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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-10
(45)【発行日】2024-09-19
(54)【発明の名称】静電チャックヒーター及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 3/06 20060101AFI20240911BHJP
H05B 3/74 20060101ALI20240911BHJP
【ＦＩ】
H05B3/06 B
H05B3/74
【請求項の数】
19
(21)【出願番号】P 2022506446
(86)(22)【出願日】2020-06-23
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-10-13
(86)【国際出願番号】 KR2020008186
(87)【国際公開番号】W WO2021025287
(87)【国際公開日】2021-02-11
【審査請求日】2023-06-01
(31)【優先権主張番号】10-2019-0095376
(32)【優先日】2019-08-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】520139620
【氏名又は名称】ミコ セラミックス リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】チェ、チン ヨン
(72)【発明者】
【氏名】ソ、チュン ウォン
(72)【発明者】
【氏名】イ、チュ ソン
【審査官】河野 俊二
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１７／００４０１９８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開平１１－２３３６０１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１７／１８８１８９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００１－３１９９６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－０２２９７９（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国登録特許第１０－１０００３２９（ＫＲ，Ｂ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｂ ３／０６
Ｈ０５Ｂ ３／７４
Ｈ０１Ｌ ２１／６８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体工程モードに応じて、高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）接地機能及び静電チャック（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈｕｃｋ）機能のいずれか一つを行う内部電極及び外部電極を備えるヒーター胴体部と、前記ヒーター胴体部の下部に装着され、前記ヒーター胴体部を支持するヒーター支持部と、を含み、
前記ヒーター胴体部は、電極層と発熱体層との間に配置され、前記外部電極と前記ヒーター支持部に設置されたロッド（ｒｏｄ）とを電気的に連結する外部電極連結部材をさらに含む、静電チャックヒーター。
【請求項2】
前記外部電極は、前記内部電極と同一の平面上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャックヒーター。
【請求項3】
前記外部電極は、前記内部電極から一定の距離だけ離隔して配置されることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャックヒーター。
【請求項4】
前記外部電極は、前記内部電極を取り囲むように配置されることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャックヒーター。
【請求項5】
前記内部電極は、前記ヒーター胴体部の上部中央部分に埋め立てられることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャックヒーター。
【請求項6】
前記内部電極、前記外部電極及び前記外部電極連結部材は、シートタイプ（ｓｈｅｅｔ ｔｙｐｅ）、メッシュタイプ（ｍｅｓｈ ｔｙｐｅ）及びペーストタイプ（ｐａｓｔｅ ｔｙｐｅ）のいずれか一つで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャックヒーター。
【請求項7】
前記内部電極、前記外部電極及び前記外部電極連結部材は、電気伝導性に優れたモリブデン（Ｍｏ）から形成されることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャックヒーター。
【請求項8】
前記外部電極連結部材は、前記内部電極及び前記外部電極の下面から一定の距離だけ離隔して前記内部電極及び前記外部電極と平行に配置され、前記外部電極連結部材の両端は、前記外部電極の下面方向に垂直に折曲形成されることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャックヒーター。
【請求項9】
前記ヒーター胴体部に埋め立てられた前記内部電極及び前記外部電極と電気的に連結され、前記内部電極及び前記外部電極の機能を選択するバイポーラ機能選択部をさらに含む、請求項１に記載の静電チャックヒーター。
【請求項10】
前記バイポーラ機能選択部は、前記内部電極の機能を選択する内部電極機能選択部、及び前記外部電極の機能を選択する外部電極機能選択部を含むことを特徴とする、請求項９に記載の静電チャックヒーター。
【請求項11】
前記内部電極機能選択部は、第１キャパシタ（Ｃ１）、第１スイッチ（Ｓ１）及び正のＤＣ電圧（Ｖ１）を供給する第１ＤＣ電源部を含み、前記外部電極機能選択部は、第２キャパシタ（Ｃ２）、第２スイッチ（Ｓ２）及び負のＤＣ電圧（Ｖ２）を供給する第２ＤＣ電源部を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の静電チャックヒーター。
【請求項12】
前記バイポーラ機能選択部は、第１半導体工程モード時に、前記内部電極及び前記外部電極のうち少なくとも一つがＲＦ接地機能を果たすように前記内部電極及び前記外部電極の機能を選択することを特徴とする、請求項９に記載の静電チャックヒーター。
【請求項13】
前記バイポーラ機能選択部は、第２半導体工程モード時に、前記内部電極及び前記外部電極の両方が静電チャック機能を果たすように前記内部電極及び前記外部電極の機能を選択することを特徴とする、請求項９に記載の静電チャックヒーター。
【請求項14】
第１セラミック粉末を成形モールドに充填して第１セラミック粉末層を形成する段階；内部電極、前記内部電極と同一の平面上に一定の距離だけ離隔した外部電極及び前記外部電極と接触する外部電極連結部材が埋め立てられたセラミック成形体を前記第１セラミック粉末層上に積層する段階と、
第２セラミック粉末を前記セラミック成形体の上部に充填して第２セラミック粉末層を形成する段階と、
前記セラミック成形体を含むセラミック粉末層の構造物を予め定められた圧力及び温度で焼結してヒーター胴体部を成形する段階と、を含み、
前記外部電極連結部材は、前記ヒーター胴体部の周縁部分に位置する前記外部電極と前記ヒーター胴体部の中央部分に位置するロッドとを電気的に連結するように、電極層の下に配置されている、静電チャックヒーターの製造方法。
【請求項15】
前記第２セラミック粉末層の上部に発熱体を積層する段階と、前記発熱体の上部に第３セラミック粉末を充填して第３セラミック粉末層を形成する段階と、をさらに含む、請求項１４に記載の静電チャックヒーターの製造方法。
【請求項16】
前記セラミック成形体の製造方法は、ジグ（ｊｉｇ）を用いてセラミック粉末層の上部に予め定められた形状の溝を形成する段階と、
前記セラミック粉末層の上部に形成された溝に第１外部電極を挿入し、前記第１外部電極の上部にセラミック粉末を充填する段階と、
前記第１外部電極が埋め立てられたセラミック粉末層を圧縮焼結してセラミックプレートを成形する段階と、を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の静電チャックヒーターの製造方法。
【請求項17】
前記セラミック成形体の製造方法は、前記第１外部電極が外部に露出されるように、前記セラミックプレートの両面を加工する段階と、
前記セラミックプレートの上部面に複数の溝を形成する段階と、
前記複数の溝に内部電極及び第２外部電極を挿入する段階と、をさらに含むことを特徴とする、請求項１６に記載の静電チャックヒーターの製造方法。
【請求項18】
前記第２外部電極は、前記第１外部電極の上部に配置され、前記第１外部電極と結合して一つの外部電極を形成することを特徴とする、請求項１７に記載の静電チャックヒーターの製造方法。
【請求項19】
前記セラミック成形体の製造方法は、スクリーンプリンタを用いて前記セラミックプレートの下部面に露出された第１外部電極の間に外部電極連結部材を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１７に記載の静電チャックヒーターの製造方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、静電チャックヒーター及びその製造方法に関し、より具体的には、バイポーラ（ｂｉｐｏｌａｒ）構造を有する静電チャックヒーター及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、半導体装置又はディスプレー装置は、誘電体層及び金属層を含む多数の薄膜層を、ガラス基板、フレキシブル基板又は半導体ウェハ基板上に順次に積層した後にパターニングする方式で製造される。これらの薄膜層は、化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ）工程又は物理気相蒸着（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ）工程により基板上に順次に蒸着される。前記ＣＶＤ工程としては、低圧力化学気相蒸着（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ）工程、プラズマ強化化学気相蒸着（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ）工程、有機金属化学気相蒸着（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ）工程などがある。
【0003】
このようなＣＶＤ装置及びＰＶＤ装置には、ガラス基板、フレキシブル基板、半導体ウェハ基板などを支持しながら所定の熱を印加するためのヒーターが配置される。前記ヒーターは、支持基板上に形成された薄膜層のエッチング工程（ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）とフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）の焼成工程などにも、基板加熱のために使用されている。前記ＣＶＤ装置及びＰＶＤ装置に設置されるヒーターは、正確な温度制御、半導体素子の配線微細化及び半導体ウェハ基板の精密な熱処理の要求により、セラミックヒーター（Ｃｅｒａｍｉｃ Ｈｅａｔｅｒ）が広く用いられている。
【0004】
図１は、従来の技術によるセラミックヒーターの構成を示す図である。図１に示すように、セラミックヒーター１は、半導体製造工程において、ウェハ（ｗａｆｅｒ）などのような基板を支持し、前記基板を工程温度、例えばＣＶＤ工程又はＰＶＤ工程を行うための温度に加熱するために用いられてよい。
【0005】
セラミックヒーター１は、円形の板状構造を有するセラミック本体１０と、前記セラミック本体１０の下部に装着されるセラミック支持部２０とから構成される。ここで、前記セラミック本体１０は、プラズマの生成時に、セラミックヒーター１に充電された電流を接地（ｇｒｏｕｎｄ）に放電させる接地電極１１と、基板を加熱するための熱エネルギーを生成する発熱体１３とを含む。前記セラミック支持部２０は、接地電極１１をグラウンドに連結する接地ロッド２１と、発熱体１３を外部電源（図示せず）に連結する発熱体ロッド２３とを含む。
【0006】
セラミック本体１０の上部には、ウェハの安定した実装が可能なように、当該ウェハのサイズに該当するポケット（ＰＯＣＫＥＴ）が形成されてよい。ところが、このようなポケット構造を有するセラミックヒーターは、半導体の薄膜工程時に、ウェハ方向に工程ガスが流れる場合、セラミック本体１０の上面とウェハの周縁との間に形成された空間３０を通じてガス流れ（ＧＡＳ ＦＬＯＷ）の渦流が発生し、ウェハ周縁の沈着均一性（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が低下する問題を招くことがあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、前述した問題及び他の問題を解決することを目的とする。本発明のさらに他の目的は、信頼性が向上した静電チャックヒーター及びその製造方法を提供することにある。
【0008】
本発明のさらに他の目的は、バイポーラ（ｂｉｐｏｌａｒ）構造を有する静電チャックヒーター及びその製造方法を提供することにある。
【0009】
本発明のさらに他の目的は、半導体工程モードに応じて内部電極及び外部電極の機能を適応的に選択可能な静電チャックヒーター及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記の又は他の目的を達成するために、本発明の一側面によれば、半導体工程モードに応じてＲＦ接地機能及び静電チャック機能のいずれか一つを選択的に行う内部電極及び外部電極を備えるヒーター胴体部；及び、前記ヒーター胴体部の下部に装着され、前記ヒーター胴体部を支持するヒーター支持部を含む静電チャックヒーターを提供する。ここで、前記内部電極は、ヒーター胴体部の上部中央部分に埋め立てられてよい。
【0011】
さらに好ましくは、前記外部電極は、内部電極と同一の平面上に形成されてよい。また、前記外部電極は、内部電極から一定の距離だけ離隔して配置されてよい。なお、前記外部電極は、内部電極を取り囲むように配置されてよい。
【0012】
さらに好ましくは、前記ヒーター胴体部は、電極層と発熱体層との間に配置され、外部電極とヒーター支持部に設置されたロッド（ｒｏｄ）とを電気的に連結する外部電極連結部材をさらに含むことができる。また、前記外部電極連結部材は、内部電極及び外部電極の下面から一定の距離だけ離隔して当該電極と平行に配置されてよい。なお、前記外部電極連結部材の両端は、外部電極の下面方向に垂直に折曲形成されてよい。
【0013】
さらに好ましくは、前記内部電極、外部電極及び外部電極連結部材は、シートタイプ（ｓｈｅｅｔ ｔｙｐｅ）、メッシュタイプ（ｍｅｓｈ ｔｙｐｅ）及びペーストタイプ（ｐａｓｔｅ ｔｙｐｅ）のいずれか一つで形成されてよい。また、前記内部電極、外部電極及び外部電極連結部材は、電気伝導性に優れたモリブデン（Ｍｏ）から形成されてよい。
【0014】
さらに好ましくは、前記静電チャックヒーターは、ヒーター胴体部に埋め立てられた内部電極及び外部電極と電気的に連結され、前記内部電極及び外部電極の機能を選択するバイポーラ機能選択部をさらに含むことができる。ここで、前記バイポーラ機能選択部は、内部電極の機能を選択する内部電極機能選択部、及び外部電極の機能を選択する外部電極機能選択部を含むことができる。また、前記内部電極機能選択部は、第１キャパシタ（Ｃ１）、第１スイッチ（Ｓ１）及び正のＤＣ電圧（Ｖ１）を供給する第１ＤＣ電源部を含み、前記外部電極機能選択部は第２キャパシタ（Ｃ２）、第２スイッチ（Ｓ２）及び負のＤＣ電圧（Ｖ２）を供給する第２ＤＣ電源部を含むことができる。
【0015】
さらに好ましくは、前記バイポーラ機能選択部は、第１半導体工程モード時に、内部電極及び外部電極のうち少なくとも一つがＲＦ接地機能を果たすように当該電極の機能を選択することができる。また、前記バイポーラ機能選択部は、第２半導体工程モード時に、内部電極及び外部電極の両方が静電チャック機能を果たすように当該電極の機能を選択することができる。
【0016】
本発明の他の側面によれば、第１セラミック粉末を成形モールドに充填して第１セラミック粉末層を形成する段階；内部電極、前記内部電極と同一の平面上で一定の距離だけ離隔した外部電極及び前記外部電極と接触する外部電極連結部材が埋め立てられたセラミック成形体を前記第１セラミック粉末層上に積層する段階；第２セラミック粉末を前記セラミック成形体の上部に充填して第２セラミック粉末層を形成する段階；及び、前記セラミック成形体を含むセラミック粉末層の構造物を予め定められた圧力及び温度で焼結してヒーター胴体部を成形する段階を含む静電チャックヒーターの製造方法を提供する。ここで、前記静電チャックヒーターの製造方法は、第２セラミック粉末層の上部に発熱体を積層する段階；及び、前記発熱体の上部に第３セラミック粉末を充填して第３セラミック粉末層を形成する段階をさらに含むことができる。
【0017】
さらに好ましくは、前記セラミック成形体の製造方法は、ジグ（ｊｉｇ）を用いて、セラミック粉末層の上部に予め定められた形状の溝を形成する段階；前記セラミック粉末層の上部に形成された溝に第１外部電極を挿入し、前記第１外部電極の上部にセラミック粉末を充填する段階；及び、前記第１外部電極が埋め立てられたセラミック粉末層を圧縮焼結してセラミックプレートを成形する段階を含むことができる。また、前記セラミック成形体の製造方法は、スクリーンプリンタを用いて、前記セラミックプレートの下部面に露出された第１外部電極の間に外部電極連結部材を形成する段階をさらに含むことができる。
【0018】
さらに好ましくは、前記セラミック成形体の製造方法は、第１外部電極が外部に露出されるように、セラミックプレートの両面を加工する段階；前記セラミックプレートの上部面に複数の溝を形成する段階；及び、前記複数の溝に内部電極及び第２外部電極を挿入する段階をさらに含むことができる。ここで、前記第２外部電極は第１外部電極の上部に配置され、前記第１外部電極と結合して一つの外部電極を形成することができる。
【発明の効果】
【0019】
本発明の実施例のうち少なくとも一つによれば、半導体工程モードに応じてＲＦ接地機能及び静電チャック機能のいずれか一つを選択的に行い得る内部電極及び外部電極を備えることにより、ヒーター胴体部の上部面に配置されたウェハなどのような熱処理対象体の温度均一性（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）及び沈着均一性（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を向上させることができる。
【0020】
また、本発明の実施例のうち少なくとも一つによれば、ヒーター胴体部の製造工程時に、外部電極連結部材をセラミックプレートの貫通孔に挿入する必要がなく、前記外部電極連結部材の両端を地面に水平な方向に折り曲げる必要もないため、静電チャックヒーターの製品信頼性及び作業便宜性が向上し得るというメリットがある。
【0021】
ただし、本発明の実施例に係る静電チャックヒーター及びその製造方法が達成できる効果は、以上で言及したものに制限されず、言及していない別の効果は、下記の記載から、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に明らかに理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】従来の技術によるセラミックヒーターの構成を示す図である。
【図2】本発明の一実施例に係る静電チャックヒーターの外形を示す斜視図である。
【図3】本発明の一実施例に係る静電チャックヒーターの構成を示す断面図である。
【図5】従来の技術によるセラミックヒーターと本実施例に係る静電チャックヒーターの周縁温度を測定したグラフである。
【図6】本実施例に係る静電チャックヒーターの内部／外部電極の機能及びサイズによる、ウェハの周縁の温度変化範囲を測定した結果である。
【図9】本発明の一実施例に係るセラミック成形体の製造方法を説明する図である。
【図10A】本発明の他の実施例に係るセラミック成形体の製造方法を説明する図である。
【図10B】本発明の他の実施例に係るセラミック成形体の製造方法を説明する図である。
【図10C】本発明の他の実施例に係るセラミック成形体の製造方法を説明する図である。
【図10D】本発明の他の実施例に係るセラミック成形体の製造方法を説明する図である。
【図10E】本発明の他の実施例に係るセラミック成形体の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、添付の図面を参照して、本明細書に開示される実施例を詳細に説明するが、図面符号に関係なく、同一又は類似な構成要素には同一の参照番号を付与し、それに関す重複説明は省略する。以下、本発明に係る実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターン又は構造物が基板、各層（膜）、領域、パッド又はパターン「の上／上（ｏｎ）」又は「の下／下（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合、「の上／上（ｏｎ）」と「の下／下（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」又は「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されるものを含む。また、各層の「の上／上」又は「の下／下」は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために、誇張、省略又は概略して示されている。しかも、各構成要素の大きさは実際の大きさを完全に反映するものではない。
【0024】
また、本明細書に開示された実施例を説明するにおいて、関連した公知技術に関する具体的な説明が本明細書に開示された実施例の要旨を濁し得ると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、添付の図面は、本明細書に開示された実施例の容易な理解を可能にするためのものに過ぎず、添付の図面によって本明細書に開示の技術的思想が制限されるものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物又は代替物を含むものと理解されるべきである。
【0025】
本発明は、信頼性が向上した静電チャックヒーター及びその製造方法を提案する。また、本発明は、バイポーラ（ｂｉｐｏｌａｒ）構造を有する静電チャックヒーター及びその製造方法を提案する。なお、本発明は、半導体工程モードに応じて内部電極及び外部電極の機能を適応的に選択可能な静電チャックヒーター及びその製造方法を提案する。
【0026】
以下、図面を参照して本発明の様々な実施例について詳細に説明する。
【0027】
図２は、本発明の一実施例に係る静電チャックヒーターの外形を示す斜視図であり、図３は、本発明の一実施例に係る静電チャックヒーターの構成を示す断面図であり、図４は、図３の静電チャックヒーターに含まれたバイポーラ機能選択部の構成を示す図である。
【0028】
図２～図４を参照すると、本発明の一実施例に係る静電チャックヒーター１００は、半導体ウェハ、ガラス基板、フレキシブル基板などのような様々な目的の熱処理対象体を一定の温度に加熱する熱処理機能、及び前記熱処理対象体を当該ヒーター１００の上部面に密着させる静電チャック機能を同時に提供する半導体装置である。
【0029】
静電チャックヒーター１００は、熱処理対象体（図示せず）を安定的に支持しながら熱を伝達するヒーター胴体部１１０と、前記ヒーター胴体部１１０の下部に装着されるヒーター支持部１２０と、前記ヒーター胴体部１１０と電気的に連結されるバイポーラ機能選択部１３０とを含むことができる。ここで、バイポーラ機能選択部１３０は、静電チャックヒーター１００と一体に形成されるか又は前記静電チャックヒーター１００と独立して形成されてよい。
【0030】
ヒーター胴体部１１０は、予め定められた形状を有する板状構造物で形成されてよい。例えば、前記ヒーター胴体部１１０は、円形の板状構造物で形成されてよいが、必ずしもこれに制限されない。
【0031】
ヒーター胴体部１１０の上部には、ウェハのような熱処理対象体が安定して実装され得るように所定の段差で陥没した構造を有するポケット領域（又は、キャビティ領域）１１１が形成されてよい。前記ポケット領域に該当するヒーター胴体部１１０の上面は、優れた平坦度を有するように形成されてよい。これは、チャンバー内に設置された熱処理対象体が片方に傾かずに水平に配置するためである。
【0032】
ヒーター胴体部１１０は、熱伝導性に優れたセラミック材質で形成された複数のセラミック板（図示せず）から構成され、前記複数のセラミック板に対して圧縮焼結工程を行って成形することができる。ここで、前記セラミック材質は、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３／Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＡｌＣ（Ａｕｔｏｃｌａｖｅｄ ｌｉｇｈｔｗｅｉｇｈｔ ｃｏｎｃｒｅｔｅ）、ＴｉＮ、ＡＩＮ、ＴｉＣ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、ＢｘＣｙ、ＢＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＹＡＧ、ムライト（Ｍｕｌｌｉｔｅ）、ＡＩＦ３のいずれか一つの物質であってよく、さらに好ましくは、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）であってよい。
【0033】
ヒーター胴体部１１０は，内部電極１１２、該内部電極１１２を取り囲む外部電極１１３、前記電極１１２，１１３の下の外部電極連結部材１１４、該外部電極連結部材１１４の下の発熱体１１５、及び第１～第３ロッド連結部材１１６～１１８を含むことができる。
【0034】
内部電極１１２は、ヒーター胴体部１１０の上部中央に配置され、円形のプレート状に形成されてよい。内部電極１１２は、外部電極１１３の内側に配置されてよい。
【0035】
内部電極１１２は、メッシュタイプ（ｍｅｓｈ ｔｙｐｅ）、シートタイプ（ｓｈｅｅｔ ｔｙｐｅ）及びペーストタイプ（ｐａｓｔｅ ｔｙｐｅ）のいずれか一つで形成されてよく、さらに好ましくは、メッシュタイプで形成されてよい。また、内部電極１１２は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニオビウム（Ｎｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）又はこれらの合金から形成されてよく、さらに好ましくは、モリブデン（Ｍｏ）から形成されてよい。
【0036】
内部電極１１２の厚さは、０.１～０.５ｍｍであってよく、さらに好ましくは、０.２ｍｍであってよい。また、内部電極１１２の直径は、２８０～２９０ｍｍであってよく、さらに好ましくは、２８５ｍｍであってよい。
【0037】
このような内部電極１１２は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）接地機能及び静電チャック（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ）機能のいずれか一機能を選択的に行うことができる。ここで、ＲＦ接地機能は、ウェハの沈着工程時に、チャンバー内部のプラズマによってヒーター胴体部１１０に帯電された電流を外部接地に放電させる機能であり、静電チャック機能は、電気場（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）を用いてウェハなどのような熱処理対象体をヒーター胴体部１１０の上面に密着させる機能である。
【0038】
外部電極１１３は、ヒーター胴体部１１０の上部周縁に配置され、円形のリング（ｒｉｎｇ）状に形成されてよい。前記外部電極１１３は、内部電極１１２と同一の平面上に形成されてよい。また、前記外部電極１１３は、内部電極１１２と一定の距離だけ離隔した状態で前記内部電極１１２を取り囲むように形成されてよい。
【0039】
外部電極１１３は、メッシュタイプ（ｍｅｓｈ ｔｙｐｅ）、シートタイプ（ｓｈｅｅｔ ｔｙｐｅ）及びペーストタイプ（ｐａｓｔｅ ｔｙｐｅ）のいずれか一つで形成されてよく、さらに好ましくは、メッシュタイプで形成されてよい。また、外部電極１１３は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニオビウム（Ｎｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）又はこれらの合金から形成されてよく、さらに好ましくは、モリブデン（Ｍｏ）から形成されてよい。
【0040】
外部電極１１３の厚さは、０.１～０.５ｍｍであってよく、さらに好ましくは０.２ｍｍであってよい。また、外部電極１１３の内径／外径は、２８０／３２０ｍｍ～３００／３２０ｍｍであってよく、さらに好ましくは２９０／３２０ｍｍであってよい。
【0041】
このような外部電極１１３は、ＲＦ接地機能及び静電チャック機能のいずれか一機能を選択的に行うことができる。同様に、ＲＦ接地機能は、ウェハの沈着工程時に、チャンバー内部のプラズマによってヒーター胴体部１１０に帯電された電流を外部接地に放電させる機能であり、静電チャック機能は、電気場を用いてウェハなどのような熱処理対象体をヒーター胴体部１１０の上面に密着させる機能である。
【0042】
一方、外部電極１１３は、内部電極１１２と同一の平面上に内部電極１１２と一定の距離だけ離隔して形成されるので、ヒーター胴体部１１０の中央部分に形成されている第２ロッド（ｒｏｄ）１２２と直接連結されにくいという問題がある。このような問題を解決するために、外部電極連結部材１１４がヒーター胴体部１１０に埋め立てられてよい。
【0043】
外部電極連結部材１１４は、電極層と発熱体層との間に配置され、外部電極１１３と第２ロッド１２２とを電気的に連結する機能を果たす。すなわち、前記外部電極連結部材１１４によって、ヒーター胴体部１１０の中央部分に位置する第２ロッド１２２と、前記ヒーター胴体部１１０の周縁部分に位置する外部電極１１３とが電気的に連結され得る。これにより、ヒーター胴体部１１０に埋め立てられた内部電極１１２、外部電極１１３及び発熱体１１５の第１～第３ロッド１２１～１２３がヒーター支持部１２０の中央部分に一緒に位置し得る。
【0044】
外部電極連結部材１１４は、ヒーター胴体部１１０の電極層と発熱体層との間に水平方向に延長形成されてよい。また、外部電極連結部材１１４は、内部電極１１２及び外部電極１１３の下面から一定の距離だけ離隔して当該電極１１２，１１３と平行に配置されてよい。前記外部電極連結部材１１４は、狭い幅の長いプレート状に形成されてよい。前記外部電極連結部材１１４の両端は、上方に垂直に折曲形成されてよい。これは、外部電極連結部材１１４の両端が外部電極１１３の下面と接触するためである。
【0045】
外部電極連結部材１１４は、メッシュタイプ（ｍｅｓｈ ｔｙｐｅ）、シートタイプ（ｓｈｅｅｔ ｔｙｐｅ）及びペーストタイプ（ｐａｓｔｅ ｔｙｐｅ）のいずれか一つで形成されてよく、さらに好ましくは、シートタイプで形成されてよい。また、外部電極連結部材１１４は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニオビウム（Ｎｂ）、チタニウム（Ｔｉ）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）又はこれらの合金から形成されてよく、さらに好ましくは、モリブデン（Ｍｏ）から形成されてよい。
【0046】
発熱体１１５は、ヒーター胴体部１１０の下部中央に配置され、熱処理対象体の形状に対応する形状で形成されてよい。前記発熱体１１５は、外部電極連結部材１１４の下に内部及び外部電極１１２，１１３から一定の距離だけ離隔して配置されてよい。
【0047】
発熱体１１５は、熱処理対象体の位置に対応するヒーター胴体部１１０に埋め立てられてよい。また、発熱体１１５は、熱処理対象体を全体的に均一に加熱するために位置によって加熱温度を均一に制御できるとともに、熱処理対象体に熱が伝達される距離がほぼ全ての位置で一定に維持されるように、前記熱処理対象体と平行にヒーター胴体部１１０に埋め立てられてよい。
【0048】
発熱体１１５は、発熱線（又は、抵抗線）による板状コイル状又は平らなプレート状に形成されてよい。また、発熱体１１５は、精密な温度制御のために、多層構造で形成されてよい。
【0049】
発熱体１１５は、半導体製造工程において、円滑な蒸着工程及びエッチング工程を行うために、ヒーター胴体部１１０の上部面に位置する熱処理対象体を一定の温度に加熱する機能を果たす。
【0050】
第１ロッド連結部材１１６は、内部電極１１２の中央下部面に配置され、前記内部電極１１２と第１ロッド１２１とを電気的に連結する機能を果たす。第２ロッド連結部材１１７は、外部電極連結部材１１４の中央下部面に配置され、外部電極１１３と第２ロッド１２２とを電気的に連結する機能を果たす。第３ロッド連結部材１１８は、発熱体１１５の中央下部面に配置され、前記発熱体１１５と第３ロッド１２３とを電気的に連結する機能を果たす。
【0051】
ヒーター支持部１２０は、ヒーター胴体部１１０の下部に装着され、前記ヒーター胴体部１１０を支持する役割を担う。これにより、前記ヒーター支持部１２０は、ヒーター胴体部１１０と結合してＴ字形状を有する静電チャックヒーター１００を構成する。
【0052】
ヒーター支持部１２０は、中空の円筒状の管（ｔｕｂｅ）で形成されてよい。これは、ヒーター支持部１２０を通じてヒーター胴体部１１０の内部電極１１２、外部電極１１３及び発熱体１１５に連結される複数のロッド１２１～１２３を設置するためである。
【0053】
ヒーター支持部１２０は、ヒーター胴体部１１０と同一のセラミック材質で形成されてよい。例えば、前記ヒーター支持部１２０は、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３／Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＡｌＣ（Ａｕｔｏｃｌａｖｅｄ ｌｉｇｈｔｗｅｉｇｈｔ ｃｏｎｃｒｅｔｅ）、ＴｉＮ、ＡＩＮ、ＴｉＣ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、ＢｘＣｙ、ＢＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＹＡＧ、ムライト、ＡＩＦ３のいずれか一つの物質で形成されてよく、さらに好ましくは、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）で形成されてよい。
【0054】
第１ロッド１２１は、ヒーター支持部１２０の内部に設置され、第１ロッド連結部材１１６とバイポーラ機能選択部１３０とを連結することができる。これにより、バイポーラ機能選択部１３０は第１ロッド１２１を通じて内部電極１１２と電気的に連結され得る。
【0055】
第２ロッド１２２は、ヒーター支持部１２０の内部に設置され、第２ロッド連結部材１１７とバイポーラ機能選択部１３０とを連結することができる。これにより、バイポーラ機能選択部１３０は第２ロッド１２２を通じて外部電極１１３と電気的に連結され得る。
【0056】
第３ロッド１２３は、ヒーター支持部１２０の内部に設置され、第３ロッド連結部材１１８と外部電源装置（図示せず）とを連結することができる。これにより、外部電源装置は第３ロッド１２３を通じて発熱体１１５と電気的に連結され得る。
【0057】
第１～第３ロッド１２１～１２３は、電気伝導性に優れた金属物質から形成されてよい。例えば、前記第１～第３ロッド１２１～１２３は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニオビウム（Ｎｂ）、チタニウム（Ｔｉ）又はこれらの合金から形成されてよく、さらに好ましくは、ニッケル（Ｎｉ）から形成されてよい。
【0058】
バイポーラ機能選択部１３０は、第１及び第２ロッド１２１，１２２を通じて内部電極１１２及び外部電極１１３と電気的に連結され、半導体工程モードに応じて、前記内部電極１１２及び外部電極１１３の機能を適応的に選択することができる。すなわち、バイポーラ機能選択部１３０は、半導体工程モードに応じて、内部電極１１２及び外部電極１１３がＲＦ接地機能及び静電チャック機能のいずれか一機能を果たすように該当の該電極１１２，１１３の機能を選択することができる。
【0059】
例えば、図４に示すように、バイポーラ機能選択部１３０は、半導体工程システム（図示せず）の制御命令に応じて、内部電極１１２の機能を選択する内部電極機能選択部４１０と、外部電極１１３の機能を選択する外部電極機能選択部４２０とから構成されてよい。
【0060】
内部電極機能選択部４１０は、第１ロッド１２１を通じて内部電極１１２と電気的に連結され、第１キャパシタ（Ｃ１）４１１、第１スイッチ（Ｓ１）４１２及び第１ＤＣ電源（Ｖ１）４１３を含むことができる。ここで、第１キャパシタ４１１は、第１ノード（Ｎ１）を基準として第１スイッチ４１２及び第１ＤＣ電源４１３と並列に連結されてよい。第１スイッチ４１２及び第１ＤＣ電源４１３は、第１ノードと接地との間に直列に連結されてよい。そして、第１ＤＣ電源４１３は、予め定められた正のＤＣ電圧を提供することができる。
【0061】
半導体工程システムの制御信号に応じて第１スイッチ４１２がターンオフ状態として動作すると、静電チャックヒーター１００の内部電極１１２は第１キャパシタ４１１と連結される。高周波（ＲＦ）動作モードで第１キャパシタ４１１がショート（ｓｈｏｒｔ）状態として動作するので、内部電極１１２は外部接地と連結されてＲＦ接地機能を果たすことになる。
【0062】
一方、半導体工程システムの制御信号に応じて第１スイッチ４１２がターンオン状態として動作すると、静電チャックヒーター１００の内部電極１１２は第１ＤＣ電源４１３と連結される。これにより、内部電極１１２は、第１ＤＣ電源４１３から印加された正のＤＣ電圧に基づいて静電チャック機能を果たす。
【0063】
外部電極機能選択部４２０は、第２ロッド１２２を通じて外部電極１１３と電気的に連結され、第２キャパシタ（Ｃ２）４２１、第２スイッチ（Ｓ２）４２２及び第２ＤＣ電源（Ｖ２）４２３を含むことができる。ここで、第２キャパシタ４２１は、第２ノード（Ｎ２）を基準として第２スイッチ４２２及び第２ＤＣ電源４２３と並列に連結されてよい。第２スイッチ４２２及び第２ＤＣ電源４２３は、第２ノードと接地との間に直列に連結されてよい。そして、第２ＤＣ電源４２３は、予め定められた負のＤＣ電圧を提供することができる。
【0064】
半導体工程システムの制御信号に応じて第２スイッチ４２２がターンオフ状態として動作すると、静電チャックヒーター１００の外部電極１１３は第２キャパシタ４２１と連結される。高周波（ＲＦ）動作モードで第２キャパシタ４２１がショート（ｓｈｏｒｔ）状態として動作するので、外部電極１１３は外部接地と連結されてＲＦ接地機能を果たすことになる。
【0065】
一方、半導体工程システムの制御信号に応じて第２スイッチ４２２がターンオン状態として動作すると、静電チャックヒーター１００の外部電極１１３は第２ＤＣ電源４２３と連結される。これにより、外部電極１１３は、第２ＤＣ電源４２３から印加された負のＤＣ電圧に基づいて静電チャック機能を果たす。
【0066】
【表1】
【0067】
前記表１に示すように、バイポーラ機能選択部１３０は、スイッチ１及び２のスイチングモードに応じて、内部電極及び外部電極がＲＦ接地機能及び静電チャック機能のいずれか一機能として動作するように、当該電極の機能を適応的に選択することができる。
【0068】
例えば、プラズマを使用する半導体工程モード（第１半導体工程モード）において、バイポーラ機能選択部１３０は、内部電極１１２及び外部電極１１３の少なくとも一つがＲＦ接地機能を果たすように、当該電極１１２，１１３の機能を選択することができる。一方、プラズマを使用しない半導体工程モード（第２半導体工程モード）において、バイポーラ機能選択部１３０は、互いに異なる極性を有するＤＣ電圧を内部電極１１２及び外部電極１１３に印加し、これらの電極がいずれも静電チャック機能を果たすように当該電極１１２，１１３の機能を選択することができる。
【0069】
本実施例に係る静電チャックヒーター１００によれば、ウェハなどのような熱処理対象体を、沈着均一性（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）の良好な部分（例えば、ウェハの中央部）と良好でない部分（例えば、ウェハの周縁部分）とに区別し、前記沈着均一性の良好な部分に、ＲＦ接地機能を有する電極が形成されるようにし、前記沈着均一性が良好でない部分に、静電チャック機能を有する電極が形成されるようにすることで、ウェハなどのような帯電された熱処理対象体がヒーター胴体部の上部面に固定可能になる効果がある。その結果、ウェハなどのような熱処理対象体とヒーター胴体部との接触面が増加しながら熱伝導度が向上し、これにより、当該熱処理対象体の温度均一性（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）及び沈着均一性が向上する効果がある。
【0070】
以上、前述したように、本発明の一実施例に係る静電チャックヒーターは、半導体工程モードに応じてＲＦ接地機能及び静電チャック機能のいずれか一つを選択的に行い得る内部電極及び外部電極を備えることにより、ヒーター胴体部の上部面に配置されたウェハなどのような熱処理対象体の温度均一性及び沈着均一性を向上させることができる。
【0071】
図５は、従来の技術によるセラミックヒーターと本実施例に係る静電チャックヒーターの周縁温度を測定したグラフである。
【0072】
図５に示すように、本発明の効果を実験するために、Ｔ／Ｃウェハを用いて、ヒーターの周縁において８つの地点の温度を測定して比較した。各ヒーターの温度は約５５０℃に設定した。従来の技術によるセラミックヒーターの接地電極は、直径３２０ｍｍのメッシュタイプ（２４ＭＥＳＨ）の電極を用いた。また、本実施例に係る静電チャックヒーターの内部電極（すなわち、接地電極）は、直径２８５ｍｍのメッシュタイプ（２４ＭＥＳＨ）の電極を用い、外部電極（すなわち、静電チャック電極）は、内径／外径が２９０／３２０ｍｍであるリング状のメッシュタイプ（２４ＭＥＳＨ）の電極を用いて実験した。
【0073】
前記実験の結果、従来の技術によるセラミックヒーターの温度範囲は約７.５℃であり、本実施例に係る静電チャックヒーターの温度範囲は約２.７℃であった。すなわち、本実施例に係る静電チャックヒーターは、従来の技術によるセラミックヒーターに比べて、ヒーターの周縁の温度変化範囲が略３６％程度に大きく減ることが確認できた。したがって、本実施例に係る静電チャックヒーターは、従来の技術によるセラミックヒーターに比べて、ウェハ（ＷＡＦＥＲ）などのような熱処理対象体の温度均一性を大きく向上させる効果があり、これにより、当該熱処理対象体の沈着均一性を大きく向上させる効果がある。
【0074】
図６は、本実施例に係る静電チャックヒーターの内部電極及び外部電極の機能及びサイズによる、ウェハ周縁の温度変化範囲を測定した結果である。
【0075】
図６に示すように、本実験において、内部電極はＲＦ接地機能を担い、外部電極は静電チャック機能及びＲＦ接地機能を選択的に担うように設定した。また、内部電極は、メッシュタイプ（２４ＭＥＳＨ）を有し、直径が２７５ｍｍ、２８０ｍｍ及び２８５ｍｍのものを用いて実験した。外部電極は、リング状のメッシュタイプ（２４ＭＥＳＨ）を有し、内径／外径が２８０／３２０ｍｍ、２８５／３２０ｍｍ及び２９０／３２０ｍｍのものを使用した。
【0076】
前記実験の結果、内部電極の直径が２８５ｍｍであり、外部電極の内径／外径が２９０／３２０ｍｍであるとき、ウェハの周縁の温度変化範囲が最小幅を有することが確認できる。また、外部電極がＲＦ接地機能を担うときよりも、静電チャック機能を担うときに、ウェハ周縁の温度変化範囲が小さいことが確認できる。したがって、内部及び外部電極に設定された機能と当該電極の直径が、静電チャックヒーターの性能であるウェハの沈着均一性（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）及び温度均一性（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）と密接な関連があることが確認できる。
【0077】
【0078】
図７は、図３の静電チャックヒーターを構成するヒーター胴体部の製造方法を説明するためのフローチャートであり、図８は、図３の静電チャックヒーターを構成するヒーター胴体部の製造方法を説明するために参照される図である。
【0079】
図７及び図８を参照すると、本発明の一実施例に係る静電チャックヒーター１００を構成するヒーター胴体部の全体的な形状に対応する成形モールド（又は、収納モールド）７１０と、前記成形モールド７１０に充填されたセラミック粉末に圧力を印加する加圧モールド７２０を備えることができる（Ｓ７１０）。
【0080】
第１セラミック粉末を成形モールド７１０に充填して第１セラミック粉末層８１０を形成することができる（Ｓ７２０）。内部電極（図示せず）、外部電極（図示せず）及び外部電極連結部材（図示せず）などが埋め立てられたセラミック成形体８２０を予め加工し、成形モールド７１０内の第１セラミック粉末層８１０の上部に積層することができる（Ｓ７３０）。このとき、前記セラミック成形体８２０は、所定の圧力で加圧されて形状を保持できる成形体の形態で提供されてよい。
【0081】
その後、第２セラミック粉末を成形モールド７１０内のセラミック成形体８２０の上部に充填して第２セラミック粉末層８３０を形成することができる（Ｓ７４０）。また、螺旋状又はメッシュ状の板状構造を有する発熱体８４０を予め加工し、第２セラミック粉末層８３０の上部に積層することができる（Ｓ７５０）。
【0082】
次に、第３セラミック粉末を成形モールド７１０内の発熱体８４０の上部に充填して第３セラミック粉末層８５０を形成することができる（Ｓ７６０）。前記第１～第３セラミック粉末は、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）粉末を含むことができ、選択的に約０.１～１０％程度、さらに好ましくは約１～５％程度の酸化アルミニウム粉末を含むことができる。
【0083】
第１セラミック粉末層８１０、セラミック成形体８２０、第２セラミック粉末層８３０、発熱体８４０及び第３セラミック粉末層８５０を順次に積層した後、加圧モールド７２０を用いて所定圧力で加圧すると同時に高温の熱を提供することによって前記セラミック粉末層を焼結し、ヒーター胴体部８００を成形することができる（Ｓ７７０）。例えば、前記ヒーター胴体部８００は、約０.０１～０.３ｔｏｎ／ｃｍ２程度の圧力と約１６００～１９５０℃程度の温度で圧縮焼結されてよい。
【0084】
以下、上述したヒーター胴体部８００を構成する要素のうち、ＲＦ接地機能及び静電チャック機能を選択的に行い得るセラミック成形体８２０の製造方法について詳細に説明する。
【0085】
図９は、本発明の一実施例に係るセラミック成形体の製造方法を説明する図である。
【0086】
図９を参照すると、セラミック成形体９００の全体的な形状に対応する成形モールド（図示せず）を備えることができる。該成形モールド（図示せず）にセラミック粉末を充填した後、該セラミック粉末を予め定められた温度及び圧力で焼結してセラミックプレート９１０を形成することができる。また、前記セラミックプレート９１０の上部を加工し、第１ロッド連結部材９３０が埋設され得る第１溝、内部電極９５０が埋設され得る第２溝、外部電極９６０が埋設され得る第３溝を形成することができる。なお、前記セラミックプレート９１０の周縁部分を加工し、外部電極連結部材９２０が埋設され得る貫通孔を形成することができる。
【0087】
次に、複数の溝が加工されたセラミックプレート９１０に、外部電極連結部材９２０を挿入することができる。このとき、前記外部電極連結部材９２０は外部電極９６０と電気的に連結され得るように両端が地面に水平な方向に折り曲がり、セラミックプレート９１０と並んで形成されてよい。
【0088】
外部電極連結部材９２０の設置が完了すると、第１ロッド連結部材９３０を、セラミックプレート９１０の上部に形成された第１溝に挿入することができる。また、第２ロッド連結部材９４０を外部電極連結部材９２０の下部面に付着することができる。
【0089】
第１及び第２ロッド連結部材９３０，９４０の設置が完了すると、内部電極９５０を、セラミックプレート９１０の上部に形成された第２溝に挿入することができ、外部電極９６０を、セラミックプレート９１０の上部に形成された第３溝に挿入することができる。これにより、前記内部電極９５０は第１ロッド連結部材９３０と電気的に連結され得、前記外部電極９６０は外部電極連結部材９２０を通じて第２ロッド連結部材９４０と電気的に連結され得る。
【0090】
このような外部電極連結部材９２０、内部電極９５０及び外部電極９６０は、シートタイプ（ｓｈｅｅｔ ｔｙｐｅ）、メッシュタイプ（ｍｅｓｈ ｔｙｐｅ）及びペーストタイプ（ｐａｓｔｅ ｔｙｐｅ）のいずれか一つで形成されてよい。また、外部電極連結部材９２０、内部電極９５０及び外部電極９６０は、電気伝導性に優れたモリブデン（Ｍｏ）から形成されてよい。また、外部電極連結部材９２０は、「コ」字状に加工された薄くて長い板状に形成されてよく、内部電極９５０は円形の板状に形成されてよく、外部電極９６０はリング（ｒｉｎｇ）状に形成されてよい。
【0091】
ところが、上述したセラミック成形体の製造方法では、外部電極９６０と接触する外部電極連結部材９２０の折曲部の整列（ａｌｉｇｎ）不良のため、前記外部電極９６０と外部電極連結部材９２０との間に電気がよく通らない問題が発生し得る。しかも、セラミックプレート９１０の貫通孔に粉末が完全に充填されない可能性があり、これにより、ＲＦ接地機能の不良、静電チャック機能の不良及び製品クラック（ｃｒａｃｋ）の問題などが発生し得る。以下、このような問題を解決できるさらに他のセラミック成形体の製造方法について説明する。
【0092】
【0093】
図１０Ａを参照すると、セラミック成形体１０００の全体的な形状に対応する成形モールド１０１０を備えることができる。前記成形モールド１０１０にセラミック粉末１０２０を一定の高さまで充填してセラミック粉末層を形成することができる。このとき、前記セラミック粉末１０２０は、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）から形成されてよく、必ずしもこれに制限されない。
【0094】
次に、セラミック粉末層１０２０の上部に、予め定められた形状の溝を形成するためのジグ（ｊｉｇ）１０３０を備えることができる。前記ジグ１０３０を成形モールド１０１０の方向に移動し、前記成形モールド１０１０に充填されたセラミック粉末層１０２０の上部に第１溝１０２１を形成することができる。
【0095】
図１０Ｂを参照すると、セラミック粉末層１０２０の上部に形成された第１溝１０２１に、棒状の第１外部電極１０６０ａを挿入することができる。第１外部電極１０６０ａの挿入が完了すると、前記第１外部電極１０６０ａを十分に覆うようにセラミック粉末を成形モールド１０１０にさらに充填することができる。前記成形モールド１０１０に充填されたセラミック粉末層を、予め定められた温度及び圧力で焼結してセラミックプレート１０２０を形成することができる。その後、前記セラミックプレート１０２０を成形モールド１０１０から分離することができる。
【0096】
図１０Ｃを参照すると、第１外部電極１０６０ａが外部に露出されるように、セラミックプレート１０２０の両面を加工することができる。なお、前記セラミックプレート１０２０の上部を加工して、第１ロッド連結部材１０４０が埋設され得る第２溝１０２２と、内部電極１０５０が埋設され得る第３溝１０２３と、第２外部電極１０６０ｂが埋設され得る第４溝１０２４を形成することができる。
【0097】
その後、第１ロッド連結部材１０４０を、セラミックプレート１０２０の上部に形成された第２溝１０２２に挿入することができる。前記第１ロッド連結部材１０４０の挿入が完了すると、内部電極１０５０を、セラミックプレート１０２０の上部に形成された第３溝１０２３に挿入することができる。これにより、前記内部電極１０５０は、第１ロッド連結部材１０４０と電気的に連結され得る。
【0098】
内部電極１０５０の挿入が完了すると、第２外部電極１０６０ｂを、セラミックプレート１０２０の上部に形成された第４溝１０２４に挿入することができる。このとき、前記第２外部電極１０６０ｂは第１外部電極１０６０ａと結合して一つの外部電極１０６０を形成することができる。これにより、第２外部電極１０６０ｂは、第１外部電極１０６０ａと電気的に連結され得る。
【0099】
図１０Ｄ及び図１０Ｅを参照すると、スクリーンプリンタ（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｅｒ）（図示せず）を用いて、セラミックプレート１０２０の下部面に外部電極連結部材１０３０を付着させることができる。このとき、前記外部電極連結部材１０３０は、セラミックプレート１０２０の下部面に露出された第１外部電極１０６０ａの間に一直線状に配置され得る。これにより、前記外部電極連結部材１０３０は、第１外部電極１０６０ａ及び第２外部電極１０６０ｂと電気的に連結され得る。
【0100】
一方、本実施例では、セラミックプレート１０２０の下部面に付着した外部電極連結部材１０３０が１本のライン（ｌｉｎｅ）を形成することを例示しているが、必ずしもこれに制限されない。例えば、図１１に示すように、セラミックプレート１０２０の下部面に付着した外部電極連結部材１０３０は、２ライン又は４ラインで形成されてもよい。その他にも、前記外部電極連結部材１０３０は様々なデザインで形成されてよい。
【0101】
その後、外部電極連結部材１０３０の下部面の中央地点に第２ロッド連結部材１０７０を付着させることができる。これにより、前記第２ロッド連結部材１０７０は、外部電極連結部材１０３０を通じて第１及び第２外部電極１０６０ａ，１０６０ｂと電気的に連結され得る。
【0102】
このような外部電極連結部材１０３０、内部電極１０５０及び外部電極１０６０は、シートタイプ（ｓｈｅｅｔ ｔｙｐｅ）、メッシュタイプ（ｍｅｓｈ ｔｙｐｅ）及びペーストタイプ（ｐａｓｔｅ ｔｙｐｅ）のいずれか一つで形成されてよい。また、外部電極連結部材１０３０、内部電極１０５０及び外部電極１０６０は、電気伝導性に優れたモリブデン（Ｍｏ）から形成されてよい。また、外部電極連結部材１０３０は、一直線の長い帯状に形成されてよく、内部電極１０５０は円形の板状に形成されてよく、外部電極１０６０はリング（ｒｉｎｇ）状に形成されてよい。
【0103】
以上、上述したように、本発明の他の実施例に係るセラミック成形体の製造方法は、外部電極連結部材をセラミックプレートの貫通孔に挿入する必要がなく、外部電極連結部材の両端を地面に水平な方向に折り曲げる必要もないので、上述した図９のセラミック成形体の製造方法に比べて製品の信頼性及び作業の便宜性を向上させることができる。
【0104】
一方、以上では本発明の具体的な実施例に関して説明したが、本発明の範囲から逸脱しない限度内で、様々な変形が可能であることは勿論である。したがって、本発明の範囲は、説明された実施例に制限されず、後述する特許請求の範囲及びそれと均等なものによって定められるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図10D】
【図10E】
【図11】
