特許 7558035 サーマルプリントヘッド及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-09-19

(45)【発行日】2024-09-30

(54)【発明の名称】サーマルプリントヘッド及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   B41J 2/335 20060101AFI20240920BHJP

【ＦＩ】

B41J2/335 101E

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2020189366

(22)【出願日】2020-11-13

(65)【公開番号】P2022078589

(43)【公開日】2022-05-25

【審査請求日】2023-10-05

(73)【特許権者】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100083806

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 秀和

(74)【代理人】

【識別番号】100133514

【弁理士】

【氏名又は名称】寺山 啓進

(72)【発明者】

【氏名】渡辺 俊夫

【審査官】大関 朋子

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－０１７１５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１７３３３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－３１３４７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１１／００７４９０７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国実用新案第２０６７９６８５２（ＣＮ，Ｕ）

【文献】特開平０６－１３２３３８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ４１Ｊ ２／３３５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に設けられた金を含むパッドと、前記絶縁基板の表面に設けられ、前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に接続され、銀を含む接続部とを含む電極と、
前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に設けられ、前記接続部とは組成が異なり、銀を含む膜と、
を備え、
前記接続部は前記パッドを縁部から挟み込むように被覆し、
前記パッド全体が厚さ方向から見て前記接続部で被覆されている、
サーマルプリントヘッド。

【請求項2】

絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に設けられた金を含むパッドと、前記絶縁基板の表面に設けられ、前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に接続され、銀を含む接続部とを含む電極と、
前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に設けられ、前記接続部とは組成が異なり、銀を含む膜と、
を備え、
前記接続部は前記パッドを縁部から挟み込むように被覆し、
前記パッドの厚さは０．２μｍ以上１．２μｍ以下であり、前記接続部の厚さは０．２μｍ以上１．２μｍ以下であり、前記膜の厚さは２μｍ以上１０μｍ以下である、
サーマルプリントヘッド。

【請求項3】

絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に設けられた金を含むパッドと、前記絶縁基板の表面に設けられ、前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に接続され、銀を含む接続部とを含む電極と、
前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に設けられ、前記接続部とは組成が異なり、銀を含む膜と、
を備え、
前記接続部は前記パッドを縁部から挟み込むように被覆し、
前記電極は、前記絶縁基板の表面に設けられた複数の個別電極と、前記複数の個別電極の各々の間に配置された共通電極とを含み、
前記複数の個別電極の表面と前記共通電極の表面とを跨るように設けられた発熱抵抗体 と、
前記絶縁基板の上に搭載され、前記複数の個別電極と接続された駆動ＩＣと、
をさらに備え、
前記駆動ＩＣは複数のバンプを介して前記電極と接続されており、前記複数のバンプのうちのいずれかのバンプは前記複数の個別電極とそれぞれ接続され、
前記接続部は前記複数のバンプのうち前記複数の個別電極が接続されたバンプとは異なるバンプと接続されている、
サーマルプリントヘッド。

【請求項4】

絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に設けられた金を含むパッドと、前記絶縁基板の表面に設けられ、前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に接続され、銀を含む接続部とを含む電極と、
前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に設けられ、前記接続部とは組成が異なり、銀を含む膜と、
を備え、
前記接続部は前記パッドを縁部から挟み込むように被覆し、
前記膜ははんだを介してコネクタ又はフレキシブル基板と接続される、
サーマルプリントヘッド。

【請求項5】

前記パッドは、厚さ方向から見て、前記接続部で被覆された被覆部と、前記接続部で被覆されていない非被覆部とを有する、請求項２乃至４のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項6】

前記膜は白金、パラジウム及びビスマスからなる群より選択される少なくとも一種の元素をさらに含む、請求項１～５のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項7】

前記膜は、銀と白金との合金、銀とパラジウムとの合金、又は酸化ビスマスを含有する銀により形成されている、請求項１～６のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項8】

前記電極は、前記絶縁基板の表面に設けられた複数の個別電極と、前記複数の個別電極の各々の間に配置された共通電極とを含み、
前記複数の個別電極の表面と前記共通電極の表面とを跨るように設けられた発熱抵抗体をさらに備える、請求項１、２、４のいずれか１項に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項9】

前記絶縁基板の上に搭載され、前記複数の個別電極と接続された駆動ＩＣをさらに備える、請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項10】

前記駆動ＩＣは複数のバンプを介して前記電極と接続されており、前記複数のバンプのうちのいずれかのバンプは前記複数の個別電極とそれぞれ接続されている、請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項11】

前記接続部は前記複数のバンプのうち前記複数の個別電極が接続されたバンプとは異なるバンプと接続されている、請求項１０に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項12】

前記膜は厚さ方向から見て前記パッドよりも面積が小さくなるように設けられている、請求項１～１１のいずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項13】

前記絶縁基板は、セラミックス層と、前記セラミックス層の上に設けられたグレーズ層とを含む、請求項１～１２いずれか一項に記載のサーマルプリントヘッド。

【請求項14】

絶縁基板の表面に設けられた金を含むパッドと接するように前記絶縁基板の表面及び前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に銀を含む層を形成する工程と、
前記層と接する前記パッドの厚さ方向から見た全表面及び縁部全体を被覆するように少なくとも前記層の一部の表面にレジストを形成する工程と、
前記レジストが表面に形成された銀を含む層をエッチング液でエッチングして前記パッドに接続された銀を含む接続部を形成する工程と、
前記接続部の表面のレジストを除去する工程と、
前記パッドの前記絶縁基板とは反対側の表面に、前記接続部とは組成が異なり、銀を含む膜を形成する工程と、
を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項15】

前記層は前記パッドの一部を覆うように形成される、請求項１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【請求項16】

前記層は前記パッド全体を覆うように形成される、請求項１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、サーマルプリントヘッド及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

サーマルプリントヘッドは、絶縁基板上に形成された共通電極及び個別電極の一対の電極間に発熱抵抗体を電気的に接続し、発熱抵抗体に電流を通すことにより発生する熱で感熱記録紙などに印字するサーマルプリンタの主要部品である。従来、サーマルプリントヘッドの共通電極及び個別電極並びにコネクタを接続するパッドを含む電極には、金ペーストが使用されてきた。

【0003】

しかしながら、金ペーストに含まれる金は高価であるため、金ペーストに代えて安価で電気伝導性が高い銀を使用することが提案されている。特許文献１には、絶縁基板上に、銀粒子の表面にパラジウムの被膜が形成され、金属元素成分が銀８０～９９．５重量％、パラジウム０．５～２０重量％である導体粒子を含有する導体ペーストを用いて回路を形成することが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開平６－１３２３３８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、銀の導体ペーストで銀の電極を形成した場合、形成される電極の用途によってはサーマルプリントヘッドの要求特性が十分に満たされない場合もある。一方、特定の箇所に金の電極を形成し、金の電極と接するように銀の電極を形成すると、フォトリソグラフィで銀をエッチングする際に銀の導体パターンが過剰にエッチングされるオーバーエッチングが生じ、電極が目的とするよりも細く形成される場合がある。銀は凝集しやすく、電極にピンホールが生じやすいため、上記のような銀の電極に例えば熱が加わることにより、電極が断線するおそれがある。

【0006】

本開示は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものである。そして、本開示の目的は、金の電極及び銀の電極を用いた場合であっても銀の電極の断線を抑制可能なサーマルプリントヘッド及びその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために、本開示に係るサーマルプリントヘッドは、絶縁基板と、絶縁基板の表面に設けられた金を含むパッドと、絶縁基板の表面に設けられ、パッドの絶縁基板とは反対側の表面に接続され、銀を含む接続部とを含む電極とを備える。サーマルプリントヘッドは、パッドの絶縁基板とは反対側の表面に設けられ、接続部とは組成が異なり、銀を含む膜を備える。接続部はパッドを縁部から挟み込むように被覆している。

【0008】

本開示の別の態様に係るサーマルプリントヘッドの製造方法は、絶縁基板の表面に設けられた金を含むパッドと接するように絶縁基板の表面及びパッドの絶縁基板とは反対側の表面に銀を含む層を形成する工程を含む。上記方法は、上記層と接するパッドの厚さ方向から見た全表面及び縁部全体を被覆するように少なくとも上記層の一部の表面にレジストを形成する工程を含む。上記方法は、レジストが表面に形成された銀を含む層をエッチング液でエッチングしてパッドに接続された銀を含む接続部を形成する工程を含む。上記方法は、接続部の表面のレジストを除去する工程を含む。上記方法は、パッドの絶縁基板とは反対側の表面に、接続部とは組成が異なり、銀を含む膜を形成する工程を含む。

【発明の効果】

【0009】

本開示によれば、金の電極及び銀の電極を用いた場合であっても銀の電極の断線を抑制可能なサーマルプリントヘッド及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。

【図3】図２の発熱抵抗体の領域を拡大した断面図である。

【図4】図１の電極の一部の領域を拡大した平面図である。

【図5】金パッドの領域を示す平面図である。

【図6】図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。

【図7】図６のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。

【図8】別の実施形態に係る金パッドの領域を示す平面図である。

【図9】金パッドを形成する例について説明する平面図である。

【図10】金パッドと接するように銀層を形成する例について説明する平面図である。

【図11】金パッドの厚さ方向から見た全表面及び縁部を被覆するように少なくとも銀層の一部の表面にレジストを形成する例について説明する平面図である。

【図12】レジストが形成された銀層をエッチング液でエッチングして接続部を形成する例について説明する平面図である。

【図13】導体パターンの表面に残ったレジストを除去した後の状態の例を示す平面図である。

【図14】銀層が金パッド全体を覆うように形成される例について説明する平面図である。

【図15】導体パターンの表面に残ったレジストを除去した後の状態の例を示す平面図である。

【図16】銀層と接する金パッドが露出するようにレジストを形成する比較例について説明する平面図である。

【図17】導体パターンの表面に残ったレジストを除去した後の比較例の状態を示す平面図である。

【図18】第１帯状部の厚さ方向から見た全表面及び縁部を被覆するように少なくとも銀を含む層の一部の表面にレジストを形成する例について説明する平面図である。

【図19】導体パターンの表面に残ったレジストを除去した後の状態の例を示す平面図である。

【図20】第２連結部及び第２帯状部並びに銀層と接する第１帯状部の厚さ方向から見た全表面及び縁部を被覆するように少なくとも銀層の一部の表面にレジストを形成する例について説明する平面図である。

【図21】導体パターンの表面に残ったレジストを除去した後の状態の例を示す平面図である。

【図22】銀層と接する第１帯状部が露出するようにレジストを形成する比較例について説明する平面図である。

【図23】導体パターンの表面に残ったレジストを除去した後の比較例の状態を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

本実施形態に係るサーマルプリントヘッド及びその製造方法について、図面を参照して説明する。以下に説明する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

【0012】

［サーマルプリントヘッド］
図１～図４を用いて本実施形態に係るサーマルプリントヘッド１について説明する。図１は、本実施形態に係るサーマルプリントヘッド１を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図２の発熱抵抗体４０の領域を拡大した断面図である。図４は、図１の電極２０の一部の領域を拡大した平面図である。図中のｘ、ｙ及びｚは、主走査方向ｘ、副走査方向ｙ及び厚さ方向ｚを表しており、これらの方向はそれぞれ直行している。図１～図４に示すように、サーマルプリントヘッド１は、絶縁基板１０、電極２０、発熱抵抗体４０、保護層４５、ヒートシンク５０、駆動ＩＣ５１、封止樹脂５２、コネクタ５３及び銀を含む膜（銀膜７０）を備える。なお、平面図では保護層４５を省略して示している。

【0013】

絶縁基板１０は、主走査方向ｘを長手方向とし、副走査方向ｙを短手方向とする矩形状の絶縁性の基板である。絶縁基板１０は、絶縁性を有していればよく、例えばセラミックス層１１とグレーズ層１２とを含んでいてもよい。これにより、発熱抵抗体４０から発せられる熱の蓄熱性と放熱性のバランスに優れたサーマルプリントヘッド１を得ることができる。

【0014】

セラミックス層１１は、例えばアルミナを主成分とするセラミックスを含んでいる。なお、主成分とは、セラミックス層１１におけるセラミックスの含有量が５０質量％以上であることを意味する。セラミックス層１１におけるセラミックスの含有量は、７０質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよく、９０質量％以上であってもよい。セラミックス層１１の厚さは、例えば０．６ｍｍ～１ｍｍである。

【0015】

グレーズ層１２はセラミックス層１１の上に設けられている。グレーズ層１２はセラミックス層１１の一方の表面を覆っている。グレーズ層１２は、発熱抵抗体４０で生じた熱の一部を蓄える。グレーズ層１２は、ガラスを主成分として含んでいる。なお、主成分とは、グレーズ層１２におけるガラスの含有量が５０質量％以上であることを意味する。グレーズ層１２におけるガラスの含有量は、７０質量％以上であってもよく、８０質量％以上であってもよく、９０質量％以上であってもよい。ガラスとしては、例えばＳｉＯ_２－ＢａＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｎＯ－ＺｎＯ系の非晶質ガラスが挙げられる。グレーズ層１２の厚さは、例えば１００μｍ～２００μｍである。

【0016】

電極２０は、絶縁基板１０の表面に設けられ、発熱抵抗体４０に電流を通すための導電経路を構成している。また、電極２０は、図４及び図５に示すように、複数の個別電極２１と、１つの共通電極２６と、複数の金を含むパッド（複数の金パッド３０）と、複数の接続部３２とを含んでいる。個別電極２１の厚さは例えば０．２μｍ以上１．２μｍ以下であり、共通電極２６の厚さは例えば０．２μｍ以上１．２μｍ以下である。

【0017】

複数の個別電極２１は絶縁基板１０の表面に設けられている。複数の個別電極２１は、主走査方向ｘに隙間を空けて並んでいる。複数の個別電極２１は、駆動ＩＣ５１と電気的に接続されており、絶縁基板１０の上において各駆動ＩＣ５１に対応して束となって配置されている。複数の個別電極２１の各々は、副走査方向ｙにおいて駆動ＩＣ５１から発熱抵抗体４０に向かって延びている。複数の個別電極２１の各々は、ボンディングパッド２２、第１連結部２３及び第１帯状部２４を有する。

【0018】

複数のボンディングパッド２２の各々は、駆動ＩＣ５１と電気的に接続されている。複数のボンディングパッド２２の各々は、副走査方向ｙに交互にずれて、主走査方向ｘに沿って並んでいる。第１連結部２３は、副走査方向ｙに沿って延びて、第１帯状部２４とボンディングパッド２２とを連結している。第１帯状部２４は、副走査方向ｙにおいて、第１連結部２３に対してボンディングパッド２２とは反対側に配置されている。複数の第１帯状部２４の各々は、副走査方向ｙに沿って矩形状に延びている。複数の第１帯状部２４は、櫛の歯のように、主走査方向ｘに沿って隙間を空けて等間隔に並んでいる。

【0019】

共通電極２６は、複数の個別電極２１の各々の間に配置される。共通電極２６は、第２連結部２７と、複数の第２帯状部２８とを有する。第２連結部２７は、発熱抵抗体４０に対して駆動ＩＣ５１とは反対側に配置されている。第２連結部２７は、発熱抵抗体４０と平行に、主走査方向ｘに沿って矩形状に延びている。複数の第２帯状部２８の各々は、第２連結部２７と接続されており、第２連結部２７から発熱抵抗体４０に向かって、副走査方向ｙに沿って矩形状に延びている。複数の第２帯状部２８の各々は、複数の個別電極２１の各々の間に配置される。複数の第２帯状部２８は、櫛の歯のように、主走査方向ｘに沿って隙間を空けて等間隔に並んでいる。複数の第２帯状部２８の各々は、主走査方向ｘにおいて隣り合う２つの第１帯状部２４の間に配置されている。

【0020】

発熱抵抗体４０は、複数の個別電極２１の表面と共通電極２６の表面とを跨るように設けられている。具体的には、発熱抵抗体４０は、複数の第１帯状部２４及び複数の第２帯状部２８に跨るように設けられている。複数の個別電極２１及び共通電極２６は、厚さ方向ｚにおいて絶縁基板１０と発熱抵抗体４０との間に配置されている。発熱抵抗体４０の電気抵抗率は、電極２０の電気抵抗率よりも大きい。そのため、特定の個別電極２１と、個別電極２１に隣接する共通電極２６との間に、発熱抵抗体４０を介して電流が流れてジュール熱が発生することにより、電流が流れた発熱抵抗体４０の特定の部分が選択的に発熱する。発熱抵抗体４０は、例えば酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２）粒子を含有している。発熱抵抗体４０は、グレーズ層１２及び保護層４５に対する密着性を向上させるためにガラスフリットを含有していてもよい。発熱抵抗体４０の厚さは、例えば０．０５μｍ以上１０μｍ以下である。

【0021】

保護層４５は、図２及び図３に示すように、絶縁基板１０の表面に接している。保護層４５は、電極２０の一部及び発熱抵抗体４０を覆って異物などから保護している。保護層４５は、上述したようなグレーズ層１２と同様の材料により形成されていてもよい。

【0022】

ヒートシンク５０は、図２に示すように、絶縁基板１０に取り付けられており、絶縁基板１０からの熱を放散させる機能を有する。ヒートシンク５０は、例えば、アルミニウムなどのような熱伝導率の高い金属を用いることができる。

【0023】

駆動ＩＣ５１は絶縁基板１０の上に搭載され、複数の個別電極２１と接続されている。駆動ＩＣ５１は、フリップチップボンディングによって、複数のバンプを介して電極２０と接続されており、複数のバンプのうちのいずれかのバンプは複数の個別電極２１とそれぞれ接続されていてもよい。また、駆動ＩＣ５１は、フリップチップボンディングによって、複数のバンプを介して複数の接続部３２とそれぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、駆動ＩＣ５１は、ワイヤボンディングによって金配線を介して複数の個別電極２１の各々及び複数の接続部３２の各々に接続されていてもよい。駆動ＩＣ５１は、対応する個別電極２１に選択的に電流を通すことにより、発熱抵抗体４０の特定の部分を任意に発熱させる。駆動ＩＣ５１は、保護のために封止樹脂５２で覆われている。

【0024】

コネクタ５３は、絶縁基板１０に設けられており、外部接続機器からサーマルプリントヘッド１へ電力を供給したり、駆動ＩＣ５１を制御したりするために用いられる外部接続用部材である。コネクタ５３は、金パッド３０及び接続部３２を介して駆動ＩＣ５１と電気的に接続される。なお、外部接続用部材として、コネクタ５３に代えてフレキシブル基板を用いて外部接続機器からサーマルプリントヘッド１へ電力を供給したり、駆動ＩＣ５１を制御したりしてもよい。

【0025】

図５に示すように、複数の接続部３２は主走査方向ｘに沿って並んでいる。接続部３２は副走査方向ｙに延びている。接続部３２は複数のバンプのうち複数の個別電極２１が接続されたバンプとは異なるバンプと接続されている。接続部３２の一端は駆動ＩＣ５１と接続されており、接続部３２のもう一端は略矩形状の金パッド３０と接続されている。金パッド３０の形状は矩形に限定されず、円形又は多角形などであってもよい。

【0026】

図５～図７に示すように、金パッド３０は、絶縁基板１０の表面に設けられている。金パッド３０の上側には銀膜７０及びはんだを介してコネクタ５３のような外部接続用部材が接続される。金パッド３０は金を含んでいる。金パッド３０が金を含んでいることで、はんだ付けの際に金属成分がグレーズ層１２に拡散してグレーズ層１２が脆弱になることを抑制することができる。その結果、絶縁基板１０と外部接続用部材との接続を強固にすることができる。金パッド３０は金を５０質量％以上含んでいてもよく、６０質量％以上含んでいてもよく、７０質量％以上含んでいてもよく、８０質量％以上含んでいてもよく、９０質量％以上含んでいてもよい。金パッド３０の厚さは例えば０．２μｍ以上１．２μｍ以下である。金パッド３０は、厚さ方向ｚから見て、接続部３２で被覆された被覆部３３と、接続部３２で被覆されていない非被覆部３４と有している。すなわち、被覆部３３は接続部３２が積層されて重なる領域であり、非被覆部３４は接続部３２が積層されない領域である。

【0027】

接続部３２は、絶縁基板１０の表面に設けられ、金パッド３０の絶縁基板１０とは反対側の表面（金パッド３０の上面）に接続されている。接続部３２は銀を含んでいる。接続部３２は銀を５０質量％以上含んでいてもよく、６０質量％以上含んでいてもよく、７０質量％以上含んでいてもよく、８０質量％以上含んでいてもよく、９０質量％以上含んでいてもよい。接続部３２の厚さは例えば０．２μｍ以上１．２μｍ以下である。接続部３２は銀ペーストを印刷及び焼成して形成することができる。接続部３２は金パッド３０の上面に設けられることで、接続部３２と金パッド３０とが電気的に接続される。また、接続部３２が絶縁基板１０の上面に設けられることで金パッド３０を流れる電流を例えば駆動ＩＣ５１に流すことができる。

【0028】

接続部３２は金パッド３０を縁部から挟み込むように被覆している。金パッド３０の縁部のうち、被覆部３３の縁部３５全体が接続部３２で覆われていてもよい。すなわち、金パッド３０の縁部のうち、被覆部３３の縁部３５は露出しないように接続部３２で覆われていてもよい。また、接続部３２の縁部の一辺は金パッド３０の縁部と交わる２つの交点を有していてもよい。接続部３２が金パッド３０を縁部から挟み込むように被覆することによって、接続部３２の幅が広くなる。接続部３２を形成する銀は金よりも熱によって凝集しやすいため、接続部３２の表面を被覆する保護層４５を形成する際の熱、及び接続部３２への通電によるジュール熱などによってピンホールが発生し、接続部３２が断線するおそれがある。しかしながら、接続部３２の幅が広くなるため、ピンホールが発生しても、断線に至る可能性を低減することができる。

【0029】

電極２０は、後述する金の導体パターン１１０と、銀の導体パターン１４０とを含んでいる。金の導体パターン１１０は、例えば、第１帯状部２４、第２連結部２７、第２帯状部２８及び金パッド３０を含んでいる。銀の導体パターン１４０は、例えば、電極２０のうちの上記以外の部分を含んでいる。具体的には、銀の導体パターン１４０は、ボンディングパッド２２、第１連結部２３及び接続部３２を含んでいる。

【0030】

銀膜７０は、金パッド３０の絶縁基板１０とは反対側の表面（金パッド３０の上面）に設けられている。銀膜７０ははんだ付けされるために用いられ、銀膜７０は、例えば、はんだを介してコネクタ５３又はフレキシブル基板などと接続される。銀膜７０は、コネクタ５３をはんだで接続する際に、はんだに金パッド３０の金が溶出することを抑制することができる。銀膜７０の厚さは例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。銀膜７０の厚さが上記の範囲であると、はんだ付けの際に金の溶出を十分に抑制することができる。銀膜７０の厚さは３μｍ～５μｍであってもよい。銀膜７０は、金の溶出を抑制することができればよく、非被覆部３４の表面の少なくとも一部を覆っていればよい。すなわち、銀膜７０は、非被覆部３４の表面全体を覆ってもよく、表面の一部を覆ってもよい。銀膜７０は厚さ方向ｚから見て金パッド３０よりも面積が小さくなるように設けられていてもよい。

【0031】

銀膜７０は、接続部３２とは組成が異なっている。銀膜７０の表面にははんだが接着されるため、銀膜７０ははんだ濡れ性の高い材料により形成されていてもよい。銀膜７０は、銀を含んでいればよく、銀に加え、例えば白金、パラジウム及びビスマスからなる群より選択される少なくとも一種の元素を含んでいてもよい。このような銀膜７０は、はんだ濡れ性を向上させることができる。銀膜７０は、具体的には、銀と白金との合金、銀とパラジウムとの合金、又は酸化ビスマスを含有する銀により形成されていてもよい。銀膜７０は保護層４５との接着性を向上させるため、ガラスを含んでいてもよい。銀膜７０が酸化ビスマスを含んでいる場合には、酸化ビスマスは、銀膜７０の表面にガラスが析出するのを抑制する。その結果、銀膜７０がはんだ付けの際にはんだに溶け込むため、銀膜７０のはんだ濡れ性が向上する。

【0032】

なお、図５～図７の形態では金パッド３０の一部が接続部３２で被覆され、金パッド３０が被覆部３３と非被覆部３４とを有している例について説明したが、図８に示すように、金パッド３０全体が厚さ方向ｚから見て接続部３２で被覆されていてもよい。すなわち、金パッド３０が非被覆部３４を有していなくてもよい。したがって、金パッド３０の全表面は絶縁基板１０と接続部３２とで囲われている。

【0033】

以上説明した通り、本実施形態に係るサーマルプリントヘッド１は、絶縁基板１０を備えている。サーマルプリントヘッド１は、絶縁基板１０の表面に設けられた金を含むパッド（金パッド３０）と、絶縁基板１０の表面に設けられ、金パッド３０の絶縁基板１０とは反対側の表面に接続され、銀を含む接続部３２とを含む電極２０を備えている。サーマルプリントヘッド１は、金パッド３０の絶縁基板１０とは反対側の表面に設けられ、接続部３２とは組成が異なり、銀を含む膜（銀膜７０）を備えている。接続部３２は金パッド３０を縁部から挟み込むように被覆している。

【0034】

本実施形態に係るサーマルプリントヘッド１では、金パッド３０と銀を含む接続部３２とを備えていることから、金だけで電極２０を形成した場合と比較し、高価な金の使用量を低減することができる。また、接続部３２は金パッド３０を縁部から挟み込むように被覆しているため、接続部３２の幅が広くなっている。接続部３２を形成する銀は金よりも熱によって凝集しやすい傾向があるが、接続部３２の幅が広くなっているため、銀が凝集してピンホールが発生するおそれを低減することができる。したがって、本実施形態に係るサーマルプリントヘッド１によれば、金の電極２０である金パッド３０及び銀の電極２０である接続部３２を用いた場合であっても銀の電極２０の断線を抑制することができる。

【0035】

［サーマルプリンタ］
本実施形態に係るサーマルプリンタは上述したサーマルプリントヘッド１を備えている。上述の通り、サーマルプリントヘッド１における銀の電極２０の断線が抑制されていることから、サーマルプリントヘッド１を備えるサーマルプリンタも断線が抑制される。したがって、信頼性の高いサーマルプリンタを提供することができる。

【0036】

図２に示すように、サーマルプリントヘッド１は、サーマルプリンタのプラテンローラ７２と対向するように配置される。サーマルプリントヘッド１の発熱抵抗体４０は、プラテンローラ７２に保護層４５を介して対向している。そして、発熱抵抗体４０を覆う保護層４５とプラテンローラ７２との間には、感熱紙などの記録媒体７１が挟み込まれている。サーマルプリンタの作動時は、プラテンローラ７２が回転することにより、発熱抵抗体４０とプラテンローラ７２との間に記録媒体７１が一定速度で送られる。発熱抵抗体４０の任意の部分を発熱させ、この熱が記録媒体７１に伝わることにより、記録媒体７１が印字される。

【0037】

［サーマルプリントヘッドの製造方法］
次に、本実施形態のサーマルプリントヘッド１の製造方法について説明する。サーマルプリントヘッド１の製造方法は、絶縁基板１０の準備工程と、金を含む導体パターン（金の導体パターン１１０）形成工程と、銀を含む導体パターン（銀の導体パターン１４０）形成方法とを含んでいる。

【0038】

（絶縁基板の準備工程）
絶縁基板１０の準備工程では、絶縁基板１０を準備する。絶縁基板１０は、例えば上述したように、セラミックス層１１と、セラミックス層１１の上に設けられたグレーズ層１２とを備えていてもよい。セラミックス層１１は上述したものを使用することができる。グレーズ層１２は、公知の方法で形成することができ、例えばガラスのペーストをセラミックス層１１の表面に印刷及び焼成することにより形成することができる。

【0039】

次に、絶縁基板１０の表面に金の導体パターン１１０と銀の導体パターン１４０とを形成する。金の導体パターン１１０及び銀の導体パターン１４０の形成方法については後述する。

【0040】

金の導体パターン１１０及び銀の導体パターン１４０を形成した後、共通電極２６の第２連結部２７の表面に、共通電極２６と電気的に接続される補助電極を形成してもよい。補助電極は大きな面積を有していることから、電流路を拡大し、電圧降下を抑制することができる。したがって、発熱抵抗体４０が広範囲に発熱する場合にも、十分な電流を流すことができ、印字品質の低下を抑制することができる。補助電極は、例えば銀粒子を含む導電性ペーストを共通電極２６の表面に印刷及び焼成することにより形成することができる。導電性ペーストには、ガラスフリットが含まれていてもよい。

【0041】

金の導体パターン１１０及び銀の導体パターン１４０を形成した後、金の導体パターン１１０の絶縁基板１０とは反対側の表面に銀膜７０を形成してもよい。銀膜７０は例えば銀粒子を含む導電性ペーストを金パッド３０の表面に印刷及び焼成することにより形成することができる。導電性ペーストには、ガラスフリットが含まれていてもよい。

【0042】

発熱抵抗体４０は、導電性ペーストを、個別電極２１及び共通電極２６に接するように印刷及び焼成することにより形成する。導電性ペーストは、電気抵抗率が比較的高い酸化ルテニウム粒子とガラスフリットとを含有していてもよい。

【0043】

保護層４５は、ガラスのペーストを、絶縁基板１０、電極２０及び発熱抵抗体４０を覆うように厚膜印刷及び焼成することにより形成することができる。

【0044】

駆動ＩＣ５１は、絶縁基板１０の表面に取り付けられる。具体的には、駆動ＩＣ５１を絶縁基板１０の表面にフリップチップボンディングにより搭載し、駆動ＩＣ５１と個別電極２１とを電気的に接続することにより、駆動ＩＣ５１を絶縁基板１０に実装することができる。その後、駆動ＩＣ５１を覆うように封止樹脂５２で封止する。最後に、絶縁基板１０にコネクタ５３及びヒートシンク５０を取り付けることによって、サーマルプリントヘッド１が得られる。

【0045】

次に、金の導体パターン１１０形成工程と、銀の導体パターン１４０の形成工程について説明する。

【0046】

（金の導体パターン形成工程）
本実施形態では、金の導体パターン１１０が金パッド３０である例について図９～図１３を用いて説明する。図９に示すように、金の導体パターン形成工程では、絶縁基板１０の表面に金の導体パターン１１０を形成する。

【0047】

金の導体パターン１１０は、印刷機で直接印刷してもよく、フォトリソグラフィで形成してもよい。直接印刷する場合、印刷機は、グラビアオフセット印刷機、スクリーン印刷機又はインクジェット印刷機などを使用して金レジネートペーストを印刷し、金の導体パターン１１０を形成することができる。

【0048】

フォトリソグラフィを用いる場合、金を含む層（金層）の印刷、焼成、フォトレジスト塗布、マスキング、露光、現像、エッチング及びレジスト除去などの工程により金の導体パターン１１０を形成することができる。

【0049】

金層は、スクリーン印刷機などの印刷機で絶縁基板１０の表面に金レジネートペーストを印刷及び焼成することにより形成することができる。印刷及び焼成の工程は、１回のみ実施してもよく、印刷及び焼成の工程を２回以上繰り返してもよい。

【0050】

金層の表面にはフォトレジストが塗布される。フォトレジストは、ポジ型レジストであってもよく、ネガ型レジストであってもよい。塗布したフォトレジストは、必要に応じて加熱などにより溶媒を除去してもよい。フォトレジストの塗布方法は特に限定されず、ロールコーター、スプレーコーター、及びスピンコーターなど公知のコーターを用いて塗布することができる。

【0051】

金層の表面に形成されたレジストは、フォトマスクでマスキングされる。金層の表面に形成されたレジストは、マスキングを通じて紫外線が照射される。紫外線が照射されて変質したレジストは、現像液によって溶解され、パターニングされたレジストが金層の表面に形成される。現像液としては、例えば水酸化カリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を使用することができる。

【0052】

パターニングされたレジストが表面に形成された金層がエッチング液でエッチングされると、金の導体パターン１１０が形成される。エッチング方法は、例えばシャワー法及びディップ法などの公知の方法を使用することができる。

【0053】

エッチング液は、金をエッチングすることができれば特に限定されないが、ヨウ素系エッチング液、王水系エッチング液、及びシアン系エッチング液などを使用することができる。ヨウ素系エッチング液としては、例えばヨウ素及びヨウ化カリウムの混合液が挙げられる。王水系エッチング液としては、例えば塩酸及び硝酸の混合液が挙げられる。シアン系エッチング液としては、例えばシアン化ナトリウム及び過酸化水素の混合液が挙げられる。これらの中でも、液の扱いが容易であり、エッチング速度も良好なことから、エッチング液はヨウ素系エッチング液が好ましい。

【0054】

金の導体パターン１１０の表面に残ったレジストは、水酸化ナトリウム水溶液などの剥離液で溶解して除去する。これにより、金の導体パターン１１０が形成される。

【0055】

（銀の導体パターン形成工程）
次に、銀の導体パターン１４０を形成する方法について、図１０～図１３を用いて説明する。銀の導体パターン１４０を形成する工程は、銀を含む層（銀層１２０）を形成する工程、レジストを形成する工程、エッチングする工程及びレジスト１３０を除去する工程を含んでいる。

【0056】

図１０に示すように、銀層１２０を形成する工程では、絶縁基板１０の表面に設けられた金の導体パターン１１０と接するように絶縁基板１０の表面及び金の導体パターン１１０の絶縁基板１０とは反対側の表面（上面）に銀層１２０を形成する。本実施形態に係る方法では、図１０に示すように、銀層１２０は金パッド３０の一部を覆うように形成される。

【0057】

銀層１２０は、銀を含んでおり、スクリーン印刷機などの印刷機で絶縁基板１０の表面に銀ペーストを印刷及び焼成することにより形成することができる。この際、銀層１２０は、金の導体パターン１１０と接するように形成される。印刷及び焼成の工程は、１回のみ実施してもよく、印刷及び焼成の工程を２回以上繰り返してもよい。

【0058】

図１１に示すように、レジスト１３０を形成する工程では、銀層１２０と接する金の導体パターン１１０の厚さ方向ｚから見た全表面及び縁部全体を被覆するように少なくとも銀層１２０の一部の表面にレジスト１３０を形成する。すなわち、銀層１２０と接する金の導体パターン１１０が露出しないように、銀層１２０の一部、絶縁基板１０の一部及び金パッド３０の表面にレジスト１３０を形成する。具体的には、金の導体パターン１１０である金パッド３０の露出部全体が覆われるようにレジスト１３０でマスキングするとともに、銀の導体パターン１４０である接続部３２が形成されるように銀層１２０をレジスト１３０でマスキングする。後述するエッチング工程でエッチング液が接触しないように、金の導体パターン１１０の上面だけでなく、金の導体パターン１１０の縁部全体もレジスト１３０でマスキングする。

【0059】

レジスト１３０の形成に用いられるフォトレジストは、ポジ型レジストであってもよく、ネガ型レジストであってもよい。塗布したフォトレジストは、必要に応じて加熱などにより溶媒を除去してもよい。フォトレジストの塗布方法は特に限定されず、ロールコーター、スプレーコーター、スピンコーターなど公知のコーターを用いて塗布することができる。

【0060】

銀層１２０の表面にフォトレジストを塗布して形成されたレジスト層は、フォトマスクでマスキングされる。銀層１２０の表面に形成されたレジスト層は、マスキングを通じて紫外線が照射される。紫外線が照射されて変質したレジスト層は、現像液によって溶解され、パターニングされたレジスト１３０が銀層１２０の表面に形成される。現像液としては、例えば水酸化カリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を使用することができる。

【0061】

図１２に示すように、銀の導体パターン１４０を形成する工程では、レジスト１３０が表面に形成された銀層１２０をエッチング液でエッチングして金の導体パターン１１０に接続された銀の導体パターン１４０を形成する。レジスト１３０が形成された銀層１２０は、エッチング液でエッチングされることによって銀の導体パターン１４０が形成される。エッチングは、例えばシャワー法及びディップ法などの公知の方法を使用することができる。エッチング液は、銀をエッチングすることができれば特に限定されないが、硝酸、塩酸及び酢酸の混酸などを使用することができる。

【0062】

図１３に示すように、レジスト１３０を除去する工程では、金の導体パターン１１０及び銀の導体パターン１４０の表面のレジスト１３０を除去する。金の導体パターン１１０及び銀の導体パターン１４０の表面に残ったレジスト１３０は、水酸化ナトリウム水溶液などの剥離液で溶解して除去してもよい。上述のように、金パッド３０はレジスト１３０で被覆されてエッチング液に触れないことから、金の導体パターン１１０である金パッド３０と、銀の導体パターン１４０である接続部３２とでエッチング時に局部電池反応が生じにくい。したがって、金よりもイオン化傾向の小さい銀で形成された接続部３２がオーバーエッチングされることを抑制することができる。

【0063】

銀膜７０を形成する工程では、金パッド３０の絶縁基板１０とは反対側の表面（金パッド３０の上面）に、接続部３２とは組成が異なり、はんだ付けされるための銀膜７０を形成する。銀膜７０は、銀ペーストを印刷及び焼成することにより形成してもよい。銀ペーストは、例えば銀粒子及び樹脂成分を含んでいてもよい。

【0064】

次に、別の実施形態に係る銀の導体パターン１４０の形成方法について図１４及び図１５を用いて説明する。図１４は、銀層１２０が金パッド３０全体を覆うように形成される例について説明する平面図である。図１５は、導体パターンの表面に残ったレジスト１３０を除去した後の状態の例を示す平面図である。本実施形態に係る方法では、図１４に示すように、銀層１２０は、金パッド３０全体を覆うように形成される以外は、上記実施形態と同様である。

【0065】

このように銀層１２０を形成した場合であっても、銀層１２０と接する金パッド３０の厚さ方向ｚから見た全表面及び縁部全体を被覆するように銀層１２０の一部の表面にレジスト１３０が形成される。このようにマスキングした場合、金パッド３０がレジスト１３０で覆われてエッチング液に触れない。そのため、図１５に示すように、金の導体パターン１１０である金パッド３０と、銀の導体パターン１４０である接続部３２とでエッチング時に局部電池反応が生じにくい。したがって、金よりもイオン化傾向の小さい銀で形成された接続部３２がオーバーエッチングされることを抑制することができる。

【0066】

次に、比較例に係る銀の導体パターン１４０の形成方法について図１６及び図１７を用いて説明する。図１６は、銀層３２０と接する金の導体パターン３１０が露出するようにレジスト３３０を形成する比較例について説明する平面図である。図１７は、金の導体パターン３１０である金パッド２３０及び銀の導体パターン３４０である接続部２３２の表面に残ったレジスト３３０を除去した後の比較例の状態を示す平面図である。

【0067】

図１６に示すように、銀層３２０は、絶縁基板２１０の表面に設けられた金パッド２３０の一部を覆うように形成される。比較例に係る方法では、接続部２３２が形成されるように銀層３２０をレジスト３３０でマスキングするが、金の導体パターン３１０である金パッド２３０の一部がレジスト３３０でマスキングされていない。このようにマスキングした場合には、金パッド２３０がエッチング工程においてエッチング液に触れ、金の導体パターン３１０である金パッド２３０と銀の導体パターン３４０である接続部２３２とで局部電池反応が生じやすい。そのため、図１７に示すように、接続部２３２がオーバーエッチングされてレジスト３３０よりも面積の小さい銀の導体パターン３４０が形成されやすい。

【0068】

次に、金の導体パターン１１０が個別電極２１及び共通電極２６である例について図１８及び図１９を用いて説明する。具体的には、金の導体パターン１１０が第１帯状部２４、第２連結部２７及び第２帯状部２８であり、銀の導体パターン１４０が第１連結部２３である例について説明する。本実施形態に係る方法では、図１８に示すように、絶縁基板１０の表面に設けられた第１帯状部２４と接するように絶縁基板１０及び第１帯状部２４の表面に銀層１２０が形成される。銀層１２０は、第１帯状部２４の第２連結部２７とは反対側の一端が接するように形成される。次に、第１帯状部２４の厚さ方向ｚから見た全表面及び縁部全体を被覆するように少なくとも銀層１２０の一部の表面にレジスト１３０が形成される。具体的には、銀層１２０の一部、絶縁基板１０の一部及び第１帯状部２４の表面にレジスト１３０が形成される。次に、レジスト１３０が表面に形成された銀層１２０をエッチング液でエッチングして第１帯状部２４に接続された第１連結部２３が形成される。上記のようにマスキングした場合、第１帯状部２４がレジスト１３０で覆われてエッチング液に触れない。そのため、図１９に示すように、金の導体パターン１１０である第１帯状部２４と、銀の導体パターン１４０である第１連結部２３とでエッチング時に局部電池反応が生じにくい。したがって、金よりもイオン化傾向の小さい銀で形成された第１連結部２３がオーバーエッチングされることを抑制することができる。なお、金の導体パターン１１０である第２連結部２７及び複数の第２帯状部２８は銀層１２０と接していないため、局部電池反応には関与しない。

【0069】

次に、別の実施形態に係る銀の導体パターン１４０の形成方法について図２０及び図２１を用いて説明する。図２０は、第２連結部２７及び第２帯状部２８並びに銀層１２０と接する第１帯状部２４の厚さ方向ｚから見た全表面及び縁部全体を被覆するように少なくとも銀層１２０の一部の表面にレジスト１３０を形成する例について説明する平面図である。図２１は、金の導体パターン１１０及び銀の導体パターン１４０の表面に残ったレジスト１３０を除去した後の状態の例を示す平面図である。

【0070】

図２０では、図１８のように第１帯状部２４だけでなく、第２連結部２７及び第２帯状部２８の表面にもレジスト１３０が形成される。このようにマスキングした場合、第１帯状部２４がレジスト１３０で覆われてエッチング液に触れない。そのため、図２１に示すように、金の導体パターン１１０の一部である第１帯状部２４と、銀の導体パターン１４０の一部である第１連結部２３とでエッチング時に局部電池反応が生じにくい。したがって、金よりもイオン化傾向の小さい銀で形成された第１連結部２３がオーバーエッチングされることを抑制することができる。

【0071】

次に、比較例に係る銀の導体パターン３４０の形成方法について図２２及び図２３を用いて説明する。図２２は、銀層３２０と接する金の導体パターン３１０が露出するようにレジスト３３０を形成する比較例について説明する平面図である。図２３は、金の導体パターン３１０及び銀の導体パターン３４０の表面に残ったレジスト３３０を除去した後の比較例の状態を示す平面図である。

【0072】

図２２に示すように、銀層３２０は、第１帯状部２２４の一部を覆うように形成される。比較例に係る方法では、銀の導体パターン３４０である第１連結部２２３が形成されるように銀層３２０をレジスト３３０でマスキングするが、金の導体パターン３１０である第１帯状部２２４の一部がレジスト３３０でマスキングされていない。このようにマスキングした場合、第１帯状部２２４がエッチング工程においてエッチング液に触れ、金の導体パターン３１０である第１帯状部２２４と銀の導体パターン３４０である第１連結部２２３とで局部電池反応が生じやすい。そのため、図２３に示すように、第１連結部２２３がオーバーエッチングされやすい。なお、金の導体パターン３１０である第２連結部２２７及び複数の第２帯状部２２８は銀層３２０と接していないため、局部電池反応には関与しない。

【0073】

以上説明した通り、本実施形態に係るサーマルプリントヘッド１の製造方法は、以下の工程を含む。すなわち、上記方法は、絶縁基板１０の表面に設けられた金を含む導体パターン（金の導体パターン１１０）と接するように絶縁基板１０の表面及び金の導体パターン１１０の絶縁基板１０とは反対側の表面に銀を含む層（銀層１２０）を形成する工程を含む。上記方法は、銀層１２０と接する金の導体パターン１１０の厚さ方向ｚから見た全表面及び縁部全体を被覆するように少なくとも銀層１２０の一部の表面にレジスト１３０を形成する工程を含む。上記方法は、レジスト１３０が表面に形成された銀層１２０をエッチング液でエッチングして金の導体パターン１１０に接続された銀を含む導体パターン（銀の導体パターン１４０）を形成する工程を含む。上記方法は、銀の導体パターン１４０の表面のレジスト１３０を除去する工程を含む。

【0074】

本実施形態に係る方法では、金の導体パターン１１０と銀の導体パターン１４０とを形成する。これにより、サーマルプリントヘッド１で必要な導体パターンのうち、銀で代替可能な部分を金から置き換えることが可能なため、金の使用量を低減することができ、サーマルプリントヘッド１のコストを低減することができる。

【0075】

しかしながら、金の導体パターン１１０と電気的に接続されるように銀の導体パターン１４０を形成すると、銀をエッチングする際に銀が過剰にエッチングされるオーバーエッチングが生じ、電極２０が目的とするよりも細く形成される場合がある。この理由は、金及び銀の異種金属の接触によりこれらの金属の電位に差が生じ、イオン化傾向が大きい銀をアノード、イオン化傾向が小さい金をカソード、エッチング液を電解液とする局部電池反応が生じるためであると推定される。銀のエッチング液として例えば硝酸を使用する場合、アノードでは以下の反応式（１）に示すような反応が生じ、カソードでは以下の反応式（２）で示すような反応が生じる。

【0076】

Ａｇ→Ａｇ^＋＋ｅ^－ （１）
ＨＮＯ_３＋３Ｈ^＋＋３ｅ^－→２Ｈ_２Ｏ＋ＮＯ↑ （２）

【0077】

しかしながら、本実施形態に係るサーマルプリントヘッド１の製造方法では、金の導体パターン１１０の厚さ方向ｚから見た全表面及び縁部全体を被覆するように少なくとも銀層１２０の一部の表面にレジスト１３０を形成する工程を含む。そのため、銀の導体パターン１４０の縁部がエッチング液と接触した場合であっても、電解液となるエッチング液が金の導体パターン１１０に接触していないため、局部電池が形成されない。したがって、銀の導体パターン１４０の縁部のみがエッチング液に接触している状態となり、局部電池が形成されている場合のような起電力が生じないため、銀が過剰にイオン化して溶出することが抑制される。したがって、本実施形態に係るサーマルプリントヘッド１の製造方法によれば、電極２０が目的とするよりも細く形成されることを抑制することができるため、金の電極２０及び銀の電極２０を用いた場合であっても銀の電極２０の断線を抑制することができる。

【0078】

なお、銀の導体パターン１４０が金の導体パターン１１０のような異種金属と接触せず、銀の導体パターン１４０だけがエッチングされる場合には、金の導体パターン１１０と銀の導体パターン１４０とを接触させた場合程のオーバーエッチングは生じにくい。その理由は、上記のように異種金属が接触しておらず、異なる金属種でカソード及びアノードが形成されないため、銀の表面全体がアノード及びカソードの役割を果たし、上記反応式（１）及び上記反応式（２）が銀の表面で均一に生じるためと推定される。また、アノードとカソードが同じ金属種であり、アノードとカソードの電位差がほとんどないため、異種金属を接触させた場合のように、銀のイオン化が過剰な速さで進行しにくいためと推定される。そのため、単一の金属種をエッチングする場合には、上記のようなオーバーエッチングは生じにくい。

【0079】

なお、金の導体パターン１１０は金パッド３０であり、銀の導体パターン１４０は接続部３２であってもよい。また、サーマルプリントヘッド１の製造方法は、金パッド３０の絶縁基板１０とは反対側の表面に、接続部３２とは組成の異なり、銀を含む膜（銀膜７０）を形成する工程を含んでいてもよい。すなわち、上記方法は、絶縁基板１０の表面に設けられた金を含むパッド（金パッド３０）と接するように絶縁基板１０の表面及び金パッド３０の絶縁基板１０とは反対側の表面に銀を含む層（銀層１２０）を形成する工程を含んでいてもよい。上記方法は、銀層１２０と接する金パッド３０の厚さ方向ｚから見た全表面及び縁部全体を被覆するように少なくとも銀層１２０の一部の表面にレジスト１３０を形成する工程を含んでいてもよい。上記方法は、レジスト１３０が表面に形成された銀層１２０をエッチング液でエッチングして金パッド３０に接続された銀を含む接続部３２を形成する工程を含んでいてもよい。上記方法は、接続部３２の表面のレジスト１３０を除去する工程を含んでいてもよい。上記方法は、金パッド３０の絶縁基板１０とは反対側の表面に、接続部３２とは組成が異なり、銀を含む膜（銀膜７０）を形成する工程を含んでいてもよい。このような方法によれば、上述したサーマルプリントヘッド１を製造することができる。

【0080】

［その他の実施形態］
上述のように、いくつかの実施形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。このように、本実施形態は、ここでは記載していない様々な実施形態等を含む。

【符号の説明】

【0081】

１ サーマルプリントヘッド
１０ 絶縁基板
１１ セラミックス層
１２ グレーズ層
２０ 電極
２１ 個別電極
２６ 共通電極
３０ 金パッド（金を含むパッド）
３２ 接続部
３３ 被覆部
３５ 縁部
４０ 発熱抵抗体
５１ 駆動ＩＣ
５３ コネクタ
７０ 銀膜（銀を含む膜）
１１０ 金の導体パターン
１２０ 銀層（銀を含む層）
１３０ レジスト
１４０ 銀の導体パターン

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】