特許 7557514 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-18

(45)【発行日】2024-09-27

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240919BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20240919BHJP

   H05F 3/02 20060101ALN20240919BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 646

H01L21/304 648K

H01L21/304 643A

H01L21/304 648G

H01L21/30 564

H05F3/02 L

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2022196824

(22)【出願日】2022-12-09

(65)【公開番号】P2023099483

(43)【公開日】2023-07-13

【審査請求日】2022-12-09

(31)【優先権主張番号】10-2021-0193592

(32)【優先日】2021-12-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】ソン，ヨン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】リ，テ フン

(72)【発明者】

【氏名】リ，サン ギュ

(72)【発明者】

【氏名】ユン，ヒュン

(72)【発明者】

【氏名】キム，ド ヨン

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－２５１７５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０３６５９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２９７７８８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｈ０５Ｆ ３／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に処理液を吐出するノズル部と、
前記ノズル部及び処理液を供給する処理液供給部に連結される配管と、
前記配管に配置され、正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を含み、前記フィルタ部の内部を通過する処理液の流量を調節する調節弁、及び前記フィルタ部に電圧を印加する電源供給部のうち少なくとも１つを含んで処理液の帯電量を調節する帯電量調節部と、
前記帯電量調節部に連結される制御部と、を含み、
前記配管は、並列に分岐する第１分岐配管及び第２分岐配管を含み、
前記フィルタ部は、前記第１分岐配管に配置され、正電荷に帯電する第１フィルタ、及び前記第２分岐配管に配置され、負電荷に帯電する第２フィルタを含む、
基板処理装置。

【請求項2】

前記帯電量調節部は、前記第１分岐配管と第２分岐配管との合流点に配置され、前記制御部に連結されて前記第１分岐配管及び第２分岐配管を通過する処理液の流量を調節する前記調節弁を含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第１フィルタは負電荷に帯電した多孔性膜を含み、第２フィルタは正電荷に帯電した多孔性膜を含む、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記帯電量調節部は、前記制御部に連結され、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタの少なくとも１つに電圧を印加する電源供給部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記電源供給部は、前記第１フィルタに正電荷を印加する第１電源供給部、及び前記第２フィルタに負電荷を印加する第２電源供給部を含む、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記電源供給部は、前記フィルタ部に基板の帯電状態に対応する電圧を印加する、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記ノズル部は、基板に処理液を噴射するノズルチップ、及び一端にノズルチップが連結されるノズルアームを含み、前記フィルタ部は前記ノズルアームに設置される、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

基板に処理液を吐出するノズル部と、
前記ノズル部及び処理液を供給する処理液供給部に連結される配管と、
前記配管に配置され、正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を含み、前記フィルタ部の内部を通過する処理液の流量を調節する調節弁、及び前記フィルタ部に電圧を印加する電源供給部のうち少なくとも１つを含んで処理液の帯電量を調節する帯電量調節部と、
前記帯電量調節部に連結される制御部と、
前記処理液の供給方向において前記フィルタ部の上流及び下流に連結され、前記フィルタ部の上流及び下流を通過する処理液の電圧差を測定する電圧差測定部を含み、
前記制御部は、前記電圧差測定部の測定結果を考慮して前記帯電量調節部を制御するように構成された、基板処理装置。

【請求項9】

基板に処理液を吐出するノズル部と、
前記ノズル部及び処理液を供給する処理液供給部に連結される配管と、
前記配管に配置され、正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を含み、前記フィルタ部の内部を通過する処理液の流量を調節する調節弁、及び前記フィルタ部に電圧を印加する電源供給部のうち少なくとも１つを含んで処理液の帯電量を調節する帯電量調節部と、
前記帯電量調節部に連結される制御部と、
前記処理液供給部の流出口部に連結された配管と前記処理液の供給方向において前記フィルタ部の下流に連結され、前記処理液供給部の流出口部に連結された配管と前記フィルタ部の下流を通過する処理液の電圧差を測定する電圧差測定部を含み、
前記制御部は、前記電圧差測定部の測定結果を考慮して前記帯電量調節部を制御するように構成された、基板処理装置。

【請求項10】

基板の帯電状態を検出する検出部を含み、
前記制御部は、前記検出部に連結されて前記検出部から基板の帯電状態に関する検出信号の伝達を受け、前記検出信号に応じて前記帯電量調節部を制御するように構成された、請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記検出部は電場測定器である、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記検出部は、前記ノズル部が配置されるノズルアームに設置される、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項13】

内部に基板を処理する空間が提供される処理容器と、
前記処理容器の内部に配置されて基板を支持する基板支持部材と、
基板に処理液を吐出するノズルチップ、一端に前記ノズルチップが連結されるノズルアーム、及び前記ノズルアームを支持するノズルアーム支持部材を含むノズル部と、
一部が前記ノズルアームの内部に配置され、前記ノズルチップ及び処理液を供給する処理液供給部に連結される配管と、
前記配管に並列に配置され、正電荷に帯電する第１フィルタ及び負電荷に帯電する第２フィルタ、並びに第１フィルタ及び第２フィルタが配置された前記配管の下流側の合流点に配置され、前記第１フィルタ及び第２フィルタを通過する処理液の流量を調節する調節弁を含む帯電量調節部と、
基板の帯電状態を検出する検出部と、
前記調節弁及び検出部に連結され、前記検出部から検出された基板の帯電状態に応じて前記調節弁を制御する制御部と、を含む、基板処理装置。

【請求項14】

前記帯電量調節部は、前記ノズルチップに隣接する前記ノズルアームに設置される、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記検出部は前記ノズルアームに設置される、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記配管は、並列に分岐する第１分岐配管及び第２分岐配管を含み、
前記第１フィルタは前記第１分岐配管に配置され、前記第２フィルタは前記第２分岐配管に配置され、
前記基板処理装置は、前記処理液の供給方向において、前記第１分岐配管と第２分岐配管の分岐点の上流及び合流点の下流に連結され、前記第１分岐配管と第２分岐配管の分岐点の上流及び合流点の下流を通過する処理液の電圧差を測定する電圧差測定部を含み、
前記制御部は、前記電圧差測定部の測定結果を考慮して前記調節弁を制御するように構成された、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項17】

前記処理液供給部の流出口部に連結された配管と前記処理液の供給方向において前記第１フィルタ及び第２フィルタが配置された前記配管の合流点の下流に連結され、前記処理液供給部の流出口部に連結された配管と前記第１フィルタ及び第２フィルタが配置された前記配管の合流点の下流を通過する処理液の電圧差を測定する電圧差測定部を含み、
前記制御部は、前記電圧差測定部の測定結果を考慮して前記調節弁を制御するように構成された、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項18】

基板の帯電状態を検出する検出段階と、
検出された前記基板の帯電状態に応じて正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を通過した処理液の帯電量を制御する制御段階と、
前記帯電量が制御された処理液を前記基板に吐出する吐出段階と、を含み、
前記制御段階は、
並列に配置された正電荷に帯電する第１フィルタと負電荷に帯電する第２フィルタを通過する処理液の流量を調節すること、又は
並列に配置された正電荷が印加される第１フィルタと負電荷が印加される第２フィルタを通過する処理液の帯電量を制御することを含む、
基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、フィルタ部を通過する処理液の帯電量を制御して基板に吐出させることにより、基板の帯電状態を調節することができる基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体の製造工程では、半導体ウエハなどの被処理基板に処理液を供給して液処理を行う基板処理装置が使用される。このような基板処理装置は、液体の金属物質など不純物を除去するために、一定電荷に帯電した多孔性フィルタが用いられることができる。基板処理の過程では、基板に向かってノズルから吐出される処理液又は基板の静電気の問題によりパーティクルが付着して汚染されたり、基板に静電気放電などが発生したりして基板の不良を引き起こすことがある。

【0003】

一般に、このような問題点を解決するために様々な方法が提示されているが、一例として、処理液を吐出するノズル部に除電素材をコーティングして処理液を除電させる方式、基板処理空間に別途の光源部を配置させてノズル部から吐出された処理液に光線を照射して除電するなどの方法が適用されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】韓国公開特許番号１０－２０１９－００１５６６６Ａ（２０１９．０２．１４）

【文献】韓国公開特許番号１０－２０１９－００１０６３０Ａ（２０１９．０１．３０）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、基板の帯電状態を効果的に調節することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するために、本発明の一実施例によると、基板に処理液を吐出するノズル部と、上記ノズル部及び処理液を供給する処理液供給部に連結される配管と、上記配管に配置され、正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を含み、上記フィルタ部の内部を通過する処理液の流量を調節する調節弁及び上記フィルタ部に電圧を印加する電源供給部のうち少なくとも１つを含んで処理液の帯電量を調節する帯電量調節部と、上記帯電量調節部に連結される制御部と、を含む、基板処理装置を提供する。

【0007】

また、本発明の他の一実施例によると、内部に基板を処理する空間が提供される処理容器と、上記処理容器の内部に配置されて基板を支持する基板支持部材と、基板に処理液を吐出するノズルチップ（ｔｉｐ）、一端に上記ノズルチップが連結されるノズルアーム及び上記ノズルアームを支持するノズルアーム支持部材を含むノズル部と、一部が上記ノズルアームの内部に配置され、上記ノズルチップ及び処理液を供給する処理液供給部に連結される配管と、上記配管に並列に配置され、正電荷に帯電する第１フィルタ及び負電荷に帯電する第２フィルタ、並びに上記第１フィルタ及び第２フィルタが配置された上記配管の下流側の合流点に配置され、上記第１フィルタ及び第２フィルタを通過する処理液の流量を調節する調節弁を含む帯電量調節部と、基板の帯電状態を検出する検出部と、上記調節弁及び検出部に連結されて上記検出部から検出された基板の帯電状態に応じて上記調節弁を制御する制御部と、を含む、基板処理装置をさらに提供する。

【0008】

また、本発明のさらに他の一実施例によると、基板の帯電状態を検出する検出段階と、検出された上記基板の帯電状態に応じて正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を通過した処理液の帯電量を制御する制御段階と、上記帯電量が制御された処理液を上記基板に吐出する吐出段階と、を含む、基板処理方法をさらに提供する。

【発明の効果】

【0009】

本発明の基板処理装置によると、制御部が基板の帯電状態に応じて処理液供給部から配管を介して正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を通過した処理液の帯電量を能動的に制御し、帯電量が制御された処理液をノズル部を介して基板に吐出させることにより、基板の帯電状態を効果的に調節することができ、基板に帯電した静電気を除去して基板と処理液とが当接する際に発現するＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）現象などを防止することができる。さらに、基板のアーキング（Ａｒｃｉｎｇ）などの問題による基板の不良の発生を効果的に防止することができる。

【0010】

一方、本発明の基板処理方法によると、基板の帯電状態に応じて正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を通過した処理液の帯電量を能動的に制御して基板に吐出させることにより、基板の帯電状態を効果的に調節することができるため、基板に帯電した静電気を除去して基板と処理液とが当接する際に発現するＥＳＤ現象などを防止することができる。さらに、基板のアーキングなどの問題による基板の不良の発生を効果的に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の一実施例による基板処理装置の概略図である。

【図2】本発明の一実施例による基板処理装置に提供されるフィルタ部の概略図である。

【図3】本発明の一実施例による基板処理装置に提供されるフィルタ部の断面の概略図である。

【図4】図３のフィルタ部を適用した基板処理装置の概略図である。

【図5】本発明の一実施例による基板処理装置に提供される他のフィルタ部の断面の概略図である。

【図6】本発明の一実施例によるさらに他の構造を有するフィルタ部を適用した基板処理装置の概略図である。

【図7】本発明の実施例による互いに異なる電圧差の測定位置が示された基板処理装置の概略図である。

【図8】本発明の実施例による互いに異なる電圧差の測定位置が示された基板処理装置の概略図である。

【図9】本発明の他の実施例による基板処理装置の概略図である。

【図10】本発明のさらに他の実施例による基板処理装置の概略図である。

【図11】本発明の一実施例による基板処理方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、添付の図面を参照して、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように好ましい実施例を詳細に説明する。但し、本発明の好ましい実施例を詳細に説明するに当たり、関連する公知の機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。また、類似の機能及び作用をする部分については、図面全体にわたって同じ符号を使用する。なお、本明細書において、「上」、「上部」、「上面」、「下」、「下部」、「下面」、「側面」等の用語は、図面を基準としたものであり、実際には構成要素が配置される方向によって変わることができる。

【0013】

さらに、明細書全体において、ある部分が他の部分と「連結」されているというとき、これは「直接的に連結」されている場合だけでなく、その中間に他の構成要素を挟んで「間接的に連結」されている場合も含む。また、ある構成要素を「含む」とは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0014】

一般に、半導体の製造工程において、半導体ウエハ等の被処理基板に処理液を供給して液処理を行う基板処理装置は、基板処理過程において、基板に向かってノズルから吐出される処理液又は基板の静電気の問題によりパーティクルが付着して汚染されたり、基板に静電気放電等が発生したりすることで、基板の不良を引き起こすことがある。

【0015】

このような問題点を解決するために、従来には、処理液を吐出するノズル部に除電素材をコーティングして処理液を除電させる方式や、基板処理空間に別途の光源部を配置させ、ノズル部から吐出された処理液に光線を照射して除電するなどの方法が適用されていたが、このような方法により処理液が除電された状態で基板に吐出されるため、基板に静電気が存在する場合や、基板との摩擦等による基板の帯電状態を制御することができなかった。

【0016】

本発明は、このような問題を解決するために提供されたものであり、本発明による基板処理装置は、基板を処理するための装置であって、様々な工程に使用されることができる。一例として、本発明の基板処理装置は、フォト工程に使用されることができ、具体的に、塗布段階、洗浄段階、現像段階などに使用され、感光液、シンナー、洗浄液、現像液などの処理液を、処理液供給手段を用いて基板に提供することで基板を処理することができる。さらに、洗浄工程などの他の基板処理工程にも使用されることができる。

【0017】

以下では、図面を参照して、本発明の基板処理装置の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。

【0018】

第１実施形態
実施例１
図１～図４を参照して基板処理装置の実施例１について説明する。

【0019】

図１は、本発明の実施例１による基板処理装置の概略図である。図１を参照すると、本発明の一実施例による基板処理装置は、密閉された処理チャンバＳ内に位置し、内部に基板Ｗを処理する空間が提供される処理容器１、処理容器１の内部に配置されて基板Ｗを支持する基板支持部材２、及び基板Ｗに処理液を供給する処理液供給ユニットを含むことができる。

【0020】

処理容器１は、処理液の吐出時に、基板Ｗから飛散する処理液を受けて処理容器１の処理液回収ライン６を介して回収することができる。

【0021】

基板支持部材２は、処理容器１の内部で基板Ｗを回転及び上下移動可能に支持するスピンチャック３、及びスピンチャック３を駆動する駆動部４を含むことができる。したがって、基板処理時に、スピンチャック３により基板Ｗが回転支持された状態で処理液供給ユニットを介して処理液を基板Ｗに供給して基板Ｗを処理することができる。

【0022】

処理液供給ユニットは、処理液供給部１０、ノズル部２０、配管３０及び帯電量調節部４０を含むことができる。

【0023】

処理液供給部１０は、処理液を貯蔵する構成、あるいは貯蔵された処理液をノズル部２０に供給する構成であって、基板Ｗに向かって処理液を吐出するノズル部２０に配管３０を介して連結され、ノズル部２０に処理液を供給することができる。処理液供給部１０に貯蔵される処理液は、感光液、シンナー（Ｔｈｉｎｎｅｒ）などの塗布液、現像液、脱イオン液、洗浄液などであってもよいが、これらに限定されるものではなく、実際の工程の必要に応じて様々な処理液を適用して基板処理工程を行うことができる。

【0024】

ノズル部２０は、基板に処理液を吐出するものであって、配管３０を介して処理液供給部１０に連結される。ノズル部２０は、基板に処理液を吐出するノズルチップ２１、及び一端にノズルチップ２１が連結されるノズルアーム２２を含むことができる。ノズルアーム２２の他端はノズルアーム支持部材２３に連結され、ノズルアーム支持部材２３を介してノズルアーム２１が工程処理の必要に応じて移動することができる。

【0025】

帯電量調節部４０は、処理液供給部１０とノズル部２０との間の配管３０に配置され、帯電量調節部４０を介してノズル部２０のノズルチップ２１に吐出される処理液の帯電量を変化させるように構成される。

【0026】

また、ノズル部２０（具体的には、ノズルチップ２１）から吐出される処理液の帯電量を精密に制御するために、フィルタ部５０はノズルチップ２１に隣接する配管３０に配置されてもよい。すなわち、配管３０は、一部分がノズルアーム２２の内部に配置されてもよく、フィルタ部５０はノズルチップ２１に隣接するノズルアーム２２の内部の配管に配置されてもよい。

【0027】

帯電量調節部４０は、正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部５０を含み、フィルタ部５０の内部を通過する処理液の流量を調節する調節弁６０を含んでフィルタ部５０を通過した処理液の帯電量を調節するように構成されることができる。

【0028】

ここで、事前に説明すべきことは、本発明において、フィルタ部５０が負電荷又は正電荷に帯電するように構成するとは、第１実施形態に適用されたように、事前にプラズマなどの処理によって負電荷又は正電荷に帯電処理され得るか、負電荷又は正電荷に帯電しやすい物質を含んで処理液が通過する際に処理液との摩擦によって負電荷又は正電荷に帯電するか、後述する第２実施形態に適用されたように必要に応じて電圧を印加する帯電装置によって負電荷又は正電荷に帯電し得るという意味であるという点である。

【0029】

実施例１では、電源供給部を含まずにフィルタ部５０の内部を通過する処理液の流量を調節する調節弁６０を含む帯電量調節部４０について説明する。この場合、フィルタ部５０は、事前に負電荷又は正電荷に帯電処理されるか、負電荷又は正電荷に帯電しやすい物質を含むことができ、これについては、以下で図１～図４を参照して具体的に後述する。

【0030】

処理液中のイオンは、このような特定の電荷に帯電するフィルタ部５０を通過すると、流動電流が発生するため、処理液はフィルタ部５０を通過した後、一定量の電荷が多くなるにつれて特定の電荷に帯電し、ノズル部２０を介して基板Ｗに吐出されることができる。

【0031】

また、基板処理装置は、配管３０内において処理液の帯電量を制御する制御部８０を含むことができる。具体的に、本実施例において、制御部８０は、基板Ｗの帯電状態に応じて帯電量調節部４０のフィルタ部５０を通過する処理液の流量を調節する調節弁６０を制御するように構成される。

【0032】

制御部８０は、様々な方式でフィルタ部５０を通過した処理液の帯電量を制御することができる。ここで、フィルタ部５０は、複数個のフィルタを含み、制御部８０は、基板Ｗの帯電状態に応じて処理液が選択的にフィルタを通過することによって処理液の帯電量を制御することができる。また、フィルタ部５０は複数個のフィルタを含み、制御部８０は、基板Ｗの帯電状態に応じて各フィルタを通過する処理液の流量を調節することによって処理液の帯電量を制御することもできる。図１では、フィルタ部５０が２つのフィルタを含む場合を示しているが、これに限定されるものではなく、必要に応じて１つ又は３つ以上のフィルタを含んでもよい。

【0033】

本発明の実施例１による基板処理装置によると、制御部８０は、基板Ｗの帯電状態に応じて処理液供給部１０から配管３０を介して正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部５０を通過した処理液の流量を調節する調節弁６０を調節することにより、ノズル部２０に流動する処理液の帯電量を能動的に制御し、帯電量が制御された処理液をノズル部２０を介して基板Ｗに吐出させることによって基板の帯電状態を効果的に調節することができる。これにより、基板に帯電した静電気を除去し、基板と処理液とが当接する際に発現するＥＳＤ現象を防止することができる。さらに、基板のアーキングなどの問題による基板の不良の発生を効果的に防止することができる。また、基板の帯電状態を効果的に調節することができるため、基板が次の工程に適した帯電状態を有するように制御することができる。一例として、フォト工程の塗布段階において、負電荷に帯電しているシンナー層が塗布された基板Ｗに感光液を吐出する場合、制御部８０は、負電荷に帯電した基板Ｗの帯電状態に応じて、フィルタ部５０を通過した感光液の流量を調節弁６０によって調節し、感光液が正電荷に帯電するように制御することにより、負電荷に帯電した基板Ｗにノズル部２０を介して正電荷に帯電した感光液を吐出して中和させることで、基板Ｗが中性を示すようにすることができる。

【0034】

他の一例として、フォト工程の現像段階において、基板Ｗの現像させる表面の下層が、正電荷に帯電しやすい物質で積層されている状態である場合、制御部８０は、フィルタ部５０を通過した現像液の流量を調節弁６０によって調節して負電荷に帯電するように制御することにより、基板Ｗに負電荷に帯電した現像液をノズル部２０を介して吐出して中和させることで、基板Ｗへの現像処理時に、基板Ｗの下層の物質が正電荷に帯電することを効果的に抑制することができる。

【0035】

具体的に、フィルタ部５０は、互いに異なる電荷に帯電する少なくとも２つのフィルタを含むことができる。図１に示すように、上記フィルタ部５０は、正電荷に帯電する第１フィルタ５１、及び負電荷に帯電する第２フィルタ５２を含むことができる。ここで、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２は並列に連結された構造で示されているが、本発明は、これに限定されるものではなく、直列に連結されてもよいことは言うまでもない。

【0036】

図２は、本発明の一実施例による基板処理装置に提供されるフィルタ部の概略図であり、図３は、本発明の一実施例による基板処理装置に提供されるフィルタ部の断面の概略図であり、図４は、図３に示すフィルタ部を適用した基板処理装置の概略図である。

【0037】

図２及び図３を参照すると、フィルタ部５０において正電荷に帯電する第１フィルタ５１の場合、処理液が第１フィルタ５１を通過するとき、処理液中の正電荷は、正電荷に帯電する第１フィルタ５１との電荷反発により拒否されて第１フィルタ５１を通過し難くなるのに対し、処理液中の負電荷は、第１フィルタ５１と電荷吸引により第１フィルタ５１を容易に通過することができる。これにより、第１フィルタ５１を通過した処理液は、全体的に負電荷に帯電してノズル部２０を介して基板Ｗに吐出されることができる。

【0038】

同様に、フィルタ部５０において負電荷に帯電する第２フィルタ５２の場合、処理液が第２フィルタ５２を通過するとき、処理液中の負電荷は、負電荷に帯電する第２フィルタ５２の電荷反発により拒否されて第２フィルタ５２を通過し難くなるのに対し、処理液中の正電荷は、第２フィルタ５２と電荷吸引により第２フィルタ５２を容易に通過することができる。これにより、第２フィルタ５２を通過した処理液は、全体的に正電荷に帯電してノズル部２０を介して基板Ｗに吐出されることができる。

【0039】

第１フィルタ５１は正電荷に帯電した多孔性膜を含み、第２フィルタ５２は負電荷に帯電した多孔性膜を含むことができる。

【0040】

一例として、図３及び図４に示すように、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２は、それぞれ正電荷及び負電荷に帯電した多孔性膜からなる本体５０ａ及び処理液の流動方向に沿って本体５０ａの上流側の一側面から下流側の他側面に貫通形成される複数個の貫通孔５０ｂを含むことができる。このような複数個の貫通孔５０ｂを介して処理液の流動を円滑に実現することができる。図３に示すように、このような貫通孔５０ｂは同じ直径で形成されてもよい。

【0041】

図３において、フィルタ部に連結された配管が同じ直径を有する形態で構成されているが、これに限定されるものではなく、フィルタ部が配置されている部分の配管は、処理液がフィルタ部を容易に通過して円滑な流動を成すために、処理液の流動方向に沿って直径が徐々に大きくなる拡張管の形態で実現されてもよい。

【0042】

フィルタ部５０が第１フィルタ５１及び第２フィルタ３５２を含む場合、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２は並列に連結され、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を通過する処理液の流量を調節する方式で制御することができる。以下では、図４を参照して、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を含むフィルタ部５０を通過する処理液の流量を調節する方法について説明する。

【0043】

具体的に、図４を参照すると、配管３０は、並列に分岐する第１分岐配管３１及び第２分岐配管３２を含むことができる。フィルタ部５０の第１フィルタ５１は第１分岐配管３１に配置され、第２フィルタ５２は第２分岐配管３２に配置されることができる。このとき、調節弁６０は、第１分岐配管３１と第２分岐配管３２の合流点に配置され、制御部８０に連結されて、第１分岐配管３１及び第２分岐配管３２を通過する過程で第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２をそれぞれ通過した処理液の流量を全体的に調節することができる。具体的に、ノズル部２０に供給される処理液が正電荷に帯電する必要がある場合、第１分岐配管３１を通過しながら正電荷の帯電状態である第１フィルタ５１を介して負電荷に帯電した処理液の流量を、第２分岐配管３２を通過しながら負電荷の帯電状態である第２フィルタ５２を介して正電荷に帯電した処理液の流量より多くなるように、調節弁６０を制御することができる。

【0044】

一例として、制御部８０は、上記基板Ｗの帯電極性とは反対の帯電極性を有する処理液を、上記基板Ｗに供給するように調節弁６０を制御することができる。基板Ｗの被処理面が正電荷に帯電した状態である場合、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を通過する処理液の流量を調節し、最終的にノズル部２０を介して吐出される処理液が負電荷に帯電した状態で基板に吐出されて基板と中和されることで、基板の静電気を除去することができる。さらに、基板上のパーティクルをトラップして除去する効果も発生させることができる。

【0045】

本発明による基板処理装置は、基板Ｗの帯電状態を検出する検出部９０を含むことができる。制御部８０は、検出部９０から基板Ｗの帯電状態に関する検出信号の伝達を受け、上記検出信号に応じて調節弁６０を制御して処理液の帯電量を調節するように構成されることができる。このような検出部９０は様々な形態で実現されることができる。一例として、検出部９０として静電気測定装置を用いることができ、具体的に、基板Ｗに接触が発生しない非接触状態で測定が可能な電場測定器を用いて、基板Ｗの表面によって形成された静電場を検出することができる。検出部９０によって検出された検出信号は、制御部８０に伝達され、制御部８０が調節弁６０を制御してフィルタ部５０を通過した処理液の帯電量を調節することができる。

【0046】

このような検出部９０は、処理空間内において様々な位置に配置されることができる。図４に示すように、検出部９０は、ノズル部のノズルアーム２２とは別に構成された検出部支持アーム９１によって支持され、基板Ｗの上方の一側に配置されることにより基板Ｗの帯電状態を検出することができる。さらに、検出部支持アーム９１は、検出部９０が処理空間内の様々な位置に移動して様々な位置における基板の帯電状態を検出できるように、検出部９０を移動可能に支持することができる。

【0047】

本実施例において、検出部として電場測定器を使用することを例に挙げて説明したが、検出部はこれに限定されず、基板の帯電状態を検出できる限り、イオン検出器など、様々な形態で実現できることは言うまでもない。

【0048】

本発明の実施例１による基板処理装置によると、制御部５０が、検出部９０を介して検出された基板の帯電状態に関する検出信号に応じて、処理液供給部から配管を介して並列に連結されて正電荷に帯電した第１フィルタ５１を通過する処理液、及び負電荷に帯電した第２フィルタ５２を通過する処理液の流量を調節弁６０によって調節することにより、最終的に第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を通過して合流した処理液の帯電量を能動的に制御し、ノズル部２０を介して基板Ｗに吐出させることにより、基板Ｗの帯電状態を効果的に調節することができ、基板Ｗに帯電した静電気を除去することで、基板Ｗと処理液とが当接する際に発現するＥＳＤ現象などを防止することができる。さらに、基板Ｗのアーキングなどの問題による基板の不良の発生を効果的に防止することができる。

【0049】

特に、本発明の実施例１による基板処理装置は、フィルタ部５０及びフィルタ部５０を通過する調節弁６０を含む帯電量調節部４０によって、簡単な構造で容易に処理液の帯電量を調節することができる。さらに、並列に配置され、正電荷に帯電した第１フィルタ５１及び負電荷に帯電した第２フィルタ５２を通過した処理液の流量を調節弁６０によって調節し、混合された処理液の帯電量を容易に調節することができ、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を含むフィルタ部５０と、調節弁６０を含む帯電量調節部４０とをノズルアーム２２に配置された配管３０に設置することにより、ノズル部２０と一体に組み立てられた構造にも適用することができ、単純化構造を実現することができ、製造コストを下げることができる。

【0050】

実施例１の変形例１
図５は、本発明の実施例１の変形例１による基板処理装置に提供されるフィルタ部の断面の概略図である。

【0051】

本発明の実施例１の変形例１による基板処理装置については、図５を参照して説明する。この変形例において、フィルタ部４５０を除く構成は、実施例１の構成と同様に適用することができ、よって、重複を避けるために同一構成に対する説明は省略する。

【0052】

図５を参照すると、フィルタ部４５０の第１フィルタ及び第２フィルタは、正電荷と負電荷に帯電した多孔性膜からなる本体４５０ａ、及び処理液の流動方向に沿って本体４５０ａの上流側の一側面から下流側の他側面に貫通形成される複数個の貫通孔４５０ｂを含むことができる。フィルタ部４５０の第１フィルタ又は第２フィルタの貫通孔４０ｃは、本体４０ａの上流側の一側面から下流側の他側面に孔径が徐々に拡張するテーパ形状を有するように構成されてもよい。このような複数個の貫通孔５０ｂを介して処理液の流動を円滑に実現することができる。しかし、本発明によるフィルタ部５０は、このような形態に限定されるものではなく、処理液の円滑な流動を確保するとともに特定の電荷を通過することができれば、様々な形態で実現されてもよい。

【0053】

実施例１の変形例２
図６は、本発明の実施例１の変形例２によるさらに他の構造を有するフィルタ部を適用した基板処理装置の概略図である。

【0054】

本発明の実施例１の変形例２による基板処理装置については、図６を参照して説明する。本変形例において、フィルタ部３５０を除く構成は、実施例１の構成と同様に適用することができ、よって、重複を避けるために同一構成に対する説明は省略する。

【0055】

実施例１の変形例２において、図６を参照すると、フィルタ部３５０は、フィルタハウジング３５０ａ内に負電荷又は正電荷に帯電した重合単量体がコーティングされた多孔性膜３５０ｂが固定された構造を有することができる。具体的に、フィルタ部３５０が正電荷に帯電する第１フィルタ３５１及び負電荷に帯電する第２フィルタ３５２を含む場合、第１フィルタ３５１は、正電荷に帯電した重合単量体がコーティングされた多孔性膜３５０ｂが固定された構造を有することができ、第２フィルタ３５２は、負電荷に帯電した重合単量体がコーティングされた多孔性膜３５０ｂが固定された構造を有することができる。ここで、正電荷又は負電荷に帯電した重合単量体は、処理液と反応する役割として作用するものではなく、処理液との反応なしに処理液中の重合単量体とは反対の極性のイオンは通過させ、同じ極性のイオンは通過させないようにする役割として作用することを理解すべきである。

【0056】

第１フィルタ３５１及び第２フィルタ３５２を通過する処理液の流量を調節する方式は、実施例１による第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を通過する処理液の流量を調節する方式と同様であるため、ここでは省略する。

【0057】

実施例１の変形例３
図７は、本発明の実施例１の変形例３による電圧差測定部を含む基板処理装置の概略図である。

【0058】

本発明の実施例１の変形例３による基板処理装置については、図７を参照して説明する。本変形例において、電圧差測定部を除く構成は、実施例１の構成と同様に適用することができ、よって、重複を避けるために同一構成に対する説明は省略する。

【0059】

実施例１の変形例３による基板処理装置は、電圧差測定部をさらに含むことができる。

【0060】

図７に示すように、電圧差測定部は、上記処理液の供給方向において上記フィルタ部５０の上流及び下流に連結され、上記フィルタ部５０の上流及び下流を通過する処理液の電圧差を測定することができる。具体的に、電圧差測定部は、処理液の供給方向において、上記第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２が配置された上記配管３０の分岐点３３（第１分岐配管３１と第２分岐配管３２とが分岐した地点）の上流及び合流点３４（第１分岐配管３１と第２分岐配管３２とが合流した地点）の下流に連結され、上記第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２が配置された上記配管の分岐点３３の上流及び合流点３４の下流を通過する処理液の電圧差を測定することができる。この場合、制御部８０は、上記電圧差測定部の測定結果を考慮して調節弁６０を制御するように構成されてもよい。したがって、制御部８０は、基板Ｗの帯電状態に応じてフィルタ部５０の通過前後における処理液の電圧差のフィードバックを受け、基板Ｗに吐出される処理液の帯電量をより正確に制御することができる。

【0061】

実施例１の変形例４
図８は、本発明の実施例１の変形例４による電圧差測定部を含む基板処理装置の概略図である。

【0062】

本発明の実施例１の変形例４による基板処理装置については、図８を参照して説明する。本変形例において、電圧差測定部を除く構成は、実施例１の構成と同様に適用することができ、よって、重複を避けるために同一構成に対する説明は省略する。

【0063】

実施例１の変形例４による基板処理装置は、電圧差測定部をさらに含むことができる。

【0064】

また、他の一例として、図８に示すように、電圧差測定部は、上記処理液供給部１０の流出口部に連結された配管３５と上記処理液の供給方向において上記フィルタ部５０の下流に連結され、上記処理液供給部１０の流出口部に連結された配管３５と上記フィルタ部５０の下流を通過する処理液の電圧差を測定することができる。具体的に、電圧差測定部は、上記処理液供給部１０の流出口部に連結された配管３５と、上記処理液の供給方向において上記第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２が配置された上記配管の合流点３４（第１分岐配管３１と第２分岐配管とが合流した地点）の下流に連結され、上記処理液供給部１０の流出口部に連結された配管３５と上記第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２が配置された上記配管の合流点３４の下流を通過する処理液の電圧差を測定することができる。この場合、制御部８０は、上記電圧差測定部の測定結果を考慮して調節弁６０を制御するように構成されてもよい。

【0065】

以上において、第１実施形態の実施例１、実施例１の変形例１～変形例４による基板処理装置は並列に配置され、事前に正電荷に帯電した第１フィルタ及び第２フィルタ、並びに調節弁を含む帯電量調節部が適用された構成として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な形態で実現することができる。以下では、第２実施形態による基板処理装置について説明する。

【0066】

第２実施形態
実施例２
図９は、本発明の実施例２による電源供給部を含む帯電量調節部が適用された基板処理装置を示す例示図である。

【0067】

本発明の実施例２による基板処理装置については、図９を参照して説明する。帯電量調節部１４０及び検出部１９０を除く構成は、第１実施形態の実施例１の構成と同様に適用することができ、よって、重複を避けるために同一構成に対する説明は省略する。

【0068】

図９を参照すると、本実施例による帯電量調節部１４０は、フィルタ部１５０に電圧を供給する電源供給部１７０を提供し、基板Ｗの帯電状態に対応する電圧を印加して正電荷又は負電荷に帯電するように実現することができる。

【0069】

フィルタ部１５０は少なくとも１つのフィルタを含むことができ、電源供給部１７０は必要に応じて１つ又はフィルタの数に対応して提供することができる。

【0070】

実施例２では、図９を参照して並列に配置され、正電荷に帯電する第１フィルタ１５１及び負電荷に帯電する第２フィルタ１５２を含むフィルタ部１５０、第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２を通過する処理液の流量を調節する調節弁６０、並びに第１フィルタ１５１に電圧を印加する第１電源供給部１７１及び第２フィルタ１５２に電圧を印加する第２供給部１７２を含む電源供給部１７０を含む帯電量調節部１４０を一例として説明する。

【0071】

図９を参照すると、基板処理装置の帯電量調節部１４０は制御部１８０に連結され、第１フィルタ１５１に正電荷を印加する第１電源供給部１７１及び制御部１８０に連結され、上記第２フィルタ１５２に負電荷を印加する第２電源供給部１７２をさらに含むことができる。制御部１８０は、基板Ｗの帯電状態に応じて第１電源供給部１７１及び第２電源供給部１７２の動作を制御する。第１電源供給部１７１及び第２電源供給部１７２は、フィルタ部１５０に電圧が一定の固定電圧を印加することができる。この場合、第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２は、図８に示すように並列に配置され、調節弁６０を介して正電荷に帯電した第１フィルタ１５１及び負電荷に帯電した第２フィルタ１５２を通過する処理液の流量を、実施例１の調節方式と同様に調節することにより、処理液の帯電量を制御することができる。これに関する具体的な説明は、重複を避けるために省略する。

【0072】

基板処理装置は、さらに、基板Ｗの帯電状態を検出する検出部１９０を含むことができる。制御部１８０は、検出部１９０から基板Ｗの帯電状態に関する検出信号の伝達を受け、上記検出信号に応じて調節弁６０を制御して処理液の帯電量を調節するように構成されることができる。このような検出部１９０は様々な形態で実現されてもよく、一例としては、検出部１９０として静電気測定装置を用いることができ、具体的に、基板Ｗに接触が発生しない非接触状態で測定可能な電場測定器を用いて基板Ｗの表面によって形成された静電場を検出することができる。検出部１９０によって検出された検出信号は、制御部１８０に伝達され、制御部１８０が調節弁６０を制御して、フィルタ部１５０を通過した処理液の帯電量を調節することができる。

【0073】

このような検出部９０は、処理空間内において様々な位置に配置されることができる。図９に示すように、検出部９０は、ノズルチップ２１が連結されたノズルアーム２２に設置され、ノズルアーム２０と一体に移動することができる。

【0074】

一方、本発明の実施例２による基板処理装置は、上記実施例１の変形例３又は実施例１の変形例４と同様の電圧差測定部を含むことができ、これについては、以下で簡単に説明する。

【0075】

第１実施形態の実施例１の変形例３で参考にした図７に示す電圧差測定部の電圧差測定位置と同様に、電圧差測定部は、処理液の供給方向において上記第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２が配置された上記配管３０の分岐点３３（第１分岐配管３１と第２分岐配管３２とが分岐した地点）の上流及び合流点３４（第１分岐配管３１と第２分岐配管３２とが合流した地点）の下流に連結され、上記第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２が配置された上記配管の分岐点３３の上流及び合流点３４の下流を通過する処理液の電圧差を測定することができる。この場合、制御部１８０は、上記電圧差測定部の測定結果を考慮して調節弁６０、第１電源供給部１７１及び第２電源供給部１７２を制御するように構成されてもよい。したがって、制御部１８０は、基板Ｗの帯電状態に応じてフィルタ部１５０の通過前後における処理液の電圧差のフィードバックを受け、基板Ｗに吐出される処理液の帯電量をより正確に制御することができる。

【0076】

また、第１実施形態の実施例１の変形例４で参考にした図８に示す電圧差測定部の電圧差測定位置と同様に、電圧差測定部は、処理液供給部１０の流出口部に連結された配管３５と、上記処理液の供給方向において上記第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２が配置された上記配管の合流点３４（第１分岐配管３１と第２分岐配管３２とが合流した地点）の下流に連結され、上記処理液供給部１０の流出口部に連結された配管３５と、上記第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２が配置された上記配管の合流点３４の下流を通過する処理液の電圧差を測定することができる。この場合、制御部１８０は、上記電圧差測定部の測定結果を考慮して調節弁６０、第１電源供給部１７１及び第２電源供給部１７２を制御するように構成されてもよい。

【0077】

本発明の実施例２による基板処理装置によると、制御部１５０が検出部９０を介して検出された基板の帯電状態に関する検出信号に応じて、第１電源供給部１７１、第２電源供給部１７２及び調節弁６０を制御することにより、処理液供給部１０から配管を介して並列に連結され、第１電源供給部１７１により正電荷に帯電した第１フィルタ１５１を通過する処理液、及び第２電源供給部１７２により負電荷に帯電した第２フィルタ１５２を通過する処理液の流量を調節することによって、最終的に第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２を通過して合流した処理液の帯電量を能動的に制御し、ノズル部２０を介して基板Ｗに吐出させることにより基板Ｗの帯電状態を効果的に調節することができ、基板Ｗに帯電した静電気を除去して基板Ｗと処理液とが当接する際に発現するＥＳＤ現象等を防止することができる。さらに、基板Ｗのアーキング等の問題による基板の不良の発生を効果的に防止することができる。

【0078】

実施例２において、制御部は、第１電源供給部１７１及び第２電源供給部１７２が第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２に固定電圧を印加する制御方式として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、実施例２の変形例として、必要な場合、制御部８０は基板の帯電状態に応じてリアルタイムで入力電圧を変化させて第１フィルタ及び第２フィルタに印加するように第１電源供給部及び第２電源供給部を制御することもできる。

【0079】

また、実施例２では、並列に配置された第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２を含む場合について説明したが、実施例２の変形例として、第１フィルタ及び第２フィルタは直列に連結されてもよく、この場合、バイパス管などを配置して処理液が第１フィルタ及び第２フィルタを選択的に通過できるように実現されてもよい。

【0080】

実施例３
図１０は、本発明の実施例３による１つの第３フィルタを含むフィルタ部、及び１つの電源供給部を含む帯電量調節部が適用された基板処理装置を示す例示図である。

【0081】

本発明の実施例３による基板処理装置については、図１０を参照して説明する。帯電量調節部２４０を除く構成は、実施例２の構成と同様に適用することができ、よって、重複を避けるために同一構成に対する説明は省略する。

【0082】

図１０を参照すると、本実施例による帯電量調節部２４０は、１つの第３フィルタ２５１を含むフィルタ部２５０及び第３フィルタ２５１に電圧を供給する電源供給部２７０を提供して、基板Ｗの帯電状態に対応する電圧を印加することで、正電荷又は負電荷に帯電するように実現することができる。

【0083】

本実施例３において、制御部８０は、基板Ｗの帯電状態に応じてフィルタ部２５０の帯電状態を制御するように構成されることができる。具体的に、制御部２８０は、基板Ｗの帯電状態に応じて第３フィルタ２５１が正電荷及び負電荷のうち選択的に帯電するように第３フィルタ２５１に印加する電圧を制御する方式で実現することができる。具体的に、制御部２８０は、基板Ｗの帯電状態に応じてリアルタイムで入力電圧を変化させて第３フィルタ２５１に印加するように電源供給部２７０を制御することができる。

【0084】

本発明の実施例３による基板処理装置によると、制御部２５０が検出部９０を介して検出された基板の帯電状態に関する検出信号に応じて電源供給部２７０を制御することで、正電荷及び負電荷のうち基板の帯電状態（一例として、正電荷に帯電した状態の場合）に対応する電荷（一例として、負電荷）に帯電した第３フィルタ２５１を通過する処理液の帯電量を能動的に制御し、ノズル部２０を介して基板Ｗに吐出させることにより、基板Ｗの帯電状態を効果的に調節することができ、基板Ｗに帯電した静電気を除去して基板Ｗと処理液とが当接する際に発現するＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ ｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）現象などを防止することができる。さらに、基板Ｗのアーキングなどの問題による基板の不良の発生を効果的に防止することができる。

【0085】

ここで、説明すべきことは、第２実施例において、電源供給部１７０、２７０、第１電源供給部１７１、第２電源供給部１７２が提供される実施例２及び３の場合、フィルタ部１５０、２５０は、電源供給部１７０、２７０、第１電源供給部１７１、第２電源供給部１７２に電気的に連結される導電層が形成された構造を用いて正電荷又は負電荷に帯電可能にすることができるという点である。この場合、フィルタ部１５０、２５０の形態や構造については特に限定されず、フィルタ部１５０、２５０が導電層を備えて電源供給部によって正電荷又は負電荷に帯電する構造であれば、様々な形態で実現されてもよいことは言うまでもない。

【0086】

なお、図１～図１０を参照した上記第１実施形態及び第２実施形態では、帯電量調節部４０、１４０、２４０がノズルアームの内部の配管に配置される形態で図示及び説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、帯電量調節部４０のフィルタ部５０は、ノズルアーム２０の外部に配置される配管に配置されてもよい。

【0087】

また、本発明は基板処理方法をさらに提供する。

【0088】

図１１は、本発明の一実施例による基板処理方法のフローチャートである。図１１を参照すると、本発明の一実施例による基板処理方法は、検出段階Ｓ１、制御段階Ｓ２、及び吐出段階Ｓ３を含む。具体的に、検出段階Ｓ１では、基板の帯電状態を検出し、制御段階Ｓ２では、検出された基板の帯電状態に応じて正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を通過した処理液の帯電量を制御し、吐出段階では、上記帯電量が制御された処理液を基板に吐出する。

【0089】

さらに、本発明の一実施例による基板処理方法は、上記制御段階Ｓ２において、上記基板の帯電極性とは反対の帯電極性を有する処理液を上記基板に供給することができる。

【0090】

以下では、図面を参照して、本発明の実施形態による基板処理装置及び基板処理方法を用いて基板を処理する過程について説明する。

【0091】

基板処理装置は、検出段階Ｓ１で、検出部９０により基板Ｗの帯電状態を検出し、制御段階Ｓ２で、検出された基板Ｗの帯電状態に関する検出信号を制御部８０、１８０、２８０に伝送し、制御部８０、１８０、２８０は、検出信号に応じてフィルタ部５０、１５０、２５０を通過した処理液の帯電量を制御し、吐出段階Ｓ３で、帯電量が調節された処理液を基板Ｗに吐出させる。

【0092】

ここで、図１を参照した実施例１による、並列に配置され、正電荷に帯電する第１フィルタ５１及び負電荷に帯電する第２フィルタ５２を含むフィルタ部５０を含む帯電量調節部４０を適用した基板処理装置の場合、制御部８０は、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を通過する処理液の流量を調節する制御信号を調節弁６０に伝達し、第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を通過して合流した処理液の帯電量を最終的に調節した後、ノズル部２０を介して基板Ｗに吐出させることにより、基板Ｗの帯電状態を調節することができる。具体的な一例として、基板Ｗが正電荷に帯電する帯電状態である場合、制御部８０による調節弁６０の調節によって第１フィルタ５１及び第２フィルタ５２を通過して合流した処理液が負電荷に帯電した帯電状態となり、ノズル部２０を介して基板Ｗに吐出させることにより、基板Ｗの正電荷と中和され、基板Ｗが中性を示すようにすることで、基板Ｗに帯電した静電気を除去して基板Ｗと処理液とが当接する際に発現するＥＳＤ現象を防止することができる。

【0093】

また、図９を参照した実施例２による、並列に配置され、第１電源供給部１７１及び第２電源供給部１７２、並びにこれらによってそれぞれ正電荷が印加される第１フィルタ１５１及び負電荷が印加される第２フィルタ１５２を含むフィルタ部１５０を含む帯電量調節部１４０を適用した基板処理装置の場合、制御部１８０は、基板Ｗの帯電状態に関する検出信号に応じて第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２を通過した処理液の帯電量を制御する制御信号を第１電源供給部１７１、第２電源供給部１７２及び調節弁６０に伝達し、第１電源供給部１７１及び第２電源供給部１７２を動作させて第１フィルタ１５１に正電荷が印加され、第２フィルタ１５２に負電荷が印加された状態で、第１フィルタ１５１及び第２フィルタ１５２を通過して合流した処理液の帯電量を調節弁６０によって最終的に調節した後、ノズル部２０を介して基板Ｗに吐出させることにより、基板Ｗの帯電状態を調節することができる。

【0094】

また、図１０を参照した実施例３による、電源供給部２７０、及び電源供給部２７０により正電荷及び負電荷のうち選択的に電荷が印加される第３フィルタ２５１を含むフィルタ部２５０を含む帯電量調節部２４０を適用した基板処理装置の場合、制御部２８０は、基板Ｗの帯電状態に関する検出信号に応じて第３フィルタ２５１を制御する制御信号を電源供給部２７０に伝達し、電源供給部２７０を動作させて第３フィルタ２５１に正電荷又は負電荷を印加し、第３フィルタ２５１を通過した処理液の帯電量を調節した後、ノズル部２０を介して基板Ｗに吐出させることにより、基板Ｗの帯電状態を調節することができる。

【0095】

結果として、本発明の基板処理装置及び基板処理方法によると、制御部が基板Ｗの帯電状態に応じて処理液供給部から配管を介して正電荷又は負電荷に帯電するフィルタ部を通過した処理液の帯電量を能動的に制御し、帯電量が制御された処理液をノズル部を介して基板に吐出させることにより、基板の帯電状態を効果的に調節することができ、基板に帯電した静電気を除去して基板と処理液とが当接する際に発現するＥＳＤ現象を防止することができる。さらに、基板の不良の発生を効果的に防止することができる。

【0096】

以上のように、本発明は、限定された実施例と図面によって説明されたが、本発明はこれによって限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって本発明の技術思想及び以下に記載される特許請求の範囲の均等範囲内で様々な修正及び変形が可能であることは勿論である。

【符号の説明】

【0097】

１：処理容器
２：基板支持部材
３：スピンチャック
４：駆動部
５：昇降部材
６：処理液回収ライン
１０：処理液供給部
２０：ノズル部
２１：ノズルチップ
２２：ノズルアーム
２３：ノズルアーム支持部材
３０：配管
３１：第１分岐配管
３２：第２分岐配管
４０、１４０、２４０：帯電量調節部
５０、１５０、２５０、３５０、４５０：フィルタ部
５０ａ、４５０ａ：本体
５０ｂ、４５０ｂ：貫通孔
５１、１５１、３５１：第１フィルタ
５２、１５２、３５２：第２フィルタ
６０：調節弁
１７０、２７０：電源供給部
１７１：第１電源供給部
１７２：第２電源供給部
８０、１８０、２８０：制御部
９０：検出部
９１：検出部支持アーム
２５１：第３フィルタ
３５０ａ：フィルタハウジング
３５０ｂ：多孔性膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】