているナノモールディングテクノロジー（ＮＭＴ）を用いてもよい。あるいはレーザー粗化を行ってもよい。

【0046】

次に、金属部材５０上に絶縁性樹脂層１０を形成する（図５のステップＳ２）。例えば、絶縁性樹脂層１０はインサート成形（一体成形）によって形成してもよい。具体的には、金属部材５０を先に金型内に配置し、その金型の空き部分に樹脂材料を射出充填する。これにより、金属部材５０と絶縁性樹脂層１０とが一体に成形される。インサート成形としては、射出成形、トランスファー成形等を用いることができる。このように、絶縁性樹脂層１０と金属部材５０とは、一体成形した一体成形体であってもよい。ここで、一体成形体とは、別個に作成された金属部材５０と絶縁性樹脂層１０とを接着や接合（二次接着や機械的接合）するのではなく、絶縁性樹脂層１０の成形時に金属部材５０と接合する加工（典型的にはインサート成形）により製造したものを意味する。

【0047】

次に、絶縁性樹脂層１０の配線領域１０Ａに、複数の非貫通孔１１を形成する（図５のステップＳ３）。非貫通孔１１を形成する方法は特に限定されないが、例えば、レーザー光を照射して絶縁性樹脂層１０の表面１０ａを切削して、非貫通孔１１を形成してよい（レーザー加工）。レーザー加工は、複数の非貫通孔１１を効率よく形成でき、非貫通孔１１のサイズ（幅Ｄ、深さｄ）の調整も容易である。非貫通孔１１の形成と同時に、配線領域１０Ａ全体にレーザー光を照射して配線領域１０Ａを粗化ししてもよい。配線領域１０Ａを粗化することで、配線領域１０Ａに選択的に回路配線２０（メッキ膜）を形成し易くなり、また、回路配線２０の密着性を高められる。但し、上に形成される回路配線２０の平坦性を担保するため、非貫通孔１１以外の配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、非貫通孔１１の深さｄの１／５以下、又は１／１０以下とすることが好ましい。非貫通孔１１のレーザー加工に用いるレーザー光の種類、レーザー加工装置は特に限定されず、絶縁性樹脂層１０の種類等を考慮し、適宜選択して用いることができる。

【0048】

レーザー加工によって非貫通孔１１を形成する場合、例えば、図６に示すように、非連続ラインから構成されるパターンのレーザー描画を行うことが好ましい。図６に示すレーザー描画について説明する。まず、所定方向（図６に示すＹ方向）に延びる非連続ラインＬ１を描画する。非連続ラインＬ１は、長さＮ_１の線分（レーザー描画部）が、長さＮ_２の間隔（スペース）で配置されたパターンである。次に、非連続ラインＬ２として、ラインＬ１と同様のパターンを、ラインＬ１から所定方向と垂直な方向（図６に示すＸ方向）に長さＮ_３平行移動させ、且つＹ方向に長さＮ_４平行移動させて、レーザー描画する。このとき、Ｎ_４＝（Ｎ_１＋Ｎ_２）／２とする。同様の作業を繰り返し、Ｙ方向に延びる複数の非連続ラインＬｎを、Ｘ方向に等間隔（長さＮ_３）に描画する。これにより、図６に示すように、長さＮ_１の線分（レーザー描画部）がＸ方向に長さ(Ｎ_１＋Ｎ_２)のピッチで、且つＹ方向に長さ２×Ｎ_３のピッチで並んだレーザー描画パターンが形成できる。レーザー光は、長さＮ_１の線分のみに照射されるが、レーザー光はスポット径と呼ばれる幅を持った光であるため、描画パターン線の周辺部の絶縁性樹脂層１０も切削される。線長さＮ_１が短い場合、スポット径による幅の広がりと切削深さはほぼ一致し、レーザー加工痕が円錐の非貫通孔１１となる。長さＮ_１のレーザー照射部から広がって切削されて形成された非貫通孔１１の直径をＤとすると、間隔Ｐは、Ｐ＝√［（Ｎ_３）^２＋（Ｎ_４）^２］－Ｄとなる。長さＮ_１～Ｎ_４の数値を変えることで、様々な大きさの非貫通孔１１のパターンを作成できる。また、このようなレーザー描画を用いると、容易に、配線領域１０Ａに密度が略平均化するように非貫通孔１１を点在させて形成できる。レーザー光よって複数の非貫通孔１１を形成する方法としては、描画パターンを非連続とすることの他に、レーザー光をパルスで照射する手法を用いてもよい。

【0049】

次に、絶縁性樹脂層１０の配線領域１０Ａに、メッキ膜に含む回路配線２０を形成する。回路配線２０を形成する方法は、特に限定されず、汎用の方法を用いることができる。例えば、表面１０ａ全体にメッキ膜を形成し、メッキ膜にフォトレジストでパターニングし、エッチングにより回路配線以外の部分のメッキ膜を除去する方法、回路配線を形成したい部分にレーザー光を照射して樹脂層を粗化し、レーザー光照射部分のみにメッキ膜を形成する方法等が挙げられる。特に、絶縁性樹脂層１０にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いた場合は、配線領域１０Ａをレーザー光で粗化することでメッキ触媒である金属イオンの吸着を促進でき、配線領域１０Ａのみに無電解メッキ膜を形成し易くなる。

【0050】

回路配線２０を構成するメッキ膜の一部は、非貫通孔１１を充填する。回路配線２０の形成は、図７（ａ）～（ｅ）に示すように、配線領域１０Ａ上に無電解メッキ膜２１を形成することと（図７（ａ）参照）、無電解メッキ膜２１上に電解メッキ膜２２を形成すること（図７（ｂ）～（ｅ）参照）を含んでもよい。

【0051】

無電解メッキ膜２１を形成する方法は特に限定されず、汎用の無電解メッキ方法を適宜選択して用いることができる。絶縁性樹脂層１０上に導電性の無電解メッキ膜２１を形成することで、無電解メッキ膜２１上に電解メッキが可能となる。このように、無電解メッキ膜２１は電解メッキ膜２２を形成するための下地膜である。

【0052】

電解メッキ膜２２を形成する方法は特に限定されず、汎用の電解メッキ方法を適宜選択して用いることができるが、均一電着性の高い電解メッキ方法が好ましい。電解メッキでは、メッキ膜形成面のコーナー部分や突起では電流が多く流れ、中央部や凹部では電流が少なく流れる。電解メッキ膜の厚さは電流の強さに比例する傾向があるため、メッキ膜形成面に凹凸がある場合、電解メッキ膜の膜厚に偏りが生じる。均一電着性の高い電解メッキ方法では、このような電解メッキ膜の膜厚の偏りを抑制できる。この結果、図７（ｂ）～（ｅ）に示すように、電解メッキ膜２２ａ、２２ｂ、２２ｃは、非貫通孔１１の開口部１１ａの縁（コーナー部分）に厚く形成されることなく、非貫通孔１１の内壁及び面１０ａから、ほぼ均一な膜厚で成長する。これにより、非貫通孔１１を容易に充填でき、更に、電解メッキ膜２３ｃの表面（回路配線２０の表面２０ａ）の平坦性をより高められる。

【0053】

上述のように、非貫通孔１１の幅Ｄに対する深さｄの比率ｄ／Ｄは、０．５～５である。非貫通孔１１の比率ｄ／Ｄが上記範囲内であるため、電解メッキ膜２２は、非貫通孔１１を容易に充填でき、更に回路配線２０の表面２０ａの平坦性（平滑性）を高められる。一方、比率ｄ／Ｄが上記範囲外である場合、メッキ膜により非貫通孔１１を充填することは難しく、また、回路配線２０の平坦性を高められない。例えば、図８（ａ）～（ｅ）に、比率ｄ／Ｄが０．５より小さい非貫通孔１１１、即ち、幅Ｄが高さｄに対して広すぎる貫通孔１１１を有する基材上にメッキ膜を形成する様子を示す。非貫通孔１１１の内壁から成長していく電解メッキ膜２２ａ、２２ｂ、２２ｃは、膜厚に対して非貫通孔１１１の幅Ｄが大きいため、容易に非貫通孔１１１を充填できない。図８（ｅ）に示すように、深さｄと同程度の厚さメッキ膜を形成することで非貫通孔１１１を充填することはできるが、非貫通孔１１１の開口部１１１ａの端にはメッキ膜の盛り上がりが形成されてしまい、回路配線２０の表面２０ａを平坦にできない。回路配線２０の表面２０ａを平坦にするためには、更に電解メッキ膜２２を厚く形成する必要があり、非効率であり製造コストも上昇する。

【0054】

絶縁性樹脂層１０に回路配線２０を形成した後、回路配線２０上に実装部品３０を実装する（図５のステップＳ５）。これにより、本実施形態の回路部品１００が得られる。実装部品３０の実装方法は特に限定されず、汎用の方法を用いることができ、例えば、回路配線２０上に常温のハンダと実装部品３０とを配置して高温のリフロー炉に通過させるハンダリフロー法、又はレーザー光を絶縁性樹脂層１０と実装部品３０の界面に照射してハンダ付けを行うレーザーハンダ付け法（スポット実装）により、実装部品３０を絶縁性樹脂層１０にハンダ付けしてもよい。

【0055】

以上説明した本実施形態の回路部品１００では、配線領域１０Ａに比率ｄ／Ｄが特定の範囲内である非貫通孔１１を設けることで、高い放熱性と、回路配線２０の絶縁性樹脂層１０に対する高い密着性を両立できる。また、実装部品３０が実装される回路配線２０の表面２０ａが平坦であるため、実装部品３０の回路配線２０への密着強度が向上し、実装部品３０から回路配線２０への熱伝導性が向上する。これにより、回路部品１００の放熱性が更に向上する。

【0056】

［変形例］
以上説明した本実施形態の回路部１００では、金属部材５０の上に直接、絶縁性樹脂層１０が形成されているが、本実施形態はこれに限定されない。図９に示すように、金属部材５０と絶縁性樹脂層１０との間にセラミックス層６０が形成されていてもよい。本変形例では、図９に示すセラミックス層６０を有する回路部２００について以下に説明する。回路部２００の構成は、セラミックス層６０を有すること以外、上述した図２（ａ）及び（ｂ）に示す回路部品１００と同様である。したがって、本変形例では、セラミックス層６０以外の構成要件の説明を省略する。

【0057】

セラミックス層６０は、金属部材５０上に形成されている。セラミックス層６０は、絶縁性樹脂層１０よりもレーザー光により切削され難い。これにより、レーザー光照射により非貫通孔１１を形成する場合、非貫通孔１１が金属部材５０に達してしまうことを防止できる。また、セラミックス層６０は、絶縁性樹脂層１０と共に回路配線２０と金属部材５０とを絶縁させて短絡を防止するため、絶縁性を有する。この絶縁性の程度は、回路部品１００の用途（アプリケーション）にもよるが、例えば、５００Ｖ電圧の印加により５０００ＭΩ以上の抵抗を有することが好ましい。

【0058】

また、セラミックス層６０は、回路部品１００の放熱性を高めるため、高い熱伝導率を有することが好ましい。このように、セラミックス層６０は、絶縁性と高い熱伝導率とを併せ持つ、絶縁熱伝導層（絶縁放熱層）であることが好ましい。セラミックス層６０の熱伝導率は、例えば、５～１５０Ｗ/ｍ・Ｋである。また、絶縁性樹脂層１０上の実装部品３０の発する熱を効率的に金属部材５０へ逃すため、セラミックス層６０の熱伝導率は、金属部材５０の熱伝導率より低く、絶縁性樹脂層１０の熱伝導率より高いことが好ましい。

【0059】

セラミックス層に含まれるセラミックスとしては、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ）、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、イットリア、ジルコニア、二酸化チタン、二酸化珪素、粘土鉱物等が挙げられ、中でも、低コストで緻密な薄膜を形成し易いイットリアやアルミナが好ましい。これらのセラミックスは、それぞれ単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。

【0060】

セラミックス層６０の膜厚は、例えば、１μｍ～１００μｍ、５μｍ～２０μｍ又は、５μｍ～１０μｍであってもよい。

【0061】

次に、本変形例の回路部品２００の製造方法について説明する。まず、金属部材５０を用意する。

【0062】

次に、金属部材５０上に、セラミックス層６０を形成する。セラミックス層６０の形成方法は特に限定されないが、例えば、真空蒸着、イオンプレーティング等の物理的蒸着法（ＰＶＤ）、プラズマＣＶＤ等の化学的蒸着法（ＣＶＤ）、エアロゾルディポジション（ＡＤ）法、スパッタリング、溶射法、コールドスプレー法、ウォームスプレー法等を用いることができる。金属部材５０にアルミニウム及びその合金を用いる場合、陽極酸化により、セラミックス層６０として、アルマイト層（酸化アルミニウム（アルミナ）の被膜を形成してもよい。アルマイト層は、金属部材５０の一部のみに形成してもよいし、金属部材５０の全面に形成してもよい。また、以上説明した複数の成膜方法を用いて、多層膜からなるセラミックス層６０を形成して、膜強度を高めてもよい。

【0063】

次に、セラミックス層６０上に絶縁性樹脂層１０を形成し、絶縁性樹脂層１０の配線領域１０Ａに複数の非貫通孔１１を形成し、絶縁性樹脂層１０の配線領域１０Ａにメッキ膜に含む回路配線２０を形成し、そして、回路配線２０上に実装部品３０を実装して、本変形例の回路部品２００を得る。絶縁性樹脂層１０の形成、複数の非貫通孔１１の形成、回路配線２０の形成、及び実装部品３０の実装は、上述した回路部品１００の製造方法と同様に実施できる。

【0064】

本変形例の回路部品２００は、上述の回路部品１００と同等の効果を奏する。更に、回路部品２００は、セラミック層６０を有することにより、回路配線２０と金属部材５０とをより確実に絶縁できる。

【実施例】

【0065】

以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例及び比較例により制限されない。

【0066】

［実施例１］
本実施例では、図１に示す回路部品１００を製造した。実装部品３０として、ＬＥＤ（発光ダイオード）を用いた。

【0067】

（１）金属部材の用意
金属部材５０として、アルミニウム板（Ａ１０５０、アルミニウム成分：９９％以上、８ｃｍ×１２ｃｍ）を用意した。

【0068】

（２）絶縁性樹脂層の形成
次に、金属部材５０の表面に、汎用の成形機を用いて、最大直径が３５μｍのアルミナ粒子（酸化アルミニウム）を７５重量％含むエポキシ樹脂（熱硬化性樹脂、熱伝導率：１Ｗ／ｍ・Ｋ）をインサート成形（トランスファー成形）し、絶縁性樹脂層１０を形成した。これにより、アルミニウム板（金属部材）５０及び絶縁性樹脂層１０から構成される基材７０を得た。絶縁性樹脂層１０の大きさは、４０ｍｍ×４０ｍｍ×厚さ２００μｍとした。また、絶縁性樹脂層１０は、金属部材５０の中央に形成した。

【0069】

（３）非貫通孔の形成
絶縁性樹脂層１０の表面１０ａの回路配線２０を形成する予定の領域（配線領域１０Ａ）にレーザー光を照射して配線領域１０Ａの加工を行った。レーザー加工（レーザー描画）は、３Ｄレーザーマーカ（キーエンス製、ＹＶＯ_４レーザー、ＭＤ－９９２０Ａ、１３Ｗ）を用いた。

【0070】

まず、レーザー光を照射して、絶縁性樹脂層１０の表面１０ａの回路配線２０を形成する予定の領域（配線領域１０Ａ）を粗化した。具体的には、配線領域１０Ａに、４０μｍピッチ間隔で並んだ平行線のパターンをレーザー描画した（レーザー描画条件：線速２０００ｍｍ／ｓ、周波数４０ｋＨｚ、パワー２０％）。これにより、配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）は１３μｍとなった。

【0071】

次に、配線領域１０Ａに、レーザー加工により複数の非貫通孔（凹部）１１を形成した。具体的には、配線領域１０Ａに図６に示す非連続ラインから構成されるパターンをレーザー描画し（レーザー描画条件：線速３０ｍｍ／ｓ、周波数５０ｋＨｚ、パワー８０％）、複数の非貫通孔１１を形成した。レーザー描画の回数（繰り返しレーザー描画回数）は、１回とした。レーザー描画パターンの各サイズは以下である。Ｎ_１＝３５μｍ、Ｎ_２＝３６５μｍ、Ｎ_３＝２００μｍ、Ｎ_４＝２００μｍ。形成された非貫通孔１１の形状は、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、底面を表面１０ａ（配線領域１０Ａ）に配置した円錐であった。

【0072】

形成した貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐをレーザー顕微鏡（キーエンス製レーザー顕微鏡ＶＫ－９７００、対物レンズ２０倍)を用いて測定した。深さｄについては、１つの非貫通孔１１の深さ分布を算出し、深さの値が最も大きい累計頻度１％未満の範囲は光学ノイズとして無視することとし、累積頻度１％となる深さの値を、その１つの非貫通孔の深さｄとして算出した。また、幅Ｄについては、１つの非貫通孔１１の開口部１１ａの面積を計算し、開口部１１ａの形状を真円と見なした場合の直径を、１つの非貫通孔１１の幅Ｄとして算出した。測定視野内に存在する全ての非貫通孔１１それぞれについて、同様の手法により、幅Ｄ及び深さｄを求め、更に、これら幅Ｄ及び深さｄの平均値を求めた。

【0073】

また、非貫通孔１１間の距離Ｐについては、まず、１つの非貫通孔１１の開口部１１ａの重心と、それに隣接する非貫通孔１１の開口部１１ａの重心との距離を測定した。測定視野内に存在する全ての非貫通孔１１について、同様の手法により、隣接する開口部１１ａの重心間の距離を求め、更に、これら重心間の距離の平均値を求めた。次に、重心間の距離の平均値から、先に求めた幅Ｄの平均値を差し引いた値を非貫通孔１１間の距離Ｐとした。

【0074】

上述のようにして算出した非貫通孔１１の幅Ｄ（平均値）は１５５μｍ、深さｄ（平均値）は１７８μｍ、非貫通孔１１間の距離Ｐは、１２８μｍであった。したがって、比率ｄ／Ｄは、１．１５であった。算出した貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐ、比率ｄ／Ｄの値を表４に示す。

【0075】

（４）回路配線の形成
（ａ）無電解メッキ触媒の付与
非貫通孔１１を形成した基材７０を３０℃に調整した市販の塩化パラジウム（ＰｄＣｌ_２）水溶液（奥野製薬工業製、アクチベータ）に５分間浸漬した。その後、基材を塩化パラジウム水溶液から取り出し、水洗した。

【0076】

（ｂ）無電解メッキ、及び電解メッキ
次に、６０℃に調整した無電解ニッケルリンメッキ液（奥野製薬工業製、トップニコロンＬＰＨ－Ｌ、ｐＨ６．５）に、基材を１０分間浸漬した。配線領域１０Ａにニッケルリン膜（無電解ニッケルリンメッキ膜）が約１μｍ成長した。

【0077】

ニッケルリン膜上に、更に、電解銅メッキ膜９５μｍ、無電解ニッケルリンメッキ膜４．０μｍ、無電解金メッキ膜０．１μｍを、この順に積層し、回路配線２０を形成した。電解銅メッキには、均一電着性の高い電解メッキ方法を用いた。電解銅メッキ液には、Ａ液：奥野製薬社製、トップルチナ２０００と、Ｂ液：ローム＆ハース電子材料社製、カパーグリームＨＳ－２００との混合液を用いた。これにより、レーザー光を照射した配線領域１０Ａに、無電解メッキ膜及び電解メッキ膜から構成される回路配線２０を形成した。

【0078】

（５）実装部品の実装
実装部品３０として、面実装タイプの高輝度ＬＥＤ（日亜化学製、ＮＳ２Ｗ１２３ＢＴ、３．０ｍｍ×２．０ｍｍ×高さ０．７ｍｍ）を用いた。まず、図１に示すように、５個の実装部品３０を回路配線２０の上に常温のハンダを介して配置した。各実装部品３０間の間隔は、０．５ｍｍとした。次に、ＬＥＤを配置した基材をリフロー炉に入れた（ハンダリフロー）。リフロー炉内で基材は加熱され、基材の最高到達温度は２４０℃～２６０℃となり、基材が最高到達温度で加熱された時間は約１分であった。ハンダにより、実装部品３０は樹脂部１０に実装され、図１に示す本実施例の回路部品１００を得た。

【0079】

[実施例２～１２]
実施例２～１２では、絶縁性樹脂層１０の厚さ、レーザー描画条件、図６に示すレーザー描画パターンの各サイズ（Ｎ_１～Ｎ_４）及び回路配線の厚さ（メッキ膜の厚さ）を表１、２及び４に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法により回路部品１００を製造した。尚、実施例５～１２では、実施例１で用いたＹＶＯ_４レーザーに代えて、ＵＶレーザー（キーエンス製、３Ｄレーザーマーカ、ＭＤ-Ｕ１０００Ｃ、出力２．５Ｗ）を用いた。

【0080】

また、実施例１と同様の方法により、貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐを算出した。算出した貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐ、比率ｄ／Ｄの値を表４及び５に示す。

【0081】

[実施例１３]
本実施例では、図１０（ａ）及び（ｂ）に示す回路部品３００を製造した。回路部品３００は、図１０（ｂ）に示すように、樹脂層３１０の厚さが一定でない。それ以外の構成は、図１に示す回路部品１００と同等である。

【0082】

本実施例では、樹脂層３１０の最も薄い膜厚Ｘ１を７５μｍとし、最も厚い膜厚Ｘ２を４５０μｍとした。絶縁性樹脂３１０には、最大粒子径３５μｍのフィラー（アルミナ粒子）が混合されているため、絶縁性樹脂３１０全体を７５μｍの厚さで成形することは難しいが、部分的に厚さを７５μｍとすることで成形が可能となった。部分的に膜厚が薄い領域（膜厚Ｘ１の領域）を設けることで、回路部品３００の放熱性がより向上する。また、膜厚が薄い領域（膜厚Ｘ１の領域）は、発熱源である実装部品（ＬＥＤ）３０が実装される部分に設けることが好ましい。

【0083】

本実施例では、絶縁性樹脂層３１０の厚さ、レーザー描画条件、図６に示すレーザー描画パターンの各サイズ（Ｎ_１～Ｎ_４）及び回路配線の厚さ（メッキ膜の厚さ）を表２及び５に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法により回路部品３００を製造した。尚、本実施例では、非貫通孔１１の形成に実施例５で用いたＵＶレーザーを用いた。

【0084】

また、実施例１と同様の方法により、貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐを算出した。算出した貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐ、比率ｄ／Ｄの値を表５に示す。

【0085】

[実施例１４]
本実施例では、図１０（ａ）及び（ｂ）に示す回路部品３００のように樹脂層３１０の厚さが一定でなく、且つ図９に示す回路部品２００のように、セラミックス層６０を有する回路部品を製造した。本実施例で製造した回路部品は、樹脂層の厚さが一定でないこと、及びセラミックス層を有すること以外の構成は、図１に示す回路部品１００と同等である。本実施例では、樹脂層の最も薄い膜厚Ｘ１を６５μｍとし、最も厚い膜厚Ｘ２を４５０μｍとした。

【0086】

まず、実施例１で用いたものと同様の金属部材に、脱脂及び化学エッチングを施した後、硬質アルマイト処理を行った（東亜電化、ＴＡＦ－ＴＲ）。これにより、金属部材の全面に陽極酸化皮膜（アルマイト）が形成された。陽極酸化皮膜の膜厚は、５０μｍであった。

【0087】

陽極酸化皮膜を形成した金属部材を用い、絶縁性樹脂層の厚さ、レーザー描画条件、図６に示すレーザー描画パターンの各サイズ（Ｎ_１～Ｎ_４）及び回路配線の厚さ（メッキ膜の厚さ）を表２及び５に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法により、本実施例の回路部品を製造した。尚、本実施例では、非貫通孔の形成に実施例５で用いたＵＶレーザーを用いた。

【0088】

また、実施例１と同様の方法により、貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐを算出した。算出した貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐ、比率ｄ／Ｄの値を表５に示す。

【0089】

更に、マイクロスコープ(キーエンス製、ＶＨ－６０００)を用いて、本実施例の回路部品の断面観察を行った。図１１に示すように、絶縁性樹脂層に非貫通孔が規則的に形成されている状態が観察された。

【0090】

[比較例１]
本比較例では、非貫通孔１１に替えて、基材７０の配線領域１０Ａ全面に溝（凹部）によって構成される格子パターンを形成した。

【0091】

（１）基材の作製
絶縁性樹脂層の厚さを１５０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、金属部材上に絶縁性樹脂層を形成した基材を製造した。

【0092】

（２）格子パターンの形成
絶縁性樹脂層の表面の回路配線を形成する予定の領域（配線領域）に、表３に示すレーザー描画条件で、レーザー加工により格子パターンを形成した。格子パターンは、２００μｍピッチの格子パターンとした。格子パターンを形成する溝の深さ（レーザー加工部の深さの最大値）は、１３０μｍであった。

【0093】

（３）回路配線の形成及び実装部品の実装
格子パターンを形成した基材に、実施例１と同様の方法により、回路配線を形成して、実装部品を実装した。これにより、本比較例の回路部品を得た。尚、電解メッキは、実施例２と同じ条件（メッキ液組成、電流密度、時間）で行い、回路配線の平均厚さが実施例２と同様になるように調整した。回路配線の平均厚さを表５に括弧書きで示す。

【0094】

[比較例２～４]
比較例２～４も、比較例１と同様に、非貫通孔１１に替えて、基材の配線領域全面に溝（凹部）によって構成される格子パターンを形成した。比較例２～４では、絶縁性樹脂層１０の厚さ、レーザー描画条件及び回路配線の平均厚さを表３及び５に示すように変更した以外は、比較例１と同様の方法により回路部品を製造した。尚、比較例３及び４では、比較例１で用いたＹＶＯ_４レーザーに代えて、ＵＶレーザー（キーエンス製、３Ｄレーザーマーカ、ＭＤ-Ｕ１０００Ｃ、出力２．５Ｗ）を用い、８０μｍピッチの格子パターンをレーザー描画した。

【0095】

[比較例５]
本比較例も、比較例１と同様に、非貫通孔１１に替えて、基材の配線領域全面に溝（凹部）によって構成される格子パターンを形成した。但し、本比較例では、図１０（ａ）及び（ｂ）に示す回路部品３００のように樹脂層３１０の厚さが一定でなく、且つ図９に示す回路部品２００のように、セラミックス層６０を有する回路部品を製造した。本比較例で製造した回路部品は、樹脂層の厚さが一定でないこと、及びセラミックス層を有すること以外の構成は、比較例１で製造した回路部品と同等である。本比較例では、樹脂層の最も薄い膜厚Ｘ１を６５μｍとし、最も厚い膜厚Ｘ２を４５０μｍとした。

【0096】

まず、比較例１で用いたものと同様の金属部材に、脱脂及び化学エッチングを施した後、硬質アルマイト処理を行った（東亜電化、ＴＡＦ－ＴＲ）。これにより、金属部材の全面に陽極酸化皮膜（アルマイト）が形成された。陽極酸化皮膜の膜厚は、５０μｍであった。

【0097】

陽極酸化皮膜を形成した金属部材を用い、絶縁性樹脂層の厚さ、レーザー描画条件及び回路配線の平均厚さを表３及び５に示すように変更した以外は、比較例１と同様の方法により、本比較例の回路部品を製造した。尚、本比較例では、比較例１で用いたＹＶＯ_４レーザーに代えて、比較例３で用いたＵＶレーザーを用いた。

【0098】

[比較例６及び７]
比較例６及び７では、絶縁性樹脂層１０の表面１０ａの回路配線２０を形成する予定の領域（配線領域１０Ａ）に、複数の貫通孔１１を形成した。比較例６及び７では、絶縁性樹脂層１０の厚さ、レーザー描画条件、図６に示すレーザー描画パターンの各サイズ（Ｎ_１～Ｎ_４）及び回路配線の厚さ（メッキ膜の厚さ）を表３及び５に示すように変更した以外は、実施例１と同様の方法により回路部品１００を製造した。尚、比較例６及び７では、実施例１で用いたＹＶＯ_４レーザーに代えて、比較例３で用いたＵＶレーザーを用いた。

【0099】

また、実施例１と同様の方法により、貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐを算出した。算出した貫通孔１１の幅Ｄ、深さｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐ、比率ｄ／Ｄの値を表５に示す。但し、比較例７の非貫通孔１１の深さｄは、断面観察により求めた。

【0100】

【表1】

【0101】

【表2】

【0102】

【表3】

【0103】

[回路部品の評価]
以上説明した実施例１～１４及び比較例１～７で作製した回路部品について、以下の評価を行った。評価結果を表４及び５に示す。また、表４及び５には、評価結果に併せて、実施例１～１４及び比較例１～７の回路部品に関する下記の値も記載する。非貫通孔１１の幅Ｄ及び深さｄ、比率ｄ／Ｄ、非貫通孔１１間の距離Ｐ、比率Ｐ／Ｄ、配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）、比率ｄ／５、回路配線の下の樹脂層の厚さＢ、距離Ｃ、回路配線の厚さＡ、Ｄ／２又はｄ／２の小さい方の値。また、比較例１～５に関しては、非貫通孔１１の深さｄ、及び回路配線の厚さＡに替えて、格子パターンを形成する溝の深さ、及び回路配線の平均厚さを、それぞれ表５に括弧書きで記載した。

【0104】

（１）回路配線（メッキ膜）の密着性試験
上述した実施例１～１４及び比較例１～７で作製した回路部品とは別に、各実施例及び比較例の密着性試験用の試料を以下の方法で作製した。まず、実施例１～１４及び比較例１～７に用いたものと同じ材料の金属部材及び絶縁性樹脂層からなる基材を用意した。基材の絶縁性樹脂層上に、各実施例及び比較例と同様のレーザー描画を行った。レーザー描画を行った基材上に、無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ形成し、更にその上に、４０μｍの電解銅メッキを形成して、密着性試験用の試料とした。尚、試料上のメッキ膜の大きさは、幅２ｍｍ、長さ４０ｍｍとした。垂直引っ張り試験により、測定用試料のメッキ膜の密着強度を測定し、回路配線（メッキ膜）の密着性を以下の評価基準に従って評価した。

【0105】

＜密着性の評価基準＞
Ａ：測定用試料のメッキ膜の密着強度が１５Ｎ／ｃｍ以上であった。
Ｂ：測定用試料のメッキ膜の密着強度が１０Ｎ／ｃｍ以上、且つ１５Ｎ／ｃｍ未満であった。
Ｃ：測定用試料のメッキ膜の密着強度が１Ｎ／ｃｍ以上、且つ３Ｎ／ｃｍ未満であった。
Ｅ：測定用試料のメッキ膜の密着強度が１Ｎ／ｃｍ未満であった。

【0106】

（２）絶縁性樹脂層の絶縁性試験
実施例１～１４及び比較例１～７で作製した回路部品において、５００Ｖの電圧を回路配線２０と金属部材５０との間に印加して、テスターを用いて回路配線２０と金属部材５０との間の抵抗値を測定し、以下の絶縁性の評価基準に基づいて、絶縁性樹脂層の絶縁性を評価した。尚、実施例１４及び比較例５においては、絶縁性樹脂層が形成されていない箇所のアルマイト層の一部を金属やすりで切削して金属部材を露出させ、回路配線２０と金属部材５０との間の抵抗を測定した。

【0107】

＜絶縁性の評価基準＞
Ａ：回路配線２０と金属部材５０との間の抵抗値が５０００ＭΩ以上であった。
Ｂ：回路配線２０と金属部材５０との間の抵抗値が１００ＭΩ以上、且つ５０００ＭΩ未満であった。
Ｃ：回路配線２０と金属部材５０との間の抵抗値が１ＭΩ以下であった。
Ｅ：回路配線２０と金属部材５０とが短絡していることが確認された。

【0108】

（３）回路部品の放熱性試験
実施例１～１４及び比較例１～７で作製した回路部品において、実装部品（ＬＥＤ）３０の端部に熱電対を接着させてから、一定電流（０．８Ａ）を流してＬＥＤ３０を点灯させ、点灯してから３０分後のＬＥＤ３０の温度を測定した。回路部品上の全てのＬＥＤ３０の平均温度を計算し、以下の評価基準に従って、回路部品の放熱性を評価した。但し、上述の（２）絶縁性樹脂層の絶縁性試験において、回路配線２０と金属部材５０とが短絡が確認された（評価結果：Ｅ）回路部品については、電流が金属部材を介して流れてしまい、正確な値が測定できないため、本試験は行わなかった。

【0109】

＜回路部品の放熱性の評価基準＞
Ａ：点灯してから３０分後のＬＥＤ表面温度が９０℃以下であった。
Ｂ：点灯したから３０分後のＬＥＤ表面温度が９０℃を超え、且つ１００℃以下であった。
Ｃ：点灯してから３０分後のＬＥＤ表面温度が１００℃を超え、且つ１２０℃以下であった。
Ｅ：点灯してから３０分後のＬＥＤ表面温度が１２０℃を越えた。

【0110】

（４）回路配線（メッキ膜）の平坦性評価
実施例１～１４及び比較例１～７で作製した回路部品において、マイクロスコープを用いて回路配線２０のメッキ表面を観察し、回路配線の幅方向における断面プロファイル（高さプロファイル）から最大高さと最小深さの差を測定した。この測定を３視野行い、平均値を回路配線の表面粗さとし、以下の平坦性の評価基準に基づいて平坦性を評価した。

【0111】

＜平坦性の評価基準＞
Ａ：回路配線の表面粗さが５μｍ以下であった。
Ｂ：回路配線の表面粗さが５μｍを超え、且つ１０μｍ以下であった。
Ｃ：回路配線の表面粗さが１０μｍを超え、且つ２０μｍ以下であった。
Ｅ：回路配線の表面粗さが２０μｍを超えていた。

【0112】

【表4】

【0113】

【表5】

【0114】

表４及び５に示すように、実施例１～１４で作製した回路部品は、全ての評価結果が良好であり、高い放熱性と回路配線の高い密着性とを両立しており、更に、回路配線と金属部材が確実に絶縁されており、回路配線の表面が平坦であることが確認できた。また、実施例１～１４の回路部品では、配線領域１０Ａの表面粗さ（Ｒａ）が非貫通孔１１の深さｄの１／５以下であり、比率Ｐ／Ｄが０．３ ～３であり、回路配線(メッキ膜)２０の厚さＡが非貫通孔の１１深さｄの１／２より大きいか、又は幅Ｄの１／２より大きく、非貫通孔の幅Ｄが１０～２００μｍであり、樹脂層の厚さＢが３０～２００μｍであり、距離Ｃが５～１００μｍであった。

【0115】

一方、非貫通孔１１を形成するのに替えて、配線領域１０Ａの全面に溝（凹部）により構成された格子パターンを形成した比較例１～５は、平坦性の評価結果が不良であった（評価結果：Ｅ）。これは、配線領域１０Ａ全面に格子パターンによる凹凸が形成されたため、その上に形成されるメッキ膜の平坦性を悪化させたと推測される。

【0116】

更に、比較例１、３及び５では、平坦性の評価結果に加えて、絶縁性の評価結果も不良であり（評価結果：Ｅ）、このため、放熱性試験は行わなかった。この原因は以下のように推測される。レーザー描画により格子状の溝形状を形成する場合、交点部分はレーザー光が２回照射されるため、溝の深さのバラつきが大きくなる。顕微鏡観測では、絶縁性樹脂層の厚さよりも浅い深さの溝しか観測されなかった。しかし、実際の格子パターン内には、絶縁性樹脂層の厚さよりも深い溝が形成された箇所が存在し、このため、絶縁性が低下したと考えられる。

【0117】

また、比較例２及び４では、平坦性の評価結果に加えて、放熱性の評価結果も不良であった（評価結果：Ｅ）。この原因は以下のように推測される。まず、１つ目の要因として、メッキ膜の平滑性が低下したことで、メッキ膜と実装部品との間のハンダの膜厚が厚くなったと推測される。また、２つ目の要因として、比較例２及び４は、それぞれ、比較例１及び３と比較して、溝の深さを小さくすることで絶縁性が向上したが、メッキ膜と絶縁性樹脂層との密着性が低下した（評価結果：Ｃ）。このため、メッキ膜から絶縁性樹脂層への熱抵抗が増大したと推測される。更に、３つ目の要因として、溝の深さを浅くしたことで、メッキ膜と金属部材との間の絶縁性樹脂層の厚さ（距離Ｃ）が厚くなり、金属部材への熱伝達が低下したと推測される。

【0118】

また、非貫通孔１１の比率ｄ／Ｄが０．５未満である比較例６は、密着性及び放熱性の評価結果が不良であった（評価結果：Ｅ）。比較例６では、上述した比較例２及び４の放熱性低下の２つ目、及び３つ目の要因と同様に、メッキ膜と絶縁性樹脂層との密着性の低下、メッキ膜と金属部材との間の絶縁性樹脂層の厚さ（距離Ｃ）の増加によって、放熱性が低下したと推測される。

【0119】

また、非貫通孔１１の比率ｄ／Ｄが５以上である比較例７は、絶縁性の評価結果が不良であり（評価結果：Ｅ）、このため、放熱性試験は行わなかった。この原因は以下のように推測される。比較例７では、非貫通孔１１を深くするため、レーザー描画回数を増やした（レーザー描画回数：１０回）。断面観察では、非貫通孔１１の底と金属部材との間の絶縁性樹脂層の厚さ（距離Ｃ）は９３μｍであったが、レーザー描画回数が多いため、非貫通孔１１と金属部材との間の絶縁性樹脂層は脆くなったと推測される。脆くなった絶縁性樹脂層にメッキ液が浸透してメッキ膜が成長し、これにより、回路配線（メッキ膜）と金属部材とが短絡した推測される。

【産業上の利用可能性】

【0120】

本発明の回路部品は、放熱性が高い。このため、本発明の回路部品は、ＬＥＤ等の実装部品を実装した部品に適しており、スマートフォンや自動車の部品に応用可能である。

【符号の説明】

【0121】

１０ 絶縁性樹脂層
１１ 非貫通孔（凹部）
２０ 回路配線
３０ 実装部品（ＬＥＤ）
５０ 金属部材
７０ 基材
１００ 回路部品

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】