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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-09-13
(45)【発行日】2024-09-25
(54)【発明の名称】表示パネル及び表示装置
(51)【国際特許分類】
   G09F 9/30 20060101AFI20240917BHJP
   H10K 50/00 20230101ALI20240917BHJP
   H10K 59/12 20230101ALI20240917BHJP
   H10K 59/123 20230101ALI20240917BHJP
【FI】
G09F9/30 338
H10K50/00
H10K59/12
H10K59/123
【請求項の数】 10
(21)【出願番号】P 2023567077
(86)(22)【出願日】2022-07-27
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2024-04-19
(86)【国際出願番号】 CN2022108270
(87)【国際公開番号】W WO2023159869
(87)【国際公開日】2023-08-31
【審査請求日】2023-10-31
(31)【優先権主張番号】202210191210.8
(32)【優先日】2022-02-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(73)【特許権者】
【識別番号】515179325
【氏名又は名称】昆山国顕光電有限公司
【氏名又は名称原語表記】KUNSHAN GO-VISIONOX OPTO-ELECTRONICS CO., LTD.
【住所又は居所原語表記】Building 4, No. 1, Longteng Road, Development Zone Kunshan, Jiangsu, People’s Republic of China
(74)【代理人】
【識別番号】100112656
【弁理士】
【氏名又は名称】宮田 英毅
(74)【代理人】
【識別番号】100089118
【弁理士】
【氏名又は名称】酒井 宏明
(72)【発明者】
【氏名】楼均輝
(72)【発明者】
【氏名】呉勇
(72)【発明者】
【氏名】葛林
(72)【発明者】
【氏名】何澤尚
【審査官】武田 知晋
(56)【参考文献】
【文献】中国特許出願公開第113571570(CN,A)
【文献】米国特許出願公開第2024/0016015(US,A1)
【文献】米国特許出願公開第2022/0036810(US,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G09F 9/30
H10K 50/00
H10K 59/12
H10K 59/123
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1の表示領域と第2の表示領域とを有する表示パネルであって、
前記第1の表示領域に位置する第1のサブ画素と、前記第2の表示領域に位置する第2のサブ画素とを含むサブ画素と、
前記第1の表示領域に位置するシフトレジスタと、
前記第2の表示領域に位置し、且つ前記第1のサブ画素を駆動するための第1の回路と、前記第2のサブ画素を駆動するための第2の回路と、仮想領域とを含む画素駆動回路と、を備え、
a個の隣接する前記第2のサブ画素は画素ブロックを形成し、前記第1の回路とa個の前記第2の回路は第1の回路ブロックを形成し、前記第1の回路ブロック内のa個の前記第2の回路は同一の前記画素ブロック内のa個の前記第2のサブ画素を駆動し、前記仮想領域とa個の前記第2の回路は第2の回路ブロックを形成し、前記第2の回路ブロック内のa個の前記第2の回路は同一の前記画素ブロック内のa個の前記第2のサブ画素を駆動し、aは1よりも大きい整数であり、前記第1の回路ブロック内の前記第1の回路と前記第2の回路との相対位置関係は前記第2の回路ブロック内の前記仮想領域と前記第2の回路との相対位置関係と同じである、
表示パネル。
【請求項2】
前記表示パネルの厚さ方向に沿って、前記第1の回路の正投影サイズと前記仮想領域のサイズとは同じである、
請求項1に記載の表示パネル。
【請求項3】
前記第2の回路ブロックの個数が複数であり、且つ各前記第2の回路ブロックとそれにより駆動される前記画素ブロックとの相対位置が同じであり、及び/又は、
前記第1の回路ブロックの個数は、複数であり、各前記第1の回路ブロックとそれにより駆動される前記画素ブロックとの相対位置は同じである、
請求項1に記載の表示パネル。
【請求項4】
前記第1の回路ブロック内の前記第1の回路の数量と前記第2の回路ブロック内の前記仮想領域の数量とは同じであり、及び/又は、
前記表示パネルの厚さ方向に沿って、前記第1の回路ブロックの正投影サイズと前記第2の回路ブロックの正投影サイズとは同じであり、及び/又は、
前記仮想領域内には仮想回路が設けられ、前記仮想回路の構造は、前記第1の回路の構造と同じである、
請求項1に記載の表示パネル。
【請求項5】
前記表示パネルは、第3の表示領域を更に含み、前記第2の表示領域は、少なくとも一部の前記第3の表示領域を囲んで設けられ、
前記サブ画素は、前記第3の表示領域に位置する第3のサブ画素を更に含み、
前記画素駆動回路は、前記第3のサブ画素を駆動するための第3の回路を更に含み、
前記第3の回路とa個の前記第2の回路は、第3の回路ブロックを形成し、前記第3の回路ブロック内のa個の前記第2の回路は、同一の前記画素ブロック内のa個の前記第2のサブ画素を駆動し、aは1よりも大きい整数であり、各前記第3の回路ブロックとそれにより駆動される前記画素ブロックとの相対位置は同じである、
請求項1に記載の表示パネル。
【請求項6】
前記表示パネルの厚さ方向に沿って、前記第1の回路の正投影サイズと前記第3の回路の正投影サイズとは同じであり、
前記第1の回路ブロック内の前記第1の回路の数量と前記第3の回路ブロック内の前記第3の回路の数量とは同じであり、
前記表示パネルの厚さ方向に沿って、前記第1の回路ブロックの正投影サイズと前記第3の回路ブロックの正投影サイズとは同じであり、及び/又は、
前記第1の回路ブロック内の前記第1の回路と前記第2の回路との相対位置関係は、前記第3の回路ブロック内の前記第3の回路と前記第2の回路との相対位置関係と同じである、
請求項5に記載の表示パネル。
【請求項7】
前記表示パネルは、更に接続線を備え、前記接続線は、前記第1のサブ画素と前記第1の回路とを接続するための第1の接続線と、前記第3のサブ画素と前記第3の回路とを接続するための第3の接続線とを備え、少なくとも一部の前記第1の接続線と前記第3の接続線とが同一のフィルム層に位置しており、前記第1の接続線の少なくとも一部及び前記第3の接続線の少なくとも一部は、同一のフィルム層に位置しており、及び/又は、
前記表示パネルは、信号線を含む信号線層を更に備え、少なくとも一部の前記接続線は、前記信号線層に位置し、前記信号線は、データ線、走査線、電源線、電圧基準線及び接地線のうちの少なくとも1つを含み、及び/又は、
前記表示パネルの厚さ方向に沿った少なくとも一部の前記接続線の正投影と、前記表示パネルの厚さ方向に沿った前記画素駆動回路の正投影とは、位置ずれして設けられており、及び/又は、
少なくとも一部の前記第1の接続線は、第1の方向に沿って延び、且つ対応する前記第1の回路ブロックの第2の方向における少なくとも一方側に位置し、及び/又は、
少なくとも一部の前記第3の接続線は、第1の方向に沿って延び、且つ対応する前記第3の回路ブロックの第2の方向における少なくとも一方側に位置し、前記第1の方向と前記第2の方向とが交差しており、及び/又は、
同色の前記サブ画素に接続される前記接続線は、同じ材料を用いて製造して成形される、
請求項5に記載の表示パネル。
【請求項8】
前記第1の接続線は、前記第1の表示領域に位置する第1のセグメントと、前記第2の表示領域に位置する第2のセグメントとを含み、前記第2のセグメントは、前記信号線層に位置し、
前記第1のセグメント及び前記第2のセグメントは、異なるフィルム層に位置しており、及び/又は、
前記第3の接続線は、前記第3の表示領域に位置する第3のセグメントと、前記第2の表示領域に位置する第4のセグメントとを含み、前記第4のセグメントは、前記信号線層に位置し、
前記第4のセグメントと前記第3のセグメントとは、異なるフィルム層に位置しており、及び/又は、
前記第1のセグメントと前記第3のセグメントとは同じフィルム層に位置している、
請求項7に記載の表示パネル。
【請求項9】
前記第1のサブ画素、前記第2のサブ画素及び前記第3のサブ画素は、行単位及び列単位で配列され、前記第1の回路、前記第2の回路及び前記第3の回路は、行単位及び列単位で配列され、
少なくとも一部の前記第1の回路と前記第2の回路とは同じ行に設けられ、且つ同じ行に設けられた前記第1の回路と前記第2の回路とは、同じ行にある前記第1のサブ画素と前記第2のサブ画素とを駆動するために用いられ、及び/又は、
少なくとも一部の前記第3の回路と前記第2の回路とは、同じ行に設けられ、且つ同じ行に設けられた前記第3の回路と前記第2の回路とは、同じ行にある前記第3のサブ画素と前記第2のサブ画素とを駆動するために用いられる、
請求項5に記載の表示パネル。
【請求項10】
請求項1からのいずれか1項に記載の表示パネルを備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、2022年2月28日に提出された名称が「表示パネル及び表示装置」である中国特許出願の第202210191210.8号の優先権を要求し、該出願の全ての内容は引用により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本願は、表示分野に関し、具体的に表示パネル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【0003】
電子機器の急速な発展に伴い、画面占有率に対するユーザの要求がますます高くなり、電子機器のフルスクリーン表示が業界からますます注目されている。
【0004】
現在の電子機器、例えば、携帯電話、タブレットコンピュータなどの携帯端末は、その表示画面周辺に黒縁があり、つまり、額縁のサイズが大きく、電子機器の正面から見て、透明パネルの表示領域の占有率が小さく、その黒縁(狭額縁)の幅が大きく、ユーザの使用に不便である。現在の狭額縁技術では、パッケージ領域の幅及び回路のサイズをできるだけ小さくする必要があるので、パッケージの信頼性、耐落下衝撃性能力、回路の駆動能力に悪影響を及ぼし、狭額縁化が困難になる。
【発明の概要】
【0005】
本願の実施例は、表示パネルの額縁を小さくしながら、表示パネルの狭額縁設計を実現することを目的とする表示パネル及び表示装置を提供する。
【0006】
本願の第1の態様の実施例は、表示パネルを提供し、表示パネルは、第1の表示領域と第2の表示領域とを有し、表示パネルは、第1の表示領域に位置する第1のサブ画素と、第2の表示領域に位置する第2のサブ画素とを含むサブ画素と、第1の表示領域に位置するシフトレジスタと、第2の表示領域に位置し、且つ第1のサブ画素を駆動するための第1の回路と、第2のサブ画素を駆動するための第2の回路と、仮想領域とを含む画素駆動回路と、を備え、a個の隣接する第2のサブ画素は画素ブロックを形成し、第1の回路とa個の第2の回路は第1の回路ブロックを形成し、第1の回路ブロック内のa個の第2の回路は同一の画素ブロック内のa個の第2のサブ画素を駆動し、仮想領域とa個の第2の回路は第2の回路ブロックを形成し、第2の回路ブロック内のa個の第2の回路は同一の画素ブロック内のa個の第2のサブ画素を駆動し、aは1よりも大きい整数であり、第1の回路ブロック内の第1の回路と第2の回路との相対位置関係は第2の回路ブロック内の仮想領域と第2の回路との相対位置関係と同じである。
【0007】
本願の第2の態様の実施例は、上記いずれかの第1の態様の実施例の表示パネルを含む表示装置を提供する。
【0008】
本願の第1態様の実施例に係る表示パネルにおいて、表示パネルは、サブ画素と、シフトレジスタと、画素駆動回路とを含む。サブ画素は、第1のサブ画素及び第2のサブ画素を含み、第1のサブ画素及びシフトレジスタは、いずれも第1の表示領域に位置し、第1のサブ画素は、第1の表示領域の表示を実現するために用いられ、即ち、シフトレジスタが位置する領域は、表示を実現できるため、表示パネルの非表示領域の面積を小さくし、表示パネルの狭額縁設計を実現することができる。画素駆動回路は、第1のサブ画素を駆動するための第1の回路と、第2のサブ画素を駆動するための第2の回路とを含む。第1の回路及び第2の回路はいずれも第2の表示領域に位置し、第1の回路は第2の表示領域に位置し、即ち、シフトレジスタが位置する領域の第1のサブ画素を駆動するための画素駆動回路は第2の表示領域に位置し、第1の回路はシフトレジスタに対して退避することができる。第1の回路ブロック内の第1の回路と第2の回路との相対位置関係は、第2の回路ブロック内の仮想領域と第2の回路との相対位置関係と同じであるため、第2の表示領域の表示の均一性を保証し、第1の回路が第2の表示領域に設置されて第2の表示領域の表示効果に及ぼす影響を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
以下の図面を参照して非限定的な実施例に対して行われた詳細な説明を読むことにより、本願の他の特徴、目的及び利点はより明らかになる。ここで、同一又は類似の符号は同一又は類似の特徴を示す。図面は実際の縮尺で描かれていない。
【0010】
図1】本願の第1の実施例に係る表示パネルの概略平面図である。
図2図1におけるQ領域のサブ画素101の配列構成の部分拡大図である。
図3図1におけるQ領域の一部の画素駆動回路の部分拡大図である。
図4図1におけるQ’領域のサブ画素101の配列構成の部分拡大図である。
図5図1におけるQ’領域の一部の画素駆動回路の部分拡大図である。
図6図2におけるB-Bでの断面図である。
図7図4におけるC-Cでの断面図である。
図8図3の部分拡大構成図である。
図9図5の部分拡大構成図である。
図10】本願の実施例に係る表示装置の概略構成図である。
図11図10におけるD-Dでの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、本願の各実施形態の特徴や例示的な実施例について詳細に説明する。本願の目的、技術案、及び利点をより明確に理解するために、以下、図面及び具体的な実施例を参照して本願を詳細に説明する。本明細書に記載された具体的な実施例は、本願を限定することなく、本願を解釈するように構成される。当業者にとって明らかなように、本願はこれらの具体的な詳細のうちのいくつかの詳細を必要としない場合でも実施することができる。以下の実施例の説明は本願の例を示すことにより本願をよりよく理解するために用いられる。
【0012】
携帯電話やタブレットコンピュータなどの電子機器において、表示パネルの片側にフロントカメラ、赤外光センサ、近接光センサなどの感光アセンブリを集積する必要がある。いくつかの実施例において、前記電子機器に透光表示領域を設け、感光アセンブリを透光表示領域の背面に設置することができ、感光アセンブリが正常に作動することを確保した場合、電子機器のフルスクリーン表示を実現することができる。
【0013】
現在の狭額縁技術では、パッケージ領域の幅及び回路のサイズをできるだけ小さくする必要があり、パッケージの信頼性、耐落下衝撃性能力、回路の駆動能力に悪影響を及ぼす。
【0014】
上記問題を解決するために、本願の実施例は、表示パネル及び表示装置を提供し、以下、図面を参照して表示パネル及び表示装置の各実施例について説明する。
【0015】
本願の実施例は、表示パネルを提供する。当該表示パネルは、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、OLED)表示パネルであってもよい。
【0016】
図1は、本願の第1の態様の実施例に係る表示パネルの概略平面図である。
【0017】
図1に示すように、表示パネル100は、第1の表示領域AA1と、第2の表示領域AA2とを有する。選択可能に、第1の表示領域AA1は環状であり、第1の表示領域AA1は少なくとも一部の第2の表示領域AA2を取り囲んで設けられている。第1の表示領域AA1は、表示パネル100の額縁表示領域である。
【0018】
選択可能に、表示パネル100は、第3の表示領域AA3を更に含む。第2の表示領域AA2は、少なくとも一部の第3の表示領域AA3を囲んで設けられている。選択可能に、表示パネル100は、第1の表示領域AA1、第2の表示領域AA2、第3の表示領域AA3を囲む非表示領域NAを更に含む。選択可能に、第3の表示領域AA3の光透過率は、第2の表示領域AA2の光透過率よりも大きい。
【0019】
ここで、第3の表示領域AA3の光透過率は、15%以上であることが好ましい。第3の表示領域AA3の光透過率が15%よりも大きく、更に40%よりも大きく、更により高い光透過率を有することを確保するために、本実施例における表示パネル100の一部の機能フィルム層の光透過率はいずれも80%よりも大きく、更に少なくとも一部の機能フィルム層の光透過率はいずれも90%よりも大きい。
【0020】
本願の実施例に係る表示パネル100によれば、第3の表示領域AA3の光透過率は、第2の表示領域AA2の光透過率よりも大きいので、表示パネル100は、第1の表示領域AA1の背面に感光アセンブリ200を集積することができ、例えば、カメラの感光アセンブリ200のアンダースクリーン集積を実現することができ、また、第3の表示領域AA3が画面を表示することができるので、表示パネル100の表示面積を向上させ、表示装置のフルスクリーン設計を実現することができる。
【0021】
第3の表示領域AA3の個数設置方式は複数あり、例えば、第3の表示領域AA3及び第2の表示領域AA2の個数はいずれも1つであり、感光アセンブリ200のアンダースクリーン集積を実現し又は指紋識別を実現するために用いられる。或いは、他のいくつかの選択可能な実施例において、第3の表示領域AA3の個数は2つであり、そのうちの一方の第3の表示領域AA3は、感光アセンブリ200のアンダースクリーン集積を実現するために用いられ、他方の第3の表示領域AA3は指紋認識を実現するために用いられる。
【0022】
図1乃至図3を参照すると、図2は、図1におけるQ領域のサブ画素配列構成の部分拡大図である。図3は、図1におけるQ領域の一部の画素駆動回路の部分拡大図である。
【0023】
図1乃至図3に示すように、本願の実施例に係る表示パネル100は、サブ画素101と、シフトレジスタ105と、画素駆動回路102とを含み、サブ画素101は、第1の表示領域AA1に位置する第1のサブ画素110と、第2の表示領域AA2に位置する第2のサブ画素120とを含み、画素駆動回路102は、第2の表示領域AA2に位置し、画素駆動回路102は、第1の回路210と、第2の回路220と、仮想領域240とを含み、第1の回路210は、第1のサブ画素110を駆動し、第2の回路220は、第2のサブ画素120を駆動する。a個の隣接する第2のサブ画素120は画素ブロック100aを形成し、第1の回路210とa個の第2の回路220とは第1の回路ブロック200aを形成し、第1の回路ブロック200a内のa個の第2の回路220は同一の画素ブロック100a内のa個の第2のサブ画素220を駆動し、仮想領域240とa個の第2の回路220とは第2の回路ブロック200bを形成し、第2の回路ブロック200b内のa個の第2の回路220は同一の画素ブロック100a内のa個の第2のサブ画素120を駆動し、aは1よりも大きい整数であり、第1の回路ブロック200a内の第1の回路210と第2の回路220との相対位置関係は第2の回路ブロック200b内の仮想領域240と第2の回路220との相対位置関係と同じである。
【0024】
第1の回路210と第1のサブ画素110との接続関係をより良く示すために、図3には、第1の表示領域AA1の第1のサブ画素110が保留されている。図3には、Q領域の一部の画素駆動回路102のみが示されている。
【0025】
図3において、一点鎖線枠で第1の回路ブロック200aを模式的に示し、同一の一点鎖線枠内に位置する第1の回路210及び第2の回路220は同一の第1の回路ブロック200aに属し、一点鎖線枠は本願の表示パネル100の構造を限定するものではない。図3において、一点鎖線枠で第2の回路ブロック200bを模式的に示し、同一の一点鎖線枠200b内に位置する仮想領域240と第2の回路220とは同一の第2の回路ブロック200bに属し、一点鎖線枠は本願の表示パネル100の構造を限定するものではない。
【0026】
本願の第1の態様の実施例に係る表示パネル100において、表示パネル100は、サブ画素101と、画素駆動回路102と、シフトレジスタ105とを含む。サブ画素101は、第1のサブ画素110及び第2のサブ画素120を含み、第1のサブ画素110及びシフトレジスタ105は、いずれも第1の表示領域AA1に位置する。画素駆動回路102は、第2の表示領域AA2に位置する第1の回路210及び第2の回路220を含み、第1の回路210は第1のサブ画素110を駆動し、第2の回路220は第2のサブ画素120を駆動する。シフトレジスタ105は第1の表示領域AA1に位置し、第1の回路210及び第2の回路220は、いずれも第2の表示領域AA2に位置し、即ち、シフトレジスタ105が位置する領域の第1のサブ画素110を駆動するための画素駆動回路102は、第2の表示領域AA2に位置し、第1の回路210は、第2の表示領域AA2に設けられることで、シフトレジスタ105に対して退避することができ、額縁幅を減少させることができる。
【0027】
選択可能に、仮想領域240を増加させ、且つ第1の回路ブロック200a内の第1の回路210と第2の回路220との相対位置関係を第2の回路ブロック200b内の仮想領域240と第2の回路220との相対位置関係と同じにすることで、画素駆動回路102のレイアウト及び製造を更に簡略化することができ、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0028】
第1の回路210とa個の第2の回路220とは第1の回路ブロック200aを形成し、第1の回路ブロック内のa個の第2の回路220は同一画素ブロック内のa個の第2のサブ画素を駆動し、第1の回路210は第1のサブ画素110を駆動する。複数の第1の回路ブロック200aは、列方向においてアレイ状に配列され、複数の第1の回路210は、同一直線上に位置しない。このように、第1の回路ブロック200a内における第1の回路210の相対位置が固定されないため、より優れた表示均一性効果を提供することができる。
【0029】
選択可能に、仮想領域240を設けることにより、第2の回路ブロック200bの配置と第1の回路ブロック200a及び第3の回路ブロック200cの配置とをできるだけ一致させ、表示差を改善し、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0030】
選択可能に、第2の回路ブロック200bの個数は複数であり、各第2の回路ブロック200bとそれにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が同じであるため、画素駆動回路102のレイアウト及び製造を簡素化し、第2の表示領域AA2の表示の均一性を改善することができる。
【0031】
第2の回路ブロック200bにより駆動された画素ブロック100aは、第2の回路ブロック200b内のa個の第2の回路220により駆動されたa個の隣接する第2のサブ画素120が位置する画素ブロック100aである。
【0032】
各第2の回路ブロック200bと当該第2の回路ブロック200bにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が同じであるとは、例えば、表示パネル100が複数の第2の回路ブロック200bを含み、各第2の回路ブロック200bとそれにより駆動される画素ブロック100aとが厚さ方向において位置ずれしており、各第2の回路ブロック200bと当該第2の回路ブロック200bにより駆動される画素ブロック100aとの位置ずれ寸法及び位置ずれ方向が同じであることを指す。
【0033】
各第2の回路ブロック200bと当該第2の回路ブロック200bにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が同じであるとは、各第2の回路ブロック200bと当該第2の回路ブロック200bにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が厳密に同じであることを意味するものではなく、製造プロセス誤差範囲において、各第2の回路ブロック200bと当該第2の回路ブロック200bにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置をほぼ同じにして、直接第2の回路ブロック200bが位置するアレイ基板と第2のサブ画素120が位置する発光板とを全体的に位置合わせして接続することができ、各第2の回路220が各第2のサブ画素120を駆動することができればよい。
【0034】
選択可能に、表示パネルの厚さ方向Zに沿って、第1の回路210の正投影サイズと仮想領域240のサイズとが同じであるため、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。例えば、第1の回路210は、2T1C回路、7T1C回路、7T2C回路、又は9T1C回路のいずれかであってもよい。ここで、「2T1C回路」とは、画素回路において2つの薄膜トランジスタ(T)と1つのコンデンサ(C)とを含む画素回路を指し、他の「7T1C回路」、「7T2C回路」、「9T1C回路」などは順に類推する。そうすれば、第1の回路210の厚さ方向Zに沿った正投影は、第1の回路210に含まれる薄膜トランジスタ及びコンデンサの厚さ方向における正投影面積の和である。
【0035】
選択可能に、表示パネル100は、第1の方向Xに沿って延びる第1の導線と、第2の方向Yに沿って延びる第2の導線とを含む。第1の導線は、例えば、走査線、発光制御信号線、電圧基準線等である。第2の導線は、例えば、データ信号線、電源線等である。
【0036】
2つの第1の回路210が第2の方向Yに沿って隣接して設けられると仮定すると、第2の方向Yに沿って隣接する2つの第1の回路210において、上の第1の回路210に接続される第1の導線から下の第1の回路210に接続される第1の導線までの距離は、第1の回路210の第2の方向Yにおける寸法Lであってもよい。例えば、上の第1の回路210に接続される第1の導線の第2の方向Yにおける中心から下の第1の回路210に接続される第1の導線の第2の方向Yにおける中心までの距離は、第1の回路210の第2の方向Yにおける寸法Lであってもよい。
【0037】
2つの第1の回路210が第1の方向Xに沿って隣接して設けられると仮定すると、第1の方向Xに沿って隣接する2つの第1の回路210において、前の第1の回路210に接続される第2の導線から後の第1の回路210に接続される第2の導線までの距離は、第1の回路210の第1の方向Xにおける寸法Hであってもよい。例えば、前の第1の回路210に接続される第2の導線の第1の方向Xにおける中心から後の第1の回路210に接続された第2の導線の第1の方向Xにおける中心までの距離は、第1の回路210の第1の方向Xにおける寸法Hである。
【0038】
第1の回路210と第2の回路220とが第2の方向Yに沿って隣接して設けられ、且つ第1の回路210が第1の回路210に接続される第1の導線と第2の回路220に接続される第1の導線との間に位置する場合、第2の方向Yに沿って隣接する第1の回路210及び第2の回路220において、第1の回路210に接続される第1の導線の第2の方向Yにおける中心から第2の回路220に接続される第1の導線の第2の方向Yにおける中心までの距離は、第1の回路210の第2の方向Yにおける寸法Lであってもよい。
【0039】
第1の回路210と第2の回路220とが第1の方向Xに沿って隣接して設けられ、且つ第1の回路210が第1の回路210に接続される第2の導線と第2の回路220に接続される第2の導線との間に位置する場合、第1の方向Xに沿って隣接する第1の回路210及び第2の回路220において、第1の回路210に接続される第2の導線から第2の回路220に接続される第2の導線までの距離は、第1の回路210の第1の方向Xにおける寸法Hであってもよい。
【0040】
表示パネルの厚さ方向Zに沿って、第1の回路210の正投影サイズは、H×Lであってもよい。
【0041】
選択可能に、仮想領域240のサイズはH×Lである。
【0042】
選択可能に、第1の回路ブロック200a内の第1の回路210の数量と第2の回路ブロック200b内の仮想領域240の数量とが同じであるため、仮想領域240と第1の回路210が位置する領域の表示効果が同じであり、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0043】
選択可能に、表示パネルの厚さ方向Zに沿って、第1の回路ブロック200aの正投影サイズと第2の回路ブロック200bの正投影サイズとが同じであれば、第1の回路ブロック200aと第2の回路ブロック200bにおけるa個の第2の回路220のサイズが同じであり、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0044】
第1の回路ブロック200aの正投影サイズは、第1の回路ブロック200a内の第1の回路210とa個の第2の回路220の正投影サイズの和である。第2の回路ブロック200bの正投影サイズは、第2の回路ブロック200b内の仮想領域240とa個の第2の回路220の正投影サイズの和である。
【0045】
第1の回路210と第2の回路220とが第2の方向Yに沿って隣接して設けられ、且つ第2の回路220は、第1の回路210に接続される第1の導線と第2の回路220に接続される第1の導線との間に位置する場合、第2の方向Yに沿って隣接する第1の回路210及び第2の回路220において、第1の回路210に接続される第1の導線の第2の方向Yにおける中心から第2の回路220に接続される第1の導線の第2の方向Yにおける中心までの距離は、第2の回路220の第2の方向Yにおける寸法L’であってもよい。
【0046】
第1の回路210と第2の回路220とが第1の方向Xに沿って隣接して設けられ、且つ第2の回路220が、第1の回路210に接続される第2の導線と第2の回路220に接続される第2の導線との間に位置する場合、第1の方向Xに沿って隣接する第1の回路210と第2の回路220とにおいて、第1の回路210に接続される第2の導線から第2の回路220に接続される第2の導線までの距離は、第2の回路220の第1の方向Xにおける寸法H’であってもよい。
【0047】
表示パネルの厚さ方向Zに沿って、第2の回路220の正投影サイズはL’×H’である。
【0048】
選択可能に、仮想領域240内に仮想回路が設けられ、仮想回路の構造が第1の回路210の構造と同じであるため、仮想領域240と第1の回路210が位置する領域の表示効果が同じであり、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0049】
選択可能に、第1の回路ブロック200aの数量が複数であり、各第1の回路ブロック200aと当該第1の回路ブロック200aにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が同じである。第1の回路ブロック200aにより駆動される画素ブロック100aは、第1の回路ブロック200a内のa個の第2の回路220により駆動されるa個の隣接する第2のサブ画素120が位置する画素ブロック100aである。
【0050】
各第1の回路ブロック200aと当該第1の回路ブロック200aにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が同じであるとは、例えば、表示パネル100が複数の第1の回路ブロック200aを含み、各第1の回路ブロック200aとそれにより駆動される画素ブロック100aとが厚さ方向において位置ずれしており、各第1の回路ブロック200aと当該第1の回路ブロック200aにより駆動される画素ブロック100aとの位置ずれ寸法及び位置ずれ方向が同じであることを指す。
【0051】
各第1の回路ブロック200aと当該第1の回路ブロック200aにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が同じであるとは、各第1の回路ブロック200aと当該第1の回路ブロック200aにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が厳密に同じであることを意味するものではなく、製造プロセス誤差範囲において、各第1の回路ブロック200aと当該第1の回路ブロック200aにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置をほぼ同じにして、直接第1の回路ブロック200aが位置するアレイ基板と第2のサブ画素120が位置する発光板とを全体的に位置合わせして接続することができ、各第2の回路220が各第2のサブ画素120を駆動することができればよい。
【0052】
これらの選択可能な実施例において、各第1の回路ブロック200aとそれにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が同じであるため、画素駆動回路102のレイアウト及び製造を簡素化し、第2の表示領域AA2の表示の均一性を改善し、第1の回路210が第2の表示領域AA2に設置されることによる第2の回路220と第2のサブ画素120との間の接続への影響を低減することができる。
【0053】
図1図4及び図5を参照すると、図4は、図1におけるQ’領域のサブ画素配列構成の部分拡大図である。図5は、図1におけるQ’領域の一部の画素駆動回路の部分拡大図である。
【0054】
いくつかの選択可能な実施例において、図1図4及び図5に示すように、表示パネル100は、第3の表示領域AA3を更に含み、第2の表示領域AA2は、少なくとも一部の第3の表示領域AA3を取り囲んで設けられ、サブ画素101は、第3の表示領域AA3に位置する第3のサブ画素130を更に含み、画素駆動回路102は、第3のサブ画素130を駆動するための第3の回路230を更に含む。第3の表示領域AA3のサブ画素101を駆動するための画素駆動回路102は、第2の表示領域AA2に位置するため、第3の表示領域AA3の光透過率を向上させることができ、感光アセンブリ200が第3の表示領域AA3を透過して光線情報を取得することができ、感光アセンブリ200のアンダースクリーン集積に有利である。
【0055】
第3の回路230及びa個の第2の回路220は、第3の回路ブロック200cを形成し、第3の回路ブロック200c内のa個の第2の回路220は、同一の画素ブロック100a内のa個の第2のサブ画素120を駆動するために用いられ、aは1よりも大きい整数であり、各第3の回路ブロック200cとそれにより駆動される画素ブロック100aとの相対位置が同じであるため、画素駆動回路102のレイアウト及び製造を簡素化し、第2の表示領域AA2の表示の均一性を改善することができる。
【0056】
第3の回路ブロック200cにより駆動される画素ブロック100aは、第3の回路ブロック200c内のa個の第2の回路220により駆動されるa個の隣接する第2のサブ画素120が位置する画素ブロック100aである。
【0057】
第3の回路230と第3のサブ画素130との接続関係をより良く示すために、図5には、第3の表示領域AA3の第3のサブ画素130が保留されている。図5には、Q’領域の一部の画素駆動回路102のみが示されている。
【0058】
図5において、一点鎖線枠で第3の回路ブロック200cを模式的に示し、同一の一点鎖線枠内に位置する第3の回路230と第2の回路220とは同一の第3の回路ブロック200cに属し、一点鎖線枠は本願の表示パネル100の構造を限定するものではない。
【0059】
選択可能に、表示パネルの厚さ方向Zに沿って、第1の回路210の正投影サイズと第3の回路230の正投影サイズとが同じであるため、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。第3の回路230の寸法の定義は、第1の回路210の寸法の定義と同じであり、ここでは説明を省略する。
【0060】
選択可能に、第1の回路ブロック200a内の第1の回路210の数量と第3の回路ブロック200c内の第3の回路230の数量とが同じであるため、第1の回路210と第3の回路230が位置する領域の表示効果をより近接させ、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0061】
選択可能に、表示パネルの厚さ方向Zに沿って、第1の回路ブロック200aの正投影サイズと第3の回路ブロック200cの正投影サイズとが同じであれば、第1の回路ブロック200aと第3の回路ブロック200cにおけるa個の第2の回路220のサイズが同じであり、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0062】
選択可能に、第1の回路ブロック200a内の第1の回路210と第2の回路220との相対位置関係は、第3の回路ブロック200c内の第3の回路230と第2の回路220との相対位置関係と同じであるため、画素駆動回路102のレイアウト及び製造を更に簡素化し、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0063】
いくつかの選択可能な実施例において、図3及び図5に示すように、表示パネル100は、接続線103を更に含み、接続線103は、第1のサブ画素110及び第1の回路210を接続するための第1の接続線310と、第3のサブ画素130及び第3の回路230を接続するための第3の接続線330とを含み、少なくとも一部の第1の接続線310及び第3の接続線330は、同一のフィルム層に位置している。
【0064】
これらの選択可能な実施例において、少なくとも一部の第1の接続線310及び第3の接続線330が同一のフィルム層に位置するため、少なくとも一部の第1の接続線310及び第3の接続線330を同期的に製造することができ、一部の第1の接続線310及び第3の接続線330を製造するための製造プロセス工程を増加させることなく、マスク板の数量及び製造プロセスを増加させることもなく、表示パネル100の製造工程を簡略化し、表示パネル100の製造効率を向上させ、表示パネル100の厚さを薄くすることができる。
【0065】
選択可能に、接続線103は、第2の回路220と第2のサブ画素120とを接続するための第2の接続線320を更に含む。
【0066】
図3図5乃至図7を合わせて参照すると、図6図2におけるB-Bでの断面図である。図7図4におけるC-Cでの断面図である。
【0067】
いくつかの選択可能な実施例において、図3及び図5乃至図7に示すように、表示パネル100は、信号線410を含む信号線層104を更に備え、少なくとも一部の接続線103が信号線層104に位置し、信号線410は、データ線、走査線、電源線、電圧基準線及び接地線のうちの少なくとも1つを含み、これにより、一部の接続線103はデータ線、走査線、電源線、電圧基準線及び接地線のうちの少なくとも1つと同期的に製造することができ、一部の接続線103を製造するための製造プロセス工程を増加させることなく、マスク板の数量及び製造プロセスを増加させることもなく、表示パネル100の製造工程を簡略化し、表示パネル100の製造効率を向上させ、表示パネル100の厚さを薄くすることができる。
【0068】
選択可能に、表示パネルの厚さ方向Zに沿った少なくとも一部の接続線103の正投影と表示パネルの厚さ方向Zに沿った画素駆動回路102の正投影とは位置ずれして設置されることで、一部の接続線103と画素駆動回路102との重複面積を減少させ、接続線103と画素駆動回路102との間に形成される寄生容量による信号伝送への影響を改善することができる。
【0069】
選択可能に、少なくとも一部の第1の接続線310は、第1の方向Xに沿って延び且つ対応する第1の回路ブロック200aの第2の方向Yにおける一方側に位置し、及び/又は、少なくとも一部の第3の接続線330は、第1の方向Xに沿って延び且つ対応する第3の回路ブロック200cの第2の方向Yにおける一方側に位置し、第1の方向X及び第2の方向Yは交差する。
【0070】
これらの選択可能な実施例において、一部の第1の接続線310が第1の方向Xに沿って延在して成形され、第1の方向Xに沿って延在して成形された一部の第1の接続線310が、対応する第1の回路ブロック200aの第2の方向Yにおける一方側に位置する場合、第1の接続線310が第1の回路210の間に確保された空間内に位置すると共に、第1の接続線310と第1の回路210との重複面積を減少させ、第1の接続線310と第1の回路210との相互影響を改善することができる。
【0071】
一部の第3の接続線330は、第1の方向Xに沿って延在して成形され、第1の方向Xに沿って延在して成形された一部の第3の接続線330は、対応する第3の回路ブロック200cの第2の方向Yにおける一方側に位置する場合、第3の接続線330が第3の回路230の間に確保された空間内に位置すると共に、第3の接続線330と第3の回路230との重複面積を減少させ、第3の接続線330と第3の回路230との相互影響を改善することができる。
【0072】
第1の接続線310に対応する第1の回路ブロック200aは、第1の接続線310に接続される第1の回路210が位置する第1の回路ブロック200aであり、第3の接続線330に対応する第3の回路ブロック200cは、第3の接続線330に接続される第3の回路230が位置する第3の回路ブロック200cである。
【0073】
引き続き図6及び図7を参照すると、表示パネル100は、基板11、基板に設けられたアレイ基板層12及び画素定義層13を更に含んでもよい。画素駆動回路102は、アレイ基板層12に設けられてもよい。第1の回路210、第2の回路220及び第3の回路230は、いずれも薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、TFT)を含んでもよい。アレイ基板層12は、コンデンサなどの構造を更に含んでもよい。画素定義層13は、第1の表示領域AA1に位置する第1の画素開口K1と、第2の表示領域AA2に位置する第2の画素開口K2と、第3の表示領域AA3に位置する第3の画素開口K3とを含む画素開口を備える。第1のサブ画素110は、第1の電極111と、第2の電極112と、第1の電極111と第2の電極112との間に位置する第1の発光構造113とを含み、第1の発光構造113は、第1の画素開口K1に位置する。第1の電極111は、第1の接続線310を介して第1の回路210のTFTに接続されている。第2のサブ画素120は、第3の電極121と、第4の電極122と、第3の電極121と第4の電極122との間に位置する第2の発光構造123とを含み、第2の発光構造123は、第2の画素開口K2に位置する。第3のサブ画素130は、第5の電極131と、第6の電極132と、第5の電極131と第6の電極132との間に位置する第3の発光構造133とを含み、第3の発光構造133は、第3の画素開口K3に位置する。第5の電極131は、第3の接続線330を介して第3の回路230のTFTに接続されている。画素定義層13には支持柱14が更に設けられてもよい。第1の電極111及び第3の電極121及び第5の電極131は画素電極であってもよく、第2の電極112及び第4の電極122及び第6の電極132は全面電極として相互接続されてもよい。
【0074】
図6から図9を合わせて参照すると、図8図3の部分拡大構成図であり、図9図5の部分拡大構成図である。
【0075】
図6及び図8に示すように、いくつかの選択可能な実施例において、第1の接続線310は、第1の表示領域AA1に位置する第1のセグメント311と、第2の表示領域AA2に位置する第2のセグメント312とを含み、第2のセグメント312は、信号線層104に位置するため、第1の接続線310と信号線とを同期的に製造することができ、一部の第1の接続線310を製造するための製造プロセス工程を増加させることなく、マスク板の数量及び製造プロセスを増加させることもなく、表示パネル100の製造工程を簡略化し、表示パネル100の製造効率を向上させ、表示パネル100の厚さを薄くすることもできる。
【0076】
選択可能に、異なる第1の接続線310の短絡接続リスクを改善するために、第1のセグメント311及び第2のセグメント312は異なるフィルム層に位置する。図7及び図9に示すように、いくつかの選択可能な実施例において、第3の接続線330は、第3の表示領域AA3に位置する第3のセグメント331と、第2の表示領域AA2に位置する第4のセグメント332とを含み、第4のセグメント332は、信号線層104に位置するため、第4のセグメント332と信号線410とを同期的に製造することができ、一部の第4のセグメント332を製造するための製造プロセス工程を増加させることなく、マスク板の数量及び製造プロセスを増加させることもなく、表示パネル100の製造工程を簡略化し、表示パネル100の製造効率を向上させ、表示パネル100の厚さを薄くすることができる。選択可能に、異なる第3の接続線330の短絡接続リスクを改善するために、第4のセグメント332と第3のセグメント331とは異なるフィルム層に位置している。
【0077】
選択可能に、第3のセグメント331は、透光材料を選択して製造し成形することができ、例えば、第3のセグメント331の材料は、酸化インジウムスズなどの透光材料を含むので、第1の表示領域AA1の光透過率を高めることができる。
【0078】
選択可能に、第1のセグメント311と第3のセグメント331とは同一のフィルム層に位置するため、第1のセグメント311と第3のセグメント331とを同期的に製造することができ、表示パネル100の製造プロセスを簡略化し、表示パネル100の製造効率を向上させ、表示パネル100の厚さを薄くすることができる。
【0079】
いくつかの選択可能な実施例において、同色のサブ画素101に接続される接続線103は、同じ材料を用いて製造して成形される。
【0080】
これらの選択可能な実施例において、同色のサブ画素101が同じ種類の材料の接続線103を採用することにより、接続線103の抵抗が異なることによる画素の輝度の差異を低減することができ、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0081】
選択可能に、第2の表示領域AA2は、主表示領域と、第1の遷移領域と、第2の遷移領域とを含み、第1の遷移領域は、主表示領域と第1の表示領域AA1との間に位置し、第2の遷移領域は、主表示領域と第3の表示領域AA3との間に位置し、第1の回路210は、第1の遷移領域に位置することで、第1の回路210と第1の表示領域AA1との間の間隔が小さくなり、第1の回路210と第1のサブ画素110との間の配線長を短くすることができ、第3の回路230は、第2の遷移領域に位置することで、第3の回路230と第3の表示領域AA3との間の間隔が小さくなり、第3の回路230と第3のサブ画素130との間の配線長を短くすることができ、仮想領域240は、主表示領域に位置することで、第2の表示領域AA2の表示の均一性を更に改善することができる。
【0082】
いくつかの選択可能な実施例において、第1のサブ画素110、第2のサブ画素120及び第3のサブ画素130は、行単位及び列単位で配列され、第1の回路210、第2の回路220及び第3の回路230は、行単位及び列単位で配列され、ここで、少なくとも一部の第1の回路210及び第2の回路220は、同じ行に設けられ、且つ同じ行に設けられた第1の回路210及び第2の回路220は、同じ行にある第1のサブ画素110及び第2のサブ画素120を駆動するために用いられ、及び/又は、少なくとも一部の第3の回路230及び第2の回路220は、同じ行に設けられ、且つ同じ行に設けられた第3の回路230及び第2の回路220は、同じ行にある第3のサブ画素130及び第2のサブ画素120を駆動するために用いられる。
【0083】
これらの選択可能な実施例において、第1の回路210は第1の接続線310を介して第1のサブ画素110に接続され、第2の回路220は第2の接続線320を介して第2のサブ画素120に接続され、第3の回路230は第3の接続線330を介して第3のサブ画素130に接続され、同じ行にある第1の回路210及び第2の回路220並びに第3の回路230及びそれにより駆動される第1のサブ画素110及び第2のサブ画素120並びに第3のサブ画素130が同じ行に設けられる場合、走査線の形状を簡素化し、走査線が同じ行にある第1のサブ画素110、第2のサブ画素120及び第3のサブ画素130を駆動しやすく、信号伝送の安定性を向上させることができる。
【0084】
いくつかの選択可能な実施例において、第3の表示領域AA3は第1の対称軸線Mに対して対称に設けられ、第1の対称軸線Mは第2の方向Yに沿って延在し、且つ第1の対称軸線Mは第3の表示領域AA3の中心を通過し、複数の第1の回路210は第1の対称軸線Mに対して対称に分布し、且つ第1の回路210とそれにより駆動される第1のサブ画素110とは第1の対称軸線Mの同じ側に位置するため、第1の回路210とそれにより駆動される第1のサブ画素110との間の距離を更に減少させ、配線距離を減少させる。複数の第3の回路230は第1の対称軸線Mに対して対称的に分布され、且つ第3の回路230とそれにより駆動される第3のサブ画素130とは第1の対称軸線Mの同じ側に位置するため、第3の回路230とそれにより駆動される第3のサブ画素130との間の距離を更に減少させ、配線距離を減少させる。
【0085】
図10図11を参照すると、図10は、本願の実施例に係る表示装置の概略構成図である。図11は、図10におけるD-Dでの断面図である。
【0086】
本願の第2の態様の実施例に係る表示装置は、上記のいずれかの実施形態の表示パネル100を含んでもよい。本実施例の表示装置において、表示パネル100は、上記のいずれかの実施例の表示パネル100であってもよく、表示パネル100は、第1の表示領域AA1と、第2の表示領域AA2と、第3の表示領域AA3とを有し、第3の表示領域AA3の光透過率は、第2の表示領域AA2の光透過率よりも大きい。
【0087】
これらの表示装置の表示パネル100において、図2図3及び図11を合わせて参照すると、第1の表示領域AA1の第1のサブ画素110を駆動するための第1の回路210が第2の表示領域AA2に設けられるため、シフトレジスタ105の設置に対して十分なスペースを確保することができ、元々非表示領域に位置するシフトレジスタ105を、表示可能な第1の表示領域AA1に設置することができ、表示装置の額縁幅を小さくすることができる。
【0088】
選択可能に、図11に示すように、表示パネル100は、対向する第1の表面S1及び第2の表面S2を含み、第1の表面S1は表示面である。表示装置は、表示パネル100の第2表面S2側に位置する感光アセンブリ200を更に含み、感光アセンブリ200は、第3の表示領域AA3の位置に対応する。
【0089】
感光アセンブリ200は、外部画像情報を収集するための画像収集装置であってもよい。本実施例において、感光アセンブリ200は、相補型金属酸化物半導体(Complementary Metal Oxide Semiconductor CMOS)画像収集装置であり、他のいくつかの実施例において、感光アセンブリ200は、電荷結合素子(Charge-coupled Device、CCD)画像収集装置などの他の形式の画像収集装置であってもよい。感光アセンブリ200は、画像収集装置に限定されず、例えば、いくつかの実施例において、感光アセンブリ200は、赤外線センサ、近接センサ、赤外線レンズ、投光感知素子、環境光センサ及びドットマトリックス投影器などの光センサであってもよい。また、表示装置は、表示パネル100の第2の表面S2に例えば受話器、スピーカなどの他の部材を集積してもよい。
【0090】
本願の実施例に係る表示装置によれば、第3の表示領域AA3の光透過率は、第2の表示領域AA2の光透過率よりも大きいため、表示パネル100は、第3の表示領域AA3の背面に感光アセンブリ200を集積し、例えば、画像収集装置の感光アセンブリ200のアンダースクリーン集積を実現することができ、同時に、第3の表示領域AA3は、画面を表示することができるため、表示パネル100の表示面積を向上させ、表示装置のフルスクリーン設計を実現することができる。第1のサブ画素110は、第1の表示領域AA1に位置し、表示パネル100の額縁領域が発光して表示することができるため、表示パネル100の額縁を小さくし、表示装置の狭額縁設計を実現することができる。
【0091】
本願は、以上のような実施例を参照し、これらの実施例は、全ての細部について詳細に説明しておらず、この出願が具体的な実施例に限定されない。以上のことから明らかなように、多くの修正及び変更が可能である。本明細書において、本願の原理及び実際の応用をより良く解釈するために、これらの実施例を選択して具体的に説明し、これにより、当業者が本願及び本願を基づいた修正をうまく利用することができる。本開示は、特許請求の範囲とその均等物のみにより限定される。
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