特許 7555756 インプリントシステム、インプリント方法、および物品製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-13

(45)【発行日】2024-09-25

(54)【発明の名称】インプリントシステム、インプリント方法、および物品製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240917BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20240917BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

B29C59/02 Z

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2020135069

(22)【出願日】2020-08-07

(65)【公開番号】P2022030811

(43)【公開日】2022-02-18

【審査請求日】2023-08-02

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】飯野 諭

【審査官】今井 彰

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－１２１６９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－０４１５５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１００４２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－２２４８１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－２１２６７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０４７７３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００８－５１１９７２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７，２１／３０

Ｂ２９Ｃ ４３／５８、５９／０２

Ｇ０３Ｆ ７／００、９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板のショット領域の上のインプリント材と型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置を有するインプリントシステムであって、
前記型を保持する型保持部と、
前記型保持部によって保持された前記型の側面に力を加えて前記型のパターン領域を変形させる変形機構と、
前記変形機構を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記変形機構によって前記型に力を加えたときの前記型の応答特性に基づいて、前記型と前記インプリント材とを接触させる前に前記変形機構により前記型に事前荷重をかけておき、前記型と前記インプリント材との接触が完了した後、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させるように構成され、
前記応答特性は、前記型と前記インプリント材とを接触させた状態における前記変形機構の駆動力に対する前記型の変形量の関係を示す特性である、ことを特徴とするインプリントシステム。

【請求項2】

前記制御部は、複数の型のそれぞれの予め得られた応答特性から、前記型保持部によって保持された前記型に対応する前記応答特性を取得する、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリントシステム。

【請求項3】

基板のショット領域の上のインプリント材と型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置を有するインプリントシステムであって、
前記型を保持する型保持部と、
前記型保持部によって保持された前記型の側面に力を加えて前記型のパターン領域を変形させる変形機構と、
前記変形機構を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記変形機構によって前記型に力を加えたときの前記型の応答特性に基づいて、前記型と前記インプリント材とを接触させる前に前記変形機構により前記型に事前荷重をかけておき、前記型と前記インプリント材との接触が完了した後、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させるように構成され、
前記制御部は、第１ショット領域に対する前記インプリント処理において前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させた結果から、前記型保持部によって保持された前記型に対応する前記応答特性を取得する、ことを特徴とするインプリントシステム。

【請求項4】

基板のショット領域の上のインプリント材と型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置を有するインプリントシステムであって、
前記型を保持する型保持部と、
前記型保持部によって保持された前記型の側面に力を加えて前記型のパターン領域を変形させる変形機構と、
前記変形機構を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記変形機構によって前記型に力を加えたときの前記型の応答特性に基づいて、前記型と前記インプリント材とを接触させる前に前記変形機構により前記型に事前荷重をかけておき、前記型と前記インプリント材との接触が完了した後、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させるように構成され、
前記制御部は、前記型保持部によって保持された前記型の前記応答特性と基準となる型の前記応答特性との比に基づいて、前記事前荷重の値を決定する、ことを特徴とするインプリントシステム。

【請求項5】

前記制御部は、更に、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差を低減するために前記変形機構を駆動する際の当該駆動の向きが一定となるように、前記事前荷重の値を決定する、ことを特徴とする請求項４に記載のインプリントシステム。

【請求項6】

基板のショット領域の上のインプリント材と型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置を有するインプリントシステムであって、
前記型を保持する型保持部と、
前記型保持部によって保持された前記型の側面に力を加えて前記型のパターン領域を変形させる変形機構と、
前記変形機構を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記変形機構によって前記型に力を加えたときの前記型の応答特性に基づいて、前記型と前記インプリント材とを接触させる前に前記変形機構により前記型に事前荷重をかけておき、前記型と前記インプリント材との接触が完了した後、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させるように構成され、
前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差を低減するための前記変形機構の駆動は、線形成分の重ね合わせ誤差を低減するための第１駆動と、高次成分の重ね合わせ誤差を低減するための、前記第１駆動の後の残ストロークで行う第２駆動と、を含むことを特徴とするインプリントシステム。

【請求項7】

基板のショット領域の上のインプリント材と型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント方法であって、
型保持部によって保持された前記型の側面に力を加えて前記型のパターン領域を変形させる変形機構によって前記型に力を加えたときの前記型の応答特性を取得する工程と、
前記型と前記インプリント材とを接触させる前に、前記取得された応答特性に基づいて、前記変形機構により前記型に事前荷重をかける工程と、
前記変形機構により前記型に前記事前荷重がかけられた状態で前記型と前記インプリント材とを接触させる工程と、
前記型と前記インプリント材との接触が完了した後、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させる工程と、
を有し、
前記型の応答特性は、
前記型と前記インプリント材とを接触させた状態における前記変形機構の駆動力に対する前記型の変形量の関係を示す応答特性、または、
第１ショット領域に対する前記インプリント処理において前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させた結果から取得された応答特性、を含む
ことを特徴とするインプリント方法。

【請求項8】

基板のショット領域の上のインプリント材と型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント方法であって、
型保持部によって保持された前記型の側面に力を加えて前記型のパターン領域を変形させる変形機構によって前記型に力を加えたときの前記型の応答特性を取得する工程と、
前記型と前記インプリント材とを接触させる前に、前記取得された応答特性に基づいて、前記変形機構により前記型に事前荷重をかける工程と、
前記変形機構により前記型に前記事前荷重がかけられた状態で前記型と前記インプリント材とを接触させる工程と、
前記型と前記インプリント材との接触が完了した後、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させる工程と、
を有し、
前記事前荷重の値は、前記型保持部によって保持された前記型の前記応答特性と基準となる型の前記応答特性との比に基づいて決定された値である、ことを特徴とするインプリント方法。

【請求項9】

基板のショット領域の上のインプリント材と型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント方法であって、
型保持部によって保持された前記型の側面に力を加えて前記型のパターン領域を変形させる変形機構によって前記型に力を加えたときの前記型の応答特性を取得する工程と、
前記型と前記インプリント材とを接触させる前に、前記型の応答特性に基づいて、前記取得された応答特性に基づいて、前記変形機構により前記型に事前荷重をかける工程と、
前記変形機構により前記型に前記事前荷重がかけられた状態で前記型と前記インプリント材とを接触させる工程と、
前記型と前記インプリント材との接触が完了した後、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させる工程と、
を有し、
前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差を低減するための前記変形機構の駆動は、線形成分の重ね合わせ誤差を低減するための第１駆動と、高次成分の重ね合わせ誤差を低減するための、前記第１駆動の後の残ストロークで行う第２駆動と、を含むことを特徴とするインプリント方法。

【請求項10】

請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリントシステムを用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
前記工程において前記パターンが形成された基板の処理を行う工程と、
を含み、前記処理が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インプリントシステム、インプリント方法、および物品製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

インプリント装置は、基板のショット領域上のインプリント材と型とを接触させ、インプリント材を硬化させることによって、基板のショット領域の上にインプリント材の硬化物からなるパターンを形成する。インプリント装置は、ショット領域と型（のパターン領域）との重ね合わせ誤差を低減するために、型の側面に力を加えることによって型のパターン領域を変形させる変形機構を備えうる。

【0003】

特許文献１には、変形機構の駆動量のプリセット量を目標駆動量よりも常に大きくなるようにする（あるいは、常に小さくなるようにする）ことで、変形機構の駆動方向の違いによるヒステリシスの影響をなくす技術が開示されている。

【0004】

特許文献２には、型のパターン領域を変形させる型形状補正機構と、基板のパターン領域を変形させる加熱機構との双方を用いて型のパターン領域と基板のパターン領域との形状の差を低減させる技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１９－２１２６７４号公報

【文献】特開２０１３－１０２１３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

型とインプリント材とが接触している状態での変形機構の駆動のしやすさは、型の個体によって異なりうる。これは、型の表面状態（粗さ、形状等）の個体差によるものと推測されている。

【0007】

型の個体によって変形機構の駆動のしやすさが異なるということは、型とショット領域との重ね合わせ誤差を一定量補正するのに必要な駆動力が型によって異なるということである。したがって、変形機構によって補正できる重ね合わせ誤差の量が型によって変わる可能性がある。例えば、駆動しにくい型に対して補正量が変形機構の補正ストロークの上限に達すれば補正残差が生じる。また、変形機構による補正は複数段階に分かれていることがあるが、最初のステップで補正ストロークを大きく使うと次のステップで補正量が足りなくなることもありえ、その結果、重ね合わせ誤差が増大することも考えられる。インプリント装置では、１つの製品に対して型の個体によって補正量が変わってしまうことは望ましくない。

【0008】

本発明は、例えば、型の個体差がインプリント処理時における型の変形機構の動作に及ぼす影響を低減するのに有利な技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一側面によれば、基板のショット領域の上のインプリント材と型とを接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることにより前記ショット領域の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置を有するインプリントシステムであって、前記型を保持する型保持部と、前記型保持部によって保持された前記型の側面に力を加えて前記型のパターン領域を変形させる変形機構と、前記変形機構を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記型と前記インプリント材とを接触させた状態における前記変形機構の駆動力に対する前記型の変形量の関係を示す応答特性に基づいて、前記型と前記インプリント材とを接触させる前に前記変形機構により前記型に事前荷重をかけておき、前記型と前記インプリント材との接触が完了した後、前記ショット領域と前記パターン領域との重ね合わせ誤差が低減されるように前記変形機構によって前記パターン領域を変形させる、ことを特徴とするインプリントシステムが提供される。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、例えば、型の個体差がインプリント処理時における型の変形機構の動作に及ぼす影響を低減するのに有利な技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】インプリント装置の構成を示す図。

【図2】変形機構の構成例を示す図。

【図3】型の応答特性を説明する図。

【図4】応答特性データを作成する処理のフローチャート。

【図5】基板に対する一連のインプリント処理のフローチャート。

【図6】型に事前荷重をかけることによる効果を説明する図。

【図7】基板に対する一連のインプリント処理のフローチャート。

【図8】実施形態における物品製造方法を説明する図。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

【0013】

＜第１実施形態＞
図１には、本発明の一実施形態のインプリント装置１００の構成が示されている。インプリント装置１００は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。このように、インプリント装置１００は、インプリント処理によって基板Ｓの上にインプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンを形成するように構成される。インプリント処理は、接触処理、アライメント処理、硬化処理、分離処理を含みうる。接触処理は、基板Ｓのショット領域（インプリント対象領域）の上のインプリント材ＩＭに型Ｍのパターン領域Ｐを接触させる処理である。アライメント処理は、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとのアライメントを行う処理である。インプリント処理におけるアライメント処理は、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの重ね合わせ誤差が低減されるように型Ｍのパターン領域Ｐを変形させる変形処理を含む場合がある。硬化処理は、インプリント材ＩＭを硬化させる処理である。分離処理は、インプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンと型Ｍのパターン領域Ｐとを分離する処理である。

【0014】

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。

【0015】

本明細書および添付図面では、基板Ｓの表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせ（アライメント処理）は、基板および型の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。

【0016】

インプリント装置１００は、基板Ｓを保持し駆動する基板駆動機構ＳＤＭ、基板駆動機構ＳＤＭを支持するベースフレームＢＦ、型Ｍを保持し駆動する型駆動機構ＭＤＭ、および、型駆動機構ＭＤＭを支持する構造体ＳＴを備えうる。基板駆動機構ＳＤＭは、基板Ｓを保持する基板チャックＳＣを含む基板ステージＳＳと、基板ステージＳＳを位置決めすることによって基板Ｓを位置決めする基板位置決め機構ＳＡとを含みうる。型駆動機構ＭＤＭは、型Ｍを保持する型チャックＭＣ（型保持部）と、型チャックＭＣを位置決めすることによって型Ｍを位置決めする型位置決め機構ＭＡとを含みうる。型駆動機構ＭＤＭは、接触工程および／または分離工程において型Ｍに加えられる力を検出する検出部ＬＣを含む。型駆動機構ＭＤＭは、更に、接触処理において、型Ｍのパターン領域Ｐが基板Ｓに向かって凸形状になるように型Ｍのパターン領域Ｐを変形させるようにパターン領域Ｐの反対側の面に圧力を加える圧力機構を備えうる。

【0017】

基板駆動機構ＳＤＭおよび型駆動機構ＭＤＭは、基板Ｓと型Ｍとの相対位置が変更されるように基板Ｓおよび型Ｍの少なくとも一方を駆動する駆動機構ＤＭを構成する。駆動機構ＤＭによる相対位置の変更は、基板Ｓの上のインプリント材に対する型Ｍのパターン領域Ｐの接触、および、硬化したインプリント材（硬化物のパターン）からの型Ｍの分離のための駆動を含む。換言すると、駆動機構ＤＭによる相対位置の変更は、接触処理および分離処理が行われるように基板Ｓと型Ｍとの相対位置を変更することを含む。基板駆動機構ＳＤＭは、基板Ｓを複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。型駆動機構ＭＤＭは、型Ｍを複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。

【0018】

インプリント装置１００は、更に、型Ｍのパターン領域Ｐを変形させる変形機構ＭＡＧを備えうる。変形機構ＭＡＧは、ＸＹ平面に平行な面内におけるパターン領域Ｐの形状（大きさを含む）が変更されるようにパターン領域Ｐを変形させうる。変形機構ＭＡＧは、例えば、型Ｍの４つの側面に力を加えることによってパターン領域Ｐを変形させうる。

【0019】

インプリント装置１００は、更に、ディスペンサＤＳＰを備えうる。ただし、ディスペンサＤＳＰは、インプリント装置１００の外部装置として構成されてもよい。ディスペンサＤＳＰ（供給部）は、基板Ｓのショット領域にインプリント材ＩＭを配置（供給）する。基板Ｓのショット領域へのインプリント材ＩＭの配置は、基板駆動機構ＳＤＭによって基板Ｓが駆動されている状態で、該駆動と同期してディスペンサＤＳＰがインプリント材ＩＭを吐出することによってなされうる。ここで、ディスペンサＤＳＰが基板Ｓの上の１つのショット領域にインプリント材ＩＭを配置する度に接触処理、アライメント処理、硬化処理および分離処理が実行されうる。あるいは、ディスペンサＤＳＰが基板Ｓの上の複数のショット領域にインプリント材ＩＭを配置した後に、該複数のショット領域の各々に対して接触処理、アライメント処理、硬化処理および分離処理が実行されてもよい。

【0020】

インプリント装置１００は、更に、硬化部ＣＵを備えうる。硬化部ＣＵは、基板Ｓの上のインプリント材ＩＭに型Ｍのパターン領域Ｐが接触した状態でインプリント材ＩＭに硬化用のエネルギーを照射することによってインプリント材ＩＭを硬化させる。これによって、インプリント材ＩＭの硬化物からなるパターンが基板Ｓの上に形成される。

【0021】

インプリント装置１００は、更に、基板Ｓのショット領域のマークＳＭＫの位置、型ＭのマークＭＭＫの位置、基板Ｓのショット領域のマークＳＭＫと型ＭのマークＭＭＫとの相対位置等を計測する計測部ＡＳを備えうる。インプリント装置１００は、更に、基板Ｓのショット領域のマークＳＭＫの位置を検出（計測）するオフアクシススコープＯＡＳを備えうる。

【0022】

インプリント装置１００は、更に、制御部ＣＮＴを備えうる。制御部ＣＮＴは、駆動機構ＤＭ、変形機構ＭＡＧ、ディスペンサＤＳＰ、硬化部ＣＵ、計測部ＡＳ、オフアクシススコープＯＡＳを制御しうる。制御部ＣＮＴは、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ（ＣＰＵおよびメモリを含む）、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。制御部ＣＮＴは、インプリント装置１００内に設けてもよいし、インプリント装置１００とは別の場所に設置し遠隔で制御してもよい。

【0023】

制御部ＣＮＴは、計測部ＡＳによって検出される結果、例えば、基板Ｓのショット領域のマークＳＭＫの位置に基づいて当該ショット領域の形状を演算することができる。また、制御部ＣＮＴは、計測部ＡＳによって検出される結果、例えば、型ＭのマークＭＭＫの位置に基づいて型Ｍのパターン領域Ｐの形状を演算することができる。制御部ＣＮＴは、このようにして得られたショット領域の形状とパターン領域Ｐの形状とに基づいて、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの重ね合わせ誤差を演算しうる。あるいは、制御部ＣＮＴは、計測部ＡＳによって検出される結果、例えば、基板ＳのマークＳＭＫと型ＭのマークＭＭＫとの相対位置に基づいて、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの重ね合わせ誤差を演算しうる。換言すると、制御部ＣＮＴは、計測部ＡＳの出力に基づいて、基板Ｓのショット領域と型Ｍのパターン領域Ｐとの重ね合わせ誤差（ショット領域の形状とパターン領域の形状との差）を演算しうる。重ね合わせ誤差は、例えば、倍率成分、および、歪み成分（例えば、ひし形、台形等の成分、または、より高次の成分）を含みうる。

【0024】

図２には、変形機構ＭＡＧの構成例が示されている。変形機構ＭＡＧは、型Ｍの４つの側面ＭＳに力を加えることによって型Ｍのパターン領域Ｐを変形させうる。変形機構ＭＡＧによって制御可能なパターン領域Ｐの形状（大きさを含む）の成分は、例えば、倍率成分、および、歪み成分（例えば、ひし形、台形等の成分、または、より高次の成分）を含みうる。変形機構ＭＡＧは、複数のユニット２０を含みうる。各ユニット２０は、型Ｍの側面ＭＳに接触する接触部２１と、接触部２１を駆動するアクチュエータ２２とを含みうる。アクチュエータ２２は、例えば、ピエゾ素子を含みうるが、他の素子を含んでもよい。

【0025】

図３は、２つの型ＭａとＭｂの応答特性を説明する図である。応答特性とは、型とインプリント材とを接触させた状態における、変形機構ＭＡＧの駆動力に対する型の変形量の関係を示す特性をいう。型の個体差によって、型と基板上のインプリント材とが接触している状態での変形機構ＭＡＧの駆動しやすさ（駆動効率）が異なる。応答特性は、例えば、
型Ｍの変形量／変形機構ＭＡＧの駆動力
で表現されうる。応答特性は、型の個体によって異なりうる。これは、型の表面状態（粗さ、形状等）の個体差によるものと推測されている。以降、説明を簡単にするため、型の倍率を例として説明する。

【0026】

図３（ａ）は、変形機構ＭＡＧにより型Ｍａに対して力を加えて倍率を変化させる様子を示している。時刻０からｔ１までは、型Ｍａと基板Ｓ上のインプリント材ＩＭとが空間的に離れた、非接触の状態である。時刻ｔ１で型Ｍａとインプリント材ＩＭとの接触が始まり（接液）、時刻ｔ２で型Ｍａのパターン部の全面がインプリント材ＩＭと接触する。時刻ｔ２からｔ３にかけて、接触状態で変形機構ＭＡＧが駆動し、基板Ｓ（のショット領域）と型Ｍａとの倍率差をｍから０へ変化させる。ここでは、基板の倍率は不変であるとし、型Ｍａを変形させた分だけ、基板と型との倍率差が変化するものとする。このときに必要な変形機構ＭＡＧの駆動力をａとする。駆動力は検出部ＬＣで検出される。駆動効率は、ｍ／ａで表される。

【0027】

図３（ｂ）は、変形機構ＭＡＧにより型Ｍｂに対して力を加えて倍率を変化させる様子を示している。型Ｍａのときと同じ量の倍率変化を生じさせるために、ａより大きな駆動力２ａを必要とする。駆動効率は、ｍ／２ａで表される。したがってこの例では、型Ｍａに比べて型Ｍｂに対する変形機構ＭＡＧの駆動効率は低い。ここで、変形機構ＭＡＧの出せる駆動力の上限（駆動リミット）をＬとする。アライメント終了時の駆動力をみると、駆動リミットＬまでの余裕は型Ｍｂより型Ｍａの方が大きい。

【0028】

このように型の個体によって接触時の装置挙動が異なることは、装置性能の不安定さにつながる可能性がある。そこで本実施形態では、型の応答特性に応じて、型とインプリント材との接触が始まる前に変形機構ＭＡＧが型に与える荷重（事前荷重）を調整する。モールドと基板上のインプリント材との接触が多く繰り返されることにより、モールドにはダメージが蓄積されパターンの破損等が発生しうる。電子線描画装置などによりブランクモールドへパターンを直接描画することによりモールドを都度作製するのでは、費用が莫大となり生産コストが大幅に増加する。そのため、マスターモールドの複製品であるレプリカモールドをインプリント技術により複数作製し、レプリカモールドを適宜交換しながらインプリント装置を運用することが考えられている。したがって、個々の（レプリカ）モールドの応答特性を調べておくことは装置性能の安定性向上に有益である。

【0029】

図４は、本実施形態における、複数の型の応答特性を表す応答特性データを作成する処理のフローチャートである。この処理は、インプリント処理を実行する前の準備段階において実施される。

【0030】

Ｓ１０１で、制御部ＣＮＴは、不図示の基板搬送機構を制御して基板（例えばパイロット基板）を搬入する。搬入された基板は基板チャックＳＣによって保持される。
Ｓ１０２で、制御部ＣＮＴは、不図示の型搬送機構を制御して型を搬入する。搬入された型は型チャックＭＣによって保持される。
Ｓ１０３で、制御部ＣＮＴは、変形機構ＭＡＧを制御して型Ｍの側面に事前荷重を加える。この事前荷重は所定の初期値（デフォルト値）とする。
Ｓ１０４で、制御部ＣＮＴは、ディスペンサＤＳＰを制御して基板のショット領域にインプリント材を供給する。
Ｓ１０５で、制御部ＣＮＴは、駆動機構ＤＭを制御して型とショット領域に供給されたインプリント材とを接触させる。

【0031】

Ｓ１０６で、制御部ＣＮＴは、型とインプリント材とが接触した状態でのアライメント処理を実行する。アライメント処理において、制御部ＣＮＴは、計測部ＡＳを用いて、ショット領域のマークＳＭＫと型のマークＭＭＫを同時に観察することで、基板と型との相対位置ずれ（重ね合わせ誤差）を検出する。制御部ＣＮＴは、例えば、検出された相対位置ずれが低減されるように基板駆動機構ＳＤＭを制御する。また、アライメント処理は、相対位置ずれが低減されるように変形機構ＭＡＧにより型のパターン領域を変形（補正）させることも含む。例えば、Ｓ１０６１では、変形機構ＭＡＧを制御することにより、倍率以外に、並進、回転などの重ね合わせ誤差が補正されうる。また、Ｓ１０６２では、高次成分の重ね合わせ誤差が補正されうる。

【0032】

Ｓ１０７で、制御部ＣＮＴは、型の識別子と応答特性とが関連付けて記述された応答特性データを生成する。生成された応答特性データは例えば制御部ＣＮＴ内のメモリに記憶される。ここで、アライメント開始時の相対位置ずれとアライメント終了時の相対位置ずれとの差分を、「型の変形量」とする。また、アライメント開始時の変形機構ＭＡＧの駆動力とアライメント終了時の変形機構ＭＡＧの駆動力との差分を、「変形機構ＭＡＧの駆動力」とする。応答特性は、「変形機構ＭＡＧの駆動力」に対する「型の変形量」として計算される。

【0033】

Ｓ１０８で、制御部ＣＮＴは、硬化部ＣＵを制御して基板上のインプリント材を硬化させる。
Ｓ１０９で、制御部ＣＮＴは、駆動機構ＤＭを制御して硬化したインプリント材から型を引き離す離型を行う。
Ｓ１１０では、制御部ＣＮＴは、インプリント対象領域であるショット領域を変更する。

【0034】

Ｓ１１１で、制御部ＣＮＴは、型搬送機構を制御して型を搬出する。Ｓ１１２では、制御部ＣＮＴは、次に処理（検査）すべき型があるかを判定する。次の型がある場合には、Ｓ１０２に戻り処理が繰り返される。処理が繰り返されることにより、Ｓ１０７では、各型に対する応答特性が応答特性データに追記されていく。Ｓ１１２で、次に処理すべき型はないと判定された場合、Ｓ１１３で、制御部ＣＮＴは、基板搬送機構を制御して基板を搬出し、この処理を終了する。

【0035】

図５は、本実施形態における、基板に対する一連のインプリント処理のフローチャートである。

【0036】

Ｓ２０１で、制御部ＣＮＴは、不図示の型搬送機構を制御して型を搬入する。搬入された型は型チャックＭＣによって保持される。このとき、搬入された型の識別子が、メモリに記憶される。

【0037】

Ｓ２０２で、制御部ＣＮＴは、不図示の基板搬送機構を制御して基板を搬入する。搬入された基板は基板チャックＳＣによって保持される。

【0038】

Ｓ２０３で、制御部ＣＮＴは、メモリに記憶されている応答特性データを参照して、搬入された型の識別子に対応する応答特性を判定し、その応答特性から事前荷重を求める。
Ｓ２０４で、制御部ＣＮＴは、変形機構ＭＡＧを制御して型Ｍの側面に、Ｓ２０３で求められた事前荷重を加える。
Ｓ２０５で、制御部ＣＮＴは、ディスペンサＤＳＰを制御して基板のショット領域にインプリント材を供給する。
Ｓ２０６で、制御部ＣＮＴは、型に事前荷重がかけられた状態で、駆動機構ＤＭを制御して型とショット領域に供給されたインプリント材とを接触させる。

【0039】

Ｓ２０７で、制御部ＣＮＴは、型とインプリント材とが接触した状態でのアライメント処理を実行する。アライメント処理において、制御部ＣＮＴは、計測部ＡＳを用いて、ショット領域のマークＳＭＫと型のマークＭＭＫを同時に観察することで、基板と型との相対位置ずれ（重ね合わせ誤差）を検出する。制御部ＣＮＴは、例えば、検出された相対位置ずれが低減されるように基板駆動機構ＳＤＭを制御する。また、アライメント処理は、相対位置ずれが低減されるように変形機構ＭＡＧを制御する。例えば、Ｓ２０７１では、変形機構ＭＡＧを制御することにより、倍率以外に、並進、回転などの重ね合わせ誤差が補正されうる。また、Ｓ２０７２では、高次成分の重ね合わせ誤差が補正されうる。

【0040】

Ｓ２０８で、制御部ＣＮＴは、硬化部ＣＵを制御して基板上のインプリント材を硬化させる。
Ｓ２０９で、制御部ＣＮＴは、駆動機構ＤＭを制御して硬化したインプリント材から型を引き離す離型を行う。

【0041】

Ｓ２１０では、制御部ＣＮＴは、現在のショットが最終ショットであるかを判定する。現在のショットが最終ショットではない場合には、Ｓ２０４に戻り、次のショットの処理が繰り返される。現在のショットが最終ショットである場合、Ｓ２１１で、制御部ＣＮＴは、基板搬送機構を制御して基板を搬出し、インプリント処理を終了する。

【0042】

図６を参照して、本実施形態によるインプリント処理の効果を説明する。図６（ａ）は、型Ｍａより駆動効率が低い型Ｍｂを使用した場合の従来例における挙動を示した図であり、図３（ｂ）と同じものである。図６（ｂ）は、型Ｍｂに対して変形機構ＭＡＧによりＳ２０３で求められた事前荷重を加えた場合を示している。ここでも、倍率を例として説明するが、対象は倍率に限らない。Ｓ２０３では、使用中の型の応答特性と基準となる型の応答特性との比から事前荷重が計算されうる。例えば、型Ｍａに対する駆動効率ｍ／ａを基準とした場合、型Ｍｂに対する駆動効率ｍ／２ａの比率は、１／２となる。この場合、変形機構ＭＡＧの事前荷重値は、ａ×（１－１／２）＝ａ／２となる。この事前荷重値の決定（Ｓ２０３）は、時刻０より前に実行される。その後、時刻０の時点からｔ１の前までに、非接触状態で変形機構ＭＡＧをａ／２まで駆動させ、型と基板の倍率差をｍ／２の状態にしておく。なお、非接触状態では、接触時のように型によって駆動効率が低下するという現象はみられていないため、変形機構ＭＡＧを駆動させた分だけ通常どおり型の倍率は変化するものとする。また、事前荷重値がａに近いほど、時刻ｔ３における駆動力は、駆動リミットＬに対して余裕がある状態となる。ただし、変形機構ＭＡＧの駆動の向きは常に一定であることが望ましい。駆動力ａのすぐ近くに駆動させてしまうと、基板の倍率のばらつきなどにより、場合によっては後のアライメント時の駆動の向きが逆になってしまうことが考えられる。このため、事前荷重は、ａのすぐ近くではなく、ａから余裕をもって離れた値にする必要がある。どの程度離れた値にするかは、処理する基板、または基板内におけるショット毎のばらつきに応じて決めてもよい。

【0043】

Ｓ２０５で、時刻ｔ１より前に、ディスペンサＤＳＰが、基板Ｓのショット領域にインプリント材ＩＭを配置（供給）する。その後、時刻ｔ１からｔ２の間に、基板駆動機構ＳＤＭと型駆動機構ＭＤＭの位置合わせを行い、基板Ｓのショット領域の上のインプリント材ＩＭに型Ｍのパターン領域Ｐを接触させる（Ｓ２０６）。これにより、接触状態（インプリント材を介して型と基板が接触している状態）になる。

【0044】

Ｓ２０７１で、倍率を含む線形成分を対象としたアライメントが行われる（第１駆動）。このアライメントは、時刻ｔ２からｔ３の間に行われる。図６（ｂ）では、接触前のＳ２０４で変形機構ＭＡＧを駆動させ型にＳ２０３で設定された事前荷重をかけたため、必要とされる型Ｍｂの倍率変化量は、図２（ｂ）の半分ｍ／２である。この倍率変化を生じさせるために必要な接触状態での変形機構ＭＡＧの駆動力は、型Ｍｂに対する駆動効率ｍ／２ａから計算すると、（ｍ／２）／（ｍ／２ａ）＝ａとなる。すなわち、このアライメントの終了時刻ｔ３における変形機構ＭＡＧの駆動力は、ａ／２＋ａ＝３ａ／２となり、図２（ｂ）に比べて駆動リミットＬまでの余裕が広がる。

【0045】

Ｓ２０７１では、倍率以外にも、並進、回転などの重ね合わせ誤差が補正されうる。なお、Ｓ２０７は、計測部ＡＳにて、ショット領域のマークＳＭＫと型ＭのマークＭＭＫとの相対位置ずれを検出しながら行うため、接触状態であることが必要である。

【0046】

Ｓ２０７２では、高次成分の重ね合わせ誤差を対象とした補正が行われる（第２駆動）。高次成分の補正は、Ｓ２０７１を経た変形機構ＭＡＧの残ストロークで行われる。Ｓ２０３、Ｓ２０４にて、事前荷重値は、型の応答特性に応じた値に変更されているため、駆動効率の低い型Ｍｂでも、駆動リミットＬまで余裕がある状態で高次成分の補正を実施することができる。高次成分の補正は、時刻ｔ３以降、かつ次工程の硬化・分離の前に行わればよい。

【0047】

このようにして、駆動効率の低い型と駆動効率の高い型との間で、重ね合わせ誤差補正量の差を小さくすることができる。これにより、装置の安定性を向上させることができる。

【0048】

＜第２実施形態＞
上述の第１実施形態は、予め得られた応答特性データから、型チャックＭＣによって保持された型の応答特性を取得するものであった。これに対し第２実施形態では、応答特性データを事前に作成する処理は行わず、インプリント処理中に、基板の第１ショット（第１ショット領域に対するインプリント処理）において型の応答特性を取得する。

【0049】

図７は、本実施形態における、基板に対する一連のインプリント処理のフローチャートである。

【0050】

Ｓ３０１で、制御部ＣＮＴは、不図示の型搬送機構を制御して型を搬入する。搬入された型は型チャックＭＣによって保持される。
Ｓ３０２で、制御部ＣＮＴは、不図示の基板搬送機構を制御して基板を搬入する。搬入された基板は基板チャックＳＣによって保持される。

【0051】

Ｓ３０３で、制御部ＣＮＴは、現在のショットが第１ショットであるかを判定する。現在のショットが第１ショットである場合、処理はＳ３０４に進み、第１ショットではない場合、処理はＳ３１２に進む。

【0052】

Ｓ３０４で、制御部ＣＮＴは、変形機構ＭＡＧを制御して型Ｍの側面に事前荷重を加える。この事前荷重は所定の初期値（デフォルト値）とする。

【0053】

Ｓ３０５で、制御部ＣＮＴは、ディスペンサＤＳＰを制御して基板の第１ショット領域にインプリント材を供給する。
Ｓ３０６で、制御部ＣＮＴは、駆動機構ＤＭを制御して型と第１ショット領域に供給されたインプリント材とを接触させる。

【0054】

Ｓ３０７で、制御部ＣＮＴは、型とインプリント材との接触が完了し、型とインプリント材とが接触した状態でアライメント処理を実行する。アライメント処理において、制御部ＣＮＴは、計測部ＡＳを用いて、ショット領域のマークＳＭＫと型のマークＭＭＫを同時に観察することで、基板と型との相対位置ずれ（重ね合わせ誤差）を検出する。制御部ＣＮＴは、例えば、検出された相対位置ずれが低減されるように基板駆動機構ＳＤＭを制御する。また、アライメント処理は、相対位置ずれが低減されるように変形機構ＭＡＧを制御する。例えば、Ｓ３０７１では、変形機構ＭＡＧを制御することにより、倍率以外に、並進、回転などの重ね合わせ誤差が補正されうる。また、Ｓ３０７２では、高次成分の重ね合わせ誤差が補正されうる。

【0055】

Ｓ３０８で、制御部ＣＮＴは、現在使用されている型の応答特性を取得する。取得された応答特性のデータはメモリに記憶される。ここで、アライメント開始時の相対位置ずれとアライメント終了時の相対位置ずれとの差分を、「型の変形量」とする。また、アライメント開始時の変形機構ＭＡＧの駆動力とアライメント終了時の変形機構ＭＡＧの駆動力との差分を、「変形機構ＭＡＧの駆動力」とする。応答特性は、「変形機構ＭＡＧの駆動力」に対する「型の変形量」として計算される。

【0056】

Ｓ３０９で、制御部ＣＮＴは、硬化部ＣＵを制御して基板上のインプリント材を硬化させる。
Ｓ３１０で、制御部ＣＮＴは、駆動機構ＤＭを制御して硬化したインプリント材から型を引き離す離型を行う。
Ｓ３１１では、制御部ＣＮＴは、現在のショットが最終ショットであるかを判定する。現在のショットが最終ショットではない場合には、Ｓ３０３に戻り、次のショットの処理が繰り返される。

【0057】

Ｓ３０４において、現在のショットが第１ショットではないと判定された場合、処理はＳ３１２に進む。Ｓ３１２で、現在のショットが第１ショットの次のショットである第２ショットであると判定された場合、Ｓ３１３で、制御部ＣＮＴは、Ｓ３０８においてメモリに記憶された応答特性を読み出し、この応答特性に基づいて事前荷重値を設定（更新）する。

【0058】

Ｓ３１４で、制御部ＣＮＴは、変形機構ＭＡＧを制御して型Ｍの側面に、Ｓ３１３で更新された事前荷重を加える。
Ｓ３１５で、制御部ＣＮＴは、ディスペンサＤＳＰを制御して基板の第１ショット領域にインプリント材を供給する。
Ｓ３１６で、制御部ＣＮＴは、型に事前荷重がかけられた状態で、駆動機構ＤＭを制御して型と第１ショット領域に供給されたインプリント材とを接触させる。

【0059】

Ｓ３１７で、制御部ＣＮＴは、型とインプリント材とが接触した状態でのアライメント処理を実行する。アライメント処理において、制御部ＣＮＴは、計測部ＡＳを用いて、ショット領域のマークＳＭＫと型のマークＭＭＫを同時に観察することで、基板と型との相対位置ずれ（重ね合わせ誤差）を検出する。制御部ＣＮＴは、例えば、検出された相対位置ずれが低減されるように基板駆動機構ＳＤＭを制御する。また、アライメント処理は、相対位置ずれが低減されるように変形機構ＭＡＧにより型のパターン領域を変形（補正）させることも含む。例えば、Ｓ３１７１では、変形機構ＭＡＧを制御することにより、倍率以外に、並進、回転などの重ね合わせ誤差が補正されうる。また、Ｓ３１７２では、高次成分の重ね合わせ誤差が補正されうる。

【0060】

その後、処理はＳ３０９に進む。Ｓ３０９では、硬化部ＣＵにより基板上のインプリント材が硬化され、Ｓ３１０では、型駆動機構ＭＤＭにより離型が行われる。Ｓ３１１では、現在のショットが最終ショットであるかが判定される。現在のショットが最終ショットではない場合には、処理Ｓ３０３に戻り、次のショットの処理が繰り返される。現在のショットが最終ショットである場合、Ｓ３１８で、制御部ＣＮＴは、基板搬送機構を制御して基板を搬出し、インプリント処理を終了する。

【0061】

＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

【0062】

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

【0063】

次に、物品製造方法について説明する。図８の工程ＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

【0064】

図８の工程ＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図８の工程ＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

【0065】

図８の工程ＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

【0066】

図８の工程ＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図８の工程ＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

【0067】

（他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読み出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

【0068】

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

【符号の説明】

【0069】

１００：インプリント装置、ＳＤＭ：基板駆動機構、ＭＤＭ：型駆動機構、ＭＡＧ：変形機構、ＤＳＰ：ディスペンサ、ＣＵ：硬化部、ＡＳ：計測部、ＯＡＳ：オフアクシススコープ、ＣＮＴ：制御部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】