特許7554854IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

例えば、トランジスタおよび半導体装置に関する。または、本発明は、例えば、トランジスタおよび半導体装置の製造方法に関する。または、本発明は、例えば、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、プロセッサ、電子機器に関する。または、表示装置、液晶表示装置、発光装置、記憶装置、電子機器の製造方法に関する。または、表示装置、液晶表示装置、発光装置、記憶装置、電子機器の駆動方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

単位面積あたりの記憶容量の大きい半導体装置を提供することを課題の一とする。または、メモリセルを積層した新規な構造の半導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規な構造の半導体装置の駆動方法を提供することを課題の一とする。または、生産性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様は、メモリセルを有する半導体装置であって、メモリセルは、第1の導電体と、第1の導電体上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の、第1の領域、第2の領域、および第1の領域と第2の領域との間に配置された第3の領域を有する第1の酸化物と、第1の酸化物上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の第2の導電体と、第1の領域の側面に接して配置された第3の絶縁体と、第1の領域の側面に、第3の絶縁体を介して・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

単位面積あたりの記憶容量の大きい半導体装置を提供することができる。または、メモリセルを積層した新規な構造の半導体装置を提供することができる。または、新規な構造の半導体装置の駆動方法を提供することができる。または、生産性の高い半導体装置を提供することができる。

または、いずれかの半導体装置を有するモジュールを提供することができる。または、いずれかの半導体装置、または該モジュールを有する電子機器を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。または、新規なモジュールを提供することができる。または、新規な電子機器を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する回路図および断面図。
【図2】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する回路図。
【図3】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する回路図。
【図4】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する回路図。
【図5】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する回路図。
【図6】 本発明の一態様に係る半導体装置の駆動方法を説明するタイミングチャート。
【図7】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する模式図。
【図8】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図および平面図。
【図9】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する平面図。
【図10】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図および平面図。
【図11】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する平面図。
【図12】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する平面図。
【図13】 本発明の一態様に係る半導体装置を説明する断面図。
【図14】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図15】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図16】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図17】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図18】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図19】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図20】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図21】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図22】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図23】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図24】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図25】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図26】 本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する平面図および断面図。
【図27】 本発明の一態様に係る記憶装置の模式図。
【図28】 本発明の一態様に係るAIシステムの構成例を示すブロック図。
【図29】 本発明の一態様に係るAIシステムの応用例を説明するブロック図。
【図30】 本発明の一態様に係るAIシステムを組み込んだICの構成例を示す斜視模式図。
【図31】 本発明の一態様に係る電子機器を示す図。
【図32】 本発明の一態様に係る電子機器を示す図。
【図33】 本発明の一態様に係る電子機器を示す図。

代表図 図1本件の代表的な図

10:メモリセル、11:トランジスタ、12:トランジスタ、14:容量素子、20:メモリセルストリング、30:次元メモリセルアレイ、40:次元メモリセルアレイ、50:選択トランジスタアレイ、51:駆動回路、52:読み出し回路、53:駆動回路、54:駆動回路、60:選択トランジスタセル、61:トランジスタ、62:トランジスタ、106:酸化物、106A:酸化物、106B:酸化物、109a:領域、109b:領域、112:絶縁体、112A:絶縁体、112B:絶縁体、112C:絶縁体、114:導電体、114A:導電体、114B:導電体、114C:導電体、116:絶縁体、116A:絶縁体、116B:絶縁体、116C:絶縁体、118:絶縁体、118A:絶縁体、118B:絶縁体、118C:絶縁体、120:導電体、122:導電体、122A:導電体、122B:導電体、122C:導電体、126:絶縁体、127:絶縁体、128:絶縁体、129:絶縁体、130:絶縁体、130A:絶縁体、130B:絶縁体、130C:絶縁体、132:絶縁体、132A:絶縁体、134:酸化物、138:絶縁体、140:層、141:層、142:層、150:半導体基板、154a:導電体、154b:導電体、160:領域、162a:絶縁体、162b:絶縁体、164:絶縁体、165:絶縁体、166:絶縁体、168:絶縁体、170:絶縁体、172a:領域、172b:領域、172c:領域、172d:領域、174a:導電体、174b:導電体、176a:導電体、176b:導電体、178a:導電体、178b:導電体、178c:導電体、178d:導電体、180a:導電体、180b:導電体、180c:導電体、180d:導電体、1100:USBメモリ、1101:筐体、1102:キャップ、1103:USBコネクタ、1104:基板、1105:メモリチップ、1106:コントローラチップ、1110:SDカード、1111:筐体、1112:コネクタ、1113:基板、1114:メモリチップ、1115:コントローラチップ、1150:SSD、1151:筐体、1152:コネクタ、1153:基板、1154:メモリチップ、1155:メモリチップ、1156:コントローラチップ、2100:ロボット、2101:照度センサ、2102:マイクロフォン、2103:上部カメラ、2104:スピーカ、2105:ディスプレイ、2106:下部カメラ、2107:障害物センサ、2108:移動機構、2110:演算装置、2120:飛行体、2121:演算装置、2122:カメラ、2123:プロペラ、2130:携帯電子機器、2131:携帯型マイクロフォン、2980:自動車、2981:カメラ、4010:演算部、4011:アナログ演算回路、4012:DOSRAM、4013:NOSRAM、4014:FPGA、4015:3D-NAND、4020:制御部、4021:CPU、4022:GPU、4023:PLL、4024:SRAM、4025:PROM、4026:メモリコントローラ、4027:電源回路、4028:PMU、4030:入出力部、4031:外部記憶制御回路、4032:音声コーデック、4033:映像コーデック、4034:汎用入出力モジュール、4035:通信モジュール、4041:AIシステム、4041_1:AIシステム、4041_n:AIシステム、4041A:AIシステム、4041B:AIシステム、4098:バス線、4099:ネットワーク、5100:掃除ロボット、5101:ディスプレイ、5102:カメラ、5103:ブラシ、5104:操作ボタン、5120:ゴミ、5140:携帯電子機器、5300:ペースメーカ本体、5301a:バッテリー、5301b:バッテリー、5302:ワイヤ、5303:ワイヤ、5304:アンテナ、5305:鎖骨下静脈、5306:上大静脈、5900:センサ、5931:電極、5932:配線、7000:AIシステムIC、7001:リード、7002:プリント基板、7003:回路部、7004:実装基板、7031:Siトランジスタ層、7032:配線層、7033:OSトランジスタ層

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