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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-10
(45)【発行日】2024-09-19
(54)【発明の名称】ＥＵＶ透過膜及びその使用方法、並びに露光方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/62 20120101AFI20240911BHJP
【ＦＩ】
G03F1/62
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2023562760
(86)(22)【出願日】2022-09-15
(86)【国際出願番号】 JP2022034607
(87)【国際公開番号】W WO2024057500
(87)【国際公開日】2024-03-21
【審査請求日】2023-10-12
(73)【特許権者】
【識別番号】000004064
【氏名又は名称】日本碍子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100113365
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 雅晴
(74)【代理人】
【識別番号】100209336
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 悠
(74)【代理人】
【識別番号】100218800
【弁理士】
【氏名又は名称】河内 亮
(72)【発明者】
【氏名】強力 尚紀
(72)【発明者】
【氏名】谷村 昴
(72)【発明者】
【氏名】柏屋 俊克
(72)【発明者】
【氏名】茶園 弘基
【審査官】藤本 加代子
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０２１／０１８７７７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特表２０１７－５２２５９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０２１－００４７４５５（ＫＲ，Ａ）
【文献】特開２０２０－０９８２２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】韓国公開特許第１０－２０２０－００７６２５８（ＫＲ，Ａ）
【文献】特開２００５－０４３８９５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０３Ｆ １／００－１／８６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８５％以上の主層であって、単層、又は２層以上の複合層で構成され、Ｂｅを主成分として含む主層と、前記主層の少なくとも片面を覆う保護層であって、非晶質炭素、Ｃｕ、Ａｌ及び有機レジストからなる群から選択される少なくとも１種を主成分として含む保護層と、
を備えた、ＥＵＶ透過膜。
【請求項2】
前記主層の５０ｍｏｌ％以上をＢｅが占める、請求項１に記載のＥＵＶ透過膜。
【請求項3】
前記主層の両面が前記保護層で覆われている、請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
【請求項4】
前記保護層の厚さが５ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
【請求項5】
前記保護層が非晶質炭素で構成される、請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
【請求項6】
請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、前記ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより前記保護層を除去する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の使用方法。
【請求項7】
請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、前記ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより前記保護層を除去して前記主層を露出させる工程と、
ＥＵＶ照射により前記露出した主層にＥＵＶを透過させて、前記ＥＵＶ露光装置内の感光基板にパターン露光を施す工程と、
【請求項8】
請求項１又は２に記載のＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより前記保護層を除去する工程を含む、ＥＵＶ透過膜の使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＥＵＶ透過膜及びその使用方法、並びに露光方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体製造プロセスにおける微細化が年々進行しており、各工程で様々な改良がなされている。特に、フォトリソグラフィ工程においては、従来のＡｒＦ露光の波長１９３ｎｍに代えて、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（極端紫外線）光が使用され始めた。その結果、波長が一気に１／１０以下になり、その光学的特性は全く異なるものとなった。しかし、ＥＵＶ光に対して高透過率を有する物質が無いため、例えばフォトマスク（レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ））のパーティクル付着防止膜であるペリクル（ｐｅｌｌｉｃｌｅ）にはまだ実用的な物が存在しない。このため、デバイスメーカーはペリクルを使うことができずに半導体デバイスの製造を行っているのが現状である。
【0003】
そこで、ペリクル膜の開発が行われており、ペリクル膜のコア材料はＥＵＶ透過率が高いＳｉ、Ｂｅ、Ｙ、Ｚｒ等を用いるのが望ましいとされている。特許文献１（特許第６８５８８１７号公報）には、コア層が（ポリ）Ｓｉ等のＥＵＶ放射に実質的に透明な材料を含むコア層と、ＩＲ放射を吸収する材料を含むキャップ層とを備えたペリクル膜が開示されている。
【0004】
また、特許文献２（特開２０２０－９８２２７号公報）には、ペリクルフレームの一端面に張設されるペリクル膜であって、単結晶Ｓｉの主層と、主層の片面又は両面にグラフェンを有するペリクル膜が開示されている。主層がグラフェンを有することで、ペリクル作製中にペリクル膜の破損がなく十分な機械的強度を呈することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特許第６８５８８１７号公報
【文献】特開２０２０－９８２２７号公報
【発明の概要】
【0006】
ところで、ペリクル膜に用いられる、上述したＥＵＶ透過率が高いコア材料は、大気中でその表面に数ｎｍの自然酸化膜を形成し、この酸化膜がＥＵＶを吸収することでペリクル膜のＥＵＶ透過率が低下してしまう。とりわけＢｅはＥＵＶ透過率が高い材料であるが、その表面には２～３ｎｍの自然酸化膜が形成するとされており、その酸化膜による透過率損失は６～９％と大きい。また、ペリクル膜を作製するプロセスでは、大気以外のフッ素や塩素といったガスや、酸やアルカリ溶液を用いた処理を行うことがあるため、コア材料の表面に副反応膜が生じて、これによりＥＵＶ透過率が低下することも起こり得る。そのため、これらの膜の形成を抑制するための保護層を、コア材料表面に形成するのが望ましい。
【0007】
しかしながら、ＳｉやＢｅのようなコア材料の表面に反応抑制保護層を付けることで、ペリクル膜の著しいＥＵＶ透過率の低下は防げるものの、このような保護層も純粋なコア材料と比べるとＥＵＶ透過率が低く、ペリクル膜全体としてのＥＵＶ透過率の低下につながる。例えば、Ｂｅコア材料の保護層としてＲｕが挙げられるが、このＲｕをＢｅコア材料の表面及び裏面に１～２ｎｍ設けた３層構造（Ｒｕ／Ｂｅ／Ｒｕ）のペリクル膜を考えた場合、Ｒｕ保護層により約３～６％のＥＵＶ透過率損失が生じ、ペリクル膜としての性能は大きく低下する。その他にも保護層としてＳｉ３Ｎ４やＢｅ３Ｎ２のような窒化物が挙げられるが、上記同様にＥＵＶ透過率の低下が課題となる。すなわち、従来のペリクル膜においてＥＵＶ透過率低下の要因となっていた保護層によるＥＵＶ吸収を抑制又は無くすことができる、ＥＵＶ透過膜が望まれる。
【0008】
本発明者らは、今般、ＥＵＶ透過率が高い主層を、ＥＵＶ露光により除去可能な一時保護層で覆うことで、ＥＵＶ透過率低下の要因となっていた保護層によるＥＵＶ吸収を無くすことができ、それにより露光時に高いＥＵＶ透過率を呈することが可能なＥＵＶ透過膜を提供できるとの知見を得た。
【0009】
したがって、本発明の目的は、ＥＵＶ透過率低下の要因となっていた保護層によるＥＵＶ吸収を無くすことができ、それにより露光時に高いＥＵＶ透過率を呈することが可能なＥＵＶ透過膜を提供することにある。
【0010】
本発明によれば、以下の態様が提供される。
［態様１］
波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８５％以上の主層であって、単層、又は２層以上の複合層で構成される主層と、
前記主層の少なくとも片面を覆う保護層であって、非晶質炭素、Ｃｕ、Ａｌ及び有機レジストからなる群から選択される少なくとも１種を主成分として含む保護層と、
を備えた、ＥＵＶ透過膜。
［態様２］
前記主層の両面が前記保護層で覆われている、態様１に記載のＥＵＶ透過膜。
［態様３］
前記主層が、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｙ又はＺｒを主成分として含む、態様１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
［態様４］
前記保護層の厚さが５ｎｍ以下である、態様１～３のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
［態様５］
前記保護層が非晶質炭素で構成される、態様１～４のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
［態様６］
態様１～５のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、
前記ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより前記保護層を除去する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の使用方法。
［態様７］
態様１～５のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、
前記ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより前記保護層を除去して前記主層を露出させる工程と、
ＥＵＶ照射により前記露出した主層にＥＵＶを透過させて、前記ＥＵＶ露光装置内の感光基板にパターン露光を施す工程と、
を含む、露光方法。
［態様１］
波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８５％以上の主層であって、単層、又は２層以上の複合層で構成される主層と、
前記主層の少なくとも片面を覆う保護層であって、非晶質炭素、Ｃｕ、Ａｌ及び有機レジストからなる群から選択される少なくとも１種を主成分として含む保護層と、
を備えた、ＥＵＶ透過膜。
［態様２］
前記主層の両面が前記保護層で覆われている、態様１に記載のＥＵＶ透過膜。
［態様３］
前記主層が、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｙ又はＺｒを主成分として含む、態様１又は２に記載のＥＵＶ透過膜。
［態様４］
前記保護層の厚さが５ｎｍ以下である、態様１～３のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
［態様５］
前記保護層が非晶質炭素で構成される、態様１～４のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜。
［態様６］
態様１～５のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、
前記ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより前記保護層を除去する工程と、
を含む、ＥＵＶ透過膜の使用方法。
［態様７］
態様１～５のいずれか一つに記載のＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、
前記ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより前記保護層を除去して前記主層を露出させる工程と、
ＥＵＶ照射により前記露出した主層にＥＵＶを透過させて、前記ＥＵＶ露光装置内の感光基板にパターン露光を施す工程と、
を含む、露光方法。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明によるＥＵＶ透過膜の一形態を示す模式断面図である。
【図2A】例１～３におけるＥＵＶ透過膜の製造手順の前半部分を示す工程流れ図である。
【図2B】例１～３におけるＥＵＶ透過膜の製造手順の後半部分を示す工程流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
ＥＵＶ透過膜
図１に本発明の一形態によるＥＵＶ透過膜１０の模式断面図を示す。ＥＵＶ透過膜１０は、主層１２と、主層１２の少なくとも片面を覆う保護層１４とを備える。主層１２は波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８５％以上であり、単層、又は２層以上の複合層で構成される。保護層１４は非晶質炭素、Ｃｕ、Ａｌ及び有機レジストからなる群から選択される少なくとも１種を主成分として含む。このように、ＥＵＶ透過率が高い主層を、ＥＵＶ露光により除去可能な一時保護層で覆うことで、ＥＵＶ透過率低下の要因となっていた保護層によるＥＵＶ吸収を無くすことができ、それにより露光時に高いＥＵＶ透過率を呈することが可能なＥＵＶ透過膜を提供することができる。
図１に本発明の一形態によるＥＵＶ透過膜１０の模式断面図を示す。ＥＵＶ透過膜１０は、主層１２と、主層１２の少なくとも片面を覆う保護層１４とを備える。主層１２は波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８５％以上であり、単層、又は２層以上の複合層で構成される。保護層１４は非晶質炭素、Ｃｕ、Ａｌ及び有機レジストからなる群から選択される少なくとも１種を主成分として含む。このように、ＥＵＶ透過率が高い主層を、ＥＵＶ露光により除去可能な一時保護層で覆うことで、ＥＵＶ透過率低下の要因となっていた保護層によるＥＵＶ吸収を無くすことができ、それにより露光時に高いＥＵＶ透過率を呈することが可能なＥＵＶ透過膜を提供することができる。
【0013】
前述のとおり、ＥＵＶ透過率が高いコア材料は、大気中でその表面に数ｎｍの自然酸化膜を形成することがある。また、ペリクル膜を作製するプロセスでは、大気以外のフッ素や塩素といったガスや、酸やアルカリ溶液を用いた処理を行うことがあるため、コア材料の表面に副反応膜が生じることもある。このような膜の形成により、ペリクル膜のＥＵＶ透過率が低下する。そのため、これらの膜の形成を抑制するための保護層を、コア材料表面に形成するのが望ましい。しかしながら、コア材料の表面に反応抑制保護層を付けることで、ペリクル膜全体としてのＥＵＶ透過率の低下につながる。これらの問題が、本発明のＥＵＶ透過膜によれば首尾よく解決される。本発明のＥＵＶ透過膜が、自然酸化膜等の形成を防ぎながらも、保護層によるＥＵＶ透過率低下も防ぐことができるメカニズムは以下のとおりである。本発明のＥＵＶ透過膜は、ＥＵＶ透過率が高い主層と、主層の少なくとも片面を覆う保護層を備えるところ、この保護層は、ＥＵＶ露光により除去可能な一時保護層である。すなわち、ペリクル膜は、これを作製しＥＵＶ露光装置に搭載され露光プロセスに付されるまでの間に、上述した自然酸化膜や副反応膜が形成されてしまうところ、本発明のＥＵＶ透過膜は保護層を有することで上述した膜の形成を防ぐことができる。次に、露光プロセスは一般的に水素雰囲気中で行われ、その雰囲気中にはＥＵＶにより生じた水素ラジカルが多く存在する。そこで、保護層を水素ラジカルで除去される材料で構成することにより、露光装置内でＥＵＶ透過膜の保護膜が除去され、純粋なコア材料（主層）のみの膜が得られるため、ペリクル膜として高い透過率を呈することができる。このようなメカニズムにより、本発明のＥＵＶ透過膜は、一時保護層により、自然酸化膜等の形成を防ぎながらも、露光プロセス中の一時保護層の除去により、保護層によるＥＵＶ透過率低下を防ぐことができる。その結果、露光時に高いＥＵＶ透過率を呈することが可能となる。
【0014】
主層１２は、波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ透過率が８５％以上であり、好ましくは９２％以上、より好ましくは９４％以上、さらに好ましくは９６％以上である。露光プロセスにおいて、ＥＵＶ透過膜１０のうち保護層１４が除去され主層１２が残ることなる。そのため、主層１２のＥＵＶ透過率は高ければ高いほど望ましく、その上限値は特に限定されず理想的には１００％であるが、典型的には９９％以下、より典型的には９８％以下である。
【0015】
主層１２は、単層であってもよいし、２層以上の複合層であってもよい。いずれにしても、主層１２は、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｙ又はＺｒを主成分として含むのが好ましい。ここで、主層１２における「主成分」とは、主層１２の５０ｍｏｌ％以上、好ましくは７０ｍｏｌ％以上、より好ましくは８０ｍｏｌ％以上、さらに好ましくは９０ｍｏｌ％以上を占める成分を意味する。もっとも、主層１２（特に単層、又は複合層を構成する少なくとも１層）がＢｅ、Ｓｉ、Ｙ又はＺｒのみからなるものであってもよい。このような主層１２は、ペリクル膜としての基本的機能（パーティクル付着防止機能等）を確保しながら、高いＥＵＶ透過率の実現に寄与する。かかる観点から、主層１２の厚さは、１０～７０ｎｍであるのが好ましく、より好ましくは１５～５０ｎｍ、さらに好ましくは２０～３５ｎｍである。
【0016】
上述のとおり、主層１２は、２層以上の複合層であってもよい。例えば、金属ベリリウム層である主層に非晶質炭素の保護層を直接設けると、非晶質炭素と金属ベリリウムが反応して炭化ベリリウムを形成する場合がある。そこで、例えば主層１２を金属ベリリウム層／窒化ベリリウム層（あるいは窒化ベリリウム層／金属ベリリウム層／窒化ベリリウム層）のような複合層構成とし、窒化ベリリウム層上に非晶質炭素の保護層を設けることで、非晶質炭素と金属ベリリウムの反応を防ぐ、すなわち主層と保護層との反応を抑制することができる。なお、本明細書において「窒化ベリリウム」なる用語は、Ｂｅ３Ｎ２のような化学量論組成のみならず、Ｂｅ３Ｎ２－ｘ（式中０＜ｘ＜２である）のような非化学量論組成も許容する包括的な組成を意味するものとする。
【0017】
保護層１４は、主層１２を一時的に保護するための層である。したがって、保護層１４は、主層１２の少なくとも片面を覆っていればよいが、主層１２の両面を保護層で覆うのが好ましい。保護層１４は、非晶質炭素、Ｃｕ、Ａｌ及び有機レジストからなる群から選択される少なくとも１種を主成分として含む。ＥＵＶ透過率が高い点、保護層１４を除去した時の残渣による主層１２への影響が少ない点、及び保護層１４が除去されやすい点を考慮すると、保護層１４は、非晶質炭素を主成分として含むのが好ましく、より好ましくは非晶質炭素で構成される。非晶質炭素は一般に、完全に不規則の原子配列を有することは少なく、微視的には結晶構造を有しているところ（すなわち、微結晶を有する）、このような微結晶が不規則に配列し、全体として非晶質になることが多い。なかでも、ダイヤモンドのように立体的な４配位構造の微結晶を多く含むものをＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、グラファイトのように平面的な３配位構造の微粒子を多く含むものをＧＬＣ（Ｇｒａｐｈｉｔｅ－ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）と呼ぶ。保護層１４は完全に不規則な原子配列を有する炭素であってもよく、微結晶を不規則に有する炭素であってもよい。さらには、完全に緻密でなく、微細な気孔を含む非晶質炭素であってもよい。ここで、保護層１４における「主成分」とは、保護層１４の総重量に占める重量が５０重量％以上、好ましくは６０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上である成分を意味する。もっとも、保護層１４は、非晶質炭素、Ｃｕ、Ａｌ及び有機レジストからなる群から選択される少なくとも１種のみからなるものであってもよい。
【0018】
保護層１４の厚さは５ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３ｎｍ以下である。保護層１４の厚さの下限値は特に限定されないが、典型的には１ｎｍ以上である。
【0019】
上述のとおり、主層１２は２層以上の層の複合層であってもよく、例えば、主層１２がベリリウム層等の金属層に加え、その片面又は両面に窒化ベリリウム層等の窒化物層を備えていてもよい。この場合、主層１２は、ベリリウム層等の金属層に近づくにつれて窒素濃度が減少する窒素濃度傾斜領域を有するのが好ましい。すなわち、上述のとおり窒化ベリリウムの組成にはＢｅ３Ｎ２のような化学量論組成からＢｅ３Ｎ２－ｘ（式中０＜ｘ＜２である）のような非化学量論組成まで包含しうるところ、窒化ベリリウム層を構成する窒化ベリリウムが、ベリリウム層に近づくにつれてベリリウムリッチの組成に近づく傾斜組成とするのが好ましい。こうすることで、主層１２を構成する窒化物層（すなわち窒化ベリリウム層）と金属層（すなわちベリリウム層）との密着性を向上できるとともに、両層間の熱膨張差に起因する応力の発生を緩和することができる。すなわち、両層間の密着性を向上させて剥離を抑制したり、ＥＵＶ光を吸収して高温になった場合の両層間の熱膨張緩和層として剥離しにくくしたりすることができる。窒素濃度傾斜領域の厚さは、窒化物層の厚さよりも小さいのが好ましい。すなわち、窒化物層の厚さの全域が窒素濃度傾斜領域である必要はない。例えば、窒化物層の厚さの一部のみ、例えば、窒化物層の厚さのうち１０～７０％の領域が窒素濃度傾斜領域であるのが好ましく、より好ましくは１５～５０％の領域が窒素濃度傾斜領域である。
【0020】
ＥＵＶ透過膜１０は、ＥＵＶを透過するための主要領域が自立膜の形態であるのが好ましい。すなわち、ＥＵＶ透過膜１０の外縁部にのみ、成膜時に用いた基板（例えばＳｉ基板）がボーダー（ｂｏｒｄｅｒ）として残存しているのが好ましい、つまり、外縁部以外の主要領域には基板（例えばＳｉ基板）が残存していない、すなわち主要領域は主層１２及び保護層１４のみで構成されるのが好ましい。そして、露光プロセスにおいて保護層１４が全て除去されるのが好ましい。なお、露光装置内は通常、超高真空になるまで減圧した後に処理を開始することから、露光装置内部の酸素分圧は著しく低く、保護層１４が除去されて露出した主層１２が酸化することはほぼない。露光装置内のわずかな残留酸素で、主層１２表面がごくわずかに酸化する可能性があるが、酸化した部分は水素雰囲気中のＥＵＶ照射により還元することができる。そのため、露光プロセスに付されたＥＵＶ透過膜１０は、露光装置から取り出すまで高いＥＵＶ透過率を維持することができる。
【0021】
製造方法
本発明によるＥＵＶ透過膜は、Ｓｉ基板上にＥＵＶ透過膜とすべき積層膜を形成した後、Ｓｉ基板の不要部分をエッチングで除去して自立膜化することにより作製することができる。したがって、前述のとおり、ＥＵＶ透過膜の主要部分はＳｉ基板が残存していない自立膜の形態となっている。
本発明によるＥＵＶ透過膜は、Ｓｉ基板上にＥＵＶ透過膜とすべき積層膜を形成した後、Ｓｉ基板の不要部分をエッチングで除去して自立膜化することにより作製することができる。したがって、前述のとおり、ＥＵＶ透過膜の主要部分はＳｉ基板が残存していない自立膜の形態となっている。
【0022】
（１）Ｓｉ基板の準備
まず、その上に積層膜を形成するためのＳｉ基板を準備する。Ｓｉ基板は、その上に主層１２と保護層１４からなる積層膜を形成した後に、その外縁部以外の主要領域（すなわち自立膜とすべき領域）がエッチングにより除去されることになる。したがって、エッチングを効率良く短時間で行うため、予め自立膜とすべき領域のＳｉ基板の厚さを薄くしておくことが望ましい。そのため、通常の半導体プロセスを用いて、Ｓｉ基板にＥＵＶ透過形状に対応したマスクを形成し、ウェットエッチングによりＳｉ基板をエッチングして、Ｓｉ基板の主要領域の厚さを所定厚さまで薄くすることが望まれる。ウェットエッチングを経たＳｉ基板を洗浄及び乾燥することで、ウェットエッチングにより形成したキャビティを有するＳｉ基板を準備する。なお、ウェットエッチングマスクとしては、Ｓｉのウェットエッチング液に対して耐食性を有する材質であればよく、例えばＳｉＯ２が好適に使用される。また、ウェットエッチング液としては、Ｓｉをエッチング可能なものであれば特に限定されない。例えば、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を適切な条件で使用すれば、Ｓｉに対する異方性エッチングで非常に良好なエッチングができるため好ましい。
まず、その上に積層膜を形成するためのＳｉ基板を準備する。Ｓｉ基板は、その上に主層１２と保護層１４からなる積層膜を形成した後に、その外縁部以外の主要領域（すなわち自立膜とすべき領域）がエッチングにより除去されることになる。したがって、エッチングを効率良く短時間で行うため、予め自立膜とすべき領域のＳｉ基板の厚さを薄くしておくことが望ましい。そのため、通常の半導体プロセスを用いて、Ｓｉ基板にＥＵＶ透過形状に対応したマスクを形成し、ウェットエッチングによりＳｉ基板をエッチングして、Ｓｉ基板の主要領域の厚さを所定厚さまで薄くすることが望まれる。ウェットエッチングを経たＳｉ基板を洗浄及び乾燥することで、ウェットエッチングにより形成したキャビティを有するＳｉ基板を準備する。なお、ウェットエッチングマスクとしては、Ｓｉのウェットエッチング液に対して耐食性を有する材質であればよく、例えばＳｉＯ２が好適に使用される。また、ウェットエッチング液としては、Ｓｉをエッチング可能なものであれば特に限定されない。例えば、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を適切な条件で使用すれば、Ｓｉに対する異方性エッチングで非常に良好なエッチングができるため好ましい。
【0023】
（２）積層膜の形成
積層膜の形成は、いかなる成膜手法により行われてもよい。好ましい成膜手法の一例としては、スパッタリング法が挙げられる。非晶質炭素／ベリリウム／非晶質炭素の３層構造を作製する場合、主層１２としてのベリリウム膜は、純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリングにより作製し、保護層１４としての非晶質炭素膜は、グラファイトターゲットを用いたスパッタリングにより行うのが好ましい。なお、ベリリウムや非晶質炭素膜の形成手法はこれらに限定されるものではない。なお、ベリリウム膜と非晶質炭素膜は後述する実施例のように１つのチャンバーのスパッタリング装置で形成してもよいし、２チャンバーのスパッタリング装置を用いてベリリウム膜と非晶質炭素膜を別々のチャンバー内で形成してもよい。
積層膜の形成は、いかなる成膜手法により行われてもよい。好ましい成膜手法の一例としては、スパッタリング法が挙げられる。非晶質炭素／ベリリウム／非晶質炭素の３層構造を作製する場合、主層１２としてのベリリウム膜は、純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリングにより作製し、保護層１４としての非晶質炭素膜は、グラファイトターゲットを用いたスパッタリングにより行うのが好ましい。なお、ベリリウムや非晶質炭素膜の形成手法はこれらに限定されるものではない。なお、ベリリウム膜と非晶質炭素膜は後述する実施例のように１つのチャンバーのスパッタリング装置で形成してもよいし、２チャンバーのスパッタリング装置を用いてベリリウム膜と非晶質炭素膜を別々のチャンバー内で形成してもよい。
【0024】
主層１２を窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合層として作製する場合、ベリリウム膜は、純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリングにより作製し、窒化ベリリウム膜は、反応性スパッタリングにより行うのが好ましい。この反応性スパッタリングは、例えば、純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリング中に、チャンバー内に窒素ガスを入れることで、ベリリウムと窒素が反応して窒化ベリリウムを生成することにより行うことができる。また、別の手法として、窒化ベリリウムの作製は、ベリリウム膜を形成した後、窒素プラズマを照射することでベリリウムを窒化反応させて窒化ベリリウムを生成させることにより行うこともできる。いずれにしても、窒化ベリリウムの合成手法はこれらに限定されるものではない。
【0025】
窒化ベリリウム／ベリリウム／窒化ベリリウムの３層構造の複合層において窒素濃度傾斜領域を形成する場合、窒化ベリリウムの成膜及び金属ベリリウムの成膜を行うに際して、チャンバー内に窒素ガスを入れて純Ｂｅターゲットを用いたスパッタリングを継続して行いながら、途中から窒素ガスの導入を止めて金属ベリリウムの成膜に切り替えればよい。こうすることで、チャンバー内の窒素ガスの濃度の低下に伴い、成膜される膜中の窒素濃度が厚さ方向に減少する領域が形成される。一方、金属ベリリウムから窒化ベリリウムに切り替える場合は、上記とは逆に、スパッタリングを継続して行いながら、途中から窒素ガスの導入を始めれば、窒素濃度傾斜領域を形成することができる。窒素濃度傾斜領域の厚さは、窒素ガス濃度を変化させる時間を調整することにより制御することができる。
【0026】
（３）自立膜化
複合膜を形成したＳｉ基板の、ボーダーとして残す外縁部以外のＳｉ基板の不要部分をエッチングで除去して、複合膜の自立膜化を行う。Ｓｉのエッチングは、いかなる手法により行われてもよいが、ＸｅＦ２を用いたエッチングにより好ましく行うことができる。
複合膜を形成したＳｉ基板の、ボーダーとして残す外縁部以外のＳｉ基板の不要部分をエッチングで除去して、複合膜の自立膜化を行う。Ｓｉのエッチングは、いかなる手法により行われてもよいが、ＸｅＦ２を用いたエッチングにより好ましく行うことができる。
【0027】
使用方法及び露光方法
上述のとおり、露光プロセスは一般的に水素雰囲気中で行われ、その雰囲気中にはＥＵＶにより生じた水素ラジカルが多く存在する。そのため、ＥＵＶ透過膜１０における保護層１４は水素ラジカルにより除去され、純粋なコア材料（主層１２）のみの膜が得られるため、露光プロセスにおいて主層１２はペリクル膜として高い透過率を呈することができる。したがって、好ましいＥＵＶ透過膜の使用方法は、ＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより保護層を除去する工程とを含む。また、好ましい露光方法は、ＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより保護層を除去して主層を露出させる工程と、ＥＵＶ照射により露出した主層にＥＵＶを透過させて、ＥＵＶ露光装置内の感光基板にパターン露光を施す工程とを含む。
上述のとおり、露光プロセスは一般的に水素雰囲気中で行われ、その雰囲気中にはＥＵＶにより生じた水素ラジカルが多く存在する。そのため、ＥＵＶ透過膜１０における保護層１４は水素ラジカルにより除去され、純粋なコア材料（主層１２）のみの膜が得られるため、露光プロセスにおいて主層１２はペリクル膜として高い透過率を呈することができる。したがって、好ましいＥＵＶ透過膜の使用方法は、ＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより保護層を除去する工程とを含む。また、好ましい露光方法は、ＥＵＶ透過膜をＥＵＶ露光装置内に取り付ける工程と、ＥＵＶ透過膜にＥＵＶを照射し、それにより保護層を除去して主層を露出させる工程と、ＥＵＶ照射により露出した主層にＥＵＶを透過させて、ＥＵＶ露光装置内の感光基板にパターン露光を施す工程とを含む。
【実施例】
【0028】
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
【0029】
例１
図２Ａ及び２Ｂに示される手順に従い、非晶質炭素／ベリリウム／非晶質炭素の３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のようにして作製した。
図２Ａ及び２Ｂに示される手順に従い、非晶質炭素／ベリリウム／非晶質炭素の３層構造の複合自立膜（ＥＵＶ透過膜）を以下のようにして作製した。
【0030】
（１）Ｓｉ基板の準備
直径８インチ（２０．３２ｃｍ）のＳｉウェハ２０を用意した（図２Ａ（ａ））。このＳｉウェハ２０の両面に、熱酸化によりＳｉＯ２膜２２を５０ｎｍ厚さで形成した（図２Ａ（ｂ））。Ｓｉウェハ２０の両面にレジストを塗布し、片面に１１０ｍｍ×１４５ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク２４を形成した（図２Ａ（ｃ））。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、ＳｉＯ２膜２２の露出部分をエッチング除去してＳｉＯ２マスク２２ａを作製した（図２Ａ（ｄ））。ＳｉＯ２エッチングのためのレジストマスク２４をアッシング装置で除去した（図２Ａ（ｅ））。その後、ＴＭＡＨ液によりＳｉをウェットエッチングした。このエッチングは、事前にエッチングレートを測定しておき、狙いとするＳｉ基板厚５０μｍとするためのエッチング時間だけ実施した（図２Ａ（ｆ））。最後にＳｉエッチングしていない面に形成してあるＳｉＯ２膜２２をフッ酸により除去及び洗浄して、Ｓｉ基板２８を準備した（図２Ｂ（ｇ））。Ｓｉ基板外形は必要に応じてレーザー３０でダイシングして（図２Ｂ（ｈ））、所望の形状としてもよい（図２Ｂ（ｉ））。こうして、８インチ（２０．３２ｃｍ）Ｓｉウェハ２０の中央に１１０ｍｍ×１４５ｍｍのキャビティ２６を設け、キャビティ２６部分のＳｉ厚さが５０μｍであるＳｉ基板２８を準備した。
直径８インチ（２０．３２ｃｍ）のＳｉウェハ２０を用意した（図２Ａ（ａ））。このＳｉウェハ２０の両面に、熱酸化によりＳｉＯ２膜２２を５０ｎｍ厚さで形成した（図２Ａ（ｂ））。Ｓｉウェハ２０の両面にレジストを塗布し、片面に１１０ｍｍ×１４５ｍｍのレジストの穴ができるように、露光及び現像を行いＳｉＯ２エッチング用のレジストマスク２４を形成した（図２Ａ（ｃ））。この基板の一方の面をフッ酸でウェットエッチングすることにより、ＳｉＯ２膜２２の露出部分をエッチング除去してＳｉＯ２マスク２２ａを作製した（図２Ａ（ｄ））。ＳｉＯ２エッチングのためのレジストマスク２４をアッシング装置で除去した（図２Ａ（ｅ））。その後、ＴＭＡＨ液によりＳｉをウェットエッチングした。このエッチングは、事前にエッチングレートを測定しておき、狙いとするＳｉ基板厚５０μｍとするためのエッチング時間だけ実施した（図２Ａ（ｆ））。最後にＳｉエッチングしていない面に形成してあるＳｉＯ２膜２２をフッ酸により除去及び洗浄して、Ｓｉ基板２８を準備した（図２Ｂ（ｇ））。Ｓｉ基板外形は必要に応じてレーザー３０でダイシングして（図２Ｂ（ｈ））、所望の形状としてもよい（図２Ｂ（ｉ））。こうして、８インチ（２０．３２ｃｍ）Ｓｉウェハ２０の中央に１１０ｍｍ×１４５ｍｍのキャビティ２６を設け、キャビティ２６部分のＳｉ厚さが５０μｍであるＳｉ基板２８を準備した。
【0031】
（２）複合膜の形成
上記（１）で得られたキャビティ２６を備えたＳｉ基板２８に、非晶質炭素／ベリリウム／非晶質炭素の３層構造の複合膜を以下のようにして形成した（図２Ｂ（ｉ））。まず、マルチターゲットのスパッタリング装置にＳｉ基板２８をセットし、グラファイトターゲット及び純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、グラファイトターゲットを使用して、内圧０．３Ｐａでアルゴンガスのみでスパッタリングを行い、非晶質炭素としてＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）が２ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。次いで、チャンバー内を再度真空引きし、純Ｂｅターゲットを使用して、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが３０ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、最初と同様にグラファイトターゲットを使用してスパッタリングを行い、非晶質炭素が２ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。このようにして、非晶質炭素（Ｃ）２ｎｍ／ベリリウム（Ｂｅ）３０ｎｍ／非晶質炭素（Ｃ）２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜１０として形成した。すなわち、このＥＵＶ透過膜１０は、Ｂｅを主成分として含む主層と、非晶質炭素を主成分として含む保護層を主層の両面に備える。
上記（１）で得られたキャビティ２６を備えたＳｉ基板２８に、非晶質炭素／ベリリウム／非晶質炭素の３層構造の複合膜を以下のようにして形成した（図２Ｂ（ｉ））。まず、マルチターゲットのスパッタリング装置にＳｉ基板２８をセットし、グラファイトターゲット及び純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、グラファイトターゲットを使用して、内圧０．３Ｐａでアルゴンガスのみでスパッタリングを行い、非晶質炭素としてＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）が２ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。次いで、チャンバー内を再度真空引きし、純Ｂｅターゲットを使用して、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが３０ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、最初と同様にグラファイトターゲットを使用してスパッタリングを行い、非晶質炭素が２ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。このようにして、非晶質炭素（Ｃ）２ｎｍ／ベリリウム（Ｂｅ）３０ｎｍ／非晶質炭素（Ｃ）２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜１０として形成した。すなわち、このＥＵＶ透過膜１０は、Ｂｅを主成分として含む主層と、非晶質炭素を主成分として含む保護層を主層の両面に備える。
【0032】
（３）自立膜化
８インチ（２０．３２ｃｍ）基板を処理可能なＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、上記（２）で準備した複合膜付きのＳｉ基板２８をセットした。チャンバー内を十分真空引きした。このとき、チャンバー内に水分が残留していると、ＸｅＦ２ガスと反応してフッ酸を生じ、エッチャーの腐食や想定外のエッチングが起きてしまうため、十分な真空引きを行った。必要に応じて、チャンバー内を、真空引きと窒素ガス導入を繰り返し、残留水分を減らした。十分に真空引きが出来たところで、ＸｅＦ２原料ボンベと予備室の間のバルブを開いた。その結果、ＸｅＦ２が昇華して予備室内にもＸｅＦ２ガスが蓄積された。十分に予備室内にＸｅＦ２ガスが蓄積されたところで、予備室とチャンバーの間のバルブを開き、ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入した。ＸｅＦ２ガスはＸｅとＦに分解し、ＦはＳｉと反応してＳｉＦ４を生成した。ＳｉＦ４の沸点は－９５℃であるため、生成したＳｉＦ４は速やかに蒸発し、新たに露出したＳｉ基板とＦの反応が引き起こされた。Ｓｉエッチングが進行し、チャンバー内のＦが減少したところで、チャンバー内を真空引きし、再度ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入しエッチングを行った。このようにして、真空引き、ＸｅＦ２ガス導入、及びエッチングを繰り返して、自立膜化させる部分に対応するＳｉ基板２８が消失するまでエッチングを続けた。不要部分のＳｉ基板が無くなったところでエッチングを終了した。こうして、Ｓｉ製ボーダー（ｂｏｒｄｅｒ）２０を有する複合自立膜をＥＵＶ透過膜１０として得た（図２Ｂ（ｊ））。
８インチ（２０．３２ｃｍ）基板を処理可能なＸｅＦ２エッチャーのチャンバー内に、上記（２）で準備した複合膜付きのＳｉ基板２８をセットした。チャンバー内を十分真空引きした。このとき、チャンバー内に水分が残留していると、ＸｅＦ２ガスと反応してフッ酸を生じ、エッチャーの腐食や想定外のエッチングが起きてしまうため、十分な真空引きを行った。必要に応じて、チャンバー内を、真空引きと窒素ガス導入を繰り返し、残留水分を減らした。十分に真空引きが出来たところで、ＸｅＦ２原料ボンベと予備室の間のバルブを開いた。その結果、ＸｅＦ２が昇華して予備室内にもＸｅＦ２ガスが蓄積された。十分に予備室内にＸｅＦ２ガスが蓄積されたところで、予備室とチャンバーの間のバルブを開き、ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入した。ＸｅＦ２ガスはＸｅとＦに分解し、ＦはＳｉと反応してＳｉＦ４を生成した。ＳｉＦ４の沸点は－９５℃であるため、生成したＳｉＦ４は速やかに蒸発し、新たに露出したＳｉ基板とＦの反応が引き起こされた。Ｓｉエッチングが進行し、チャンバー内のＦが減少したところで、チャンバー内を真空引きし、再度ＸｅＦ２ガスをチャンバー内に導入しエッチングを行った。このようにして、真空引き、ＸｅＦ２ガス導入、及びエッチングを繰り返して、自立膜化させる部分に対応するＳｉ基板２８が消失するまでエッチングを続けた。不要部分のＳｉ基板が無くなったところでエッチングを終了した。こうして、Ｓｉ製ボーダー（ｂｏｒｄｅｒ）２０を有する複合自立膜をＥＵＶ透過膜１０として得た（図２Ｂ（ｊ））。
【0033】
例２（比較）
複合膜の形成を以下のとおり行ったこと以外は、例１と同様にしてルテニウム／ベリリウム／ルテニウムの３層構造の複合自立膜を作製した。
複合膜の形成を以下のとおり行ったこと以外は、例１と同様にしてルテニウム／ベリリウム／ルテニウムの３層構造の複合自立膜を作製した。
【0034】
（複合膜の形成）
例１の上記（１）で得られたキャビティを形成したＳｉ基板を、マルチターゲットのスパッタリング装置内に入れ、純ルテニウムターゲット及び純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、純ルテニウムターゲットを使用して、内圧０．３Ｐａでアルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ルテニウムが２ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。次いで、チャンバー内を再度真空引きし、純Ｂｅターゲットを使用して、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが３０ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、最初と同様に純ルテニウムターゲットを使用してスパッタリングを行い、ルテニウムが２ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。このようにして、ルテニウム（Ｒｕ）２ｎｍ／ベリリウム（Ｂｅ）３０ｎｍ／ルテニウム（Ｒｕ）２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜として形成した。
例１の上記（１）で得られたキャビティを形成したＳｉ基板を、マルチターゲットのスパッタリング装置内に入れ、純ルテニウムターゲット及び純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、純ルテニウムターゲットを使用して、内圧０．３Ｐａでアルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ルテニウムが２ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。次いで、チャンバー内を再度真空引きし、純Ｂｅターゲットを使用して、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが３０ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、最初と同様に純ルテニウムターゲットを使用してスパッタリングを行い、ルテニウムが２ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。このようにして、ルテニウム（Ｒｕ）２ｎｍ／ベリリウム（Ｂｅ）３０ｎｍ／ルテニウム（Ｒｕ）２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜として形成した。
【0035】
例３（比較）
複合膜の形成を以下のとおり行ったこと以外は、例１と同様にして結晶性炭素／ベリリウム／結晶性炭素の３層構造の複合自立膜を作製した。
複合膜の形成を以下のとおり行ったこと以外は、例１と同様にして結晶性炭素／ベリリウム／結晶性炭素の３層構造の複合自立膜を作製した。
【0036】
（複合膜の形成）
例１の上記（１）で得られたキャビティを形成したＳｉ基板を、化学気相成長（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））装置内に入れ、メタンをガス原料としてグラファイトの結晶構造を有する結晶性炭素を２ｎｍ成膜した。次いで、結晶性炭素を成膜したＳｉ基板をマルチターゲットのスパッタリング装置内に入れ、グラファイトターゲット及び純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、純Ｂｅターゲットを使用して、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが３０ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。グラファイトターゲットを使用して、内圧０．３Ｐａで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、非晶質炭素が０．５ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、スパッタリングしたＳｉ基板を再度気相成長装置に入れ、非晶質炭素が十分に除去されるまで、水素クリーニングを行い、最初と同様にメタンをガス原料としてグラファイトの結晶構造を有する結晶性炭素を２ｎｍ成膜した。このようにして、結晶性炭素（Ｃ）２ｎｍ／ベリリウム（Ｂｅ）３０ｎｍ／結晶性炭素（Ｃ）２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜として形成した。なお、スパッタリングで一時的に成膜した非晶質炭素はスパッタリングから化学気相成長するまでの間に、ベリリウムが酸化することを抑制するために形成したものである。
例１の上記（１）で得られたキャビティを形成したＳｉ基板を、化学気相成長（ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ））装置内に入れ、メタンをガス原料としてグラファイトの結晶構造を有する結晶性炭素を２ｎｍ成膜した。次いで、結晶性炭素を成膜したＳｉ基板をマルチターゲットのスパッタリング装置内に入れ、グラファイトターゲット及び純Ｂｅターゲットを取り付けた。チャンバー内を真空引きし、純Ｂｅターゲットを使用して、内圧０．５Ｐａで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、ベリリウムが３０ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。グラファイトターゲットを使用して、内圧０．３Ｐａで、アルゴンガスのみでスパッタリングを行い、非晶質炭素が０．５ｎｍ成膜される時間を見計らってスパッタリングを終了した。その後、スパッタリングしたＳｉ基板を再度気相成長装置に入れ、非晶質炭素が十分に除去されるまで、水素クリーニングを行い、最初と同様にメタンをガス原料としてグラファイトの結晶構造を有する結晶性炭素を２ｎｍ成膜した。このようにして、結晶性炭素（Ｃ）２ｎｍ／ベリリウム（Ｂｅ）３０ｎｍ／結晶性炭素（Ｃ）２ｎｍの複合膜をＥＵＶ透過膜として形成した。なお、スパッタリングで一時的に成膜した非晶質炭素はスパッタリングから化学気相成長するまでの間に、ベリリウムが酸化することを抑制するために形成したものである。
【0037】
ＥＵＶ透過率
例１～３で作製したＥＵＶ透過膜としての自立膜に対して、２０Ｐａの水素雰囲気中にて６００Ｗの出力でＥＵＶ光を１５分間照射した後、透過したＥＵＶ光量をセンサーで測定した。得られた測定値と、ＥＵＶ透過膜無しで直接のＥＵＶ光量をセンサーで測定した値との比較から、ＥＵＶ透過率を求めた。その結果、例１で作製した複合自立膜のＥＵＶ透過率は９５％であった。比較例である例２で作製した複合自立膜のＥＵＶ透過率は８８％であった。比較例である例３で作製した複合自立膜のＥＵＶ透過率は９０％であった。例３における複合自立膜を解析したところ、保護層には結晶性炭素が残存していることが確認された。すなわち、例３の結晶性炭素／ベリリウム／結晶性炭素の複合自立膜においては、露光プロセスにおいて結晶性炭素が除去されにくくベリリウムの主層表面に残存することで、複合自立膜のＥＵＶ透過率が低下すると考えられる。一方で、例１の非晶質炭素／ベリリウム／非晶質炭素の複合自立膜においては、露光プロセスにおいて非晶質炭素が除去されることでベリリウムの主層のみとなるため、９５％という高いＥＵＶ透過率を呈するものと考えられる。
例１～３で作製したＥＵＶ透過膜としての自立膜に対して、２０Ｐａの水素雰囲気中にて６００Ｗの出力でＥＵＶ光を１５分間照射した後、透過したＥＵＶ光量をセンサーで測定した。得られた測定値と、ＥＵＶ透過膜無しで直接のＥＵＶ光量をセンサーで測定した値との比較から、ＥＵＶ透過率を求めた。その結果、例１で作製した複合自立膜のＥＵＶ透過率は９５％であった。比較例である例２で作製した複合自立膜のＥＵＶ透過率は８８％であった。比較例である例３で作製した複合自立膜のＥＵＶ透過率は９０％であった。例３における複合自立膜を解析したところ、保護層には結晶性炭素が残存していることが確認された。すなわち、例３の結晶性炭素／ベリリウム／結晶性炭素の複合自立膜においては、露光プロセスにおいて結晶性炭素が除去されにくくベリリウムの主層表面に残存することで、複合自立膜のＥＵＶ透過率が低下すると考えられる。一方で、例１の非晶質炭素／ベリリウム／非晶質炭素の複合自立膜においては、露光プロセスにおいて非晶質炭素が除去されることでベリリウムの主層のみとなるため、９５％という高いＥＵＶ透過率を呈するものと考えられる。
【図1】
【図2A】
【図2B】