特許 7556450 電子部品、及び電子部品の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-17

(45)【発行日】2024-09-26

(54)【発明の名称】電子部品、及び電子部品の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/06 20060101AFI20240918BHJP

【ＦＩ】

H01F17/06 D

H01F17/06 F

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2023502197

(86)(22)【出願日】2022-01-27

(86)【国際出願番号】 JP2022003067

(87)【国際公開番号】W WO2022181181

(87)【国際公開日】2022-09-01

【審査請求日】2023-08-10

(31)【優先権主張番号】P 2021030983

(32)【優先日】2021-02-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100087985

【弁理士】

【氏名又は名称】福井 宏司

(72)【発明者】

【氏名】三宅 敢

(72)【発明者】

【氏名】辻 博美

(72)【発明者】

【氏名】小田原 充

【審査官】後藤 嘉宏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０８８２８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１７４２２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０５－１９０３６７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ １７／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

焼結体の磁性材からなる平板状の複数の磁性薄帯を有し、複数の前記磁性薄帯が、前記磁性薄帯の主面に対して直交する方向である積層方向に積層された素体と、
前記素体の内部で、前記主面に沿って延びている配線と、を備え、
「Ｍ」及び「Ｎ」を正の整数とし、且つ「Ｍ」及び「Ｎ」の少なくともいずれか一方を２以上とし、複数の前記磁性薄帯のうち、前記積層方向において前記配線に最も近い前記磁性薄帯を第１磁性薄帯としたとき、
複数の前記磁性薄帯は、前記積層方向について前記第１磁性薄帯と同一の位置において、前記積層方向に直交する第１基準軸に沿う方向に「Ｍ」個並んでおり、前記積層方向及び前記第１基準軸に直交する第２基準軸に沿う方向に「Ｎ」個並んでおり、
前記素体は、前記第１基準軸に沿う方向に隣り合う前記磁性薄帯の間、又は前記第２基準軸に沿う方向に隣り合う前記磁性薄帯の間に位置する焼結体の非磁性材からなる非磁性部を有する
電子部品。

【請求項2】

複数の前記磁性薄帯は、前記積層方向のそれぞれの位置において、前記第１基準軸に沿う方向に「Ｍ」個並んでおり、前記第２基準軸に沿う方向に「Ｎ」個並んでいる
請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記磁性薄帯は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｆｅ元素及びＳｉ元素を含む合金、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金、Ｆｅ元素及びＣｏ元素を含む合金のうち、少なくとも１種類を含む
請求項１又は請求項２に記載の電子部品。

【請求項4】

前記磁性薄帯では、複数の金属磁性粒子が絶縁性物質を介して結合している
請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の電子部品。

【請求項5】

前記絶縁性物質は、Ｏ元素を含む
請求項４に記載の電子部品。

【請求項6】

前記絶縁性物質は、Ｓｉ元素を含む
請求項４又は請求項５に記載の電子部品。

【請求項7】

前記絶縁性物質は、Ｃｒ元素を含む
請求項４～請求項６のいずれか１項に記載の電子部品。

【請求項8】

前記配線の延びる軸を中心軸とし、前記中心軸に直交する断面視で前記主面に沿う軸を第１軸とし、前記断面視で前記主面に直交する軸を第２軸とし、前記第１軸に沿う２つの方向のうちのいずれか一方を第１正方向としたとき、
前記断面視において、
前記配線の前記第１正方向の端を第１配線端とし、
前記配線に対して前記第２軸に沿う方向に積層された前記磁性薄帯のうち、前記第１配線端からの前記第２軸に沿う方向の距離が最も短い前記磁性薄帯を第２磁性薄帯とし、
前記第２磁性薄帯における前記第１軸に沿う方向の両端を除く範囲を第１範囲としたとき、
前記第１配線端を通り前記第２軸に沿う方向に延びる仮想直線を引いたときに、前記仮想直線は、前記第２磁性薄帯の前記第１範囲内を通る
請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の電子部品。

【請求項9】

前記第２磁性薄帯の前記積層方向の寸法は、前記第２磁性薄帯に対して前記積層方向に並ぶ複数の前記磁性薄帯の前記積層方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下の寸法である
請求項８に記載の電子部品。

【請求項10】

焼結体の磁性材からなる平板状の複数の磁性薄帯を有し、複数の前記磁性薄帯が、前記磁性薄帯の主面に対して直交する方向である積層方向に積層された素体と、
前記素体の内部で、前記主面に沿って延びている配線と、を備え、
前記素体は、複数の複数磁性薄帯の前記積層方向に隣り合う前記磁性薄帯の間に位置する焼結体の非磁性材からなる層間非磁性部を有する
電子部品。

【請求項11】

前記素体は、前記層間非磁性部を複数有し、
１つの前記層間非磁性部の前記積層方向の寸法は、複数の前記層間非磁性部の前記積層方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下の寸法である
請求項１０に記載の電子部品。

【請求項12】

非磁性材を含む非磁性ペーストにより非磁性層を形成し、前記非磁性層上に磁性材を含む磁性ペーストにより磁性層を形成し、前記磁性層を溝で分割し、前記溝に非磁性材を含む非磁性ペーストを充填することにより、分割磁性層を形成し、
導電材料を含む導電ペーストにより形成された配線パターンの上方に、前記分割磁性層を配置して、積層体を形成し、
前記積層体を焼成することにより、前記配線パターンを焼結体の配線に、前記非磁性層を焼結体の層間非磁性部に、前記磁性層を焼結体の磁性薄帯にする
電子部品の製造方法。

【請求項13】

前記分割磁性層をシート状に形成することにより第１シートを準備し、
シート状の基材上に前記配線パターンを形成することにより第２シートを準備し、
前記第１シート及び前記第２シートを圧着することにより前記積層体を形成する
請求項１２に記載の電子部品の製造方法。

【請求項14】

前記配線パターン上に、前記分割磁性層を形成することにより前記積層体を形成する
請求項１２に記載の電子部品の製造方法。

【請求項15】

基材上に前記配線パターンを形成し、前記配線パターンが形成されない前記基材上に、磁性材又は非磁性材の少なくともいずれかを含むネガペーストを充填することにより、ネガパターンを形成する
請求項１２～請求項１４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

【請求項16】

前記積層体を形成する際、前記分割磁性層を複数積層する
請求項１２～請求項１５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

【請求項17】

前記積層体を形成する際、前記配線パターン及び前記分割磁性層によって構成される個片部を複数個行列状に配置し、
前記積層体を前記個片部ごとに分割する
請求項１２～請求項１６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、電子部品、及び電子部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載の電子部品であるインダクタ部品は、素体と、素体の内部で延びている配線と、を備えている。素体は、無機フィラー及び樹脂からなっている。例えば、磁性コンポジット体については、無機フィラーの材質は、磁性材である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－１９２９２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載の電子部品は、素体における無機フィラーの充填率を高めることによって、電子部品の各種特性の向上が図られる。しかしながら、特許文献１に記載の電子部品のように、コンポジット体をビルドアップ工法で形成する場合や、一般的なコンポジット体のように、コンポジット体をモールド工法で形成する場合は、プレス加工等でコンポジット体に応力が加わる。この応力による磁性材の歪みが、磁性材の十分な特性の発揮を妨げ、磁性材の選択自由度を低下させている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するため、本開示の一態様は、焼結体の磁性材からなる平板状の複数の磁性薄帯を有し、複数の前記磁性薄帯が、前記磁性薄帯の主面に対して直交する方向である積層方向に積層された素体と、前記素体の内部で、前記主面に沿って延びている配線と、を備える電子部品である。

【0006】

上記課題を解決するため、本開示の一態様は、非磁性材を含む非磁性ペーストにより非磁性層を形成し、前記非磁性層上に磁性材を含む磁性ペーストにより磁性層を形成し、前記磁性層を溝で分割し、前記溝に非磁性材を含む非磁性ペーストを充填することにより、分割磁性層を形成し、導電材料を含む導電ペーストにより形成された配線パターンの上方に、前記分割磁性層を配置して、積層体を形成し、前記積層体を焼成することにより、前記配線パターンを焼結体の配線に、前記非磁性層を焼結体の層間非磁性部に、前記磁性層を焼結体の磁性薄帯にする電子部品の製造方法である。

【0007】

上記の電子部品によれば、素体は、焼結体の磁性材からなる磁性薄帯を有する。磁性薄帯として焼結体を採用することで、焼結の過程で磁性薄帯の歪みを緩和することができる。その結果、電子部品の特性向上を図ることができる。

【0008】

なお、「沿う」とは、直接接触しておらず、離れた位置にある場合も含む。例えば、「第１軸に沿う」とは、第１軸に直接接触して第１軸に沿うものだけでなく、第１軸に直接接触しておらず離れた位置で第１軸に沿うものも含む。また、「沿う」とは、実質的に平行関係にあればよく、製造誤差等によって、僅かに傾いているものも含む。

【発明の効果】

【0009】

磁性薄帯が複数積層されている電子部品において、特性向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１実施形態におけるインダクタ部品の分解斜視図。

【図2】インダクタ部品の第１部分の平面図。

【図3】図２における３－３線に沿うインダクタ部品の断面図。

【図4】実施例１における磁性薄帯の拡大断面図。

【図5】実施例２における磁性薄帯の拡大断面図。

【図6】比較例のインダクタ部品と実施例のインダクタ部品との電流に対するインダクタンスを示すグラフ。

【図7】比較例のインダクタ部品と実施例のインダクタ部品との各パラメータを示す表。

【図8】第２実施形態におけるインダクタ部品の断面図。

【図9】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図10】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図11】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図12】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図13】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図14】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図15】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図16】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図17】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図18】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図19】変更例のインダクタ部品の断面図。

【発明を実施するための形態】

【0011】

＜第１実施形態＞
以下、電子部品の一例として、インダクタ部品の第１実施形態について説明する。なお、図面は理解を容易にするため構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。さらに、複数の部材のうち、一部の部材のみに符号を付している場合がある。

【0012】

（全体構成）
図１に示すように、インダクタ部品１０は、素体２０と、インダクタ配線３０と、を備えている。素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の層間非磁性部５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０を有している。

【0013】

磁性薄帯４０は、平板状である。複数の磁性薄帯４０は、磁性薄帯４０の主面ＭＦと直交する方向である積層方向に積層されている。なお、平板状とは、主面ＭＦを有する薄い形状のことであるが、厚みの薄い直方体に限られず、稜線や角が曲面状であってもよく、主面ＭＦに微小な凹凸があったり、内部に空孔があったりしてもよい。

【0014】

インダクタ配線３０は、素体２０の内部で主面ＭＦに沿って直線状に延びている。なお、インダクタ配線３０の延びる軸を中心軸ＣＡとする。本実施形態では、中心軸ＣＡの延びる向きは、四角形状の主面ＭＦのいずれかの辺の延びる向きと一致する。

【0015】

図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視で、主面ＭＦに沿う軸を第１軸Ｘとし、主面ＭＦに直交する軸を第２軸Ｚとする。なお、第１軸Ｘに沿う方向の一方を第１正方向Ｘ１とし、第１軸Ｘに沿う方向の他方を第１負方向Ｘ２とする。また、中心軸ＣＡに沿う方向の一方を正方向Ｙ１とし、中心軸ＣＡに沿う方向の他方を負方向Ｙ２とする。さらに、第２軸Ｚに沿う方向の一方を第２正方向Ｚ１とし、第２軸Ｚに沿う方向の他方を第２負方向Ｚ２とする。本実施形態では、積層方向は、第２軸Ｚに沿う方向と一致する。

【0016】

図１に示すように、インダクタ部品１０は、第２軸Ｚに沿って順に積層された、第１部分Ｐ１と、第２部分Ｐ２と、第３部分Ｐ３と、で構成されている。３つの部分Ｐ１～Ｐ３のうち、第２軸Ｚに沿う第２負方向Ｚ２の端には、第１部分Ｐ１が位置している。

【0017】

図２に示すように、第１部分Ｐ１は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに正方形状である。第１部分Ｐ１は、複数の磁性薄帯４０と、複数の層間非磁性部５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０とを有する。

【0018】

図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視で、第１部分Ｐ１の各磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向に積層されている。図２に示すように、第１部分Ｐ１の各磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに正方形状である。第２軸Ｚに沿う方向から視たときに各磁性薄帯４０の各辺は、第１軸Ｘ又は中心軸ＣＡと平行である。複数の磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、すべて同一の寸法である。

【0019】

磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第２軸Ｚに直交する第１基準軸に沿う方向に、間隔をあけて２個並んでいる。また、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第２軸Ｚ及び第１基準軸に直交する第２基準軸に沿う方向に、間隔をあけて２個並んでいる。なお、本実施形態では、第１基準軸は中心軸ＣＡと一致しており、且つ第２基準軸は第１軸Ｘと一致している。

【0020】

磁性薄帯４０は、焼結体の磁性材からなる平板状である。磁性薄帯４０は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｆｅ元素及びＳｉ元素を含む合金、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金、Ｆｅ元素及びＣｏ元素を含む合金のうち、少なくとも１種類を含んでいる。本実施形態では、磁性薄帯４０は、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金を含んでいる金属磁性材である。なお、Ｆｅは、金属鉄であり、Ｎｉは、金属ニッケルである。

【0021】

図３に示すように、層間非磁性部５０は、第２軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の間に位置している。磁性薄帯４０と、層間非磁性部５０とは交互に積層されており、本実施形態では、層間非磁性部５０は、第２軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の空間を全て埋めている。層間非磁性部５０は、焼結体の非磁性材からなっている。非磁性材は、例えば、アルミナ、シリカ、結晶化ガラス、非晶質ガラスである。なお、図３では、層間非磁性部５０を線で図示している。

【0022】

層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、すべて同一の寸法である。また、各層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、各磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法よりも小さい。

【0023】

図２に示すように、非磁性部６０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間に位置している。非磁性部６０は、第２軸Ｚに沿う方向の同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間の空間を全て埋めている。上述したとおり、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、磁性薄帯４０は、中心軸ＣＡに沿う方向に２つ、第１軸Ｘに沿う方向に２つ、合計４つ存在するので、非磁性部６０は４つ存在している。非磁性部６０は、非磁性材からなっている。本実施形態では、非磁性部６０の材質は、層間非磁性部５０と同一の材質である。すなわち、非磁性部６０は、焼結体の非磁性材からなっている。

【0024】

非磁性膜７０は、第１部分Ｐ１において、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端、及び第１正方向Ｘ１とは反対方向である第１負方向Ｘ２の端に位置している。非磁性膜７０は、磁性薄帯４０における第１軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。また、非磁性膜７０は、層間非磁性部５０における第１軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。さらに、非磁性膜７０は、非磁性部６０における第１軸Ｘに沿う方向の両端面の全域を覆っている。そのため、第１部分Ｐ１における第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端面は、すべて非磁性膜７０で構成されている。同様に、第１部分Ｐ１における第１軸Ｘに沿う第１負方向Ｘ２の端面は、すべて非磁性膜７０で構成されている。非磁性膜７０は、非磁性材からなっている。本実施形態では、非磁性膜７０の材質は、層間非磁性部５０と同一の材質である。

【0025】

図１に示すように、第１部分Ｐ１から視て、第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１には、第２部分Ｐ２が位置している。第２部分Ｐ２は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１と同じ正方形状である。

【0026】

第２部分Ｐ２は、インダクタ配線３０と、複数の磁性薄帯４０と、複数の層間非磁性部５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、で構成されている。
インダクタ配線３０は、第２軸Ｚに沿う方向から視て長方形状であり、中心軸ＣＡに沿って直線状に延びている。インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う正方向Ｙ１の端面は、第２部分Ｐ２の外面の一部を構成しており、素体２０から露出している。同様に、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う正方向Ｙ１とは反対方向である負方向Ｙ２の端面は、第２部分Ｐ２の外面の一部を構成しており、素体２０から露出している。

【0027】

第２軸Ｚから視たときに、インダクタ配線３０の正方向Ｙ１の端面及び負方向Ｙ２の端面は、第１軸Ｘと平行になっている。また、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡは、第１軸Ｘに沿う方向において、第２部分Ｐ２の中心に位置している。そのため、インダクタ配線３０の延びる軸である中心軸ＣＡは、第１軸Ｘに沿う方向における第２部分Ｐ２の中心を通っている。インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、第２部分Ｐ２の第１軸Ｘに沿う方向の寸法の半分である。

【0028】

インダクタ配線３０の材質は、導電性材料である。導電性材料は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、又はこれらの元素を含む合金である。本実施形態では、インダクタ配線３０の材質は、Ｃｕである。

【0029】

図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０は、長方形状である。ここで、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０に外接するとともに、第１軸Ｘに沿う第１辺及び第２軸Ｚに沿う第２辺を有する面積が最小の仮想長方形ＶＲを描く。本実施形態では、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０が長方形である。また、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の外形の長辺は第１軸Ｘに沿っている。さらに、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の外形の短辺は第２軸Ｚに沿っている。そのため、仮想長方形ＶＲは、インダクタ配線３０の外形と一致する。そして、仮想長方形ＶＲの第１辺は、仮想長方形ＶＲの第２辺よりも長い。

【0030】

第２部分Ｐ２において、インダクタ配線３０でない部分は、第１部分Ｐ１と同様に、複数の磁性薄帯４０と、複数の層間非磁性部５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、で構成されている。

【0031】

図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視で、第２部分Ｐ２の各磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向に積層されている。図２に示すように、第２部分Ｐ２の各磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに長方形状である。第２軸Ｚに沿う方向から視たときに各磁性薄帯４０の長辺は、中心軸ＣＡと平行である。複数の磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、すべて同一の寸法である。

【0032】

図１に示すように、第２部分Ｐ２において、磁性薄帯４０は、インダクタ配線３０から視て、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１及び第１負方向Ｘ２の両側に位置している。すなわち、第２部分Ｐ２において、磁性薄帯４０は、第１軸Ｘに沿う方向に、インダクタ配線３０を挟んで２個並んでいる。また、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、中心軸ＣＡに沿う方向に、間隔をあけて２個並んでいる。

【0033】

上述した第１部分Ｐ１と同様に、第２部分Ｐ２の層間非磁性部５０は、第２軸Ｚに沿う方向に隣り合っている磁性薄帯４０の間に位置している。すなわち、図３に示すように、磁性薄帯４０及び層間非磁性部５０は、第１部分Ｐ１と同様に、第２軸Ｚに沿う方向に交互に積層されている。

【0034】

第２部分Ｐ２の非磁性部６０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間に位置している。非磁性部６０は、第２軸Ｚに沿う方向の同一の位置において並ぶ磁性薄帯４０の間の空間を全て埋めている。第２部分Ｐ２の非磁性部６０の位置は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１部分Ｐ１の非磁性部６０の一部と重複している。第２部分Ｐ２の非磁性部６０は、第１部分Ｐ１の非磁性部６０と連続している。なお、第２部分Ｐ２において、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間には非磁性部６０は存在していない。

【0035】

非磁性膜７０は、第２部分Ｐ２において、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の端、及び第１正方向Ｘ１とは反対方向である第１負方向Ｘ２の端に位置している。第２部分Ｐ２の非磁性膜７０は、第１部分Ｐ１の非磁性膜７０と連続している。

【0036】

第２部分Ｐ２の第２正方向Ｚ１には、第３部分Ｐ３が位置している。第３部分Ｐ３は、第２軸Ｚから視たときに、第１部分Ｐ１と同じ正方形状である。第３部分Ｐ３は、複数の磁性薄帯４０と、複数の層間非磁性部５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０で構成されている。本実施形態では、第３部分Ｐ３は、第２部分Ｐ２を挟んで第１部分Ｐ１と対称的な構造であるため、詳細な説明は省略する。このようにして、素体２０は、複数の磁性薄帯４０と、複数の層間非磁性部５０と、複数の非磁性部６０と、複数の非磁性膜７０と、を含んでいる。

【0037】

（第１磁性薄帯について）
図３に示すように、複数の磁性薄帯４０のうち、積層方向すなわち第２軸Ｚに沿う方向においてインダクタ配線３０に最も近い磁性薄帯４０を、第１磁性薄帯４１とする。本実施形態では、第１磁性薄帯４１は、第１部分Ｐ１における磁性薄帯４０のうち最も第２負方向Ｚ２に位置する磁性薄帯４０と、第３部分Ｐ３における磁性薄帯４０のうち最も第２正方向Ｚ１に位置する磁性薄帯４０と、である。すなわち、インダクタ配線３０に最も近い磁性薄帯４０である第１磁性薄帯４１は、インダクタ配線３０と同一の層に配置していない。そのため、第２部分Ｐ２に位置する磁性薄帯４０は、第１磁性薄帯４１とならない。

【0038】

複数の磁性薄帯４０は、積層方向すなわち第２軸Ｚに沿う方向について第１磁性薄帯４１と同一の位置において、第１基準軸すなわち中心軸ＣＡに沿う方向に２個、第２基準軸すなわち第１軸Ｘに沿う方向に２個並んでいる。

【0039】

さらに、複数の磁性薄帯４０のうち、第１部分Ｐ１の第１磁性薄帯４１の第１正方向Ｘ１に積層している磁性薄帯４０の位置において、複数の磁性薄帯４０は、中心軸ＣＡに沿う方向に２個、第１軸Ｘに沿う方向に２個並んでいる。このように、第１部分Ｐ１における複数の磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向のそれぞれの位置において、中心軸ＣＡに沿う方向に２個並んでおり、第１軸Ｘに沿う方向に２個並んでいる。

【0040】

同様に、第３部分Ｐ３における複数の磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う方向のそれぞれの位置において、中心軸ＣＡに沿う方向に２個並んでおり、第１軸Ｘに沿う方向に２個並んでいる。このように、素体２０における複数の磁性薄帯４０は、中心軸ＣＡに沿う方向、第１軸Ｘに沿う方向、及び第２軸Ｚに沿う方向において、規則的に配列されている。

【0041】

（第２磁性薄帯について）
図３に示すように、中心軸ＣＡに直交する断面視において、インダクタ配線３０の第１正方向Ｘ１の端を第１配線端ＩＰ１とする。また、中心軸ＣＡに直交する断面視において、インダクタ配線３０の第１負方向Ｘ２の端を第２配線端ＩＰ２とする。

【0042】

そして、インダクタ配線３０に対して、第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０のうち、第１配線端ＩＰ１からの第２軸Ｚに沿う距離が最も短い磁性薄帯４０を第２磁性薄帯４１Ａとする。なお、第２軸Ｚに沿う方向から視た場合に、少なくとも一部分がインダクタ配線３０に重複する磁性薄帯４０が、インダクタ配線３０に対して第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０である。したがって、本実施形態では、第１部分Ｐ１における磁性薄帯４０及び第３部分Ｐ３における磁性薄帯４０が、インダクタ配線３０に対して第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０である。一方で、第２部分Ｐ２における磁性薄帯４０は、インダクタ配線３０に対して第２軸Ｚに沿う方向に積層されていない。また、本実施形態では、第２磁性薄帯４１Ａは、第１磁性薄帯４１のうち、第１配線端ＩＰ１の第２軸Ｚに沿う方向に積層されている磁性薄帯４０である。そのため、第２磁性薄帯４１Ａは、第１部分Ｐ１における磁性薄帯４０のうち最も第２負方向Ｚ２に位置する磁性薄帯４０と、第３部分Ｐ３における磁性薄帯４０のうち最も第２正方向Ｚ１に位置する磁性薄帯４０と、である。

【0043】

図３に示すように、１つの磁性薄帯４０において、第１正方向Ｘ１の端を第１端ＭＰ１とし、第１負方向Ｘ２の端を第２端ＭＰ２とする。このとき、１つの磁性薄帯４０における第１軸Ｘに沿う方向の両端を除く範囲を、第１範囲ＡＲ１とする。換言すれば、１つの磁性薄帯４０において、第２端ＭＰ２の第１軸Ｘに沿う方向の位置を示す座標を０とする。１つの磁性薄帯４０において、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の第１端ＭＰ１の第１軸Ｘに沿う方向の位置を示す座標を１とする。このときに、第１軸Ｘに沿う方向の位置を示す座標が、０より大きく１より小さい範囲が第１範囲ＡＲ１である。そして、図３に示すように、第１配線端ＩＰ１を通過するとともに、第２軸Ｚに沿う方向に第１仮想直線ＶＬ１を引く。このとき、第１仮想直線ＶＬ１は、第２磁性薄帯４１Ａの第１範囲ＡＲ１内を通っている。

【0044】

また、本実施形態では、第１部分Ｐ１において、複数の磁性薄帯４０が、インダクタ配線３０に対して第２正方向Ｚ１に連続して積層されている。そして、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第１仮想直線ＶＬ１は、第２磁性薄帯４１Ａから第２正方向Ｚ１に連続して積層された複数の磁性薄帯４０のうち、第２磁性薄帯４１Ａを含めて連続して積層された２つ以上の磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。具体的には、第１仮想直線ＶＬ１は、第１部分Ｐ１に含まれている磁性薄帯４０のうち、第２磁性薄帯４１Ａに連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。

【0045】

さらに、第３部分Ｐ３において、複数の磁性薄帯４０が、インダクタ配線３０に対して第２負方向Ｚ２に連続して積層されている。そして、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第１仮想直線ＶＬ１は、第２磁性薄帯４１Ａから第２負方向Ｚ２に連続して積層された複数の磁性薄帯４０のうち、第２磁性薄帯４１Ａを含めて連続して積層された２つ以上の磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。具体的には、第１仮想直線ＶＬ１は、第３部分Ｐ３に含まれている磁性薄帯４０のうち、第２磁性薄帯４１Ａに連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。

【0046】

そして、磁性薄帯４０は、すべて焼結体である。本実施形態では、上述したように、磁性材がＦｅ元素及びＮｉ元素を含んでいる。具体的には、例えば図４に示す実施例１では、磁性薄帯４０は、複数の金属磁性体４５を有している。具体的には、実施例１では、金属磁性体４５は、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金の金属磁性粒子である。そして、金属磁性体４５間の粒界には、Ｏ元素を含む酸化物である絶縁性物質４６が存在している。なお、図５に示す実施例２のように、磁性薄帯４０では、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金が完全に固溶し合って一体化していてもよい。この場合、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金の金属磁性体４５は、図４のような複数の金属磁性粒子が明確な界面を有して結合した構造を取らない。

【0047】

第２磁性薄帯４１Ａの第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１の反対方向である第１負方向Ｘ２の第２端ＭＰ２を通過するとともに、第２軸Ｚに沿う方向に第２仮想直線ＶＬ２を引く。このとき、第２仮想直線ＶＬ２は、インダクタ配線３０を通っている。本実施形態では、インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の概ね中央に位置している。

【0048】

なお、本実施形態においては、インダクタ部品１０は、第１軸Ｘに沿う方向における中心を通る第２軸Ｚを対称軸として、線対称の構造となっている。ここで、インダクタ配線３０の第２配線端ＩＰ２を通過するとともに、第２軸Ｚに沿う方向に第３仮想直線ＶＬ３を引く。また、インダクタ配線３０に対して、第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０のうち、第２配線端ＩＰ２からの第２軸Ｚに沿う距離が最も短い磁性薄帯４０を第３磁性薄帯４１Ｂとする。この場合に、当該第３仮想直線ＶＬ３は、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第３磁性薄帯４１Ｂの第１範囲ＡＲ１内を通っている。より具体的には、第３仮想直線ＶＬ３は、第３磁性薄帯４１Ｂの第１軸Ｘに沿う方向の中央を通っている。

【0049】

また、本実施形態では、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第３仮想直線ＶＬ３は、第３磁性薄帯４１Ｂを含めて連続して積層された２つ以上の磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。具体的には、第３仮想直線ＶＬ３は、第１部分Ｐ１に含まれている磁性薄帯４０のうち、第３磁性薄帯４１Ｂに連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。

【0050】

さらに、第３仮想直線ＶＬ３は、第３部分Ｐ３に含まれている磁性薄帯４０のうち、第３磁性薄帯４１Ｂに連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。より具体的には、第３仮想直線ＶＬ３は、第３磁性薄帯４１Ｂに連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の中央を通っている。このように、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第３仮想直線ＶＬ３が、第３磁性薄帯４１Ｂに対して、上記の第１範囲ＡＲ１を通ることが好ましい。

【0051】

（シミュレーション結果について）
次に、インダクタ部品１０について得られる特性を、比較例のインダクタ部品と比較したシミュレーション結果について説明する。シミュレーションには、ムラタソフトウェア株式会社のＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。

【0052】

先ず、シミュレーションの条件について説明する。
使用したソフトは、ムラタソフトウェア製のＦｅｍｔｅｔ２０１９である。ソルバは、静磁場解析である。モデルは、３次元である。標準メッシュサイズは、０．０１ｍｍである。磁性体は、Ｆｅ元素及びＮｉ元素からなる金属磁性薄帯である。磁性体ＢＨ曲線は、Ｂ＝Ｂｓ×ｔａｎｈ（μ０×μｒ×Ｈ／Ｂｓ）を満たすものを使用した。なお、磁性体ＢＨ曲線は、真空の透磁率以下にならないように、比透磁率μｒが１以上の部分を使用し、さらにＦｅｍｔｅｔ２０１９の機能を使って、真空の透磁率へ外挿した。インダクタ配線３０の材質は、銅である。

【0053】

次に、シミュレーションに使用するインダクタ部品のモデルの寸法や位置についての条件について説明する。
インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、５００μｍである。インダクタ配線３０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、１００μｍである。インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、２４００μｍである。

【0054】

磁性薄帯４０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、９９０μｍである。磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、２０μｍである。磁性薄帯４０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、９９０μｍである。

【0055】

層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、２．０μｍである。非磁性部６０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、２０μｍである。非磁性部６０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、２０μｍである。磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向に積層する数は、４１個である。磁性薄帯４０の第１軸Ｘに沿う方向に並ぶ数は、２個である。磁性薄帯４０の中心軸ＣＡに沿う方向に並ぶ数は、２個である。

【0056】

インダクタ部品１０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、９０２μｍである。シミュレーションにおいては、素体２０は、非磁性膜７０と同じ非磁性材の膜を、中心軸ＣＡに沿う方向の両端に有している。当該膜の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、１０μｍである。そのため、インダクタ部品１０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、２０２０μｍである。素体２０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、２０２０μｍである。すなわち、このシミュレーションにおいて、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法は、素体２０の中心軸ＣＡに沿う方向の寸法よりも３８０μｍだけ大きい。そのため、素体２０の正方向Ｙ１の端面からインダクタ配線３０が１９０μｍだけ突出し、素体２０の負方向Ｙ２の端面からインダクタ配線３０が１９０μｍだけ突出した状態で、シミュレーションが行われる。

【0057】

インダクタ配線３０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、１００μｍである。インダクタ配線３０の位置は、インダクタ配線３０の重心が、素体２０の重心位置に一致するように配置した。層間非磁性部５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０の非磁性材の比透磁率μｒは、１とした。

【0058】

シミュレーションにおいて、実施例１における磁性薄帯４０では、図４のようにＦｅＮｉ合金の金属磁性体４５は、互いに固溶しておらず、粒界を介して接する状態とした。実施例１では、比透磁率μｒは、５００であり、飽和磁束密度Ｂｓは、１．３Ｔである。

【0059】

シミュレーションにおいて、実施例２における磁性薄帯４０では、図５のようにＦｅＮｉ合金の金属磁性体４５は、その前駆体の金属磁性粒子同士が互いに固溶して焼結一体化しているバルク状態とした。実施例２では、比透磁率μｒは、７０００であり、飽和磁束密度Ｂｓは、１．３Ｔである。そのため、実施例２での比透磁率μｒは、実施例１での比透磁率μｒに対して極めて大きい。

【0060】

また、シミュレーションにおいて、比較例における素体２０は、ＦｅＮｉ合金からなる粉体状の金属磁性粒子と有機樹脂とのメタルコンポジット材が、充填率７０％で含有されている状態とした。そのため、比較例では、比透磁率μｒは、２４であり、飽和磁束密度Ｂｓは、０．９１Ｔである。

【0061】

次に、シミュレーションによって算出する特性指標について説明する。
インダクタンスＬの単位はｎＨであり、直流重畳特性Ｉｓａｔの単位はＡである、直流重畳特性Ｉｓａｔは、電流値Ｉｄｃが０．００１ＡにおけるインダクタンスＬである初期インダクタンスＬｉｎに対してインダクタンスＬが２０％低下する時の電流値Ｉｄｃである。

【0062】

図６に示すように、実施例１、実施例２及び比較例において、電流値Ｉｄｃを０．００１Ａ～８０Ａの範囲内で変更して、得られるインダクタンスＬをシミュレーションによって算出した。

【0063】

図７に示すように、実施例１における初期インダクタンスＬｉｎは、１４．７ｎＨであり、実施例２における初期インダクタンスＬｉｎは、１６．２ｎＨであった。一方で、比較例における初期インダクタンスＬｉｎは、１３．６ｎＨであった。そのため、実施例における初期インダクタンスＬｉｎは、比較例における初期インダクタンスＬｉｎよりも大きく得られた。

【0064】

また、実施例１における直流重畳特性Ｉｓａｔは、５５Ａであり、実施例２における直流重畳特性Ｉｓａｔは、４５Ａであった。一方で、比較例における直流重畳特性Ｉｓａｔは、３０Ａであった。そのため、実施例における直流重畳特性Ｉｓａｔは、比較例における直流重畳特性Ｉｓａｔよりも大きく得られた。

【0065】

（第１実施形態の作用について）
次に、上記第１実施形態の作用について説明する。
上記第１実施形態では、磁性薄帯４０は、焼結体の磁性材からなっている。焼結体では、粉末状態と比べて、金属磁性粒子が密に集合する。そのため、焼結前と比べて、単位体積当たりに含まれる金属磁性粒子の量が増える。その結果、素体２０全体として、実効的な透磁率を高く得ることができる。

【0066】

また、磁性薄帯４０に含まれる金属磁性体４５は、焼結前において歪みが生じていることがある。仮に金属磁性体４５に歪みが生じていても、焼結の過程で金属磁性体４５が焼成されることで、このような歪みが解消される。なお、金属磁性体４５の表面には、焼結の前処理又は焼結処理の際に酸化物層を形成してもよい。この酸化物層は、焼結後にＯ元素を含む絶縁性物質４６となる。なお、「磁性薄帯４０の歪み」は目に見える歪みに限定されず、結晶構造や分子間構造などのミクロな歪みも含む。

【0067】

（第１実施形態の効果について）
次に、上記第１実施形態の効果について説明する。
（１－１）第１実施形態によれば、磁性薄帯４０は、焼結体である。磁性薄帯４０として焼結体を採用することで、焼結の過程で磁性薄帯４０の歪みを緩和することができる。その結果、磁性薄帯４０の透磁率や保磁力といった磁気的な特性が、製造過程で低下することを抑制できる。

【0068】

そのため、磁歪定数が大きいが、飽和磁束密度Ｂｓの高い結晶性金属磁性粒子を採用でき、素体２０全体として、高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることができる。その結果、特性指標である初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔのいずれも、素体２０全体が粉体状の金属磁性粒子と有機樹脂とのメタルコンポジット材である場合と比べて、大きくなる。したがって、第１実施形態によれば、インダクタ部品１０の特性向上を図ることができる。

【0069】

（１－２）上記第１実施形態によれば、焼結体である磁性薄帯４０は、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金を有している。Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含む合金は、透磁率μを高く得ることができる。そのため、特性指標である初期インダクタンスＬｉｎ及び直流重畳特性Ｉｓａｔを大きく得ることができる。

【0070】

（１－３）上記第１実施形態によれば、磁性薄帯４０では、複数の金属磁性粒子である金属磁性体４５が絶縁性の絶縁性物質４６を介して結合している。そのため、金属磁性体４５同士が接続された導電経路による、渦電流損の低減、漏れ電流・短絡の抑制を図ることができる。

【0071】

（１－４）上記第１実施形態によれば、絶縁性物質４６は、Ｏ元素を含む。すなわち、絶縁性物質４６は酸化物である。そのため、絶縁性物質４６を設けるうえで、焼結の前処理又は焼結処理の際に、複数の金属磁性粒子の粒界を酸化させることで形成できる。よって、絶縁性物質４６を設けるために、金属磁性体４５を構成する前駆体とは別の材料を用いなくて済む。

【0072】

（１－５）上記実施形態によれば、第１仮想直線ＶＬ１は、第２磁性薄帯４１Ａの第１範囲ＡＲ１内を通っている。そのため、インダクタ配線３０に電流が流れたときに発生する磁束のうち、インダクタ配線３０の第１配線端ＩＰ１の近傍において、第１仮想直線ＶＬ１に沿う向きの磁束の大半は、第２磁性薄帯４１Ａの第１軸Ｘに沿う方向の端を除く部分を通過する。すなわち、インダクタ配線３０に電流が流れたときに発生する磁束のうち、第２磁性薄帯４１Ａに沿う方向の端を通過する磁束が少なくなる。そのため、磁束が乱れたり、磁束が局所に集中したりすることを抑制できる。こうした第２磁性薄帯４１Ａとインダクタ配線３０との位置関係によれば、磁性材料の充填率に拠らずとも、インダクタンスＬが大きくなる。

【0073】

（１－６）上記実施形態によれば、複数の磁性薄帯４０が、インダクタ配線３０に対して第２軸Ｚに沿う方向に連続して積層されている。そして、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第１仮想直線ＶＬ１は、第２磁性薄帯４１Ａを含めて連続して積層された２つ以上の磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。そのため、第２磁性薄帯４１Ａのみならず、他の磁性薄帯４０とインダクタ配線３０との位置関係によれば、特性指標をさらに大きくできる。

【0074】

（１－７）上記実施形態によれば、中心軸ＣＡに直交する断面視において、第１仮想直線ＶＬ１は、第２磁性薄帯４１Ａに連続して積層されたすべての磁性薄帯４０の第１範囲ＡＲ１内を通っている。そのため、磁性薄帯４０の第１軸Ｘに沿う方向における端を通ることを避けられるため、特性指標をさらに大きくできる。

【0075】

（１－８）インダクタ配線３０に中心軸ＣＡに沿う方向に電流が流れたときに発生する磁束の中には、磁性薄帯４０に対して、第２軸Ｚに沿う方向に侵入する磁束が含まれる。このように侵入する磁束は、磁性薄帯４０に渦電流を生じさせる。また、この渦電流は、第２軸Ｚに沿う方向から視たとき、１つ当たりの磁性薄帯４０の面積が大きいほど、大きくなる。渦電流が生じると、磁束のエネルギーが熱エネルギーとして失われることになるので、損失が生じる。

【0076】

上記第１実施形態によれば、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第１基準軸に沿う方向に２個、第２基準軸に沿う方向に２個並んでいる。そのため、磁性薄帯４０が、第２軸Ｚに沿う同一の位置において１個である場合よりも、第２軸Ｚに沿う方向から視たときの磁性薄帯４０の面積が小さくなる。よって、１つの磁性薄帯４０で発生する渦電流が小さくなる。

【0077】

（１－９）上記第１実施形態によれば、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第１軸Ｘに沿う方向に２個並んでいる。そのため、インダクタ配線３０の第１配線端ＩＰ１を通る第１仮想直線ＶＬ１が通る第２磁性薄帯４１Ａと、インダクタ配線３０の第２配線端ＩＰ２を通る第３仮想直線ＶＬ３が通る第３磁性薄帯４１Ｂとは、異なる磁性薄帯４０である。よって、インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法としてある程度の大きさを確保しつつ、インダクタ配線３０と第２磁性薄帯４１Ａとの位置関係として上述した位置関係を実現できる。

【0078】

（１－１０）上記第１実施形態によれば、素体２０は、焼結体の非磁性材からなる非磁性部６０を有している。非磁性部６０は、第１基準軸に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０の間、及び第２基準軸に沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０の間に位置する。この場合、磁性薄帯４０と第２軸Ｚにおける同一の位置にある非磁性部６０は、磁性薄帯４０を焼結体とする工程と同じ工程で、焼結させることができる。

【0079】

（１－１１）上記第１実施形態によれば、素体２０は、焼結体の非磁性材からなる層間非磁性部５０を有している。層間非磁性部５０は、複数の磁性薄帯４０の積層方向に隣り合う磁性薄帯４０の間に位置している。この場合、積層方向に積層された磁性薄帯４０を焼結体とする工程と同じ工程で、焼結させることができる。

【0080】

（１－１２）上記第１実施形態によれば、複数の磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、全て等しい。そのため、各磁性薄帯４０内での磁束密度が均一化し、特定の箇所において磁束が集中して飽和しにくい。その結果、素体２０全体で見た場合の磁束密度が向上する。

【0081】

（１－１３）上記第１実施形態によれば、複数の層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、全て等しい。そのため、層間非磁性部５０と磁性薄帯４０との界面で生じる磁束の乱れを均一化できる。

【0082】

＜第２実施形態＞
（インダクタ部品）
第２実施形態におけるインダクタ部品１１０は、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、第２部分Ｐ２の構成が異なる。以下では、第１実施形態におけるインダクタ部品１０と比べて、異なる点を説明する。

【0083】

図８に示すように、第２部分Ｐ２は、インダクタ配線３０と、２つのコンポジット部８０で構成されている。コンポジット部８０は、磁性材からなる粉体状の磁性粒子８１と、非磁性材からなる非磁性母材８２と、からなる。磁性粒子８１は、例えば、Ｆｅ元素、Ｎｉ元素、Ｃｏ元素、Ｃｒ元素、Ｃｕ元素、Ａｌ元素、Ｓｉ元素、Ｂ元素、Ｐ元素等を含む金属磁性粒子である。本実施形態では、磁性粒子８１は、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素及びＣｒ元素を含む合金の金属粒子である。非磁性母材８２は、例えば、ガラスやアルミナ等の無機焼結体である。

【0084】

コンポジット部８０は、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに長方形状である。第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、コンポジット部８０の長辺は、中心軸ＣＡと平行である。コンポジット部８０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、インダクタ配線３０と平行である。

【0085】

図１に示すように、第２部分Ｐ２において、２つのコンポジット部８０は、インダクタ配線３０から視て、第１軸Ｘに沿う第１正方向Ｘ１及び第１負方向Ｘ２の両側に位置している。すなわち、第２部分Ｐ２において、コンポジット部８０は、第１軸Ｘに沿う方向に、インダクタ配線３０を挟んで２つ並んでいる。

【0086】

（インダクタ部品の製造方法）
次に、インダクタ部品１１０の製造方法を説明する。
図９に示すように、インダクタ部品１１０の製造方法は、第１シート準備工程Ｓ１１と、第２シート準備工程Ｓ１２と、積層工程Ｓ１３と、圧着工程Ｓ１４と、個片化工程Ｓ１５と、焼結工程Ｓ１６と、被膜処理工程Ｓ１７と、を備えている。

【0087】

先ず、第１シート準備工程Ｓ１１を行う。第１シート２１０は、非磁性層２１１と、磁性材である金属磁性粉末２１２Ｍを含む磁性層２１２と、を有している。図１０に示すように、第１シート２１０を製造するにあたっては、先ず、第１基材９１としてＰＥＴからなるフィルムを準備する。第１基材９１は、ＰＥＴやアルミナ、フェライトの基板のように部品の完成時には除去されてしまうものであってもよいし、ガラスの非磁性層２１１のように残るものであってもよい。なお、以下の説明では、第１基材９１の２つの主面が第２軸Ｚに直交するように配置されているものとし、且つ中心軸ＣＡに直交する断面を示して説明する。また、図１０～図１８においては、理解しやすさのため、寸法の比率を、図８とは、大きく変更して図示している。

【0088】

第１基材９１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く主面に、非磁性且つ絶縁性の非磁性材からなる非磁性ペーストを塗布してシート状に成形する。これにより、非磁性層２１１を形成する。非磁性層２１１は、例えば、アルミナ、シリカ、結晶化ガラス、非晶質ガラス等を含んでいる非磁性材からなっている。

【0089】

次に、図１１に示すように、非磁性層２１１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く面に、磁性材である金属磁性粉末２１２Ｍを含む金属磁性ペーストを塗布する。金属磁性粉末２１２Ｍは、本実施形態では、Ｆｅ元素及びＮｉ元素を含むＦｅＮｉ合金である。これにより、磁性層２１２を形成する。磁性層２１２は、樹脂９２に、金属磁性粉末２１２Ｍが含まれている金属磁性ペーストからなっている。

【0090】

次に、図１２に示すように、レーザ加工により、磁性層２１２に溝２１２Ｈを形成する。溝２１２Ｈは、磁性層２１２を貫通している。第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、溝２１２Ｈからは、非磁性層２１１の一部が、第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１に露出している。溝２１２Ｈは、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、第１基準軸に沿う方向及び第２基準軸に沿う方向に、磁性層２１２を分割している。

【0091】

次に、図１３に示すように、印刷等により、磁性層２１２に形成された溝２１２Ｈを、非磁性且つ絶縁性の材料からなる非磁性ペーストで充填する。これにより、溝内非磁性部２１３を形成する。また、これと同時に、磁性層２１２を第１基準軸に沿う方向及び第２基準軸に沿う方向に分割した複数の分割磁性層２１２Ｄを形成する。さらに、分割磁性層２１２Ｄをシート状に形成することにより第１シート２１０が準備される。なお、第１シート２１０は、製造しようとするインダクタ部品１０の磁性薄帯４０の積層数と同数準備する。

【0092】

次に、第２シート準備工程Ｓ１２を行う。第２シート２２０は、配線パターン２２１と、ネガパターン２２２と、を有している。先ず、第２シート２２０を製造するにあたっては、図１４に示すように、第２基材９３を準備する。第２基材９３は、ＰＥＴやアルミナ、フェライトの基板のように部品の完成時には除去されてしまうものであってもよいし、ガラスの非磁性層２１１のように残るものであってもよい。なお、以下の説明では、第２基材９３の２つの主面が第２軸Ｚに直交するように配置されているものとする。

【0093】

第２基材９３の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く主面に、非磁性且つ絶縁性の非磁性材からなる非磁性ペーストを塗布してシート状に成形する。これにより、非磁性層２１１を形成する。

【0094】

次に、非磁性層２１１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く主面に、印刷等により、部分的に導電ペーストを塗布する。これにより、配線パターン２２１を形成する。配線パターン２２１は、導電材料である。例えば、ＡｇやＣｕの導電ペーストからなっている。

【0095】

なお、配線パターン２２１を形成する方法は、スクリーン印刷法等の印刷以外にも、感光性材料を用いたフォトリソグラフィ法、セミアディティブ等のめっき系工法、別シートに形成された配線パターンを転写する転写法等であってもよい。また、めっき系工法や転写法の場合には、導電ペーストではなく、樹脂を含まない金属膜を配線パターン２２１の材料として用いればよい。

【0096】

次に、図１５に示すように、非磁性層２１１の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１を向く主面のうち、配線パターン２２１が塗布されていない部分に、印刷等により、ネガペーストを充填塗布する。これにより、ネガパターン２２２を形成する。ネガパターン２２２は、図示は省略するが、磁性粒子８１と、非磁性母材８２の原料である非磁性粉末と、を含んでいる。これにより、第２シート２２０を準備する。本実施形態では、非磁性層２１１が、配線パターン２２１及びネガパターン２２２を形成するためのシート状の基材となっている。

【0097】

次に、準備した第１シート２１０及び第２シート２２０を積層する積層工程Ｓ１３を行う。図１６に示すように、先ず、第１シート２１０から、第１基材９１を剥離し、シートの上下方向はそのままに、図示を省略する所定の治具台に載置する。そして、第２シート２２０における配線パターン２２１及びネガパターン２２２の非磁性層２１１が塗布されている面とは反対方向を向く面に、第１シート２１０における非磁性層２１１の磁性層２１２が塗布されている面とは反対方向を向く面を向かい合わせて接着させる。これにより、第２シート２２０の第２軸Ｚに沿う第２正方向Ｚ１に、第１シート２１０が積層される。

【0098】

同様に、別の第１シート２１０から第１基材９１を剥離する。そして、第２シート２２０に積層された第１シート２１０の第２シート２２０と接着している面とは反対方向を向く面に、別の第１シート２１０における非磁性層２１１の磁性層２１２が塗布されている面とは反対方向を向く面を向かい合わせて接着させる。なお、図示は省略するが、インダクタ部品１０の第３部分Ｐ３に積層される磁性薄帯４０の枚数だけ、第１シート２１０を積層させる。

【0099】

次に、第２シート２２０から、第２基材９３を剥離する。そして、第２シート２２０における非磁性層２１１の配線パターン２２１が塗布されている面とは反対方向を向く面に、第１シート２１０における磁性層２１２の非磁性層２１１が塗布されている面とは反対方向を向く面を向かい合わせて接着させる。そして、第１シート２１０から、第１基材９１を剥離する。

【0100】

同様に、第２シート２２０に積層された第１シート２１０における非磁性層２１１の磁性層２１２が塗布されている面とは反対方向を向く面に、別の第１シート２１０における磁性層２１２の非磁性層２１１が塗布されている面とは反対方向を向く面を向かい合わせて接着させる。なお、図示は省略するが、インダクタ部品１０の第１部分Ｐ１に積層される磁性薄帯４０の枚数だけ、第１シート２１０を積層させる。このように、第２シート２２０の両主面に第１シート２１０を繰り返し積層させる。すなわち、積層体２００を形成する際に、分割磁性層２１２Ｄを複数積層させる。

【0101】

次に、圧着工程Ｓ１４を行う。上記の積層工程Ｓ１３によって積層された第１シート２１０及び第２シート２２０を、ＷＩＰ等のプレスを行い圧着する。これによって、積層体２００を形成する。

【0102】

次に、個片化工程Ｓ１５を行う。図１７に示すように、例えば、積層体２００を、所定の破断線ＤＬにてダイシングすることにより個片化する。これにより、積層体２００を個片化した個片部２０１を形成する。個片部２０１は、配線パターン２２１及び分割磁性層２１２Ｄによって構成されている。複数個の個片部２０１は、積層体２００において、第１基準軸に沿う方向及び第２基準軸に沿う方向に並ぶように、行列状に配置されている。なお、本実施形態では、個片部２０１は、１つの配線パターン２２１を有している。

【0103】

次に、焼結工程Ｓ１６を行う。図１８に示すように、個片化工程Ｓ１５において個片化された積層体２００の個片部２０１を、所定時間だけ焼成することにより、焼結させる。これにより、配線パターン２２１は、焼結体のインダクタ配線３０になる。ネガパターン２２２は、焼結体のコンポジット部８０になる。非磁性層２１１は、焼結体の層間非磁性部５０になる。溝内非磁性部２１３は、焼結体の非磁性部６０になる。そして、磁性層２１２の金属磁性粉末２１２Ｍは、磁性材からなる焼結体の金属磁性体４５になる。一方で、積層体２００の個片部２０１に含まれる樹脂は、加熱されることにより気化する。

【0104】

次に、被膜処理工程Ｓ１７を行う。個片化工程Ｓ１５においてダイシングした破断線ＤＬを含む面を、非磁性の絶縁体である非磁性膜７０で覆う。その結果、個片部２０１は、インダクタ部品１１０となる。なお、焼結工程Ｓ１６によって、インダクタ部品１１０の体積は、個片部２０１の体積と比べて、小さくなる。

【0105】

（第２実施形態の作用について）
上記第２実施形態のインダクタ部品１１０によれば、焼結工程Ｓ１６によって、磁性層２１２の金属磁性粉末２１２Ｍは、磁性材からなる焼結体になる。

【0106】

（第２実施形態の効果について）
上記第２実施形態では、上述した第１実施形態における第２部分Ｐ２のうちの磁性薄帯４０及び層間非磁性部５０の構成を、コンポジット部８０とした点で異なる。そのため、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３における磁性薄帯４０と層間非磁性部５０との構成は、第１実施形態と同様である。そのため、第２実施形態におけるインダクタ部品１１０は、第１実施形態におけるインダクタ部品１０のシミュレーション結果と同様の傾向が得られる。そのため、第２実施形態によれば、上述した第１実施形態における（１－１）～（１－１３）の効果に加えて、以下の効果を奏する。

【0107】

（２－１）上記第２実施形態では、磁性薄帯４０の磁性材は、Ｆｅ元素及びＣｏ元素からなるパーメンジュールである。このような結晶性金属磁性材は、金属磁性材の中で、飽和磁束密度Ｂｓが極めて大きい。そのため、直流重畳特性Ｉｓａｔの観点からは、高い電流値Ｉｄｃで使用されるパワーインダクタ等における素体２０の材料として好適である。

【0108】

しかしながら、Ｆｅ元素及びＣｏ元素からなるパーメンジュール等の結晶性金属磁性材料は、磁歪定数が非常に大きい。すなわち、結晶性金属磁性材料は、磁界が発生したときの寸法の変化量が大きい材料である。そして、素体２０を形成する際に、圧力を加えるなどした際に、応力により結晶性金属磁性材料の歪みが残存しやすい。このような加工時の歪みが残った状態であると、透磁率μが低下したり、磁化されていない状態に戻すための保磁力が大きく必要になったりする。

【0109】

ここで、上記第２実施形態では、焼結工程Ｓ１６において、加工により発生した残留歪みを緩和することができる。このように、歪みを緩和することによって回復する特性が大きくなり得るため、結晶性の金属磁性材は、焼結体を採用することによる効果が大きく発揮される。

【0110】

（２－２）上記第２実施形態によれば、第２部分Ｐ２におけるインダクタ配線３０ではない部分は、コンポジット部８０で構成されている。そして、コンポジット部８０では、磁性粒子８１がランダムに分散されている。そのため、第２軸Ｚに沿う方向に発生する磁束が、第２部分Ｐ２の磁性材に侵入したときに、コンポジット部８０において発生する渦電流が小さくなる。

【0111】

（２－３）仮に、１つのインダクタ部品１０において、焼結後の磁性薄帯４０を１つずつ積層させるとすると、手間がかかる。上記第２実施形態によれば、個片部２０１を複数有する積層体２００を形成している。そして、積層体２００を個片化することで個片部２０１を形成している。その後、個片部２０１を焼結してインダクタ部品１０を製造している。そのため、複数の磁性薄帯４０を積層した個片部２０１を効率よく製造することができる。

【0112】

（２－４）上記第２実施形態によれば、分割磁性層２１２Ｄを、シート状に形成することにより第１シート２１０を準備している。また、シート状の基材として非磁性層２１１上に配線パターン２２１を形成することにより、第２シート２２０を準備している。そして、第１シート２１０及び第２シート２２０を圧着することにより積層体２００を形成している。そのため、積層体２００を形成するうえで、２種類のシートを準備する工程と、積層する工程と、圧着する工程と、で積層体２００を形成できる。

【0113】

（２－５）上記第２実施形態によれば、配線パターン２２１上に、分割磁性層２１２Ｄを形成することにより積層体２００を形成している。配線パターン２２１を基準として、分割磁性層２１２Ｄの位置を調整することができる。

【0114】

（２－６）上記第２実施形態によれば、第２シート２２０を準備するうえで、シート状の基材として非磁性層２１１上のうち、配線パターン２２１が形成されない部分に、ネガパターン２２２を形成する。そのため、インダクタ部品１１０におけるコンポジット部８０の位置を調整しやすい。

【0115】

（２－７）上記第２実施形態によれば、積層体２００を形成する際、分割磁性層２１２Ｄを複数積層する。そのため、インダクタ部品１１０における積層方向に積層される複数の磁性薄帯４０の数を調整しやすい。

【0116】

＜その他の実施形態＞
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。

【0117】

・上記各実施形態において、素体２０の形状は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、素体２０の形状は、長方形状であってもよいし、四角形以外の多角形であってもよい。さらに例えば、第２軸Ｚに沿う方向から視たときに、素体２０の形状は、楕円等の円状であってもよい。また、素体２０の形状は、第１基準軸と第２基準軸の寸法が異なる直方体や、立方体、多角柱、円柱等であってもよい。

【0118】

・上記各実施形態において、インダクタ配線３０とは、電流が流れた場合に素体２０に磁束を発生させることによって、インダクタ部品１０にインダクタンスＬを付与できるものであれば、形状は適宜に変更できる。例えば、上述したシミュレーションのように、インダクタ配線３０の両端が素体２０から突出していてもよい。

【0119】

また例えば、図１９に示す変更例のインダクタ部品３１０では、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３３０は、楕円状である。そして、インダクタ配線３３０に外接するとともに、第１軸Ｘに沿う第１辺及び第２軸Ｚに沿う第２辺を有する面積が最小の仮想長方形ＶＲ２を描く。このとき、仮想長方形ＶＲ２の第１辺は、仮想長方形ＶＲ２の第２辺よりも長い。このように、仮想長方形ＶＲ２の長辺が第１軸Ｘと平行であると、磁束のより集中する配線断面の第１軸Ｘに沿う方向の端部には、第１磁性薄帯４１の反磁界の小さい領域が対応するため、より好ましい。

【0120】

また、上記実施形態において、中心軸ＣＡに直交する断面におけるインダクタ配線３０の形状は、第２軸Ｚに沿う第２辺が、第１軸Ｘに沿う第１辺よりも長くてもよい。この場合であっても、インダクタ配線３０の第１正方向Ｘ１の端である第１配線端ＩＰ１には、磁束が集中する。そのため、このように、磁束のより集中する配線断面の第１配線端ＩＰ１には、第１磁性薄帯４１の反磁界の小さい領域が対応するため、より好ましい。

【0121】

さらに、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の形状は、１つ以上の突出部分を含む場合等、線対称や回転対称等の対称性を有しない形状であってもよい。このように、中心軸ＣＡに直交する断面において、対称性が崩れていると、磁束が他よりも集中する箇所が発生する。そして、突出部分等のように磁束が他よりも集中する箇所が第１配線端ＩＰ１となるように、第２磁性薄帯４１Ａの位置関係を定めることが好ましい。

【0122】

また、例えば、中心軸ＣＡに直交する断面において、インダクタ配線３０の形状は、正方形状であってもよいし、真円状であってもよい。この場合、中心軸ＣＡに直交する断面において描く仮想長方形ＶＲは正方形となり、仮想長方形ＶＲの第１辺は、仮想長方形ＶＲの第２辺より長くなくてもよい。

【0123】

なお、第１磁性薄帯４１、第２磁性薄帯４１Ａ及び第３磁性薄帯４１Ｂは、中心軸ＣＡに直交する断面におけるインダクタ配線３０の形状に併せて定められる。図１９に示す変更例では、インダクタ配線３３０に対して、第２軸Ｚに沿う方向に積層された磁性薄帯４０のうち、第１配線端ＩＰ１からの第２軸Ｚに沿う距離が最も短い磁性薄帯４０は、第２部分Ｐ２に含まれる磁性薄帯４０の１つである。また、第１磁性薄帯４１は、インダクタ配線３０に対して積層されている磁性薄帯４０のうち、インダクタ配線３０に最も近い磁性薄帯４０である。そのため、第１磁性薄帯４１は、第１部分Ｐ１のうち最もインダクタ配線３０に近い磁性薄帯４０及び第３部分Ｐ３のうち最もインダクタ配線３０に近い磁性薄帯４０である。すなわち、図１９に示す変更例では、第２磁性薄帯４１Ａは、第１磁性薄帯４１ではない。

【0124】

・上記各実施形態において、インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の位置は、上記各実施形態の例に限られない。例えば、インダクタ配線３０の第１軸Ｘに沿う方向の中央が、素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の中央に一致してなくてもよい。

【0125】

・上記各実施形態において、インダクタ配線３０の形状は、直線状に限られない。磁性薄帯４０の主面ＭＦに沿って延びていればよく、例えば、全体として湾曲している形状や、ミアンダ形状であってもよい。インダクタ配線３０が同一平面上で延びていると、インダクタ配線３０の第１配線端ＩＰ１と第２磁性薄帯４１Ａとの配置を調整しやすい。

【0126】

・上記各実施形態において、インダクタ配線３０の材質は、導電性材料であれば、上記各実施形態の例に限られない。例えば、インダクタ配線３０の材質は、導電性の樹脂であってもよい。

【0127】

・上記各実施形態において、中心軸ＣＡと、第１基準軸とは、一致していなくてもよい。また、第２基準値軸は、第１軸Ｘと一致していなくてもよい。例えば、上述したようにインダクタ配線３０の形状がミアンダ形状の場合、中心軸ＣＡはミアンダ状に延びる。この場合、第１基準軸は第２軸Ｚに直交し、第２基準軸は、第２軸Ｚに直交し、第１基準軸に交差すればよい。この場合であっても、磁性薄帯４０が第１基準軸に沿う方向に複数個並んでいたり、第２基準軸に沿う方向に複数個並んでいたりすれば、磁性薄帯４０が第２軸Ｚに沿う同一の位置において１個である場合よりも、第２軸Ｚに沿う方向から視たときの磁性薄帯４０の面積が小さくなる。そのため、１つの磁性薄帯４０で発生する渦電流が小さくなる。

【0128】

・上記各実施形態で説明した第１配線端ＩＰ１を通る第１仮想直線ＶＬ１と第２磁性薄帯４１Ａの第１範囲ＡＲ１との位置関係は、中心軸ＣＡに直交するインダクタ配線３０の断面のうち、いずれか１つの断面において満たしていればよい。つまり、インダクタ配線３０のすべての領域において、第１仮想直線ＶＬ１と第２磁性薄帯４１Ａの第１範囲ＡＲ１との位置関係が満たされていなくてもよい。なお、第１配線端ＩＰ１を通る第１仮想直線ＶＬ１と第２磁性薄帯４１Ａの第１範囲ＡＲ１との位置関係を満たす断面が１つも有していなくてもよい。すなわち、インダクタ配線３０の第１配線端ＩＰ１の第１軸Ｘに沿う方向の位置が、第２磁性薄帯４１Ａの第１範囲ＡＲ１内でなくてもよく、第２磁性薄帯４１Ａの第１軸Ｘに沿う方向の端に一致していてもよい。

【0129】

・上記各実施形態において、インダクタ配線３０が素体２０から露出している部分には、外部電極が接続されていてもよい。例えば、インダクタ配線３０の中心軸ＣＡに沿う方向の両端面、及び素体２０の中心軸ＣＡに沿う方向の両端面に、塗布、印刷、めっき等によって、外部電極を形成してもよい。

【0130】

・上記各実施形態において、磁性薄帯４０と層間非磁性部５０とが積層される方向は、製造上の誤差等により、中心軸ＣＡ及び第１軸Ｘに対して直交しないこともある。上記各実施形態において、磁性薄帯４０等が「第２軸Ｚに沿う方向に積層されている」というのは、このような製造上の誤差などを許容するものである。

【0131】

・上記各実施形態において、第２軸Ｚに沿う方向に積層される磁性薄帯４０の数は、２個以上であればよい。この場合、２つの磁性薄帯４０の間に、インダクタ配線３０及び層間非磁性部５０が配置されていればよい。

【0132】

・上記各実施形態において、磁性薄帯４０と層間非磁性部５０とは、完全に交互に積層されていなくてもよい。
・上記各実施形態において、インダクタ配線３０が単層で構成されている場合ではなく、インダクタ配線３０が複数層に存在していてもよい。

【0133】

・上記各実施形態において、磁性薄帯４０の材質は、磁性材であれば、上記各実施形態の例に限られない。例えば、Ｆｅであってもよいし、Ｎｉであってもよい。また、Ｆｅ元素及びＣｏ元素を含む合金であってもよい。さらに、Ｆｅ元素、Ｎｉ元素、Ｃｏ元素、Ｃｒ元素、Ｃｕ元素、Ａｌ元素、Ｓｉ元素、Ｂ元素、Ｐ元素のうち、少なくとも２つ以上を含む合金であってもよい。さらに、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうち、少なくとも２つ以上を含む混合物であってもよい。透磁率μが大きい磁性材であると、インダクタ部品の初期インダクタンスＬｉｎの向上を図るうえで、好適である。

【0134】

・上記各実施形態において、磁性薄帯４０の金属磁性体４５は、Ｆｅ元素及びＮｉ元素の合金に限られず、Ｆｅであってもよいし、Ｎｉであってもよい。また、Ｆｅ元素及びＣｏ元素を含む合金であってもよい。さらに、Ｆｅ元素、Ｎｉ元素、Ｃｏ元素、Ｃｒ元素、Ｃｕ元素、Ａｌ元素、Ｓｉ元素、Ｂ元素、Ｐ元素のうち、少なくとも２つ以上を含む合金であってもよい。また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐのうち、少なくとも２つ以上を含む混合物であってもよい。インダクタ部品として求められる特性や、焼結工程Ｓ１６の条件等に合わせて適宜変更すればよい。

【0135】

・上記各実施形態において、磁性薄帯４０の絶縁性物質４６は、焼結前の金属磁性粉末２１２Ｍに含まれる金属がＯ元素を含む酸化物となったものに限られない。例えば、焼結前の金属磁性粉末２１２Ｍに、微量のＳｉ元素が含まれており、このＳｉ元素が、金属磁性粉末２１２Ｍの焼結中にガラス化して金属磁性体４５の表面に押し出されることによって、焼結後、絶縁性物質４６となってもよい。この場合、絶縁性物質４６はＳｉ元素を含む。例えば、金属磁性体４５が、Ｆｅ元素、Ｓｉ元素及びＣｒ元素を含む合金であれば、金属磁性体４５がＦｅＳｉＣｒ合金であり、粒界には、Ｓｉ元素やＣｒ元素が存在することになる。つまり、粒界には、焼結前の金属磁性粉末２１２Ｍに含まれる元素のうち、拡散速度の大きいものが、存在することになる。このように、金属磁性粉末２１２Ｍに含まれる成分のうち磁性材料よりも拡散速度が大きい成分によって金属磁性体４５の間の隙間が埋められることで、より高い密度の焼結体が得られる。この場合、絶縁性物質４６は、Ｓｉ元素及びＣｒ元素を含む。また、金属磁性体４５の粒界には、絶縁性物質４６が存在していなくてもよい。

【0136】

・上記各実施形態において、層間非磁性部５０の材質は、非磁性材であれば、上記各実施形態の例に限られない。層間非磁性部５０が部分的に、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の樹脂であってもよい。この点、非磁性部６０及び非磁性膜７０についても同様である。また、層間非磁性部５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０の材質は、非磁性材であれば、互いに異なっていてもよいし、部分的に異なっていてもよい。これらの場合、焼結工程Ｓ１６の後に、個片部２０１の外面を樹脂でコーティングしたり、外側から空間を樹脂で充填したりすることで実現できる。なお、第２実施形態において説明した製造方法のように、層間非磁性部５０を焼結体で形成する場合には、非磁性ペーストとしては、アルミナ、シリカ、結晶化ガラス、非晶質ガラス等、焼結させることのできる材料が好適である。また、層間非磁性部５０、非磁性部６０及び非磁性膜７０の材質は、アルミナ、ガラス以外の非磁性セラミックスや、これらを含有する非磁性の無機物であってもよいし、空隙を含めてこれらの混合物であってもよい。

【0137】

また、非磁性ペーストが樹脂の場合は磁性薄帯４０間が、樹脂の飛散により空隙となるが、例えば、層間非磁性部５０が空隙であってもよい。また、磁性層２１２をシートごとに焼成した後に接着剤である樹脂層でシートを張り合わせて、層間非磁性部５０を樹脂としてもよい。

【0138】

・上記実施形態において、層間非磁性部５０、非磁性部６０、非磁性膜７０は一体化していてもよいし、別の部材であってもよい。例えば、層間非磁性部５０は、中空であってもよいし、磁性薄帯４０の表面が酸化した酸化膜が絶縁体となって構成されていてもよい。

【0139】

・上記実施形態において、層間非磁性部５０を省いてもよい。この場合、第２軸Ｚに沿う方向に隣り合う磁性薄帯４０同士が直接接触していてもよい。
・上記実施形態において、非磁性部６０を省いてもよい。この場合、第１基準軸又は第２基準軸に沿う方向に並ぶ磁性薄帯４０同士が直接接触していてもよい。また、非磁性部６０が、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間に存在していてもよい。この場合、非磁性部６０によって、インダクタ配線３０と磁性薄帯４０との間の絶縁性を確保できる。

【0140】

なお、「複数の磁性薄帯４０が積層された」及び「複数の磁性薄帯４０が並ぶ」とは、具体的には、隣接する磁性薄帯４０同士が完全に又は部分的に絶縁されている場合や微視的に物理的な境界が存在する場合を指す。例えば、磁性薄帯４０同士が焼結されて完全に一体化されている状態等は含まない。

【0141】

・上記各実施形態において、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３の少なくとも一方に第２磁性薄帯４１Ａが存在するのであれば、磁性薄帯４０、層間非磁性部５０及び非磁性部６０の構成は、変更できる。例えば、第２部分Ｐ２のうちのインダクタ配線３０を除く部分全てを磁性薄帯４０で構成してもよいし層間非磁性部５０で構成してもよい。

【0142】

・上記各実施形態によれば、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第１軸Ｘに沿う方向に２個並んでおり、中心軸ＣＡすなわち第１基準軸に沿う方向に２個並んでいる。すなわち、「Ｍ」及び「Ｎ」を正の整数とした場合、磁性薄帯４０は、第２軸Ｚに沿う同一の位置において、第１基準軸に沿う方向に「Ｍ」個並んでおり、第１軸Ｘすなわち第２基準軸に沿う方向に「Ｎ」個並んでおり、「Ｍ」及び「Ｎ」のいずれも２である。上記各実施形態において、第２基準軸に沿う方向に並ぶ磁性薄帯４０の数である「Ｍ」は、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。また、中心軸ＣＡに沿う方向に並ぶ磁性薄帯４０の数である「Ｎ」は、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。なお、「Ｍ」及び「Ｎ」の少なくともいずれか一方が２以上であると、第２軸Ｚから視たときの１つ当たりの磁性薄帯４０の面積を小さくできるので、渦電流による損失を小さくしやすい。

【0143】

・上記各実施形態において、複数の磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、複数の磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、１つの磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて１０００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法とする。また、複数の磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて５つ以上の磁性薄帯４０がおさまる１枚の画像で測定した１つの磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法の平均値である。

【0144】

・複数の磁性薄帯４０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、互いに同一でなくてもよいし、平均値に対して、２０％より大きくばらついていてもかまわない。
・上記各実施形態において、複数の層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、異なっていてもよい。層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法が小さい場合、製造方法によっては２０％程度の製造誤差が生じることもあり得る。したがって、層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、複数の層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法の平均値に対して、８０％以上１２０％以下であれば、ほぼ等しいとみなせる。なお、１つの層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて１０００倍から１００００倍までの間の倍率に拡大した１枚の画像のうち、第２軸Ｚに沿う方向の最小の寸法とする。また、複数の層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、電子顕微鏡にて５つ以上の層間非磁性部５０がおさまる１枚の画像で測定した１つの層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法の平均値である。

【0145】

・複数の層間非磁性部５０の第２軸Ｚに沿う方向の寸法は、互いに同一でなくてもよいし、平均値に対して、２０％より大きくばらついていてもかまわない。
・上記各実施形態において、非磁性部６０の数や位置は、上記各実施形態の例に限られない。第１軸Ｘに沿う方向や中心軸ＣＡに沿う方向における磁性薄帯４０の数や位置に併せて、非磁性部６０の数や位置を変更すればよい。また、非磁性部６０の大きさも、第２軸Ｚに沿う方向における同一の位置における磁性薄帯４０の間隔に併せて、適宜変更すればよい。

【0146】

・上記各実施形態において、非磁性膜７０は省略してもよい。非磁性膜７０を省略する場合には、第２実施形態におけるインダクタ部品１１０の製造方法において、被膜処理工程Ｓ１７を省けばよい。また、被膜処理工程Ｓ１７は、個片部２０１の外面全体に非磁性膜７０を塗布して、インダクタ配線３０を露出させるように部分的に削ることで、非磁性膜７０を形成してもよい。

【0147】

・上記第２実施形態において、コンポジット部８０の構成は、上記第２実施形態の例に限られない。例えば、非磁性母材８２は、アルミナや、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性の熱可塑性樹脂であってもよい。なお、コンポジット部８０は、第１部分Ｐ１及び第３部分Ｐ３の各磁性薄帯４０のような積層構造ではなく、一体的な成形体であってもよい。このようなコンポジット部８０を製造する上では、例えば、焼結工程Ｓ１６の後であって、被膜処理工程Ｓ１７の前に、コンポジット部８０を構成する範囲に樹脂を充填すればよい。

【0148】

・上記第２実施形態におけるインダクタ部品１１０の製造方法では、複数のシートをそれぞれ形成した後に、積層及び圧着するシート積層工法を例示したが、これに限られない。例えば、複数のシートを順次形成及び積層していく印刷積層工法であってもよい。この場合、配線パターン２２１上に、分割磁性層２１２Ｄを形成することにより、配線パターン２２１の上方に、分割磁性層２１２Ｄが配置される。

【0149】

・上記第２実施形態におけるインダクタ部品１１０の製造方法において、第２シート２２０は、ネガパターン２２２に代えて、磁性層２１２又は非磁性層２１１を備えていてもよいし、磁性層２１２及び非磁性層２１１を備えていてもよい。ネガパターン２２２に代えて、磁性層２１２、非磁性層２１１及び溝内非磁性部２１３を備えている場合、第１実施形態におけるインダクタ部品１０を製造できる。また、ネガパターン２２２は、磁性材又は非磁性材の少なくともいずれかを含んでいればよい。

【0150】

・上記第２実施形態におけるインダクタ部品１１０の製造方法において、個片化工程Ｓ１５は省いてもよい。個片部２０１を１つ分だけ第１シート２１０及び第２シート２２０を準備した場合には、個片化工程Ｓ１５を省けばよい。

【0151】

・上記第２実施形態において説明したインダクタ部品１１０の製造方法において、第１部分Ｐ１又は第３部分Ｐ３に相当する部分は、複数の磁性薄帯４０と、層間非磁性部５０とを有している。ここで、第２シート２２０を省くと、複数の第１シート２１０を積層した積層シートが構成される。この積層シートを焼結すると、磁性薄帯４０が焼結体である磁性シートを製造できる。この磁性シートにおいては、複数の磁性薄帯４０が、第２軸Ｚ、すなわち磁性薄帯４０の主面ＭＦに直交する直交軸に沿う方向に積層されている。また、磁性薄帯４０は、直交軸に沿う同一の位置において、第１軸Ｘ、すなわち磁性薄帯４０の主面ＭＦに平行な第１平行軸に沿う方向に２個並んでいる。さらに、磁性薄帯４０は、直交軸に沿う同一の位置において、中心軸ＣＡ、すなわち直交軸及び第１平行軸に直交する第２平行軸に沿う方向に２個並んでいる。

【0152】

・上記各実施形態において、複数の磁性薄帯４０は、規則的に配列していなくてもよい。特に、複数の磁性薄帯４０が、部分的に不規則に配列していてもよい。
・上記各実施形態において、素体２０に、磁性薄帯４０に加えて、コンポジット体が混在していてもよい。例えば、焼結された個片部２０１を、粉末状の磁性材を含むコンポジット体で覆うことによって、焼結された個片部２０１の外側にコンポジット体が配置されていてもよい。

【0153】

・上記各実施形態では、電子部品の一例としてインダクタ部品を例示したが、電子部品であればよく、例えば、積層型のコンデンサ部品であってもよい。同様に、電子部品の製造方法の一例としてインダクタ部品の製造方法を例示したが、電子部品の製造方法であればよい。この場合、配線は、インダクタ配線である必要はなく、コンデンサのような平板状の配線であってもよいし、その他公知の形状の配線であってもよい。

【0154】

特許文献１に記載の素体は、無機フィラーの充填率を高めることによって、飽和磁束密度Ｂｓなどの磁性材料としての特性の向上が図られる。しかしながら、特許文献１に記載の技術は、無機フィラーの粒子がランダムに分散した構造を前提としており、他の磁性材料の構造については何ら検討されていない。

【0155】

このような磁性シートは、上記各実施形態のインダクタ部品の素体２０など、磁束を透過させるとともに絶縁性が求められるシートとして、好適である。また、このような磁性シートの製造方法であれば、焼結体である磁性薄帯４０が規則的に並ぶ構造を効率よく製造しやすい。

【0156】

上記各実施形態及び変更例から把握できる技術的思想を以下に追記する。
＜付記１＞
焼結体の磁性材からなる平板状の複数の磁性薄帯を有し、複数の前記磁性薄帯が、前記磁性薄帯の主面に対して直交する方向に積層されており、
「Ｍ」及び「Ｎ」を正の整数とし、且つ「Ｍ」及び「Ｎ」の少なくともいずれか一方を２以上としたとき、
複数の前記磁性薄帯は、前記積層方向のそれぞれの位置において、前記第１基準軸に沿う方向に「Ｍ」個並んでおり、前記第２基準軸に沿う方向に「Ｎ」個並んでいる
磁性シート。

【0157】

＜付記２＞
非磁性材を含む非磁性ペーストにより非磁性層を形成し、前記非磁性層上に磁性材を含む磁性ペーストにより磁性層を形成し、前記磁性層を溝で分割し、前記溝に非磁性材を含む非磁性ペーストを充填することにより、分割磁性層を形成し、
複数の前記分割磁性層を積層することにより、分割磁性層群を形成し、
前記分割磁性層群を焼成することにより、前記非磁性層を焼結体の層間非磁性部に、前記磁性層を焼結体の磁性薄帯にする
磁性シートの製造方法。

【符号の説明】

【0158】

１０，１１０，３１０…インダクタ部品
２０…素体
３０，３３０…インダクタ配線
４０…磁性薄帯
４１…第１磁性薄帯
４１Ａ…第２磁性薄帯
４５…金属磁性体
４６…絶縁性物質
５０…層間非磁性部
６０…非磁性部
７０…非磁性膜
８０…コンポジット部
２１０…第１シート
２１１…非磁性層
２１２…磁性層
２２０…第２シート
２２１…配線パターン
ＡＲ１…第１範囲
ＣＡ…中心軸
ＭＦ…主面
ＭＰ１…第１端
ＭＰ２…第２端
ＶＬ…仮想直線
ＶＲ…仮想長方形
Ｘ…第１軸
Ｚ…第２軸
Ｓ１１…第１シート準備工程
Ｓ１２…第２シート準備工程
Ｓ１３…積層工程
Ｓ１４…圧着工程
Ｓ１５…個片化工程
Ｓ１６…焼結工程

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】