(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-12
(45)【発行日】2024-09-24
(54)【発明の名称】コア基板およびインターポーザ
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20240913BHJP
H01L 25/065 20230101ALI20240913BHJP
H01L 25/18 20230101ALI20240913BHJP
【ＦＩ】
H01L25/08 H
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2022578373
(86)(22)【出願日】2022-01-24
(86)【国際出願番号】 JP2022002456
(87)【国際公開番号】W WO2022163588
(87)【国際公開日】2022-08-04
【審査請求日】2023-06-29
(31)【優先権主張番号】PCT/JP2021/003321
(32)【優先日】2021-01-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000004064
【氏名又は名称】日本碍子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(74)【代理人】
【識別番号】100134991
【弁理士】
【氏名又は名称】中尾 和樹
(74)【代理人】
【識別番号】100148507
【弁理士】
【氏名又は名称】喜多 弘行
(72)【発明者】
【氏名】若園 芳嗣
(72)【発明者】
【氏名】谷 信
【審査官】庄司 一隆
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２００７／１２９５２６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００１－０６０７６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０５４３６９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０００－１６４４１７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－０５３０４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１３５８７０（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２５／００－２５／０７
２５／１０－２５／１１
２５／１６－２５／１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子が搭載されるインターポーザを構成するための、インダクタが内蔵されたコア基板であって、第１面と、厚み方向において前記第１面と反対の第２面とを有し、前記第１面と前記第２面との間に貫通孔を有するセラミック基板と、
前記貫通孔を貫通する導体部と、
前記貫通孔において前記導体部を囲み、セラミックスからなる磁性体部と、
を備え、
前記導体部は焼結金属からなる、コア基板。
【請求項2】
前記導体部は非中空体である、請求項１に記載のコア基板。【請求項3】
前記導体部と前記磁性体部とが互いに、有機材料を介さないで結合されている、請求項１または２に記載のコア基板。【請求項4】
前記導体部と前記磁性体部とが互いに無機結合されている、請求項１または２に記載のコア基板。【請求項5】
前記導体部と前記磁性体部とが互いに焼結している、請求項１または２に記載のコア基板。【請求項6】
請求項１から５のいずれか１項に記載のコア基板と、前記コア基板の前記導体部に接続された底面を有する接続ビアを含む配線部と、
を備え、前記接続ビアの前記底面は前記磁性体部および前記セラミック基板から離されている、インターポーザ。
【請求項7】
前記接続ビアが配置されたビア孔を有する絶縁体層をさらに備え、前記絶縁体層は前記コア基板の前記磁性体部および前記セラミック基板の各々と前記配線部とを隔てている、請求項６に記載のインターポーザ。【請求項8】
前記絶縁体層の前記ビア孔は、前記導体部に向かってテーパ状である、請求項７に記載のインターポーザ。【請求項9】
前記絶縁体層は有機物を含有する、請求項７または８に記載のインターポーザ。【請求項10】
前記配線部はめっき層である、請求項６から９のいずれか１項に記載のインターポーザ。【請求項11】
請求項１から５のいずれか１項に記載のコア基板と、前記コア基板の前記導体部に接続された電極パッドと、
前記電極パッドに接続された底面を有する接続ビアを含む配線部と、
を備え、前記接続ビアの前記底面は前記磁性体部および前記セラミック基板から離されている、インターポーザ。
【請求項12】
前記電極パッドは、前記磁性体部を覆う部分を有している、請求項１１に記載のインターポーザ。【請求項13】
前記電極パッドは銀を含む、請求項１１または１２に記載のインターポーザ。【請求項14】
前記電極パッドは焼結金属層である、請求項１１から１３のいずれか１項に記載のインターポーザ。【請求項15】
前記配線部はめっき層である、請求項１１から１４のいずれか１項に記載のインターポーザ。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コア基板およびインターポーザに関し、特に、半導体素子が搭載されるインターポーザを構成するための、インダクタが内蔵されたコア基板に関するものである。
【背景技術】
【0002】
特開２０１９－１７９７９２号公報（特許文献１）によれば、半導体装置において、半導体素子とマザーボードとの間にインターポーザが配置されている。半導体素子およびマザーボードの各々と、インターポーザとは、はんだボールを用いて接続されている。インターポーザとしては多層配線プリント板が示されており、これは、コア基板と、半導体素子に面するようにコア基板に積層された３層の導体回路層と、マザーボードに面するようにコア基板に積層された３層の導体回路層と、を含む。インターポーザの半導体素子搭載側においては、３層の導体回路層を通過することで段階的に配線寸法が縮小する。
【0003】
集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体素子のために、効率的なパワーマネージメントが求められることがある。典型的には、プロセッサチップ（半導体素子）が有する複数の演算コアの各々への供給電圧が、プロセッサの演算処理量などに応じて、電圧レギュレータによって制御される。電圧レギュレータを構成するためには、通常、スイッチ、キャパシタおよびインダクタを必要とする。演算コアごとに供給電圧を制御するためには、スイッチ、キャパシタおよびインダクタが、演算コアごとに必要になる。特にインダクタは、半導体素子に内蔵することが困難であり、通常、半導体素子とは別に準備される。このインダクタのフットプリントを抑えつつ十分なインダクタンスを確保するために、磁性体を用いることが提案されている。
【0004】
米国特許出願公開第２０１９／０２７９８０６号明細書（特許文献２）によれば、ダイ（半導体素子）とボード（マザーボード）との間に配置されたパッケージ基板（ここでは、一種のインターポーザ）が開示されている。このパッケージ基板には、前述した目的のためのインダクタが内蔵されている。具体的には、このパッケージ基板は、基板コアと、それを貫通する導電性貫通孔と、この導電性貫通孔の周りの磁性被覆と、を有している。磁性被膜は、磁性粒子を含んでいてよい。基板コアは、その上にビルドアップ層（導体回路層）が形成されることになる任意の基板であってよい。コア基板としては、有機材が例示されている。
【0005】
国際公開第２００７／１２９５２６号（特許文献３）によれば、インダクタが設けられたコア基板が開示されている。インダクタの製造方法としては、長手方向に延在する磁性体の軸方向に貫通孔が形成され、この貫通孔の内面に金属めっきによって導体が形成される。導体に中空を形成することで、導体と磁性体との間の熱膨張の差により発生するストレスが開放される。基板へインダクタを組み込む方法としては、基板に貫通孔が形成され、この貫通孔にインダクタが挿入され、インダクタと基板との間が樹脂で充填される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０１９－１７９７９２号公報
【文献】米国特許出願公開第２０１９／０２７９８０６号明細書
【文献】国際公開第２００７／１２９５２６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
インターポーザに接合されることになる、ダイ（半導体素子）は、近年、複数の演算コアを搭載している。特に、データサーバ向けなどの高性能プロセッサは、演算処理能力を高めるために多くの演算コアを有しているので、ダイ面積当たりの演算コア数が多く、演算コア当たりのダイ面積が小さくなってきている。これに対応するために、インターポーザの単位面積当たりに、より大きなインダクタンスを有する、高密度インダクタが求められている。
【0008】
上記の米国特許出願公開第２０１９／０２７９８０６号明細書においては、主に有機材からなる基板コアに、導電性貫通孔（導体部）と、当該導体部の周りに設けられ磁性粒子を含む磁性被膜（磁性体部）と、を形成することが例示されている。この場合、磁性体部は、基板コアの有機材の耐熱温度以下で形成される必要がある。これを満たす工法として、典型的には、磁性粒子が分散された樹脂を固化する工法がある。しかしながら、樹脂中に分散された磁性粒子によって磁性体部が構成される場合、磁性粒子の充填率（体積当たりの磁性粒子の割合）の限界に起因して、高透磁率を確保しにくい。インターポーザの上述した高密度化に対応して、インターポーザに内蔵されるインダクタのサイズを小さくする必要があるところ、上述したように磁性体部の透磁率を高くしにくいことから、高密度化によって各インダクタの寸法が小さくなると十分なインダクタンスを確保しにくくなる。
【0009】
上記の国際公開第２００７／１２９５２６号においては、インダクタの導体（導体部）は、めっき膜からなる。言い換えれば、導体部の形成方法として、めっき法が用いられる。これに起因して、導体部の電気特性（特に導電性）のばらつきが大きくなりやすい。
【0010】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、半導体素子が搭載されるインターポーザを構成するための、インダクタが内蔵されたコア基板であって、コア基板の単位面積当たりに大きなインダクタンスを有するインダクタを内蔵し、かつ安定的な電気特性を有するコア基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
一態様に従うコア基板は、半導体素子が搭載されるインターポーザを構成するための、インダクタが内蔵されたコア基板であって、セラミック基板と、導体部と、磁性体部とを有している。セラミック基板は、第１面と、厚み方向において第１面と反対の第２面とを有しており、第１面と第２面との間に貫通孔を有している。導体部は貫通孔を貫通している。磁性体部は、貫通孔において導体部を囲んでおり、セラミックスからなる。導体部は焼結金属からなる。
【発明の効果】
【0012】
上記一態様によれば、磁性体部は、磁性粒子が分散された樹脂からなるのではなく、セラミックスからなる。これにより、当該セラミックスを緻密に焼結させることによって、磁性体部の透磁率は十分に高めることができる。よって、コア基板は、単位面積当たりに、大きなインダクタンスを有するインダクタを内蔵することができる。また、導体部は焼結金属からなる。これにより、導体部がめっき膜である場合に比して、導体部の電気特性のばらつきを抑えることができる。よって、コア基板の電気特性を安定化することができる。
【0013】
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】実施の形態１における電子機器の構成を概略的に示す断面図である。
【図3】本発明の実施の形態１におけるコア基板に内蔵されているインダクタの構成を示す模式図である。
【図7】比較例のコア基板の構成を示す部分断面図である。
【図8】実施の形態２におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図9】実施の形態３におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図10】実施の形態４におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図11】実施の形態５におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図12】実施の形態６におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図13】実施の形態７におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図14】実施の形態８におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図15】実施の形態９におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図16】実施の形態１０におけるコア基板の構成を概略的に示す部分断面図である。
【図21】実施の形態１３におけるコア基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【図23】実施の形態１４におけるコア基板の構成を概略的に示す部分平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【0016】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１における電子機器９０１の構成を概略的に示す断面図である。電子機器９０１は、インターポーザ７００と、半導体素子８１１（ダイ）と、マザーボード８１２と、パッケージ基板８１３とを有している。インターポーザ７００は、コア基板６０１と、配線層７９１と、配線層７９２とを有している。
図１は、実施の形態１における電子機器９０１の構成を概略的に示す断面図である。電子機器９０１は、インターポーザ７００と、半導体素子８１１（ダイ）と、マザーボード８１２と、パッケージ基板８１３とを有している。インターポーザ７００は、コア基板６０１と、配線層７９１と、配線層７９２とを有している。
【0017】
配線層７９１および配線層７９２のそれぞれは、コア基板６０１の一方の面上および他方の面上に（具体的には、後述する第１面ＳＦ１および第２面ＳＦ２上に、直接的または間接的に）積層されている。配線層７９１および配線層７９２の各々は、ビルドアップ法またはスパッタ法などによってコア基板６０１上に積層されてもよいし、別体の配線板として接合されてもよい。
【0018】
配線層７９１は、コア基板６０１に面する側から、半導体素子８１１に面する側へと、配線寸法（例え、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）寸法）が縮小されるように構成された多層配線層であることが好ましい。これにより、コア基板６０１の配線寸法（Ｌ／Ｓ）がそれほど高くなくても、小さな端子ピッチを有する半導体素子８１１を搭載可能なインターポーザ７００を構成することができる。具体的には、配線層７９１は、コア基板６０１に面する通常配線層と、半導体素子８１１に面する微細配線層との積層体であってよい。
【0019】
通常配線層は、板状の有機材（例えば、エポキシ系の部材）または無機材（例えば、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）材または非磁性フェライト材）に配線構造を設けることによって形成されてよい。この有機材へ配線構造を形成するためには、例えば、Ｃｕめっきが用いられる。無機材へ配線構造を形成するためには、無機材を焼成工程によって形成する際に、Ａｇ（銀）またはＣｕ（銅）の焼成によって配線構造が同時に形成される。
【0020】
微細配線層は、微細配線の形成容易性の観点で、配線構造を板状の有機材（例えば、エポキシ系またはポリイミド系の部材）に設けることによって形成されることが好ましい。この有機材へ配線構造を形成するためには、例えば、Ｃｕめっきが用いられる。
【0021】
半導体素子８１１は、インターポーザ７００の配線層７９１上に搭載されている。半導体素子８１１はインターポーザ７００の配線層７９１に、例えば、はんだボール８２１によって接続されている。半導体素子８１１は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップであってよい。特に、ＩＣチップが、複数の演算コアを有するプロセッサチップである場合、前述した電圧レギュレータを、後述するインダクタを用いて構成することができる。
【0022】
インターポーザ７００は、配線層７９２がパッケージ基板８１３に接合されることによって、パッケージ基板８１３に搭載されている。この接合は、例えば、はんだボール８２３によって行われている。パッケージ基板８１３はマザーボード８１２に搭載されており、これは、例えば、はんだボール８２２を用いた接合によって行われている。
【0023】
上記によれば、インターポーザ７００の素子側（半導体素子８１１に面する側）が配線層７９１によって構成されており、インターポーザ７００の基板側（パッケージ基板８１３およびマザーボード８１２に面する側）が配線層７９２によって構成されている。インターポーザ７００の素子側および基板側の各々には、複数の端子（図示せず）が設けられている。素子側の端子ピッチは、基板側の端子ピッチよりも小さくてよく、この場合、インターポーザ７００は、端子ピッチを変換する機能を有している。なお変形例として、インターポーザの用途によっては、配線層７９１および配線層７９２のいずれか、または両方が、省略されてよい。
【0024】
図２は、電子機器９０１（図１）の変形例の電子機器９０２を示す断面図である。電子機器９０２においては、パッケージ基板８１３（図１）を介することなくインターポーザ７００がマザーボード８１２に接合されており、この接合は、例えば、はんだボール８２２によって行われている。
【0025】
図３は、本発明の実施の形態１におけるコア基板６０１に内蔵されているインダクタの構成を示す模式図である。コア基板６０１には、複数のインダクタＬ１およびＬ２が内蔵されており、さらなるインダクタＬ３～Ｌ６等が内蔵されていてもよく、インダクタの数は任意である。なお、以下においては、インダクタＬ１およびＬ２の構成について詳述するが、インダクタＬ３～Ｌ６なども同様の構成を有していてよい。
【0026】
図４は、図３に示されたインダクタＬ１およびインダクタＬ２の電気的接続の例を示す回路図である。本実施の形態においては、インダクタＬ１とインダクタＬ２との直列接続によって、これらの各々のインダクタンスよりも大きな合成インダクタンスを有するインダクタが構成され、当該インダクタの両端が、半導体素子８１１（図１）に面することになる第２面ＳＦ２上に配置される。これにより、半導体素子８１１へ、十分に大きなインダクタンスを有するインダクタを容易に接続することができる。なお、コア基板に内蔵された複数のインダクタ間の電気的接続は、図４に示されたものに限定されず、コア基板の用途に応じて適宜設計されてよい。これにより、任意の数のインダクタの直列構造、任意の数のインダクタの並列構造、またはこれらの組み合わせが構成されてよい。
【0027】
図５は、本発明の実施の形態１におけるコア基板６０１の構成を概略的に示す図であり、図６の線Ｖ－Ｖに沿う部分断面図である。図６は、図５の線ＶＩ－ＶＩに沿う部分断面図である。前述したように、コア基板６０１は、インターポーザ７００を構成するためのものであり、インダクタＬ１およびインダクタＬ２が内蔵されている。コア基板６０１は、セラミック基板１００と、第１導体部２０１と、第２導体部２０２と、第１磁性体部３０１と、第２磁性体部３０２と、接続部４５０と、端子部４０１と、端子部４０２とを有している。なお、第１導体部２０１および第２導体部２０２を総称して導体部２００ともいう。また、第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２を総称して磁性体部３００ともいう。
【0028】
セラミック基板１００は、第１面ＳＦ１と、厚み方向において第１面ＳＦ１と反対の第２面ＳＦ２とを有している。セラミック基板１００は、セラミック焼結体からなる基板である。セラミック焼結体は、実質的に有機成分を含んでおらず、ガラス成分は含んでいてよい。言い換えれば、セラミック基板１００は、ガラスセラミックスからなっていてよい。セラミック基板１００はＬＴＣＣからなるのが望ましい。ＬＴＣＣは、９００℃程度以下で焼結させることができるセラミックスであり、ＡｇまたはＣｕの融点よりも十分に低温で焼結させることができるので、ＡｇまたはＣｕを主成分とする電気抵抗の低い導体を内蔵して同時焼結することができる。セラミック基板１００は、第１面ＳＦ１と第２面ＳＦ２との間に第１貫通孔ＨＬ１および第２貫通孔ＨＬ２を有している。セラミック基板１００は、４ｐｐｍ／℃以上、１６ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有していることが好ましい。セラミック基板１００は、１ＧＨｚにおいて、８以下の比誘電率と、０．０１以下の誘電正接とを有していることが好ましい。
【0029】
第１導体部２０１および第２導体部２０２のそれぞれは、第１貫通孔ＨＬ１および第２貫通孔ＨＬ２を貫通している。これら導体部２００は非中空体である。言い換えれば、導体部２００は、その内部に中空を有していない。また、これら導体部２００は、例えば、Ａｇおよび／またはＣｕからなる。導体部２００は焼結金属からなる。
【0030】
第１磁性体部３０１は、第１貫通孔ＨＬ１において第１導体部２０１を囲んでいる。第２磁性体部３０２は、第２貫通孔ＨＬ２において第２導体部２０２を囲んでいる。第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２のそれぞれは、第１導体部２０１および第２導体部２０２に直接接していてよい。これら磁性体部３００の各々は、厚み方向に垂直な断面視（図６）において、円形状の内縁と、円形状の外縁とを有していてよい。なおこれら内縁および外縁は、円形状に代わって他の形状を有してよく、例えば、楕円形状、または、四角形状などの多角形状を有してよい。多角形状の角部は面取りされてよい。同様に、断面視において、第１貫通孔ＨＬ１、第２貫通孔ＨＬ２、および各導体部２００も、図６に示されているような円形状に代わって他の形状を有してよい。
【0031】
磁性体部３００は、セラミックス（セラミック焼結体）からなり、有機成分を含んでいない。インダクタの体積を小さくするために、磁性体部３００を構成する磁性材料は、高い透磁率を有することが望ましく、磁性体部３００は、７０％以上の緻密性を有していることが好ましい。インダクタの電気損失を小さくするために、磁性体部３００を構成する磁性材料は、高周波での磁気損失が小さい軟磁性材料であることが望ましく、例えば、周波数１００ＭＨｚでの磁気損失の正接が０．１以下の軟磁性材料であることが望ましい。磁性体部３００を構成する磁性材料は、高周波での磁気損失を小さくするために、高い体積電気抵抗率を有することが望ましく、具体的には、電気的な絶縁体であることが望ましい。磁性体部３００は、フェライト系材料からなることが好ましく、当該材料の結晶構造は、製造容易性の観点からはスピネル構造であることが好ましく、例えばＮｉ－Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトが用いられ、高透磁率の観点からは、厚み方向（図５における縦方向）に沿ったｃ軸配向性を有する六方晶構造であることが好ましい。
【0032】
なおコア基板６０１の製造方法は焼成工程を含む。この焼成工程において、セラミック基板１００と同時に、導体部２００（第１導体部２０１および第２導体部２０２）と磁性体部３００（第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２）とが焼成される。よって、導体部２００と磁性体部３００とは互いに、有機材料を介さないで結合されている。言い換えれば、導体部２００と磁性体部３００とは互いに無機結合されている。具体的には、導体部２００と磁性体部３００とは互いに焼結している。
【0033】
接続部４５０は、セラミック基板１００の第１面ＳＦ１上において、第１導体部２０１の一方端と、第２導体部２０２の一方端と、を互いに電気的に接続している。セラミック基板１００の第２面ＳＦ２上において、端子部４０１は第１導体部２０１の他方端に接続されており、端子部４０２は第２導体部２０２の他方端に接続されている。端子部４０１と端子部４０２とは互いに離れている。よって、第１導体部２０１の一方端と第２導体部２０２の一方端とが互いに電気的に接続されており、かつ、第１導体部２０１の他方端と第２導体部２０２の他方端とが互いに電気的に分離されている。これにより、図４に示された回路が構成される。
【0034】
コア基板６０１（図５および図６）の設計例を、以下に説明する。セラミック基板１００は、面内方向において５０ｍｍの辺を有する正方形状を有し、厚み方向において５５０μｍの寸法を有する。複数の貫通孔（第１貫通孔ＨＬ１および第２貫通孔ＨＬ２等）は４５０μｍピッチで配列される。セラミック基板１００は、例えば、Ｂａ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ元素を主成分とするＬＴＣＣ材料、またはガラスアルミナで形成される。磁性体部３００（図６）の各々は、外径３５０μｍと、内径１００μｍとを有する。導体部２００の各々は外径１００μｍを有する。導体部２００は、Ａｇの粉末焼結によって形成される。磁性体部３００は、フェライト焼結体からなり、その比透磁率を１６と見積もるものとする。この場合、１つのインダクタ（例えば、インダクタＬ１）のインダクタンスは、本発明者の見積によれば、１４０ＭＨｚにおいて約２ｎＨである。
【0035】
図７は、比較例のコア基板６９０の構成を示す部分断面図である。コア基板６９０においては、ガラスエポキシ樹脂からなる樹脂基板１９０に第１貫通孔ＨＬ１および第２貫通孔が形成されている。第１貫通孔ＨＬ１の側壁に第１磁性体部３９１および第１導体部２９１が順に形成されており、第１導体部２９１は、樹脂材２８１によって充填された中空構造を有している。同様に、第２貫通孔ＨＬ２の側壁に第２磁性体部３９２および第２導体部２９２が順に形成されており、第２導体部２９２は、樹脂材２８２によって充填された中空構造を有している。なお第１導体部２９１および第２導体部２９２を総称して導体部２９０ともいう。
【0036】
上記のように、第１磁性体部３９１および第２磁性体部３９２（総称して磁性体部３９０ともいう）は樹脂基板１９０内に形成されている。よって、磁性体部３９０の形成工程は、樹脂基板１９０の耐熱温度以下で行われる必要がある。この制約上、磁性体部３９０は、セラミック焼結体ではなく、磁性粒子が分散された樹脂からなる。この場合、磁性体部３９０において磁性粒子間の空隙は樹脂によって充填されており、この充填率を７０％以上に高めることは、通常、困難である。その結果、第１磁性体部３９１および第２磁性体部３９２の比透磁率は、第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２（図５）に比して、高めることが困難であり、例えば、６程度である。
【0037】
コア基板６９０の設計例を、以下に説明する。樹脂基板１９０は、面内方向において５０ｍｍの辺を有する正方形状を有し、厚み方向において１０００μｍの寸法を有する。複数の貫通孔（第１貫通孔ＨＬ１および第２貫通孔ＨＬ２等）は５００μｍピッチで配列される。磁性体部３９０の各々は、外径４００μｍと、内径２００μｍとを有する。導体部２９０の各々は外径２００μｍを有する。導体部２９０は、Ｃｕめっきによって形成される。磁性体部３９０は、磁性粒子が分散された樹脂からなり、その比透磁率を６と見積もるものとする。この場合の１つのインダクタ（例えば、インダクタＬ１）のインダクタンスは、本発明者の見積によれば、１４０ＭＨｚにおいて約１ｎＨである。この値は、本実施の形態の場合において見積もられた約２ｎＨの半分である。
【0038】
本実施の形態によれば、磁性体部３００（図５）は、磁性体部３９０（図７）のように磁性粒子が分散された樹脂からなるのではなく、セラミック焼結体からなる。これにより、当該セラミックスを緻密に焼結させることによって、磁性体部３００の透磁率は十分に高めることができる。よって、コア基板６０１は、単位面積当たりに、大きなインダクタンスを有するインダクタを内蔵することができる。また、導体部２００は焼結金属からなる。これにより、導体部２００がめっき膜である場合に比して、導体部２００の電気特性、特に導電性、のばらつきを抑えることができる。よって、コア基板の電気特性を安定化することができる。
【0039】
導体部２００は非中空体である。これにより、導体部２００の電気抵抗を低減することができる。
【0040】
導体部２００と磁性体部３００とは互いに、有機材料を介さないで結合されている。言い換えれば、導体部２００と磁性体部３００とは互いに無機結合されている。具体的には、導体部２００と磁性体部３００とは互いに焼結している。これにより、導体部２００と磁性体部３００とが互いに有機材料を介して結合されている場合に比して、コア基板６０１の耐熱性を高めることができる。
【0041】
セラミック基板１００（図５）は、樹脂基板１９０（図７）に比して、高い剛性を有している。これにより、セラミック基板１００に他の部材が付加された後も、セラミック基板１００には反りが生じにくい。よって、反りの小さなコア基板６０１を得ることができる。反りが抑制されることによって、第１に、配線層７９１および配線層７９２（図１）の形成歩留まり、特に、配線構造の密度が高い配線層７９１の歩留まり、が向上する。第２に、半導体素子８１１（図１）の実装の歩留まりが向上する。
【0042】
磁性体部３００が、厚み方向に垂直な断面視（図６）において、円形状の内縁と、円形状の外縁とを有している場合、導体部２００に対して磁性体部３００を当該断面視において等方的に配置することができる。
【0043】
磁性体部３００が７０％以上の緻密性を有している場合、磁性体部３００の透磁率を十分に高めやすい。
【0044】
セラミック基板１００が４ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下の熱膨張係数を有している場合、セラミック基板１００の熱膨張係数を、コア基板６０１を含むインターポーザ７００に実装されることになる半導体素子８１１（図１）の熱膨張係数と、インターポーザ７００が搭載されることになる典型的なマザーボード８１２（図１）の熱膨張係数と、の間とすることができる。これにより、電子機器９０１（図１）または電子機器９０２（図２）における、熱膨張収縮に起因しての反りの発生を、抑制することができる。
【0045】
磁性体部３００が絶縁体からなる場合、図５および図６に示されているように磁性体部３００が導体部２００に直接接していても、導体部２００から磁性体部３００への電流の拡散を避けることができる。
【0046】
磁性体部３００が導体部２００に直接接している場合、磁性体部３００を配置する領域が十分に確保しやすくなる。
【0047】
コア基板６０１は、第１導体部２０１および第１磁性体部３０１によって構成されるインダクタＬ１と、第２導体部２０２および第２磁性体部３０２によって構成されるインダクタＬ２と、を有している。これにより、コア基板６０１中に複数のインダクタを内蔵することができる。
【0048】
接続部４５０は、セラミック基板１００の第１面ＳＦ１上において第１導体部２０１の一方端（図５における下端）と第２導体部２０２の一方端（図５における下端）とを互いに電気的に接続している。これにより、第１導体部２０１および第１磁性体部３０１によって構成されるインダクタＬ１と、第２導体部２０２および第２磁性体部３０２によって構成されるインダクタＬ２と、を互いに電気的に接続することができる。
【0049】
図５に示されているように、第１導体部２０１の他方端（図中、上端）と第２導体部２０２の他方端（図中、上端）とが互いに電気的に分離されている場合、第１導体部２０１および第１磁性体部３０１によって構成されるインダクタＬ１と、第２導体部２０２および第２磁性体部３０２によって構成されるインダクタＬ２とが、並列ではなく直列に接続される。これにより、合成インダクタンスを高めることができる。
【0050】
＜実施の形態２＞
図８は、実施の形態２におけるコア基板６０２の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０２は接続部４５０（図５：実施の形態１）を有していない。またコア基板６０２は端子部４０１および端子部４０２（図５：実施の形態１）を有していない。なお、これら以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０２によれば、コア基板６０１（図５：実施の形態１）と同様にインダクタＬ１およびインダクタＬ２を内蔵しつつ、コア基板６０１に比して構成を簡素化することができる。
図８は、実施の形態２におけるコア基板６０２の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０２は接続部４５０（図５：実施の形態１）を有していない。またコア基板６０２は端子部４０１および端子部４０２（図５：実施の形態１）を有していない。なお、これら以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０２によれば、コア基板６０１（図５：実施の形態１）と同様にインダクタＬ１およびインダクタＬ２を内蔵しつつ、コア基板６０１に比して構成を簡素化することができる。
【0051】
＜実施の形態３＞
図９は、実施の形態３におけるコア基板６０３の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０３は第２磁性体部３０２（図５：実施の形態１）を有していない。なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０３によっても、コア基板６０１（図５：実施の形態１）と同様に、端子部４０１と端子部４０２との間にインダクタを配置することができる。なお当該インダクタは、実施の形態１と同様にインダクタＬ１を含むものの、実施の形態１と異なりインダクタＬ２（図５）は含まない。
図９は、実施の形態３におけるコア基板６０３の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０３は第２磁性体部３０２（図５：実施の形態１）を有していない。なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０３によっても、コア基板６０１（図５：実施の形態１）と同様に、端子部４０１と端子部４０２との間にインダクタを配置することができる。なお当該インダクタは、実施の形態１と同様にインダクタＬ１を含むものの、実施の形態１と異なりインダクタＬ２（図５）は含まない。
【0052】
＜実施の形態４＞
図１０は、実施の形態４におけるコア基板６０４の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０４は接続部４５０（図９：実施の形態３）を有していない。またコア基板６０４は端子部４０１および端子部４０２（図９：実施の形態３）を有していない。なお、これら以外の構成については、上述した実施の形態３の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０４によれば、コア基板６０３（図９：実施の形態３）と同様にインダクタＬ１を内蔵しつつ、コア基板６０３に比して構成を簡素化することができる。
図１０は、実施の形態４におけるコア基板６０４の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０４は接続部４５０（図９：実施の形態３）を有していない。またコア基板６０４は端子部４０１および端子部４０２（図９：実施の形態３）を有していない。なお、これら以外の構成については、上述した実施の形態３の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０４によれば、コア基板６０３（図９：実施の形態３）と同様にインダクタＬ１を内蔵しつつ、コア基板６０３に比して構成を簡素化することができる。
【0053】
＜実施の形態５＞
図１１は、実施の形態５におけるコア基板６０５の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０５は、接続部４５０および第２導体部２０２（図９：実施の形態３）を有していない。またコア基板６０５は、第２面ＳＦ２上の端子部４０２に代わって、第１面上において第１導体部２０１の一方端に接続された端子部４０３を有している。なお、これら以外の構成については、上述した実施の形態３の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０５によれば、コア基板６０３（図９：実施の形態３）と同様にインダクタＬ１を内蔵しつつ、コア基板６０３に比して構成を簡素化することができる。
図１１は、実施の形態５におけるコア基板６０５の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０５は、接続部４５０および第２導体部２０２（図９：実施の形態３）を有していない。またコア基板６０５は、第２面ＳＦ２上の端子部４０２に代わって、第１面上において第１導体部２０１の一方端に接続された端子部４０３を有している。なお、これら以外の構成については、上述した実施の形態３の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０５によれば、コア基板６０３（図９：実施の形態３）と同様にインダクタＬ１を内蔵しつつ、コア基板６０３に比して構成を簡素化することができる。
【0054】
＜実施の形態６＞
図１２は、実施の形態６におけるコア基板６０６の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０６は端子部４０１および端子部４０３（図１１：実施の形態５）を有していない。なお、これら以外の構成については、上述した実施の形態５の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０６によれば、コア基板６０５（図１１：実施の形態５）と同様にインダクタＬ１を内蔵しつつ、コア基板６０５に比して構成を簡素化することができる。
図１２は、実施の形態６におけるコア基板６０６の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０６は端子部４０１および端子部４０３（図１１：実施の形態５）を有していない。なお、これら以外の構成については、上述した実施の形態５の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。本実施の形態のコア基板６０６によれば、コア基板６０５（図１１：実施の形態５）と同様にインダクタＬ１を内蔵しつつ、コア基板６０５に比して構成を簡素化することができる。
【0055】
＜実施の形態７＞
図１３は、実施の形態７におけるコア基板６０７の構成を概略的に示す部分断面図である。
図１３は、実施の形態７におけるコア基板６０７の構成を概略的に示す部分断面図である。
【0056】
コア基板６０７は、第１絶縁体セラミック膜５５１および第２絶縁体セラミック膜５５２を含む複数の絶縁体セラミック膜５５０を有している。第１絶縁体セラミック膜５５１は第１磁性体部３０１を第１導体部２０１から隔てている。第２絶縁体セラミック膜５５２は第２磁性体部３０２を第２導体部２０２から隔てている。
【0057】
コア基板６０７は、セラミック基板１００の第１面ＳＦ１を含む平面に沿って、第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２の各々を少なくとも部分的に覆う絶縁体層５１１を有している。絶縁体層５１１は、第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２の各々と、接続部４５０との間を隔てている。絶縁体層５１１は、図示されているように、第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２の各々を部分的に覆っていてよい。
【0058】
コア基板６０７は、セラミック基板１００の第２面ＳＦ２を含む平面に沿って、第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２の各々を少なくとも部分的に覆う絶縁体層５１２を有している。絶縁体層５１２は、第１磁性体部３０１と端子部４０１との間を隔てており、また第２磁性体部３０２と端子部４０２との間を隔てている。絶縁体層５１２は、図示されているように、第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２の各々を全体的に覆っていてよい。
【0059】
絶縁体層５１１および絶縁体層５１２は、非磁性体からなっていてよい。絶縁体層５１１および絶縁体層５１２は、無機材料、有機材料またはこれらの混合物からなる。当該無機材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは、異なっていてよい。絶縁体セラミック膜５５０は、非磁性体からなっていてよい。絶縁体セラミック膜５５０の材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは、異なっていてよい。絶縁体層５１１の材料と、絶縁体層５１２の材料と、絶縁体セラミック膜５５０の材料とは、互いに異なっていてよいが、共通の材料であることが好ましい。この共通の材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは異なっていてよい。
【0060】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0061】
本実施の形態によれば、絶縁体セラミック膜５５０が磁性体部３００を導体部２００から隔てている。これにより、導体部２００と磁性体部３００とが直接接することに起因しての悪影響を避けることができる。特に、無視できない導電性を磁性体部３００が有している場合（特に、磁性体部３００が導体の場合）において、導体部２００から磁性体部３００への電流の拡散を防止することができる。
【0062】
＜実施の形態８＞
図１４は、実施の形態８におけるコア基板６０８の構成を概略的に示す部分断面図である。
図１４は、実施の形態８におけるコア基板６０８の構成を概略的に示す部分断面図である。
【0063】
コア基板６０８は、セラミック基板１００の第１面ＳＦ１を含む平面に沿って第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２の各々を少なくとも部分的に覆う絶縁体層５０１を有している。絶縁体層５０１は、第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２の各々と、接続部４５０との間を隔てている。絶縁体層５０１は、図示されているように、第１面ＳＦ１を含む平面に沿って第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２を全体的に覆っていてよい。
【0064】
コア基板６０８は、セラミック基板１００の第２面ＳＦ２を含む平面に沿って第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２の各々を少なくとも部分的に覆う絶縁体層５０２を有している。絶縁体層５０２は、第１磁性体部３０１と端子部４０１との間を隔てており、また第２磁性体部３０２と端子部４０２との間を隔てている。絶縁体層５０２は、図示されているように、第２面ＳＦ２を含む平面に沿って第１磁性体部３０１および第２磁性体部３０２を全体的に覆っていてよい。
【0065】
絶縁体層５０１および絶縁体層５０２は、非磁性体からなっていてよい。絶縁体層５０１および絶縁体層５０２は、無機材料、有機材料またはこれらの混合物からなる。当該無機材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは、異なっていてよい。絶縁体層５０１の材料と、絶縁体層５０２の材料とは、互いに異なっていてよいが、共通の材料であることが好ましい。この共通の材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは異なっていてよい。
【0066】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0067】
本実施の形態によれば、絶縁体層５０１がセラミック基板１００の第１面ＳＦ１を含む平面に沿って磁性体部３００を少なくとも部分的に覆っている。これにより、磁性体部３００と第１面ＳＦ１上の構成との間の影響を抑制することができる。また、絶縁体層５０２がセラミック基板１００の第２面ＳＦ２を含む平面に沿って磁性体部３００を少なくとも部分的に覆っている。これにより、磁性体部３００と第２面ＳＦ２上の構成との間の影響を抑制することができる。
【0068】
＜実施の形態９＞
図１５は、実施の形態９におけるコア基板６０９の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０９は、コア基板６０８（図１４：実施の形態８）の構成に加えて、絶縁体セラミック膜５５０（図１３：実施の形態７）を有している。絶縁体層５０１および絶縁体層５０２の材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは、異なっていてよい。前者および後者の各々の場合において、絶縁体セラミック膜５５０の材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは、異なっていてよい。
図１５は、実施の形態９におけるコア基板６０９の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６０９は、コア基板６０８（図１４：実施の形態８）の構成に加えて、絶縁体セラミック膜５５０（図１３：実施の形態７）を有している。絶縁体層５０１および絶縁体層５０２の材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは、異なっていてよい。前者および後者の各々の場合において、絶縁体セラミック膜５５０の材料は、セラミック基板１００の材料と同じであってよく、あるいは、異なっていてよい。
【0069】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態７または８の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0070】
＜実施の形態１０＞
前述したコア基板６０８（図１４：実施の形態８）およびコア基板６０９（図１５：実施の形態９）においては、導体部２００と接続部４５０との境界面と、絶縁体層５０１と接続部４５０との境界面とが、ほぼ同一平面上にある。またこれらコア基板６０８およびコア基板６０９においては、端子部４０１と第１導体部２０１との境界面と、端子部４０１と絶縁体層５０２との境界面とが、ほぼ同一平面上にあり、また、端子部４０２と第２導体部２０２との境界面と、端子部４０２と絶縁体層５０２との境界面とが、ほぼ同一平面上にある。しかしながら、境界面の配置はこれに限定されるものではない。例えば、上述した実施の形態９と、以下で説明する本実施の形態１０との間で、境界面の配置には相違がある。
前述したコア基板６０８（図１４：実施の形態８）およびコア基板６０９（図１５：実施の形態９）においては、導体部２００と接続部４５０との境界面と、絶縁体層５０１と接続部４５０との境界面とが、ほぼ同一平面上にある。またこれらコア基板６０８およびコア基板６０９においては、端子部４０１と第１導体部２０１との境界面と、端子部４０１と絶縁体層５０２との境界面とが、ほぼ同一平面上にあり、また、端子部４０２と第２導体部２０２との境界面と、端子部４０２と絶縁体層５０２との境界面とが、ほぼ同一平面上にある。しかしながら、境界面の配置はこれに限定されるものではない。例えば、上述した実施の形態９と、以下で説明する本実施の形態１０との間で、境界面の配置には相違がある。
【0071】
図１６は、本実施の形態１０におけるコア基板６１０の構成を概略的に示す部分断面図である。コア基板６１０においては、導体部２００と接続部４５０との境界面がセラミック基板１００の第１面ＳＦ１にほぼ一致している。また、端子部４０１と第１導体部２０１との境界面と、端子部４０２と第２導体部２０２との境界面との各々が、セラミック基板１００の第２面ＳＦ２にほぼ一致している。
【0072】
なお、導体部２００と、それに接続される配線部（本実施の形態および他の実施の形態における、接続部４５０、端子部４０１、端子部４０２および端子部４０３など）との間の上述した境界面は、顕微鏡観察可能な境界面であってよいが、これに代わって、仮想的な境界面であってもよい。仮想的な境界面は、顕微鏡観察可能な境界面とは無関係に想定されてよい。
【0073】
＜実施の形態１１＞
図１７は、本実施の形態１１におけるインターポーザ７０１の構成を概略的に示す図であり、図１８の線ＸＶＩＩ－ＸＶＩＩに沿う部分断面図である。図１８は、図１７のインターポーザ７０１の第２面ＳＦ２の構成を概略的に示す部分平面図である。インターポーザ７０１は、インターポーザ７００（図１または図２）の一例である。具体的には、インターポーザ７０１は、コア基板６０６（図１２：実施の形態６）と、配線層７９１（図１または図２）としての、配線部４４１および絶縁体層５０２と、配線層７９２（図１または図２）としての、配線部４４３および絶縁体層５０１と、を含む。なお図１８においては、図を見やすくするために、コア基板６０６の構成が実線が示されており、コア基板６０６に付加された他の構成が破線で示されている。
図１７は、本実施の形態１１におけるインターポーザ７０１の構成を概略的に示す図であり、図１８の線ＸＶＩＩ－ＸＶＩＩに沿う部分断面図である。図１８は、図１７のインターポーザ７０１の第２面ＳＦ２の構成を概略的に示す部分平面図である。インターポーザ７０１は、インターポーザ７００（図１または図２）の一例である。具体的には、インターポーザ７０１は、コア基板６０６（図１２：実施の形態６）と、配線層７９１（図１または図２）としての、配線部４４１および絶縁体層５０２と、配線層７９２（図１または図２）としての、配線部４４３および絶縁体層５０１と、を含む。なお図１８においては、図を見やすくするために、コア基板６０６の構成が実線が示されており、コア基板６０６に付加された他の構成が破線で示されている。
【0074】
配線部４４１は、配線パターン４４１ｐと、接続ビア４４１ｖとを有している。接続ビア４４１ｖは、コア基板６０６の第１導体部２０１に接続された底面を有している。接続ビア４４１ｖの底面は第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００から離されている。なお配線パターン４４１ｐのパターンレイアウトは、図１８においては円形を有しているが、これに限定されるわけではなく、インターポーザ７０１に求められる回路構成に応じて適宜設計されてよい。
【0075】
同様に、配線部４４３は、配線パターン４４３ｐと、接続ビア４４３ｖとを有している。接続ビア４４３ｖは、コア基板６０６の第１導体部２０１に接続された底面を有している。接続ビア４４３ｖの底面は第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００から離されている。なお配線パターン４４３ｐのパターンレイアウトは、インターポーザ７０１に求められる回路構成に応じて適宜設計されてよい。
【0076】
絶縁体層５０２は、接続ビア４４１ｖが配置されたビア孔ＨＶ２を有している。ビア孔ＨＶ２は、図１７に示されているように第１導体部２０１に向かってテーパ状であることが好ましいが、ビア孔ＨＶ２の形状は、これに限定されるものではなく、ストレート状であってもよい。絶縁体層５０２は、コア基板６０６の第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の各々と、配線部４４１とを隔てている。絶縁体層５０２は、有機物を含有していることが好ましく、有機絶縁体層であってよく、例えばエポキシ系樹脂層であってよい。
【0077】
同様に、絶縁体層５０１は、接続ビア４４３ｖが配置されたビア孔ＨＶ１を有している。ビア孔ＨＶ１は、図１７に示されているように第１導体部２０１に向かってテーパ状であることが好ましいが、ビア孔ＨＶ１の形状は、これに限定されるものではなく、ストレート状であってもよい。絶縁体層５０１は、コア基板６０６の第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の各々と、配線部４４３とを隔てている。絶縁体層５０１は、有機物を含有していることが好ましく、有機絶縁体層であってよく、例えばエポキシ系樹脂層であってよい。
【0078】
配線部４４１は、めっき層であってよい。この場合、配線部４４１および絶縁体層５０２は、セミアディティブ法によって形成されてよく、例えば、概略、次のように形成されてよい。コア基板６０６の第２面ＳＦ２上に、未だビア孔ＨＶ２が形成されていない絶縁体層５０２としての有機絶縁膜が貼り付けられる。次に、レーザー加工によってビア孔ＨＶ２が形成される。次に、絶縁体層５０２の、ビア孔ＨＶ２の内面を含む表面上に、無電解銅めっきによってシード層が形成される。次に、配線部４４１の配線パターン４４１ｐが形成されることになる領域を露出するめっきレジストが絶縁体層５０２上に形成される。次に、上述したシード層およびめっきレジストを用いて、電解銅めっきが施される。次に、めっきレジストが剥離される。以上により、配線部４４１が形成される。配線部４４３および絶縁体層５０１も、同様に形成されてよい。
【0079】
本実施の形態によれば、接続ビア４４１ｖの底面は磁性体部３０１およびセラミック基板１００から離されている。具体的には、絶縁体層５０２がコア基板６０６の第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の各々と配線部４４１とを隔てている。これにより、第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の成分が配線部４４１へ混入することが避けられる。具体的には、第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の成分が、配線部４４１としてのめっき層を形成するためのめっき液中に溶出することが避けられる。これにより、配線部４４１の電気特性（特に導電性）のばらつきを抑制することができる。配線部４４３についても同様である。
【0080】
絶縁体層５０２のビア孔ＨＶ２が第１導体部２０１に向かってテーパ状である場合、上記のような構成を確保しつつ、第１導体部２０１から離れた位置においてビア孔ＨＶ２のサイズを、より大きくすることができる。これにより、その内部に配置された接続ビア４４１ｖの電気抵抗を、より小さくすることができる。絶縁体層５０１のビア孔ＨＶ１についても同様である。
【0081】
絶縁体層５０２が有機物を含有する場合（特に、絶縁体層５０２が有機絶縁体層である場合）、第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の成分が配線部４４１へ混入することを、より避けやすい。具体的には、第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の成分が、配線部４４１としてのめっき層を形成するためのめっき液中に溶出することを、より避けやすい。
【0082】
なお本実施の形態においては、インターポーザが有するコア基板として実施の形態６のコア基板６０６が用いられているが、他の実施の形態のコア基板が用いられてもよい。
【0083】
＜実施の形態１２＞
図１９は、本実施の形態１２におけるインターポーザ７０２の構成を概略的に示す図であり、図２０の線ＸＩＸ－ＸＩＸに沿う部分断面図である。図２０は、図１９のインターポーザ７０２の第２面ＳＦ２の構成を概略的に示す部分平面図である。インターポーザ７０２は、インターポーザ７００（図１または図２）の一例である。具体的には、インターポーザ７０２は、コア基板６０６（図１２：実施の形態６）と、配線層７９１（図１または図２）としての、配線部４４１、絶縁体層５０２および電極パッド４８１と、配線層７９２（図１または図２）としての、配線部４４３、絶縁体層５０１および電極パッド４８３と、を含む。なお図２０においては、図を見やすくするために、コア基板６０６の構成が実線が示されており、コア基板６０６に付加された他の構成が破線で示されている。
図１９は、本実施の形態１２におけるインターポーザ７０２の構成を概略的に示す図であり、図２０の線ＸＩＸ－ＸＩＸに沿う部分断面図である。図２０は、図１９のインターポーザ７０２の第２面ＳＦ２の構成を概略的に示す部分平面図である。インターポーザ７０２は、インターポーザ７００（図１または図２）の一例である。具体的には、インターポーザ７０２は、コア基板６０６（図１２：実施の形態６）と、配線層７９１（図１または図２）としての、配線部４４１、絶縁体層５０２および電極パッド４８１と、配線層７９２（図１または図２）としての、配線部４４３、絶縁体層５０１および電極パッド４８３と、を含む。なお図２０においては、図を見やすくするために、コア基板６０６の構成が実線が示されており、コア基板６０６に付加された他の構成が破線で示されている。
【0084】
電極パッド４８１は、コア基板６０６の第１導体部２０１に接続されている。配線部４４１の接続ビア４４１ｖの底面は、前述した実施の形態１１とは異なり本実施の形態においては、電極パッド４８１に接続されている。接続ビア４４１ｖの底面は第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００から離されている。電極パッド４８１は第１導体部２０１を覆っている。電極パッド４８１は、第１磁性体部３０１を覆う部分を有していてよい。具体的には、電極パッド４８１は、第２面ＳＦ２に沿って第１磁性体部３０１を、図１９に示されているように部分的に覆っていてよい。その場合、電極パッド４８１の縁は、図１９および図２０に示されているように、第１磁性体部３０１上に配置される。変形例として、電極パッド４８１は第２面ＳＦ２に沿って第１磁性体部３０１をちょうど覆っていてよく、その場合、電極パッド４８１の縁は、第１磁性体部３０１とセラミック基板１００との境界上に配置される。他の変形例として、電極パッド４８１は第１磁性体部３０１を、マージンを有しつつ覆っていてよく、その場合、電極パッド４８１の縁は、上記境界から離れてセラミック基板１００上に配置される。電極パッド４８１は焼結金属層である。焼結金属層は、ペースト層の印刷と、その焼結とによって形成され得る。電極パッド４８１は、主成分として、銀、銅、または、銀・銅合金を含んでよく、例えば、焼結銀層、焼結銅層、または、焼結銀・銅合金層であってよい。
【0085】
同様に、電極パッド４８３は、コア基板６０６の第１導体部２０１に接続されている。配線部４４３の接続ビア４４３ｖの底面は、前述した実施の形態１１とは異なり本実施の形態においては、電極パッド４８３に接続されている。接続ビア４４３ｖの底面は第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００から離されている。電極パッド４８３は第１導体部２０１を覆っている。電極パッド４８３は、第１磁性体部３０１を覆う部分を有していてよい。具体的には、電極パッド４８３は、第１面ＳＦ１に沿って第１磁性体部３０１を、図１９に示されているように部分的に覆っていてよい。その場合、電極パッド４８３の縁は、図１９に示されているように、第１磁性体部３０１上に配置される。変形例として、電極パッド４８３は第１面ＳＦ１に沿って第１磁性体部３０１をちょうど覆っていてよく、その場合、電極パッド４８３の縁は、第１磁性体部３０１とセラミック基板１００との境界上に配置される。他の変形例として、電極パッド４８３は第１磁性体部３０１を、マージンを有しつつ覆っていてよく、その場合、電極パッド４８３の縁は、上記境界から離れてセラミック基板１００上に配置される。電極パッド４８３は焼結金属層である。電極パッド４８３は、主成分として、銀、銅、または、銀・銅合金を含んでよく、例えば、焼結銀層、焼結銅層、または、焼結銀・銅合金層であってよい。
【0086】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【0087】
本実施の形態によれば、接続ビア４４１ｖの底面は磁性体部３０１およびセラミック基板１００から離されている。具体的には、絶縁体層５０２および電極パッド４８１が、コア基板６０６の第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の各々と配線部４４１とを隔てている。これにより、第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の成分が配線部４４１へ混入することが避けられる。具体的には、第１磁性体部３０１およびセラミック基板１００の成分が、配線部４４１としてのめっき層を形成するためのめっき液中に溶出することが避けられる。これにより、配線部４４１の電気特性、特に導電性、のばらつきを抑制することができる。配線部４４３についても同様である。
【0088】
電極パッド４８１が第１磁性体部３０１を覆う部分を有している場合、第１磁性体部３０１の成分の混入を、より確実に避けることができる。電極パッド４８３についても同様である。
【0089】
電極パッド４８１が、主成分として、銀、銅、または、銀・銅合金を含む場合、電極パッド４８１の成分が配線部４４１へ混入することを避けやすい。具体的には、電極パッド４８１の成分が、配線部４４１としてのめっき層を形成するためのめっき液中に溶出することを避けやすい。これにより、配線部４４１の電気特性（特に導電性）のばらつきを、より確実に抑制することができる。この効果は、電極パッド４８１が実質的に、銀または銅からなる場合、より確実に得られる。またこの効果は、電極パッド４８１が焼結銀層または焼結銅層である場合、より確実に得られる。よって電極パッド４８１は、焼結銀層であることが好ましい。電極パッド４８３についても同様である。
【0090】
なお本実施の形態においては、インターポーザが有するコア基板として実施の形態６のコア基板６０６が用いられているが、他の実施の形態のコア基板が用いられてもよい。
【0091】
＜実施の形態１３＞
図２１は、本実施の形態１３におけるコア基板６１３の構成を概略的に示す部分平面図である。図２２は、図２１の線ＸＸＩＩ－ＸＸＩＩに沿う部分断面図である。コア基板６１３は、２つのインダクタＬ１およびＬ２（図２２）を有している。インダクタＬ１は、貫通孔ＨＬ１Ａに設けられた、導体部２０１Ａおよび磁性体部３０１Ａを有している。インダクタＬ２は、貫通孔ＨＬ１Ｂに設けられた、導体部２０１Ｂおよび磁性体部３０１Ｂを有している。磁性体部３０１Ａと磁性体部３０１Ｂとは互いに離れている。具体的には、磁性体部３０１Ａと磁性体部３０１Ｂとは、セラミック基板１００によって隔てられている。なお、コア基板６１３のインダクタＬ１およびＬ２の各々は、コア基板６０６（図１２：実施の形態６）のインダクタＬ１と同様の構成を有していてよい。
図２１は、本実施の形態１３におけるコア基板６１３の構成を概略的に示す部分平面図である。図２２は、図２１の線ＸＸＩＩ－ＸＸＩＩに沿う部分断面図である。コア基板６１３は、２つのインダクタＬ１およびＬ２（図２２）を有している。インダクタＬ１は、貫通孔ＨＬ１Ａに設けられた、導体部２０１Ａおよび磁性体部３０１Ａを有している。インダクタＬ２は、貫通孔ＨＬ１Ｂに設けられた、導体部２０１Ｂおよび磁性体部３０１Ｂを有している。磁性体部３０１Ａと磁性体部３０１Ｂとは互いに離れている。具体的には、磁性体部３０１Ａと磁性体部３０１Ｂとは、セラミック基板１００によって隔てられている。なお、コア基板６１３のインダクタＬ１およびＬ２の各々は、コア基板６０６（図１２：実施の形態６）のインダクタＬ１と同様の構成を有していてよい。
【0092】
＜実施の形態１４＞
図２３は、本実施の形態１４におけるコア基板６１４の構成を概略的に示す部分平面図である。図２４は、図２３の線ＸＸＩＶ－ＸＸＩＶに沿う部分断面図である。コア基板６１４は、２つのインダクタＬ１およびＬ２（図２４）を有している。前述した実施の形態１３と同様に本実施の形態においても、インダクタＬ１およびインダクタＬ２はそれぞれ、導体部２０１Ａおよび導体部２０１Ｂを有している。一方で、前述した実施の形態１３と異なり本実施の形態１４においては、インダクタＬ１およびインダクタＬ２は、貫通孔ＨＬ１に設けられた磁性体部３０１を共有している。よって導体部２０１Ａと導体部２０１Ｂとは、セラミック基板１００によってではなく磁性体部３０１によって隔てられている。
図２３は、本実施の形態１４におけるコア基板６１４の構成を概略的に示す部分平面図である。図２４は、図２３の線ＸＸＩＶ－ＸＸＩＶに沿う部分断面図である。コア基板６１４は、２つのインダクタＬ１およびＬ２（図２４）を有している。前述した実施の形態１３と同様に本実施の形態においても、インダクタＬ１およびインダクタＬ２はそれぞれ、導体部２０１Ａおよび導体部２０１Ｂを有している。一方で、前述した実施の形態１３と異なり本実施の形態１４においては、インダクタＬ１およびインダクタＬ２は、貫通孔ＨＬ１に設けられた磁性体部３０１を共有している。よって導体部２０１Ａと導体部２０１Ｂとは、セラミック基板１００によってではなく磁性体部３０１によって隔てられている。
【0093】
共通の磁性体部３０１中に設けられる導体部の数は、図２３に示されているように２個に限定されるわけではない。図２５は、図２３の変形例を示す部分平面図である。本変形例においては、共通の磁性体部３０１の中に６つの導体部２０１Ａ～２０１Ｆが設けられている。またその配置は、第１方向（図中、縦方向）に沿った配列と、第２方向（図中、斜め方向）に沿った配列とを有している。
【0094】
なお本実施の形態のように、複数の導体部が共通の磁性体部の中に配置される構成は、前述した実施の形態１～１２のいずれのコア基板に適用されてもよい。
【0095】
上述した実施の形態および変形例は、互いに自由に組み合わされてよい。この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【0096】
１００：セラミック基板
２００，２０１，２０１Ａ～２０１Ｆ，２０２：導体部
３００，３０１，３０１Ａ，３０１Ｂ，３０２：磁性体部
４０１～４０３：端子部
４４１，４４３：配線部
４４１ｐ，４４３ｐ：配線パターン
４４１ｖ，４４３ｖ：接続ビア
４５０：接続部
４８１，４８３：電極パッド
５０１，５０２，５１１：絶縁体層
５５０：絶縁体セラミック膜
５５１：第１絶縁体セラミック膜
５５２：第２絶縁体セラミック膜
６０１～６１０，６１３～６１５：コア基板
７００～７０２：インターポーザ
７９１，７９２：配線層
８１１：半導体素子
８１２：マザーボード
８１３：パッケージ基板
８２１～８２３：はんだボール
９０１，９０２：電子機器
ＨＬ１，ＨＬ１Ａ，ＨＬ１Ｂ，ＨＬ２：貫通孔
ＨＶ１，ＨＶ２：ビア孔
Ｌ１～Ｌ６：インダクタ
ＳＦ１：第１面
ＳＦ２：第２面
２００，２０１，２０１Ａ～２０１Ｆ，２０２：導体部
３００，３０１，３０１Ａ，３０１Ｂ，３０２：磁性体部
４０１～４０３：端子部
４４１，４４３：配線部
４４１ｐ，４４３ｐ：配線パターン
４４１ｖ，４４３ｖ：接続ビア
４５０：接続部
４８１，４８３：電極パッド
５０１，５０２，５１１：絶縁体層
５５０：絶縁体セラミック膜
５５１：第１絶縁体セラミック膜
５５２：第２絶縁体セラミック膜
６０１～６１０，６１３～６１５：コア基板
７００～７０２：インターポーザ
７９１，７９２：配線層
８１１：半導体素子
８１２：マザーボード
８１３：パッケージ基板
８２１～８２３：はんだボール
９０１，９０２：電子機器
ＨＬ１，ＨＬ１Ａ，ＨＬ１Ｂ，ＨＬ２：貫通孔
ＨＶ１，ＨＶ２：ビア孔
Ｌ１～Ｌ６：インダクタ
ＳＦ１：第１面
ＳＦ２：第２面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】