特許7555200磁気抵抗素子，磁気メモリ及び磁気抵抗素子の製造方法

発明の名称　磁気抵抗素子，磁気メモリ及び磁気抵抗素子の製造方法

出願人　三星電子株式会社　（識別番号 390019839）

　　　　特許公開件数ランキング 102 位（295件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 116 位（235件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7555200

公報発行日　2024年9月24

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7555200

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