特許 7557763 発光装置およびプロジェクター

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-19

(45)【発行日】2024-09-30

(54)【発明の名称】発光装置およびプロジェクター

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/20 20060101AFI20240920BHJP

   H01S 5/18 20210101ALI20240920BHJP

   G03B 21/14 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01S5/20

H01S5/18

G03B21/14 A

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2020129992

(22)【出願日】2020-07-31

(65)【公開番号】P2022026489

(43)【公開日】2022-02-10

【審査請求日】2023-07-24

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】502350504

【氏名又は名称】学校法人上智学院

(74)【代理人】

【識別番号】100090387

【弁理士】

【氏名又は名称】布施 行夫

(74)【代理人】

【識別番号】100090398

【弁理士】

【氏名又は名称】大渕 美千栄

(74)【代理人】

【識別番号】100148323

【弁理士】

【氏名又は名称】川▲崎▼ 通

(74)【代理人】

【識別番号】100168860

【弁理士】

【氏名又は名称】松本 充史

(72)【発明者】

【氏名】中川 洋平

(72)【発明者】

【氏名】石沢 峻介

(72)【発明者】

【氏名】岸野 克巳

【審査官】村井 友和

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０５７６４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０１７６６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０２４９７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１３３５１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０５４１２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０８３２３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０２９５２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－００９００２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ５／００－ ５／５０

Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／６４

Ｇ０３Ｂ ２１／１４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基体と、
前記基体に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、
を有し、
前記柱状部は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層と導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記第１半導体層は、前記基体と前記発光層との間に設けられ、
前記第１半導体層と前記発光層との積層方向における前記発光層の前記基体側の端と、前記積層方向における前記発光層の前記基体と反対側の端と、の間の、前記柱状部の最大径を第１径として、
前記積層方向における前記発光層の前記基体側の端と、前記第１半導体層の前記基体側の端と、の間の全てにおいて、前記柱状部は、前記第１径以下の径を有し、
前記積層方向における前記発光層の前記基体側の端と、前記第１半導体層の前記基体側の端と、の間の少なくとも一部において、前記柱状部は、前記第１径より小さい径を有し、
前記積層方向における前記発光層の前記基体と反対側の端と、前記第２半導体層の前記基体と反対側の端と、の間の全てにおいて、前記柱状部は、前記第１径以下の径を有し、
前記積層方向における前記発光層の前記基体と反対側の端と、前記第２半導体層の前記基体と反対側の端と、の間の少なくとも一部において、前記柱状部は、前記第１径よりも小さい径を有する、発光装置。

【請求項2】

請求項１において、
前記積層方向における前記発光層の前記基体側の端と、前記第１半導体層の前記基体側の端と、の間の全てにおいて、前記柱状部は、前記第１径よりも小さい径を有し、
前記積層方向における前記発光層の前記基体とは反対側の端と、前記第２半導体層の前記基体と反対側の端と、の間の全てにおいて、前記柱状部は、前記第１径よりも小さい径を有する、発光装置。

【請求項3】

請求項１または２において、
前記第１半導体層は、前記積層方向において、第１中心を有し、
前記第２半導体層は、前記積層方向において、第２中心を有し、
前記発光層は、前記積層方向において、第３中心を有し、
前記第３中心における前記柱状部の径は、前記第１中心における前記柱状部の径、および前記第２中心における前記柱状部の径よりも大きい、発光装置。

【請求項4】

請求項３において、
隣り合う前記柱状部のうち、一方の前記柱状部と他方の前記柱状部とは、前記積層方向における前記第３中心の位置で、互いに接している、発光装置。

【請求項5】

請求項４において、
前記積層方向における前記第３中心の位置において、一方の前記柱状部と他方の前記柱状部との界面には、結晶欠陥がある、発光装置。

【請求項6】

請求項４または５において、
前記発光層は、
ウェル層と、
前記ウェル層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するバリア層と、
を有し、
前記積層方向における前記第３中心の位置において、一方の前記柱状部の前記バリア層と、他方の前記柱状部の前記バリア層とは、接している、発光装置。

【請求項7】

請求項４または５において、
前記積層方向からの平面視において、前記第２半導体層は、前記発光層の周囲に設けられ、
前記積層方向における前記第３中心の位置において、一方の前記柱状部の前記第２半導体層と、他方の前記柱状部の前記第２半導体層とは、互いに接している、発光装置。

【請求項8】

請求項１ないし３のいずれか１項において、
隣り合う前記柱状部のうち、一方の前記柱状部と他方の前記柱状部とは、互いに離間している、発光装置。

【請求項9】

請求項３ないし７のいずれか１項において、
前記柱状部の前記第２中心の径は、前記柱状部の前記第１中心の径よりも小さい、発光装置。

【請求項10】

請求項１ないし９のいずれか１項において、
前記積層方向からの平面視において、前記第２半導体層は、前記発光層の周囲に設けられている、発光装置。

【請求項11】

請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。

【背景技術】

【0002】

柱状結晶を用いたフォトニック結晶によるレーザーでは、柱状部とその間の屈折率差を利用してフォトニック結晶効果を発現させる。柱状部は、例えば、ｎ型の第１半導体層と、ｐ型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた活性層と、で構成される。このような柱状部では、活性層における平均屈折率を高めて、積層方向における光閉じ込め係数を向上させることが望まれている。

【0003】

例えば特許文献１には、光閉じ込め係数を向上させるために、隣り合う柱状部において、活性層の間に光伝搬層を設け、第１半導体層の間に第１低屈折率部を設け、第２半導体層の間に第２低屈折率部を設けた発光装置が記載されている。特許文献１では、柱状部を形成した後に、隣り合う柱状部の活性層の間に光伝搬層を埋め込んで、光伝搬層と基体との間に第１低屈折率部となる空隙を形成している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１９－５４１２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、隣り合う柱状部の間隔が大きいと、隣り合う柱状部の間が光伝搬層で充填されてしまい、空隙が形成されない場合がある。また、隣り合う柱状部の間隔が小さいと、隣り合う柱状部の活性層の間が光伝搬層で埋まらない場合がある。このように、特許文献１では、光伝搬層の積層方向の位置を制御することが難しく、光閉じ込め係数を向上できない場合がある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る発光装置の一態様は、
基体と、
前記基体に設けられ、複数の柱状部を有する積層体と、
を有し、
前記柱状部は、
第１半導体層と、
前記第１半導体層と導電型の異なる第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記第１半導体層は、前記基体と前記発光層との間に設けられ、
前記第１半導体層と前記発光層との積層方向における前記発光層の前記基体側の端と、前記積層方向における前記発光層の前記基体と反対側の端と、の間の、前記柱状部の最大径を第１径として、
前記積層方向における前記発光層の前記基体側の端と、前記第１半導体層の前記基体側の端と、の間の全てにおいて、前記柱状部は、前記第１径以下の径を有し、
前記積層方向における前記発光層の前記基体側の端と、前記第１半導体層の前記基体側の端と、の間の少なくとも一部において、前記柱状部は、前記第１径より小さい径を有し、
前記積層方向における前記発光層の前記基体と反対側の端と、前記第２半導体層の前記基体と反対側の端と、の間の全てにおいて、前記柱状部は、前記第１径以下の径を有し、
前記積層方向における前記発光層の前記基体と反対側の端と、前記第２半導体層の前記基体と反対側の端と、の間の少なくとも一部において、前記柱状部は、前記第１径よりも小さい径を有する。

【0007】

前記発光装置の一態様において、
前記積層方向における前記発光層の前記基体側の端と、前記第１半導体層の前記基体側の端と、の間の全てにおいて、前記柱状部は、前記第１径よりも小さい径を有し、
前記積層方向における前記発光層の前記基体とは反対側の端と、前記第２半導体層の前記基体と反対側の端と、の間の全てにおいて、前記柱状部は、前記第１径よりも小さい径を有してもよい。

【0008】

前記発光装置の一態様において、
前記第１半導体層は、前記積層方向において、第１中心を有し、
前記第２半導体層は、前記積層方向において、第２中心を有し、
前記発光層は、前記積層方向において、第３中心を有し、
前記第３中心における前記柱状部の径は、前記第１中心における前記柱状部の径、および前記第２中心における前記柱状部の径よりも大きくてもよい。

【0009】

前記発光装置の一態様において、
隣り合う前記柱状部のうち、一方の前記柱状部と他方の前記柱状部とは、前記積層方向における前記第３中心の位置で、互いに接していてもよい。

【0010】

前記発光装置の一態様において、
前記積層方向における前記第３中心の位置において、一方の前記柱状部と他方の前記柱状部との界面には、結晶欠陥があってもよい。

【0011】

前記発光装置の一態様において、
前記発光層は、
ウェル層と、
前記ウェル層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するバリア層と、
を有し、
前記積層方向における前記第３中心の位置において、一方の前記柱状部の前記バリア層と、他方の前記柱状部の前記バリア層とは、接していてもよい。

【0012】

前記発光装置の一態様において、
前記積層方向からの平面視において、前記第２半導体層は、前記発光層の周囲に設けられ、
前記積層方向における前記第３中心の位置において、一方の前記柱状部の前記第２半導体層と、他方の前記柱状部の前記第２半導体層とは、互いに接していてもよい。

【0013】

前記発光装置の一態様において、
隣り合う前記柱状部のうち、一方の前記柱状部と他方の前記柱状部とは、互いに離間していてもよい。

【0014】

前記発光装置の一態様において、
前記柱状部の前記第２中心の径は、前記柱状部の前記第１中心の径よりも小さくてもよい。

【0015】

前記発光装置の一態様において、
前記積層方向からの平面視において、前記第２半導体層は、前記発光層の周囲に設けられていてもよい。

【0016】

本発明に係るプロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。

【図2】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。

【図3】第１実施形態に係る発光装置の柱状部を模式的に示す断面図。

【図4】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。

【図5】第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。

【図6】第１実施形態の変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。

【図7】参考例に係る発光装置を模式的に示す断面図。

【図8】柱状部のＳＥＭ像。

【図9】第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。

【図10】第２実施形態に係る発光装置の柱状部を模式的に示す断面図。

【図11】第２実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。

【図12】第２実施形態の変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。

【図13】第３実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

【0019】

１． 第１実施形態
１．１． 発光装置
まず、第１実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す断面図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図２では、柱状部３０の第２半導体層３６のみを図示している。また、図１は、図２のＩ－Ｉ線断面図である。

【0020】

発光装置１００は、図１に示すように、基体１０と、積層体２０と、第１電極５０と、第２電極５２と、を有している。

【0021】

基体１０は、例えば、板状の形状を有している。基体１０は、例えば、Ｓｉ基板、ＧａＮ基板、サファイア基板などである。

【0022】

積層体２０は、基体１０に設けられている。積層体２０は、バッファー層２２と、複数の柱状部３０と、を有している。

【0023】

バッファー層２２は、基体１０上に設けられている。バッファー層２２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。バッファー層２２上には、柱状部３０を形成するためのマスク層６０が設けられている。マスク層６０は、例えば、酸化シリコン層、チタン層、酸化チタン層、酸化アルミニウム層などである。

【0024】

本明細書では、積層体２０の積層方向（以下、単に「積層方向」ともいう）において、発光層３４を基準とした場合、発光層３４から第２電極５２に向かう方向を「上」とし、発光層３４から基体１０に向かう方向を「下」として説明する。また、「積層体の積層方向」とは、第１半導体層３２と発光層３４との積層方向をいう。また、積層方向と直交する方向を「面内方向」ともいう。

【0025】

柱状部３０は、バッファー層２２上に設けられている。柱状部３０は、バッファー層２２から上方に突出した柱状の形状を有している。柱状部３０は、例えば、ナノコラム、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーとも呼ばれる。柱状部３０の平面形状は、例えば、多角形、円などである。図２に示す例では、柱状部３０の第２半導体層３６の平面形状は、六角形である。

【0026】

柱状部３０は、複数設けられている。複数の柱状部３０は、積層方向からの平面視において（以下、単に「平面視において」ともいう）、所定の方向に所定のピッチで配列されている。複数の柱状部３０は、三角格子状に配置されている。複数の柱状部３０の最短のピッチは、例えば、２５０ｎｍ程度である。なお、複数の柱状部３０の配置は、特に限定されず、正方格子状に配置されていてもよい。複数の柱状部３０は、フォトニック結晶の効果を発現することができる。

【0027】

なお、「柱状部のピッチ」とは、所定の方向に沿って隣り合う柱状部３０の中心間の距離である。「柱状部の中心」とは、柱状部３０の平面形状が円の場合は、該円の中心であり、柱状部３０の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の中心である。例えば、柱状部３０の中心は、柱状部３０の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の中心であり、柱状部３０の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の中心である。

【0028】

柱状部３０は、図１に示すように、第１半導体層３２と、発光層３４と、第２半導体層３６と、を有している。

【0029】

第１半導体層３２は、バッファー層２２上に設けられている。第１半導体層３２は、基体１０と発光層３４との間に設けられている。第１半導体層３２は、ｎ型の半導体層である。第１半導体層３２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。

【0030】

発光層３４は、第１半導体層３２上に設けられている。発光層３４は、第１半導体層３２と第２半導体層３６との間に設けられている。発光層３４は、電流が注入されることで光を発生させる。

【0031】

発光層３４は、例えば、ウェル層３４ａとバリア層３４ｂとからなる量子井戸構造を重ねた多重量子井戸構造を有している。ウェル層３４ａは、例えば、不純物がドープされていないｉ型のＩｎＧａＮ層である。バリア層３４ｂは、例えば、不純物がドープされていないｉ型のＧａＮ層である。バリア層３４ｂは、ウェル層３４ａのバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する。なお、便宜上、図１では、複数のバリア層３４ｂを１つの共通の層として図示している。平面視において、バリア層３４ｂは、ウェル層３４ａの周囲に設けられている。図示の例では、発光層３４は、バリア層３４ｂがウェル層３４ａを覆うコアシェル型の発光層である。

【0032】

第２半導体層３６は、発光層３４上に設けられている。第２半導体層３６は、第１半導体層３２と導電型の異なる層である。第２半導体層３６は、ｐ型の半導体層である。第２半導体層３６は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層などである。第１半導体層３２および第２半導体層３６は、発光層３４に光を閉じ込
める機能を有するクラッド層である。図示の例では、第１半導体層３２の上面、発光層３４の上面、および第２半導体層３６の上面は、ファセット面である。

【0033】

ここで、図３は、柱状部３０を模式的に示す図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図である。

【0034】

第１半導体層３２は、図３に示すように、積層方向において、第１中心Ｃ１を有している。第１中心Ｃ１は、第１半導体層３２の最も基体１０側の位置Ｂ１と、第１半導体層３２の最も第２電極５２側の位置Ｔ１と、の積層方向における中点に位置する。位置Ｂ１は、第１半導体層３２の基体１０側の端である。位置Ｔ１は、第１半導体層３２の基体１０とは反対側の端である。

【0035】

第２半導体層３６は、積層方向において、第２中心Ｃ２を有している。第２中心Ｃ２は、第２半導体層３６の最も基体１０側の位置Ｂ２と、第２半導体層３６の最も第２電極５２側の位置Ｔ２と、の積層方向における中点に位置する。位置Ｂ２は、第２半導体層３６の基体１０側の端である。位置Ｔ２は、第２半導体層３６の基体１０とは反対側の端である。

【0036】

発光層３４は、積層方向において、第３中心Ｃ３を有している。第３中心Ｃ３は、発光層３４の最も基体１０側の位置Ｂ３と、発光層３４の最も第２電極５２側の位置Ｔ３と、の積層方向における中点に位置する。中心Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、平面視において、柱状部３０の中心に位置している。第１半導体層３２と発光層３４との積層方向は、中心Ｃ１と中心Ｃ３を通る図示しない仮想直線の方向である。位置Ｂ３は、発光層３４の基体１０側の端である。位置Ｔ３は、発光層３４の基体１０とは反対側の端である。

【0037】

柱状部３０の第３中心Ｃ３の径Ｄ３は、柱状部３０の第１中心Ｃ１の径Ｄ１、および柱状部３０の第２中心Ｃ２の径Ｄ２よりも大きい。図示の例では、柱状部３０の第１中心Ｃ１の径Ｄ１と、柱状部３０の第２中心Ｃ２の径Ｄ２とは、同じである。

【0038】

柱状部３０の第１中心Ｃ１の径Ｄ１は、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。径Ｄ１を５００ｎｍ以下とすることによって、高品質な結晶の発光層３４を得ることができ、かつ、発光層３４に内在する歪みを低減することができる。これにより、発光層３４で発生する光を高い効率で増幅できる。複数の柱状部３０の第１半導体層３２の径Ｄ１は、例えば、互いに等しい。隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０の第１半導体層３２と、他方の柱状部３０の第１半導体層３２と、の間の距離は、例えば、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。

【0039】

なお、「柱状部の第１半導体層の径」とは、柱状部３０の第１半導体層３２平面形状が円の場合は、直径であり、柱状部３０の第１半導体層３２平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の直径である。例えば、柱状部３０の第１半導体層３２の径は、柱状部３０の第１半導体層３２の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の直径であり、柱状部３０の第１半導体層３２の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の直径である。このことは、「柱状部の第２半導体層の径」および「柱状部の発光層の径」について、同様である。

【0040】

図示の例では、柱状部３０の発光層３４のみによって構成される部分の最大径は、柱状部３０の第１半導体層３２のみによって構成される部分の最大径、および柱状部３０の第２半導体層３６のみによって構成される部分の最大径よりも大きい。

【0041】

ここで、積層方向における位置Ｂ３と位置Ｔ３との間の柱状部３０の最大径を第１径とする。図示の例では、第１径は、径Ｄ３と等しい。積層方向における位置Ｂ３と位置Ｂ１
との間の全てにおいて、柱状部３０は、第１径以下の径を有している。積層方向における位置Ｂ３と位置Ｂ１との間の少なくとも一部において、柱状部３０は、第１径より小さい径を有している。図示の例では、積層方向における位置Ｂ３と位置Ｂ１との間の全てにおいて、柱状部３０は、第１径よりも小さい径を有している。

【0042】

積層方向における位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の全てにおいて、柱状部３０は、第１径以下の径を有している。積層方向における位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の少なくとも一部において、柱状部３０は、第１径よりも小さい径を有している。図示の例では、積層方向における位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の全てにおいて、柱状部３０は、第１径よりも小さい径を有している。

【0043】

柱状部３０は、図３に示すように、例えば、第１部分４０と、第２部分４２と、第３部分４４と、を有している。第１部分４０は、柱状部３０の第１半導体層３２のみで構成されている部分であって、径がＤ１となる部分である。第１中心Ｃ１は、例えば、第１部分４０に位置している。第２部分４２は、柱状部３０の第２半導体層３６のみで構成されている部分であって、径がＤ２となる部分である。第２中心Ｃ２は、例えば、第２部分４２に位置している。第３部分４４は、柱状部３０の発光層３４のみで構成されている部分であって、径がＤ３となる部分である。第３中心Ｃ３は、例えば、第３部分４４に位置している。

【0044】

図１に示すように、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０と他方の柱状部３０とは、積層方向における第３中心Ｃ３の位置Ｐで、互いに接している。図示の例では、位置Ｐにおいて、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０の発光層３４のバリア層３４ｂと、他方の柱状部３０の発光層３４のバリア層３４ｂとは、互いに接している。隣り合う柱状部３０は、発光層３４によって架橋構造を有している。隣り合う柱状部３０の第１半導体層３２の間は、例えば、空隙である。隣り合う柱状部３０の第２半導体層３６の間は、例えば、空隙である。

【0045】

積層方向における第３中心Ｃ３の位置Ｐにおいて、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０と他方の柱状部３０との界面２には、結晶欠陥がある。一方の柱状部３０の発光層３４と、他方の柱状部３０の発光層３４とは、それぞれエピタキシャル成長によって成膜されるため、一方の柱状部３０の発光層３４と、他方の柱状部３０の発光層３４は、連続的に成膜されない。そのため、一方の柱状部３０の発光層３４と、他方の柱状部３０の発光層３４と、の間の界面２には、格子欠陥である結晶欠陥が存在する。結晶欠陥は、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope ：ＴＥＭ）によって観察することができる。また、一方の柱状部３０の発光層３４および他方の柱状部３０の発光層３４において、結晶が連続している部分が存在してもよい。

【0046】

第１電極５０は、バッファー層２２上に設けられている。バッファー層２２は、第１電極５０とオーミックコンタクトしていてもよい。第１電極５０は、第１半導体層３２と電気的に接続されている。図示の例では、第１電極５０は、バッファー層２２を介して、第１半導体層３２と電気的に接続されている。第１電極５０は、発光層３４に電流を注入するための一方の電極である。第１電極５０としては、例えば、バッファー層２２側から、Ｃｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いる。

【0047】

第２電極５２は、第２半導体層３６上に設けられている。第２電極５２は、第２半導体層３６と電気的に接続されている。第２電極５２は、発光層３４に電流を注入するための他方の電極である。第２電極５２としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などを用いる。

【0048】

なお、図示はしないが、第２半導体層３６と第２電極５２との間にコンタクト層が設けられていてもよい。コンタクト層は、例えば、ｐ型のＧａＮ層である。コンタクト層は、柱状部３０ごとに設けられて柱状部３０を構成していてもよいし、複数の柱状部３０に跨がって設けられた１つの層であってもよい。

【0049】

発光装置１００では、ｐ型の第２半導体層３６、ｉ型の発光層３４、およびｎ型の第１半導体層３２により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、第１電極５０と第２電極５２との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層３４に電流が注入されて発光層３４で電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。発光層３４で発生した光は、第１半導体層３２および第２半導体層３６により面内方向に伝搬し、複数の柱状部３０によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成し、発光層３４で利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置１００は、＋１次回折光および－１次回折光をレーザー光として、積層方向に射出する。

【0050】

発光装置１００では、フォトニック結晶の効果によって角度分布が非常に狭い面発光装置を実現できる。発光装置１００は、プロジェクター光源や照明用光源として応用される。

【0051】

なお、上記では、ＩｎＧａＮ系の発光層３４について説明したが、発光層３４としては、出射される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、ＡｌＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系などの半導体材料を用いることができる。

【0052】

発光装置１００は、例えば、以下の作用効果を奏することができる。

【0053】

発光装置１００では、積層方向における位置Ｂ３と位置Ｔ３との間の柱状部３０の最大径を第１径として、積層方向における位置Ｂ３と位置Ｂ１との間の全てにおいて、柱状部３０は、第１径以下の径を有し、積層方向における位置Ｂ３と位置Ｂ１との間の少なくとも一部において、柱状部３０は、第１径より小さい径を有している。さらに、積層方向における位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の全てにおいて、柱状部３０は、第１径以下の径を有し、積層方向における位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の少なくとも一部において、柱状部３０は、第１径よりも小さい径を有している。そのため、位置Ｂ３と位置Ｔ３との間の柱状部３０における面内方向の平均屈折率を、位置Ｂ３と位置Ｔ１との間の柱状部３０における面内方向の平均屈折率、および位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の柱状部３０における面内方向の平均屈折率よりも大きくすることができる。これにより、発光装置１００では、例えば積層方向における位置Ｂ１と位置Ｔ２との間の柱状部の径が同じである場合に比べて、光閉じ込め係数を向上させることができる。その結果、発振器しきい値の低減など発光装置の性能を向上させることができる。なお、図１には、発光装置１００において、積層方向の位置に対する光強度を示すグラフを図示している。

【0054】

さらに、発光装置１００では、隣り合う柱状部３０の間に材料を埋め込むことによって柱状部３０における面内方向の平均屈折率を制御していないので、例えば、平均屈折率を容易かつ確実に調整することができる。

【0055】

発光装置１００では、積層方向における位置Ｂ３と位置Ｂ１との間の全てにおいて、柱状部３０は、第１径よりも小さい径を有し、積層方向における位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の全てにおいて、柱状部３０は、第１径よりも小さい径を有している。そのため、発光装置１００では、より確実に、光閉じ込め係数を向上させることができる。

【0056】

発光装置１００では、柱状部３０の第３中心Ｃ３の径Ｄ３は、柱状部３０の第１中心Ｃ
１の径Ｄ１、および柱状部３０の第２中心Ｃ２の径Ｄ２よりも大きい。そのため、第３中心Ｃ３における面内方向の平均屈折率を、第１中心Ｃ１における面内方向の平均屈折率、および第２中心Ｃ２における面内方向の平均屈折率よりも大きくすることができる。これにより、発光装置１００では、例えば径Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３が互いに等しい場合に比べて、光閉じ込め係数を向上させることができる。

【0057】

発光装置１００では、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０と他方の柱状部３０とは、積層方向における第３中心Ｃ３の位置Ｐで、互いに接している。そのため、発光装置１００では、一方の柱状部３０と他方の柱状部３０とが互いに離間している場合に比べて、第３中心Ｃ３における面内方向の平均屈折率を大きくすることができる。

【0058】

発光装置１００では、積層方向における第３中心Ｃ３の位置Ｐにおいて、隣り合う前記柱状部３０のうち、一方の柱状部３０のバリア層３４ｂと、他方の柱状部３０のバリア層３４ｂとは、接している。そのため、発光装置１００は、ウェル層３４ａを、界面２において生じる結晶欠陥から離間させることができる。これにより、結晶欠陥を介して非発光再結合となる電流を低減することができる。

【0059】

１．２． 発光装置の製造方法
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４および図５は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。

【0060】

図４に示すように、基体１０上に、バッファー層２２をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。

【0061】

次に、バッファー層２２上にマスク層６０を形成する。マスク層６０は、例えば、スパッタ法、ＥＢ（Electron Beam）蒸着法等でバッファー層２２上に成膜された膜に、周期的に開口部を形成することによって形成できる。開口部の形成は、例えば、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングによるパターニングや、ＥＢリソグラフィーおよびドライエッチングによるパターニングによって行われる。

【0062】

次に、マスク層６０をマスクとして、バッファー層２２上に、第１半導体層３２をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。

【0063】

図５に示すように、第１半導体層３２上に、発光層３４をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。例えば、ＩｎＧａＮ層であるウェル層３４ａと、ＧａＮ層であるバリア層３４ｂと、を有する発光層３４を形成する場合、成長温度やＩｎとＧａＮとの比を調整することによって、Ｉｎを発光層３４の中心近傍に集めることができる。これにより、平面視においてＧａＮ層に囲まれたＩｎＧａＮ層を形成することができる。

【0064】

発光層３４は、横方向（面内方向）の成長を促進する成長条件で成長させ、隣り合う柱状部３０の発光層３４を接触させる。例えば、成長温度や、発光層３４のＩＩＩ族の原子とＶ族の原子と比を調整することによって、横方向の成長を促進させることができる。ＭＯＣＶＤ法で成長させる場合は、パルス供給において発光層３４のＩＩＩ族の原子とＶ族の原子と比を調整してもよい。

【0065】

図１に示すように、発光層３４上に、第２半導体層３６をエピタキシャル成長させる。
エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。

【0066】

以上の工程により、柱状部３０を形成することができる。

【0067】

次に、柱状部３０上に第２電極５２を形成する。次に、バッファー層２２上に第１電極５０を形成する。第１電極５０および第２電極５２は、例えば、真空蒸着法によって形成される。なお、第１電極５０と第２電極５２との形成順序は、特に限定されない。

【0068】

以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。

【0069】

１．３． 発光装置の変形例
次に、第１実施形態の変形例に係る発光装置ついて、図面を参照しながら説明する。図６は、第１実施形態の変形例に係る発光装置１１０を模式的に示す断面図である。

【0070】

以下、第１実施形態の変形例に係る発光装置１１０において、上述した第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【0071】

上述した発光装置１００では、図１に示すように、隣り合う柱状部３０うち、一方の柱状部３０と他方の柱状部３０とは、積層方向における第３中心Ｃ３の位置Ｐで、互いに接していた。

【0072】

これに対し、発光装置１１０では、図６に示すように、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０と、他方の柱状部３０とは、互いに離間している。隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０の発光層３４と、他方の柱状部３０の発光層３４とは、互いに離間している。一方の柱状部３０の発光層３４と、他方の柱状部３０の発光層３４と、の間の距離は、例えば、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。

【0073】

発光装置１１０の製造方法では、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０の発光層３４と他方の柱状部３０の発光層３４とが互いに接しない程度に、発光層３４を横方向に成長させる。

【0074】

発光装置１１０では、上記のように、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０と、他方の柱状部３０とは、互いに離間している。そのため、隣り合う柱状部３０を絶縁することができる。これにより、複数の柱状部３０に注入される電流量のばらつきを低減することがきる。その理由について、以下に説明する。

【0075】

図６に示すように、例えば、４本の柱状部３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄを形成する際に、製造のばらつきにより、第１半導体層３２ｂが高抵抗で、第１半導体層３２ａ，３２ｃ，３２ｄが低抵抗になったとする。また、柱状部３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄを形成する際に、製造のばらつきにより、第２半導体層３６ａ，３６ｃ，３６ｄが高抵抗で、第２半導体層３６ｂが低抵抗になったとする。

【0076】

この場合、発光装置１１０のように、隣り合う柱状部３０が絶縁されていると、柱状部３０ａの抵抗は、第１半導体層３２ａの抵抗と第２半導体層３６ａの抵抗との合計となる。柱状部３０ｂ，３０ｃ，３０ｄについても同様である。電流は、図６に示す破線の矢印のように、柱状部３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄの各々の、第２半導体層３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄを通って、第１半導体層３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄに流れる。

【0077】

図７に示すように、隣り合う柱状部３０が発光層３４で接していると、電流は、低抵抗な第２半導体層３６ｂを優先的に流れた後、発光層３４を介して、低抵抗な第１半導体層３２ａ，３２ｃ，３２ｄを優先的に流れる。

【0078】

発光装置１１０では、ウェル層３４ａを、柱状部３０の側壁から離間させている。これにより、柱状部３０の側壁付近で非発光再結合となる電流を低減することができる。

【0079】

さらに、発光装置１１０では、隣り合う柱状部３０は、隣り合う柱状部３０間の空隙によって絶縁されているため、柱状部３０に歪が生じ難い。例えば、隣り合う柱状部３０間に絶縁層を設けて隣り合う柱状部３０を絶縁する場合には、柱状部３０の熱膨張と絶縁層の熱膨張の差によって製造時の降温工程で歪が生じ、結晶欠陥を誘発させる可能性がある。

【0080】

上述した発光装置１００および発光装置１１０では、それぞれ図３および図６に示すように、柱状部３０の第１中心Ｃ１の径Ｄ１と、柱状部３０の第２中心Ｃ２の径Ｄ２とは、等しかった。これに限らず、柱状部３０の第２中心Ｃ２の径Ｄ２は、柱状部３０の第１中心Ｃ１の径Ｄ１よりも小さくてもよい。

【0081】

例えば、第１半導体層３２としてＧａＮ層を用い、第２半導体層３６としてＧａＮ層よりも格子定数が大きいＩｎＧａＮ層を用いることによって、結晶が歪みの発生を回避するために自発的に凝集する原料を利用して、径Ｄ２を径Ｄ１より小さくすることができる。

【0082】

図８は、ＭＢＥ法によって作成した柱状部のＳＥＭ像（鳥瞰図）である。図８に示すように、ｐ型のＩｎＧａＮ層の部分（柱状部の上部）は、他の部分に比べて、径が小さくなっていることがわかる。

【0083】

なお、第２半導体層３６をエッチングすることにより、径Ｄ２を径Ｄ１より小さくしてもよい。

【0084】

柱状部３０の第２中心Ｃ２の径Ｄ２は、柱状部３０の第１中心Ｃ１の径Ｄ１よりも小さくてもよい。この場合、第２中心Ｃ２における面内方向の平均屈折率を、第１中心Ｃ１における面内方向の平均屈折率をよりも小さくすることができる。これにより、例えば、発光層３４で発生した光が第２電極５２で吸収されることを抑制することができる。

【0085】

また、隣り合う柱状部３０の間に絶縁層が設けられていてもよい。平面視において、絶縁層は、柱状部３０の周囲に設けられている。発光層３４で発生した光は、絶縁層を通って面内方向に伝搬する。絶縁層は、例えば、酸化シリコン層である。絶縁層は、例えば、ＡＬＤ（Atomic layer deposition）法などによって形成される。

【0086】

２． 第２実施形態
２．１． 発光装置
次に、第２実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図９は、第２実施形態に係る発光装置２００を模式的に示す断面図である。図１０は、第２実施形態に係る発光装置２００の柱状部３０を模式的に示す断面図である。

【0087】

以下、第２実施形態に係る発光装置２００において、上述した第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【0088】

上述した発光装置１００では、図１に示すように、積層方向における第３中心Ｃ３の位
置Ｐにおいて、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０のバリア層３４ｂと、他方の柱状部３０のバリア層３４ｂとは、互いに接していた。

【0089】

これに対し、発光装置２００では、図９に示すように、積層方向における第３中心Ｃ３の位置Ｐにおいて、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０の第２半導体層３６と、他方の柱状部３０の第２半導体層３６とは、互いに接している。位置Ｐにおいて、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０の発光層３４と、他方の柱状部３０の発光層３４とは、互いに離間している。隣り合う柱状部３０は、第２半導体層３６によって架橋構造を有している。界面２は、第２半導体層３６で構成されている。発光装置２００では、発光層３４を、結晶欠陥が生じる界面２から離間させることができる。これにより、結晶欠陥を介して非発光再結合となる電流を低減することができる。

【0090】

発光装置２００では、図９および図１０に示すように、平面視において、第２半導体層３６は、発光層３４の周囲に設けられている。第２半導体層３６は、発光層３４の側面および上面に設けられている。そのため、発光装置２００では、第２半導体層３６が発光層３４の上面にのみ設けられている場合に比べて、第２半導体層３６と発光層３４との接触面積を大きくすることができる。これにより、発光層３４に効率よく電流を注入することができる。その結果、発光層３４における再結合分布の均一性を向上させることができる。また、発光層３４のバリア層３４ｂにおける非発光再結合を抑えることができ、発光効率を向上させることができる。ｐ型の半導体層である第２半導体層３６は、ｎ型の半導体層である第１半導体層３２よりも導電性が低い。そのため、第２半導体層３６と発光層３４との接触面積を大きくすることが特に好ましい。発光層３４の周囲に設けられている第１半導体層３２と第２半導体層３６とは、離間している。位置Ｂ３は、位置Ｂ２よりも基体１０側に位置している。位置Ｂ２は、積層方向において位置Ｔ１と位置Ｂ３との間に位置している。

【0091】

図示の例では、柱状部３０の発光層３４のみによって構成される部分の最大径と、柱状部３０の第１半導体層３２のみによって構成される部分の最大径とは、等しい。積層方向における位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の一部において、柱状部３０は第１径に等しい径を有しているが、積層方向における位置Ｔ３と位置Ｔ２との間の他の一部において、柱状部３０は第１径よりも小さい径を有している。また、位置Ｂ３と位置Ｂ１との間の全てにおいて、柱状部３０は第１径より小さい径を有している。

【0092】

２．２． 発光装置の製造方法
次に、第２実施形態に係る発光装置２００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１１は、第２実施形態に係る発光装置２００の製造工程を模式的に示す断面図である。

【0093】

発光装置２００の製造方法では、図１１に示すように、柱状部３０の発光層３４のみによって構成される部分の最大径と、柱状部３０の第１半導体層３２のみによって構成される部分の最大径とが等しくなるように、発光層３４を成長させる。

【0094】

次に、図９に示すように、発光層３４の側面および上面を覆うように成長する条件でｐ型の半導体層を成長させ、次に、横方向の成長を抑えた状態でｐ型の半導体層を成長させる。これにより、第２半導体層３６を形成することができる。

【0095】

以上のこと以外は、発光装置２００の製造方法は、発光装置１００の製造方法と基本的に同じである。

【0096】

２．３． 発光装置の変形例
次に、第２実施形態の変形例に係る発光装置ついて、図面を参照しながら説明する。図１２は、第２実施形態の変形例に係る発光装置２１０を模式的に示す断面図である。

【0097】

以下、第２実施形態の変形例に係る発光装置２１０において、上述した第２実施形態に係る発光装置２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【0098】

上述した発光装置１００では、図９に示すように、隣り合う柱状部３０うち、一方の柱状部３０と他方の柱状部３０とは、積層方向における第３中心Ｃ３の位置Ｐで、互いに接していた。

【0099】

これに対し、発光装置２１０では、図１２に示すように、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０と、他方の柱状部３０とは、互いに離間している。隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０の第２半導体層３６と、他方の柱状部３０の第２半導体層３６とは、互いに離間している。

【0100】

発光装置２１０の製造方法では、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０の第２半導体層３６と他方の柱状部３０の第２半導体層３６とが互いに接しない程度に、第２半導体層３６を横方向に成長させる。

【0101】

発光装置２１０では、隣り合う柱状部３０のうち、一方の柱状部３０と、他方の柱状部３０とは、互いに離間していため、上述した発光装置１１０と同様に、複数の柱状部３０に注入される電流量のばらつきを低減することがきる。

【0102】

３． 第３実施形態
次に、第３実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図１３は、第３実施形態に係るプロジェクター９００を模式的に示す図である。

【0103】

プロジェクター９００は、例えば、光源として、発光装置１００を有している。

【0104】

プロジェクター９００は、図示しない筐体と、筐体内に備えられている赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ出射する赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、青色光源１００Ｂと、を有している。なお、便宜上、図１３では、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂを簡略化している。

【0105】

プロジェクター９００は、さらに、筐体内に備えられている、第１光学素子９０２Ｒと、第２光学素子９０２Ｇと、第３光学素子９０２Ｂと、第１光変調装置９０４Ｒと、第２光変調装置９０４Ｇと、第３光変調装置９０４Ｂと、投射装置９０８と、を有している。第１光変調装置９０４Ｒ、第２光変調装置９０４Ｇ、および第３光変調装置９０４Ｂは、例えば、透過型の液晶ライトバルブである。投射装置９０８は、例えば、投射レンズである。

【0106】

赤色光源１００Ｒから出射された光は、第１光学素子９０２Ｒに入射する。赤色光源１００Ｒから出射された光は、第１光学素子９０２Ｒによって集光される。なお、第１光学素子９０２Ｒは、集光以外の機能を有していてもよい。後述する第２光学素子９０２Ｇおよび第３光学素子９０２Ｂについても同様である。

【0107】

第１光学素子９０２Ｒによって集光された光は、第１光変調装置９０４Ｒに入射する。第１光変調装置９０４Ｒは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置９０８は、第１光変調装置９０４Ｒによって形成された像を拡大してスクリーン９１０
に投射する。

【0108】

緑色光源１００Ｇから出射された光は、第２光学素子９０２Ｇに入射する。緑色光源１００Ｇから出射された光は、第２光学素子９０２Ｇによって集光される。

【0109】

第２光学素子９０２Ｇによって集光された光は、第２光変調装置９０４Ｇに入射する。第２光変調装置９０４Ｇは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置９０８は、第２光変調装置９０４Ｇによって形成された像を拡大してスクリーン９１０に投射する。

【0110】

青色光源１００Ｂから出射された光は、第３光学素子９０２Ｂに入射する。青色光源１００Ｂから出射された光は、第３光学素子９０２Ｂによって集光される。

【0111】

第３光学素子９０２Ｂによって集光された光は、第３光変調装置９０４Ｂに入射する。第３光変調装置９０４Ｂは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置９０８は、第３光変調装置９０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン９１０に投射する。

【0112】

また、プロジェクター９００は、第１光変調装置９０４Ｒ、第２光変調装置９０４Ｇ、および第３光変調装置９０４Ｂから出射された光を合成して投射装置９０８に導くクロスダイクロイックプリズム９０６を有することができる。

【0113】

第１光変調装置９０４Ｒ、第２光変調装置９０４Ｇ、および第３光変調装置９０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム９０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム９０６は、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射装置９０８によりスクリーン９１０上に投射され、拡大された画像が表示される。

【0114】

なお、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂは、発光装置１００を映像の画素として画像情報に応じて制御することで、第１光変調装置９０４Ｒ、第２光変調装置９０４Ｇ、および第３光変調装置９０４Ｂを用いずに、直接的に映像を形成してもよい。そして、投射装置９０８は、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂによって形成された映像を、拡大してスクリーン９１０に投射してもよい。

【0115】

また、上記の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micro Mirror Device）が挙げられる。また、投射装置の構成は、使
用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。

【0116】

また、光源を、光源からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置の光源装置にも適用することが可能である。

【0117】

上述した実施形態に係る発光装置は、プロジェクター以外にも用いることが可能である。プロジェクター以外の用途には、例えば、屋内外の照明、ディスプレイのバックライト、レーザープリンター、スキャナー、車載用ライト、光を用いるセンシング機器、通信機
器等の光源がある。

【0118】

本発明は、本願に記載の特徴や効果を有する範囲で一部の構成を省略したり、各実施形態や変形例を組み合わせたりしてもよい。

【0119】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成を含む。実質的に同一の構成とは、例えば、機能、方法、および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成である。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

【符号の説明】

【0120】

２…界面、１０…基体、２０…積層体、２２…バッファー層、３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ…柱状部、３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ…第１半導体層、３４…発光層、３４ａ…ウェル層、３４ｂ…バリア層、３６，３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ…第２半導体層、４０…第１部分、４２…第２部分、４４…第３部分、５０…第１電極、５２…第２電極、６０…マスク層、１００…発光装置、１００Ｒ…赤色光源、１００Ｇ…緑色光源、１００Ｂ…青色光源、１１０，２００，２１０…発光装置、９００…プロジェクター、９０２Ｒ…第１光学素子、９０２Ｇ…第２光学素子、９０２Ｂ…第３光学素子、９０４Ｒ…第１光変調装置、９０４Ｇ…第２光変調装置、９０４Ｂ…第３光変調装置、９０６…クロスダイクロイックプリズム、９０８…投射装置、９１０…スクリーン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】