特許 7554163 電解コンデンサの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-10

(45)【発行日】2024-09-19

(54)【発明の名称】電解コンデンサの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 9/00 20060101AFI20240911BHJP

   H01G 9/008 20060101ALI20240911BHJP

   H01G 13/00 20130101ALI20240911BHJP

【ＦＩ】

H01G9/00 290D

H01G9/008 303

H01G9/00 290Z

H01G13/00 307F

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2021105341

(22)【出願日】2021-06-25

(65)【公開番号】P2023003943

(43)【公開日】2023-01-17

【審査請求日】2023-12-08

(73)【特許権者】

【識別番号】000004606

【氏名又は名称】ニチコン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001531

【氏名又は名称】弁理士法人タス・マイスター

(72)【発明者】

【氏名】熊谷 吉峻

(72)【発明者】

【氏名】米田 満

【審査官】多田 幸司

(56)【参考文献】

【文献】特開平０２－２２２５１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１０３５２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特公昭４６－００４５０４（ＪＰ，Ｂ１）

【文献】特開２０００－０８２６４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－０１６７０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－００７１９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１００５６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－０７９７６９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ９／００

Ｈ０１Ｇ ９／００８

Ｈ０１Ｇ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

酸化皮膜を有するエッチング層を表裏両面に備えた電極箔の表面側に引出端子を接続し、前記電極箔を、セパレータを介して巻回する電解コンデンサの製造方法であって、
前記電極箔の前記表面側における前記引出端子の接続部位および前記電極箔の裏面側における前記引出端子接続部位に対応する部位にそれぞれ超音波ヘッドを当接して超音波発振させることにより、前記表面側エッチング層の厚さの７０％が残存するように除去すると共に、前記裏面側エッチング層の厚さの７０～９０％が残存するように除去する工程と、
前記引出端子の接続部位に前記引出端子を当接させた前記電極箔に対して、前記電極箔の裏面側の前記エッチング層が除去された部位および前記引出端子にそれぞれ電極を当接して通電することにより、前記電極箔と前記引出端子とを抵抗溶接する工程と、
を備えることを特徴とする電解コンデンサの製造方法。

【請求項2】

前記抵抗溶接により前記引出端子に生じる溶接痕に対する、前記抵抗溶接により前記電極箔の裏面側の前記エッチング層が除去された部位に生じる溶接痕の面積比率が２０～３０％である
ことを特徴とする請求項１に記載の電解コンデンサの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電解コンデンサおよびその製造方法に関し、電極箔および引出端子の接合に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、例えば巻回型の電解コンデンサを製造する際には、表面に酸化皮膜を有するエッチング層を備えた電極箔に、引出端子を接続し、電極箔の間にセパレータを介して巻回することによりコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子のセパレータに電解質を保持させるとともに、外装ケースに収納して電解コンデンサを製造している。

【0003】

このような従来の電解コンデンサの製造方法において、電極箔と引出端子との間の接続方法として、電極箔のエッチング層を完全に除去して接続する方法（特許文献１参照）、レーザーを用いて接続する方法（特許文献２参照）、電極箔の引出端子を接続する側の面のみ、レーザーを用いてエッチング層の一部を除去した後に引出端子を接続する方法（特許文献３参照）、電極箔と引出端子を重ね合わせ、針穴を開けて全体をプレスすることにより接続する方法（特許文献４参照）等が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】実開昭５４－１６４４５１号公報

【文献】特開２００６－１００５５９号公報

【文献】特開２００７－１０３５２７号公報

【文献】特開２０１０－１４７３３６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１に記載の方法では、エッチング層を完全に除去した後に抵抗溶接を行うため、エッチング層が存在しない分、溶接時に十分なジュール熱を発生させることができず強固な接合を行うことが困難になる問題があった。

【0006】

また、特許文献２に記載の方法では、レーザーを用いる分、製造コストが高くなる問題があった。また、レーザー光を照射した部位を溶融させて接合するため、溶融した金属が飛散して凸状となって固まることにより、セパレータを貫通してショート不良が発生するおそれがあった。

【0007】

また、特許文献３に記載の方法では、電極箔の一方の面のみエッチング層を除去するため、引出端子の溶接時に溶接不良が発生する問題があった。

【0008】

また、特許文献４の方法では、電極箔に対して引出端子を機械的にプレスすることにより、電極箔が破損してコンデンサ素子のショート発生、漏れ電流（ＬＣ）の上昇、接合強度の低下が発生する問題があった。

【0009】

本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、電極箔と引出端子との間の接続信頼度を向上し得る電解コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の電解コンデンサの製造方法は、酸化皮膜を有するエッチング層を表裏両面に備えた電極箔の表面側に引出端子を接続し、前記電極箔を、セパレータを介して巻回する電解コンデンサの製造方法であって、前記電極箔の前記表面側における前記引出端子の接続部位および前記電極箔の裏面側における前記引出端子接続部位に対応する部位にそれぞれ超音波ヘッドを当接して超音波発振させることにより、前記表面側エッチング層の厚さの２０～７０％が残存するように除去すると共に、前記裏面側エッチング層の厚さの７０～９０％が残存するように除去する工程と、前記引出端子の接続部位に前記引出端子を当接させた前記電極箔に対して、前記電極箔の裏面側の前記エッチング層が除去された部位および前記引出端子にそれぞれ電極を当接して通電することにより、前記電極箔と前記引出端子とを抵抗溶接する工程と、を備える。

【0011】

この製造方法によれば、特性劣化を抑制しつつ電極箔への引出端子の接続信頼度を向上させた電解コンデンサを製造することができる。

【0012】

また、本発明の電解コンデンサの製造方法は、上記製造方法において、前記抵抗溶接により前記引出端子に生じる溶接痕に対する、前記抵抗溶接により前記電極箔の裏面側の前記エッチング層が除去された部位に生じる溶接痕の面積比率が２０～３０％であることを特徴とする。

【0013】

この製造方法によれば、電極箔と引出端子との間の接合を強固にすることができる。

【0014】

本発明の電解コンデンサは、酸化皮膜を有するエッチング層を表裏両面に備えた電極箔の表面側に引出端子を接続し、前記電極箔を、セパレータを介して巻回する電解コンデンサであって、前記電極箔の前記表面側では前記引出端子の接続部位における前記エッチング層の厚さが前記エッチング層の他の部位に対して２０～７０％の厚さであり、前記電極箔の裏面側では前記引出端子接続部位に対応する部位における前記エッチング層の厚さが前記エッチング層の他の部位に対して７０～９０％の厚さであることを特徴とする。

【0015】

この構成によれば、電解コンデンサの特性劣化を抑制しつつ電極箔への引出端子の接続信頼度を向上させることができる。

【0016】

また、本発明の電解コンデンサは、上記構成において、前記引出端子の溶接痕に対する、前記電極箔の裏面側の前記エッチング層が除去された部位に生じる溶接痕の面積比率が２０～３０％であることを特徴とする。

【0017】

この構成によれば、電極箔と引出端子との間の接合を強固にすることができる。

【発明の効果】

【0018】

本発明によると、電極箔と引出端子との間の接続信頼度を向上し得る電解コンデンサおよびその製造方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本発明の実施形態に係る電解コンデンサを示す断面図である。

【図2】本発明の実施形態に係るコンデンサ素子を示す斜視図である。

【図3】本発明の実施形態に係る電極箔の構成を示す断面図である。

【図4】本発明の実施形態に係るエッチング層の概略を示す略線的断面図である。

【図5】本発明の実施形態に係るエッチングピットを形成した電極箔を示す断面図である。

【図6】本発明の実施形態に係るエッチング層の除去方法の説明に供する断面図である。

【図7】本発明の実施形態に係るエッチング層の除去方法の説明に供する断面図である。

【図8】本発明の実施形態に係るエッチング層の除去方法の説明に供する断面図である。

【図9】本発明の実施形態に係るリードタブの接合工程の説明に供する断面図である。

【図10】本発明の実施形態に係るリードタブの接合工程の説明に供する断面図である。

【図11】本発明の実施形態に係るリードタブの接合状態を示す断面図である。

【図12】本発明の実施形態に係る溶接痕を示す平面図および底面図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、本発明の実施形態について、添付図面に基づき詳細に説明する。
図１に示すように、本実施形態における電解コンデンサの製造方法により製造される巻回型の電解コンデンサ１は、主として、コンデンサ素子２と、外装ケース１２と、封口体１１とから構成される。

【0021】

図２に示すように、コンデンサ素子２は、エッチング処理および酸化皮膜形成処理が施された陽極箔３ａと陰極箔３ｂとがセパレータ（電解紙）４を介して巻回され、素子止めテープ９（図１）で固定される。

【0022】

このコンデンサ素子２は、駆動用電解液および／または固体電解質が含浸された後、有底筒状の外装ケース１２（図１）に収納される。

【0023】

外装ケース１２の開口部には樹脂やゴム等で形成された封口体１１が装着され、該開口部は絞り加工により密閉された構造を有する。

【0024】

コンデンサ素子２から引き出されるリードタブ（引出端子）５にはリード線６が溶接され、封口体１１を介して外部に引き出されている。外装ケース１２は、スリーブ１３によって被覆される。

【0025】

コンデンサ素子２において、陽極箔３aは、アルミニウム、タンタル、ニオブなどの弁作用金属で構成されている。陽極箔３ａの表面は、エッチング処理により粗面化されるとともに、陽極酸化（化成）による陽極酸化皮膜が形成されている。

【0026】

また、陰極箔３ｂも、陽極箔３ａと同様にアルミニウムなどで形成され、その表面は粗面化されるとともに自然酸化皮膜が形成されている。なお、陰極箔３ｂは、粗面化後、化成により陽極酸化皮膜を形成された箔、粗面化処理を施さないプレーン箔を使用してもよい。さらに、前記粗面化箔またはプレーン箔の表面に、チタン、ニッケル、チタン炭化物、ニッケル炭化物、チタン窒化物、ニッケル窒化物、チタン炭窒化物およびニッケル炭窒化物からなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属薄膜またはカーボン薄膜が形成されたコーティング箔を使用してもよい。

【0027】

また、セパレータ４には、有機溶媒を主体とする溶媒と、有機酸塩、無機酸塩からなる溶質と、リン化合物等の添加物を含む電解液が含浸されている。これにより、陽極箔３ａと陰極箔３ｂとの間に液体の電解質層が形成される。さらに、他の電解質として、固体の導電性高分子を陽極箔３ａと陰極箔３ｂとの間に形成したものも用いることができる。
なお、セパレータ４には、電気絶縁性を有する絶縁紙が用いられる。

【0028】

陽極箔３ａおよび陰極箔３ｂには、それぞれリードタブ５が接続されている。リードタブ５は、コンデンサ素子２の端面から突出する丸棒部５ａと、この丸棒部５ａの一端に連結されており、電極箔３（陽極箔３ａ、陰極箔３ｂ）が接続される偏平部５ｂとから構成されている。

【0029】

リードタブ５は、アルミニウムからなる丸棒状の部材の一端部を、所定長さだけプレスして偏平部５ｂを形成し、残りの部分を丸棒部５ａとすることによって形成されている。

【0030】

図３～図１２に基づき、本発明の巻回型電解コンデンサの製造方法を説明する。本実施形態においては、超音波発振器を用いて、陽極箔３ａおよび陰極箔３ｂのエッチング層（エッチング処理を施された弁作用金属層）をその厚さ方向に一部を残存させつつ除去するエッチング層除去工程と、エッチング層の一部が除去された部分にリードタブ５の扁平部５ｂを抵抗溶接法により溶接する抵抗溶接工程とを有する。

【0031】

まず、陽極箔３ａとしてアルミニウムなどの弁作用金属からなる金属箔（芯金部１９）に、酸化皮膜を有するエッチング層１８を形成する。具体的には、図３に示すように、陽極箔３ａの表面をエッチング処理することにより粗面化したエッチング層１８を形成するとともに、化成液中において陽極酸化することにより、その表面に電気絶縁性のある誘電体皮膜（酸化皮膜）を形成する。この結果、図４に示すように、陽極箔３ａには、表面に酸化皮膜５１を有するエッチング層１８が形成される。なお、図４は、エッチング層１８を概略的に示す図であり、例えば、エッチング層１８として円柱形状のエッチングピットや立方体形状のエッチングピットを数珠つなぎに形成した電極箔を用いる場合、図５に示すように、複数のエッチングピットPが形成された状態となる。

【0032】

続いて、エッチング層１８の一部領域について、その厚さ方向に所定の割合だけ当該エッチング層１８を超音波発振器を用いて除去する。具体的には、図６に示すように、エッチング層１８に対して、円柱形状の超音波ヘッド３１、３２を当接させて超音波発振器（図示せず）を発振させ超音波振動を付与することで、エッチング層１８の表面を研磨除去する。本実施形態の場合、超音波ヘッド３１、３２としてセラミック砥石を用いるが、これに限らず、例えば、ダイヤモンド砥石などを用いることができる。セラミック砥石は、電極箔等の強度の低い材質に対しても対象を破断させることなく、その表面のみを研磨可能である。

【0033】

超音波発振によるエッチング層１８の除去方法として、具体的には、円柱形状の一対の超音波ヘッド３１、３２間に、陽極箔３ａを挟んで押圧する。この状態において、超音波発振器により超音波ヘッドを１７～３１ｋＨｚの周波数で振動させることにより、エッチング層１８の表面を研磨除去する。周波数が１７ｋＨｚ未満の場合、作業時間の長時間化または研磨困難となるおそれがあり、また、周波数が３１ｋＨｚを超過すると、研磨対象（エッチング層１８を有する陽極箔３ａ）が発熱し破断するおそれがあるためである。なお、エッチング層１８の除去は、片面ずつ実施してもよい。

【0034】

このエッチング層１８の除去工程においては、図４に示すように、エッチング層１８の表面から除去厚さD１を除去し、残存厚さD２を残存させる。本実施形態の場合、後述するリードタブ５（扁平部５ｂ）を抵抗溶接により接続するエッチング層１８の表面側の領域ＡＲ１（図４、図６～図１２）については、後述する抵抗溶接工程においてリードタブ５と芯金部１９との間を通電させることを目的として、エッチング層１８の厚さ（Ｄ１＋Ｄ２）に対して、除去厚さＤ１の比率を８０～３０％、残存厚さＤ２の比率を２０～７０％とする。残存厚さＤ２の比率が２０％未満では、陽極箔３ａの強度が不十分となるおそれがあり、７０％を超過すると、後述するリードタブ５（扁平部５ｂ）を陽極箔３ａに抵抗溶接することが困難になるおそれがあるからである。なお、エッチング層１８の厚みは、電極箔の断面を金属顕微鏡等で観察し、電極箔の表面から芯金部までの厚さが最も厚い箇所と最も薄い箇所の厚みを平均して求めることができる。

【0035】

また、後述するリードタブ５（扁平部５ｂ）を抵抗溶接により接続する工程において溶接端子（電極４２（図１０））と接するエッチング層１８の裏面側の領域ＡＲ２（図４、図６～図１２）については、エッチング層１８の厚さ（Ｄ１＋Ｄ２）に対して、除去厚さＤ１の比率を３０～１０％、残存厚さＤ２の比率を７０～９０％とする。残存厚さＤ２の比率が７０％未満では、陽極箔３ａの引張強度が不十分となり、漏れ電流（ＬＣ）が上昇傾向となるためである。また、残存厚さＤ２の比率が９０％を超過すると、後述するリードタブ５（扁平部５ｂ）を陽極箔３ａに抵抗溶接することが困難になるおそれがあるからである。

【0036】

なお、陽極箔３ａの両面（リードタブ５を抵抗溶接する側とその裏面側）ともにエッチング層１８を除去し過ぎると陽極箔３ａの持つ抵抗が下がり、リードタブ５（扁平部５ｂ）を抵抗溶接する際の発熱が少なくなって接合強度が低下する傾向となり、また、陽極箔３ａにショートが発生するリスクも高くなる。そのため、リードタブ５（扁平部５ｂ）の接合不良が発生しない限りにおいて、エッチング層１８の残存厚さＤ２を大きくすることが望ましい。

【0037】

このような条件によって、超音波発振器により超音波ヘッド３１、３２を振動させることにより、エッチング層１８を除去厚さＤ１だけ研磨除去する（図４、図８）。除去厚さＤ１は、振動周波数と研磨除去時間を調整することで所望の厚さとすることができる。なお、超音波ヘッド３１を所定の周波数および時間だけ振動させることにより陽極箔３ａの表面側の領域ＡＲ１を所望の厚さまで研磨除去することができ、超音波ヘッド３２を所定の周波数および時間だけ振動させることにより陽極箔３ａの裏面側の領域ＡＲ２を所望の厚さまで研磨除去することができる。

【0038】

陽極箔３ａの両面の領域ＡＲ１、ＡＲ２について、エッチング層１８を所定厚さＤ１だけ除去した後、領域ＡＲ１に対してリードタブ５（扁平部５ｂ）を抵抗溶接法により接続する。

【0039】

具体的には、図９に示すように、領域ＡＲ１、ＡＲ２について、エッチング層１８を所定厚さＤ１だけ除去した陽極箔３ａに対して、領域ＡＲ１にリードタブ５（扁平部５ｂ）を載せ、さらに、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、陽極箔３ａの領域ＡＲ１に載せられたリードタブ５（扁平部５ｂ）および陽極箔３ａの領域ＡＲ２を電極４１、４２によって挟圧しつつ通電することにより、リードタブ５（扁平部５ｂ）と陽極箔３ａ（領域ＡＲ１）との間を抵抗溶接する。なお、リードタブ５を接合する領域ＡＲ１と、当該領域ＡＲ１の裏面側の領域ＡＲ２（電極４２が当接する領域）における除去厚さＤ１は上述した残存厚さ比率を満たす限り同じ厚さであってもよいし、異なる厚さであってもよい。

【0040】

抵抗溶接法を用いることにより、接続時の箔割れやクラックの発生を抑制することができる。そのため、本実施形態の製造方法により製造された電解コンデンサ１は、他の接続方法（例えば、冷間圧接方法、針穴加締方法、超音波溶接方法）を用いて製造された電解コンデンサよりもショートの発生を抑制することができ、漏れ電流（ＬＣ）や等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低減することができ、電気的接続性に優れ、リードタブと電極箔との間の接合強度が安定した電解コンデンサ１の提供が可能となる。

【0041】

図１０（ｃ）、図１１および図１２（ａ）に示すように、この抵抗溶接工程の溶接時には、電極４１が接したリードタブ５（扁平部５ｂ）には直径Ｘ１の窪み５ｃが溶接痕として形成される。また、図１２（ｂ）に示すように、陽極箔３ａ裏面側の電極４２が接した領域ＡＲ２には、溶接時（通電時）に直径Ｘ２の溶接痕Ｍが残る。

【0042】

リードタブ５に溶接痕として形成された窪み５ｃに対する陽極箔３ａの裏面側に形成された溶接痕Ｍの面積比は２０～３０％となり、強固に溶接されていることが分かる。因みに、超音波発振器を用いてエッチング層１８を研磨除去する方法以外の除去方法（例えば、レーザー光による除去）では、当該面積比が８％程度となり、リードタブと電極箔との間の接合強度が劣る。

【0043】

また、陰極箔３ｂについても、陽極箔３ａと同様にして、超音波発振によるエッチング層１８の除去および抵抗溶接によるリードタブ５（扁平部５ｂ）の溶接を行う。

【実施例】

【0044】

エッチング層１８および酸化皮膜５１が形成された耐電圧５７８Ｖの高圧用陽極アルミニウム箔および陰極アルミニウム箔に対して超音波発振器を用いてエッチング層１８の除去を行った後、抵抗溶接法によりリードタブ５を接合する。そして、セパレータ４を介して陽極アルミニウム箔（陽極箔３ａ）と陰極アルミニウム箔（陰極箔３ｂ）を重ね合わせ、巻回したアルミニウム電解コンデンサ素子２に電解液を含浸する。そして、アルミニウム電解コンデンサ素子２から引き出されている陽極側のリードタブ５および陰極側のリードタブ５の丸棒部５ａをそれぞれ封口体１１の挿通孔から挿通させた後、アルミニウム電解コンデンサ素子を封口体１１とともに外装ケース１２内に挿入する。次に、外装ケースの開口部をカーリング加工するとともに外周面に絞り加工を施し封止する。これにより、直径φ１２．５ｍｍ×長さ１３．５ｍｍのアルミニウム電解コンデンサを製作し、カテゴリ上限温度を超える１１５℃の環境下にて信頼性試験を行った後のリードタブ５の引張強度と、アルミニウム電解コンデンサの静電容量（Ｃａｐ）、損失（ｔａｎδ）、漏れ電流（ＬＣ）を測定した結果を、抵抗溶接工程において溶接端子（電極４２）が当接された側（領域ＡＲ２）のエッチング層１８の残存率（９０％、７０％、５０％、３０％、０％）ごとに表１に示す。本アルミニウム電解コンデンサにおいては、リードタブ５が接続される側の領域ＡＲ１のエッチング層１８の残存率は７０％とした。なお、超音波発信器によるエッチング層１８の除去を行わずに抵抗溶接法によるリードタブ５の接合を試みたが、陽極アルミニウム箔にリードタブ５を接合することができなかったため、アルミニウム電解コンデンサを製作することができなかった。

【0045】

【表1】

【0046】

表１から以下のことが分かる。
抵抗溶接時に電極４２が当接される側（領域ＡＲ２）におけるエッチング層の残存率（エッチング層における残存厚さD２の比率）が３０％、５０％、７０％、９０％である場合には、残存率が０％である場合に比べて、リードタブの引張強度が高く、損失（ｔａｎδ）が小さく、漏れ電流（ＬＣ）が少ない結果となった。すなわち、電解コンデンサ１の特性劣化が小さい結果となった。特に、エッチング層の残存率が７０％および９０％である場合に引張強度が高く漏れ電流（ＬＣ）が少なく機械的および電気的特性の両方において良好な結果が得られた。すなわち、エッチング層の除去率（エッチング層における除去厚さD１の比率）が高いほど（エッチング層の残存率が低いほど）電解コンデンサ１の特性劣化が大きくなる傾向があることが分かった。なお、リードタブ５が接続される側の領域ＡＲ１のエッチング層１８の残存率が２０％以上７０％未満の場合も同様な傾向を有する。

【0047】

また、上記結果から、本実施形態による超音波発振器を用いたエッチング層１８の除去工程および抵抗溶接によるリードタブ５の接続工程を有する電解コンデンサの製造方法においては、エッチング層１８を浅く除去するだけで電解コンデンサ１の特性劣化を抑制しつつリードタブ５の引張強度を高くすることができる。これにより、特性劣化を抑制しつつ電極箔のダメージやショート発生といったリスクを軽減することができる。

【0048】

なお、上記結果から、エッチング層１８の残存率が高いほど、リードタブ５の引張強度が高いことが分かる。これは、エッチング層１８を完全に除去しないことにより、電気抵抗の大きな酸化膜５１（図４）が残る分、リードタブ５を抵抗溶接する際に高いジュール熱を発生させることができ、より強固な溶接を行うことが可能となるためである。

【0049】

以上説明したように、本実施形態に係る電解コンデンサの製造方法によれば、超音波発振器を用いたエッチング層除去工程（エッチング層の一部を残存させる除去工程）およびそれに続く抵抗溶接工程を有することにより、電極箔３にクラックや割れを発生させずにエッチング層１８の一部を残して除去することができ、さらに、エッチング層１８の一部が残ることで、続く抵抗溶接工程において、高いジュール熱を発生させることができるため、強固な溶接を行うことが可能となる。すなわち、当該エッチング層１８の除去厚さＤ１を浅くし、エッチング層１８を残存させることで、電極箔３（陽極箔３ａ、陰極箔３ｂ）のダメージ等の発生を低減することができると共に、抵抗溶接時に高いジュール熱による強固な溶接が可能となる。

【0050】

この製造方法により製造された電解コンデンサ１においては、リードタブ５（扁平部５ｂ）に形成された窪み５ｃと、電極箔３の電極４２が接した領域ＡＲ２に残る溶接痕Ｍとの面積比は２０～３０％となり、強固に溶接されていることが分かる。

【0051】

以上、本発明の実施形態について実施例に基づいて説明したが、本発明の範囲は、これらの実施形態に限定されるものでないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明に限られることなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

【符号の説明】

【0052】

１ 電解コンデンサ
２ コンデンサ素子
３ 電極箔
３ａ 陽極箔
３ｂ 陰極箔
４ セパレータ
５ リートタブ
５ｂ 扁平部
５ｃ 窪み
１８ エッチング層
３１、３２ 超音波ヘッド
４１、４２ 電極
５１ 酸化皮膜
Ｍ 溶接痕

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】